1278721 玖、發明說明： [發明所屬之技術領域] 本發明’係關於用以半導體元件、液晶顯示元件、攝 衫π件（CCD等）、薄膜磁頭等電子元件的曝光裝置，以及 元件製造方法。 [先前技術] 以微影製程製造半導體元件及液晶顯示元件等電子元 件時，係使用將形成有圖案之光罩或標線片（以下，稱標 線片）之圖案像，透過投影光學系統投影至塗佈有感光材 料（光阻）基板上各投影（曝光照射）區域的投影曝光裝置。 電子70件之電路，係使用上述投影曝光裝置將電路圖案曝 光於被曝光基板上來加以轉印，藉後處理來加以形成。 近年來’積體電路日漸高密度積體化，亦即，電路圖 案曰盈微細化。因此，投影曝光裝置中之曝光用照明束（ 曝光用光）有短波長化之傾向。亦即，取代目前為主流之 水銀燈，成為使用KrF準分子雷射（波長248nm)等短波長 之光源，而使用波長更短之ArF準分子雷射（波長）之曝光 裝置之實用化亦進入了最後階段。此外，為朝向更高密度 之積體化’亦正進行使用h雷射（波長157nm)之曝光裝置 的開發。 波長在190nm以下之光束係屬真空紫外線帶，此等光 束’無法穿透空氣。此係因光束之能量被空氣中所含之氧 分子、氫分子、二氧化碳分子等之物質（以下，稱吸光物 1278721 質）所吸收之故。 使用真空紫外線帶曝光用光之曝光裝置，為了使曝光 用光能以充分的照度到達被曝光基板上，須從曝光用光之 光程上空間降低、或排除吸光物質。因此，曝光裝置中， 多係以框體包覆光程上之空間，以曝光用光能穿透之氣體 來填充於該框體内之空間。此時，例如，假設光程全長為 1 000mm的話，光程上空間内之吸光物質濃度，在1卯瓜以 下較為實用。 然而，曝光裝置中，係頻繁的進行基板之交換，因此 排除光程上之空間中，投影光學系統與基板間之空間的吸 光物質時，自會伴隨困難。例如，以框體包覆此空間時， 最好是能設置一起包覆基板交換用機構之大型框體，但如 此一來，隨著框體之大型化，填充至框體内之氣體的消耗 量亦會變多。 因此，曝光裝置中，有使用下列技術之情形，亦即， 於投衫光學系統與基板間之空間，噴吹曝光用光能穿透之 牙透性氣體，以將吸光物質從光程上之空間加以排除。此 技術，例如，已記載於日本專利特開平6_260385號公報。 然而，上述技術中，由於喷吹之氣體易洩漏至基板周 圍，該洩漏之穿透性氣體恐對周邊機器造成影響。例如， 曝光裝置中，為控制保持基板之載台的位置，多採用使用 雷射光之干涉器系統，但若穿透性氣體流入上述干涉器之 光程上的話，將會因原本之氣體與穿透性氣體之折射率差 ，使雷射光之光程長產生變化，而有可能使干涉器系統之 1278721 控制精度降低。 在投影光學系統之射出側端配置基板時，雖然該基板 成為間隔壁的-部分而能抑制上述氣_漏的情形，但在 基板之移動或基板之交換時，由於成為間隔壁之基板的至 部分會偏離投影光學系統之射出側端，因此投影光學 系統之射出側端之氣體狀態受到破壞，而易於產生上述氣 體洩漏的情形。 ” 本發明，有鑑於上述情事，其目的在提供一種從投影 光學系統之射出端側適當的排除吸光物質，在基板之移動 時或交換時亦能維持該氣體狀態的曝光方法及曝光裝置。 又，本發明之另一目的，係提供一能謀求圖案精度提 昇的元件製造方法。 [發明内容] 以下說明中所賦予之括弧内符號，僅係代表後述實施 形態中之構成與各要素之關連，並不限定各要素為實施形 態中之構成。 本發明之曝光方法’係藉由能量束（IL )透過投影光學 系統（PL)將光罩（M)之圖案轉印至基板（w)，其特徵在於： 將前述基板（W)與前述投影光學系統（PL)之射出端側間之空 間以能穿透前述能量束（IL)之穿透性氣體加以充滿，於前 述基板（W)之移動時或前述基板之交換時，為了維持前述投 影光學系統（PL)之射出端側的氣體狀態，取代前述基板（w) 而在前述投影光學系統（PL)之射出端側配置物體（70)。 1278721 此曝光方法’係藉由在基板與投影光學系統之射出端 側間之空間充滿穿透性氣體，來從投影光學系統之光程上 排除吸光物質。 於基板之移動時或基板之交換時，藉由在投影光學系 統之射出端側配置物體，以該物體來取代基板而作為間隔 土的部分。據此’在基板之移動時或基板之交換時，亦 能抑制穿透性氣體從投影光學系統之射出端側洩漏，而維 持技影光學系統之射出端侧吸光物質被排除的氣體狀態。 上述曝光方法，可藉由下述曝光裝置來加以實現。此 曝光裝置，係藉由能量束（IL)透過投影光學系統（PL)將光 罩（M)之圖案轉印至基板（w)，其特徵在於，具備：將能穿 透如述能量束（IL)之穿透性氣體供應至前述基板（w)與前述 投影光學系統（PL)之射出端側間之空間的氣體供應系統 (50);以及，在前述基板之移動時或前述基板之交 換時’為了維持前述投影光學系統（PL)之射出端側的氣體 狀恶’取代前述基板（W)而配置在前述投影光學系統（pl)之 射出端側的物體（70)。 此曝光裝置中，前述物體（70)，最好是能配置成其與 前述投影光學系統（PL)之距離，與前述基板（w)大致相同。 如此’即能確實的維持投影光學系統之射出端側的上述氣 體狀態。 月’J述物體（70)，最好是能配置成形成一與前述基板（w) 表面連續之面。如此，即能抑制氣體之滯留與亂流，而確 實的維持投影光學系統之射出端側的上述氣體狀態。 1278721 前述物體（70)，可以是用以保持前述基板巧）之基板載 台（45，46)的一部分。前述物體若係基板載台之一部分的 話，由於在基板之移動時該物體與基板進行相同動作，因 此易於維持上述氣體狀態。 若具備使前述物體（80，90)移動之驅動裝置（81，9〇) 的話，在基板之移動或交換時等，可將物體之配置狀態變 化成期望之狀態。 此時，前述驅動裝置（81)，可使前述物體移動來 開關前述穿透性氣體之供應口（65)。不需要穿透性氣體時 ’關閉供應口，即能確實的防止穿透性氣體之洩漏。 前述驅動裝置（91)，於前述基板（w)之交換時，在使前 述物體（90)接近前述基板<^)後，在保持接近狀態下使前述 物體（90)與前述基板（w)移動，而將前述物體（9〇)配置在前 述投影光學系統（PL)之射出端側亦可。使前述基板與前述 物體接近，前述物體與前述基板即相連，而成為投影光學 系統射出端側之間隔壁的一部分。此外，在保持接近狀態 下使物體與基板移動，則在該移動中亦能維持該間隔壁之 狀態’進而維持投影光學系統之射出端侧的氣體狀態。 又，具備複數個用以保持前述基板（W)之基板載台 (46a，46b)，前述複數個基板載台（46a，46b)在前述基板 (W)之交換時，彼此接近後，在保持接近狀態下移動而將下 一個基板（W)配置在前述投影光學系統（pL)之射出端侧亦可 。