!293407 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明） I：發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於一種用於在一密封處理容器内以包括 5 像臭氧氣體般之處理氣體及如蒸汽般之溶劑蒸氣之處理流 體處理像半導體晶圓或LCD(液晶顯示器）之玻璃基體般之 基體的裝置與方法。 t先前技術1 發明背景 一般已知的半導體裝置製造過程包括以一光阻薄膜塗 佈一半導體晶圓或一 LCD基體（於此後稱為，，基體，之表面 、藉著微影把一電路圖案轉移到該光阻薄膜、顯影該電路 圖案、及移去該光阻薄膜的一連串步驟。 近來，有鑑於環境保護，係希望在沒有使用任何產生 在廢液體處置上之問題的化學溶液下把該抗阻薄膜移去。 近年來被建議之一種新研發之用於把抗阻薄膜從基體移去 的抗阻移除法使用-種像臭氧氣體（〇3氣體）般的處理氣體 ，及-種像蒸汽般的溶劑蒸氣，即，一種於其内處理氣體 2可分解之溶劑的蒸氣。這方法把—基體置放於一處理容 20為内把該處理容器的内部加熱和加壓，並且把一個包含 臭氧氣體與⑹飞的混合處理流體供應到該處理容器。 〜在執行這先前地建議的方法時，由於在大生產量下執 ❿亥方法的緣故，於短時間把該處理容器的内部設定在預 定的溫度和在預定的麼力是重要的。大量的處理氣體和大 1293407 玖、發明說明 Ϊ的 >谷劑蒸氣係必須被供應到該處理容器而且在該處理容 器具有大容量時一個具有大加熱能力的加熱器是為必需的 〇 該基體處理裝置可以設置有數個處理容器以增加生產 5量。如果該基體處理裝置係設置有分別對應於該等處理容 器的數個處理氣體源和數個溶劑蒸氣源的話，該基體處理 裝置的規模將會被加大而且該基體處理裝置的成本係增加 。在基體處理裝置之規模與成本上的該等問題可以藉由使 用一個供該數個處理容器用的共用處理流體源來解決。然 10而，如果處理流體係時時連續地或同時地從該共用處理流 體源供應到該數個處理容器的話，有可能的是在該等處理 容器内的壓力係改變而該等基體不是被適當地處理。 【發明内容;J 發明概要 15 本發明係鑑於前述的環境來被作成而因此本發明之目 的是為提供一種能夠輕易且適當地控制在數個處理容器内 之壓力的基體處理裝置，即使處理流體係同時地從一共用 處理流體源供應到該數個處理容器，及一種基體處理方法 〇 0 本發明之另一目的是為提供一種具有小尺寸的處理容 器，藉此能夠輕易且適當地控制壓力。 由於前述期待之目的，本發明提供一種基體處理裝置 ，包括··數個處理容器，每一個處理容器係被構築俾可於 其内處理一基體；數條處理氣體供應線，每一條處理氣體 1293407 玖、發明說明 供應線係適於把一處理氣體從一處理氣體源運送到該等處 理容器中之每一者；數條溶劑蒸氣供應線，每一條溶劑蒸 氣供應線係適於把-溶劑蒸氣從一溶劑蒸氣源運送到該等 處理容器中之每-者；數條排氣線，每一條排氣線係適於 5運送該處理氣體和該溶劑蒸氣俾可從該等處理容器中之每 一者排放該處理氣體和該溶劑蒸氣；及數個調節在該等處 理容器内之壓力的裝置，其中，該等溶劑蒸氣線中之每一 者係設置有該數個裝置中之至少一者，或者該等排氣線中 之母一者係設置有該數個裝置中之至少一者。 10 在—較佳實施例中’該等溶劑蒸氣線中之每—者係設 置有該數個裝置中之至少-者。在這情況中，設置於該: 溶劑蒸氣供應線中之每一者的該數個裝置中之該至少一者 係可以包括-個可變節流閥。在這情況中，該基體纽裝 置可以更包括：數個開-關閥’典型地兩_位置閥，每一個 15開-關_設置於該等溶劑蒸氣供應線中之每—者俾可停止 和允許該溶劑蒸氣到該等處理容器中之每一者的流動^及 一控制器，該控制器依據該等開.關閥的開啟_與_關閉狀態 來調整該等可變節流閥之對應的開啟。 在另-較佳實施例中’該等溶劑蒸氣線中之每—者係 設置有該數個裝置中之至少一者。在這情況中，該等處理 氣體供應線巾之每-㈣可錢㈣料溶㈣氣供應線 中之每-者之在設置於該等溶劑蒸氣供應線中之每一者之 該等裝置中之該至少-者之下游側的部份，藉此該處理氣 體係經由該等溶劑蒸氣供應線中之每—者來被供應到該等 20 1293407 玖、發明說明 處理容器中之每一者。 在另一較佳實施例中，每一條排氣線係設置有該數個 裝置中之至少-者。在這情況中，設置於該等排氣線中之 每-者之该等裝置中的該至少一者係可以包括一個可變節 5流閥。在這情況中，設置於該等排氣線中之每一者之該等 裝置中之該至少-者係可以更包括一個與該可變節流閥並 聯地设置的溢流閥。或者，設置於該等排氣線中之每一者 之該等裝置中之該至少一者係可以更包括一個與該可變節 流閥串聯地置放的開-關閥。 1〇 纟該等排氣線中之每—者係設置有-可變節流閥的情 況中，該基體處理裝置可以更包括：數個壓力感測器，每 一個壓力感測器係適於測量在每一個處理容器内的壓力或 者測量根據在每一個處理容器内之壓力之變化來變化的壓 力；及一控制器，該控制器根據該等壓力感測器中之每一 15者之壓力測量的結果來控制該等可變節流閥中之每一者的 開啟，因此一預定的壓力係被保持於該等處理容器中之每 一者内。 在該等排氣線中之每一者係串聯地設置有一可變節流 閥與一開-關閥的情況中，該基體處理裝置可以更包括：數 20個壓力感測器，該等壓力感測器各係適於測量在該等處理 容器中之每一者内的壓力或者測量根據在該等處理容器中 之每一者内之壓力之變化來變化的壓力；及一控制器，該 控制器根據該等壓力感測器中之每一者之壓力測量的結果 來控制該等開-關閥中之每一者的開啟-與-關閉運作，因此 1293407 玖、發明說明 一預疋的壓力係被保持於該等處理容器中之每一者内。 在該等排氣線中之每一者係串聯地設置有一可變節流 閥和-開·關閥的情況中，該基體處理裝置可以更包括：數 個開-關閥，該數個開，閥讀設置於該等溶劑蒸氣供應 5線中之母|俾可停止與允許該溶劑$氣至該等處理容器 中之每一者的流動；及一控制器，該控制器依據被設置於 違等溶劑蒸氣供應線之開·關閥之開啟务關閉狀態來控制 被δ又置於该等排放線之開_關閥的開啟·與-關閉運作。 在該等排氣線中之每一者係設置有一可變節流闊的情 1〇況中，该基體處理裝置可以更包括：數個開_關閥，該等 開-關閥中每-者各係被設置於該等溶劑蒸氣供應線中每一 者俾可停止和允許該溶劑蒸氣到每一個處理容器的流動； 及一控制器，該控制器依據該數個開_關閥的開啟_與_關閉 狀態來控制該等可變節流閥之個別的開啟。 15 在該等排氣通道中之每一者係設置有該等裝置中之該 至少一者的情況中，最好的是固定的限流器係分別被設置 於該等溶劑蒸氣供應線。 在另一較佳實施例中，該等處理容器中之每一者包括 :一個設置有一被構築來於其上支持一基體之托臺的容器 20本體，及一個適於與該容器本體密封地結合俾可於該處理 容器内形成一處理空間的蓋體，該蓋體具有一個被構築來 支持該基體的基體支持元件，該蓋體係被構築以致於該基 體係自該蓋體的基體支持元件分離並且在該蓋體與該容器 本體結合時係被支持於該容器本體的托臺上。 