TWI233079B - Display device drive circuit - Google Patents

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Description

1233079 五、發明說明α) 發明所屬之技術領域： 本發明是有關於一種顯示裝置驅動電路。根據本發 明之顯示電路係安裝於使用發光元件之顯示裝置中。使 用於該顯示裝置中之該發光元件比如為有機電發光 (electroluminescent, EL)元件或發光二極體。 先前技#ί : 在近幾年，使用發光元件之顯示裝置已進入實際應 用。有機電發光元件、發光二極體等係所習知之發光元 件。 有機EL元件可在低DC電壓下驅動顯示裝置。此外， 相比於光傳送型元件，比如液晶元件，有機EL元件提供 較寬的視角領域，較亮的顯示表面，較薄的形式與較輕 的主體。因此，有機EL元件可用於各種應用之大容量顯 示裝置。 有機EL顯示裝置係具備有排列成矩陣之大數量有機 EL元件。同一行中之有機EL元件之陽極係皆連接至同一 資料線。此外，同一列中之有機EL元件之陰極係皆連接 至同一掃描線。供應驅動電流之電晶體係連接至各資料 線。一般顯示裝置中之驅動電路大小係由這些電晶體之 閘極與源極間之電壓所控制。 有機EL元件之發光亮度係有關於驅動電流。因此， 入至各資料線之驅動電流必需要調整可改善有機EL顯示 裝置之影響品質。比如，大顯示單位中，驅動電流係設 定成大電流。甚至，為補償製程差異性，比如周邊電路
10390pif.ptd 第6頁 1233079 五、發明說明（2) 之内連接中之電阻之變異性，各裝置也必需要調整驅動 電流。 如上述，驅動電流大小係由橫跨電流供應電晶體之 閘極與源極上之電壓所控制。然而，電晶體之電子特性 係因為閘極與源極間電壓而改變。因此，對各裝置而 言，要準確調整驅動電流是不容易的。 發明内容： 本發明之目的是提供一種顯示裝置驅動電路，其能 精準調整驅動電流。 為此，根據本發明之顯示裝置驅動電路包括：第一 電晶體，複數並聯於各資料線，以根據一控制電壓而提 供一顯示面板驅動電流至該資料線；第二電晶體，對應 於各第一電晶體，以切開該資料線之該驅動電流於一供 應態與一非供應態之間；一電壓產生電路，以供應相同 的一控制電壓至該第一電晶體；以及一信號產生電路， 其藉由控制處於一導通狀態下之該第二電晶體之數量而 控制輸入至該資料線之該驅動電流之值。 輸入至該資料線之驅動電流之大小是由同時導通之 該切換電晶體之數量所控制。因此，比較於驅動電流大 小由電流供應電晶體之閘極電壓所控制之例子，係可能 精準控制驅動電流值。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂，下文特舉數個較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下。
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實施方式 第一實施例 第1與2圖顯示根據本發明第一實施例之有機叽 裝置1 0 0之電路圖。 " 根據第一實施例之顯示裝置丨00包括顯示面板丨丨〇與 驅動電路120。驅動電路12 〇包括資料線驅動電路2〇〇 /扩 描線驅動電路300與信號產生電路4〇〇。甚至，nM〇s電曰曰 體5 0 1 - 1 ，5 0 1 - 2…係連接至資料線驅動電路2 〇 〇。 曰曰
顯示面板1 1 0包括排列成矩陣之複數個有機“元件 ELI 1〜Elmn。同一行中之有機EL元件係皆連接至各別之資 料線SEG1〜SEGm。同一列中之有機EL元件係皆連接至各^ 之掃描線COM卜COMn ° 資料線驅動電路2 0 0包括定電流電路2 1 〇與輸出電路 2 2 0。定電流電路210包括電流供應PM0S電晶體21 1-1、 211-1 與 21 卜3 ;切換 pMOS 電晶體 212-1、212 - 1 與212-3 ; 操作放大器2 1 3 ;電阻連接端2 1 4與外部電阻2 1 5。操作放 大器213於負輸入端接收電壓信號VEL，而參考電壓vf係 輸入至正輸入端。操作放大器213之輸出端係連接至pm〇s
