TWI339543B - Organic electroluminescence display panel - Google Patents

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TWI339543B
TWI339543B TW092135034A TW92135034A TWI339543B TW I339543 B TWI339543 B TW I339543B TW 092135034 A TW092135034 A TW 092135034A TW 92135034 A TW92135034 A TW 92135034A TW I339543 B TWI339543 B TW I339543B
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Taiwan
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display panel
supply voltage
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organic electroluminescent
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TW092135034A
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TW200421906A (en
Inventor
Beohm-Rock Choi
Chong-Chul Chai
Kyong-Ju Shin
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Samsung Electronics Co Ltd
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Description

1339543 玖、發明說明：· 負 « 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電致發光顯示面板。 【先前技術】 概言之，有機電致發光（EL)顯示器係一種自體發射式顯 不裝置’其藉由激發一發射性有機材料發光來顯示圖像。 該有機EL顯示器包括一陽極（電洞注入電極）、一陰極（電子 注入電極）及一夾於它們之間之有機發光層❶當電洞和電子 主入到發光層中時，它們進行重組並於發光之同時成對湮 滅。該發光層還包括一電子傳遞層（ETL)和一電洞傳遞層 (HTL)以及用於增強發光效果之一電子注入層（EIL)和一電 洞注入層（HIL)。 該有機EL顯示器之複數個像素之每一個皆包括一陽極、 一陰極和一發光層，該等像素係以矩陣之樣式排列，並且 係以被動.（或簡單矩陣）矩陣定址或主動矩陣定址之方式加 以驅動。 該被動矩陣型有機EL顯示器包括複數個陽極線、複數個 與該等陽極線相交之陰極線、以及複數個像素，每一像素 ^ ^ 發光層。選取该寺陽極線之一及該等陰極線之一， 將導致所選取信號線之交點處之一像素發光。 5亥主動矩陣型有機EL顯示器包括複數個像素，每—像素 包含一開關電晶體、一驅動電晶體及一儲存電容器，以及 广------ 。。疋巴秸歿歎 該 送閘極信號之閘極線和複數個傳送資料電壓之資料線
〇\90\90l6l OOC -6- 1339543 開關电晶體，與閘極線之一及資料線之一相連接並回應閘極 號從資料線發出資料電壓。該驅動電晶體從開關電晶體 接收該資料電壓並驅動產生一電流，該電流之大小依賴於 為料電壓與一預定電塵（例如一供應電壓）間之差異而確 定°得自驅動電晶體之電流進入該發光層以導致發光，所 發光強度取決於該電流。該儲存電容器連接於資料電壓及 供應電壓之間以保持它們之間的電壓差。該主動矩陣型EL 顯示器之灰階調節係透過控制資料電壓來調節由驅動電晶 體驅動之電流而實現。該£1顯示器之彩色顯示係藉由提供 紅色、綠色和藍色發光層而獲得。 