TWI255438B - Pixel circuit, display apparatus, and driving method for pixel circuit - Google Patents

Pixel circuit, display apparatus, and driving method for pixel circuit Download PDF

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TWI255438B
TWI255438B TW093114553A TW93114553A TWI255438B TW I255438 B TWI255438 B TW I255438B TW 093114553 A TW093114553 A TW 093114553A TW 93114553 A TW93114553 A TW 93114553A TW I255438 B TWI255438 B TW I255438B
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TW
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tft
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TW093114553A
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Junichi Yamashita
Katsuhide Uchino
Tatsuro Yamamoto
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Sony Corp
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Description

1255438 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種具有可依有機電激發光 (Electroluminescence : EL)顯示哭笨夕 +、六杜 ^ '只丁 寻之電流值而控制亮度之 光電元件的像素電路、該傻音帝4外η， 系像素电路排列成矩陣狀之影像顯 示裝置之中尤其可依設於各像幸雪 、 1豕I弘路内部之絕緣閘型場效 電晶體而控制流至光電元件之雷泣信 一 电凡1干之私/爪值的所謂主動矩陣型影 像顯示裝置及像素電路之驅動方法。 【先前技術】 在影像顯示裝置，例如液晶顯示器等中，藉由將多數個 像素排列成矩陣狀，並按照應顯示之影像資訊對每—像素 控制光強度來顯示影像。 此雖然即使在有機EL顯示料中亦為相同，但是有機扯 :示器係在各像素電路具有發光元件之所謂自發光型顯示 益，與液晶顯示器相較具有影像目視性高、不需要背光源、 及響應速度快等的優點。 又，各發光7G件之亮度，在藉由依流至發光元件之電流 值而控制以獲得發色階調（即發光元件為電流控制型）之點 與液晶顯示器等大為不同。 、在有機EL顯示器與液晶顯示器相同，作為其驅動方 ^可為單純矩陣方式與主動矩陣方式。前者雖為構造單 、 疋因其有很難貫現大型且高精細之顯示器等的問 曰§ 、 、目A正在盛行開發一種依設於像素電路内部之主 動兀件，一般依TFT(Thin、Film TranSistor，薄膜電晶體） 91868.doc 1255438 而控制流至各像素 方式。 私路内邛之發光元件之電流的主動矩陣 圖1係顯示-般的有機虹顯示裝置之構成的方塊圖。 圖所丁 -亥顯不裝置i，包含像素電路（pxLc)h排列 成_之矩陣狀的像素陣列部2、水平選擇器（H叫3、寫 入掃描器（WSCN)4、由水平選擇器3所選擇而供給相應於亮 度資訊之f料訊號的f料線DTL1 _DTLn及由寫人掃描器4 所選擇驅動的掃描線WSL丨_ WSLm。 曰另外’關於水平選擇器3與寫人掃描器4，亦有形成於多 晶石夕上之情況’或以助SIC等形成於像素之周邊的情形。 Θ係,,.頁示圖1之像素電路2a之一構成例的電路圖（例如 參照專利文獻1 ;美國專利USP5,684,365、專利文獻2 ;曰 本專利特開平8-234683號公報）。 圖2之像素電路，係多個提案之電路中最單純的電路構 成’且為所謂2電晶體驅動方式之電路。 圖2之像素電路2a包含p通道薄膜場效電晶體（以下，稱為 TFT)11及TFT 12、電容器c n、及為發光元件之有機扯元 件（〇LED)13。又，圖2中，DTL顯示資料線，WSL顯示掃描 線。 田 有機EL元件由於在較多情況具有整流性，所以有時被稱 為 OLED(〇rganic Light Emitting Diode :有機發光二極體）， 圖2以外之圖雖使用二極體之記號作為發光元件，但是在以 下說明中亦非必須對OLED要求整流性。 在圖2之像素電路2a中，TFT 11之源極連接在電源電位 91868.doc 1255438 VCC上，發光元件13之陰極連接在接地電位GND上。圖2之 像素電路2 a的動作係如下所述。 〈步驟ST1 > 將掃描線WSL作為選擇狀態（在此為低位準），當對資料線 DTL施加寫入電位Vdata時，因TFT 12導通而電容器C 11被 充電或放電，TFT 11之閘極電位成為Vdata。 〈步驟ST2> 將掃描線WSL作為非選擇狀態（在此為高位準），資料線 DTL·與TFT 11雖被電氣切離，但是TFT 11之閘極電位可依 電容器C 11而穩定保持。 〈步驟ST3> 流至TFT 11及發光元件13之電流，成為相應於TFT 11之 閘極•源極間電壓Vgs的值，發光元件13係依相應於該電流 值的亮度而繼續發光。 如同上述步驟ST1般，以下將選擇掃描線WSL並供至資料 線之亮度資訊傳送至像素内部的操作，稱為「寫入」。 如上所述，在圖2之像素電路2a中，若一次進行Vdata之 寫入，則在如下被改寫為止之期間，發光元件1 3以一定之 亮度繼續發光。 如上所述，在像素電路2a中，藉由改變為驅動電晶體之 TFT 11的閘極施加電壓，以控制流至EL發光元件13之電流 值。 此時，p通道驅動電晶體之源極連接在電源電位VCC，該 TFT 11經常在飽和區動作。因而，成為具有下式1所示之值 91868.doc 1255438 的恆定電流源。
IdS=l/2xp(W/L)Cox(VgS- | vth | )2 ...(1) 在此，μ為載子之遷移率，Cox為每一單位面積之閘極電 谷，W為閘寬，L為閘長，vth為臨限電壓。 在單純矩陣型影像顯示裝置中，各發光元件只在被選擇 之瞬間發光，相對於此，在主動矩陣中，如上所述，由於 在寫入結束後發光元件仍繼續發光，所以與單純矩陣相較 在發光7L件之峰值亮度、降低峰值電流等之點上，在大型 •高精細之顯示器中尤為有利。 圖3係有機EL元件之電流-電壓（I_V)特性之歷時變化的示 圖在圖3中，貫線所示之曲線係顯示初期狀態時的特 性’虛線所示之曲線係顯示歷時變化後的特性。 如圖3所示，一般而言，有機EL元件之仁乂特性，當時間 經過時就會劣化。 然而’圖2之2電晶體驅動由於係恆定電流驅動所以如上 所述可在有機EL元件上持續流入恆定電流，即使有機£乙元 件之Ι-V特性劣化其發光亮度亦 不會歷時劣化。 而且’圖2之像素電路2a，雖由p通道之TFT所構成，但是 只要可由η通道之TFT構成，則在TFT製作中可使用以往之 非晶石夕（a-Si)製程。藉此，可獲得tft基板之低成本化。 其次’就將電晶體置換成η通道TFT之像素電路加以研究。 圖4係顯示將圖2之電路的p通道TFT置換成^通道TFT之 像素電路的電路圖。 圖4之像素電路2b包含η通道TFT 21及TFT 22、電容器c 91868.doc 1255438 21及為發光元件之有機EL元件（〇LED)23。又，圖4中，DTL 係顯示資料線，WSL係顯示掃描線。 在该像素電路2b中，作為驅動電晶體係將TFT 2 1之汲極 側連接在電源電位VCC上，源極連接在EL發光元件23之陽 極上’形成源極隨耦器電路。 圖5係作為初期狀態之驅動電晶體的TFT 21與EL元件23 之動作點的示意圖。圖5中，橫軸顯示TFT 2丨之汲極•源極 間％壓Vds，縱軸顯示汲極•源極間電流。 女圖5所示，源極龟壓係以為驅動電晶體之τρτ 21與el 發光元件23之動作點決定，其電壓具有依閘極電壓而異的 值。 4 TFT 21由於係在飽和區被驅動，所以與相對於動作點 之源極電壓的Vgs相關而流出上述式丨所示之方程式之電流 值的電流Ids。 然而’在此亦為同樣有機E L元件之丨_ v特性會歷時劣化。 如圖6所示，因該歷時劣化而會使動作點產生變動，且其源 極電壓即使施加相同閘極電壓亦會產生變動 精此’為驅動電晶體之T F T 21的關士 τς 甲]極•源極間電壓Vgs 會產生變化’且流動之電流值會產生變 欠動。同時由於流至 有機EL元件2 3之電流值亦會產生.、私 又動所以當有機EL元件 之I-V特性劣化時，在圖4之源極隨耦哭带 , 两的私路中其發光亮度 會歷時變化。 又，如圖7所不，亦可考慮將作為驅勳年
初电晶體之η通道TFT 21的源極連接在接地電位GND，將沒 連接在有機EL發光 91868.doc -10 - 1255438 兀件23的陰極，將有機EL發光元件23之陽極連接在電源電 位VCC的電路構成。 在該方式中，與圖2之P通道TFT的驅動相同，源極之電位 被固定，作為驅動電晶體之TFT 21係當作恆定電流源而動 作，亦可防止因有機EL元件之Σ_ν特性劣化所造成的亮度變 化。 然而，在该方式中有需要將驅動電晶體連接在有機EL發 光兀件之陰極側’且該陰極連接需要新開發陽極•陰極之 電極，在現狀之技術中係非常困難的。 k以上可知，在以往之方式中尚未完成開發一種沒有亮 度變化、及使用n通道電晶體的有機EL發光元件。 【發明内容】 本毛月之目的在於提供一種即使發光元件之電流-電壓 特丨生歷％ :化，亦可進行沒有亮度劣化之源極隨耦器輸 出可形成η通道電晶體之源極隨耦器電路，且在使用現狀 之陽極•陰極電極的狀態下，可使用η通道電晶體作為EL 之驅動元件的像素電路、顯示裝置及像素電路之驅動方法。 為了達成上述目的，本發明之第1觀點，一種像素電路， 其係驅動依流動之電流使亮度變化的光電元件者，且包 δ資料線，其供給相應於亮度資訊之資料信號；第一控 制線，第及第一節點；第一及第二基準電位；驅動電晶 體，其在第一端子與第二端子間形成電流供、給線，並按照 連接於上述第二節點之控制端子的電位控制流至上述電流 供給線之電流；像素電容元件，其連接在上述第一節點與 91868.doc 1255438 上述第二節點之間，·第-開關，其連接在上述資料線與上 述像素電容元件之第-端子或第二端子之任一端子之間， 可由上述第一控制線進行導通控制，·及第一電路，其用以 在上述光電元件為非發光期間使上述第一節點之電:遷移 至固定電位；在上述第一基準電位與第二基準電位之間， 串如連接有上述驅動電晶體之電流供給線、上述第一節 點、及上述光電元件。 車乂仏為’更具有第二控制線；上述驅動電晶體係場效電 晶體，其源極連接在上述第—節點上，沒極連接在上述第 -基準電位或第二基準電位上，閘極連接在上述第二節點 上；上述第一電路包含連接在上述第一節點與固定電位之 間，且由上述第二控制線進行導通控制之第二開關。 較佳為，在驅動上述光電元件之情況：作為第一階段， 係在利用上述第一控制線使上述第一開關保持於非導通狀 之狀心下’利用上述第二控制線使上述第二開關保持於 導通狀悲，以使上述第一節點連接在固定電位上；作為第 二階段’係在利用上述第一控制線使上述第一開關保持於 導通狀態而傳遞於上述資料線上之資料寫入上述像素電容 元件之後’使上述第一開關保持於非導通狀態；作為第三 階段’係利用上述第二控制線使上述第二開關保持於非導 通狀態。 車乂仫為，更具有第二控制線；上述驅動電晶體係場效電 晶體，其汲極連接在上述第一基準電位或第二基準電位 上閘極連接在上述第一節點上；上述第一電路包含連接 91868.doc -12- 1255438 f =場效電晶體之源極與上述光電元件之間，且由 弟二控制線進行導通控制之第二開關。 ::為，在驅動上述光電元件之情況：作為第一階段， ΓΓ上述Γ控制線使上述第—開關保持於非導通狀 :.作^述弟―控制線使上述第二開關保持於導通狀 二：弟二階段，係在利用上述第一控制線使上述第一 開關保持於導通狀態而傳遞於上 、+w冬主 心貝竹綠上之貧料寫入上 元件之後，使上㈣-開關保持於非導通狀 :伴:為弟三階段，係利用上述第二控制線使上述第二開 關保持於導通狀態。 曰二佳：，更具有第二控制線；上述驅動電晶體係場效電 源極連接在上述第1點上，没極連接在上述第 土準電位或第二基準電位上，閘極連接在上述第二節點 ^上述第-電路包含連接在上述第一節點與上述光電元 :間，且由上述第二控制線進行導通控制之第二開關。 ::佳為:：驅動上述光電元件之情況：作為第一階段， Γ用上34弟―控制線使上述第—開關保㈣非導通狀 =使上述第二開關保持於非導通狀 •I作為第二階段，係在利用上述第一控制線使上述第一 P=t持於導通狀態而傳遞於上”m料寫人上 ί像素電容元件之後，使上述第-開關保持於非導通狀 =·，作為第三料，係期上述第二控制·上述第二開 關保持於導通狀態。 較佳為’具有在上述第-開關保持於導通狀態並寫入傳 91868.doc -13- 1255438 遞至資料線之資料時’使上述第一節點保持於 第二電路。 