TWI274061B - Latent hardener, process for producing the same, and adhesive containing latent hardener - Google Patents

Description

1274061 玖\發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於接著劑，特別是關於以熱壓接方式將半 導體晶片或TCP(Tape Carrier Package)電氣性以及機械性連 接在基板上時所使用的接著劑所採用之潛伏型硬化劑及其 製造方法、以及使用該硬化劑的接著劑。 本申請案，係基於2002年2月18日於日本申請之曰 本特願2002 - 039748號而主張優先權者，故參照該申請案 的內容而援用於本發明中。 【先前技術】 以往，將半導體晶片連接在基板上、或是將TCP(Tape Carrier Package)與 LCD(Liquid Crystal Display)連接來製造電 氣裝置時，係使用具有熱固性樹脂之環氧樹脂之接著劑。 這種接著劑是經由環氧樹脂的熱聚合來進行硬化。 爲了促進環氧樹脂的熱聚合反應，接著劑中添加有潛 伏型硬化劑。這種潛伏型硬化劑包含圖1所示者，圖1所 示的潛伏型硬化劑130係具備：粉體狀硬化劑（硬化劑粒子） 所構成的芯體131，以及被覆芯體131表面之包膜 (capsule)137。將這種潛伏型硬化劑與環氧樹脂混合製成的 接著劑，常溫時因爲構成芯體131的硬化劑與接著劑中的 環氧樹脂間被包膜137所遮斷，環氧樹脂不會進行聚合反 應。又包膜137是由氨基甲酸乙酯樹脂等的熱可塑性樹脂 所形成，若對接著劑加熱至既定溫度以上時’包膜丨37因 熔融或熱變形而被破壞，芯體131會放出至接著劑中’此 1274061 狀態下對接著劑繼續加熱時，構成芯體131的硬化劑會使 環氧樹脂的聚合反應急劇地進行，而使接著劑硬化。 若使用上述般的潛伏型硬化劑，可獲得在常溫的保存 性優良、而且加熱時之硬化性高的接著劑。 但是，上述粉體硬化劑，當和液體硬化劑比較時，因 爲在接著劑中較難分散，故環氧樹脂的聚合反應速度比採 用液體硬化劑時爲慢。 構成芯體131的硬化劑，一般是使用變性胺化合物等 ，使用這種硬化劑時來使環氧樹脂聚合時，必須將接著劑 加熱至180°C以上，待接合之被接著體有產生熱變形的顧慮 。雖然降低加熱溫度時，可以解決這種問題，但是降低加 熱溫度會使加熱處理的時間拉長，使生產性變差。 【發明內容】 本發明的目的，係提供一種可以解決上述習知之接著 劑問題的潛伏型硬化劑，及其製造方法，以及使用這種潛 伏型硬化劑的接著劑。 本發明的另外一個目的，係提供一種保存性優良、可 以在低溫而且短時間的條件下達到硬化的接著劑。 爲達成上述的目的，本發明的潛伏型硬化劑係具備： 含有硬化劑的芯體、以及被覆芯體之包膜，藉由破壞包膜 而使硬化劑從芯體向外部放出；該芯體具有複數粒子，硬 化劑則被保持在粒子間的間隙中。 這種潛伏型硬化劑所使用的複數粒子，係聚集而構成 二次粒子。較佳爲，構成這種二次粒子的粒子，平均粒徑 1274061 在0.1//111〜1.0//111，二次粒子的平均粒徑在1//111〜20//111。 潛伏型硬化劑較佳爲，構成二次粒子的粒子係樹脂粒 子。構成樹脂粒子之樹脂，係使用脲醛樹脂。 保持於包膜內的硬化劑重量，以二次粒子重量的15重 量％以上較佳。 本發明的其他潛伏型硬化劑係具備：含有硬化劑的芯 體、及被覆芯體的包膜，藉由破壞包膜而使硬化劑從芯體 放出至外部；該芯體含有多孔性粒子，硬化劑被保持在多 孔性粒子中。