同時，降低供應電壓會減小由驅動電晶體驅動之電流， 以致所顯示之圖像較所期望者暗。例如，用於顯示較高灰 P皆之具有較冑幅度之資料電壓經|了_較高壓降，以致由 驅動電晶體驅動之電流之減小極其劇烈。該較小之電流使 得與之柯·關之像素僅發出較暗之光，從而產生了串擾，隨 著所期望發出亮光之像素數量之增加，此種情況將變得愈 加嚴重。 【發明内容】 本發明之動機係解決上述問題。 按照本發明之-觀點，提供一種有機電致發光顯示面 板’其包括：-絕緣基板；-形成於該基板上之多晶石夕層； 一形成於該多晶碎層上之第-絕緣層…㈣Μ卜絕 緣層上之閘極線；-形成於該問極線上之H 緣層〆 形成於該第二絕緣層上且包㈣—和第二部分之資料線；
〇 ^90161 OOC 1339543 與邊資料線之該第一部分相連接之像素電極；—在該像 素电極之上界定出一區域之隔板；一形成於該像素電極上 之該區域中之有機發光構件；一形成於該發光構件上之共 用電極；以及一設置於該像素電極與該基板之間且與該資 料線之該笫二部分相連接之平面供應電壓電極。 該供應電壓電極可直接設置於該基板上。 °玄有機電致發光顯不面板還可包括一形成於該基板上之 阻障層。s玄阻障層可具有一露出該供應電壓電極之一部分 之開口，I玄第一和第二絕緣層可具有一接點孔以露出藉該 開口所暴露之該供應電壓電極部分，且該資料線之該第二 泮刀可藉由該開〇及該接點孔與該供應電壓電極相連接。 該開口可大於該接點孔。 該多晶矽層可包括第一和第二電晶體部分，該等第一和 第-電晶雜部分各自包括-通道區域、—源極區域及一汲 極區域，'該閉極線可包括分別與該第一和該第二電晶趙部 分重疊之第一和第二閘極，且該資料線可包括一與該第一 電晶體部分之該源極區域相連接之第一源極'一與該第一 電晶體部分之汲極區域和該第二問極相連接之第一汲極' -與該第二電晶敢部分之該源極區域和該供應電壓電極相 連接之第二源極，以及-與該第二電晶體部分之該汲極區 域和該像素電極相連接之第二汲極β 。夕曰曰矽層還可包括一與該第二電晶體部分之該源極區 域相連接之儲存電極區域，且該問極線還包括一與該儲存 電極區域重疊且與該第二閘極相連接之儲存電極。 0 \W90I6I 〇〇〇 該像素電極 形成 可係由與該·資料線相同 之層或相同之材料所 X有機氧致發光顯示面板還可命技.* ,, 電極盘㈣^ 了包括-連接於該供應電壓 〇 °Λ第—源極之間之輔助電極。該輔肋Φ 1 q 該開極線相同之層。 補助電極可包括與 該隔板最好包含黑色光阻劑 該像素電極可係非透明者， 或者，該像素電極可係透明者 者〇 而該共用電極可係透明者。 ，而該共用電極可係非透明 田。玄像素電極係透明時，該供應電壓電極最好有—面向 該發光構❹於透過該發光構件所發光之透光部分。° 該供應電Μ電極最好具有—面向該多_層之至少 分之開口。 【實施方式】 猎由參·照附圖對本發明之各實施例進行詳細介紹，本發 明將變得更加明白易懂。現在將在下文中參照附圖對本發 明進行更加全面之介紹’在附圖中圖示了本發明之較佳實 施例。不㉟’本發明可以多種不同形式實現，並不應理解 為受限於此處所闡明之該等實施例。 在該等圊式中’為清楚起見’各層及區域之厚度均加以 挎大8全文中相同之數字代表相同之元件。應瞭解當稱 一諸如一層、膜、區域、基板或面板之類之元件，，在另一元 件之上"時，它可為直接位於該另一元件上或亦可能存在介 於其間之元件。反之，當稱一組件"直接在另一元件之上”
O\90\90l6l DOC •9· 1339543 時’則不存在介於其間之、元件。 然後’將參照附圖對按照本發明之實施例之有機電致發 光顯示裝置及其製造方法加以說明。 首先，參照圖1至3對按照本發明之—實施例之—有機el 顯示器詳細加以介紹。 圖1係按照本發明之一實施例之一有機EL顯示面板之佈 局圖’圖2係圖1中所示之該有機此顯示面板沿線叫丨,之— 載面圖，而圖3係圖1中所示之該有機EL顯示面板沿線 ΠΙ-ΙΙΓ之截面圖。 於一最好由透明玻璃或矽晶圓製成之絕緣基板u 〇上形 成一具有施加有一諸如供應電壓之預定電壓之供應電壓電 極112。