TWI241582B - Method for manufacturing recording media, method for manufacturing production plate, apparatus for manufacturing recording media, and apparatus for manufacturing production plate - Google Patents

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1241582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) [發明之技術領域] 本發明係關於記錄媒體之製造方法、記錄媒體製造用原 盤之製造方法、記錄媒體之製造裝置、以及記錄媒體製造 用原盤之製造裝置。 在本發明所謂的原盤，係指該原盤本身，也包含例如以 射出成形法或以雙P法（光聚合法；Photopolymerization法） 等成形具有微細凹凸之衝壓模（stamper)，用以轉印複製複 數個該衝壓模之所謂的主版模（master)，以及用以轉印複製 複數個該主版模之所謂的母版模（mother master)在内。 [先前技術] 近年來，對於更高記錄密度化之要求日益迫切。 另方面，最近在用以對記錄媒體實施光複製之光拾取頭 方面，也曾有關於把記錄媒體與光學透鏡間之距離抑制於 200 nm之所謂的近場（near field)構成之提案，而藉由光學 透鏡系統之高N. A.(高數値孔徑）化，以及使用短波長複製 (再生）雷射光即所謂的藍紫雷射光，使得射束光點（ spot)徑得以縮小化，進而達成軌距（track phch)縮小化，及 記綠標示（mark)之寬度及長度之縮小化，期能更加以提高 高記錄密度化。 然而，通常複製光之射束光點徑，係選定爲記綠標示寬 度之兩倍左右，俾能確實地讀出記綠標示。換言之，可供 形成於5己錄媒體之|己錄標示寬度’乃以可 A j小成馬複製光的 最小射束光點徑之1 / 2以下爲佳。 目前，記錄媒體之製造過程，例如就並 尼头成形所使用的原 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公餐— ί ^ --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1241582 A7 B7 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 盤之製造過程而言，通常，如圖9所示概略剖面圖，係採取 如下列步驟：在供構成原盤之基板101例如在玻璃基板上以 旋塗法形成光敏材料層102，然後，對於該光敏材料層 102，把雷射光1〇3用聚光透鏡104加以聚光，而例如按照欲 記錄的資料而予以照射，之後，則以顯像處理該光敏材料 層1 02 ’藉此以除去例如因雷射光照射而受到感光反應之區 域’而貫施光敏材料層102之型樣（pattern)化，然後以該光 敏材料層作爲遮罩而對於基板1 〇 1實施蚀刻，以形成對應於 記錄資料之微細凹凸。 按光敏材料之特性，如圖1 〇中r (伽馬）曲線之例子所 不，係具有在某一曝光量之値以上之曝光量下會急劇地亦 即大致以階段狀作感光反應之特性，因此，對於該光敏材 料，與以具有圖11Α中曲線2〇1所示雷射光功率分布之雷射 光進行曝光之場合相較，若使用具有比該功率具有更大功 率的圖1 1Β中曲線202之雷射光功率分布之雷射光而進行曝 光時，其在光敏材料層102中實質上的感光反應區域2〇2a， 與曲線201之雷射光功率分布之場合的感光反應區域2〇h相 較下，雖會擴大一些，但其擴展程度並非比照曝光功率增 加之幅度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，在上述例如記錄媒體製造用原盤之製造步驟中， 邊使該雷射光例如藉由上述基板101之旋轉而在光敏材料層 102上進行例如源旋狀之掃描，邊進行藉由例如圖i2A中曲 線2〇3所示發光模式之曝光時’如圖12B所示，便可在基板 1〇1上之光敏材料層102形成依照雷射光照射型樣的曝光部 本紙張尺度適用T國國家標準（c卿A4規格⑽x 297公髮 1241582

發明說明（ 1〇2Α，然後，以顯像處理例如將該曝光部除去，而以該光 敏材料層102作爲蝕刻遮罩對基板1〇1實施蝕刻所形成2微 細凹凸，則如在圖12c中例如以作爲其記綠標示之凹部 俯視圖所示，當可形成爲安定的型樣。 [發明所欲解決之課題] 然而，Μ方法對於光敏材料層的曝光照射雷射光之聚焦 控制上，則有問題存在。 就疋説，孩照射雷射光之聚焦控制方法，雖可採取以檢 ，來自於光敏材料層的雷射光返回光之方法而實施，但 疋，由於光敏材料層對於所使用之雷射光卻呈透明，因 而，如欲以檢測該返回光之方法實施聚焦控制乃是極端 難。 於疋’通常對於該光敏材料層之雷射光照射，則須採取 與孩曝光雷射分開使用不同波長的聚焦位置調整用雷射 光’例如紅色之He (氦）Ne (氖）雷射光之方法。 惟在此種情形下，由於其需使用聚焦位置調整用雷射光 與執行曝光的雷射光之兩種雷射光，因此，必須施予高精 度的兩種雷射光之相互位置對準。 加之’這些雷射光仍需依賴共同的聚光透鏡進行調焦， 准如將這些雷射光以準直·光（collimated light)狀態而入射於 聚光透鏡時’則因兩者波長互異，致聚焦位置也互異。 因此’這些聚焦位置之調整，理應預先作一些偏置調 整°此外’由於紅色的聚焦位置調整用雷射光之波長，比 用於曝光光敏材料層的雷射光之波長爲長，其聚焦深度也 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽x 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1241582

