TWI354147B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

1354147 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示裝置，尤其是關於一種藉 ‘由同一基板上之電極間的橫方向電場而控制液晶分子之配 向方向的液晶顯示裝置。 • 【先前技術】 作為謀求液晶顯示裝置之廣視角化的手段之一，已開 發出一種使橫方向的電場在同一基板上之電極間產生，以 •藉由該電場使液晶分子在與基板平行之面内旋轉，藉以使 液晶顯示裝置具有光開關（switching)功能的方式。作為此 •技彳行之例’已知有水平電場控制（In_piane Switching，以後 .簡稱為「IPS」）方式、以及改良IPS方式而成之邊緣電場 控制（Fringe-Field Switching，以後簡稱為「FFS」）方式。 以下’參照圖式說明FFS方式之液晶顯示裝置。第12 圖係顯示FFS方式之液晶顯示裝置的平面圖；第13圖係 馨〜著第12圖之Y-Y線的剖面圖。實際之液晶顯示裝置中， 雖然有複數個像素配置成矩陣狀，但是在此等圖中只顯示 1個像素1P。 與光源BL相向，而配置有由玻璃基板等所樽成的tft 基板10。在TFT基板1〇之與光源bl相向之側的表面， 形成有使光源BL之光成為直線偏光的第1偏光板U。在 TFT基板〗〇之相反側的表面，形成有由氧化矽膜或是氮化 石夕膜等所構成的緩衝膜12。 然後’在像素選擇用之薄膜電晶體TR之形成區域的 5 318941 1354147 緩衝膜12上，形成有由多晶矽等所構成之主動層ps。 緩衝膜12上’形成有由氧化矽膜或是氮化矽臈等0所構 以覆蓋主動層ps的閘極絕緣膜13。在閘極絕緣膜13上 以與主動層PS相向之方式，形成有間極線沉。閉極線 GL，係由含鉻或鉬之金屬等所構成。在閘極絕緣膜η上， 形成有由包含絡或翻之金屬等所構成用以供給共通電位的 共通電位線COM。閘極線GL、共通電位線Cqm、及閉極 絕緣膜13 ’係由層間絕緣膜；14所覆蓋。 在層間絕緣膜14，設有使主動層ps之源極區域露出 的接觸孔cm、及使汲極區域露出的接觸孔CH2。又，在 層間絕緣膜，設有使共通電位線c〇M露出的接觸孔 CH3。 然後，在層間絕緣膜14之表面，形成有通過接觸孔 1而與主動層PS之源極區域連接的顯示信號線 又’在層間絕緣膜14之表面’形成有通過接觸孔CH2而 ^主動層ps之汲極區域連接的没極電極15。又，在層間 絕緣膜14之表面’形成有通過接觸孔CH3而與共通電位 =COM連接的塾(pad)電極16。該顯示信號線dl、汲極 二極15、及塾電極16，係由包含銘或紹合金之金屬等所構 '而且，顯不信號線DL、汲極電極15、墊電極16、及 層間絶緣膜14，係由鈍化膜58所覆蓋。 抽化^純化膜58上形成有平坦化膜59。在純化膜58及平 ' °又有使汲極電極15露出的接觸孔CH5、及使 墊電極“露出的接觸孔⑽。 31894! 6 1354147 在平坦化膜59上，形成有通過接觸孔CH5而與汲極 電極15連接，且由ITO膜等之第丨層透明電極所構成的 像素電極60。像素電極60接受相應於顯示信號之顯示電 • •壓的施加。又，在像素電極60上，形成有覆蓋像素電極 60之絕緣膜61。在絕緣膜61上，形成有具有平行延伸之 .複數個開縫S，且由ITO等之第2層透明電極所構成的共 通電極62。又，共通電極62係通過接觸孔CH6而與墊電 極16連接。又，在絕緣膜61上，形成有覆蓋共通電極α •之未圖示的配向膜。 -·又，與TFT基板10相向，而配置有由玻璃基板等所 .