可使用沸石作爲多孔質粒子。 保持於包膜內的硬化劑重量，以多孔性粒子重量的15 重量％以上較佳。 本發明的其他潛伏型硬化劑，係硬化劑由金屬螯合物 或是金屬醇鹽之任一方或兩方所構成者。金屬螯合物是使 用鋁螯合物或鈦螯合物之任一方或兩方。金屬醇鹽是使用 以鋁金屬醇鹽或鈦金屬醇鹽之任一方或兩方爲主成分者。 本發明之潛伏型硬化劑之製造方法係具備··混合步驟 ’將內部構造具間隙的載體與液體硬化劑混合，以製造由 載體與保持於載體中之硬化劑所構成之芯體；附著步驟， 將載體與包膜樹脂粒子混合，使包膜樹脂粒子附著於載體 表面；以及熔融步驟，使附著有包膜樹脂粒子之芯體熔融 ，以形成被覆芯體表面之包膜。 本發明之潛伏型硬化劑之製造方法，進一步具有在混 合步驟後洗淨載體的步驟。 本發明之接著劑係具備：熱固性樹脂、矽烷偶合劑、 1274061 以及潛伏型硬化劑；該潛伏型硬化劑係具有包含硬化劑的 芯體、以及被覆芯體的包膜，藉由破壞包膜而使硬化劑放 出至外部，該芯體具有複數粒子，硬化劑被保持在粒子間 的間隙中。 本發明，當將內部構造具有間隙的載體、與常溫下爲 液狀的硬化劑混合時，接觸載體表面的硬化劑會經由毛細 管現象進入載體內的間隙，進入間隙內的硬化劑係藉由毛 細管引力而保持在載體內。又，所謂間隙，不只是聚集粒 子間的間隙，也包含多孔質粒子內部構造中的細孔。 硬化劑係使用在常溫爲液狀的金屬醇鹽或是金屬螯合 劑，而且在接著劑中添加帶有烷氧基的矽烷化合物（矽烷偶 合劑）時，矽烷偶合劑所水解成之矽烷醇會與金屬螯合劑或 金屬醇鹽反應而產生陽離子，藉由該陽離子使環氧樹脂進 行陽離子聚合。 使用鋁螯合劑爲硬化劑時之接著劑，其環氧樹脂進行 聚合反應的步驟，可以用以下的反應式（1)〜(4)來說明。 X- Si- 〇R+H2〇—X - Si- OH+R - 〇H …反應式（1)

Al +0H—Si — X Al—O—Si—X + RH (2) / \r / / R—CH —CH2 \〇/

AI 一 0 一Si一 X + X —Si一0H X-Si-θ'-H+ (3) R CH CH2 r^ch_ch- OH" /Al—0 - Si—X R—CH-CH2 + I 0 R—CH—CH/ (4) 1274061 在反應式（1)，矽烷化合物的烷氧基係顯示一個。矽烷 化合物與接著劑中的水反應，經由水解，烷氧基變成矽烷 醇基。將接著劑加熱時，矽烷醇基會與鋁螯合劑進行反應 ，使矽烷醇化合物與鋁螯合劑產生鍵結。（反應式（2))。 在已鍵結矽烷醇基之鋁螫合劑上，殘留於接著劑中的 其他矽烷醇基會經由平衡反應而進行配位，如反應式（3)右 邊所示，生成具有布忍斯特熔點之活性化質子。 如反應式（4)左邊所示，質子可以使位於環氧樹脂末端 的環氧環進行開環，如反應式（4)右邊所示，與其他環氧樹 脂的環氧環進行聚合反應（陽離子聚合）。 反應式（2)〜(3)所示的反應，因爲係以比習知之接著劑 硬化溫度（180 °C以上）更低的溫度來進行，因此上述接著劑 和習知之接著劑比較，可以在較低的溫度、而且更短的時 間內進行硬化。 使用金屬螯合劑或是金屬醇鹽作爲硬化劑，並使用沸 石作爲具有複數間隙的粒子時，暴露在沸石表面的矽烷醇 基，雖然會與硬化劑反應而產生陽離子，但陽離子與接著 劑的環氧樹脂之間，因爲有包膜的遮斷，在常溫下環氧樹 脂並不會產生聚合反應。 包膜化的步驟可以使用混合器（hybridizer)裝置（例如， 奈良機械製作所（股）製造，商品名「NHS-0」），此時可以 經由計算式（1)來求出混合芯體與包膜樹脂粒子的配合比率 M/m=DxF/(4xdxf)…式(1) 1274061 計算式（1)中，Μ是代表芯體的配合量（g)，m是代表包 膜樹脂粒子的配合量（g)，D是代表芯體的平均粒徑（//m) ’ d是包膜樹脂粒子的平均粒徑（// m)，F是代表芯體的比重 ，f是代表包膜樹脂粒子的比重。