TWI262362B - Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus - Google Patents

Description

1262362 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於-種微影投射裝置，其包括： 、月系統，同一輻射光源，以形成一輻射的投影射 束； " 支持架構，建以固持圖形形成裝置，後者受該投影射 束的a射，使該投影射束具有圖形； -一基板台，建以固持一基板；及 - 投影系統，所建造及安排在使圖形形成裝置之一照射 部分，成像到一靶標部分上。 【先前技術】 本文所用「圖形形成裝置（patterning means)」一詞應作 廣義解釋，係用來指稱一種能賦與入射的輻射束成一圖形 的橫截面，使相當於準備產生在一靶標部分上的圖形的裝 置，就此點而了，也可使用「光閥（light vaive)」一詞。一 般來講’該圖形將相當於產生在靶標部分上的元件之一特 足功能層’像是積體電路或其它元件（見下文）。此種造型裝 置之實例包括： -一光罩。在微影術中光罩的概念是眾所周知的，而其包 括諸如二元式、交替相移式、及衰減相移式，並包括各種 不同樣式的混合型式。此類光罩在輻射束中的擺放位置， 會引起輻射根據光罩上的圖形，作選擇性的透射（如果是透 射性光罩）或反射（如果是反射性光罩）衝擊在該光罩上。就 光罩而論，支持架構通常為一光罩平台，其可確使該光罩 87675 1262362 能固持在入射的輻射束中—所需的位置，並確保其可相對 該輪射束移動’若有如此需要時· _ 一可程式像鏡陣列。此類元件之一實例，為一矩陣可定 址的表面，具有一黏彈性控制層及一反射性表面。此類裝 置所根據的基本原理’為（舉例言之）該反射性表面的定址區 域，將入射光反射成一繞射光，而非定址區域，將入射光 反射成非繞射光。使用一適當的瀘波器，可將該非繞射光 過濾出該反射射束外，只遺留下繞射光；如此，該射束變 成具有根據該矩陣可定址表面的定址圖形之圖形。另一可 %式像銃陣列之具體實施例，係採用眾多細小像鏡的矩陣 排歹〗每小像知’藉施加一適當的局部電場或藉用壓電 式致動裝置’可各自繞一軸線偏斜。再申明一;欠，該等像 鏡係矩陣可定址者，以致各定址像鏡會將一入射的輻射光 線反射在一不同於非定址像鏡的方向上；京尤以此種方式， 該受反射的射束具有根據該矩陣可定址像鏡的定址圖形。 所需的矩陣定址，可使用適當的電子裝置來執行。在以上 所述的兩種情財，該圖形形成裝置可包括—或多個可程 式像鏡陣歹】關於本文所論述像鏡陣列以外之更多資訊， 可蒐集自，例如，美國專利第us 5,296,891及仍5,523，193 ' 、CT(專利合作條約）申請案第WO 98/38597及W〇 98/33096號；以卜久皇女丨π £丨阳l 各專利因引用列入本案中。就一可程式 像鏡陣列而言，今古括加描^Γ @其油 μ支持木構了具胆化為一可按需要固定或 移動的框架或平台，作為舉例來說；及 -一可程式液晶顯示（LCD)陣列。此類構造之實例，由美 87675 1262362 國專利第US 5,229,872號所提供，纟因引用列入本案。如前 述，該支持架構，在此案例中，可具體化為一可按需要固 疋或移動的框架或平台，舉例來說。 為簡單起見，本說明書本文之其餘部分，在某些場所， ^別針對包含光罩及光罩平台之實例而論；然&，在該等 貫例中所討論之-般原理，應按照前面所宣告的圖形形成 裝置之較廣義的方面來詮釋。 在微影投射裝罝可用在積體電路（ic)的製造。如果是如此 的冶忑圖形形成裝置可產生一相當於該的一個別層次 2電路圖形’而這個圖形可映射到基板（石夕晶圓）上的-無標 邵分（包括-個或多個小晶片）成像，該基板事先已塗敷有一 層為射敏感材料（抗触劑）。—般來說，_單獨的基板將包含 相都接幾個革巴標部分的一完整網路，而諸㈣部分是透過 該投影系統一次一個依序照射而成。就現行的裝罝而言， 其使用光罩平台上的光罩來產生圖㈣，有兩種不同型式 的機器，各有不同的做法。在一型式的微影投射裝置中， 各靶標部分是藉將整個光罩圖形’在—道次的操作中曝光 J各|£ ‘ ^刀上的万式，接受福射照這種裝罝普通稱 〈為晶圓步進機（wafer step㈣或步進重覆（卿_____ 裝置在另一裝罝+ —普通稱之為步進掃描（叫, 裝置T各革巴標部分是藉在投影射束下-給定參考方向（「掃 」，方向）上’逐步#描孩光罩圖形而接受韓射照射，同時 ^平行或反平行該—方向上，同步掃描該基板台；因為， -般來講’該投射系統將有一放大因數m(通常是 <丨)，該基 87675 1262362 板台接受掃描的速度V，將會是該光罩平台接受掃描時的速 度的Μ倍因數。有關於此處所敘述的微影元件的更多資訊， 可在美國專利US 6,046,792號中獲得，其因引用列入本文 中。

