TWI277839B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents
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Description
,1277839 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係與一種微影裝置及一種製造器件之方法有關。 【先前技術】 微影裝置係一機械,其可向一基板施加一所需的圖案, 一般係在該基板的一目標部分上。微影裝置可用於,例 如’積體電路(integrated circuit ; 1C)的製造。在此情況 下了使用圖案化器件(或稱為一光罩或一主光罩)來產 生欲形成於該1C之一個別層上的一電路圖案。此圖案可轉 移至一基板(如一矽晶圓)的一目標部分(如包括部分、整個 或數個晶粒)上。圖案通常經由成像轉移至該基板上提供 的一輻射敏感材料(光阻)層上。一般而言,一單一基板將 包含連續接受圖案化之鄰近目標部分的一網路。已知的微 影裝置包括所謂的步進機,其中藉由一次性將整個圖案曝 露於目標部分上而照射每—目標部分’以及所謂的掃描 器,其中藉由沿-既定方向(「掃描」方向)透過輻射光束 掃描圖案,同㈣此方向平行或反平行地掃絲板而照射 每-目標部分。藉由將圖案刻印於基板上,也可能將圖案 從圖案化器件轉移至基板。 已經有人提出將該微影投影裝置中的基板浸泡在一折射 率相對較高的液體(例如水)中,以便填充介於該投影系統 之最、,s兀件m板之間的空間。由於曝光輻射於該液體 中m短的波長’故此點之意義在於實現較小特徵之 成像。(該液體之影響亦可視為提高㈣、統的有效NA,且 104535.doc 6 - J277839 ’ 還增加聚焦深度。)已經有人提出其他的浸泡液體,包括 具有固態粒子(例如石英)懸浮於其中的水。 然而,將該基板或基板與基板台沈入一液體槽中(例 如’參見美國專利案US 4,509,852,其全部内容係以引用 的方式併入於此)意謂著在掃描曝光期間必須加速大量的 - ㈣。如此便需要額外的或功率更強的馬達,而且該液體 中的擾動可能會造成不理想且無法預期的效應。 針對液體供應系統所提出的其中一種解決方式便係僅於 癱 該基板的局部區域上及該投影系統之最終元件與該基板 (該基板的表面積通常大於該投影系統之最終元件)之間提 供液體。PCT專利申請公告案禪0 99/49504中便揭示一種 為此進仃配置之方式,該案之全部内容係以引用的方式併 入於此。如圖2及3所示,液體係藉由至少一個入口 IN而供 應至該基板上(較佳的係沿該基板相對於該最終元件移動 之方向),且在穿過該投影系統之下後再藉由至少一個出 • 口0UT而移除。即,隨著基板在元件下以-X方向掃描,液 體供應在元件的+X側面並在該側吸收。圖2示意性顯示 , 该配置’其中液體係經由入口 IN供應,並藉由出口 • (八係連接至一低壓源)從該元件的另一側流逝。在圖2 之說明中,係沿著該基板相對於該最終元件移動之方向來 供應該液體,不過實際情況並非一定如此。定位於該最終 凡件周圍的入口及出口可有各種方向及數目,圖3說明一 乾例,其中由一入口組成且在任一側上皆有一出口之四組 係以一矩形圖案提供於該最終元件周圍。 104535.doc •1277839 圖2、3和4(在下面做更詳細的說明)的液體供應系統 中,該液體流向是跟相對於該基板之該投影系統之掃描方 向相平行或反平行。這代表該流向必須跟該掃描方向同步 變更。此類之流向變更可能引發浸泡液體之擾動,而增加 氣泡的形成、污染和在該基板表面上粒子的沉積。另一方 面,圖5的液體供應系統具有液體供應出口和圍繞著該密 封部件之同心圓周(例如,多個圓)之汲取空間。這會造成 一對稱之有尖角的液體流,其不需要隨著該基板相對於該 投影系統之移動方向變更而改變。然而,這類的安排可能 讓液體池10中心區產生不良之更新,也可能導致在該投影 束PB之路徑上產生粒子污染和氣泡之聚積。 【發明内容】 因此,若能提供一種液體供應系統,是可以持續運作、 不受基板相對於該投影系統之掃描方向變更之影響,同時 可確保該液體池完全更新則最為理想。 康本發月之一個方面,提供一種微影投影裝置,其配 :以,用士投影系統將一圖案從一圖案化器件投影到一基板 上’同時在-第—方向巾掃描相對於該投影系統之基板, 該微影投影裝置包含·· :體供應系統,其配置以供應液體到介於該投影系統 和::板之間的空間’該液體供應系統包含-液體供應埠 、,體;及取埠’該供應蜂和該汲取璋位於該空間之相對 士亩 匕^跨δ亥空間之液體流實質上會朝跟該第一方向 垂直之方向。 