又，上述比重是指各種物 質的密度對標準物質之4°C水密度之比。上述的計算式是理 論式，芯體與包膜樹脂粒子的最適當配合比率，可視狀況 來作決定。 在接著劑中添加熱可塑性樹脂時，基於熱可塑性樹脂 的性質可以增加接著劑的凝聚力，而使接著劑的接著性提 高。使用高極性的熱可塑性樹脂時，熱可塑性樹脂不僅可 參與樹脂成分的硬化反應，且會透過矽烷偶合劑來無機材 料結合，而能得到硬化性高、而且與無機材料所構成的被 接著體間具有高親和性的接著劑。 本發明之其他目的、以及經由本發明所得到具體的優 點，依據以下之參照圖式來說明的實施形態、以及實施例 ，將更爲淸楚。 發明之最佳實施形熊 以下，說明本發明之潛伏型硬化劑。 本發明之潛伏型硬化劑，如圖2所示，係具有複數個 平均粒徑〇.l/zm〜1.0/zm之樹脂粒子33。複數樹脂粒子 33互相附著聚集，而構成平均粒徑l//m〜20/zm的二次粒 子32。在聚集後的複數樹脂粒子33間形成間隙38。 本發明之潛伏型硬化劑在製造時，係準備出常溫爲液 狀的金屬螯合劑或是常溫爲液狀的金屬醇之任一者或是二 1274061 者的混合物作爲硬化劑35，在此硬化劑35中浸漬二次粒子 32。在硬化劑35中浸漬二次粒子時，接觸二次粒子的硬化 劑35會經由毛細管現象進入間隙38中。結果，硬化劑35 如圖3所示，將含浸於二次粒子32。在含浸足夠量的硬化 劑35後，從硬化劑35中取出二次粒子32。 二次粒子32在硬化劑35中係浸漬到含浸足夠量的硬 化劑35爲止，在隨後的取出狀態下，二次粒子32表面有 過剩的硬化劑35附著。若將圖3所示之表面附著過剩硬化 劑35的二次粒子全體洗淨、乾燥，可除去附著在其表面的 硬化劑35。另一方面，滲入間隙38的硬化劑35，如圖4 所示，係維持保持在二次粒子32內的狀態。在間隙38中 保持硬化劑35的二次粒子32，係構成本發明之潛伏型硬化 劑的芯體31。 接著，準備平均粒徑比芯體31的平均粒徑還小的粉體 樹脂，例如來自氟樹脂的包膜樹脂粒子36，接著在混合步 驟中，混合包膜樹脂粒子36與圖4所示狀態的芯體31，在 混合裝置中攪拌，所圖5所示，包膜樹脂粒子36在芯體表 面產生靜電附著。此時，一個芯體31的表面，如圖5所示 ，有多數包膜樹脂粒子36被覆著。 接著在攪拌步驟，將附著有包膜樹脂粒子36的芯體31 投入攪拌裝置，高速攪拌下，被覆芯體31表面之包膜樹脂 粒子36,因爲與被覆其他芯體31表面的包膜樹脂粒子36 、攪拌裝置的旋轉葉片、或攪拌裝置的內壁碰撞而發熱， 而使包膜樹脂粒子產生熔融。熔融後的包膜樹脂粒子36, 12 1274061 如圖6所示，在芯體31的表面進行一體化。在芯體31表 面熔融而一體化後包膜樹脂粒子36,係構成本發明之潛伏 硬化劑的包膜37。 經由上述步驟所製造出之本發明的潛伏型硬化劑，如 圖6所示，間隙38有硬化劑35滲入的二次粒子32係被包 膜37所被覆。 接著說明使用本發明的潛伏型硬化劑而成接著劑、以 及使用該接著劑製造電氣裝置的步驟。 使用本發明的潛伏型硬化劑而成的接著劑，是將上述 步驟所製成的潛伏型硬化劑、作爲熱硬化性樹脂之硬化前 的環氧樹脂、矽烷偶合劑、導電性粒子、以及有機溶劑等 ，經混合、攪拌而製造出，在此所製成的接著劑呈糊狀。 含有潛伏型硬化劑的糊狀接著劑，以既定量塗布在圖7 所示剝離膜21的表面上。塗布在剝離膜21上的接著劑， 藉由隨後之乾燥，而形成圖8所示溶劑蒸發後的塗布層25 。形成有接著劑塗布層25之剝離膜21，係形成將接著劑塗 布層25 —體化而成的接著膜20。 