-構成的彩色濾光片基板（以後，簡稱為「CF基板」）2〇。在 .與TFT基板10相向之側的CF基板2〇之表面，形成有未 圖示之彩色遽光片及配向膜。在不與TFT基板1()相向之 侧的CF基板20之表面，形成有第2偏光板21。第j及第 2偏光板η、2卜係以各偏光板之偏光軸互為正交的關係 #配置。又，在TFT基板1G與CF基板2()之間，封入液晶 上述液晶顯示裝置，在未對像素電極6〇施加顯示電壓 之狀態（無電壓狀態）下，液晶3G之液晶分子的長軸的平均 配向方向（以後’簡稱為「配向方向」）成為與第i偏光板 γ之:扁光軸呈平行之傾斜。此時，穿透液晶％之直線偏 先’由於其偏光軸與第2偏光板21之偏絲正交 不 會從第2偏光板21射出。即顯示狀態為黑顯示(正常黑)。 另一方面，當對像素電極6〇施加顯示電壓時，會產生 318941 7 1354147 從共通電極62通過開缝8而朝向下方之像素電極的的電 場(參照第！3圖之箭號)。此電場當以俯視 .騎S之長度方向呈垂直的電場，液晶分子會以沿=電 %之電力線的方式旋轉(參照第12圖之箭號)。此時，入射 ^液m線偏光雖然會由於雙折射而成為橢圓偏 其具有穿透第2偏光板21之直線偏光成份，故此 =為狀態為白顯示。另外，有關FFS方式之液晶顯示 裝置，已記載於以下之專利文獻丨中。 (專利文獻1)日本特開2002_296611號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 如上所述，當對像素電極6〇施加顯示電壓時，雖狹合 :第12圖之開缝中央部冗產生與開縫s之長度方向呈： 直的電力線，但是卻會在開縫s之邊緣SE產生应上 同方向之電力線。因此在邊緣SE，液晶分子之配向 曰成為域(d〇main)(第i圖中以圓圈圈起的部 =種液晶分子之配向缺陷稱為向錯（diSennation)。起 因於此向錯，會引起来聲胜μ & ~起无予特性之$化，亦即在正常黑的情 况下引起局部之穿透率、對比降低的問題。 (解決問題之手段） ，且 極、 位的 :此’ 士發明之液晶顯示裝置係具備複數個像素 …:具備薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接之像素電 及隔者絕緣膜而配置於該像素電極上用以供給共通電 318941 8 1354147 在上述共通電 以上的開縫。 極開設有橫貫複數 共通電極，其特徵在於： 個像素而延伸之至少1個 (發明效果） 依據本發明之液晶顯示裝置，由於丑 橫貫複數個像素而延伸，所以存 :"之開縫係 個數雙少，可抑制起因於向錯之穿 邊緣 【實施方式】 + 比的降低。 (第1實施形態） 以下參照第〗圖說明本發 .裝置。第i圖中，*第12圏相门i^㈣、之液晶顯示 將對應紅色、綠色、藍色之3像素（以下，分別 辛二像素、δ像素)當作1晝素，且將複數個書 素=像素中，閘極線虹係延伸於左右方向（橫方扑顯 :^線DL係以交又於該閘極線GL之方式延伸於上下 13縱方向）。在閘極線GL與顯示信號線dL之 曰躲#膜電日日體TR，且設有與該像素選擇用之薄膜電 日日體TR連接的像素雷搞 、 '、木6〇。在該像素電極60上隔著絕緣 ，而仅有共通電極叫。共通電極似係與延伸於左右方 向之共通電位線COM連接。 ” L電極62卜對應於各個晝素而開設複數個開縫 ’在各畫素内複數個開縫S1係直線延伸於左右方向， p與顯示信號線D呈正交之方向而橫貫，且在各書素之境 ι有邊緣sE1。另外，開縫Sl的開設方向並沒有必要為 9 3J8941 1354147 與顯示信號線DL正確正交之方向，可為域正交之方 向，例如，亦可相對於左右方向（橫方向）而傾斜5度左右。 