TWI337389B - Semiconductor device manufacturing apparatus and a method of controlling a semiconductor device manufacturing process - Google Patents

Description

^337389 玖、豐明_瞅身 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種用於製造半導體元件之製程的控 制，其中所想要的處理條件被提供在一真空室内。本發明 亦有關於半導體元件製造設備的改善。 【先前技術】 % 半導體製程被用來產生及改變在半導體材質基材中的 結構用以產生有用的元件於該基材上。許多這些製程是被 實施在置於一真空室内且被曝露在所想要的處理條件下之 基材或晶圓上。被清楚地了解的是’這些製程會因為在正 被處理的基材或晶圓的表面上存在了污染微粒而受到不利 的影響，這些污染微粒是從該處理室内產生的》在處理室 内之所不想要的微粒會從數個來源產生，包括機械性的活 動零件，電子作用，如在真空室内之與内表面的電弧作用， 及在該處理室内之既存的污染微粒的擾動，如在通風期間

本發明的實施例及例子將於下文中以離子佈植為例來 加以舉例說明。然而，本發明的一般性原理亦可應用到污 染微粒的存在會造成問題之其它半導體元件製程上。 已有感測器被提出用以偵測及計數或測量在一處理環 境’典型地在一真空室’内之污染微粗的通量。通常，在 先前技術中的這些感測器都使用光學順，其中一光源被導 入一樣本區域中且會從該樣本區域内的污染微粒上散射出 5 1337389 的光線被偵測。 例如，美國專利第4，8 9 6，0 4 8號揭示一種微粒偵測器， 其可被使用在離子佈植的領域上。該偵測器可設在該真空 室内且來自一光源的光線沿著一光纖被送至樣本區域。一 束光纖被用來偵測被散射的光線並將被散射的光線訊號傳 送至一位在該室的外面的感測器。

美國專利第5,75 1，422號揭示一種光學偵測器，一具 有一雷射媒體的光學共振腔被形成被形成於該偵測器中。 一感測區被界定在該光學共振腔内且從該光學共振腔的感 測區内之污染微粒上散射出的光線被傳送至一偵測器。 美國專利第5,463,46〇號及第5,565,985號揭示另一種 微粒監視感測器其具有用於清潔及防止鄰近感測區的窗口 涔染的設計，來自光源的光線被導引通過該等窗口及被散 射的光線經由該等窗口被偵測。

上述各專利案的說明書中沒有任何一者對於從所揭示 的微粒偵測器處得到.的訊號可做何種特定的使用有提供詳 細的說明。 美國專利第5,047,648號揭示一種設在一離子佈植機 的處理室内的微粒偵測器，用來在基材通過該離子束時偵 剎飛離在該佈植機的掃描輪上的基材的微粒。偵測污染微 粒的最大通量藉由將該偵測器設置在該择描輪與該離子束 交會之一有關於該掃描輪的目標上來加以確保。 其所揭示的偵測器被宣稱能夠在晶圓仍在被處理時即 矸監測在該室内的微粒程度’因而能夠採取靖正動作。有 6 1337389 關孩矯正動作的本質的細節則未說明。

事實上，到目前為止的佈植技藝中，原地（in situ)微 粒監视器，如描述於上文中的美國專利案，已被用來提供 在—處理期間過多微粒數量的指標，用以對該佈植機的操 作員提供警示，使得該佈植處理可被”優雅地，，終止，可在 射於晶圓造成無法修復的傷害之前停止》然後可採取矯正 動作，其典型地為對該佈植機實施清潔處理，如包括對該 真空室重復通風及送氣循環。此清潔處理可將該真空室内 的微粒逐出並將它們抽出，用以降低在該室内的微粒總數。

很重要地，此技藝所習知的該矯正動作包含了停止在 該真空室内的處理，如傳送所想要處理條件。另’該矯正 動作將包括在上述的清潔處理實施之前將晶圓從該處理室 中移出。雖然在某些情形中能夠對之前被部分處理過的晶 圓重新實施處理以完成這些晶圓的處理，但這在許多情況 中是不可行的。先前技術的微粒偵測的重要性為，確保矯 正動作是在其它晶圓批次被安裝到該機器上以進行後續的 處理之前被採取。 下列的公開文章亦應被參考： i) Integration of a Particle Monitor into the Control System for an Ion Implanter, My er et al， Nuclear Instruments and Methods in Phisics Research B74 (1 9 93) pages 243-247 ； ii) In Situ Particle Monitoring in a Varian E1 000HP Ion Implanter, Sedgewick et al, IIT-94, pages 579 to 5 82 ； 7 1337389 iii)In Situ Particle Monitoring in a Varian Medium Current Implanter, Sedgewick et al, IIT-94，pages 5 8 3 to 587 ； i v) Ad vanced In Situe Particle Monitor for Applied Materials Implanter Application, Simmons et al，IIT-98, pages 570-573 ；

v)Successful Integration of In Situ Particle Monitoring into a Volume 3 00mm High Current Implant Manufacturing System， Simmons et al, IIT-2002， pages 323-326.