剝離膜21上所塗布的接著劑，有硬化劑粒子30以及 導電性粒子27 —同分散在其中，因此，塗布在剝離膜21 上的接著劑乾燥後所形成的塗布層25，如圖8所示有硬化 劑30及導電性粒子27—同分散混在其中。 在剝離膜21上塗布接著劑而形成的塗布層25所含有 的硬化劑35，和接著劑中的矽烷偶合劑之間’因爲有包膜 37的遮斷，環氧樹脂的聚合反應受到限制，因此’塗布層 13 1274061 25可以維持在未硬化的狀態。 接著說明，使用本發明之含有潛伏型硬化劑的接著劑 來進行接合的接合對象。 使用本發明的接著劑來進行接合的接合對象物有：互 相接合來構成既定的電氣裝置之LCD (Liquid Crystal Display)ll 與 TCP (Tape Carrier Package)15 〇 一方的接合對象物LCD11，如圖9所示，係具有玻璃 基板12,並在玻璃基板12表面形成複數條電極13。圖9 所示的例子有5條電極13。在LCD11之電極13形成面之 TCP15接合部分，配設有圖8所示的接著膜20。接著膜20 如圖10所示那樣，以塗布層25重疊在電極13上的方式來 配置。此時，接著膜20是以塗布層25壓接在電極13的方 式配置在LCD11上面。 但是，因爲接著膜20的剝離膜21與塗布層25的接著 力，係設定成比塗布層25與LCD11側電極13間的接著力 小，如圖11所示，能以塗布層25留在LCD11上的狀態來 剝去剝離膜21。亦即能僅使塗布層25留在電極13上。 待接合於LCD11之TCP15，如圖12所示，係具備基 底膜16，在基底膜16側的表面形成金屬配線17。圖12所 示的例子，有5條金屬配線17。 待接合於LCD11之TCP 15，如圖12所示，係以金屬 配線17與LCD11之電極13形成面呈對向的方式來配置。 此時，TCP15的各金屬線17與LCD11的各電極13，係如 圖1 3所示互相對接在一起。 1274061 又，TCP15與LCD11如圖13所示，其平面形狀分別 形成矩形，在LCD11上所形成的電極13及TCP15上所形 成的金屬配線17，分別形成互相平行的細長狀。 使電極13形成面與金屬配線17形成面以對向且互相 平行來配置之LCD11及TCP15，係如圖13所示，係以 LCD11側之電極13延長方向與金屬配線17的延長方向相 反、且電極13的一端與金屬配線17的一端局部重疊的方 式，來作對向配置。亦即，TCP15與LCD11是以局部重疊 的狀態來作對向配置。 在電極13的一端與金屬配線17的一端呈局部重疊的 狀態下，如圖14所示，將TCP15壓接在配設於LCD11的 塗布層25。當邊將TCP15與LCD11的重疊部分緊壓、邊 對全體進行加熱時，如圖1 5所示，塗布層1 5會因加熱而 軟化，金屬配線17會被壓進軟化的塗布層25中。此時， 如圖15所示，塗布層25中的導電性粒子27將夾雜於金屬 配線17與電極13之間。 進一步朝TCP15之LCD11側加壓、並對全體加熱時， 構成本發明潛伏型硬化劑30的包膜37，會因加熱產生膨脹 、或因緊壓產生物理性衝擊而招致破壞。當包膜37破壞時 ，被包膜37被覆而保持於二次粒子32間隙38中的硬化劑 35，將放出至塗布層25中。由包膜37放出至塗布層25中 的硬化劑35，會與塗布層25中的矽烷偶合劑產生反應，在 塗布層25中放出陽離子。在塗布層25中若有陽離子放出 ，陽離子會使熱固性環氧樹脂產生聚合（陽離子聚合），使塗 15 1274061 布層25硬化。此時，塗布層25如圖16所示，係以在 TCP15側的金屬配線17與LCD11側的電極13間夾持導電 性粒子27的狀態來硬化。 