藉由設置這樣的開，缝S1，可使存在於各像素中的開縫 之邊緣SE1變少’而可抑制起因於向錯之穿透率、對比 。尤其’藉由將對穿透率、對比影響大之G像素配 素之中央，則由於不會有開縫S1之邊緣m存在 於G像素中，所以可使穿透率、對比成為最大。 ^在加基板與板之間封人液晶乙點係與習知例^ (第2實施形態） 接者，參照第2圖說明本發明之第2實施形能 =二T同之構成部分係附記相同之元㈣號。 在本貫㈣態中，雖然亦將R像素、G像素、B像素之3 像素當作1晝素，且將複數個晝素 、 2圖中只顯示4像素。 i成矩陣狀’但是第 與第1實施形態不同者係在於：在共通電極62_2壯 =數:::S2 ’各開縫幻以2像素之寬度延伸於左右方 寬产之以相互之間在左右方向偏移1像素的 二方二，方向之點。換句話說，第1列之開 鏠S2下方㈣2列之開縫S2，係相對於第 在左右方向偏们像素之寬度。然後，再下 、=2 之寬产，-果，…i 右方向偏移1像素 見度、，、。果成為與第1列之開縫S2相同。 藉由如此’心個像素來看，開縫S2之邊緣_的 318941 10 1354147 :數’係成為習知例（第12圖）之1/2。藉 邊緣SE2的個數’即可增加穿透率、提高對比。2之 (第3實施形態） 接著，參照第3圖說明本發明之第3實施形離 ，中，與第12圖相同之構成部分係附記相同之元；符： =實施形態中’雖然亦將R像素、G像素、B像; 象素广畫素’且將複數個畫素配置成，是 3圖中只顯示5像素。 1一疋弟 與第丨實施形態不同者係在於：在共通電 卜 ^數個開縫S3,各開縫心3像素之寬度 = 向’且該種開縫S3以相互之門^ —本士 、及右方 寬度之方式配置於上下方==向偏移1像素的 向之點。換句話說，相對於筮7 列之開縫S3’其下方的第2列之開縫以係相對於= ^縫Μ在左右方向偏移1像素之寬度。然後，再下方 的第3列之開縫S3係相對於第2列之開縫 偏移1像素之寬度。然後，再下方的第4列之開：:： ，第3列之開縫83在左右方向偏移1像二Γ 結果，成為與第1列之開縫S3相同。 又 藉由如此、就1個像素來看，開縫S3之邊緣SE3的 :數’係成為習知例(第12圖)之1/3。 邊緣_的個數’即可增加穿透率、提高料。之 ^照第2、第3實施形態，藉由將共通電 長度更加延長成為與4像素以上之寬度相同，即可更力； 少1像素内的開縫之邊緣個數。然而，越延長開縫之長;減 318941 11 1354147 佈又於像素内之條(stnp)狀共通電極就越延長於左右 =’其電阻也變得越高。如此，動作中共通電極之電位會 發生失真’且因串擾等而使顯示品質降低。因此，開縫^ 長度係以抑制在不發生串擾等不良狀況之長度為佳。 故而，將每1個像素之邊緣個數設為相$'。當以則固 像素之K度Μ義該種賴之長度的界限時，^就為滿足 下式之X中最大的自然數。

L-TBM^ (l+s)xX •其中’ L為縱方向之像素的節距（㈣，聰為位於縱方 -、向上之黑矩陣的寬度（# m)，1為開縫之線寬（V m)，s為開 -縫之空間寬度〇 m)。 例如，在 L=15〇Vm、TBM=20//m、l+s =6.5//m 之 情況，就成為XS20,開縫長度之界限N即為2〇。在前面 所述之情況，由於各開縫係以2〇像素之寬度延伸於左右方 向，且以相互之間在左右方向偏移1像素的寬度之方式配 馨置於上下方向’所以每！個像素之邊緣個數皆為1個，各 像素之邊緣個數均相等。 (第4實施形態） 以下參照第4圖說明本發明之第4實施形態。第4圖 中’與第12圖相同之構成部分係附記相同之元件符號。 若依據第1、第2及第3實施形態，複數個共通電極 之開縫SI、S2、S3係直線延伸於與顯示信號線DL呈正交 之方向上而橫貫複數個像素，但在本實施形態中，複數個 共通電極62A之開縫S4係平行於顯示信號線DL而延伸， 12 318941 而縱貫排列於上下士 A, 通電極62A之縱方向）之複數個像素。複數個共 可為大致平杆、” 4可不完全與顯示信號線DL平行， 左右。 另如可相對於上下方向（縱方向）傾斜5度