在一使用微影投射裝置的製造過程中，將一圖形（例如， 在光罩上的）映射到至少部分有覆蓋輕射敏感材料（抗蝕 劑）的基板上成像。在這映像步驟之前，該基板可進行各種 的权序，像是塗底漆、抗蝕劑塗敷、及軟焙。在曝光之後， 該基板可接受其它的程序，像是曝光後烤焙（ρΕΒ)、顯像、 硬焙、以及量測/檢驗該已具有影像的容貌。此一系列的程 序，是作為使一元件，如1C，具有個別層次圖形的基礎。 戎已具圖形的層次，於是，可進行各種的處理，像是蝕刻、 離子植入（摻雜）、鍍覆金屬、氧化、化學-機械研磨等等， 一切全為完成此一個別層次為目的而進行。如果有好幾個 層次時，則整個程序，或其變式，將必須就每一新層次重 覆一遍。最後，一陣列的元件將會呈現在該基板（晶圓）上。 然後’使用切片或銀割技術該等元件彼此分割開，其後， 各個別元件即可裝設在一載體、連接到插腳等等。關於這 種程序進一步的資訊，例如，可自彼特范占特（Petervanzant) 著/”1^1(^〇(：叫 Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing’’ 第三版，Me Graw Hill出版公司 1997年出版，ISBN 0-07-0672 50-4，一書中獲得，其因引用列入本文中。 為簡便计’遠投射系統在此後可稱之為「透鏡（lens)」； 可是’這一用詞應予廣義解釋為：涵蓋各種型式的投射系 87675 1262362 、、'、匕括折射性光學透鏡、反射性光學透鏡、和反射折射 (eatadloptnc)系統，作為舉例。該輻射系統也可包括根據任 叹计型式操作的組件，用於照射、成形、或控制該投射 库田射束，而這種組件在此後也可，集體地或個別地，稱之 '、、、、’」另外’違彳政影裝置可以是一種具有兩個以上的 基板台(和/或兩個以上光罩平台)的型式。在這種「多台式」 的裝置中，孩額外的平台可以並行使用；或趁一個或多個 平口已用在曝光時，其餘的一個或多個平台可進行預備步 驟。二台式的微影裝置，例如，在美國專利us 5,969,441號 和國際專利98/4G791號中有所記述。兩專利因引述列入 本文。 在彳政〜裝置中，能成像到基板上的形貌的大小，是受 …又射I田射波長之限制。要產製具有高密度元件的積體電 路而因此要有較高的操作速度，該微影裝置最好是能夠 映成車乂小合貌的影像。！I於大多數現行的微影投射裝置， 係採用由汞k或準分子雷射所產生的紫外線光，有人提議 使用在5至20 nm(奈米）範圍内，特別是在13疆左右的較短 波長的輻射。此項輻射稱為超紫外輻射（Euv)或軟光，而 可牝的來源是舉例來說’雷射產製的電漿源、放電電漿 源、或來自電子儲存環的同步輕射。使用放電電聚源的裝 置疋，己述在· W. partl。，j. FQrmenkQv，R,⑺卜％ D_ ”DeVel〇Pment 〇f 时 EUV (13.5 請）Light Source Empl〇ying:

Dense Plasma F〇CUs in Lithium Vapo^5 Proc. SPIE 3997, pp. 136-156(2000) ； M. W. McGeoch /Tower Scaling of a Z-pinch 87675 -10- 1262362

Extreme Ultraviolet Source’’，Proc. SPIE 3997，pp 861-866 (2000); W. T. Silfvast, M. Kloserner, G. Shimkaveg, He Bender, G Kubiak，N. Fornaciari，’’High-Power Plasma Discharge Source at 13.5 and 11.4 nm for EUV lithographyM, Proc. SPIE 3676, pp 272-275(1999);及 K. Bergmann et al·，’’Highly Repetitive, Extreme Ultraviolet Radiation Source Based on a Gas-Discharge Plasma”，Applied Optics，Vol. 38，pp· 5413-5417(1999) 0 EUV輻射源，可能要使用到一氣體或蒸汽頗高的分壓力 來放射EUV輻射，像是在上面提及的放電電漿源。