TWI244786B - Dual panel-type organic electroluminescent device and method for fabricating the same - Google Patents
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Description
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【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電致發光顯示裝置，特別係一 種主動矩陣式電致發光顯示裝置。 μ 【先前技術】 隨著資訊科技應用的增加，具有輕薄外型、輕巧重量 及低電力消耗的平面面板顯示裝置的需求也隨之增加，因 此便發展出多種的平面面板顯示（flat panei diSplay 以下可簡稱為F PD )裝置，例如像液晶顯示（1丨qu 土 d crystal display，以下可簡稱為LCD)裝置、電漿顯示面 板（plasma display panel，以下可簡稱為PDP)、場發射· 顯示裝置（field emission dispiay device)及電致發光’ 顯示（electroluminescence display，以下可簡稱為 ELD) 裝置等。 0 ELD裝置係利用將某個特定強度的電場供應至一發光 材料時’發生的電致發光現象所產生的光來顯示，ELD裝 置係可根據用來激發載子的來源區分為非有機電致發光顯 示（inorganic electroluminescence display,以下可簡 稱IELD)裝置以及有機電致發光顯示（Qrgg^ic electroluminescence display,以下可簡稱 0ELD)。因 OLE D裝置可以顯示大範圍波長的可見光，及具有高亮度及· 低電壓需求等優點的關係，其使用有逐漸增加的趨勢。 另外，因0ELD裝置為自體發光，所以它們能夠具有高 對比且適用於極薄型的顯示裝置，並因其製造過程簡單， 環境污染的程度也會相對來講較少，且0ELD裝置的反應時
1244786 五、發明說明（2) 間僅有微秒（μ s )，所以係非常適用於顯示動態畫面，再 者，其也沒有視角的限制，並且在低溫的環境中仍可穩定 的操作。附帶一提，因OELD裝置係以相對較低的5伏特到 1 5伏特之間的低電壓來驅動，其驅動電路的設計及製造都 是較容易的。 OELD裝置的結構係與IELD裝置的結構相似，但OELD裝 置的發光原理與IELD的不同。舉例來說，OELD裝置係藉由 電子與電洞的再結合來發光，因此它們通常會被當作是有 機發光二極體（organic light emitting diode,以下可 簡稱OLED)裝置。 近來，主動矩陣（active matrix)式的ELD裝置常被應 用到平面面板顯示裝置的領域中，此裝置係具有多個晝素 以矩陣方式排列，並有薄膜電晶體在其中連接。這種主動 矩陣的型式也被應用在OELD裝置中，而通常被稱作主動矩 陣式OELD裝置。 第1圖為習知的主動矩陣式OELD裝置中一基本畫素的 等效電路圖。在第1圖中，主動矩陣式OELD裝置中的一晝 素具有一切換薄膜電晶體T s、一驅動薄膜電晶體T D、一儲 存電容Cs戌一發光二極體（light emitting diode，以下 可簡稱LED ) E，切換薄膜電晶體T及驅動薄膜電晶體T孫包彳 含Ρ型多晶矽的薄膜電晶體，切換薄膜電晶體T s的閘極係 連接於閘線GL，而切換薄膜電晶體Τ钓源極會連接於資料 線D L。切換薄膜電晶體Τ妁汲極會連接於驅動薄膜電晶體 Τ妁閘極，而驅動薄膜電晶體Τ妁汲極會連接於發光二極
1244786 五、發明說明（3) 體E的正極。發光二極體E的負極則會接地，驅動薄膜電晶 體T衲源極會連接於電源線P L，且儲存電容C ST會同時連接 於切換薄膜電晶體T妁閘極與驅動薄膜電晶體T衲源極。 在第1圖的晝素結構中’若有一掃描訊號被供至閘線 GL時，切換薄膜電晶體T s會被打開，而來自資料線DL的影 像訊號會通過切換薄膜電晶體T s，以儲存於儲存電容C ST 中。當影像訊號被提供至驅動薄膜電晶體TD的的閘極時，‘ 驅動薄膜電晶體T D會被打開，而發光二極體（1 i gh t emitting diode，以下可簡稱LED) E會發光。藉由改變發 光二極體（LED)E的電流可以控制發光二極體（LED) E所產生% 的光，儲存電容C s係用以於切換薄膜電晶體T被關掉的同 時，讓驅動薄膜電晶體Τ妁閘極電壓保持固定。舉例來 說’當切換薄膜電晶體Τ被關掉時’驅動薄膜電晶體Τ仍 會被儲存電容c s妁儲存電壓所驅動，使到發光二極體 (LED)E的電流仍會保持流動，所以發光二極體（LED )E可以 一直發光直到接收到下一次影像訊號。 第2圖為習知的主動矩陣式0ELD裝置的基本晝素結構 平面圖。在第2圖中，閘線3 7係延著第一方向設置，而資 料線5 1及電源線4 1係延著與閘線3 7垂直的第二方向所設 置，其中電源線4 1與資料線5 1藉由閘線3 7的交叉定義出一| 晝素區域P，切換薄膜電晶體T孫設置於靠近閘線3 7與資料 線5 1的交叉處，並且，驅動薄膜電晶體T孫位於靠近閘線 3 7與資料線5 1的交叉處，此交叉處係在切換薄膜電晶體T s 的旁邊，及發光二極體的第一電極5 8係與驅動薄膜電晶體
第10頁 1244786 五、發明說明（4) T連接，儲存電容C s轶置於電源線4 1上，其包含一電容電 極3 4用作第一儲存電極，電源線PL的一部份用作第二儲存 電極，雖然在第2圖中沒顯示，有機電致發光層及一第二 電極係連續地被設置於第一電極5 8上，因此，第一電極5 8 被設置的區域可被當作有機電致發光區。 在第2圖中，切換薄膜電晶體T在含一第一閘電極35自 閘線3 7延伸，及一第一半導體層3 1與電容電極3 4—起形 成，驅動薄膜電晶體T息含一第二閘電極3 8及一第二半導 體層32，其中該第二半導體層3 2也與電容電極3 4及第一半 導體層31—起形成。 第3圖係顯示第2圖中延著ΠΙ -Π的習知驅動薄膜電晶 體、儲存電容及發光二極體的截面圖。在第3圖中，緩衝 層3 0係延著基板1的整個表面形成，驅動薄膜電晶體T及儲 存電容C ST皆設置於緩衝層3 0上，而發光二極體E係形成於 基板1上。驅動薄膜電晶體T息含一半導體層3 2、一閘極 3 8、一源極5 0及一汲極5 2，而儲存電容C s在含一電容電極 3 4及具有***絕緣層4 0的一電源線4 1，其中該電容電極3 4 係由與半導體層3 2相同的材料所組成，並係在同樣的製程 步驟所形成，驅動薄膜電晶體T衲源極5 0係連接於電源線 4 1，而驅動薄膜電晶體T妁汲極5 2係連接於發光二極體E的| 第一電極5 8。 且，有機電致發光層6 4及第二電極6 6係連續地設置於 第一電極5 8上，其中該第一電極5 8係作為一正極，而第二 電極係作為一負極，其皆包含不透明之金屬材料。第一電
1244786 五、發明說明（5) 極5 8、有機電致發光層6 4及第二電極6 6係構成發光二極體 在第3圖的OELD裝置中，有多個絕緣層設置於導電層 元件間，舉例來說，緩衝層3 0，即第一絕緣層係***於基 板1與半導體層3 2之間，而閘絕緣層3 6，即第二絕緣層係 ***於半導體層3 2及閘極3 8之間，進一步來說，第三絕緣 層4 0係***於電容電極3 4與電源線4 1之間，第四絕緣層4 4 係***於電源線4 1與源極5 0之間，第五絕緣層5 4係***於 汲極5 2與發光二極體E的第一電極5 8之間，以及第六絕緣 層6 0係***於第一電極5 8與第二電極6 6之間，同時，第三| 絕緣層至第六絕緣層（4 0、4 4、5 4、6 0 )皆具有接觸孔，經 由其中導電層元件可彼此電性連接。 第4 A圖至第41圖係顯示第3圖中習知的主動矩陣式 OELD裝置的截面圖，用以顯示其製造過程。在第4A圖至第 4 I圖中顯示的圖樣係經光顯影製程來形成，其中包含光阻 (PR)塗佈、對準、以及曝光與顯影等步驟，且其中係利用 光罩來進行。 在第4A圖中，在緩衝層30延著基板1的整個表面上形 成之後，多晶矽的第一半導體層3 2及第二半導體層3 4係利 用第一光罩製程形成於緩衝層3 0上，第一多晶矽半導體層着 3 2與第二多晶矽半導體層34皆具有島型。 在第4B圖中，氮化矽物或二氧化石夕所組成的絕緣層與 導電材料組成的金屬係依序沉積於第一多晶矽層3 2上，並 接著利用第二光罩圖案化，然後依序形成一閘絕緣層3 6及
