TWI255668B - Electro-luminescence display device and driving method thereof - Google Patents

Description

1255668 九、發明說明： 【發明所屬技術領域】 本發明係論及一種電致發光顯示（ELD)裝置，更明確地說，其 係論及一種電致發光顯示裝置和其驅動方法，其可防止驅動薄膜 電晶體隨時間消逝而變為劣化，以及可維持其驅動薄膜電晶體之 可靠度。 【先前技術】 已有許多努力致力於研究及開發各種平板顯示裝置，諸如液 晶顯示器（LCD)裝置、場致發射顯示器⑽)裝置、電漿顯示面板 (DP)袭置和電致發光(此)顯示裝置，而作為陰極射線管（crt) 裝置之替代品。此等平板顯示裝置，係具有形薄、質輕、和尺寸 袖珍等有利特性。此外，電致發光(EL)顯示裝置，係具有另一項 優點，其在此係為-可使賴質材料來發射光波之自發光性類型 的顯示器。 一 EL顯示裝置通常係被分類為：一其中磷質材料含有無機材 料之無機EL裝置，和-其中填質材料包含有機化合物之有機此 裝置。通常，一有機EL裝置，係包括一佈置在一陰極與一陽極間 之電子注人層、電子載體層、光發射層、電洞載體層、和電洞注 入層。當有一預定電壓供應至其陽極與陰極之間時，其陰極所產 生之電子，將會經由其電子注入層和電子載體層，移動進入其光 發射層内，而其陽極所產生之電洞，將會經由其電洞注入層和電 1255668 洞載體層’㈣進人其級射層内。因此，其電子载體層和電洞 载體層所艇之電子和電洞，將會在其光發射層赫結合，藉以 發射光波。 -有機ELD通常係使用-包括沉積程序和封装程序之相當簡 單的程序來加以製造。鼠，—有機ELD储有低的製造成本。 此外’有機ELD可使用低DC電壓來運作，因而具有低的耗電量和 快速的響麟間。錢ELD亦具妓的視姊高影像。此外， 由於有機ELD係-積體裝置，有機ELIH系具有可防外來撞擊之高 耐磨性和寬的應用範圍。 一不具有交換元件之被動矩_ ELD，早已被廣泛使用。在此 被動矩陣型ELD中’掃描線係與信號線相交越，而界定出多個成 矩陣組態之像素，以及鱗掃财係依序加轉動，藉以激勵每 一像素1而，為達成-必需之平均亮度，其動S亮度 lum職e) ’係需要使高達其平均亮度乘崎數所得之亮度。 其中亦存在-種主動矩陣型ELD，其係包括—些作為每一像素 内之交換树的_電綠。其絲錄权輕，錢充電進 -儲存電容器Cst内，以使此電討供施加，直至有次_畫面信 號供應為止，因而可無關乎其_線之數目，而連射斷地驅動 此有機ELD直至-晝面之影像完成為止。因此，此種主動矩陣型 劃字可提供-均勻之發光光譜，即使是當所供應為一低電流時。 第圖係可例*依據其習知技術之主動矩陣型電致發光 1255668 顯示裝置的示意方塊圖。在第i圖中，一主動矩陣型虹顯示裝置 係包括·-具有-些安排在閘極線GL和資料線DL間之交點處的 像素28之EL面板20、-可驅動其閘極線GL之問極驅動器以、 矛可驅動其資料線DL之資料驅動器24。其閘極驅動器22，可 依序將-掃魏波，供應給其線GL，藉以鶴此等_線见。 此外，其資料驅動器24，可將-外在來源所輪入之數位資料信號， 轉換成-些類比資料信號，以及可於每當有掃描脈波供應時，將 此荨頌比資料4號’供應給其資料線况。每一像素28可於每當有 掃描脈波供應-對應之閘極線GL時，將此等類比資料信號所接收 來自其對應之資料線DL的資料信號，藉以產生一對應於此資料信 號之光波。 第2圖係一可例示第1圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 個像素之明細電路圖。誠如第2圖中所示，每一像素28係包括一 EL單元OEL，其係具有一連接至一供應電壓源VDD之陽極，和一 連接至一單το驅動器30之陰極。其單元驅動器3〇,亦使連接至其 對應之閘極線GL、其對應之資料線DL、和一接地電壓源GND，藉 以驅動該EL單元〇EL。 此外，其單元驅動器30係包括：一切換薄膜電晶體T1、一驅 動薄膜電晶體T2、和-儲存電容器Cst。其切換薄膜電晶體T1係 包括·一連接至其對應之閘極線GL的閘極端子、一連接至其對應 之資料線DL的源極端子、和一連接至一第一節點N1之汲極端子。 1255668 其驅動薄膜電晶體T2餘括：-連接至其第—節點N1之問極端 子。一連接至其接地電壓源GND之源極端子、和一連接至其乩單 元OEL之汲極端子。其儲存電容器Cst，係使連接在其接地電壓源 GND與第一節點N1之間。 此外，其切換薄膜電晶體T1，可於有_掃描脈波供應至其對 應之閘極線GL時被導通。當其切換薄膜電晶體n被導通時，其 可將要供應給其對狀資料線DL的資料錢，施加至其第_節點 N1。接著，此供應至第一節點N1之資料信號，係使充電進其儲存 弘谷态Cst内，以及使供應至其驅動薄膜電晶體T2之閘極端子。 其驅動薄膜電晶體Τ2，可響應該資料信號，來控制一來自一供應 電壓源VDD碰由EL單元0EL饋送之電流量t，藉以控制其乩 早元OEL之光發射量。 此外，其驅動薄膜電晶體T2,可於其切換薄膜電晶體打縱使 被切斷，藉由上述充電進其儲存電容器Gst内之資料信號，而使 保持為導通雜，以及仍可控制_來自其供應電麟而經由 EL單元0EL饋送之電流量I，直至有次一晝面之資料信號施加為 止。在此一情況中，其流經EL單元〇EL之電流量丨，係可表示成 下列之方程式： 1-~C〇x(Vg2^Vthf ... (1) ’’w”係表示其驅動薄膜電晶體T2之寬度，以及”L ”係表示其驅 動薄膜電晶體T2之長度。此外，”Gqx”係表示—在製造其驅動薄 1255668 膜電晶體T2時形成單-層之絕緣薄模所提供的電容器之值。而 且，W表示-輸人至其驅動軸電晶體τ2之祕端子的= 料信號之霞值，以及"Vth"絲示其驅料轉晶體η之臨^

