TWI307932B - Substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TWI307932B TWI307932B TW095123001A TW95123001A TWI307932B TW I307932 B TWI307932 B TW I307932B TW 095123001 A TW095123001 A TW 095123001A TW 95123001 A TW95123001 A TW 95123001A TW I307932 B TWI307932 B TW I307932B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- transport
- liquid
- unit
- section
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 411
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 157
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 269
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 260
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 37
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 194
- 238000011161 development Methods 0.000 description 57
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 43
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 33
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 30
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 14
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 108010078791 Carrier Proteins Proteins 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- 102100030373 HSPB1-associated protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101000843045 Homo sapiens HSPB1-associated protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
1307932 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係,有關於被處理基板上供給被處理液,以進 行特定的處理之基板處理技術,特別是有關將基板以水平 流動方式一邊於水平方向搬送一邊進行液體處理之基板處 理裝置。 • 【先前技術】 最近,於LCD (液晶顯示器)製造的阻材塗佈顯像處 理系統,作爲可以有利地對應LCD用基板(例如玻璃基 板)的大型化的顯像方式,在把轉子鋪設於水平方向的搬 送路徑上,進行一邊搬送基板一邊於搬送中顯像、清洗、 乾燥等的一連串的顯像處理工程,所謂的水平流動方式是 爲普及。這樣的水平流動方式,係與使基板進行迴轉運動 之旋轉方式相比之下,有著大型基板的處理較爲簡單、減 ^ 少發生霧化的發生乃至於對基板進行再附著等的優點。 採用水平流動方式之以往的顯像處理裝置,係爲了提 高顯像液的個別回收率,例如在專利文獻1中所揭示般地 ,關於平流得搬送路徑,於顯像液供給部的下流側,設置 有將基板傾斜在搬送方向之基板傾斜機構,以顯像液供給 部於水平的基板上盛上顯像液並保持水平流動地、將基板 搬送到搬送路徑的下游側,於特定時間後在搬送路徑上的 特定位置,基板傾斜機構將基板向前或是向後傾斜,使得 基板上的顯像液因重力而掉落,將落下的顯像液用顯像液 -5- (2) 1307932 回收用盤皿承接收集起來。接著,基板傾斜機構,是將利 用上述般的傾斜姿勢所進行的除液,於一定時間內結束並 將基板回復到水平姿勢,接著基板用以水平流動送往下游 側的清洗部,在此清洗噴嘴藉由在水平姿勢的基板上噴上 清洗液,進行在基板上從顯像液至清洗液的置換(顯像停 • 止)。在該清洗部,從基板掉落的液體承接收集到清洗液 — 回收用盤皿。接著,於清洗處理完畢的基板以水平流動於 • 下游側的乾燥部的方式通過的期間,透過空氣刀(air knife )在與搬送方向相逆向的方向上使高壓的氣體流觸碰 於水平姿勢的基板上並進行除液,使基板表面乾燥。 . [專利文獻1 ]日本特開2 0 0 3 - 7 5 8 2號公報 【發明內容】 〔發明欲解決之課題〕 但是’關於上述之以往的顯像處理裝置,使盛著顯像 • 液的基板停止在搬送路徑上並從水平狀態姿勢變換到傾斜 • 狀態’以傾斜姿勢進行除液後再回復到水平姿勢,再進行 水平的搬送這樣的機構以及一連串的動作,有著所謂的其 結構繁雜且沒有效率的一面。更進一步,從開始顯像液的 除液 '一直到在下游側的清洗部的液體置換、亦即開始顯 像停止用的清洗處理爲止的時間耽誤是很長的緣故,於實 行清洗處理前,從基板的前端側,使被處理面乾掉產生斑 的污點這樣的顯像處理品質低下,也令人遺憾。 又’也針對顯像時間’是難以保證基板上的內面均一 -6 - (3) 1307932 性。亦即’將盛著顯像液的基板在停止位置從水平姿勢姿 勢變換到傾斜姿勢之際,在基板的各部的運動速度 '連動 範圍(特別是高度位置)等各爲相異之故,在與顯像液供 給時相同的時間差之下,進行各部的除液是不可能的;其 結果’從顯像液的供給至顯像停止的時間、簡言之顯像時 間’在基板的各部(特別是基板前端部與後端部之間)造 1 成了雜點這樣的問題。 • 本發明係,其目的爲有鑑於上述以往技術的問題點, 提供有在水平流動之搬送線上’分別回收供給到被處理基 板的第1處理液,且置換成第2處理液的動作能夠比較有 效率平順地進行之基板處理裝置。 本發明之其他目的,係提供有在水平流動之搬送線上 ’把供給到被處理基板的第1處理液,經過特定的處理時 間後予以分別回收,且置換成第2處理液的動作能夠比較 有效率內面均一地進行之基板處理裝置。
本發明之其他目的,係提供有在平流的搬送線上,一 邊搬送被處理基板一邊在基板上依序施以一連串的處理之 際,同時實現了各處理間的連續性乃至於流通量的提升與 相互干涉的防止之基板處理裝置。 〔課題欲解決之課題〕 爲了達成上述目的,本發明之基板處理裝置,係具備 有:水平流動之搬送線,將爲了把被處理基板使被處理面 朝上、以朝上仰的姿勢來搬送之搬送體,鋪設於水平之特 1307932
定的搬送方向,包含了 :於前述搬送方向具有實質的水平 搬送路徑之第1搬送區間、具有於前述第1搬送區間持續 上升傾斜的搬送路徑之第2搬送區間、具有於前述第2搬 送區間持續下降傾斜的搬送路徑之第3搬送區間、以及具 有於前述第3搬送區間連續實質的水平搬送路徑之第4搬 送區間;和在前述搬送線上爲了搬送前述基板以驅動前述 搬送體之搬送驅動部;和在前述第1或第2搬送區間內供 給第1處理液於前述基板上之第1處理液供給部;和在前 述第3搬送區間內供給第2處理液於前述基板上之第2處 理液供給部。 關於上述之裝置構成,於第2及第3搬送區間之中, 形成***比第1及第4搬送區間還高的***部。於基板上 進到該***部的上升傾斜路徑(第2搬送區間)之際,基 板上的第1處理液利用重力移動到下方、亦即後方,並從 基板後端流落下來。此時’在基板上,從基板的前端側朝 向到後端側,並以與搬送速度大約相等的移動速度來進行 第1處理液的除液。如此,乘越過***部的上升傾斜路徑 (第2搬送區間)之基板,以第1處理液於該上面殘留有 非常薄的液膜之狀態下,進入到下降傾斜路徑(第3搬送 區間)。在此,針對下降到該下降傾斜路徑之基板,利用 第2處理液供給部供給第2處理液,薄薄殘留在基板上的 各部之第1處理液受到重力與第1處理液的流動之壓力, 流下到前方並從基板前端清除出去。如此,在基板上,從 基板的前端側朝向到後端側,並以與搬送速度大約相等的 -8 - (5) 1307932 移動速度,把第1處理液置換成第2處理液。 由適合本發明之其中一樣態,於搬送方向’第2搬送 區間設定成比基板的尺寸還短的長度,更適當的話’把合 計第2搬送區間與第3搬送區間之區間設定成比基板的尺 寸還短的長度。在該場合,基板係,透過該可撓性,於基 '板全長的一部份,形成仿效***部之突條的基板***部, 且以相等於搬送速度的速度,將基板***部,從基板的前 φ 端至後端、於與搬送方向相反方向,一邊相對的移動一邊 通過搬送線的***部(第2及第3搬送區間)。 本發明之水平流動之搬送線係,較佳的是在各搬送區 間的境界地點,進行曲折成大角度的前進路徑變更,在該 附近描繪出適度的曲率半徑以進行前進路徑變更;又*** 部的頂點形成平的構成,亦即於第2搬送區間的終端部與 第3搬送區間的始端部之間,也可以形成實質的水平的搬 送路徑。