亦即記錄用雷射之聚焦伯 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 廣闊，因而造成曝光用雷射光 置調整更加不容易。 二：：：如上述，若使用聚焦位置調整用雷射光、與β 疋綠的⑽射光之兩種雷射光時，則有裝置複雜、大型化 使用麻煩等問題。 二：經由對於上述光敏材料層的型樣曝光所形編 U ’則將變得幾乎是依賴曝光使用的雷射光之射束 先點徑而定’以致於無從形成出超越光學界限之微細凹凸 型樣。因此，即使儘可能予以縮小複製用雷射光之射束光 點徑’但仍然不能在縮小至小於該複製雷射光的射束光點 徑之1/2下而形成。 再者，對於光敏材料層之型樣曝光裝置，也曾經開發電 子波束描畫裝置（electron beam writer)等以幫助形成微細型 樣，亦即高密度化，惟因該電子波束描畫裝置必須在高眞 芝中進行描畫作業，致該裝置則有變得大型且價昂之問題 存在。 本發明係在記錄媒體及記錄媒體製造用原盤之製造過程 中’具有對於形成於構成這些記錄媒體及記綠媒體製造用 原盤之基板上的材料層，按照記錄型樣照射雷射光之步驟 時’使其可在不必另行使用與該雷射光不同的聚焦位置調 整用雷射光下，實施聚焦控制，以解決使用聚焦位置調整 用雷射光時之上述諸問題。 另外，使記綠標示寬度能夠形成爲小於雷射光之射束光 點，以提高記錄密度。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ll· --------^---------1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1241582 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ :夕二本：明係在記綠媒體及記綠媒體製 &裝置中，謀求其構造簡化、小型 及簡化維護作業。 門儿诛作万法、以 [课題之解決手段]

==記綠媒體之製造方法，係在記綠媒體之製 ^具有對於形成於構成該記綠媒體之基板上的材 ’·、’#照記錄型樣照射雷射丨之步戰，其材料^ 現出預定之反射率，可使該雷射光產光: ::由檢測該雷射光，實施照射雷射光對於材料層的L 另外，按照本發明之記綠媒體製造用原盤之 係在記綠媒體製造用原盤之製造過程中， 成二 構成該記錄媒體製造用原盤之基板上的材料層，按昭=錄 型樣照射雷射光之步w，其材料層對於雷 定之反射率，可使該雷射光產生返回光，:見出預 射光’實施照射雷射„於材料層的聚焦調整B。“该雷 發明之記錄媒體之製造裝置，係在記錄媒 眩之“料中，具有對於形成於構成 上的材料層’按照記綠型樣照射雷射光之步驟：：； 其係用以保持構成記綠媒體之基板，該記錄媒 王面，以雷射光照射形成對於該雷射光具有 =Γ 且經由該雷射光照射而會形成變質部之散 敏材料層以作爲上述材料層；雷射光源部；調變手段，^ 係用以將供自雷射光源部之雷射光桉照記綠型樣加以調 ΙΓ------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 1241582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（ 變，並且予以碉變成較之該記綠型樣之周期爲高頻之頻 率；光學系統，其具有用於把雷射光聚光於上述材料層之 聚光透鏡系統；移動手段，其係用以相對於材料層移動雷 射光照射位置；以及聚焦調整手段，其係用以檢測來自於 上述材料層之雷射光的返回光而實施聚焦調整。 再者，按照本發明之記錄媒體製造用原盤之製造裝置， =在記錄媒體製造用原盤之製造過程中，具有對於形成於 構成孩記綠媒體之基板上的材料層，按照記錄型樣照射雷 ::之：驟，其包括：保持手段，其係用以保持構成記錄 媒，之基板，該記錄媒體至少在其一主面，以雷射光照射 形成相對於該雷射光具有預定之反射率，且經由該雷射光 照射而會形成變質部之熱敏材料層以作爲上述材料層；雷 射光源部；調整手段，其係用以將供自雷射光源部之雷: 光按照記錄型樣加以調變，並且予以調變成較之該記錄型 樣（周期爲高頻之頻率，·光學系統，其具有用於把雷射光 聚光於上述材料層之聚光透鏡系統；移動手段，其係用以 相對於材料層移動雷射光照射位置；以及聚焦調整手段， 其係用以檢測來自於上述材料層之雷射光的返 聚焦調整。 