所有上述的論文都揭示用在佈植機上的原地微粒監視 器。Myers等人描述使用此一監視器來預判清潔該處理室 的需求並將目前的處理暫停。當一較低的門檻值被超過 時，一警示會在目前的佈植完成時被張貼出來，用以讓操 作員能夠進行維修。當一較高的門摇值被超過時，則會造 成目前的佈植被停止。超過該較高的門檻值將會是一被稱 為災難事件，如晶圓在該室内破損，發生的結果。 在IIT-200中之該第二篇Simmons等人的論文描述一 種原地微粒監視器，其可讓在一批次式的佈植機中之每一 被處理的晶圓批次都被監視且可早期地偵測出超過的微粒 流。其結果為，在某些矯正動作被採取之前，微粒問題可 被較早偵測出來且被影響到的批次亦較少。 所有這些列在上文中之公開的論文證實了所建立之現 有技藝的觀點，亦即，原地微粒監視器對於防止一處理在 8 1337389 以此方式，該等處理參數本身可被調整用以將該處理中之 污染微粒的產生減少到最小。

例如，在一離子束佈植處理中，控制離子束本身的處 理參數可依據上述的方法來加以調整，用以將微粒的產生 減到最小。該等被調整的處理參數可包括該離子束通過射 東線的側向對準的參數，或控制在該射束線的靜電聚焦元 件上的電壓的參數。本發明的方法讓這些參數有史以來第 一次可為了低微粒產生而被最佳化，且最佳化可被動態地 實施，其中參數改變對於測得之微粒通量的影響可被監測 用以確認微粒的減少。 如上文所述，該最佳化或控制處理可如一早期設定糕 序般地被實施，且亦可在一現場處理運轉期間被實施’用 以調整對於處理而言並非關键的參數’藉以將微粒的產生 減小到最少。

重要的是，上述的方法被實施的同時’處理條件被圍 持在該真空室内，使得該控制方法的效果為提供一閉迴 圈’讓參數調整在降低污染微粒通量上的效果可被監測。 在一使用一離子束來佈植的離子佈植處理中’上述之 通量測量步驟最好是測量與該離子束一起被帶進來的污染 微粒的通量。已被發現的是，與該離子束一起被帶進來的 污染微粒的測量，特別是在一沿著該離子束儘可能靠近該 將被佈植的基材晶圓的位置處，可提供該正在被佈植的晶 圓表面的微粒冷染程度的指標。同樣重要的是，與該離子 束一起被帶進來的污染微粒的通量與污染微粒的程度（其 10 1337389

與真空室内的處理條件有關）是極為相關的，因此至 些程度上是可藉由改變經過選擇的處理參數來加 的。 本發明亦提供半導體元件製造設備，其包含 室。該設備是可操作以提供所想要的處理條件於該 中，該等所想要的處理條件是可由複數個處理參數 的。一在該真空室内的微粒感測器可測量由該等處 所造成的污染微粒的通量，且一控制器其可回應該 的通量用以調整至少一處理參數，藉以降低所測 量。在該半準體元件製造設備為一離予佈植機的情 該離子佈植機具有一離子束產生器用來產生一所持 子束於該真空室内用以沿著一離子走钕〇必也Α w果路徑移動來 植，該微粒感測器最好是被設置及安排來測量沿著 束路徑流動之污染微粒的通量。該離子 J果座生器可 質量過濾器用來將具有所不想要之質量_對_電荷比 從該離子束中移除掉，且該設備可進— ^ 步包括一供 處理的半導體晶圓用的固持件。然後， 琢微粒感測 是設置成可測量一位在該過滤器與該固持件之間的 之沿著該離子束的通量。 該微粒感測器可包含一框架結構，廿+ 兵在一橫切 子束路徑的平面上界定出一離子束孔 不札。孩框架結構 安裝在該真空室内’讓該離子束孔與該離子束路徑 一設在該框架結構中的光源將在該橫切平面上的2 橫越過該離子束路徑且一設在該框恕级二 木結構内的光感 少在某 以控制 一真空 真空室 來控制 理條件 被測得 得的通 形中， 要的離 實施佈 該離子 包括一 的離子 該將被 器最好 位置處 過該離 然後被 對準。 線導引 測器偵 11 1337389