電晶體211-1〜211-3之閘極。pMOS電晶體211-1〜211- 3 之之源極係連接至電源線V s。p Μ 0 S電晶體2 1 1 - 1〜2 1 1 - 3 之〉及極係連接至pMOS電晶體212-1〜212-3之源極。pMOS 電晶體2 1 2 - 1〜2 1 2 - 3之汲極係連接至電阻連接端2 1 4。甚 至^]«03電晶體212-1之閘極係連接至接地線(^1);1^08 電晶體212-2之閘極接收切換信號S1 ;而pMOS電晶體
10390pif.ptd 第8頁 1233079 五、發明說明（4) 2 1 2 - 3之閘極接收切換信號S 2。在此實施例中，電流供應 pMOS電晶體211-1〜211-3具有本質上相同之電晶體特性， 而切換pMOS電晶體212-1〜212-3具有本質上相同之電晶體 特性。電阻連接端2 1 4係經由電阻2 1 5而連接至接地線 GND。電阻21 5利用pMOS電晶體2 124〜2 12-3所傳來之電流 Ir所造成之電壓降以產生參考電壓Vf。 輸出電路210包括：數量為3xm個之電流供應pm〇s電 晶體與數量為3 X m個之切換供應p Μ 0 S電晶體。在此，，，m ” 是資料線之數量。電流供應pMOS電晶體22卜1 1〜22 1-m3之 電晶體特性係本質上相同於定電流電路2 1 〇中之電流供應 p Μ 0 S電晶體2 1 1 - 1〜2 1 1 - 3之電晶體特性。此外，切換ρ μ 〇 § 電曰曰體222-11〜222-m3之電晶體特性係本質上相同於定電 流電路210中之切換pMOS電晶體212-：1〜2 12-3之電晶體特 性。pMOS電晶體2 2 1-11〜221-m3之閘極係連接至操作放大 1§213之輸出端。pMOS電晶體221 - 11〜221 - m3之源極係連 接至電源線Vs。甚至’pMOS電晶體221-11〜221-m3之汲極 係連接至pMOS電晶體222-11〜222-m3之源極。在此，pM〇s 電晶體222-11、222 - 12與222-13之汲極係經由輸出端 2 3 0 - 1而連接至資料線SEG1。此外，pMOS電晶體2 2 2- 2 1、 222-22與222-23之汲極係經由輸出端230-2而連接至資料 線SEG2。亦即，各資料線SEG1〜SEGm係分別經由輸出端 2 3 0 - 1〜2 3 0 - m而連接至三個切換p Μ 0 S電晶體之汲極。彼此 不同之選擇信號D1卜Dm3係輸入至pMOS電晶體 2 2 2 - 1 1〜2 2 2 -m3之閘極。相關之ηM0S電晶體50 1-1、
10390pif.ptd 第9頁 1233079 五、發明說明（5) 5 0 1 - 2…5 0 1 - m之源極係分別連接至資料線s E G 1〜S E G m。 η Μ 0 S電晶體5 0 1 - 1〜5 0 1 - m之汲極係連接至接地線g N D。此 外，η Μ 0 S電晶體5 0 1 - 1〜5 0 1 - m之閘極接收資料線選擇信號 D1卜Dml ，與相關之切換電晶體1 22 2 - 1 1，2 2 2 - 2 ^·· 2 2 2 - m 1所接收的相同。n Μ 0 S電晶體5 0 1 - 1〜5 0 1 - m係用以對 未被選擇之資料線SEG1〜SEGm進行放電。 掃描線驅動電路3 0 0包括pMOS電晶體30卜1、301-2… 30卜η與nMOS電晶體302-1、302-2…302-η。也就是， ρ Μ 0 S電晶體與η Μ 0 S電晶體之數量係皆別相等於掃描線之 數量。如第1圖所示，這些pM〇S電晶體與nM0S電晶體包括 η個反相器。各反相器之輸入端係接收掃描線選擇信號 C1〜Cn。掃描線選擇信號(：1〜（：11之反相值係由各反相器之 輸出^傳送至掃描線C0M1〜COMn。 信號產生電路4 0 0包括控制信號產生電路4 1 〇與切換 信號產生電路4 2 0 -卜42 0 -m。控制信號產生電路41 〇產生 選擇信號D1 1 ，D2 1…Dml ;與Cl，C2 ."Cn。切換信號產生 電2^4 2 0 - 1〜4 2 0 -m以外部輸入之切換信號31與32 ;以及控 制#说產生電路41 0所傳來之選擇信號D1 1 ，D21…Dm 1來 產生選擇信號D12，D22...Dm2以及選擇信號D13，D32… Dm3 °如第2圖所示，各切換信號產生電路42〇 —hwo — m包 括反相器421 ，4 2 2與4 2 3 ;以及NAND閘424與4 2 5。NAND閘 4 2 4_經由反相器4 2 1接收切換信號S 1 ;並經由反相器4 2 3接 收貧料線選擇信號Dl 1。此外，na ND閘4 2 5經由反相器42 2 接收切換信號S 2 ;並經由反相器4 2 3接收資料線選擇信號