該供應電壓電極丨12最好係由低電阻率之導電材料 形成，諸如A卜A1合金、Ag或Ag合金，且其大體上覆蓋了 基板110之整個表面，以構成一平面形狀，而非一帶狀。 於該供應電壓電極112上形成有一最好由氧化矽或氮化 矽製成之阻障層111。 於該阻I1导層1 11之上形成有一多晶石夕層，該多晶石夕層包含 複數對之第一電晶體部分丨50a及第二電晶體部分l50b，其 中該第一電晶體部分I50a用作一開關薄膜電晶體（TFT)，而 該第一電晶體部分15 Ob用作一驅動丁 ft。 該第—電晶體部分丨50a包含複數個雜質區域及複數個本 質區域，其令該等雜質區域諸如—（第_)源極區域。“、一 中間區域152a和一（第一）汲極區域155a，它們摻雜有n型雜 貝並彼此分開，而該等本質區域諸如為一對設置於雜質區
O:\90\90I6I D0C -10- 1339543 域153a、152a及155a之間乏（第一）通道區域i54a。該第一源 極區域153a延展以形成一儲存電極區域Η?。 該第二電晶體區域1 50b包含複數個雜質區域及一本質區 域，其中該等雜質區域諸如爲—（第二）源極區域15扑和— (第二）汲極區域155b，它們摻雜有p型雜質，而該本質區域 諸如爲一設置於該等雜質區域153b及155b之間之（第二）通 道區域154b。 或者，取決於驅動狀況，該第一電晶體部分丨5〇a之該等 雜質區域153a、152a及155a可摻雜有p型雜質，而該第二電 晶體部分150b之該等雜質區域15313及15讣可摻雜有n型雜 質。 ’、 於該多晶矽層叫150b之上形成有—最好由氧化石夕或 氮化矽製成之閘極絕緣層140。 於該閘極絕緣層140之上形成有包含複數對第—開極 123a及複.數個第二閘極123b之複數個閘極線121，其中該等 閘極最好係由諸如A1或A1合金之類之低電阻率材料製成 者。每一對第一閘極123a係從閘極線121伸出之分支，並且 其與該第一電晶體部分⑽相交，使它們與該等第一通道 區域154a重叠。每一第二問極123b與該間極線i2i分開，且 其與該第二電晶體部分1501)相交’使其與該第二通道區域 154b重叠。該第二閘極⑽延展以形成—與該多晶石夕層 1術及15〇13之儲存電極區域157重叠之錯存電極⑴，以形 成一儲存電容器。 y 於該閘極線1 2〖及該第一和 第二閘極123a和123b之上形
0 \90\90I6I DOC -11 - 1339543 成有一第一層間絕緣犋80·1。 於該第一層間絕緣獏8〇1之上形成有各自包含複數個第 —源極1 73a、複數個第二源極丨731)及複數個第—和第二汲 極175 a和175b之複數個資料線171。 各第一源極1 73a係從資料線π 1伸出之分支，且藉由一貫 穿該第一層間絕緣獏80丨及該閘極絕緣層丨4〇之接點孔181 與該第一源極區域153a相連接。各第一汲極175以系藉由一 貫穿該第一層間絕緣膜801及該閘極絕緣層14〇之接點孔 182與泫第一汲極區域i55a相連接β該第一汲極i75a還藉由 一貫穿該第一層間絕緣膜8〇1及該閘極絕緣層14〇之接點孔 183與該第二閘極123b相連接。 各第二源極173b為一島狀，且其係藉由一貫穿該第一層 間絕緣膜80 1及該閘極絕緣層丨4〇之接點孔1 84與該第二源 極區域153 b相連接。各第二汲極175b係藉由一貫穿該第一 層間絕緣膜801及該閘極絕緣層1 4〇之接點孔1 %與該第二 汲極區域155b相連接。該第二源極173b還藉由—貫穿該第 一層間絕緣膜8(H、該閘極絕緣層i 4〇及該阻障層【u之接點 孔187與該供應電壓電極丨12相連接。 於該貧料線17卜該等源極丨733和173b及該等汲極〖75a和 1 75b之上形成有一第二層間絕緣膜8〇2。該第二層間絕緣膜 802最好由氮化矽、氧化矽或有機絕緣材料製成，且其具有 複數個暴路出該等第二；;及極1 7 5 b之接點孔1 8 5。 於該第二層間絕緣膜8〇2之上形成有複數個像素電極 1 90。各像素電極190藉由接點孔丨85與該第二汲極丨7讣相連