測光訊號，其為被來自該光源的光所照到的微粒的通量 指標。 最好是，該框架結構是導電的且被安裝在該真空室 之具有一預定的電位處。以此方式，該微粒感測器的框 結構可被控制而具有所想的電位，來幫助控制該離子束 本發明進一步提供一種用來將離子佈植到一半導體 圓上之半導體元件製造設備，其中該設備具有一真空室 一離子束產生器用來產生離子東於該真空室内用以沿著 離子束路徑移動來實施佈植，及一在該真空室内的微粒 測器，其被設置及安排來測量沿著該離子束路徑流動之 染微粒的通量。 本發明的例子將參照附圖來加以說明。 的 内 架 〇 晶 感 污

【實施方式】 參照第1圖，一典型的離子佈植機的主要部分被示 一真空室内，該真空室被示意地標示為一個箱子10。離 被產生在一離子來源11中，如一 Bernas式的離子源， 被萃取電極12所萃取用以形成一離子束。被萃取的離子 通過一形成在一遮板或擋板 13上的孔而進入到分析器 鐵14的飛行管中。在該分析器磁鐵14中，在該離子束 之具有不同的質量-對-電荷比的離子採取不同的飛行路 曲率，因而在該分析器的出口處變成被空間地分離開來 一質量解析狹縫15被設在該分析器的出口處用以選取 有所想要的質量-對-電荷比的離子，以進行向前的傳送 於 子 且 束 磁 中 徑 〇 具 及 12 1337389 佈植。 在此實施例中，一質量經過選擇的離子束16通過聚 透鏡17 ’其可以被用來將該離子束加速或減速至一所想 的佈植能量。該經過聚焦的離子束在揸擊到安裝在一晶 固持件20上的晶圓丨9之前會通過—電槳湧出系統】8。 晶圓固持件20最好是被—被標示為2丨的機械式掃描結 以二維度的方式掃描通過該離子束丨6。在該晶圓1 9的 描期間’該晶圓從該離子束1 6處被移走，該離子束繞過 該晶圓固直件20上的晶圓1 9，而被吸收到一離子束堆 圾筒22，典型地為一法拉第（faraday)。 上述的離子佈植機形成先前技藝的一部分。此類的 子佈植機’特別是具有對應於電極1 7之減速及聚焦透鏡 位在孩質量解析狹縫丨5的離子佈植機，的進一步細節被 述在美國專利第5,969,3 66號中，該專利的内容藉由此 、而被併於本文中。一可用作為該固持件21之掃描式晶 持件的進一步細節則被描述在美國專利第5，6 4丨，9 6 9 該專利的内容藉由此參照而被併於本文中。除了上 之且有 · . —择描輪的批次式佈植機之外，該晶圓固持件 亦可被於+ '又*ΐ成如在公開的國際申請案WO 03/088303號 所揭示的 ’其提供一用於單一晶圓之二維度的掃描結構 本發明並不偈限於任何特定晶圓掃描通過該離 述的模式。 在所推述的該實施例中，該電漿湧出系統18可以是 美國專利蚩筮^ 弟6，5 0 1，0 8 1號中所述的系統，其中在一氬 焦 要 圓 該 構 掃 在 垃 離 及 描 參 圓 號 述 21 中 〇 子 如 氣 13 1337389

