1232494 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本^月係關於採用微影技術等製造如：半導體積體電 、σ、、液晶顯示元件、薄膜磁頭、其他微元件等半導體裝置 二於☆才不線片等等之際的曝光方法及曝光裝置；特別 署s ϋ可對複數晶圓等基板施行並行處理之曝光裝 置的曝光方法、及i磺本姑 及八曝先表置，暨採用此種曝光方法與曝 九$置的元件製造方法。 【先前技術】 ^ 半導體積體電路等之際的晶圓處理步驟中，乃 曰重複知仃氧化、薄膜形成、播雜、光阻處理、曝光、 淨、cmp(化學機械研磨）等處理，而在石夕等晶圓上 :電路。此外，纟光罩製作步驟中，亦是藉 同樣的光阻處理、曝光、姓刻等處理，而 板上形成所需圖案。 取寻基 互在經由此類步驟所製得的半導體裝置中，當對其 =產的情況時’在各步驟中於—定時間内可處理至多 文的=圓、基板之所謂處理能力（即，產能）乃屬 ，較佳可將其提昇。 受 在為因應此種高產能化需求方面，近年的製程裝置中 時：在製程裝置中設置複數個製程處理部，而演變為可同 時並行的施行處理之其中一部 態。譬…圖所示，在供執行光罩=的/頭處理狀 隹仏轨仃先罩製造用的各種微影裝 1232494 置、蝕刻裝置、光阻塗佈機（光阻塗佈装 ,· 衣1 )、先阻顯影機 (reS1St developer ;光阻顯影裝置）、摻雜裝置、c肿裝 置等之中’具備二個製程處理部的裝置已然實用化。此^ ’在成膜裝置中，具備有三個製程處理部的裝 化階段。 貝 多頭處理的例 此類具複數製程處理部的製程裝置中 子乃如第9圖示意圖所示。 如第9圖所示，若在具有執行同一處理之二個處理室 的製程裝置中安裝著晶圓S的話，晶圓裝載機便從晶圓匡 中依序取出晶圓，並分配於A、B二個處理室中。此時， 只要是具有二個處理室之製程裂置，冑常將在晶圓匿内的 位置從一端起依每個奇數編號或偶數編號的晶圓，分別裝 載於相同處理室中進行處理。然後，在各處理室中，於^ 別各自執行既定製程處理之後，各晶圓便再度被設置於晶 圓匣中，並被投入於下一步驟中。 在對應多頭處理的製程裝置中，藉由同時並行的對複 數晶圓（或基板）施行處理，或者藉由具備複數處理室而實 貝縮短晶圓搬送時間等方式，來實現高速製程處理。 但是，在此種晶圓處理步驟或光罩製作步驟中，所採 用將光罩或標線片圖案轉印於已塗佈感光劑的晶圓或玻璃 基板等基板（亦有稱「感應基板」）上的投影曝光裝置，廣 乏的採用重複步進式（step and repeat)縮小投影曝光裝置 (所謂「步進機」）、或步進掃描式（step and scan)掃描式 曝光裝置’近年即便在此種曝光裝置中，亦有提案設置複 1232494 數基板載台，俾提昇產能的裝置。 =如’申請人在日本專利特開平μ,咖號公報中 4出具有複數基板載台之投影曝光n 個基板载台彼此不接觸、且其中一 一 到另-載台動作。 者的栽台動作不致影響 【發明内容】 但是，在此類複數處理室等之中， ^ ^ . .. 於執行製程處理的 =應：頭處理之製程裝置中，將產生隨每個處理室(即， 處理系統等）而有不同的製程誤差之狀況。 譬如’在具二個處理㈣CMp裝置中，便具備著二個 研磨晶圓的研磨墊’且隨研磨墊的研磨狀況產生巧妙變化 :經研磨加工過的晶圓便有產生二種製程誤差的現象。此 外’在此，重⑽裝置中’在各個處理室中進行研磨的研磨 塾旋轉方向，受機械式構造容易性的影響，使呈右旋轉鱼 左旋轉的情況不少，結果同樣的將產生二種製程誤差現象 在此類處理的後段中，譬如將所有晶圓用同一晶圓載 台與對準裝置進行處理般藉由習知曝光裝置施行曝光處理 之情況時，便僅止於利用二種製程補償的平均值執行修正 之對應程度，在曝光時將產生重疊精度降低的問題。所以 ，在此類情況下，結果現實的處理上便僅能儘量減少前段 步驟中的製程誤差本身，而無法採取有效的對策。 再者，如前述，在近年所提案之具備二個基板載台的 1232494 曝光裝置中，於膜ό i 的f程川 如同其他對應多頭處理 0裝長破置叙，將產生 (即，m 丁鹰耆-處理糸統數量的製程誤差 (:-個基板載台分別獨自產生製程誤差）。所 此類曝光裝置，當對經由 曰 J述對應多頭處理的裝置施行 = :::圓等進行處理之情況時，具二種製程誤差的晶 而=具二種製程誤差的曝光裝置進行曝光的情況 差擴大且重疊精度極度,€、化的嚴重事態發 生0 j發明乃有鑑於此類課題，其目的在於提供一種利用 具有複數個基板載台等處理系統的對應多頭處理的曝光裝 置、施行曝光處理的方法，特別在對經利用對應多頭處理 的處理裝置進行處理後的處理對象基板施行曝光處理之際 ’可防止製程誤差累積而造成重疊程度極度惡化的現象發 生，藉此能以高產能製造高品質半導體裝置的曝光方法。 再者，本發明之另一目的在於提供一種當使用複數基 板載口執行複數感應基板之曝光處理之情況時，仍可降低 製私决差的影響，可在各感應基板上形成高精度元件圖案 的曝光方法、裝置。 再者’本發明之再另一目的在於提供一種具有複數個 基板載台等處理系統的對應多頭處理的曝光裝置；特別係 對被對應多頭處理的處理裝置處理過的處理對象基板施行 曝光處理之際，可防止製程誤差累積而造成重疊程度極度 惡化的現象發生’藉此能以高產能製造高品質半導體裝置 的曝光裝置。 1232494 再者’本發明之 理系統施㈣—目的在於提供—種對依複數處 別精度佳的檢測出二裝置處理過的複數基板’可分 、，、位置資訊之曝光方法及裝置。 再者，本發明之 _ 另一目的在於提供一種對各個依複 可八二知仃同—處理之處理裝置處理過的複數基板， =㈣程誤差的影響，並形成高精度元件圖案的曝 九方法、裝置。 古再者，本發明之再另一目的在於提供一種可高精度且 南產此的製造細微元件的元件製造方法。 緣疋，為達上述目的，本發明的曝光方法，係利用具 有複數處理系統⑴，12)的曝光裝置（1())對感應基板⑶，犯 、或33)施行曝光，俾將光罩（35)上的圖案轉印於感應基 板（31’32、或33)上，當針對曝光處理前便利用具複數處 理系統（21，22)的處理裝置（2〇)施行既定處理過的一連串感 應基板（31 )、執行曝光處理之情形，上述先前處理時被上 述處理裝置（20)中相同之處理系統（21或22)施行處理過的 感應基板（31，32、或33)，係依在上述曝光裝置（1〇)的上 述複數處理系統之任一相同處理系統（11或12 )中進行處理 之方式，將上述一連串感應基板（31)分配於上述曝光裝置 (10)的上述複數處理系統（11，12)中，並施行曝光處理。（ 參照第1圖、第2圖） 依據此種曝光方法，藉由具複數處理系統的對應多頭 處理的處理裝置進行處理，而產生複數系統製程誤差的_ 連串感應基板，依每個經處理過的處理系統（即，依每個 1232494 系統的製程誤差），分配於曝光裝置的同-處理***中， 並在此各處理系統中進行曝光處理。換言之，經複數處理 系統之任-處理系、统處理過的感應基板，即便在曝光裝置 中，仍將在複數處理系統的任一處理系統中進行曝光處理 。所以，對於製程誤差參差的—連串感應基板，便可更進 -步防止在製程誤差參差情況下進行處理的狀況，即便對 經利用對應多頭處理之處理裝置進行處理過的感應基板施 订曝光處理之情況下，仍可防止製程誤差的累冑，執行較 習知同樣的重疊精度更適當的曝光處理。 ★較佳本發明的曝光方》，乃上述曝光裝置（⑻係具有 複數基板載台(171，172);而上述先前處理時被處理裝置 (20)中相同之處理系統（21或22)處理過的感應基板，係裝 載於上述複數基板載台的任一相同基板載台（IB或172)上 ，並執行上述曝光處理。（參照第丨圖、第2圖） 再者，較佳本發明的曝光方法，乃上述曝光裝置（丨〇) 係具有複數對準感測器（152，153);而上述先前處理時被上 述處理裝置（20)中相同之處理系統（21或22)處理過的感應 基板，係採用上述複數對準感測器的任一相同對準感測器 (152或153)執行對準處理，然後施行上述曝光處理。（參 照第1圖、第2圖） 再者，k佳本發明的曝光方法，乃曝光裝置（丨〇)具有 採用各自獨立設定之複數對準補償（211，212)中的任一者， 執行對準處理的對準處理機構；並對上述前處理時被上述 處理裝置（20)中相同之處理系統（21或22)處理過的感應基 1232494 板’依每個各自設定對準補償（211，212)，並經該相同處理 系統（21或22)處理過的感應基板，係對應著該處理系統， 採用上述經設定過之對準補償（211，212)施行對準處理。（ 參照第1圖、第2圖） 一依照該等較佳曝光方法，依每個在先前的處理步驟中 經施行過處理的處理裝置之處理系統（換言之，依每個系 統的製程誤差），言免定對準補償、或搭載於相同的基板載 台上、或者採用相同的對準感測器、或者組合該等而施行 對準處理，便可防止對系統製程誤差相同的一連串感應基 板，施行製程誤差更加參差之處理的現象發生。 