第12頁 1244786 五、發明說明（6) 子 第 一閘極38於第一多晶半導體層32上。之後，例如為p型離 或11型離子的雜質會被植入於第一多晶矽半導體層3 2與 Η : ^ Ϊ半導體層34的已曝光區域。在植人的製程中， ^雜質^ i為遮罩使得第一多晶石夕半導體層32會被分成沒 區3 2c，再者 ^動& 32a、以及有雜質植入的源區321)與汲 會變成電六番，完全以雜質植入的第二多晶矽半導體層34 32a的兩邊谷 ，且其源區32b與汲區32c係位於主動區 在第 4 CH φ 個表面形成二I三第一***絕緣層40係延著緩衝層30的整 容電極34技ί盍住閘極以、源區32b與汲區32C、以及電 成於第一要者，金屬的電源線4 1係利用第三光罩製程形 4 1#、亩；& ^入絕緣層40上，以覆蓋電容電極3 4。因電源線 及***的^成於電容電極3 4上，它形成一具有電容電極34 勺第一***絕緣層4 0的儲存電容。 # ® 4D圖中，第二***絕緣層44係形成於第一***絕 桩二：?丨/1 e電源線41上。接著’利用第四光罩製程形成第一 一 a、第二接觸孔4 6 b及第三接觸孔4 6 c，其中該第 一 孔4 6 8露出沒區3 2 b，第二接觸孔4 6 b露出汲區3 2 c及 第二妾觸孔4 6 c露出電源線4 1。 ^第4E圖中，金屬層係形成於第二***絕緣層44上並 斥用 五光罩製程使其圖案化，以形成源極5 0及汲極5 2。 2極52係經由第一接觸孔46a接觸汲區32b，以及源極“係 經由第二接觸孔46b與源區32c接觸，再者，源極50係經由 第一接觸孔4 6 c與電源線4 1接觸。 1244786 五、發明說明（7) 因此，便完成了具有半導體層3 2、閘極3 8、以及源極 5 0與汲極5 2的驅動薄膜電晶體T衲形成，再者，對應於電 源線41及電容電極34的區域形成了電容電極CST。在第4E圖 中未顯示，但在第3圖中有顯示，驅動薄膜電晶體T的閘極 3 8係連接於切換薄膜電晶體T s，且電源線4 1係平行於資料 線5 1設置。 在第4F圖中，具有第四接觸孔56的第一保護層54，係 藉著第六光罩製程形成於第二***絕緣層4 4上，同時覆蓋 住源極5 0與汲極5 2，第四接觸孔5 6係露出汲極5 2的一部
在第4G圖中，透明的導電材料係沉積於第一保護層54 上，接著透明的導電材料係利用第七光罩製程圖案化，以. 形成經由第四接觸孔5 6與汲極5 2接觸之第一電極5 8。 在第4H圖中，第二保護層60係形成於第一電極58及第 一保護層5 4的露出部位上，接著第二保護層6 0係利用第八 光罩製程圖案化，以形成露出第一電極5 8之一部位的一開 口 6 2。該第二保護層6 0係用以保護驅動薄膜電晶體T浼於 受到空氣中存在的濕氣及微粒影響。 在第4 I圖中，有機電致發光層6 4係形成於第二保護層 6 0上，以經由開口 6 2與第一電極5 8接觸，接著第二電極6 60 形成於有機電致發光層6 4及第二保護層6 0的露出部位上， 以整個覆蓋住基板1。 第二電極6 6係由不透明的金屬材料組成，並用作負 極’同時第^一電極5 8係由透明的導電材料所組成’係用作
第14頁 1244786 五、發明說明（8) 正極。再者，為了容易釋放電子，用作第二電極6 6的材料 需具有小的功函數。第4F圖的OELD裝置係被當作是底部發 光型OELD裝置，其中係由底部朝向基板1發光。 第5圖係為習知OELD裝置的截面圖。在第5圖中，彼此 分開的第一基板7 0及第二基板9 0，皆具有多數個次晝素區 域，以及彼此相對的内部表面。接著陣列層8 0係延著第一 基板的内部表面形成，其中陣列層8 0係包含薄膜電晶體 (TFT)T於每一畫素區域中，而連接於驅動TFT T的第一電 極7 2係形成於陣列層8 0上每一晝素區域裡。接下來，紅 色、綠色及藍色的有機電致發光層7 4係交替的形成於第一 | 電極7 2上，且第二電極7 6係形成於有機電致發光層7 4上。 因此，第一電極7 2、第二電極7 6以及***其中的有機電致 發光層7 4便構成一有機電致發光發光二極體E。在第5圖中 所示的有機電致發光裝置係一種底部型OELD，其中光係自 有機電致發光層7 4發射，經由第一電極7 2並自第一基板7 0 射出。 在第5圖中，第二基板9 0係使用作為封裝基板，其包 含一凹面部位9 2於第二基板9 0的内部中央部位，其中該凹 面部位9 2係以濕氣吸收乾燥劑9 4充填，用以將濕器及氧氣 移除以保護有機電致發光二極體E，且，第二基板9 0的内看 部係與第二電極7 6分開，其中該第一基板7 0與第二基板9 0 係以第一基板7 0與第二基板週邊的密封劑8 5來接合，以進 行封裝。 在習知技術的0LED裝置中，TFT陣列及有機電致發光
第15頁 g44786 、發明說明（9) 第 組 時 二’、形成於同樣的基板上（即第一基板 對 i i i係與第一基板接合用以封裝。然而，春二ί加的 ，/、有機電致發光二極體以這種方式形成於二τ陣列 〇ELD裝置的產率便係由TF1^J產率乘、基板上 ^，的產率來決定，而因有機電致發光二搞電致發光 二說是較低的，整個0LED裝置的產率便會古的產率相 一極體的產率而受到限制。舉例來說，ς有機電致發 ί ί = lFT，使用1 0 0 0埃（Α)厚度薄膜的0咖裝出— 、電致务光二極體有缺陷，使得該裝置被乃會因有 ’如此會造成材料的損失及成本的增加。〜次級的裝 般來說，OLED裝置係可根據經由〇El 影像的光的方肖，被分成底部發光型及頂^於顯示 發光型OLED裝置具有高封裝穩定性及高製程^ ^。底部 但，因底部發光型0LED裝置的薄膜電晶體及 點， 成於基板上，造成了很差的孔徑比，其作為高二=係形 效能較差的，相較於底部發光型〇LED裝置，頂 羞置係 OLE D裝置因具有較簡單的電路設計，可產生較高=光型 (aperture ratios)，其具有較高的可期待的考^人孔徑比 但，在頂部發光型0LED裝置中，負極通常形成於P見里。 發光層上，其結果為，頂部發光型〇LED裝置的透二=電致 效能會因為可選擇作為負極材料的有限數目而減小X及光 薄膜型保護層係形成於負極上，用以避免光透射二沾當— 時，此薄膜型保護層仍可能會無法避免外部空ς =減少 機電致發光層。 ~還進有
第16頁 1244786 五、發明說明（ίο) 在上述提到的形成有機電致發光顯示裝置的製程中， 會需要多次的薄膜沉積，並且需要利用多個光罩的多次的 光微影製程，因此，重覆的製程步驟會增加其光罩製程。 又，因光微影製程包含輕洗製程、光阻沉積製程、曝光製 程、顯影製程及蝕刻等製程，只要能夠少一個單一的光罩 製程便可減少製造的時間及其成本。如第4 A圖至第4 I圖所 示的OELD裝置，其需要八個光罩製程，造成產率下降及生 產成本增加，再者，OELD裝置所需的光罩製程越多，其製 造過程所產生的缺陷也越多。 同時，因習知的主動矩陣式OELD裝置包含薄膜電晶體| 及儲存電容於發光的方向中，造成它僅有減少的發光區域 及減少的孔徑比，為了克服這些困難，應增加現在的密度 以讓裝置的亮度增加，因此會使得OELD裝置的壽命規晝減 少 〇 【發明内容】
鑒於以上的問題，本發明係直接關於一種有機發光二 極體裝置，用以解決因習知的限制及缺點所產生的問題。I 本發明之一目的，在於提供一有機發光二極體裝置， 其能增加產率並減少生產成本 本發明之另一目的，在於提供一有機發光二極體裝 0 置，其具有高對比、高孔徑比及長的壽命規晝。 本發明之另一目的，在於提供一雙面板型有機發光二 極雔裝置，其中TFT陣列與有機發光二極體係分別設置於 第一基板與第二基板。
第17頁 1244786 五、發明說明（11) 本發明的特徵及優點將在發明内容及實施方式中詳細 敘述，其敘述内容足以使任何熟習相關技藝者從中了解本 發明之技術，且任何與本發明相關之優點及目的係可輕易 的從本說明書所揭露之内容、申請專利範圍及圖示中理 解。 因此，為達上述目的，本發明所揭露之一種雙面板型 主動矩陣的有機電致發光裝置，包含一閘線延著第一基板 上的第一方向設置；一資料線延著第一基板上的第二方向 設置；一電源線延著第一基板上的第二方向設置，並與該 資料分開以與閘線及資料線定義出一晝素區域，該電源線| 與該閘線係由相同的材料在相同的製程當中製造形成；一 切換薄膜電晶體設置於第一基板上，靠近於閘線與資料線 的交叉處；一驅動薄膜電晶體設置於第一基板上，靠近於 閘線與電源線的交叉處；第一基板上晝素區域裡的一連接 圖樣係由一絕緣材料所組成；以及一連接電極設置於第一 基板上的晝素區域中，以覆蓋該連接圖樣並將驅動薄膜電 晶體與有機電致發光二極體互相電性連接。 於另一概念中，一種製造雙面板型主動矩陣式有機電. 致發光裝置的方法，包含：圖案化第一金屬層以形成一閘 極、一閘線、一電源線、一閘墊及一電源墊於一第一基板| 上；形成一第一絕緣層於該第一基板上以覆蓋住該閘極、 該閘墊及該電源墊；形成一半導體層於該閘極上方的第一 絕緣層上，該半導體層包含無攙雜非晶矽的主動層及有摻 雜非晶矽的歐姆接觸層；形成源極與汲極，一資料線，一