又’本發明之較佳的其中一樣態,設有在前述第2搬 送區間內’從搬送線上、離開到上方的基板的部位,抑制 在特定的高度位置之基板抑制部。該基板抑制部係較佳爲 ’具有抵接於基板的左右兩線部之一對可迴轉之滾輪。於 基板上進到第2搬送區間的上升傾斜路徑之際,基板的後 端部也從搬送線的搬送路徑離開到上方,一邊受到來自基 板抑制部的高度限制、一邊可以維持後傾姿勢至頂上附近 之故’可以從頭到尾都很妥當地進行基板上的除液直到最 後(基板後端)。 -9 - (6) 1307932 又,做爲較佳之其中一樣態,於比第1處理液供給部 還要下游側的第2搬送區間內的特定位置上’設有噴出除 液用氣體第1空氣刀(air nkife)。於基板上進到第2搬 送區間內的上升傾斜路徑之際,以將來自第1空氣刀的氣 體流碰到基板上的方式,可以促進或是援助基板上的第1 '處理液的除液。 1 又,於比第1處理液供給部還要下游側的第1或第2 φ 搬送區間內的特定位置上,設有爲了觸發從基板的後端讓 第1處理液流落之除液觸發部亦是較佳的。做爲適合的其 中一樣態,該除液觸發部,是以於搬送路徑上、配置做爲 搬送體之外徑爲一定的圓柱狀或圓桶狀的轉子,來加以構 成。或者是,做爲另一個適合的樣態,除液觸發部,把氣 體流碰觸於基板的後端部、於從上方與搬送方向相逆的方 向上之氣體噴嘴,來加以構成。 由本發明之適合的其中一樣態,第1處理液供給部, ® 具有在第1搬送區間內的特定位置上,向著基板吐出第1 處理液之處理液供給噴嘴;搬送驅動部,在第1及第2搬 送區間裏,將基板以一定的速度搬送。在該場合,在下游 側的第2及第3搬送區間,以與在第1搬送區間於基板上 供給第1處理液時大約相同的掃瞄速度,進行從基板的前 端向著第1處理液的除液乃至到第2處理液的置換。 由適合的其中一樣態,在第1及第2搬送區間,設有 :爲了承接收集落於搬送路徑之下的液體之第1集液部; 和’在第3及第4搬送區間,爲了承接收集落於搬送路徑 -10- (7) 1307932 之下的液體之第2集液部。於相關之構成,可以將來自第 1處理液供給部並供給於基板上的第1處理液的大部分, 分別回收於第〗集液部。於第2集液部,主要作爲回收第 2處理液。 由適合的其中一樣態,設有:於第2搬送區間與第3 搬送區間內的境界附近,爲了把沿著搬送線周圍的空間, '間隔成上游側與下游側之第1隔壁。於該第1隔壁,形成 Φ 爲了通過搬送線之開口。 又,由適合的其中一樣態,搬送線包含有:於第4搬 送區間、具有持續上升傾斜的搬送路徑之第5搬送區間, 和於第5搬送區間、具有連續實質的水平搬送路徑之第6 搬送區間。於相關之構成,從第4搬送區間到第6搬送區 間,形成上升段差部。該上升段差部或是第5搬送區間, 設定成比基板的尺寸還要短的長度是爲較佳。由此,基板 係,利用該可撓性,於基板全長的一部份,形成仿效該段 ® 差部之線狀的基板段差部,且以相等於搬送速度的速度, 將基板段差部,從基板的前端至後端、於與搬送方向相反 方向,一邊相對的移動一邊通過搬送線的上升段差部(第 5搬送區間)。在該上升段差部(第5搬送區間),殘留 在基板上的第2處理液,從基板前端側往後方利用重力移 動,並從基板後端流落下來。 由適合的其中一樣態,在第5或第6搬送區間內、爲 了援助從基板上的液體(第2處理液)的除液’設有於與 搬送方向相逆的方向上噴出氣體於基板上之第2空氣刀。 -11 - (8) 1307932 由適合的其中一樣態,設有:於第5搬送區間與第6 搬送區間內的境界附近,爲了把沿著搬送線周圍的空間, 間隔成上游側與下游側之第2隔壁。也於該第2隔壁’形 成爲了通過搬送線之開口。 由適合的其中一樣態,搬送線,包含有··在比第1搬 送區間還要上游側、在比第1搬送區間還要高的位置、具 有實質的水平搬送路徑之第7搬送區間,和在第7搬送區 鲁 間與第1搬送區間之間、具有往下降傾斜的搬送路徑之第 8搬送區間。於相關之構成,從第7搬送區間到第1搬送 區間,形成下降段差部。該下降段差部係可以發揮有,供 給於基板上的第1處理液沿著基板上,並防止及於上游側 附近之其他的單元或處理部之功能。該上升段差部、亦即 第8搬送區間,設定成比基板的尺寸還要短的長度。又, 設有:於第8搬送區間與第1搬送區間內的境界附近,爲 了把沿著搬送線周圍的空間,間隔成上游側與下游側之第 • 3隔壁。 而且’關於本發明在搬送線上擺放基板朝上仰的姿勢 係,不僅僅是水平姿勢或於搬送方向的傾斜姿勢,是包含 了以任意的方向(例如左右的橫方向)傾斜的姿勢。 〔發明的效果〕 由本發明的基板處理裝置,利用上述如此之構成及作 用’可以在水平流動之搬送線上,分別回收供給到被處理 基板的第1處理液’且置換成第2處理液的動作比較有效 -12- (9) 1307932 率平順地進行。又,可以分別回收經過特定的處理時間之 第1處理液’且置換成第2處理液的動作比較有效率且內 面均一地進行。更進一步,可以同時實現在平流的搬送線 上’一邊搬送被處理基板一邊在基板上依序施以一連串的 處理之際,同時實現了各處理間的連續性乃至於流通量的 提升與相互干涉的防止。
【實施方式】 於圖1,係顯示可以作爲適用本發明之基板處理裝置 的一個構成例子之塗佈顯像處理系統。於該塗佈顯像處理 系統1 〇係,設置於無塵室內,例如將LCD用的玻璃基板 作爲被處理基板,於 LCD製造過程進行光刻( photolithography)工程中的洗淨、阻材塗佈、預焙、顯像 、以及後焙等之各種處理。曝光處理係,以設置鄰接於該 系統外部的曝光裝置12來進行。 該塗佈顯像處理系統1〇係,配置橫跨於中心部的製 程工作站(P/S ) 16,於該較長方向(X方向)的兩端部 配置卡匣工作站(C/S) 14與介面工作站(I/F) 18。 卡匣工作站(C/S ) 1 4,係爲系統1 〇的卡匣搬出入埠 :具備有:將把基板G多段地累積起來之可以收容複數沒 的卡匣C,於水平的一個方向(Y方向)並列到4個之卡 匣臺20,以及對該臺20上的卡匣C進行基板G的出入之 搬送機構22。搬送機構22係’具有可以保持基板G的手 段之例如搬送臂2 2 a,可以以X、Y、Z、4軸來動作, -13- (10) 1307932 進行與鄰接的製程工作站(P/S ) 1 6側之基板G的交接。 製程工作站(P / S ) 1 6係,於延展在水平的系統的較 長方向(X方向)之一對平行且逆向的一對線路A、B, 依照處理流程或是工程的順序來配置各處理部。更詳細地 說,於從卡匣工作站(C/S ) 14側向著介面工作站(I/F )
1 8的上游部的處理線A,將洗淨處理部24、第1熱處理 .部2 6、塗佈處理部2 8、以及第2熱處理部3 0,配置爲橫 ^ 成一列。在此,洗淨處理部24係具備有,共有1個水平 流動搬送線之水平流動方式的準分子UV照射單元(e-UV )41、以及洗滌洗淨單元(SCR) 42。又,塗佈處理部28 係具備有,阻材塗佈單元(CT ) 82、減壓乾燥單元(VD
一方面,於從介面工作站(I/F ) 1 8側向著卡匣工作 站(C/S ) 14的下游部的處理線B,將第2熱處理部30、 顯像處理部32、脫色處理部34、以及第3熱處理部36, 配置爲橫成一列。在此,顯像處理部32與脫色處理部34 係爲水平流動型式,接續在共通的水平流動搬送線。 於兩處理線A、B之間,設有輔助搬送空間3 8,是可 以將基板G以1片爲單位載置成水平的搬運梭40,利用 未圖示之驅動機構,可以在線路方向(X方向)上進行雙 方向移動。 鄰接於洗淨處理部24的下游側之第1熱處理部26係 ,沿著處理線A,於中心部設有縱型的搬送機構4 6,於該 前後兩側多段地層積配置複數個單元。例如,如圖2所示 -14 - (11) 1307932
,於上游側的多段單元部(τ B ) 4 4,把基板交接用的通過 單元(PASSL) 50、脫水烘烤用加熱單元(DHP ) 52,54、 以及黏著單元(AD) 56,由下開始依序累積。在此’通 過單元(PASSL) 50係用以,由洗漉洗淨單元(SCR) 42 側將基板<3以水平流動的方式來接收。又,於下游側的多 段單元部(TB ) 48,把基板交接用的通過單元(PASSR) 60、冷卻單元(COL) 62, 64、以及黏著單元(AD) 66, 由下開始依序累積。在此,通過單元(PAS SR) 60係’把 至塗佈處理部2 8側的基板G以水平流動的方式來發送。 如圖2所示,縱型搬送機構46係具有,沿著延展在 垂直方向的導軌68可以升降移動的升降搬送體70、在該 升降搬送體70上於0方向可以迴轉或是迴旋的迴旋搬送 體72、在該迴旋搬送體72上一邊支持基板G —邊可以於 前後方向進退或是伸縮的搬送臂或是鉗74。升降驅動升降 搬送體70之驅動部76,設於垂直導軌68的基端側;迴旋 驅動迴旋搬送體72之驅動部78,安裝於升降搬送體70 ; 進退驅動搬送臂74之的驅動部80,安裝於迴轉搬送體72 。各驅動部76, 7 8,80係,例如以電動馬達等來構成爲佳 。關於構成的搬送機構46係,是可以進出於在高速升降 乃至迴旋運動之兩相鄰的多段單元部(TB) 44,48之中的 任意之單元,也可以與與輔助搬送空間38側的搬運梭40 交接基板G。 鄰接於塗佈處理部2 8的下游側之第2熱處理部3 0係 也,具有與上述第1熱處理部26同樣的構成,於兩處理 -15- (12) 1307932 線A,B之間設有縱型的搬送機構9 0,於處理線a側(最 後尾段)設有其中一方的多段單元部(TB ) 88,於處理線 B側設有另外一方的多段單元部(T B ) 9 2。又,配置於顯 像處理部3 2的下游側之第3熱處理部3 6係也,具有與上 述第1熱處理部26或第2熱處理部30同樣的構成,沿著 處理線B設有縱型的搬送機構1 00,與於該前後兩側之一 對多段單元部(TB ) 98,102。 介面工作站(I/F) 18係,具有進行鄰接的曝光裝置 12與基板G的交換之搬送裝置104,於該周圍配置有緩衝 臺(BUF) 106、擴充冷卻臺(EXT· COL) 108、以及周 邊裝置110。於緩衝臺(BUF) 106安置有定置型的緩衝匣 (未圖示)。擴充冷卻臺(EXT . COL ) 108係爲,具備 冷卻功能之基板交接用的臺,是使用於與製程工作站( P / S ) 1 6側交換基板G之際。。周邊裝置1 1 〇係,例如上
下累積標示機(TITLER)與周邊曝光裝置(EE)之是爲 較佳。搬送裝置1 〇 4係’具有可以保持基板G的手段之例 如搬送臂10“ ’進行與鄰接的曝光裝置12或各單元( BUF ) 106、(EXT· COL ) 108、(TITLER/EE) 110 與基 板G的交接。 於圖3,顯示對於該塗佈顯像處理系統之1片基板的 處理的順序。首先,於卡匣工作站(C/S ) 1 4 ’搬送機構 22從臺20上的特定的卡匣C之中取出基板G,搬入於製 程工作站(P/S )〗6的洗淨處理部24的搬送線(步驟S 1 -16- 1307932 (13) 在洗淨處理部24內的基板G係,在搬送線上 '於處 理線A方向以水平流動的方式來搬送,用以途中的準分子 UV照射單元(e-UV ) 41、以及洗滌洗淨單元(SCR ) 42 來依序施以紫外線洗淨處理、刻繪(scribing )洗淨處理 等(步驟S2, S3)。在洗滌洗淨單元(SCR) 42內完成洗 淨處理的基板G係,搬入到持續承載在該搬送線上第1熱 處理部26的上游側烘烤塔(TB ) 44內的通過單元( | PASSl) 50。 於第1熱處理部26,基板G係經由縱型搬送機構46 以序列方式回到特定的單元。例如,基板G係,於最初從 通過單元(PASSL) 50移到加熱單元(DHP) 52,54之其 中1個,在此接受脫水處理(步驟S4)。接著,基板G 係,移到冷卻單元(COL ) 62,64之其中1個’在此冷卻 到一定的基板溫度(步驟S4 )。然後,基板G係’移到 黏著單元(AD) 56,66之其中1個,在此接受疏水化處理 > (步驟S6 )。於該疏水化處理結束後,基板G係’以冷 卻單元(COL ) 62,64之其中1個,冷卻到一定的基板溫 度(步驟S 7 )。於最後,基板G係’移到屬於下游側多 段單元部(TB) 48之通過單元(PASSR) 60。 由此,在第1熱處理部26內’基板G係’介著搬送 機構4 6可以任意來去在上游側多段單元部(T B ) 4 4與下 游側多段單元部(T B ) 4 8之間。尙且’也在第2以及第3 熱處理部3 0, 3 6進行同樣的基板搬送動作。 在第1熱處理部26’受到了如上述之一連串的熱或熱 -17- (14) 1307932 系的處理之基板G係,從下游側多段單元部(TB ) 48內 的通過單元(PASSr ) 60移動到下游側相鄰的塗佈處理部 28的阻材塗佈單元(CT) 82。 基板G係,阻材塗佈單元(CT ) 82例如經由狹縫塗 佈(slit coat )法,於基板上面(被處理面)塗佈阻材液 ,馬上接著於以下游側相鄰的減壓乾燥單元(VD ) 84接 受減壓乾燥處理(步驟S8)。
