TWI324185B - Vacuum vapor deposition apparatus - Google Patents

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^24185 Ο) 九、發明說明 交互參考之相關申請案 ‘ 2005年1月21曰提出之日本專利申請案第2005_ '' 01 3 6 73號、2005年12月9日提出之日本專利申請案第 ' 2005 -3 5 5 6 5 2號之整個揭示內容係全部以引用的方式倂入 本文中’每一申請案包含說明書、申請專利範圍、圖面及 摘要。 鲁 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一真空蒸鍍設備，其在諸如用於平板顯示 器之基板的工件之表面上蒸發及沈積一汽化材料、諸如有 機材料，以形成一薄膜》 .【先前技術】 於一真空蒸鍍設備中，一汽化材料係容納在一蒸發室 ® 中所提供之坩堝中，且此汽化材料係藉著來自該蒸發室之 _ 側壁（熱壁面）的輻射熱加熱至蒸發，藉此該汽化材料係 沈積在一工件之表面上，以形成一薄膜。 * 於傳統真空蒸鍍設備中，使用諸如圖18A及18B所 . 說明之坩堝。應注意的是公開已知的相關技藝文件譬如包 含下面之專利文件1，其揭示使用習知坩堝之真空蒸鍍設 備。圖18A所說明之坩堝1係一簡單之盒子型容器，且 意欲容納一當作原料之汽化材料2，用於在其內側之真空 蒸鍍。圖1 8 B所說明之坩堝3係一簡單之圓柱體型容器， -5- (2) (2)1324185 且意欲在其內側容納該汽化材料2。該盒子型坩堝1之一 容納部份的寬度及該圓柱體型坩堝3之一容納部份的直徑 係譬如大約30毫米。爲了使用此一習知坩堝1或3處理 一工件之待塗覆區域的尺寸中之增加，其係需要配置複數 盒子型坩堝1或複數圓柱體型坩堝3。 譬如，近年來，真空蒸鍍設備係不只用於金屬材料之 沈積（一金屬有機薄膜之形成），同時也用於有機材料之 沈積（一薄有機薄膜之形成）、複數有機材料之共沈積（ 一薄聚合物薄膜之形成），例如一用於平板顯示器（下文 縮寫成一FPD )之有機電激發光元件（下文縮寫成一有機 EL元件）等。再者，以FPDs之近來的普及，FPD基板之 尺寸正曰漸增加。隨著該等FPD基板的尺寸中之此增加 ，同時施行沈積的FPD基板之待塗覆區域的尺寸亦正增 加（看圖1 )。 因此，爲了處理該FPD基板之待塗覆區域的尺寸中 之此一增加，其係需要於一蒸發室4中沿著FPD基板之 待塗覆區域的縱長方向，以一散開方式配置複數盒子型坩 堝1或複數圓柱體型坩堝3，如圖19A或19B中所說明。 該蒸發室4之側壁（熱壁面）5係藉著電熱器（未示出） 所加熱。容納在該等坩堝1或3中之汽化材料（有機材料 )2係藉著使用來自該熱壁面5之輻射熱T的輻射加熱所 蒸發。於此案例中’該汽化材料2係不只直接地輻射加熱 ，同時也藉由來自已輻射加熱之坩堝1或3的熱傳導所加 熱。 -6- (3) (3)1324185 專利文件1 ;日本專利特許公開申請案公告第S6 1 -73875 號 然而，於複數習知盒子型坩堝1或複數習知圓柱體型 坩堝3係如圖I9A或19B所說明般配置之案例中，有以 下之問題。 (1) 一習知坩堝1或3之加熱面積、亦即其與該汽 化材料2接觸之區域係小的。因此，爲了獲得該汽化材料 2之一想要蒸發數量，其係需要藉著增加電熱器之能力將 該熱壁面5加熱至一較高溫度或配置一較大數目之坩堝] 或3。如此，在此發生諸如蒸發來源之尺寸增加、配置該 等坩堝之困難度增加、及該系統之成本增加的問題。 (2) 如果以散開方式配置複數坩堝1或3,該汽化 材料2之蒸發的不均勻性係易於發生。其結果是，一基板 上所形成薄膜之薄膜厚度分佈變得非均勻的。縱使該熱壁 面5之溫度係使用電熱器所控制，在此有於譬如在該熱壁 面5之部份P的溫度（例如攝氏350度）及在其部份Q 的溫度（例如攝氏300度）之間發生一差異的案例，如在 圖19A及19B中所說明。於此案例中，在該正面上之坩 堝1或3中的汽化材料2主要由部份P接收輻射熱T以蒸 發，且在該背後上之坩堝1或3中的汽化材料2主要由部 份Q接收輻射熱T以蒸發。因此，在該正面上之坩堝1 或3及在該背後上之坩堝1或3之間，在該汽化材料2之 蒸發數量中發生不均勻性（差異）。如此，爲了處理該問 題，其係需要藉著減少該等坩堝1或3之尺寸在較小間隔 -7 - (5) 1324185 【發明內容】 達成上述目的之本發明第一態樣的真空蒸鍍設備係一 真空蒸鍍設備’其中—汽化材料係容納於一蒸發室中所提 . 供之坩堝中’並藉著來自該等熱壁面之輻射熱，做爲該蒸 發室之側壁的熱壁面加熱該汽化材料，以蒸發（亦包含昇 華之情況）該汽化材料，且藉此該汽化材料係沈積在一工 • 件之表面上，以形成一薄膜。該坩堝係由延伸在該蒸發室 之一整個區域上方的整塊結構所構成，且在其一上表面中 具有複數溝槽。該等溝槽具有由該坩堝的上表面之一端部 至其另一端部的長度，且具有用於容納該汽化材料的部份 之作用。 應注意的是一藉著加熱至蒸發以昇華之昇華材料係適 合當作容納在該複數溝槽中之汽化材料。再者，狹窄開口 之溝槽、例如狹長狹長切口溝槽係適合當作該複數溝槽。 • 本發明之第二態樣的真空蒸鍍設備係一真空蒸鍍設備 ’其中一汽化材料係容納於一蒸發室中所提供之坩堝中， % 並藉著來自該等熱壁面之輻射熱，做爲該蒸發室之側壁的 • 熱壁面加熱該汽化材料，以蒸發（亦包含昇華之情況）該 . 汽化材料，且藉此該汽化材料係沈積在一工件之表面上， 以形成一薄膜。該坩堝係由延伸在該蒸發室之一整個區域 上方的整塊結構所構成，且在其一上表面中具有一溝槽。 該溝槽具有由該坩堝的上表面之一端部至其另一端部的長 度’且具有用於容納該汽化材料的部份之作用。 -9- (6) (6)1324185 應，注意的是一藉著加熱至蒸發以熔化之熔化材料係適 合當作容納在該溝槽中之汽化材料。 明之第三態樣的真空蒸鍍設備係一真空蒸鍍設備 ’其中一汽化材料係容納於一蒸發室中所提供之坩堝中， 並藉著來自該等熱壁面之輻射熱，做爲該蒸發室之側壁的 熱壁面加熱該汽化材料，以蒸發（亦包含昇華之情況）該 汽化材料’且藉此該汽化材料係沈積在—工件之表面上， 以形成一薄膜。該坩堝係由配置成一群之複數零件所構成 ，以延伸在該蒸發室之一整個區域上方，且在其一上表面 中具有複數溝槽。該等溝槽具有由該坩堝的上表面之一端 部至其另一端部的長度，且具有用於容納該汽化材料的部 份之作用。 本發明之第四態樣的真空蒸鍍設備係一真空蒸鍍設備 ’其中一汽化材料係容納於一蒸發室中所提供之坩堝中， 並藉著來自該等熱壁面之輻射熱，做爲該蒸發室之側壁的 熱壁面加熱該汽化材料，以蒸發（亦包含昇華之情況）該 汽化材料，且藉此該汽化材料係沈積在一工件之表面上， 以形成一薄膜。該坩堝係由延伸在該蒸發室之一整個區域 上方的整塊結構所構成，或係由配置成一群之複數零件所 構成，以延伸在該蒸發室之一整個區域上方，且在其一上 表面中具有複數孔洞。該等孔洞具有用於容納該汽化材料 的部份之作用。 