此日守’藉由使複數個基板載台接近，該等即相連而成為 投影光學系統射出端侧之間隔壁的一部分。此外，於基板 1278721 之交換時’在保持該接近狀態下使複數個載台移動，則在 該移動中亦能維持該間隔壁之狀態，進而維持投影光學系 統之射出端側的氣體狀態。 本發明之曝光方法，係藉由能量束（IL)透過投影光學 系統（PL)將光罩（M)之圖案轉印至基板（w)，其特徵在於： 將前述基板（W)與前述投影光學系統（PL)之射出端側間之空 間以能穿透前述能量束（IL)之穿透性氣體加以充滿，且透 過與前述基板（W)—起移動之排氣口（11〇)，將包含前述穿 透性氣體之氣體從前述基板（W)周圍排出。 此曝光方法，係藉由在基板與投影光學系統之射出端 側間之空間充滿穿透性氣體，來從投影光學系統之光程上 排除吸光物質。此外，透過與基板—起移動之排氣口，將 包含穿透性氣體之氣體從晶圓周圍加以排出，冑此，於晶 圓之移動時，防止穿透性氣體洩漏至晶圓周邊。 上述曝光方法，可藉由下述曝光裝置來加以實現。此 曝光裝置，係藉由能量束(IL)透過投影光學系統(pL)將光 罩⑻之®案轉印至基板（ff)，其特徵在於，具備：將能穿 透前述能量束⑻之穿透性氣體供應至前述基板⑺與前述 投影光學系統(P L)之射出端側間之空間的氣體供應系統 (5〇”以及，與前述基板⑺一起移動，將包含前述穿透性 氣體之氣體從前述基板⑺周圍加以排出的排氣口（110)。 此時’前述排氣π⑴〇)，最料能設在心保持前述 基板00之基板載台（45, 46)上。據此，由於該排氣口係進 订與基板相同之動作，因此在基板之移動時，亦能容易的 11 1278721 維持上述排氣狀態。 本發明之曝光方法，係藉由能量束（IL)透過投影光學 系統（PL)將光罩（M)之圖案轉印至基板（w)，其特徵在於： 將前述基板（W)與前述投影光學系統（PL)之射出端側間之空 間以能穿透前述能量束（IL)之穿透性氣體加以充滿，於前 述基板（W)之移動時或前述基板（？）之交換時，取代前述基 板（W)而在前述投影光學系統（PL)之射出端側配置排氣口 (120)，彡過該㈣口（12〇)來排出包含前述穿透性氣體之 氣體。 此曝光方法，係藉由在基板與投影光學系統之射出端 側間之空間充滿穿透性氣體，來從投影光學系統之光程上 ㈣吸光物質。此外，於前述基板之移料或前述基板之 父換時，取代基板而在投影光學系統之射出端側配置排氣 口，來排出包含前述穿透性氣體之氣體，據此，於晶圓之 移動時或交換時，防止穿透性氣體洩漏至晶圓周邊。 上述曝光方法，可藉由下述曝光裝置來加以實現。此 曝光裝置，係藉由能量束⑻透過投影光料、統（PL)將光 罩(M)之圖案轉印至基板⑺’其特徵在於，具備：將能穿 透前述能量束⑻之穿透性氣體供應至前述基板（w)與前述 投影光學系統（PL)之射出端側間之空間的氣體供應系統 (50);以及，於前述基板（w)之移動時或前述基板（w)之交 換扦取代别述基板（W)配置在前述投影光學系統（pL)之射 出端側’用以排出包含前述穿透性氣體之氣體的排氣口 12 1278721 又，本發明之元件製造方法，係包含使用上述曝光方 法，將前述光罩（M)上形成之元件圖案轉印至前述基板q) 上的製程。 此元件製造方法，係於曝光裝置中，防止因穿透性氣 體之洩漏造成控制精度之降低，因此能謀求圖案精度之 昇。 [實施方式] ^以下，參照圖式，說明本發明曝光裝置之實施形態之 第1例。本實施形態，係將本發明應用於使用真空紫外線 來作為曝光用能量束之步進掃描（step & _η)方式之投影 曝光裝置。 惟，本發明不限於以^Γ所說明之各實施形態，例如， 亦可將此等實施形態彼此適當的加以組合。 、圖1，係顯示本例之曝光裝置10之概略構成的部分剖 視構成圖’此圖i 本例曝光裝置之機構部，大分為： 照明光學系統2卜標線片操作部22、投影光學系統pL、 以^ :圓刼作部23。照明光學系統21、標線片操作部22 、投影光學系、统PL，係在與外氣(此處，為後述處理室内 之氣體)P馬離、高密閉度的狀態下分別被收納於箱狀的照 明處理至25、標線片室26、以及鏡筒27内部。又，本實 也形心之曝光裝置丨〇全體，係收納在内部氣體之溫度控制 在既疋目軚範圍内的一個大的處理室(未圖示)内部。 …、明光學系統21，係使用發出真空紫外線帶之波長 13 1278721 157測之脈衝雷射光的F2雷射光源，來作為曝光光源20, 該曝光光源20之射出端安裝於照明系統處理室25的下部 曝光<曝光光源2〇射出至照明系統處理室25内之 曝光光用A IL(能量束），被反射鏡3〇反射至上方，透過 未圖示之自動追蹤部（用以修正因振動等造成之光軸偏差） 。以及用以修整照明系統之截面形狀與光量控制的光束整 形光學系、统3卜射入作為光學積分器(均質器)的複眼透鏡 (或棒狀透鏡）32。於複眼透鏡32之射出面設有孔徑光閣（ 未圖示）’從複眼透鏡32射出、通過該孔徑光闌之曝光用 光IL，被反射鏡34反射至大致水平方向，透過中繼透鏡 35到達視野光闌（標線片遮簾）36。 視野光闌36之配置面與曝光對象之標線片R之圖案面 大致為光學共軛，視野光闌36，具備··用以規定於該圖案 面之細長長方形照明區域之形狀的固定遮簾，以及在掃描 曝光之開始時及結束時、為了防止曝光至不要部分而遮閉 該照明區域的可動遮簾。通過視野光闌36之曝光用光比 ，透過中繼透鏡37、反射鏡38、以及固定於照明系統處理 室25之前端部的聚光透鏡系統39,以均勻的照度分佈， …、月ir；線片R之圖案面上之長方形（狹縫上）照明區域。藉 由曝光光源20〜聚光透鏡系統39來構成照明光學系統21 ，而照明系統21内之曝光用光IL之光程，亦即從曝光光 源20至聚光透鏡系統39之光程，則以照明系統處理室 加以密封。 藉由來自照明光學系統21之曝光用光I [，將標線片r 1278721 之照明區域内之圖案之像，透過投影光學系統PL、以投影 倍率点⑷系例如為1/4、1/5等），投影至塗佈有感光 料（光阻劑）的晶圓W上。晶圓例如係半導體（矽等）或 SOI(Silicon On Insuiator)等之圓板狀基板。 此處，如本實施形態般，當曝光用光辽為&雷射光 時’由於穿透率良好之光學錢材，受限為螢石（GaF2之結 晶）、摻雜有氟或氫等之石英玻璃、及氟化鎂（m⑹等，因 此’僅以折射光學系統來構成投影光學系統pL而欲獲得期 望之成像特性（色像差特性等）是非常困難的。因此，本實 施形態之投影光學系統PL’係採用組合了折射光學構件與 反錢之折反射系統。以下，以和投影光學系統pk光轴 AX交又之方向為X軸’垂直於圖"氏面方向為γ軸，來進 行說明。本實施形態之標線片R上之照明區域係於X方向 細長之長方形，並設曝光時標線R及晶圓W之掃描方向為 Y方向。 才示線片才呆作部2 2中，；y ψ枯線片R係保持在標線片載台 上。此標線片載台40,餘未圖示之標線片基座上與後 Μ 0載台同步 '將標線片R連續移動於γ方向，且微驅 動標線片R以在X方向、γ方， 白及凝轉方向降低同步誤差 〇私線片載台40之位置及旌鏟& 也 疋轉角，係以未圖示之雷射干涉 β南精度的加以測量，俩姑忠& ρ+,θ 根據來自主控制系、统24(由統籌控 制剛述測篁值及裝置全體之動 的電知構成）之控制資訊 驅動私線片載台40。由標線片载台 基座、標線片供料器等構成伊線；;1〇及未圖示之標線片 稱成‘線片#作部22,標線片操作 15 1278721