電壓值。 V 在上述之方程式⑴中，"W"、"L，，、，w、和"㈣"，絲關 手時間之錢祕科變。細，魏動_電晶體η之臨界電 壓值nVth”，則會隨時間之消逝而劣化。 ，包 特言之’有-正⑴電壓，會連續不斷地供應至其驅動薄膜電 晶體T2之閘極端子。明確而言，上述連續不斷供應之正電壓，將 會使得其鷄薄膜電晶體T2之臨界電壓他，隨時間之消逝而增 加。此外，隨著其驅動薄膜電晶體T2之臨界龍他的增加，其 流經EL單元OEL之電流量將會降低，因而會降低_影像之光亮， 以及使一影像之品質劣化。 第3A和3B圖係一些可例示非晶石夕之原子排列的賴，以及 第4圖係-可例示第2圖中所顯示之像素的驅動薄膜電晶體之劣 化的曲線圖。其驅動薄膜電晶體T2 (顯示於第2圖中），係由氯化 物非晶矽製成。氫化物非晶矽在大尺寸中係很容易製成，以及可 在一小於350°C之低溫下，使沉積在一基體上面。因此，大多數之 薄膜電晶體，一直是使用氫化物非晶石夕製成。 然而，誠如第3A圖所示，氫化物非晶矽係具有一不規則之原 子排列，其係具有一弱/懸浮Si-Si化學鍵32。誠如第3B圖中所 1255668 =’隨著時間之消逝’ Sl將會自弱化學鍵斷開，以及電子或電洞 曰在原子離開之處再結合。由於—能階會因氫化物非晶碎之原子 排列中的變動而改變’其驅動薄膜電晶體T2之臨界電壓vth，會 一圖中所示’ (I通著時間之消逝，而逐漸地增力口成他，、他，，、 和 Vth’，，。 合因此，依據其習知技術之電致發光顯示展置的影像光亮，將 間之/肖逝而劣化，因為其驅動薄膜電晶體Μ之臨界電壓 Vth ’將會隨著時間之消逝，而增加至Vth，、v也，，、和_，，，。 此外，由於上述EL面板20之部份亮度降低，將會產生一殘留影 像，因而會使一影像品質嚴重劣化。 【發明内容】 匕本么明係針對一種電致發光顯示農置和其驅動方法， 其可大幅排除習知技術之限制和缺點所致的_個或多個問題。 本發明之—目的，旨在提供-魏歸絲示裝置和其驅動 法”適月b避免每-像素有關之驅動薄膜電晶體的臨界電壓之 上昇，因而可提昇-畫面之品質。 本發明之額外特徵和優點，係閣明於下文之說明中，以及部 刀可由’、之况明而臻明確’或者可自本發明之實務而習得。本發 明之目的和其他優點，將可藉由此書面制及射料利範圍加 上所附諸财雌難出之結構，來純實現及完成。 1255668 為凡成此等和其他目的，以及依據本發明所具現及廣意說明 之目的’-種電致發光顯錢置，係包括—具有多個在—些由資 料線與閘極_之交點所界定的像素區域處之像素的電致發光面 板每像素係包括.一在連接上可接收一供應電壓之電致發光 單元、-可控制流經此電致發光單元之電流量的驅動薄膜電晶 體和連接至此驅動薄膜電晶體之閉極端子的偏麼開關，此偏 壓開關可選擇供應-逆向籠給其驅動_電晶體。 在另特徵中，-種電致發光顯示裝置，係包括一具有多個 在-些由資料線與·線間之交點所界定的像素區域處之像素的 電致發光面板，其閘極線係可接收一掃描脈波和一切斷信號中的 一個；和—就每—像素而設置之電致發光單元、驅動薄膜電晶體、 和偏賴關，就其連接至第η條之驗線（GLn，n為—整數）的 像素而言’其對應之電致縣單元在連接上，可接收—供應電麼， 其對應之驅動薄模電晶體，可控制流經其電致發光單元之電流 量’其對應之偏壓開關，可將上述之切斷信號，選擇供應給其對 應之驅動薄膜電晶體。 在又-特射’-種可驅動—就每—以矩陣狀方式排列之像 素而設置有-驅動薄膜電晶體的電致發光顯示裝置之方法係包 括：依序供應-掃描脈波給其閘極線；就其連接至第η條之問極 線（GLn ’ η為-整數）的像素’在上述之掃描脈波供應至此第η 條的閘極線(GLn)時，供應-資料信號，給其驅動薄膜電晶體之開 11 !255668 極端子；基於此資料信號’控制其自—供應電麵經由其連接至 第η條之閘極線(GLn)的像素有關之電致發光單元而流至其一參考 電壓源的電流；以及選擇供應一逆向電壓，給其連接至第η條之 閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 在另一特徵中，一種可驅動一具有第—閑極線、第二閉極線、 —些資料線…些在由第-驗線與資料線間之交點所界定的像 素區域處之像素（每-像素係包括—電致發光單元和_驅動薄膜 電晶體> 的電致發光顯示裝置之方法係包括：依序供應—掃描脈 φ 波給其第-閘極線；依序供應一導通脈波給其第二問極線；就其 連接至第η條之第-閘極線（GLln，n為一整數）的像素，在上述 之掃描脈波供應至此第n條之第— __Un)時，供應—㈣ · 信號’給其驅動薄膜電晶體之閘極端子；基於蹄料信號，控制 ‘ 其自-供應電壓源經由其電致發光單“流至其_參考電壓源之 電流；以及在上述之導通脈波供應至其第_之第二閘極線(㈣) 時，供應-逆向電壓給其第n條之第_閘極雜Un)的驅動_ # 電晶體之閘極端子。 在又一特财，—射鶴—鱗—崎陣狀方式排列之像 素而設置有-驅動薄膜電晶體的電致發光顯示裝置之方法係包 括：供應-掃碰波和-切斷信號巾的—個給其閘極線；就—連 接至第η條之問極線（GLn，n為_整數）的像素，在上述之雜 脈波供應至此第η條的閘極線(GLn)時，供應一資料信號給其驅動 12 1255668 薄膜電晶體之閘極端子；基於此聽錢，㈣其自—供應電壓 源經由其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素有關之電致發光單元 而流至其-參考電壓_電流；以及選擇供應上述之切斷信號， 給其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素有關之駆動賊電晶體的 閘極端子。 理應瞭解的是，本發明前述之一般性說明和下文之詳細說 明，係屬範雛和轉性，以聽意在提供其社張本發明之進 一步解釋。 此等被納入用以提供本發明之進一步瞭解及被合併而構成此 申請案之一部分的附圖，係例示本發明之實施例，以及連同其之 說明，係用以解釋本發明之原理。 【實施方式】 兹將詳細說明本發明之較佳實施例，彼等之範例係例示在所 附諸圖中。 第5圖係一可例示一依據本發明之實施例的電致發光顯示裝 置之示意方塊圖。在第5圖中，其一電致發光(EL)顯示裝置係包 括：一具有多個彼此交越之閘極線GL和資料線DL的EL面板120、 —可驅動此閘極線GL之閘極驅動器122、一可驅動其資料線 之資料驅動器124、和至少一可供應一供應電壓VDD、一逆向電壓 Vl、一第一參考電壓VSS1、和一第二參考電壓VSS2給其EL面板 13 1255668 120之來源（未示出）。其EL面板12〇亦包括：多個排列在其資料 線與閘極線GL和DL間之交點所界定的像素區域處之像素128，和 多個可由一對應之閘極線GL加以控制的偏壓開關邠。其像素 之數目，可使與其偏壓開關SW之數目相同。舉例而言，其偏壓開 關SW，可受到其第（㈣條之閘極線GLn—i (n為一整數）的控制， 藉以供應上述之逆向電壓VI，給其連接至第n條之問極線-的 像素128。 此外，其閘極驅動器122，可將-些掃描脈波供應給其閘極線 GL ’藉以依序驅動此等閘極、線GL。其資料驅動$敗，可將一外 在來源所輸人之數位資料化號轉換成—些類比資料信號，以及可 於每當有掃描脈波供糾，將此_比龍錢供應給其資料線 DL。舉例而言，一·(高電位)—狀態之掃描脈波，可使依序供應 給其閘極線GL，以使出自其資料線DL之資料信號，供應給其連接 至上述接收到HIGH-狀態之掃描脈波的閘極線GL之像素128。結 果’此等像素128將會產生一對應於該資料信號之光波。 此外，其偏蜃開關sw，可於其第（η—υ條之閘極線GLrW供應 上述職-狀態崎魏波時被導通，藉讀應上述之逆向電廢 Vi給其連接至第n條之閘極線GLn的像素⑽。雖未顯示出，與 其女排其偏_關sw使較其供應逆向糕Vi之像素128高出一 條水平線’其偏麼開關sw之位置，可考慮一程序情況而做各種不 同之建設。舉例而言，其偏愿開關SW，可安排使與其供應逆向電 14 1255668 壓VI之像素.128在同—條水平線處。 弟6圖係一可例示第5圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 =素之明細_。誠如_中所示，每-像素128係包括： 八在連接上可接收一供應電壓VDD之陽極的el單元OEL、 、接至此EI^tcoeL之陰極的單元驅動器13()、一對應之閘極 線L對應之貧料、線DL、第-參考電壓vss卜和第二參考電壓 VSS2。 /、單τοϋ動gg 13〇係包括：_切換薄膜電晶體T1 一驅動薄 _ 膜電b曰體T2、和-儲存電容器Cst。其儲存電容器μ，係使連接 至一可供應第二參考電壓VSS2之來源，以及至一第一節點Ni。此 第即點N1，係在其切換薄膜電晶體T1與驅動薄膜電晶體T2之 ” 1特。之，其切換薄膜電晶體Η係包括：一連接至其對應之閘 · 極線GL _極端子、—連接至其對應之資料線况的雜端子、 和-連接至其第-節點N1之汲極端子。其驅動薄膜電晶體T2係 g括 連接至其苐一卽點N1之閘極端子、一連接至一可供應第 一參考電壓vssi之來源的源極端子、和一連接至其EL單元〇EL 之汲極端子。 其第一和第二參考電壓VSS1和VSS2之電壓值，係設定使低 於其供應電壓VDD之電壓值。舉例而言，其第一和第二參考電壓 VSS1和VSS2之電壓值，可被設定至一大約低於一接地電壓GND _ 之電壓值，而使一電流I能流過其驅動薄膜電晶體T2，以及其供 15 1255668 應電壓VDD之電龜，可使具有一正極性。其第一和第二參考電 壓VSS1和VSS2之電壓值，通常可設定使彼此相等。舉例而言， 其第-和第二參考電壓VSS1和VSS2，可使等於其接地電壓咖。 然而’其第-和第二參考電壓卿和yss2之電壓值，可因各種 因素，例如，其EL面板120之解析度和其EL面板12〇之程序情 況，而使彼此不同。 此外，其切換薄膜電晶體T卜係於上述__狀態之掃描脈 波供應至其對應之祕線GL時被導通，因而可將要供應至其對應 之貢料線DL的資料信號，供應至其第—節點N1。此供應至第—節 點N1之赠信號’將會充電進其儲存電容器⑸内以及使供應 至其駆動舰電⑽T2之_端子。此外，魏動舰電晶體η 可響應供應給其之龍魏，㈣—自其供應電壓卿之來源流 經其EL單元OELffij進入第-參考電壓VSS1内之電流量】。結果， 其EL單元〇EL將會產生一對應於此電流量！之光波。此外，其驅 動薄膜電Μ T2可於其切_職晶體T1縱使被靖，藉由上 述充電進其儲存f容H Gst内之資料㈣，而使簡轉通狀態。