在塗佈處理部2 8,接受如上述之阻材塗佈處理之基板 G係,交接於屬於位置於下游側相鄰之第2熱處理部3 0 的上游側多段單元部(TB) 88之通過單元(PASS)。 在第2熱處理部30內,基板G係經由縱型搬送機構 90以特定的序列方式回到特定的單元。例如,基板G係 ,於最初從該通過單元(PASS )移到加熱單元( PREBAKE)之其中1個’在此接受阻材塗佈後的烘烤(步 驟S9 )。接著,基板G係,移到冷卻單元(COL )之其中 1個’在此冷卻到一定的基板溫度(步驟S10 )。然後, 基板G係經由下游側多段單元部(τ B ) 9 2側的通過單元 (PASS )’或者是不經由就交接到介面工作站(I/F ) 18 側的擴充冷卻臺(EXT · C0L ) 108。 於介面工作站(I / F ) 1 8,基板G係,從擴充冷卻臺 (EXT · COL ) 1〇8搬入到周邊裝置lio的周邊曝光裝置 (E E ),在此接受了將附著於基板G的周邊部的阻材於 顯像時除去之曝光後’送到相鄰的曝光裝置12 (步驟S11 -18- (15) 1307932 在曝光裝置12 ’基板G上的阻材使特定的迴路圖案 曝光。在此,結束圖案曝光的基板G係’從曝光裝置12 回到介面工作站(1 /F ) 1 8後(步驟S 1 1 )’首先搬入到周 邊裝置110的標示機(TITLER),在此於基板上的特定部 位紀錄特定的資訊(步驟s 1 2 )。然後,基板G係回到擴 充冷卻臺(EXT· COL) 108。於介面工作站(I/F) 18的
基板G的搬送以及與曝光裝置1 2的基板G的交換係’利 用搬送裝置104來進行。 在製程工作站(P/S) 16’於第2熱處理部30’搬送 機構90接受來自擴充冷卻臺(EXT . COL) 108曝光結束 的基板G,介著處理線B側的多段單元部(TB ) 92內的 通過單元(PASS )交接到顯像處理部32。 在顯像處理部32,把從該多段單元部(TB) 92內的 通過單元(PASS)所接受的基板G,以水平流動的方式搬 入到顯像單元(DEV ) 94。於顯像單元(DEV ) 94,基板 G係,於向著處理線B的下游且搬送在水平流動之搬送線 上的期間來施以顯像、清洗、乾燥之一連串的顯像處理( 步驟S 1 3 )。 在顯像處理部3 2接受顯像處理的基板G係,持續承 載於水平流動之搬送線並搬入到脫色處理部3 4,在此接受 由i線照射單元(i · U V ) 9 6之脫色處理(步驟S 1 4 )。脫 色處理完畢的基板G係,交接到第3熱處理部3 6的上游 側多段單元部(TB) 98內的通過單元(PASS)。 於第3熱處理部3 6,基板G係,於最初從該通過單 "19- (16) 1307932 元(PASS)移到加熱單元(pobake)之其中1個’在此 接受後焙(步驟s 1 5 )。接著’基板G係’移到下游側多 段單元部(TB) 102內的通過冷卻單元(PASS· COL) ’ 在此冷卻到一定的基板溫度(步驟s 1 6 ) °第3熱處理部 36之基板G的搬送係,利用搬送機構1〇〇來進行。 在卡匣工作站(C/S) 14側’搬送機構22爲’接收了 結束在從第3熱處理部36的通過冷卻單元(PASS· COL )的塗佈顯像處理的全部工程之基板G ’將接受後的基板 G收容到任意一個(通常爲元)的卡匣C (步驟S1)。 於該塗佈顯像處理系統1 〇,於具有水平流動之搬送線 之顯像處理部32以及洗淨處理部24,是可以適用本發明 的。 〔實施型態1〕 以下,參閱圖4〜圖13,說明本發明適用於顯像處理 部3 2的顯像單元(D EV ) 9 4之一實施型態。 於圖4,有模式地顯示於該實施型態之顯像單元( DEV ) 94內的全體構成。該顯像單元(DEV ) 94係,如圖 示般地’設置沿著處理線B延展於水平方向(X方向)之 水平流動之搬送線1 2 0,沿著該搬送線1 2 0從上游側依序 設有顯像部1 22、清洗部1 24、以及乾燥部1 26。 搬送線1 2 0係,將基板G以被處理面向上朝上仰的姿 勢來搬送的轉子128,於搬送方向(X方向)以一定間隔 來鋪設’把第2熱處理部30(圖1)之多段單元部(TB) -20- (17) 1307932 92內的通過單元(PASS )做爲始點,穿過顯像單元( DEV) 94以及脫色處理部34,以第3熱處理部36 (圖1 )之多段單元部(TB ) 98內的通過單元(PASS )作爲終 端。搬送線1 2 0之各個轉子1 2 8係,例如於具有電動馬達 之搬送驅動部(未圖示),介著齒輪機構或是皮帶機構等 的傳動機構來連接。 該搬送線120係,於搬送方向(X方向)並不是從始 Φ 點到終點是持續以相同的高度位置,在途中特定的地方有 ***部120a,120b ’以及段差部120c,如圖4所示,對應 從搬送方向(X方向)之其中一側所看到的搬送路徑的形 狀可以區分成搬送區間M!,M2,M3, M4, M5, M6,M7, M8, M 9。 第1搬送區間Mi係,是爲從多段單元部(TB) 92的 通過單元(PASS )內的始點到設定於比顯像部122內 的出口還要少許的面前(上游側)的位置之第1區間變更 ® 點P 1 ’具有延伸於持續保持在始點P 〇的高度位置之水平 一直線之水平搬送路徑。第2搬送區間μ 2係,是爲從上 述第1區間變更點Ρ 1到設定於顯像部1 2 2與清洗部1 2 4 的境界附近的位置之第2區間變更點ρ2的區間,具有到 比始點Ρ0的商度位置還要尚於特定量(例如〜25mm) 之第1***部1 20a的頂上、以特定的傾斜角度(例如2〜 5 0 )上升之上升傾斜的搬送路徑。 第3搬送區間M3係’是爲從上述第2區間變更點p2 到設定於清洗部1 24的入口附近之第3區間變更點p3的 -21 - (18) 1307932 區間,具有從第1***部I 2 0 a的頂上、到比該位 低於特定量(例如1 0〜2 5mm )的底部位置,以特 斜角度(例如2〜5 〇 )下降之下降傾斜的搬送路徑 搬送區間M4係’爲從在清洗部1 24內的入口附近 第3區間變更點P3到設定於裡面深處的特定位置 區間變更點P 4之區間,具有以與上述第1底部位 高度延展成大約水平一直線之水平搬送路徑。 # 第5搬送區間M5係,是爲從在清洗部124內 區間變更點P4到設定於僅比這個位置還要下游側 之第5區間變更點P5的區間,具有一直到比第1 置還要高於特定量(例如10〜25mm)之第2***i 的頂上、以特定的傾斜角度(例如5〜5 0 )上升之 斜的搬送路徑。第6搬送區間M6係,是爲從在 1 24內的第5區間變更點P5到設定於僅比這個位置 游側的位置之第6區間變更點P6的區間,具有從上 ® ***部120b的頂上、一直到比該位置還要低於特 例如10〜25mm )之第2底部位置、以特定的傾斜 例如2〜50 )下降之下降傾斜的搬送路徑。 第7搬送區間Μ 7係,爲從在清洗部1 2 4內從 6區間變更點Ρ 6、到設定於僅比特定的距離還要下 位置即比出口還要少許前面(上游側)的位置之第 變更點Ρ7之區間,具有以與上述第2底部位置同 延展成大約水平一直線之水平搬送路徑。第8搬 Μ 8係,是爲從上述第7區間變更點Ρ 7、到設定於 置還要 定的傾 。第4 之上述 之第4 置同樣 的第4 的位置 底部位 ^ 12 0b 上升傾 清洗部 還要下 .述第2 定量( 角度( 上述第 游側的 7區間 樣高度 送區間 清洗部 -22- (19) 1307932 1 24與乾燥部1 26的境界附·近的位置之第8區間變更 的區間,具有~直到比上述第2底部位置還要高於特 (例如10〜25mm)之段差部120c的上段位置、以特 傾斜角度(例如2〜50 )上升之上升傾斜的搬送路徑, 第9搬送區間M9係,是爲從上述第8區間變更丨 、一直到通過乾燥部126以及脫色處理部34 (圖1 ) 段單元部(TB) 98(圖1)的通過單元(PASS)內的 # 之區間’具有將上述段差部1 20c的上段位置的高度 保持爲一定並延展成水平一直線之水平搬送路徑。 尙且,搬送線1 20係,在各區間變更點p進行折 大角度之前進路徑變更的話,在該拊近描繪出適度的 半徑來進行前進路徑變更是爲較佳,又***部12〇a, 爲形成具有平的(水平)頂上之臺形的形狀亦是較佳 於顯像部1 22 ’於第1搬送區間Μ,內的特定位 向著把搬送線120上以轉子搬送移動之水平姿勢的基 ® ’從上方吐出基準濃度的顯像液之顯像液供給噴嘴( ’簡稱爲顯像噴嘴)130爲沿著搬送方向配置1個或 數個。各顯像噴嘴130係,例如是由狹縫狀的吐出口 配置成一列之多數個細微口徑吐出口之長尺型的噴嘴 成’介著未圖示之顯像液供給源來供給顯像液。 於顯像部1 2 2內’也設有承接收集落下到搬送線 下方的顯像液之盤皿132。該盤皿132的排液□係介 液管1 3 4通到顯像液再利用機構1 3 6。顯像液再利用 1 3 6係,由顯像液噴嘴1 3 0於基板G上盛著顯像液之 點P 8 疋里 定的 沾P8 並多 終點 持續 ’曲成 曲率 120b 〇 置, 板G 以下 是複 或是 所形 120 著排 機構 際, -23- (20) 1307932 將零星落下的顯像液介著盤皿1 3 2以及排液管1 3 4來加以 回收,於回收後的顯像液加入原液或溶媒,將調整到基準 濃度後的回收顯像液送到上述顯像液供給源。