部22内之曝光用光IL ^ ^ . 先私亦即，從聚光透鏡39到投 予糸統PL之光程，係以標線片室26加以密封。 光二學系統中，鏡筒27内收納有複數個光學構件( 件），投影光學系、统PL之標線片側光學構件至晶圓 側光學構件之光程，則係密封於鏡筒27内。 晶圓操作部23中，曰圓w #、丄 〒W係被吸附保持於晶圓保持具 圓#上么之凹指成的裝載面，晶圓保持具45則係、固定於晶 :46上之凹部。晶圓載台46,係於未圖示之晶圓基 座上與則述標線片載台同步、將晶圓w連續移動於γ方向 ’且步進移動晶圓W於X方向及Υ方向。又，晶圓載台46 ’係根據晶圓W表面之光軸ΑΧ方向之位置(焦點位置)資訊 (以未圖示之自動對焦感測器加以測量），以自動對隹方式 ，將晶圓W表面對焦於投影光學系統PL之像面。晶圓載台 46之X方向、γ方向位置以及繞χ軸之旋轉角(俯仰量）、 繞Υ軸之旋轉角（橫搖量）、繞ζ軸之旋轉角（偏轉幻，係 以雷射干涉器47高精度的加以測量，根據此測量值及來自 主控制系統24之控制資訊，透過載台驅動系統48來驅動 晶圓載台46。又，安裝於晶圓載台48(晶圓保持具⑹、 用以反射來自雷射干涉器47之雷射光束（測長光束）的移動 鏡47a，可使用由不同角柱狀之反射鏡組成之構成、由一 體型L形反射鏡所成之構成、對晶圓载台（晶圓保持具砩 面施以鏡面加工以作為反射鏡之構成等的各種構成。此外 ，由晶圓保持具45、晶圓載台46及晶圓基座等構成晶圓 操作部23，於晶圓操作部之側面配置有作為搬送系統之晶 16 1278721 圓供料器等（未圖示）。 、由氦（He)、氖（Ne)、氬（Ar)、氪（Kr)、氙（Xe)、氡（^所 組成之稀有氣體。以下，將此等氮氣及射氣體統稱為「 穿透性氣體」。 本例之曝光裝置，具備氣體供應、排氣系統5〇，以將 匕此處，由於本例之曝光用光化係波長為157麗之真空 紫外光，因此，作為此曝光用光IL <吸光物質，有氧氣 2)水（水蒸h2o)、—氧化碳（⑼、碳酸氣體（二氧化 碳c〇2)、有機物、以及豳化物等。另一方面，作為曝光用 光IL能穿透之氣體（幾乎無能量吸收之物質），有氮氣⑽） 對真空|外線帶之光束能量吸收較少之上述穿透性氣體供 應至光程上之空間，亦即，供應至照明系統處理室託、標 線片室26及鏡筒27之内部並加以充滿，使其氣壓等同或 略高於大氣壓（例如，高於大氣壓丨〜“％程度）。氣體供應 、排氣系統50，具備：排氣用真空泵5ia、51B及51C，設 置在收納裝置全體之處理室外部、以高純度狀態加以壓縮 或液化穿透性氣體來予以儲存之儲氣槽53，以及被開關控 制之閥52A、52B及52C。此等之數量及設置位置，並不限 定於圖示者。又，氮氣對波長在15〇nm以下之光可作用為 吸光物質’氦氣對波長在1 〇〇ηιη以下之光則可作為穿透性 氣體。此外，由於氦氣之熱傳導率約為氮氣之6倍、對氣 壓變化之折射率變動量約為氮氣之1 / 8，因此，特別是在 高穿透率與光學系統成像特性之安定性、冷卻性上非常優 異。又’由於氦氣價袼高昂，因此，若曝光用光之波長如 17 1278721 F2雷射般在150nm以上的話，為了降低運轉成本，亦可使 用氮氣來作為該穿透性氣體。 又，本實施形態中，工作距離部WD，亦即，投影光學 ^統PL之前端與晶圓？間之空間，配置有以氣體供應、排 軋系統50形成之局部清洗（purge)機構。然後，藉由此局 部清洗機構，將上述穿透性氣體供應至投影光學系統孔之 前端與晶B1 W間之空間，，以從光程上排除吸光物質。亦 即，氣體供應、排氣系統5〇，作為工作距離部用，具備： 排氣用真空泵60、排氣管線6卜氣體供應管線62及'閥63 等。圖2中以示意方式顯示自侧方觀察工作距離仰部附近 的狀態。 产如圖2所示’ κ乍距離部WD巾，氣體供應管線62之 氣體供應口 65係配置成包圍投影光學系統PL之光軸M， 其外側配置有排氣管線61之排氣口 66。氣體供應口 65, 係設置成包圍光軸AX之環狀，排氣σ 66，係配置成較氣 體供應口 65接近晶圓]^側，且設成包圍卫作距離部仰之 環：。又，本實施形態中，係設定為從排氣口 66排出之排 氣里^於從氣體供應口 65供應之穿透性氣體之供應量。 具有上述氣體供應口 65及排氣口 66之工作距離部WD ’係透過氣體供應π 65供應穿透性氣體，且從排氣口 66 排出含穿透性氣體之氣體。藉由此供、排氣，將投影光學 糸統PL之前端及晶圓作為間隔壁的—部分，以穿透性氣 體充滿工作距離部WD。亦即，投影光學系統pL之前端及 晶圓w之間，係藉由氣體供應管線62與氣體排氣管線61 18 1278721 過：：成第1間隔壁部。於第1間隔壁部，形成有用以通 广用光之開口部50a’作為第2間隔壁部 ;閉此第1間隔壁部之開口〜該晶圓w係配置在: =^間隔壁部之開口部1後，於帛1間隔壁部内充填 牙透性乳體。又’工作距離部WD中存在之吸光物質，以及 ,過晶圓w與第！間隔壁部之間欲侵入工作距離部帅内之 乳體，則與穿透性氣體從排氣口 66排出。氣體供應、 非氣系統50,對於卫作距離部WD，係從氣體供應口 65之 外侧以多於穿透性氣體供應量之排氣量，#出包含穿透性 ，之氣體。據此，於工作距離部WD維持吸光物質的排除狀 '且確實的從排氣口 66排出從供應口 Μ所供應之穿透 险氣體，防止穿透性氣體洩漏至周邊。