此外’其偏壓開關sw係具有：_連接至其第條之問極 線GLn-Ι的閘極端子、一在連接上可接收上述逆向電㈣之源極 端子、和—連接至次-級之單元驅動器132的第一節點m之沒極 端子。此偏璧開關SW ’係於有-臓-狀態之掃描脈波供應至其 第（n-1)條的閘極、線GLH時被導通，因而可將上述之逆向電壓W 16 1255668 供應至其與第n條之閘極線-城接的次-級之單—動器132 的第-節點m。上述逆向電壓VI之值，可被設定使低於上述第一 參考電壓VSS1之值。

因此，當上述之逆向電壓VI供應至其第一節點N1，以及至其 -人級之早7G驅動器132的驅動薄膜電晶體T2之問極端子時，其 驅動薄膜電晶體Τ2之源極端子處的電壓，亦即，上述之第一參考 e、SS1係、同於其驅動薄膜電晶體Τ2之閘極端子處的電壓。結 果，當上述之逆向電壓VI供應至其第-節點Ν1時，會有-逆向 偏壓電壓供應至其，動賊電晶體T2，因而可使其驅麟膜電晶 體Τ2之臨界電壓Vth，避免隨時間之消逝而增加。結果，由於在 有HIGH-狀怨之掃描脈波供應至其第⑹）條之問極線 時，會有-逆向偏壓電壓供應至其連接至第n條之閘極線αη的 像素之驅動薄膜電晶HT2，其驅動薄膜電晶體T2，將可避免劣化，

乂及其驅動薄膜電晶體Τ2之臨界電壓她，甚至可隨著時間之消 逝而維持固定。 弟Q係叮例示些供應至弟5圖中所顯示之電致發光顯 不裝置的閘極線之掃描脈波的曲線圖。誠如第7圖所示，一 high— 狀態之掃描脈波，可自其閘極驅動器i22 (顯示在第5目中），依 序供應至其閘極線GLn—2、GLn—卜GLn、和G_。藉以依序驅動 其閘極線GLn-2、GLn-1、GLn、和GLn+Ι。此HIGH-狀態之掃描脈 波，係具有一大約20V之電壓位準，而一 LOW(低電位)-狀態之掃 17 1255668 描脈波，可能具有一大約-5V之電壓位準。 苓照第6和7圖，當上述_—狀態之掃描脈波，供應至其第 (η υ條之時，其連接至第（n—u條之閘極線_ 醇元鶴器13G之__電晶體T1，將會被導通。當此切換 錢兒晶體T1被導通時，_供應至其資料線见之資料信號，將 曰供應至其早兀驅動器⑽之第―節點。接著，其單元驅動器 之驅動_電晶體T2，將會因其供應至第—節點之資料信 」被‘通藉以將其對應於一可供應上述供應電壓·之來源 所出的資料信號之電流1，供應至其第一參考電壓VSS卜以及因 而產生一對應於其EL單元胍所出之電流I的光波。 匕卜’、連接至第η條之閘極線GLn的次_級之單元驅動器 132的偏壓_ SW，將會因上述供應至第㈣條之閘極線_ 的HIGH狀悲、之掃描脈波而被導通。當其偏壓關被導通時， 上述之逆向電壓VI，接著便會供應至其連接至第n條之閘極線αη 的次-級之單元驅動器132的第一節點Νι。此外，由於上述逆向 電壓VI之電壓值，係低於其第一參考電壓观之電壓值，會有 政向偏壓電壓供應至其次一級之單元驅動器132的驅動薄膜電 晶體T2之祕端子和祕端子。當此逆向偏壓賴供應至其次一 級的單兀驅動器132的驅動薄膜電晶體T2時，其驅動薄膜電晶體 Τ2之臨界電[Vth，將會保持固定，而不會隨時間之消逝而上昇。 第8圖係-可例不一依據本發明之另一實施例的電致發光顯 18 χ255668 不裝置之示意方塊圖。在第8圖中，—電致發光⑽顯示裝置， 純括-EL面板140，其係具有：多個之第_閘極線阳、多個 之第二問極線GL2、和多個之資料線DLe其閘極線GU和α2，係 ^與其資料、線DL相交越。其第-閘極線GU之數目，可能係與其 第-閘極線GL2之數目相同，以致每-第二閘極GL2，係與—對應 之第一閘極線GL1配成對。 此外，其EL顯示裝置亦包括··-可驅動其第一閘極線gli之 第—閘極驅動器142;-可驅動其第二閘極線GL2之第二問極驅動 器143 ; —可驅動其資料線DL之資料驅動器144 ;和至少—可供 應—供應電壓VDD、-逆向電壓VI、—第—參考電壓卿、和— 第二參考電壓VSS2給其EL面板14G之來源（辆出）。其既亦 面板140亦包括·多個排列在其閘極線见丨和见2與資料線dl間 之父點所界疋的像素區域處之像素148，和多個可由一對靡之第一 閘極線GL2加以控制的偏壓開關SW，受到其第（η—υ條之閘極線 GLn-Ι (η為一整數）的控制，藉以供應上述之逆向電壓VI給其像 素148。其像素148之數目，可使與其偏壓開關sw之數目相同。 此外，其第一閘極驅動器142，可供應一些掃描脈波給其第一 閘極線GL1 ’藉以依序驅動其第一閘極線GL1。其第二閘極驅動器 143 ’可供應一些導通脈波給其第二閘極線GL2，藉以依序逐列導 通其偏壓開關SW。其資料驅動器144，可將一外在來源所輸入之 數位資料信號，轉換成一些類比資料信號，以及可於每當有掃描 19 1255668 波供應時’將此等類比資料信號供應給其資料線见。 牛例而D HIGH狀,¾'之掃描脈波，可使依序供應給其第一 服線GL1 ’以及其第二閘極驅動器143，可緊接上述刪_狀態 之掃描脈波供應至其第n條之第—雜線.前，將-導通脈波 觸至其第η條之第二難線GL2n，結果，其連接至此第η條之 第二閘極線GL2n的偏壓開關sw將會被導通，藉以供應上述之逆 向電壓vi給其連接至上述第續之第一閘極線GUn的像素⑽。 接著’當上述腿^狀態之掃描脈波供應至其第η條之第-閉極線 GLn時’其來自資料線DL之資料信號，將會供應至其連接至第^ 條之第-問極線GLln的像素148，藉以產生—對應於此等資料信 號之光波。 第9圖係一可例示第8圖中所顯示之電致發光顯示裝置的— 個像素之明細電路圖。誠如第9财所示，每—像素148係包括： 一具有-在連接上可接收_供應電慶_之陽極的虹單元胍、 -連接至此EL單元OEL之陰極的單元驅動器15()、—對應之第一 問極線GU、-對應之資料線况、第一參考電壓_、和第二參 考電壓VSS2。 其單兀驅動為150係包括：-切換薄膜電晶體T1、_驅動薄 膜電晶體T2、和-儲存電容器Cst。其儲存電容器Cst，係使連接 至-可供應第二參考電壓VSS2之來源，以及至一第一節點犯。特 5之，其切換薄膜電晶體T1係包括：一連接至其對應之第一問極 20 !255668 線GU閘極端子、一連接至其對應之資料線DL的源極端子、和一 連接至其第一節點N1之汲極端子。其驅動薄膜電晶體T2係包括： -連接至其第一節點町之閘極端子、一連接至一可供應第一參考 甩壓VSS1之來源的源極端子、和一連接至其EL單元〇EL之汲極 端子。 - 其第一和第二苓考電壓VSS1和VSS2之電壓值，係設定使低 於其供應電壓VDD之電壓值。舉例而言，其第—和第二參考電壓 VSS1和VSS2之電壓值，可被設定至一大約低於一接地電壓⑶D φ 之電壓值，而使一電流I能流過其驅動薄膜電晶體π，以及其供 應電壓VDD之電壓值，可使具有一正極性。其第一和第二參考電 壓VSS1和VSS2之電壓值，通常可設定使彼此相等。舉例而言， * 其第一和第一參考電壓VSS1和VSS2，可使等於其接地電壓gnd。 一 然而，其第一和第二參考電壓VSS1 #口 VSS2之電壓值，可因各種 因素，例如，其EL面板140之解析度和其EL面板14〇之程序情 況，而使彼此不同。 φ 此外，其切換薄膜電晶體T卜係於上述_—狀態之掃描脈 波供應至其對應之第-閘極線GL1時被導通，因而可將要供應至 其對應之資料線DL的資料信號，供應至其第一節點N1。此供應至 第-節點N1之資料j吕號’將會充電進其儲存電容器cst内，以及 使供應至其驅動薄膜電晶體T2之閘極端子。此外，其驅動薄膜電 晶體T2可響應供應給其之資料信號，來控制_自其供應電壓 21 1255668