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命二此校，§貝料線選擇信號D11為低電位時，NAND閘 42 4與4 2 5將切換信號S1與^直接當成選擇信號di2盥 二士當ΐ料線選擇信號DH為高電位時，NAND閘424與 4 2 5輸出一咼電位當成選擇信號〇12與1)13。也就是，閘 421 ，423與424計算信號^與!）]^之邏輯或結果；甚至， 閘4 2 2 ’ 4 2 3與424計算信號S2與Dl 1之邏輯或結果。其他 產〇n生電路4 2 0 一2〜42〇ι之構成係相同於切換信號 產生電路420-1之構成。 底下將解釋有機EL顯示裴置1〇〇之操作。 在根據本發明之有機E L顯示裝置1 〇 〇中，輸入至資料 線SEG1〜SEGm之驅動電流係由電阻21 5之電阻值1?或電壓信 號VEL所控制>。此外，切換信號S1與“之值係根據驅動電 流大小而改變。切換信號S1與32輸入至切換pM〇s電晶體 212-2與212-3之閘極，以及輪入至切換信號產生電路 420-1〜420 — m 〇 首先’將解釋當切換信號s丨與3 2都設定在高電位時 ，情=。當驅動電流在最小值時，切換信號s丨與§2都設 定在高電位。在此，係舉例VEL設定在6V，而電阻值R是 設定在3 0 Κ Ω。 當切換信號S1與S2都設定在高電位時，pM〇s電晶體 2 1 2 - 2與2 1 2 - 3係皆關閉。因此，將沒有電流流經p M 〇 s電 晶體2 1 2 - 2與2 1 2 - 3。此外，當切換信號s丨與s 2都設定在 高電位時，切換信號產生電路420 —；[〜420-m所產生之選擇 仏號D 1 2，D 1 3…D m 3皆在高電位，無關乎控制電路4 〇上所
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產生之資料線選擇信號D 1 1 ，D2 1 ···Din 1之值為何。因此， 輸出電路220 之pMOS 電晶體222-12，222-13，， 2 2 2 ι3係關閉。 ’ 電壓信號VEL，亦即6 V，係輸入至定電流電路2 1 〇。 操作放大器2 1 3比較電壓信號VEL與參考電壓Vf。如果來 考電壓Vf低於電壓信號VEL，則操作放大器213降低輸^ 電壓；如果參考電壓Vf高於電壓信號VEL，則操作放大器 2 1 3增加輸出電壓。如果操作放大器2 1 3之輸出電壓降° 低’則流經p Μ 0 S電晶體2 1 1 - 1之電流增加，因而增加電壓 V f °相反地，如果操作放大器2 1 3之輸出電壓增高，則流 經P Μ 0 S電晶體2 1 1 - 1之電流減少，因而降低電廢v f。因 此’參考電壓Vf之值變得相同於電壓信號VEL之值。當Vf 之值變相同於V E L時，流經電阻2 1 5之電流I r係等於 VEL/R。當VEL是6V而^是3〇κ Ω時，Ir是2〇〇 # a。在此例 中’流經pMOS電晶體21卜1與212-1之電流也是2 0 0 //A。 a、操作放大器213之輸出電壓係輸入至輸出電路220。 這造成電流供應PM〇S電晶體22卜11〜221-m3全變成導通。 *控制電路41 〇輸出資料線選擇信號D1 1 ，D21…Dm 1以 ^掃描線選擇信號C1，C2 ”·(：η。這些選擇信號係選擇要 光之有機EL元件。底下將解釋當選擇信號D1 1與。為高 電位’而其他選擇信號!與C2〜Cn皆為低電位之情 况〇 σ如上述，切換信號S1與S2係高電位，使得產生於切 、化號產生電路4 20-：[〜420-2之選擇信號D12，D13，D22