再者，本發明的曝光方法，係針對執行曝光處理的上 述一連串感應基板，譬如藉由管理著施行先前處理的處理 波置、或半導體裝置之全體製程的主機電腦等外部裝置， 接收所傳輸的資訊，或者根據收容著感應基板之晶圓匣中 的各感應基板收容位置，而獲取辨識著先前處理時經處理 裝置之相同處理系統施行處理過的感應基板之資訊，並根 據此而執行上述分配。 再者，較佳的一具體例子，乃本發明的曝光方法中， 上述曝光裝置係具備有二個如上述對準補償、基板載台、 或對準感應器之類的第1與第2之二個處理系統；針對利 用上述處理裝置之複數處理系統分別進行處理，並收容於 晶圓匣中的上述一連串感應基板，依經上述處理裝置之相 同處理系統施行處理過的感應基板，被上述曝光裝置的相 同處理系統進行處理之方式，交替分配於上述第1處理系 1232494 統與上述第2處理系統中，並執行上料光處理。 再者，本發明的曝光方法，係利用具有第i基板載台 (171)與第2基板載台(172)的曝光裝置⑽，依序對複數 感應基板（31，32、4 33)施行曝光處理的曝光方法；其中 ’將此複數感應基板⑶，32、或33)，分別根據表示此複 數感應基板（31，32、或33)處理經歷的資訊，裝載於第2、 第2處理系統（11，12)中之任一者上。 依照本發明之曝光方法，即便對複數感應基板採用具 複數基板載台的曝光裝置進行曝光之情況時，仍可減少製 程誤差參差等現象發生’可在各基板上形成所需的元件圖 案0 再者，本發明的元件製造方法，係包含有採用本發明 的曝光方法，將元件圖案轉印於感應基板上的步驟。 再者，為達成上述目的，本發明的曝光裝置（1〇)係具 備有：載置著曝光處理對象感應基板（31)的基板載台 (171，172);供設定對載置於上述基板載台上的感應基板 (31)施行對準處理用之對準補償的補償設定機構（211，212) ，對載置於上述基板載台上的感應基板，採用上述所設定 的補償，執行對準處理的對準機構（1 52, 1 53);以及對經施 行過上述對準處理過的感應基板，進行光罩上圖案的曝光 之曝光機構（110〜142);並設置複數個至少具有上述基板載 台（171，172)、上述補償設定機構（211，212)、上述對準機 構（ 1 52, 1 53)中之一者的處理系統；更具備有分配機構 (200)，在該曝光處理前，經利用具有複數處理系統 12 1232494 (21，22)之處理裝置（20)施行既定處理過的一連串感應基板 (31)執行曝光處理之情況時，在該先前處理時被上述處理 裝置（20)中相同處理系統（21或22)施行處理過的感應基板 ，便依在該曝光裝置（1 〇)之上述複數處理系統的任一相同 處理系統（11或12)中施行處理之方式，將上述一連串感應 基板分配於上述複數處理系統中。（參照第丨圖、第2圖） 在此種構造的曝光裝置中，經具有複數個處理系統之 對應多頭處理的處理裝置施行處理，而產生複數系統之製 程誤差之類的一連串感應基板，將利用分配機構，依每個 其所處理過的處理系統（換言之，依每個系統的製程誤差） ，分配於具備曝光裝置之複數處理系統的任一相同處理系 統中。另外’此具備複數個的處理系統，係载置著感應基 板的基板載台、或供設定對載置於基板载台上的感應基板 施行對準處理用之對準補償的補償設定機構、或對上述基 板載台上所載置的感應基板採用上述所設定的補償施㈣ 準處理的對準機構中之任一者，戋者 ^ ^牙由5亥荨的組合搭配所 構成的處理系統。 然後，藉由此複數處理系統，對依每個製程誤差之系 統所分配到感應基板，設置補償設定，、 、 A ^ ^ ^ L ^ 4 #搭栽於相同的 土板載口上，或者採用相同的對準機構，或者組 執行對準處理，並利用曝光機構執行曝光處理。Μ =，^數處理糸統中任_處理系_ 感應基板，在曝光裝置的部分或全部處理 理系統中之任-處理系統中進行處 ⑽在複數處 所M ’對製程誤差 13 1232494 參差的一連串感應基板，便將更加極力減少（或避免）在製 程誤差簽差狀況下施行處理的狀態，即便在對經對應多頭 處理之處理裝置施行處理過的感應基板，執行曝光處理之 情況時，仍可防止製程誤差的累積，而可執行較習知相同 重疊精度更適當的曝光處理。 較佳本發明的曝光裝置，係具備有··依每個在該曝光 處理前的上述既定處理時之上述處理裝置（2〇)中相同之處 理系統（21或22)施行處理過的感應基板，設定對準補償的 複數個補償設定機構（211,212);上述分配機構（2〇〇)係將 經上述處理裝置（20)中相同之處理系統（21或22)處理過的 感應基板，分配於設定該處理系統所對應之對準補償的上 述複數補侦没定機構（2 π，212)中之任一者中，上述對準機 構（ 1 52, 1 53)係對上述一連串感應基板，採用該感應基板設 疋於上述所分配的補償設定機構（211，21 2 )中的對準補償， 執行對準處理。（參照第i圖、第2圖） 再者’較佳本發明的曝光裝置係具有複數個上述基板 載台（171，172);上述分配機構（2〇〇)係將利用上述以前處 理時的上述處理裝置中相同之處理系統（21或22)進行處理 過的感應基板，依裝載於上述複數基板載台的任一相同基 板載台（171，172)中之方式，分配著感應基板（31)。（參照 第1圖、第2圖） 再者，本發明的曝光裝置係分別設有具對準感測器 (152，153)的複數個上述對準機構；上述分配機構（2〇〇)係 將上述先前處理時被上述處理裝置中相同之處理系統施行 14 1232494 處理過的感應基板，分配於上述複數對準機構的任一相同 對準機構中；上述複數個對準機構係對上述分配過的感應 基板，各自執行對準處理。（參照第〗圖、第2圖） 再者，較佳的一具體例乃本發明的曝光裝置，係更具 備有基板處理資訊取得機構，該基板處理資訊取得機構係 取=相關執行曝光處理的上述—連串感應基板，表示經與 以則處理時之上述處理裝置中相同之處理系統，施行處理 過的感應基板資訊；上述分配機構係根據上述所取得資訊 進行上述分配。 ' ° 較佳上述基板處理資訊取得機構係針對上述一連串感 ，基板的各個基板’藉由根據收容著該-連串感應基板的 曰曰圓匣中，收容該各個感應基板的收容位置，辨識在上述 先刖處理時所處理過上述處理裝置的處理系統，而取得上 述資訊。 再者，較佳的一具體例乃本發明的曝光裝置，係具備 有分別至少設有上述基板載台、上述補償設定機構、上述 對準機構中之-種的第i與帛2處理系統；上述分配機構 係將利用上述處縣置的複數處理系統分別進行處理，並 收谷於曰曰圓匣中的上述一連串感應基板，依使經上述處理 裝置之相同處理系統處理過的感應基板，被上述曝光裝置 中的相同處㈣、統進行處理之方式，《替分配於上述第丄 處理系統與上述第2處理系統中。 再者，為達上述目的，本發明的曝光裝置係對經由將 相同處理依複數處理系統（21，22)分別施行處理的處理裝置 15 1232494 (20)，而所搬入的一連串感應基板（31)，分別轉印光罩 (3 5 )圖案的曝光裝置，乃具備有：將檢測出上述感應基板 標記的複數第1檢測系統（152, 153)，分別配置於不同位置 的對準系統；以及在上述圖案轉印前，便依利用上述對準 系統的相同第1檢測系統（152或153)，檢測出上述處理裝 置之相同處理系統（21或22)處理過的感應基板標記之方^ ，分別設定上述一連串感應基板之處理順序的設定裝置 (210)。 ’ 依此的話，經處理裝置之任一處理系統處理過的感應 基板，因為在曝光裝置内，利用相同標記檢測系統檢測2 其標記，因此即便利用處理裝置的複數處理系統處理感應 基板的情況下，仍不致增加上述製程誤差，可採用第丨桿 記檢測系統精度佳的檢測出感應基板的標記位置資訊，俾 可將光罩圖案精度佳的轉印於感應基板上。 再者，本發明的曝光裝置係可具備一個保持著感應基 板用的可動體（基板載台），亦可具備複數個保持著上述感 應基板的可動體（171，172)，將經上述處理裝置之相同處理 系統（21或22)處理過的感應基板，利用相同可動體 (171，172)予以保持著，同時幾乎並行的對由上述複數可動 體中之第1可動體（1 71)所保持的感應基板，施行上述圖案 轉印，並利用上述複數第1標記檢測系統中之一（1 Μ )，檢 測出由第2可動體（172)所保持的感應基板之標記。 再者，本發明的曝光裝置亦可更具備移送裝置（2〇〇)， 孩移廷裝置(200)係經上述處理裝置處理過之感應基板所搬 16 1232494 入的第1位置（譬如，當將曝光裝置與處理裝置予以内部 連接之時’從處理裝置搬入於曝光裝置中的感應基板投入 位置等）’與在上述複數可動體之間僅各自執行上述感應 基板交接複數第2位置之間，移送著上述感應基板；經上 述處理裝置的相同處理系統處理過的感應基板，係經由相 同路徑（即，通過相同的第2位置）進行移送。 再者’較佳本發明的曝光裝置，係更具備有：分別對 應著上述複數第1標記檢測系統而設置，並在利用上述各 標記檢測系統進行上述感應基板之標記檢測中，檢測出上 述感應基板之位置資訊的複數第丨干涉儀系統；以及在對 上述感應基板進行上述圖案轉印中，檢測出上述感應基板 之位置資訊的第2干涉儀系統。 