第18頁 1244786 五、發明說明（12) 第一連接電極及一資料墊，其中該資料線，該資料墊及該 第一連接電極係設置於第一絕緣層上，該第一連接電極係 與該閘線交叉；藉由蝕刻源極與汲極之間露出的一部份歐 姆接觸層可形成一通道於主動層中，藉此可形成包含閘 極、半導體層、源極與汲極的薄膜電晶體；形成一第二絕 緣層於第一絕緣層上以覆蓋住薄膜電晶體、資料線及資料 墊；形成一源極接觸孔、一汲極接觸孔、一資料墊接觸 孔、一閘墊接觸恐及一電源墊接觸孔，其中該源極接觸 孔、該汲極接觸孔及該資料墊接觸孔貫穿第二絕緣層，且 其中該閘墊及電源墊接觸孔貫穿第一絕緣層及第二絕緣 | 層；形成一連接圖樣於使用絕緣材料的第二絕緣層上的晝 素區域上，其中該連接圖樣具有柱型及大於薄膜電晶體對 應高度的一高度；以及使用第三金屬層形成一連接電極、 一電源電極、第二連接電極、一資料墊端子、一閘墊端子 及一電源墊端子。 又一另一概念，一種製造雙面板型主動矩陣式有機電 致發光裝置的方法，包含：圖案化第一金屬層以形成一閘 極、一閘線、一電源線、一閘塾及一電源塾於一第一基板 上；依序形成一第一絕緣層、未摻雜非晶^夕層、一摻雜非 晶矽層及一第二金屬層於第一基板上以覆蓋住該閘極、該® 閘墊及該電源墊；形成一感光性光阻於第二金屬層上；沉 積具有半透光部位的第一光罩於感光性光阻上；使用利用 一光罩的繞射曝光方法來同時圖案化該非摻雜非晶矽層、 摻雜非晶矽層以及第二金屬層以形成一主動層、一歐姆接
第19頁 觸層 1 觸層 動層 —絕 資料 觸孔 孔、 其中 層； ~^Γ 區 應向 一電 及一 下將 申請 【實 詳細 面圖 150 域，
赳一源極及一汲極、一資料線、一第一連接電極以 料塾；藉由蝕刻源極與汲極之間露出的一部份歐 來形成一通道於主動層中，藉此形成了包含開極、、2 、甌姆接觸層、源極與汲極的薄膜電晶體；形成一 > 緣層於第一絕緣層上以覆蓋住薄膜電晶體 '資:弟 墊，形成一源極接觸孔、一汲極接觸孔、一資料巷及 、一閘墊接觸恐及一電源墊接觸孔，其中該源榀接 二=2接觸孔及該資料塾接觸孔貫穿第二絕緣芦，， 域上，盆士圖樣於使用絕緣材料的第二絕緣厣上沾^ 由其中該連接圖樣具有杈刑《士於嚅&9上的晝< 度的一高度；以及使用第- 大；溥膜電晶體對 源電極、第二連接第一金屬層形成一連接電極、 電源墊端子。 、一資料墊端子、—閘墊端子 先前所提到之 對本發明所做之二，^明内容之一般性敘述，以及以 之專利範圍達；:田;明皆係以對本發明以及其 施方式】 啐細揭露為目的。 人 有關本發明的 說明如下。、域與實作，茲配合圖示作最佳告 ^ nm ^ 双住只施例 第6圖係顯示本 示甘。在第6圖中二2板型0ELD裝置一實施例的截 其具有彼此相刀汗勺第一基板1 1 0與第二美柘 陣列層140形成表面，…數個::畫素區 、第基板的内部表面上，並包含驅
第20頁
1244786 五、發明說明（14) 動薄膜電晶體（T F T ) T於每一次晝素區域中，而連接於驅動 薄膜電晶體（TFT)T妁連接圖樣142形成於每一次晝素區域 中的陣列層1 4 0上，此連接圖樣1 4 2係可包含導電材料，或 疋包δ 多層結構’ 4夕層結構係包含具有一個以上導電 ;才料層的絕緣層，並具有足夠的厚度用以連接，另會使用 一附加的連接電極’用以將連接圖樣1 4 2與驅動τ F Τ Τ連 接，此驅動T F T T D可包含一閘極1 1 2、一主動層π 4、以及 源極1 1 6與汲極1 1 8，其中該連接圖樣1 4 2係可連接於汲極 118° 另外，第一電極1 52會形成於第二基板的内部表面 上’包含紅色、綠色及藍色有機發光層（156a、l56b、 1 5 6 c )的^有機電致發光層1 6 〇可交替的設置於每一次晝素區 域裡，每一次晝素區域係形成於第一電極1 5 2上，第二電 極162係形成於有機電致發光層16〇上，於每一次晝素區域 P中，而有機電致發光層1 60係可由單一的結構組成，或由 夕組成。在多層結構的例子中，有機電致發光層 1 第厂載子傳輸層1 5 4於第一電極1 5 2上，包含紅 ^你、:一及藍色有機發光層（l56a、156b、156c)的其中之 一/ 子傳輸層1 5 4上，而第二載子傳輸層1 5 8係在每 R ^^及藍色有機發光層（156a、156b、156c)上 ;枝時、田第一電極1 5 2與第二電極1 6 2分別作為正極及 :載子傳輸層154會對應於電洞注入層及電動 子二入声。第—=子傳輸層158會對應於電子傳輸層及電 子庄入層。弟一電極152、第二電極162以及插人其中的有
!244786 五、發明說明（15) 機電致發光層1 6 0係構成有機電致發光二極體E。 、在第6圖中，第一基板1 1 0與第二基板i 5〇係以其延著 週邊的密封劑1 7 0來接合一起，因此，連接圖樣i 4 2的頂部 表面會接觸到第一電極1 6 2的底部表面’其中驅動τ ρ τ τ的 電流經過連接圖樣142流進第二電極162。根據本發明的一 種有機發光二極體（OLED)裝置，包含雙面板型，立中陣列 層140及有機電致發光二極體E係形成於各別的基板上’而 連接圖樣142係將陣列層140電性地互相連接於致發 光二極體E。因本發明的0LE_置為頂部發光=〇eld裝 :，薄膜電晶體可以很容易的設計，1同日;能得到高解析 度及南孔徑比。 第7圖係顯示本發明雙面板贺主動矩陣〇eld裝置的下 面板基本畫素結構一實施例的平面圖。在第7圖中，主動 矩陣有機發光二極體（OLED)農置包含反轉交錯^型 "inverted stagger-type)簿瞄雷旦駚 人寻膜電日日體。閘線2 1 2係延著第 j方向設置，巾資料線2 3 6與電源線213係彼此分開，並延 著重直交叉於閘線21 2的第二方向設置’立中一畫素區域p 係被定義為閘線21 2與分開的資料線2 3 6逝雷 - 之間的區域。切換薄膜電晶體（TFT)丁备:班”::, 取< 1 Γ 1 ) 1 S會破設置，相鄰於閘 線212與資料線川彼此交又的地方，且包含自閘線212延 伸的切換閘極214’ 一切換源極2 2 6係自資料線2 3 6延伸， 而切換汲極2 3 0係與該切換源極2 2 6分開，其中切換半導體 層2 2 2係具有島型於切換閘極2 1 4上方。 一 電源線2 1 3與閘線2 1 2係於同樣的製程步驟中形成，再
第22頁 1244786 五、發明說明（16) 者’電谷電極2 3 4係自 >及極2 3 0垂直的延伸，並設置於電源 線2 1 3上方，因此，電容電極2 3 4係與電源線2 1 3的一部位 構成一儲存電容C ST，該電源線係被電容電極2 3 4重疊。 驅動薄膜電晶體T d系連接於切換薄膜電晶體（τ J? τ ) T及 電源線2 1 3 ’驅動T F T T在含驅動閘極2 1 6、驅動源極2 2 8、 驅動 >及極2 3 2及驅動半導體層2 2 4，驅動閘極2 1 6係與切換 沒極2 3 0連接，並由與閘線2 1 2相同的材料，在相同的製程 步驟中形成’驅動源極2 2 8與驅動沒極2 3 2係重叠於驅動閘 極21 6的旁邊部位，並由與資料線2 3 6相同的材料所組成， 驅動半導體層2 2 4具有島型並設置於在驅動源極2 2 8與驅動 汲極2 3 2之間的驅動閘極2 1 6上方。 在第7圖中，具有島型的電源電極2 7 8係經由源極接觸 孔2 4 6與驅動源極2 2 8連接，並經由電源接觸孔2 5 1與電源 線2 1 3連接。連接電極2 7 6，係將下基板的驅動薄膜電晶體 T連接於上基板的有機電致發光二極體，係可形成於晝素 區域P裡並與驅動汲極2 3 2連接。連接電極2 7 6與電源電極 2 7 8係利用相同的材料，於相同的製程步驟中形成，雖然 在第7圖中未顯示，但在第8F圖顯示該連接電極2 7 6係包含 位於下方的連接圖樣’其具有柱型並由絕緣層所組成。 一資料墊2 3 8、一閘墊2 1 8及一電源墊2 1 9會分別形成 於資料線2 3 6、閘線2 1 2及電源線2 1 3的末端部位。此外， 資料墊端子2 8 0係被設置以重疊於資料墊2 3 8，閘墊端子 2 8 2係被設置以重疊於閘墊2 1 8，及一電源墊端子2 8 4係被 設置以重疊電源墊2 1 9。資料墊端子2 8 0、閘墊端子2 8 2及
第23頁 1244786 五、發明說明（17) 資料墊端子2 8 4係可在同樣的製程步驟，使用同樣的材料 延著連接電極2 7 6形成，因電源線2 1 3係與閘線2 1 2—起形 成，第一連接電極2 8 3 a與第二連接電極2 8 3 b會交叉的形成 並靠近於閘線2 1 2以避免閘線2 1 2與電源線2 1 3之間會有電 性短路，第一連接電極2 8 3 a會形成交叉於閘線2 1 2，且係 與利用與資料線2 3 6—樣的材料，在相同的製程步驟中形 成。第二連接電極2 8 3 b係與連接電極2 7 6使用相同的材料 一起形成，且係用以將第一連接電極2 8 3 a連接於電源線 2 1 3，因此延著相鄰晝素區域P垂直方向的電源線2 1 3會電 性貫穿連接該第一連接電極2 8 3 a及第二連接電極2 8 3 b。 在第7圖中，因資料墊2 3 8及電源墊2 1 9係用以供應不 同的訊號，資料墊2 3 8與電源墊2 1 9會彼此相對的形成，舉 例來說，若資料墊2 3 8形成於資料線2 3 6的上端，電源墊 2 1 9便會形成於電源線2 1 3的底端。 在第7圖中所顯示的形成雙面板型主動矩陣 OELD裝置 的下面板的一製造過程實施例，會在以下再配合第8 A圖至 第8F圖、第9A圖至第9F圖、第10A圖至第10F圖及第11A圖 至第1 1F圖來詳細說明。 第8A圖至第8F圖係第7圖中延著Μ -Μ的截面圖，第9Aj 圖至第9 F圖係第7圖中延著K -IX的截面圖，第1 Ο A圖至第 1 0 F圖係第7圖中延著X -X的截面圖，第1 1 A圖至第1 1 F圖 係第7圖中延著X I -X I的截面圖，而第7圖係顯示本發 明之形成雙面板型主動矩陣 OELD裝置的下面板的一製造 過程實施例。