較佳為，更具有第二及第三控制線；及電壓源；上述驅 動,電晶體係場效電晶體，其汲極連接在上述第一基準電位 或第二基準電位上’閘極連接在上述第二節點上；上：第 一電路包含連接在上述場效電晶體之源極與上述光電元件 之間’且由上述第二控制線進行導通控制之第二開關；上 述弟二電路包含連接在上述第一節點與上述電壓源之間， 且由上述第三控制線進行導通控制之第三開關。 較佳為，在驅動上述光電元件之情況：作為第一階段， :利用上述第-控制線使上述第—開關保持於非導^狀 怨’利用上述第二控制線使上述第二開關保持於非導通狀 :態利用上述第三控制線使上述第三開關保持於非導通狀 恶；作為第二階段，係利用上述第一控制線使上述第一開 關保持於導通狀態’利用上述第三控制線使上述第三開關 保持於導通狀態’在上述第-節點保持於特定電位之狀態 下’傳遞於上述資料線上之資料寫入上述像素電容元件之 後，利用上述第-控制線使上述第一開關保持於非導通狀 態；作為第三階段，係利用上述第三控制線使上述第三開 關保持於非導通狀態，利用上述第二控制線使上述第二開 關保持於導通狀態。 車又佳為’更具有第二及第三控制線；及電壓源；上述驅 動電晶體係場效電晶體，其源極連接在上述第一節點上， 及極連接在上述第-基準電位或第二基準電位上，閘極連 91868.doc -14- 1255438 接在上述第二節點上；上述第一電路包含連接在上述第一 節點與上述光電元件之間，且由上述第二控制線進行導通 控制之第二開關；上述第二電路包含連接在上述第一節點 與上述電壓源之間，且由上述第三控制線進行導通控制之 第三開關。 卫 較佳為，在驅動上述光電元件之情況··作為第一階段， 2利用上述第一控制線使上述第一開關保持於非導^狀 ’利用上述第二控制線使上述第二開關保持於非導通狀 悲’利用上述第三控制線使上述第三開關保持於非導通狀 態；作為第二階段，係利用上述第一控制線使上述第_開 關保持於導通狀態，利用上述第三控制線使上述第三開關 保持於導通狀態，在上述第一節點保持於特定電位之狀態 下’傳遞於上述資料線上之資料寫入上述像素電容元狀 利用上述第-控制線使上述第—開關保持於非導通狀 悲，作為第三階段，係利用上述第三控制線使上述第三開 關保持於非導通狀態，利用上述第二控制線使上述第二開 關保持於導通狀態。 :交佳為，具有在上述第一開關保持於導通狀態而寫入傳 貧1 斗線上之資料時，使上述第二節點保持於固定電位 之弟—電路。 位又，上述固定電位係上述第-基準電位或第二基準電 上：::二更具有第二、第三及第四控制線；及電壓源； 〜t晶體係場效電晶體，其源極連接在上述第一節 91868.doc -15- 1255438 點上，汲極連接在上述第一基準電位或第二基準電位上， 閘極連接在上述第二節點上；上述第一電路包含連接在上 述第-節點與上述光電元件之間’且由上述第二控制線進 行導通控制m以及連接在上述場效電晶體之源 極與上述第-節點之間，且由上述第三控制線進行導通控 制之第三開關；上述第二電路包含連接在上述第一節點與 上述固定電位之間，且由上述第四控制線進行導通控敎 第四開關。 又，較佳為，在驅動上述光電元件之情況：作為第一階 段’係利用上述第-控制線使上述第—_保持於非導通 狀態’利用上述第二控制線使上述第二_保持於非導通 狀態’利用上述第三控制線使上述第三開關保持於非導通 狀態’利用上述第四控制線使上述第三_保持於非導通 狀態；作為第二階段，係利用上述第一控制線使上述第一 開關保持於導通狀態，利用上述第四控制線使上述第四開 關保持於導通狀態，在上述第二節點保持於固定電位之狀 態下，傳遞於上述資料線上之資料寫人上述像素電容元件 之後’利用上述第-控制線使上述第—開關保持於非導通 狀態’利用上述第四控制線使上述第四開關保持於非導通 狀態；作為第三階段，係利用上述第二控制線使上述第二 開關保持於導通狀態，利用上述第三控制線使上 關保持於導通狀態。 本發明之第2觀點，-種顯示裝置，其包含：像素電路， 其有複數個排列成矩陣狀；資料線，其相對於上述像素電 91868.doc -16- U55438 且供給相應於亮度資訊 路之矩陣排列而配線於每一行上， 之貧料訊號；第一控制線，其相對於上述像素電路之矩陣 排列而配線於每一列上；及第一及第二基準電位；且上述 像素電路包含：光電元件，其依流動之電流使亮度變化 第一及第二節點；驅動電晶體，其在第一端子與第二端子 間形成電流供給線，並按照連接於上述第二節點之控制端 子的電位控制流至上述電流供給線之電流；像素電容元 件，其連接在上述第一節點與上述第二節點之間；第一開 關其連接在上述資料線與上述像素電容元件之第一端子 或第二端子之任一端子之間，可由上述第一控制線進行導 通控制；&第一電路，其用以在上述光電元件為非發光期 間使上述第一節點之電位遷移至固定電位；在上述第一基 準電位與第二基準電位之間，串聯連接有上述驅動電晶體 之電流供給線、上述第一節點、及上述光電元件。曰 本發明之第3觀點，一種像素電路之驅動方法，其係包 含··光電元件，其依流動之電流而使亮度變化；資料線， 其供給相應於亮度資訊之資料信號；第一及第二節點；第 及第一基準電位；場效電晶體，其汲極連接在上述第一 基準私位與第二基準電位上，源極連接在上述第一節點 上，閘極連接在上述第二節點上；像素電容元件，其連接 在上述第一節點與上述第二節點之間；第一開關，其連接 在上述資料線與上述像素電容元件之第一端子或第二端子 之任-端子之間；及第一電路，其使上述第一節點之電位 遷私至固疋電位；且在上述第一基準電位與第二基準電位 9l868.doc -17- 1255438 依據本發明’由於例如將驅動電晶體之雜電極，介以 開關而連接在固定電位上，在驅動電晶體之閘極與源極間 具有像素電容’所以可校正因發光元件之Σ_ν特性之歷 化所造成的亮度變化。 之間，串聯連接有上述驅動電晶體之電流供給線、上述第 :節點二及上：光電元件者；其中在上述第_開關保持非 v通狀悲之狀態下，利用上述第一電路使上述第一節點之 電位遷移至固定電位，·在將上述第—開g保持於導通狀能 且將傳遞至上述資料線上之資料寫人上述像素電容元件二 後將上述第-開關保持於非導通狀態；停止使上述第一 電路之上述第-節點的電位遷移至固定電位的動作。 在驅動電晶體為η通道之情況’藉由將固定電位嗖為接 地電位’即可將施加在發光元件之電位設為接地電位而製 作出發光7G件之非發光期間。 電位之第二開關的截 非發光之期間，並進 又，藉由調節連接源極電極與接地 止時間，即可調整發光元件之發光· 行工作（Duty)驅動。 又’藉由將固定電位設在接地電位附近或接地電位以 之低電位，或是提升閘極電a ’即可抑制因連接在固定 位之開關電晶體的臨限值vth之不均所引起的晝質劣化 又，在驅動電晶體為P通道之情況，藉由將固定電位 為連接在發光元件之陰極電極的電源電位，即可將施加 發光元件之電位當作雷源雷# 杂 田卞私原私位而製作出EL元件之非發 期間。 a 91868.doc -18- 1255438 然後’藉由將趨鄧電晶體之特性設為η通道，即可形成 源極隨耦器，並可進行陽極連接。 又，可將驅動電晶體全部η通道化，可導入一般的非晶 矽之製程，且可低成本化。 又’由於第二開關電晶體布局於發光元件與驅動電晶體 門所以在非發光期間電流不會流至驅動電晶體，而可 抑制面板之消耗電力。 又，藉由使用發光元件之陰極側的電位，例如第二基準 電位作為接地電位，在面板内部之TFT側就不需要具有 GND配線。 又，藉由削除面板之TFT基板的GND配線，即可容易進 行像素内之布局或周邊電路部之布局。 更且，藉由可削除面板之TFT基板的GND配線，則不需 要進行周邊電路部之電源電位（第一基準電位）與接地電位 (第二基準電位）的重疊，可以低電阻來布局Vcc線，可達成 南均勻。 又’藉由將例如像素電容元件連接在驅動電晶體之源極 上，在非發光期間將電容之一方側升壓至電源為止，就不 需要在面板内部之TFT側具有GND配線。 又藉由在化號線寫入時間使電源配線側之第四開關導 通，形成低阻抗，即可短時間内校正耦合對像素寫入之嗖 應’獲得南均勻之畫質。 ' 又藉由將電源配線之電位形成與V c c電位相同即叮 削減面板配線。 91868.doc -19- 1255438 又，依據本發明，則藉由將驅動電晶體之閘極介以開關 連接在固定電位上，且在驅動電晶體之閘極與源極間具有 像素電容，即可校正因發光元件之ι-ν特性之歷時劣化所造 成的亮度變化。 、在例如驅動電晶體為11通道之情況，藉由將固定電位設 為連接有驅動電晶體之汲極電極的固定電位，像素内之固 定電位就只設為電源電位。 又藉由提升連接在驅動電晶體之閘極側及源極側的開 關電晶體之閘極電壓或是增大尺寸，即可抑制因開關電晶 體之臨限值不均所造成的畫質劣化。 又，在驅動電晶體為P通道之情況，藉由將固定電位設 為連接有驅動電晶體之汲極電極的固定電位，像素内之固 定電位就只設為GND。 然後，藉由提升連接在驅動電晶體之閘極侧及源極側的 開關電晶體之閘極電壓或是增大尺寸，即可抑制因開關電 晶體之臨限值不均所造成的畫質劣化。 【實施方式】 以下，參照圖式說明本發明之實施形態。 <第1實施形態> 圖8係顯不採用本第1實施形態之像素電路之有機EL顯示 裝置之構成的方塊圖。 圖9係在圖8之有機EL顯示裝置中顯示本第丨實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 如圖8及圖9所示，該顯示裝置1〇〇包含像素電路 91868.doc -20- 1255438 (PXLC)lOl排列成mxn之矩陣狀的像素陣列部1〇2、水平選 擇器（HSEL)103、寫入掃描器（WSCN)104、驅動掃描器 (DSCN)105、由水平選擇器103所選擇而供給相應於亮度資 訊之資料訊號的資料線DTLIOl-DTLIOn、由寫入掃描器1〇4 所選擇驅動的掃描線界81^101-\\^乙1〇111及由驅動掃描器1〇5 所選擇驅動之驅動線DSLIOl-DSLIOm。 另外，在像素陣列部102中，像素電路1〇1雖排列成㈤奶 之矩陣狀，但是在圖9中為了簡化圖式起見而顯示排列成 2(=m)x3(=n)之矩陣狀的例子。 又，圖9中亦為了簡化圖式而顯示一個像素電路之具體的 構成。 如圖9所示，本第丨實施形態之像素電路ι〇ι包含n通道 iii-tfT113、電容器C111、由有機肛元件（〇led:光電元 件）構成之發光元件114及節點nd 111、ND 112。 又，圖9十，DTL101顯示資料線，Wsli〇i顯示掃描線， DSL 101顯示驅動線。 該等構成要素中，TFT⑴構成本發明之場效電晶體，τρτ 112構成第一開關，TFT u 開關，電容器C⑴構 成本务明之像素電容元件。 又，掃描線WSL 101對應本發明 脱㈣#應第二控制線。 “線’，驅動線 又’電源電®Vcc之供給線（電源電位）相當於第 位，接地電位GND相當於第二基準電位。、 土 /电
像素電路101中，在TFT1U 只弟一基準電位（本實 91868.doc -21- 1255438 施形態中為接地電位GND)之間連接有發光元件 (OLED)l 14。具體而言’發光元件114之陽極連接在TFT 111 之源極上’陰極側連接在接地電位GND上。可利用發光元 件114之陽極與TFT 111之源極的連接點構成節點ND 1U。 TFT 111之源極連接在TFT 113之汲極及電容器c 111之第 一電極上，TFT 111之閘極連接在節點nd 112上。 TFT 113之源極連接在固定電位（本實施形態中為接地電 位GND)上，TFT113之閘極連接在驅動線DSLl01上。又， 電容器C 111之第二電極連接在節點ND 112上。 在資料線DTL101與節點ND 112上分別連接有作為第一 開關之TFT 112的源極•汲極上。然後，TFT 112之閘極連 接在掃描線WSL 101上。 如此’本實施形態之像素電路101的構成，係在作為驅動 電晶體之TFT 111的閘極•源極間連接有電容器c 111，將 TFT 111之源極電位介以作為開關電晶體iTFT u 3連接在 固定電位上。 其次參照圖10A至圖10F及圖11A至圖11F以像素電路之 動作為中心說明上述構成之動作。 另外’圖11A係顯示施加在像素排列之第一列掃描線wsl 101上的掃描信號ws[l〇l]，圖11B係顯示施加在像素排列之 第二列掃描線WSL 102上的掃描信號ws[ 102]，圖11C係顯示 施加在像素排列之第一列驅動線DSL 101上的驅動信號 ds[l〇l] ’圖1 id係顯示施加在像素排列之第二列驅動線dsl 102上的驅動信號ds[102]，圖11E係顯示TFT 111之閘極電位 91868.doc -22- 1255438