再者’較佳本發明的曝光裝置，係更具備有：在利用 上述第2干涉儀系統所規範的座標系統中設定檢測中心， 並檢測出上述感應基板、或保持著上述感應基板的可動體 之標記的第2標記檢測系統（151);根據上述第丨與第2標 記檢測系統的檢測結果，採用上述第2干涉儀系統控制著 上述可動體的移動，俾將上述圖案轉印於上述感應基板上。 再者，本發明的曝光裝置，係對經由具有分別執行相 同處理之第1處理系統（21)與第2處理系統（22)的處理裝 置（20)，所搬入的一連串感應基板，分別轉印光罩圖案= 曝光裝置（i〇b);具備有：將對應著第i處理系統（21)的第 1補償、與對應著第2處理系統（22)的第2補償予以記情 的記憶裝置（214,215);以及在一連串感應基板中，對經= 17 1232494 1處理系統（21)處理過的基板採用第丨補償進行處理，並 對經第2處理系統（22)處理過的基板採用第2補償進行處 理的處理機構（151，170等）。 依照本發明曝光裝置的話，因為對經由具有分別執行 ^同處理的第1處理系統（21)與第2處理系統（22)之處理 裝置（20)，而所搬入的一連串感應基板，採用各處理*** 所對應的補償資訊進行處理，因此任何感應基板均可同樣 精度佳的轉印既定圖案。 本發明的元件製造方法 係包含有採用本發明 的曝光裝置，將元件圖案轉印於感應基板上的步驟 再者’較佳本發明的元件製造方法，上述處理裝置係 具有對經轉印上述元件圖案的感應基板，分別施行相同處 理的複數其他處理系統（顯影裝置（顯影機）等），且在 =光裝置^對經由相同路徑的感應基板，利用上述處理 4置的相同其他處理系統進行處理。 另外’在本部份中，對所記載之供解決課題用的機構 之各構造，對應著所附圖 ^ a , H 、斤子應的構^賦予元件符號而 :載，但疋可輕易理解本發明的相關機構，並不僅限於失 …、圖不進行說明的後述實施形態之態樣。 少 【實施方式】 相關本發明之一 在本實施形態中 晶圓處理步驟其中一 實施形態，參照第卜5圖進行說明。 乃例示半導體積體電路生產線中的 ^份為例，說明本發明。 18 1232494 第1圖所示係此生產線的部分示意圖。 半導體積體電路生產線1係具有曝光裝置10、晶圓處 理裝置20、及通訊線40。 首先，針對此半導體積體電路生產線1的概略構造進 行說明。 曝光裝置10係將當作光罩用的標線片上所描繪的圖案 ，透過投影光學系統，轉印於已塗佈著感光劑之晶圓（减 應基板）上的裝置。在本實施形態中，乃屬於步進掃瞒式 投影曝光裝置。 曝光裝置10係對應多頭處理的裝置，具有二個晶圓載 台、三個對準感測器（第1標記檢測系統152,153、及第2 標記檢測系統151)、以及對應著各對準感測器可設定各自 獨立之對準補償的構造。所以，在曝光裝置1 〇中，在二 個晶圓載台上’對應著各個對準感測器、與對準補償之执 定，實質的構成二個處理系、统u，12，藉由在該等二個： 理糸統u，12中並行的處理部分處理，而達處理的效率化 八所以，收容於晶_ 3G中並依序投人的晶圓31，將 刀別依序搭載於二個晶圓載 #,, 戟σ干之任一者上，並採用任一 ’準感測器對準補償施行對準處理而依序曝光。 在曝光裝置10中，從晶圓處理 各曰鬥沾八 衣不各晶圓處理經歷的資訊，決定 各日日圓的分配（即，搭葡一 按用抓/ ;—個晶圓載台中的那一個上， 知用那一個對準處理系個上 執仃對準處理的分配）。然後， 19 1232494 特別在曝光裝置l 〇中，相關經晶圓處理裝置2〇之相同處 理系統處理過的晶圓，依相同處理系統（即，搭載於相同 晶圓載台上）並依相同對準處理系統執行對準處理之方式 ，分配著各晶圓。 晶圓處理裝置20係在半導體積體電路之生產線中的晶 圓處理步驟中，執行在曝光處理前所施行任意晶圓處理的 襄置’特別係可利用二個處理***21，22㈣並行的施行 此晶圓處理的裝置。 具體而f，晶圓處理裝£ 2〇 $有如各種姓刻褒置 艘裝置、CVD裝置、減鍵裝置蓉忐替驻 . 衣1寺成膜裝置、光阻塗佈機、 顯影機裝置（顯影裝置）、與妹胜 . ^ &烤裝置、光阻剝離裝置等光阻 處理裝置、摻雜裝置、擴散I罟雜工处 ^ 擴政衷置、離子植入裝置等摻雜 置、或者CMP裝置等等裝置。 另外，在本實施形態中，曰 τ日日圓處理裝置20乃設定Α CMP裝置。 y又疋兩 imr 衣置 一 v n H习此4丁的f十一 η 晶圓施行CMP處理的對應多頭 卞一片 w 9Π , ^ ^ 只处理之裝置。即，在CMP裝 個處理室中分別搭載著研磨對象的晶圓， 並利用二個研磨用墊同時施行研磨處理。 再者，在⑽裝置20巾，二個研磨用塾 構造上的狀況，分別進行古 ，、思機械虞置 退订右疑轉與左旋轉。 裝置20中被研磨的各個晶圓之製程誤差 ’ CMf 理室所對應的特定傾向。換言之，被CMP裝置 晶圓，便形成具有對應左右處理 研磨的 糸統製程誤差的晶 20 1232494 圓。所以，CMP裝置20便將表示相同裝載機的各晶圓到底 由那一處理室進行處理的資訊（換言之，表示各晶圓製程 5吳差之系統的資訊），經由通訊線4 0，傳送給曝光裝置j 〇 等後段處理裝置。 經CMP裝置20研磨過的晶圓’便依每個裝載機而投入 ;下步驟中（譬如’在施行過成膜處理或光阻塗佈處理 專處理之後’投入於採用曝光裝置1〇的曝光步驟中）。在 此為求較容易說明，因此便省略成膜處理或光阻塗佈處理 等的說明’乃針對經完成CMP裝置20中之CMP處理後的晶 圓，其次再投入於曝光步驟中施行曝光處理時的處理，進 行說明。 通訊線40係在半導體積體電路的生產線之各處理裝置 間，供執行所需資訊之通訊用的傳輪路徑。透過此通訊線 讪，藉由生產線上之各裝置與整體管理裝置等執行相互通 訊，便傳輸與掌握每個裝載機的晶圓處理資訊，且掌握各 處理裝置的裝載處理狀況，以及根據其而執行生產管理等 荨事項。 在本實施形態中，透過此通訊線4〇，從CMp裝置2〇 對曝光裝置1〇專 即，每個“ 各晶圓處理資訊( 目錢機的各個晶®，到底由2()之那 至進行處理的資訊）。
其次’針對本發明的曝光裝置1G 仃詳細說明。 …、弟2圖進 第2圖所示係本實施形態的曝光裝置1〇構造圖。 21 1232494 裝。置10係具備有：光源'ιΐ0、光束匹配 140、早二12°、照明光學系統1 22,125、標線片載台 載衫光學系統142、第1〜第3對準感測器15W53、 載“置160、晶圓裝載部2〇〇、及控制系統21〇。 …在如ArF準分子雷射等光源m中所產生的紫外脈衝 光等光’制可動鏡等，對照明光學系統光軸，透過供使 紫外脈衝光進行位置對位用的光束匹配單元m(删），射 入於照明光學系統（1 2 2，12 5 )中。 照明光學系統係將通過麵20的紫外脈衝光（曝光用 光）照射於標線片35上，譬如配合應轉印於晶圓上的圖案 ’而改變標線片的照明條件（即，在照明光學系統之透鏡 面上的曝光用光之光量分布），同時將被曝光用光所照射 到標線片35的照明區域，限定為在投影光學系統142的圓 142先另：，，且在二述中，將第2圖中正交於投影光學系統 先軸且垂直於紙面的方向設定為X方向，將正交於χ 方向且平行於紙面的方向設定為Υ方向，將正交於X、Υ方 °平行於才又衫光學***i42光軸的方向設定為Ζ方向。 首先，針對光源11〇~投影光學系統142進行說明。 形視野内，且以光軸為中心並朝χ方向延伸的矩形狀，而 且將掃瞄曝光中標線片35移動的掃描方向（在本實施形態 為Υ方向）所相關的照明區域寬度設定為可變。 在此本實施形態的照明光學系統，係第1光學系統 122，與第2光學系統125所構成；而該第i光學系統122 係設置在含後述投影光學系統142等在内之曝光本體部， 22 1232494 所搭載的圓柱之外的其他台架上；該第2光學系統丨25係 設置在曝光本體部所載置的圓柱上。第丨光學系統丨22係 具備有：當作光衰減器（optical attenuator)用的可調式 光衰減器、光束整形光學系統123、變更上述照明條件的 光學單元（包括有譬如：至少一個可沿照明光學系統光軸 移動之稜鏡、變焦光學系統、以及在照明光學系統内交換 配置的複數繞設光學元件等等在内）、光學指示器、光束 稜鏡、以及限制上述照明區域的標線片板（光罩板）丨24等 ，並執行從BMU120所射入曝光用光的整形與照度均勻化等 事項。此外，第2光學系統丨25係具備有：鏡}26、聚光 鏡系統127、成像透鏡系統128、以及鏡129等，將從第！ 光學系統122所射入的曝光用光，依均勻照度照射於標線 片載台140上所保持的標線片35上。另外，以下分別就第 1與第2光學系統稱為照明光學系統122, 125。 另外，照明光學系統1 22,125中所具備之光束稜鏡（未 圖示），係穿透率較高且反射率較低者，由其所反射的光 將射入於積分傳感器（Integrator sensor)(未圖示）中而測 量此光量。然後，根據所測量到的光量、及預先記憶的光 束稜鏡穿透率或反射率，在後述控制系統21 〇中，檢測出 對投影光學系統的光射入光量以及檢測出基板上的光量， 並進行控制。 標線片載台140係設置於投影光學系統、丨42上方，並 保持著屬於已形成有轉印圖案之光罩的光罩標線片35，同 時依既定滑動朝Y方向進行移動，且將標線片35在χγ平 23 1232494 面内朝旋轉方向與並進方向進行微動，俾可調整其姿勢。 