在一放 電電漿源中，舉例來說，放電是在兩電極之間產生，而一 所產生部分游離的電漿可能會在後來引起崩潰，以產生一 非常熱的電漿，放射出在EUV範圍内的輻射，該非常熱的 電漿是經常在氙氣（Xe)中產生，因為氙電漿是在EUV範圍 内的1 3 · 5 nm左右放射的。就一有效的EUV產製而言，在輻 射源兩電極附近，需要有一標準的〇. 1毫巴的壓力。要有如 此高氤氣壓力的不利之處，在於氙氣會吸收EUV輻射。舉 例來說，0.1毫巴的氙，只傳送0.3%具有13.5 nm波長的EUV 輕射越過1米的距離。因此，在該源頭附近必須限制該頗高 氣氣的壓力到一有限度的區域。為要達到此一目標，可將 該源頭包容在其自身的真空間室中，該真空間室係藉一間 室壁與一鄰接的真空間室隔離，後者的真空間室中，可獲 得集流器鏡面及照明光學等。 在一微影投射裝置中，特別是從EUV源和箔片閘（f〇u trap) 發出的熱輻射，會導致為其所撞擊的物件的生熱。在一微 87675 -11 - 1262362 =缸射衣置中，這些物件通常會是構成該裝置的光學組成 ^置在源頭鄰近的光學組成件的實例，可以是一組 射态所構成，該組反射器作用如一從源頭放射光的集流 哭 0 士' 、 元居熱輻射使該集流器生熱，而引起集流器中零件 勺軋脹，引生集流器的幾何像差，而最後導致其破滅。 【發明内容】 因此，本發明之一目的，在提供一種微影投射裝置，其 /、有一為射熱負荷已予降低的反射性元件，特別是一集流 器。 本發明之另一目的，在提供一種微影投射裝置，其具有 已有效冷卻的反射性元件，特別是一集流器。 本發明還有另一目的，在提供一種具有較長的壽命期的 集流器。 這些及其它目的，均可根據本發明，在一如本文開首章 印中所詳述的微影投射裝置中達成；在該微影投射裝置中， 一反射器組件係擺置在該源頭、或該源頭之一影像的鄰近； 該反射器組件包括至少一個内反射器及一個外反射器在一 光轴的方向上延伸，該源頭、或該源頭影像即座落在該光 轴上’該内反射器比該外反射器更為接近該光軸；諸反射 器各具有一内側反射表面及一外側基材層，該内反射器的 基材層，塗佈有一反射性薄層，對於在0.1和100/z m(微米） 之間而最宜是在1和10 # m之間的波長，具有一反射率在0.7 和0.99之間，最宜是在〇.8和0.99之間。 如此，該反射器組件，將會反射相當大數量的、撞擊在 87675 1262362 及反射組件背面上的紅外線輻射，這樣可降低在該反射器 組件上的熱負荷。 在本务明的另一具體實施例中，將一反射器組件擺置在 茲源頭或該源頭之一影像的鄰近，該反射器組件包括至少 一個内及一個外反射器在一光軸方向上延伸，該源頭、或 这源頭影像即座落在該光軸上，該内反射器比該外反射器 更為接近該光轴；兩反射器各具有一内側反射性表面及一 外側基材層，該外反射器的基材層塗佈一輻射性薄層，對 於波長在〇· 1和1 00 V m之間而最宜是在1和10# m之間的波 長’具有標準的〇·8的放射率。藉備置具有比較強烈的紅外 輕射放射特性的外反射器基材層，這樣具有提昇該反射器 組件所放射輻射量的益處，致使該輻射冷卻有所改進。 在本發明又另一具體實施例中，將一反射器組件擺置在 該源頭或該源頭一影像的鄰近，該反射器組件包括至少有 一個内及一個外反射器在一光軸方向上延伸，該源頭、或 該源頭影像即座落在該光軸上，該内反射器比該外反射器 更為接近該光轴；兩反射器各具有一内側反射性表面及一 外側基材層，該外反射器的基材層塗佈一輻射性薄層，對 於波長在0.1和1 0 0 μ m之間、而最宜是在1和1 〇 // m之間的波 長’具有標準的〇 · 8的放射率，而該内反射器的基材層覆蓋 一反射性薄層，對於波長在〇 · 1和1 〇 〇 A m之間而最宜是在1 和1 0 " m之間的波長，具有典型的〇·9以上的反射率。如此 可有一益處，即該反射器組件具有在該内反射器基材層上 的反射性塗佈，同時又有該最外側反射器基材層上的輻射 87675 1262362 層的塗佈，用以同時減低所吸收的熱輻射並增加所放射的 熱輻射。 該反射層可用貴金屬製作，例如金或釕。該輻射層可用 竣製作，俾以獲得最佳的降低熱負荷特性。 各反射器可包括至少兩個鄰接反射表面，離該源頭較遠 的反射表面，對該光軸所擺置的角度，要比離該源頭較近 的反射表面所擺置的角度為小。就以此方式，建造成一掠 入射集流器，用以產生紫外（uv)射束沿該光軸傳播。