第12頁 1〇39〇pif.ptd 1233079 五、發明說明（8) 皆為高電位。因此，從閘極接收這些選擇信號之切換電 晶體2 2 2 - 1 2 ，2 2 2 - 1 3，2 2 2 - 2 2…係關閉。此外，因為選 擇信號D11為高電位，PM0S電晶體22卜11導通而nMOS雷曰 體5 0 1 - 1關閉。另一方面，資料線選擇信號D 2卜Dm 1皆為 低電位，所以!^08電晶體221-21，22卜31“.2 2 2 -1111關閉 而nMOS電晶體501-2，501-3 ...5-1-111導通。因此，電流Ir 係流經資料線S E G 1 ，但電流I r並不流經其他資料線 SEG2〜SEGm。同樣，如上述般，掃描線選擇信號C1為高電 位但其他掃描線選擇信號C 2〜C η為低電位。因此，掃描線 C0M1連接至接地線GND，而其他掃描線COM2〜COMn連接至 電源線V c。因此，順偏壓（f 〇 r w a r d b i a s )電壓輸入至有 機EL元件EL11 ，而逆偏壓（reverse bias)電壓或0電壓輸 入至其他有機EL元件EL。因此，有機EL元件EL11是唯一 發光之元件。 如上述’ p Μ 0 S電晶體2 2 1 - 1 1之電晶體特性係本質上 相同於ρ Μ 0 S電晶體2 1 1 - 1之電晶體特性；且ρ μ 〇 §電晶體 2 2 2 - 1 1之電晶體特性係本質上相同於pM〇s電晶體2丨2 —1之 電晶體特性。因此，流經資料線SEG丨之電流值是丨r。 可被同時選擇之資料線與掃描線可為單一線或複數 線。當同時選擇複數個資料線時，流經各資料線之電流 值是I r。 底下將解釋切換信號S 1是低電位而切換信號s 2是高 電位之情況時之顯示裝置1 〇 〇之操作。 當將驅動電流加倍，或當將驅動電流改變成4 〇 〇 #
第13頁 1233079 五、發明說明（9) A，切換信號S 1是低電位而切換信號S 2是高電位。可將電 阻2 1 5之電阻值減半，亦即，將電阻值R改變成1 5 k Ω ，來 將驅動電流加倍。在不改變電阻值R之情況對將驅動電流 加倍的另一方式是將電壓信號VEL加倍，亦即，將電壓信 號VEL設成1 2V。 當切換信號S1變為低電位時，pMOS電晶體2 12-2導 通。另一方面’切換信號S2為南電位時’pMOS電晶體 2 12-3關閉。接著，電壓信號VEL是輸入至操作放大器 2 1 3。在切換信號S 1與S 2為皆高電位時，係產生如上述般 之相同操作，造成電壓Vf趨向相同於電壓信號VEL。當這 種情況發生時，流經電阻2 1 5之電流變為4 0 0 // A。在此， 電流供應pMOS電晶體21 1-1與2 U-2之閘極電壓係相同 的。因此，流經pMOS電晶體21 1 -1與21 1 -2之電流係相同 的。流經電阻2 1 5之電流I r是流經這兩個電晶體2 1 1 - 1與 21 1_2之電流值總和。因此，流經pMOS電晶體21 1-1與 2 1 1 - 2之電流係為2 0 0 // A。 操作放大器213之輸出係輸入至輸出電路220。這將 造成所有電流供應pMOS電晶體221-11〜22卜m3導通。 在底下，將解釋當選擇信號Dl 1與C1為高電位而其他 選擇信號D2卜Dm 1與C 2〜Cn為低電位時，控制電路41 0輸出 資料線選擇信號Dll，D21_"Dml與掃描線選擇信號C1， C 2…C η之例子。 因為切換信號S1是低電位而切換信號S2是高電位， 切換信號產生電路4 2 0 - 1輸出一低電位信號當成選擇信號
10390pif.ptd 第14頁 1233079 五、發明說明（10) D12，並輸出一高電位信號當成選擇信號D13。另一方 面’因為資料線選擇信號D 2 1〜D m 1皆為低電位，其他切換 信號產生電路4 2 0 - 2〜4 2 0-η所產生之選擇信號D2 2，D23… 皆為高電位。因此，切換電晶體2 2 2 - 1 1與2 2 2 - 1 2是導 通，而其他切換電晶體2 2 2 - 1 3〜2 2 2 - m 3為關閉。此外， nMOS電晶體501-1關閉而其他11^1〇3電晶體501-2〜501-m為 導通。 流經pMOS電晶體21 2-1與2 12-2之電流值係相同於流 經p Μ 0 S電晶體2 2 2 - 1 1與2 2 2 - 1 2之電流值。因此，流經 pMOS電晶體222 - 11與222 - 12之電流值為200 //Α。因而，
流經資料線SEG之電流為ir，亦即為4 0 0 # A。 接著，將解釋當切換信號S 1與S 2皆設定在低電位 時，顯示裝置1 0 0之操作。 當驅動電流變為3倍時，亦即6 ο ο /Z A時，切換信號s 1 與S 2皆設定在低電位。可將電阻2 1 5之電阻值減為1 / 3， 亦即’將電阻值R改變成1 〇 k Ω，來將驅動電流變成三 倍。在f改變電阻值R之情況對將驅動電流變對三倍的另