本發明之第五態樣的真空蒸鍍設備係本發明之第一至 第四態樣的任何一個之真空蒸鍍設備，其中該坩堝係分成 -10- (7) 1324185 複數區域。個別之加熱機構係設在該坩堝 ，用於該等個別之區域。如此，可對於該 著該加熱機構個別地控制溫度。 本發明之第六態樣的真空蒸鍍設備係 ，其中一汽化材料係容納於一蒸發室中所 並藉著來自該等熱壁面之輻射熱，做爲該 熱壁面加熱該汽化材料，以蒸發（亦包含 汽化材料，且藉此該汽化材料係沈積在一 以形成一薄膜。該坩堝係由延伸在該蒸發 上方的整塊結構所構成，具有沿著該工件 伸的長·狹窄形狀，且在其一上表面中具有 至少一溝槽沿著該坩堝之一縱長方向延伸 納該汽化材料的部份之作用。 本發明之第七態樣的真空蒸鍍設備係 ，其中一汽化材料係容納於一蒸發室中所 並藉著來自該等熱壁面之輻射熱，做爲該 熱壁面加熱該汽化材料，以蒸發（亦包含 汽化材料，且藉此該汽化材料係沈積在一 以形成一薄膜。該坩堝係由延伸在該蒸發 上方的整塊結構所構成，具有沿著該工件 伸的長狹窄形狀，且在其一上表面中具有 溝槽沿著垂直於該坩堝之一縱長方向的方 用於容納該汽化材料的部份之作用。 本發明之第八態樣的真空蒸鍍設備係 的一下表面之下 等個別之區域藉 —真空蒸鍍設備 提供之坩堝中， 蒸發室之側壁的 昇華之情況）該 工件之表面上， 室之一整個區域 之一寬度方向延 至少一溝槽。該 ，且具有用於容 —真空蒸鍍設備 提供之坩堝中， 蒸發室之側壁的 昇華之情況）該 工件之表面上， 室之一整個區域 之一寬度方向延 複數溝槽。該等 向延伸，且具有 一真空蒸鍍設備 -11 - (8) (8)1324185 ’其中一汽化材料係容納於一蒸發室中所提供之坩堝中， 並藉著來自該等熱壁面之輻射熱，做爲該蒸發室之側壁的 熱壁面加熱該汽化材料，以蒸發（亦包含昇華之情況）該 汽化材料’且藉此該汽化材料係沈積在一工件之表面上， 以形成一薄膜。該坩堝係由延伸在該蒸發室之一整個區域 上方的整塊結構所構成，具有沿著該工件之—寬度方向延 伸的長狹窄形狀’且在其一上表面中具有複數孔洞。該等 孔洞具有用於容納該汽化材料的部份之作用。 本發明之第九態樣的真空蒸鍍設備係本發明之第六至 第八態樣的任何一個之真空蒸鍍設備，其中該坩堝係至少 於該縱長方向中分成複數區域。個別之加熱機構係設在該 坩堝的一下表面之下，用於該等個別之區域。如此，可對 於該等個別之區域藉著該加熱機構個別地控制溫度。 本發明之第十態樣的真空蒸鍍設備係本發明之第六至 第九態樣的任何一個之真空蒸鍍設備，其中該汽化材料係 —有機材料，且其中該工件係一用於平板顯示器之基板。 該有機材料係沈積在該基板之一表面上，以形成一有機電 激發光兀件之薄膜。 本發明之第十一態樣的真空蒸鍍設備係本發明之第六 至第九態樣的真空蒸鍍設備，其中該汽化材料係一有機材 料’且該工件係一用於照明裝置之基板。該有機材料係沈 積在該基板之一表面上，以形成一有機電激發光元件之薄 膜》 根據本發明達成前述目的之第十二態樣，在此已使用 -12- (9) (9)1324185 本發明之第五及第九態樣的任何一個之真空蒸鍍設備，提 供一有機電激發光元件之薄膜製造方法。一有機材料係用 作該汽化材料。對於該坩堝之個別區域測量溫度，且基於 該等個別區域之測量溫度個別地控制該加熱機構之輸出， 以致該等個別區域之溫度變得恆定。 於本發明之第一及第二態樣的真空蒸鍍設備中，該坩 堝係由延伸在該蒸發室之整個區域上方的整塊結構所構成 ，且在其上表面中具有至少一溝槽。該至少一溝槽具有由 該坩堝的上表面之一端部至其另一端部的長度，且具有用 於容納該汽化材料的部份之作用。因此，該坩堝之加熱表 面積（該坩堝與該汽化材料接觸之面積）變大。如此，可 獲得該汽化材料之一想要的蒸發數量，而不會將該等熱壁 面加熱至較高之溫度、配置一較大數目之坩堝等。再者， 既然該坩堝係一整塊結構，縱使在該等熱壁面的諸位置之 中有溫度差異，由於該坩堝之未形成至少一溝槽的上表面 之各部份（護堤（mound )部份）、及在該至少一溝槽下 方的各部份中之熱傳導，遍及該整個坩堝之溫度係均勻的 。因此，其係可能於該汽化材料之蒸發中防止不均勻性， 且造成該工件之薄膜厚度分佈均勻。再者，亦可藉著適當 地設定該至少一溝槽之數目及尺寸（寬度 '深度等）輕易 地處理少量之汽化材料。因此’可在低成本下輕易地處理 該工件之一待塗覆區域的尺寸中之增加、少量之汽化材料 等，而不會將該等熱壁面加熱至較高之溫度、配置一較大 數目之坩堝等。如此，該設備之成本亦可減少。 -13- (10) (10)1324185 於本發明之第三態樣的真空蒸鍍設備中，該坩堝係由 配置成一群之複數零件所構成，以延伸在該蒸發室之整個 區域上方，且在其上表面中具有複數溝槽。該等溝槽具有 由該坩堝的上表面之一端部至其另一端部的長度，且具有 用於容納該汽化材料的部份之作用。因此，譬如，於其難 以形成一用於大工件、諸如大尺寸設計基板的大整塊坩堝 之情形中，可藉著在該蒸發室之整個區域上方成群地配置 複數坩堝提供等同於一大整塊坩堝者。如此，可獲得等同 於本發明之前述第一及第二態樣者之效果。 於本發明之第四態樣的真空蒸鍍設備中，該坩堝係由 延伸在該蒸發室之整個區域上方的整塊結構所構成，並由 配置成一群之複數零件所構成，以延伸在該蒸發室之整個 區域上方，且在其上表面中具有複數孔洞。該等孔洞具有 用於容納該汽化材料的部份之作用。因此，該坩堝之加熱 表面積（該坩堝與該汽化材料接觸之面積）變大。如此， 可獲得該汽化材料之一想要的蒸發數量，而不會將該等熱 壁面加熱至較高之溫度、配置一較大數目之坩堝等。再者 ，既然該坩堝係一整塊結構或一幾乎整塊結構，縱使在該 等熱壁面的諸位置之中有溫度差異，由於該坩堝之未形成 孔洞的上表面之各部份（護堤部份）、及在該等孔洞下方 的各部份中之熱傳導，遍及該整個坩堝之溫度係均勻的。 因此，其係可能於該汽化材料之蒸發中防止不均勻性，且 造成該工件之薄膜厚度分佈均勻。再者，亦可藉著適當地 設定該等孔洞之數目及尺寸（寬度、深度等）輕易地處理 -14- (11) (11)1324185 少量之汽化材料。因此，可在低成本下輕易地處理該工件 之一待塗覆區域的尺寸中之增加、少量之汽化材料等，而 不會將該等熱壁面加熱至較高之溫度'配置一較大數目之 坩堝等。如此，該設備之成本亦可減少。再者’於此第四 態樣中，縱使該汽化材料之數量係極少，該等孔洞能以散 開方式提供在該坩堝之整個上表面上方。因此’用於該汽 化材料之數量係小的之案例中，相較於如該前述第一態樣 中所提供的溝槽之案例，此第四態樣係特別有效。 於本發明之第五態樣的真空蒸鍍設備中，該坩堝係分 成複數區域，且個別之加熱機構係設在該坩堝的下表面之 下，用於該等個別之區域，藉此可對於該等個別之區域藉 著該加熱機構個別地控制溫度。據此，用於每一區域，控 制該坩堝之溫度及控制該汽化材料之溫度。如此，其係可 能更可靠地防止該汽化材料的蒸發中之不均勻性。因此’ 其係可能更可靠地處理該工件之一待塗覆區域的尺寸中之 增加、少量之汽化材料等。 