JP2009103775A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の絶縁基板SUB1の主面に形成された薄膜トランジスタTFTの上層を含めた画素領域に設けた第1電極CT/SREと、第1電極CT/SREの上に設けた容量絶縁層INSと、容量絶縁層INSの上に設けた第2電極PXとを有し、第1電極CT/SREと第2電極PXを塗布型の透明導電膜、容量絶縁層INSを塗布型の絶縁膜によって形成した。
【選択図】図1
Description
前記下地電極の上に塗布型の透明導電膜からなる第1電極を有し、前記第1電極の上に塗布型の絶縁膜からなる容量絶縁層を有し、前記容量絶縁層の上に塗布型の透明導電膜からなる第2電極を有し、
前記薄膜トランジスタは前記第1電極と前記第2電極の間に電圧を印加して液晶を制御することを特徴とする。
Claims (14)
- 第1の絶縁基板と、第2の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板と第2の絶縁基板の間に封入した液晶層とを備えた液晶表示装置であって、
前記第1の絶縁基板の主面に画素ごとに形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上層を含めた画素領域に設けた下地電極を有し、
前記下地電極の上に塗布型の透明導電膜からなる第1電極を有し、前記第1電極の上に塗布型の絶縁膜からなる容量絶縁層を有し、前記容量絶縁層の上に塗布型の透明導電膜からなる第2電極を有し、
前記薄膜トランジスタは前記第1電極と前記第2電極の間に電圧を印加することで液晶を制御することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記第1電極と前記第2電極は、特に金属微粒子を溶媒中に分散させた塗布型インク、または有機高分子を溶解させた塗布型インクを用いて形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記薄膜トランジスタの上層を含めた画素領域において、特に前記下地電極を有さず、前記薄膜トランジスタの上層に直接接触した前記第1電極と、前記容量絶縁層と、前記第2電極を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記薄膜トランジスタの上層を含めた画素領域において、特に前記下地電極を有さず、前記薄膜トランジスタの上層に直接接触した前記第1電極と、前記容量絶縁層と、前記第2電極を有し、前記第1電極と前記容量絶縁層と前記第2電極からなる積層構造の合計の光透過率が、可視光領域(波長400nm〜800nm)において80%以上であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記画素領域は透過表示部と反射表示部からなり、前記透過表示部では前記下地電極を有さず、前記反射表示部では前記下地電極を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記第1電極は平板状電極で、前記第2電極は前記第1電極の面に臨む複数のエッジを形成した複数のスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記第1電極は画素電極であり、前記第2透明電極は共通電極であり、前記第1電極と前記薄膜トランジスタのドレイン電極が電気的に接続されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記第1電極は共通電極であり、前記第2電極は画素電極であり、前記第2電極と薄膜トランジスタのドレイン電極が電気的に接続されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記画素領域は透過表示部を持ち、前記透過表示部は薄膜トランジスタのゲート電極に重なっているゲート電極上部領域と、前記ゲート電極とは重ならない非ゲート電極上部領域からなり、前記ゲート電極上部領域と前記非ゲート電極上部領域との間における、前記第1電極の下面の段差より前記第1電極上面の段差の方が小さく、さらに前記第1電極上面の段差より前記容量絶縁層上面の段差の方がさらに小さいことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記画素領域は反射表示部を持ち、前記反射表示部は前記下地電極を持ち、前記下地電極には拡散反射のための凹凸が形成され、前記凹凸は上に凸の領域と上に凹の領域からなり、前記上に凸の領域と前記上に凹の領域との間における、前記第1電極の下面の段差より前記第1電極上面の段差の方が小さく、さらに前記第1電極上面の段差より前記容量絶縁層上面の段差の方がさらに小さいことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において
前記画素領域は、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と、前記下地電極または前記第1電極または前記第2電極のいずれかが電気的に接続されたコンタクト部を持ち、前記コンタクト部には前記ドレイン電極と前記下地電極または前記第1電極または前記第2電極のいずれかが直接接触する配線接続領域があり、前記配線接続領域と前記配線接続領域以外の領域との間における、前記第1電極の下面の段差より前記第1電極上面の段差の方が小さく、さらに前記第1電極上面の段差より前記容量絶縁層上面の段差の方がさらに小さいことを特徴とする液晶表示装置。 - 絶縁基板の主面に画素ごとに薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上に無機材料からなる絶縁膜を形成する工程と、前記無機絶縁膜の上に有機材料からなる絶縁膜を形成する工程と、前記有機絶縁膜の上に下地電極をスパッタ法などで形成する工程と、前記下地電極の上に塗布型の透明導電膜により第1電極を形成する工程と、前記第1電極の上に塗布型の絶縁膜により容量絶縁層を形成する工程と、前記容量絶縁層の上に塗布型の透明導電膜により第2電極を形成する工程を有することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
- 請求項12において、
前記有機絶縁膜を形成する工程または前記下地電極を形成する工程のいずれかまたは両方を有さないことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項12において、
前記第1電極を形成する工程から、前記第2電極を形成する工程までにおいて真空装置を用いないことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
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