104535.doc 1277839 依據本發明之另一方面,提供一種製造器件之方法,該 方法包含: 經由一供應埠提供液體給介於一微影投影裝置之投影系 統和一基板之間的空間,且該供應埠位於該空間之一第一 侧上; 經由該汲取埠移除液體,且該汲取埠位於該空間的一第 一側上(跟該第一側相對),如此橫跨該空間之液體流實質 上會朝跟掃描方向垂直之方向;且 利用該投影系統讓一圖案化之輻射光束穿透該液體投影 到該基板上,同時掃描在該掃描方向中相對於該投影系統 之基板。 【實施方式】 圖1依據本發明之一項具體實施例示意性說明一微影裝 置。該裝置包含: 一照明系統(照明器)IL,其係配置用以調節一輻射光 束PB (如UV輻射或DUV輻射); _ 一支撐結構(如光罩台)MT,其係構造用以支撐一圖案 化器件(如光罩)MA,並連接至第一***pM,其係配置 用以依據某些參數來精確地定位圖案化器件; -一基板台(如晶圓台)WT,其係構造用以固持一基板 (如已塗佈光阻的晶圓)W,並連接至一第二***pw,其 係配置用以依據某些參數來精確地定位基板;以及 -一投影系統(如一折射投影透鏡系統)PL,其係配置用 以藉由圖案化器件MA將賦予於輻射光束pB的一圖案投影 104535.doc 1277839 至基板W的一目標部分C(如包含一或更多晶粒)上。 5亥照明系統可包括各種類型的光學組件,如折射、反 射、磁性、電磁、靜電或其他類型的光學組件,或其任何 組合’用於引導、成型或控制輻射。
該支撐結構會支撐該圖案化器件,即承載該圖案化器件 的重量。其可依照該圖案化器件的方向、該微影裝置的設 計、以及其他條件,如該圖案化器件是否被固持於真空環 境中來固持該圖案化器件。該支撐結構可使用機械、真 空、靜電或其他夾緊技術來固持圖案化器件。該支撐結構 可為-框架或平台’例如’其可視需要為固定式或可移動 式。該支撐結構可確保圖案化器件處於—所需位置,例如 相對於該投影系統。本文對術語「主光罩」或「光罩」的 任何用法都可視為與更通用的術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用的術語「圖案化器件」應廣泛地解釋成表 不可賦予-輻射光束一圖案化斷面的器件,以便可於該美 板的目標部份中產生一圖案。應注意,被賦予於該輻射光 束中的圖案可能不會確實對應於基板之目標部分中的所需 :案,例如’若該圖案包括相位偏移特徵或所謂的協助特 :二般而言,被賦予於該輻射光束中的圖案將會對應於 體電路。 自件中的-特殊功能層’如積 勺==化4可為透射型或反射型。圖案化器件之範例 二二:Π式化鏡面陣列以及可程式化LCD面板。光 …為人所熟知,並且包含(例如)二元式、交替 104535.doc 1277839 式相移及衣減式相務繁本@ ;丨 A t _ 砂寺九罩類型,以及各種混合光罩類 型。可程式化鏡面陳列的 ^Λ- > f 平夕j的一耗例採用小鏡面的一矩陣配 置每鏡面可單獨地加以傾斜,以便在不^ $向中反射 引入幸田射光束。该等傾斜的鏡面賦予一輻射光束一圖 案,该輻射光束係藉由該鏡面矩陣所反射。 本文使用的術語「投影系統」應廣義地解釋為包含任何 類型的投影系統,如挤鉍、g ^ 折射反射、反折射、磁性、電磁及
靜電光干系統’或其任何組合,其適合於所使用的曝光韓 射^其他諸如使用浸泡液體或真空等因素。本文對術語 /又衫透鏡」的任何用法都可視為與更通用的術語「投影 糸統」同義。 。如此處所繪,該裝置係透射型(例如採用一…罩)。 或者4裝置可為反射型(如採用上述類型的可程式鏡面 陣列,或採用一反射光罩)。 ,微〜扁置可以為具有兩個(雙級)或更多基板台(及/或 :個:更多光罩台)之一類型。纟此類「多級」機器中, 了平行使用額外的工作A , -Li ju 作口或在一或更多工作台上實施預 備:驟而同時將—或多個其他卫作台用於曝光。 '考圖1,照明器江接收來自輻射源SO的輻射光束。該 ^及錢影裝置可能係分離的實體,例如,當該韓射 舢二-同核硬合分子雷射時。在此等情況下,不認為該輻 適導影裝置之部分’且輻射光束會借助包含如: 源^^及/或光束擴張器之光束輸送系統BD,從輕射 uhm。在其他的情形τ ’輻射源可為微影裝 ^4535.(1(