、卜‘線片載台140係在掃描曝光時，使標線片35對曝 光用光(照明區域)朝掃瞄方向(γ方向)依既定速度進行移 動雖未圖7F，利用至少具有六個測量長轴# +㈣Μ /測量著標線片载台14〇(標線片35)之叉、γ方向之位置資 A，X軸、γ軸及ζ軸周圍的三個旋轉量（俯仰量、旋轉量 、搖擺量），以及ζ方向的位置資訊(在與投影光學系統 142間的間隔）。 另外，標線片載台140之該等移動與姿勢的調整，係 根據來自控制系統210的控制訊號，在與載台裝置“Ο曝 光對象的晶圓移動為同步的進行。 、投影光學系，统142係將標線片35的圖案縮小影像，形 成於上述照明區域之共軛曝光區域(晶圓W上的曝光用光 照射區域)中的二側遠心縮小系統。因此，標線片35的圖 案影像係利用投影光學系統142而被縮小為既定縮小倍率 於載台襄置16〇之第j晶圓載台⑺（或第2晶圓 載台172)上所载置’且預先在表面上塗佈著光阻的晶圓μ 上0 其次，針對載台裝置16〇進行說明。 載口裝置160係具備有··在底盤161獨立於二次元方 向且可移動的第i與第2晶圓載台（可動體；以及 根據來自控制系統21Q的控制訊號，採用後述第1與第2 干v儀系統而驅動該等晶圓載台的載台驅動系統(未圖示) 24 1232494 此第1與第2晶圓載台171，172係如第2圖所示，具 備有：載台本體173, 174、ZL載台1 75, 1 76、以及保持著 晶圓31的晶圓保持具1 77, 1 78。 載台本體1 73, 1 74係分別屬於保持著ZL載台175, 176 與晶圓保持具177，178的基台，從空氣軸承（未圖示）浮起 ，並支撐於底盤161上。具體而言，乃在載台本體 173, 174的各底面上，在複數個位置處設置如真空預壓式 空氣軸承等氣壓式組件，利用此氣壓式組件的空氣喷力與 真空預M力間的平衡，帛1與第2晶圓載台171，172整體 便浮起數微米程度，並支撐於底盤161上。 一再者，载台本體173，174係利用後述磁鐵189，19〇而 卡合於載台驅動系統的第2線性導件183，184上並支撐著 ，且利用磁鐵189，19〇與第2線性導件183，184所分別構 成的線性馬達，沿第2線性導件183，184進行移動。 ZL載台1 75,1 76係設置於載台本體173，174上，並在 上面載置著晶圓保持具的台。以載台175，176係利用三個 Z方向致動益（未圖示）而二 、禾《 丁）而一點支撐者，並設置於載台本體 π ’ ±，藉由該等各ζ方向致動器，而季月ζ方 微小距離移動，且調整對ΧΥ平面的傾斜。 曰曰 象 送 曰曰圓保符具 177, '、寸石衣一 考光阻白; 圓…俾使該晶圓31成為從經由投影光學***⑷^ 既定縮小倍率之光，所產生35 _像的^ 。晶圓保持具Π7，Π8係利用晶圓裝载部2〇〇而'進j ’將晶圓保持具Π7，Π8表面上所載置的晶目丁: 25 1232494 從晶圓保持具1 77, 1 78表面上所形成吸附孔（未圖示）的真 空吸引力作用而吸附著，並依在此位置處上未移動之方式 保持著。 載台驅動系統乃如第3圖所示，具備有··第1線性導 件181，182、第2線性導件183, 1 84、驅動線圈185, 186與 187，188、以及設置於第}與第2晶圓載台171，172底面上 的磁鐵1 89, 1 90。 第1線性導件181，18 2係底盤161上的第1與第2晶 圓載台171，172移動範圍外，依包夾此範圍之方式，朝第 1方向（在本實施形態中為χ軸方向）延伸，且構成線性馬 達固定端磁鐵的組件。 再者’第2、線性導件183, 184俜將交替於第1線性導 件的部分設定為二端部，並朝垂直於第J方向的第2方向（ 在本實施形態中為γ軸方向)延伸，且同樣的構成線性馬 2固定端磁鐵的組件。在此第2線性導件183，184二端部 設置著驅動線目185, 186肖187, 188，藉由此驅動線圈 185，186與187’188、及第^線性導件ΐ8ΐ，ΐ82，而分別構 成線性馬達。所以’驅動線圈185，186與l87 i88便藉由 分別在第1線性導4 181，182上進行平行㈣，岐第2 線性導件183，184分別朝第1線性導件181，182方向（即， χ方向）移動。 冉者’分別將第2線性導件183，184二側所設置的— 1驅動線目185，186肖ι87，188的轉矩進行稍微變化 使第1與第2晶圓載台m，n2產生微小擺動並可去除。 26 1232494 再者，在此第2線性導件183，184上，利用底面上所 設置的磁鐵189，190而設置著第i與第2晶圓載台 17M72。利用此磁鐵189，19〇與第2線性導件i83，i84而 構成線性馬達，藉此第i與第2晶圓載台m，i72便分別 朝第2線性導件183，184方向（即，γ方向）進行移動。 另外，雖未圖示，第2圖的曝光裝置1〇係設置有：分 別檢測出第卜第3對準系統（對準感測器）151~153中，第 2與第3對準系統152，153正下方之帛1與第匕圓載台 Π1，Π2(晶圓31)位置資訊的二個第丨干涉儀系統，·以： 檢測出投影光學系、统142正下方的第】晶圓載台Η 2晶圓載台172(晶圓31)位置資訊的第2干涉儀系統。二 個干涉儀系統、及帛2干涉儀系統係分別至少具有五個測 量長軸，對分別在ZL載台177，178上所形成的反射面照射 著雷射光束，而測量晶圓載台的χ、γ方向位置資訊，X軸 、Υ轴及Ζ軸周圍的三個旋轉量(即，俯仰量 擺量）。 ^ "再者：二個第1干涉儀系統中之-者，係在檢測出由 第2對準糸統152所產生的晶圓31對準標記，以及第i日 :載台m上所設置基準標記等之時，便檢“ 載台171的位置資訊。而另-第1干涉儀系統係在檢測出 由第3對準系統153所產生的晶圓31對準標記，以及第出 晶圓載台172上所設置基準標記等之時，便檢測出第2曰 圓載台Π2的位置資訊。此外，第2干㈣系 利用透過標線片35與投影光學“ 142 = 27 1232494 晶圓31曝光（即，對曰 — 固31進行標線片35圖案轉印）時， 乂及利用弟1對準系統丨R〗 之I 、 斤產生的各第1晶圓載台1 71 土2記等之時，便檢測出此晶圓載台的位置資訊。 對準Ϊ: 15??弟2圖之曝光裝置10中所設置的第1〜第3 對旱糸統15M53進行說明。 / :對準系統（第2標記檢測系統）⑻係在由上述第^ :儀系、’先所規範的正交座標系(以下亦稱「曝光座標系 」曰上，具有檢測中心，可檢測出晶圓31之對準標記、或 晶圓裁合 171 1 n〇 , 與 、，上所設置基準標記等，並將此檢測結果 二^干涉儀系統測量值一齊傳送給控制系統210，而求 f各‘屺的位置資訊（座標值）。本發明實施形態的第1對 二=、’先1 51係投影光學系統pL之外另設的離軸式，預先測 里第1對準系、統151檢測中心與投影光學系、统142光轴（標 線片35之圖案影像投影中心）間的位置關係（所謂「基線量 」1並儲存於控制系統21 0中。第1對準系統1 51較佳並 非需要基線管理的離軸式，而是譬如透過投影光學系統 142而榀測出標線片35對準標記、與晶圓載台基準標記（ 或晶圓 31 對準標記）的 TTR(Thr〇Ugh The Reticle)式。TTR 式亦可取代標線片35對準標記之檢測，改為檢測出標線 片載台140上所設置的基準標記。 再者’第2對準系統（複數第1標記檢測系中之一）丨52 ’係在經上述其中一第1干涉儀系統所規範的正交座標系 (以下亦稱「對準座標系」）上，設有檢測中心，並檢測出 晶圓31之對準標記、或檢測出第1晶圓載台1 71上所設置 28 1232494 基準標記等等，並將此檢測結果與其中之一的第】干涉儀 系統測量值一齊傳送給控制系統21〇，而求得各標記的位 置資訊（座標值）。利用第2對準系、统152所進行的標記檢 測乃㊁如與對第2晶圓載台172上所保持的晶圓31進行 標線片35圖案轉印，幾乎並行的執行。 再者，第3對準系統（複數第j標記檢測系中之一 η 52 係在經上述另一第丨干涉儀系統所規範的正交座標系（ 對準座標系）上’設有檢測中心，並檢測出晶圓31之對準 標記、或檢測出第2晶圓載台172上所設置基準標記等等 ’並將此檢測結果與其中之一的帛j干涉儀系統測量值一 齊傳送給控制系統21〇 ’而求得各標記的位置資訊(座標值 )利用。第3對準系統15 3所進行的標記檢測，乃譬如與對 第1曰曰圓載σ 171上所保持的晶圓31進行標線片35圖案 轉印’幾乎並行的執行。 在此控制系統210係、採用第卜第3補償記憶部 211〜213中所記憶之對應於各對準感測器的補償值，處理 各對=感測器的檢測訊號而求取對準標記或基準標記等的 位置貝Λ。此外，本發明實施形態的第卜第3對準系統 15卜153係、將分別由_素燈等所產生寬帶域的光照射於光 罩上，並將利用攝影元件（⑽）對該光罩進行檢測後所獲得 的影像訊號施行波形處理，而檢測出其位置資訊。另外， 第卜第3對準系統15卜153並不僅限於影像處理式，亦可 為其他方式’譬如將同調光束垂直照射於光罩上，並干涉 從該光罩所產生相同次數的二個繞射光束且進行檢測的方 29 1232494 式等。