Vg，圖11F係顯示TFT 111之源極電位Vs。 首先，如圖11A至圖11D所示，通常在EL發光元件114呈 發光狀態時，利用寫入掃描器1 〇4將送至掃描線wSL 101、 WSL102、…之掃描信號ws[i〇i]、ws[1〇2]、…選擇性地設 疋在低位準’而利用驅動掃描器1〇5將送至驅動線 DSL101、DSL102、…之驅動信號 ds[i〇i]、ds[102]、…選 擇性地設定在低位準。 結果’如圖10A所示，像素電路101中，TFT 112與TFT 113 保持截止之狀態。 其次，如圖11A至圖11D所示，在發光元件114之非發 光期間，利用寫入掃描器104將送至掃描線WSL1〇1、 WSL102、…之掃描信號ws[101]、ws[1〇2]、…保持於低位 準，而利用驅動掃描器105將送至驅動線DSL101、 DSL102、…之驅動信號ds[101]、ds[1〇2]、…選擇性地設定 在南位準。 結果，如圖10B所示，像素電路ιοί中，TFT u 2保持截止 狀態之狀態下，TFT 113導通。 此日T ’電流介以TFT 113而流動，且如圖11 ρ所示，丁ρτ 111 之源極電位Vs下降至接地電位GND。因此，施加在el發光 元件114之電壓亦變成〇V，而£乙發光元件114變成非發光。 其次，如圖11八至圖11〇所示，在£乙發光元件114之非發 光期間’利用驅動掃描器1〇5將送至驅動線DSL101、 DSL102、…之驅動信號ds[1〇1]、ds[1〇2]、…保持於高位準 之狀態下，而利用寫入掃描器104將送至掃描線WSL1〇1、 91868.doc -23- 1255438 WSL102、·.·之掃描信號ws[1〇1]、ws[1〇2]、…選擇性地設 定在高位準。 結果，如圖10C所示，在像素電路1〇1中，TFT 113保持於 導通狀態之狀態下，TFT 112導通。藉此，利用水平選擇器 103傳遞至資料線DTL 1〇1之輸入信號（Vin)可寫入作為像 素電容之電容器cm。 此時，如圖11F所示，由於作為驅動電晶體之TFT i丨J的 源極電位Vs處於接地電位位準（GND位準），所以如圖UE及 圖11F所示，TFT 111之閘極•源極間之電位差與輸入信號 之電壓Vin相等。 之後，如圖11A至圖11D所示，在EL發光元件114之非發 光期間，利用驅動掃描器1〇5將送至驅動線DSL1〇1、 DSL102、…之驅動信號ds[1〇1]、ds[1〇2]、…保持於高位準 之狀怨下，而利用寫入掃描器1 〇4將送至掃描線WSL丨〇 i、 WSL102、…之掃描信號ws[1〇1]、ws[1〇2]、…選擇性地設 定在低位準。 結果，如圖10D所示，在像素電路1〇1中，TFT 112變成截 止狀態，並結束對作為像素電容之電容器c丨丨丨寫入輸入信 號。 之後，如圖11A至圖11D所示，利用寫入掃描器1〇4將送 至掃描線WSLHH、WSL102、…之掃描信號ws[i〇i]、 WS[102]、…保持於低位準，而利用驅動掃描器1〇5將送至 驅動線DSLl(H、DSU〇2、…之驅動信號ds[1〇1]、ds[1〇2]、… 選擇性地設定在低位準。 91868.doc -24- 1255438 結果，如圖10E所示，在像素電路ιοί中，丁FT 113變成截 止狀態。 如圖11F所示，藉由TFT 113截止，作為驅動電晶體之tft 111的源極電位Vs上升，在EL發光元件Π4上亦有電流流動。 無論TFT 111之源極電位Vs是否變動，由於在τρτ η 1之 閑極·源極間有電容，所以如圖丨丨Ε及圖11 f所示，閘極· 源極電位經常以Vin保持著。 此時，由於作為驅動電晶體之TFTU1在飽和區動作，所 以流至該TFT 111之電流值ids變成前述之式丨所示的值，該 值可以為TFT 111之閘極•源極電壓的Vin所決定。該電流
Ids亦同樣流至EL發光元件114上，£；1發光元件ιΐ4會發光。 由於EL發光元件114之等效電路成為如圖1〇ρ所示，所以 此時節點ND 111之電位上升至電流Ids流至£1^發光元件丨14 之閘極電位。 隨著該電位上升，節點ND 112之電位亦同樣介以電容器 cm(像素電路Cs)而上升。藉此，如前面所述抓⑴之閑 極•源極電位保持於Vin。 在此’有關以往之源極隨輕器方式的問題點，在本發明 =路中作考量。在本電路中，财光元件亦隨著發光時 長八I V特f生會劣化。因此，即使驅動電晶體流入相 同電流值，施加在EL發光元件
ϋ 1干您私位亦會變化，且節點ND 111之電位會下降。 然而’本電路中在驅動電晶體之間極·源極間電位保持 於固定之狀態下由於節點ND 1 $位保持 U之电位會下降，所以流至 91868.doc •25- 1255438 驅動電晶體（TFT 111)之電流不會變化。因而，流至EL發光 元件之電流亦不會變化，即使EL發光元件之Ι-ν特性劣化， 亦"Τ經$持續流入相當於輸入電壓Vin的電流，可解決以往 之問題。 如同以上說明般，依據本第丨實施形態，則由於其構成將 作為驅動電晶體之TFT 111的源極連接在發光元件i 14之陽 極上，汲極連接在電源電位Vcc上，在打丁 lu之閘極•源 極間連接有電容器c 111，將TFT 111之源極電位介以作為 開關電晶體之TFT 11 3而連接在固定電位上，所以可獲得如 下效果。 即使EL發光元件之i-v特性歷時變化，亦可進行沒有亮度 劣化之源極隨輕器輸出。 可成為η通道電晶體之源極隨轉器電路，且在使用現狀之 陽極•陰極電極之狀態下，可使通道電晶體作為£乙發光 元件之驅動元件。
又，可只以η通道來構成像素電路之電晶體，且可在TFT 製作中使用a-Si製程。藉此，可獲得TFT基板之低成本化。 <第2實施形態> 圖12係顯示採用本第2實施形態之像素電路之有機EL顯 示裝置之構成的方塊圖。 圖13係在圖12之有機EL顯示裝置中顯示第2實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 如圖12及圖1 3所示，該顯示裝置2〇〇包含像素電路 (PXLC)201排列成mxn之矩陣狀的像素陣列部2〇2、水平選 91868.doc -26- 1255438 擇器（HSEL)203、寫入掃描器（WSCN)204、驅動掃描器 (DSCN)205、由水平選擇器203所選擇而供給相應於亮度資 訊之資料訊號的資料線DTL201-DTL20n、由寫入掃描器204 所選擇驅動的掃描線WSL201-WSL20m及由驅動掃描器205 所選擇驅動之驅動線DSL201-DSL20m。 另外，在像素陣列部202中，像素電路201雖排列成mxn 之矩陣狀，但是在圖12中為了簡化圖式起見而顯示排列成 2(=m)x3(=n)之矩陣狀的例子。 又，圖13中亦為了簡化圖式而顯示一個像素電路之具體 的構成。 如圖13所示，本第2實施形態之像素電路201包含η通道 TFT 211-TFT 213、電容器 C211、由有機 EL 元件（OLED : 光電元件）構成之發光元件214及節點ND 211、ND 212。 又，圖13中，DTL 201顯示資料線，WSL 201顯示掃描線， DSL 201顯示驅動線。 該等構成要素中，TFT 211構成本發明之場效電晶體，TFT 212構成第一開關，TFT 213構成第二開關，電容器C 211構 成本發明之像素電容元件。 又，掃描線WSL 201對應本發明之第一控制線，驅動線 DSL 201對應第二控制線。 又，電源電壓Vcc之供給線（電源電位）相當於第一基準電 位，接地電位GND相當於第二基準電位。 像素電路201中，在TFT 211之源極與發光元件214之陽極 之間分別連接有TFT 213之源極•汲極，TFT 211之汲極連 91868.doc -27- 1255438 接在包源電位Vcc上，發光元件214之陰極連接在接地電位 GND上。亦即，電源電位Vcc與接地電位GND之間，串聯連
接有作為驅動電晶體之TFT 211、作為開關電晶體之TFT
213及么光元件214。然後，利用發光元件2丨4之陽極與TFT 213之源極的連接點構成節點ND 211。 TFT 211之閘極連接在節點ND 212上。然後，在節點nd 211與ND212之間，即TFT211之閘極與發光元件214之陽極 之間’連接有作為像素電容以之電容器C211。電容器C211 之第一電極連接在節點1^)211上，第二電極連接在節點1^〇 212 上。 TFT 213之閘極連接在驅動線DSL 2〇1上。又，在資料線 DTL 201與郎點nd 2 12上分別連接有作為第一開關之tft 212的源極•汲極。然後，TFT212之閘極連接在掃描線wsl 201 上。 如此，本實施形態之像素電路201的構成，係作為驅動電 晶體之TFT 211的源極與發光元件214之陽極利用作為開關 電晶體之TFT 213連接，在TFT 211之閘極與發光元件214之 陽極間連接有電容器C 211。 其次參照圖14A至圖14E及圖15A至圖15F以像素電路之 動作為中心說明上述構成之動作。 另外’圖15 A係顯示施加在像素排列之第一列掃描線wsl 201上的掃描信號ws[201]，圖15B係顯示施加在像素排列之 第一列掃描線WSL 202上的掃描信號ws[202]，圖15C係顯示 施加在像素排列之第一列驅動線DSL 201上的驅動信號 91868.doc -28- 1255438 ds[201 ]，圖15D係顯示施加在像素排列之第二列驅動線DSL 202上的驅動信號ds[202]，圖15E係顯示TFT 211之閘極電位 Vg，圖15F係顯示TFT 211之陽極側電位，即節點ND 211之 電位 VND 211。 首先，如圖15A至圖15D所示，通常在EL發光元件214呈 發光狀態時，利用寫入掃描器204將送至掃描線WSL201、 WSL202、…之掃描信號ws[201]、ws[202]、…選擇性地設 定在低位準，而利用驅動掃描器205將送至驅動線 DSL201、DSL202、…之驅動信號ds[201]、ds[202]、…選 擇性地設定在高位準。 結果，如圖14A所示，像素電路201中，TFT212保持於 截止狀態，而TFT 213保持於導通狀態。 此時，在作為驅動電晶體之TFT 211與EL發光元件214上 有電流流動。 其次，如圖15入至圖150所示，在丑1^發光元件214之非發 光期間，利用寫入掃描器204將送至掃描線WSL201、 WSL202、…之掃描信號ws[201]、ws[202]、…保持於低位 準，而利用驅動掃描器205將送至驅動線DSL201、 DSL202、…之驅動信號ds[201]、ds[202]、…選擇性地設定 在低位準。 結果，如圖14B所示，像素電路201中，TFT 212保持截止 狀態之狀態下，TFT 213導通。 此時，保持於EL發光元件214之電位，因供給源變無而下 降。該電位下降至EL發光元件214之臨限電壓Vth。但是， 91868.doc -29- 1255438 由於在EL發光元件214上亦有截止電流流動，所以當更進一 步持續非發光期間時就會下降至GND。 另一方面，作為驅動電晶體之TFT 2 11，因閘極電位高而 保持於導通狀態，TFT 2 11之源極電位升壓至電源電壓 Vcc。該升壓可在短時間内進行，升壓至Vcc後在TFT 211 上沒有電流流動。 換句話說，以上在本第2實施形態之像素電路中，於非發 光期間可不在像素電路内流入電流而使之動作，可抑制面 板之消耗電力。 其次，如圖15A至圖15D所示，在EL發光元件214之非發 光期間，利用驅動掃描器205將送至驅動線DSL201、 DSL202、…之驅動信號ds[201]、ds[202]、…保持於低位準 之狀態下，而利用寫入掃描器204將送至掃描線WSL201、 WSL202、…之掃描信號ws[201]、ws[202]、…選擇性地設 定在高位準。 結果，如圖14C所示，在像素電路201中，TFT 213保持於 截止狀態之狀態下，TFT 212導通。藉此，利用水平選擇器 203傳遞至資料線DTL 201之輸入信號（Vin)可寫入作為像 素電容Cs之電容器C 211。 此時，如圖15F所示，由於作為開關電晶體之TFT 21 3的 陽極側電位Va，即節電ND 2 11之電位VND 2 11處於接地電 位位準（GND位準），所以在作為像素電容Cs之電容器C 211 上保持有與輸入信號之電壓Vin相等的電位。 之後，如圖15A至圖15D所示，在EL發光元件214之非發 91868.doc -30- 1255438 光期間，利用驅動掃描器205將送至驅動線DSL201、 DSL202、…之驅動信號ds[201]、ds[202]、…保持於低位準 之狀態下，而利用寫入掃描器204將送至掃描線WSL201、 WSL202、…之掃描信號ws[201]、ws[202]、…選擇性地設 定在低位準。 結果，如圖14D所示，在像素電路201中，TFT 212變成截 止狀態，並結束對作為像素電容之電容器C 2 11寫入輸入信 號。
之後，如圖15A至圖15D所示，利用寫入掃描器204將送 至掃描線WSL201、WSL202、…之掃描信號ws[201]、 ws[202]、…保持於低位準，而利用驅動掃描器205將送至 驅動線DSL2(H、DSL202、…之驅動信號ds[201]、ds[202]、… 選擇性地設定在高位準。 結果，如圖14E所示，在像素電路201中，TFT 213變成導 通狀態。
隨著TFT 213導通，電流流入EL發光元件214，TFT 211 之源極電位下降。如此，無論作為驅動電晶體之TFT 211的 源極電位是否變動，由於在TFT 211之閘極與發光元件214 之陽極間有電容，所以閘極•陽極電位經常以Vin保持著。 此時，由於作為驅動電晶體之TFT 211在飽和區動作，所以 流至該TFT 211之電流值Ids變成前述之式1所示的值，此為 驅動電晶體之閘極•源極電壓Vgs。 在此，TFT 21 3由於在非飽和區動作，所以可看作單純之 電阻值。因而，TFT 211之閘極•源極電壓成為從Vin減去 91868.doc -31 - 1255438 TFT 21 3所造成之電壓降的值者。換句話說，流至TFT 211 之電流量可由Vin所決定。 如以上所述，EL發光元件214隨著發光時間變長，其I-V 特性即使劣化，在本第2實施形態之像素電路201中，由於 在作為驅動電晶體之TFT 211之閘極•源極間電位保持於 固定之狀態下節點ND 2 11之電位會下降，所以流至TFT 2 11 之電流不會變化。
因而，流至EL發光元件之電流亦不會變化，即使EL發光 元件之I-V特性劣化，亦可經常持續流入相當於輸入電壓 Vin的電流，可解決以往之問題。 此外，藉由提高TFT 213之閘極的導通電壓，即可抑制因 TFT 2 13之臨限值Vth不均所造成的電阻值不均。 另外，在圖13中，雖將發光元件2 14之陰極電極的電位設 在接地電位GND，但是此亦可為任何的電位。
