TWI302992B - Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method - Google Patents

Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method Download PDF

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TWI302992B TW095113523A TW95113523A TWI302992B TW I302992 B TWI302992 B TW I302992B TW 095113523 A TW095113523 A TW 095113523A TW 95113523 A TW95113523 A TW 95113523A TW I302992 B TWI302992 B TW I302992B
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Description

1302992 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於多層鏡之光譜純度濾波器，含此 種多層鏡之微影裝置，加大所要輻射及不要之輻射之比值 之方法以及其中使用此種多層鏡之器件製造方法。 【先前技術】 微影裝置係一種機器，其施加所要圖案於一基板上（通 常於該基板之一目標部分上）。微影裝置可用於（例如）積體 電路(1C)的製造。在此情況下，可使用圖案化器件(或稱為 光罩或主光罩）來產生要形成於1(:之一個別層±的電路圖 案。此®案可轉移至一基板（例如石夕晶圓）上之一目標部分 (例如包含一個或數個晶粒之部分）上。圖案通常係經由成 像轉移至提供在基板上之—層輻射敏感材料（光阻）上。一 般:言，單-基板將包含連續加以圖案化之相鄰目標部分 的-網路。已知的微影裝置包含步進機，纟中藉由將整個 圖案-次曝光到該目標部分上來照射各目標部分；及掃描 =其中藉由透過輕射光束於—岐方向（「掃描」方向） 圖案’同時平行於或反平行於此方向掃描該基板來 目標部分1由將圖案壓印至該基板上，也可以將 圖案攸該圖案化器件轉移至該基板上。 輕射之1 =置巾’可成㈣基板上的特徵之尺寸受投影 較古運轅丰制。為了產生具有器件之較高密度及因此 二、…ί的積體電路’需要能夠成像較小的特徵。雖 ’、、、k H投Mi㈣由水銀燈或準分子雷射產生的 108032.doc 1302992 紫外光，但是已使用較短波長的輻射。此_射稱為 外線（EUV)或軟X光線，並且可能的來源包含（例如）雷射產 生的《來源、放電電來源、或自電子儲存環的= 速器輻射。 、 V加
EUV轄射之來源通常為電漿來源，例如雷射產生的電， 或放電電激。在某些情況下，EUV來源可發射數種不同= 長的光，某些光可能為不要之輻射’例如深遠紫外輻射 (DUV)。此非EUV輻射在某些情況下可能對_微影系統 有害’因為其可以導致對比度的損失。因&，可能要藉由 光譜純度濾波器（SPF)來移除此類不要輻射。 曰 目前的光譜純度濾'波器係基於閃耀光柵。該等光拇通常 難以產生’因為三角形形狀的圖案之表面品質應該較高。 例如’對於某些光柵而t，表面的糙度應該低於^⑽ RMS。除此以外，目前的光譜純度據波器會籠罩光的路 裣，此表不無法從系統移除光譜純度濾波器，除非將另一 鏡用以取代光譜純度濾波器，從而引起損失。& 了保持靈 活性’可能需要能夠隨意從系統移除光譜純度遽波器以便 避免由光譜純度濾波器引起的損失。 【發明内容】 本發明之一方面是提供一種用以加大Euv輻射及輕 射之比值的多層鏡，例如用於微影裝置。本發明之另一方 面疋提i、3此種夕層鏡或含若干此種多層鏡的微影裝置。 本發明之另一方面是提供加大EUV輻射及duv輻射之比值 之方法以及其中應用此類方法的器件製造方法。 108032.doc 1302992 本發明提供一多層鏡，其包含在該多層鏡之頂部上的一 光譜純度增強層，該多層鏡尤其應用於一 EUV微影裝置。 此光譜純度增強層包含至少一第一光譜純度增強度，但是 在該多層鏡與第一光譜純度增強層之間還可存在一中間層 或一第二光譜純度增強層與中間層。因此，在本發明之各 具體實施例中存在具有下列組態的多層鏡：多層鏡/第一 光譜純度增強層；多層鏡/中間層/第一光譜純度增強層； 以及多層鏡/第二光譜純度增強層/中間層/第一光譜純度增 強層。該等及其他具體實施例可增強垂直入射輻射之光譜 純度，以便DUV輻射比EUV輻射相對較強烈地得到減少。 【實施方式】 圖1不意性地描述依據本發明之一具體實施例的微影裝 置1。裝置1包含一照明系統（照明器）IL，其係配置成調節 一輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射）。一支撐物（例如 光罩台）MT係配置成支撐一圖案化器件（例如光罩）且係 連接至一第一***件PM，其係配置成依據某些參數來 精確地定位圖案化器件。一基板台（例如晶圓台）WT係配置 成固持一基板（例如光阻塗布晶圓）w並且係連接至一第二 ***件PW，其係配置成依據某些參數來精確地定位基 板。一投影系統（例如折射式投影系統）!^係配置成藉由圖 案化器件MA將賦予輻射光束B之圖案投影至基板w之一目 標部分C (例如包含一或多個晶粒）上。 該照明系統可包含各種類型的光學組件，例如折射、反 射、磁性、電磁性、靜電或其他類型的光學組件或其任何 108032.doc 1302992 組合，以引導、成型及/或控制輕射。 該支撐物會支撐（例如承 古斗、m α士 又）固案化器件的重量。苴以 方式固持圖案化器件，兮 董里'、乂 一 微影裝置的設計以及其他條;;j於圖案化器件的方位、 持於真空環境中。兮支⑽歹lJ如圖案化器件是否係固 ^ ^ w支撐物可使用機械、直六、靜雷$ # 他夾緊技術來固持圖宰化^ 真工靜電或其 台，例如其可根據支撐物可為一框架或 確伴3牵^ *要為固定式或可移動式。該支撐物可 確保圖案化器件處於（例 文所#田^ 』如）就技衫糸統之一所要位置。本 文所使用的任何術語「 _ ^^„ 干」4 九罩」皆可視為與更 一般的術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用的術語「圖荦 指可用以賦予-㈣光件」應§亥廣泛地解釋為 ‘射7^束其斷面中的―圖案以便於該基板 之一目標部分中建立— 圖案之任何器件。應該注意，賦予 輪射光束的圖案可能不會精確對應於基板之目標部分中的 ^要圖案’例如’若該圖案包含相移特徵或所謂的協助特 :身又*吕’賦予輻射光束的圖案將對應於在該目標部 之叩件中的一特定功能層，例如積體電路。 j圖案化器件可為透射型或反射型。圖案化器件之範例 已3光罩可私式鏡陣列與可程式LCD面板。光罩在微影 中已為人所熟知，並且包含光罩類型（例如二進制、交替 矛夕/、衰減相移）以及各種混合光罩類型。可程式鏡陣列 之一乾例採用小鏡之矩陣配置，每個鏡可個別地傾斜以便 在不同方向上反射一入射的輻射光束。該等傾斜鏡在由鏡 矩陣反射的一輻射光束申賦予一圖案。 108032.doc 1302992 本文使用的術語「投影系統」應該廣義地解釋為包含任 何類型的投影糸統（包含折射、反射、折反射、磁性、電 磁性及靜電光學糸統或其任何組合），其適合於所使用的 曝光輕射’或適合於其他因素（例如浸潰液體之使用或真 空之使用）。本文所使用的術語「投影透鏡」皆可視為與 更一般的術語「投影系統」同義。 如此處所描述，該裝置這一反射類型（例如，使用反射 光罩）。或者該裝置可為一透射類型（如採用透射光罩）。 該微影裝置可為具有二（雙級）或更多基板台（及/或二或 多個光罩台）之類型。在此類Γ多級」機器中，可並列使 用額外台’或可在一或多個台上實施準備程序，同時將一 或多個其他台用於曝光。 該微影裝置亦可為其中可藉由具有相對較高折射率的液 體（如水）覆蓋基板之至少一部分以填充投影系統與基板間 的空間之類型。亦可將浸潰液體施加於該微影裝置中的其 他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潰技術在 用以增加投影系統之數值孔徑的技術中已為人熟知。本文 所使用的術語「浸潰」並不表示一結構（例如一基板）必須 浸入液體中，而僅表示液體在曝光期間位於（例如）投影系 統與基板之間。 參考圖1，照明器IL接收來自輻射來源so之輻射。該來 源與該微影裝置可以為分離實體，例如在該輻射來源係一 準分子雷射時。在此類情況下，該輻射來源並非視為形成 微影裝置之部分，並且輻射會借助包括（例如）合適的引導 108032.doc 1302992 鏡及/或光束擴張器 先束4^統從來物«至㈣ 八心;“τ’_可為微影裝置之一整Μ :遞 而要），可稱為一輻射系統。 可包含-調整科，其係配置成 :角強度分怖。-般而言，可以調整在該照明器1 = =的強度分佈之至少外徑及/或内徑範 内）。此外，照日m可包含各種其他組件，例 、°積分裔與一聚光器。該照明器可用以調節輻射光束， 以在其斷面中具有所要均勾度及強度分佈。 幸田射光束B係入射至圖案化器件（例如光罩MA)上，該器 件係固持於支撐物（例如光罩台MT)上並藉由圖案化器❹ 、圖案化在杈牙光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統 PS，其將光束投影至基板〜之目標部分。上。借助於第二 定位為件PW及定位感測器IF2 (例如干涉測量器件、線性 編碼為或電容感測器），可以精確地移動基板台WT (例如） 以便將不同目標部分c定位在輻射光束B之路徑中。同樣 地，第一***件PM與另一定位感測器IF 1 (例如干涉測 量器件、線性編碼器或電容感測器）可用以將光罩MA與輻 射光束B之路徑精確地定位（例如在從光罩室機械取回之後 或在掃描期間）。一般而言，光罩台MT的移動可藉助長衝 程模組（粗略定位）及短衝程模組（精細定位）來實現，該等 模組形成第一***件PM之部分。同樣地，基板台WT的 移動可使用長衝程模組及短衝程模組來實現，該等模組形 108032.doc 1302992 成第二***件PW之部分。在步進機（與掃描器相反）的情 況下，光罩台MT可以僅連接至短衝程驅動器，或可以係 口疋的 了使用光罩對準標記Μ1、M2與基板對準標纪 Ρ1 Ρ2來對準光罩ΜΑ與基板W。雖然所說明的基板對準 標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分(該等部分 係已知為劃線道對準標記）之間的空間中。同樣，於在光 罩ΜΑ上提供一個以上的晶粒之情況下，光罩對準標記可 位於5亥專晶粒之間。
所描述的裝置可用於下列模式之至少一項·· 1·在步進模式中，光罩台财及基板台资係保持本質上固 定，同時賦予輻射光束的整個圖案係一次（即單一靜態曝 光）投影至一目標部分c上。接著基板台…丁在又及/或Υ方向 上偏移，因此可以曝光一不同的目標部分c。在步進模式 中’曝光場之最大尺寸限制在一單一靜態曝光中成像：目 標部分c之尺寸。 2·在掃描模式中，同步掃描光罩台mt與基板台资，同時 將賦予輻射光束的圖案投射至一目標部分。上(即單一動綠 曝光）。S板台WT相對於光罩台财的速度及方向可藉由二 影^統PS之（縮小）放大倍率及影像反轉特徵來決定。在掃 描模式中，曝光場之最大尺寸限制在—單—動態曝光中目 標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度決定 目標部分之高度（在掃描方向上）。 止，從而固持 移動或掃描， 在另一模式中，光罩台MT基本上係保持靜 可程式圖案化器件，並且基板台WT得到 108032.doc -12- 1302992 同時賦予輕射光束之圖案 模式中’-般使用-脈衝輕射來心:：分C上。在此 台WT之後或於在=在每次移動基板 來更新可六、安 只1田射脈衝之間根據需要 冬又啊J %式圖案化器件。此 ^ T ^ ^ R ^ , σσ ^ 乍杈式可輕易地應用於利 用T 式圖案化器件（例如如 陣列)的無光罩微影。 ，考的類型之可程式鏡 還可使用以上說明之佶用 ^ ^ ^ n ,, . 、式方面的組合及/或變化或 王不同的使用模式。 術語「透鏡」在背寻ι μ σ 、6況下可指各種類型的光學 、、’件之任一者或組合，該蓉相彳生a Θ寺組件包含折射、反射、磁性、 電磁及靜電光學組件。 如熟習技術人士所瞭解，本文使料術語「層」可說明 具有一或多個邊界表面的各層1等表面具有其他層及/ 或具有其他媒介，例如(使用的)空真。然而，應瞭解 「層」也可表示一結構之部分。術語「層」還可指示若干 層。該等層可以（例如）彼此接近或彼此疊加等。其也可包 含一種材料或材料的組合。還應注意本文所用的術語 「層」可說明連續或不連續層。在本發明巾，本文所用的 術語「材料」還可解釋為材料的組合。 本文所用術語「輻射」及「光束」包含所有類型的電磁 輕射’包含紫外線（UV)輻射（例如具有365、248、193、 157或126 nm之波長；I)以及遠紫外線（Euv或軟X光線）輻射 (例如具有5至20 nm之範圍内的波長），以及粒子束，例如 離子束或電子束。一般而言，將具有約78〇至3〇〇〇 nm (或 108032.doc 13 1302992 更大）之間的波長之輻射視為IR輻射。UV指具有接近100至 400 nm之波長的輻射。在微影内，通常還將其應用於可以 藉由水銀燈產生的波長·· G線436 nm ; Η線405 nm ;及/或I 線365 nm。VUV為真空uv(即由空氣吸收的UV)並指接近 100至200 nm之波長。DUv為深uv並通常在微影中用於由 準刀子笛射產生的波長（例如126 11111至248 nm)。熟習技術 人士應瞭解具有（例如）5至20 nm之範圍内的波長之輻射與
〃有某波長頻帶寬的輻射有關，發現該頻帶的至少部分係 在5至20 nm之範圍内。 折射率在本文中指在一輻射波長情況下或在選自100至 400 nm的範圍（例如在1〇〇與2〇〇 之間）之一輻射波長範 圍内的折射率。 刀圖2更詳細地顯示投影裝il，#包含-輻射系統42、-#、月光干單元44、與投影光學系統PS。輻射系統42包含可 乂藉由放私電漿加以形成的輻射來源s〇。輻射可以藉 =體或療氣加以產生’該氣體或蒸氣如以氣、u蒸氣或 …'氣其中建立很熱的電漿以發射電磁光譜之EUV範圍 内的輻射。藉由利用(例如)電性放電產生至少部分離子化 、電水來建立很熱的電漿，此已為熟習技術人所瞭解。輕 射之有效產生可能雲盈τ · 月匕而要Xe、、Sn或任何其他合適的氣體 之（例如）1 〇 p a的分壓。妳 — 、、工由疋位在來源室47之開口中或其 後面的氣體阻障或染、、千札 . — 于物捕捉器49，將藉由輻射來源SO發 射的輪射從來源室4 7僂搪$ ΙΛ_ 4 /傳遞至收集器室48中。氣體阻障49包 3 一頻道結構，你I ‘ A M r 在美國專利 6,614,505、6,359,969 及 '08032.doc 1302992 6,576,912 ’與Wq Q伽伽中說明的結構，該等專 以引用的方式併入本文中。 、 集：态室48包含可藉由一掠入集光器加以形成的一輻射 集光时50。集光器5〇可包含數個反射器、⑷、 反射器142係稱為内部反射器而且反射器146係稱為外部反 身:器。可從先前技術瞭解輻射集光器5〇。可用于本發明的 軲射集光為之一個範例係說明在（例如）美國專利申請案
2004/0094274 A1號（例如圖3及4)中，該申請案係以引用的 方式併入本文中。 藉由集光為50傳遞的輕射可以從一光栅光譜遽波器加 射離開’以便聚焦於集光器室心内一孔徑處的一虛擬來渴 點52二從集光器室48，在照明光學單元44中經由垂直入剩 反射裔53、54㈣射光束56反射到定位在主光軍或光罩台 MT上/的主光罩或光罩上。形成一圖案化光束η，其係在 ”系、先ps中經由反射疋件58、59成像於晶圓級或基板台 WT上。圖中未顯示的更多元件可一般出現在照明光學單 心及投影系、統PS中。光柵光譜濾波器51可根據微影裝置 的類型而出現。此外，可以出現比圖式所顯示多的鏡，例 可出見比58、59多1至4個的反射元件，如熟習技術人士 所瞭解’並如（例如）美國專利第6,556,648號所說明，該專 利係以引用的試併入本文中。 圖1及2中所不的微影裝置可以為諸如一 微影裝置之 你支影I置，盆句合两p番士、▲产 /、匕3配置成调郎一輻射光束的一照明系統； 配置成支撐一圖案化器件的一支撐物，該圖案化器件係配 108032.doc 1302992 置成賦予該韓射光束其斷面中的一圖案以形成一圖案化輻 射光束’配置成固持-基板的-基板台；配置成將該圖案 化輻射光束投影至該基板之一目標部分上的一投影系統； 一輻射來源；以及一集光器鏡。 在-具體實施例中，用於本發明之微影裝置及方法且由 集光器鏡5G收集的輻射包含具有選自5至2()細之範圍的波 長（例如13.5 nm)之EUV輻射。 圖3不意性地描述依據本發明之多層鏡ι〇〇。多層鏡Μ。 包含一多層鏡堆疊102，其包含（例如）若干交替“…以或 W/S^WRe/Si層。多層鏡100可以為垂直入射鏡。多層鏡 與垂直入射鏡已為熟習技術人士所瞭解。此種鏡係（例如） 况明在以下專利中··由j· H Underwood及τ· w Barbee，Jr. 提供的「如用於X光射及遠紫外線的布拉格繞射器之層狀 合成微結構：理論及預測性能」，應用光學2〇，3〇27