於清洗部1 24,於入口附近的第3搬送區間M3內的 特定位置,向著通過搬送線120的上述第1***部120a 的下降斜面之基板G,從上方吐出液置換(顯像停止)用 的清洗液之第1清洗液供給噴嘴(以下,簡稱爲清洗噴嘴 。)138爲沿著搬送方向配置1個或是複數個。又,於中 心部的第5搬送區間Μ 5內的特定位置,向著通過搬送線 120的上述第2***部120b的上升斜面之基板G,從上方 吐出洗淨用的清洗液之第2清洗噴嘴140爲沿著搬送方向 配置1個或是複數個。又,於該下游側相鄰的第6搬送區 間Me內的特定位置,向著通過搬送線! 20的上述第2隆 起部1 2 0 b的下降斜面之基板G,從上方吐出洗淨用的清 洗液之第3清洗噴嘴142爲沿著搬送方向配置1個或是複 數個。而且’於清洗部124的出口附近之第8搬送區間 Μ8內的特定位置’向著上升到搬送線】2 〇的上升段差部 120 c之基板G,從上方吐出最後洗淨用的清洗液之第4清 洗噴嘴145爲沿著搬送方向配置〗個或是複數個。各清洗 噴嘴13 8,M〇,ίο, MS係’例如是由具有與上述顯像液 噴嘴130同樣的構成之長尺型噴嘴所構成,從未圖示的清 洗液供給源介著配管來供給清洗液。 於清洗部124內,設有承接收集落下到搬送線12〇下 方的清洗液之盤皿1 44。該盤皿1 44的排液口係介著排液 -24- (21) (21)
1307932 管146通到清洗液回收部136。省 120的下方,可以對基板G的下面 液之下部清洗噴嘴。 於乾燥部126,於第9搬送區 定位置,向著上升到搬送線1 20的 的基板G,並接觸到從上方與搬送 乾燥用的高壓氣體流(通常爲氣體 • 嘴或是空氣刀1 48爲沿著搬送方向配 。也可以設置從搬送線1 20的下方, 抵接著除液甚至是乾燥用的高壓氣I 圖示)。又,在乾燥部126內,設3 線1 2 0下方的液體之盤皿(未圖示) 於下游側相鄰的脫色處理部3 4, 以轉子搬送移動之基板G,並從上2 線(波長3 65nm )之i線照射單元( 顯像單元(DEV ) 94係,於一整 有顯像部1 22、清洗部1 24、以及乾| 理部間的境界處,設有把沿著搬送線 隔成上游側與下游側之延展在垂直方 更詳細的是,於顯像部122與清洗窗 搬送區間M2與第3搬送區間M3货 152;清洗部124與乾燥部126之境 M8與第9搬送區間的境界附近證 壁1 5 2 , 1 5 4,通過搬送線1 2 0個別形 ,圖示的是,從搬送線 :有噴出洗淨用的清洗 3 M9的始端附近的特 二述段差部120c當頭 '向相逆向除液甚至是 ,)之長尺型的氣體噴 製程1個或是複數個 向著基板G的下面並 丨流之下部空氣刀(未 ί承接收集落下到搬送 亦是較佳。 向著把搬送線1 2 0上 ΐ照射脫色處理用的i i-UV ) 96。 :體的外殼150內收容 桑部126,於相異的處 1 2 0之周圍的空間分 向之隔壁152, 154。 ;124之境界亦即第2 ]境界附近,設有隔壁 界亦即第8搬送區間 έ有隔壁1 5 4。於各隔 成開口 1 5 6,】5 8。 -25- (22) 1307932 於該顯像單元(DEV) 94,各處理部〗22,124,〗26內 的空間係,介著隔壁152,B4的開口 156,158相互地連 通。在顯像部1 22以及乾燥部1 26,利用引入室外的空氣 之風扇160,162’與把由這些風扇160, ι62之空氣流予以 除塵之空氣過濾器1 6夂1 66 ’從天井以下流的方式供給清 靜的空氣到室內。在這之中’從顯像部122的天井所供給 的清靜空氣係’混入了於顯像處理時所發生的顯像液的霧 ’通過上述隔壁1 5 2的開口 1 5 6,流入到清洗部1 2 4的室 內。一方面’從乾燥部126的天井所供給的清靜空氣係, 混入了在乾燥(除液)處理時所發生的清洗液的霧,通過 上述隔壁154的開口 158,流入到清洗部124的室內。於 清洗部1 24的底部’設有通過具有例如排氣泵或是排氣風 扇之排氣機構168之排氣口 170。如上述所述,從顯像部 122流入的霧所混雜的空氣、與從乾燥部126流入的霧所 混雜的空氣係,也將發生在清洗部124內的霧混入,由左 右合流,並從排氣口 1 7 0排出。 在此,說明該顯像單元(DEV) 94之全體的動作。如 上所述,於第2熱處理部30(圖1),曝光後的基板G係 藉著搬送機構90搬入到多段單元部(TB ) 92的通過單元 (PASS )。如圖4所示,於該通過單元(PASS )內,設 有從搬送機構90 (圖1 )接收基板G之提升銷(lift pin ) 升降機構172。經由該提升銷升降機構172,在搬送線120 上的基板G做水平的移載,利用搬送驅動部的驅動以一定 速度的滾子搬送之基板G係,往相鄰的顯像單元(DEV ) -26- (23) (23)
1307932 94搬送過去。 在顯像單元(DEV ) 94,於最初的顯像部1 22 G於搬送線1 2 0之第1搬送區間μ ,內以水平姿勢 期間,由定置的顯像噴嘴1 3 0供給顯像液,於基板 基板前端朝向基板後端以與搬送速度相等的掃瞄速 著顯像液。從基板G溢出的顯像液承接收集到盤皿 如上述般地盛著顯像液的基板G係,馬上在第 區間Μ2上升在第1***部120a的上升傾斜路徑上 基板G上的顯像液朝向下方亦即後方因重力而移動 板後端流落下去。從流落的顯像液承接收集到盤皿 此時,在基板G上,從基板的前端側朝向到後端側 與搬送速度大約相等的移動速度來進行第1處理液 。如此,乘越第1過***部120a之基板,以於該 留有非常薄的液膜之狀態下,來到清洗部1 24側的 斜路徑(第3搬送區間M3)。 於清洗部1 24,基板G在第3搬送區間M3的 斜路徑下降時,經由上方的清洗噴嘴1 3 8供給清洗 板G上,薄薄殘留在基板G上的各部之顯像液受 與清洗液的流動之壓力,流下到前方並從基板前端 去。流到基板G的前方的顯像液以及清洗液承接收 皿1 44。如此,在基板G上,從基板的前端側朝向 側,並以與搬送速度大約相等的移動速度’把顯像 成清洗液,停止顯像。 如上所述結束顯像處理的基板G係’通過水平 ,基板 移動的 G上從 度來盛 132 ° 2搬送 ,在此 並從基 132 ° ,並以 的除液 上面殘 下降傾 下降傾 液於基 到重力 清除出 集到盤 到後端 液置換 的第4 -27- 1307932 (24) 搬送區間M4,並順著第2***部1 20b的上升傾斜路徑上 升到下一個之第5搬送區間Μ 5。此時’殘留在基板G上 之置換用的清洗液從基板前端側朝向後方利用重力移動並 從基板後端流落下去。更進一步’由上方的清洗噴嘴 供給一次洗淨用的清洗液於基板G上,一邊清除出去舊的 清洗液一邊也把新的清洗液從基板後端流落出去。流到基 板的後方的清洗液承接收集到盤皿1 44。如此’乘越第2 φ 過***部120b的頂點之基板G,以於該上面殘留有薄薄 的一次洗淨用的清洗液之液膜之狀態下,來到第2***部 120b的下降傾斜路徑(第6搬送區間M6 )。 接下來,於基板G順著第2***部120b的下降傾斜 路徑(M6)下降之際,由上方的清洗噴嘴142供給二次洗 淨用之新的清洗液於基板G上,將殘留在基板G上薄薄 的一次洗淨液一邊於前方清除出去一邊也將新的清洗液從 基板前端流落出去。流到基板G的前方的清洗液承接收集 ® 到盤皿1 4 4。 如上所述結束清洗處理的基板G係,通過水平的第7 搬送區間M7,並第8搬送區間M8順著上升段差部120c 的傾斜路徑上升。此時,殘留在基板G上之完工用的清洗 液從基板前端側朝向後方利用重力移動並從基板後端流落 下去。更進一步,由上方的清洗噴嘴145供給最後洗淨用 的清洗液於基板G上,一邊清除出去舊的清洗液一邊也把 新的清洗液從基板後端流落出去。流到基板G的後方的清 洗液承接收集到盤皿1 44。接著,基板G順著段差部1 20c -28 - (25) 1307932 上升’乾燥部1 2 6側亦即第9搬送區間μ 9內的上升搬送 路徑,經由空氣刀〗48對基板G朝著與搬送方向相逆的方 向使高壓氣體流接觸,殘留在基板G上的清洗液靠向基板 後方並從基板後端清除出去(進行除液)。飛出於基板G 的後方的清洗液承接收集到盤皿1 4 4。
如此’在顯像單元(D Ε V ) 3 2內,結束掉一連串的顯 像處理工程的基板G係,經由保持這樣一直順著搬送線 φ 120上移動’並在下游側相鄰的脫色處理部34接受脫色處 理’送往多段單元部(ΤΒ) 98(圖1)之通過單元(PASS 如上所述,於該實施型態的顯像單元(DEV ) 3 2,縱 斷單元的搬送線120上的基板G,以一定速度的滾子搬送 來移動’於該水平流動的移動中,在顯像部122、清洗部 1 24、以及乾燥部1 2 6,依序施以各個顯像處理、清洗處理 、乾燥處理。
特別是,在顯像部122,在水平搬送路徑(Ml)上的 特定位置,於水平姿勢的基板G上盛著顯像液,於位置在 從這邊到搬送線1 20的下游側僅離開特定的距離的場所之 第1***部1 20a的傾斜路徑上,進行利用重力之顯像液 的除液乃至顯像停止。特別是,於基板G順著第1***部 12 0a的上升傾斜路徑(M2 )上升之際,基板G上的顯像 液的大部分都落到後方之故,是沒有必要特地將基板停止 抬起並從水平姿勢變換姿勢成傾斜變換。然而,基板G越 過上升傾斜路徑(M2 )後,基板G的上面(被處理面) -29 - (26) 1307932 在還沒乾的時候就馬上在下降傾斜路徑(M3 )供給液置換 用的清洗液之故,可以防止因液置換前之不期望的乾燥所 引起的顯像不良(發生斑等)。又’在基板G上的各部’ 進行顯像液的去除乃至顯像停止之掃瞄的方向以及速度’ 相等於在基板G上的各部盛著顯像液時的掃猫方向與速度 之故,可以得顯像時間的內面均一性進而提升顯像均一性 。又,基板G通過***部120a之際所形成的基板***部 φ 或是傾斜部爲局部的瘤狀’基板全體觀之’基板上的顯像 液的流動是以低速從容流動。由此’基板上的液體難以引 起亂流或缺液。此點’關於將基板全體從水平姿勢急速地 變換姿勢成特定角度的傾斜姿勢之先前方式,在基板上急 速地流下的顯像液容易引起亂流或是缺液’成爲顯像色不 均的原因。 在清洗部124’於基板G通過搬送線120的第2*** 部1 20b之際,在該上升傾斜路徑(M5 )進行一次洗淨’ ® 在下降傾斜路徑(M6 )進行二次洗淨。在傾斜路徑(M5 、M6 ),基板G上的清洗液利用重力自然地往基板後方 或是基板前方流下之故’可以很有效率地進行基板的洗淨 。尙且,於通過上升傾斜路徑(Ms )之際’基板G上的 清洗液係,往後方靠過去並從基板後端落下之故’可以省 去在該上升傾斜路徑(M5 )供給洗淨水之清洗噴嘴1 40 ° 但是,將用於顯像停止之清洗液以必要的最小限度之洗淨 水快速地沖洗流動,在該上升傾斜路徑(M 5 )進行一次洗 淨是非常有效率的。因此,僅於下降傾斜路徑(Μ6 )側開 -30- (27) 1307932 始複數個並列清洗噴嘴1 42,配置將其中1個作爲於上升 傾斜路徑(M5 )側之一次洗淨用的清洗噴嘴1 4〇的方法, 在成本績效方面是較優秀的。 在該實施型態,在該稍微下游側,設於上升段差部 120c的上方之清洗噴嘴1C爲達到與上述清洗噴嘴M〇同 樣的作用效果之故,省掉第2***部1 20b之構成,亦即 也是可以置換成水平一直線的搬送路徑。於該場合,將上 # 述清洗噴嘴14〇, 142沿著水平搬送路徑配置也是較佳的, 或是省略也是可以的。 在乾燥部126,於基板G通過搬送線120的段差部 12 0c之際’在該上升傾斜路徑(M8 ),殘留於基板G上 的多數清洗液利用重力自然地往基板後方流下之故,可以 節省配置於上段的水平搬送路徑(M9 )側的空氣刀1 48的 數量或是乾燥用氣體的消耗量。尙且,也是可以將空氣刀 1 4 8設置於上升傾斜路徑(Μ 8 )的上方。