又，如圖16所示，像素電路之電晶體並非為η通道，亦可 以ρ通道TFT 221-223來構成像素電路。該情況，在EL發光 元件224之陽極側連接有電源，在陰極側連接有作為驅動電 晶體之TFT 221。 更且，作為開關電晶體之TFT 212、TFT 213亦可為與作 為驅動電晶體之TFT 2 11不同極性的電晶體。 在此，比較本第2實施形態之像素電路201與前述第1實施 形態之像素電路101。
本第2實施形態之像素電路201與第1實施形態之像素電 路101的基本差異點在於，作為開關電晶體之TFT 2 13與TFT 91868.doc -32- 1255438 113之連接位置不同。 一般而言有機EL元件之I_V特性，會隨時間而劣化。然 而，第1實施形悲之像素電路1 0 1中，為了 TFT i丨丨之閘極· 源極間的電位差Vs可經常保持著，由於流至τρτ 111之電流 為固定，所以即使有機EL元件之特性劣化亦可保持其亮 度。 第1實施形態之像素電路101中，當TFT 112截止TFT 113 導通時，驅動電晶體TFT 111之源極電位Vs變成接地電位， 有機EL元件114不發光而變成非發光期間。同時像素電容之 第一電極（單側）亦成為接地電位GND。但是，即使在該非 發光期間，閘極•源極間電壓亦可持續保持，且在該像素 電路101内使電流從電源（VCC)至GND之方式流動。 一般而言在有機EL元件中有發光期間與非發光期間，面 板之亮度可由發光之強度與發光期間之積所決定。通常由 於發光期間越短，動晝特性越加，所以較佳為在較短之發 光期間使用面板。在此為了在縮短發光期間時獲得相同之 亮度’而有需要提高有機EL元件之發光強度，且有必要在 驅動電晶體上流入更多的電流。 在此，就第1實施形態之像素電路101進一步研究。 第1實施形態之像素電路101中，如上所述，即使在非發 光期間亦有電流流動。因而，當縮短非發光期間，且提高 流動之電流量時，則由於即使在非發光期間亦有電流持續 流入，所以會增加消耗電流。 又’第1實施形態之像素電路101中，電源電位VVCC與接 91868.doc -33- 1255438 地電位GND配線需要在面板内。因此，有需要在TFT側之 面板内部布局二種配線。Vcc與GND為了防止電壓降，有需 要以低電阻來配線。因而，當進行二種配線時，有需要擴 大配線所帶來之布局面積。因此，當像素間距隨著面板之 高精細化而變小時，有電晶體等難以配置之虞。同時有在 面板内部增加Vcc配線與GND配線之重疊的區域之虞，且有 抑止良率提高之虞。 相對於此，依據第2實施形態之像素電路201，則與其說 可獲得上述第1實施形態之效果，其更可獲得消耗電流、配 線之削減、良率提高等的效果。 依據本第2實施形態，則即使EL發光元件之I-V特性歷時 變化，亦可進行沒有亮度劣化之源極隨耦器輸出。 可成為η通道電晶體之源極隨耦器電路，且在使用現狀之 陽極•陰極電極之狀態下，可使用η通道電晶體作為EL發光 元件之驅動元件。 又，可只以η通道構成像素電路之電晶體，且可在TFT製 作中使用a-Si製程。藉此可獲得TFT基板之低成本化。 更且，依據第2實施形態，可削除TFT側之GND配線，且 可進行周邊之配線部局或像素布局。 又，可削除TFT側之GND配線，可除掉TFT基板之GND配 線- Vcc配線之重豐’及提局良率。 又，可削除TFT側之GND配線，可消除TFT基板之GND配 線-Vcc配線之重疊，可以低電阻布局Vcc配線，及獲得高均 勻之晝質。 91868.doc -34- 1255438 <第3實施形態> 圖Π係顯示採用本第3實施形態之像素電路之有機£1^顯 示裝置之構成的方塊圖。 圖18係在圖17之有機EL顯示裝置中顯示第3實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 本第3實施形態之顯示裝置2〇〇A與第2實施形態之顯示裝 200的差異點，在於像素電路中作為像素電容&之電容器〔 211的連接位置不同。 具體而言’第2實施形態之像素電路201中，將電容器c 211連接在作為驅動電晶體之tft 211的閘極與EL發光元件 214之陽極側之間。 相對於此，本第3實施形態之像素電路2〇1人中，將電容器 C 211連接在作為驅動電晶體之tft 211的閘極與源極間。 具體而言，電容器C 211之第一電極連接在TFT 211之源極 與作為開關電晶體之TFT 213的連接點（節點ND 211A)上， 第二電極連接在節點ND 212上。 其他構成則與上述第2實施形態同樣。 其次，參照圖19A至圖19E及圖20A至圖20F以像素電路之 動作為中心說明上述構成之動作。 首先，如圖20A至圖20D所示，通常在EL發光元件214呈 發光狀態時，利用寫入掃描器204將送至掃描線WSL201、 WSL202、…之掃描信號ws[201]、ws[202]、…選擇性地設 疋在低位準’而利用驅動掃描器205將送至驅動線 DSL201、DSL202、…之驅動信號 ds[201]、ds[202]、…選 91868.doc -35- 1255438 擇性地設定在高位準。 結果，如圖19A所示，像素電路201中，TFT 2 12保持於 截止狀態，而TFT 213保持於導通狀態。 此時，在作為驅動電晶體之TFT 211與EL發光元件214上 有電流Ids流動。
其次，如圖20A至圖20D所示，在EL發光元件214之非發 光期間，利用寫入掃描器204將送至掃描線WSL201、 WSL202、…之掃描信號ws[201]、ws[202]、…保持於低位 準，而利用驅動掃描器205將送至驅動線DSL201、 DSL202、…之驅動信號ds[201]、ds[202]、…選擇性地設定 在低位準。 結果，如圖19B所示，像素電路201中，TFT 2 12保持截止 狀態之狀態下，TFT 213導通。
此時，保持於EL發光元件214之電位，因供給源變無而下 降。該電位下降至EL發光元件214之臨限電壓Vth。但是， 由於在EL發光元件214上亦有截止電流流動，所以當更進一 步持續非發光期間時就會下降至GND。 另一方面，作為驅動電晶體之TFT 211，因閘極電位高而 保持於導通狀態，如圖20F所示，TFT 211之源極電位Vs升 壓至電源電壓V c c。該升壓可在短時間内進行，升壓至V c c 後在TFT 2 11上沒有電流流動。 換句話說，以上在本第3實施形態之像素電路201A中，於 非發光期間可不在像素電路内流入電流而使之動作，可抑 制面板之消耗電力。 91868.doc -36- 1255438 其次，如圖20A至圖20D所示，在EL發光元件214之非發 光期間，利用驅動掃描器205將送至驅動線DSL201、 DSL202、…之驅動信號ds[201]、ds[202]、…保持於低位準 之狀態下，而利用寫入掃描器204將送至掃描線WSL201、 WSL202、…之掃描信號ws[201]、ws[202]、…選擇性地設 定在高位準。 結果，如圖19C所示，在像素電路201中，TFT 213保持於 截止狀態之狀態下，TFT 2 12導通。藉此，利用水平選擇器 203傳遞至資料線DTL 201之輸入信號（Vin)可寫入作為像 素電容Cs之電容器C 211。 此時，如圖20F所示，由於作為開關電晶體之TFT 213的 源極電位Vs為電源電位Vcc，所以在作為像素電容Cs之電容 器C 211上相對於輸入信號之電壓Vin，保持有與（Vin-Vcc) 相等的電位。 之後，如圖20A至圖20D所示，在EL發光元件214之非發 光期間，利用驅動掃描器205將送至驅動線DSL201、 DSL202、…之驅動信號ds[201]、ds[202]、…保持於低位準 之狀態下，而利用寫入掃描器204將送至掃描線WSL201、 WSL202、…之掃描信號ws[201]、ws[202]、…選擇性地設 定在低位準。 結果，如圖19D所示，在像素電路201中，TFT 212變成截 止狀態，並結束對作為像素電容之電容器C 211寫入輸入信 號。 之後，如圖20A至圖20D所示，利用寫入掃描器204將送 91868.doc -37- 1255438 至掃描線WSL201、WSL202、…之掃描信號ws[201]、 ws[202]、…保持於低位準，而利用驅動掃描器2〇5將送至 驅動線DSL2(H、DSL202、…之驅動信號ds[2〇l]、ds[202]、… 選擇性地設定在高位準。 結果，如圖19E所示，在像素電路2〇1中，TFT 213變成導 通狀態。 者TFT 2 1 3導通’電流流入EL發光元件2 14，TFT 2 11 之源極電位下降。如此，無論作為驅動電晶體之TFT 21 i的 源極電位是否變動，由於在TFT 211之閘極與源極間有電 谷’且未連接有其他的電晶體等，所以TFT 2丨丨之閘極•源 極間電壓經常以（Vin-Vcc)保持著。此時，由於作為驅動電 晶體之TFT 2 11在飽和區動作，所以流至該TFT hi之電流 值Ids變成前述之式1所示的值，此為驅動電晶體之閘極· 源極間電壓Vgs，且為（Vin-Vcc)。 換句話說，可以說流至TFT 211之電流量可由vin所決定。 如以上所述，EL發光元件214隨著發光時間變長，其 4寸性即使劣化，在本第3實施形態之像素電路丨A中，由於 在作為驅動電晶體之TFT 211之閘極•源極間電位保持於 固疋之狀悲下節點ND 211A之電位會下降，所以流至TFT 211之電流不會變化。 因而，流至EL發光元件214之電流亦不會變化，即使el 發光元件214之ϊ.ν特性劣化，亦可經常持續流人相當於輸 入電壓Vin的電流，可解決以往之問題。 此外，由於在TFT 211之閘極•源極間沒有像素電容以 91868.doc -38- 1255438 以外的電晶體等，所以作為驅動電晶體之TFT 2 11的閘極· 源極間電位Vgs完全不會如以往方式般因臨限值Vth不均而 產生變化。 另外，在圖1 8中，雖將發光元件214之陰極電極的電位設 在接地電位GND，但是此亦可為任何的電位。寧可說，設 為負電源較能降低Vcc之電位，且輸入信號電壓之電位亦可 下降。
又，由於不需要GND配線所以可削減面板之輸入接腳 數，亦可容易進行像素布局。此外，由於Vcc與GND線之面 板内部的交叉部變無，所以亦可容易提高良率。 又，如圖21所示，像素電路之電晶體並非為η通道，亦可 以ρ通道TFT 231-233來構成像素電路。該情況，在EL發光 元件234之陽極側連接有電源，在陰極側連接有作為驅動電 晶體之TFT 231。
更且，作為開關電晶體之TFT 212、TFT213亦可為與作 為驅動電晶體之TFT 211不同極性的電晶體。 依據本第3實施形態，則即使EL發光元件之I-V特性歷時 變化，亦可進行沒有亮度劣化之源極隨柄器輸出。 可成為η通道電晶體之源極隨耦器電路，且在使用現狀之 陽極•陰極電極之狀態下，可使用η通道電晶體作為EL發光 元件之驅動元件。 又，可只以η通道構成像素電路之電晶體，且可在TFT製 作中使用a-Si製程。藉此可獲得TFT基板之低成本化。 更且，依據第2實施形態，可削除TFT側之GND配線，且 91868.doc -39- 1255438 可進行周邊之配線部局或像素布局。 又，可削除TFT側之GND配線，可除掉TFT基板之GND配 線-Vcc配線之重疊，及提高良率。 又，可削除TFT側之GND配線，可消除TFT基板之GND配 線-Vcc配線之重疊，可以低電阻布局Vcc配線，及獲得高均 勻之畫質。 <第4實施形態> 圖22係顯示採用本第4實施形態之像素電路之有機el顯 示裝置之構成的方塊圖。 圖23係在圖22之有機EL顯示裝置中顯示第4實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 如圖22及圖23所示’該顯示裝置300包含像素電路 (PXLC)301排列成mxn之矩陣狀的像素陣列部302、水平選 擇器（HSEL)303、第一寫入掃描器（WSCN1)304、第二寫入 掃描器（WSCN2)305、驅動掃描器（DSCN)306、恆定電壓源 (CVS)307、由水平選擇器303所選擇而供給相應於亮度資訊 之資料訊號的資料線DTL301-DTL30n、由寫入掃描器304 所選擇驅動的掃描線WSL301-WSL30m、由寫入掃描器3〇5 所選擇驅動的掃描線\\^1^311-界81^31111及由驅動掃描器3〇6 所選擇驅動之驅動線DSL301-DSL30m。 另外，在像素陣列部302中，像素電路301雖排列成mxn 之矩陣狀，但是在圖22中為了簡化圖式起見而顯示排列成 2(=111)/3(=11)之矩陣狀的例子。 又，圖23中亦為了簡化圖式而顯示一個像素電路之具體 91868.doc -40- 1255438 的構成。 如圖23所示，本第4實施形態之像素電路3〇1包含η通道 TFT 311-TFT 314、電容器 C311、由有機EL 元件（〇LED · 光笔元件）構成之發光元件3 1 5及節點ND 3 11、ND 3 12。 又，圖23中，DTL· 301顯示資料線，WS[ 301、WSL· 311 顯示掃描線，DSL 301顯示驅動線。 該等構成要素中，TFT 311構成本發明之場效電晶體，TFT 312構成第一開關，TFT 313構成第二開關，TFT 314構成第 一開關’電谷裔C 3 11構成本發明之像素電容元件。 又，掃描線WSL 301對應本發明之第一控制線，驅動線 DSL 301對應第二控制線，掃描線WSL 3丨丨對應第三控制線。 又，電源電壓Vcc之供給線（電源電位）相當於第一基準電 位’接地電位GND相當於第二基準電位。 