一方式是將電壓信號VEL變對三倍，亦即，將電壓信號 VEL 設成 18V。 ° ;U 當切換信號S1與S2為低電位時，PM0S電晶體2 12-2與 212-3導通。接著，將電壓信號VEL輸入至操作放大器”
2 1 3。依此方式，流經電阻2丨5之電流變為6 〇 〇 # a。^ 此，電流供應pMOS電晶體2m ，212 —2與212 —3之閘極 電壓係相同的。因此，流經pM〇s電晶體212 —丨，212 — 2與
1233079 五、發明說明（π) 2 1 2 - 3之電流係相同的。流經電阻2 1 5之電流丨r是流經這 些電晶體2 1 2 - 1 ’ 2 1 2 - 2與2 1 2 - 3之電流值總和。因此，5流 經pMOS電晶體212-1 ’ 212-2與212-3之電流係為2〇q # 才呆作放大器213之輸出係輸入至輸出電路22Q。依 此’電流供應pMOS電晶體221-11〜221-m3導通。 在底下’將解釋當選擇信號D 11與C1為高電位而其他 選擇信號D21〜Dml與C2〜Cn為低電位時，控制電路41〇輸出 資料線選擇信號D 1 1，D2 1 "·βιη 1與掃描線選擇信號c丨， C 2 · · · C η之例子。 因為切換信號S 1與S 2是低電位，切換信號產生電路 42 0 - 1輸出低電位信號當成選擇信號D12與D13。另一方 面，因為資料線選擇信號D 2卜Dml皆為低電位，其他切換 信號產生電路420-2〜420-n所產生之選擇信號D22，D23… 皆為高電位。因此，切換電晶體2 2 2 - 1 1 ，2 2 2 - 1 2與 222-13是導通，而其他切換電晶體222-21〜222-m3為關 閉。此外，1^03電晶體501-1關閉而其他1^03電晶體 501-2〜501-πι為導通。 流經pMOS電晶體21 2-1 ，212-2與2 12-3之電流值係相 同於流經p Μ 0 S電晶體2 2 2 ~ 1 1 ，2 2 2 - 1 2與2 2 2 - 1 3之電流 值。因此，流經pMOS電晶體222-11，222-12與222-13之 電流值為2 0 0 μ A。因而，流經資料線SEg之電流為I r，亦 即為 6 0 0 // A。 在本實施例之顯示裝置1 〇 〇中，因為底下所解釋的原
10390pif.ptd 第16頁 1233079 五、發明說明（12) 因，係可能高準確地調整驅動電流。 第3圖是顯示用以比較用之顯示裝置300之電路圖。 第3圖中顯示裝置300並不包括於本發明中，但也不是習 知技術。在第3圖中，標示為第1圖相同之元件符號代表 相同元件。 在第3圖之顯示裝置3 0 0中，各資料線SEG 1〜SEGm只具 有單一電流供應pMOS電晶體與單一切換pMOS電晶體。在 第3圖之顯示裝置3 0 0中，可改變電流供應pMOS電晶體 221-11 ’ 221-21 “·221-πι1以調整輸入至資料線SEG1〜SEGm 之電流值。然而，只改變閘極電壓來調整電流I r，電晶 體特性並不改變。 第4圖顯示汲極電壓V d s與汲極電流I d s間之關係圖。 如第4圖所示，當改變電晶體閘極電壓V g s時，汲極電流 I d s也改變。第4圖具有：一非線性區，亦即，在該區 中，電流I d s係高度相關於電壓V d s ;以及一線性區，亦 即，在該區中，電流I d s係無關於電壓V d s。非線性與線 性區之臨界點位置係根據閘極電壓VgS而改變。因此，汲 極電流I d s被閘極電壓V g s控制時，係難於精準控制汲極 電流I d s。因此，藉由足夠昇高閘極電壓v g s，比較有可 能精準控制汲極電流I d s。然而，汲極電流I d s愈高，功 率消耗愈大，亦即，V d s X I d s之乘積愈大。 相對的，在本實施例之顯示裝置1 〇 〇中，驅動電流值 係由電流供應pMOS電晶體所控制，而扑被閘極電壓所控 制。此外，流經各電流供應p Μ 0 S電晶體之電流係相同