最好， 有至少兩個反射器大致同軸擺置，並大致圍繞該光軸成旋 轉上對稱而延伸。此一種（沃特_(woher〇)型式的掠入射集 泥器’ 1己述在德國專利申請案第De ι〇1 38 284.7號中，其 因引用列入本文中。該案結果所產生的集流器，可在一微 影投射裝置中作為一（E)UV輻射聚焦裝置使用。 隹；"：在本文中關於根據本發明的裝罝的使用，明確引述 到積體電路（1C)的製造，其可清楚瞭解的，這一種裝罝有許 夕其Έ：可能的應用。舉例來說，它可用來製造：整合的光 學系統、磁區記憶體的引導和偵測圖形、液晶顯示嵌板、 薄膜磁頭、等等1習此項技藝人士將會認同，在討論到 可替代應用的關聯文字中，任何使用到「光網卜⑷。勾」、「晶 圓（wafer)」或「小晶片（die)」等名詞的場合，可認為分別 可由更為通用的名詞「光罩（mask)」、「基板（substrate)」及 「革巴標邵分」所取代。 在本文件中，「輻射（radiation)」和「（射）束（beam)」兩名 詞，是用來涵蓋所有的電磁輻射的型式，包括紫外（UV)輻 87675 14 1262362 射（例如有3 6 5、2 4 8、 外輻射（EUV)(例如具 193、157、或126奈米的波長）及超紫 有在5-20奈米範圍内的波長），以及粒 子束，例如電子束及離子束。 【實施方式】 現在要對本發明的幾個具體實施例，藉純舉例方式，參 …、附Ik圖式’加以說明；圖式中對應的參考符號指示對應 的零件。 圖1簡要表示一根據本發明之一特別具體實施例的微影投 射裝置1。該裝置包括： '一輻射系統Ex、IL，用於供應一輻射（例如，有Il-I4nm 波長的EUV輻射）的投影射束pB。在此特定的實施例中，該 輪射系統尚包括一輻射源頭la ; ' 一第一物件台（光罩平台）MT，設有一光罩固定器，用以 固定一光罩MA(如標線片），並連接到第一定位裝置pm，用 以相對物件PL精密定位該光罩； -一第二物件台（基板台）WT，設有一基板固定器，用以固 定一基板W(例如，一塗佈抗蝕劑的矽晶圓），並連接到第二 足位裝置PW，用以相對物件PL精密定位該基板； -一投射系統（「透鏡」）PL，用於將該光罩MA的一受照射 邵分映像到該基板W之一靶標部分C(例如，包括一個或多 個小晶片）上；如在本文所述，該裝置是一透射型（即具有/ 透射性光罩）。可是，一般來說，它也可以是一反射型，作 為舉例（使用一反射性光罩）。變換的作法，該裝置可以採用 87675 -15 - 1262362 1外—類的圖形形成裝置，像是在前面提到過一型式的可 程式鏡面陣列。 I源頭LA(例如，-雷射產生電漿源或-放電電漿源)產 輻射束。將該輻射束，或直接或在通過一調節裝置（像 疋=光束擴張器Ex)之後，饋入一照明系統（照明器，舉 例來說。該照明器1L可包括調整裝置AM，用於設定在該輕 射束内強度分佈的外側及（或）内側輻射範圍（一般分別稱作 σ -外及σ-内)。此外’該照明器通常包括各種其它的組件， 像是—積分器m和一電容器c〇。該投影射束ΡΒ即以此方 弋扣名到。亥光罩MA上時’在其橫截面中具有一所需的均 勻性和強度分佈。 關於圖1須加強調的一點是，該源頭LA可在該微影投射 裝置的殼體之内中（例如，當源頭是汞燈時常是如此），它也 可遠離該微影投射裝置，它所產生的輻射束是受引領進入 琢裝置中(例如’藉助適當的指向反射器）；《一情況，當源 頭LA是一準分子雷射時，常是如此。本發明和申請專利範 圍將該兩種情況，都包含在内。 投影射束PB隨後與夾持在光罩平台Μτ上光罩Ma相交。 通過光罩ΜΑ之後，該投影射束pb經由透鏡？[通過，透鏡pL 將居技W射束P B聚焦到晶圓W的一乾標部分c上。藉第二定 位裝置PW(及干涉儀測量裝置IF)之助，該基板台可精確地 移動，舉例來說，以致將不同的靶標部分C定位在投影射束 PB的途徑中。同樣地，該第一定位裝置pM可用來，舉例來 說，以機械方式將該光罩MA從一光罩資料庫擷取出來之 87675 -16- l262362 :光2:描當中’相對該投影射束。B的途徑，精確定位 罩财。一般來說，物件台MT、WT的移動，可一 長動程模組㈣位)和短動程模組(細定位⑽現 =:::):表示，，就，步進機㈣^ 衣置）來說，該光罩平台Μ可只連接到-短動程致 或者，可以是固定的。光罩MA和基板W,可使用光 罩杈準標誌M1、M2和基板校準標誌PI、P2來對準。 所陳述的裝置，可使用在兩種不同模式中： 1·在步進模式中，該光罩平台MT，基本上，是保持靜止不 動，而整個光罩影像，是在一道次操作（即單一次的「閃光」） 中，投射到一靶標部分c上。