像素電路301中，在TFT 311之源極與發光元件315之陽極 之間分別連接有TFT 313之源極•汲極，TFT 311之汲極連 接在電源電位Vcc上，發光元件315之陰極連接在接地電位 GND上。亦即，電源電位Vcc與接地電位之間，串聯連 接有作為驅動電晶體之TFT 311、作為開關電晶體之τρτ 313及發光元件315。然後，利用發光元件315之陽極與丁1^丁 313之連接點構成節點nd 311。 TFT 311之閘極連接在節點ND 312上。然後，在節點ND 311與ND 312之間，即TFT 3 11之閘極與節點ND3U(發光元 件3丨5之陽極）之間，連接有作為像素電容cs之電容器〔 311。毛谷态C 311之第一電極連接在節點^^ 311上，第二 91868.doc -41 - 1255438 電極連接在節點ND 312上。 TFT 3 13之間極連接在驅動線DSL 3〇1上。又，在資料線 咖3〇1與節點ND 312上分別連接有作為第—開關貝之所 312的源極•汲極e_，TFT312之閘極連接在掃描線魏 301 上。 更且，在節點ND 3 11與恆定電壓源3〇7之間分別連接有 TFT 314之源極•汲極，TFT 314之閘極連接在掃描線w儿 311 上。 如此，本實施形態之像素電路3〇1的構成，係作為驅動電 晶體之TFT 311的源極與發光元件315之陽極利用作為開關 taaa^^TFT313i4# ^ ^ND3U(# 光元件315之陽極）間連接有電容器C3U，且節點nd3ii* 以TFT314連接在恆定電壓源3〇7(固定電壓線）上。 其次參照圖24A至圖24E及圖25A至圖25H以像素電路之 動作為中心說明上述構成之動作。 另外，圖25 A係顯示施加在像素排列之第一列掃描線wsl 301上的掃描信號ws[3〇1]，圖25B係顯示施加在像素排列之 第二列掃描線WSL 302上的掃描信號ws[302]，圖25c係顯示 施加在像素排列之第一列掃描線WSL 3丨丨上的掃描信號 ws [3 11 ]’圖25D係顯示施加在像素排列之第二列掃描線 WSL 3 12上的掃描信號ws[3丨2]，圖25E係顯示施加在像素排 歹J之苐列驅動線DSL 3 01上的驅動信號ds [3 01 ]，圖25F係 顯不施加在像素排列之第二列驅動線DSL 302上的驅動信 號(18[302]，圖25〇係顯示丁？丁311之閘極電位乂8，圖2511係 91868.doc -42· 1255438 顯示TFT 311之陽極側電位，即節點ND 311之電位VND 311° 首先，如圖25A至圖25F所示，通常在EL發光元件315呈 發光狀態時，利用寫入掃描器304將送至掃描線WSL301、 WSL3 02、…之掃描信號ws[301]、ws[302]、…選擇性地設 定在低位準，利用寫入掃描器305將送至掃描線WSL311、 WSL312、…之掃描信號ws[311]、ws[312]、…選擇性地設 定在低位準，而利用驅動掃描器306將送至驅動線 DSL301、DSL302、…之驅動信號ds[301]、ds[302]、…選 擇性地設定在高位準。 結果，如圖24A所示，像素電路301中，TFT 312、314 保持於截止狀態，而TFT 31 3保持於導通狀態。 此時，由於作為驅動電晶體之TFT 3 11在飽和區驅動，所 以相對於其閘極•源極間電壓Vgs的電流Ids，流至TFT 311 與EL發光元件315。 其次，如圖25A至圖25F所示，在EL發光元件315之非發 光期間，利用寫入掃描器304將送至掃描線WSL301、 WSL3 02、…之掃描信號ws[301]、ws[302]、…保持於低位 準，利用寫入掃描器305將送至掃描線WSL311、WSL312、… 之掃描信號ws[3 11 ]、ws[3 12]、…保持於低位準，而利用驅 動掃描器306將送至驅動線DSL301、DSL302、…之驅動信 號ds[301]、ds[302]、…選擇性地設定在低位準。 結果，如圖24B所示，像素電路301中，TFT 312、TFT 314 保持截止狀態之狀態下，TFT 3 13截止。 91868.doc -43 - 1255438 此時，保持於EL發光元件3 15之電位，因供給源變無而下 降，EL發光元件315變成非發光。該電位下降至EL發光元 件3 15之臨限電壓Vth。但是，由於在EL發光元件315上亦有 截止電流流動，所以當更進一步持續非發光期間時其電位 就會下降至GND。 另一方面，作為驅動電晶體之TFT 3 11，因閘極電位高而 保持於導通狀態，如圖25G所示，TFT 311之源極電位升壓 至電源電壓Vcc。該升壓可在短時間内進行，升壓至Vcc後 在TFT 3 11上沒有電流流動。 換句話說，以上在本第4實施形態之像素電路301中，於 非發光期間可不在像素電路内流入電流而使之動作，可抑 制面板之消耗電力。 其次，如圖25A至圖25F所示，在EL發光元件315之非發 光期間，利用驅動掃描器306將送至驅動線DSL301、 DSL3 02、…之驅動信號ds[301]、ds[302]、…保持於低位準 之狀態下，利用寫入掃描器304將送至掃描線WSL301、 WSL302、…之掃描信號ws[301]、ws[302]、…選擇性地設 定在高位準，而利用寫入掃描器305將送至掃描線 WSL311、WSL312、…之掃描信號 ws[311]、ws[312]、…選 擇性地設定在南位準。 結果，如圖24C所示，在像素電路301中，TFT 313保持於 截止狀態之狀態下，TFT 312、TFT 3 14導通。藉此，利用 水平選擇器303傳遞至資料線DTL 301之輸入信號（Vin)可 寫入作為像素電容Cs之電容器C 311。 91868.doc -44- 1255438 在寫入该"^號線電壓時事先使TFT 314導通是彳p重要 的。在沒有TFT 314之情況，當TFT 312導通而影像信號寫 入像素電容Cs時，TFT 311之源極電位％進入耦合。相對於 此，當使將節點ND 311連接在恆定電壓源3〇7上的tft 314 導通時，由於變成連接在低阻抗之配線線路上，所以可在 TFT 311之源極電位側（節點ND311)上寫入配線線路之電壓 值。 ^ 此時，當將配線線路之電位設為％時，由於作為驅動電 晶體之TFT 3 11的源極側電位（節點ND 3丨丨之電位）變成
Vo所以在像素電谷cs上相對於輸入信號之電壓vin，保持 有與（Vin-Vo)相等的電位。 之後，如圖25A至圖25F所示，在EL發光元件315之非發 光期間，利用驅動掃描器306將送至驅動線DSL3〇1、 DSL302、…之驅動信號ds[3〇1]、ds[3〇2]、…保持於低位準 之狀態下’利用寫入掃描器3〇5將送至掃描線WSL3丨1、 WSL312、…之掃描信號WS[3U]、ws[312]、…選擇性地設 定在高位準，而利用寫入掃描器3〇4將送至掃描線 WSL301、WSL302、…之掃描信號 ws[3〇1]、ws[3〇2]、···選 擇性地設定在低位準。 結果’如圖24D所示，在像素電路3〇1中，TFT 312變成截 止狀恶’並結束對作為像素電容之電容器C 3 11寫入輸入信 號。 此時’ TFT 3 11之源極側電位（節點nd 3 11之電位）由於有 必要維持低阻抗，所#TFT314維持導通狀態。 91868.doc -45- 1255438 之後，如圖25A至圖25F所示，利用寫入掃描器304將送至 掃描線WSL301、WSL302、…之掃描信號ws[301]、 ws[302]、…保持於低位準之狀態下，在利用寫入掃描器305 將送至掃描線WSL311、WSL312、…之掃描信號ws[311]、 ws[312]、…設定在低位準之後，利用驅動掃描器306將送 至驅動線DSL301、DSL302、…之驅動信號ds[301]、 ds[3 02]、…選擇性地設定在高位準。 結果，如圖24E所示，在像素電路301中，TFT 3 14截止之 後，TFT 313變成導通狀態。 隨著TFT 313導通，電流流入EL發光元件315，TFT 311 之源極電位下降。如此，無論作為驅動電晶體之TFT 3 11的 源極電位是否變動，由於在TFT 3 11之閘極與發光元件315 之陽極間有電容，所以TFT 3 11之閘極•源極間電壓，經常 以（Vin-Vo)保持著。 此時，由於作為驅動電晶體之TFT 3 11在飽和區驅動，所 以流至該TFT 3 11之電流值Ids變成前述之式1所示的值，此 為驅動電晶體之閘極•源極電壓Vgs，且為（Vin-Vo)。 換句話說，可以說流至TFT 3 11之電流量可由Vin決定。 如此，在信號寫入期間中藉由使TFT 3 14導通將TFT 311 之源極側電位事先設在低阻抗，即可將像素電容之TFT 3 11 的源極側經常設定在固定電位，且沒有必要考慮因信號線 寫入時之耦合所造成的晝質劣化，而可在短時間内寫入信 號線電壓。又，亦可增加像素電容，可應付漏電流特性。
如以上所述，EL發光元件3 15隨著發光時間變長，其I-V 91868.doc -46- 1255438 特性即使劣化，在本第4實施形態之像素電路3〇ι中，由於 在作為驅動電晶體之TFT 311之閘極·源極間電位保持於 固定之狀態下節點ND 311之電位會下降，所以流至TFT 311 之電流不會變化。 因而，流至EL發光元件315之電流亦不會變化，即使el 發光元件315之π特性劣化，亦可經常持續流人相當於輸 入電壓Vin的電流，可解決以往之問題。 此外，由於在TFT 313之間極•源極間不具有像素電容& 以外的電晶體等’所以完全不會如以往方式般因臨限值v t h 不均而使作為驅動電晶體之TFT 311的閘極•源極間電壓
Vgs產生變化。 另外，雖然對於連接在TFT314之配線電位（恆定電壓源） 沒有限制，但是如圖26所示，當將其電位設為與να相同 時，即可削減信號線之配線。藉此，可輕易進行面板配線 部、像素部之布局。又，亦可削減面板輸入之銲墊。 另一方面，作為驅動電晶體之TFT3U的閘極•源極間電 壓Vgs係如前面所述，可由vin_v〇所決定。因而，例如圖η 所示，當將Vo設定在接地電位GND等之較低電位時，輸入 信號電壓Vin就可由GND位準附近之低電位所作成，無須周 邊1C之信號的升壓處理等。更且，亦可使作為開關電晶體 之TFT 3 1 3的導通電壓降低，且可在不施加負擔至外部〗。下 設計° 又，圖23中，雖將發光元件315之陰極電極的電位設在接 地黾位GND，但疋此亦可為任何的電位。寧可說，設為負 91868.doc -47- 1255438 電源較能降低Vcc之電位，且亦可降低輸入信號電壓之電 位。藉此，可在不施加負擔至外部1C下設計。 又，如圖28所示，像素電路之電晶體並非為η通道，亦可 由ρ通道TFT 321-324構成像素電路。該情況，在EL發光元 件324之陽極側連接有電源電位Vcc，且在陰極側連接有作 為驅動電晶體之TFT 321。 更且，作為開關電晶體之TFT 312、TFT 313、TFT 314 亦可為與作為驅動電晶體之TFT 3 11不同極性的電晶體。 依據本第4實施形態，則即使EL發光元件之I-V特性歷時 變化，亦可進行沒有亮度劣化之源極隨耦器輸出。 可成為η通道電晶體之源極隨耦器電路，且在使用現狀之 陽極•陰極電極之狀態下，可使用η通道電晶體作為EL發光 元件之驅動元件。 又，可只以η通道構成像素電路之電晶體，且可在TFT製 作中使用a-Si製程。藉此可獲得TFT基板之低成本化。 更且，依據第4實施形態，例如即使為黑信號亦可在短時 間内寫入信號線電壓，且可獲得均勻高的話值。同時可增 加信號線電容而抑制漏電流特性。 又，可削除TFT側之GND配線，且可進行周邊之配線部 局或像素布局。 又，可削除TFT側之GND配線，可除掉TFT基板之GND配 線-Vcc配線之重疊，及提高良率。 又，可削除TFT侧之GND配線，可消除TFT基板之GND配 線-Vcc配線之重疊，可以低電阻布局Vcc配線，及獲得高均 91868.doc -48- 1255438 勻之晝質。 更且，可將輸入信號電壓設在GND附近，可減輕對外部 驅動系統之負擔。 〈弟5實施形態> 圖29係顯示採用本第5實施形態之像素電路之有機此顯 示裝置之構成的方塊圖。 圖30係在圖29之有機El顯示裝置中顯示第5實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 本第5實施形態之顯示裝置3〇〇A與第4實施形態之顯示裝 300的差異點，在於像素電路中作為像素電容g之電容器^ 3 11的連接位置不同。 σσ