此外，本實施形態的曝光裝置1(M系具有二個處理 系統1M2,而各處理系統則由對準系統（152或153)、晶 圓載台(171或172)、以及第1干涉儀系統所構成。 其次，針對晶圓裝載部200進行說明。 晶圓裝載部2〇〇係根據來自控制***21〇的控制訊號 ’在晶圓£30與第i與第2晶圓栽台171172之間，執行 晶圓移送的搬送機構（移送裝置）。在本實施形態中，因為 經處理裝置（CMP裝置）2〇處理過的晶圓，乃依裝載單位收 容於晶圓g 3G中，再由如操作以將此晶随3()投入於 曝光裝置10中’因此曝光裝置1〇中經晶圓處理裝置2〇處 理過晶圓所搬人的^位置，便形成設置晶圓E3〇的位置 。此外’本實施形態中，在晶圓裝載部2〇〇、分別與第】 :第2晶圓載自171，172之間，執行晶圓交接(交換等)的 弟2位置(晶圓裝載，下載位置），乃設定為不同於第i晶圓 载台⑺與第2晶圓載台m的不同位置處。另外，晶圓 E 30較佳為防止雜質進入的密封型。 雖分別將第1晶圓載台171與第2晶圓载台172移動 至未圖示的互異晶圓裝載/τ载位置纟，並執行晶圓交接 ，但是亦可在第1與第2晶圓载Α 171 179 日日_戰口 171，172，將晶圓裝載/ 下載位置設定為相同位置。 具體而言’晶圓裝載部2GG係將經控制系、统21〇計 不的晶圓31從晶圓E 3"取出，並將其搬送至由控心 統210所指示的第13曰曰圓載台171或第2晶圓載台Μ中、 之任-晶圓載台上’並載置於此晶圓保持具上。此外，將 30 1232494 2晶圓載台 控制系統210 已70成曝光處理的晶圓31，從第1與第 1 71 ’ 1 72進行回收，並收容於由新晶圓匣之 所指示的既定位置處。 —另外，晶圓裝載部200係分別將第1晶圓载台171與 第2晶圓載台172，移動至底盤161上分別相對於第！晶 圓载台m與第2晶圓載台172所規範互異的晶圓裝載/; 載位置處（未圖示），並執行晶®之交接，但是亦可將第j 與第2晶圓載台171 ’ 172的晶圓裝載"載位置設定為相同。 最後’針對控制系統21 〇進行說明。 控制系統210係控制著曝光裝置1〇的各部位，並依可 對所投入晶圓31施行適當曝光處理之方式，控制著曝光 裝置10各部位。 4 具體而言，首先，控制***210乃控制著：將投入曝 光裝置10中之每批號晶圓31分配於二個晶圓載台 171，172的決定，以及將已分配決定後的各晶圓31實際裝
載於各晶圓載台中。 A 在控制系統210中，透過通訊線4〇，輸入表示CMp裝 置20係將同批號中的各晶圓31，採用CMp裝置2〇之二個 處理系統21，22中的那一處理系統施行處理的資訊。控制 系統210將此資訊記憶於控制系統21〇内，並在所對應批 號投入於曝光裝置10中之時便參照此資料，而檢測出在 CMP裝置20中由相同處理系統施行處理過的晶圓。然後， 控制系統210便將在晶圓處理裝置2〇中由相同處理系統處 理過的晶圓，依在曝光裝置1 〇中，由第i晶圓載台丨7丨或 31 1232494 第2晶圓載台ία中夕紅 , 中之任一相同處理系統施行曝光處理之 各曰曰圓31分配於二個晶圓載台171，172。 :配、，。果乃藉由控制系統21G控制 ，俾實際將各晶圓搭載於 …達成的。此外，第1晶圓載台m M載口 172係利用載台驅動系統 161上個別規範的各晶圓裝載/下載位置處，進行交 二：執行晶圓的裝载與下載，，控制系 依從晶圓匣3 Ο Φ辦* & # λα # 便 ，…J 晶圓载台172令的晶圓 :載於第1晶圓載台171與第2晶圓载台172上 之方式，控制著晶圓裝载部2〇〇。 再者，控制系統210係根據由第卜 ,，53之，對準感測器所檢測出的訊號，並參 值弟3補償記憶部211〜21”之各對準感測器所對 =曰執行既定訊號處理，而檢測出第1晶圓載台 所伴持曰π曰曰回载台172之基準標記，或者該等晶圓載台 所保持晶圓32, 32上的對準標記等等的位置。 圓戰。 與對便根據該等所檢測出的基準標記 平铩。己4位置，檢測出晶圓載台 的位置。 171，172及晶圓 再者’控制系統210將根據依前述所檢測出的第】盘 第2晶圓載台171，172、及各晶圓3 ” _ . 〈位置，#制装 動系統，並控制著第1晶圓載台”1與第2;圓載 32 1232494 台172的位置、及晶圓32, 32的位置。 即’第2圖之曝光裝£ i 〇的控制系統21便依第^晶 圓載台171移動至上述二個晶圓裝載/下載的其中之―，^ 用第2對準系、统152執行標記檢測的對準位置處，以及執 行標線片35之圖案轉印的曝光位置（在本例中，乃包括利 用第1對準系、统151執行包至檢測的對準位置在内），而且 第2晶圓載台172則移動至另一晶圓裝載/下載位置，利用 第3對料、統153執行標記檢測的對準位置處，以及上述 曝光位置之方式，透過载台驅動系統分別控制著第1與第 2晶圓載台171，172的移動。 具體而言’控制系統210係控制著卡合於第i線性導 件181’ 182而構成線性馬達的驅動線圈185，⑽與 187，188 ’並控制著規範第！晶圓載台171與第2晶圓載台 172之X方向位置的第2線性導件ι83，ΐ84位置。此外， 控制系統210係控制著卡合於第2線性導件183，184而構 成線性馬達的磁鐵189，19〇，並控制著規範第1晶圓載台 Π1與第2晶圓載台172之γ方向位置。 藉此將第1晶圓載台171與第2晶圓載台172交替配 置於曝光位置處，並在此曝光位置處依照帛2干涉儀系統 的測量值’控制著各晶圓載台的移動。此外，㈣著已完 成曝光處理之晶圓的第1與第2晶圓載台171，172的其中 之，便將攸曝光位置移往晶圓裝栽/下載位置，並執行 晶圓的交換（經曝光處理過的晶圓之下载、以及待施行曝 光處理的曰曰圓之裝載在施行此動作時並行的使另一晶 33 1232494 圓載台從對準位署銘l 統測量其位置資曝光位置，並利用第2干涉儀系 -晶圓載α/Γ 第1對準系、统151檢測在另 H Q所S又置基準標記之同時，便開始施行晶圓的 曝光處理（標繞片岡安A由 的 由…線片圖案的轉印）。然後，經交換過晶圓的其 、曰曰圓載台’便從晶圓裝載/下載位置移動至對準位置 ’並利用第1干涉儀系統測量其位置資訊， 與第3對準系統之其中一者(152或153)進行晶圓的對^ a己二與另-晶圓載台上所設置基準標記之檢測的幾乎並行 ’貫施另-晶圓載台上所保持晶圓的曝光處理。然後，另 一晶圓載台在完成曝光處理之後，便移動至晶圓裝載^ 載位置’㈣另一晶圓載台則從對準位置移動至曝光位置 。以下，直到同一批號（在本例中為晶圓匣3〇)内的所有晶 圓均70成曝光處理為止前，便重複著施行上述動作。 再者，控制系統210將根據利用照明光學系統122之 指示感測器所檢測出的光束稜鏡反射光之光量，以及預先 5己憶的光束稜鏡穿透率或反射率，而檢測出對投影光學系 統的光射入光量與基板上的光量。然後，根據此檢測結果 ，控制著光源110並控制著發光的開始與停止、振盪波頻 率、以及由脈衝能量所決定的輸出，最後控制著對晶圓31 上之光阻的曝光量。 再者，控制系統21 0係依在掃瞄曝光中，對從照明光 學系統所照射的曝光用光（照明區域），將標線片35依既定 速度進行相對移動的同步，對從投影光學系統丨42所照射 的曝光用光（曝光區域），將晶圓31依既定速度進行相對移 34 1232494 動之方式’透過載台驅動系統依投影光學系統丨42倍率所 對應的速度比，同步驅動著標線片載台14〇與晶圓載台 (171或172)。然後，控制系統21〇為在掃瞄曝光中降低標 線片35與晶圓31的同步誤差，便採用標線片載台14〇與 晶圓載台之至少其中一者（在本發明實施形態中乃採用標 線片載台140)，將標線片35在χγ面内稍微旋轉與並進移 動，而調整其姿勢。 其次’針對此種構造的半導體積體電路生產線1動作 進行說明。 首先’投入於半導體積體電路生產線1中的每個批號 晶圓31 ’若供應給對應多頭處理的CMP裝置20的話，CMP 裝置20便利用二個處理系統21，22，平時並行的研磨二片 晶圓。即，在二個處理室中設定各個晶圓，並利用各處理 至所對應具備的研磨墊同時進行研磨。 若各晶圓的研磨已結束的話，CMP裝置20便從處理室 取出各晶圓，並收容於晶圓匣30的既定位置處。在本實 施形態中，乃依經第1處理系統21處理過之晶圓、經第2 處理系統22處理過之晶圓的順序，從晶圓匣3()其中一端 依序收容。 ,然後，CMP裝置20便依序每次二片對此批號的晶圓進 行研磨，然後將經研磨過的晶圓，依同樣的順序收容於晶 圓匣30中。結果，最後在晶圓匣3〇中便將經二個處理系 統21，22處理過的晶圓，從其中一端依交替排列的狀態進 行收容。 35 1232494 依此完成CMP處理之每個批號的晶圓31，譬如由操作 員進行搬送’或承载於AGVUutoraated Guided Vehicle)等 上並自動的搬送於下一步驟的處理裝置中，再施行如成膜 步驟或光阻塗佈步驟等。另外，省略相關該等步驟的說明 然後’經過該等步驟的晶圓31，接著應投入於曝光步 驟中’同樣的利用操作員進行搬送，或者承載於AGV等之 上並自動的搬送於曝光裝置中。 此外曰曰圓處理裝置2 0中如前述，利用二個處理系統 2L 22她行處理的資訊，便透過通訊線,而傳輸給含曝 光表置10在内的後段處理裝置，以及管理整體半導體積 體電路生產線1的管理裝置等。具體而言，將包含此批號 的各晶圓’係屬於CMP裝置2〇之二個處理系統2122中， 那-處理系統處理過晶圓的資訊在内的資訊（相關處理經 歷的資訊）’讀裝置20傳輸給含曝光裝置财内的各 處理裝置。 曝光裝置1 0係接收此CMP聚置？欠 > 1衣直20的處理資訊，並記 憶於控制系統210中。 經搬送於曝光裝置1 〇内的晶圓际