又’在顯像單元(DEV) 32的外殼150內,由設於顯 像部1 22之清靜空氣供給部(1 60,1 64 )所供給的清靜空 氣流,從顯像部1 22流到清洗部1 24,設於乾燥部1 26的 清靜空氣供給部(1 62,1 66 )所供給的清靜空氣,從乾燥 部126流到清洗部124。發生在顯像部122以及乾燥部 1 26內的霧係快速地收集到清洗部1 24,從清洗部1 24到 顯像部1 2 2以及乾燥部1 2 6的霧不會逆流。由此,在顯像 部1 22以及乾燥部1 26內,可以有效率地確實防止霧再附 著到基板G。尙且,在清洗部〗24內,也附著到基板G的 -31 - (28) (28)
1307932 霧迅速地與清洗液一塊地沖洗流出之故,不會有任 接著,隨著圖5〜圖1 3,說明該實施型態的顯 (DE V ) 3 2之各部的實施例以及作用。 如上所述’於盛著顯像液的基板G順著搬送線 ***部1 2 0 a的上升傾斜路徑Μ 2之際,基板G上的 重力朝基板後方靠過去。此時,作用著表面張力從 0 的後端之顯像液難以落下之故,給予使該表面張力 促進顯像液的圓滑乃至均一地流下之適當的外力或 是爲較佳。 圖5係’顯示從相關的觀點用於上升傾斜路徑 適合的轉子搬送路徑的構成。於該構成例,於搬送 的轉子128’使用對應搬送區間之2種轉子128Α, 詳細的說’構成水平搬送路徑Μ 1以及下降傾斜掷 Μ3之第1型的轉子128Α係,於比較細的軸172之 方’固著大口徑的滾輪部1 74,於滾輪部搭載基板 轉。用於上升傾斜路徑Μ 2之第2型之轉子1 2 8 Β存 與第1型的滾輪部174相同直徑的圓柱或是圓桶死 ’於該軸176本身搭載基板G並迴轉。尙且,於第 轉子128Β,裝著有多數個於軸方向適當的間隔詔 製的止滑圈177是爲較佳。 如圖7所示,於第2型的轉子128Β爲壓著基 後端並送出之際,經由接觸在基板G的後端緣部· 子]28Β的軸176,從基板G的後端緣部之均一庄 何妨害 像單元 120的 液體因 基板G 崩壞並 是作用 Μ2並 線 12 0 1 28Β。 送路徑 數個地 G並迴 ,具有 〔軸 176 2型的 置橡膠 板G的 體之轉 顯像液 -32- (29) 1307932 R捲繞於軸176而零星掉落。 於圖5,各轉子128 (128A, 128B)係,將 軸承1 7 8支撐成可以迴轉,於安裝於比一端部 178還要外側的端之齒輪滑輪180,捲掛上皮帶 的正時皮帶。該正時皮帶182係,連接於由電動 之搬送驅動部(未圖示)之迴轉驅動軸。尙且 128的齒輪滑輪180以及正時皮帶182係,配 1 5 0 外。 如圖6所示,於相鄰接的轉子1 2 8 , 1 2 8之間 輪1 84。各惰輪1 84係,在將正時皮帶1 8 2捲掛 滑輪1 8 0之ON位置(以實線標示之位置)、以 皮帶182從各齒輪滑輪180離開之OFF位置(以 之位置)之間進行切換。 於圖8,顯示在搬送線1 2 0的上升傾斜路徑 從基板G的後端顯像液的零星掉落之其他方法。 ,於上升傾斜路徑的適當的位置例如麓的位 ’配置氣體噴嘴或是空氣刀186,朝向基板G的 由該氣體噴嘴186噴出一時或是瞬間的高壓氣體 高壓空氣),利用該高壓氣體的壓力,從基板G 顯像液R落到後方去。 圖9所示之構成係,適合用於將搬送線1 2〇 斜路徑M2形成陡坡之場合之故,如圖所示,於 子1 2 8,1 2 8之間’架設帶狀無端皮帶I 8 8。基板 上升傾斜路徑Μ 2的入口一直到從水平移動變換 兩端部之 側的軸承 傳動機構 馬達所成 ,各轉子 置於外殻 ,配置惰 到各齒輪 及將正時 鏈線標示 Μ2,輔助 該方法係 置的上方 後端部, (通常爲 的後端將 的上升傾 相鄰的轉 G爲,於 成向上移 -33- (30) 1307932 動之際,基板G的前端爲搭載於皮帶1 8 8並平順地乘移到 上段側的轉子1 2 2。 如圖1 0所示之構成,在搬送線1 20的上升傾斜路徑 M2之除液,可以確實於基板G的後端部所殘留顯像液的 積留液之故,上升傾斜路徑M2的上方,最好是在比頂上 部還要稍微不到之上游側的位置,在特定的高度位置配置 抵接於基板G的左右兩線部之一對滾輪190。 φ 基板G爲通過上升傾斜路徑M2之際,基板G上的液 體利用重力朝基板後方靠過去並從基板後端流落下去,從 基板BLI端基板G的大部分移到下降傾斜路徑M3側,基板 G的後端部從上升傾斜路徑M2朝上方離去。此時,基板 G的後端部以點鏈線G ’所示般地大幅地往上跳,於基板G 的後端部之顯像液的積留液恐怕會殘留。但是,經由此構 成例,基板G的後端部從上升傾斜路徑M2也離開到上方 ,由滾輪1 90 —邊受到高度限制一直到頂上附近可以維持 ® 後傾姿勢之故,可以遂行最後基板G上的除液一直到最後 。尙且,於把基板G送到前方之方向,迴轉驅動滾輪1 9 0 之構成也是可以的。 圖1 1係,顯示於搬送線1 2 0的上升傾斜路徑M2的上 方,配置除液促進用的空氣刀1 9 2之構成。於基板G順著 上升傾斜路徑M2上升之際,經由空氣刀1 9 2從上方對空 氣端吹下’在基板G上可以促進顯像液朝後方流下。該構 成係,上升傾斜路徑M2的傾斜角度或高度差爲較小時可 以適合的適用。 -34- (31) 1307932 尙且,上述之各部的實施例(圖5〜圖11)係,不限 定爲對搬送線120的第1***部I20a的適用,第2*** 部l2〇b或段差部120c也可以適用。 於圖12’模式的顯不在搬送線120上,基板G爲通 過第1***部12 0 a時的液處理的作用。如圖示般,基板 G ’係利用該可撓性’於基板全長的一部份,形成仿效隆 起部1 20a之突條的基板***部Ga,且以搬送速度相等的 ^ 速度’將基板***部Ga ’從基板的前端至後端、於與搬 送方向相反方向,一邊相對的移動一邊通過***部120a。 。搬送方向之第1***部1 20a的區間長,亦即合計搬送 區間M2,M3的長度例如爲數十cm左右,比基板G的全長 (例如100〜25 0cm )還要短。 在往上傾斜路徑M2上,在基板G上顯像液R利用重 力往基板後方流動,從基板G的前端向著後端以大約相等 的搬送速度,把顯像液R的液膜從盛液的狀態變化成薄膜 ® R’的狀態。在成爲薄膜R’的狀態的時間點,顯像係來到終 盤(例如9 5 %以上)。 當基板G越過***部1 20a的頂點移動到往下傾斜路 徑M3時,經由從上方的清洗噴嘴1 3 8以帶狀的吐出流供 給清洗液S,在著液基板G上的清洗液S的線的附近,薄 膜狀態的顯像液R係置換成清洗液S使顯像完全停止。置 換過的顯像液R’係,往前方流下並從基板前端落下。此時 ,流動置換成清洗液的顯像液R’的範圍係已經(先行一步 )停止顯像之故,於顯像的進行不會受到任何的影響。又 -35- (32) 1307932 ,如圖1 2所示,於挾著***部1 20a之基板前後端的範圍 、在流動著顯像液R之一方,於基板前端側的範圍流動著 清洗液S之故,基板G的全體爲因爲液體的重量得以持續 保持安定的姿勢來通過搬送線120的***部12〇a。又,於 基板G通過***部120a之際,在該頂上部的前後,亦即 基板前端側與基板後端側,可以供給不同的液體(顯像液 與清洗液)而不會混雜,可以防止顯像的色不均。順便一 • 提,在基板G上混雜到顯像液與清洗液,在基板G上的 各部液體濃度不同很容易引起顯像液的色不均。更進一步 ,不用停止基板G的搬送,在較短的距離或是空間內更加 有效率,且可以將基板上之相異的液體分別回收到.盤皿 132, 144° 也在搬送線120的第2***部120b,就僅僅是液體爲 相異,也發揮了與上述第1***部〗2〇a之同樣的作用。 極端的說,如上所述,省掉第2***部1 2 0 b,將該區間構
成水平一直線的搬送路徑也是可以的。 於圖1 3,模式的顯示基板G通過搬送線1 2 0的段差 部1 20c (搬送區間M8 )時的除液的作用。如圖所示,基 板G係,利用該可撓性,於基板全長的一部份,形成仿效 該段差部1 20c之線狀的基板段差部Gc,且以相等於搬送 速度的速度,將基板段差部Gc,從基板的前端至後端、 於與搬送方向相反方向,一邊相對的移動一邊通過搬送線 1 2 0的上升段差部1 2 0 c ( Μ 8 )。 在該上升段差部120c(Ms)上,在基板G上使用完 -36- (33) 1307932 畢的清洗液S及以由清洗噴嘴1 45供給於基板G上新的清 洗液S爲,利用重力往基板後方流動,從基板G的前端向 著後端以大約相等的搬送速度,把清洗液S的液膜從大約 盛液的狀態變化成薄膜S ’的狀態。基板G爲越過段差部 120c (M8)進入到上段的水平搬送路徑M9,由上方的空 氣刀1 4 8以刀狀的吐出流將高壓氣體流以與搬送方向相反 的方向噴出,基板G上殘留薄膜狀態的清洗液S ’係徹底 φ 往基板後方側靠過去並從基板除去。 〔實施型態2〕 接著,參閱圖1 4〜圖1 7 ’說明本發明適用於洗淨處 理部24之一實施型態。 於圖1 4,係顯示由本發明之一實施型態的洗淨處理部 2 4內的構成。該洗淨處理部2 4係,如圖示般地,設置沿 著處理線A延展於水平方向·( X方向)之水平流動之搬送 ® 線200 ’沿著該搬送線200配置有準分子照射單元(e_uv )41、與洗滌洗淨單元(SCR) 42。接著,於洗滌洗淨單 元(SCR ) 42內,從上游側依序設有搬入部202、刻繪洗 淨部2 0 4、吹除洗淨部2 0 6、清洗部2 0 8、乾燥部2 1 0、以 及搬出部2 1 2。 搬送線2 0 0係,將基板G以被處理面向上朝上仰的姿 勢來搬送的轉子214,於搬送方向(X方向)以一定間隔 來鋪設’於洗淨處理部24的入口具有始點,穿過準分子 照射單兀(e-UV) 41以及洗條洗淨單元(SCR) 42,在第 -37- (34) 1307932 1熱處理部2ό(圖1)之多段單元部(ΤΒ) 44內的通過單 元(PASSL) 50(圖2)作爲終端。搬送線200之各個轉 子2 1 4係,例如於具有電動馬達之搬送驅動部(未圖示) ’介著齒輪機構或是皮帶機構等的傳動機構來連接。 該搬送線200也’於搬送方向(X方向)從始點到終 點並不是持續以同樣的高度位置,在途中於特定的地方具 有***部200a, 20 0b、上升段差部2〇〇c、以及下降段差部 Φ 200d。更詳細的是’於搬入部202內設有第1***部200a ,於吹除洗淨部2〇6內設有第2***部200b,於清洗部 208內設有上升段差部200c,於乾燥部210與搬出部212 的境界附近設有下降段差部200d,這些起伏部以外的搬送 區間係形成水平一直線的搬送路徑。 