(1981);由 Κ· M· Skulina、c· S· Alf〇rd、R· M· Bi〇nta、D· Μ· Makowieki、Ε· M. Gullikson、R· Soufli、j B
Kortnght以及J. H· Underwood提供的「遠紫外線中垂直入 射用之鉬/鈹多層鏡」，應用光學34，3727 (1995) ·’與由
Eberhard Spiller、SPIE、Bellingham Washington提供的 「軟X光射光學」（1994)，該等專利係以引用的方式併入 本文中。多層堆疊102具有一頂部層1〇3，其可以為“〇或以 (即屬於多層堆疊1 02的各層之一）。在此多層堆疊頂部層 103之頂部上，提供一光譜純度增強層1〇4及視需要的額外 覆蓋層105。圖4a至4c更詳細地示意性地描述依據本發明 108032.doc -16- 1302992 之多層鏡的若干具體實施例。 圖4a示意性地描述依據本發明之—具體實施例的一多層 /、匕s a)夕層堆® 1 〇2，該多層堆疊i 〇2包含具有一 :層::疊頂部層103之複數個交替[以及b)配置在該多 層堆®上的-光譜濾、波器頂部層iG4。光譜濾波器頂部層 04可包含具有層厚度dl的一第一光譜純度增強層ιι〇 ;具 有：厚度们的-中間層111 ;以及具有層厚度d3的一第I 光μ純度增強層丨12，該第二光譜純度增強層係配置在多 層堆疊頂部層1〇3上。可提供一覆蓋層1〇5。 者圖4b不忍性地描述依據本發明之多層鏡1 的另一具體 只施例其包含a) 一多層堆疊1 02，該多層堆疊丨〇2包含具 有:多層堆疊頂部層103之複數個交替層，以及b)配置^ 忒夕層堆豐上的一光譜濾波器頂部層ι〇4。譜濾波器頂部 層104可包含具有層厚度dl的一第一光譜純度增強層“ο; 以及具有層厚度d2的一中間層丨丨丨·，該中間層i 11係配置在 多層堆疊頂部層103上。 圖4c示意性地描述依據本發明之多層鏡1〇〇的另一具體 貫施例，其包含a)—多層堆疊102，該多層堆疊1〇2包含具 有一多層堆疊頂部層103之複數個交替層，以及b)配置^ «亥夕層堆$上的一光譜濾波器頂部層1 。光譜濾波器頂 部層104可包含具有層厚度dl的一第一光譜純度增強層 ;該第一光譜純度增強層i 10係配置在多層堆疊層1〇3 上。 使用該等光譜濾波器頂部層104，可以將輻射頻率之特 108032.doc 1302992 定頻帶濾出。此提供靈活性，因為抑制的數量可以藉由下 列方式加以調諧：改變一或多個選擇的材料（分別為mi、 m2及m3)、光譜純度增強層1〇4中包含的個別層之選擇的 層厚度（分別為di、d2及d3)，以及藉由選擇接收此類光譜 濾波器頂部層104的多層鏡之數量。以此方式，可以使用 不要輻射（例如EUV)之所需要的抑制，而使EUV的損失最 小化。不同光譜濾波器頂部層104可以用於不同鏡以便使 抑制更寬或更強烈。 此將加以更詳細地說明，首先參考光譜濾波器頂部層 104,其僅包含一第一光譜純度增強層11〇,例如如圖扑所 示。隨後說明二個其他具體實施例，前者係關於包含由一 中間層分離之二個光譜純度增強層的一光譜濾波器頂部層 104，並且後者係關於包含一第一光譜純度增強層與一 $ 間層的一光譜濾波器頂部層丨〇4。 圖5不意性地描述依據如圖4c描述的本發明之具體實施 例的多層鏡100，其包含一多層堆疊1〇2及僅包含具有層厚 度d 1的-第-光譜純度增強層i i G之—光譜渡波器頂部層 104。圖5事實上顯示一 3層系統，其中第一「層」為多層 鏡100上的大氣，例如在處理條件下的真空。第二層為第 一光譜純度增強層110 ;並且該系統之第三層為多層堆疊 102。考量垂直入射（例如最多至㈣。）條件下的輕射，因 為也可將多層堆疊102用於垂直入射光。因此，結果並非 與偏光相依，即橫向電模式（TE)係與橫向磁模式相 同0 108032.doc 18 1302992 對於從層ι(環境；多層鏡的大氣）進入該系統的光而 言，用於一多層堆疊102(其具有該多層堆疊1〇2之頂部上 的第2—光譜純度增強層110)的強度反射R之等式 R = |r| 句· r = rn 卜 r23-，12-exp(/H，）⑴ 1-r23.r2i.exp(，'2.A：2·/) k2-~^n2 其中： • rPq為用於從層p進入且在13與(1之間的介面上反射的一垂直 入射平面波之反射的菲涅耳振幅反射係數。此處Γ23為用於 在第一光譜純度增強層110與多層堆疊1〇2之間的介面上之 第一光譜純度增強層11 〇中的光之反射； tpq為用於從層Ρ進入層q的平面波之透射的菲涅耳振幅透射 係數； λ 光之波長； t 第一光譜純度增強層11 0之厚度（即d 1); % K2媒介Ρ中的波數量；
Np =nP+j*kp，媒介ρ之複折射指數。 對於熟習技術人士而言，菲涅耳反射已為人所熟知並且 載吳上可以在任何關於光學的書籍中找到（例如參見E· echt 光學」弟二版 ’ Addison Wesley，1997，其係以 引用的方式併入本文中）。對於垂直入射光而言，用於來 自媒介p與媒介q之間的介面上的媒介ρ之光的菲涅耳反射 係與偏光無關並藉由·· rpq=(NrNq)/(Np+Nq)加以提供。在 108032.doc -19- 1302992 多層情況下，應該計算用於來自第一光譜純度增強層u 〇 與多層堆疊102之間的介面上之層2的光束之反射Γ23。 第一光譜純度增強層11 〇之厚度可盡可能小以便避免 EUV損失。在另一具體實施例中，第一光譜純度增強層 110 包含選自 Si3N4、Si〇2、ZnS、Te、鑽石、Csl、Se、 SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、PbF2、Zr02、 BaTi〇3、LiF或NaF的材料ml。在另一具體實施例中，材
料 ml係選自 Si3N4、Si02、ZnS、Te ' 鑽石、Csl、Se、SiC 或非晶碳。光譜濾波器頂部層1 〇4(在此具體實施例中為第 光邊純度增強層110)具有在約〇 · 5與3 0 nm之間的層厚度 dl。依據本發明之具體實施例係提供在以下表1中·· 表1 :單一層光譜純度增強層1 〇4之具體實施例之範例 光譜純度增強層104 (即第一光譜純度增 強層110)之材料 波長範圍 (nm) dl之厚度 (nm) dl之厚度的^~ 具體實施例(nm) a-C 100-150 1-10 3-7 SiC 200-300 3-17 5-15 SiC 300-400 17-30 19-28 Si.N. 130-200 5-10 6-9 Si.N4 200-250 10-15 11-14 d-C 130-180 3-5 3.5-4.5 d-C 100-200 0.5-10 2-8 d-C 200-300 7-20 9-19 Si02 100-140 3-5 3.5-4.5 在將光束PB之光線r投影在多層鏡1上時，盡可能低的反 射茜要直接反射的不要輪射與已在第一光譜純度增強層 11 〇中傳播至少一個往返程的不要輻射之間的破壞性干擾。 108032.doc -20- 1302992 為了導出用於第一光譜純度增強層110之厚度的—等 式，比較直接反射（ru)與已在第一光譜純度增強層11〇中 傳播一個往返程之反射的貢獻（Π)之複振幅： m Wxp(/.2.A·，） (2) 對於直接反射與已在第一光譜純度增強層11 〇中傳播一 個往返程的貢獻之間的破壞性干擾而言，比值之 幅角應該為π : 广丨=，丨2 ·，2ΐ ·〜.exp(m2 .，） • g —，i2^rb.exp(z、212j) (3) rn 破壞性干擾：arg(Q) = ;τ 依據N=n+j*k，其中Ν=複繞射指數，η =複折射指數的實 數部分以及k=複折射指數的虛數部分，例如對於如以上說 明且如圖5所描述的一系統而言，將a_Si作為多層堆疊1〇2 之頂部層103(而非Si/Mo多層堆疊）以及將ShN4作為第一光 譜純度增強層110，用於198.4 nm之波長的折射率為： 空氣 Nl=l • Si3N4 N2=2.62+j*0.174 a_Si N3 = 1.028+j*2.1716981 計算si#4對下列的影響：i)使用IMD軟體之a_Si/M〇多層 堆疊102以及ii)使用等式（i)之a_Si基板（作為型式而非多層 堆疊102)，獲得如圖6描述的結果。在此圖式中，描述具 有使用IMD軟體之a-Si/Mo多層堆疊102的型式之結果以及 使用等式（1)之a_Si基板（作為型式而非多層堆疊1〇2)之結 果，並且在用於多層堆疊上的Si#4及a_Si基板上的叫队計 108032.doc •21 - 1302992 ^之間出現明顯的重合。此指示s“N"a_si介面上的高反 射在使用等式（3)計算直接反射與已在光譜純度增強層 1〇4(此處為第—光譜純度增強層llG(Si3N4)塗布）中傳播單 一在返程的貢獻之間的相位差異（提供圖ό中的重複斜線曲 線（注意右側的垂直軸），亦採用參考數字12〇加以指示） 時，可以看出在其中直接反射與已透過第一光譜純度增強 層no傳播一次的貢獻之間的相位差異為兀的3丨3队層之厚 度（X軸）與用於空氣/S^N^a-Si三層型式之反射的最小數值 _ 之間僅存在較小的差異。因此準則（3)實際上似乎為用於厚 度的良好準則。在相位差異為π的情況下，i)與丨丨）皆具有其 最小破壞性干擾，並且在相位差異為2π的情況下，丨）與⑴ 皆具有其最大破壞性干擾。因為層厚度d(此處為d 1)應盡可 能小’所以將選擇相位差異為π情況下的第一最小值，從 而產生約4至11 nm(例如對於要加以減小之此波長（198.4 nm)而言為約9土 1 nm)之用於此具體實施例的層厚度dl。考 量介面上的振幅反射與透射： _ 表2 :對於198.4輻射而言，圖4c及5之型式中的介面上之 反射與透射 介面 反射 透射 Air/Si3N4 大小:0.45相 位：0.019^π 大小 相位 0.552 -0·0Ι”π Si3N4/(a-Si) 大小 相位 0.589 0.532^π 大小 相位 1.211 -0.161*π Si3N4/Air 大小 相位 0.45 -〇·981*π 大小 相位 L449 0.006^π _" —-—- 108032.doc -22- 1302992 同直接反射與已透過第一光譜純度增強層1 1 0傳播一次 的貢獻之間的相位差異相關的反射與透射係以斜體字形 式。表2顯示由於Si^lSU/a-Si介面中的反射而引起的較大相 移0.532*π。介面上的其他相移係相對較小並且直接反射 與已透過第一光譜純度增強層11〇傳播一次的貢獻之間的 總相位差異為0·52*π。由於ShN4層的實際指數較高，所以 假疋不要輕射具有198.4 nm的波長，則僅約4至11 nm(例如 約9 nm)的厚度對於0·48*π之額外相位及總相位差異π而言 係足夠的。 因此，本發明進一步提供包含一多層鏡1之一具體實施 例，其中設計層110之材料ml及光譜濾波器頂部層1〇4中包 含的層11 0之層厚度d 1以便實行下列準則·· .exp(/.2.尺2 ·，） Q = ’12 々21 · r23，eXP〇 . 2 ·尺2 · 〇 "12 (3) 破壞性干擾:arg(Q) = π 其中： ru為用於從層1(即多層鏡上的大氣1}進入並且在層1與 層2之間的介面（即第一光譜純度增強層11〇)上反射之垂 直入射平面波的菲涅耳振幅反射係數，其中層丨與層2分 別為夕層鏡與光谱慮波器頂部層1 即第一光譜純度增 強層110)上的大氣； I*23為用於從層2進入並且在層2與層3之間的介面上反射 之垂直入射平面波的菲涅耳振幅反射係數，其中層2與 層3分別為光譜濾波器頂部層1〇4(即第一光譜純度增強 108032.doc -23- 1302992 層110)與多層堆疊頂部層103; tPq為用於從層p進入層q的平面波之透射的菲淫 射係數； λ為輪射之波長；以及 t為光譜濾波器頂部層104(即第一光譜純度增強層心 因此在該等具體實施例中t=d=dl)之厚度。 因此’應該選擇用於厚度的初始數值以便遵從關係式 ()右有必要’則可以藉由最小化用於具有多層堆疊的系 統之反射來執行另一實驗。對於第一光譜純度增強層110 之盡可能小的厚度dl而言（在此具體實施例中d=dl)，在一 具體貫施例中選擇第-光譜純度增強層110之折射率，以 便在第一光譜純度增強層110與多層堆疊102之多層堆疊頂 部層103之間之介面上的反射之振幅為較大並且由於在此 介面上的反射而引起的相移也為較大。在一具體實施例 中、，選擇層U0以便Q的大小（如等式（3)中所定義）係盡可能 接近1，在另一具體實施例中該大小係在1土0.05之範圍 内，並且3巧（())气1土〇〇5)*71 + 8*271)(其中3為一整數2〇)。對 於多重反射而言，此可能不再準確屬實，但是其仍為一良 好的選擇。在一具體實施例中，此可以藉由選擇下列項來 達到：用於第一光譜純度增強層11〇的材料ml，其折射率 之只數邛分（n)為盡可能大並且折射率之虛數部分汴）為盡 可能小；或由於透過用於第一光譜純度增強層11〇之既定 厚度dl的第一光譜純度增強層丨1〇之傳播引起的盡可能大 的往返程相移（arg(Q)=7r、3*π、5^等），此需要用於此層 108032.doc -24- 1302992 之材料的折射率之較大實數部分。 因此，依據本發明之一具體實施例，提供一多層鏡 ⑽’其中第-光譜純度增強層U0具有複折射率之虛二部 分h〇.25*n+1.07’其中n為複折射率之實數部分。依據本 考X明之另一具體貫施例，複折射率之實數部分係等於或大 於1.5並且複折射率之虛數部分係等於或小於2。在本發明 之另-具體實施例中，第-光譜純度增強層11()具有等於 或大於2的複折射率之實數部分並且複虛 係等於或小於…折射率此處指在一轄射波長二; 在選自100至400 nm的範圍（例如在1〇〇與2〇〇 nm之間）之一 輻射波長範圍内的折射率。例如，在需要減少具有i9〇 nm 之波長或130至190 nm之波長範圍内的輻射時，選擇材料 及層厚度’從而實行如本文說明的準則。 依據本發明之另一具體實施例，提供一多層鏡丨〇〇，其 包含a)—多層堆疊1〇2，該多層堆疊1〇2包含具有一多層堆 疊頂部層103之複數個交替層，以及b)配置在該多層堆疊 102上的一光瑨濾波器頂部層丨〇4，該光譜濾波器頂部層 1〇4包含：配置在該多層堆疊頂部層1〇3上並包含材料⑺丨且 具有層厚度dl的一第一光譜純度增強層11〇，其中該第一 光譜純度增強層110包含材料❿丨，其具有複折射率之虛數 部分h〇,25*n+1.07，其中11為複折射率之實數部分，並且 光譜濾波器頂部層U0具有在0.5與3〇 nm之間的層厚度 d 1 〇 依據本發明之另一具體實施例，提供一多層鏡丨〇〇，其 108032.doc -25· 1302992 包含a)—多層堆疊102，該多層堆疊1〇2包含具有一多層堆 璺頂部層1 03之複數個交替層，以及b)配置在該多層堆疊 1 02上的一光譜濾波裔頂部層丨〇4，該光譜濾波器頂部層 104包含配置在該多層堆疊頂部層1〇3上並包含材料且具 有層厚度dl的一第一光譜純度增強層11〇，其中該第一光 譜純度增強層110包含材料1111，其具有等於或大於2的複折 射率之貫數部分及等於或小於丨·6的複折射率之虛數部 分，亚且光譜濾波器頂部層11〇具有在〇 5與3〇 之間的 層厚度dl。 可以組合該等具體實施例。 