OA90V90I6I OOC •12· 1339543 接，且其最好係由諸如A1或A1合金之類之反射性非透明材 料製成。.不過，該像素電極丨90亦可由諸如I丁0(氧化銦踢） 和IZO(氧化銦鋅）之類之透明導電材料形成。該像素電 極190亦可與該第二汲極175b合併在一起，以降低製造 成本。 於該第二層間絕緣膜802及該像素電極190之上形成有一 用於將該有機EL顯示面板之像素隔開之隔板8〇3。該隔板 803如一田埂那樣圍繞著該等像素電極19〇，以界定出填充 有機發光材料之凹陷區域。該隔板803最好由有機絕緣材料 製成，且由含有黑色顏料之感光材料製成者更佳，該感光 材料受到光照並顯色’使該隔板8 〇 3擔當光阻障構件之作用 且其製造方法簡單。 於該像素電極190之上形成有複數個發光構件7〇且該等 發光構件係設置於由該隔板803所界定之凹陷區域中者。該 等發光構件70最好係由發射諸如红色、綠色和藍色之原色 光之有機材料製成者。料紅色、綠色和藍色光發射構件 7 0係週期性排列。 於該等發光構件70及該隔板8〇3之上形成有一緩衝層 804。如無必要，該緩衝層8〇4可省去。 於該緩衝層謝之上形成有一施加有一預定電壓之丘用 電極270。該共用電極270最好係由諸如ιτ〇和ιζ〇之類之透 明導電材料製成者。若該等像素電極19()係透明者則該共 用電極270應最好由諸如八丨之類之反射性非透明金屬製成’: 可選擇性提供一由低電阻率材料製成之辅助電極(未顯 〇\90\90l6i 〇〇c -13· 1339543 不），用以補償該共用電柽270之電導率。該輔助電極可設 置於垓共用電極270與緩衝層804之間或置於該共用電極 270之上，且其最好具有一矩陣樣式並沿該隔板8〇3設置， 使其不致與該發光構件7〇重疊。 在上述有機EL顯示面板中，該第一電晶體部分15〇a、與 閘極線1 2 1相連接之該第一閘極丨23a '與資料線丨7丨相連接 之泫第一源極153a及該第一汲極155a組成一開關TF丁。此 外，该第二電晶體部分15〇b、與該第一汲極1553相連接之 該第二閘極123b、與供應電壓電極n2相連接之該第二源極 153b及與該像素電極ι9〇相連接之該第二汲極155b組成一 驅動TFT。而且’該像素電極19〇和該共用電極27〇分別作為 一陽極和一陰極’且與該第一汲極區域155a相連接之該儲 存電極區域157和藉由該第二源極153b與該供應電壓電極 112相連接之儲存電極丨33組成一儲存電容器。 回應於·來自閘極線12 1之閘極信號，該開關TFT將來自資 料線1 7 1之資料電壓傳送給該驅動tft。當接收到該資料電 壓後’戎驅動TFT即產生一電流，該電流之大小係取決於該 資料電壓與該供應電壓之間之差值。此外，該資料電壓在 該儲存電容器内得以增壓，以在開關TFT關閉之後得以維 持6由驅動TFT驅動之電流經過該像素電極丨9〇進入該發光 構件70中’並到達該共用電極27〇。該電流在發光構件7〇 中之流動意味著已分別從該陽極1 90及該陰極270中將諸如 電洞之類之正電荷載體及諸如電子之類之負電荷載體注入 至該發光構件70中，且它們係在由該陽極i 9〇及該陰極27〇 〇\90\90l6l DOC -14- 1339543 間之電壓差所產生電場之·作用下進行漂移。發光構件7〇中 之該等電洞和該等電子隨後彼此相遇，以再組合成激發性 電子，其以一預定波長發光。所發光之強度取決於由驅動 TFT所驅動且在發光構件7〇中流動之電流。 所發之光經過該共用電極270或該像素電極190之後離開 該顯示面板。一透明共用電極270及一非透明像素電極19〇 適用於一頂部發光型EL顯示器，該顯示器在其頂面上顯示 圖像。反之，一透明像素電極19〇及一非透明共用電極27〇 適用於一底部發光型EL顯示器’該顯示器在其底面上顯示 圖像。在前一種情形中’供應電壓電極丨1 2可在該等發光構 件70與該基板1〖1之間具有各種不同之位置或排列。在後一 種情形中，供應電壓電極112可為至少部分透明者，從而透 射從該發光構件70中所發之光。 如上面所述，由於該供應電壓電極112具有一覆蓋該有機 EL顯示面板整個表面之平面形狀，因此施加於該等像素之 供應電壓之大小幾乎為常數。此外，由於該供應電壓電極 112具有一薄層電阻’因此一電壓降不會使施加於該等像素 之供應電壓之大小明顯產生差異。因此，可顯著減小由該 等像素間之亮度差所造成之串擾。 現在，將參照圖4A至1 〇C以及圖1至3介绍圖1至3中所示 之該有機EL顯示面板之製造方法。