J曰日w E 30(收容著已由CMP 液置2 0處理過的晶圓31 )，便依可％ ^ 攸了取出所收容晶圓31的 狀態’設定於曝光裝置10的晶圓裝栽部2〇〇中。 然後’曝光裝置10的控制系續9 ] 节a 210，便讀取出先前所 s己憶的此批號晶圓31在CMP褒詈9 η丄 衣夏20中的處理資訊，並檢 測出各晶圓31係由CMP裝置20的-加# 曰]一個處理系統21，22中 36 1232494 ” 7 ’、、、先進行處理的。 g後，控制车 農载部200 _ 為21 〇便根據此檢測結果，控制著-
虛裡、a 將經CMP裝置20之第1處理系統21施行CMP ^理過的晶圓Ή PMp u, ’便裝載於第1晶圓載台171中，而經 裝置2〇之第 ，日，丨站 2處理系統22施行CMP處理過的晶圓31 則敦載於第2晶圓载台172中。 藉由控制备β 。，Λ ?ηη 、冼210進行此種控制等，首先晶圓裝載部 ZUU便取出晶圓 30其中一端所收容的經CMP裝置20之 弟1處理系餘91 + ^ 处理過的晶圓31 (32)，並搬送於已移動 无疋30圓裝載/下載位置處的第1晶圓载台171 (未圖示） 田並载置於晶圓保持具m上。所載置的晶圓犯便藉由 作用於晶圓保持呈〗 八77上的真空吸附力，而牢固的保持於 曰曰圓保持具177上。 其:，在保持於第1晶圓載台Π1上的晶圓32上之多 數：射區域中，分別與圖案一齊形成精密對準用標記(以 下稱「精密標記」）’曝光裝置lQ則依步進掃猫式依每個 照射區域將標線片圖案重疊於此圖案上並進行轉印。在本 實施形態中’為依每個照射區域將此圖案與標線片圖案正 確的重疊（對準），便採用對此多數照射區域中至少選擇二 個進行對準照射’同時統計計算著依每個對準照射_ 對準標記*所獲得的位置資訊（最小平方法等），並計算出 標線片圖案重疊轉印於晶圓上的全部照射區域位置資：的 EGA(enhanced global alignment)方式。 37 1232494 若利用第1晶圓載台171保持著晶圓32的話，控制系 統21 0便依由第2對準系統152檢測出晶圓32上所形成搜 ::準用標記(以下稱「搜尋標記」）之方式，根據相關搜 尋標記之已知位置資訊（設計位置等），透過载台驅動系統 移動著第1晶圓載台171，俾將搜尋標記配置於第2對準 系統152的檢測區域内。然後，由第2對準***152所檢 測出搜尋標記的位置資訊（在上述對準座標系中的座標值） ，便被傳送給控制系統21G，控制系、統21()便根據此所檢 測出的搜尋標記位置資訊、與晶目32上相關當作對準照 射用而所選擇到至少三個照射區域(或其精密標記)的已知 位置資訊(設計位置等）’透過載台驅動系統移動著第】晶 圓載台Π卜藉此便依每個晶圓32的對準照射將其精密標 記配置於第2對準系統152的檢測區域内。 八 第2對準系統15 2將分別檢測出複數個精 記並求取其位置資訊，同時此檢測結果將與上述第"t 儀糸統的測量值（對準座標系中的第1晶圓載台m座標資 机)-齊傳送給控制系統21。’控制系統21〇 、 =記憶部-中所記憶的第2對準系統152補償值第而 。：;Γ::記決定其位置資訊(對準座標系中的座標值) 數請採用EGA方式，根據此已決定的複 。士貝°代°十算出曰曰曰81 32上所有照、射區域的位置資訊 。此時’在上述檢測精密標記前、或在檢測後，便預先採 /、位置資訊。藉此便可求得上述經第丨干涉儀系 38 1232494 統所規範的對準座標系中，晶圓32 ±之各照射區域與基 準標記間的位置關係，控制系統21〇便將此位置關係記憶 於記憶部中，而完成精細對準。 控制系統2Η)係若利用第2對準系統152檢測出晶圓 32之精密標記、與第i晶圓载台之基準標記的話，便依由 第1對準系統151檢測出第1晶圓載台171基準標記之方 式’將第1晶圓載台171從對準位置移動至曝光位置 '然 後’第1對準系統151便檢測出基準標記並求取其位置資 訊’同時將此位置資訊與第2干涉儀系統的測量值(曝光 座標系中的第1晶圓載台⑺位置資訊），-齊傳送給控制 系統21 G ’控制***21 Q便求取曝光座標系中的基準標記 位置資訊（座標值）。 然$，控制系、统210便根據此基準標記的位置資訊、 以及先前儲存於記憶部中之晶圓32 1照射區域與基準標 :間之位置關係、，決定每個照射區域在曝光座標系的位置 二貝Λ (座‘值）然後，控制系統210便根據此所決定的位 置貝Λ與第1對準系、統j 5 i的基基線量，採用第2干涉 儀系、、先測里值移動帛！晶圓載台i 7 ^，並利用步進掃瞄式 將標線片35圖案重疊轉印於晶圓32上的各照射區域中。 此時，利用自動對焦感應器（未圖示）檢測出每個照射區域 的表面位置資訊，同時根據此位置資訊驅動著ZL載台175 ’形成~瞄曝光中在曝光區域内，投影光學系統142的影 像二…、射區域表面幾乎合致的狀態。藉此便完成晶圓32 的曝光處理’控制系、統2 i Q將第i晶圓載台⑺從曝光位 39 1232494 置移動至晶圓裝載/下載位置處。 當最初的晶圓32搭載於第i晶圓載台m上 :提供給搜尋標記、精細對準、以及曝光的期 ： :部便從晶圓…取出經CMp裝置2〇的第2: 糸統22施行㈣P處理的晶圓(即，先前所取出晶 順序的下一個位置處所收容 谷的日日囫31(33))，並搬送至已 移動至既^日日圓裝載/下载位置的第2晶圓載台172(未^ X並載置於其晶圓保持請h所載置的晶圓3“ :者作用於晶圓保持具178上的真空吸附力，而堅 持於晶圓保持具178上。 ” 若利用第2晶圓載台172保持著晶圓33的話 統210便移動第2曰m #n。 ^ 於、目丨山 囫载台172,並由第3對準系統153 欢測出晶® 33的搜尋標記並求取其位置資訊。然後，控 :糸統21。便根據此搜尋標記的位置資訊、及晶圓μ上當 :準照射而被選擇到至少三個照射區域(或精密標記)所 =已知位置資訊，而移動第2晶圓載台172，將晶圓 、母個對準照射之精密標記配置於第3對準系統US之 檢測區域内。 ，並::人’第3對準系統153分別檢測出複數個精密標記 ^、、取其位置資訊，同時將此檢測結果與上述第1干涉 儀系:統測量值一齊傳送給控制系統21〇，控制系統21〇亦 、、一 補该圮憶部213中所記憶的第3對準系統153 補償值，決中去^ ^ 、疋母個精岔標記的位置資訊（在對準座標系中 的座軚值）。然後，控制系統210採用£GA方式，根據此經 1232494 決疋的複數位置資訊’計算出晶圓33上所有照射區域的 位置資訊。此時，採用第3對準系、統153檢測出第2晶圓 載台Π2上所設置的基準標記並求取其位置資訊，同^求 取經上述第1干涉儀系統所規範的對準座標系中，晶圓Μ 上之各照射區域與基準標記間的位置關係，控制系統 便將此位置關係儲存於記憶部中，而完成精細對準。另外 ’在本實施形態中，如第2圖所示，晶圓33的對準幾乎與 晶圓3 2的曝光處理並行實施。 一再者右70成第1晶圓載台171上所保持晶圓32的曝 光處理的話，控制系統210便在將第1晶圓載纟171從曝 光位置移動至晶圓裝載/下載位置之後，將第2晶圓載台 172從對準位置移動至曝光位置，然後利用第1對準系統 151檢測出第2晶圓載台172的基準標記。所以，第^對 準系統151便檢測出基準標記並求取其位置資訊，同時將 :位置資訊與第2干涉儀系統測量值(曝光座標系中的第2 曰曰圓載。172位置資訊）一齊傳送給控制系統21〇，控制系 、’先21 0便求取曝光座標系中的基準標記位置資訊（座標值） 〇 ’、、'後&制系統21 0便根據此基準標記的位置資訊、 二及先前儲存於記憶部中之晶圓33各照射區域與基準標 =間之位置關係’決定每個照射區域在曝光座標系的位置 ' (座私值）然後，控制系統210便根據此所決定的位 置資訊、與第1對準系、统151的基基線量，採用第2干涉 儀系統測量值移動第2晶圓载台172，並利用步進掃晦式 41 1232494 將標線片35圖案重疊轉印於晶圓33上的各照射區域中。 :時，依掃猫曝光中在曝光區域内，投影光學系統142的 =像、與照射區域表面幾乎合致之方式，根據上述自動斜 '、、、感應器的檢測結果，驅動著ZL载台176。藉此便完成曰 圓33的曝光處理，控制系、统21〇將第以曰圓載纟172從: 光位置移動至晶圓裝載/下載位置處。 