10 1293407 玖、發明說明 10 15 日月更提供-種基體處理裝置，包括··—個被構築 =、内處理一基體的第一處理容器；一個被構築來於其 处理—基體的第二處理容器；—適於從處理氣體源運送 ^里氣體到該第-處理容器的第一處理氣體供應線；一適 Γ該處理氣體源運送處理氣體到該第二處理容器的第二 體供應線；—適於從溶«氣源運送溶劑蒸氣到該 々、处理容H的第-溶劑蒸氣供應線；_適於從該溶劑蒸 7源運送溶劑蒸氣到該第二處理容器的第二溶劑蒸氣供應 線Z適於運送該處理氣體與該溶劑蒸氣俾可從該第一處 理谷盗排放該處理氣體與該溶劑蒸氣的第一排氣線；一適 於運运4處理氣體與該溶劑蒸氣俾可從該第二處理容器排 放該處理氣體與該溶劑蒸氣的第二排氣線；一設置於該第 :溶劑蒸氣供應線的第-開__; _設置於該第二溶劑蒸 氣供應線的第m _設置於該第—排氣線的第一可 1節机閥，一設置於該第二排氣線的第二可變節流閥；及 一控制器，該控制器控制該第一可變節流閥的開啟以致於 δ π亥第和第二開-關閥被開啟時該第一可變節點閥的開啟 係與田该第一開-關閥被開啟而該第二開-關閥被關閉時該 第一可變節流閥的開啟不同。 在一較佳實施例中，該基體處理裝置可以更包括：一 個與該第一可變節流閥串聯地設置於該第一排氣線的第三 開-關閥；及一個與該第二可變節流閥串聯地設置於該第二 排氣線的第四開-關閥，其中，該控制器係被構築來控制該 第三開-關閥的開啟-與-關閉運作以致於一預定的壓力係被 11 1293407 玖、發明說明 維持在該第一處理容器内，及係被構築來控制該第四開-關 閥的開啟-與-關閉運作以致於一預定的壓力係被維持在該 第二處理容器内。 在另一較佳實施例中，一第一溢流閥係與該第一可變 5 節流閥並聯地置放於該第一排氣線，而一第二溢流閥係與 該第二可變節流閥並聯地置放於該第二排氣線。 本發明更提供一種基體處理裝置包括：一個被構築來 於其内處理一基體的處理容器；一連接到該處理容器俾可 把包含處理氣體與溶劑蒸氣之混合處理流體運送到該處理 10容器的供應線；一連接到該處理容器且能夠運送該混合處 理流體俾可把該混合處理流體自該處理容器排放的排氣線 :串聯地被置放於該排氣線的一開_關閥和一可變節流閥； 及-控制器，該控制器控制該可變節流閥的開啟及控制該 開-關閥的開啟-與-關閉運作以致於一 15 於該處理容器内。 預定的壓力係被維持 種基體處理方法係被提供
根據本發明的第二特徵，一種j ，該基體處理方法包括如下之步驟： 12 1293407 玖、發明說明 調節在該第二處理容器内的壓力，其中，調節在該第一處 理容器内之壓力的步驟係藉著調整一第一可變節流間的開 啟來被達成，而該第-可變節流閥係置放於一把該溶劑蒸 氣運送到該第-處理容器的第一溶劑蒸氣供應線上或者係 5置放於-運送該溶劑蒸氣和該處理氣體俾可把該溶劑蒸氣 和處理氣體自該第一處理容器排放的第一排氣線上·調節 在該第二處理纟器内之壓力的步驟係藉著調整—第二可變 節流閥的開啟來被達成，而該第二可變節流閥係置放於一 把該溶劑蒸氣運送到該第二處理容器的第二溶劑蒸氣供應 10線上或者係置放於一運送該溶劑蒸氣和該處理氣體俾可把 該溶劑蒸氣和處理氣體自該第二處理容器排放的第二排氣 線上；僅該第一時間周期的一部份與該第二時間周期重疊 ;及該第-可變節流閥之在該溶劑蒸氣係正被供應到該第 和第一處理容器之狀態下的開啟，與該第一可變節流閥 15之在該溶劑蒸氣係正被供應到該第一處理容器但不供應到 該第二處理容器之狀態下的開啟係彼此不同。 在一較佳實施例中，該第一可變節流閥係被置放於該 第一排氣線上，而該第二可變節流閥係被置放於該第二排 氣線上。 20 再者，一第一溢流閥係可以與該第一可變節流閥並聯 地被置放於該第一排氣線上，而一第二溢流閥係可以與該 第二可變節流閥並聯地被置放於該第二排氣線上。在這情 況中，該基體處理方法可以更包括如下之步驟：在沒有於 一個在該第一時間周期之前的第三時間周期中把該溶劑蒸 13 1293407 玖、發明說明 礼i、應到该第一處理容器之下把該處理氣體供應到該第一 處理谷裔，在沒有於一個在該第二時間周期之前的第四時 間周期中把該溶劑蒸氣供應到該第二處理容器之下把該處 里氣體供應到該第二處理容器；當該處理氣體於該第三時 5間周期中正被供應到該第一處理容器時藉著使用該第一溢 爪閥來凋節在该第一處理容器内的壓力，·及當該處理氣體 於該第四時間周期中正被供應到該第二處理容器時藉著使 用该第二溢流閥來調節在該第二處理容器内的壓力。 在該第一和第二可變節流閥係分別被置放於該第一和 10第二排氣線上的情況中，一第一開_關閥係可以與該第一可 變節流閥串聯地被置放於該第一排氣線上，而一第二開-關 闕係可以與該第二可變節流閥串聯地被置放於該第二排氣 線上。在這情況中，於該第一時間周期期間調節在該第一 處理容器内之壓力的步驟係可以包括重覆地開啟與關閉該 15第一開-關閥；而於該第二時間周期期間調節在該第二處理 容器内之壓力的步驟係可以包括重覆地開啟與關閉該第二 開-關閥。 本發明更提供一種基體處理方法，該基體處理方法包 括如下之步驟：把一處理氣體與一溶劑蒸氣供應到一個於 20 其内保持一基體的處理容器；及調節在該處理容器内的壓 力；其中，該調節在該處理容器内之壓力的步驟包括一個 調整一可變節流閥之開啟的步驟及一個重覆地開啟與關閉 一開-關閥的步驟，而該可變節流閥與該開-關閥係被串聯 地置放於一連接到該處理容器的排氣線上。 14 1293407 玖、發明說明 本發明更提供一種基體處理方法，該基體處理方法包 括如下之步驟：於一第一時間周期中把一處理氣體供應到 一個於其内保持一基體的處理容器；於一個在該第一時間 周期後面的第二時間周期中把該處理氣體與一溶劑蒸氣供 5應到該處理容器；於該第一時間周期中藉著使用一溢流閥 來調節在該處理容器内的壓力；及於該第二時間周期中藉 著调整一可變節流閥的開啟來調節在該處理容器内的壓力 ;其中’該溢流閥與該可變節流闊係被並聯地置放於一連 接到該處理容器的排氣線。 10 除了調節該可變節流閥的開啟之外，在該第二時間周 期中调節在該處理容器内之壓力的步驟可以包括重覆地開 啟與關閉一個與該可變節流閥串聯地被置放於該排氣線上 之開-關閥的步驟。 圖式簡單說明 15 第1圖是為包括本發明之第一實施例之基體處理裝置 之基體處理系統的示意平面圖； 第2圖是為在第1圖中所示之基體處理系統的示意側 視圖； 第3圖是為在第1圖中所示之基體處理裝置之管路系 20 統的管路圖； 第4圖是為在第3圖中所示之可變節流閥的剖視圖； 第5圖是為在第3圖中所示之臭氧產生器的概略圖； 第6圖是為在第3圖中所示之處於開啟狀態之處理容 器的剖視圖； 15 1293407 玖、發明說明 .