藉由使介於TCP15與LCD11間的塗布層25硬化’可 達成TCP15與LCD11的接合，而構成如圖16所示的電氣 裝置10。圖16所示的電氣裝置10,藉由硬化後的塗布層 25，可達成TCP15與LCD11的機械性接合，且透過塗布層 25中所含的導電性粒子而使TCP15側的金屬配線與LCD11 側的電極13形成電氣連接狀態。 \ 如此，本發明的接著劑不僅保存性優異，且經由陽離 子聚合來使環氧樹脂硬化，故和使用習知硬化劑的情形比 較下，可在較低溫而且較短時間內達成硬化。 <實施例> 接著，說明本發明之潛伏型硬化劑、及使用該硬化劑 之本發明的接著劑（接著膜）之具體實施例。 爲製造本發明之潛伏型硬化劑，係準備出常溫爲液體 的金屬螯合劑之乙醯乙酸乙酯二異丙氧化鋁（川硏FINE CHEMICAL(股）製，商品名「ALCH」）爲硬化劑。在此硬化 劑中浸漬由脲醛樹脂粒子33凝集成的二次粒子32後，在 真空環境氣氛中放置24小時，使硬化劑含浸於二次粒子32 中〇 接著，過濾硬化劑來分離二次粒子32，將分離後的二 次粒子32加以洗淨、乾燥，可以得到圖4所示狀態的芯體 31 〇 16 1274061 使用奈良機械製作所（股）所製造、商名「Hybridizer-NHS-0」爲混合器裝置，將如圖4所示的芯體32、與來自 粉體氟樹脂的包膜樹脂粒子36(大金工業（股）製造，商名品 「路普隆L-5」、一次粒子徑0.2// m 、熔點327°C)予以 混合、攪拌，而形成包膜37，得到潛伏型硬化劑30。又， 混合器裝置的運轉條件爲轉數16200rpm(周速100m/S)、處 理時間5分鐘。 接著，對熱硬化性樹脂之雙酹A型環氧樹脂（油化殻牌 環氧（股）製造，商品名「EP829」）50重量份，添加熱可塑 性樹脂之苯氧樹脂（東都化成（股）社製造，商品名「YP50 」）50重量份、環氧矽烷偶合劑（日本優尼卡（股）社製造，商 品名「A-187」）1重量份、導電性粒子2.5重量份、及潛伏 型硬化劑（30)2重量份，混合而製成接著劑。使用該接著劑 ，依圖7及圖8所示步驟來製作本實施例之接著膜20。 接著，使用本實施的接著膜20，分別進行下述的「室 溫保存試驗」及「40°C保存試驗」。 <室溫保存試驗> 使用本實施例的接著膜20，依圖9至圖16所示的步驟 ，接合TCP15與LCD11後，測定從LCD11剝離TCP15時 的剝離強度（初期剝離強度）。此處，TCP15係使用以25// m 的間隔來形成25/z m寬金屬配線者，LCD11係使用ITO電 極13之每lcm2表面積的薄片電阻爲10Ω者，邊以3MPa 的負荷施加在TCP15與LCD11重疊部分，邊加熱10秒， 使塗布層25的溫度昇高至130°C而進行連接。 17 1274061 此外，將本實施例的接著膜20分別保持在室溫1曰' 3日、7日，使用保持後的接著膜20，以上述同樣的步驟分 別將TCP15與LCD11連接後，從LCD11剝離TCP15 ’分 別測定剝離強度（保存後剝離強度） <40°C保存試驗〉

除了保存溫度由室溫改爲40°C之外，以上述「室溫保1 存試驗」同樣條件來保存本實施例的接著膜20 ’測定 TCP15與LCD11連接後之保存後剝離強度。 上述「室溫保存試驗」與「40°C保存試驗」中，將剝 離強度大小爲初期剝離強度的90%以上者評價爲「◎」’ 80%以上未達90%者評價爲「〇」，70%以上未達80%者評 價爲「△」，將未達70%者評價爲「X」，將這些評價結 果記載於表1。 表1 :評價試驗的結果