之來源流經其EL 内之電流量 單元0EL而進入第一參考電壓vssi 、。果，、EL單凡0EL，將會產生一對應於此電流量I之光波。 此外其·!£動_電晶體T2，可於其切換_電晶抑縱使被切 斷藉由上述充包進其儲存電容器W内之資料信號，而使保持 為導通狀態。 此外，其健_ SW顧有：_連脑其對應之第二閘極線 GL2的閘極端子、一在連#' 在連接上可接收上述逆向· νί之源極端 子、和其第-節點N1之祕端子。此偏壓開關sw，係於有一導通 脈波供應至其第η條之第二閘極線_時被導通，因而可將上述 之逆向电壓VI ’供應至其與第n條之第_閘極線制相連接的次 -級之單元驅動器15〇的第—節點N1。上述逆向電龍之值，可 被没疋使低於上述第一參考電壓％幻之值。 /此’當上述之逆向電壓VI，供應至其第-節點m，以及至 其單元驅動器150之驅動_電晶體T2的閘極端子時，其驅動薄 膜電晶體Τ2之祕端子處的電壓，亦即，上述之第—參考電壓 VSS1，係高於其驅_膜電晶則2之閘極端子處的電壓。結果ι 當上述之勒賴VI，供應域第—節_時，會有—逆向偏壓 電壓供應至其驅動細電晶則2，因而可使其驅動薄縣晶體乃 之臨界電壓Vth，避免隨時間之消逝而增加。結果，由於在有— HIGH-狀態之導通脈波供應至其第η條之第二閘極線似時，合有 -逆向偏壓電壓健至其連接至^條之第—閘極細⑽料 22 1255668 148之驅動薄膜電晶體Τ2，其,動薄膜電晶體T2，將可避免劣化， 以及其驅動薄膜電晶體Τ2之臨界電壓Vth，甚至可隨著時間之消 逝而維持固定。 第10圖係-可例示-些供應至第8圖中所顯示之電致發光顯 示裝置的第-和第二_、線之掃描脈波和導通脈波的曲線圖，以 及第11圖係-可例示-逆向偏壓之施加時間的曲線圖。誠如第1〇 圖中所示，-HIGH-狀態之掃描脈波，可使自其第一問極驅動器 142 (顯示在第8 ®中），依序供應至其第一閘極線GUn—2、 GLln-1、和GLln，藉以依序驅動其第一問極線、GUn一卜 和GLln。上述HIGH-狀態之掃描脈波，可具有一大約2〇v之電壓 位準，而-LOW-狀態之掃描脈波，可具有一大約一5V之電壓位準。 此外，上述供應至第n條之第一和第二閘極線GLln和GL2n 的HIGH-狀態之掃描脈波和導通脈波，彼此係不相重疊，以使其 EL單το 0EL產生-穩定之影像。特言之，其像素148 (顯示在第8 圖中）’將會開始顯示-對應於上述_—狀態之掃描脈波供應時 所供應的貢料信號的影像，以及可維持此影像，直至有次一資料 ^说供應為止。因此，若有—導通脈波恰在已供應上述HIGH-狀態 切描脈波應，_對應於上㈣料錢之影像_示時間將 曰縮fe。因此’本發明之_實施例，可於上述酬—狀態之掃描脈 ^仍供應給其第㈣）條之第一問極線GUW時，將-導通脈波， 〜至八第η條之第二閘極線α2η，以使其畫面顯示時間之縮短 23 1255668 減為最小。

此外’其導通脈波之脈波寬度P2，可使大於上述__狀態 之掃描脈波的脈波寬度P1。特言之’此導通脈波，可恰在將上述 HIGH-狀態之掃描脈波，供應給其第η條之第_閘極線弘“前， 使供應至其第n條之第^極線㈣，以及可使與上述供應至其 第（n-1)條之第一閘極線乩匕-丨相重疊，以便形成一穩定之影像。 由於此導通脈波，係恰在將上述圈_狀‘態之掃描脈波，供應給其 第η條之第-閘極線GLln前，使供應至其第n條之第二閉極線 GL2n ’ 一影像係可使顯示一段充份之時間。因此，誠如第^圖中 所示’上述之逆向碰電壓，將會供應給其驅動薄膜電晶體丁2， 使長達-段綠之時間，以及婦之第二閘極線，__2、 GL2n卜和GL2n所產生之逆向偏壓施加，將可使彼此重疊。

參照第9和10圖，當上述_—狀態之掃描脈波，供應至其 第η條之第-閘極線GLln時，其連接至第n條之第一閉極線仙 的早7L驅魅150之切換T1將會被導通。當其切換薄 膜電晶體T1被導通時’-供應至其資料線DL之資料信號，係使 供應至其單元驅動器⑽之第—節點N1。接著，其驅動細胞驅動 器150之驅動薄膜電晶體T2，將會因上述供應至其第-節點Ni 之資料信號而被導通’藉簡上述對應於—供應其供應電壓_ 之來源所出的資料信號之電流I，供應至其第-參考電壓卿， 以及因而產生-對應於其EL單元舰所出之電流！的光波。 24 1255668

此外，上述之導通脈波，係供應至其第n條之第二間極線 GL2n，而使不與其供應至第n條之第一閘極線咖的職—狀態 之掃描脈波同步或相重疊。舉例而言，上述之導通脈波，可緊接 在上述HIGH-狀態之掃描脈波供應至其第n條之第_問極線_ 前供應給其第η條之第二閘極線GL2n。#上述之導通脈波供應至 其第η條之第二閘極線_時，上述連接至其第η條之第一問極 線GLln的單元驅動器150之偏壓開關sw將會被導通。當此偏壓 開關SW被導通時，上述之逆向電壓VI，便會供應至其連接至第〇 條之第一閘極線GLln的單元驅動器150之第一節點m。 此外，由於上述逆向電塵VI之電壓值，係低於其第一參考電 壓VSS1之電壓值，會有一逆向偏壓電墨供應至其次—級之單元驅 動器150的驅動薄膜電晶體T2之源極端子和閘極端子。當此逆向 偏麼Μ供應至其單元驅動器15〇之驅動薄膜電晶體了2時，其驅 動薄膜電晶體Τ2之臨界· Vth，將會保持固定，而不會隨時間