第7(a)圖是為以第6圖中之術標示之部份的放大圖 •第7(b)圖&為沿著第7(a)圖中之、線Vllb-VIIb的剖視圖 如第8圖疋為在第6圖中所示之處於關閉狀態之處理容 器的剖視圖； 第9圖是為以第8圖中之IX標示之部份的放大圖； 第10圖疋為在第6圖中所示之處理容器的橫截面圖； 第11圖是為沿著第10圖中之線ΧΙοα的放 10 ； 第12圖是為沿著第1〇圖中之線χπ_χπ的放大剖視 圖； 第13(a)圖是為併合至該處理容器之固鎖機構的平面圖 15 第13(b)圖是為在第13(a)圖中之箭嘴xnib之方向上 的放大圖； 第14圖是為被包括於本發明之第二實施例之基體處理 裝置内之管路系統的管路圖； 第15圖是為被包括於本發明之第三實施例之基體處理 20 裝置内之管路系統的管路圖；及 第16圖是為被包括於本發明之第四實施例之基體處理 裝置内之管路系統的管路圖。 I：實施方式孺 較佳實施例之詳細說明 16 1293407 玖、發明說明 本發明的較佳實施例將會配合該等附圖作說明。 包括本發明之第一實施例之基體處理裝置的基體處理 m將會配合第1和2圖作說明。該基體處理系統1包 括個用於以預定過程處理像半導體晶圓w(於此後簡單地 稱為曰曰圓w )般之工作件的處理部份2，及一個用於把晶 圓W運送到该處理部份2及從該處理部份2接收晶圓w 的接收/運送部份3。 10 、該接收/運送部份3具有-個包括-用於支持晶圓載架 之I作台6的輸人/輸出埠* ’及一晶圓運送部份 “曰曰圓運送σ卩份5係設置有_個用於把晶圓從置放於該 工作口 6上之晶圓載架c傳送到該處理部份2和把晶圓從 该處理部份2傳送到置放於該卫作台6上之晶圓載架C的 圓輸送H 7 $晶圓載架c能夠保持數個未處理或已處 理的晶圓w，例如，二十五片晶圓w。 15 該晶圓載架C的-側係設置有一個由一蓋體覆蓋的開 孔。被保持於該晶圓載㈣的晶圓w在該蓋體被開啟時係 可被存取。支架係被支持在該晶圓載架c之壁的内表面上 20 俾可以狀的間隔支持晶圓w。該等支架形成二十五個用 於容置晶® W _溝。一個晶圓w係在其之要形成有半 導體元件之主要表面朝上之下***置於該等槽溝中之一者 數個晶圓載架C，例如，三個晶圓載架c，係能夠水 平地沿著Y-方向來排列於該輸人/輸出埠4的工作台6上 。該晶圓載架C係在其之設置有該蓋體之側面向一個分隔 17 1293407 玖、發明說明 該輸入/輸出埠4與該晶圓運送部份5之分隔壁8之下被置 放於„玄工作口 6上。_ 9係开)成於該分隔壁8中在對應於 該等晶圓載架C被置放於該工作台6上之位置的位置。該 等窗9係由被設置於該晶圓運送部份5之對應於該等窗9 5 之侧上的閘板10關閉。 被置放於該晶圓運送部份5之晶圓輸送器7的主要單 元係可在水平方向（γ_方向）上移動、可在垂直方向（z方向） 上移動、及可在Θ方向上於水平平面(χγ_平面）上轉動。該 晶圓輸送器7具有-個安裝至該主要單元且能夠保持與運 10送-晶圓w的晶圓傳輸臂u。該晶圓傳輸係可沿著 X-軸來水平地移動。因此，該㈣輸送器7係能夠存取被 置放於該工作台6上之該等晶圓載架C之在不同水平之該 等槽溝中之每-者及兩個垂直地配置之晶圓中繼單元叫 17中之每一者，而因此係能夠把晶圓w從該輸入/輸出埠 15 4傳輸到該基體處理部们及把晶圓w從該基體處理部份 2傳輸到該輸入/輸出埠4。 該處理部份2包括，-主要晶圓輸送器18、該等中繼 單元I6和17、基體清潔單元叫…和⑴及是為本發 明之基體處理裝置之主要組件的基體處理單元…至咖 2〇 °當一晶圓W從該晶圓運送部份5的晶圓輸送器7傳輸到 該主要晶圓輸送H 18及從該主要晶圓輸送器18傳輸到該 晶圓運送部份5的晶圓輸送器7時，該晶圓w係暫時地被 保持在該中繼單元16或17。 該處理部份2包括-個產生臭氧氣體，即，處理氣體 18 1293407 玖、發明說明 ，的臭氧產生器24，及一個用於儲存要被供應到基體清潔 單疋12至15之處理液體的化學儲存單元25。一風扇過濾 器單元（FFU)26係安裝在該基體處理部份2的頂壁上俾可 供應清潔的空氣到那些單元及該主要晶圓輸送器18。 5 由該FFU 26向下吹之清潔之空氣的部份流過該等中繼 單兀16和17，一個在該等中繼單元16和17之上延伸到 ”亥曰曰圓運送部份5的空間。因此，污染物，像外來的微粒 般，係被防止從該晶圓運送部份5遷移到該處理部份2俾 可維持該處理部份2的内部清潔。 10 "亥等中繼單元16和17係垂直地堆疊。當一晶圓W係 從該輸入/輸出埠4被傳輸到該處理部份2時，該較低的中 繼單7L 17係用於暫時地保持該晶圓w。當一晶圓w係從 T處理。p伤2被傳輸到該輸人/輸出埠4時，該較高的中繼 單元16係用於暫時地保持該晶圓。 忒主要晶圓輸送器、18❸主要I元係可在水平方向（X-方向）和垂直方向（z_方向）上移動，而且藉著一馬達，圖中 未不，而係能夠在水平平面（χ_γ_平面）上轉動（θ_方向一 月匕夠保持-晶圓W的運送臂18a係安裝於該主要晶圓輸 加送器18的主要單兀上。該運送臂18&係可在水平方向（第1 圖中的γ-方向）上移動。因此，該主要晶圓輸送器Μ係能 夠存取該等中繼單元16和17、該等基體清潔單元12至Μ 、及該等基體處理單元23&到23h。 *該等基體清潔單元12，13，14和15對該等#已遭受由該 等基體處理單兀23a至23h所作用之抗阻·溶解處理的晶圓 19 1293407 玖、發明說明 W執行一清潔與乾燥處理。 該等基體清潔單元12，13，14和15具有實質上相同的結 構，除了該等基體清潔單元12和13與該等基體清潔單元 14和15係相對於一分隔壁27對稱之外。 5 該等基體處理單元23a至23h係被構築俾可執行該抗 阻-溶解處理，其使得形成於該晶圓W上的一不吸水，水-不可溶解抗阻薄膜成水-可溶解。該四個基體處理單元 23d，23c，23b和23a係按那個順序垂直地於一分隔壁28的 一側堆疊，而該四個基體處理單元23h，23g，23f和23e係按 10 那個順序垂直地於該分隔壁28的另一側堆疊。在該分隔壁 28之左手邊，如在第1圖中所見，的基體處理單元 23a，23b，23c和23d與在該分隔壁28之右手邊，如在第1 圖中所見，的基體處理單元23e，23f，23g和23h在結構上係 實質上相同，除了該等基體處理單元23a，23b，23c和23d與 15 該等基體處理單元23e，23f，23g和23h係相對於該分隔壁 28對稱之外。 該等基體處理單元的結構將會作說明。該等基體處理 單元23a和23b的結構將會被舉例說明。第3圖是為與該 等基體處理單元23a和23b相關聯之管路系統和本發明之 20 基體處理裝置之管路系統的管路圖。該等基體處理單元 23a和23b係分別設置有處理容器30A和30B。該等處理 容器30A和30B係分別藉著溶劑蒸氣供應線40(40A和 40B)來連接到一共用蒸汽產生器41，即，溶劑蒸氣源。