依據本發明之另一具體實施例，提供一多層鏡1〇〇，其 中叹计光瑨濾波器頂部層i 〇4中包含的各層之層材料及層 厚度d(即第一光譜純度增強層11〇之材料㈤丨及層厚度以）以 便··最小化具有選自5至20 nm之第一波長範圍之一波長的 輻射之吸收及/或破壞性干擾，並且最大化具有選自1〇〇至 400 run之第二波長範圍之一波長的輻射之吸收及/或破壞 性干擾。 依據本發明之另一具體實施例，提供一多層鏡1〇〇，其 包含a)—多層堆疊1〇2，該多層堆疊1〇2包含具有一多層堆 $頂邛層103之複數個交替層，以及b)配置在該多層堆疊 1 02上的一光瑨濾波器頂部層丨〇4，該光譜濾波器頂部層 1〇4包含配置在該多層堆疊頂部層1〇3上並包含材料㈤丨且具 有層厚度dl的一第一光譜純度增強層110，其中該第一光 譜純度增強層110包含選自Si3N4、Si〇2、ZnS、Te、鑽 108032.doc -26- 1302992 石、Csl、Se、Sic、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、 PbF2、Zr*02、BaTi〇3、LiF或NaF的材料ml，並且光譜據 波器頂部層110具有在〇·5與30 nm之間的層厚度dl。 圖7與8顯示此具體實施例方面的另外變化，該等圖分別 描述用於光譜純度增強層1〇4(即11〇)的若干材料mi之選擇 對反射率的影響，以及Si#4之光譜純度增強層u〇之厚度d (即d 1)對反射率的影響。該等具體實施例係全部關於標準 50層Si/Mo多層鏡100，其具有某材料（例如si)之頂部層 103 °圖例中列舉的百分比提供用於13.5 nm EUV輻射的反 射率’ y軸上的數值指示反射率（*1〇〇%)。圖7顯示用於iQ〇 至200範圍之多層鏡1上的第一光譜純度增強層11 0之理論 範例。用於第一光譜純度增強層i丨〇的良好候選材料m丨之 具體實施例為非晶碳、鑽石、SiC& SiM4。模擬指示需要 目標波長中的高折射率與用於EUV的低吸收之組合（亦參 見以上說明）。所獲得的反射率曲線為用於多層鏡1〇〇(即多 層堆疊102)與光譜純度增強層ι〇4(即在該等具體實施例中 為第一光譜純度增強層110)的反射率曲線之組合。除此以 外’第一光譜純度增強層11 〇之反射率曲線還根據厚度而 發生變化（亦參見以上說明及圖6)。因此，具有最小反射率 的波長取決於第一光譜純度增強層110之厚度。圖8顯示將 Si#4用作第一光譜純度增強層110及具有變化的厚度心之 Si/Mo多層堆疊102的另一具體實施例。因此，在一具體實 她例中k供一多層鏡1 〇〇，其具有一光譜純度增強層1 ， 該層僅包含包括si#4的一第一光譜純度增強層11〇，該第 108032.doc -27- 1302992 一光譜純度增強層no具有在々與丨丨nm之間的層厚度“。 為了提供光譜純度增強層i 〇 4 (例如僅包含第—光譜純产 增強層11 〇的光譜純度增強層丨04)，可使用Lp_cvD曰、、’ p:_
CVD或其他技術。已藉由將㈣沉積於矽晶圓上以便在 實務中測試SPE層之原理而對型式進行研究。選擇丨$ 之 層厚度cU。對於此厚度而言，最低理論反射率為約^之 因此第-光譜純度增強層11G在此範圍内發揮的作用並非 很好’但是反射率損失足以能夠顯示原理的證明。使用橢 圓偏光法’沉積的Si3N4層11〇之厚度dl係決定為13 5⑽ (lp-cvd沉積時間為…剛，其具有約〇5⑽的估計 RMS表面糙度。 •圖9顯示與用於裸矽晶圓的測量反射率曲線相比，用於
Sl3N4塗布秒晶圓的測量反射率曲線。該圖還顯示從細得 出的理=曲線。顯《，實驗的第一光譜純度增強層ιι〇具 有/、汁#的數值之很好的一致，此證實光譜純度增強層 1〇4(在此具體實施例中為第—光譜純度增強層11G)之原理 可如預期發揮作用。 如圖8所示，在光譜純度增強層1〇4之頂部上可出現一覆 ，層1〇5。因此，依據本發明之另一具體實施例，提供一 夕層鏡100，其中光譜濾波器頂部層1〇4進一步包含第一光 譜純度增強層110之頂部上的-覆蓋層1〇5,其包含Ru並具 有在0.5與2.5 nm之間層厚度料。或者，在一具體實施例中 也可將其他材料用作覆蓋層1〇5，該冑其他材料如選自 BN B4C、B、C(例如鑽石狀碳卜TiN、pd、Rh、Au或 108032.doc -28- 1302992 qF4的一材料^^。在另一具體實施例中，第一光譜純度增 強層110係進一步用作覆蓋層105。如用作覆蓋層1〇5(即第 一光譜純度增強層U0同時為覆蓋層105)的合適材料㈤‘可 選自ShN4、Sic、MgF2或LiF。覆蓋層可提供對藉由自該 來源的粒子或其他粒子或出現在（例如）其中使用依據本發 明之多層鏡1〇〇之微影裝置中的氣體所進行的實體攻擊之 化學氧化的另一保護。因此，在另一具體實施例中提供一 多層鏡，其中光譜濾波器頂部層1〇4進一步包含在第一光 鲁 譜純度增強層之頂部上的一覆蓋層105，該覆蓋層1〇5 包含選自Ru、BN、B4C、B、C(例如鑽石狀碳）、TiN、
Pd、Rh、Au、C2F4、Si3N4、SiC、MgF^LiF 的材料 m4， 並且具有在〇·5與11 nm之間的層厚度d4。在一變化中，第 一光譜純度增強層110之材料ml包含不同於覆蓋層1〇5的材 料m4，例如ml為Si3N4而且m4為Ru。 圖10顯示與輻射之波長成函數關係的具有覆蓋層1〇5的 一具體實施例之一示範性反射（y軸*丨〇〇%)，該圖描述包含 籲 光譜純度增強層11〇上的Ru之覆蓋層1〇5對反射率的影響。 在一具體實施例中’假定藉由傳統多層鏡1〇〇進行的光 之垂直抑制在130與190 nm之間的DUV範圍内並不夠，並 且目前DUV強度需要減小至其目前功率的1〇%。存在可預 期用於EUV微影工具的典型數值。EUV微影系統通常包含 11 Si/Mo多層鏡。依據以上說明的具體實施例之第一光譜 純度增強層110將放置在該等鏡100之某一者上，例如放置 在多層堆疊頂部層103上，以便達到DUV範圍内的充分抑 108032.doc -29- 1302992 制使用第一光譜純度增強層110可提供選擇抑制及用於 EUV光之獲付的損失方面的靈活性。採用垂直光譜純度遽 波器，損失始終為約50%，但是在此情況下損失可以更 低。因為在130與190 nm之間的1)1^^範圍需要加以抑制， 所以在—具體實施例中選擇5疆Si3N4第-光譜純度增強 層 11 0 〇 圖11顯示用於增加數量（1至5)之第一光譜純度增強層 ιι〇(即包含種第一光譜純度增強層11〇的增加數量之多層 籲鏡1〇〇)的011¥光之抑制，並且還顯示DUV範圍内1〇〇/。反射 率的目標（水平虛線）。從圖U可以看出具有Ru覆蓋式5 nm ShN4第一光譜純度增強層11〇的二多層鏡可足以達到所要 UV抑制事貫上，採用二第一光譜純度增強層11 〇，對 於130至190 nm之範圍内的任何波長而言可將Duv減少到 低於5 /〇並且平均減少可以小到7%。由此引起的guv損 失可以藉由下列方式加以計算：將二垂直Ru覆蓋多層鏡 100之反射率（R〜75%/鏡，總匕。广56%)，與具有5 nm Si3N4 響第一光譜純度增強層110的二Ru覆蓋多層鏡⑽之反射率 (R〜63%/鏡，總Rtc)i〜4〇%)進行比較，從而產生由於第一光 譜純度增強層110引起對EU光之16%的損失。對於比較而 言，垂直光譜純度濾波器具有的5〇%損失。在將此處提供 的EUV損失與透過2x5 = 1〇 nm以3^層的吸收率進行比較 時，損失為6%/多層鏡i，此表示多層鏡1的反射率應該為 69〇/。而非所計算的63%。此額外的Euv損失係由於針對 EUV波長出現的干擾效應所致。為了消除此損失，可以將 108032.doc -30- 1302992
Si3N4層***成二部分’中間***（例如）m〇層。在如此處 理時，用於鏡的計算之EUV反射率為68%，其完全與第一 光譜純度增強層110中的EUV吸收一致。此將在以丁于本 發明之另一方面加以闡明。 可以計算具有與垂直光譜濾波器（N〇SpE) 一樣的損失 (50%)之第一光譜純度增強層11〇的數量：
R V -认 euv，spe D Κ^ευν,ΝΟΞΡΕ 0.5=>Χ l〇g(〇>5) log
R
EUV.SPE log(0.5) 一 log(〇.84)
R
EUV,N0SPE
此表示採用四垂直第一光譜純度增強層11〇，用於EuV 的總損失為50%，而平均DUV減少可小到〇·7%(約二等 、及）若未將Ru覆盍層105用在垂直第一光譜純度增強層 之頂部上，例如因為第一光譜純度增強層11〇本身可以 作為一覆盍層，則可以將總共6第一光譜純度增強層丨1 〇用 於5〇%之相同損失，從而提供小到0.012%(約四等級）的平 均DUV抑制。
在一具體實施例中，依據本發明之多層鏡1〇〇為一垂直 入射鏡，其係配置成反射具有選自5至2〇 nm之第一波長範 圍的一波長之輻射。在另一具體實施例中，依據本發明之 多層鏡100為一垂直入射si/Mo多層鏡，其係配置成反射具 有選自12至15 nm之波長範圍的一波長之輻射，例如13·5 nm EUV輻射。 依據本么明之另一方面，提供（例如）如以上說明的一微 影裝置，其包含如以上說明並如圖軋與5中示意性地描述之 108032.doc -31 - 1302992 一或多個多層鏡100。因此’另一方面，本發明還提供藉 由反射一鏡上的來源之一輻射光束之至少部分，加大在發 射二波長範圍中的輻射之一來源的一輻射光束中具有選自 5至20 nm的第一波長範圍之一波長的輻射及具有選自 至400 nm的第二波長範圍之一波長的韓射之比值之方法。 如上所述，在另一具體實施例中，微影裝置包含依據本 發明之二或多個多層鏡100，其係放置為由來源S〇產生之 輻射光束中的垂直入射鏡。因此在一具體實施例中，提供 Φ 一微影裝置及/或方法，其中使用依據本發明之複數個多 層鏡100(例如在另一具體實施例中使用二或多個多層鏡）， 並且其中在由一來源產生之輻射光束中離該來源最近的多 層鏡之反射輻射係分別反射在一或多個後續多層鏡i 上。 依據另一具體實施例，提供一微影裝置及/或方法，其 中微影裝置包含如以上說明的複數個多層鏡丨〇〇，並且其 中分別設計層104(即第一光譜純度增強層11〇)之材料mi& 鲁不同多層鏡1〇〇之光譜渡波器頂部層104中包含的層ιι〇之 層厚度d(即dl)以便：最小化具有選自5至2〇 nm的第一波 長範圍之一波長的輻射之吸收及/或破壞性干擾；以及最 大化具有選自100至400 nm的波長範圍之實質部分之一波 長的輻射之吸收及/或破壞性干擾。 藉由使用依據本發明之若干多層鏡1〇〇，其中對於第一 光譜純度增強層11〇而言多層鏡在厚度dl或材料mi或二方 面分別發生變化，可以調譜不要波長之渡出以便實質上不 108032.doc -32-
加大在發射二波長範圍 有選自5至20 nm的一第 選自100至400 nm的一 值0 1302992 έ減J (例如）在5與20 nm之間的所要波長（例如關於沒有此 類第一光譜純度增強層110的相同多層鏡之少於約50%的減 少）’然而實質上減少DUV輻射（例如關於沒有此類第一光 譜純度增強層110的相同多層鏡之90%、或約95%或甚至約 99%或更多的減少）。此類減少可在一具體實施例中應用於 100至400 nm之範圍的實質部分，例如對1〇〇與4〇〇 之間 的波長範圍之15%(即波長範圍之至少約15%)而言，在波 長範圍之此約15%部分的情況下，輻射減少為至少約9〇% 的總輻射。在一具體實施例中，至少該具有約13〇與19〇 nm之間的波長之輻射減少約90%或更多。 在-具體實施例中，一或多個多層鏡100可供應設計用 以減少具有100至200 nm之範圍内的一波長之輻射的一光 譜純度增強層1()4 ’並且-或多個多層鏡⑽可供應設計用 以減少具有200至300 nm之範圍内的一波長之輻射的一光 譜純度增強層1 04。 依據本發明之另-方面，提供—器件制方法，其包含提 供-輻射光束；圖案化該輕射光束；將該圖案化輻射光束 投影至-基板之-目標部分上；藉由反射在依據如以上說 明的具體實施例之-鏡上的來源之㈣光束之至少部分， 内的輻射之來源的一輻射光束中具 一波長範圍之一波長的輻射及具有 第二波長範圍之一波長的輻射之比 如上所述，可使用具有第_ 光言晋純度增強層11 0的若干 108032.doc -33 - 1302992 多層鏡100。或者，依據本發明之另一方面並如圖4a所示 意性地描述，提供一多層鏡100，其包含a)一多層堆疊 102，該多層堆疊1〇2包含具有一多層堆疊頂部層1〇3之複 數個交替層，以及b)配置在該多層堆疊1〇3上的一光譜濾 波器頂部層104，該光譜濾波器頂部層1〇4包含包括材料ml 且具有層厚度dl之一第一光譜純度增強層11〇;包含材料 m2且具有層厚度d2之一中間層U1 :包含材料1113且具有層 厚度d3之一弟一光睹純度增強層112，該第二光譜純度增 強層112係配置在該多層堆疊頂部層1 〇3上。 如上所述，在具有單一光譜純度增強層丨丨〇的以上具體 實施例中，可能存在由於針對EUV波長出現的干擾效應而 引起的額外EUV損失。可決定第一光譜純度增強層J丨〇之 厚度，因此EUV中的干擾不會提供負面影響（參見具有僅 包含第一光譜純度增強層11 〇的光譜純度增強層1 〇4之以上 具體實施例），例如用於EUV區域中的干擾之厚度不會出 現（例如7 nm ShN4層可能不會具有由於EUV干擾引起的損 失），或可選擇二者之間的額外層111，此係說明在該具體 實施例中（光譜濾波器頂部層1 〇4包含第一光譜純度增強層 1 1 0 ’弟一光晴純度增強層112及中間層111)。 因此’為了消除或最小化可能的EUV干擾損失，依據本 發明之該具體實施例，將第一光譜純度增強層11〇(例如 Si3N4)「***」成二部分，gp第一光譜純度增強層11〇與第 二光譜純度增強層112，二者之間***中間層1U(例如 Mo)。此可能會導致干擾損失的減少。在如此處理時，用 108032.doc -34- 1302992 於鏡1〇〇(例如為ShN4)的計算之EUV反射率為68%，其完全 與第一光譜純度增強層11 0中的EUV吸收一致。 參考圖11，虛線曲線代表下列情況：13〇 :具有***式 光譜純度增強層之2鏡；13丨··具有***式光譜純度增強層 之3鏡，132 :具有***式光譜純度增強層之4鏡；丨33 :具 有为裂式光谱純度增強層之5鏡。在本文中，***式光言普 純度增強層指圖4a所描述的具體實施例：一個第一光譜純 度增強層11 0，及中間層111與一第二光譜純度增強層 112。圖11顯示如實線曲線所示相同的計算（即一或多個多 層鏡100，每層具有僅包含一第一光譜純度增強層11〇的一 光譜純度增強層104)，但是在此情況下2·5 nm Si3N4之第一 光谱純度增強層110後隨2 nm Mo之中間層111，後隨2·5 nm Si#4之一第二光譜純度增強層112，及後隨2.5 nm ru 覆盍層1 05。曲線看起來很相似，但是虛線曲線具有略微 少的DUV抑制並且係略微偏移至較短波長。在此情況下， 可能需要具有此具體實施例之光譜純度增強層（***層）的 三多層鏡100以便達到低於10%的抑制，但是總損失會更 低，即在小到3.4%的平均DUV抑制情況下為11%的EIjv損 失（二Ru覆盍鏡RtQt〜42% ; 3 Mo***式光譜純度增強層 110及 112 Ru覆蓋鏡 Rt()t 〜31%)。 如上所述’在採用四垂直第一光譜純度增強層1丨〇時， 用於EUV的總損失為50%，而平均DUV減少可小到0.7%(約 二等級）。然而，對於本發明之Μ〇***式第一光譜純度增 強層而吕’可以使用最多七光譜純度增強層1 1 〇 + 1 1 2 (即七 108032.doc •35- 1302992 光譜純度增強層104，每個增強層包含層110、m&112， 並且每個增強層係分別配置在不同多層鏡100上），平均 DUV抑制可小到〇 〇6%(約三等級）。在另一具體實施例 中’厚度dl+d2係接近與如以上說明之具體實施例中提供 且如表1之具體實施例中指示的厚度d 1相同。 該具體實施例可使用Ru覆蓋層105。 依據本發明之另一具體實施例，提供一多層鏡100，其 包含a)—多層堆疊102,該多層堆疊1〇2包含具有一多層堆 • 豐頂部層103之複數個交替層，以及b)配置在該多層堆疊 102上的一光譜濾波器頂部層1〇4，該光譜濾波器頂部層 104包含包括材料ml且具有層厚度dl之一第一光譜純度增 強層110;包含材料!!^且具有層厚度C之一中間層in;包 含材料m3且具有層厚度d3之一第二光譜純度增強層112， ό亥苐一光譜純度增強層112係配置在該多層堆疊頂部層1 〇3 上’其中該第一光譜純度增強層110及該第二光譜純度增 強層112單獨包含選自si3N4、Si02、ZnS、Te、鑽石、 • Csl、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti02、Ge、PbF2、 Zi:02、BaTi03、LiF或NaF之一材料（分別為以及m3)，並 且該中間層111包含不同於自第一光譜純度增強層no及第 二光譜純度增強層112之材料ml及m3的一材料m2，而且該 光譜濾波器頂部層104具有在2.5與40 nm之間的層厚度 d=dl+d2+d3 〇 在一具體實施例中，多層鏡100進一步視需要包含第一 光譜增強層104之頂部上的一覆蓋層1〇5，其包含Ru且具有 108032.doc -36- 1302992 在〇·5與2.5 nm之間的層厚度d4。 在另一具體實施例中，本發明提供一多層鏡1 〇〇，其中 該中間層包含一金屬。在另一具體實施例中，提供一多層 鏡100，其中該中間層包含選自Be、B、C、Si、P、S、 K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、La、