室溫保存 4(TC保存 1曰 3曰 7曰 1曰 3曰 7曰 實驗例1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 實驗例2 X X X X X X

又、表1中的比較例，係取代上述潛伏型硬化劑30而 將實施例所用的硬化劑直接加入接著劑中的例子。 由表1可淸楚看出，使芯體31含浸硬化劑35且以包 膜37被覆之本實施例接著膜20，在室溫及40°C的各條件 下保存後，確認出具有高剝離強度。保存試驗後的剝離強 度高代表接著劑之保存性高，可確認本發明接著劑具有高 18 1274061 保存性。 另一方面，將硬化劑直接加入接著劑中的比較例，所 有保存試驗的剝離強度都不佳，可確認硬化劑直接加入接 著劑的保存性明顯較差。 上述實施例，雖是針對使用脲醛樹脂作爲構成二次粒 子32的樹脂粒子33來說明，但本發明並不僅限於此。脲 醛樹脂之外，例如，丙烯酸樹脂等種種的樹脂粒子也可以 使用。構成二次粒子32的樹脂粒子33，以對硬化劑33並 非化學活性者較佳。 上述實施例，係針對使用二次粒子32來形成芯體31 的情形作說明，但是本發明不限於此。 以下說明本發明的其他實施例，該實施例係取代二次 粒子32而使用圖17所示的多孔質粒子42。如圖17所示， 多孔質粒子42的內部，有細孔48、亦即有微小間隙。使用 此種多孔質粒子42時，和使用二次粒子32時一樣，依圖3 及圖4所示的步驟，來形成具有一個多孔質粒子42的芯體 41，使用此芯體41，依圖5及圖6所示的步驟來形成包膜 47，可以得到如圖18所示的潛伏型硬化劑40。又，多孔質 粒子42的細孔48中，含浸保持有硬化劑45。 又、多孔質粒子42可使用沸石或是澱粉微粉體等所構 成者。沸石，例如可使用日本化學工業（股）社製造的商品名 「耶歐斯特」（放置在相對濕度10%的條件下，水分吸附能 力（水分吸收量）爲自重的18重量％以上；放置在相對濕度 60%的條件下，水分吸附能力爲自重的20重量％以上）等。 19 1274061 以上是針對使用接著劑來製作接著膜的情形作說明， 但本發明不限於此，例如可將接著劑以糊狀來使用。 當使用糊狀接著劑來接合TCP15與LCD11時，如圖19 所示，在LCD11之電極13形成面上，在待接合TCP15的 部位塗布本發明的接著劑，形成接著劑塗布層75。 接著，和圖12所示步驟同樣地，進行TCP15側的金屬 配線17與LCD11側的電極13之位置對準，使LCD11與 TCP15呈對向，經由如圖14至圖16所示同樣步驟，接合 TCP15與IXD11 ，可得到如圖20所示之電氣裝置70 〇 以上雖是針對使用接著劑接合TCP15與LCD11的情形 作說明，但本發明並不限於此，也可以用在連接基板與半 導體晶片等之製造各種電氣裝置的情形。 又，以上雖是針對使導電性粒子分散於接著劑中的情 形作說明，但本發明並不限於此，例如接著劑中未添加導 電性粒子的情形亦包含有本發明之內。 作爲金屬螯合劑或是金屬醇鹽之中心金屬，可使用銷 、鈦、鋁等等，但其中特別是以反應性較高的鋁及鈦作爲 中心金屬較佳。 爲了在芯體31表面附著足夠的包膜樹脂粒子36，包膜 樹脂粒子36的平均粒徑較佳爲比芯體31的平均粒徑小。 構成包膜樹脂粒子的樹脂較佳爲能滿足下述任一條件者： 熔點30°C〜350°C以下，熱分解溫度50°C〜500°C，軟化溫度 0°C〜300°C，玻璃轉化溫度一 40°C〜300°C。 包膜樹脂粒子36所使用的樹脂種類並沒有特別限定， 20 1274061 只要能滿足上述條件即可，可使用各種的熱可塑性樹脂、 交聯樹脂、凝膠狀樹脂等。