胃^ ，如上所述照本發明之記錄媒體及媒體製造用原盤之 製造方法’係具有對於形成於基板上之材料層按照記錄型 樣照射雷射光之步驟的記錄媒體之製造方法，而使並材料 2做成對於雷射光具有預定的反射率之構成，使該雷射光 月匕夠產生返回光’而藉由該雷射光本身之返回光檢測，實 .I.-------------------訂---------線 Γ%先閱讀背面之>i音？事項再填寫本頁) -9- 1241582 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 施聚焦調整，便可A τ m < 下，碓實地實施聚焦調整行聚焦調整所需雷射光 上Π照本發明之記錄媒體及媒體製造用原盤之製 以万法，由於不需要在高眞空 潔、小型之裝置。 1乍業’可構成間 [發明之實施形態] 本發明可適用於例如伸用彳斤媒士、 便用近场構成、短波長的藍紫雷射 光<記錄媒體。 按照本發明之記綠媒體之製造方法，係例如於^顯示其 一例 <概略俯視圖所示，製造例如形成有構成記錄標示 凹邵或凸邵所排列成微細凹凸2之記綠媒體時，可適用之。 按照本發明之記錄媒體之製造方法，係在記錄媒體之製 造過程中，在對於構成該記錄媒體的基板上所形成之材料 層，按照記錄型樣進行照射雷射光之步驟時，則將其材料 層例如以對於雷射光具有預定的反射率之熱敏材料層構成 之。 以如此方法，令將要對該材料層照射之雷射光本身產生 返回光，而藉由該返回光之檢測來實施照射雷射光對於材 料層的射束光點之聚焦調整。 在按照本發明之記綠媒體之製造方法，則首先準備將氧 化石夕（Si〇2)層形成於例如透明樹脂基板、或例如玻璃基板上 而製成的Si〇2基板，然後，在其上面被覆形成具有上述特 性的材料層之熱敏材料層。 接著，對於該熱敏材料層，使用按照目的之微細凹凸2的 -10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1241582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（8 ) 型樣之型樣，亦即例如圖1的記錄標示1之排列型樣，或使 用咸型樣之反轉型樣下，照射雷射光，使熱敏 利 雷射光照射部之溫度上升而形成變質部。 曰利用 假設，照射雷射光在射束光點之功率分布，爲例如圖2中 曲線3，且在熱敏材料層之實質雷射射束光點爲㈣ 熱敏材料層之變質部’亦即溫度上升部4則將成爲比雷射束 光點SP爲狹小之區域。換言之，該變質部可使之小於帝射 射：光點’並且例如再進一步加以選擇雷射功率，便；使 其溫度上升區域4，亦即變質部寬度選定爲更小者。 附帶说明下，溫度上升區域4在射束光點移動方向上合 朝後方側變寬之原因，乃在於在該後方側的雷射光之實^ 照射時間會變得長之緣故。 接著，對於該熱敏材料層之照射雷射光，按照目的之微 細凹凸型樣施予強度調變。並且，假如欲記綠於記綠媒體 的記綠資料型樣爲例如圖3A所示型樣時，則與施予按照該 資料型樣的記錄資料信號之調變同時，如圖3β或圖％所 示，使用比該記綠資料信號之頻率高出例如數1〇〇 MHz之一 定的高頻信號加以調變。就是説，在光敏材料層，選擇性 地對於欲形成變質部之部分，實施具有大於可獲得使之產 生變質的溫度上升的位準以上之功率的雷射光照射，同 時’對於该邵分之雷射光照射，如圖3 b所示，實施藉由以 高頻率之接通·關斷反覆動作的脈衝雷射光照射之調變， 或是如圖3 C所示，在變質部的形成部之雷射光選擇性照射 方面，實施使功率在某一位準以上的反覆動作雷射光之功 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I. --------t--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1241582 A7

--------^---------^ i^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1241582 A7 ___________B7___— 五、發明說明（10 ) 光照射邵後端變寬。換言之，寬度會因記錄標示長短而引 起變動。 士然而，如上述，若施予高頻調變使雷射光照射以斷斷續 %或以強弱反覆方式進行時，記錄標示即使爲長的情形下 也能抑制溫度上升，可形成經予改善標示長度的長短依存 性之變質部，進而形成標示型樣。 如上述，經施予雷射光照射固可形成變質部亦即微細凹 凸，但在本發明中，其材料層之熱敏材料層係使用具有預 定的反射率之構成，藉此以產生該雷射光之返回光。在本 發明則將此返回光用於聚焦伺服控制。 該聚焦伺服控制，如後述，可使用通常在光碟、光磁 碟、光相變型光碟等用於光記綠及/或複製之光拾取頭之利 用聚焦伺服構成的諸如··非點像差法、刀刀法、楔形棱鏡 法、臨界角法等。 另外，按照本發明之記錄媒體用原盤之製造方法，例如 於圖1顯示其一例之概略俯視圖所示，也可適用於製造例如 以射出成形法、雙p法等方法製造例如形成有排列構成記錄 標示1的凹部或凸部而成的微細凹凸2之記錄媒體所需原盤 之場合。 該原盤之製造方法，係先準備用於構成原盤之基板，然 後，在其上面形成例如熱敏材料層以作爲上述材料層。 