像素由於在上下古A 與使用橫向開缝㈣ 所以當使用縱向開縫時， 向錯之影響 S1、S2、幻相較，可提高穿透率等右。方向（橫方向）之開缝 声方面，在使用開縫S4之情m〇等之第2 -方為白：:成電極時，在左右方向鄰接的像素之間 像素的電場影響，情況，因受到白顯示之 生鄰接之像素的顏色相混合之會發生漏光，而發 ^ 了㈣&_’本實施形態，係以咖等之 明電極來形成料電極6G 曰 極來形成共通電極62A。即使使収2層透明電 開縫“之邊緣存在於像開縫S4,依然有 向錯使得穿透率降低的問題。。㈣邊緣發生之 因此’本實施形態，係使開縫S4橫貫顯示區域之上 S下4 方:部像素。藉此，像素内皆不會有開縫 S4之邊緣，而無起因於向錯之穿透率降低之 (第5實施形態） 以下參照第5、6圖說明本發明之第5實施形態。第5 圖係像素之佈局圖；第6圖係沿著第5圖…線的剖面 318941 13 1354147 圖。第5、6圖中，與第12、13圖相同之構成部分係附記 相同之元件符號。 本實施形態與第4實施形態不同之點係在於：在像素 接觸部上設置開縫S4 ’以防止像素電極60與共通電極62A 之短路。 如第6圖所示，薄膜電晶體TR之汲極電極15，係通 過形成於鈍化膜58及平坦化膜59之接觸孔CH5而與像素 電極60連接。然後，在像素電極60上隔著絕緣膜61而形 鲁成有共通電極62A。但是，在接觸孔CH5部，由於絕緣膜 .61之階梯覆蓋能力（step coverage)惡化，所以當接觸孔CH5 ’-上有共通電極62A時，恐有絕緣膜61會局部變薄，或是 脫落’導致共通電極62A與像素電極60短路之虞。因此， 在接觸孔CH5上設置共通電極62A之開縫S4，以防止共 通電極62A與像素電極60之短路。 ’、 (第6實施形態） φ 以下參照第7圖說明本發明之第6實施形態。第7围 中，與第12圖相同之構成部分係附記相同之元件符號。另 通電極62A’係通過接觸孔CH6而與塾電極16連接。塑 電極16係通過接觸孔CH3而與共通電位線c〇m連接。 因而’若在接觸孔CH6上沒有共通電極62A的話就 •無法獲得墊電極16與共通電極62A之接觸。因此，本實 施形態令，係在共通電極62A與塾電極16之接觸部上切 斷開縫S4,換句話說並不設置開縫S4而留下共通電極 62A。藉此，就可使共通電極62A透過墊電極心確實地 318941 】4 與共通電位線COM連接。 (苐7貫施形態） 中，照第8圖說明本發明之第7實施形態。第8圖 6容施ΐ Λ圖相同之構成部分係附記相同之科符號。第 邱只射 共通電極—與共通電位線C〇M之接觸 部，雖係設在R像素、G像辛、 茌蜩 “署m㈣3像素之全部像素，但是 述的接觸部時就會發生像素之開口率降低，導致 G像素、Β像素之中，藉由只在其中冢J .通電極62Λ與丘通電位续rniu 象素叹置共 .之降低。B像素、，與其:色二觸部二抑㈣^ 不易受到_降低之影響，=為二 =低二 =針對B像素而設置上述接觸部。如 要-