-11 - 1277839 置的整體部分,例如,當輻射源為水銀燈時。該輻射源S〇 與照明器IL,連同需要時的光束輸送系統BD,可稱為一 幸备射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整 器AD。通常,可調整照明器光瞳平面内強度分佈的至少 外部及/或内部徑向範圍(通常分別稱為…外及σ_内)。此 外’該照明器IL可包含其他不同組件,例如一積分器…和 聚光器C0。該照明器可被用以調整該輻射光束,使其 在截面具一理想之一致性和強度分布。 輕射光束ΡΒ係入射至圖案化器件(如光罩μα)上,並藉 由該圖案化器件來圖案化,光罩ΜΑ係固持於支撐結構(如 光罩台ΜΤ)上。穿過該光罩ΜΑ之該輻射光束ρΒ又穿過該 投影系統PL,藉由該投影系統將該光束聚焦在基板臂之一 目標部分c。在第二***PW和定位感測器IF(例如一干 涉器件、線性編碼器或、電容感測器)的協助下,可準確 地移動基板台WT,故可例如將不同目標部分c定位在該輻 射光束PB的路徑上。同樣,第一***pM及另一定位感 測器(其纟在圖1中明確說明)可用以相對於輻射光束叩之 路徑精確定位光罩MA ’例如’在以機器方式將其從一光 罩庫中取出之後,或在一掃描期間。一般而言,光罩台 MT的移動可藉由長程模缸Γ 惕、(祖略疋位)及短程模組(精確定 位)來實現,該等模組形成第一 ^ ^ 疋位态ΡΜ的一部分。同 樣’基板台WT的移動可藉由县 長%核組及短程模組來實 現’該等模組形成第二定位 疋位^PW的一部分。在步進機的 104535.doc
-12- J277839 ^ :(與掃描器相反),光罩台Μτ可能僅連接至短程驅動 器L或為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2&基板對 準样己P1 P2來對準光罩MA與基板W。雖然所述該等基 1準標記會佔用專門的目標部分,但其可位於目標部分 ]内(其係稱為劃線對準標記)。同樣,在光罩M a上提 供多於一晶粒的情形中,該等光罩對準標記可位於該等晶 粒之間。 所述裝置可用於以下至少一模式中: h在步進模式中,光罩台MT及基板台WT係實質上保持 固定,同時賦予於輻射光束的整個圖案係一次性(即單一 靜態曝光)投影至一目標部分c上。接著讓該基板台臀丁在又 及/或Y方向上偏移,以便可以曝光不同的目標部分C。在 步進模式中,該曝光場之最大大小會限制單一靜態曝光中 成像的目標部分C之大小。 2·在掃描模式中,同步掃描光罩台“丁及基板台貿丁,同 φ 呀賦予於投影光束的圖案係投影至一目標部分c上(即單一 動態曝光)。該基板台WT相對於光罩sMT的速度及方向可 • 取决於投影系統PL之放大(縮小)倍數及影像顛倒特徵。在 • 掃描模式中’該曝光場之最大大小會限制單一動態曝光中 該目標部分之寬度(在非掃描方向上),而掃描動作之長度 可決定該目標部分之高度(在掃描方向上)。 3.在另一模式中,光罩sMT實質上保持不動以固持一 可程式化圖案化器件,且當被賦予於該輻射光束中的圖案 被投影到目標部分C上時,基板台貨了會被移動或掃描。在 104535.doc • 13 - 1277839 此模式中’通常會應用到一震動之輻射源,且在基板台 WT的母次移動後或在掃描的連續輻射脈衝之間應要求更 新可程式化圖案化器件。此操作模式可容易地應用於採用 可私式化圖案化器件(例如上述類型的可程式化鏡面陣列) 的無光罩微影技術中。 還可使用上面說明的使用模式之組合及/或變更或完全 不同的使用模式。
具一局部液體供應系統之一更進一步浸泡微影解決方 式,顯示在圖4中。液體是經由投影系統1>1^之其中一側的 二個槽狀入口 IN被供應,並經由複數個朝入口 IN向外放射 狀排列之分離出口 out被移除。入口IN和出口 ουτ可被配 置在中心具一電洞之板上,並透過該板投射該投影光束。 藉由投影系統PL之其中一側上的一個槽狀入口 m供應液 體並藉由複數個在投影系統PL之另一側上的分離出口 OUT移除液體,會在投影系統凡和基板歡間造成一薄膜 液體流。要採用哪一個入口 IN和出口 〇υτ之組合的選擇, 視基板W移動的方向而定(入口 ΙΝ和出口 的另一個組合 無活動)。 業經提出的另一浸泡微影解決方式係,為該液體供應系 統提供-㈣部件,該密封部件會沿著該投影系統之最終 凡件與該基板台間的空間之至少—部分邊界延伸。雖然該 岔封部件在z方向(該光軸之方向上)中可能有-定的相對 :動’但:該χγ平面中實質上係相對於該投影系統而固 疋。在該讀部件及該基板表面之間會形成—密封體。在 104535.doc -14- -1277839 -具體實施例中,該密封體係—無接觸密封體,例如一氣 封體。此類具-氣封體之系統揭示於美國專利中請案us 10/705,783中’其全部内容係以引用的方式併人於此,並 顯示在圖5中。 如圖5所示’液體池1G對投影系統影像場周圍的基板形 成非接觸式密封,以便液體限於填充基板表面與投影系統 最終元件間的㈣。該液體池藉由位於投影系統凡最終元 #了方及周圍的密封部件12形成。液體被引入位於該投影 系統之下的空間,且存在於密封部件12中。密封部件12稍 微延伸至該投影系統最終元件之上,且該液體位準上升到 该最終兀件之上,以提供緩衝之液體。密封部件12具有一 内周圍,於上端處,會與該投影系統之形狀或其最終元件 之形狀非常一致,而且可能係圓形。在底部,内周圍與影 像場之形狀接近一致,例如其可為矩形,儘管亦不必如 此。 _ 孩液體被在欲封部件12和基板W表面之間的氣封體16限 制在該液體池中。該氣封體由氣體形成,例如空氣、合成 空氣、A或惰性氣體,並藉由從入口 15到介於密封部件^ 和基板之間空隙的壓力被提供,且經由第一出口 14被抽 出在氣體入口 15上的過壓、第一出口 14上之真空位準和 該空隙之幾何形狀的配置方式使得一快速氣流向内流入而 限制該液體。 於歐洲專利申請案第03257072·3號中則揭示—種雙級浸 泡微影裝置的概念。此種裝置具有二工作台,用來支擇該 104535.doc -15- .1277839 基板。水平測量可利用第-位置處的工作台來實施,其不 具浸泡液體;而曝光則可利用第二位置處的一工作台來實 施,其中存在浸泡液體。或者,該裝置亦可能僅具有一工 作台。 圖6顯示本發明之—具體實施例的液體供應系統之剖面 圖’而圖7為其平面圖。該液體供應系統包含一環形密封 部件20(也可能為不同形狀),其包圍住介於該投影系訊 之最終S件FLE之間的空間。還包含位於密封部㈣之一 側上的-液體供應埠21 ’以及位在另一側上之一或多個液 體抽取纽取埠22。該供應和沒料之定位使得該浸泡液 體流過該空間之…如圖7顯示之單箭頭方向,即實質 上和用雙箭頭表示之該掃描方向相垂直之方向。該液體被 介於該密封部件和基板之間狹小的空隙限制該空間内,以 限制該液體外流。滲出之此種液體會被一抽取器23移除, 同時氣態刀24會將任何留在該基板上之液體膜向内引導。 抽取器23只能抽出液體或液體和氣體二項(二相位卜 該實質上垂直之流向可確保在介於該投影系統之最終元 件FLE和基板W之間該空間内的液體,是在沒有停滯空間 的情況下被完全更新。最好是浸泡液體的流速高到足以在 曝光一目標部分的時間内,讓、液體流過該容積等於 或大於該空間本身之容積。一或多個汲取埠22被定位在該 供應谭之上’使得在該液體中之任何氣泡皆被沖走不會聚 積。在-具體實施例中,該-或多㈣取崞被盡可能放置 在靠近該密封部件中心的位置,以最小化液體在該裝置中 104535.doc -16- 1277839 的里視或多個汲取埠22的位置不同,它們可能只抽取 液體,或液體和氣體。 右该供應和汲取埠之確切的形狀、數量和大小可以不 同再加上至少在該曝光場EF上方之投影光束pb的路徑 上建立一橫向流,則會更有利。在許多情況下,大量的小 型埠或單一延伸之狹長形埠,例如該影像場中心對一 30至 60度角,會比較洽當。 雖…、:本文參考到製造積體電路(IC)時使用的微影裝置, 4應了解此處所提及之微影裝置可有其他的應用,例如製 造整合型光㈣統、用於磁域記憶體的導引和偵測圖案、 平板顯示H、液晶顯示H (LCD)、薄膜磁頭等。熟知本技 術:應了解到’就這類替代應用而言,此處使用的術語 「晶圓」或「晶粒」可被分別視為一般術語「基板」或 「目標部份」㈣義詞。本文所參考的基板可在曝光之前 或之後,例如在軌跡(通常可將光阻層塗到基板上並顯影 曝光光阻的工具)、度量衡工具及/或檢驗工具中進行處 理在可應用的情況下,本文之揭示内容可應用於此類及 其他基板處理工具。此外,你| & ^ Γ例如為了產生一多層積體電 路’可進-步對該基板進行多次處理,因而本文所用術語 「基板」亦可指一已經包含多個已處理層之基板。 本文所使料術語「㈣」與「光束」涵蓋所有類型的 電磁輻射,包括紫外線(UV)輻射(例如,具有“卜以卜 193、157或 126 nm之波長)。 可指任一光學組件或各種類 如情況允許,術語「透鏡」 104535.doc -17- 1277839 型光學組件之組合,包括折射、反射光學组件。 =面已說明本發明之特定具體實施例,但應明白, 本發明可以上面未說明的其他方 可尨1=7 $ 霄知。例如,本發明 令的難式之㈣,該電腦程式包含機器可讀取指 _ S夕序列’說明如以上揭示之方法,或包含其中 啫存此電腦程式的一資料館存 碟或光碟)。 子媒體(如+導體記憶體、磁 本發明可應用於任何浸浪料旦^继 又衫裝置,尤其是(但並不僅 限於)上述類型的微影裝置。 以上描述為說明性而非限制性的。因此,熟習技術人士 將明白’可依照說明對本發明進行修改,而不會脫離下列 申請專利範圍之範疇。 【圖式簡單說明】 上面已僅藉由範例方式並參考隨附示意圖而㈣本發明 U Μ實施例’其中對應的參考符號指示對應的零件,並 且其中: 圖1說明依據本發明之一項具體實施例之微影裝置; 圖2及3說明一微影投影裝置中使用的一液體供應系統; 圖4說明一微影投影裝置中使用的另一液體供應系統; 圖5說明一微影投影裝置中使用的一進一步液體供應系 統; 圖6說明依據本發明之一項具體實施例之一液體供應系 統;及 圖7用一平面圖說明圖6之具體實施例。 104535.doc •18· 1277839 【主要元件符號說明】