Ce、pr、pa或U的材料m2。 依據本發明之一具體實施例，提供一多層鏡丨〇〇，其中 第一光譜純度增強層110及第二光譜純度增強層n2具有複 鲁 折射率之虛數部分k $ 〇·25*η+1·〇7，其中n為複折射率之 實數部分。依據本發明之另一具體實施例，複折射率之實 數部分係等於或大於1 ·5並且複折射率之虛數部分係等於 或小於2。在另一具體實施例中，第一光譜純度增強層11〇 及第二光譜純度增強層丨12具有等於或大於2的複折射率之 貫數部分並且複折射率之虛數部分係等於或小於丨·6。折 射率此處指在一輻射波長情況下或在選自100至400 nm的 範圍（並且在一具體實施例中於100與200 nm之間）之一輻 射波長範圍内的折射率。例如，在減少具有19〇 nm之波長 或130至190 nm之波長範圍内的輻射時，選擇個別層的材 料及層厚度，從而實行如本文說明的準則。 因此，依據本發明之一替代具體實施例，提供一多層鏡 100其包含a) 一多層堆疊102，該多層堆疊102包含具有 夕層堆頂部層i 〇3之複數個交替層，以及…配置在該 夕層堆$ 102上的一光譜濾波器頂部層104，該光譜濾波器 頂4層104包含包括材料—且具有層厚度以之一第一光譜 108032.doc -37· 1302992 純度增強層11();包含材料m2且具有層厚度d2之一中間層 in，包含材料1113且具有層厚度们之一第二光譜純度增強 層112 亥第二光譜純度增強層112係配置在該多層堆疊頂 邛層103上，其中該第一光譜純度增強層110及該第二光譜 、、屯度牦強層112單獨包含一材料（分別為ml及m3)，其具有 禝折射率之虛數部分k《〇·25*η+1·07，其中n為複折射率 之貝數口^刀，该中間層111包含不同於自第一光譜純度增 強層110及第二光譜純度增強層112之材料ml&m3的一材 料m2，而且該光譜濾波器頂部層1〇4具有在25與4〇 之 間的層厚度d=dl+d2 + d3。 因此，依據本發明之另一具體實施例，提供一多層鏡 ，其包含a)—多層堆疊1〇2，該多層堆疊1〇2包含具有 一多層堆疊頂部層103之複數個交替層，以及…配置在該 多層堆疊102上的一光譜濾波器頂部層1〇4，該光譜濾波器 頂部層104包含包括材料ml且具有層厚度以之一第一光譜 、’、屯度牦強層11 0 ,包含材料m2且具有層厚度们之一中間層 H1,包含材料m3且具有層厚度们之一第二光譜純度增強 層112，該第二光譜純度增強層112係配置在該多層堆疊頂 部層103上，其中該第一光譜純度增強層11〇及該第二光譜 純度增強層112單獨包含一材料（分別為—及㈤])，其具有 等於或大於2的複折射率之實數部分並且複折射率之虛數 邛刀係專於或小於1 · 6，該中間層111包含不同於自第一光 譜純度增強層110及第二光譜純度增強層112之材料…及 m3的一材料m2，而且該光譜濾波器頂部層1〇4具有在2·5與 108032.doc -38· 1302992 40 nm之間的層厚度扣dl+d2+d3。 可以組合上述具體實施例。 在另一具體實施例中，提供一多層鏡1〇〇，其中設計光 譜濾波器頂部層中包含的各層之層材料（分別為ml、m2& m3)與層厚度（分別為dl、们及d3)，以便最小化具有選自5 至20 nm之第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞 性干擾，並且最大化具有選自1〇〇至4〇〇 nm之第二波長範 圍的一波長之輪射的吸收及/或破壞性干擾。 在一具體實施例中，提供一多層鏡1〇〇，其中第一光譜 純度增強層110及第二光譜純度增強層112包含Si3N4，每個 增強層單獨分別具有在丨.5與3·5 nm之間的層厚度以及们， 亚且其中中間層Π1包含M〇，其具有在丨與3 ^❿之間的層 厚度d2。替代具體實施例可具有相同的尺寸但是…及^^ 分別單獨選自叫队、Si02、ZnS、Te、鑽石、CsI、Se、 SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、pbF2、心〇2、 BaTi03、LiF 或 NaF。 在一具體實施例中，依據本發明之多層鏡100為一垂直 入射鏡，其係配置成反射具有選自5至20 nm之第一波長範 圍的一波長之輻射。在另一具體實施例中，依據本發明之 多層鏡100為一垂直入射Si/Mo多層鏡，其係配置成反射具 有選自12至15 nm之波長範圍的一波長之輻射，例如13 5 nm EUV輻射。 依據本發明之另一方面，提供（例如）如以上說明的一微 影裝置’其包含如以上說明並如圖4a中示意性地描述之一 108032.doc -39- 1302992 或多個多層鏡100。因此，另一方面，本發明還提供藉由 反射依據此具體實施例之一鏡上的來源之一輕射光束之至 少部分’加大在發射二波長範圍中的輻射之一來源的一輕 射光束中具有選自5至20 nm的第一波長範圍之一波長的轄 射及具有選自100至400 nm的第二波長範圍之一波長的賴 射之比值之方法。 如上所述，在另一具體實施例中，微影裝置包含依據本 發明之二或多個多層鏡100，其係放置為由來源S0產生之 鲁 輻射中的垂直入射鏡。因此在一具體實施例中，提供一微 〜衣置及/或方法，其中使用依據本發明之複數個多層鏡 1〇〇(例如在另一具體實施例中使用二或多個多層鏡），並且 其中在由一來源產生之輻射光束中離該來源最近的多層鏡 之反射輕射係分別反射在一或多個後續多層鏡i 〇〇上。 依據另一具體實施例，提供一微影裝置及/或方法，其 中該微影裝置包含如以上說明的複數個多層鏡1〇〇，並且 其中設計在光譜純度增強層104中分別包含的第一光譜純 度增強層110、中間層lu及第二光譜純度增強層112之個 自材料ml、m2及m3與在不同多層鏡1〇〇之光譜濾波器頂部 層104中分別包含的層110、ln及112之個自層厚度di、们 及d3，以最小化具有選自5至20 nm之第一波長範圍的一波 長之輻射的吸收及/或破壞性干擾，並且最大化具有選自 1〇〇至4〇〇 nm之第二波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或 破壞性干擾。 藉由使用依據本發明之若干多層鏡1〇〇，其中該等多層 108032.doc -40- 1302992 鏡在分別用於第一光譜純度增強層110、第二光譜純度增 強層112及中間層111的厚度dl、d2及d3或材料mi、m2及 m3或層厚度及材料方面發生變化，可調諧不要波長之遽出 以便實質上不會減少（例如）具有5與20 nm之間的波長之所 要輻射（例如關於沒有由中間層111分開的此類第一光譜純 度增強層110及第二光譜純度增強層112之50%的減少；即 沒有如圖4a所示的此類光譜純度增強層ι〇4之相同多層 鏡），然而實質上減少DUV輻射（例如關於沒有如圖4a所示 的此類光禮純度增強層1 0 4之相同多層鏡之9 〇 %、或約9 5 % 或甚至約99%的減少）。此輻射減少較佳在一具體實施例中 應用於100至400 nm之波長範圍的實質部分，例如1〇〇至 400 nm之間的波長範圍之15%。在一具體實施例中，至少 該具有約130與190 nm之間的波長之輻射減少約9〇%或更 多0
在-具體實施例中，-或多個多層鏡⑽可供應設計用 以減少具有100至200 nm之範圍内的一波長之輻射的一光 譜純度增強層H)4,並且-或多個多層鏡1()()可供應設計用 以減少具有200至300 nm之範圍内的一波長之輻射的一光 譜純度增強層104。 依據本發明之另一方面，提供一器件制方法，A包含提 供一輻射光束；圖案化該輻射光束；將該圖案化輕射光束 投影至-基板之-目標部分上；藉由反射在依據如以上說 明的具體實施例之-鏡上的來源之㈣光束之至少部分， 加大在發射二波長範圍内的輻射之來源的一輕射光束中具 I08032.doc -41 - 1302992 有選自5至20 nm的一第一波長範圍之一波長的輻射及具有 選自100至400 nm的一第二波長範圍之一波長的輻射之比 值。 參考以上說明的具體實施例，存在另一 r中間」具體實 施例，其中光譜純度增強層1 〇4僅包含一第一光譜純度增 強層110及一中間層111，其中將後者定位在多層堆疊頂部 層103上。因此，依據本發明之另一方面並如圖4a所示意 性地描述’提供一多層鏡1〇〇，其包含a) 一多層堆疊1〇2， 該多層堆疊102包含具有一多層堆疊頂部層1〇3之複數個交 替層’以及b)配置在該多層堆疊1 〇3上的一光譜濾波器頂 部層104，該光譜濾波器頂部層ι〇4包含包括材料ml且具有 層厚度dl之一第一光譜純度增強層n〇;包含材料^2且具 有層厚度d2之一中間層1丨i，該中間層i丨丨係配置在該多層 堆疊頂部層103上。 本發明可與可選覆蓋層1〇5(例如具有〇 5與2·5 nm之間的 層厚度d4之RU)組合。因此，在一具體實施例中，多層鏡 100進一步視需要包含第一光譜增強層104之頂部上的一覆 蓋層105，其包含尺^^且具有在〇.5與2·5 之間的層厚度 d4 〇 依據本發明之另一具體實施例，提供一多層鏡100，其 包含a)—多層堆疊1〇2，該多層堆疊1〇2包含具有一多層堆 疊頂部層103之複數個交替層，以及b)配置在該多層堆疊 102上的光瑨濾波器頂部層104，該光譜濾波器頂部層 1〇4包含包括材料ml且具有層厚度以的一第一光譜純度增 108032.doc -42- 1302992 強層110 ;包含材料m2且具有層厚度d2的一中間層111，該 中間層111係配置在該多層堆疊頂部層1 〇3上，其中該第一 光譜純度增強層110包含選自Si3N4、Si02、ZnS、Te、鑽 石、Csl、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti02、Ge ' PbF2、Zr02、BaTi03、LiF 或 NaF的材料 ml，該中間層 111 包含不同於第一光譜純度增強層110之材料ml的材料m2， 並且該光譜濾波器頂部層104具有在2.5與4〇 nm之間的層 厚度 d=d 1 +d2 〇
在另一具體實施例中，本發明提供一多層鏡1〇〇，其中 該中間層111包含一金屬。在另一具體實施例中，提供一 多層鏡100，其中該中間層1U包含選自Be、B、C、Si、 P、S、K、Ca、Sc、Βι*、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ba、
La、Ce、Pr、卩&或1；的材料m2。 依據本發明之一具體實施例，提供一多層鏡100,其中 第一光譜純度增強層110具有複折射率之虛數部分 k_0.25 n+1.07 ’其中n為複折射率之實數部分。依據本發 明之另一具體實施例，複折射率之實數部分係等於或大於 1.5並且複折射率之虛數部分係等於或小於2。在另一且體 中，第-光譜純度增強心。具有等於或大於观 二率之實數部分，並且複折射率之虛數部分係等於或小 、率此處指在-輻射波長情況下或在選自100至 400 nm的範圍（並且在—且 、目100至 門）之r 4 體只靶例中於1〇〇與2〇〇打瓜之 間）之4射波長範圍内的折射率。例如，在減少9〇 nm2波長或130至190 nm之波县 ，、 長乾圍内的輻射時，選擇個 108032.doc -43. 1302992 別層的材料及層厚度’從而實行如本文說明的準則。 因此’依據本發明之—替代具體實施例，提供—多層鏡 100，其包含a)一多層堆疊102 ’該多層堆疊1〇2包含具有 一多層堆疊頂部層1 〇3夕％ i h 之複數個父替層，以及b)配置在該 夕層堆3： 102上的-光譜濾、波器頂部層1〇4，該光譜遽波器 頂4層104包含包括材料ml且具有層厚度以的一第一光譜 純度增強層U0;包含材料m2且具有層厚度们的一中間層 111 該中間層111係配置在該多層堆疊頂部層1〇3上，其 中該第-光譜純度増強層11〇包含材料mi，其具有複折射 率之虛數部分kl25*n+1()7, n為複折射率之實數部分， 該中間層⑴包含不同於第—光譜純度增強層m之材料^ 的材料爪2，並且該光譜濾波器頂部層1〇4具有在2.5與40 nm之間的層厚度d==dl+d2。 因此依據本發明之另一替代具體實施例，提供一多層 鏡1〇0 ’其包含a)—多層堆疊1G2，該多層堆疊1G2包含具 有一多層堆疊頂部層1〇3之複數個交制，以及b)配置: ^多層堆疊⑽上的一光譜濾波器頂部層HM，該光譜渡波 态頂邛層104包含包括材料ml且具有層厚度心的一第一光 邊純度增強層UG;包含材料m2且具有層厚度d2的-中間 曰 "亥中間層111係配置在該多層堆疊頂部層1 〇3上， ^中Λ第光瑨純度增強層11 0包含材料m 1，其具有等於 或：於2的複折射率之實數部分並且複折射率之虛數部分 係寻於或小於1>6，其中該中間層lu包含不同於第一光譜 又曰強層110之材料ml的材料m2&且該光譜濾波器頂部 108032.doc -44- 1302992 層104具有在2.5與40 nm之間的層厚度d=dl+d2。 可以組合上述具體實施例。 在另一具體實施例中，提供一多層鏡1 00，其中設計光 譜濾波器頂部層中包含的各層之層材料（分別為瓜丨及㈤])與 層厚度（分別為dl及d2)，以便最小化具有選自5至2〇 nm之 第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干擾， 並且最大化具有選自100至4〇〇 nmi第二波長範圍的一波 長之輻射的吸收及/或破壞性干擾。 在一具體實施例中，提供一多層鏡丨〇〇，其中第一光譜 純度增強層Π0包含Si^4,其具有在4與i nm之間的層^ 度dl，並且其中中間層lu包含M〇，其具有在1與3 之 間的層厚度d2。 在一具體實施例中，依據本發明之多層鏡1〇〇為一垂直 nm之第一波長範
入射鏡，其係配置成反射具有選自5至20 圍的一波長之輻射。在另一具體實施例τ 多層鏡100為一垂直入射Si/Μο多層鏡，J 有選自12至1 5 nm之浊喜銘m _ a e