此外，經移動至晶圓褒載/下載位置的帛丨曰曰曰圓载台 171將執行晶圓的交換，將經曝光處理過的晶圓32 狀：時裝載著從晶® 32取出的下一個晶圓。此時，晶圓 將此已下載的晶圓’收容於與晶龍⑽原本位 i或不同於晶圓E 30的其他晶圓E之既定位置(譬如與 收谷於晶圓E 30之收容位置為相同的位置處）。此外，晶 ®裝載部200利用CMP裝置2〇的第i處理***。施行 處曰理，且將在晶圓匣3〇中收容於先前所取出並裝载於 ―晶圓載台172上之晶圓33,所排列位置的下一位置中 之弟3说晶圓，當作下一 ..,B 乍下個晶固（第二片晶圓32)而裝載於 弟1晶圓載台171上。 然後，控制系統21〇若完成晶圓交換的 晶圓载台171移動至對準位 弟1 m 4千怔置並依與上述晶圓32完全相 二:作’由第2對準系統152分別檢測出第1 €曰圓載台 所料第—片晶圓32的搜尋標記與複數精密標記、 Γ 晶圓載台的基準標記，同時利用方式計算出 母個照射區域的位w杳 、σ ，並將各照射區域與基準標記間 的位置關係儲存於記憶部中。另外，在本實施形態中，如 42 丄232494 第4圖所示，晶圓32的 光處理並行執行。 奐'、對準’幾乎與晶圓33的曝 其次’若第2晶圓載台n 理已完成的話，控料 彳保持晶圓33的曝光處 氓弁命署孩私 便在將第2晶圓載台172從 :先位置移動至晶圓裝载/下載位置之後， ：從 载台171從對準位置移 ’ 1日日圓 >{曰πβώΑΐ +光位置，並依完全如同第一 月日日圓32的相同動作，铀— J矛 第】曰w 丁利用第1對準系統⑸檢測出 第“曰®載台171的基準標記、以及第-片曰圓广出 處理。然後，若第-片曰π 第-片曰曰因32的曝光 控制系統㈣便將；：Γ2的曝光處理已完成的話， 圓裝載/下載二晶圓載…曝光裝置移動至晶 卜丄移動至晶圓裝载/下載位置的第2日曰η $ 172將執行晶圓的交換，脾s丄+ 弟J日日0载台 圓〕又換，將經曝光處理過的晶圓33 _冋時褒載著從晶30取出的下_個晶圓。此時，日= 丨谓將此已下載的晶圓，收容於與晶龍 置、或上述其他晶圓匣3〇 ’、位 广ΟΛ U的既疋位置（譬如與收容於曰m 之收容位置為相同的位置處）。 ： '利用CMP裝置2〇的第2處理系統22施行部 晶圓E3。中收容於先前所取出並裝載於第 載 口 1 71上之第- 曰iilQO 圓栽 弟一片日日固32，所排列位置的下一位置中 4號晶圓，當作下_個曰 第 晶圓载台172上。⑶U二“圓32)而裝載於第2 然後’控制系、統210若完成晶圓交換的話，便將 晶圓載台Π2移動至對準位置，並依與上述晶圓33完全相2 43 1232494 5、丨由第3對準系、统1 53分別檢測出第2晶圓載台 、持第一片晶圓33的搜尋標記與複數精密標記、 曾屮-曰曰圓載台1 72的基準標記’同時利用EGA方式計 异出母個照射區域的 ^ ^ 、的位置貝δΚ，並將各照射區域與基準標 d間的位置關係儲存 曰 廿％ °匕匕#中。另外，在本實施形態中 ’日日圓33的交換與對準，幾手盥 理並行執行。 h第一片曰曰圓32的曝光處 :次，若第“曰曰圓載台171上所保持第二片晶圓32的 =理已完成的話，控制系統21。便在將第”曰圓載台 截：先位置移動至晶圓裝載/下載位置之後，再將第2 172從對準位置移動至曝光位置，並依完全如同 =33的相同動作，執行利用第U準系統ΐ5ι檢 测出第2晶圓載台172的基 成止老w 土千知〇己以及第二片晶圓33的 二处王。在此第二片晶圓33的曝光處理之時，幾乎並 行貫施第1晶圓載台171的晶圓 W 乂換及對準（利用第2對準 系、、先1 5 2進行標記檢測）。 夺二t:若第二片晶圓33的曝光處理已完成的話，控制 ::210便在將第2晶圓裁心從曝光位置移動至晶圓 哀載/下載位置之後，再將第丨θ 么 日日Β載口 171從對準位置移 動至曝光位置，並完全相同的 7執仃弟1晶固載台171的基 ⑽測、以及第三片晶《 32的曝光處理。以 至對相同批號（在本例中為晶圓 Α 巧日日30)内的所有晶圓結束曝 先處理:”均將重複執行上述動作。即，將第丨 台 71與第2晶圓載台172交替配署於R忠 口 ⑨配置於曝先位置，同時在其 44 1232494 中一晶圓載台上所保持晶圓進行曝光處理之時，幾乎並行 的執行另一晶圓载台的晶圓交換與對準。 此結果，晶圓匣30中所收容的一連串晶圓31，便如 ^圖所*，奇數編號的晶圓31(32)將搭載於第！晶圓載 =⑺上’同時利用第2對準系統152執行對準（精密標記 。的檢測）之I ’在移動至上述曝光位置而執行曝光處理 。而偶數編號的晶圓31(32)則將搭載於第2晶圓載台172 :，同時在利用第3對準系統153進行對準(精密標：等的 双測)之後’同樣的移動至上述曝光位置並執行曝光處理 戈口此的話，在本實施形態的半導體積體電路生產線工 ^理^為W裝置2G與曝光裝置1G分別具有二個系統的 处里系統21，2 2盘11 1 2，便可輛b本p, n 4十 串晶圓心效率佳的對-連 甲日日ID dl執行CMP處理與曝光處理。 理過^圓此Γ經⑽裝置20的相同處理系統21或22處 固，在曝光裝置Π)中亦將由相同的處理系統u 準系統等進行處理。 75由相冋的晶圓載台與對 載台:二曝:裝置10的第1處理系統11(即，第1晶圓 ㈣置=對準系統广的處理單元誤差 理晶圓的重晶^處理^統/1(即，其中一處理室）中所處 ，第精度。而曝光裝置1〇的第2處理系統12(即 曰曰圓载台172)與第3對準系統153 ，便僅影鲢& 卜 3的處理單元誤差 4CMP裝置2G的第2處理系統（即，另—處理室） 45 1232494 中所處理晶圓的重疊精度。所以，除CMP裝置20的製程誤 差之外，隨機累積計算曝光裝置1〇的複數處理系統之單 元間誤差，便可避免重疊誤差極端惡化。 再者，在本實施形態的半導體積體電路生產線1中， 因為依此而瞭解各處理中的製程誤差、與各處理系統之處 理單元誤差間的對應關係，因此爾後對其進行修正，或者 在後段之對應多頭處理的處理裝置中，依製程誤差與單元 間铁差不致累積之方式’執行晶圓分配的情況時，便可_ 易的執行該等處理。 工 〜 小、，〜丄1玦i、CMP裝 的第！處理系統21誤差、或者二者相加的誤 =\某種程度精度進行檢測並掌握。曝光裝置1G的第u 厂先11佚差’乃為第1晶圓載台Π1與第2對準 U2之處理單元的特有 羊糸、，先 統21亨差則/ 裝置20的第1處理系 凡d祆差，則為經其中一處理室虛 誤差。此外，曝光裝置i。的第2 ,晶圓的特有製程 裝置2〇的第2 乂 處理系統12誤差、⑽ 、第2處理糸統誤差、或者二 依某種程产笋声、隹， 一者相加的誤差，便可 私度精度進行檢測並掌握。 系統12爷#，只达故 +尤4置的第2處理 U决差’乃為第2晶圓載台 之處理單元的特有誤 ，、弟3對準糸統153 竹令决差，而CMP裝置2〇的 差，則為經J1中一垮饰—击 7弟2處理系統誤 „ -中處理室處理過晶圓的特有穿 日士屈 子5亥專块差，在曝光裝置10中η , 讀進行修正的話，便可修 中^丁曝光處理 。 决差而可提昇重疊精度 46 1232494 換句活說，根據該等誤差資訊，製成曝光裝置1 〇之第 1處理系統11所對應的第！補償值、以及曝光裝置1〇之 第2處理系統12所對應的第2補償值，並藉由採用該等補 償值對一連串晶圓施行曝光處理，便可對經帛〗處理系統 11所處理過的晶®、與經第2處理系統所處理過的晶圓， 同樣的均依高精度的轉印既定圖案。 其中，在本實施形態中雖設定為在晶圓曝光處理前， 便利用第1對準系統151檢測出晶圓載台171，172的基準 標記，但是亦可取代基準標記，譬如檢測出晶圓的對^標 記（精密標記或搜尋標記等）。但是在此情況下，較佳採用π 控制系統210之第1補償記憶部211中所記憶的第}對準 系統U1補償值’求取經取代基準標記而所檢測出標記的 位置資訊。此時經晶圓處理裝置2〇之第i處理系統所處理 過的晶圓（32)、與經第2處理系統所處理過的晶圓（33)， 較佳預先分開求取補償值。 再者，在本實施形態中，雖設定為均執行搜尋對準與 精細對準（即，均檢測出搜尋標記與精密標記），但是亦可 特別未執行搜尋對準（檢測搜尋標記），而僅執行精^細&對準0 ，測精密標記）。另外’即便未執行搜尋標記的檢測，而 是根據晶圓上之對準照射（精密標記）的相關已知位置資訊（ 設計位置等），移動著晶圓載台的話，亦有在對準系統貝丨°52 或二3的檢測區域中並未配置精密標記的情況。此情況下 、“口可將對準系統的觀察倍率設定為低倍率而形 入 測的#乂廣大範圍，若發現精密標記的話便在回復高仵率在 47 1232494 執仃此精密標記的檢測；或者可在晶圓裝載/下載位 莫光學檢測晶圓外緣的複數位置，並在修正晶圓的位置： ^之後’纟利用晶圓保持具吸附；或者可在上述已知位置 貝、中加上已所檢測出的位置誤差之後，纟移動晶圓載△ 再者，在本實施形態中，雖設定為在第丨與 载台171，172《其中-者所保持晶圓進行曝光處理之同二 ，並行執行另一晶圓載台的晶圓對準（標記檢測）；但是， 2可分別對應著第2與第3對準系統152，153,而設置著 檢測晶圓纟面位置（高度資訊）的光學感測器（譬如前述的自 動對焦感測器等），且在曝光處理之時並行的執行晶圓（照 射區域）向度差資訊等的檢測。