圖3係以示意方式顯示使晶圓f之端部（晶圓w之端 緣周邊之曝光照射區域）附近曝光時，工作距離部帅附近 的，心如圖3所示，本實施形態之曝光裝置，使晶圓 -知邛附近曝光時，於投影光學系統pL之射出端側配置物 -毒件70)’將此物體作為間隔壁的一部分（第2間隔壁 ρ )來維持投影光學系統PL射出端側之氣體狀態。亦即 維持第1間隔壁部内隨時充填穿透性氣體的狀態。圖3 斤丁之例中’作為上述物體，係使用具有延伸面（從晶圓W 周緣向外方延伸之面）之構件70。此構件70,係固定於晶 Ώ保持具45以作為晶圓載台46的一部分。上述構件70， 係配置成其表面（上面）高度與晶圓w大致相同高度，以使 其與投影光學系統PL之距離與晶圓w大致相同。在使晶圓 19 1278721 w之端部附近曝光之情形 之方向時，上述馗孜彳更日日圓W移動於橫切光軸αχ 於投影光學系統PL之 〈移動。當晶圓W之端緣部位 影光學系統PL之射出媳彳出端側時，上述構件7〇即位於投 加以補全，使上述構件7〇 /由此種配置，取代晶圓贤或 的-部分，來抑制穿透性衰t為工作距離部WD中之間隔壁 側茂漏，而維持工作::從投影光學系統PL之射出端 ,m Q 一 ^ WD的氣體狀態。 圖3所示，構件7 〇 /ΛΛ 係規定為在使晶圓之最1 = Μ緣之延伸長度La， 氣體控制、，構件7G之端部位於 延伸長度U，係被規^氣口 66的外方。亦即，上述 之距離Lb;%長$成環狀之排氣口 66距光軸 程度。據:在二==之半徑*度相同 下方亦隨時會有晶圓"二“移動’在排氣。66之 m “ 構件70，以此晶圓W或構件70 為苐2間隔壁部，適當的進行上述供、排氣。 圖4，係概略的顯示上^ ^ ^ ^ ^ ^ 如圖4所示，上述構件7()，且/J之W例的俯視圖。 八有與日日圓W大致相同形狀之 二方，门以立&開口 71内之晶圓w表面形成-連續面 之方式固定在晶圓保持具45上。晶圓載台46(晶圓伴持且 45)，由於係以非常快的速度進行加速，因此構件 是能形成為輕量、且移動時空氣阻力少的形狀。本實施护 態之構件7G，係㈣板狀構件所構成，其㈣ 等 之輕金屬。又，構件7〇之材質，並不限於銘等之輕金屬4 亦可使用其他金屬或樹脂等之各種材質。此外，圖&所示 20 1278721 例中’構件70係形成為多角狀 為圓形等其他形狀亦可。 仁並不限於此，例如形成 圖5，係以示意方式顯示在配 、 動鏡47a财，使晶圓w端部附 時射干=47用移 附近之狀態的圖。如圖5所示 ，時，工作距離部帅 鏡47a，據此，能更為確實的 0係配置成覆蓋移動 穿透性氣體流入雷射干涉 工作距離部WD中存在之 將槿杜7n # 士、A 先私上。本實施形態中，若 將構件7°没成與晶圓"目同高度的話，由… 70干涉移動鏡47a等之不良情 少；生構件 若干古低#爽防μ7 /，因此係於構件70設置 ::冋低差來防止構件7。與移動鏡…干涉。亦即 構件70中，延伸至晶圓保持具 ，、、 ,, 才〆、45外方之部分的高度，作 成較移動鏡47a為高。為丁適 〇又作 ^ π 难符礼體狀態，此高低 差攻好是能抑制於最小限度，例如 一 ζ〜左右。又，圖 5之例中，係將構件70加以垂直弯曲來設置上述高低差 但為了抑制在尚低差部分之氣體滞留及亂流，將此構件π 加以彎曲成傾斜或弧狀來設置高低差亦可。 如前所述’本實施形態之曝光裝置，於晶圓W之移動 時，於投影光學系統PL之射出端侧配置構件7〇，以此構 件70來取代晶圓W或加以補全以作為工作距離部肋中之 間隔壁的一部分，據以維持從投影光學系統PL之射出端側 排除吸光物質的狀態。據此’防止穿透性氣體沒漏至晶圓 W周邊。 圖6，係顯示本發明之曝光裝置實施形態的第2例， 本實施形態之曝光裝置，於晶圓W之交換時，作為取代晶 21 1278721 圓W而位於投影光學系統pL射出端側的物體，具備用來 開關氣體供應、排氣系統5〇中之氣體供應口 65的開關構 件80,與用來使此開關構件8〇移動的驅動裝置8卜又， 本實施形悲中，具有與上述實施例相同功能之構件係賦予 相同符號，並省略或簡化其說明。 圖6中’開關構件8〇，係配置成能開關自如位於投影 光學系統PL射出端侧之開σ 8卜此氣體供應、排氣系統 50,在上述開關構件8〇為開狀態時，如先前之實施例所說 月般’係以從乳體供應π 65所供應之穿透性氣體來充滿投 影光學系統PL與晶圓w間之空間，亦即，充滿工作距離部 WD。另-方面’當上述開關構件8()為閉（關）狀態時，則於 才又影光學糸統PL之射出娃^目丨 耵出知側，形成以上述開關構件8〇為 間隔壁之一部分的封閉空間，以穿透性氣體充滿此封閉空 間之内部。此實施形態中’氣體供應管線62肖開關構件 80與投影光學系統PL之間，係隨時充填穿透性氣體。 P边者此開關構件8 〇之開關叙你 開關動作，來調整由氣體供應管 線62所供應之穿透性教體 龄 如 花體之供應®亦可。氣體供應量之調 整，可藉由控制氣體供庫瞢鍤β 來進行。 仏應s線62中途所設之供應量調整閥 在開關構件80之閉動作„仏1 , 1動作開始時，減少穿透性氣體之供 應τ，開關構件80之閉動作社i 作…束時（開關構件80完全關閉 τ ) ’即停止穿透性氣體 沪旦/ 土風/ 仏應。據此’即能針對配置在 又衫光子系統前端側之光學 辦姚七 尤予構件，降低穿透性氣體之壓力 所π來的壓力負荷。 22 1278721 亦可隨著開關構件80之開動作，慢慢的增加穿透 性軋體之供應量。 曰。圖7，係以不意方式顯示本實施形態之曝光裝置中， 晶圓交換時工作距離部〇附近之狀態的圖。 圖7(a)中，於曝光時，上述開關構件8〇為開狀態， 工作距離部WD被穿透性氣體充滿。在結束對一片晶圓w之 、+光後，軋體供應、排氣系統5〇，如圖7(b)所示，移動上 述開關構件80使開口 81成為關閉狀態。據此，以上述開 關構件80作為間隔壁的一部分，以穿透性氣體充滿形成在 投影光學系統PL射出端側之封閉空間，且阻止穿透性氣體 由氣體供應口 65移動至晶圓W側。又，殘留在晶圓④上之 穿透性氣體，由排氣口 66加以排出。 圖7(c)中，曝光裝置，在晶圓w上之穿透性氣體被完 王排出後，即將投影光學系統pL射出端側之晶圓W，交換 為下一片晶圓。晶圓之交換時，由於原本在晶圓w上之穿 透性氣體已預先加以排出，因此，即使將W從投影光學系 統PL之射出端侧加以移除，穿透性氣體亦不致對雷射干涉 器等周邊機器造成影響。又，晶s w上之穿透性氣體是ζ 已完全加以排出’可藉由在排氣管線61中途設置氧氣=度 計等’監測從排氣口 66排出之氣體中所含之穿透性氣^ 度來加以確認。此外，在使開關構件8Q為閉狀態後經既定 時間，再來判斷晶圓W上之穿透性氣體是否已完全排出即 可。又’將下—片晶圓W配置在投影光學系統PL之射出端 側，曝光裝置，即如圖7(a)所示，再度使上述開關構件 23 1278721 為開狀態，再將工作距離部WD以穿透性氣體加以充滿。 以此方式’本實施形之曝光褒置，於曰曰曰圓w之交換時 取代a曰圓W，於投影光學系統pL之射出端側配置開關構 件80而形成封閉” ’據以維持從投影光㈣統pL之射 。出端側排除吸光物質的狀態，防止穿性氣體浪漏至周邊機 器^此場合，於晶圓之交換時，由於暫時從配置下一 片晶圓處完全排除穿透性氣體，因此，能確實防止晶圓交 換時所產生之穿透性氣體對周邊機械之影響。 