1244786 五、發明說明（18) 在第8A圖、第9A圖、第10A圖及第11A圖中，第一金屬 層會形成於一基板2 1 0上，接著並圖案化以形成一閘極 216、一閘墊21 8及一電源墊219，雖然在第8A圖、第9A 圖、第1 0 A圖及第1 1 A圖中未顯示，但在第7圖中顯示該閘 線2 1 2及電源線2 1 3也係於第一金屬層圖案化後形成於基板. 2 1 0上，根據本發明，第一金屬層係需具有低電阻，例如 鋁。 雖未於第8 A圖、第9 A圖、第1 0 A圖及第1 1 A圖中顯示， 在圖案化第一金屬層時，會使用到光罩與感光性光阻，在 形成第一金屬層於基板上2 1 0後，感光性光阻層會形成於| 第一金屬層上，接著光罩會被設置在光阻層上方，然後會 利用此光罩進行光曝光步驟，這樣在顯影光阻並蝕刻該第 一金屬層後，便可形成閘極2 1 6、閘墊2 1 8、電源墊2 1 9、 閘線2 1 2及電源線2 1 3。 在第8 B圖、第9 B圖、第1 0 B圖及第1 1 B圖中，第一絕緣 層2 2 0、未摻雜非晶矽（a-Si )層及摻雜非晶矽（n + a-Si )層 會連續地形成於基板2 1 0上以覆蓋住該圖案化金屬，即閘 極2 1 6、閘墊2 1 8及電源墊2 1 9。第一絕緣層2 2 0係用以作為 閘絕緣層以電性絕緣及保護其位於下面的閘電極2 1 6、閘 墊21 8及電源墊21 9。接著，未摻雜非晶矽（a-Si )層及摻雜| 非晶矽（n + a-Si )層會同時利用第二光罩製程圖案化以形成 半導體層2 2 4於閘極2 1 6上方，其中該半導體層2 2 4係包含 由未摻雜非晶矽層組成的主動層2 2 4 a以及由摻雜非晶矽所 組成的歐姆接觸層2 2 4b。此外，第一絕緣層2 2 0係包含非
第25頁 1244786 五、發明說明（19) 有機材料，該非有機材料係選自氮化矽物（s丨N X)及二氧化 矽（S i 0 2)所構成的群組。 1 在第8C圖、第9C圖、第10C圖及第Uc圖中，第二金屬 層會形成於第一絕緣層上2 2 0並接著利用第三光罩製程圖 案化以形成一資料墊2 3 8、一源極2 2 8及一汲極2 3 2,源極 2 2 8及汲極2 3 2係被形成以接觸歐姆接觸層2 24b，且會彼此 分開橫過閘極216，此外，資料線2 3 6 (在第7圖中）會在形 成源極228及汲極2 3 2的過程中形成，接著資料墊238會被 設置於資料墊區域裡以電性地與資料線溝通，就如同先前 所述，資料墊2 3 8會延著至電源墊219的相反方向設置於資< :線：二。第Λ金屬層係包含具有高化學阻抗的金屬材 枓，例如疋鉬（Mo)、鈦（Ti)、鉻（cr)及鎢（w) 之門= 與汲極2 3 2之後’在源極228與淡極232 Ξ ^作Λ Λ 層224b的一部份會利用源極2 28與沒 極2 3 2作為遮罩來移除，因此會露出主動層的一部 :=形成源極2 28與汲極23 2之間的一通道。藉此，如 :含閑極216、半導體層叫、源極m及 極2 3 2的驅動薄膜電晶體τ粳可形成。 芦丄第二圖、第9D圖、第1_及第11D圖中，第二絕緣 :Γ ί8 Ϊ :第一絕緣層2 2 0上以覆蓋薄膜電晶體㈣ 疊閘塾218及電源塾219。接著，第二絕 、=第四光罩製程圖案化，以形成源極接觸孔 及極接觸孔248、資料墊接觸孔25〇、 及電源塾接觸孔2 54。當形成閘塾2 5 2及電源:塾
1244786 五 時 接 、發明說明（2〇) 觸:二面電緣層2 2 0也會被圖案化，藉以閘墊 二絕緣層25、6 ::接觸孔2 54會貫穿第-絕緣層心當 口此’源極接觸孔2 4 6會對著源代 第 極接觸孔m會對著汲極2 3 2,資料 者^⑵，汲 料問塾接觸孔2 5 2會對著問塾2im〇=著資 孔254會對著電源塾219。第二絕緣層2 5 6係塾接觸 料及非有機材料之豆中一 ’、匕3有機材 膜電晶體T接觸的絕、綾物’ / = ^ a多層結構，而與薄 物（slNx)或二氧化碎、、（Si〇^、、、機材料，例如是氮化矽 的連接圖樣;74上了於及第11E® * ’具有柱到 上，发中兮、奎^成旦素區域作里的第二絕緣層256 材料：开心Ϊ篆2 74係利用第五光罩圖案化有機絕緣 置，詨^技闰二對者.有機電致發光二極體的第二電極的位 的—個高度Υ 7 2 74係具有比薄膜電晶體Τ相對應高度要高 層係二ί H、第9F圖、第1〇F圖及第11F圖中，第三金屬 利用第六先罜ί絕緣層256上以覆蓋連接圖樣2 74,並接著 源電極2 7 8 —、次転圖案化，以形成—連接電極2 7 6、一電 墊端子2 1二Ϊ料墊端子280、—閘墊端子2 8 2及一電源 樣274並妒由^托f電極2 7 6係重疊於晝素區域裡的連接圖1 示，電、/雷朽”妾觸孔2 4 8與汲極接觸2 3 2，如第7圖所 以將 ’、 觸孔2 5 0接觸資料墊2 3 8，閘墊端子2 8 2會
第27頁 1244786 五、發明說明（21) 經由閘墊接觸孔2 5 2接觸閘墊2 1 8以及電源墊端子2 8 4會經 由電源墊接觸孔2 5 4接觸電源墊2 1 9。 第1 2圖係顯示本發明之雙面板型主動矩陣 OELD裝置 的下面板的基本晝素結構之另一實施例平面圖。在第1 2圖 中，主動矩陣OLED裝置係可包含反轉交錯型（inverted s t a g g e r t y p e )薄膜電晶體，其中閘線係延著第一方向設 置，且一資料線3 3 6與一電源線3 1 3係彼此分開，並延著垂 直交叉於閘線3 1 2的第二方向設置，因此，一晝素區域P係 可藉由閘線3 1 2，以及分開的資料線3 3 6與電源供應線3 1 3 來定義，此外切換薄膜電晶體（TFT ) T s會相鄰於閘線3 1 2與| 資料線3 3 6彼此交叉的地方設置，並包含一自閘線延伸之 切換閘極3 1 4，自資料3 3 6延伸之切換源極3 2 6，與切換源 極3 2 6分開的切換汲極3 3 0以及設置於切換閘極3 1 4上方的 切換半導體層3 2 2。與第7圖的下面板不同的是，第1 2圖的 半導體層3 2 2會在源極3 2 6與汲極3 3 0的下方延伸。 在第1 2圖中，電源線3 1 3會與閘線3 1 2以相同的材料在 相同的製程步驟中形成，再者，電容電極3 3 4會自汲極3 3 0 垂直的延伸並設置於電源線31 3上方，如此電容電極3 3 4便 可構成具有電源線3 1 3—部份的儲存電容C ST，其中電源線 3 1 3係被電容電極3 3 4所重疊，此外半導體圖樣3 2 1會自半| 導體層3 2 2延伸並形成於電容電極3 3 4的下方，其中該半導 體圖樣3 2 1以及電容電極3 3 4係在相同的圖案化製程中形 成，所以它們係具有相同的圖樣形狀。再者，半導體圖樣 3 2 1也可設置於資料線3 3 6的下方，且具有與資料線3 3 6—
第28頁 1244786 五、發明說明（22) 樣的圖樣形狀。 在第1 2圖中，驅動薄膜電晶體T蔣連接於切換薄膜電 晶體（TFT ) T及電源線3 1 3，驅動薄膜電晶體T息含驅動閘 極3 1 6、驅動源極3 2 8、驅動汲極3 3 2及驅動半導體層3 2 4， 驅動閘極3 1 6係與切換汲極3 3 0連接，並由與閘線3 1 2相同 的材料，在相同的製程步驟中形成，驅動源極3 2 8與驅動 汲極3 3 2係重疊於驅動閘極3 1 6的旁邊部位，並由與資料線 3 3 6相同的材料所組成，因驅動源極3 2 8與驅動汲極3 3 2係 與資料線3 3 6於相同的製程步驟中形成，驅動半導體層3 2 4 係不只設置於驅動閘極3 1 6的上方，並且癟設置在驅動源 極3 2 8與驅動汲極3 3 2的下方。 在弟12圖中’具有島型的電源電極3 7 8係經由源極接 觸孔3 4 6與驅動源極3 2 8連接，並經由電源接觸孔3 5 1與電 源線3 1 3連接。此外，連接電極3 7 6，係將下基板的驅動薄 膜電晶體T連揍於上基板的有機電致發光二極體，係可形 成於晝素區域P裡並與驅動汲極3 3 2連接。連接電極3 7 6與 電源電極3 7 8係利用相同的材料，於相同的製程步驟中形 成，雖然在第1 2圖中未顯示，但在第1 3 F圖顯示該連接電 極3 7 6係包含位於下方的連接圖樣，其具有柱型並由絕緣 層所組成。 根據本發明，電源線3 1 3的一部份會用作儲存電容C ST 的第一電容電極，而儲存電容Cs必包含電容電極334，該 電容電極3 3 4係自切換汲極3 3 0延伸以用作第二電極，其特 徵更在於，電容電極3 3 4重疊於電源線3 1 3的區域係構成儲