該 等溶劑蒸氣供應線40A和40B係設置有可變節流閥 20 1293407 玖、發明說明 50(50A和50B)，其是為分別用於調節該等處理容器30A 和30B内之壓力的裝置。 請參閱第4圖所示，該等可變節流閥50具有一閥本體 50a，該閥本體50a設有：一個藉由一管線來連接到該蒸汽 5 產生器41的輸入埠51 ; —個形成在其之下端且由一管線 連接到該處理容器30A(30B)的輸出埠52 ; —個連接該輸入 埠51與該輸出埠52的連接通道53 ; —個形成於該連接通 道53之底部的閥座56 ;及一個從該通道53向上延伸的孔 54。一閥元件57係可垂直移動地裝配於該孔54内。該閥 10 元件57係設有一螺孔57a。一隔膜58係貼附到該閥元件 57的外表面和該閥本體50a的内表面。一螺桿59a係螺鎖 於該閥元件57的螺孔57a内。該閥元件57的底部表面55 能夠坐在該閥座56上。該螺桿59a能夠由一伺服馬達59 在相反方向上轉動。 15 蒸汽經由該溶劑蒸氣供應線40供應到該處理容器 30A(30B)的蒸汽供應速率係藉著驅動該伺服馬達59俾調整 該可變節流閥50的開啟來被調整。在該處理容器 30A(30B)内的壓力係端視被供應到該處理容器30A(30B)之 蒸汽與臭氧氣體之個別的流動速率而定。因此，在該處理 20 容器30A(30B)内的壓力能夠藉由調整該可變節流閥50的 開啟來被調節。 一共用臭氧產生器42，即，一處理氣體源，和一共用 空氣源43係經由供應選擇器60(60A，60B)來連接到在該等 可變節流閥50(50A，50B)之下游側（第二側）之溶劑蒸氣供應 21 1293407 玖、發明說明 線40(40A，40B)的部份。每一個供應選擇器60包括一個用 於開啟或關閉該溶劑蒸氣供應線40的第一兩-位置閥（即， 開-關閥）61、一個用於開啟或關閉一臭氧氣體供應線44的 第二兩·位置閥62(即開-關閥）、及一個用於開啟或關閉一 5空氣供應線45的兩-位置閥63(即，開-關閥）。該空氣供應 線45係設置有一個包括一高_流量限流器46a與一低—流量 限流器46b的流量選擇閥46，及一個兩-位置閥VI。 請參閱第5圖所示，該臭氧產生器42藉著把氧氣氣體 (〇2) ’即’來源氣體，通過在該等放電電極42b與42c之 10間的間隙及藉著由一高頻率電力源42a施加一高頻率電壓 在該等放電電極42b與42c之間來產生臭氧（〇3)。把該高 頻率電力源42a連接到該等放電電極42b與42c的一電路 42d係設置有一開關42e。該開關42e係由一個由圖中未示 之用於控制該基體處理系統丨之運作之系統控制器所提供 15 的控制訊號控制。 請再次參閱第3圖所示，一壓力表47係連接到該溶劑 蒸氣供應線40之在該可變節流閥50與該供應選擇器6〇之 間的部份。一純水源49係由一設有兩_位置閥V2的純水供 應線48來連接到該蒸汽產生器41。該空氣源43係由一設 20置有兩_位置閥V3的分支線70來連接到該純水源供應線 48之在該兩-位置閥V2之下游侧（第二側）的部份。該等兩_ 位置閥V2和V3能夠被設定在開啟狀態或關閉狀態。設置 有一個與該兩_位置閥V3連鎖之排水閥DV的排水線71係 連接到5亥蒸汽產生器41的排水蟑。剩餘在該蒸汽產生器 22 1293407 玖、發明說明 41的純水係經由該排水線71排放。一純水排放線72具有 一個連接到該排水線71的末端和另一個連接到該蒸汽產生 器41之輸入埠的末端。該純水排放線72係設有一個兩-位 置閥V4。設置有一溢流閥RV1的分支線73具有一個連接 5 到該兩-位置閥V4之上游側（第一側）的末端和另一個連接 到該兩-位置閥V4之下游側（第二側）的末端。 排氣線80(80A，80B)係連接到該等處理容器30A和 30B之與連接有該等溶劑蒸氣供應線40(40A，40B)之部份相 對的部份。該等排氣線80係經由溢流閥RV2來分別連接 10 到該等基體處理單元23a和23b的排氣埠(EXHAUST)81。 設置有一排氣選擇器90的分支排氣線82係連接到每一排 氣線80之溢流閥RV2的上游側（第一側）。該排氣選擇器 90包括一個在正狀態時維持關閉而在緊急時開啟的第一 兩-位置閥91(即，開-關閥）、一個具有一在開啟時允許在 15 低流動速率之排放之小直徑限流器的第二兩-位置閥92(即 ，開-關閥）、及一個具有一在開啟時允許在高流動速率之 大直徑限流器的第三兩-位置閥93(即，開-關閥）。連接到 一緊急排氣埠（EMERGENCY EXHAUST)的緊急排氣線84 係連接到該排氣選擇器90之第一兩-位置閥91的下游侧（ 20 第二側）。連接到一排氣埠（EXHAUST)81的排氣線80A係 連接到該第二兩-位置閥92和該第三兩-位置閥93。用於把 包含臭氧氣體之氣體從液體分離之未被顯示的一冷卻裝置 與一霧凝氣筒，及一用於把從液體分離之臭氧氣體經由熱 分解來轉換成氧氣之未被顯示的殺臭氧器係連接到該排氣 23 1293407 玖、發明說明 埠81與該緊急排氣埠83。 該等處理容器30A和30B將會作說明。如在第6和8 圖中所示，該處理容器30A具有一容器本體32和一蓋體 34。該容器本體32係設置有一個用於支持一晶圓W於其 5 上的凸出托臺31。該蓋體34係設置有支持元件33。該主 要晶圓輸送器18把一晶圓W運送到該等支持元件33上。 一圓筒作動器35把該蓋體34垂直地移動。當一晶圓W從 該主要晶圓輸送器18傳輸到該等支持元件33及從該等支 持元件33傳輸到該主要晶圓輸送器18時，該蓋體34係與 10 該容器本體32分離。當一個被支持於該托臺31上的晶圓 W正被處理時，該蓋體係緊密地連結到該容器本體32。加 熱器36a和36b係分別被埋藏於該處理容器30A的該容器 本體32與該蓋體34内。該等加熱器36a和36b加熱該容 器本體32和該蓋體34俾可維持該處理容器30A的内部在 15 預定的溫度。如果想要的溫度控制是有可能的話，僅該容 器本體32會設置有該加熱器36a。一鎖固機構121把連結 在一起的該容器本體32與該蓋體34保持在氣密形式。一 洩漏偵測器39a係貼附到該處理容器30A俾可監視處理流 體從該處理容器30A的洩漏。 20 請參閱第9和10圖所示，該蓋體34具有一個碟型本 體34a。該加熱器36b係被埋藏於該本體34a内，而該等 支持元件33係連接到該本體34a之較下表面之直徑地相對 的部份俾可向下凸出。如在第7圖中所示，每一支持元件 33具有一個L形的橫截面，而且具有一個從該本體34a之 24 1293407 玖、發明說明 内表面垂直地向下凸伸的腿部33a和一個從該腿部33a之 下端向内徑向地延伸的水平支持部33b。該水平支持部33b 具有一内邊緣33c，該内邊緣33c具有曲率係實質上與該 凸出托臺31之外圓周之曲率相配之圓弧的形狀。一個在其 5上一晶圓W之週緣部份係座落的階梯33(1係形成於該水平 支持部33b之邊緣部份的上表面。 