又，藉由組合上述第丨例與本實施形態，在晶圓w之 移動時及晶圓W之交換時，皆能謀求維持投影光學系統pL 射出端側之氣體狀態、以及防止穿透性氣體之洩漏。 圖8,係以示意方式顯示本發明之曝光裝置之實施形 態的第3 ί列’本實施形態之曝光裝置，於晶圓w之交換時 ’作為取代日日』W配置於投影光學系統pL射出端側之物體 ’係具備移動自如之預備載纟9G，與用以驅動此預備載台 90之驅動裝置9卜又’具備上述第1例中所示之固定在晶 圓保持具45上的構件7〇。又，本實施形態中，與上述^ 施例具相同功能之構件，係賦予相同符號並省略或簡化盆 說明。 θ " 圖8(a)中，在晶圓w端部之曝光時，與先前之第^例 同樣的，係將構件70配置在投影光學系統pL之射出端側 。然後，以該構件70取代晶圓W或補足以作為工作距離部 WD中之間隔壁的一部分，來維持工作距離部w])之氣體狀 態0 24 1278721 於晶圓w之交換時，係取代晶餘w於投影光學系統孔 之射出端側配置預備载台90。亦即’對一片晶圓w之曝光 結束後，本實施形態中，上述預備載台90即接近晶圓保持 具45(晶圓載台46)。此時，預備載台9〇,係配置成其上 面與晶圓W表面（含構件7〇之上面）形成為—連續面。也就 是說，係配置成預備載台90之端部與上述構件7〇大致以 相同高度相鄰接的狀態。 圖8(b)中，預備載台9〇接近晶圓載台46後，曝光裝 置即在該接近狀態下使晶圓載台46與預備載台9〇移動於 水平方向(橫切過光軸之方向），將預備載台9〇配置在投影 光學系統PL之射出端側。據此，預備載台9〇即配置在投 影光學系統PL之射出端側，預備載台9〇成為工作距離； WD中之間隔壁的-部分，亦即，成為第2間隔壁部。由二 兩載台46, 90係在維持接近狀態下移動，因此在其移動中 ，怪於投影光學系統PL之射出端側形成上述間隔壁，而維 持工作距離部中之氣體狀態。 圖8(c)中，當預備載台9〇配置在投影光學系統pL之 正下方時，曝光裝置即在將預備載台9G停止於投影光學系 統PL正下方的狀態下，將晶圓載台46移動至晶圓交換位 置。據此，晶圓載台46即離開預備載台9〇。之後，交換 晶圓載台46(晶圓保持具45)上之晶圓。將下一片晶圓裝载 在晶圓載台46(晶圓保持具45)後，即以和上述一連串流程 相反之順序將該晶圓W配置在投影光學系統pL之射出端側 亦即在使裝載有晶圓之晶圓載台46接近預備載台 25 1278721 後，在該接近狀態下移動預備載台910與晶圓載台46，將 晶圓載台46配置在投影光學系統pL之射出端側。 以此方式，本實施形態之曝光裝置，在日曰日目w之交換 時，係取代晶圓W於投影光學系統pL之射出㈣配置_ 載台90,以預備載台90取代晶圓w或補足以作為工作距 離部WD中之間隔壁的1分’亦即，作為第2間隔壁部， 據以維持從投影光學系、统PL之射出端側排除吸光物質的狀 態，防止穿性氣體洩漏至周邊。 曰a 又，本實施形態中’於晶圓w端部之曝光時，雖係以 圓保持具45上所固定之構件7〇來維持工作距離部卯中 之氣體狀態，但亦可省略構件7〇。此場合，例如，為維持 上述氣體狀態，亦可使用預備載台9〇。亦即，於晶圓界端 部之曝光時，接近該端部配置預備載台9〇，取代晶圓#而 以預備載台90來作為間隔壁的一部分亦可。 圖9,係以示意方式顯示本發明#光裝置之實施形能 的第4你j ’本實施形態之曝光裝i，具備複數個移動自： 晶圓載台（第1晶圓載台46a、第2晶圓載台46b)。此外， 具備上述第1例中所示之固定在晶圓保持具45&，4讣上之 構件70。又，本實施形態中，與上述實施例具相同功能之 構件，係賦予相同符號並省略或簡化其說明。 圖9(a)中，本實施形態之曝光裝置，在結束對第^晶 圓載台46a(晶圓保持具45a)所裝載之晶圓w的曝光後，即 使已裝載下一片晶圓W之第2晶圓載台湯（晶圓保持具 45b)接近第i晶圓載台46a。此時，第2晶圓載台恤係 26 1278721 配置成與第1晶圓載台46a相同高度。如上述般接近後， 各載台46a，46b之構件7〇即成為彼此相鄰接的狀態，而 形成包含第1晶圓載台46a上之晶圓w表面（含構件70之 上面）、與第2晶圓載台46b上之晶圓w表面的一連續面。 圖9(b)中，於上述接近後，曝光裝置即在該接近狀態 下使兩載台46a，46b移動於水平方向（橫切過光軸之方向） ，將第2晶圓載台46b配置在投影光學系統pL之射出端側 。據此，第2晶圓載台46b上晶圓w即成為工作距離部帅 中之間隔壁的-部分，亦即，成為第2間隔壁部。由於兩 载台46a，46b係在維持上述接近狀態下移動，因此在其移 動中，恆於投影光學系統PL之射出端側配置作為上述間隔 壁之晶圓W或構件70，而維持工作距離部WD中之氣體狀 態。 圖9(c)中，當第2晶圓載台46b配置在投影光學系統 肝之正下方時，曝光裝置維持第2晶圓載台不動，而移動 第1晶圓載台46a。據此，帛丨晶圓載台—即離開第2 晶圓載台46b。之後，對第2晶圓載台4肋上之晶圓w進 行曝光，且交換第1晶圓載台46a上之晶圓。接著，在結 束對第2晶圓載台46b上之晶圓的曝光後，以和上述一 連串流程相同的順序，將已裝載下一片晶圓之第丨晶圓載 台46a配置在投影光學系統pl之射出端側。 、如前所述，本實施形態之曝光裝置，具備複數個晶圓 栽台，於晶圓W之交換時，藉由使複數個晶圓載台彼此接 近移動，將晶圓載台46a，46b上之晶圓或構件7〇(晶圓保 27 1278721 持具的一部分）怪作為工作距離部WD中之間隔壁的一部分 °據此’維持從投影光學系統PL之射出端側排除吸光物質 的狀恶’防止穿性氣體洩漏至投影光學系統PL之周邊。 又’本實施形態中，雖係就具備2個晶圓載台之例作 了"兒明’但晶圓載台之數量並不限於2個。此外，在物理 上或控制的限制上’不易使晶圓載台彼此接近時，在複數 個曰曰圓載台之間挾持其他物體亦可。以下，說明此例。 圖1 〇 ’係以示意方式顯示本發明之曝光裝置實施形態 之第5例’本實施形態之曝光裝置，具備移動自如之複數 個晶圓载台（第1晶圓載台46a、第2晶圓載台46b)，與插 脫自如配置在數個晶圓載台46a，46b之間的預備載台1〇〇 。此外，在各晶圓保持具45a，45b上，固定有上述第1例 所不之構件70。又，本實施形態中，具有與上述實施例相 同功能之構件，係賦予相同符號並省略或簡化其說明。 圖10(a)中，本實施形態之曝光裝置，當結束對第1 晶圓載台46a(晶圓保持具45a)上所裝載之晶圓w的曝光結 束後，即將預備載台1〇〇配置在第i晶圓載台46a與第2 晶圓載台46b之間。此時，使預備載台i 〇〇接近第i晶圓 載台46a，使第2晶圓載台46b接近預備載台100。據此， 形成一包含第1晶圓載台46a上之晶圓w表面（含構件7〇 的上面）、預備載台100上面、以及第2晶圓載台4讣上之 晶圓W表面（含構件70的上面）的連續面。 