該基板台WT於是在\及（或h 万向上轉移，以使一不同的靶標部分C可為該投影射束PB 照射到； 2.在掃描模式中，基本上可適用上述相同的情節，例外 的是一設定的靶標部分c不是在單一次的「閃光」中曝光。 而是，該光罩平台MT係可在一給定的方向（所謂的「掃描方 向」，譬如說，y方向）上，以一速度v移動，因而像該投影 射束PB在一光罩影像上掃描；該基板台wt則同時並行，以 一速度V = Mv (式中的μ為該透鏡PL的放大率，典型的來說， Μ-1 /4或1 /5)在相同或相反的方向上移動。就這樣，可對 一比較大的靶標部分C曝光，而不必傷害到解析度。 圖2顯示該投射裝置1包括一照明系統IL連同輻射單元3、 照明光學單元4、及投射光學系統PL。輻射系統2包括一源 頭集流器模組或輻射單元3和一照明光學單元4。輻射單元3 87675 -17 - 1262362 是備有一輻射源頭LA，可由一放電電漿形成。euv輻射源 頭6可利用一氣體或蒸汽，像是氤氣或鋰蒸汽，在其中可以 產生非常熱的電漿，用以放射在於電磁頻譜EUV範圍中的 輻射。f亥非常熱的電漿，是藉引起一電的放電中成部分游 離的電漿在該光_上崩潰而產生。4了要有效產生該輕 射，可旎需要0.1耄巴的氤氣或鋰蒸汽或任何其它氣體或蒸 A的分壓力。由輻射源頭LA所放射的輻射，是從源頭間室7 傳迗入集流咨間室8中，藉助一氣障結構或「箔片閘（f⑹ trap)」9。该氣障結構包括一管道結構，舉例來說，如在歐 洲專利第EP-A-1 233 468及EP-A-1 057 079號中所詳細記載 者，其因引述列入本文。 集流器間室8包括一輻射集流器1〇，後者根據本發明係由 一掠入射集流為所構成。通過集流器丨〇的輕射，受一光栅 分光滤波器11反射離出，聚焦在該集流器間室8中一孔徑 處’成一虛光源點12。來自間室8的投影射束丨6，在照明光 學單元4中，經過正入射反射器13、ι4，反射到一位於光網 或光罩台MT上的光網或光罩上。於是形成一具圖形射束 1 7，在投射光學系統PL中，經過反射元件丨8、1 9，成像在 晶圓台或基板台WT上。在照明光學單元4及投射系統PL中， 通常可比所示有更多的元件。 如在圖3中可見，該掠入射集流器丨〇包括多數個套裝的反 射奋元件21、22、23。此種型式之一掠入射集流器，發表 在德國專利申請案第DE 1 0 1 3 8 2 84 · 7號中，舉例來說。 如在圖4中指示出，紅外輻射4〇撞擊在一沿光軸47校準的 87675 -18 - 1262362 集流器50上。該集流器50可包括多個反射器42、43、46。 此種反射器的實例顯示在圖3中參考數碼1 〇所指之處。在圖 4中’遠内反射备是用參考數碼42指示，外反射器是用參考 數碼4 6指示。在兩反射器4 2和4 6的中間，可設置若干其它 的反射器43，其輪廓在圖4中以長劃虛線表示。所有的反射 备42和43，都在基材層52上塗敷一層熱或紅外韓射反射層 56，所以在這些反射器上的紅外輻射4〇都受反射，如箭號料 所示。该外反射咨46在其基材層52上有一層輻射性塗佈62。 圖4中的箭號48表示熱或紅外輕射。 在圖4中進一步顯示出該集流器5〇内反射器42的詳細組 成。該反射器42包括一基材層52，用一種可給與該反射器以 機械強度的材料來製作，例如〇.5到丨毫米厚的鎳（Ni)。反射 器42、43、46包括一（E)UV反射側，在圖4中，作為一範例， 顯示包括58和59兩個部分。在反射器42的（£)1；¥反射側58 上，疋加上一塗佈54，其材料是一種會給與該反射器所需 的（E)UV反射特性者，像是厚度大約在5〇奈米到數微米範圍 内的金（Au)或釕（RU)或其它紅外輻射反射材料。根據本發 明，藉已知的技術，例如，舉例來說，化學蒸汽或電化學 之沉積處理，將沉積一貴金屬層54作為一（E)UV反射層的製 造過程，予以擴張到在基材層52側面6〇上，再添加上一層 諸如，舉例來說，金或另一紅外輻射反射材料的塗佈％， 使得其厚度約為數微米，對於該紅外輻射來說，卻猶如一 無限大厚度。塗佈56大致是反射熱或紅外輻射，其結果是 減小了遠基材層5 2對熱或紅外輻射的吸收。 87675 -19- 1262362 在圖4中還顯示該外反射器46的詳細組成。和該内層反射 器42、43用一種熱或紅外輻射反射層56覆蓋在該基材層52 上的不同，該外反射器46的基材層52，是在外側面6〇上覆 蓋一熱或紅外輻射層62，用例如數微米厚的碳（c)，或技藝 嫻熟人士所知的任何其它熱/紅外輻射材料製作。該碳塗佈 可增強該最外面的反射器46(並因而是整個集流器5〇)的「黑 體」放射率。 