之消逝而上昇。 因此，當上述之導通脈波供應至其第n條之第二祕線略 時’會有-逆向偏塵電塵-Vgs供應至上述連接至其第瞻之第一 閘極線GLln的單元驅動器15〇之驅動薄膜電晶體τ2，因而可使其 驅動薄膜電晶㈣之臨界綠vth，避免隨時間之消逝而增力”、 因此’其EL面板140儘管隨時間之消逝，將會以—希望之亮度來 顯示影像。 25 1255668 弟12圖係-可例示一依據本發明之$ 一實施例的電致發光顯 不裝置之-像素的明細電路圖。在第12圖中，其_虹顯示裝置， 係包括多個排物-·細Η和GUn與資料魏間之交 點處所界定的像麵域叙像素159。賴鶴林兩縣一閉極

線GUn—1和GUn、—條資料線见、和兩個像素159，其EL顯示 衣置’可⑨包括更多的第_閘極線、資料線、和像素，以使其像 素159排列成-矩陣狀之方式。此外，其el顯示裝置亦包括多個 ”對應之第-閘極線咖]和⑽配成對的第二閉極線 GL2n-l和GL2n。每一像素159係包括：一乩單元胍、一單元驅 動器、和_開關sw。其EL單元胍係包括：_在連接上可 接收供應電壓VDD之陽極，和—連接至其卩元驅動器⑽之陰 0 其單凡驅動s 16〇係包括：_切鋪膜電晶㈣、—驅動薄 膜電晶體T2、和—儲存電容紅St。其儲存電容器Cst，係使連接 至一可供應第二參考龍赠之來源，以及至一第—節點m。特 言之，其切換薄膜電晶體T1係包括：一連接至其對應之第一問極 線GUn-丨和GLln的閘極端子、一連接至其對應之資料線况的源 殛端子、和-連接轉H點N1之祕舒 趙⑽括一連接至其第—一極端子、一 可供應第-參考電壓VSS1之來源的源極端子、和_連接至其EL 單元OEL之汲極端子。 26 I255668 此外’上述可供應—逆向霞給其連接至第n條之第一間極 線GLln的單元驅動器16〇之偏壓開關洳係具有：_連接至其第 (化1)條之第一閘極線GLln-Ι的源極端子、一連接至其連接至第^ 條之弟-閘極線㈣的單元驅動器16〇之第一節點奶的汲極端 矛連接至其第n條之第二閘極線GL2n的間極端子。結果， 其偏壓_ SWii*會接收到來自—額外之外在來源的逆向電塵。

上述可供應—逆向電壓給其連接至第η條之第-閘極線GLln 的單元驅動H⑽之職_ SW，係於有—導通脈波供應至其第 η條之第二線GL2n 被^t。當該導通脈波供應至其第〇條 之第二閘極線GL2n時’會有一要供應至其第(rH)條之第一問極 線见㈣的切斷電壓，供應至其連 的單元驅動器⑽之第-節點N1。特言之，其第_和第二參考電 壓VSS1和VSS2之電壓值’係設定使高於此切斷電壓之電壓值。 因此，當此切斷電壓供應至其第—節點N1時，其驅動薄膜電晶體 T2之源極端子處的電壓’亦即，上述之第_參考電壓哪，係高

電壓，亦即，上述之切斷 於其驅動薄膜電um極端子處的 電壓。 第13圖係-可例示-些供應至第12圖中所顯示之電致; 顯示裝置㈣-和第二_線之掃魏波科通脈波的曲線 誠如第13圖中所示，有―_-狀態之掃描脈波，係自一第 極驅動器（未示出）’依序供應至其第—閘極線咖小⑽ 27 1255668 GUn 1、和GUn，藉以逐趣動其像素159 (顯示在第12圖中）。 上述HIGHi態之掃描脈波，可能具有_大續之電壓值，而上 述之切斷電壓，可能具有H5V之負電壓值。 上述HIGH-狀悲之掃描脈波，可於上述之導通脈波自一 第二問極驅動器（未示出）供應至第二_、WL2rW和GL2n時， 使供應至其第_ __n—3、Gun—2、Gun小和⑴η。然而， 上述供應至其第η條之第二閘極線⑽的導通脈波，並不會與上 述供應至其第㈣條和第n條之第一閘極線和㈣的 狀態之掃描脈波相重疊，藉以形成—穩定之影像。特言之， 述之V通脈波’係恰在將上述则-狀態之掃描脈波，供應給其 第（η 1)條之第-閘極線GUn—丨前，使供應至其第n條之第二問 °、、、！GL2n以及係與上述供應至其第（η—2)條之第一問極線⑴γ2 的HIGH-狀態之掃描脈波相重疊。 此外，其導通脈波之脈波寬度p2，可使大於上述狀態 之掃描脈波的脈波寬度P卜射之，此導通脈波，可恰在將上述 high-狀態之掃描脈波，供應給其第（η—υ條之第一問極線见㈤ 刚’使供應至其第η條之第二閘極線GL2n。因此，上述之逆向偏 壓電壓將會供應給其驅動薄膜電晶體T2，使長達一段充份之時 間。因此，由於上述之導通脈波，係於上述HIGH-狀態之掃描脈波 供應給其第（n-2)條之第-閘極線GLln_2時，供應給其第n條之 第二閘極線GL2n，一影像係可使顯示一段充份之時間。 28 !255668 此外，有一逆向偏壓電壓供應至其驅動薄膜電晶體打時，因 而可使其驅動薄膜電晶體T2之臨界電璧她，避免隨時間之消逝 而上昇。當上述之逆向偏屋龍，於有一導通電虔供應至其第η 條之第二閉極線GL2n時’因上述供應至其第（印條之第—間極 線GUn-Ι ’而供應至其連接至第n條之第一閘極線GUn的單元驅 動益160之鶴雜電晶體T2時，其鶴_電晶體u之臨界 電星Vth ’將會保定，而不會隨時間之消躺上昇。 ，

參照第12和13圖，當上述HIGH—狀態之掃描脈波，供應至其 第(n-1)條之第-間極線時，其連接至第⑹）條之第一閘 極線GUn-i的單元驅動器⑽之切換薄膜電晶體n將會被祕 當其切換薄膜電晶體T1被導通時，一供應至其資料線dl之資料 信號，係使供應至其單元驅動器⑽之第—節點m。接著，其單 元驅動器⑽之驅動薄膜電晶體T2，將會被此供應至其第一節點 m之資料信號導通，藉骑_對應於_供應其供應雜之來 源所出的資料信號之電流ί，供應至其第一參考輕卿，以及 因而產生-對應於其EL單元亂所出之電流^光波。 此外’上述之導通脈波，係供應至其第η條之第二閉極線 GL2n，而使其不會與上述供應至其第W)條之第_閘極線 和第η條之第-職線㈣的_—狀態之掃描脈波相重疊。當 上述之導通脈波供應至其第n條之”極線_時，上述連接 至其第㈣條之第—開極咖―1和第η條之第-線GLln 29 1255668 當此偏壓開關SW被導通時，