第29頁 1244786 五、發明說明（23) 存電容CST。 資料墊3 3 8 閘墊3 1 8及一電源墊 在第1 2圖中 3 1 9會分別形成於資料線3 3 6、閘線3 1 2及電源線3 1 3的一 端。此外，資料墊端子3 8 0係被設置以重疊於資料墊3 3 8， 閘墊端子3 8 2係被設置以重疊於閘墊3 1 8，及一電源墊端子 3 8 4係被設置以重疊電源墊3 1 9。資料墊端子3 8 0、閘墊端 子3 8 2及資料墊端子3 8 4係可在同樣的製程步驟，使用同樣 的材料延著連接電極3 7 6形成，此外資料墊3 3 8會與資料線 3 3 6於同樣的製程步驟中形成，藉以該半導體圖樣3 2 1會以 相同的圖樣形狀形成於資料墊3 3 8的下方。 同時，因電源線3 1 3係與閘線3 1 2—起形成，第一連接 電極3 8 3 a與第二連接電極3 8 3 b會交叉的形成並靠近於閘線 3 1 2以避免閘線3 1 2與電源線3 1 3之間會有電性短路，第一 連接電極3 8 3 a會交叉於閘線3 1 2形成，且係與利用與資料 線3 3 6—樣的材料，在相同的製程步驟中形成。第二連接 電極3 8 3 b係與連接電極3 7 6使用相同的材料一起形成，且 係用以將第一連接電極3 8 3 a連接於電源線3 1 3，因此延著 相鄰晝素區域P垂直方向的電源線3 1 3會電性貫穿連接該第 一連接電極3 8 3 a及第二連接電極3 8 3 b。 在第1 2圖中，因資料墊3 3 8及電源墊3 1 9係分別用以供丨 應不同的訊號至資料線3 3 6及電源線3 1 3，資料墊3 3 8會形 成於與電源墊3 1 9相對的一端，舉例來說，若資料墊3 3 8形 成於資料線3 3 6的一上端，電源墊3 1 9便會形成於電源線 3 1 3的底端。
第30頁 1244786 五、發明說明（24) 在苐1 2圖中所顯不的形成雙面板型主動矩陣 0 E L D裝 置的下面板的一製造過程實施例，會在以下再配合第1 3 A 圖至第13F圖、第14A圖至第14F圖、第15A圖至第15F圖及 第1 6 A圖至第1 6 F圖來詳細說明。 第1 3 A圖至第1 3 E圖係第1 2圖中延著Μ -M的截面圖， 第14Α圖至第14Ε圖係第12圖中延著X IV -X IV的截面圖， 第1 5 Α圖至第1 5 Ε圖係第1 2圖中延著X V -X V的截面圖， 第1 6 A圖至第1 6 E圖係第1 2圖中延著X VI -X VI的截面圖， 而第1 2圖係顯示本發明之形成雙面板型主動矩陣OELD裝置 的下面板的一製造過程實施例。 在第13A圖、第14A圖、第15A圖及第16A圖中，第一金 屬層會形成於一基板3 1 0上，接著並圖案化以形成一閘極 316、一閘墊318及一電源墊319，雖然在第13A圖、第14A 圖、第1 5 A圖及第1 6 A圖中未顯示，但在第1 2圖中顯示該閘 線3 1 2及電源線3 1 3也係於第一金屬層圖案化後形成於基板 3 1 0上，根據本發明，第一金屬層係需具有低電阻，例如 鋁0 雖未於第13A圖、第14A圖、第15A圖及第16A圖中顯 示，在圖案化第一金屬層時，會使用到光罩與感光性光 阻，在形成第一金屬層於基板上3 1 0後，感光性光阻層會· 形成於第一金屬層上，接著光罩會被設置在光阻層上方， 然後會利用此光罩進行光曝光步驟，這樣在顯影光阻並蝕 刻該第一金屬層後，便可形成閘極3 1 6、閘墊3 1 8、電源墊 3 1 9、閘線3 1 2及電源線3 1 3。
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五、發明說明（25) 么 在第13B® 、第14B圖、第15B圖及第16B圖中，μ 緣層3 2 0、未摻雜非晶矽（a_si)層、摻雜非晶矽’第〜絕 層及第二金屬層會連續地形成於基板31〇上以覆^n + a〜Si) 案化金屬，即閘極3丨6、閘墊3丨8及電源墊3丨9。^隹鸪_ 層3 2 0係用以作為閘絕緣層以電性絕緣及保護其〜絕緣 的閑電極316、閘墊318及電源墊319,以及閘線2於下面 線。 、^電溽 接著，未摻雜非r日仪巧、修維非晶石夕層以及μ ^會同時利用第二光罩製程圖案化以形成半導體第二金屬 蓋住半導體層3 2 4上的該閘極3 1 6、源極3 2 8與沒木㈢3 2 4覆 及資料墊3 3 8。再者，資料線3 3 6 (在第7圖中、）會=3 3 2，以 線3 1 2形成，其中該資料墊3 3 8會被延著至電源藝义又於閘 ^方向設置於資料線的一端，當形成源極3 28盘3 19的相 =，係利用繞射曝光方法，此方法將配17至=板332 說明。 〇主第”D圖來 3Β園因梦層與第二金屬層係在同一光罩製程形成 ，此外如第14B圖所示，半導體圖樣321會$ ^的下方蜂 下方並具有相同的圖樣型式，坌 於資 巧…抗的金屬材料，Λ式是翻第以 級^及鎢U)。而該半導體層3 24係包含 =(Ti)、鉻、 324h的主動層3248以及由摻雜非晶矽所袓成όΐ Ϊ非晶矽肩 4b，此外，半導體圖樣3 2 1可句人Α μ成的歐姆接觸層 321碘摻雜非晶矽圖樣32lb。第一\未摻雜非晶矽圖樣 昂一、、、邑緣層3 2 0係包含非有 圖所不，半導體層3 24會於源極32 8與汲極，如第 ’此外如第1 4Β圖所示，半導體圖婵0。，人 W的下 1244786 五、發明說明（26) 機 (sT/t : f有機材料係選自氮化矽物（S 1 N x)及二氧化矽 接網1 冓成的群組，同時源極328及汲極3 3 2係被形成以 接觸歐姆接觸層3 2 4b，且會彼此分開橫過問極川。 之R Ϊ形成源極328與汲極3 3 2之後，在源極3 2 8與汲極332 拓;二1出的歐姆接觸層3 24b的一部份會利用源極3 2 8與汲 二33二作為遮罩來移除，因此會露出主動層32切的一部 D此形成源極3 2 8與汲極3 3 2之間的一通道。纟關於通 成^過程將在以下配合第17α圖至第i7D圖作更詳細的 ’、、精此，如第13C圖所示，包含閘極316、半導體層 源極3 2 8及汲極3 3 2的驅動薄膜電晶體τ揲可形成。 缓展^13(：圖、第14C圖、第15C圖及第16C圖中，第二絕 資二執形成!!第一絕緣層3 2 0上以覆蓋薄膜電晶體 用笙一土 。接著，第一絕緣層3 2 0與第二絕緣層3 5 6會利 觸：π 罩製程圖案化，以形成源極接觸孔34 6、汲極接 Μ , 貝料墊接觸孔3 5 0、閘墊接觸孔3 5 2及電源墊接 觸$ ^ ^極接觸孔3 46與汲極接觸孔3 48以及資料墊接 、7f H /貝牙第二絕緣層3 5 6，同時閘墊接觸孔3 5 2及電 ΪΪ 孔3 5 4會貫穿第一絕緣層3 2 0與第二絕緣層356。 ^ ^蜀孔3 4 6會對著源極3 2 8，汲極接觸孔3 4 8會對著汲 二’資料塾接觸孔350會對著資料墊3 3 8，閘塾接觸孔 5 2會對著閘墊318以及電源墊接觸孔354會對著電源塾 Π豆^+外，第二絕緣層356係可包含有機材料及非有機材 ::絕：；一：或是包含多層㈣，而與薄膜電晶體Τ接 、、、、物可為非有機材料，例如是氮化砂物（$丨Ν X)戋一
第33頁 1244786 五、發明說明（27) 氧化矽（S i 0 2)。 在第13D圖、第14D圖、第15D圖及第16D圖中，具有桎 ^的連接圖樣3 74會形成於晝素區域P裡的第二絕緣層356 ’其中該連接圖樣3 74係利用第四光罩圖案化有機絕緣 J枓而形成，並對著有機電致發光二極體的第二電極的位 =丄此外該連接圖樣374係具有比薄膜電晶體丁相對應高 晋鬲的一個高度。 ^第13E圖、第14E圖、第15E圖及第16E圖中，第三金 係形成於第二絕緣層3 5 6上以覆蓋連接圖樣3 74，並接 %用第五光罩製程圖案化，以形成一連接電極3 7 6、一 =電極3 78、一資料墊端子3 8 0、一閘墊端子3 8 2及一電 _ 鸲子3 8 4，該連接電極3 7 6係重疊於畫素區域裡的連接 戶回樣3 7 4並經由汲極接觸孔3 4 8與汲極接觸3 3 2，如第丨2圖 2斤示’電源電極3 7 8係經由源極接觸孔3 4 6與源極3 2 8接 ’以將源極3 2 8電性連接於電源線3丨3，此外資料墊端子 合會經由資料墊接觸孔35〇接觸資料墊3 3 8，閘墊端子 曰一經由間塾接觸孔3 5 2接觸閘墊318以及電源墊端子384會 、、！由電源墊接觸孔3 5 4接觸電源墊3丨9。 第1 7 A圖至第1 7 D圖係顯示本發明利用繞射曝光方法形 /膜電晶體之製造流程一實施例截面圖。在第i 7八圖 ，=極41 2係藉由圖案化第一金屬層第一形成於基板4ι〇 屬溫著厂第一閘絕緣層414、一半導體層41 6以及第二金 1^ 1 8係連續地形成於基板4丨〇上以覆蓋住閘極4丨2上，’ ^該半導體層41 6係包含未摻雜非晶矽層41 6a及摻雜非