圖4A、5A、6A、7A、8A、9A及10A係按照本發明—實 施例之圖1至3中所示之有機EL顯示面板處於一製造方法之 中間步驟中之佈局圖，圖4B、5B ' 6B、7B、8B、9B及丨〇B 0：\9〇\9〇161 〇〇c • 15· 1339543 分別係圖4A、5A、6A、7A、8A、9A及10A中所示之該有 機EL顯示面板分別沿線IVB-IVB'、VB-VB’、VIB-VIB1、 VIIB-VIIB，、VIIIB-VIIIB，、IXB-IXB，及 XB-XB，所得之載面 圖，而圖 4C、5C、6C、7C、8C、9C及 10C分別係圖 4Α、5Α、 6Α、7Α、8Α、9Α及10Α中所示之該有機EL顯示面板分別沿 線 IVC-IVC. 、VC-VC' 、VIC-VIC，、VIIC-VIIC，、 VIIIC-VIIIC1、IXC-IXC'及XC-XC1所得之載面圖。 參照圖4Α至4C ’將一導電材料沈積於一絕緣基板π 0 上，以形成一供應電壓電極1丨2。可對該供應電壓電極Η2 進行光學蝕刻以形成其中之開口或透光部分。 於一絕緣基板110上形成一最好由氧化吩製成之阻障層 111 ’並於該阻障層111上沈積一非晶矽層。該非晶矽層之 沈積最好係由LPCVD(低溫化學汽相沈積）、PECVD(電襞增 強化學汽相沈積）或激鍵所完成。然後，對該非晶石夕層進行 雷射退火，以將其結晶化為一多晶矽層。 接著’對該多晶石夕層進行光學姓刻，以形成複數對第一 和第二電晶體部分15〇a及150b。 參照圖5A至5C，在該多晶矽層1 5〇a及i5〇b上沈積一閘極 絕緣層140 » 接著，將一閘極金屬層沈積在該閘極絕緣層14 〇之上，並 塗覆一光阻膜，將其曝光並使其顯影，以形成一第一光阻 PR1。藉由利用該第一光阻PR1作為蝕刻遮革，對該閘極金 属層加以蝕刻，以形成複數個包含儲存電極丨33及複數個閘 極金層構件120之閘極123b。將p型雜質注入到該多晶矽層 0\90\90I6I.DOC -16- 1339543 之該第二電晶體部分1 5〇i)之暴露部分中，以形成複數個p 型雜質區域1 53b和1 55b。此時，該多晶矽層之該第一電晶 體部分150a由該第一光阻PR1及該閘極金屬構件ι2〇覆蓋以 防止雜質植入。 麥照圖6 A至6C ’將該第一光阻pr 1去除並塗布另一光阻 膜’將其曝光並使其顯影’以形成一第二光阻PR2 ^藉由利 用該第二光阻PR2作為蝕刻遮罩，對該閘極金屬層1 2〇加以 姓刻’以形成複數個包含閘極123a之閘極線121。將N型雜 質注入到該多晶矽層之該第一電晶體部分丨5〇a之暴露部分 中’以形成複數個N型雜質區域153a和155a。此時，該多晶 石夕層之該第二電晶體部分i50b由該第二光阻PR2覆蓋以防 止雜質植入。 參照圖7A至7C，將一第一層間絕緣膜801沈積在該閘極 線12 1及該閘極1 2 3 a和12 3 b之上。對該第一層間絕緣膜 80 1、該閘極絕緣層140及該阻障層111進行光學蝕刻，以形 成分別露出雜質區域153a' 155a、153b和155b之複數個接 點孔181、182、184和186，以及露出該閘極123b和該供應 電壓電極11 2之各部分之複數個接點孔丨§ 3和I 8 7。 參照圖8A至8C ’沈積一資料金屬層並對其光學蝕刻，以 形成複數個包含第一源極1 73a、複數個第二源極1 73b、複 數個第一和第二汲極175a和175b之資料線171。 參照圖9A至9C ’在該等資料線171、該等源極1 73a和173b 及該等沒極175a和175b之上以及在該第一層間絕緣膜8(H 之上沈積一第二層間絕緣膜8〇2。對該第二層間絕緣膜8〇2 〇\90\90161 DOC -17· 1339543 進行光學蝕刻以形成複數個露出該第二汲極175b之接點孔 185 〇 參照圖10A至10C ,沈積一透明導電材料或一低電阻率反 射材料並將其圖樣化，以形成複數個像素電極丨9〇。