於本發明之第六態樣的真空蒸鍍設備中，該坩堝係由 延伸在該蒸發室之整個區域上方的整塊結構所構成’具有 沿著該工件之寬度方向延伸的長狹窄形狀，且在其上表面 中具有至少一溝槽。該至少一溝槽沿著該坩堝之縱長方向 延伸，且具有用於容納該汽化材料的部份之作用。據此’ 該坩堝之加熱表面積（該坩堝與該汽化材料接觸之面積） 變大。如此，可獲得該汽化材料之一想要的蒸發數量，而 不會將該等熱壁面加熱至較高之溫度、配置一較大數目之 -15- (12) (12)1324185 坩堝等。再者，既然該坩堝係一整塊結構，縱使於該縱長 方向中在該等熱壁面的諸位置之中有溫度差異，由於該坩 堝之未形成至少一溝槽的上表面之各部份（護堤部份）、 及在該至少一溝槽下方的各部份中之熱傳導，遍及該整個 坩堝之溫度係均勻的。據此，其係可能於該汽化材料在該 縱長方向之蒸發中防止不均勻性，且造成該工件之薄膜厚 度分佈均勻。再者，亦可藉著適當地設定該至少一溝槽之 數目及尺寸（寬度、深度等）輕易地處理少量之汽化材料 。據此，可在低成本下輕易地處理該工件之一待塗覆區域 的尺寸中之增加、少量之汽化材料等，而不會將該等熱壁 面加熱至較高之溫度、配置一較大數目之坩堝等。如此， 該設備之成本亦可減少。特別地是，應注意的是於該汽化 材料之數量係極少的案例中，如果該至少一溝槽係如於本 發明之下述第七態樣中沿著垂直於該縱長方向之方向形成 ，於該縱長方向中的溝槽間之間隔變得太大，且該汽化材 料的蒸發中之不均勻性係易於發生。然而，於此第六態樣 中，既然該至少一溝槽係沿著該縱長方向形成，此一問題 不會發生。此第六態樣在此點係亦有利的。 於本發明之第七態樣的真空蒸鍍設備中，該坩堝係由 延伸在該蒸發室之整個區域上方的整塊結構所構成，具有 沿著該工件之寬度方向延伸的長狹窄形狀，且在其上表面 中具有複數溝槽。該等溝槽沿著垂直於該坩堝之縱長方向 的方向延伸，且具有用於容納該汽化材料的部份之作用。 據此，該坩堝之加熱表面積（該坩堝與該汽化材料接觸之 -16- (13) 1324185 面積）變大。如此，可獲得該汽化材料 量，而不會將該等熱壁面加熱至較高之 數目之坩堝等。再者，既然該坩堝係一 該縱長方向中在該等熱壁面的諸位置之 於該坩堝之未形成該等溝槽的上表面之 )、及在該等溝槽下方的各部份中之熱 坩堝之溫度係均勻的。據此，其係可能 縱長方向之蒸發中防止不均勻性，且造 度分佈均勻。再者，亦可藉著適當地設 及尺寸（寬度、深度等）輕易地處理少 此，可在低成本下輕易地處理該工件之 寸中之增加、少量之汽化材料等，而不 熱至較高之溫度、配置一較大數目之坩 備之成本亦可減少* 於本發明之第八態樣的真空蒸鍍設 延伸在該蒸發室之整個區域上方的整塊 沿著該工件之寬度方向延伸的長狹窄形 中具有複數孔洞。該等孔洞具有用於容 份之作用。據此，該坩堝之加熱表面積 材料接觸之面積）變大。如此，可獲得 要的蒸發數量，而不會將該等熱壁面加 配置一較大數目之坩堝等。再者，既然 構，縱使於該坩堝之縱長方向中在該等 中有溫度差異，由於該坩堝之未形成該 之一想要的蒸發數 溫度、配置一較大 整塊結構，縱使於 中有溫度差異，由 各部份（護堤部份 傳導，遍及該整個 於該汽化材料在該 成該工件之薄膜厚 定該等溝槽之數目 量之汽化材料。據 一待塗覆區域的尺 會將該等熱壁面加 堝等。如此，該設 備中，該坩堝係由 結構所構成，具有 狀，且在其上表面 納該汽化材料的部 (該坩堝與該汽化 該汽化材料之一想 熱至較高之溫度、 該坩堝係一整塊結 熱壁面的諸位置之 等孔洞的上表面之 -17 - (14) (14)1324185 各部份（護堤部份）、及在該等孔洞下方的各部份中之熱 傳導，遍及該整個坩堝之溫度係均勻的。據此’其係可能 於該汽化材料在該縱長方向之蒸發中防止不均勻性，且造 成該工件之薄膜厚度分佈均勻。再者，亦可藉著適當地設 定該等孔洞之數目及尺寸（寬度、深度等）輕易地處理少 量之汽化材料。據此，可在低成本下輕易地處理該工件之 一待塗覆區域的尺寸中之增加、少量之汽化材料等，而不 會將該等熱壁面加熱至較高之溫度、配置一較大數目之坩 堝等。如此，該設備之成本亦可減少。再者，於此第八態 樣中，縱使該汽化材料之數量係極少，該等孔洞能以散開 方式提供在該坩堝之整個上表面上方。據此，用於該汽化 材料之數量係少的之案例中，相較於如該前述第六及第七 態樣中所提供的溝槽之案例，此第八態樣係特別有效。 於本發明之第九態樣的真空蒸鍍設備中，該坩堝係至 少於該縱長方向中分成複數區域，且個別之加熱機構係設 在該坩堝的下表面之下，用於該等個別之區域，藉此可對 於該等個別之區域藉著該加熱機構個別地控制溫度。據此 ’用於每一區域，控制該坩堝之溫度及控制該汽化材料之 溫度。如此，其係可能更可靠地於該縱長方向中防止該汽 化材料的蒸發中之不均勻性。因此，其係可能更可靠地處 理該工件之一待塗覆區域的尺寸中之增加、少量之汽化材 料等。 於本發明之第十及第十一態樣的真空蒸鍍設備中，該 汽化材料係一有機材料，且該工件係一用於平板顯示器之 -18- (15) (15)1324185 基板或一用於照明裝置之基板。該有機材料係沈積在該基 板之一表面上，以形成一有機電激發光元件之薄膜。據此 ，可獲得類似於前述第六至第九態樣中之任何一項的效果 。如此，其係亦可能輕易地處理用於平板顯示器之基板或 用於照明裝置之基板的尺寸中之增加。特別地是，當應用 至一用於FPD之大尺寸設計基板、或一用於照明裝置之 大尺寸設計基板時，可實現用於有機EL之一有用的真空 蒸鍍設備。 根據本發明之第十二態樣的方法，其係於本發明之第 五及第九態樣的任何一個之真空蒸鍍設備中，製造一有機 電激發光元件之薄膜的方法，一有機材料係用作該汽化材 料。再者，該真空蒸鍍設備之坩堝係分成複數區域。對於 該等個別區域測量溫度，且諸如加熱器的加熱機構之輸出 係基於該等個別區域之測量溫度個別地控制，以致該等個 別區域之溫度變得恆定》據此，用於每一區域，控制該坩 堝之溫度及控制該汽化材料之溫度。如此，其係可能更可 靠地於該縱長方向中防止該汽化材料的蒸發中之不均勻性 。因此，其係可能更可靠地處理該工件之一待塗覆區域的 尺寸中之增加、少量之汽化材料等。 【實施方式】 下文，將基於圖面詳細地敘述本發明之具體實施例。 〔第一具體實施例〕 -19- (16) 1324185 圖1係一透視圖，說明根據本發明之第一具體實施例 的真空蒸鍍設備之結構。圖3係圖1之部分A的放大透 視圖。圖4 A係一橫截面視圖（一坩堝之平面圖），如由 ·· 圖3之箭頭B方向所觀看者。圖4B係一取自圖4A沿著 、 剖線C-C之放大橫截面視圖。應注意的是圖2A及28係 說明該第一具體實施例的真空蒸鍍設備中之捲軸節氣門（ spool shutter)的結構之另一範例的視圖》 • 如圖1所說明，該第一具體實施例的真空蒸鍍設備包 含一蒸鍍設備之主要系統12、及一於真空室11中之基板 運送系統（.未示出），且係意欲用於共沈積及有機EL。 該主要系統12具有一蒸發源之作用。該基板運送系統係 設在該主要系統12上方。 該真空室 Μ之內側係藉著一真空幫浦（所未示出） 維持在一低壓狀態（真空）中。