準分子UV照射單元(e-UV) 41係,於搬送線200的 上方收容紫外線燈2 1 6之燈室2 1 8。紫外線燈2 1 6係,例 如用介電壁障放電燈,將適合有機污染的洗淨之波長 ® 172nm的紫外線(紫外準分子光),於下面的搬送線200 上的基板G,透過石英玻璃窗220來照射。於紫外線燈 2 1 6的背後或上面,設有橫斷面圓弧狀的凹面反射鏡222 〇 於洗滌洗淨單元(SCR ) 42,於搬入部202的天井, 安裝將清靜的空氣以下流方式來供給之風扇過濾單元( FFU ) 2 24。於第1***部200a的上方,特別是噴嘴、空 氣刀等的工具是沒有設的。 於刻繪洗淨部204內,沿著搬送路徑線路2 00,從上 -38- (35) 1307932 游側依序配置空氣幕噴嘴2 2 6、藥液供給噴嘴2 2 8、輥刷 23 0、以及洗淨噴霧管23 2。空氣幕噴嘴226係配置成,對 通過正下方的基板G的上面,將狹縫狀的空氣流向著搬送 方向的下游側噴出。於空氣幕噴嘴226的正下方,配置具 有跨過全長且圓桶狀的軸之第2型的轉子2 1 4 B。藥液供 給噴嘴2〗8、輥刷23 0、以及洗淨噴霧管23 2係,可以挾 著搬送線200設在該上下兩側。 # 於吹除洗淨部206內,於第2***部200b的上升傾 斜路徑的上方,設有做爲吹除洗淨用噴嘴之例如2流體噴 射噴嘴234。於清洗部208內,於上升段差部200c的上方 ,設有清洗噴嘴23 6。於乾燥部210內,於水平搬送路徑 的上方,設有空氣刀23 8。尙且,可以把清洗噴嘴236以 及空氣刀238挾著搬送線200的方式設在該上下兩側。又 ,也於吹除洗淨部206,從搬送線206的下方,可以對基 板G的下面(背面)設有噴出洗淨用的清洗液之下部清洗 ® 噴嘴(未圖示)。也於搬出部2 12的天井,安裝將清靜的 空氣以下流方式來供給之風扇過濾單元(FFU ) 240。於下 降段差部200 a的上方,特別是噴嘴、空氣刀等的工具是 沒有設的。 相鄰接之單元或處理部4 1, 202, 204,2 06, 208, 2 1 0, 212之間各自設有隔壁242, 244, 246,248,250,252。又 ’於汲取液體的處理部204,206, 208, 2 1 0內,各自設有 承接收集落下到搬送線200下方的液體之盤皿254, 256, 2 5 8,2 6 0。於各盤皿的底部之排液口,連接回收系統或排 -39- (36) 1307932 液系統的配管。又,在位置於洗滌洗淨單元(SCR ) 42的 中心部之吹除洗淨部206內的底部,設有通過具有例如排 氣栗或是排氣風扇之排氣機構(未圖示)之排氣口 262。 在此,說明該洗淨處理部2 4之全體的動作及作用。 經由如上述之卡匣工作站(C/S ) 1 4側的搬送機構22 ,爲處理的基板G搬入於搬送線200上,由轉子搬送以水 平流動向著處理線A的下游側搬送過去。 在準分子UV照射單元(e-UV ) 41,由燈室218內的 紫外線燈2 1 6所發出的紫外線透過石英玻璃窗220並照射 於搬送線200上的基板G。經由該紫外線,激發基板表面 附近的氧並生成臭氧,藉著該臭氧氧化•氣化基板表面的 有機物並去除。 如此,在準分子UV照射單元(e-UV) 41接受紫外線 洗淨處理之基板G係,進入到相鄰下游側的洗滌洗淨單元 (SCR) 42,通過搬入部2 02內的第1***部200a,並送 到刻繪洗淨部2 04。 於刻繪洗淨部204,基板G係於最初由藥液噴嘴228 噴出例如氧或是鹼系的藥液。殘留於基板G上的藥液係, 接受來自空氣幕噴嘴226的空氣流,將基板G流動於上游 側並進入到搬入部202是不用的。又,圓桶轉子2 1 4B係 ,經由將基板G的背面側一邊堵塞一邊搬送,作用出滲到 基板G的背面並不會使液體跑到搬入部202側這樣的功能 。供給藥液之基板G係,於正後方使輥刷2 3 0的下面一邊 擦過一邊穿過。輥刷2 3 0係,利用未圖示的刷驅動部的迴 -40- (37) 1307932 轉驅動力並以與搬送方向對抗之方向來迴轉,是以擦取基 板表面的異物(塵埃、破片、污染物等)。於該正後方, 洗淨噴霧管2 3 2於基板G噴出洗淨液例如純水,洗掉於基 板上浮游的異物。在刻繪洗淨部2 0 4內,落到基板G乃至 搬送線200的下方之液體係承接收集於盤皿254。 之後,基板G係進入到吹除洗淨部206,來到於第2 ***部200b,順著該上升傾斜路徑之際,經由2流體噴射 # 噴嘴234接受吹除洗淨。2流體噴射噴嘴234係,在順著 第2***部200b的上升傾斜路徑之基板G上,以使液體 的膜厚變得很薄爲目標,噴射加壓過的洗淨(例如水)與 加壓過的氣體(例如氮氣)之混合流體,附著於基板G的 表面或殘留的異物以加壓2流體之非常強的衝擊力來除去 。基板G上的液體的大部分係,在***部2 0 Ob的上升傾 斜路徑側往下方(上游側)吹飛,承接收集到盤皿2 5 6。 在基板G上,把持並進入於***部200b的下降傾斜路徑 ® 側亦即清洗部208之液體幾乎沒有。 在清洗部208,向著順著上升段差部200c上升之基板 G ’清洗噴嘴23 6供給最後洗淨用清洗液。於基板G上所 供給的清洗液係朝向到基板後端側流動在基板上,該多數 是落到清洗部2 0 8內的盤皿2 5 8。於如此順著上升段差部 2〇〇c上升之傾斜姿勢的基板G,噴出清洗液並進行清洗處 理的方式係,與對水平姿勢的基板將清洗液噴出的以往方 式來比較,基板上的液體的流動或置換效率較好,可以大 幅地減低。 -41 - (38) 1307932 基板G順著上升段差部200c上升並進入到水平搬送 路徑的區間,空氣刀23 8等候著,對基板G把高壓氣體流 以搬送方向相逆的方向碰上。藉著這樣,基板G上的殘留 '凊洗液靠到基板後方並從基板後方清除出去(進行除液)
從搬入部202天井的風扇過濾單元(FFU) 224供給 到下流的清靜空氣係,通過上述隔壁244,246的開口(基 板通路)並流入到吹除洗淨部2 0 6的室內,於此之際,發 生在刻繪洗淨部204內的藥液的霧也運到吹除洗淨部206 內。從搬入部212天井的風扇過濾單元(FFU ) 240供給 到下流的清靜空氣係,通過上述隔壁25 2,25 0的開口(基 板通路)並流入到吹除洗淨部206的室內,於此之際,發 生在刻繪洗淨部210內的藥液的霧也運到吹除洗淨部206 內。如上述所述,從搬入部202流入的霧所混雜的空氣、 與從搬出部2 1 2流入的霧所混雜的空氣係’也將發生在吹 除洗淨部206內的霧混入,由左右合流,並從排氣口 262 排出。因此,發生在吹除洗淨部2〇6內的霧爲沒有進入到 鄰室,特別是清洗部208。 如上所述,於洗滌洗淨單元(s c R ) 4 2 ’於水平流動 之搬送線200的途中’設有***部200b以及上升段差部 2 00c,且於這些的上方或該附近’經由配置吹除洗淨部噴 嘴或清洗噴嘴等的工具之構成’關於基板G上的液處理, 可以得到與關於上述的弟1貫施型態之顯像卓兀(D E V ) 32同樣的作用效果。 -42- (39) 1307932 更進一步,該洗滌洗淨單元(SCR) 42係,於該入口 或搬入部202內設有***部200a,於該出口或搬出部212 內設有下降段差部200d。 接著於圖15〜圖17,說明設於搬入部2 02內的*** 部2 00a的作用。尙且,省略掉空氣幕噴嘴226。 由洗滌洗淨單元(SCR) 42內的藥液供給噴嘴228滴 下於基板G上之藥液K係,經由***部200a的壁,圖15 • 以及圖16所示般地,阻止到上游側的擴散(特別是以點 鏈線270所示之在基板中央部的擴散)。 又,於系統的運作中發生突然的警報並停止搬送線 200,搬送線200上移動之各基板G係停止在液處理途中 之各位置。此時,跨過準分子UV照射單元(e-UV ) 41與 洗滌洗淨單元(SCR) 42並停止的基板G,如圖17所示 ,基板G上的藥液K果然藉著***部200a的壁阻止到準 分子UV照射單元(e-UV) 41的侵入(進行塞止)。 @ 於準分子U V照射單元(e - U V ) 4 1內,摻入藥液之外 其他的液體,成爲石英玻璃窗2 2 0或紫外線燈2 1 6等的劣 化或故障的原因。在此,以往,於準分子UV照射單元( e-U V ) 4 1與藥液供給噴嘴22 8之間,設有隔開基板1片 份的空間或緩衝範圍。藉由該實施型態,經由如上所述的 ***部200a的塞止功能,可以省掉如此大空間的緩衝範 圍,可以將配置於洗滌洗淨單元(SCR ) 42側的最上游處 之藥液供給噴嘴22 8盡可能的配置於準分子UV照射單元 (e-UV ) 41的附近。尙且,也可以將該***部200a以下 -43- (40) 1307932 降段差部來代用。 搬出部212內的下降段差部200d係,將搬送線200 的始點與終點合於同樣的高度位置。於如上所述之搬入部 202內’設有下降段差部之場合,於搬出部212內是不要 下降段差部200d。 以上’說明關於本發明之適合的實施型態,本發明係 不限定於上述的實施型態,在該技術思想的範圍內進行種 # 種的變形或是變更是可以的。例如,於上述顯像處理部3 2 的搬送線1 2 0或是洗淨處理部2 4的搬送線2 0 0,將如上所 述之***部或段差部設置於任意的順序以及任意的地方是 可以的。例如,也於上述顯像處理部3 2的搬送線1 2 0,於 顯像部1 22的入口附近,可以設有***部或下降段差部。 由此’由顯像噴嘴130供給於基板G上的顯像液並不及於 相鄰上游側之其他的單元’可以將搬送線丨20的始點的高 度位置合於終點的高度位置。又,把設於洗滌洗淨單元( ^ SCR ) 42之空氣幕噴嘴226以及圓桶轉子214B的構成或 是功能適用於洗滌洗淨單元(SCR) 94也是可以的。上述 實施型態的搬送線1 2 0 , 2 0 0之基板G的朝上仰的姿勢係 水平姿勢或則後方向(X方向)的傾斜姿勢,在左右方向 (Y方向)之其他的方向做傾斜姿勢也是可以的。 上述實施型態係’有關顯像處理裝置以及洗淨處理裝 置’本發明係可以適用於使用1種或是多種類的處理液, 對基板施以所期望的處理之任意的處理裝置。本發明之被 處理基板係’並不限定於LCD基板,平面顯示器用的各 -44- (41) 1307932 種基板、或半導體晶圓、C D基板、玻璃基板、光罩、印 刷基板等也是可以的。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]顯示本發明的可以適用的塗佈顯像處理系統的 構成之平面圖。 [圖2]顯示上述塗佈顯像處理系統之熱處理部的構成 之側面圖。 [圖3 ]顯示上述塗佈顯像處理系統之處理順序之流程 〇 [圖4]顯示關於實施型態之顯像單元內的全體構成之 正面圖。 [圖5]顯示實施型態之搬送線的構成之平面圖。 [圖6]顯示實施型態之搬送線的驅動部的構成之側面 圖。 [圖7]顯示於實施型態的搬送線,從基板上落下液體 時的其中一實施例的作用之圖。 [圖8 ]顯示於實施型態的搬送線,促進從基板上落下 液體時的其中一實施例之圖。 [圖9]顯示實施型態之可以適用於搬送線的上升傾斜 路徑的其中一實施例之立體圖。 [圖10]顯示實施型態之可以適用於搬送線的上升傾斜 路徑的其中一實施例之立體圖。 [圖1 1 ]顯示實施型態之可以適用於搬送線的上升傾斜 -45- (42) 1307932 路徑的其中一實施例之立體圖。 [圖12]顯示於實施型態,在搬送線的***部附近進行 的液處理的作用之圖。 [圖〗3 ]顯示於實施型態,在搬送線的上升段差部附近 進行的液處理乃至乾燥處理的作用之圖。 [圖1 4]顯示關於實施型態之洗淨處理部內的全體構成 之正面圖。 [圖15]顯示於圖14的實施型態’下降段差部的一作 用之部分側面圖。 [圖16]顯示於圖14的實施型態’下降段差部的一作 用之平面圖。 [圖17]顯示於圖14的實施型態’下降段差部的一作 用之部分側面圖。 【主要元件符號說明】