1244786 五、發明說明（28) 晶矽層4 1 6 b，接著感光性材料的光阻4 2 0會形成於第二金 屬層4 1 8上，且光罩4 3 0係位於光阻4 2 0上方。 光阻4 2 0係可為正型的感光性材料，或稱作正光阻， 其中被曝光的地方會在顯影製程中被移除。光罩4 3 0係具 有一個第一部位Μ卜多數個第二部位Μ 2、以及多數個第三 部位Μ 3，第一部位Μ 1係包含半透射部位，以及包含多數個 狹缝或半透明薄膜使得光的一半部份可通過。第一部位Μ 1 係對著薄膜電晶體的通道區域ch的位置，第二部位M2包含 遮罩部位係用以在曝光製程中檔住光，其係對著薄膜電晶 體的源極與汲極，而第三部位M3包含透射部位，能讓光完| 全通過，其係對著晝素區域。 在將光罩4 3 0置於光阻4 2 0上方後，便會使用光罩4 3 0 對光阻4 2 0進行曝光的製程，因此通過第三部位Μ 3的光會 完全照亮其對著的區域，同時通過第一部位Μ 1的光僅微弱 的照亮其對著的區域。 所以，如第1 7 Β圖所示，在光阻4 2 0顯影之後，光阻 4 2 0上完全被照亮的區域會被移出，而光阻上對著光罩4 3 0 第一部位Μ 1的區域會留在第二金屬層4 1 8上，因此便會在 閘極4 1 2上形成具有鋸齒狀4 4 0的光阻圖樣4 4 2，接著，第 二金屬層4 1 8被曝光的區域以及半導體層4 1 6位於其下的區| 域會被蝕刻，如此便可如第 1 7 Β圖所示，光阻圖樣4 4 2下 方的金屬及矽圖樣係會被留下。 第1 7C圖係顯示灰化（ashing)光阻圖樣44 2的製程步 驟。光阻圖樣4 4 2係可被灰化，以使光阻圖樣4 4 2的部位可
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五、發明說明（29) 以被部份的移除一厚度d，以使圖案化的第二金屬層4 1咏 一部位可露來。因此，此被灰化的光阻圖樣4 4 2會具有一、 開:444,接著第二金屬層418的曝光區域會被蝕刻掉，以 使得可以形成彼此分開的源極4 4 6與汲極4 4 8，並橫過n / 4 19。 ’甲1極 在形成源極4 4 6與汲極4 4 8後 —a 如第1 7 D圖所示，殘^ 的光阻圖樣44 2會完全的被剝去，接著在源極44 6與汲極子 448之間的摻雜非晶矽層4丨6b區域會被移除到位於其下 ，摻雜非晶矽層41 6a露出，藉此便可形成通道&於非、 1 416让，當移除源極446與汲極448之間的摻雜2 曰曰矽層41 6b區域後，位於其下的非摻雜非晶佃j ，部份地峰乂完全的去掉通道ch中的摻雜非曰;： 在，非摻雜非晶矽層4 i 6 a係作為主動層4 石夕層45_作為歐姆接觸層45〇b。藉&，間才亟:雜非晶 層45 0a、歐姆接觸層45〇1)以及源極4仞盥 \ 膜電晶體τ。在第17細至第17则的繞射曝構成薄 動層與歐姆接觸層以及源極與極係 於 / ，主 程中形成。 時於相同的光罩製 光二極體係形成於 及製造良率。再 置’便可減少薄膜. 最後，因在此OELD 其製造過程係可在 根據本發明，因其陣列層與有機致 不同的基板上，便可得到高的生產效能 來，因本發明的下面板係利用於〇EL晚 電晶體設計上的限制並得到高孔徑比。 裝置中係置入反轉交錯型薄膜電晶體， 相對較低的溫度下進行，並 1244786 五、發明說明（30) 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明 之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明 之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定 者為準。
第37頁 1244786 圖式簡單說明 第1圖為習知的主動矩陣式OLED裝置中一基本畫素的· 等效電路圖； 第2圖為習知的主動矩陣式OLED裝置的基本畫素結構 平面圖； 第3圖係顯示第2圖中延著m -m的習知驅動薄膜電晶 體、儲存電容及發光二極體的截面圖； 第4 A圖至第41圖係顯示第3圖中習知的主動矩陣式 0 L E D裝置的截面圖，用以顯示其製造過程； 第5圖係為習知OELD裝置的截面圖； 第6圖係顯示本發明雙面板型OELD裝置一實施例的截| 面圖示； 第7圖係顯示本發明雙面板型主動矩陣OELD裝置的下 面板基本晝素結構一貫施例的平面圖； 第8A圖至第8F圖係第7圖中延著Μ -M的截面圖，係顯 示形成雙面板型主動矩陣 OELD裝置的下面板的一製造過 程實施例； 第9A圖至第9F圖係第7圖中延著IX -IX的截面圖，係顯 示形成雙面板型主動矩陣OELD裝置的下面板的一製造過程 實施例； 第10A圖至第10F圖係第7圖中延著X -X的截面圖，係® 顯示形成雙面板型主動矩陣OELD裝置的下面板的一製造過 程實施例； 第1 1 A圖至第1 1 F圖係第7圖中延著X I -X I的截面 圖，係顯示形成雙面板型主動矩陣OELD裝置的下面板的一·
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圖式簡單說明 製 造 過 程實施例； 第 1 2圖係顯示 本 發 明 之 雙 面 板 型 主 動 矩 陣OELD裝置的 下 面 板 的基本晝素 結 構 之 另 一 實 施 例 平 面 圖 第 13A圖至第1 3E :圖 係 第 1 2圖 中 延 著 m - VDI的截面圖’ 係 顯 示 形成雙面板 型 主 動 矩 陣 OELD 裝 置 的 下 面板的一製造 過 程 實 施例； 第 14A圖至第14E圖 係 第 1 2圖 中 延 著 X IV -X IV的截面 5 係 顯示形成雙 面 板 型 主 動 矩 陣 OELD 裝 置 的下面板的一 製 造 過 程實施例； 第 15A圖至第1 5E圖 係 第 1 2圖 中 延 著 X V -X V的截面丨 圖 係 顯示形成雙 面 板 型 主 動 矩 陣 OELD 裝 置 的下面板的一 製 造 過 程實施例； 第 1 6 A圖至第] .6E圖 係 第 1 \ 2圖 中 延 著 X VI -X VI的截面 圖 係 顯示形成雙 面 板 型 主 動 矩 陣 OELD 裝 置 的下面板的一 製 造 過 程實施例； 及 第 17 A圖至第] ί 7D圖 係 顯 示 本 發 明 利 用 繞 射曝光方法形 成 薄 膜 電晶體之製 造 流 程 一 實 施 例 截 面 圖 0 [ 圖 式 符號說明】 c 1 h 通道 區 域 C ST 儲存 電 容 E 發光 二 極 體 GL 閘線 Ml 第一 部 位 M2 第二 部 位
第39頁 1244786 圖式簡單說明 M3 第 三部位 P 晝 素區域 PL 電 源線 Ts 切 換薄膜電晶 體 TD 焉區 動薄膜電晶 體 1 基板 30 緩衝層 31 第 一半導體層 32 第 二半導體層 32a 主 動區 32b 源 區 32c 汲 區 34 電 容電極 35 第 一閘電極 36 閘 絕緣層 37 閘 線 38 第 二閘電極 40 絕緣層 41、 電 源線 44 * 第 四絕緣層 4 6a 第 一接觸孔 46b 第 二接觸孔 46c 第 三接觸孔 50 源極 %
第40頁 1244786 圖式簡單說明 51 資料線 52 没極 54 第五絕緣層 56 弟四接觸孑L» 58 第一電極 60 第六絕緣層 62 開口 64 有機電致發光層 66 第二電極 70 第一基板 72 第一電極 74 有機電致發光層 76 第二電極 80 陣列層 85 密封劑 90 第二基板 92 凹面部位 94 濕氣吸收乾燥劑 110 第一基板 112 閘極 114 主動層 116 源極 118 沒極 140 陣列層 %
第41頁 1244786 圖式簡單說明 142 連 接圖樣 150 第 二基板 152 第 一電極 154 第 一載子傳輸層 156a 紅 色有機發光層 156b 綠 色有機發光層 156c 藍 色有機發光層 158 第 二載子傳輸層 160 有機電致發光層 162 第 二電極 170 密 封劑 210 基板 212 閘 線 213 電 源線 214 切 換閘極 216 驅 動閘極 218 閘 墊 219 電 源墊 220 第 一絕緣層 222 切 換半導體層 224 驅 動半導體層 2 2 4a 主 動層 2 2 4b 歐姆接觸層 226 切換源極