請參閱第6、8和10圖所示，該容器本體32具有一個 碟形基底部份32a、該從基底部份32a之上表面凸伸並具 有一個稍微比一晶圓W之直徑小之直徑的圓形托臺31、 10及從該基底部份32a之週緣上升的週壁32b。該加熱器36& 被埋藏於該基底部份32a内。該週壁32b之從該基底部份 32a之下表面起的高度係比該托臺31之上表面的高度大。 一環形凹槽32c係形成於該週壁32b與該托臺31之間。腔 室32d係形成於該環形凹槽32c之直徑相對部份。當該蓋 15體34被置於該容器本體32上時，該等支持元件33係容置 於》等腔室32d内。兩個同心的圓形凹槽似係形成於該 週壁32b的上表面’而〇形環似係配裝於該等圓形凹槽 32e 内。 如在第10圖中所示，該週壁32b在與對應於該兩個腔 2〇至32d之位置相隔9〇〇之角距離的部份係分別設置有一供 應埠37和一排氣埠38。該溶劑蒸氣供應線40係連接到該 供應埠37,而該排氣線8〇係連接到該排氣璋％。該供應 埠37通向-個在該環形凹槽似之上的空間，如在第、^ 圖中所示。該排氣埠38通向該環形凹槽瓜的底部部份， 25 1293407 玖、發明說明 如在第12圖中所示。因此，該處理流體，即，臭氧氣體與 蒸汽的混合流體，能夠流暢地被供應到一個在該處理容器 30A之容器本體32與蓋體34之間的空間39，而在該處理 的完成之後剩餘在該處理容器30A内的處理流體係能夠完 5 全地從該處理容器30A排放。該容器本體32的週壁32b 可以設置有數個供應埠37。 請參閱第6、8和13圖所示，該圓筒作動器35具有一 圓筒本體35a，及一個從該圓筒本體35a向下凸伸並固定 到該蓋體34之上表面的活塞桿35b。四個支柱101係垂直 10 地設定在一個矩形，固定板100(見第13圖）上，而一頂板 103係以螺栓102鎖固到該等支柱101的頂端部份。該圓 筒本體35a係以垂直的狀況鎖固到該頂板103的下表面。 當該活塞桿35b縮回至該圓筒本體35a時，該蓋體34係上 升並且與該容器本體32分離。該蓋體34被降下並且壓迫 15 該容器本體32之週壁32b的上表面，壓緊該等Ο形環32f 以致於該處理容器30A被密封。 該鎖固機構120將會配合第8和13圖作說明。一旋轉 管106係由於一個置於一從該容器本體32之基底部份32a 之下表面之中央部份向下凸伸之支持軸104之軸承105的 20 作用而旋轉。該旋轉管106能夠藉著一旋轉作動器107來 在相反方向上轉動。一碟108係被置於該旋轉管106上。 十二個托座109係垂直地鎖固到該碟108的週緣。一水平 下軸110從每一托架109之下部徑向向内地凸伸，而一下 鎖固滚輪112係被支持於該水平下軸110上俾可旋轉。該 26 1293407 玖、發明說明 下鎖固滚輪112能夠與-個從該基底部份32a之週緣徑向 地凸伸之下凸體U1的下表面交結。一水平上軸113從每 一托架109的上部徑向地向内凸伸，而一上鎖固滚輪115 係被支持於該水平上軸113上俾可旋轉。該上鎖固滾輪 5 U5能夠與一個從該蓋體34之週緣徑向地凸伸之上凸體 114的上表面交結。該下凸體lu是為一個連續地沿著該 基底部份32a之圓周延伸的環形元件。該等上凸體114係 在相隔角距離下被排列在該蓋體34的圓周上。具有一個稍 微比該等上鎖固滾輪115之直徑大的間隙116係形成在相 10鄰的上凸體114之間。如在第13(b)圖中所示，每一上凸體 114的上表面具有一個從該間隙116之一端，即，從第 13(b)圖中所見左手邊的端，向上傾斜的斜坡117，及一個 從該斜坡117之上端延伸的平坦水平表面118。 當該碟108在蓋體34連接到容器本體32下係由於該 5凝轉作動器來與該旋轉管106 —起轉動時，該等下鎖 固✓袞輪112沿著該下凸體ill的下表面滾動，而該等上鎖 固滾輪115滚上該等上凸體114的斜坡117到該等水平表 面118。因此，該容器本體32之基底部份32a的下凸體 111及該蓋體34的上凸體係被保持在該鎖固機構12〇之十 20 二組的下鎖固滾輪112與上鎖固滾輪115之間俾可把該容 器本體32與該蓋體34鎖固在一起。在這狀態下，該等〇 形環32f係被壓縮在該容器本體32與該蓋體34之間俾可 密封該處理容器30A。 在解開該容器本體32與該蓋體34時，該旋轉管1〇6 27 1293407 玖、發明說明 係在顛倒方向上轉動俾可把該等下鎖固滾輪112和該等上 鎖固滾輪115轉動到它們的等待位置。該等上鎖固滾輪 112的等待位置係處於該等間隙116。在這狀態下，該圓筒 作動器35的活塞桿35b係縮回俾可把該蓋體34自該容器 5 本體32分離。 由該基體處理系統1處理一晶圓w之過程的步驟將會 作說明。該晶圓傳輸臂U從置放於該輸入/輸出蜂4之工 作台6上的載架C取得一晶圓w，並且把該晶圓w傳輸 到該晶圓中繼單元17。然後，該主要晶圓輸送器18從該 10 15 20 中、，廬單兀17接收该晶圓w。該主要晶圓輸送器18把該晶 圓w傳送到該等基體處理單元仏i ]巾之指定之一者 。以上的運作係被重覆地執行。然後，該等基體處理單元 23a至23h執行一抗阻_溶解處理。 在該抗阻-溶解處理的完成之後，該晶圓輸送器18的 運送臂…把該等晶圓w從該等基體處理單元…至说 移去並且把δ亥等晶圓w傳送到該等清潔單元12，叫4和 15。然後，該等基體清潔單元⑻^和μ利用清潔液體 m般執仃_清潔處理俾可從該等晶圓％移去該等 溶解性抗阻薄媒。因此，塗佈於該等晶圓w之表面上的抗 阻薄膜係被移去。#必要時’該等基體清潔單A 12，13 14 和15利用—化學溶液執行-金屬污染物移去處理俾可從該 ^曰圓W移去微粒和金屬污染物。該運送臂18a把如此被 =的晶®W運送到該晶圓中繼kn。織，晶圓傳 輸#11減從該中繼單元Π傳輸_載架C。 28 1293407 玖、發明說明 利用該處理容器30A之該基體處理單元23a的運作將 會作說明作為該等基體處理單元23a至23h之運作的代表 例子。該蓋體34係從該容器本體32分離，而該主要晶圓 輸送器18之保持一晶圓W的運送臂18a把該晶圓W運送 5 至一個在該蓋體34下面的空間並且把該晶圓W置於該蓋 體34的支持元件33上。然後，該圓筒作動器35係被驅動 俾可朝該容器本體32把該蓋體34降下。當該蓋體34係如 此被降下時，被支持於該等支持元件33上的晶圓W係被 置於該容器本體的凸出托臺31上而且當該等支持元件33 10 在該容器本體32的腔室32d下降時係與該.等支持元件33 分離。該蓋體34在該晶圓W業已固定於該凸出托臺31上 之後係被進一步下降，而該蓋體34係壓迫該容器本體32 之週壁32b的上表面俾可密封該處理容器30A。 在該處理容器30A被如此密封之後，該等加熱器36a 15 和36b被給予能量俾可對該處理容器30A的内部和該晶圓 W加熱。然後，該供應選擇器60A的第二兩-位置閥62被 開啟俾可經由該臭氧氣體供應線44來把具有預定之臭氧濃 度的臭氧氣體供應到該處理容器30A俾可在該處理容器 30A内產生臭氧氣體大氣。