10:塗佈顯像處理系統 24 :洗淨處理部 3 2 :顯像處理部 41 :紫外線照射單元(e-UV) 42 :洗滌洗淨單元(SCR ) 94 :顯像單元(DEV ) 1 2 0 :搬送線 120a, 120b:***部 120c :段差部 -46 - (43) (43)1307932 122 :顯像部 1 2 4 :清洗部 1 2 6 :乾燥部 1 2 8 :轉子 1 3 0 :顯像液供給噴嘴(顯像噴嘴) 1 3 6 :顯像液再利用機構 1 3 8, 1 4 0,142 :清洗液供給噴嘴(清洗噴嘴) 1 4 5 :清洗液供給噴嘴(清洗噴嘴) 1 48 :空氣刀 1 5 2 , 1 5 4 :隔壁 1 82 :正時皮帶 1 8 6 :氣體噴嘴 1 8 8 :帶狀無端皮帶 1 9 0 :滾輪 192 :空氣刀 2 0 0 :搬送線 120a, 200b :***部 2 00c :上升段差部 2 0 0d :下降段差部 224:風扇過濾單元(FFU) 2 2 6 :空氣幕噴嘴 2 2 8 :藥液供給噴嘴 2 3 0 :輥刷 2 3 2 :洗淨噴霧管 -47- (44) 1307932 2 3 4 :空氣刀2流體噴射噴嘴 2 3 6 :清洗液供給噴嘴(清洗噴嘴) 2 3 8 :空氣刀 -48-
Claims (1)
1307932 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種基板處理裝置,其特徵爲: 具備有:水平流動之搬送線,將爲了把被處理基板使 被處理面朝上、以朝上仰的姿勢來搬送之搬送體,鋪設於 水平之特定的搬送方向,包含了:於前述搬送方向具有實 質的水平搬送路徑之第I搬送區間、具有於前述第1搬送 區間持續上升傾斜的搬送路徑之第2搬送區間、具有於前 # 述第2搬送區間持續下降傾斜的搬送路徑之第3搬送區間 、以及具有於前述第3搬送區間連續實質的水平搬送路徑 之第4搬送區間;和 搬送驅動部,驅動在前述搬送線上搬送前述基板之前 述搬送體;和 第1處理液供給部,在前述第1或第2搬送區間內、 於前述基板上供給第1處理液;和 第2處理液供給部,在前述第3搬送區間內、於前述 ® 基板上供給第2處理液。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置, 其中:於前述搬送方向,前述第2搬送區間的長度比前述 基板的尺寸還短。 3. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置, 其中:於前述搬送方向,前述第2搬送區間與前述第3搬 送區間所合計的區間的長度,比前述基板的尺寸還短。 4. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項所記載之基板 處理裝置’其中:於前述搬送方向’於前述第2搬送區間 -49 - (2) 1307932 的終端部與前述第3搬送區間的始端部之間,形成實質的 水平搬送路徑。 5. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項所記載之基板 處理裝置,其中:具有在前述第2搬送區間內,將從前述 搬送線上的搬送路徑、離開到上方的前述基板的部位,抑 制在特定的高度位置之基板抑制部。 6. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置, • 其中:前述基板抑制部,具有抵接於前述基板的左右兩緣 部之一對可迴轉之滾輪。 7. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項所記載之基板 處理裝置,其中:於比前述第1處理液供給部還要下游側 的前述第2搬送區間內的特定位置上,具有噴出除液用氣 體於前述基板上之第1空氣刀(airnkife)。 8. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項所記載之基板 處理裝置,其中:於比前述第1處理液供給部還要下游側 胃的前述第1或第2搬送區間內的特定位置上,具有爲了觸 發從前述基板的後端讓前述第1處理液流落之除液觸發部 〇 9. 如申請專利範圍第8項所記載之基板處理裝置, 其中:前述除液觸發部,是以於前述搬送路徑上、配置做 爲前述搬送體之外徑爲一定的圓柱狀或圓桶狀的轉子,來 加以構成。 10. 如申請專利範圍第8項所記載之基板處理裝置, 其中:前述除液觸發部,包含把氣體流碰觸於前述基板的 -50- (3) 1307932 後端部、於從上方與前述搬送方向相逆的方 嘴。 11. 如申請專利範圍第1〜3項中任〜項所記載之基 板處理裝置,其中: 第1處理液供給部’具有在前述第1搬送區間內的特 疋位置上,向者目υ述基板吐出弟1處理液之處理液供給噴· 嘴; 前述搬送驅動部,通過前述第1及第2搬送區間,將 前述基板以一定的速度來搬送。 12. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項所記載之基 板處理裝置,其中: 具有:在前述第1及第2搬送區間,爲了承接收集落 於前述搬送路徑之下的液體之第1集液部;和,在前述第 3及第4搬送區間,爲了承接收集落於前述搬送路徑之下 的液體之第2集液部。 1 3 .如申請專利範圍第1〜3項中任一項所記載之基 板處理裝置,其中: 具有於前述第2搬送區間與前述第3搬送區間內的境 界附近,爲了把沿著前述搬送線周圍的空間,間隔成上游 側與下游側之第1隔壁。 14.如申請專利範圍第1〜3項中任一項所記載之基 板處理裝置,其中: 前述搬送線,包含有:於前述第4搬送區間、具有持 續上升傾斜的搬送路徑之第5搬送區間,和於前述第5搬 -51 - (4) 1307932 送區間、具有連續實質的水平搬送路徑之第6搬送區間。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所記載之基板處理裝置 ,其中: 於前述搬送方向,前述第5搬送區間的長度比前述基 板的尺寸還短。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項所記載之基板處理裝置 ,其中: 在前述第5或第6搬送區間內、爲了援助從前述基板 上的前述處理液的除液’具有於與前述搬送方向相逆的方 向上噴出氣體於前述基板上之第2空氣刀。 17. 如申請專利範圍第14項所記載之基板處理裝置 ,其中: 具有於前述第5搬送區間與前述第6搬送區間內的境 界附近,爲了把沿著前述搬送線周圍的空間’間隔成上游 側與下游側之第2隔壁。 18. 如申請專利範圍第1〜3項中任一項所記載之基 板處理裝置,其中: 前述搬送線,包含有:在比則述第1搬送區間還要上 游側、在比前述第1搬送區間還要高的位置、具有實質的 水平搬送路徑之第7搬送區間’和在前述第7搬送區間與 前述第1搬送區間之間、具有下降傾斜的搬送路徑之第8 搬送區間。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項所記載之基板處理裝置 ,其中: -52- (5) 1307932 於前述搬送方向,前述第8搬送區間的長度比前述基 板的尺寸還短。 20.如申請專利範圍第1 8項所記載之基板處理裝置 ,其中: 具有於前述第8搬送區間與前述第1搬送區間內的境 界附近,爲了把沿著前述搬送線周圍的空間,間隔成上游 側與下游側之第3隔壁。 -53-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005186521A JP4523498B2 (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200715445A TW200715445A (en) | 2007-04-16 |
TWI307932B true TWI307932B (en) | 2009-03-21 |
Family
ID=37597410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095123001A TWI307932B (en) | 2005-06-27 | 2006-06-26 | Substrate processing apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4523498B2 (zh) |
KR (1) | KR101194975B1 (zh) |
CN (1) | CN1892423B (zh) |
TW (1) | TWI307932B (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100717373B1 (ko) | 2006-06-12 | 2007-05-11 | 세메스 주식회사 | 평판 패널 세정 장치 및 그에 사용되는 롤 브러시 |
KR100799107B1 (ko) * | 2007-03-15 | 2008-03-17 | (주)포인텍 | 표면처리장치 |