10 液體池 12 密封部件 14 第一出口 15 氣體入口 16 氣封體 20 環形密封部件 21 液體供應埠 22 汲取埠 23 抽取器 24 氣態刀 AM 調整器 BD 光束輸送系統 C 目標部分 CO 聚光器 EF 曝光場 FLE 最終元件 IF 定位感測器 IL 照明器 IN 入口 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 光罩 MT 光罩台 104535.doc -19- 1277839
OUT
PI P2
PB
PL
PM
PW
SO • w
WT 出π 基板對準標記 基板對準標記 投影光束 投影系統 第一*** 第二*** 輻射源 基板 基板台 104535.doc -20
Claims (1)
1277839 十、申請專利範園: 1· 一種微影投影裝置,其係配置以使用一投影系統將一圖 案從一圖案化器件投影到一基板上,同時在—第一方向 上掃描相對於該投影系統之基板,該微影投影裝置包 含·· 一液體供應系統,其係配置以供應液體到介於該投影 系統和該基板之間的空間,該液體供應系統包含一液體 供應埠和一液體汲取埠,該供應埠和該汲取埠位於該空 間之相反側,如此橫跨該空間之液體流實質上會朝向跟 δ亥弟一方向垂直之方向。 2·如請求項丨之裝置,其中該液體供應系統包含複數個位 在該空間第一側上之液體供應埠,和複數個位在該空間 第二側上之液體汲取埠,且該第二側在該第一側的對 面。 3 ·如明求項2之裝置,其中該複數個供應埠和該複數個汲 取埠對稱地位在跟該第一方向垂直的一平面之周邊,且 穿過該空間的中央點。 4·如吻求項2之裝置,其中該供應埠的數量在3至7之範圍 5·如請求項2之裝置,其中該汲取埠的數量在3至7之範圍 間。 6. 如明求項1之裝置,其中該汲取埠的位置比該供應埠的 位置離包括該基板標稱表面之一平面更遠。 7. 如請求項丨之裝置,其中該汲取埠的位置比該投影系統 104535.doc 1277839 取終兀*件之最終表面的位置離包括該基板標稱表面之一 平面更遠。 8·如請求項1之裝置,其中該液體供應系統係配置以用一 足以在曝光該基板上之單一目標部分的時間内讓該空間 完全更新的速率,而供應液體至該空間。 9·如請求項1之裝置,其中該液體供應系統包含一部件, 該部件係配置用以至少部分限制該液體於該空間内。 iO·如請求項9之裝置,其中該部件包含一抽取埠,其係配 用乂伙該邛件和该基板之間移除液體,該部件還包含 氣L刀,其係配置用以供應氣體至該部件和該基板之 間’以引導液體流向該空間之中心。 U· 一種製造器件之方法,其包括: 透過一供應埠供應液體到介於一微影投影裝置之一投 影系統和一基板之間的空間,該供應埠位於該空間之一 第一侧上; 利用一汲取埠移除液體,且該汲取埠位於跟該空間之 該第-侧相反側的第二側上’如此橫跨該空間之液體流 向實質上會朝向跟一掃描方向垂直之方向;及 利用該投影系統讓-圖案化之輕射光束穿透該液體投 影到該基板上,同時掃描在該掃描方向巾相料該投影 系統之該基板。 12.如請求項丨丨之方法,包含透過複數個位在該空間的一第 -側、上之液體供應蟑供應該液體,並透過複數個位在該 空間的H上之液體沒取埠移除該液體,該第二側 104535.doc 1277839 在该第一側的對面。 13·如請求項12之方法,其中該複數個供應埠和該複數個汲 取埠對稱地位在跟該掃描方向垂直的一平面之周邊,且 穿過該空間的中央點。 14·如請求項12之方法,其中該供應埠的數量在3至7之範圍 間。 15·如請求項12之方法,其中該汲取埠的數量在3至7之範圍 間。 • 16·如請求項丨丨之方法,其中該汲取埠的位置比該供應埠的 位置離包括該基板標稱表面之一平面更遠。 17·如請求項丨丨之方法,其中該汲取埠的位置比該投影系統 最終元件之最終表面的位置離包括該基板標稱表面之一 平面更遠。 18·如請求項u之方法,其中供應液體至該空間之速率足以 在曝光该基板上之單一目標部分的時間内讓該空間完全 更新。 § 19·如明求項11之方法,包含利用一液體供應系統部件,至 少部分限制該液體於該空間内。 20·如請求項19之方法,其包含: 移除在該部件和該基板之間的液體;及 供應氣體至該部件和該基板之間,以引導液體流向該 空間之中心。 104535.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/944,415 US7133114B2 (en) | 2004-09-20 | 2004-09-20 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200622507A TW200622507A (en) | 2006-07-01 |
TWI277839B true TWI277839B (en) | 2007-04-01 |