像素設置接觸部，即可 B 且可將Β像辛穿 ’、、G像素而提高穿透率， 料降低之影響降至最小限度。 (第8霄施形態） 以下參照第9圖說明本發 中，盘g 19 ^ ^乃之弟8貫施形態。第9圖 ”苐12圖相同之構成部分係 實施形態中，為了要槎 件符唬。本 φ y ώ 要徒同像素之開口率而將像素内之 電位線COM去除。共通電極八 域之外周，且連接至用以供給妓通=係配=顯示區 Φ . 逋電位Vcom之外周丘诵 62A、。如此’當如第4至第7實施形態般地使共通電極 62A之開縫84縱貫顯示 通電極 通電極62A就會變成非常細長的配線，因而其電 318941 15 阻會變高，導致供給至丑 t ra, m ^ ^ ^ '、 極62A之共通電位信號的失 “的弛緩時間會變長’所以恐有發生串擾 (crosstalk)等之顯示異常之虞。 ^王甲傻 J此二Μ16中’並非使共通電極之開縫S4 方向(縱方向)的全部像素，而是使開 阁 數的最大值為1像素内之開縫討的數 目。弟9圖之佈局例中，由 由於1像素内之開縫S4的數目 為5，所以開縫S4所縱貫 ,φ ^ ^ 只、1豕京数取大為5。藉此，就可 防止串擾等之顯示異常之發生。 (第9實施形態） 圖中以^照第1〇圖說明本發明之第9實施形態。第10 二二2圖相同之構成部分係附記相同之元件符號。 弟8貫她形態中，縱貫複數個像素之共通電極6从的開縫 =係在相同的像素境界上被切斷。相對於此，本實施形 係將各開縫S4分別在各不相同之像素境界上切斷， 亦即，將開縫S4之邊续+ 〈遠緣SE4配置在各不㈣m㈣ 以防止顯示不均等之發生。當然，亦可在第8實施 形態之構成中，追加本實施形態之構成。 (第10實施形態） 以下㈣第u圖說明本發明之第1〇實施形態。第η :中’與第12圖相同之構成部分係附記相同之元件符號。 本貫施形態’係在第9實施形態中，進而在像素接觸部上 :置共通電極62Α之開縫S4，以防止像素電極⑹與共通 “極62A之短路（與第6圖相同之接觸構造）。 318941 16 1354147 ▲另外，在去除了共通電位線C0M之第8至第ι〇實施 升y先、中，較佳為全部或部分去除配置於像素之境界的左右 方向（橫方向）之黑矩陣。此係因為依據本發明，則由於開 縫之邊緣數會減少而可抑制起因於向錯之顯示異常，所以 沒有必要利用黑矩陣來遮住向錯部的光之故。 此時，黑矩陣較佳為設置在像素接觸部（薄膜電晶體 R之汲極電極15與像素電極6〇的接觸部）之類的 部。此係因為在像素接觸部會產生階梯，導致液晶分子之 -向此亂而發生漏光之故，因此在上述的階 矩陣來防止漏光很有效。 j用… - 又’第1至第3實施形態令’雖然像素排列之方法為 條狀排列’但是本發明亦可適用複數個像素互相錯置而排 歹’之二角形（delta)排列的像素排列。而且例如，將共通電 極之開缝設成橫貫三角形排列之複數個像素。 、 =、’第！至第3實施形態、與第4至第1()實施形態雖 二構之開縫延伸的方向有差異’但是有關其他的 ，至冓成可相互地加在其他實施形態之構成上。 又，第1至第10實施形態中，雖铁丘 數個横貫（或縱貫城激伽推4 、在“通電極開汉複 貝以縱貝）複數個像素而延伸之開縫，但是橫貫 縱貫)複數個像素而延伸之開縫，亦可只為“固。… 又’第4至第10實施形態令，由於在上下方向⑽方 開縫以’所以間極線见之電場會通過開縫^而 Τ θ 1生所謂烙痕（burn-in)之問題，使 顯示品質降低。因此，較佳 使 住曷形成可相對於閘極線CJL·而

31S94J 17 丄 / 使位於上下方向之任_

，,^ ^ 调像素電極00延伸至閘極線GL 上遮蚊問極線处的電場之構成。 另外，在如第1至第

f· π戈—‘ j貫施形態般地在顯示信號線DL 向(橫方向)連結開縫si、s2's3的情況，亦 /、上述的理由相同， ± ^ , Τ乂佳為相對於顯示信號線OL·使位於 .θ 9 . _ 象素電極60延伸至顯示信號線DL上，