10390pif.ptd 第17頁 1233079 五、發縣明（13) 一 -- =，不/管驅動電流值為何。因此，根據本發明之顯示裝 置1 〇 0係能夠精準控制驅動電流，且具低功率消耗。 第二實施例 第5圖顯示根據第二實施例之有機^顯示裝置5〇〇之 電壓圖。在第5圖中，與第1圖相同之元件係以相同符號 標示出。 第二貫施例之有機E L顯示裝置5 〇 〇與第一實施例之有 機EL顯示裝置100不同處在於，其具有電流偵測電路 5 1 0。電流偵測電路5 1 〇係用以自動產生切換信號$ 1與$ 2 之電路。 如第5圖所示，電流偵測電路51〇包括pM〇s電晶體 511 ，電阻512〜515，電壓比較器516與517，栓鎖（iatch) 電路518，反相器519與NAND閘520與521。 pMOS電晶體51 1之源極係連接至電源線^，其閘極係 連接至定電流電路2 1 0之輸出端（亦即第1圖操作放大器 213之輸出端），其沒極係連接至節點η。電阻5ι2之一端 係連接至節點Ν 1 ，而其另一端連接至接地線G N D。電阻 513之一端係接收參考電壓Vr，而其另一端連接至節點 N2。參考電壓Vr係由未示於第5圖之某一電路所產生。電 阻5 14之一端係連接至節點N2，而其另一端連接至節點 N3。電阻5 1 5之一端係連接至節點N3，而其另一端連接至 接地線GND。電壓比較器5丨6之正輸入端係連接至節點 N1 ，而其負輸入端係連接至節點N 2。電壓比較器5丨7之正 輸入端係連接至節點N 1 ，而其負輸入端係連接至節點
1233079 五、發明說明（14) N3。當負載信號Ld為高電位時，栓鎖電路518從D1與D2端 點接收電壓比較器5 16與517之輸出值，並從Q1與Q2端點 輸出栓鎖後信號。反相器5 1 9接收負載信號Ld並輸出一反 相值。NAND閘5 2 0之一輸入端係連接至栓鎖電路51 8之Q1 端點，其另一端入端係連接至反相器5 1 9之輸出端，其從 輸出端輸出切換信號S1。NAND閘5 21之一輸入端係連接至 检鎖電路5 1 8之Q 2端點，其另一端入端係連接至反相器 5 1 9之輸出端，其從輸出端輸出切換信號s 2。 底下將解釋顯示裝置5 0 0之操作。電阻5 1 3之一端係 接收從未示出第5圖之某一電路所輸出之參考電壓νΓ。參 考電壓Vr被電阻513，514與515進行分壓。亦即，在節點 N2之電壓V2係高於在節點N3之電壓V3。電壓V2與V3係由 參考電壓Vr與電阻513，514與515之電阻值所決定。' 當電流I r由定電流電路2 1 0所產生時，與電流丨r有相 同電流值之電流係輸入至部份或全路資料線s E G丨〜s E G m。 同時，p Μ 0 S電晶體5 1 1載有電流I r有相同電流值之電流。 此電流係經由電阻5 1 2而流至接地線g N D。因為在電阻5 1 2 上發生有電壓降’節點N 1之電壓V 1係根據流經p M 〇 s電晶 體5 1 1之電流而改變。當節點N 1之電壓v 1高於或等於節點 N2之電壓V2時，電壓比較器516輸出高電位信號，當節點 N1之電壓VI低於節點N2之電壓V2時，電壓比較器5ΐβ輸出 低電位信號。此外，當節點Ν 1之電壓ν 1高於或等於節點 Ν3之電壓V3時’電壓比較器517輸出高電位信號，當節點 Ν 1之電壓V 1低於節點Ν 3之電壓V 3時，電壓比較器5丨7輸出
10390pif.ptd 第19頁 1233079 五、發明說明（15) 低電位信號。栓鎖電路5 1 8將電壓比較器5 1 6與5 1 7之輸出 信號給予栓鎖住。當負載信號Ld為低電位時，此检鎖後 信號係被N A N D閘5 2 0與5 2 1所反相，並當成切換信號s丨與 S2而輸出。這些切換信號S1與S2係輸入至切換信號產生 電路420_1〜420-111與定電流電路210 ’如同第^一實施例 般。 因此’當V1>V2>V3或V1=V2>V3時，切換信號si與S2 •為低電位，當V2>V1>V3或V2>V1=V3時，只有切換信號'S1 為低電位，當V3>V2>V1 ，切換信號S1與S2為高電位。 其他電路110 ’200 ’300與400之操作係相同於第一 實施例之顯示裝置1 0 0中之電路。 在第一與第二實施例中，定電流電路2 1 〇與輸出電路 2 2 0係由p Μ 0 S電晶體所構成。然而，定電流電路2 1 〇與輸 出電路220也可由nMOS電晶體所構成。甚至，電路 2 0 0〜4 0 0可由雙極電晶體而非Μ 〇 S電晶體所構成。 