因此，當然，該主要系統 1 2等之內側係亦維持在一真空中。再者，當用作工件之 • FPD基板10(例如玻璃基板）係在一預定速度於此真空 ^ 下藉著該基板運送系統，於藉由箭頭X所指示之基板運 送方向中水平地運送時，由該主要系統12所供給之汽化 ' 材料的蒸氣被吸收至（沈積在）此FPD基板10之一表面 (於該圖示中之下表面）的待塗覆區域上，如此形成一薄 膜。 該主要系統12係意欲供使用二種有機材料之共沈積 ’且因此包含一內室13(真空容器），其具有此一形狀 ，使得其一下方部份係分成二部份，且係由銅等所製成。 -20- (17) (17)1324185 此內室13係一所謂之熱壁面內室。該內室13係藉著附接 至其一周邊部份之電熱器17所加熱，藉此其溫度係調整 至一適於該汽化材料之蒸發的溫度。再者，在該內室13 內側，一沈積室14、一混合室15、及蒸發室16A及16B 以此由上而下之順序提供。 該蒸發室16A係設置在該基板運送方向之一向後側 面上，且該蒸發室16B係設置在該基板運送方向之一向前 側面上。再者，一坩堝22A係提供於該蒸發室16A中， 且一坩堝22B係提供於該蒸發室16B中。雖然稍後給與 —詳細之敘述，這些坩堝22A及22B之每一個具有一長 狹窄之形狀，並沿著該FPD基板10之板寬度方向（垂直 於該基板運送方向的方向（箭頭Y之方向）··下文僅只 稱爲該“板寬度方向”）延伸。一坩堝22A包含當作汽 化材料之有機摻雜劑材料30A，且另一坩堝22B包含一當 作汽化材料之有機主體材料3 0B。 —捲軸節氣門19A係提供於該蒸發室16A及該混合 室15之間，且一捲軸節氣門19B係亦提供於該蒸發室 16B及該混合室]5之間。每一捲軸節氣門19A及19B包 含一節氣門塊件20及複數節氣門軸桿21，該等節氣門軸 桿可旋轉地串聯***該節氣門塊件20中。於該節氣門塊 件20中，形成蒸氣孔20a，該等孔洞與該蒸發室16A (於 該捲軸節氣門]9A之案例中）或該蒸發室16B (於該捲軸 節氣門1 9B之案例中）及該混合室1 5相通。於該節氣門 軸桿21中’蒸氣孔21a係形成在位置該等蒸氣孔2】a能 -21 - (18) 1324185 與該節氣門塊件20之蒸氣孔20a相通。再者，複數蒸氣 孔2 0a及複數蒸氣孔21a兩者係提供於該板寬度方向中。 因此，可調整流經該等蒸氣孔20a及21b之每一個的汽化 - 材料之蒸氣數量，以致藉著調整每一節氣門軸桿21之旋 、 轉位置，以調整每一節氣門軸桿21的蒸氣孔21a及該有 關節氣門塊件20的對應蒸氣孔20a間之相對位置，該板 寬度方向中之汽化材料的蒸氣數量分佈變得均勻。 # 應注意的是如該第一具體實施例的真空蒸鍍設備中之 一捲軸節氣門，可使用一具有圖2A及2B所說明之結構 . 者。雖然將在此說明及敘述一蒸發室16A側面，一具有 圖2A及2B所說明結構之捲軸節氣門亦可用於該另一蒸 發室16B。 如在圖2 A所說明，一捲軸節氣門81係與側壁（熱 壁面）23接觸，以構成該蒸發室16A之一上壁面，且係 設置在一支撐板80上，該支撐板沿著該縱長方向於其一 ©中心部份中具有一開口部份。更詳細地敘述之，該捲軸節 氣門81包含一平面式固定板82，其固定至該支撐板80 及設置成可蓋住該支撐板80之開口部份；一平面式可移 : 動板件83，其設置在該固定板82之表面上’並可在其表 . 面上滑動；壓按機件85，用於以該可移動板件83係可滑 動之方式壓按該可移動板件83抵靠著該固定板82;及一 移位裝置（未示出），用於造成該可移動板件83沿著該 固定板82之表面滑動。於該固定板82中’於該縱長方向 中形成複數在預定長度之間隔配置的蒸氣孔82a。在另一 -22- (19) (19)1324185 方面，於該可移動板件83中，形成複數蒸氣孔83a，該 等蒸氣孔83a係在等於該等蒸氣孔82a之間隔處配置，且 比該等蒸氣孔82a具有較小之開口面積。應注意的是該固 定板82及該可移動板件83係長板件，其於該板寬度方向 中之長度等同於該FPD基板10之長度。 於該捲軸節氣門81中，複數壓按機件85係提供於該 板寬度方向中。於每一壓按機件85中，提供二輥子86, 用以於該板寬度方向中壓按該可移動板件83之兩端部份 及用於能夠使該可移動板件83在一滑動方向中移動；一 支撐軸桿87，用於以此一可旋轉該等輥子86之方式支撐 該等輥子86;及固持構件88，其係固定至該支撐板80, 且當壓按該支撐軸桿87朝向該固定板82時固持該支撐軸 桿87。該等固持構件88具有設在其頂部上之彈簧89。該 支撐軸桿87係藉著該彈簧89之壓按力量壓向該固定板 82。其結果是，該等輥子86能將該可移動板件83壓向該 固定板82，並抵達一適當之壓按力量，其中該可移動板 件83能滑動。 因此，於具有上述結構之捲軸節氣門81中，能調整 流經該等蒸氣孔82a及83b之每一個的汽化材料之蒸氣數 量’以致藉著調整該可移動板件83之滑動位置，以調整 該固定板82之每一個蒸氣孔82a及該可移動板件83的對 應蒸氣孔83a間之相對位置，該板寬度方向中之汽化材料 的蒸氣數量分佈變得均勻（看圖2B)。 再者，一穿孔板節氣門24係提供於該沈積室14及該 -23- (20) (20)1324185 混合室1 5之間，且一穿孔矯正板2 7係提供於該沈積室 14中。該穿孔板節氣門24包含一固定板25，在該固定板 中形成有複數穿透孔25a;及複數可移動板件26，其係串 聯地提供於該板寬度方向（箭頭Y之方向）中，且其中 複數穿透孔26a係形成在該等穿透孔26a能與該等穿透孔 25a相通之位置中。調整流經該等穿透孔25a及26b之每 一個的氣體混合物之流速’以致藉著於該板寬度方向（箭 頭X之方向）中調整每一可移動板件26之位置，以調整 每一可移動板件26之穿透孔26a及該固定板25的對應穿 透孔25a間之相對位置，流經該混合室15至該沈積室14 之氣體混合物的流速之分佈變得均勻。於該穿孔矯正板 27中’形成複數穿透孔27a，其比該等穿透孔25a及26a 較小。該穿孔矯正板27係意欲進一步矯正該氣體混合物 之流速分佈及流量》 因此，當容納在該等坩堝包含22A及22B中之摻雜 劑材料30A及該主體材料30B係藉著來自該等熱壁面23 之輻射熱所蒸發（昇華）時，於藉著該捲軸節氣門19A 調整該板寬度方向中之蒸氣數量分佈的狀態中，該摻雜劑 材料之蒸氣流入該混合室15，且於藉著該捲軸節氣門I9B 調整該板寬度方向中之蒸氣數量分佈的狀態中，該主體材 料之蒸氣流入該混合室15’該等熱壁面係藉著該等電熱 器17所加熱之蒸發室16A與16B的側壁（內室13之壁 面）於該混合室15中’混合該摻雜劑材料之蒸氣及該主 體材料之蒸氣’以造成一具有適當混合比率之氣體混合物 -24- (21) (21)1324185 。再者，此氣體混合物通過該穿孔板節氣門24及該穿孔 矯正板27，以具有一均勻之分佈及接著於該沈積室14中 在該FPD基板10之（待塗覆區域）表面上蒸發（沈積） ，藉此形成一具有譬如大約400埃厚度之薄膜。