在上述3個载台46a，46b，100之接近後，在維持該 接近狀態下使各載台46a，46b，100移動於水平方向（橫越 28 1278721 才又衫光學系統PL之光轴ΑΧ的方向），將第2晶圓載台46b 配置在投影光學系統PL之射出端側。據此，第2晶圓載台 46b上之晶圓W即成為工作距離部WD中之間隔壁的一部分 ，亦即成為第2間隔壁部。由於各載台46a，4此，1〇〇係 在維持彼此接近狀態下移動，因此，即使在其移動中，亦 恆於投影光學系統PL之射出端側配置作為上述間隔壁之晶 圓W、構件70、或預備載台1〇〇，而維持工作距離部WD中 之氣體狀態。 圖10(b)中，在將第2晶圓載台46b配置在投影光學 系統PL之正下方後，曝光裝置維持第2晶圓載台4叻不動 ，而移動預備載台1〇〇，將其從第i及第2晶圓載台46a， 46b之間移開。之後，對第2晶圓載台4讣上之晶圓w進 行曝光，且將第i晶圓載台46a上之晶圓交換成下一片晶 圓。 如前所述，本實施形態之曝光裝置，具備複數個晶圓 載台46a，46b，與在複數個晶圓載台46a，4此間配置成 插脫自如的預備載台100,藉由複數個晶圓載台46a，4讣 將預備載纟100挾於其間而彼此接近移動，將各晶圓載台 46a，46b上之晶圓及構件7〇(晶圓保持具的一部分）、或 預備載台100的上面恆作為工作距離部WD中之間隔壁的一 部分，亦即，成為第2之間隔壁部。因此，能維持從投影 光學系統PL之射出端側排除吸光物質的狀態，防止穿性氣 體洩漏至周邊。 3個載台 又，本實施形態中，雖係使包含預備載台的 29 1278721 在維持接近狀態下移動，但本發明並不限於此。例如，亦 個載台中之一個與預備載"2個載台在維持接 J，移動。亦即，首先，在帛1晶圓載台之曝光結束 二’使預備載台接近該帛！晶圓載台’且在保持接近的狀 〜下移動2個載台，將預備載台配置在投影光學系統之 射出端側。之後’維持預備載台不動而僅移動帛1晶圓載 使’、離開預備載台。接著，使已配置在投影光學*** 之射出&端側之預備載台接近帛2晶圓載台。然後，在該接 近狀恶下’移冑2個載台，將第2晶圓載台配置在投影光 學系統之射出端側。此時，由於不需要使帛i晶圓載台與 第2晶圓載台接近，因此不易產生晶圓載台彼此之干涉。 圖11及圖12，係以示意方式顯示本發明之曝光裝置 之實施形態之第6例，本實施形態之曝光裝置，具備將晶 圓w周圍包含穿透性氣體之氣體加以排出之排氣口 11〇。 此外，本實施形態中，具有與上述實施例相同功能之構件 ’係賦予相同符號並省略或簡化其說明。 上述排氣口 11 〇，係在晶圓W之裝載位置周圍、且較 雷射干涉器之移動鏡47a接近晶圓W側之位置，配置成環 狀。本實施形態中，排氣口 11 〇，係設在晶圓保持具45以 和晶圓W —起移動，透過晶圓載台46連接於未圖示之真空 泵。又，本實施形態中，未設置上述第1例所示之配置在 才又衫光學糸統PL侧之固定式排氣口（圖2所示之排氣口 66)。 又，本實施形態之曝光裝置，具備分隔投影光學系統 30 1278721 二二射出端侧與晶圓载台46側的板狀構件⑴ 悲中，構件η 7 β ' 應口 6 5之構件的一 Λ成氣體供應、排氣系統5 〇之氣體供 與 、°卩为，與晶圓W大致成平行設在投影光 ^ 打之射出端側，其中心附近設有用以使曝光用光 ^二過的開口 112。上述構件ιΐ2之大小，係設定成於曝 11以此構# lu怪覆蓋晶圓w周圍所設之上述排氣口 110 ’例如，係設定成晶圓w外徑長度之2倍程度。 < 本實施形態之曝光裝置，於晶圓W之曝光時，與上述 各例同樣的，從氣體供應、排氣系統5G之氣體供應口仍 朝晶圓w供應穿透性氣體。穿透性氣體透過構件iu之開 口 "U2供應至工作距離部WD，透過排氣口 ιι〇排出。此時 ’攸排*ΐα 11〇排出之排氣量’係設定成多於穿透性氣體 之供應量。藉由上述供、排氣’將原本既存在於工作距離 4 WD之吸光物質、以及欲侵入工作距離部仰内之氣體， 與穿透性氣體-起從晶圓W周圍之排氣口 11Q加以排出， 將投影光學系統PL之射出端、構件⑴及晶圓w#作為間 隔壁的一部分，於工作距離部WD充滿穿透性氣體。 由於排氣口 110係與晶圓W 一起移動，因此在曝光時 能能怪維持上述排氣狀態。是以，能防止穿透性氣體漏出 至晶圓載台46之周邊。此外’由於固定式構件ui成為工 作距離部WD中之間隔壁，因此能防止氣體之擴散，且形成 穿透性氣體從光轴AX附近朝晶圓w周圍之流動，而確實的 從排氣口 111排出穿透性氣體。 如前所述，本實施形態之曝光裝置，係透過與晶圓w 31 1278721 一起移動之排氣口 110,從經晶圓w周圍排出含穿透性氣 體之氣體，因此，能維持從投影光學系統PL之射出端側排 除吸光物質的狀態，防止穿性氣體洩漏至晶圓w周邊。 又，排氣口之形狀並不限於上述例，只要是能從晶圓 周圍排出氣體之形狀即可。 圖13，係以示意方式顯示本發明之曝光裝置之實施形 態之第7例，本實施形態之曝光裝置，具備能插脫自如的 配置在投影光學系統射出端側、具有排氣口 12〇的排氣導 管121。亦具有上述第1例中所示之固定在晶圓保持具45 上的構件70。此外，本實施形態中，具有與上述實施例相 同功能之構件，係賦予相同符號並省略或簡化其說明。 圖13(a)中，本實施形態之曝光裝置，於晶圓w之曝 光時，與先前之第1例同樣的，工作距離部WD充滿穿透性 氣體。又，於晶圓W端部之曝光時，配置在投影光學系統 PL射出端侧之構件70，取代晶圓w或補足以作為工作距離 部WD中之間隔壁的一部分，來維持工作距離部WD之氣體 狀態。對一片晶圓W之曝光結束後，上述排氣導管121即 接近曰曰圓保持具4 5 (晶圓載台4 6 )。此時，排氣口 12 〇，係 配置成與上述構件7 0大致相同高度且相鄰之狀態。此外， 排氣口 120，並不限於配置成與上述構件7〇大致相同高度 ’而可配置在任意高度。 圖13(b)中，排氣導管121接近晶圓載台46後，曝光 裝置即在該接近狀態下使晶圓載台46與排氣導管121移動 於水平方向（橫切過光轴之方向），將排氣口丨2〇配置在投 32 Ϊ278721 光風系二1之射出端側。然後’透過排氣口 120將投影 出I:!,射出端侧之氣體排出。此時，從排氣口 12。排 防止穿：里’係、没定成多於穿透性氣體之供應量。據此， ，生氣體㈣至投影光學系統pL之周邊。又，以排 —。&丨21進仃之排氣，在上述晶圓載台46之移動中亦進 仃阳由於排氣導管121與晶圓載台化係在接近狀態下移動 此存在於工作距離部卯之穿透性氣體不致洩漏至周邊 而能確實從排氣口 12〇排出。 