KR970053215A - 이온주입기의 오염측정 시스템 및 오염측정방법 - Google Patents

이온주입기의 오염측정 시스템 및 오염측정방법 Download PDF

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체승기
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조공정중 이온주입장비에 관한 것으로 특히 이온주입장비내의 오염정도를 지속적으로 측정하기 위한 이온주입기의 오염측정 시스템 및 오염측정방법에 대한 것이다.
종래의 파티클의 측정방법은 파티클의 테스트시 마다 베어 웨이퍼를 소비하게 되고, 이를 측정하는 동안 진행중인 공정을 중단하여야 하기 때문에 이로 인한 설비 가동효율의 손실 및 경제적인 손실을 가져와 결과적으로는 제품의 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 이온주입기의 공정 챔버냉에 파티클을 검출하는 센서를 부착하고 이를 출력수단을 통하여 출력하므로서 공정의 진행과 동시에 파티클을 관리하여 공정중 챔버내 모니터와 배치별 파티클의 관리로 장비의 가동효율을 높여 수율의 향상과 제품의 품질은 높일 수 있도록 한 것이다.

Description

이온주입기의 오염측정 시스템 및 오염측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1는 본 발명에 따른 이온주입기의 전체적인 구조를 나타내는 평면도,
제2도는 이온주입기의 내에 파티클 감지수단의 장착위치도,
제3도는 본 발명의 개략적인 구성을 블럭도.

Claims (6)

  1. 공정챔버내에 복수개의 웨이퍼를 디스크의에 고정시키고 이 디스크를 일정속도로 회전시켜 이온을 주입하는 고 이온주입기에 있어서, 상기 챔버 상부의 위치에 디스크의 일측 상단에 고정되어 챔버내 파티클을 검출하여 이를 전기적인 신호를 출력하는 감지수단과, 상기 감지수단의 동작을 제어하는 제어수단과, 상기 감지수단에서 출력된 신호를 입력받아 파티클의 크기와 숫자를 출력하여 하는 출력수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 이온주입기의 오염측정 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감지수단으로 ISPM(In-Situe Particle Monitering)센서를 사용한 것을 특징으로 하는 이온주입기의 오염측정 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 출력수단은 파티클의 검출정보가 모니터로 출력되도록 하는 것을 특징으로 하는 이온주입기의 오염측정 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 출력수단은 파티클의 검출정보가 펜 오실로 그래프로 인쇄되어 출력되도록 하는 것을 특징으로 하는 이온주입기의 오염측정 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 출력수단은 파티클의 검출정보가 모니터와 펜 오실로 그래프로 동시에 출력되도록 하는 것을 특징으로 하는 이온주입기의 오염측정 시스템.
  6. 웨이퍼의 로딩하는 단계와, 로딩된 복수개의 웨이퍼를 디스크에 정렬 장착하는 단계와, 상기 디스크를 이온주입의 상태로 동작시키는 단계와, 웨이퍼에 이온을 주입하는 단계와, 이온주입후 웨이퍼를 언로딩시키기 위하여 디스크를 원래의 위치로 동작시키는 단계와, 디스크로부터 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 갖는 이온주입기에 있어서, 상기 웨이퍼에 디스크를 정렬하는 단계이후에 공정챔버내 파티클을 감지하는 동작을 시작하여 웨이퍼를 언로딩시키기 위하여 디스크를 원래의 위치로 동작시키는 단계 직후에 동작을 마치도록 한 것을 특징으로 하는 이온주입기의 오염측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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