在圖4中的反射器42、43、及46的反射側58，實際上可以 是彎曲的。其可以包括兩個連接的部分，其一製作成一雙 曲線邵分而另一製作成一擴圓體部分。 在圖5中顯π —集流器50，在其外反射器46上，附接有若 干肋片72-75。it些輻射肋片72.75可整意分佈纟外反射㈣ 上。1¾輻射肋片72-75可更加提昇該集流器5〇的熱或紅外「黑 體」反射性。 在另-具體實施例中’ 一經改良的在Euv源頭和在光轴 較遠處的光學組件之間的真空隔離，可藉使用一成為真空 隔離-部分的集流器而達成。這是藉在該微影投射裝置中， 泵抽集流器和其它組件之間的隔離空間而實現。藉使用一 如在德國專利中請第DE 101 38 2δ47號中所記載的反射 器’使用是在該「洋葱殼」型的集流器相對高的流動阻抗 下進行，集流器的外側會形成-真空障礙，然而可直接在 集流器下游使用—系浦’在-相對低的系吸速率下(例如丨 Α巴Α升&由4集流器抽出殘餘氣體。 此一具體實施例將參照圖6加以說明。 87675 '20- 1262362 在圖6中，顯示一 EUV照明器7 1。參考數碼6 1指示一管道 陣列或洛片閘。由於該管道陣列或箔片閘6丨有限的流動傳 導性’當在該管導陣列後面能夠到達一數倍的丨〇〇〇公升/秒 的泵吸速率時，該陣列後面的壓力，可低於在EUV源頭72 一側的壓力至少！ 00倍。鑒於集流器63侷促的距離，此種泵 吸速率不可能由泵浦67來達成。一種適合使用在本發明的 管道陣列61’已記載在歐洲專利第ep_A-1 223 468及EP-A-1 057 079號中。參考數碼63指示一多殼的掠入射euv集流 器’屬於如在歐洲專利第DE ι〇1 38 284.7號中所記述的型 式。這兩組件透過圓周邊壁66、68連接到殼體7〇以組成一 真空間室65。該真空間室65由一泵浦67來排氣。由於在該 落片閘61和掠入射EUV集流器63之間的小隔離93只有數公 分（這是為要限制該EUV照明器的體積，而儘可能地將其保 持在最小），該泵浦67將不能在該間室65中產生一足夠的真 空，因為泵浦67有效的泵吸速度，可能只有很少的幾個丄〇〇 公升/秒。所以將一第二泵浦69安排在該掠入射EUv集流器63 的後面’孩掠入射EUV集流器63具有有限度的流動傳導率， 例如200公升/秒。該泵浦67和69共同產生該真空間室65中 斤*的真工’聚浦67是在幾個100公升/秒的泵吸速度下， 栗庸69疋在幾個1000公升/秒的泵吸速度下運作。 在圖7中顯示该箔片閘61的一部分的詳細結構8 1。該結構 8 1包含多個狹窄間隔的細縫或狹長的管道83，其等一齊構 成一開放的疊層結構。而且，掠入射Euv集流器63，由於 有洋蔥般的外殼結構，構成一開放的疊層管道。 87675 -21 - 1262362 圖6特別有關於： 1· 一種微影投射裝置（1)包括： -一照明系統（3、4) ’連同一輻射光源（6)，以形成一輻射 的投影射束（6); _ 一支持架構（1 5)，建以固持圖形形成裝置，後者受該投 影射束的照射，使該投影射束具有圖形； -一基板台（20)，建以固持一基板；及 -一投影系統（5) ’所建造及安排在使圖形形成裝置之一照 射部分，成像到一輕標部分上。 该投射裝置尚包括： -一輻射源（72)，設置在一光軸（47)上； -一集流器元件（63)在該光軸（47)上，包括多個同心的反 射备（4 2、4 3、4 6)’設置在一包括一外側邊牆（7 〇)的殼體中； 一第一橫貫牆（66) ’以一端與該邊牆（70)連接而以另一端與 一管道陣列元件（61)連接；該管道陣列元件（61)係設置在該 光軸（47)上； -一第二橫貫牆（68)，將該集流器元件（63)連接到該邊（70) 並構成一間室（65); -一第一泵浦元件（6 7 )，連接到該第一（6 5);及 -一第二元件（69)，在該集流器元件（63)的下游。 2. 一根據申請第1及2項的微影投射裝置（1 )，具有特徵 為該第一泵（67)的泵吸速度是在10公升/秒和5000公升/秒的 範圍内’較瓦在20和2000公升/秒的範圍内，最宜是在50和 1 000公升/秒的範圍内，而該第二泵（69)的栗吸速度是在1〇 87675 -22 - 1262362 A升/tz和100000公升/秒的範圍内，較宜在9⑻和9〇⑻公升 的範圍&最立是在2〇〇〇和5〇〇〇公升/秒的範圍内。 U本*的幾個特定具體實施例，已如上加以說明，將 可認同使用該說明w、丄、 、 卜勺万式，也可實施。目前之說明， 無意用以局限本發明。