亦即，有 機EL元件之一發光層係形成在該FPD基板10之表面上 〇 在此，應注意的是雖然該FPD基板10之表面係於該 板寬度方向中在其整個寬度上方一次塗覆，其表面係在該 基板運送方向中以藉著該基板運送系統運送該FPD基板 10而連續地塗覆，如此最終塗覆其表面之整個待塗覆區 域。再者，既然該FPD基板1 0係一大尺寸設計基板，並 具有一譬如不少於0.4米（例如大約1米）的板寬度（於 箭頭 Y的方向中之寬度），於該板寬度方向中在該FPD 基板10的表面上之待塗覆區域的長度係亦長的（例如1 米）。應注意的是在該板寬度方向中之兩側面上，該FPD 基板10之邊緣部份係藉由該基板運送系統之輥子所接觸 的部份，且因此係未被塗覆部份。 因此，按照該FPD基板10的待塗覆區域於該板寬度 方向中之長度，該內室13、該沈積室14、該穿孔矯正板 25、該穿孔板節氣門24、該混合室15、該捲軸節氣門21 ，及該等蒸發室16A及16B在該板寬度方向中係亦長的 ，並達到一等同於該FPD基板]〇之待塗覆區域的範圍。 該等蒸發室16A及16B係長狹窄之空間，具有譬如大約 0.0 5米之長度（在該基板運送方向中之寬度）與不少於 -25- (22) (22)1324185 ο.4米（例如大約1米）的寬度（於該板寬度方向中之寬 度）。 再者，該等坩堝2 2Α及22Β係亦長狹窄之坩堝，並 按照該FPD基板10之長狹窄的待塗覆區域在該板寬度方 向中延伸。該等坩堝22Α及22Β之每一個係一整塊結構 ，且由具有高導熱性及熱阻抗之材料所製成。用於此等坩 堝22 A及22 B之材料例如包含諸如銅、鋁 '及SUS3 04之 金屬；陶瓷；氟化矽；及氮化矽。應注意的是該等坩堝 22A及22B具有類似結構，且因此該坩堝22A之結構將 在下面詳細地敘述。

如在圖1、3、4A，及4B所說明，該坩堝22A之寬 度（於該板寬度方向中之寬度）係大於其長度（於該基板 運送方向中之寬度），且該坩堝22A於一俯視圖中具有 一長方形（看圖4A)。譬如，該坩堝22A具有一長狹窄 之形狀，並具有〇.〇5米之長度及不少於0.4米（例如1 米）之寬度。再者，複數（在該等圖面中所示之範例爲五 個）狹長切口溝槽32A係形成在該坩堝22A之上表面31 中。這些狹長切口溝槽32A沿著該坩堝22A之縱長方向 (亦即該板寬度方向）延伸’且幾乎係形成遍及該坩堝 22A之整個寬度。再者，這些狹長切口溝槽32A係在垂直 於該坩堝22 A之縱長方向的方向（亦即該基板運送方向 )中隔開。鄰接狹長切口溝槽32A間之各部份等（亦即 該坩堝22A的上表面3]之未形成該等狹長切口溝槽3 2A 的各部份）構成護堤部份31a。至於該狹長切口溝槽32A -26- (23) (23)1324185 之尺寸，譬如’該寬度係大約1至5毫米，該長度係不少 於0.4米（例如大約]米），且該深度係大約1至2毫米 〇 再者’這些狹長切口溝槽3 2A具有用於容納該汽化 材料之各部份的作用。亦即，該坩堝22A狹長切口溝槽 32A容納該摻雜劑材料30A，且該坩堝22B之狹長切口溝 槽32A容納該主體材料30B。應注意的是視該汽化材料（ 摻雜劑材料 '主體材料）之實際需要數量、該FPD基板 1〇之待塗覆區域的實際尺寸等而定，適當地設定該等狹 長切口溝槽32A之實際尺寸（寬度、深度、及長度）及 數目。 如上面所述，於該第一具體實施例之真空蒸鍍設備中 ，該等坩堝22A及22B之每一個係一整塊結構及—長狹 窄祖禍’並沿著該板寬度方向延伸及於其上表面.3 1中具 有複數狹長切口溝槽32A’該等狹長切口溝槽32A沿著該 等祖摘22A或22B之縱長方向延伸，且該等狹長切口溝 槽32A具有用於容納該汽化材料（摻雜劑材料3〇a、主體 材料30B)之各部份的作用。因此，該等坩堝22A及22B 之加熱表面積（該等坩堝22A及22B與該等汽化材料接 觸之面積）變大。如此，可獲得該汽化材料之一想要的蒸 發數量，而不會將該等熱壁面加熱至較高之溫度、配置一 較大數目之坩堝等/ 再者’既然該等坩堝22A及22B之每—個係—整塊 結構，縱使於該縱長方向中在該等熱壁面23的諸位置之 -27 - (24) (24)1324185 中有溫度差異，由於該等坩堝22A及22B之上表面31未 形成該等狹長切口溝槽32A的各部份（護堤部份31a)、 及在該等狹長切口溝槽32 A下方的各部份中之熱傳導， 遍及該整個坩堝22A與遍及該整個坩堝22B之溫度係均 勻的。因此，其係可能於該縱長方向中防止該汽化材料（ 摻雜劑材料30A、主體材料30B)的蒸發作用中之不均勻 性，並造成該FPD基板10之薄膜厚度分佈均勻。亦即， 如在圖4B所說明，來自該等熱壁面23之輻射熱不只藉由 該摻雜劑材料30A所直接地接收，同時也藉著該坩堝22A 之護堤部份31a所接收。此熱量係在該坩堝22A中熱傳導 至最後經過該等狹長切口溝槽32 A之內表面（加熱表面 )傳導至該摻雜劑材料30A。該等狹長切口溝槽32A及該 等護堤部份31a係交替地設置成彼此接近。如此，該等狹 長切口溝槽32A中之摻雜劑材料30A的溫度敏銳地緊接 著該等護堤部份31a之溫度。如果由輻射熱所接收之熱量 不波動，該摻雜劑材料30 A之溫度係維持均勻及不變的 。該坩堝22B亦具有類似於上述坩堝之效果。 再者，少量汽化材料（摻雜劑材料3 0 A、主體材料 30B)亦可藉著適當設定該等狹長切口溝槽3 2A之數目及 尺寸（寬度、深度等）輕易地處理" 因此，可在低成本下輕易地處理與該FPD基板1〇的 尺寸增加有關聯之FPD基板10的待塗覆區域尺寸中之增 加 '少量之汽化材料等，而不會將該等熱壁面加熱至較高 之溫度、配置一較大數目之坩堝等。如此，該設備之成本 -28- (25) (25)1324185 亦可減少。 應注意的是於上述範例中，雖然該等狹長切口溝槽 32A係沿著該等坩堝22 A之縱長方向形成，本發明不須受 限於此。如在圖5所說明，該坩堝22 A之上表面3 ]可具 有複數狹長切口溝槽32A，其沿著垂直於該縱長方向之方 向延伸，且具有用於容納該摻雜劑材料的各部份之作用。 於此案例中，亦可獲得類似於前述者之效果。然而，於此 案例中，當該等狹長切口溝槽32 A中所包含的汽化材料 之數量係極少時，該等狹長切口溝槽32A之數目變少， 且該等狹長切口溝槽32A於該縱長方向中間之間隔變得 太大。因此，於該縱長方向中輕易地發生該汽化材料的蒸 發作用中之不均勻性。由於此一案例中，其更有利的是沿 著該縱長方向形成該等狹長切口溝槽32A，如先前所述。 再者，於該汽化材料係一藉著加熱至將蒸發而昇華的 昇華材料之案例中，當作用於容納該汽化材料的各部份之 溝槽較佳地係複數溝槽，該等溝槽係狹窄之開口，亦即該 等上述狹長切口溝槽32A，如在圖4A至5所說明。這是 因爲於該昇華材料係用作該汽化材料之案例中，於一具有 該昇華材料之接觸區域係大的之結構、亦即一提供複數狹 長切口溝槽32A之結構中，該昇華材料的溫度中之不均 勻性變得較小。