該處理容器30A的内部係維持 20 在一個比大氣壓力高的壓力，像0.2MPa的表壓般。該等 加熱器36a和36b係被控制以致於該處理容器30A的内部 和該晶圓W係分別被保持在預定的溫度。因此，該抗阻_ 溶解處理能夠被促進。經由該排氣線80A從該處理容器 30A排放的流體係被運送到一未被顯示的霧凝氣器。 29 1293407 玖、發明說明 然後，該供應選擇器60A的第一兩-位置閥61和第二 兩-位置閥62係被開啟，俾可把蒸汽與臭氧氣體同時地供 應到該處理容器30A來藉著該抗阻-溶解處理處理該晶圓 W。在該抗阻-溶解處理期間，該可變節流閥50A的開啟係 5 被調整俾可調節蒸汽的流動速率以致於該處理容器30A的 内部被調節在預定的壓力。當臭氧氣體和蒸汽正同時地被 供應到該處理容器30A時，被置於該排氣線80A内之排氣 選擇器90A的第三兩·位置閥93係被開啟俾可從該處理容 器30A排放流體。由該蒸汽產生器41所產生且流過該溶 10 劑蒸氣供應線40A之蒸汽的溫度係由一個未被顯示的溫度 調節器調節在，例如，大約115°C的預定溫度。如此被加 熱在該預定溫度的蒸汽係藉由該供應選擇器60A來與臭氧 氣體混合，而且蒸汽與臭氧氣體的混合物係被供應到該處 理容器30A。在這狀態下，該處理容器30A的内部係被維 15 持在比大氣壓力高的預定壓力，像大約0.2MPa的表壓般 。該等加熱器36a和36b係被控制以致於該處理容器30A 的内部和該晶圓W係分別被維持在預定的溫度。塗佈該晶 圓W之表面的抗阻薄膜係由於填注該處理容器30A之臭氧 氣體與蒸汽的混合流體而變成水-可溶解。由於該等支持元 20 件33係被容置於被形成在該容器本體32的腔室32d内， 一處理空間，即，在該容器本體32與該蓋體34之間的空 間39，係能夠被形成成非常小的容積。因此，用於控制該 處理容器30A内之壓力的壓力控制運作（特別地，一壓力上 升控制運作）係能夠在高反應速度下達成，該處理流體（臭 30 1293407 玖、發明說明 氧氣體和蒸汽）的消耗能夠被降低，而該處理容器30A及因 此該基體處理單元能夠被形成成小尺寸。 在該抗阻-溶解處理期間，該混合處理流體係經由該溶 劑蒸氣供應線40A持續地被供應，而該混合處理流體係經 5 由該排氣線80持續地排放。如在第11和12圖中所示，該 混合處理流體係經由該連接到該溶劑蒸氣供應線40A的供 應埠37來被引入到一個在該晶圓W之上表面之上的空間 ，而該混合處理流體係經由該連接到該排氣線80A且通向 一個在該晶圓W下面之空間之與該供應埠37直徑地相對 10 的排氣埠38來被排放。因此，被引入至在該晶圓W之上 表面之上之空間的混合處理流體朝該排氣埠38流過被形成 在該晶圓W之上表面與該蓋體34之間的處理空間39。該 混合處理流體亦沿著該晶圓W的圓周朝該排氣埠38流動 〇 15 該抗阻-溶解處理可以藉著停止經由該溶劑蒸氣供應線 40A供應該混合處理流體、停止經由該排氣線80A排放該 混合處理流體、維持該處理容器30A内的固定壓力及使用 該混合處理流體填注該處理容器30A來被執行。該供應選 擇器60A的該等兩-位置閥和該排氣選擇器90A的該等兩-20 位置閥在如此的處理模式期間係被關閉。 在該抗阻-溶解處理的完成之後，臭氧氣體與蒸汽的混 合處理流體係從該處理容器30A完全地排放。在從該處理 容器30A排放用過的混合處理流體時，該流量選擇器闊46 係被設定以致於空氣流過該高-流量限流器46a俾可經由該 31 1293407 玖、發明說明 供應選擇器60A從該空氣源以高流動速率供應乾，清潔的 空氣到該處理容器30A，而且該排氣選擇器90的第三兩-位置閥93係被開啟。 當用過的處理流體經由該排氣線80A來從該處理容器 5 30A排放時，乾的空氣係從該空氣源43供應到該處理容器 30A。因此，該溶劑蒸氣供應線40A、該處理容器30A和 該排氣線80A能夠由乾的空氣清潔和洗滌。用過的混合處 理流體係經由該排氣線80A排放到未被顯示的霧凝氣器。 隨後，該圓筒作動器35被運作俾可升起該蓋體34及 10 把該蓋體34自該容器本體32分離。當該蓋體34係如此被 升起時，該等支持元件33從該等腔室32d上升、把該晶圓 W自該凸出托臺31升起。然後，該主要晶圓輸送器18的 運送臂18a前進到在該蓋體34下面的空間、從該等支持元 件33取得該晶圓W、及把該晶圓W運送離開該處理容器 15 30A。 當蒸汽與臭氧氣體到該處理容器30B内的供應在蒸汽 與臭氧氣體正被供應到該處理容器30A以供抗阻-溶解處理 用之時被開始時，調節該等處理容器30A和30B内之壓力 的方法將會作說明。在開始蒸汽到該處理容器30B内的供 20 應之前和在該流體供應運作之完成之後之用於供應像臭氧 氣體或洗滌空氣般之流體到該處理容器30B的程序係與為 了該處理容器30A所執行的程序相同。 在被置放於該連接到處理容器30A之溶劑蒸氣供應線 40A之可變節流閥50A被適當地調整且蒸汽正被供應到該 32 1293407 玖、發明說明 處理容器30A内的狀態下，蒸汽係由於後面的程序而亦被 供應到該處理容器30B。 假設該處理容器30B已被加熱在想要的溫度而且已填 注有臭氧氣體。然後，被置放於該連接到該處理容器30B 5 之溶劑蒸氣供應線40B之可變節流閥50B的開啟係被適當 地調整，該供應選擇器60B的第一兩-位置閥61係被開啟 俾可開始把蒸汽供應到該處理容器30B。 當被置放於該連接到該處理容器30B之溶劑蒸氣供應 線40B的選擇器閥61被開啟俾可開始把蒸汽供應到該處 10 理容器30B時，被置放於該有蒸汽流過之溶劑蒸氣供應線 40A之可變節流閥50A的開啟被減少。因此，在該處理容 器30A内之突然的壓力改變能夠被防止。雖然蒸汽被供應 到該處理容器30A的蒸汽供應速率在這狀態下降低，在蒸 汽與臭氧氣體之間的蒸汽-臭氧供應速率比率係有一個可允 15 許的範圍，而因此蒸汽之供應速率的降低不會不利地影響 該抗阻-溶解處理，假若該蒸汽·臭氧供應速率比率係處於 該可允許的範圍之内。 在該處理容器30B内的壓力被穩定之後，該等可變節 流閥50A和50B係被調整以致於該等可變節流閥50A和 20 50B之個別的開啟係實質上相等。因此，蒸汽係在相等的 供應速率下被供應到該等處理容器30A和30B，而該等處 理容器30A和30B的内部係分別被維持在相等的壓力。 一個未被顯示的系統控制器調節該等可變節流閥50A 和50B之個別的開啟。用於調節該等可變節流闊50A和 33 1293407 玖、發明說明 50B之開啟的控制資料係事先被儲存於該系統控制器。該 控制資料係被設計以致於當該處理容器30B在該處理容器 30A係處於抗阻-溶解處理的運作之時開始抗阻-溶解處理 的運作時，該等可變節流閥50A和50B之開啟之隨時間的 5 改變係被控制俾可限制該等處理容器30A和30B内的壓力 改變到最小可能的程度。