當該等 像素電極1 90係由反射非透明材料製成時，它們可與該等資 料線1 7 1 —同由該資料金屬層形成。 參照圖1至3，將一含有黑色顏料之有機膜塗布在該等像 素電極190及該第二層間絕緣膜8〇2之上，並將其曝光並使 其顯影’以形成定義了複數個位於該等像素電極1 9〇之上之 凹陷之隔板803。其後，在進行遮蔽之後，藉由沈積或噴墨 列印在該等凹陷中形成複數個有機發光構件7〇。該有機發 光構件70最好具有一多層結構。 接著’將一有機導電材料沈積在該等發光構件7〇之上， 以形成一緩衝層804 ’並在該緩衝層8〇4上沈積ITO或IZ0以 形成一共:用電極270 » 可在形成該共用電極270之前或之後形成一由諸如A1之 低電阻率材料製成之輔助電極（未顯示）。 如上所述’按照本實施例’一頂部發光型有機EL顯示面 板包括一非透明像素電極和一透明共用電極27〇，且在其頂 面上顯示圖像.該供應電壓電極112可置於該有機發光構件 70之下之另一位置上。 接下來，將參照圖11至1 5詳細介紹一種包含一透明像素 電極及一非透明共用電極用於在其底面上顯示圖像之底部 發光型有機EL顯示面板。 〇\%\90I6I DOC -18- 1339543 圖11係按照一本發明之實施例之一底部發光型有機el顯 示面板之佈局圖，而圖12和13分別係圖U中所示之顯示面 板沿線XII-XII’和ΧΙΙΙ_χΙΙΓ所得之示範性截面圖。 如圖丨1至〖3所示，按照本實施例之—有機EL顯示面板之 結構與圖1至3中所示之顯示面板之結構相類似。 。羊σ之在一絕緣基板11 〇之上依次形成一供應電壓電極 112和一阻障層m。在該阻障層丨丨丨之上形成一包含複數對 用於一開關TFT之第一電晶體部分1 50a，和用於一顆動TFT 之第二電晶體部分1 50b之多晶矽層，並在其上形成一閘極 絕緣層140。該第一電晶體部分1 5〇a包括複數個雜質區域， 諸如一第一源極區域153a、一中間區域〖523和一第一汲極 區域155a，以及一對設置於該等雜質區域i53a、152&和155a 之間之第一通道區域1 54a。該第二部分1 5〇b包括一第二源 極區域153b、一第二汲極區域155b，以及一設置於該第二 源極區域.153b和該第二汲極區域1 55b之間之第二通道區域 1 54b。在該閘極絕緣層140上形成複數個包含第一閘極丨23a 之閘極線121及複數個包含儲存電極133之第二閘極123b， 且在其上形成一層間絕緣膜80 I。在該第一層間絕緣膜8〇 1 之上形成複數個包含第一源極173a、複數個第二源極i73b 以及複數個第一和第二汲極175a和175b之資料線171，且在 其上形成一第二層間絕緣膜802。在該第二層間絕緣膜802 之上形成複數個像素電極1 90和一:界定出複數個位於該等 像素電極190之上之凹陷之隔板8〇3，且在位於該等像素電 極1 90之上之該等凹陷中形成複數個有機發光構件7〇。在該 〇.\9〇\9〇|61 DQC •19- 1339543 等有機發光構件70和該隔板8〇3之上形成一緩衝層8〇4，且 在忒緩衝層804之上形成一共用電極27〇。 。亥等像素電極1 90係透明者，而該共用電極27〇係非透明 者。該供應電壓電極丨12具有複數個透光部分T，該等透光 邛刀T面向該等像素電極190 ,用於透過從該等發光構件7〇 所發之光。此外，該供應電壓電極Π2具有複數個面向該等 第—電晶體部分15〇a之該等通道區域丨54a之開口s，該等開 口 S用於最小化供應電壓對該等開關tft之影響β 按照本發明之一實施例之圖Π至1 3中所示之該有機EL顯 不面板之製造方法，係藉由在沈積該供應電壓電極丨丨2之後 利用一光學蝕刻製程圖樣化該供應電壓電極112，來形成該 等開口 S及該等透光部分τ。 按照本實施例，較之傳統之線形供應電壓電極，該平面 供應電壓電極112之該等透光部分丁之面積可得以增大。 圖14係.沿線ΧΙΙΙ_χΙΙΓ所得之圖〖丨中所示之顯示面板之另 一示範性載面圖。 參照圖14,在該閘極絕緣層14〇之上形成複數個用於補償 該供應電壓電極112與該等第二源極1731)之間之連接之輔 助構件127。該等輔助構件丨27藉由貫穿該閘極絕緣層 及該阻障層Π1之接點孔147與該供應電壓電極ii2相連 接，還藉由貫穿該第一層間絕緣膜8〇1之接點孔187與該第 二源極173b相連接。該等輔助構件127最好由與該等閘極線 1 2 1相當之層製成。 ' 圖15係圖11申所示之顯示面板沿線乂111}〇11，所得之另一