【圖式簡單說明] 圖1簡要表示一根據本發明 u n ^ 具月豆貝她例的微影投射裝 圖2顯示根據本發明之一EUV照明系統及一 之投射光學裝置之側視圖； 微影投射裝置 圖3顯示本發明 之1¾射源及掠入射集流器之細節 圖4顯示_ 圖5顯示— 面透視圖； 根據本發明之集流器佈置的軸向剖面視圖； 配備有輕射肋片纟集流器之具體實施例之一側 圖6顯示一具有兩個差壓間室的微影投射裝置 施例之—簡要視圖；及 圖7為一箔片閘結構之詳細視圖。 的一具體實 【圖式代表符號說明】 微影投射裝置 ; 輻射單元 1 照明光學單元 投影系統 超紫外輻射源頭或投影光束 源頭間室 87675 -23 - 1262362 8 集流器間室 9 氣障結構或箔片閘 10、50 輕射集流器或反射器組件 11 光柵分光濾波器 12 虛光源點 13、14 正入射反射器 15 支持架構 16，PB 投影射束 17 具圖形射束 18、19 反射元件 20 基板台 21 、 22 、 23 反射器元件 40 紅外輻射（波長） 42、43 内反射器 44 ^ 48 箭號 46 外反射器 47、0 光軸 52 基材層 54 (超）紫外反射塗佈或内側反射表面 56 熱或紅外輻射反射層（塗佈） 58、59 (超）紫外反射侧 60 外側面 61 管道陣列或箔片閘 62 熱或紅外輻射層 87675 -24 - 1262362 63 集流器 65 真空間室 66、68 圓周邊壁或橫貫牆 67 ^ 69 泵浦（元件） 70 殼體或外側邊牆 71 超紫外照明器 72、LA 超紫外輻射源頭 72-75 肋片 81 詳細結構 83 細缝或管道 93 隔離 AM 調整裝置 C 靶標部分 CO 電容器 Ex 光束擴張器 Ex、IL 輻射系統 IF 干涉儀測量裝置 IL 照明系統（照明器） IN 積分器 Ml、M2 校準標誌 PI、P2 M 放大率 MA 光罩 MT 第一物件台（光罩平台） 87675 -25 - 1262362 PL 物件 PL 投射系統（透鏡） PM、PW 定位裝置 V、v 速度 w 基板 WT 第二物件台（基板台） 87675 - 26 -

Claims (1)

12021驗123295號專利申請案 一一一一—— :中文申請專利範圍替換本(95年3月） | G卜$月h日條(¼' 〇 拾、申請專利範圍： L一一一 L 一種微影投射裝置（1)，其包括： 具有一輻射光源（6)之一照明系統（3、4)，其係用以形 成一輻射的投影射束（6); 一支持架構（15)，其係用以建構支持圖形形成裝置，而 該圖形裝置受該投影射光束的照射而形成該投射光束； 一基板台（20)，其係用以建構支持一基板；及 一投影系統（5)，其係用以建造及安排在使該圖形形成 裝置之一照射部分，成像到一靶標部分上； 該微影投射裝置（1)尚包括： 一反射器組件（10)，其係用以佈置在該源頭或該源 >員之一影像鄰近，該反射器組件（1 0 )包括至少一個内反射 器及一個外反射器（42、43、46)在一光軸（47)的方向上延 伸’該源頭（6)、或該源頭影像即座落在該光軸上，該内反 射器（42、43)比該外反射器更為接近該光軸；諸反射器 (42、43、46)各具有一内側反射表面（54)及一外側基材層 (52)’遠内反射器（42、43)的基材層（52)，塗敷有一反射層 (56)，對於在0.1和1〇〇 // m(微米）之間的波長，具有一 反射率在0.7和0.99之間。 2.如申請專利範圍第1項之微影投射裝置（1)，其中該波長（4〇) 係在1和10 /z m之間。 3·如申請專利範圍第1項之微影投射裝置（1)，其中該反射層 (56)之反射率係在0.8和0.99之間。 4.如申請專利範圍第1項之微影投射裝置（1)，其中該反 87675-950317.doc - 1 - 曰 1262362 Q 包括一貴金屬 5·^申請專利範圍第4項之微影投射裝置⑴，其中該貴 包括金（Au)或釕（Ru)。 6.如申請專利範圍第1項之微影投射裝置⑴，其中該至少兩 個反射器（42、43、46)是大致同轴並大致圍繞該光轴 成旋轉對稱而延伸。 7. 如申請專利範圍第！項之微影投射裝置⑴，其中至少該反 射器组件⑽的反射器⑷、a、叫的外反射器（μ)包含輕 射肋片。 @ 8· —種微影投射裝置（1)，其包括： 一具有一輻射光源（6)之照明系統（3、4)，其係用以形 成一輻射的投影射束（6); 一支持架構（15)，其係用以建構支持該圖形形成裝置， 而茲圖形裝置受該投射光束的照射而形成該投射光束； 一基板台（20) ’其係用以建構支持一基板；及 一投影系統（5)，其係用以建造及安排在使該圖形形成 裝置之一照射部分，成像到一靶標部分上； 該微影投射裝置（1)尚包括： 一反射器組件（10)，其係用以佈置在該源頭（6)或該源 頭之一影像鄰近；該反射器組件（1 〇)包括至少一個内反射 器及一個外反射器（42、43、46)在一光軸（47)的方向上延 伸，該源頭（6)、或該源頭影像即座落在該光軸上，該内反 射器（42、43)比該外反射器更為接近該光軸（47);諸反射器 (42、43、46)各具有一内侧反射表面（54)及一外側基材層 87675-950317.doc - 2 - 1262362 」Γ : 丨 (52);該外反射器（46)的基材層（52)係塗敷有一輻射層 (62) ’對於在0.i*100//m之間的波長（4〇)，具有一放射率 在〇·6和0.95之間。 9,如申請專利範圍第8項之微影投射裝置（1)，其中該波長（4〇) 係在1和1 0 // m之間。 1〇_如申請專利範圍第8項之微影投射裝置（1)，其中該輻射層 (62)之放射率係在〇·7和0.9之間。 11.如申請專利範圍第8項之微影投射裝置，其中該輻射層 包括碳（C)。 12·如申請專利範圍第8項之微影投射裝置（1)，其中該内反射 器（42、43)的基材層（52)是塗敷有—反射層（56)，對於在〇1 和10(^!11之間的波長（4〇)，具有_反射率在〇7和〇99之 間。 13. 如申請專利範圍第12項之微影投射裝置（1)，其中該波長 (40)係在1和1 〇 // m之間。 14. 如申請專利範圍第12項之微影投射裝置（1)，其中該反射層 (56)之反射率係在〇·8和0.99之間。 15. 如申請專利範圍第12項之微影投射裝置⑴，其中該反射層 包括一貴金屬。 16. 如申請專利範圍第15項之微影投射裝置⑴，其中該貴金屬 包括金（Au)或銜（Ru)。 π·如申請專利範圍第8項之微影投射裝置⑴，其中該至少兩 個反射③（42、43、46)疋大致同轴並大致圍繞該光轴⑷) 成旋轉對稱而延伸。 87675-950317.doc -3- 1262362 ί Γ年 / 心正替換頁. 18·如申請專利範圍第8項之微影投射裝置（1)，其中至少該反 射器組件（10)的反射器（42、43、46)的外反射器（46)包含輻 射肋片。 . 19.一種反射器組件（1 〇)，包括至少一個内反射器及一個外反 射器（42、43、46)，各具有一外側基材（52);該外反射器（46) 的内側反射表面（5 4 )，面對該内反射器（4 2、4 3)的基材層 (52);該内反射器（42、43)的基材層（52)係塗敷有一反射層 (56)，對於在0.1和100// m之間的波長，具有一反射率在0.7 和0.99之間。 φ 20.如申請專利範圍第19項之反射器組件（10)，其中該波長係 在1和10 // m之間。 21·如申請專利範圍第19項之反射器組件（10)，其中該反射層 (56)之反射率係在0.8和0.99之間。 22. 如申請專利範圍第19項之反射器組件（1 0)，其中至少該外 反射器（46)包含輻射肋片（72〜74)。

23. —種反射器組件（10)，包括至少一個内反射器及一個外反 射器（42、43、46)，各具有一外側基材（52);該外反射器（46) 的内側反射表面（54)，面對該内反射器（42、43)的基材層 (52);該外反射器（46)的基材層（52)係塗敷有一輻射層 (62)’對於在0.1和100// m之間的波長’具有一放射率在0.7 和0.99之間。 24. 如申請專利範圍第23項之反射器組件（1 〇)，其中該波長係 在1和ΙΟ/^m之間。 25.如申請專利範圍第23項之反射器組件（1 〇)，其中該輻射層 87675-950317.doc - 4 - 1262362 ίΓ ?丨r: (62)之放射率係在0.8和0.99之間。 26·如申請專利範圍第23項之反射器組件（1 〇)，其中該内反射 器（42、43)的基材層（52)係塗敷有一反射層（56)，對於在0.1 和100// m之間的波長，具有一反射率在〇.7和0·99之間。 27.如申請專利範圍第26項之反射器組件（10)，其中該波長是 介於1和10 /z m之間。 28·如申請專利範圍第26項之反射器組件（10)，其中該反射率 在0.8和0.99之間。 29.如申請專利範圍第23項之反射器組件（10)，其中至少該外 反射器（46)包含輻射肋片（72-74)。 30·如申請專利範圍第26項之反射器組件（10)，其中至少該外 反射器（46)包含輻射肋片（72〜74)。 87675-950317.doc 5-