第42頁 1244786 圖式簡單說明 228 驅 動 源 極 230 切 換 汲 極 232 驅 動 汲 極 234 電 容 電 極 236 資 料 線 238 資 料 墊 246 源 極 接 觸 孔 248 汲 極 接 觸 孔 250 資 料 墊 接 觸 孔 251 電 源 接 觸 孔 252 閘 墊 接 觸 孔 254 電 源 塾 接 觸 孔 256 第 二 絕 緣 層 274 連 接 圖 樣 276 連 接 電 極 278 電 源 電 極 280 資 料 墊 端 子 282 閘 墊 端 子 2 8 3 a 第 一 連 接 電 極 2 8 3b 第 二 連 接 電 極 284 電 源 墊 端 子 310 基 板 312 閘 線 313 電 源 線 %
第43頁 1244786 圖式簡單說明 314 切 換 閘 極 316 ，驅 動 閘 極 318 閘 墊 319 電 源 墊 320 第 一 絕 緣 層 321 半 導 體 圖 樣 321a 未 摻 雜 非 晶 矽 圖樣 321b 摻 雜 非 晶 矽 圖 樣 322 切 換 半 導 體 層 324 驅 動 半 導 體 層 3 2 4a 主 動 層 3 2 4b 歐 姆 接 觸 層 326 切 換 源 極 328 驅 動 源 極 330 切 換 汲 極 332 驅 動 汲 極 334 電 容 電 極 336 資 料 線 338 資 料 墊 346 源 極 接 觸 孔 348 汲 極 接 觸 孔 350 資 料 塾 接 觸 孔 352 閘 墊 接 觸 孔 354 電 源 墊 接 觸 孔 %
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圖式簡單說明 356 第二絕緣層 374 連接圖樣 376 連接電極 378 電源電極 380 資料墊端子 382 閘墊端子 3 8 3 a 第一連接電極 3 8 3 b 苐二連接電極 384 電源墊端子 410 基板 412 閘極 414 第一閘絕緣層 416 半導體層 416a 未換雜非晶碎層 416 b 摻雜非晶矽層 418 第二金屬層 420 光阻 430 光罩 440 鋸齒狀 442 光阻圖樣 444 開口 446 源極 448 >及極 4 5 0 a 主動層 第45頁 1244786 圖式簡單說明 4 5 0 b 摻雜非晶矽層
1·_Ι 第46頁
Claims (1)
1244786 六、申請專利範圍 1 . 一種雙面板型主動矩陣式有機電致發光裝置，包含： 一閘線，延著一第一基板上之一第一方向配置； 一資料線，係延著該第一基板上之一第二方向配置； 一電源線，係延著該第一基板上之該第二方向配置， 並與該資料線分開以與該閘線及該貧料線定義一畫素區 域，該電源線與該閘線係於一相同製程中由一相同材料製 造形成； 一切換薄膜電晶體，係配置於該第一基板上之靠近該 閘線與該資料線交叉處； 一驅動薄膜電晶體，係配置於該第一基板上之靠近該| 閘線與該電源線交叉處； 一連接圖樣位於該第一基板上之該晝素區域裡，該連 接圖樣係由一絕緣材料組成；及 一連接電極，係配置於該第一基板上該晝素區域裡以· 覆蓋該連接圖樣，並將該驅動薄膜電晶體與一有機電致發 光二極體互相電性連接。 2. 如申請專利範圍第1項所述之雙面板型主動矩陣式有機 電致發光裝置，其中該有機電致發光二極體係配置於正對 於該第一基板的一第二基板上。 3. 如申請專利範圍第1項所述之雙面板型主動矩陣式有機| 電致發光裝置，更包含一第一連接電極，係交叉於該閘線 以延著該第二方向與該電源線互相連接，其中組成該第一 連接電極的材料係與組成該資料線的材料相同。 4. 如申請專利範圍第3項所述之雙面板型主動矩陣式有機
第47頁 1244786 六、申請專利範圍 =口 7^. 古口 近電成 靠該組 於與與 置向係 配方料 係二材 ，第的 極該極 電著電 接延接 4楚4 i i二一二 第極第 一電該 含接成 包連組 更一中 ，第其 置該， 裝與接 光以連 發處相 致線互 電閘線 於 極 接 il 亥 與 係 極 ^tcp 接 il 二 第 亥 ^0 同 。 相成 料形 材中 的程 極製 電的 接同 連相 機 有 式 tfht 矩 主 型 板 面 雙 之 述 所項、一 τ—I 含 第包 圍更 範， 利置 專裝 請光 申發 如致 5 電 薄 區 馬 玄 士-口 與 線 源 電 玄 口 將 極 電 源 ^¾ ^s 成相 組於 與極 係電 料接 材連 的該 極與 電係 源極 ^¾^¾ η^οτ r^Br 該源 成電 組該 中， 其同 ，相 接料 連材 相的 互極 體電 晶接 電連 膜該 機 有 式 」fhl 矩 主 型 板 面 雙 之 述 所 項 T—Η 第 〇 圍 成範 形利 中專 程請 製申 的如 同 6 資線 一源位 •，電 一 端該之 一於墊 之置源 線配電 閘墊該 該源於 於電對 置一正 配及於 墊以置 閘端配 1 一係 含之墊 包線料 更料資 ，資該 置該中 裝於其 光置， 發配端 致塾一 電料之 機 有 式 ifTt 一 矩 主 型 板 面 雙 之 述 所項、 6 含 第包 圍更 範’ 利置 專裝 請光 申發 。如致 置 7 電 塾 閘 該 於 觸 接 子 端 墊 閘 1 料 資 1 源電 電接 該連 於該 觸與 接由 子係 端墊 墊源 源電 電該 一及 及以 以墊 •，料 塾資 料該 資 、 該塾 於閘 觸該 接中 子其 端’ 塾塾 塾 源 電 該 及 以 墊 料 資 。 該成 、形 塾中 閘程 該製 且的 ，同 成相 組於 所極 dr tfig.1 材接 的連 同該 相與 極係 8 機 有 式 矩 主 型 板 面 雙 之 述 所 項、二 6 含之 第包 圍更晶 範’非 利置雜 專裝摻 請光未 申發含 如致包 ，電並 方第 下一 塾之 料矽 資晶 該非 於雜 位摻 樣及 圖樣 體圖 導一 半第
第48頁 1244786 六、申請專利範圍 機 有 式 tftrl 矩 主 型 板 面 雙 之 述 所 項 -t =二 第 圍 範 利 專 請 〇 中 樣如 圖 9 延體 線導 閘半 該換 自切 :一 含之 包方 體上 晶極 ^¾ F^1、 ^sgn 膜換 薄切 換該 切於 該置 中配 其； ，極 置閘 裝換 光切 發一 致之 電伸 以 機 ; 有 極 式 源。陣 換極矩 切沒動 一換主 之切型 伸一板 延之面 線開雙 料分之 資極述 該源所 之該項 9 方之 上方 層上 體層 導體 半導 該半 自該 ;與 層及 第 圍 範 利 專 請 申 如 之 伸 延 極 汲 換 切 亥 =口 上 線 源 電 該 含 包 更 置 裝。 光極 發電 致容 ^与^q 第 圍 範 利 專 請 申 如 置 裝 光 發 致 電 機 該方 於上 接的 連極 係閘， 極驅 其換 ，切 中 ‘體 板 U 日aa 面 ^6- 雙f 之® 述動 斤 ί 戶區 項— 以該 層該 體於 導接 半連 ft/i^> 驅， 一極 •，源 極動 汲驅 有 式 矩 閘該以 動於； 驅置極 一配電 :係源 電 ^¾ ΐ容 陣電 巨該 動於 位 1 Μ 型Η ‘圖 板 。Ξ體 極雙導 電d半 接€個 連Η數 該D複 於⑴含 接第包 連1更 係圍， 範」 ，J置 • j裝 汲青光 動f發 驅nt致一 Ϊ 一 · 2 及1機 源雙非 動一雜 驅含掺 該包一 及樣及 以 ftil樣 ，體圖 極導碎 汲半晶 換該非 切一雜 該每摻 與中未 極其一 源，含 換方包 切下構 該的結 ，極層 線沒雙 料動該 資驅， 該該構 ，與結 極極層 Arc ί -置it 。7 樣申發 圖U致 矽j電 3 晶1機 第 圍 中 其 有層 奉導 陣半 矩 ,i. 主玄 型言 Λ ®日 面/ .體 雙rf 之半 述半 2換 戶切 項 h該 觸 接 姆 歐 - 之 矽 晶 tr 雜 摻 及 層 主 一 之 晶 tr 雜 摻 未 含。 包層
第49頁 1244786 六、申請專利範圍 1 4. 一種雙面板型主動矩陣式有機電致發光裝置的製造方 法，包含： 閘線 電 圖案化一第一金屬層以形成一閘極， 源線，一閘塾以及一電源塾於一第一基板上； 形成一第一絕緣層於該第一基板上以覆蓋該閘極， 該閘墊以及該電源墊； 形成一半導體層於該閘極上方之該第一絕緣層上， 該半導體層包含一未摻雜非晶矽的主動層以及一摻雜非晶 矽之一歐姆接觸層； 形成一源極與一汲極，一資料線，一第一連接電極 以及一資料墊，其中該源極與該汲極係配置於該歐姆接觸 層上，而該資料線，該資料墊以及該第一連接電極係配置 於該第一絕緣層上，及其中該第一連接電極係交叉於該資 料線， 藉由蝕刻該源極與該汲極之間露出的一部份該歐姆 接觸層以形成一通道於該主動層中，並藉以形成包含該閘 極，該半導體層，該源極以及該汲極之一薄膜電晶體； 形成一第二絕緣層於該第一絕緣層上以覆蓋該薄膜電晶 體，該資料線以及該資料墊； 孔 孔 層 形成一源極接觸孔，一汲極接觸孔，一資料墊接觸 ，一閘墊接觸孔以及一電源墊接觸孔，其中該源極接觸 ，該汲極接觸孔，該資料墊接觸孔係貫穿該第二絕緣 ，以及其中該閘墊接觸孔與該電源墊接觸孔係貫穿該第 絕緣層與該第二絕緣層；