〇Λ9(/\90Ι6ί OOC -20- 1339543 示範性載面圖。 · 參照圖15,該阻障層m具有複數個露出該供應電壓電極 11 2之開口 1丨7，並且在該等開口丨丨7中形成複數個貫穿該第 一層間絕緣膜80 1和該閘極絕緣層14〇且具有小於該等開口 U7之尺寸之接點孔187。該等第二源極17儿藉由該等接點 孔187與該等供應電壓電極112相連接。 雖然在上文中已詳細介紹了本發明之較佳實施例，但應 當清楚地瞭解，此處所教導之基本發明構想之許多改變和/ 或修改，對熟習此項技術者而言係顯而易見者，且仍將處 於如所附之申請專利範圍所定義之本發明之精神及範圍之 内。 【圖式簡單說明】 圖1係一按照本發明之一實施例之一有機£[顯示面板之 佈局圖； 圖2½圖1中所不之該有機EL顯示面板之沿線H 所得 之截面圖； 圖3係圖1中所不之該有機孔顯示面板之沿線ιιι ιπ，所得 之載面圖； 圖4 Α係按照本發明之—實施例，圖丨至3中所示之該有機 EL顯示面板在其製造方法之第一步中之一佈局圖； 圖4B和4C分別係圖4A中所示之該有機EL顯示面板沿線 IVB-IVB'和IVC-IVC所得之載面圖； 圖5八係於圖4八至4(：所示之該步驟後之一步驟中，圖1至3 中所示之該有機EL顯示面板之一佈局圖；
〇\90\90丨6丨 DOC -21 . 1339543 圖5B和5C分別係圖5A中所示之該有機EL顯示面板之沿 線VB-VB’和VC-VC·所得之載面圖； 圖6A係於圖5A至5C所示之該步驟後之一步驟中，圖1至3 中所示之該有機EL顯示面板之一佈局圖； 圖6 B和6 C分別係圖6 A中所示之該有機E L顯示面板之沿 線VIB-VIB>VIC-VIC所得之截面圖； 圖7A係在圖6A至6C所示之該步驟後之一步驟中，圖1至3 中所示之該有機EL顯示面板之一佈局圖； 圖7B和7C分別係圖7A中所示之該有機EL顯示面板之沿 線VIIB-VIIB’和VIIC-VIIC1所得之截面圖； 圖8A係在圖7A至7C所示之該步驟後之一步驟中，圖1至3 中所示之該有機EL顯示面板之一佈局圖； 圖8B和8C分別係圖8A中所示之該有機EL顯示面板之沿 線¥1118-¥1118’和乂111(：-¥111(：|所得之截面圖； 圖9A係在圖8A至8C所示之該步驟後之一步驟中，圖1至3 中所示之該有機EL顯示面板之一佈局圖； 圖9B和9C分別係圖9A中所示之該有機EL顯示面板之沿 線IXB-IXB1和IXC-IXC'所得之载面圖； 圖10A係在圖9A至9C所示之該步驟後之一步驟中，圖1 至3中所示之該有機EL顯示面板之一佈局圖； 圖1 0B和1 0C分別係圖1 ΟA中所示之該有機EL顯示面板之 沿線XB-XB’和XC-XC所得之裁面圖； 圖11係一按照本發明之一實施例之底部發光型有機EL顯 示面板之佈局圖； 〇\W\9〇16l DOC -22 - 丄 J ® 1 2係圖1丨中所 不範性戴面圖； 不.之顯示面板之沿線χΠ_χΙΙ，所得之一 一# π '丨、囬孜^沿 不把性載面圖； 圖14係圖11中所示之續 _ .·η不面板之沿 一不範性戴面圖；以及 圖1 5係圖u中所示 _ _ 〜貝不面板之沿線ΧΙΙΙ-ΧΙΙΓ所犋夕交 —不範性戴面圖。 ^于之另 線ΧΙΠ-ΧΙΙΓ所得 之另 【圖式代表符號說明】 70 110 111 112 117 121 ' 123a, 123b 層 基板 阻障層 供應電壓電極 開σ 閘極，線 閘極 133 140 147 150a, 150b 152a 153a, 153b 155a, 155b 154a, 154b 儲存電極 閘極絕緣層 接點孔 多晶發層 中間區域 源極區域 〉及極區域 通道區域