線GLln的單兀驅動為16〇之驅動薄膜電晶體τ2的源極端子和問 極端子，藉以使其驅動薄職晶體T2之臨界電壓_，避免隨時 間之消逝而增加。因此，此依據本發明之一實施_ EL顯示裝置， 之偏_關sw將會被導通。 至其第(n〜l)條之第_閘極線 壓開關SW，而徂座$甘、圭^_ 縱使是時間消逝，將會以—希望之亮絲顯示影像 第14圖係一可例示一依據本發明之又一實施例的電致發光顯 示裝置之一像素的明細電路圖。在第14圖中，其一 EL顯示裝置， 係包括多個排列在一些由其閘極線GLn-丨、GLn、和GLn+1與資料 線DL間之交點處所界定的像素區域中之像素164。雖然僅顯示三 條閘極線GLn-l、GLn、和GLn+Ι、一條資料線Dl、和三個像素164， 其EL顯示裝置，係可能包括更多之閘極線、資料線、和像素，而 使此等像素164排列成一矩陣狀之方式。此外，每一像素164係 30 1255668 匕括· EL單元0EL、一單元驅動器162、和一偏壓開關sw。其 EL單元〇EL係包括：一在連接上可接收一供應電壓VDD之陽極， 和一連接至其單元驅動器162之陰極。 其單兀驅動益162係包括··一切換薄膜電晶體以、一驅動薄 膜電晶體T2、和-儲存電容器Cst。其儲存電容器Cst，係使連接 至-可供應其第二茶考電壓概2之來源，以及至其第_節點犯。 特言之，其切換薄膜電晶體T1係包括··一連接至一對應之問極線 GLn卜GLn、和GLn+Ι的閘極端子、一連接至其對應之資料線况 的源極端子、和-連接至其第一節點N1之汲極端子。其驅動薄膜 電晶體T2得、包括··一連接至其第一節點N1之閘極端子、_連接 至-可供應其第-參考電壓VSS1之來源的源極端子、和_連接至 其EL單元OEL之汲極端子。 此外，其可供應一逆向電塵給其連接至第⑽）條之問極線 GLn+1的單元驅動器162之偏壓開關sw係具有：一連接至其第（㈣ 條之閘極線GLn-1的閘極端子、一連接至其第n條之問極線— 的源極端子、和一連接至其連接至第（㈣條之閘極線GLn+1的單 、_ ’動” 162之第-節點N1的汲極端子。結果，其偏壓開關， 並不會接收到來自-額外之外在來源的逆向電壓。 此外’ -些掃描脈波可如第7圖中所示，使依序供應至其閘 極線GLrW、GLn、和GLn+i。特言之，當上述勵―狀態之掃描脈 波，供應至其第(η—υ條之間極線時，其連接至第(n—i)條 31 1255668 之閘極線GLn-i的單元驅動器162之切換薄膜電晶體Ή將會被導 通1其切換薄膜電晶體T1被導通時，有—供應至其·線见 之貧料信號，將會供應至其單元驅動器162之第—節賴。接著， 其單元驅動器162之驅動薄膜電晶體T2，將會被其供應至第一節 點m之資料錢導通，藉以將一對應於一供應其供應電壓丽之 來源所出的資料信號之電流！，供應至其第一參考電壓vssi，以 及因而產生-對應於其EL單元胍所出之電流丨的光波。

此外，其可供應—逆向電I給其連接至第（η+l)條之閘極線 GLn+1的單元驅動器162之偏壓開關泖，係於l狀態之掃 描脈波供應至第㈣條之閘極線αη-1時被導通。當其偏壓開關 SW被導通時，有一供應至其第η條之閘極線.的切斷電壓，將 I供應至其連接至第_條之·線GLn+1的單元鷄謂之 弟-節點N1。特言之，其切斷輕係具有—負賴（例如，_5V)， 以及其第-和第二參考链VSS1和搬之電驗，係設定使高 於其切斷賴之電驗。因此，t此靖電驗應至其第一節點 N1時’會有—逆向偏壓链，供應至其驅動_電晶體T2，藉以 I、轉薄膜電曰曰體T2之臨界電麼他，避免隨時間之消逝而增 加。亦即’上述之逆向_霞，係於上述麵—狀態之婦描脈波 供應至第(η 1)條之閉極線υ時’藉由上述供應至第η條之閘 極線GLn的切斷電屢，而供應至其連接至第⑽）條之間極線 GLn+Ι的早兀顧動器162之驅動薄膜電晶體κ，藉以使其驅動薄 32 1255668 膜電晶體T2之臨界電壓vth，保持為常數。 弟15圖係-可例示_依據本發明之另一實施例的電致發光顯 不裝置之-像素的明細電路圖。在第15圖中，其—此顯示裝置， 係包括多個排列在一些由其問極線i㈤、和见纽與資料 線DL間之父點處所界定的像素區域中之像素⑽。雖然僅顯示三 ί卞閘極線GLn 1、GLn、和GLrm、-條資料線DL、和三個像素168， 其EL顯示裝置，係可能包括更多之_線、資料線、和像素，而 使此等像素168排列成一矩陣狀之方式。此外，每一像素168係 包括·- EL單元〇EL、-單元驅動器、和一偏壓開關sw。其 EL早兀OEL係包括：一在連接±可接收一供應電壓讎之陽極， 和一連接至其單元驅動器166之陰極。 其單兀驅動器166係包括：-切換薄膜電晶體ή、一驅動薄 膜電晶體Τ2、和-儲存電容器以。其儲存電容紅对，係使連接 至-可供應其第二參考輕VSS2之來源，以及至其第_節點犯。 特言之，其切換薄膜電晶體T1係包括：—連接至—對應之開極線 GLn-卜GLn、和GLn+1的閘極端子、一連接至其對應之資料線见 的源極端子、和_連接至其第—節賴之絲端子。其驅動薄膜 電晶體T2係包括··-連接至其第一節點N1之閑極端子、一連接 至-可供應其第-參考 VSS1之來源的源極端子、和—連接至 其EL單元OEL之汲極端子。 此外，其可供應一逆向電遷給其連接至第⑽）條之間極線 33 1255668 GLn+l的單元驅動器162之偏壓開關sw係具有··一連接至其第（^) 條之閘極線GLn-1的祕端子…連接至其第η狀線. 的閘極端子、和一連接至其連接至第(n+1)條之閘極線αη+ι的單 兀驅動器162之第-節點N1的沒極端子。結果，其偏制關別， 並不會接收到來自一額外之外在來源的逆向電壓。 此外，一些掃描脈波可如第7圖中所示，使依序供應至其閘 極線GLrW、GLn、和GLn+卜因此，有一低於其驅動薄膜電晶體 T2之源極端子處的電壓之«，係於上述HIGH-狀態之掃描脈波 供應至第η條之閘極線GLn時，藉由上述供應至第㈤）條之問極 線GLn-1的切斷電壓，而供應至其連接至第（η+ι)條之問極線 GLn+Ι的單元驅動态166之驅動薄膜電晶體κ的閘極端子。 特言之，其可供應一逆向電壓給其連接至第（n+1)條之閘極線 GLn+Ι的單兀驅動器166之偏壓開關sw，可於有一_—狀態之掃 祕波供應至其第(n〇條之閘極線n時被導通。當其偏壓開 關SW被導通時，有-供應至第（η—1)條之閘極線GLn-i的切斷電 壓將會供應至其連接至第（n+1)條之閘極線的單元驅動器 166之第-節點N1。此外，其切斷電壓係具有—負電壓（例如， 5V) 乂及其第-和第二參考電壓卿和yss2之電壓值，係設 。、切n電壓值。因此，當此切斷電壓供應至其第 " 〗；有—勒偏壓電壓供應至其驅動賴電晶體T2， 藉以使其驅動薄膜電晶體T2之臨界電壓_，避免隨時間之消逝 34 1255668 而增加。結果，其鶴_電晶體T2之臨界錢⑽，係保持為 一常數。 … 誠如上文所述，在-依據本發明之一實施例的電致發光顯示 裝置中，會有-低於其驅動薄膜電晶體之源極端子處的電壓之電 麼，定期供應至每-像素處之驅動薄膜電晶體關極端子。若其 驅動_晶體之_子，轴供有—低於其源極端子處之電 壓的電壓，其驅動薄膜電晶體之劣化將可使避免。因此，其驅動 薄膜電晶體之臨界電壓，縱使是隨時間之消逝，係保持固定’因 而可避免一影像之劣化。 〃本技術之專業人員將可明瞭，在不違離本發明之精神或界定 耗圍下’本發明之電致發光顯示裝置和其之驅動方法，係可完成 >倚和文更。因此’其係意在使本發明涵蓋本發明在所附申 吻專利fen和麟之等倾的界定範酬之修•體和變更形式。