具體而言，第4實施形態之像素電路3〇1中，將電容器C 3 11連接在作為驅動電晶體之TFT 3 i i的閘極與紅發光元件 3 1 5之陽極側之間。 相對於此，本第5實施形態之像素電路301A中，將電容器 C 3Π連接在作為驅動電晶體之爪311的閘極與源極間。 =體而言，電容器c 311之第一電極連接在TFT 311之源極 二作為開關電晶體之TFT 313的連接點（節點311八）上， 第二電極連接在節點ND 3 12上。 其他構成則與上述第4實施形態同樣。 人參圖31A至圖31E及圖32A至圖32ίί以像素電路之 動作為巾心說明上述構成之動作。 &首先如圖32八至圖32F所示，通常在£1^發光元件315呈 一狀心日守，利用寫入掃描器3〇4將送至掃描線 91868.doc -49- 1255438 WSL3 02、…之掃描信號ws[301]、ws[302]、…選擇性地設 定在低位準，利用寫入掃描器305將送至掃描線WSL311、 WSL312、…之掃描信號ws[311]、ws[312]、…選擇性地設 定在低位準，而利用驅動掃描器306將送至驅動線 DSL301、DSL302、…之驅動信號 ds[301]、ds[302]、…選 擇性地設定在高位準。 結果，如圖31A所示，像素電路301中，TFT 312、314 保持於截止狀態，而TFT 313保持於導通狀態。 此時，由於作為驅動電晶體之TFT 3 11在飽和區驅動，所 以相對於其閘極•源極間電壓Vgs的電流Ids，流至TFT 311 與EL發光元件315。 其次，如圖32A至圖32F所示，在EL發光元件315之非發 光期間，利用寫入掃描器304將送至掃描線WSL301、 WSL302、…之掃描信號ws[301]、ws[302]、…選擇性地保 持於低位準，利用寫入掃描器305將送至掃描線WSL311、 WSL312、…之掃描信號ws[311]、ws[312]、…選擇性地保 持於低位準，而利用驅動掃描器306將送至驅動線 DSL301、DSL302、…之驅動信號ds[301]、ds[302]、…選 擇性地設定在低位準。 結果，如圖31B所示，像素電路301中，TFT 312、TFT314 保持截止狀態之狀態下，TFT 3 13截止。 此時，保持於EL發光元件3 15之電位，因供給源變無而下 降，EL發光元件315變成非發光。該電位下降至EL發光元 件315之臨限電壓Vth。但是，由於在EL發光元件315上亦有 91868.doc -50- 1255438 截止電流流動，所以當更進一步持續非發光期間時其電位 就會下降至GND。 另一方面，隨著EL發光元件315之陽極側的電壓降，作為 驅動電晶體之TFT 3 11的閘極電位亦介以電容器C 3 11而下 降。與之並行，在TFT 3 11上有電流流動，而其源極電位會 上升。 藉此，TFT 3 11變成截止狀態，在TFT 3 11上沒有電流流 動。
換句話說，以上在本第5實施形態之像素電路301A中，於 非發光期間可不在像素電路内流入電流而使之動作，可抑 制面板之消耗電力。
其次，如圖32A至圖32F所示，在EL發光元件315之非發 光期間，利用驅動掃描器306將送至驅動線DSL301、 DSL3 02、…之驅動信號ds[301]、ds[302]、…保持於低位準 之狀態下，利用寫入掃描器304將送至掃描線WSL301、 WSL302、…之掃描信號ws[301]、ws[302]、…選擇性地設 定在高位準，而利用寫入掃描器305將送至掃描線 WSL311、WSL312、…之掃描信號 ws[311]、ws[312]、…選 擇性地設定在高位準。 結果，如圖31C所示，在像素電路301A中，TFT313保持 於截止狀態之狀態下，TFT 312、TFT 3 14導通。藉此，利 用水平選擇器303傳遞至資料線DTL 301之輸入信號（Vin) 可寫入作為像素電容Cs之電容器C 311。 在寫入該信號線電壓時事先使TFT 3 14導通是很重要 91868.doc -51 - 1255438 的。在沒有TFT 314之情況，當TFT 312導通而影像信號寫 入像素電容Cs時，TFT 311之源極電位Vs進入耦合。相對於 此，當使將節點ND 311連接在恆定電壓源307上的TFT 314 導通時，由於變成連接在低阻抗之配線線路上，所以可在 TFT 3 11之源極電位側上寫入配線線路之電壓值。 此時，當將配線線路之電位設為Vo時，由於作為驅動電 晶體之TFT 3 11的源極電位變成Vo，所以在像素電容Cs上相 對於輸入信號之電壓Vin，保持有與（Vin-Vo)相等的電位。 之後，如圖32A至圖32F所示，在EL發光元件315之非發 光期間，利用驅動掃描器306將送至驅動線DSL301、 DSL302、…之驅動信號ds[301]、ds[302]、…保持於低位準， 且在利用寫入掃描器305將送至掃描線WSL311、 WSL312、…之掃描信號ws[311]、ws[312]、…保持於高位 準之狀態下，利用寫入掃描器304將送至掃描線WSL301、 WSL302、…之掃描信號ws[301]、ws[302]、…選擇性地設 定在低位準。 結果，如圖31D所示，在像素電路301A中，TFT312變成 截止狀態，並結束對作為像素電容之電容器C 3 11寫入輸入 信號。 此時，TFT 3 11之源極電位由於有必要維持低阻抗，所以 TFT 314維持導通狀態。 之後，如圖32A至圖32F所示，利用寫入掃描器304將送至 掃描線WSL301、WSL302、…之掃描信號ws[301]、 ws[302]、…保持於低位準之狀態下，在利用寫入掃描器305 91868.doc -52- 1255438 將送至掃描線WSL311、WSL312、…之掃描信號ws[311]、 ws[312]、…設定在低位準之後，利用驅動掃描器3〇6將送 至驅動線DSL301、DSL302、···之驅動信號ds[3〇1]、 ds[302]、…選擇性地設定在高位準。 結果’如圖31E所示’在像素電路3〇1中，TFT 3 14截止之 後，TFT 313變成導通狀態。 考TFT 3 13導通，電流流入el發光元件3 15，TFT 3 11 之源極電位下降。如此，無論作為驅動電晶體之TFT 3 1丄的 源極電位是否變動，由於在TFT 311之閘極與源極間有電 谷，所以TFT 3 11之閘極•源極間電壓，經常以（vin_Vcc) 保持著。 在此，由於TFT 3 13在非飽和區動作，所以被看作單純電 阻值。因❿，TFT 311之閘極•源極電壓成為從（vin_v〇)減 掉TFT 313之電壓降的值者。換句話說，流至打丁 311之電 流量可由Vin所決定。 如此，在信號寫入期間中藉由使TFT 314導通將TFT 311 之源極事先設在低阻抗，即可將像素電容之TFT3u的源極 側經常事先設在定電位，且沒有必要考慮因錢線寫入時 之搞α所成的晝貝劣彳b，而可在短時間内寫人信號線電 壓。又，可增加像素電容，應付漏電流特性。 此時，由於作為驅動電晶體之TFT 311在飽和區驅動，所 以流至該TFT3U之電流值此變成前述之式w示的值，此 為驅動電晶體之閘極·源極電壓Vgs，且為(Vin_Vcc)。 換句話說，可以說流至TFT3U之電流量可由^決定。 91868.doc -53- 1255438 如以上所述，EL發光元件315隨著發光時間變長，其 斗寸11即使劣化，在本第5實施形態之像素電路1A中，由於 在作為驅動電晶體之TFT 3 n之閘極•源極間電位保持於 固定之狀態下節點ND 311之電位會下降，所以流至tft3u 之電流不會變化。 口而，/瓜至EL發光元件3 15之電流亦不會變化，即使el 發光π件315之I-V特性劣化，亦可經常持續流入相當於輸 入電壓Vin的電流，可解決以往之問題。 另外，雖然對於連接在TFT 314之配線電位（恆定電壓源） 沒有限制，但是如圖33所示，當將其電位設為與Vcc相同 日守，即可削減信號線之配線。藉此，可輕易進行面板配線 部、像素部之布局。又，亦可削減面板輸入之銲墊。 另方面’作為驅動電晶體之TFT 3 11的閘極•源極間電 壓Vgs係如前面所述，可由vin_v〇所決定。因而，例如圖34 所不，當將Vo設定在接地電位GND等之較低電位時，輸入 信號電壓Vin就可由GND位準附近之低電位所作成，無須周 邊1C之#號的升壓處理等。更且，亦可使作為開關電晶體 之TFT 3 13的導通電壓降低，且可在不施加負擔至外部1(：：下 設計。 又’圖30中，雖將發光元件315之陰極電極的電位設在接 地電位GND，但是此亦可為任何的電位。寧可說，設為負 電源較能降低Vcc之電位，且亦可降低輸入信號電壓之電 位。藉此’可在不施加負擔至外部1C下設計。 又，如圖35所示，像素電路之電晶體並非為η通道，亦可 91868.doc -54- 1255438 由p通道TFT 321-324構成像素電路。該情況，在EL發光元 件334之陽極側連接有電源，且在陰極側連接有作為驅動電 晶體之TFT 331。 更且，作為開關電晶體之TFT 312、TFT 313、TFT 314 亦可為與作為驅動電晶體之TFT 3 11不同極性的電晶體。 依據本第5實施形態，則即使EL發光元件之Ι-V特性歷時 變化，亦可進行沒有亮度劣化之源極隨耦器輸出。 可成為η通道電晶體之源極隨耦器電路，且在使用現狀之 陽極•陰極電極之狀態下，可使用η通道電晶體作為EL發光 元件之驅動元件。 又，可只以η通道構成像素電路之電晶體，且可在TFT製 作中使用a-Si製程。藉此可獲得TFT基板之低成本化。 更且，依據第5實施形態，例如即使為黑信號亦可在短時 間内寫入信號線電壓，且可獲得均勻高的話值。同時可增 加信號線電容而抑制漏電流特性。 又，可削除TFT側之GND配線，且可進行周邊之配線部 局或像素布局。 又，可削除TFT側之GND配線，可除掉TFT基板之GND配 線-Vcc配線之重疊，及提高良率。 又，可削除TFT側之GND配線，可消除TFT基板之GND配 線-Vcc配線之重疊，可以低電阻布局Vcc配線，及獲得高均 勻之晝質。 更且，可將輸入信號電壓設在GND附近，可減輕對外部 驅動系統之負擔。 91868.doc -55- 1255438 <第6實施形態） 圖36係顯示採用本第6實施形態之像素電路之有機EL顯 示裝置之構成的方塊圖。 圖37係在圖36之有機EL顯示裝置中顯示第5實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 如圖36及圖37所示，該顯示裝置400包含像素電路 (PXLC)40 1排歹U成mxii之矩陣狀的像素陣歹部402、水平選 擇器（HSEL)403、寫入掃描器（WSCN)404、第一驅動掃描器 (DSCN1)405、第二驅動掃描器（DSCN2)406、第三驅動掃描 器（DSCN3)407、由水平選擇器403所選擇而供給相應於亮 度資訊之資料訊號的資料線DTL401 -DTL40n、由寫入掃描 器404所選擇驅動的掃描線WSL401-WSL40m、由第一驅動 掃描器405所選擇驅動之驅動線DSL401-DSL40m、由第二驅 動掃描器406所選擇驅動之驅動線031^411-031^41111及由第 三驅動掃描器407所選擇驅動之驅動線DSL421-DSL42m。 另外，在像素陣列部402中，像素電路401雖排列成mxn 之矩陣狀，但是在圖36中為了簡化圖式起見而顯示排列成 2(=m)x3(=n)之矩陣狀的例子。 又，圖37中亦為了簡化圖式而顯示一個像素電路之具體 的構成。 如圖37所示，本第6實施形態之像素電路401包含η通道 TFT 411-TFT 415、電容器 C411、由有機 EL 元件（OLED : 光電元件）構成之發光元件416及節點ND 411、ND 412。 又，圖37中，DTL 401顯示資料線，WSL 401顯示掃描線， 91868.doc -56- 1255438 DSL401、DSL411、DSL421 顯示驅動線。 °亥等構成要f中’ TFT 411構成本發明之場效電晶體，丁FT 412構成第一開關，TFt413構成第二開關，τρτ4ΐ4構成第 三開關，TFT 415構成第四開關’電容器c 411構成本發明 之像素電容元件。 又，掃描線WSL 401對應本發明之第一控制線，驅動線 DSL 40 1對應第二控制線、驅動線dsl 4丨丨對應第三控制 線、驅動線DSL 421對應第四控制線。 又黾源黾壓Vcc之供給線（電源電位）相當於第一基準電 位’接地電位GND相當於第二基準電位。 像素電路401中，在TFT411之源極與節點ND4U之間分 別連接有TFT 414之源極•汲極，節點1^〇 411與£1^發光元 件416之陽極之間分別連接有TFT 413之源極•汲極，tft 411之汲極連接在電源電位Vcc上，發光元件416之陰極連接 在接地電位GND上。亦即，電源電位Vcc與接地電位gnd 之間，串聯連接有作為驅動電晶體之TFT 41丨、作為開關電 晶體之TFT 414、TFT 413及發光元件416。 TFT 411之閘極連接在節點ND 412上。然後，在節點^^〇 411與ND 412之間，即TFT 411之閘極與源極側之間，連接 有作為像素電容Cs之電容器c 411。電容器c 411之第一電 極連接在節點ND 411上，第二電極連接在節點ND 412上。 TFT 413之閘極連接在驅動線dSL 4〇1上、TFT 414之閘極 連接在驅動線DSL411上。又，在資料線DTL4〇1與節點1^;〇 411(與電谷裔C 411之第一電極的連接點）之間分別連接有 91868.doc -57- 1255438 汲極。然後，TFT 412之 作為第一開關之TFT 412的源極 閘極連接在掃描線WSL 401上。 更且，在 415之源極 上0 節點膽412與電源電位Vee之間分別連接有爪 汲極，TFT 415之閘極連接在驅動線dsl 42i 如此，本實施形態之像素電路4〇1的構成，係作為驅動電 晶體之TFT 4U的源極與發光元件416之陽極利料為開關 電晶體之TFT414、TFT413連接，在tft4u之閘極與源極 側節點肋411間連接有電容^411，且tft4u之閉極（節 .2ND 412)介以TFT 415連接在電源電位Vcc(固定電壓線） 上0 其次，參照圖38A至圖38F '圖39及圖40A至圖4〇H以像素 電路之動作為中心說明上述構成之動作。 