該控制資料係經由利用該基體處 理系統的實驗來憑經驗地獲得。 當該等處理容器30A和30B係處於運作時，被置放於 該等排氣線80A和80B之該等排氣選擇器90A和90B的 10 第二兩-位置閥92和第三兩-位置閥93會被選擇地開啟。 因此，在該等處理容器30A和30B内的壓力能夠更準確地 且輕易地被調節。 雖然在這實施例中該單一蒸汽產生器41係連接到該兩 個處理容器30A和30B，該單一蒸汽產生器41可以連接 15 到三個或更多個處理容器。當該單一蒸汽產生器41係連接 到三個或更多個處理容器時，該等可變節流閥50的開啟會 根據同時被使用之處理容器的數目來被調節。例如，當三 個處理容器被同時使用時，該等可變節流閥50的開啟係被 減少成相等於完全開啟之1/3的開啟，而當四個處理容器 20 被同時使用時，係被減少成相等於完全開啟之1/4的開啟 〇 雖然由該等伺服馬達59所運作的電氣可變節流閥50 在這實施例中係被使用作為用於調節該等處理容器内之壓 力的裝置，在流體控制技術之領域眾所周知之任何適合的 34 1293407 玖、發明說明 壓力調節裝置可以被使用代替該等電氣可變節流閥50。在 這說明書中，該名詞，，可變節流閥，，不僅指典型的可變節流 閥’且亦指被包括在一質量流量控制器内的流量控制閥。 雖然前面的實施例根據事先被儲存於該系統控制器内 5 的開啟控制資料來控制該可變節流閥50的開啟，該可變節 流閥50的開啟可以根據該處理容器3〇内之壓力的測量資 料來藉著一回饋控制運作來調節。第14圖顯示被包括在本 發明之另一實施例之基體處理裝置内的管路系統。在第14 圖中所示的管路系統中，該等可變節流閥5〇之個別的開啟 10 係藉著在該等處理容器30A和30B運作期間由置放於該等 處理容器30A和30B内之壓力感測器200，即，壓力測量 裝置’測量該等處理容器30A和30B内的壓力、藉著把由 該等壓力感測器200所提供的訊號傳輸到一中央處理單元 (CPU)300，即，一控制器、及藉著由該cpu 300所提供之 15控制訊號來控制該等可變節流閥50的伺服馬達59來被調 節。在第14圖中所示的管路系統在其他方面係與前面之實 施例的管路系統相同。因此，與在第1圖中所示之基體處 理裝置之管路系統之部件相似或對應的部件係由相同的標 號標示而且其之說明將會被省略。 20 本發明之另一實施例的基體處理裝置將會配合第15圖 作說明。在第15圖中所示的管路系統在後面的點上係與在 第3圖中所示之管路系統不同： (1)該等可變節流閥50A，50B係從該等溶劑蒸氣供應線 40A，40B移到該等排氣選擇器9〇A，90B之第三兩_位置閥 35 1293407 玖、發明說明 93之下游的位置而且係分別連接到第三兩-位置閥93的輸 出埠。 (2) 該等壓力表47係從該等溶劑蒸氣供應線40A，40B 移動到該等排氣線80A，80B。該等壓力表47係正好置於該 5 等處理容器30A和30B的下游和該等溢流閥RV2與排氣 選擇器90的上游。 (3) 被包括於該等排氣選擇器90中之每一者内的第三 兩-位置閥93是為沒有限流器之傳統的兩-位置閥。 (4) 該等溶劑蒸氣供應線40(40A和40B)係分別設置有 10 節流孔板120。該等節流孔板120，或者固定限流器，係有 效於把該蒸汽產生器41内之電壓經常維持在高位準及有效 於穩定蒸汽產生。 在第15圖中所示的管路系統在其他方面係與在第3圖 中所示的管路系統相同而因此其之進一步的說明將會被省 15 略俾避免重覆。 在一晶圓W已被置放於該處理容器30a之後，該等加 熱器36a和36b被給予能量俾可加熱該處理容器30A的内 部和該晶圓W。然後，該供應選擇器60A的第二兩-位置 閥62係被開啟俾可經由該臭氧氣體供應線44來把具有預 20 定之臭氧濃度的臭氧氣體供應到該處理容器30A俾可在該 處理容器30A内產生一臭氧氣體大氣。在該排氣選擇器 90A的第一、第二和第三兩-位置閥91，92,93被保持關閉下 ，該處理容器30A的内部係藉由該溢流閥RV2來維持在一 個比該大氣壓力高的壓力，像0.2MPa的表壓般。在希望 36 1293407 玖、發明說明 的臭氧氣體大氣已建立之後，該等加熱器36a和36b係被 控制以致於該處理容器30A的内部和該晶圓W係分別被維 持在預定的溫度。 然後，該供應選擇器60A的第一和第二兩-位置閥 5 61，62係被開啟俾可把臭氧氣體與蒸汽同時地供應到該處理 容器30A來藉著一抗阻-溶解處理來處理該晶圓W。在該 抗阻-溶解處理期間，該排氣選擇器90A的第一兩-位置閥 91和第二兩·位置閥92係被保持關閉，而該排氣選擇器 90A的第三兩-位置閥93，即，開-關閥93，係被保持開啟 10 。在該第三兩-位置閥93之下游側之可變節流閥50A的開 啟係被調節俾可把該處理容器30A内的壓力維持在一預定 的水平，例如，一個比該大氣壓力高的壓力，像0.2MPa 的表壓般。 當數個處理容器（30A，30B)係同時地被使用於抗阻-溶 15 解處理時，該等可變節流閥（50A，50B)的開啟係根據被使用 之處理容器的數目來被調節。在第15圖的實施例中，該等 可變節流閥50A，50B係分別在該等處理容器30A和30B的 下游側。因此，在該等處理容器内的壓力能夠藉由減少該 等可變節流閥50的開啟來被提升。因此，在該等處理容器 20 内的壓力係能夠輕易地被調節。 如果在該處理容器30B内的抗阻溶解處理係在於該處 理容器30A内的抗阻溶解處理正進行中時被開始的話，最 好的是在開始供應蒸汽到該處理容器30B時暫時地減少該 排氣線80A之可變節流閥50A的開啟，而其後調整該等可 37 1293407 玖、發明說明 變節流閥50A和50B成相同的開啟。這程序抑制該處理容 器30A内之壓力在供應蒸汽到該處理容器30B之開始之時 的突然降低。 該等可變節流閥50A和50B之開啟之隨時間的改變係 5 可以根據事先經由實驗所獲得之憑經驗的控制資料來被控 制或者可以由一回饋控制運作來被控制。在藉著回饋控制 運作來調節該等可變節流閥50A，50B的開啟時，由該等壓 力表47所提供的訊號係被傳輸到一 CPU(控制器）300,而 該等可變節流閥50的伺服馬達59係受由該CPU 300所提 10 供的控制訊號控制。 以上所述之那些以外之抗阻溶解處理的步驟係與先前 配合在第3圖中所示之管路系統所說明的那些相同。 該第三兩-位置閥93在該抗阻-溶解處理期間係可以額 外地用於調節在該處理容器30A内的壓力；即，在該可變 15 節流閥50A之開啟被固定在適當的水平下，在該處理容器 30A内的壓力係可以藉著重覆地開啟和關閉該排氣選擇器 90A的第三兩-位置閥93來被調節。而且，該第三兩-位置 閥93在該抗阻-溶解處理期間係可以額外地用於調節在該 處理容器30B内的壓力；即，在該可變節流閥50B之開啟 20 被固定在適當的水平下，在該處理容器30B内的壓力係可 以藉著重覆地開啟和關閉該排氣選擇器90B的第三兩-位置 閥93來被調節。