35 1255668 【圖式簡單說明】 第1圖係可例*依據其習知技術之主動矩陣型電致發光 顯示裝置的示意方塊圖； 第2圖係一可例示第1圖中所顯示之電致發光顯示裝置的- · 個像素之明細電路圖； 第3A和3B圖係一些可例示非晶石夕之原子排列的簡圖； 第4圖係-可例示第2圖中所顯示之像素的驅動薄膜電晶體 之劣化的曲線圖； 修 第5圖係-可例不-依據本發明之實施例的電致發光顯示裝 置之示意方塊圖； 第6圖係-可例示第5圖中所顯示之電致發光顯示裝置的_ · 個像素之明細電路圖； · 第7圖係-可例示-些供應至第5圖中所顯示之電致發光顯 示裳置的閘極線之掃描脈波的曲線圖； 第8圖係一可例示一依據本發明之另一實施例的電致發光顯 · 示裝置之示意方塊圖； 第9圖係一可例示第8圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 個像素之明細電路圖； 第10圖係一可例示一些供應至第8圖中所顯示之電致發光顯 „ 丁裝置的第一和第二閘極線之掃描脈波和導通脈波的曲線圖； . 第11圖係一可例示一逆向偏壓之施加時間的曲線圖； 36 1255668 第12圖係-可例示一依據本發明之另一實施例的電致發光顯 示裝置之-像素的a月細電路圖； 第13圖係-可例示一些供應至第12目中所顯示之電致發光 顯示裝置的第-和第二閘極線之掃描脈波和導通脈波的曲線圖； 第14圖係一可例示一依據本發明之又一實施例的電致發光顯 不裝置之像素的明細電路圖；以及 第15圖則係一可例示一依據本發明之另一實施例的電致發光 顯示裝置之一像素的明細電路圖。 【主要符號元件說明】 20 EL面板 22 閘極驅動器 24 資料驅動器 28 像素 30 單元驅動器 32 Si-Si化學鍵 120 EL面板 122 閘極驅動器 124 資料驅動器 128 像素 130 單元驅動器 37 1255668 132 單元驅動器 140 EL面板 142 第一閘極驅動器 143 第二閘極驅動器 144 資料驅動器 148 像素 150 單元驅動器 159 像素 160 單元驅動器 162 單元驅動器 164 像素 166 單元驅動器 168 像素

Cst 儲存電容器 DL 資料線 GL 閘極線 GL1 第一閘極線 GL2 第二閘極線 GND 接地電壓源 N1 第一節點 OEL EL單元 1255668 sw 偏壓開關 τι 切換薄膜電晶體 T2 驅動薄膜電晶體 VDD 供應電壓源 VI 逆向電壓 VSS1 第一參考電壓 VSS2 第二參考電壓

Claims (1)

1255668 十、申請專利範圍： 1. 一種電致發光顯示裝置，包括： 一具有多個在一些由資料線與閘極線間之交點 所界定的像素 區域處之像素的電致發光面板，每一像素係包括· 一在連接上可接收一供應電壓之電致發光單元· -可控概滅電雜光單元之電流量的购薄膜電 晶體；以及 -連接至此驅動薄膜電晶體之閘極端子的偏壓開關，此 偏壓開關可選擇供應一逆向電壓給其驅動薄膜電晶體。 2·如申請專利範圍帛1項之電致發光顯示裝置，其中驅動薄膜電 晶體，係具有-連接至其電致發光單元之汲極端子，和_連接 至一第一參考電壓源之源極端子。 3·如申睛專利範U第2項之電致發光顯示裝置，其巾每—像素進 一步係包括： 一連接至其鶴薄膜電晶體、-對應之資料線、和-對應之 閘極線的切換薄膜電晶體，此切換薄膜電晶體，可於有 一知描脈波供應至其對應之閘極線時，將其對應之資料 線所供應之資料信號，供應給同一像素區域之驅動薄膜 電晶體；以及 1255668 一連接在其驅動_電晶體之雜端子與—第二參考電屡源 中間的儲存電容器。 4·如申#專概m第3項之電致發光顯示裝置，其巾第一參考 電£源和第_麥考電麼源，可供應一些電麼值低於其供應電墨 之電壓值的參考電壓。 如申明專利範圍第3項之電致發光顯示裝置，更包括—逆向電 壓源，此逆向電壓源，可供應一電壓值低於其第一和第二參考 電壓源所供應之參考電壓的電壓值之逆向電壓。 6·如申請專利範圍第3項之電致發光顯示裝置，其巾連接至一第n 條之閘極線（GLn，η為-整數）的像素有關之偏壓開關係包括： 連接至其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素之驅動薄膜電 晶體的閘極端子之沒極端子； 連接至一逆向電壓源之源極端子，此逆向電壓源，可供靡 上述之逆向電壓；以及 一連接至一第（η-1)條之閘極線(GLn-1)的閘極端子。 7.如申請專利範圍第6項之電致發光顯示裝置，其中有關連接至 第η條之閘極線(GLn)的像素之偏壓開關，可於有一掃描脈波供 41 1255668 應至其第（n—丨）條之閘極線(GLn-l)時，將其逆向電壓源所供應 之逆向電壓，供應至其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素之驅 動薄膜電晶體的閘極端子。 8·如申請專利範圍第6項之電致發光顯示裝置，其中用以控制其 連接至第η條之閘極線(GLn)的像素之偏壓開關，與其連接至第 (η-1)條之閘極線(—ο的像素，係形成在同一像素區域處。 9·如申請專利範圍第3項之電致發光顯示裝置，更包括多個之控 制閘極線，此等控制閘極線之數目，係與其閘極線之數目相等。 10·如申請專利範圍第9項之電致發光顯示裝置，其中有關其連 接至第η條之閘極線(GLn)的像素之偏壓開關係包括： 一連接至其連接至第n條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄 膜電晶體的閘極端子之沒極端子； 一連接至一逆向電壓源之源極端子，此逆向電壓源，可供應 上述之逆向電壓；以及 一連接至一第η條之閘極線的閘極端子。 11·如申請專利範圍第1〇項之電致發光顯示裝置，更包括： 一可依序供應一掃描脈波給其閘極線之第一閘極驅動器；以 42 1255668 及 一可依序供應一導通脈波給其控制閘極線之第二閘極驅動 器。 12.如申請專利範圍第u項之電致發光顯示裝置，其中有關連接 至第η條之閘極線(GLn)的像素之偏壓開關，可於其導通脈波 供應至其第（η-l)條之閘極線(GLn-1)時，將其逆向電壓源所 供應之逆向電壓，供應至其連接至第n條之閘極線(GLn)的像 素之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 13·如申請專利範圍第12項之電致發光顯示裝置，其中供應至第 η條之閘極線的掃描脈波，並未與其供應至第n條之控制閘極 線的導通脈波相重疊。 14.如申請專利範圍第13項之電致發光顯示裝置，其中供應至第 η條之控制閘極線的導通脈波，係與其供應至第（η—ι)條之閘 極線的掃描脈波相重疊。 15·如申請專利範圍第u項之電致發光顯示裝置，其中導通脈波 的脈波寬度，係大於其掃描脈波之脈波寬度。 43 1255668 16· —種電致發光顯示裝置，包括·· -具有多個在—些由⑽線朗極線間之交點所界定的像素 區域處之像素的電致發光面板，其閘極線係可接收—婦描 脈波和一切斷信號中的一個；以及 一就每-像素而設置之電致發光單元、軸薄縣晶體、和 偏壓開關， 就其連接至第η條之閘極線（GLn，η為一整數）的像素而言， 其對應之紐發光單元錢接上，可触—供應顧， 其對應之驅動薄膜電晶體，可控制流經其電致發光單元 之電流量，其對應之偏壓開關，可將上述之切斷信號， 選擇供應給其對應之驅動薄膜電晶體。 17.如申請專利範圍第16項之電致發光顯示裝置，其中驅動薄膜 電晶體，係具有一連接至其電致發光單元之汲極端子、一連 接至一第一參考電壓源之源極端子、和一在連接上可接收其 切斷信號之閘極端子。 18·如申請專利範圍第17項之電致發光顯示裝置，更包括一設置 在每一像素處之切換薄膜電晶體和儲存電容器， 就其連接至苐η條之閘極線(GLn)的像素而言，其切換薄膜電 晶體，係使連接至其對應之驅動薄膜電晶體、一對應之資料 44 1255668 線、和第η條之閉極線，而可於其掃描脈波供應至第n條之 閉極線(GLn)時’將一供應至其對應之資料線的資料信號，供 應給其對應之驅動薄膜電晶體，以及其儲存電容器，係使連 接在其對應之驅麟膜電晶體之_端子與—第二參考電壓 源中間。 19·如申5月專利範圍第18項之電致發光顯示裝置，其巾第一參考 電壓源和第二參考電壓源，可供應一些電壓值低於其供應電 # 壓之電壓值的參考電壓。 2〇·如申請專利範圍第18項之電致發光顯示裝置，其中切斷信號 - 的電壓值’係低於其第_和第二參考賴源所供應之參考電 · 壓的電壓值。 21.如申請專利範圍第16項之電致發光顯示裝置，其中連接至第 籲 η條之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關係包括： 連接至其連接至第n條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動 薄膜電晶體的閘極端子之汲極端子； 一連接至一第（η-1)條之閘極線(GLn—丨）的源極端子；以及 - 一連接至一第（η-2)條之閘極線(GLn-2)的閘極端子。 — 45 1255668 22·如申請專利範圍第21項之電致發光顯示裝置，其中在其掃描 脈波供應至第（η-2)條之閘極線(GLn-2)時，其連接至第η條 之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關，可將上述供應至其第 (n-1)條之閘極線(GLn-1)的切斷信號，供應給其連接至第n 條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 23. 如申請專利範圍第16項之電致發光顯示裝置，其中連接至第 η條之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關係包括： -連接至其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動 溥膜電晶體的閘極端子之没極端子； 連接至一弟（η-2)條之閘極線(GLn-2)的源極端子；以及 連接至一苐（η-1)條之閘極線(GLn-1)的閘極端子。 24. 如申請專利範圍第23項之電致發光顯示裝置，其中在其掃描 脈波供應至第（n-1)條之閘極線(GLn-1)時，其連接至第n條 之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關，可將上述供應至其第 (η 2)條之閘極線(GLn-2)的切斷信號，供應給其連接至第打 條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 25·如申請專利範圍第16項之電致發光顯示裝置，更包括多個之 控制閘極線，此等控制閘極線之數目，係與其閘極線之數目 46 1255668 相等。 26. 如申請專利範圍第25項之電致發光顯示裝置，其中連接至第 η條之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關係包括： 一連接至其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄 膜電晶體的閘極端子之汲極端子； 一連接至一第η條之閘極線(GLn)的閘極端子；以及 一連接至一第（η-1)條之閘極線(GLn-1)的源極端子。 27. 如申請專利範圍第26項之電致發光顯示裝置，更包括： 一可供應其掃描脈波和切斷信號中的一個給其閘極線之第一 閘極驅動器；以及 一可依序供應一導通脈波給其控制閘極線之第二閘極驅動 28. 如申請專利範圍第27項之電致發光顯示裝置，其中在其導通 脈波供應至第η條之控制閘極線時，其連接至第^條之閘極 線(GLn)的像素有關之偏壓開關，可將上述供應至其第 條之閘極線(GLn-1)的切斷信號，供應給其連接至第n條之閘 極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 29·如申請專利範圍第28項之電致發光顯示裝置，其中供應至 47 1255668 第η條之控制閘極線的導通脈波，並未與其供應至第（⑼條 之閘極線(GLn-Ι)的掃描脈波和其供應至第η條之問極雜㈤ 的掃描脈波相重疊。 30. 如申請專利範圍第29項之電致發光顯示裝置，其中供應至帛 ‘ η條之控制閘極線的導通脈波，係與其供應至第（η_2)條之$ 極線(GLn-2)的掃描脈波相重疊。 31. 如申請專利範圍第27項之電致發光顯示裝置，其中導通脈波 的脈波寬度，係大於其掃描脈波之脈波寬度。 ， 32. -種可驅動-就每—以矩陣狀方式排列之像素而設置有— 動薄膜電晶體的電致發光顯示裝置之方法，其包括以下步驟： 依序供應一掃描脈波給其閘極線； 就其連接至第η條之閘極線（GLn，n為一整數）的像素，在 春 上述之掃描脈波供應至此第η條的閘極線(GLn)時，供應一 資料信號，給其驅動薄膜電晶體之閘極端子； 基於此資料信號，控制其自一供應電壓源經由其連接至第η 條之閘極、雜Ln)的像素㈣之電致發光單搞紅其— 參考電壓源的電流；以及 選擇供應-逆向電壓，給其連接至第n條之閘極線(GLn)的像 48 1255668 素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 33·如申請專利範圍第3 乃决’其中在其掃描脈波供應至 _條之·_LrW)時’其逆向電壓，係供應至其連 接至第η條之閑極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的問 極端子。 34·如申物_ 32項之妓，嫩：賴逆向歡 電壓值，使低於其參考電壓源所供應之參考電壓的電壓值。 35.—種可驅動-具有第—閘極線、第二閘極線、-些資料線、 一些在由第—輯_蝴之伽嫩的像素區域處 之料的電致發絲稀置之綠，每-像料包括一電致 發光單元和一驅動薄膜電晶體，其包括以下步驟： 依序供應一掃描脈波給其第_閘極線； 依序供應一導通脈波給其第二閘極線； 就其連接至第〇條之第一閑極線（GLln，n為_整數）的 像素，在上述之掃描脈波供應至此第n條之第一閉極 雜Un)時’供應—資料信號給其驅動薄膜電晶體之 閘極端子； 電致發光 基於此貧料信號，控制其自一供應電壓源經由其 49 1255668 單元而流至其一參考電壓源之電流；以及 在上述之導通脈波供應至其第n條之第二閘極線(GL2n) 時，供應一逆向電壓給其第η條之第-閘極線(GLln) 的驅動薄膜電晶體之閘極端子。 36. 如申請專利翻第35項之方法，更包括：設定其逆向電壓之 電壓值’使低於其參考電麵所供應之參考電麼的電壓值。