具體而言，可使用交聯丙烯酸 樹脂（例如，日本油漆（股）社製造的商品名「Microgel」）、 聚甲基丙烯酸甲酯樹脂（例如綜硏化學（股）社製造，商品名 「MP系列」）、氟樹脂（例如大金工業（股）社製造，商品名 「路卜隆」）、苯胍胺樹脂（例如日本觸媒（股）社製造，商 品名「耶波斯特）、矽酮樹脂（例如GE東芝矽酮（股）社，商 品名「脫斯帕爾」）等。 以上作爲接著劑所添加之熱固性樹脂，雖是針對環氧 樹脂作說明，但是本發明並不限於此，只要是可進行陽離 子聚合的樹脂，例如尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、酚醛樹脂 、乙烯醚樹脂、氧雜環丁烷樹脂等各種樹脂，若考慮熱硬 化後的接著強度時，以使用環氧樹脂較佳。 本發明接著劑所使用的矽烷偶合劑，以下述的通式（5) 所代表者較佳。 X2—S 1—X4 式（5)

I X1 通式（5)之取代基X1〜X4中，至少一個取代基必須是烷 氧基。又，除了烷氧基以外，X1〜X4中至少一個取代基是具 有環氧環或是乙烯基者較佳，有環氧環的取代基中’特別 是以縮水甘油基較佳。 接著劑所添加的熱可塑性樹脂’除了苯氧樹脂以外’ 21 1274061 例如也可以使用聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚乙烯醇 縮醛、乙烯醋酸乙烯酯、聚丁二烯橡膠等橡膠類等。在本 發明接著劑中，添加抗老化劑、塡充劑、著色劑等種種的 添加劑亦可。 又，本發明不限於參照圖式所作說明的上述實施例， 在不脫離所請專利範圍及其主旨下，當然可進行各種變更 、取代或相當於其等之各種變形。 產業上之利用可能件 如上所述，本發明之潛伏型硬化劑，由於含有硬化劑 的芯體被包膜所被覆，常溫時接著劑中的矽烷偶合劑與硬 化劑不會接觸，因此使用該硬化劑的接著劑其保存性良好 。含有潛伏型硬化劑的接著劑，當受到加熱緊壓，因熱膨 脹或物理性衝擊而使潛伏型硬化劑裂開時，硬化劑與矽烷 偶合劑接觸生成陽離子，藉由該陽離子，構成接著劑的環 氧樹脂會進行陽離子聚合反應。因爲陽離子聚合反應可比 習知接著劑之聚合反應在更低溫度下進行，故能比習知接 著劑在更低溫、而且更短的時間內達成硬化。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 圖1顯示習知之潛伏型硬化劑的剖面圖。 圖2顯示構成本發明之潛伏硬化劑的二次粒子的剖面 圖。 圖3顯示硬化劑含浸二次粒子的狀態之剖面圖。 圖4顯示構成本發明之潛伏型硬化劑之芯體的剖面圖。 22 1274061 圖5顯示包膜樹脂粒子靜電附著於芯體表面的狀態之 剖面圖。 圖6顯示芯體被包膜被覆的狀態之剖面圖。 圖7顯示待塗布本發明接著劑而構成接著膜之剝離膜 的剖面圖。 圖8顯示在剝離膜表面塗布接著劑而構成之接著膜的 剖面圖。 圖9顯示接合對象物之LCD的剖面圖。 圖10顯示在LCD表面配設接著膜的狀態之剖面圖。 圖11顯示將LCD表面所配設之接著膜之剝離膜剝離狀 態的剖面圖。 圖12顯示將另一接合對象物之TCP配設在LCD的塗 布層上之剖面圖。 圖13顯示TCP與LCD對接狀態的俯視圖。 圖14顯示TCP與LCD對接狀態的剖面圖。 圖15顯示將TCP側的金屬配線埋入塗布層狀態的剖面 圖。 圖16顯示使塗布層熔融固化而將LCD與TCP接合的 剖面圖。 圖17顯示代替二次粒子來使用之多孔質粒子的剖面圖。 圖18顯示使用多孔質粒子之芯體的剖面圖。 圖19顯示本發明的接著劑之其他例的剖面圖。 圖20顯示使用本發明的其他例的接著劑來接合LCD與 TCP的剖面圖。 23 1274061 (二）元件代表符號 10、70···電氣裝置 11---LCD 12…玻璃基板 13…電極 15---TCP 16…基底膜 17…金屬配線 20…接著膜 21…剝離膜 25、75…塗布層 27…導電性粒子 30…硬化劑粒子 3卜4卜13L···芯體 32…二次粒子 3 3…樹脂粒子 35、45…硬化劑 36…包膜樹脂粒子 37、47、137…包膜 38…間隙 40、130…潛伏型硬化劑 4 2…多孔質粒子 4 8…細孔 24