由於用於於開啟與關閉一個閥的運作能夠 比用於調整該閥之開啟的運作更迅速地被達成，該選擇器 閥93的額外使用提升壓力調節的準確度。 38 1293407 玖、發明說明 該可變節流閥5〇α(5()β)之開啟的調節和該排氣選擇器 90A(90B)之第三兩_位置閥93的開啟.與關閉運作係可以 被同時地執行。 在第16圖中所示的實施例中，cpu 3〇〇係藉著一個根 5據由壓力表47，即，壓力感測器，所測量之測量壓力的回 饋控制運作來控制該第三兩_位置閥93。然而，該回饋控 制運作未必是必須的。假若在一蒸汽產生器内的壓力是穩 定，在該處理容器30A(30B)内的壓力係可以藉由根據事先 憑經驗地決定的計劃表來開啟與關閉該第三兩_位置閥％ 10來被調節。在一處理容器30A(30B)内的壓力亦可以藉由同 時地調節該可變節流閥50A(50B)的開啟及開啟與關閉該排 氣選擇器90A(90B)的第三兩-位置閥93來被調節。 雖然前面的實施例業已被說明應用於用以把塗佈該半 導體晶圓之表面之抗阻薄膜移去的基體處理單元，該基體 15處理單元可以是為一個蝕刻單元或者是為一個用於處理半 導體晶圓以外之工作件，像LCD基體般，的基體處理單元 。該處理氣體不限定於臭氧氣體，而該溶劑蒸氣不限定於 蒸汽。 【圖式簡單說明】 20 第1圖是為包括本發明之第一實施例之基體處理裝置 之基體處理系統的示意平面圖； 第2圖是為在第1圖中所示之基體處理系統的示意側 視圖； 第3圖是為在第丨圖中所示之基體處理裝置之管路系 39 1293407 玖、發明說明 統的管路圖； 第4圖是為在第3圖中所示之可變節流閥的剖視圖； 第5圖是為在第3圖中所示之臭氧產生器的概略圖； 第ό圖是為在第3圖中所示之處於開啟狀態之處理容 5 器的剖視圖； 第7(a)圖是為以第6圖中之Vila標示之部份的放大圖
J 第7(b)圖是為沿著第7(a)圖中之線Vllb-VIIb的剖視圖 10 第8圖是為在第6圖中所示之處於關閉狀態之處理容 器的剖視圖； 第9圖是為以第8圖中之IX標示之部份的放大圖； 第10圖是為在第6圖中所示之處理容器的橫截面圖； 第11圖是為沿著第10圖中之線XI_XI的放大剖視圖 15 ； 第12圖是為沿著第10圖中之線χπ_χπ的放大剖視 圖； 第13(a)圖是為併合至該處理容器之固鎖機構的平面圖 9 2〇 第13(b)圖是為在第13(a)圖中之箭嘴xinb之方向上 的放大圖； 第14圖是為被包括於本發明之第二實施例之基體處理 裝置内之管路系統的管路圖； 第15圖是為被包括於本發明之第三實施例之基體處理 40 1293407 玖、發明說明 裝置内之管路系統的管路圖；及 第16圖是為被包括於本發明之第四實施例之基體處理 裝置内之管路系統的管路圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 1· · · 基體處理裝置 23b * •基體處理單元 2… 處理部份 23c · •基體處理單元 3… 接收/運送部份 23d * *基體處理單元 W· · 半導體晶圓 23e · •基體處理單元 4·· * » 輸入/輸出埠 23f · •基體處理單元 5… 晶圓運送部份 23g * ♦基體處理單元 6* * * 工作台 23h * •基體處理單元 7… 晶圓輸送器 24… •臭氧產生器 C 晶圓載架 25·. ♦化學儲存單元 8… 分隔壁 26 * ♦風扇過濾器單元 9* ·. 窗 18a · •運送臂 11… 晶圓傳輸臂 27· · •分隔壁 16· * 晶圓中繼單元 28. · •分隔壁 17* * 晶圓中繼單元 30A* *處理容器 18*· 主要晶圓輸送器 30B · •處理容器 12 * 基體清潔單元 41· · •共用蒸汽產生器 13 · ♦ 基體清潔單元 40 * ♦溶劑蒸氣供應線 14* · 基體清潔單元 40A· •溶劑蒸氣供應線 15* · 基體清潔單元 40B · •溶劑蒸氣供應線 23a ♦ 基體處理單元 50 · · ♦可變節流閥 41 1293407 玖、 發明說明 50A · 可變節流閥 45 · · •空氣供應線 50B · 可變節流閥 46 · · •流量選擇器閥 50a * 閥本體 46a * •高-流量限流器 51 · · 輸入埠 46b · •低Γ流量限流器 52·· 輸出埠 VI · •兩·位置閥 53… 連接通道 42a ♦ ♦高頻率電力源 54* * 孑L 42b * •放電電極 57·· 閥元件 42c · •放電電極 57a · 螺孔 42d · •電路 58… 隔膜 42e * •開關 59a * 螺桿 47· * *壓力表 55… 底表面 49· · •純水源 56… 閥座 48· · .純水供應線 59… 伺服馬達 V2 ♦ *兩-位置閥 60 * * 供應選擇器 V3 · •兩-位置閥 60A * 供應選擇器 V4 · *兩-位置閥 60B . 供應選擇器 RV1· •溢流閥 42* * 共用臭氧產生器 71* · *排水線 43 · · 共用空氣源 DV · •排水閥 44 · · 臭氧氣體供應線 72·* .純水排放線 61 ♦ * 第一兩-位置閥 73* * *分支線 62 · · 第二兩-位置閥 80· · •排氣線 63 · · 第三兩-位置閥 80A· •排氣線 42 1293407 玖、 發明說明 80B · 排氣線 33d · .階梯 RV2· 溢流閥 32a · •碟形基底部份 81 ♦· 排氣埠 32b * •週壁 82·· 分支排氣線 32c · •環形凹槽 90·· 排氣選擇器 32d · •腔室 91 · ♦ 第一兩-位置閥 32e · •圓形凹槽 92 * 第二兩-位置閥 32f * • 0形環 93 * · 第三兩-位置閥 37· · •支持埠 84… 緊急排氣線 38… •排氣埠 83 * ♦ 緊急排氣埠 39 · ♦空間 32* * 容器本體 35a * *圓筒本體 34· · 蓋體 35b · •活塞桿 31 · · 凸出托臺 101 * *支柱 33 · ♦ 支持元件 100 ♦ *固定板 35 * * 圓筒作動器 103 · •頂板 36a · 加熱器 102 · •螺栓 36b * 加熱器 106 · ♦旋轉管 39a * 洩漏偵測器 105 * •軸承 120 · 鎖固機構 104 · •支持軸 34a · 碟形本體 107 · *旋轉作動器 33a · 腿部 108 * •碟 33b · 水平支持部 109 · •托架 33c · 内邊緣 110 · •水平下軸 43 1293407 玖、發明說明 112 · 下鎖固滚輪 111 · 下凸體 113 ♦ 水平上軸 114 * 上凸體 115 · 上鎖固滚輪
116 · ·間隙 117 · ·斜坡 118…平坦水平表面 200 ··壓力感測器 300 ·· CPU 44