〇 \9〇\<X)l6l OOC •23- 1339543 157 儲存電極區域 171 資料線 173a, 173b 源極 175a, 175b 汲極 181-187 接點孔 190 像素電極 270 共用電極 801, 802 層間絕缘膜 803 隔板 804 緩衝層 T 透光部分 S 開口 〇：\Q〇V90I6! DOC - 24 ·

Claims (1)

1339543 第092135034號專利申請案 ！~' 一· 中文申請專利範圍替換本("年7月）丨柯年7月^3日修(更)正替換頁 拾、申請專利範圍：. 一 K 一種有機電致發光顯示面板，其包括： 一絕緣基板； 一形成於該基板上之多晶矽層； 一形成於該多晶矽層上之第一絕緣層； 一形成於該第一絕緣層上之閘極線； —形成於該閘極線上之第二絕緣層； 一形成於該第二絕緣層之上且包括第一和第二部分之 資料線； 一與該資料線之該第一部分相連接之像素電極； 在違像素電極之上界定出一區域之隔板； 一形成於該像素電極上之該區域中之有機發光構件； 一形成於該發光構件之上之共用電極；以及 一設置於該像素電極與該基板之間且與該資料線之該 第一部分相連接之平面供應電壓電極。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光顯示面板，其中該 供應電壓電極係直接設置於該基板上者。 3. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光顯示面板，其進一 步包括一形成於該基板上之阻障層。 4. 如申請專利範圍第3項之有機電致發光顯示面板，其中該 阻障層具有一露出該供應電壓電極之一部分之開口該 第一和第二絕緣層具有一藉該開口露出該供應電壓電極 之暴露部分之接點孔，且該資料線之該第二部分藉由該 開口及該接點孔與該供應電壓電極相連接。 90)61-990723 DOC 1339543 啊年1月$日修(更)正替換頁 5. 如申请專利範圍第4項之有機電致發光顯示面板，其中該 開口係大於該接點孔。 6, 如申》月專利範圍第1項之有機電致發光顯示面板，其中該 多晶矽層包括第-和第二電晶體部分，該第-和第二電 晶體部分各自包括—通道區域、—源極區域及—沒極區 :’該閘極線包括分別與該第一和該第二電晶體部分重 疊之第一和第二閘極，且該資料線包括一與該第一電晶 體部分之該源極區域相連接之第一源極、一與該第—電 晶體部分之汲極區域和該第二閘極相連接之第一汲極、 一與該第二電晶體部分之該源極區域和該供應電壓電極 相連接之第—源極，以及_與該第二電晶體部分之該沒 極區域和該像素電極相連接之第二沒極。 7. 4申„月專利犯圍第6項之有機電致發光顯示面板，其中該 多晶碎層進一步包括—與該第二電晶體部分之該源極區 域相連接之儲存電極區域，且該閘極線進一步包括—與 ^儲存電極區域重叠並與該第二問極相連接之儲存電 極0 專利範圍第7項之有機電致發光顯示面板，其中該 成^電極係由與該資料線相同之層或相同之材料所形 9.=請專利範圍第7項之有機電致發光顯示面板，其進一 =括-連接於該供應電壓電極與該第二源極之間 助電極。 1〇♦如申請專利範圍第9項之有機電致發光顯示面板，其中該 90J6I-990723 0QC • 2 · U3954J-—> ic(年？月3日條(更)it替換頁 -----------•… 輔助電極包括與該閘極線相同之層 ^如申請專利範圍第'1項之有機電致發光顯示面板，其中該 隔板包含黑色光阻劑。 I2.如申請專利範圍第1項之有機電致發光顯示面板，其中該 像素電極係非透明者，而該共用電極則係透明者。 如申5青專利範圍第1項之有機電致發光顯示面板，其中該 像素電極係透明者，而該共用電極則係非透明者。 如申清專利範圍第1項之有機電致發光顯示面板，其中該 像素電極係透明者，且該供應電壓電極具有一面向該發 光構件用於透射該發光構件所發之光之透光部分。 申叫專利祀圍第1項之有機電致發光顯示面板，其中該 供應電壓電極星古 一 ’ 一面向該多晶矽層之至少一部分之開 D〇 90161-990723 D〇C
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