37. 如申請專利範圍第35項之方法，其中供應至第n條之第一問 極線(GLln)的掃描脈波’並未與其供應至第η條之第二問極 線(GL2n)的導通脈波相重疊。 38.如申請專利範圍第37項之方法，其中供應至第n條之第二問

極線(GL2n)的掃描脈波，係與其供應至第（㈣條之閑極線 (GLn-1)的導通脈波相重疊。 39.如申請專利範圍第35項之方法，更包括：設定其導通脈波 脈波覓度，使大於其掃描脈波之脈波寬度。 後如申請專利範圍第35項之方法，更包括··在未施加上述之 描脈波時，供應一切斷信號給其第-條閘極線。 50 1255668 仏如申請專利範圍第40項之方法，其中供應至^條之第一問 極線(GLln)的像素有關之驅動薄職晶體的閘極端子，可於 上述之導通脈波供應至其第n條之第二祕線说㈤時，接 收到其供應至第（n-l)條之第一閘極線(GH)的切斷信 就’而作為一逆向電壓。 42. 如申請專利範圍第41項之方法，更包括設定其切斷電壓之電 壓值’使低於其參考龍源賴應之參考電翻電壓值。 43. 如申請專利範圍第41項之方法，其中供應至第η條之第二閑 極線(GL2n)所供應鱗通脈波，並未與其供應至第μ)條之 第一閘極線(GLln-Ι)的掃描脈波和其供應至其第η條之第一 閘極線(GLln)的掃描脈波相重疊。

44·如申請專利範圍第43項之方法，其中供應至第n條之苐二广 極線(GL2n)的導通脈波，係與其供應至—第化―幻條> ，、之弟 ~' IV1 極線(GLln-2)相重疊。 45· —種可驅動一就每一以矩陣狀方式排列之像素而机置有 動薄膜電晶體的電致發光顯示裝置之方法， 其包括以下步 驟： 51 1255668 供應一掃描脈波和一切斷信號中的一個給其閘極線； 就連接至弟η條之閘極線（GLn，η為一整數）的像素，在 上述之掃描脈波供應至此第η條的閘極線(GLn)時，供應 一資料信號給其驅動薄膜電晶體之閘極端子； 基於此資料信號，控制其自一供應電壓源經由其連接至第η 條之閘極線(GLn)的像素有關之電致發光單元而流至其 一參考電壓源的電流；以及 選擇供應上述之切斷信號給其連接至第n條之閉極線(咖的 φ 像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 46. 如申請專利範圍第45項之方法，更包括設定其切斷電紅t · 壓值’使低於其參考電麵所供應之參考電I的電虔值。 47. 如申請專利細第45項之方法，其中供應至第㈣條之間 極線(GLn-2)的切斷糕，可於上述之掃描脈波供應至其第 φ (η 1)條之第-閉極線時，使供應至其連接至第打條 之閘極雜Ln)的像素錢之驅_膜電晶體_極端子。 48.如申請專·_ 45項之方法，射供應至—第⑹）條之 第一閘極線(GLlrW)的切斷電壓，可於上述之掃描脈波供應 第(η 2)條之問極線(GLn_2)時，使供應至其連接至第^ 52 1255668 條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 53