但疋在顯不信號線D 位VCom呈反轉， 之情況，由於為極性相對於共通電 響小，所:並Ή1大致對稱之信號故而對於液晶層之影 DL上。、’又有必要使像素電極60延伸至顯示信號線 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明楚 ^ 的佈局圖。 Λ月苐1貧施形態之液晶顯示裝置之像素 第2圖係本發明第2 的佈局圖。 第3圖係本發明第3 的佈局圖。 貫施形態之液晶顯示裝置之像素 貫施形態之液晶顯示裝置之像素 實施形態之液晶顯示裝置之像素 第4圖係本發明第4 的佈局圖。 5實施形態之液晶顯示裝置之像素 苐5圖係本發明第 的佈局圖。 弟6圖係沿著第 弟7圖係本發明 的佈局圖。 5圖之Χ-Χ線的剖面圖。 第6實施形態之液晶顯示農置之像素 318941 1354147 第8圖係本發明第7實施形態之液晶顯示裝置之像素 的佈局圖。 * 第9圖係本發明第8實施形態之液晶顯示裝置之像素 .的伟局圖。 . 第10圖係本發明第9實施形態之液晶顯示裝置之像素 • 的佈局圖。 第11圖係本發明第10實施形態之液晶顯示裴置之像 素的佈局圖。 • 第12圖係習知例的液晶顯示裝置之一像素的平面圖。 第13圖係沿著第12圖之Y-Y線的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1P 像素 10 TFT基板 11 第1偏光板 12 緩衝膜 13 閘極絕緣膜 14 層間絕緣膜 15 汲極電極 16 墊電極 20 CF基板 21 第2偏光板 30 液晶 58 鈍化膜 59 平坦化膜 60 像素電極 61 絕緣膜 62 、 62-1 、 62-2 、 62·3 、 62A 共通電極 BL 光源 CH1、 CH2、CH3、CH4 > CH5 、CH6 接觸孔 COM 共通電位線 DL 顯示信號線 GL 閘極線 PS 主動層 318941 19 1354147 · 邊緣 S ' SI、S2、S3、S4 開缝 SC 開縫中央部 ，SE、SE1、SE2、SE3、SE4 -TR 薄膜電晶體

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Claims (1)

1354147 卜年7月f曰修正本 第096102625號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年9月5曰修正 七、申請專利範圍： ' I 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： - 具備複數個像素， 各像素具備：薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接之像素 電極、隔著絕緣膜而配置於該像素電極上用以供給共通電 位的共通電極、及透過上述薄膜電晶體而將顯示信號供給 至畫素之顯示信號線， 在上述共通電極開設有橫貫複數個像素而延伸之至少 1個以上的開縫，上述開縫係與上述顯示信號線大致平行 地延伸，並且上述共通電極係重疊在上述顯示信號線上^ 2.—種液晶顯示裝置，其特徵在於： 具備複數個像素， 各像素具備：薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接之像素 ^ 電極、隔著絕緣膜而配置於該像素電極上用以供給共通電 位的共通電極、透過上述薄膜電晶體而將顯示信號供給至 畫素之顯示信號線、及延伸於與上述顯示信號線正交之閘 極線， ' 在上述共通電極開設有橫貫複數個像素而延伸之至少 1個以上的開縫，上述開縫係在與上述顯示信號線大致正 交的方向延伸，並且上述共通電極係重疊在上述閘極線上 3 . 