至20 nm的第一波長範圍之一 承的一輻射光束中具有選自5 波長的輻射及具有選自100至 108032.doc -45- 1302992 400 nm的第二波長範圍之一波長的輻射之比值之方法。 如上所述，在另一具體實施例中，微影裝置包含依據本 發明之二或多個多層鏡100，其係放置為由來源s〇產生之 輻射中的垂直入射鏡。因此提供一微影裝置及/或方法， 其中使用依據本發明之複數個多層鏡100(例如在另一具體 實施例中使用二或多個多層鏡），並且其中在由一來源產 生之輻射光束中離該來源最近的多層鏡之反射輻射係分別 反射在一或多個後續多層鏡1〇〇上。 春 依據另一具體實施例，提供一微影裝置及/或方法，其 中该微影裝置包含如以上說明的複數個多層鏡丨00，並且 其中設計在光譜純度增強層i 04中分別包含的第一光譜純 度增強層110及中間層111之個自的材料瓜丨及^^^與在不同 多層鏡100之光譜濾波器頂部層104中分 ⑴之個自的層厚度咖，以最小化具有選自5至二 之第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干 擾，亚且最大化具有選自100至4〇〇 nm之第二波長範圍之 實質部分的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干擾。 藉由使用依據本發明之若干多層鏡1〇〇，其中對於第一 光譜純度增強層110及中間層lu而言多層鏡在厚度di&d2 或材料ml&m2或層厚度及材料方面分別發生變化，可以 調諧不要波長之濾出以便實質上不會減小（例如）在5與2〇 nm之間的所要波長（例如關於沒有此類第一光譜純度增強 層110的相同多層鏡之少於約5〇%的減少），然而實質上減 少DUV輻射（例如關於沒有如圖物所示之此類第一光譜純 108032.doc -46- 1302992 度增強層104的相同多層鏡之9〇%，或約95%或甚至約99% 或更多的減少）°此輻射減少可在一具體實施例中應用於 100至400 nm之波長範圍的實質部分，例如1〇〇至4〇〇 nm之 間的波長範圍之約15%。在一具體實施例中，至少該具有 約130與190 nm之間的波長之輻射減少約9〇%或更多。 在一具體實施例中，一或多個多層鏡i〇〇可供應設計用 以減少具有100至200 nm之範圍内的一波長之輻射的一光 碏純度增強層1 04，並且一或多個多層鏡1 〇〇可供應設計用 以減少具有200至300 nm之範圍内的一波長之轄射的一光 譜純度增強層104。 依據本發明之另一方面，提供一器件制方法，其包含使 用R?、明糸統提供一輪射光束；圖案化該輻射光束；將該圖 案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；藉由反射在 依據如以上說明的具體實施例之一鏡上的來源之輻射光束 之至少部分，加大在發射二波長範圍内的輕射之來源的一 輻射中，具有選自5至20 nm的一第一波長範圍之一波長的 輕射及具有選自100至400 nm的一第二波長範圍之—波長 的輻射之比值。 依據本發明之另一方面，提供一微影裝置，加大所要輕 射（EUV)與不要輻射（DUV)之比值之方法及/或器件製造方 法，其中使用選自如以上說明的三具體實施例之二或多個 多層鏡100。在一具體實施例中，一或多個多層鏡1〇〇可供 應設計用以減少具有100至200 nm之範圍内的一波長之幸3 射的一光譜純度增強層104，並且一或多個多層鏡1〇〇可供 108032.doc -47- 1302992 應設计用以減少具有200至300 nm之範圍内的一波長之輻 射的一光譜純度增強層1 〇4。 除以上說明的具體實施例以外，還可應用第一光譜純度 增強層11 0、中間層丨Π及第二光譜純度增強導丨丨2之一堆 疊。例如，此堆疊可以為多層鏡1〇〇，其包含一多層堆疊 1 02 ’该多層堆疊在多層堆疊頂部層1 〇3之頂部上具有選自 下列層堆4:之一或多項（其中第一（最左側）數字代表配置在 多層堆疊頂部層103上的層，並且其中n表示重複層組合之 _ 數買）· （110/111)η 、 （111/110)η 、 （ιι〇/ιπ)η/ιι〇 及 (111/110)η/110。此外，可將一覆蓋層1〇5提供在最終層（最 後（最右側）數字）上，例如示意生地表示為： 102/(110/111)η/ΐι〇/ι〇5。
如上所述，多層鏡1〇〇可包含一多層（鏡）堆疊1〇2(例如包 含若干交替Mo/Si或W/Si或WRe/Si)，或其他類型的多層堆 豐，其中多層堆疊頂部層1〇3可包含（例如）M〇、si、臂或 WRe等。在此多層堆疊頂部層1 〇3之頂部上配置依據本發 明之光谱遽波器頂部層1 〇 4，其可進一步視需要採用一覆 盍層105加以覆盍’該覆蓋層包含選自Ru、bn、B4C、B、 C(例如鑽石狀碳）、丁以、Pd、Rh、Au、C2F4、、 SiC、MgF2或LiF的材料，其具有在〇 5與丨丨nm之間的層厚 度。在一具體實施例中，覆蓋層105之材料m4並非與第一 光δ晋純度增強層11 0之材料m 1相同的材料。在另一具體實 施例中’材料m4係選自ru、BN、b4c、b、C(例如鑽石狀 石反）、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、Si3N4、SiC、MgF2 或 LiF 108032.doc -48 - 1302992 或合金或該等材料之二種的多層。在上述具體實施例之一 變化中’覆蓋層105包含Ru，其具有在0.5與2.5 nm之間的 層厚度d4。 然而，在一替代具體實施例中，此多層堆疊頂部層1 〇3 並非代表多層堆疊102的各層之一，而代表一覆蓋層，包 含選自Ru、BN、B4C、B、C(如鑽石狀碳）、TiN、Pd、 Rh、An、C2F4、Si3N4、SiC、MgF2 或 LiF 的材料 m5，其具 有在0·5與11 nm之間的層厚度d5。例如參考圖3、4&至4()及 5’多層鏡100包含a)一多層鏡堆疊1〇2，該多層堆疊1〇2包 含具有一多層堆疊頂部層1〇3之複數個交替層，其中該多 層堆疊頂部層103代表一覆蓋層（具有層厚度d5)，以及b)配 置在該多層堆疊1〇2上的一光譜濾波器頂部層1〇4，其中此 光譜滤波器頂部層1 〇4為依據以上說明的具體實施例之一 的一光譜濾、波器頂部層丨04。在一具體實施例中，覆蓋層/ 多層堆疊頂部層103之材料m5並非與第一光譜純度增強層 110之材料ml相同的材料。 在一變化中’提供一多層鏡1〇〇，其包含·· a) 一多層堆 疊102 ’該多層堆疊1〇2包含具有一多層堆疊頂部層1〇3之 複數個交替層，其中多層堆疊頂部層103代表一覆蓋層， 以及b)配置在該多層堆疊ι〇2上的一光譜濾波器頂部層 104 ’該光譜據波器頂部層ι〇4包含配置在該多層堆疊頂部 層103上並包括材料ml且具有層厚度dl之一第一光譜純度 增強層110 ’其中該第一光譜純度增強層u〇包含選自 Si3N4、Si02、ZnS、Te、鑽石、CsI、Se、sic、非晶碳、 108032.doc -49- 1302992
MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、PbF2、Zr〇2、BaTi〇3、LiF 或
NaF的材料rn 1 ’该弟一光譜純度增強層11 〇具有在〇. $與3 〇 nm之間的層厚度d 1，並且該覆蓋層包含選自Rll、BN、 B4C、B、C(例如鑽石狀碳）、TiN、Pd、Rh、Au、C2F4、 Si3N4、SiC、MgF2或LiF的材料m5，其具有在〇·5與11 nm 之間的層厚度。 在一變化中，多層堆疊層103包含Ru且具有在0.5與2.5 nm之間的層厚度d5。光譜濾波器頂部層110在一具體實施 例中包含4至11 nm Si3N4(m5)之層厚度dl，並且在一變化 中包含5至7 nm Si3N4(m5)之層厚度。 在一具體實施例中，可出現一第二覆蓋層丨〇5，其係配 置在光谱遽波為、頂部層1 〇 4上（如圖3及4 a所示）。 光譜純度增強層104適合於抑制某目標波長範圍（例如在 13 0與190 nm之間的DUV範圍）内的光。 使用具有包含（例如）RU的覆蓋層1 05之光譜純度增強層 104的一鏡’可以在從GO到190 nm的DUV區域中達到1級 以上的典型抑制。在沒有Ru覆蓋層1 〇5的情況下，可以採 用較低的損失達到更佳的抑制。 EUV損失可藉由下列方式加以減少：將光譜純度增強層 104分成二部分’如以上說明並在圖4a中示意性地描述。 光譜純度增強層104還可以作為一覆蓋層以保護多層鏡 1〇〇免遭氧化。 不同材料可以用於不同波長。 不同光错純度增強層104可用於不同鏡以便達到較寬的 108032.doc -50- 1302992 吸收犯圍（具有不同材料），或較強的抑制（採用與光譜純度 增強層相同的材料）。 、光谱純度增強層1G4通常不會因除目標波長範圍以外的 波長而導致用額外反射率。 光譜純度增強層104的使用具有高靈活性的優點，因為 可以根據所需要抑制來選擇光譜純度增強層1〇4的數量(及 因此其損失）。 在設計成沒有光譜純度濾波器的EUV微影系統中，可在 任何時間添加光譜純度增強層1 〇4。 雖然本文參考製造積體電路1C時使用的微影裝置，但應 瞭解本文說明的微影裝置可具有其他應用，例如製造整合 型光學系統、用於磁疇記憶體的導引及偵測圖案、平板顯 不器、液晶顯示（LCD)、薄膜磁頭等。應瞭解在此類替代 應用的背景下，本文所用的任何術語「晶圓」或「晶粒」 可視為分別與更一般的術語「基板」或「目標部分」同 義。本文所參考的基板可在曝光之前或之後，在（例如）循 跡（通常將光阻層施加於基板上並顯影經曝光的光阻之工 具）度里衡工具及/或檢驗工具中進行處理。在適用的情 況下’本文的揭示案可應用於此類及其他基板處理工具。 此外，可多次處理基板，（例如）以便建立一多層Ic，因此 本文所使用的術語基板還可指已包含多個處理層之基板。 雖然以上已在光學微影之背景下參考本發明之具體實施 例的使用，但是應瞭解本發明可用於其他應用（例如壓印 微影），並且在背景允許的情況下不限於光學微影。在壓 108032.doc -51 - 1302992 印微影中，圖幸J|L哭、γ土士 «案化為件中的佈局可定義基 案。可將該圖荦仆哭政+ & Ρ广 心儿的圖 η时件之佈局壓印到施加至基板之—声井 ，然後藉由施加電磁輻射、哉 該#阳。* Α 耵熟、壓力或其組合來固化 : ^仔到固化後’從光阻中移出圖案化器件，
仗而在其中留下一圖案。 T 雖然以上已說明本發明之且齅者 一人 之具體汽施丫列，但是應瞭解可以 採用除㈣明的方式以外之方式來實施本發明。例如，本 ^明可如取以下形式··一電腦程式，其包含說明如上面揭 不的方法之機器可讀取指令之一 ^ 在士曾 飞夕個序列，或一賢料儲 存某體（如+ ¥體記憶體、磁碟或光碟），其具有儲存於盆 中的此類電腦程式。 ’、 以上說明係預期為說明性而非限制性。因此，熟習技術 =士應=白可對本發明進行修改，而不銳離以下提出的申 料利範圍之範嘴。此外，應瞭解可以組合以上說明的具 體實施例。 可選擇除選自 Si3N4、Si〇2、znS、Te、鑽石、CsI、Se、 SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、以、抑匕、Zr〇2、
BaTi〇3、LiF或NaF的材料以外的材料，例如在第一光譜純 度增強層11〇(及在適用的情況下亦為第二光譜純度增強層 in)具有複折射率之虛數部分h〇.25*n+1〇7(其中n為複折 射率之實數部分）時，或依據本發明之另一具體實施例， 對於材料ml(並且在適用的情況下為m3)而言，在折射率之 實數部分係等於或大於Μ且折射率之虛數部分係等於或 小於2時。在另一具體實施例中，選擇實行該等二準則的 108032.doc -52- 1302992 材料ml(並且在適用的情況下選擇m3)在另一具體實施例 中，第一光譜純度增強層110之材料ml(及在適用的情況下 為第二光譜純度增強層112之材料m3)具有等於或大於2的 複折射率之實數部分並且複折射率之虛數部分係等於或小 於 1.6 〇 在規範中，氮化矽係稱為以山4。然而，此應解釋為包 含所有S i與N的化合物，例如§ iN。 本發明不限於微影裝置的應用或用於如該等具體實施例 中況明的微影裝置。此外，圖式通常僅包含瞭解本發明所 必需的元件及特徵。除此以外，微影裝置的圖式為示意性 而非按比例繪製。本發明不限於示意圖中所示的該等元件 (例如顯示圖中所緣製的若干鏡）。此外，本發明不限於圖i 與2中說明的微影裝置。 【圖式簡單說明】 現在僅經由範例並參考附意圖說明本發明之具體實施 例，其中相應的參考符號指示相應的零件，並且其中： 圖1不意性地描述依據本發明之一具體實施例的一微影 裝置； 圖2示意性地描述一 Euv照明系統及依據圖丨之微影投影 裝置的投影光學之側視圖； 圖3示意性地描述依據本發明之一多層鏡，· 圖4a至4c示意性地描述依據本發明之多層鏡的具體實施 例； 圖5示意性地描述依據本發明之一具體實施例的一多層 108032.doc -53- 1302992
圖6描述依據本發 體貫施例的一光古显έφ声j# % 層之層厚度對反射率的影響； 光…屯度、強 圖7描述對用於依據本 月之一具體實施例的光增绌声 增強層所需之若干材料㈣城 1Π t曰純厪 卞材枓的選擇之對反射率的影塑； 圖8描述在使用依據本 曰 痒祕改麻c · \了 士 具體錢施例的一光譜純 度曰強層Sl3N4h層厚度對反射率的影響； 圖9描述對用於依據本發明之一呈 >
、， /、體$知例的一光譜純 度增強層之反射率的型式研究； 圖10描述對依據本發明之一且 /、篮貫％例之一光譜純度增 強層上的一覆蓋層之反射率的影變； 圖11描述依據本發明之一呈研眚 /、®貫％例的若干光譜純度增 強層對DUV及EUV損失之比值的影響。 【主要元件符號說明】 1 微影裝置 42 輻射系統 44 照明光學單元 47 來源室 48 集光器室 49 氣體阻障 50 輻射集光器 51 光柵光譜濾波器 52 虛擬來源點 53 入射反射器 108032.doc -54- 1302992
54 56 57 58 59 100 102 103 104 105 110 111 112 142 143 146 B IF1 IF2 IL Ml M2 ml m2 入射反射器 輻射光束 圖案化光束 反射元件 反射元件 多層鏡 多層鏡堆疊 頂部層 光譜純度增強層 覆蓋層 第一光譜純度增強層 中間層 第一光譜純度增強層 反射器 反射器 反射器 輻射光束 定位感測器 定位感測器 照明器 光罩對準標記 光罩對準標記 材料 材料 108032.doc -55- 1302992 m3 材料 m4 材料 m5 材料 MA 光罩 MT 光罩台 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PB 光束 PM 第一***件 PS 投影系統 PW 第二***件 R 強度反射率 SO 輻射來源 W 基板 WT 晶圓台 108032.doc -56-

Claims (1)

1302992 十、申請專利範圍·· 1. 一多層鏡，其包括： -多層堆疊’該多層堆疊包括具有一多層堆疊頂部層 以及配置在該多層堆疊上的—光譜濾波器頂部層之複數 個交替層，該光譜濾波器頂部層包括 一第一光譜純度增強層，其包括一第一材料且具有一 第一層厚度di ; 中間層，其包括一第二材料且具有一第二層厚度 d2 ;以及 一第二光譜純度增強層，其包括一第三材料且具有一 第三層厚度d3，該第二光譜純度增強層係配置在該多層 堆疊頂部層上，其中該第一材料係選自sm、Μ##、 Si〇2、ZnS、Te、鑽石、Csl、Se、Sic、非晶碳、 MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、PbF2、Zr〇2、知丁叫、up 或 NaF ’該第三材料係選自Si3N4、si〇2、ZnS、Te、鑽 石、Csl、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、 pbF2、Zr02、BaTi03、LiF或NaF，該第二材料包括不同 於該等第一及第三材料的一材料，並且dl+d2 + d3具有在 2 · 5與4 0 nm之間的一厚度。 2·如請求項1之多層鏡，其中該光譜濾波器頂部層進一步 包括在該第一光譜純度增強層之頂部上的一覆蓋層，兮 覆蓋層包括選自 Ru、BN、B4C、B、C、TiN、pd、Rh、 Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2 或 UF 的一第四 料。 108032.doc 1302992 3·如請求項丨之多層鏡，其中該光譜濾波器頂部層進一步 包括在該第一光譜純度增強層之頂部上的一覆蓋層，其 包括Ru且具有在〇·5與2·5 nm之間的一第四層厚度料。 4.如請求項1之多層鏡，其中該中間層包括一金屬。 5·如請求項1之多層鏡，其中該第二材料係選自Be、B、 C Si、p、s、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、γ、Zr、Nb、 Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa或 U。 6.如請求項1之多層鏡，其中該等第一及第二光譜純度増 強層單獨具有該複折射率之一虛數部分〇25*n+ 1·07’其中n為該複折射率之該實數部分。 7·如請求項1之多層鏡，其中該等第一及第二光譜純度増 強層單獨具有等於或大於2的該複折射率之一實數部分 以及等於或小於1 ·6的該複折射率之虛數部分。 