在第一與第二實施例中，顯示面板11〇包括有機el元 件。然而，本發明也可應用至由其他類型之發光元件所 構成之顯示面板。 綜上所述，雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如 上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在 不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之更動與潤 飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所 界定者為準。
10390pif.ptd 第20頁 1233079 圖式簡單說明 第1與2圖繪示根據第一實施例之顯示裝置之構成電 路圖； 第3圖係相比於第一實施例之顯示裝置驅動電路之顯 示裝置電路圖； 第4圖是解釋第一實施例之顯示裝置驅動電路之操作 圖；以及 第5圖繪示根據第二實施例之顯示裝置驅動電路之構 成電路圖。 圖式之標號說明 1 0 0 :顯示裝置 1 1 0 :顯示面板 1 2 0 :驅動電路 2 0 0 ·貧料線驅動電路 3 0 0 :掃描線驅動電路 400 :信號產生電路 501-1 ， 501-2 : nMOS 電晶體 ELI卜Elmn ：有機EL元件 SEG1〜SEGm :資料線 C0M1〜COMn :掃描線 2 1 0 :定電流電路 2 2 0 :輸出電路 211- 1 、211-1與211 -3 :電流供應pMOS電晶體 212- 1、212-1 與 212-3 :切換 pMOS 電晶體 2 1 3 :操作放大器
10390pif.ptd 第21頁 1233079 圖式簡單說明 2 1 4 :電阻連接端 2 1 5 :外部電阻 221-1卜221-m3 :電流供應pMOS電晶體 2 2 2 - 1 1〜2 2 2 -m3 :切換pMOS電晶體 230-1 ，230 - 2 :輸出端 301 -1 、301-2···301—n :pM0S 電晶體 3 0 2 - 1、3 0 2 - 2···3 0 2 - η : nMOS 電晶體 4 1 0 :控制信號產生電路 420-1〜420-m :切換信號產生電路 42 1，422與4 23 ：反相器 424 與425 : NAND 閘 5 0 0 :有機EL顯示裝置 5 1 0 :電流偵測電路 51 1 : pMOS電晶體 5 1 2〜5 1 5 :電阻 516與517 :電壓比較器 518 :栓鎖（latch)電路 5 1 9 :反相器 520 與521 :NAND 閘
10390pif.ptd 第22頁

Claims (1)

1233079 六、申請專利範圍 1 . 一種顯示裝置驅動電路，包括： 第一電晶體，複數並聯於各資料線，以根據一控制 電壓而提供一顯示面板驅動電流至該資料線； 第二電晶體，對應於各第一電晶體，以切開該資料 線之該驅動電流於一供應態與一非供應態之間； 一電壓產生電路，以供應相同的一控制電壓至該第 一電晶體；以及 一信號產生電路，其藉由控制處於一導通狀態下之 該第二電晶體之數量而控制輸入至該資料線之該驅動電 流之值。 2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置驅動電路，其 中各第一電晶體之一端點係共同連接至一第一電源線； 各該第一電晶體之另一端點係連接至該相關第二電晶體 之一端點；各該第二電晶體之另一端點係共同連接至該 相關資料線。 3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置驅動電路，更 包括第三電晶體，對應於各資料線以放電該資料線中之 該電荷。 4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置驅動電路，其 中該第三電晶體之一端點係連接至該資料線，且其另一 端點係連接至一第二電源線。 5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置驅動電路，其 中該電壓產生電路具有一定電流電路，當一既定電流係 輸入至一參考電阻時，其從一電壓降產生一輸出電壓。