接著，對該熱敏材料層，以雷射光照射成按照目的之微 細凹凸型樣，亦即例如構成圖1中記錄標示的凹部1之型 樣’或是將之予以反轉之型樣，使熱敏材料層形成該型樣 -13- 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1241582 A7 •、發明說明（11 ) 之變質部。 币f此種情形下’也使用與圖3之説明同樣地經施加調變之 雷射光實施照射。 微：後，將此熱敏材料層加以顯像，除去其變質部或未經 ^〈邵分’使光敏材料層型樣化。在此種情形下，如圖2 次明，也可形成比雷射射束光點狹小之變質部。 一，此種情形下，由於熱敏材料層受到型樣化，也可在該 了 =材料層形成微細凹&，因此，雖可以於此狀態下直接 2具有微細凹凸之記錄媒體使用，但在此種情形下，由 万、微細凹凸之深度（高低差）受到基於熱敏材料層厚度之規 定等限制，所以，可以該熱敏材料層作爲蝕刻遮罩，再以 例如各向異性蝕刻的RIE (反應性離子蝕刻）法將基板表面 蝕刻成一定之深度，便可形成具有預定深度之微細凹凸而 製造原盤。 這些原盤，如記述在本説明書開頭，係指衝壓模，或用 以轉印複製複數個該衝壓模之所謂的主版模，或用以轉印 複製複數個該主版模之所謂的母版模等。 在按照本發明之原盤之製造方法，也與記綠媒體之製造 方法同樣地使用熱敏材料層，並對其以雷射光照射而形成 變質部，即可形成更微細JL高密度之微細凹凸。 另外，經施予高頻調變使雷射光照射以間斷或強弱反覆 方式進行’便可形成標示長度之長短依存性獲得改善之微 細凹凸。 另外，在製作該記錄媒體製造用原盤時，也使其材料層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -t 訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14 -

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1241582 五、發明說明（ 之熱敏材料層採用具有預定的6私，套、 JI、疋的反射率 < 構成，藉此以產生 該雷射光之返回光。在本發明則腺兮、自， 仏个I明則和该返回光用於聚焦伺服 控制之用。 對於孩聚焦伺服㈣，也可使用通f之非时差法、刀 刃法、楔形棱鏡法、以及臨界角法等。 可供使用於上述按照本發明之記綠媒體之製造方法，及 記錄媒體製造用原盤之製造方法之熱敏材料層，可採用至 少使用兩層以上互不相同的構成材料，亦即至少使用第一 及第二材料層之疊層構造。然後，藉由照射雷射光所產生 溫度上升，使這些構成材料層間產生相互擴散或溶解而形 成由這些兩種以上材料經由混合或反應所產生之變質部。 另外，該熱敏材料層所使用之構成材料，則以無機材料 爲宜。 關於熱敏材料層之具體構成，可採用諸如：A丨（鋁）層與 Cu (鋼）層之疊層構造，A1層與Ge (鍺）層之疊層構造，^ (矽）層與A1層之疊層構造，以及Ge層與之疊層構造， 或是並非局限於這些雙層構造，也可採用三層以上之疊層 構造。另外，也可採取使用由會產生熱氧化現象之金屬例 如Ti (妖）、Ta (妲）等單層膜構造構成之熱敏材料層，而以 雷射光照射使其與空氣中氧氣進行反應而變質之構成。 對於熱敏材料層之照射雷射光，則以半導體雷射光特別 以短波長之藍紫雷射光（例如波長410 nm〜390 nm)，例如由 GaN (氮化鎵）系雷射的雷射光爲宜。 藉由像此種短波長雷射，期以達成雷射光射束光點徑之 15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公爱 1241582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16 ) 組合構成光敏材料層12，並使用磷酸、水 ^合液’酒石酸溶劑與過氧化氫之混合液即可使之除: :外’光敏材料層12並非局限於構成爲多 米用：如可經由熱氧化現象而形成變質部 如㈣之單層構造。此時，則以雷射光照射Li 2氣中氧氣進行反應以使其變質。 /…、 如上述’本發明由於可由無機材料構成多層或單層光敏 材料層並以濺鍍法或眞空蒸鍵法等實施成膜，因此，愈例 如與如以往通常所使用光敏材料層時所採取旋塗法之成膜 万法相較，可形成各部皆均勻的薄薄膜厚。 因而，可確實地形成例如微細記綠標示等的微細凹凸。 另外，如上述，由於以經予型樣化之光敏材料層12作爲 遮罩並例如以R歸對基板llf施蚀刻處理而形成微細凹凸 15,因此，能回避如在以光敏材料層丨2本身形成微細凹凸 之場合時會因光敏材料層12之厚度、剖面形狀而依存於微 細凹凸之深度、形狀之缺點。 接著，説明按照本發明之原盤製造方法實施例，該原盤 之製造方法也可按照於圖4及圖5所説明之方法實施，惟製 造該原盤時，基板1 1則由構成原盤的基板構成之。然而在 此種情形下，也可使用例如上述Si〇2基板。 再者，如上述方法所製得於圖5D所示原盤26，可當做衝 壓模使用，也可將該原盤26當做用以反轉複製衝壓模之主 版模使用，也可將該原盤26當做用以反轉複製主版模之母 版模使用。 -19-