電漿中的低能量電子被導入一緊鄰在該被佈植的晶圓 方的限制管中。如所知悉的，該等低能量電子可被累 該晶圓上的任何正電荷所吸引，藉以防止該晶圓因為 期間的過度充電而受損。 在第1圖的實施例中以電極1 2來代表的萃取透鏡 採用美國專利第6，5 5 9，4 5 4號所揭示的形式’但本發 不侷限於一特定形式的萃取透鏡，其被用來一開始從 子源萃取出離子以形成該離子束。 再次參照第1圖，用於該佈植機對一晶圓實施適 佈植之所想要的處理條件係依據所想要的佈植配方來 的。此配方包含將被佈植的離子種類（例如，帶單一電 硼離子），將被送至該晶圓以實施佈植的離子的能量， 植期間介於離子束與晶圓之問的角度，及在佈植處理 將被輸送至每單位晶圓面積上的總劑量。其它的配方 可包括在該晶圓表面上之可容忍的劑量不均勻度’及 植的離子在能量上之可容忍的最大差異。此外，其亦 定在佈植角度上之可容忍的最大差異。 為了要達成所想要的配方條件，一佈植控制器及 供應單元23調整並控制該佈植機的各種處理參數。這 理參數將包括用來產生所想要的佈植物質種類之送至 子源的原料供應，用來將該離子源内之所想要的離子 #類的產出最佳化以進行佈植之供應至該離子源的電 用來在一所想要的萃取能量下將一來自該離子源的離 的萃取最佳化之供應至該萃取電極12的電壓以及萃 的前 積在 佈植 可以 明並 該離 當的 設定 荷的 在佈 期間 内容 被佈 可規 電力 些處 該離 物質 壓， 子束 取電 14 7 joy *的機械式對準，用來選取所想要的質量-對_電荷比以實 β前傳送的佈植之供應至形成該磁性分析器14之該電 子趟鐵的繞組的電流加上該質量解析狹縫1 5的位置及調 整’用來如所需地將被選取的離子束加速或減速以提供適 31的聚焦用以輸送至該基材進行佈植之供應至電極17 Φ m 用來在佈植期間達到所想要之累積在晶圓上的電荷 中和之氬氣的供應及在該電漿湧出系統1 8中之電壓的 =制，及該掃描機構21對在該固持件20上之晶圓19的機 油式掃描的速度及持續時間長度。又，為了要達到適當的 =劑量投遞及劑量均勻度，所以必需要透過法拉帛22來監 測在佈植處理期間在離子束中之離子的總電流。在一設定 程序期間’被該法拉第22所量測到之所想要的物質種類之 被傳送的離子束流可藉由調整上述的各㈣制參數來使其 最大化。在一佈植處理期間，一開始被量測到的離子束流， ^好是與處理期間之㈣㈣子束流測量_起，讓該處理 可被控制，用以將所想要的總劑量投遞至晶圓。 如在上文中提及之前技參考資料中揭示的，包括一設 在該佈植機的真空室内，特別是設在該真空室之處理晶圓 被固持及掃描通過該佈植離子束的部分中的微粒監測感測 器亦是已知曉的。然而，在先前技藝中，被測得之微粒的 通量是被用來提供警示用的，它會警告操作員以採取一清 潔處理，如果微粒數量超過某些門檻值的話。 在π於第1圖之本發明的此實施例中，一微粒感測器 24被提供來感測污染微粒的通量並提供一相應的訊號於 15 1J3/389 〜私々於您早兀23。重要的是’ 來自感測器24之微粒通量的制县θ 4 + l λ, w I的，則量是被該控制器及電力供 應單元23所利用（不論有咨灰私从0 a π A辨挺作貝的介入），用以調整該 純機之可控制的處理參數（如上文中提及者），用以將測 付的微粒通量減’j、或最小化H ’微粒會因為離予束 撞擊各離子束孔的邊緣而被產 座生在該体植機内’該等離子 束孔是供離子束通過該離子

* 丁，原與該晶圓1 9之間用的。萃取

透鏡的電極12的調整可桨A 主』冊在該處所產生的微粒減至 少。類似的調整可對質量選搂哭^ 遲擇益的輸入擋板13,對質量 擇器的電流，#質量解析狹縫的位置及宽度，對供應至兮 聚焦電極17的電壓來實施’用以降低微粒的數量。此外： 微粒數量可藉由調整供應至離 土嗯卞源11的電壓來減少。 因此’依據本發明的此實竑备丨 Α J π π施例，一來自菘感測器24 的微粒數量被直接用來調整兮仗 』金这佈植機的處理參數，藉以減 少微粒數量。

此一最佳化的處理可在處理晶圓被佈植之前的一數定 程序中實施。，然而’該最佳化處理亦可在一佈植處理期間 藉由暫時暫停該佈如藉由在保持該離子束本身下將該 晶圓從該離予束處移走，然後在重新開始佈植之前對處理 參數作出調整來將微粒數減至最少來實施；或藉由在晶圓 持續佈植期間對處理參數作出明快的調整來實施。 重要的是’來自該感測器24之被測得的微粒數量在保 持處理條件的同時，直接被用來對輸人參數作出調整建 議，用以減少微粒數量。 16 1337389 此一新的操作方式使得一佈植機對於測得之微粒敦量 的回應是從處理條件本身可造成微粒數量的增加的瞭解甚 礎上導出的’使得處理參數的調整可減少微粒數量，而辦 需如先前技藝一般直接進行一真空室的清潔處理β 在第1圖所示的例子中，微粒感測器24被設置及安# 成可測量與離子束一起被帶入的微粒實際被送釗该晶®