圖40A係顯示施加在像素排列之第一列掃描線wsl 4〇1 上的掃描信號WS[401]，圖40B係顯示施加在像素排列之第 一列掃描線WSL 402上的掃描信號ws[4〇2]，圖4〇c係顯示施 加在像素排列之第一列驅動線〇儿4〇1、DSL 411上的驅動 k號ds[401 ]、ds[411 ]，圖40D係顯示施加在像素排列之第 一列驅動線DSL 402 、DSL 412上的驅動信號ds[4〇l]、 ds[412] ’圖40E係顯示施加在像素排列之第一列驅動線dSL 42 1上的驅動信號ds[421]，圖40F係顯示施加在像素排列之 弟一列驅動線DSL 42 1上的驅動信號ds[422]，圖40G係顯示 TFT411之閘極電位Vg，即節點ND412之電位VND412，圖 40H係顯示TFT 411之陽極側電位，即節點nd 411之電位 91868.doc -58- 1255438 VND 411。 另外，由於即使TFT 413與TFT 414之任一方先導通或截 止均無問題，所以如圖4 0 C及圖4 0 D所示，將驅動線D S L 4 01 與DSL411、以及施力口在驅動線DSL402、DSL412上之驅動 信號ds[401]與ds[411]、驅動信號ds[402]與ds[412]設為相同 時序。 首先，如圖40A至圖40F所示，通常在EL發光元件416呈 發光狀態時，利用寫入掃描器404將送至掃描線WSL401、 WSL402、…之掃描信號ws[401]、ws[402]、…選擇性地設 定在低位準，利用驅動掃描器405將送至驅動線DSL401、 DSL402、…之驅動信號ds[401]、ds[402]、…選擇性地設定 在高位準，利用驅動掃描器406將送至驅動線DSL411、 DSL412、…之驅動信號ds[411]、ds[412]、…選擇性地設定 在高位準，利用驅動掃描器407將送至驅動線DSL421、 DSL422、…之驅動信號ds[421]、ds[422]、…選擇性地設定 在低位準。 結果，如圖38A所示，像素電路401中，TFT 414、TFT 413 保持於導通狀態，而TFT412與TFT415保持於截止狀態。 首先，如圖40A至圖40F所示，通常在EL發光元件416之 非發光狀態時，利用寫入掃描器404將送至掃描線 WSL401、WSL402、…之掃描信號 ws[401]、ws[402]、…保 持於低位準，利用驅動掃描器407將送至驅動線DSL42 1、 DSL422、…之驅動信號ds[421]、ds[422]、…保持於低位準， 利用驅動掃描器405將送至驅動線DSL401、DSL402、…之 91868.doc -59- 1255438 驅動信號ds[401]、ds[402]、…選擇性地設定在低位準，利 用驅動掃描器406將送至驅動線DSL411、DSL412、…之驅 動信號ds[411]、ds[412]、…選擇性地設定在低位準。 結果，如圖38B所示，像素電路401中，TFT 412、TFT 415 保持於截止狀態之狀態下，TFT 413、TFT414截止。 此時，保持於EL發光元件41 6之電位，因供給源變無而下 降，EL發光元件416變成非發光。該電位下降至EL發光元 件416之臨限電壓Vth。但是，由於在EL發光元件41 6上亦有 截止電流流動，所以當更進一步持續非發光期間時就會下 降至GND。 另一方面，作為驅動電晶體之TFT 411，因閘極電位高而 保持於導通狀態，TFT 411之源極電位升壓至電源電壓 Vcc。該升壓可在短時間内進行，升壓至Vcc後在TFT 411 上沒有電流流動。 換句話說，以上在本第6實施形態之像素電路401中，於 非發光期間可不在像素電路内流入電流而使之動作，可抑 制面板之消耗電力。 該狀態下，其次如圖40A至圖40F所示，利用驅動掃描器 405將送至驅動線DSL401、DSL402、…之驅動信號 ds[401]、ds[402]、…保持於低位準，利用驅動掃描器406 將送至驅動線DSL411、DSL412、…之驅動信號ds[411]、 ds[412]、…保持於低位準之狀態下，利用驅動掃描器407 將送至驅動線DSL421、DSL422、…之驅動信號ds[421]、 ds[422]、…選擇性地設定在高位準之後，利用寫入掃描器 91868.doc -60- 1255438 404將送至掃描線WSL401、WSL402、…之掃描信號 ws[401]、ws[402]、…選擇性地設定在高位準。 結果，如圖38C所示，在像素電路401中，TFT 413、TFT 414保持於截止狀態之狀態下，TFT 412、TFT412導通。藉 此，利用水平選擇器403傳遞至資料線DTL 401之輸入信號 可寫入作為像素電容Cs之電容器C 411。 此時，在作為像素電容Cs之電容器C 411上，保持有與電 源電壓Vcc和輸入電壓Vin之差（Vcc_Vin)相等的電位。 之後，如圖40A至圖40F所示，在EL發光元件416之非發 光期間，利用驅動掃描器405將送至驅動線DSL401、 DSL402、…之驅動信號ds[401]、ds[402]、…保持於低位準， 利用驅動掃描器406將送至驅動線DSL411、DSL412、…之 驅動信號ds[411]、ds[412]、…保持於低位準之狀態下，利 用驅動掃描器407將送至驅動線DSL421、DSL422、…之驅 動信號ds[421]、ds[422]、…選擇性地設定在低位準之後， 利用寫入掃描器404將送至掃描線WSL401、WSL402、…之 掃描信號ws[401]、ws[402]、…選擇性地設定在低位準。 結果，如圖38D所示，在像素電路401中，TFT 415、TFT 412變成截止狀態，並結束對作為像素電容之電容器C 411 寫入輸入信號。 此時，在電容器C 411上無關於電容端之電位而保持有與 電源電壓Vcc和輸入電壓Vin之差（Vcc-Vin)相等的電位。 之後，如圖40A至圖40F所示，利用驅動掃描器405將送至 驅動線DSL4(H、DSL402、…之驅動信號ds[401]、ds[402]、… 91868.doc -61 - 1255438 保持於低位準，利用驅動掃描器407將送至驅動線 DSL421、DSL422、…之驅動信號 ds[421 ]、ds[422]、…保 持於低位準，利用寫入掃描器404將送至掃描線WSL401、 WSL402、…之掃描信號ws[401 ]、ws[402]、…保持於低位 準之狀態下，利用驅動掃描器406將送至驅動線DSL411、 DSL412、…之驅動信號ds[411]、ds[412]、…選擇性地設定 在高位準。 結果，如圖38E所示，在像素電路401中，TFT 414導通。 藉由使TFT 414導通，驅動電晶體T 411之閘極_源極間電位 就會變成充電至作為像素電容之電容器C 411的電位差 (乂(：(：-¥丨11)。然後，如圖4011所示，無關於丁卩丁411之源極電 位的值，在保持該電位差之狀態下，驅動電晶體T 411之源 極電位會持續上升至Vcc。 然後，如圖40A至圖40F所示，利用驅動掃描器407將送至 驅動線DSL42卜DSL422、…之驅動信號ds[421]、ds[422]、… 保持於低位準，利用寫入掃描器404將送至掃描線 WSL401、WSL402、…之掃描信號 ws[401]、ws[402]、…保 持於低位準，利用驅動掃描器406將送至驅動線DSL411、 DSL412、…之驅動信號ds[411]、ds[412]、…保持於高位準 之狀態下，利用驅動掃描器405將送至驅動線DSL401、 DSL402、…之驅動信號ds[401]、ds[402]、…選擇性地保持 於高位準。 結果，如圖38F所示，在像素電路401中，TFT 413變成導 通狀態。 91868.doc -62- 1255438 隨著TFT 413導通，TFT 411之源極電位下降。如此，無 論作為驅動電晶體之TFT 411的源極電位是否變動，由於在 TFT 411之閘極與EL發光元件416之陽極間有電容，所以 TFT 411之閘極•源極間電壓經常以（Vcc-Vin)保持著。 此時，由於作為驅動電晶體之TFT 411在飽和區驅動，所 以流至該TFT411之電流值Ids變成前述之式1所示的值，此 可由驅動電晶體TFT 411之閘極•源極電壓Vgs所決定。 該電流亦流至EL發光元件416，EL發光元件41 6係以與電 流值成正比之亮度來發光。 EL發光元件之等效電路係如圖39所示由於可以電晶體來 記述，所以在圖39中，節點ND 411之電位上升至電流Ids流 入發光元件416的閘極電位為止。節點ND 41 2之電位亦隨著 該電位之變化而變化。當將最終的節點ND 411之電位設為 Vx時，節點ND412之電位可記述為（Vx+Vcc-Vin)，為驅動 電晶體之TFT 411的閘極•源極間電位保持於（Vx+Vcc)。 如以上所述，EL發光元件416隨著發光時間變長，其I-V 特性即使劣化，在本第6實施形態之像素電路401中，由於 在作為驅動電晶體之TFT 411之閘極•源極間電位保持於 固定之狀態下節點ND 411之電位會下降，所以流至TFT 411 之電流不會變化。 因而，流至EL發光元件之電流亦不會變化，即使EL發光 元件416之Ι-V特性劣化，亦可經常持續流入相當於閘極-源 極間電位（Vcc-Vin)的電流，可解決以往之問題。 又，本發明之電路中由於像素内之固定電位只有為電源 91868.doc -63- 1255438 之vcc，所以不需要不得不加粗配線之遍線。藉此可縮小 像素面積。更且’在非發光期間中tft 413、414截止，且 在電路上沒有電流流動。亦gp，— # a , 士 备 力、即，在非發光時間藉由在電路 不流入電流即可減低消耗電力。 如同以上說明般，依據太筮&者^ 〜 來尽弟6貝、轭形悲，則即使el發光元 件之I-V特性歷時變化，亦可隹 J進仃〉又有壳度劣化之源極隨耦 器輸出。 a可成為n通道電晶體之源極隨輕器電路，且在使用現狀之 陽極·陰極電極之狀態下’可使用n通道電晶體作為此發光 元件之驅動元件。 可/、以η通道構成像素電路之電晶體，且可在mi製 作中使用a_Si製程。藉此可獲得咖基板之低成本化。 又本毛明中由於可將像素電源使用於固定電位，所以 可S佰小像素面積，可期拉 ^ j J传面板之高精細化。 在EL么光元件之非發光間藉由不在電路上流入電 流即可減低消耗電力。
同以上"兒明般，依據本發明，則即使EL發光元件之I-V 4寸性歷時變化，亦 a 」進仃，又有焭度劣化之源極隨耦器輸出。 3可成為n通道電晶體之源極隨I馬器電路，且在使用現狀之 陽極•陰極電極 一 〈狀怨下，可使用η通道電晶體作為EL發光 元件之驅動元件。 又，可只以 、、Λ 、這構成像素電路之電晶體，且可在TFT製 作中使用a-Si掣# .., 更且 衣。精此可獲得TFT基板之低成本化。 】+即使為黑信號亦可在短時間内寫入信號線電 91868.doc -64- 1255438 壓，且可獲得均勻高的話值。同時可增加信號線電容而抑 制漏電流特性。 又，可削除TFT側之GND配線，且可進行周邊之配線部 局或像素布局。 又，可削除TFT側之GND配線，可除掉TFT基板之CJND配 線-Vcc配線之重疊，及提高良率。 又，可削除TFT側之GND配線，可消除TFT基板之 線-Vcc配線之重疊，可以低電阻布局Vcc配線，及獲得高均 勻之晝質。 又本务明中由於可將像素電源使用於固定電位，所以 可縮小像素面積，可期待面板之高精細化。 更且，在EL發光元件之非發光間藉由不在電路上流入電 流即可減低消耗電力。 再者，可將輸入信號電壓設在GND附近，可減輕對外部 驅動系統之負擔。 (產業上之可利用性） 依據本發明之像素電路、顯示裝置及像素電路之驅動方 法，則由於即使發光元件之電流_電壓特性歷時變化，亦可 進行沒有亮度劣化之源極隨耦器輸出，可成為〇通道電晶體 之源極隨耦器電路，且在使用現狀之陽極·陰極電極之狀 態下，可使用η通道電晶體作為EL發光元件之驅動元件，所 以亦可適用作為既大型且高精細之主動矩陣型顯示器。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示一般的有機EL顯示裝置之構成的方塊圖。 9l868.doc -65- 1255438 圖2係顯示圖1之像素電路之一構成例的電路圖 圖3係有機EL元件之電流_電壓（〗_v)特性之歷時變化的示 意圖。 圖4係顯不將圖2之電路的p通道π?置換成^通道TFT之 像素電路的電路圖。 圖5係作為初期狀態之驅動電晶體的與^匕發光元件 之動作點的示意圖。 圖6係作為歷時變化後之驅動電晶體的”丁與el元件之 動作點的示意圖。 圖7係顯示將作為驅動電晶體之n通道τρτ的源極連接在 接地電位之像素電路的電路圖。 圖8係顯示採用第丨實施形態之像素電路之有機el顯示裝 置之構成的方塊圖。 圖9係在圖8之有機EL顯示裝置中顯示第丨實施形態之像 素電路之具體構成的電路圖。 圖10A至圖10F係說明圖9之電路動作用之等效電路的示 意圖。 圖11A至圖11F係說明圖9之電路動作用的時序圖。 圖12係顯示採用第2實施形態之像素電路之有機el顯示 裝置之構成的方塊圖。 Λ 圖13係在圖12之有機EL顯示裝置φ —— 衣罝中顯不第2實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 圖14A至圖14E係說明圖13之電路叙从m 兒峪動作用之等效電路的 示意圖。 91868.doc -66- I255438 圖15A至圖15F係說明圖13之電路動作用的時序图。 圖16係顯示第2實施形態之像素電路之χ 〈另一構成例的方 塊圖。 圖17係顯示採用第3實施形態之像素電路之有機el顯示 裝置之構成的方塊圖。 圖18係在圖Π之有機EL顯示裝置中顯示第3實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 圖19A至圖19E係說明圖18之電路動作用之等效電路的 示意圖。 用的時序圖。 之另一構成例的方 圖20A至圖20F係說明圖18之電路動作 圖21係顯示第3實施形態之像素電路 塊圖。 