0^--------tr---------_ 」請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1241582 A7 五、發明說明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、而且，使用依如上述方法製得之衝壓模，以射出成形 法、雙P法形成具有目的微細凹凸之記綠媒體基板，並對此 以與上述製造記綠媒體方法同樣地施予例如，反射膜、保 護膜、或有時候則施予各種記綠層之成膜，即可製得目的 之例如光碟、光磁碟、相變光碟等。 另外，按照本發明之記綠媒體之製造方法，如於圖6顧示 其一例子之概略構成所示，係包括··保持手段41，其係用 以保持構成記錄媒體例如圓板狀基板丨丨，該記綠媒體係經 予被覆形成例如由熱敏材料層構成且具有預定的反射率之 材料層（未圖示雷射光源部42;調變手段，其係用以將 供自該雷射光源部42之雷射光13按照記錄型樣加以調變， 並且予以調變成較之該記錄型樣之周期爲高頻之頻率；光 學系統45，其具有用於把雷射光聚光於基板u上之材料層 之聚光透鏡系統44 ;移動手段，其係用以相對於材料層^ 動雷射光照射位置；以及聚焦調整手段5〇，其係用以檢測 來自於材料層之變質邵的返回光而實施聚焦調整。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖6之構成中，光學系統45係具有偏光射束***器48、 1/4波長板49、聚光透鏡（物鏡）系統44，與構成例如依非點 像差法之聚焦調整手段50之光學系統，例如聚光透鏡5/， 以及用於以散焦狀態下產生非點像差或非點隔差之手段 52，例如圓筒透鏡、平行平板玻璃等。 聚焦位置調整手段50之聚焦伺服信號檢測電路，係包括 例如由具有圖8所示四分割式構成的光二極體構成之光檢器 53，以及差動放大器54，而可由差動放大器54將來自於光 -20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1241582 A7 B7 五、發明說明（18 檢态53的相對光二極 把凡件彼此的檢測輸出之差取出，以 作局聚焦伺服信號。 並且例如在恰好呈對隹 了…、< 狀悲下’使返回光之射束光點 以圓形光點入射於光拾、 、 备53<中心邵，即可使檢測信號變 成例如零。與此相對， 口 μ 右主政焦狀悲，則因非點像差或非 :=上手& 52 ’對於光檢器53之光點就相對於中心變成非 對稱：而可取出檢測信號亦即，聚焦伺服信號。 另方面I光透銃(物鏡）44係爲致動器55所保持，並由 聚焦飼服信號執行其位置控制，以實行聚焦調整。 至於移動手段，其係由滑動台56構成，在其上至少配置 包含聚光透鏡44之光學系統45，並構成爲可使雷射光此 照射位置在基板11上朝例如半徑方向移動自如。 另外基板11係由例如保持手段41加以旋轉驅動，並由 與上述移動手段亦即滑動台56之協同下，可使雷射光13在 基板11上之材料層#即熱敏材料層丨進行同心上之 渦旋狀之掃描。 — 雷射光13係經由高速調變器47及低速調變器46，如已在 圖3加以説明，施予由_定的高頻信號之調變與由記錄資料 信號之調變。 消 訂 線 雷射光源部42,可使用以不依賴半導體雷射的如氬氣體 雷射等雷射之形態，與更使其具備例如波長變換器而以短 波長雷射之形悲而取出之構成。在此種情形下，如圖6所 不，則將低速調變器46與高速調變器47佈局於由雷射光源 邵42發射經由光學系統45往基板11的雷射光13之光路中。' 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 1241582

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 低速調變器46係由例如以圖3説明之記錄資料信號執行缔 射光13(調變，而高速調變器47則由以圖3説明之—: 頻仏號執行雷射光13之調變。 =、 該低速調變器46可使用利用各種習知調變器，例如，帝 光（E0)效應、聲光（A〇)效應、其他各種效應之調變器。^ 另外，高速調變器47則可使用例如曾由K〇sat〇 (大里 K. Yamamoto (山本）’ Ichimura (市村），f (前田卜’ Y.Kasami (風見），M.Yamada (山田）發表於光學資料 98 :報山揚科羅拉多(Aspen ,幻第〜％頁之“使用 合里10 GB以上《可重複寫入光碟系統，，篇中之調變器。 依如上述方法’即可由雷射光13對於基板"上之材料声 施予雷射光照射，亦即，形成熱敏材料層之變質部。9 另外’在圖7顯示概略構成圖之例中，在雷射光源部⑽ 由半導體雷射構成之情形下，在圖7中與圖6相對應之部分 則附以同-符號並省略其重複的説明，惟此時之調段 4 3則將對於半導體雷& >Γ Λ +、六 丁 干亨田射惑，王入電泥以上述記錄資料信號盥 一定的高頻信號使之調變。 經由上述本發明裝置對熱敏材料層實施雷射光照射之 後’則依照上述本發明方法，實施熱敏材料層之顯像'蝕 刻等處理，以製得具有微細凹凸之記錄媒體。 " 另方面，對於按照本發明之記綠媒體製造用原盤之製造 方法’亦可採用與圖6及圖7所示構成相同構成，而在這些 ^中基板保持手段41就是用於保持原盤構成基板之構成。