第50頁 1244786 六、申請專利範圍 使用一絕緣材料形成一連接圖樣於該第二絕緣層上 之該晝素區域上，其中該連接圖樣係具有一柱型及一大於 該薄膜電晶體一相對應高度之高度；及 使用一第三金屬層形成一連接電極，一電源電極， 一第二連接電極，一資料塾端子，一閘墊端子以及一電源 墊端子。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中該連接電極覆蓋該連接 圖樣並經由該汲極接觸孔與該汲極接觸。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有| 機電致發光裝置的製造方法，其中該電源電極係經由該源 極接觸孔接觸該源極並將該薄膜電晶體與該電源線互相連 接。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中該第二連接電極係配置 於靠近該閘線處並與該第一連接電極一起延著該資料線之 一第一方向與該電源線互相連接。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中該資料墊端子，該閘墊 端子以及該電源墊端子係分別經由該資料墊接觸孔，該閘| 墊接觸孔，以及該電源墊接觸孔接觸於該資料墊，該閘墊 以及該電源墊。 1 9 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中形成該閘線與該電源線
第51頁 1244786 六、申請專利範圍 的步驟中，包含使用一第一光罩；其中形成該半導體層的 步驟中，包含使用一第二光罩；其中形成該源極與該汲極 的步驟中，包含使用一第三光罩；其中形成該源極接觸孔 與該汲極接觸孔的步驟中，包含使用一第四光罩；其中形 成該連接圖樣的步驟中，包含使用一第五光罩；以及形成 該連接電極的步驟中，包含使用一第六光罩。 2 0 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中形成該源極與該汲極的 步驟中，包含形成一電容電極於該電源線上，該電容電極 係包含具有該電源線、該第一絕緣層及該第二絕緣層之一| 儲存電容。 2 1 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，更包含一有機電致發光二極 體於面對著該第一基板之一第二基板上，其中該連接電極 係將該薄膜電晶體電性與該有機電致發光二極體互相電性 連接。
2 2 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中該閘線係延著一第二方 向配置，該資料線與該電源線係延著該第二方向配置，並 彼此分開以定義該晝素區域。 2 3 .如申請專利範圍第1 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中用於該連接圖樣之該絕 緣材料包含有機絕緣材料。 24.—種雙面板型主動矩陣式有機電致發光裝置的製造方
第52頁 1244786 法 申請專利範圍 包含： 電 摻 圖案化一第一金屬層以形成一閘極，一閘線 源線，一閘墊以及一電源墊於一第一基板上； 依序形成一第一絕緣層，一未摻雜非晶矽層 雜非晶矽層以及一第二金屬層於該第一基板上以覆蓋該閘 極，該閘墊以及該電源墊； 形成一感光性光阻於該第二金屬層上； 將具有一半透光部位之一第一光罩置於該感光性光 阻上方； 利用使用該第一光罩之一繞射曝光方法，同時圖案 化該未摻雜非晶矽層，該摻雜非晶矽層以及該第二金屬層 以形成一主動層，一歐姆接觸層，一源極，一汲極，一資 料線，一第一連接電極及一資料墊； 藉由蝕刻該源極與該汲極之間露出的一部份該歐姆 接觸層以形成一通道於該主動層中，藉此形成包含該閘 極，該半導體層，該歐姆接觸層，以及該源極與該汲極之 一薄膜電晶體； 形成一第二絕緣層於該第一絕緣層上以覆蓋該薄膜 電晶體，該資料線以及該資料墊； 形成一源極接觸孔，一汲極接觸孔，一資料墊接觸1 孔，一閘墊接觸孔以及一電源墊接觸孔，其中該源極接觸 孔，該汲極接觸孔，該資料墊接觸孔係貫穿該第二絕緣 層，以及其中該閘墊接觸孔與該電源墊接觸孔係貫穿該第 一絕緣層與該第二絕緣層；
第53頁 1244786 六、申請專利範圍 上 層 緣 絕二 第 該 於 έκ 稽 圖 接 il- 成 形 料 材 緣 絕- 用 使 該 於 大- 及 型 柱 一及 有； 具度 樣高 圖一 接之 連度 該高 中應 其對 ，相 上一 域之 區體 素晶 t 』、& 該膜 之薄 極 電 接 4t&lJ il 1 成 形 層 屬 金 三 第 1 用 使 極 電 源 電 極 tyg.1 一^ιϋ 接 il二 第 1 子 端 塾 料 資 源 電 - 及 以 子 端 墊 閘 I、法 項-4方 2 第造 1製 圍 i的 ί -置 。請發 子t致 端L電 墊2機 主 型 板 面 雙 之 述 所 矩 有 式 接 -\ec 該 蓋 覆 極 一了6- ^νιϋ 接 吾一一 該 中 其 圖 2 觸 接 極 汲 該 與 孔 §· 0 接 極 汲 該 由 經 並 棉· 第 圍 範 利 專 請 申 有 式 tfhl 矩 主 型 板 面 雙 之 述 所 項 4 源連 該相 由互 經線 係源 極電 電該 源與 電體 該晶 中電 其膜 έ«τ ，^ 法該 方將 造並 製極 的源 置該 裝觸 光接 發孔 致觸 電接 機極 接 有 式 4gl 矩 主 型 板 面 雙 之 述 所 項 4 2 第 圍 範 利 專 請 申 如 7 2 置相 配互 係線 極源 ^、6-&W0 ^lu 一^9 接該 連與 二起 第一 該極 中電 其接 -\gc ，達 法一 方第 造該 製與 的並 置處 裝線 光閘 發該 致近 電靠 機於 第 圍 範 利 專 請 申 接如 8 連 2 有 式 矩 主 型 板 面 雙 之 述 請法 4方 no 造 製 的 置 裝 光 發 致 電 機 墊 閘 亥 古口 子 端 塾 料 資 該 中 其 閘墊 該閘 ，該 孔， 觸墊 接料 墊資 料該 資於 該觸 由接 經孔 別觸 分接 係塾 子源 端電 塾該 源及 電以 該， 及？ 以觸 子接 端塾 i、法 項-4方 2 第、 3製 圍 Ί 的 範 。彳置 墊Μ裝 專 源I光 請、 電 發 中L 該U致 及j電 9 以 2 機 主 型 板 面 雙 之 述 所 該 成 形 中 其 矩 有 式 亥 與 線 線 源
第54頁 1244786 六、申請專利範圍 的步驟中，包含使用一第一光罩；其中圖案化該未摻雜非 晶矽層，該摻雜非晶矽層以及該第二金屬層的步驟中，包 含使用一第二光罩；其中形成該源極接觸孔與該汲極接觸 孔的步驟中，包含使用一第三光罩；其中形成該連接圖樣 的步驟中，包含使用一第四光罩；以及形成該連接電極的 步驟中，包含使用一第五光罩。
3 0 .如申請專利範圍第2 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中圖案化該未摻雜非晶矽 層，該摻雜非晶矽層以及該第二金屬層的步驟中，包含形 成一電容電極於該電源線上。 3 1 .如申請專利範圍第3 0項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中該電容電極包含具有該 電源線、該第一絕緣層及該第二絕緣層之一儲存電容。 3 2 .如申請專利範圍第3 0項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中圖案化該未摻雜非晶矽 層，該摻雜非晶矽層以及該第二金屬層的步驟中形成複數 個半導體圖樣位於該資料線，該第一連接電極以及該資料 墊的下方。
3 3 .如申請專利範圍第2 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，更包含一有機電致發光二極 體設置於面對著該第一基板之一第二基板上，其中該連接 電極係將該薄膜電晶體與該有機電致發光二極體互相電性 連接。 3 4 .如申請專利範圍第2 4項所述之雙面板型主動矩陣式有
第55頁 1244786 六、申請專利範圍 機電致發光裝置的製造方法，其中該閘線係延著一第一方 向配置，該資料線與該電源線係延著該第二方向配置，並 彼此分開以定義該晝素區域。 3 5 .如申請專利範圍第2 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中用於該連接圖樣之該絕 緣材料包含有機絕緣材料。 3 6 .如申請專利範圍第2 4項所述之雙面板型主動矩陣式有 機電致發光裝置的製造方法，其中該感光型光阻係一正型 光阻材料。 3 7 .如申請專利範圍第2 4項所述之雙面板型主動矩陣式有| 機電致發光裝置的製造方法，其中該源極與該汲極係配置 於該歐姆接觸層上，其中該第一連接電極交叉於該閘線。
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