10390pif.ptd 第23頁 1233079 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置驅動電路，其 中該定電流電路包括： 複數個第三電晶體，其係並聯以根據一控制電壓而 供給一電流至該參考電阻； 一第四電晶體，對應於各第三電晶體以將供給至該 參考電阻之該電流切換於一供應態與一非供應態之間； 以及 一操作放大器，其根據該參考電阻之該電壓降與該 外部輸入之該電壓信號間之電壓差而輸出一電壓至該第 三電晶體之該控制端。 7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置驅動電路，其 中該電阻係外接式。 8. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置驅動電路，其 中該電壓產生電路之該輸出電壓係該操作放大器之該輸 出電壓。 9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置驅動電路，其 中該第四電晶體之一之該控制端係連接至一第二電源 線，且另一第四電晶體之該控制端係接收各別之切換信 號。 10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置驅動電路， 其中該信號產生電路控制處於導通態下之該第二電晶體 之數量，使得每一被選擇資料線之處於導通態下之該第 二電晶體之數量係相同於一導通態下之該第四電晶體之 數量。
10390pif.ptd 第24頁 1233079 六、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置驅動電路， 其中該信號產生電路具有： 一控制電路，其產生該顯示面板所需之資料線選擇 信號與掃描線選擇信號； 一切換信號產生電路，利用外部所輸入之一切換信 號與該資料線選擇信號來控制處於導通態下之該第二電 晶體之數量。 12. 如申請專利範圍第1 1項所述之顯示裝置驅動電路， 其中在相督於一給定資料線之該些第二電晶體中，只有 一個第二電晶體經由其本身之控制端接收該資料線選擇 信號，而其他第二電晶體經由其本身之控制端接收該切 換信號產生電路所傳來之控制信號。 13. 如申請專利範圍第1 2項所述之顯示裝置驅動電路， 其中該切換信號產生電路利用該切換信號與該資料線選 擇信號之邏輯或之值來控制信號。 14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置驅動電路， 更包括一電流偵測電路，其利用該電壓產生電路之該輸 出電壓來決定導通態下之該第二電晶體之數量。 15. 如申請專利範圍第1 4項所述之顯示裝置驅動電路， 其中該電流偵測電路包括： 一第三電晶體，其根據該電壓產生電路之該輸出電 壓而輸出一電流； 一可變電阻，其將該第三電晶體所傳來之該電流轉 換成一電壓；
10390pif.ptd 第25頁 1233079 六、申請專利範圍 一比較器，其比較該電阻所轉換之該電壓與一參考 電壓；以及 一栓鎖電路，其栓鎖該比較器之該比較結果。 16. 如申請專利範圍第1 5項所述之顯示裝置驅動電路， 其中該第三電晶體之一端點係連接至該第一電源線，其 另一端點係連接至該電阻之一端點，其控制端係接收該 電壓產生電路之該輸出電壓； 該轉換電阻之另一端點係連接至該第二電源線； 該比較器之一輸入端係連接至該轉換電阻之一端 點，其另一輸入端係連接至該參考電壓；以及 該栓鎖電路之該輸入端係連接至該比較器之該輸出 端。 17. 如申請專利範圍第1 5項所述之顯示裝置驅動電路， 其中係提供複數個比較器，且一不同之參考電壓係輸入 至該些比較器之各個。 18. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置驅動電路， 其中該顯示面板係使用有機EL元件之一顯示面板。 19. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置驅動電路， 其中該顯示面板係使用發光二極體之一顯示面板。
10390pif.ptd 第26頁
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