一 上述例子中，聚焦調整手段係依非點像差法而構成 i. --------訂--------- f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 -22- 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 1241582 、發明說明（2〇 合，惟如曾加以令明 u 界角法等各種習：方法可採用刀…楔形稜鏡法、臨 如按照本發明夕 原盤之製造方半σ、彔媒體之製造方法及記錄媒體製造用 小型，且價廉i ’便可製成簡潔的構成，因此，可構成爲 特別是依照圖7户斤；4益丄、+ 成爲小型且_ η 時，μ使用半導體雷射即可構 減少維謾作業 ，不但可達成低價格化也可格外地 二匕：’!形下’半導體雷射若使用GaN系等短波長雷射，便 ^成更小的微細凹凸，以達成高密度化。 ，二t述’本發明可製得具有微細凹凸之記錄媒體，例如 :專用光碟，以及可寫入的光碟、光相變型光碟、光磁 、，磁碟，且也並非局限於所謂的圓板狀碟片，而可適用 於製造其他形狀例如利用卡片形狀之記錄媒體之場合。 就是説，本發明在最後形成的記錄媒體上之微細凹凸， 並：局，於所謂的凹洞(pit)，也可做成具有溝槽(一 <構成等，可適用於各種構成。 [發明之效果] 、如上述，按照本發明之記錄媒體或記錄媒體製造用原盤 <製造方法，由於其係對於所使用之雷射光具有所需反射 率之材料層12，係由例如熱敏材料層構成，且以該雷射光 本身之返回光檢測聚焦伺服信號，因此，可回避統技 術必須使用與該雷射光個別的紅色雷射光等，藉此便可。 避複雜的構成及調整，同時，也可簡化其操作。 I. --------^---------^—^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 1241582 A7 五、發明說明（21 ) 另方面由太不再使用通常方式之光敏材料層而使用熱 敏材料層，且採用對此照射雷射光以使其形成熱變質之部 分，再經由顯像處理除去該變質部或非變質部而型樣化之 方法便可以田射光射束光點在寬窄之加熱區域形成變質 部，因此，經使用該方法所形成之微細凹凸，可形成爲雷 射光射束光點的光學界限以下之微細型樣。 因而，可構成高記錄密度、高解析度之記錄媒體。 、另t面，對於該熱敏材料層之雷射光照射，例如以記綠 資料信號予以調變，同時以頻率較此爲高的一定高頻信號 施予調變，即可有效率地回避形成長的型樣時因雷射光照 射之μ度上升而在雷射移動之後方側，熱敏材料層上的變 質邵型樣寬度會變寬之現象。 訂 因此，無論型樣之長短，可把熱敏材料層上的變質部型 樣確實地形成爲目的型樣，最後，可製得高記綠密度、且 高解析度之記綠媒體。 線 另外，按照本發明之記錄媒體及媒體製造用原盤之製造 裝置，由於不必設置高眞空室，可做成簡潔、小型而廉價 之裝置，或構成維護簡單的裝置，且可確實地製得高記錄 密度之記綠媒體。 如按照本發明之記錄媒體之製造方法、記綠媒體製造用 原盤之製造方法、記錄媒體之製造裝置、以及記錄媒體用 =盤之製造裝置，即可確實地製造高記錄密度之記綠媒 體，因此，對於製造有關光記錄或光再製篇段所述近場構 成，或製造使用短波長的藍紫雷射光之記綠媒體時，特別 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵㈣97公髮 22 1241582 五、發明說明（ 有益。 [圖式之簡單説明j 圖1係由按照本發明夕^你 製造方法所θ π、綠媒髖及記錄媒體製造用原盤之 万法所I仵目的之微細 FI 9你翩—士拉 凸土樣 < 一例子俯視圖0 圖2係4不在本發明方法 上升區域間之關係圖。 ㈣印射^功率分布與溫度 圖3係按照本發明之記錄 、止女、土今币紅L 綠媒肢及記錄媒體製造用原盤之製 以万法之雷射光碉變方法鳍 农 ^ B A C # ^ ^ ^ "圖，/、中之Α係顯示資料型 银 B及C係顯7JT雷射弁昭』 樣。 了尤照射型樣，D係顯示微細凹凸型 原：:中照本發明之記錄媒體及記綠媒體製造用 原1製以万法足各一例子步驟圖（其一）。 圖5中之A〜D係按照本發明々4掉 、 、 Λ月又5己綠媒體及記綠媒體製造用 原i之製k万法之各一例子步驟圖（其二）。 圖6係按本發明（記綠媒體及記錄媒體製造用原盤之製 造裝置之一例子構成圖。 圖7係按照本發明 < 記綠媒體及記錄媒體製造用原盤之製 造裝置之其他一例子概略構成圖。 圖8係顯示聚焦伺服信號取出電路之一例子圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9係用以説明使用以往之光敏材料，例如原盤之製造方 法之概略剖面圖。 圖1 〇係光敏材料之r (伽馬）曲線圖。 圖11係用以説明以往方法之圖，其中a&b係分別顯示雷 射光功率分布與感光反應區域之關係圖。 -25- 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵㈧撕公爱） 1241582 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __________B7 五、發明說明（23 ) 圖12係用以説明以往方法之圖，其中a係雷射光型樣圖， B係曝光型樣圖，C係凹部型樣圖。 [符號之説明] 1 ··· €錄標示，2 ···微細凹凸，3…雷射光功率分布曲線， 4···溫度上升區域，11…記錄媒體或原盤構成基板，12…熱 敏材料層，12a…第一材料層，12b…第二材料層，12s…變 質邵，13…雷射光，15…微細凹凸，丨6·.·原盤，41…保持 手段，42…雷射光源部，43…調整手段，44···聚光透鏡（物 鏡）系統，45…光學系統’ 46 ···低速調變器，47…高速調變 器’ 48···偏光射束***器，49··· 1/4波長板，50···聚焦調整 手段’ 5 1…聚光透鏡，52…非點像差或非點隔差手段， 5 3…光檢器，5 4…差動放大器，5 5…致動器，5 6…滑動 台’ 10卜··基板，102…光敏材料層，103···雷射光，1〇4_" 聚光透鏡，201、202…雷射光功率分布曲線。 -26- $紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐了 —r!.--------#--------訂---------線#· (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 為年？取7日 修正 A B CD

   1241582 第〇9〇1〇4325號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(93年9月) 六、申請專利範圍 1· 一種記錄媒體之製造方法，係在記錄媒體之製造過程 中’具有對於形成於構成該記錄媒體之基板上的材料 層’按照記錄型樣照射雷射光形成變質部之步驟；以及 其後之實施對於上述材料層之顯像處理，除去上述材料 層之變質部或非變質部，以使上述材料層型樣化之步 驟； v 其材料層係由熱敏材料層所構成，對於上述雷射光會 呈現出預定之反射率，可產生該雷射光之返回光，藉由 檢測該雷射光實施該雷射光對於上述材料層的光點之聚 焦調整。 " 2.如申請專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法，其中之 雷射光為半導體雷射光。 3_如申請專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法，其中之 雷射光為藍紫雷射光。 4·如申請專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法，其中之 雷射光係對於上述材料層以聚光透鏡使之聚光，上述聚 焦調整係藉由移動上述聚光透鏡之位置而實施。 5·如申請專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法，其中以 上述經予型樣化之上述材料層作為遮罩而在構成上述記 錄媒體之基板上形成微細凹凸型樣。 6·如申請專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法，其中按 照上述記錄型樣對於由上述熱敏材料層所構成材料層的 雷射光之照射，係以調變成較之上述記錄型樣之周期為 高頻的頻率之雷射光實施。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 六、申請專利範圍 其中之 7·如申請專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法 熱敏材料層係由無機材料構成。 8·如申凊專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法，其中 上述熱敏材料層具有由互異的構成材料且至少由第一 及第二之材料層構成之疊層構造，且 溶射光照射的溫度上升，使其產生相互擴散或 ::㉚至少由第-及第二材料層的構成材料之混 a或反應而形成上述變質部。 λ如申請專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法，1中 上述熱敏材料層具有由互異的構成材料且由無機材料 所構成至少由第一及第二之材料層構成之叠層構造，且 以上述雷射光照射的溫度上升，使其產生相互擴散或 溶解並以上述至少由第—及第二材料層的構成材料之混 合或反應而形成上述變質部。 10·如申請專利範圍第1項之記錄媒體之製造方法，其中以 四f敍Α氧化物水溶液實施上述材料層之顯像處理。 11·如申請專利範圍第5項之記錄媒體之製造方法，其中以 上述經予型樣化之上述材料層作為_罩而以反應性離子 蝕刻在構成上述記錄媒體之基板上形成微細凹凸型樣。 12· —種記錄媒體製造用原盤之製造方法，係在記錄媒體製 造用原盤之製造過程中，具有對於形成於構成該記錄媒 體製造用原盤之基板上的材料層，按照記錄型樣昭射雷 射光形成變質部之步驟；以及其後之實施對於上述 '材料 層之顯像處理，除去上述材料層之變質部或非變質部， -2-