Family
ID=35169653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094130713A TWI277839B (en) | 2004-09-20 | 2005-09-07 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7133114B2 (zh) |
EP (2) | EP1637931B1 (zh) |
JP (2) | JP4347282B2 (zh) |
KR (1) | KR100767089B1 (zh) |
CN (1) | CN100524035C (zh) |
DE (1) | DE602005003082T2 (zh) |
SG (2) | SG141452A1 (zh) |
TW (1) | TWI277839B (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101590686B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2016-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7161654B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) * | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8144305B2 (en) * | 2006-05-18 | 2012-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006027609A1 (de) * | 2006-06-13 | 2007-12-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildungsvorrichtung |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8004651B2 (en) * | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
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CN102880016B (zh) * | 2012-10-22 | 2014-07-09 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机的阶梯式自适应气体密封装置 |
CN103268059B (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-10 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机的多级负压回收密封和气密封装置 |
CN103969964B (zh) * | 2014-04-25 | 2015-11-25 | 浙江大学 | 用于浸没式光刻机的气密封和微孔密封装置 |
CN113189849B (zh) * | 2021-04-22 | 2023-08-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种近场光刻浸没***及其浸没单元和接口模组 |
Family Cites Families (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE242880C (zh) | ||||
DE206607C (zh) | ||||
DE221563C (zh) | ||||
DE224448C (zh) | ||||
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
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JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
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EP1429188B1 (en) * | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