8·如請求項1之多層鏡，其中該等第一、第二及第三材料 與該等第一、第二及第三層厚度係配置成最小化具有選 自5至20 nm之一第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/ 或破壞性干擾，並且最大化具有選自1〇〇至4〇〇 nm之一 第二波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干擾。 9.如請求項1之多層鏡，其中該多層鏡為一垂直入射鏡。 10·如請求項1之多層鏡，其中該多層鏡為配置成反射具有 選自5至20 nm之一第一波長範圍的一波長之輻射一垂直 入射鏡。 11·如請求項1之多層鏡，其中該多層鏡為配置成反射具有 選自12至15 nm之該波長範圍的一波長之輻射一垂直入 108032.doc 1302992 射Si/M〇多層鏡。 12·如凊求们之多層鏡，#中該等第-及第三材料包括 • 每層具有在1.5與3.:5 nm之間的一層厚度，並且該 第：材料包括具有在_nm之間的一層厚度之M〇。 13·:明求項1之多層鏡，其中該多層堆疊頂部層包括一覆 盖層’該多層堆，疊頂部層包括選自Ru、BN、hC、Β、 C TlN、Pd、Rh、Au、c2p4、SiN、Si3N4、Sic、MgF2 或LiF的一第四材料。 14·如請求項1之多層鏡’其中該多層堆疊頂部層進-步包 括-覆蓋層，該多層堆疊頂部層包括如且具有在〇5與 2.5 nm之間的一第四層厚度d4。 15·，影裝置，其包括一多層鏡，該多層鏡包括一多層 堆豐’該多層堆疊包括具有一多層堆疊頂部層及配置在 泫多層堆疊上的一光譜濾波器頂部層之複數個交替層， 該光譜濾波器頂部層包括 一第一光譜純度增強層，其包括一第一材料且具有一 第一層厚度dl ; 一中間層 d2 ;以及 其包括一第二材料且具有一 第二層厚度 »一第二光镨純度增強層1包括—第三材料且具有一 第三層厚度们’該第二光譜純度增強層係配置在該多層 堆疊頂部層上’其中該第一材料係選自_、 Si〇2、ZnS、Te、鑽石、Csl、Se、L &、SiC、非晶碳、 MgF2、c;aF2、Ti〇2、Ge、pbp 7 2 Zr〇2、BaTi〇3、LiF 或 108032.doc 1302992 NaF ’ 该第三材料係選自 siN、Si；3N4、Si〇2、ZnS、Te、 鑽石、Csl、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti02、 Ge、PbF2、ZrO2、BaTi〇3、UF 或 NaF，該第二材料包括 不同於該等第一及第三材料的一材料，並且以“^们具 有在2.5與40 nm之間的一厚度。 16·如請求項15之微影裝置，其進一步包括複數個多層鏡， 其中該複數個多層鏡之該等第一、第二及第三材料與該 等第一、第二及第三層厚度係配置成最小化具有選自5 至20 nm之一第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或 破壞性干擾，並且最大化具有選自1〇〇至4〇〇 nm之一第 二波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干擾。 17· —種在發射二波長範圍的輻射之來源的一輻射光束中， 加大具有選自5至20 nm之一第一波長範圍之一波長的幅 射及具有選自100至400 nm之一第二波長範圍之一波長 的幅射之該比值之方法，該方法包括反射包括一多層堆 疊之一多層鏡上的該輻射光束之至少部分，該多層堆疊 包括具有一多層堆疊頂部層及配置在該多層堆疊上的一 光譜濾波器頂部層之複數個交替層，該光譜濾波器頂部 層包括包含一第一材料且具有一第一層厚度以的一第一 光譜純度增強層，·包括一第二材料且具有一第二層厚产 d2的一中間層；以及包括一第三材料且具有一第二:: 度d3的-第二光譜純度增強層，該第二光譜純度増= 係配置在該多層堆疊頂部層上，其中該第—材料係選自a SiN、Si3N4、Si02、ZnS、Te、鑽石、CsI、Se、狄、 、非 108032.doc 1302992 晶碳、MgF2、CaF2、Ti02、Ge、PbF2、Zr02、BaTi03、 LiF或NaF，該第三材料係選自SiN、si3N4、Si02、 ZnS、Te、鑽石、Csl、Se、SiC ' 非晶碳、MgF2、 CaF2、Ti〇2、Ge、PbF2、Zr02、BaTi〇3、LiF 或 NaF，該 第二材料包括不同於該等一及第三材料的一材料，並且 dl+d2 + d3 具有在 2.5與 40 nm之間的一厚度。 18·如睛求項17之方法，其中反射一多層鏡上的該輻射光束 之至少部分包括反射複數個多層鏡上的該光束之該至少 部分。 19·如請求項17之方法，其中該等第一、第二及第三材料與 該等第一、第二及第三層厚度係配置成最小化具有選自 該第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干 擾，並且最大化具有選自該第二波長範圍的一波長之輻 射的吸收及/或破壞性干擾。 20· —種器件製造方法，其包括： 提供一輻射光束； 圖案化該輻射光束； 將該圖案化輻射光束投影至該基板的一目標部分上； 猎由反射包括一多層堆疊之一多層鏡上的該輻射光束 之至少部分，加大在發射二波長範圍中的輻射之一來源 的一輻射光束中，具有選自5至2〇 nm之一第一波長範圍 長的幅射及具有選自至400 nm之一第二波手 犯圍之一波長的幅射之該比值，該多層堆疊包括具有一 夕^隹1頂層及配置在該多層堆疊上的一光譜濾波器 108032.doc 1302992 頂部層之複數個交替層，該光譜濾波器頂部層包括包含 第一材料且具有一第一層厚度“的一第一光譜純度增 強層；包括一第二材料且具有一第二層厚度们的一中間 層，以及包括一第三材料且具有一第三層厚度们的一第 光％純度增強層，該第二光譜純度增強層係配置在該 多層堆疊頂部層上，其中該第一材料係選自SiN、 Si3N4、Si〇2、ZnS、Te、鑽石、CsI、^、非晶 碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、pbF2、Zr〇2、BaTi(^、 UF或NaF，該第三材料係選自SiN、礼队、si〇2、 ZnS Te、鑽石、Csl、Se、SiC、非晶碳、Mgp2、 CaF2、Ti〇2、Ge、PbF2、Zr〇2、BaTi〇3、⑽或 ，該 第二材料包括不同於該等一及第三材料的一材料，並且 dl+d2 + d3具有在2.5與40 nm之間的一厚度。 21· —種多層鏡，其包括： 一多層堆疊，該多層堆疊包括具有—多層堆疊頂部層 以及配置在該多層堆疊上的一光譜濾波器頂部層之複數 個交替層，該光譜濾波器頂部層包括 一第一光譜純度增強層，其包括一第—材料ml且具有 一第一層厚度d 1 ; 一中間層，其包括一第二材料m2且具有一第二層厚度 d2 ’該中間層係配置在該多層堆疊頂部層上，其中今第 一材料係選自 SiN、Si3N4、Si02、ZnS、Te、鑽石、 Csl、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、 PbF2、Zr〇2、BaTi〇3、LiF或NaF，該第二材料包括不同 108032.doc 1302992 於該第-材料的-材料’並且dl+d2具有在15與4^狀 間的一厚度。 22·如請求項21之多層鏡，其中該光譜濾波器頂部層進一步 包括在該第一光譜純度增強層之頂部上的一覆蓋層，該 覆蓋層包括選擇RU、BN、B4C、B、c、TiN、pd、灿、 Au、C2F4、SiN、Si3N4、Sic、MgF2 或 uf 的一第三材 料。 3 ·如明求項2 1之多層鏡，其中該光譜濾波器頂部層進一步 包括在該第一光譜純度增強層之頂部上的一覆蓋層，其 包括Ru且具有在〇·5與2.5 nm之間的一層厚度料。 24·如請求項21之多層鏡，其中該中間層包括一金屬。 25·如請求項21之多層鏡，其中該第二材料係選自、b、 C、Si、P、S、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、 Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa或 U。 26·如請求項21之多層鏡，其中該第一光譜純度增強層具有 該複折射率一虛數部分k S 0·25*η+1·〇7，其中n為該複 折射率之該實數部分。 2 7 ·如請求項2 1之多層鏡，其中該第一光譜純度增強層單獨 具有等於或大於2的該複折射率之一實數部分以及等於 或小於1.6的該複折射率之一虛數部分。 28,如請求項21之多層鏡，其中該等第一及第二材料與該等 第一及第二層厚度係配置成最小化具有選自5至2〇 nm之 一第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干 擾’並且最大化具有選自100至400 nm之一第二波長範 108032.doc 1302992 圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干擾。 29·如請求項21之多層鏡’其中該多層鏡為一垂直入射鏡。 30.如請求項21之多層鏡，其中該多層鏡為配置成反射具有 選自5至20 nm之一第一波長範圍的一波長之輻射一垂直 入射鏡。 31.如請求項21之多層鏡，其中該多層鏡為配置成反射具有 選自12至15 nm之該波長範圍的一波長之輻射一垂直入 射Si/Mo多層鏡。
32·如請求項21之多層鏡，其中該第一光譜純度增強層包括 ShN4,每層具有在4與U nm之間的一層厚度，並且其中 该中間層包括具有在1與3 nm之間的一層厚度之M〇。 33·如請求項21之多層鏡，其中該多層堆疊頂部層包括一覆 蓋層，該多層堆疊頂部層包括選自Ru、ΒΝ、、B、 C、TiN、Pd、Rh、Au、〇 · XT 。· 、SiN、Si3N4、SiC、MgF2 或L i F的一材料m 5。 34. 如請求項21之多層鏡，其中該多層堆疊頂部層進一步包 括覆盍層，該多層堆疊頂部層包括^^且具有在〇·5與 2.5 nm之間的一層厚度35。 35. :種微影裝置’其包括包含一多層堆疊之一多層鏡，該 夕層堆g包括具有一多層堆疊頂部層及配置在該多層堆 且上的一光缙濾波器頂部層之複數個交替層，該光譜濾 波器頂部層包括包含—第材料ml且具-第-層厚度㈣ -第-光譜純度增強^ ;⑽一第二材料m2且具有一第 一厚度d2的一中間層，該中間層係配置在該多層堆疊頂 108032.doc 1302992 部層上，其中該第一材料係選自siN、％Ν4、si〇2、 hS、Te、鑽石、CsI、Se、批、非晶碳、Μ#〗、 =F2、Ti〇2、Ge、PbF2、Zr〇2、BaTi〇3、UF 或 NaF，該 第二材料包括不同於該第—材料的一材料，並且们 具有在1.5與40 nm之間的一厚度。 36. 如請求項35之微影裝置 其中該等第一及第二材料與該等第 其進一步包括複數個多層鏡， 一及第二層厚度係配
置成最小化具有選自5至20 nm之一第一波長範圍的一波 長之輻射的吸收及/或破壞性干擾，並且最大化具有選自 100至400 nm之該波長範圍之一實質部分的一波長之輻 射的吸收及/或破壞性干擾。 3 7. —種在發射二波長範圍的輻射之來源的一輻射光束中， 加大具有選自5至20 nm之一第一波長範圍之一波長的幅 射及具有選自100至400 nm之一第二波長範圍之一波長
的幅射之該比值之方法，該方法包括反射包括一多層堆 豐之一多層鏡上的該輻射光束之至少部分，該多層堆疊 包括具有一多層堆疊頂部層及配置在該多層堆疊上的一 光譜濾波器頂部層之複數個交替層，該光譜濾波器頂部 層包括包含一第一材料―且具有一第一層厚度dl的一第 一光瑨純度增強層；包括一第二材料m2且具有一第二； 厚度d2的一中間層，該中間層係配置在該多層堆疊頂部 層上’其中該第一材料係選自SiN、Si3N4、Si02、ZnS、 Te、鑽石、Csl、Se、sic、非晶碳、MgF2、CaF2、 丁 i〇2、Ge、PbF2、Zr02、BaTi〇3、LiF 或 NaF，該第二材 108032.doc 1302992 38·如π求項37之方法，其中反射該輻射光束之該至少部分 反射複數個多層鏡上的該光束之該至少部分。
月：員37之方法’其中該等第_及第二材料與該等第 一及第二層厚度係配置成最小化具有選自該第一波長範 圍的波長之輻射的吸收及/或破壞性干擾，並且最大化 具有選自100至4(J〇 nm之該第二波長範圍的一波長之輻 射的吸收及/或破壞性干擾。 40· 一種器件製造方法，其包括： 提供一輻射光束； 圖案化該輻射光束； 將該圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上； 藉由反射包括一多層堆疊之一多層鏡上的該輻射光束 之至夕、部分’加大具有選自5至20 nm之一第一波長範圍 之一波長的幅射及具有選自i 00至4〇〇 ηιη之一第二波長 辜色圍之一波長的幅射之該比值，該多層堆疊包括具有一 多層堆疊頂部層及配置在該多層堆疊上的一光譜渡波器 頂部層之複數個交替層，該光譜濾波器頂部層包括包含 一第一材料ml且具有一第一層厚度dl的一第一光譜純度 增強層；包括一第二材料m2且具有一第二層厚度d2的一 中間層，該中間層係配置在該多層堆疊頂部層上，其中 該第一材料係選自SiN、Si3N4、Si02、ZnS、Te、鑽石、 Csl、Se、SiC、非晶碳、MgF〗、CaF!、Ti〇2、〇〇、 108032.doc -10 - 1302992 pbF2、Zr〇2、BaTi03、LiF或NaF，該第二材料包括不同 於該第一材料的一材料，並且dl+d2具有在1.5與4〇 nm之 間的一厚度。 41· 一種多層鏡’其包括一多層堆疊，該多層堆疊包括具有 夕層堆豐頂部層及配置在該多層堆疊上的一光譜滤波 器頂部層之複數個交替層，該光譜濾波器頂部層包括包 含一第一材料且具有一層厚度dl的一第一光譜純度增強 層並且係配置在該多層堆疊頂部層上，其中該第一材料 係選自 SiN、Si3N4、Si02、ZnS、Te、鑽石、Csl、Se、 SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、PbF2、Zr02、 BaTi〇3、LiF或NaF，並且該厚度dl係在〇·5與3〇 之 間。 42·如明求項4 1之多層鏡，其中該光譜濾波器頂部層進一步 包括在該第一光譜純度增強層之頂部上的一覆蓋層，該 覆蓋層包括選自 Ru、BN、B4C、B、C、TiN、Pd、Rh、 Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2 或 UF 的一第二材 料。 43.如請求項41之多層鏡，其中該光譜濾波器頂部層進一步 包括在該第一光譜純度增強層之頂部上的一覆蓋層，其 包括Ru且具有在〇·5與2.5 nm之間的一第二層厚产。 44·如請求項41之多層鏡，其中該第一光譜純度增強層具有 該複折射率之一虛數部分k^0.25*n+l.〇7，其中n為該複 折射率之該實數部分。 45.如請求項41之多層鏡，其中該第一光譜純度增強層具有 108032.doc -11 - 1302992 等於或大於2的該複折射率之一實數部分以及等於或小 於1.6的該複折射率之一虛數部分。 46.如請求項41之多層鏡，其中該第一材料與該層厚度以係 配置成最小化具有選自5至20 nm之一第一波長範圍的一 波長之輻射的吸收及/或破壞性干擾，並且最大化具有選 自100至400 nm之一第二波長範圍的一波長之輻射的吸 收及/或破壞性干擾。 47·如請求項41之多層鏡，其中設計該光譜濾波器頂部層中 包括的該層之該第一材料與該層厚度dl以便實行下列準 則： Ί =，12.，21.匕哪(，.2.尺2·，） 0 一 ’12 · ’21 · r23 · eXP(’ · 2 ·尺2 · f)( 7n 1 J 破壞性干擾:arg(Q) = ；r 其中· ΙΊ2為用於從一第一層丨進入並在該第一層！與一第 二層2之間之該介面上反射的一垂直入射平面波之該反 射的該菲涅耳振幅反射係數，其中該第一層丨與該第二 層2分別為該多層鏡與該光譜濾波器頂部層上的該大 氣； ~ I*23為用於從該第二層2進入並在該第二層2與一第三層3 之間之該介面上反射的一垂直入射平面波之該反射的該 菲涅耳振幅反射係數，其中該第二層2與該第三層3分別 為該光譜濾波器頂部層與該多層堆疊頂部層； tPq為用於從一層p進入一層q的一平面波之透射的該菲涅 耳振幅透射係數； 么 108032.doc -12- 1302992 λ為該輻射之該波長； t為該光譜濾波器頂部層之該厚度； I媒介p中的波數量；以及 Np =np+j*kp，媒介p之該複折射率。 48. 如請求項41之多層鏡，其中該多層鏡為-垂直入射鏡。 49. 如請求項41之多層鏡，其中該多層鏡為配置成反射具有 選自5至20 nm之一第-波長範圍的-波長之輻射一垂直 入射鏡。 5〇.如請求項41之多層鏡，其中該多層鏡為配置成反射具有 選自12至15 nm之該波絲圍的_波長之輻射—垂直入 射Si/Mo多層鏡。 51. 如請求項41之多層鏡，豆中兮隹 現，、T該專弟一光譜純度增強層包 括具有在4與11 nm之間的一層厚度之si3N4。 52. 如响求項41之夕層鏡，其中該多層堆疊頂部層包括一覆 蓋層，該多層堆疊頂部層包括選|Ru、bn、b^、b、 C TiN Pd、Rh、Au、C2F4、SiN、Si3N4、SiC、MgF2 或LiF的一第二材料。 53. 如吻求項41之夕層鏡，其中該多層堆疊頂部層進一步包 括一覆蓋層，該多層堆疊頂部層包括…且具有在〇5與 2.5 nm之間的一第二層厚度。 54. 如請求項41之多層鏡，其中該多層堆疊頂部層包括一覆 蓋層，該多層堆疊頂部層包括Ru且具有在〇.5與2·5 nm之 間的一第二層厚度，並且該第一光譜濾波器頂部層包括 SiN Si#4 ’其具有在4與u nm之間的該層厚度。 108032.doc -13 - 1302992