   1241582 I a 六、申請專利範園 以使上述材料層型樣化之步驟； 其材料層係由熱敏材料層所構成，對於上述雷射光會 呈現出預定之反射率，可產生該雷射光之返回光，藉由 檢測該雷射光實施該雷射光對於上述材料層的光點之聚 焦調整。 13. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法’其中之雷射光為半導體雷射光。 14. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法’其中之雷射光為藍紫雷射光。 15·如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法，其中之雷射光係對於上述材料層以聚光透鏡使之聚 光，上述聚焦調整係藉由移動上述聚光透鏡之位置而實 施。 16·如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法，其中以上述經予型樣化之上述材料層作為遮罩而在 構成上述記錄媒體製造用原盤之基板上形成微細凹凸型 樣。 17·如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法，其中按照上述記錄型樣對於由上述熱敏材料層所構 成材料層的雷射光之照射，係以調變成較之上述記錄型 樣之周期為高頻的頻率之雷射光實施。 18·如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法’其中之熱敏材料層係由無機材料構成。 19.如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 A8 B8 C8

   12 侧 2” _—— —______D8 六、申請專利範圍 法，其中 上述熱敏材料層具有由互異的構成材料且由至少由第 一及第二之材料層構成之疊層構造，且 以上述雷射光照射的溫度上升，使其產生相互擴散或 溶解並以上述至少由第一及第二材料層的構成材料之混 合或反應而形成上述變質部。 20. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法，其中 上述熱敏材料層具有由互異的構成材料且由無機材料 所構成至少由第一及第二之材料層構成之疊層構造，且 以上述雷射光照射的溫度上升，使其產生相互擴散或 溶解並以上述至少由第一及第二材料層的構成材料之混 合或反應而形成上述變質部。 21. 如申請專利範圍第12項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法，其中以四甲銨氫氧化物水溶液實施上述材料層之顯 像處理。 22·如申請專利範圍第16項之記錄媒體製造用原盤之製造方 法，其中以上述經予型樣化之上述材料層作為遮罩而以 反應性離子蝕刻在構成上述記錄媒體製造用原盤之基板 上形成微細凹凸型樣。 23· —種記錄媒體之製造裝置，係在記錄媒體之製造過程 中，具有對於形成於構成該記錄媒體之基板上的材料 層，知：照記錄型樣照射雷射光之步驟，特徵在於包括·· 保持手段，其係用以保持構成上述記錄媒體之基板， -4 - 本紙張尺度適财關家鮮(c$) A4^(2igx297公楚)

   1241582

   "亥冗錄媒體至少在其一主面經以雷射光照射而形成有對 於該雷射光具有預定之反射率之材料層； 雷射光源部； 调炎手#又’其係用以將供自雷射光源部之雷射光按照 。己錄型樣加以調變’並且予以調變成較之該記錄型樣之 周期為兩頻之頻率； 光學系統’其具有用於把雷射光聚光於上述材料層之 聚光透鏡系統； 移動手奴’其係用以相對於上述材料層移動雷射光照 射位置；以及 聚焦调整手段，其係用以檢測來自於上述材料層之雷 射光的返回光而實施聚焦調整。 24. 如申印專利範圍第23項之記錄媒體之製造裝置，其中之 凋整手段係包括高速調變器與低速調變器。 25. 如申吻專利範圍第23項之記錄媒體之製造裝置，其中 上述雷射光源部係由半導體雷射構成， 上述凋整手段係作成為用以調變對於上述半導體雷射 的注入電流之構成。 26· -種記錄媒體製造用原盤之製造裝置，係在記錄媒體製 造用原盤之製造過程中，具有對於形成於構成該記錄媒 體製w用原盤之基板上的材料層，按照記錄型樣照射雷 射光之步驟，特徵在於： 保持手&，其係用以保持構成上述記錄媒體製造用原 盤之基板，該記錄賴至少在其—主面經以雷射光照射 -5-

   A B c D 六、申請專利範圍 而形成有對於該雷射光具有預定之反射率之材料層； 雷射光源部； δ周變手段，其係用以將供自雷射光源部之雷射光按照 °己錄型樣加以調變，並且予以調變成較之該記錄型樣之 周期為高頻之頻率； 光學系統，其具有用於把雷射光聚光於上述材料層之 聚光透鏡系統； 移動手段’其係用以相對於上述材料層移動雷射光照 射位置；以及 聚焦調整手段，其係用以檢測來自於上述材料層之雷 射光的返回光而實施聚焦調整。 27·如申凊專利範圍第26項之記錄媒體製造用原盤之製造裝 置’其中之調整手段係包括高速調變器與低速調變器。 28.如申請專利範圍第26項之記錄媒體製造用原盤之製造裝 置，其中 上述雷射光源部係由半導體雷射構成， 上述調整手段係作成為用以調變對於上述半導體雷射 的注入電流之構成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)