一種液晶顯不裝置’其特徵在於： 1354147 具備複數個像素， 各像素具備：薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接之像素 電極、及隔著絕緣膜而配置於該像素電極上用以供給共通 電位的共通電極， 在上述共通電極開設有橫貫複數個像素而延伸之至少 1個以上的開縫， 上述複數個像素係包含對應紅色、綠色、藍色之3像 素，且將該等之3像素當作1畫素，而配置有複數個畫素， 上述開縫係在各畫素內橫貫，且在各畫素之境界具有邊緣 〇 4. 如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中，對 應綠色之像素係配置於上述畫素之中央。 5. —種液晶顯示裝置，其特徵在於： 具備複數個像素， 各像素具備：薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接之像素 電極、及隔著絕緣膜而配置於該像素電極上用以供給共通 電位的共通電極， 在上述共通電極，僅以N個（N爲2以上之自然數）像素 的寬度向第1方向延伸的複數個開縫，係在第1方向僅偏移 1像素之寬度而配置在第2方向。 6. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，其中，上 述N係滿足以下不等式之X中最大的自然數 L-TBM ^ (1 + s)xX 其中，L爲上述第2方向之上述像素的節距（μπι)， 1354147 ΤΒ Μ爲位於上述第2方向之黑矩陣的寬度（μιη)，1爲上述開 縫之線寬（μπι)，s爲上述開縫之空間寬度（μιη)。 7 . —種液晶顯示裝置，其特徵在於： 具備複數個像素， 各像素具備：薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接之像素 電極、隔著絕緣膜而配置於該像素電極上用以供給共通電 位的共通電極、及連接上述薄膜電晶體和上述畫素電極之 接觸部， 在上述共通電極開設有橫貫複數個像素而延伸之至少 1個以上的開縫，並且藉由上述共通電極在上述接觸部上 之前後被切斷，在上述接觸部上設有開縫。 8. —種液晶顯示裝置，其特徵在於： 具備複數個像素， 各像素具備：薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接之像素 電極、隔著絕緣膜而配置於該像素電極上用以供給共通電 位的共通電極、被配設在各像素內用以供給共通電位之共 通電位線、及連接該共通電位線和上述共通電極之接觸部 ， 在上述共通電極開設有橫貫複數個像素而延伸之至少 1個以上的開縫，並且藉由開縫在上述接觸部上之前後被 切斷，在上述接觸部上殘留共通電極。 9. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中，上 述接觸部係設於對應複數色之像素中僅1色的像素內。 10·如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中， -3- 1354147 上述接觸部係設於對應複數色之像素中主要1色的像 Ο 11.如申請專利範圍第9或1 0項之液晶顯示裝置，其 中上述1色係爲藍色。 12·—種液晶顯示裝置，其特徵在於：具備複數個像素 各像素具備：薄膜電晶體、與薄膜電晶體連接之像素 電極、及隔著絕緣膜而配置於該像素電極上用以供給共通 電位的共通電極， 在上述共通電極開設有橫貫複數個像素而延伸之多數 的開縫，當將1像素內之上述複數個開縫的數目設爲Μ個時 ，複數個開縫係橫貫最大Μ個之像素。 13.如申請專利範圍第1、2、7、8、9、10、12項中 任一項之液晶顯示裝置，其中，上述複數個開縫之邊緣係 分別位於各不相同之像素的境界上。