在另一方面，於該汽化材料係一藉著加熱 至將蒸發所熔化的熔化材料之案例中，其較佳的是不使用 該複數狹長切口溝槽32A、而是使用一寬廣溝槽32B當作 容納該汽化材料的部份，如在圖6A及6B所說明，該溝 -29- (26) (26)1324185 槽3 2B係提供於該整塊坩堝22 A之上表面中，並延伸在 該蒸發室16A之整個區域上方，且具有一等同於由該坩 堝22A之一端部至其另一端部的長度。其理由係如下： 於熔化材料3 0C係用作一汽化材料之案例中，藉著熔化所 液化之熔化材料3 0C，具有一不變之蒸發區域及與該溝槽 3 2B具有一大接觸表面，及由該接觸表面接收熱量以蒸發 :因此，在此不需使用複數狹長切口溝槽，但甚至一狹長 切口溝槽係充分的。應注意的是於圖6A及6B中，等同 於圖4A及4B者之零組件係藉著相同之參考數字所標示 ，且將不在此進一步敘述。 再者，譬如，於其難以形成一用於諸如大尺寸設計基 板之大工件的大整塊坩堝之案例中，類似於上述整塊坩堝 而當作單一結構之大坩堝能藉著成群地配置複數坩堝、將 該等坩堝設置在該蒸發室之整個區域上方、及形成複數狹 長切口溝槽所實現，於該等該坩堝之上表面中，該等溝槽 具有由該等坩堝的上表面之一端至其另一端的長度。爲了 進一步改善溫度分佈之一致性，其較佳的是該複數坩堝係 設置成彼此緊密接近，以當該等坩堝係成群地配置時，延 伸在該蒸發室之整個區域上方。 〔第二具體實施例〕 圖7係一透視圖，說明根據本發明之第二具體實施例 的真空蒸鍍設備之一基本零件的結構。圖8係一橫截面視 圖（電熱器之平面圖）’如由圖7之箭頭D方向所視。 -30- (27) (27)1324185 圖9係一用於說明溫度控制之流程圖。 於圖7及8所說明的第二具體實施例之真空蒸鍍設備 中，加熱器41係進一步提供當作該坩堝22A中之加熱機 構，用於該第一具體實施例的真空蒸鍍設備中之摻雜劑材 料。雖然未說明，用於一主體材料之坩堝22B亦具有一結 構，其中如於該坩堝22A般提供電熱器41。除了上面以 外，該第二具體實施例之真空蒸鍍設備的結構（該等坩堝 之整個結構及配置、該真空蒸鍍設備的整個結構等），係 與該第一具體實施例的真空蒸鍍設備之結構（看圖1至 6B)相同，且因此在此將不說明、也不詳細地敘述。 如在圖7及8所說明，在該坩堝22A之下表面下方 亦提供一待與該坩堝22A整合之加熱器架台42。用於加 熱器之溝槽43係形成在該加熱器架台42之上表面上。用 於加熱器之溝槽44係亦形成在該坩堝22A之下表面中。 提供該等電熱器4】，以便容納於該等溝槽43及44之間 。沿著該坩堝22A之縱長方向提供複數電熱器41。這些 電熱器4 1係分別連接至個別之溫度控制器45。亦即，該 坩堝22A係於該縱長方向中分成複數區域，且在該坩堝 22 A之下表面下方提供用於該等個別區域之個別電熱器 41，藉此可對於該等個別區域藉著該等電熱器41個別地 控制溫度》該等溫度控制器4 5控制將供給至該等個別電 熱器41之功率，以致用於該等個別區域的坩堝22 A之溫 度檢測信號（溫度檢測値）指示預定不變之溫度，該等溫 度檢測信號係由提供用於該等個別區域之溫度感測器46 -31 - (28) (28)1324185 、諸如熱電偶所輸入。用於加熱該內室〗3的電熱器17之 每一個具有譬如1千瓦的容量，且能大約由攝氏〇度至 350度施行溫度調節，反之該等電熱器41之每一個具有 譬如0.01千瓦之容量，且能由攝氏〇度至2度施行溫度 調節。 使用圖9之流程圖，將敘述溫度調節的控制之一特定 範例。測量來自該溫度感測器46而用於該坩堝22A之個 別區域的溫度檢測値Ti(i=l,2,…，η·Ι，η)(步驟S1)， 且比較用於該等個別區域之溫度檢測値Ti及用於該等個 別區域之目標溫度値Tti(i=l，2,…，η·Ι，η)(步驟S2) ^ 如果於某一區域中，該溫度檢測値Ti係比該目標溫度値 Tti較小，該有關區域中之加熱器輸出係控制至爲在開啓 (ON)狀態中（步驟S3)。在另一方面，如果該溫度檢 測値Ti係不少於該目標溫度値Tti，該有關區域中之加熱 器輸出係控制至爲在關閉（OFF )狀態中（步驟S4 )。如 此，藉著該溫度控制器45分別控制該電熱器41，以致用 於該等個別區域之溫度檢測値乃指示預定不變之溫度。 因此，以該第二具體實施例之真空蒸鍍設備，亦可獲 得類似於前述第一具體實施例之效果。 再者，於該第二具體實施例之真空蒸鍍中，該祖渦 22A係於該縱長方向中分成複數區域，且在該坩堝22A之: 下表面下方提供用於該等個別區域之個別電熱器41，藉 此可藉著該等電熱器4】對於該等個別區域個別地控制溫 度。因此，用於每一區域，該坩堝22A之溫度係微調的 -32- (29) (29)1324185 ’且該汽化材料（摻雜劑材料3 〇 A )之溫度係微調的。如 此’其係可能於該縱長方向中更可靠地防止該汽化材料（ 摻雜劑材料30A)的蒸發作用中之不均勻性。因此，其係 可能更可靠地處理該FPD基板〗〇之待塗覆區域的尺寸中 之增加、少量之蒸發材料等。該坩堝22 B亦具有類似於上 述坩堝之效果。 應注意的是雖然於上述範例中，該坩堝22A及該加 熱器架台42係整合式（亦即該等電熱器41係一嵌入型） ，且該電熱器41之熱量係藉著與該坩堝22A之下表面接 觸的電熱器4丨直接傳送至該坩堝22A，本發明不限於此 。如在圖1〇所說明’藉著如分開之結構般提供該坩堝 22A及該加熱器架台42，以致該電熱器41係由該坩堝 22A分開，該坩堝22A可藉著來自該電熱器41之輻射熱 所加熱。於此案例中’該加熱器架台42(電熱器41)可 設在該蒸發室1 6 A (內室1 3 )之內側或外側。於該加熱 器架台42係設在該蒸發室16A (內室13)內側之案例中 ’在此有由該電熱器41至該坩堝22A的熱傳送效率爲高 之優點，因爲該蒸發室16A (內室13)之壁面不存在於 該坩堝22A及該電熱器41之間。在另一方面，於該加熱 器架台42係設在該蒸發室〗6A (內室13 )外側之案例中 ，在此有該加熱器架台42 (電熱器41)係易於維修、變 化等之優點。 再者’該等電熱器41不限於如先前所述在該縱長方 向中提供用於該坩堝22A之個別區域，但可更適當地配 -33- 1324185 P〇) 置。譬如，如在圖1 1所說明，該坩堝22A可不只於該縱 長方向中、同時也可在垂直於該縱長方向之方向中分成複 數區域，以在該坩堝22A之下表面下方對於該等個別區 域提供個別之電熱器41，藉此可用該等電熱器41對於該 等個別區域個別地控制溫度。於此案例中，能施行較細微 之溫度控制，因爲不只可調整該坩堝22A於該縱長方向 中之溫度分佈，同時也可調整其在垂直於該縱長方向的方 向中之溫度分佈。 〔第Ξ具體實施例〕 圖12係一透視圖，說明根據本發明之第三具體實施 例的真空蒸鍍設備之一基本零件的結構。圖13A係一橫 截面視圖（一坩堝之平面圖），如由圖12之箭頭E方向 所視。圖13B係一取自圖13A沿著剖線F-F之放大橫截 面視圖。 如在圖12至13B所說明，於該第三具體實施例之真 空蒸鍍設備中，代替狹長切口溝槽，孔洞51係提供於該 坩堝22A之表面31中，用於該前述第一具體實施例的真 空蒸鍍設備中之摻雜劑材料。雖然未示出，用於該主體材 料之坩堝22B亦具有一結構，其中如於該坩堝22A中提 供孔洞51。除了上面以外，該第三具體實施例之真空蒸 鍍設備的結構（該等坩堝之配置、該真空蒸鍍設備的整個 結構等），係與該前述第一具體實施例的真空蒸鍍設備之 結構（看圖1至6B)相同，且因此在此將不說明、也不 -34- (31) 1324185 詳細地敘述。 如在圖12至13B所說明，該坩堝22A之寬 板寬度方向中之寬度）係大於其長度（於該基板 中之寬度）’且該坩堝22A.於一俯視圖中具有 之形狀（看圖I3A)。譬如，該i甘禍22A具有一 形狀，並具有〇·〇5米之長度及不少於0.4米（ )之寬度。再者’複數孔洞51係形成在該i甘渦 表面31中。這些孔洞51係形成在該坩堝22A 表面31上方，且以左右交錯之列陣配置於該等 明之範例中。這些孔洞5 1係互相地隔開。於鄰; 等間之各部份（亦即該坩堝2 2 A的上表面3 1之 等孔洞51的各部份）構成護堤部份31a。至於 51之尺寸，譬如該直徑係大約1至5毫米，且 大約0.1至2毫米。