55· —種微影裝置，其包括包含一多層堆疊之一或多個多層 鏡’該多層堆疊包括具有一多層堆疊頂部層及配置在該 >層堆叠上的一光譜濾波器頂部層之複數個交替層，該 光譜渡波器頂部層包括包含一第一材料且具有一層厚度 dl的一第一光譜純度增強層並且係配置在該多層堆疊頂 部層上’其中該第一材料係選自SiN、Si3N4、Si02、 ZnS、Te、鑽石、csl、Se、SiC、非晶碳、MgF2、 CaF2、Ti〇2、Ge、PbF2、Zr02、BaTi03、LiF 或 NaF，並 且该厚度dl係在0.5與3〇 nm之間。 56·如請求項55之微影裝置，其進一步包括複數個多層鏡， 其中該等不同多層鏡之該光譜濾波器頂部層中的該等層 之該等材料及該等層厚度係配置成最小化具有選自5至 20 nm之一第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破 壞性干擾，並且最大化具有選自1〇〇至4〇〇 該波長 範圍之一實質部分的一波長之輻射的吸收及/或破壞性干 擾0 57. 一種在發射二波長範圍中的輻射之一來源的一輻射光束 中，加大具有選自5至20 nm之一第一波長範圍之一波長 的幅射及具有選自100至400 nmi一第二波長範圍之一 上的一光譜濾波器頂部層之複數個交替層 器頂部層包括包含一第一材料且具有一第 波長的幅射之該比值之方法，該方法包括採用—多層鏡 反射該輻射光束，該多層鏡包括具有一多層堆疊，該多 層堆疊包括具有一多層堆疊頂部層及配置在該多層堆疊 ’該光譜遽波 一層厚度dl的 108032.doc -14- 1302992 第光4純度增強層並且係配置在該多層堆疊頂部層 上’其中該第一材料係選自SiN、Si3N4、Si02、ZnS、 Te、鑽石、CsI、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、 2 Ge、PbF2、Zr02、BaTi〇3、LiF或 NaF，該厚度 dl 係在0.5與30 nm之間。 58·如明求項57之方法，其進一步包括採用複數個多層鏡反 射該輻射光束。 59·如明求項57之方法，其中該輕射光束係由複數個多層鏡 > 反射該複數個多層鏡之該等光譜頂部層中的該等層之 該等材料及該等層厚度係配置成最小化具有選自5至 nm之4第一波長範圍的一波長之輻射的吸收及/或破壞 性干擾，並且最大化具有選自1〇〇至4〇〇 nm之一第二波 長範圍的一波長之輪射的吸收及/或破壞性干擾。 60· 一種器件製造方法，其包括： 提供一輻射光束； 圖案化該輻射光束； 將該圖案化輕射光束投影至一基板之一目標部分上； 以及 藉由反射一多層鏡上的該來源之該輻射光束，加大在 發射二波長範圍中的輻射之一來源的一輻射光束中，具 有k自5至20 nm之一第一波長範圍之一波長的幅射及具 有選自100至400 nm之一第二波長範圍之一波長的幅射 之為比值，該多層鏡包括一多層堆疊，該多層堆疊包括 具有一多層堆疊頂部層及配置在該多層堆疊上的一光譜 108032.doc •15- 1302992 濾波器頂部層之複數個交替層，該光譜濾波器頂部層包 括包含一第一材料且具有一第一層厚度dl的一第一光譜 純度增強層並且係配置在該多層堆疊頂部層上，其中該 第一材料係選自SiN、Si3N4、Si02、ZnS、Te、鑽石、 Csl、Se、SiC、非晶碳、MgF2、CaF2、Ti〇2、Ge、 PbF2、Zr02、BaTi03、LiF 或 NaF，該厚度 dl 係在 0.5 與 30 nm之間。
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TW095113523A TWI302992B (en) 2005-04-27 2006-04-14 Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method

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Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
DE10309084A1 (de) 2003-03-03 2004-09-16 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und EUV-Lithographiegerät
JP4532991B2 (ja) * 2004-05-26 2010-08-25 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US7336416B2 (en) * 2005-04-27 2008-02-26 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method
US7518797B2 (en) * 2005-12-02 2009-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure apparatus
US7329876B2 (en) * 2006-01-26 2008-02-12 Xtreme Technologies Gmbh Narrow-band transmission filter for EUV radiation
US7736820B2 (en) * 2006-05-05 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Anti-reflection coating for an EUV mask
US7666555B2 (en) * 2006-12-29 2010-02-23 Intel Corporation Pellicle, methods of fabrication and methods of use for extreme ultraviolet lithography
EP3159912A1 (en) * 2007-01-25 2017-04-26 Nikon Corporation Optical element, exposure apparatus using this, and device manufacturing method
US7965378B2 (en) * 2007-02-20 2011-06-21 Asml Holding N.V Optical system and method for illumination of reflective spatial light modulators in maskless lithography
US20080266651A1 (en) 2007-04-24 2008-10-30 Katsuhiko Murakami Optical apparatus, multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, and device
DE102007051671A1 (de) 2007-10-26 2009-05-07 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
US20090250637A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Cymer, Inc. System and methods for filtering out-of-band radiation in EUV exposure tools
TWI420134B (zh) * 2008-05-09 2013-12-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 光學鏡片及其鍍膜方法
NL2002908A1 (nl) * 2008-06-04 2009-12-07 Asml Netherlands Bv Multilayer mirror and lithographic apparatus.
CN102067283A (zh) * 2008-06-19 2011-05-18 旭硝子株式会社 Euv光刻用反射型掩模基板
NL2002968A1 (nl) * 2008-06-30 2009-12-31 Asml Netherlands Bv Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby.
EP2326990B1 (en) 2008-07-11 2013-03-13 ASML Netherlands BV Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
CN102099747B (zh) * 2008-08-14 2013-06-19 Asml荷兰有限公司 辐射源、光刻设备以及器件制造方法
NL2003299A (en) 2008-08-28 2010-03-11 Asml Netherlands Bv Spectral purity filter and lithographic apparatus.
CN102132213B (zh) * 2008-08-29 2014-04-16 Asml荷兰有限公司 光谱纯度滤光片、包括这样的光谱纯度滤光片的光刻设备以及器件制造方法
WO2010032753A1 (ja) * 2008-09-18 2010-03-25 株式会社ニコン 開口絞り、光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法
IT1395244B1 (it) * 2008-12-17 2012-09-05 St Microelectronics Srl Procedimento di fabbricazione di un dispositivo emettitore di radiazione ottica a cavita' risonante
US9082521B2 (en) 2009-02-13 2015-07-14 Asml Netherlands B.V. EUV multilayer mirror with interlayer and lithographic apparatus using the mirror
DE102009032779A1 (de) * 2009-07-10 2011-01-13 Carl Zeiss Smt Ag Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
US8519325B1 (en) * 2009-08-24 2013-08-27 Zhenyu Lu Optical radiation concentrator
DE102009045170A1 (de) * 2009-09-30 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und Verfahren zum Betrieb einer EUV-Lithographievorrichtung
DE102009044462A1 (de) 2009-11-06 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element, Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage
CN102687071B (zh) * 2009-12-09 2013-12-11 旭硝子株式会社 带反射层的euv光刻用衬底、euv光刻用反射型掩模坯料、euv光刻用反射型掩模、和该带反射层的衬底的制造方法
EP2550563A1 (en) * 2010-03-24 2013-01-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and spectral purity filter
WO2011160861A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE102010036955A1 (de) * 2010-08-12 2012-02-16 Asml Netherlands B.V. Reflektives optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie
EP2434345B1 (en) * 2010-09-27 2013-07-03 Imec Method and system for evaluating euv mask flatness
DE102010062597A1 (de) * 2010-12-08 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Abbildungssystem
CN102621815B (zh) * 2011-01-26 2016-12-21 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法
WO2012104680A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-09 Indian Institute Of Science Apparatus and methods for sensing or imaging using stacked thin films
WO2012119672A1 (en) 2011-03-04 2012-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithograpic apparatus, spectral purity filter and device manufacturing method
KR101793316B1 (ko) 2011-03-16 2017-11-02 케이엘에이-텐코 코포레이션 박막 스펙트럼 순도 필터 코팅을 갖는 영상 센서를 사용하는 ｅｕｖ 화학선 레티클 검사 시스템
JP2012222349A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Asml Netherlands Bv 多層ミラーおよびリソグラフィ装置
DE102011076011A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie
WO2012171674A1 (en) * 2011-06-15 2012-12-20 Asml Netherlands B.V. Multilayer mirror, method of producing a multilayer mirror and lithographic apparatus
US8761346B2 (en) * 2011-07-29 2014-06-24 General Electric Company Multilayer total internal reflection optic devices and methods of making and using the same
DE102011083461A1 (de) 2011-09-27 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Erzeugen einer Deckschicht aus Siliziumoxid an einem EUV-Spiegel
DE102011083462A1 (de) 2011-09-27 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegel mit einer Oxynitrid-Deckschicht mit stabiler Zusammensetzung
US9927094B2 (en) * 2012-01-17 2018-03-27 Kla-Tencor Corporation Plasma cell for providing VUV filtering in a laser-sustained plasma light source
DE102012207141A1 (de) * 2012-04-27 2013-10-31 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Verfahren zur Reparatur von optischen Elementen sowie optisches Element
CN102681054B (zh) * 2012-05-08 2014-03-19 太原理工大学 基于光子晶体的全可见光波段全角度反射器
DE102012105369B4 (de) * 2012-06-20 2015-07-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich
US10185234B2 (en) * 2012-10-04 2019-01-22 Asml Netherlands B.V. Harsh environment optical element protection
US9151881B2 (en) 2012-11-12 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Phase grating for mask inspection system
DE102013203746A1 (de) * 2013-03-05 2013-12-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie
US9632411B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor
US9354508B2 (en) * 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9612521B2 (en) * 2013-03-12 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9417515B2 (en) 2013-03-14 2016-08-16 Applied Materials, Inc. Ultra-smooth layer ultraviolet lithography mirrors and blanks, and manufacturing and lithography systems therefor
US20160216382A1 (en) * 2013-08-26 2016-07-28 Teledyne Dalsa B.V. A radiation detector and a method thereof
EP3049836A1 (en) 2013-09-23 2016-08-03 Carl Zeiss SMT GmbH Multilayer mirror
DE102013221550A1 (de) * 2013-10-23 2015-04-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Vielschichtstruktur für EUV-Spiegel
DE102013222330A1 (de) 2013-11-04 2015-05-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US9529249B2 (en) * 2013-11-15 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
GB201400264D0 (en) * 2014-01-08 2014-02-26 Element Six Ltd Synthetic diamond optical mirrors
KR102145934B1 (ko) * 2014-05-20 2020-08-19 동우 화인켐 주식회사 광경화 패턴의 형성 방법
CN104297820A (zh) * 2014-09-26 2015-01-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种提高了极紫外光谱纯度及抗氧化性的多层膜
KR102244758B1 (ko) * 2014-10-27 2021-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
EA027713B1 (ru) * 2015-01-20 2017-08-31 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Способ изготовления многозонного оптического чип фильтра и его конструкция
CN104749662A (zh) * 2015-04-21 2015-07-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有极紫外光谱纯度及热稳定性的多层膜
CN104749663A (zh) * 2015-04-21 2015-07-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有极紫外光谱纯度和抗辐照损伤的多层膜
US11311850B2 (en) * 2015-08-26 2022-04-26 Sandvik Intellectual Property Ab Diamond composites by lithography-based manufacturing
GB201518371D0 (en) * 2015-10-16 2015-12-02 Isis Innovation Optical Device
CN105446088A (zh) * 2015-12-21 2016-03-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有微结构和光谱纯化层的光源收集镜
FR3059434B1 (fr) * 2016-11-29 2019-05-17 Centre National De La Recherche Scientifique - Cnrs Composant de selection spectrale pour radiations xuv
US10468149B2 (en) * 2017-02-03 2019-11-05 Globalfoundries Inc. Extreme ultraviolet mirrors and masks with improved reflectivity
CN108680981B (zh) * 2018-05-16 2020-12-01 德州尧鼎光电科技有限公司 一种深紫外窄带滤光片制备方法
CN109254338A (zh) * 2018-10-26 2019-01-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种19.5nm多层膜反射镜
KR102263833B1 (ko) * 2019-09-09 2021-06-11 주식회사 와이즈가드 기능성 산화물층을 포함하는 광기능성 패턴 구조물
TW202119136A (zh) * 2019-10-18 2021-05-16 美商應用材料股份有限公司 多層反射器及其製造和圖案化之方法
US11448970B2 (en) * 2020-09-09 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography system and methods
CN112820439B (zh) * 2020-12-31 2023-01-06 苏州闻道电子科技有限公司 一种用于x射线与软x射线波段的滤片及其制备方法
CN113776662B (zh) * 2021-09-02 2022-12-16 同济大学 超高真空环境远紫外-极紫外光斩波周期调制分光装置
CN115132084B (zh) * 2022-07-01 2023-09-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958605A (en) * 1997-11-10 1999-09-28 Regents Of The University Of California Passivating overcoat bilayer for multilayer reflective coatings for extreme ultraviolet lithography
NL1008352C2 (nl) 1998-02-19 1999-08-20 Stichting Tech Wetenschapp Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden.
JPH11311704A (ja) * 1998-02-26 1999-11-09 Nikon Corp 紫外光用ミラー
US6295164B1 (en) * 1998-09-08 2001-09-25 Nikon Corporation Multi-layered mirror
US6229652B1 (en) * 1998-11-25 2001-05-08 The Regents Of The University Of California High reflectance and low stress Mo2C/Be multilayers
US6228512B1 (en) * 1999-05-26 2001-05-08 The Regents Of The University Of California MoRu/Be multilayers for extreme ultraviolet applications
TWI267704B (en) * 1999-07-02 2006-12-01 Asml Netherlands Bv Capping layer for EUV optical elements
FR2802311B1 (fr) * 1999-12-08 2002-01-18 Commissariat Energie Atomique Dispositif de lithographie utilisant une source de rayonnement dans le domaine extreme ultraviolet et des miroirs multicouches a large bande spectrale dans ce domaine
TW573234B (en) 2000-11-07 2004-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method
US6576912B2 (en) 2001-01-03 2003-06-10 Hugo M. Visser Lithographic projection apparatus equipped with extreme ultraviolet window serving simultaneously as vacuum window
US6614505B2 (en) 2001-01-10 2003-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6644372B2 (en) 2001-03-22 2003-11-11 Ren Judkins Cordless blind
JP3837405B2 (ja) 2002-08-28 2006-10-25 エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US6825988B2 (en) 2002-09-04 2004-11-30 Intel Corporation Etched silicon diffraction gratings for use as EUV spectral purity filters
DE10258709A1 (de) 2002-12-12 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Schutzsystem für reflektive optische Elemente, reflektives optisches Element und Verfahren zu deren Herstellung
US8945310B2 (en) 2003-05-22 2015-02-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for cleaning at least one optical component
US7193228B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-20 Cymer, Inc. EUV light source optical elements
US7336416B2 (en) * 2005-04-27 2008-02-26 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method
NO331034B1 (no) * 2010-03-16 2011-09-19 Polewall As Framgangsmate for a rette en optisk mottaker mot en lyskilde og et apparat for utovelse av framgangsmaten

Also Published As

Publication number Publication date
US20100149512A1 (en) 2010-06-17
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JP2009294659A (ja) 2009-12-17

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