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KR20050085026A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치 |
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JP4595320B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
AU2003302831A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
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EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
AU2003289237A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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-
2004
- 2004-09-20 US US10/944,415 patent/US7133114B2/en active Active
-
2005
- 2005-09-07 DE DE602005003082T patent/DE602005003082T2/de active Active
- 2005-09-07 TW TW094130713A patent/TWI277839B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-07 EP EP05255472A patent/EP1637931B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-07 EP EP07015350A patent/EP1850181A1/en not_active Withdrawn
- 2005-09-14 SG SG200802267-5A patent/SG141452A1/en unknown
- 2005-09-14 SG SG200505921A patent/SG121142A1/en unknown
- 2005-09-16 KR KR1020050086818A patent/KR100767089B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-16 JP JP2005270100A patent/JP4347282B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-19 CN CNB2005101040952A patent/CN100524035C/zh active Active
-
2008
- 2008-12-05 JP JP2008311424A patent/JP4728382B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1637931B1 (en) | 2007-10-31 |
JP2009094532A (ja) | 2009-04-30 |
JP2006093703A (ja) | 2006-04-06 |
US20060061739A1 (en) | 2006-03-23 |
KR20060051387A (ko) | 2006-05-19 |
TW200622507A (en) | 2006-07-01 |
JP4728382B2 (ja) | 2011-07-20 |
DE602005003082T2 (de) | 2008-08-14 |
SG141452A1 (en) | 2008-04-28 |
CN100524035C (zh) | 2009-08-05 |
CN1752851A (zh) | 2006-03-29 |
JP4347282B2 (ja) | 2009-10-21 |
KR100767089B1 (ko) | 2007-10-15 |
EP1637931A1 (en) | 2006-03-22 |
US7133114B2 (en) | 2006-11-07 |
SG121142A1 (en) | 2006-04-26 |
EP1850181A1 (en) | 2007-10-31 |
DE602005003082D1 (de) | 2007-12-13 |
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