再者’這些孔洞51具有用於容納該汽化材 份之作用。亦即，該坩堝22A之孔洞5 1容納該 料30A，且該坩堝22B之孔洞51容納該主體材 應注意的是視該汽化材料（摻雜劑材料、主體材 際需要數量、該FPD基板10之待塗覆區域的實 而定，適當地設定該等孔洞51之實際尺寸（直 等）及數目。於一俯視圖中，該等孔洞51之形 受限於圓形之形狀，諸如於該等圖面所說明之範 可爲適當之形狀（例如長方形）。如上面所述， 具體實施例之真空蒸鍍設備中，該等坩堝22A J 度（於該 運送方向 —長方形 長狹窄之 例如1米 22A之上 之整個上 圖面所說 接孔洞51 未形成該 該等孔洞 該深度係 料的各部 摻雜劑材 料 30B。 料）之實 際尺寸等 徑、深度 狀亦不須 例中，但 於該第三 \ 22B 之 -35- (32) 1324185 每一個係一整塊結構及一長狹窄坩堝，並沿著該板寬度方 向延伸及於其上表面31中具有複數孔洞5]，且該等孔洞 51具有用於容納該汽化材料的各部份之作用。因此，該 等坩堝22A及22B之加熱表面積（該等坩堝22A及22B 與該等汽化材料接觸之面積）變大。如此，可獲得該汽化 ·. 材料之一想要的蒸發數量，而不會將該等熱壁面加熱至較 高之溫度、配置一較大數目之坩堝等。 φ 再者，既然該等坩堝22A及22B之每一個係一整塊 結構，縱使於該等坩堝22A及22B之縱長方向中在該等 熱壁面23的諸位置之中有溫度差異，由於該等坩堝22 A 及22 B之上表面31未形成該等孔洞51的各部份（護堤部 份31a)、及在該等孔洞51下方的各部份中之熱傳導， 遍及該整個坩堝22A與遍及該整個坩堝22B之溫度係均 勻的。因此，其係可能於該縱長方向中防止該汽化材料（ 摻雜劑材料3 0A、主體材料3 0B)的蒸發作用中之不均勻 ® 性，並造成該FPD基板10之薄膜厚度分佈均勻。亦即， _ 如在圖13B所說明，來自該等熱壁面23之輻射熱不只藉 由該摻雜劑材料30A所直接地接收，同時也藉著該坩堝 • 22A之護堤部份31a所接收。此熱量係在該坩堝22A中熱 . 傳導至最後經過該等孔洞51之內表面（加熱表面）傳導 至該摻雜劑材料30A。該等孔洞51及該等護堤部份31a 係交替地設置成彼此接近。如此，該等孔洞51中之摻雜 劑材料30A的溫度敏銳地緊接著該等護堤部份3ia之溫度 °如果所接收之輻射熱量不波動，該摻雜劑材料30A之 -36- (33) 1324185 溫度係維持均勻及不變的。該坩堝22B亦具有類似於上述 坩堝之效果。 再者’亦可藉著適當地設定該等孔洞51之數目及尺 … 寸（直徑、深度等），輕易地處理少量之汽化材料（摻雜 . 劑材料30A、主體材料30B )。 因此，可在低成本下輕易地處理與該FPD基板10的 尺寸增加有關聯之FPD基板10的待塗覆區域尺寸中之增 • 加、少量之汽化材料等，而不會將該等熱壁面加熱至較高 之溫度、配置一較大數目之坩堝等。如此，該設備之成本 亦可減少。亦於該第三具體實施例中，縱使該汽化材料之 數量係極少的，該等孔洞51能以散開方式提供在該等坩 堝22A及22B之整個上表面上方。因此，用於該汽化材 料之數量係少的之案例中，相較於提供狹長切口溝槽之案 例，如於該前述之第一具體實施例中，該第三具體實施例 係特別有效。 • 應注意的是雖然於上述範例中，該等孔洞51係以左 右交錯列陣配置，其配置不須受限於此，但可爲一適當之 配置。譬如，可採用一配置，其中該等孔洞51係僅只配 • 置成行及列，如於圖14所示》於此案例中，亦可獲得類 . 似於上述配置之效果。 再者，譬如，於其難以形成一用於諸如大尺寸設計基 板之大工件的大整塊坩堝之案例中’類似於上述整塊坩堝 而當作單一結構之大坩堝能藉著成群地配置複數坩堝、將 該等坩堝設置在該蒸發室之整個區域上方、及於該等坩堝 -37- (34) (34)1324185 之上表面中形成複數孔洞所實現。爲了進一步改善溫度分 佈之一致性，其較佳的是該複數坩堝係設置成彼此緊密接 近，以當該等坩堝係成群地配置時，延伸在該蒸發室之整 個區域上方。 〔第四具體實施例〕 圖15係一透視圖，說明根據本發明之第四具體實施 例的真空蒸鍍設備之一基本零件的結構。 如在圖15所敘述，於該第四具體實施例之真空蒸鍍 設備中，如在用於該前述第三具體實施例的真空蒸鍍設備 中之摻雜劑材料的坩堝22A中之加熱機構，進一步提供 電熱器41。雖然未示出，用於該主體材料之坩堝22B亦 具有一結構，其中如於該坩堝22A中般提供電熱器41。 除了上面以外，該第四具體實施例之真空蒸鍍設備的結構 (該等坩堝之整個結構及配置、該真空蒸鍍設備的整個結 構等），係與該前述第一及第三具體實施例的真空蒸鍍設 備之結構（看圖1至6B及圖12至14)相同，且因此在 此將不說明、也不詳細地敘述。 再者，該等電熱器41之配置等係亦類似於該前述第 二具體實施例者（看圖7至11)，且因此在此將不說明 、也不詳細地敘述。 因此，該第四具體實施例之真空蒸鍍設備亦具有類似 於該前述第一及第三具體實施例之效果，且進一步具有類 似於該前述第二具體實施例之效果。 -38- 1324185 P5) 〔其它具體實施例〕 應注意的是本發明之效果係特別運用在該等長狹窄之 坩堝22A及22B係按照一長狹窄待塗覆區域所製成之情 況，如於上述第一至第四具體實施例中，本發明不須受限 於製成具有此長狹窄形狀的坩堝之情況。譬如，如在圖 16所說明，複數狹長切口溝槽63可形成爲用於在一坩堝 61之上表面62中容納一汽化材料64之各部份，該坩堝 於一俯視圖中具有一方正之形狀（例如，一具有數十公分 側面長度之方形），且係提供於一蒸發室60中。另一選 擇係，如在圖17所說明，複數孔洞73可形成爲用於在一 坩堝71之上表面72中容納一汽化材料74之各部份，該 坩堝於一俯視圖中具有一方正之形狀（例如，一具有數十 公分側面長度之方形），且係提供於一蒸發室70中《再 者，該坩堝61或71可被分成複數區域，以在該坩堝61 或71之下表面下方提供用於該等個別區域之個別加熱機 構（電熱器等），藉此可藉著該加熱機構個別地控制用於 該等個別區域之溫度。