1 9的微粒通量。以此方式，感測器2 4直接測量牙能會撞 聲到該晶圓且造成所不想要的污染之微粒通量。因此’與 離子束一起被帶入的微粒之微粒通量測量可提供该處理曰曰 圓之可能的微粒污染的一更為直接的測量》 相較之下，在離子佈植機的處理室内之前技術的微粒 感測器只能夠測量在該室内之背景微粒通量，或在該離子 束與該晶圓之間的界面處及在該掃描輪式的晶圓固持件的 旋轉期間被拋離該晶圓之微粒的通量。

如第1圖所示，該微粒感測器24被設置在可測量與離 子束一起被帶入的微粒的通量的一介於該聚焦電極17與 該電漿湧出系統1 8之間的位置處。因為該電漿湧出系統 1 8必需緊鄰晶圓1 9的前方，以在該晶圓上達到所想要的 電荷中和，所以該微粒感測器2 4被設置在沿著離子束16 的下游處儘可能遠的地方。以此方式’該微粒感測器24 能夠偵測在該離子束線的更大部分上產生之被帶入的微 粒，用以最佳地代表在處理期間可能撞擊到該晶圓的微粒 通量。如果一電漿湧出系統為了晶圓電荷中和而可被省掉 的話，如使用另一電荷控制處理’則該微粒感測器可位在 17 1337389 近鄰該晶圓的前方處。

第1圖的微粒感測器2 4被更詳細地示於第2圖中。該 微粒感測器24包含一框架30其界定有一孔31，該孔與離 子束的路徑（第2圖中的箭頭3 2)對準。在此圖中，框架3 0 係以沿著該框架3 0的中央平面（其橫切過該離子束路徑） 所取的剖面被示出。在此例子中，該微粒感測器包含一輸 入光纖3 3其輸送來自一雷射源的光線，其如一光束般被導 引橫越該孔31，藉以穿過該離子束。該光束34然後進入 到一位在該框架3 0的相對側上的光束垃圾統，在所示的例 子中其被顯示為一凹穴35，來自該光束34的光線在該處 會被吸收且反射被最小化。 當在該光束中的光通過該離子束32時，任何通過該光 束34的微粒，如與離子束一起被帶入的微粒，會反射來自 該光束34的光線。被反射的光線被一安裝在該框架30上 的鏡片36收集且被聚集在一輸出光纖37中。輸入光纖33 及輸出光纖37係透過穿過該真空室的壁40之真空連接件

3 8，3 9而連接至一位在該真空室外的光源及偵測器電子箱 4 1。該光源及偵測器電子箱4 1被電性地耦合至第1圖的控 制器及電力供應單元23並與其形成一基礎部分。 包括上文所列之先前技術的參考文獻在内之其它形式 的微粒感測器亦可被用來取代第2圖所示的微粒感測器》 在另一配置中，該微粒感測器可以是透射式的微粒感測 器，在該感測器中微粒對於被透射光線的影響會被偵測。 該微粒感測器應夠靈敏，用以提供與該離子束一被被帶入 18 1337389 減至最小。 【圖式簡單說明】 第 1圖為一實施本發明的一離子佈植機的示意代表 圖；及 第2圖為一示意圖，其顯示一位愛第1圖的離子佈植

機的 真 空 室 内 的 一微 粒感 測器。 【主 要 元 件 符 號 說明 ] 10 真 空 室 11 離 子 源 12 萃 取 電 極 13 擋 板 14 分 析 器 磁 鐵 15 質 量 解 析 狹 縫 16 離 子 束 17 聚 焦 透 鏡 18 電 漿 湧 出 系 統 19 晶 圓 20 晶 圓 固 持 件 2 1 機 械 式 掃 描 結 構 22 離 子 束 垃 圾 筒 23 控 制 器 及 電 力 供應單元 24 微 粒 感 測 器 25 線 30 框 架 3 1 孔 32 離 子 束 路 徑 33 輸 入 光 纖 34 光 束 35 光 束 垃 圾 筒 36 透 鏡 37 輸 出 光 纖 38,39 真空連接 Η牛 40 真 空 室 的 壁 41 偵 測 器 電 子 箱 42 電 子 連 接 件 43 真 空 饋 入 件 44 電 子 端 子 20