圖13(c)中，當排氣口 12〇配置在投影光學系統凡之 正下方時’曝光裝置維持排氣㈣121不動，而移動晶圓 載台46。據此，排氣導管121即離開晶圓載台料。之後， 交換晶圓載台46(晶圓保持具45)上之晶圓W。將下一片晶 圓裝載在晶圓載台46(晶圓保持具45)上後，以和上述一連 串流程相反的順序，將該晶圓w配置在投影光學系統凡之 射出端側。亦即，使已裝載下一片晶圓之晶圓載台46接近 排氣導管121後，在該接近狀態下移動排氣導管121與晶 圓載台46，將晶圓載台46配置在投影光學系統Pl之射出 端側。 如前所述，本實施形態之曝光裝置，於晶圓W之交換 時，係取代晶圓W於投影光學系統PL之射出端側配置排氣 導管121，從投影光學系統PL之射出端側配置排出含穿透 性氣體之氣體，來防止穿透性氣體洩漏至晶圓周邊。 又，本實施形態中，於投影光學系統PL之射出端侧配 置排氣導管121期間，可停止從氣體供應、排氣系統5〇之 33 1278721 排氣口 66排出氣體。如此，朝排氣導管121之排氣口 i2〇 形成一良好的氣體流動，能確實從排氣口 12〇排出穿透性 氣體。此外，相反的，於上述期間，從氣體供應、排氣系 統50之排氣口 66供應穿透性氣體亦可。從排氣口 供應 穿透性氣體，即能在透過上述排氣口 12〇進行排氣期間^ 以穿透性氣體充滿投影光學系統PL之射出端側，防止^光 物質附著於投影光學系統PL之前端等。 又’排氣口及排氣導管之形狀並不限於上述例，只要 疋在從投影光學系統PL之射出端側取下晶圓時，能排除穿馨 透性氣體即可。此外，本實施形態中，由於排氣導管：二 脫自如於投影光學系統之射出端側，因此具有能避免與晶 圓載台彼此干涉，能在期望位置配置排氣導管之優點。不 過，將排氣導管固定在不致妨礙晶圓載台之位置亦可。 接著，雖未圖示’於以下之說明中，說明晶圓交換或 晶圓移動時，抑制從投影光學系統PL之射出端側洩漏穿透 性氣體之其他變形例。 上述已說明之各實施形態中，係說明從氣體供應口 供應穿透性氣體之構成。 — 以下之變形例中，於晶圓交換或晶圓移動時，從氣體 供應口 65吸出原本充滿在工作距離部WD之穿透性氣體亦 可。亦即，於氣體供應管線62之途中設置排氣果，於晶圓 又換或b曰圓移動時使排氣泵動作即可。使氣體供應口 6 為氣體排氣口動作昧 1 作時，可持續進行排氣口 66之排氣，亦
停止排氣口 66之排教動你 ^ ^ ^ ^ J 戸礼動作。又，在欲使工作距離部Wj)迅 34 1278721 2復大氣狀態時，最好是能停止排氣σ 66之排氣動作。 曰处’ f確認工作距離部WD是否已恢復至大氣狀態，最好 疋此在氣體供應管線62之途中，配置氧氣濃；M 成份分析裝置等。 礼孔展度彳及乳體 、當晶圓W再次㈣投影鮮系統PL之正下方時，即再
人^揮，為第2間隔壁之功能。此時，由於工作距離部WD 乃二大氣狀態’最好是能從氣體供應口 65大量的（與曝光 動作中供應之氣體供應量相較）供應穿透性氣體，以^ 的進行氣體置換。 、 料，於晶圓交換或晶圓移動時，在停止了排氣口 66 之排氣動作時，最好是能和從氣體供應口 65供應穿透性氣 體同時、或在氣體供應前’開始氣體的排氣動作。 又’於晶圓交換或晶圓移動時，取代曝光動作中所供 ::穿透性氣體，可藉由從氣體供應口 65供應大氣或化學 冰淨後之空乳，進—步的持續排氣口 66之排氣動作即能 迅速的使工作距離部WD成為大氣狀態。 述各實苑形態中，雖係針對使用具有從晶圓W周續 附近向外方延伸之面的構件7G之情形作了說明，但並不限 於此種構成。例如’亦可取代構件70之設置，而將晶圓載 口 46與構件70 -體構成。例如，使晶圓载台46本身大型 化’而使晶圓載台46的一部分在晶圓交換或晶圓移動時， 亦位於投影光學系統PL之正下方。 以上’參照圖式說明了本發明之較佳的實施形態，但 本發明之實^例當然是不限於此例。若係此領域之業者， 35 1278721 當能在申請專利範圍所記載之技術思想範疇内，思及各種 麦形例或修正例，而該等變形例或修正例當然亦屬於本發 明之技術範圍。 例如，上述各實施形態中所說明之局部清洗機構，係 針對以包圍投影光學系統PL之光轴Αχ之方式設置氣體供 應管線62之氣體供應口 65，於其外側配置排氣管線6ι之 排氣口 66的構成作了說明。然而，用以將工作距離部卯 之空間維持在排除吸光物質後之狀態的構成，並不限於上 述構成。 例如，亦可以是如圖14所示之構成。此構成，係於工 作距離部WD中，於投影光學系統PL之曝光用光況之射出 側，亦即在投影光學系統pL最下段所配置之光學元件（配 置在投影光學系統PL之内部空間與外部空間之交界的交界 光學元件；此交界光學元件，在第丨實施形態至第6實施 形態之投影光學系統PL中皆有配置）的下方，設置用以形 成供應穿透性氣體之空間的第i間隔壁部13〇。第i間隔 壁部130,係由形成為大致箱形的板狀構件等所構成，形 成覆蓋交界光學元件表面的空間（第i空間131)。第i間 隔J邛130係直接、或為避免將振動傳至投影光學系統 PL而透過伸縮件（bei i〇ws ••如金屬伸縮件、膜狀伸縮件、 以彈性體形成之伸縮件等）固定在投影光學系統pL，或固 疋在用以支持投影光學系統pL之框體等其他靜止物體。於 第1間隔壁部130連接有氣體供應管線132，透過氣體供 應口 133將穿透性氣體供應至上述第^4 131。又，於 36 1278721 第1間隔壁部130亦連接有排氣管線134，透過排氣 從域第…1 131排出包含上述穿透性氣體的氣體。來 自軋體供應口 133之穿透性氣體的供應量、以及排氣口 135之排氣量，係調整成能使第i空@ i3i之氣壓高 氣壓（例如，高於大氣壓〇.〇〇1〜1〇%的範圍内）。 如此，由於在第1間隔壁部130中形成曝光用開口 驗、且第i空間131被調整為成高於域壓之氣壓 此第1空間131内氣體的—部分，透過開口 i施朝向 W流動’據此’即能將工作距離部WD之空間維持成 吸光物質的狀態。在此種構成中，亦能採用本實施形態所 說明之在晶圓W之移動或交換時，用以防止穿透性氣體洩 漏至晶圓W周邊之機構及構成。 上述各實施例中，於基板中央附近之曝光時、與基板 端部之曝光時，變化從氣體供應口之穿透性氣體的供應量 或從排氣α之氣體的排氣量亦可。於基板之交換時亦相同 0 此外，設置用來測量工作距離部之吸光物資之濃度的_ 濃度計’根據該濃度計之測量結果’來進行調整穿透性氣 體之供應量等濃度管理亦可。 又，上述各實施形態，主要係就氣體供應口及排氣口 - 作了說明’但為了使穿透性氣體之流動成為期望之狀態，.. 可適當設置整流板或導件等。 又，包含晶圓上所塗佈之感光材（光阻劑）所產生之吸 光物質的脫氣，會因感光材之種類、溫度等而使量及種類 37 1278721 皆有所不同。此時，預先調查發自感光材之脫氣的量及種 類’藉由感光材來調整穿透性氣體之供應量亦可。據此， 能自工作距離部確實的排除吸光物質，另一方面，能將— 般來說高價之穿透性氣體之消耗量抑制於最小限。