於此案例中，亦可獲得類似於前述 坩堝之效果。再者，亦可在低成本下輕易地處理一工件之 待塗覆區域的尺寸中之增加、少量之汽化材料等，而不會 將該等熱壁面加熱至較高之溫度、配置一較大數目之坩堝 等。如此，該系統之成本亦可減少。 亦於該前述之第一至第四具體實施例中，已揭示諸範 例，其中用於該摻雜劑材料之坩堝22A及用於該主體材 -39- (36) 1324185 料之坩堝22B具有類似結構》然而，在該等前述具體實施 例中所揭示之坩堝可爲組合如下地使用：譬如，一坩渦係 用作該摻雜劑材料用之坩堝22 A，其中該等狹長切口溝槽 ， 32A係如於該前述第一具體實施例中形成；及一坩堝係用 ' 作該主體材料用之坩堝22B，其中該等孔洞5】係如於該 前述第二具體實施例中形成。 再者，本發明不只可應用至一用於共沈積之真空蒸鍍 • 設備，同時也可應用至一用於單一沈積之真空蒸鍍設備。 再者，本發明亦可應用至一真空蒸鍍設備，其異於一用於 有機EL之真空蒸鍍設備。 本發明與一真空蒸鍍設備有關。特別地是，於本發明 被應用至一用於有機EL的真空蒸鍍設備之情況中，本發 明係有用的，其中該有機材料（主體材料與摻雜劑材料） 係沈積在一大尺寸設計FPD基板之表面上，以形成有機 EL元件的薄膜。 • 雖然本發明已藉著上面之具體實施例敘述，應了解本 發明不藉此受限制，但可在許多其他方面作變化或修改。 此等變化或修改不被視爲由本發明之精神及範圍脫離，且 ； 如對於熟諳此技藝者將變得明顯，所有此等變化及修改係 意欲涵括在所附申請專利之範圍內。 【圖式簡單說明】 本發明將由下文所給與之詳細敘述及僅只當作說明所 給與之附圖變得更充分地了解，且如此未限定本發明，及 -40- (37) 1324185 其中= 圖1係一透視圖’說明一根據本發明第一具體實施例 的真空蒸鍍設備之結構； - 圖2A係一視圖，說明一捲軸節氣門之另一結構，且 ， 圖2B係一用於說明其操作之視圖； 圖3係圖1之部分A的放大透視圖； 圖4A係一橫截面視圖（一i甘禍之平面圖），如由圖 鲁 3之箭頭B方向所觀看者，且圖4B係一取自圖4A沿著 剖線C-C之放大橫截面視圖； 圖5係一結構圖（該坩堝之平面圖），用於狹長切口 溝槽係沿著垂直於該坩堝之縱長方向的方向形成之案例； 圖6A係具有一狹長切口溝槽的坩堝之平面圖，且圖 6B係一取自圖6A沿著剖線C'-C·之放大橫截面視圖； 圖7係一透視圖，說明根據本發明之第二具體實施例 的真空蒸鍍設備之一基本零件的結構； 鲁 圖8係一橫截面視圖（電熱器之平面圖），如由圖7 之箭頭D方向所觀看者； 圖9係一流程圖，用於說明該坩堝的溫度控制之一範 ' 例； _ 圖10係一結構圖，用於該坩堝及該加熱器架台係如 分開的結構般提供之案例； 圖11係一視圖（該電熱器之平面圖），說明該電熱 器的配置之另~範例； 圖1 2係一透視圖，說明根據本發明之第三具體實施 -41 - (38) 1324185 例的真空蒸鍍設備之一基本零件的結構； 圖13A係一橫截面視圖（該坩堝之平面圖），如由 圖12之箭頭E方向所觀看者，且圖13B係一取自圖13A 沿著剖線F-F之放大橫截面視圖； 圖1 4係一視圖（該坩堝之平面圖），說明孔洞的配 置之另一範例； 圖】5係一透視圖，說明根據本發明之第四具體實施 例的真空蒸鍍設備之一基本零件的結構； 圖1 6係一透視圖，說明坩堝之另一結構範例； 圖I 7係一透視圖，說明坩堝之另一結構範例； 圖1 8A及1 8B係透視圖，說明傳統坩堝之結構； 圖19A及19B係透視圖，說明諸範例，其中已提供 複數傳統坩堝。 【主要元件符號說明】 • 1 : i甘堝 2 :汽化材料 3 :坩堝 • 4 :蒸發室 . 5:熱壁面 10 :基板 11 :真空室 1 2 :主要系統 1 3 :內室 -42- (39) 1324185 14 :沈積室 1 5 :混合室 16A :蒸發室 ^ 16B :蒸發室 ^ 17 :電熱器 19A :捲軸節氣門 19B :捲軸節氣門 φ 20 :節氣門塊件 2 0 a :蒸氣孔 2 1 :節氣門軸桿 2 1 a :蒸氣孔 2 1 b :蒸氣孔 22A :坩堝 2 2 B :坩堝 2 3 :側壁 # 24 :穿孔板節氣門 25 :固定板 2 5 a :穿透孔 - 26 :可移動板件 2 6 a :穿透孔 26b :穿透孔 2 7 :穿孔矯正板 30A :摻雜劑材料 3 0 B :主體材料 1324185 :熔化材料 上表面 :護堤部份 :狹長切口溝槽 :寬廣溝槽 電熱器 加熱器架台 溝槽 溝槽 溫度控制器 溫度感測器 孔洞 蒸發室 坩堝 上表面 狹長切口溝槽 汽化材料 蒸發室 坩堝 上表面 孔洞 汽化材料 支撐板 捲軸節氣門 -44 (41)1324185

82 ： 固定板 82a :蒸氣孔 83 : 可移動板件 83a :蒸氣孔 83b :蒸氣孔 85 : 壓按機件 86 : 輥子 87 : 支撐軸桿 88 : 固持構件 89 : 彈簧 A : 部分 B ： 箭頭 D : 箭頭 E ： 箭頭 P ： 部份 Q : 部份 T : 輻射熱 X : 箭頭 Y : 箭頭 -45

Claims (1)

1324185 十、申請專利範圍 啊年/月响修(更】止替換荨 第95 1 01 923號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 .民國99年1月14日修正 種真空蒸鍍設備，其中一汽化材料係容納於一蒸 發室中所提供之坩堝中，且做爲該蒸發室之側壁的熱壁面 ^ 藉著來自該等熱壁面之輻射熱加熱該汽化材料，以蒸發該 汽化材料，且藉此該汽化材料係沈積在一工件之表面上， 以形成一薄膜； 其中該坩堝係由配置成一群之複數零件所構成，以延 伸在該蒸發室之一整個區域上方，並在其一上表面中具有 複數溝槽，且該等溝槽具有由該坩堝的上表面之一端部至 其另一端部的長度，及具有用於容納該汽化材料的部份之 作用；和 φ 該坩堝被分成複數區帶，各加熱機構設置在該坩堝之 之各區帶的下表面之下，且因此可藉由該等加熱機構分別 控制各區帶的溫度。 . 2.如申請專利範圍第1項之真空蒸鍍設備， 其中該汽化材料係一有機材料，及 該工件係一用於平板顯示器之基板，且該有機材料係 沈積在該基板之一表面上，以形成一有機電激發光元件之 薄膜。 3.如申請專利範圍第1項之真空蒸鍍設備， 1324185 ff年/月仰噔⑧正替換頁 其中該汽化材料係一有機材料，及^ ' — 該工件係一用於照明裝置 力衣直之基板，且該有機材料係沈 積在該基板之一表面上，以形成—有機電激發光元件之薄 膜。 4. 一種使用如申請專利範圍第1至3項中任—項之真 空蒸鍍設備製造有機電激發光元件的薄膜之方法， 其中一有機材料係用作該汽化材料，及 對於該坩堝之各別區帶測量溫度’且基於該等各別區 帶之測量溫度各別地控制該等加熱機構之輸出’以致該等 各別區帶之溫度變得恆定。

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