JP4824723B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4812847B2 (ja) | 2009-02-23 | 2011-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2013080808A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN103207539A (zh) * | 2012-01-13 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种无接触式传送装置 |
JP5990821B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2016-09-14 | 日東電工株式会社 | 耐水性有機薄膜の製造方法 |
JP6347572B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2018-06-27 | 東邦化成株式会社 | リフトオフ装置およびリフトオフ方法 |
US20140047735A1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-02-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Cleaning Apparatus for Glass Substrate |
CN104347352B (zh) * | 2013-07-31 | 2018-05-29 | 细美事有限公司 | 一种基板处理装置及基板处理方法 |
JP6289922B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-03-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101563128B1 (ko) * | 2015-01-09 | 2015-10-27 | 엠에스티코리아(주) | 기판 이송 장치 |
CN106125518A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-11-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显影设备 |
JP7018826B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2022-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7258196B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2023-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3631668A1 (de) * | 1986-09-18 | 1988-03-24 | Hoechst Ag | Vorrichtung zum verarbeiten von fotoempfindlichen materialien |
JP2506919B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1996-06-12 | 株式会社芝浦製作所 | 現像装置 |
JP3040055B2 (ja) * | 1994-08-01 | 2000-05-08 | キヤノン株式会社 | 感光性樹脂の現像方法 |
JP3175908B2 (ja) * | 1995-05-25 | 2001-06-11 | シャープ株式会社 | 液処理装置の基板搬送装置 |
JP4022288B2 (ja) * | 1997-09-02 | 2007-12-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2002252200A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 基板処理装置及び処理方法 |
JP3916891B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2007-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び現像処理装置 |
TWI226077B (en) * | 2001-07-05 | 2005-01-01 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
JP2003107733A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光材料処理装置 |
JP2003306226A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-28 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP3788789B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2006-06-21 | 東京応化工業株式会社 | 基板の現像方法及び現像装置 |
JP4309782B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2009-08-05 | シャープ株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP2006193267A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 基板搬送方法および基板搬送装置 |
JP4563191B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2010-10-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2005
- 2005-06-27 JP JP2005186521A patent/JP4523498B2/ja active Active
-
2006
- 2006-06-26 TW TW095123001A patent/TWI307932B/zh active
- 2006-06-27 KR KR1020060058238A patent/KR101194975B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-27 CN CN2006100942484A patent/CN1892423B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200715445A (en) | 2007-04-16 |
CN1892423B (zh) | 2010-05-12 |
JP2007005695A (ja) | 2007-01-11 |
JP4523498B2 (ja) | 2010-08-11 |
KR101194975B1 (ko) | 2012-10-25 |
CN1892423A (zh) | 2007-01-10 |
KR20070000366A (ko) | 2007-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI307932B (en) | Substrate processing apparatus | |
TWI267129B (en) | Coating and developing apparatus, exposure apparatus and resist pattern forming method | |
KR20060136336A (ko) | 기판처리장치 | |
TWI375135B (en) | Reduced-pressure drying device | |
JP5226046B2 (ja) | 塗布装置及びノズルのメンテナンス方法 | |
TWI360836B (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2003145064A (ja) | 2流体ジェットノズル及び基板洗浄装置 | |
JP2006232468A (ja) | 処理システム | |
JP4318709B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
TWI234796B (en) | Solution treatment method and solution treatment unit | |
KR100869553B1 (ko) | 기판처리장치, 액처리장치 및 액처리방법 | |
JP3851462B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3916891B2 (ja) | 基板処理装置及び現像処理装置 | |
JP4450724B2 (ja) | 基板処理装置及びローダ装置及びアンローダ装置 | |
JP3837720B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4805384B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TW200527497A (en) | Nozzle and substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3959634B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100937153B1 (ko) | 현상처리장치 | |
JP3898471B2 (ja) | 洗浄処理装置および現像処理装置 | |
JP3843252B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2006339664A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4523402B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2003218007A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4052820B2 (ja) | 現像処理装置 |