又’為了自光程上排除吸光物質，最好是能事先實施 降低發自構造材料表面之脫氣量。例如，有下列等之方、去 ’⑴縮小構造材料之表面積、⑵以機械研冑、電解研磨 、缸筒研磨、化學研磨、或GBB(玻璃珠喷磨）等方法加以 研磨，以降低構造材料表面粗糙度、（3)藉由超音波洗淨、 潔淨乾燥空氣等流體之喷吹、真空加熱脫氣（供培）等方法 ，洗淨構造材料表面、⑷於絲以〗盡可能的不設置包含 碳氫或鹵化物之電線包覆膜物質或密封構件(〇 黏著劑等。 共聚物等各種聚合物來形成 褥攻由照明系統處理室到晶圓操作部之蓋部的 體（亦可是筒狀體等）、或供應穿透性氣體之管線，最好 能以不純物氣體(脫氣)少的材料，例如，不銹鋼、四氧 婦、四敦乙婦-三觀乙烯喊)或四說乙烯 … 又，對各框體内之驅動 供應電力之纜線等，亦最好 (脫氣）少之材料來加以包覆 機構（標線片遮簾或載台等）等 疋能同樣的以上述不純物氣體 I明不僅是能應用於掃描曝光型之投影 亦合b m >人 ， 《 置 等 田然亦旎應用於一次曝光型（
此蓉## Μ Μ步進型）之投影曝光J 此專^置所具備之投影光
予糸、，先，不僅可以是折J 38 1278721 系統，亦可以是折射系統或反射系統。再者，投影光學系 統之倍率不限於縮小倍率，亦可以是等倍或放大倍率。 又，本發明中作為能量束，可應用於使用ArF準分子 雷射光（波長193nm)、Kq雷射光（波長I46nm)、Αγ2雷射光 (波長126nm)、YAG雷射等之高次諧波、或半導體雷射之高 次諧波等波長在2〇〇nm〜lOOnm程度之真空紫外光。 又，亦可取代準非子雷射或h雷射等，而使用將自 DFBOistributed feed back )半導體雷射或光纖雷射振盪 之紅外區域或可視區域之單一波長雷射，以例如摻雜铒（ 或铒與釔兩者）之光纖放大器加以放大，且使用非線性光 學結晶波長轉換為紫外光之高次諳波。 又就曝光裝置之用途而言，並不限於半導體製造用 之曝光裝i，例如，亦能廣泛適用於將液晶顯示元件圖案 轉印至方型玻璃板之液晶用曝光裝置，或用以製造薄膜磁 之曝光裝置。 又於曰曰圓載台或標線片載台使用線性馬達之場合， 無論使用採空氣軸承之空氣懸浮型、或採羅倫兹力或反作 用力之磁氣懸浮型之任一者皆可。又，載台可以是沿導件 移動之型式’亦可以是不設置導件之無導件型式者。 又’使用平面馬達來作為載台之驅動裝置時，將磁石 單^永久磁石）或電樞單元之任—者連接於—载台，將磁 石早70或電樞單元中之另—者連接於另__載台即可。 又’因晶圓載台之移動所產生之反作用力，可如日本 專利特開平8 166475號公報所揭示的’使用框架構件將其 39 1278721 機械性的釋放至地面（大地）。本發明，亦能應用於具備此 構造之曝光裝置。 又’因標線片載台之移動所產生之反作用力，可如日 本專利特開平8-330224號公報所揭示的，使用框架構件將 其機械性的釋放至地面（大地）。本發明，亦能應用於具備 此構造之曝光裝置。 如上述般，本案實施形態之曝光裝置，係將包含本案 申請專利範圍所例舉之各構成要素的各種次系統，以能保 持既定機械精度、電氣精度、光學精度之方式，加以組裝 製造。為確保上述各種精度，於此組裝之前後，對各種光 子系統進行用以達成光學精度之調整，對各種機械系統進 行用以達成機械精度之調整，對各種電氣系統則進行用達 成各種電氣精度之調整。各種次系統組裝至曝光裴置之步 驟，包含各種次系統彼此間之機械連接、電氣迴路之連接 氣壓迴路之連接等。此各種次系統組裝至曝光裝置之步 驟=田然有各個次系統之組裝步驟。各種次系統組裝至 曝光裝置之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝 置，之各種精度。X，曝域置的製造以在溫度及清潔度 等受到管理的無塵室中進行較佳。 W，經顯影製程 ，據以製造半導 然後’以上述方式進行曝光後之晶圓 、圖案形成製程、結合製程、封裝製程等 體元件等之電子元件。
之 如前所述’根據本發明之曝光方法及曝光裝置，在美 移動時或基板之交換時，亦能抑制穿透性氣體從投ς 40 1278721 光學系統之射出端側洩漏，而維持投影光學系統之射出端 側吸光物質被排除的氣體狀態。 此外，根據本發明之元件製造方法，由於能防止曝光 裝置中，因穿透性氣體之洩漏造成之控制精度的下降，因 此能提昇圖案精度。 [圖式簡單說明] (一）圖式部分 第1圖，係顯示本實施形態之曝光裝置之實施形態之 第1例的構成圖。 第2圖’係以示意方式顯示第i實施形態例中工作距 離部附近之構成的側視圖。 第3圖，係以示意方式顯示使晶圓端部附近曝光時， 工作距離部附近之狀態的圖。 能糾2、圖’係概略的顯示固定於晶圓保持具之構件之形 恶例的俯視圖。 第 5圖，係以示音方一 動铲彳目,f φ ^ 丁方式顯不在配置有雷射干涉器用移 動鏡側中，使晶圓端部附 態的圖。 *先日守，工作距離部附近之狀 第6圖’係以示音一 形態之第2例中，工你本發明之曝光裝置之實施 % η 乍距離部附近之構成的側視圖。 ’晶圓交換時工作(:)離：以示意方式顯示第2實施形例中 第8圖⑷〜⑹::近Λ狀態的圖。 ’、以不忍方式顯示本發明之曝光裝 41 1278721 置之實施形態之第3例的侧視圖。 第9圖（a)〜（c)，係以示意方式顯示本發明之曝光裝 置之實施形態之第4例的側視圖。 第10圖（a)、（b) ’係以示意方式顯示本發明之曝光裝 置之實施形態之第5例的側視圖。 第11圖’係以示意方式顯示本發明之曝光裝置之實施 形態之第6例的侧視圖。 第12圖，係第11圖所示之a— A線截面圖。 第13圖，係以不意方式顯示本發明之曝光裝置之實施 形態之第7例的侧視圖。 第14圖，係顯示局部清洗機構之變形例的圖。 (二）元件代表符號 R 光罩 w 晶圓（基板） IL 能量束 PL 投影光學系統 AX 光轴 WD 工作距離部 10 曝光裝置 45，45a，45b 晶圓保持具 46，46a，46b 晶圓栽台 48 50 載台驅動系 氣體供應、 氣體供應口 統（驅動系統） # t $統（氣體供應系統） 42 65 1278721 66， 110，120 排氣口 70 構件（物體） 71 開口 80 開關構件（物體） 91 驅動裝置 100 預備載台（物體） 121 排氣導管
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