圖22係顯示採用第4實施形態之像辛雷 丨私I私路之有機EL顯示 衣置之構成的方塊圖。 之 圖23係在圖22之有機EL顯示裝置中顯示第幘施形態 像素電路之具體構成的電路圖。 -圖24A至圖24E係說明圖23之電路動作用之等效電路的 不意圖。 圖25A至圖25H係說明圖23之電路動作用的時序圖。 圖26係顯示將岐電壓線設為電源電位Μ之像素電路 的電路圖。 圖27係顯示將固定電壓線設A姑 π u /c屯&琛σ又馮接地電位gnd之像素電路 的電路圖。 ” 圖28係顯示第4實施形態之像素 矛、包路之另一構成例的方 91868.doc -67- 1255438 塊圖。 圖29係顯示採用第5實施形態之像素電路之有機EL顯示 裝置之構成的方塊圖。 圖30係在圖29之有機EL顯示裝置中顯示第5實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 圖31A至圖3 1E係說明圖30之電路動作用之等效電路的 示意圖。 圖32A至圖32H係說明圖30之電路動作用的時序圖。 圖33係顯示將固定電壓線設為電源電位VCC之像素電路 的電路圖。 圖34係顯示將固定電壓線設為接地電位GND之像素電路 的電路圖。 圖35係顯示第5實施形態之像素電路之另一構成例的方 塊圖。 圖3 6係顯示採用第6實施形態之像素電路之有機EL顯示 裝置之構成的方塊圖。 圖37係在圖36之有機EL顯示裝置中顯示第5實施形態之 像素電路之具體構成的電路圖。 圖38 A至圖38F係說明圖37之電路動作用之等效電路的示 意圖。 圖39係說明圖38之電路動作用之等效電路的示意圖。 圖40A至圖40H係說明圖37之電路動作用的時序圖。 【主要元件符號說明】 卜 100、200、200A、300、300A、400 顯示裝置 91868.doc -68- 1255438 2a、HH、2(Π、201A、30卜 301A、401 2、102、202、202A、302、302A、402 3、103、203、303、403 4、104、204、304、305、404 105、205、306、405-407 13 DSLIOl-DSLIOm、DSL201-DSL20m、 DSL301-DSL30m、DSL401-DSL40m、 DSL411-DSL41m、DSL421-DSL42m DTLl-DTLn 、 DTLIOl-DTLIOn 、 DTL201-DTL20n、DTL301-DTL30n、 DTL401-DTL40n WSLl-WSLm 、WSLIOl-WSLIOm 、 WSL201-WSL20m、WSL 301-WSL30m、 WSL401-WSL 40m 111-113、211-213、311-314、411-415 114、214、315、416 ND111、ND112、ND211、ND211A、 ND212、ND311、ND311A、ND312、 ND4U、ND412 307 像素電袼（PXLC) 像素陣列部 水平選擇器（HSEL) 寫入掃描器（WSCN) 驅動掃描器（DSCN) 有機EL元件（OLED) 驅動線 資料線 掃描線 TFT 發光元件 節點 恆定電壓源（CVS) 91868.doc -69-

Claims (1)

1255438 十、申請專利範圍： 1. 一種像素電路，其係驅動依流動之電流使亮度變化的光 電元件者，且包含： 資料線，其被供給相應於亮度資訊之資料信號； 第一控制線； 第一及第二節點； 第一及第二基準電位； 驅動電晶體，其在第一端子與第二端子間形成電流供 、、、口線，並按照連接於上述第二節點之控制端子的電位控 制流經上述電流供給線之電流； 像素電容元件，其連接在上述第一節點與上述第二節 點之間； 第一開關，其連接在上述資料線與上述像素電容元件 之第一端子或第二端子之任一端子之間，可由上述第一 控制線進行導通控制；及 第包路，其用以在上述光電元件為非發光期間使上 述第一節點之電位遷移至固定電位； 在上述第一基準電位與第二基準電位之間，串聯連接 有上述驅動電晶體之電流供給線、上述第一節點、及上 述光電元件。 2. 如請求項1之像素電路，其中 更具有第二控制線； ’其源極連接在上述第 基準電位或第二基準電 上述驅動電晶體係場效電晶體 節點上，汲極連接在上述第一 91868.doc 1255438 ⑺视運接在上述第二節點上； 上述第-電路包含連接在上述第一節點與固定電位之 由上述第—控制線進行導通控制之第二開關。 3·如請求項2之像素電路，其中 在驅動上述光電元件之情況·· 作為第-階段，係在利用上述第一控制線使上述第一 導通狀態之狀態下，利用上述第二控制線 述弟—開關保持於導通狀態，以使上述第一節點連 接在固定電位上； 作為第二階段，係在利用上述第一控制線使上述第一 、1保持於$通狀態而傳遞於上述資料線上之資料寫入 狀=像素电各70件之後，使上述第—開關保持於非導通 作為第二階段，係利用上述第二控U4 μ、+、π 關保持於非導通狀態。 U線使上述弟二開 4.如印求項1之像素電路，其中 更具有第二控制線； ―::驅動電晶體係場效電晶體’其汲極連接在上述第 點:；電位或第二基準電位上，閘極連接在上述第二節 ^ f路&含連接在域場效電晶體之源極與上 第件之間’且由上述第二控制線進行導通控制之 乐_開關。 5·如請求項4之像素電路，其中 91868.doc 1255438 在驅動上述光電元件之情況·· 作為第-階段，係在利用上述第 開關保持於非導通狀態，利用 、、乂弟- 二開關保持於導通狀態; 〜〜制線使上述第 作為弟一階段，係在利用卜、+、$ ΒΒ «Β ^ .. 述弟一控制線使上述第一 開關保持於導通狀能而值 上述… 遞於上述資料線上之資料寫入 狀態； 吏上述弟一開關保持於非導通 作為第三階段，係利用上述第二控制 關保持於導通狀態。 k弟一開 6·如睛求項1之像素電路，其中 更具有第二控制線； 一上述驅動電晶體係場效電晶體，其源極連接在上述第 一節點上，沒極連接在上述第一基準電位或第二基準電 位上，閘極連接在上述第二節點上； 私 上述第一電路包含連接在上述第一節點與上述光電元 件之間，且由上述第二控制線進行導通控制之^ 7·如請求項6之像素電路，其巾 1關 在驅動上述光電元件之情況： 作為第一階段，係利用上述第一控制線使上述第一開 關保持於非導通狀態，利用上述第二控制線使上述第二 開關保持於非導通狀態； 作為第二階段，係在利用上述第一控制線使上述第一 開關保持於導通狀態而傳遞於上述資料線上之資料寫入 91868.doc 1255438 上述像素電容元件之後，使上述第—開關保持於非導通 狀態； 作為第二階段，係利用上述第二控制線使上述第二開 關保持於導通狀態。 8. 9· 10. 如請ί項1之像素電路，其具有在上述第—開關保持於導 通狀恶亚寫入傳遞至資料線之資料時，使上述第一節點 保持於特定電位之第二電路。 如請求項8之像素電路，其中 更具有第二及第三控制線；及 電壓源； 上述驅動電晶體係場效電晶體，其汲極連接在上述第 基準電位或第二基準電位上，閘極連接在上述第二節 點上； …上述第一電路包含連接在上述場效電晶體之源極與上 述光電7L件之間，且由上述第二控制線進行導通控制之 第二開關； 上述第_電路包含連接在上述第一節點與上述電壓源 之間，且由上述第三控制線進行導通控制之第三開關。 如請求項9之像素電路，其中 在驅動上述光電元件之情況： 作為第卩白^又，係利用上述第一控制線使上述第一開 關保持於非導通狀態，利用上述第二控制線使上述第二 開關保持於非導通狀態，利用上述第三控制線使上述第 二開關保持於非導通狀態； 91868.doc 1255438 作為第二階段，係利用上述第一控制線使上述第一開 關保持於導通狀態，利用上述第三控制線使上述第三開 關保持於導通狀態，在上述第一節點保持於特定電位之 狀態下，傳遞於上述資料線上之資料寫入上述像2電容 凡件之後’利用上述第-控制線使上述第_開關保持於 非導通狀態； ' 作為第三階段，係利用上述第三控制線使上述第三開 關保持於非導通狀態、，利用上述第m吏上述= 開關保持於導通狀態。 •如請求項8之像素電路，其中 更具有第二及第三控制線；及 電壓源； 上述驅動電晶體係場效電晶體，其源極連接在上述第 -節點上，沒極連接在上述第一基準電位或第二基準電 位上，閘極連接在上述第二節點上； 包 上述第一電路包含連接在上述第一節點與上述光電元 牛之門由上述第一控制線進行導通控制之第二開關. 12. 之Γ::!路包含連接在上述第一節點與上述電麼源 二由上述弟三控制線進行導通控制之第三開關。 如睛求項11之像素電路，其中 在驅動上述光電元件之情況·· 作為第一階段，係利用上述第-控制線使上述第—門 關保持於料通狀態，_3第^ 開 開關保料非導通狀態，制上述第三控制線使上= 91868.doc 1255438 三開關保持於非導通狀態； 作為第二階段，係利用上述第一控制線使上述第一開 關保持於導通狀態，利用上述第三控制線使上述第三； 哥保持於導通狀態，在上述第一節點保持於特定電位之 狀恶下，傳遞於上述資料線上之資料寫入上述像素電容 兀件之後，利用上述第一控制線使上述第一開關保持於 非導通狀態； 、 作為第三㈣，係利用丨述第三控制線使上述第三開 關保持於非導通狀態，利用上述第二控制線使上述第二 開關保持於導通狀態。 一 13. 14. 15. I月=項1之像素電路’其具有在上述第_開關保持於導 通狀態而寫人傳遞於資料線上之資料時，使上述第二節 點保持於固定電位之第二電路。 如請求項U之像素電路，其中上述固定電位係上述第一 基準電位或第二基準電位。 如凊求項13之像素電路，其中 更具有第二、第三及第四控制線； 上述驅動電晶體係場效電晶體，其源極連接在上述第 一節點上’沒極連接在上述第_基準電位或第二基準電 位上，閘極連接在上述第二節點上； 上述第一電路包含連接在上述第一節點與上述光電元 件之間’ i由上述第二控制線進行導通控制之第二開 關，以及連接在上述場效電晶體之源極與上述第一“ 之間，且由上述第三控制線進行導通控制之第三開關； 91868.doc 1255438 上述第二電路包含連接在上述第一節點與上述固定電 位之間，且由上述第四控制線進行導通控制之第四開關: 16·如請求項15之像素電路，其中 在驅動上述光電元件之情況·· 作為第-階段，係利用上述第一控制線使上述第_開 關保持於非導通狀態，利用上述第二控制線使上述第: 開關保持於非導通狀態’利用上述第三控制線使上述第 =開關保持於非導通狀態，利用上述第四控制線使上述 第二開關保持於非導通狀態； 作為第二階段，係利用上豸第一控制線使上述第一開 關保持於導通狀態’利用上述第四控制線使上述第四開 關::持於導通狀態’在上述第二節點保持於固定電位之 狀心下’傳遞於上述資料線上之資料寫入上述像素電容 兀件之後’利用上述第一控制線使上述第一開關保持於 非導通狀態，利用上述第四控制線使上述第四開關保持 於非導通狀態； 作為第三階段，係利用上述第二控制線使上述第二開 關保持於導通狀態，利用上述第三控制線使上述第三開 關保持於導通狀態。 1 7· 一種顯示裝置，其包含： 像素電路，其有複數個排列成矩陣狀； —貝料線’其相對於上述像素電路之矩陣排列而配線於 母-仃上，且被供給相應於亮度資訊之資料訊號； 第一控制線，其相對於上述像素電路之矩陣排列而配 91868.doc 1255438 線於每一列上；及 第一及第二基準電位；且 上述像素電路包含： 光電元件，其依流動之電流使亮度變化； 第一及第二節點； 驅動電晶體，其在第一端子與第二端子間形成電流 供給線，並按照連接於上述第二節點之控制端子的電位 控制流至上述電流供給線之電流； 像素電容元件，其連接在上述第一節點與上述第二 節點之間； 第一開關，其連接在上述資料線與上述像素電容元 件之第一端子或第二端子之任一端子之間，由上述第一 控制線進行導通控制；及 、.f—電路’其用以在上述光電元件為非發光期間使 上述第一節點之電位遷移至固定電位； 在上述第-基準電位與第二基準電位之間，串聯連 接有上述驅動電晶體之電流供給線、上述第一節點、及 上述光電元件。 18. 19. 月求項17之顯示裳置，其中具有在上述 於導通狀態而寫人傳遞至資料線上之資料 -節點保持於特定電位之第二電路。 如請求項17之顯示, 、 只丁衣置，其中具有在上述 於導通狀態而宜λ # < 一冰 寫入傳遞至資料線上之資料| 一卽點保持於固定 疋包位之第二電路。 開關保持 使上述第 開關保持 使上述第 91868.doc 1255438 • 種像素電路之驅動方法，其係包含： 光電元件’其依流動之電流而使亮度變化； 資料線，其被供給相應於亮度資訊之資料信號； 第一及第二節點； 弟 及第二基準電位； 場效電晶體，其汲極連接在上述第一基準電位與第二 基準電位上，源極連接在上述第一節點上，閘極連 上述第二節點上； 像素電容元件，其連接在上述第一節點與上述第二& 點之間； 一即 第一開關， 之第一端子或 第一電路， 位；且 其連接在上述資料線與上述像素電容元件 第二端子之任一端子之間；及 其使上述第一節點之電位遷移至固定電 在上述第-基準電位與第二基準電位之間，串聯連接 有上述驅動電晶體之電流供給線、上述第一節點、及上 述光電元件者；其中 斤在上述第_„料非導通狀態之狀態下，利用上述 弟-電路使上述第-節點之電位遷移至固定電位； 在將上述第一開關保持於導通狀態且將傳遞至上 料線上之資料_人μ Hi ' 、寫入上述像素電容元件之後，將上述第一 開關保持於非導通狀態； 一節點的電位遷移至固 停止使上述第一電路之上述第 定電位的動作。 91868.doc
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