Claims (1)

1. i/；I274£ia 1 ^ 拾、申請專利範圍 1. 一種潛伏型硬化劑，係具備含有硬化劑之芯體及被覆 該芯體之包膜，藉由破壞包膜而使該硬化劑由芯體放出至 外部； 該芯體具有複數個粒子，硬化劑被保持在該粒子間的 間隙中。 2. 如申請專利範圍第1項之潛伏型硬化劑，其中，該複 數個粒子係聚集而構成二次粒子。 3. 如申請專利範圍第2項之潛伏型硬化劑，其中，該粒 子的平均粒徑在0.1//m〜1.0//m，該二次粒子的平均粒徑 在 l//m 〜20//mo 4. 如申請專利範圍第1項之潛伏型硬化劑，其中，構成 該二次粒子的粒子，係由樹脂粒子組成。 5. 如申請專利範圍第4項之潛伏型硬化劑，其中，構成 該樹脂粒子的樹脂，係脲醛樹脂。 6. 如申請專利範圍第1項之潛伏型硬化劑，其中，保持 於該包膜內的硬化劑重量，係二次粒子重量的15重量％以 上。 7. 如申請專利範圍第1項之潛伏型硬化劑，其中，該硬 化劑係金屬螯合劑或金屬醇鹽的任一方或兩方所構成。 8. 如申請專利範圍第7項之潛伏型硬化劑，其中，該金 屬螯合劑，係鋁螯合劑或是鈦螯合劑的任一方或兩方所構 成。 9. 如申請專利範圍第8項之潛伏型硬化劑，其中，該金 25 1274061 屬醇的主成分是鋁醇或鈦醇的任一方或兩方。 ίο.—種潛伏型硬化劑，係具備含有硬化劑之芯體及被 覆該芯體之包膜，藉由破壞包膜而使該硬化劑由芯體放出 至外部； 該芯體具有多孔質粒子，硬化劑被保持在該多孔質粒 子中。 11. 如申請專利範圍第10項之潛伏型硬化劑，其中，該 多孔質粒子係由沸石所構成。 12. 如申請專利範圍第10項之潛伏型硬化劑，其中，保 持於該包膜內的硬化劑重量，係多孔質粒子重量的15重量 %以上。 13. 如申請專利範圍第10項之潛伏型硬化劑，其中，該 硬化劑係金屬螯合劑或金屬醇鹽的任一方或兩方所構成。 14. 如申請專利範圍第13項之潛伏型硬化劑，其中，該 金屬螯合劑，係鋁螯合劑或是鈦螯合劑的任一方或兩方所 構成。 15. 如申請專利範圍第14項之潛伏型硬化劑，其中，該 金屬醇的主成分是鋁醇或鈦醇的任一方或兩方。 16. —種潛伏型硬化劑之製造方法，係具有： 混合步驟，將內部構造具有間隙的載體與液狀硬化劑 混合，而製造由載體與載體中所保持之硬化劑所構成之芯 體； 附著步驟，將載體與包膜樹脂粒子混合，使包膜樹脂 粒子附著於載體表面；以及 26 1274061 熔融步驟，使附著於芯體的包膜樹脂熔融，而形成被 覆芯體表面之包膜。 17. 如申請專利範圍第16項之潛伏型硬化劑之製造方法 ，其中，在該混合步驟後，洗淨該載體。 18. 如申請專利範圍第16項之潛伏型硬化劑之製造方法 ，其中，該熔融步驟，係對附著有包膜樹脂粒子之芯體進 行攪拌。 19. 一種接著劑，係具備熱固性樹脂、矽烷偶合劑、以 及潛伏型硬化劑； 該潛伏型硬化劑係具備含有硬化劑的芯體、以及被覆 芯體的包膜，藉由破壞包膜而使硬化劑從芯體放出到外部 ，芯體具有複數個粒子，該硬化劑被保持在粒子間的間隙 中。 20. —種接著劑，係具備熱固性樹脂、矽烷偶合劑、以 及潛伏型硬化劑； 該潛伏型硬化劑係具備含有硬化劑的芯體、以及被覆 芯體的包膜，藉由破壞包膜而使硬化劑從芯體放出到外部 ，芯體具有多孔質粒子，該硬化劑被保持在多孔質粒子中 拾壹、圖式 如次頁。 27