Claims (1)

1337389 H _ lb)正替換頁 ____ , _ I- ~ - ' (\^ ;'ΐ. Π ；.ji!：i'.：i · _ 1. 一種控制一離子佈植處理的方法，用以捤供所想要 的處理條件至一真空室中，其中該離子佈植處理提供用於 佈植之一離子束，該離子佈植處理包括複數個用來控制處 理條件之可調整的處理參數，該方法包含以下的步驟： a)操作該離子佈植處理用以產生該等處理條件於該真 空室内，

b)在該離子佈植處理的操作期間，測量在該真空室内 由該等處理條件所造成，且與該離子束被一起帶入之污染 微粒的通量，及 c)調整該等處理參數中的至少一者，以回應該被測得 之污染微粒通量，用以減少在該離子佈植處理期間被測得 之微粒通量。 2. —種離子佈植設備，包含： 一真空室，

該設備可操作以提供所想要的處理條件於該真空室中，該 等所想要的處理條件可由複數個處理參數來控制， 一離子束產生器，用以於該真空室内產生所想要之一離子 束，用以沿著一離子束路徑移動來實施佈植， 一微粒感測器，設在該真空室内，該微粒感測器可測量由 該等處理條件所造成的污染微粒的通量，其中該微粒感 測器係被設置及安排成可測量沿著該離子束路徑流動 之污染微粒的通量；及 21 1337389 93. 7 23---- 车为曰修(曼)正替換頁 一控制器，其可回應該被測得的通量用以調整至少一該等 處理參數，藉以降低所測得的通量。

3.如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該離子束產生 器包括一質量過濾器，用來將具有所不想要之質量-對-電荷比的離子從該離子束中移除掉，該設備進一步包括 供該將被處理的半導體晶圓用之一固持件，且該微粒感 測器被設置在可測量沿著介於該過濾器與該固持件之 間之該離子束路徑之通量的位置處。、 4.如申請專利範圍第3項所述之設備，其中該設備進一步 包括一加速/減速單元，用來調整來自該質量過濾器之 離子束内的離子能量，且該微粒感測器被設置在可測量 沿著介於該過濾器與該固持件之間之該離子束路徑之

5 .如申請專利範圍第3或4項所述之設備，其中該設備進 一步包含位在該固持件前方之一中和器，其可操作以降 低位在該固持件上之一產品晶圓在佈植期間的靜電電 荷，該中和器具有圍在該離子束周圍且在該晶圓固持件 前方之一導引管，且該微粒感測器被設置在可測量沿著 介於該過濾器與該固持件之間之該離子束路徑之通量 22 1337389 '99 7 23 年ι· /ί e修便)正替換頁 的位置處。

6.如申請專利範圍第2項所述之設備，其中該微粒感測器 包含一框架結構，其界定一離子束孔於橫切過該離子束 路徑之一平面上，該框架結構被安裝在該真空室内且該 離子束孔與該離子束路徑對準，設在該框架内之一光源 將該平面上的光線導引橫越該離子束路徑，及設在該框 架結構内之一光感測器，用來偵測光訊號，該等光訊號 為被來自該光源的光線所照射到之微粒的通量的指標。 7.如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該光源產生一 光束橫越該離予束路徑，且該框架結構包括一光束垃圾 筒，位在與該光源相對處，用以接收及吸收該光束。

8.如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該框架結構是 可導電的，且被安裝在該真空室内並處於一預定的電 位 〇 9.如申請專利範圍第8項所述之設備，其中該框架結構被 電性連接至該設備的一相鄰的離子束孔。 1 0.如申請專利範圍第8項所述之設備，包括一安裝件將 該框架結構電性絕緣，及從該真空室出來之一電子導 23 1337389 沾.7. 23 線，其提供一連結讓一所想要的電位能夠被施加至該框 架結構。 11. 一種用來將離子佈植到一半導體晶圓上之半導體元件 製造設備，包含： 一真空室，

一離子束產生器，用來產生離子束於該真空室内用以沿著 一離子束路徑移動來實施佈植，及 一微粒感測器，設在該真空室内，其被設置及安排成可測 量沿著該離子束路徑流動之污染微粒的通量。 24