即，執行曝光處理之時所 並行之待檢測資訊的數量與種類等，並不限定於上述實施 形態。 再者，在本實施形態中，雖設定為將經晶圓處理裝置 20處理過的晶圓，依批號單位收容於晶圓匣中，並搬 入曝光裝置10中；但是，亦可非依晶圓匣單位，而是依 晶圓單位搬入於曝光裝置10中。具體而言，形成將晶圓 處理裝置20之至少一部分（包含如：成膜裝置、光阻塗佈 機、及顯影裝置在内，以下僅稱「塗佈顯影機」）和曝光 裝置1 0連機，譬如採用塗佈顯影機的搬送機構（可動式機 械臂4)、與上述晶圓裝載部200中至少其中一者，將此經 處理過的晶圓搬入於曝光裝置1 〇中的構造。在此構造中 ’曝光裝置1 0内的晶圓搬入位置將變為上述第1位置。此 48 1232494 吟，晶圓裝載部200便將此所搬入的晶圓在晶圓裝載/下載 :置(第2位置)處交接給晶圓載台，同時將經轉印過標線 、关⑶圖案的晶圓，在此第2位置處從晶圓裁台接收，並移 :至f 1位置(或不同於帛i位置的搬出位置），並在此將 曰曰圓父接給塗佈顯影機（搬送機構）。另外，曝光裝置内 勺搬ϋ位置（及/或搬出位置）、或在將此搬入位置（及/或搬 f位置）、與上述第2位置予以連結的搬送路徑中途設置 曰曰圓匣，而構成在此晶圓匣中暫時收容晶圓的構造。其中 ’在搬入位置或搬入路徑中途設置晶圓g的位置，可設定 為上述第1位置。此構造在當晶圓處理裝£ 2〇與曝光裝置 於處理能力（平均單位時間的處理片數）上存在有差異時 在调整其循環時間方面頗為有效。 、 再者，在本實施形·態中，；3為使本發明的理解容易化 =所記載者’惟本發明並不受該等的限制。本發明實施形 態所揭示的各要件，亦涵蓋本發明技術範圍所屬的全部設 計變更或均等物在内，而且可進行各種任意適當的改變。 譬如上述本實施形態的本發明曝光裝置1〇，乃固定組 合第1晶圓載台171、第2對準系統152、及第2補償記憶 部212，而構成第1處理系、统！ i，並固定組合第2晶圓載 台172、第3對準系統153、及第2補償記憶部213，而構 成第2處理系統12，並將晶圓分配於該等第i處理系統“ 與第2處理系統12中，並執行曝光處理。即，在且有如第 2圖所示構造的曝光裝置1G中，分別具有複數個晶圓載台 、對準系統及對準補償記憶部等三個構造部，i分別對應 49 1232494 處理系統設置使用。 疋曝光裝置1 〇的各處理糸統構造，並不僅限於此 f構造。亦可為具備複數個晶圓載台、對準系統及對準補 償記憶部等三個構造中之任何二個、或任何一個構造部， 並將其分別當作一個處理系統而構成。 再者，曝光裝置ίο的各處理系統乃其構造部種類並不 ，限於晶圓載台、對準系統及對準補償記憶部，而是可任 意者，亦可取代該等三個構造部中至少其中一個，而改為 其他構造’譬如具備上述第1干涉儀系統。 此種構造不同於第2圖所示曝光裝置1G的其他曝光裝 置之-例，乃如第6圖所示。另外，在第6圖所示曝光裝 :广中，就與第2圖所示曝光裝置1〇相同元件符號的構 ^ ’乃具有與先前所說明第2圖所示曝光襄置iq相對應 構造部相同的功能及相同的動作。 第6圖所示曝光裝置1〇b係僅分別具備一個對準系統 j圓載台，並依序每次處理—片的非對應多頭處理的曝 但是，在曝光裝置10b中’控制系統210b係且有二 償記憶部214,215’並形成可個別記憶各自不同 償值，’在對準系統15"，對經檢測出的 2二L或晶圓31)上的基準標記與對準標記位置， 错由翏照該等二個對準補償記憶部 補❹之任一者，便可執行一 J 214,215中所記憶對」 ^ ^仃一系統的對準處理。 即，曝光裝置满係具備有：參照記憶於第〗對準才 50 1232494 償記憶部214中的對準補償而執行對準處理的帛】系統， 以及參照記憶於第2對準補償記憶部215中的對準補償而 執行對準處理的第2系統等二個處理系統。 所以，譬如同上述實施形態，當對經具有二個處理系 統的CMP裝置20處理過的晶圓進行處理之際，在曝光裝置 10b中，便將根據控制系統210b的控制，使經⑽裝置2〇 之第1處理系統21處理過的晶圓，被曝光裝置1〇的第i 處理系統(即，參照第1對準補償記憶部2U所記憶的對準 補償）執行對準處理；而使經CMp裝置2〇之第2處理系統 22處理過的晶圓，被曝光裝置1()的第卩處理系統（即，夫 照第2對準補償記憶部215所記憶的對準補償）執行對準處 在此種曝光裝置l〇b巾，藉由將前半段的⑽裝置別 MP處理之際’所產生每個處理系統特定製程誤差所對 應的對準補償，記憶於對準補償記㈣2i4,2i5中，便可 執行對應著其製程誤差的對準處理(即，對應著處理系統 的對準處理）。 當採用對應多頭處理之+ 、 ^只処里之CMP處理20施行CMP處理之情 況時’雖產生對應著此處理系 糸、、先的複數個系統製程誤差， 但疋當對此採用單一處理李播、佳> 士 糸統進行處理、或當處理系統並 非對應具複數處理系統之處理获 、 凌置處理的情況時，製程誤 差便將擴散（分散擴大）或累積。 但是，在如第β所示曝朵雄 如 ”九破置1 〇b中，藉由利用此製 程誤差所對應的處理系統進行 疋仃對準處理，便可抑制此類製 51 1232494 程誤差的擴散或累積，並可防止每個製程的重疊精度、對 位精度產生極端惡化的現象發生。結果，便可依高產能的 製造高品質半導體裝置。 如此的話，如第6圖所示構造的曝光裝置丨〇b亦將隸 屬於本發明範嘴内。 再者，亦可與第6圖所示構造相反，使曝光裝置1〇形 成晶圓載台、對準系統、對準補償記憶部分別具有三個以 上的構造。 再者，將表示各晶圓到底由各晶圓處理裝置2 〇之那一 處理系統進行處理的處理資訊，從晶圓處理裝置2 〇傳輸 給曝光裝置10的方法，並不僅限於透過連接著第丨圖所示 半導體積體電路生產線1各處理裝置的通訊線4〇之形態。 各種具體形態，參照第7圖進行說明。 譬如，當半導體積體電路生產線1整體，利用經網路 41而連接的主機電腦50而進行管理的情況時，較佳在晶 圓處理裝置20中經處理過批號的晶圓處理資訊，形成透 過網路41暫時儲存於主機電腦5〇中的形態。此情況下， 當在曝光裝置10中進行此批號的處理之情況時，曝光裝 置10乃設定為從主機電腦50獲得所對應批號的晶圓處理 資訊，並根據此而決定處理各晶圓之處理系統的形態。 依照此種形態的話，當對處理著此批號的複數處理裝 置，選擇性的傳輸著晶圓處理資訊之情況時，此資訊傳遞 的控制將變為容易，乃屬較佳狀況。&外，相關經過對應 多頭處理之處理裝置處理過的晶圓，較佳在考慮截至此為 52 1232494 亡之系統的製程誤差、種類、累積狀態等因素之後，再決 —下v驟之阳圓分配等情況之下，由主機電腦5〇統籌 執仃此製程誤差之系統、種類、累積狀態等的檢測處理。 再者，晶圓處理裝置20與曝光裝置1〇係當利用上位 &制電細23’ 13而進行控制的情況時，亦可將該等控制電 腦23’13利用專屬通訊線42直接連接，俾傳輸晶圓處理資 訊。 再者，譬如當經晶圓處理裝置2〇處理過的晶圓，每個 晶圓 H 30 利用 AGVCAutomated Guided Vehicle)43 進行搬 送並投入曝光裝置丨〇中的情況時，亦可設置在此中 暫時記憶資訊的功能，並透過此AGV43的資訊記憶部，從 晶圓處理裝置20將晶圓處理資訊傳輸給曝光裝置1Q。 再者，藉由執行特別的資訊傳輸，同時對應賦予晶圓 厘3 0的晶圓匣收谷位置（或晶圓I d等）與晶圓處理裝置2 〇 各處理系統，並利用實質的將晶圓處理資訊傳輸給曝光裝 置10。 再者’在本實施形態的半導體積體電路生產線1中， CMP裝置20與曝光裝置1〇係分別設有二個處理系統（具有 —個處理室與晶圓載台）的處理裝置。但是，並不僅限於 僅具二個。任何一者或二者亦可形成具有三個以上處理系 統的構造。 此種情況下，亦可考慮譬如CMP裝置20具有三個處理 室，而曝光裝置1 〇則具有二個處理系統（分別設有晶圓載 台與對準）的情況。此種情況下，譬如經在CMP裝置20之 53 1232494 進中:=的Γ，便設_曝光裝置10第1 理過的晶圓，便：定為=CMP裝置2〇之第2處理室中處 處理，但在cC 10第2處理系統中進行 爾後可進行=置：的任何其中-處理系統，且若 者中。i的話’亦可分配於第1與第2處理系統二 當前後步驟的處理系統數目未一致的情況時， 此將晶圓進行分配的話亦可對應 '錢，即便在此：情： 下相於未執行任何對應賦予而實質的將晶 =況下，便可施行適當維持著重疊精度與產能二者= 备處理。所以’此種方法亦涵蓋於本發明範•内。 再者’在本實施形態的曝光裝置10中，雖將第1晶圓 載台171的晶圓裝載/下載位置位置，與第2晶圓載台172 的晶圓裝載/下載位置設定為不同位置，但是亦可為相同 的位置。此情況下’便必須依第1晶圓載台m與第"曰 圓載台172未接觸^ ^ 式’控制著載台驅動系統，且控制 糸統21 0構造將稍微變满 支複雜化。但是，在晶圓裝載部200 中將晶圓交接位置兮夺宏幺留 為早一處所，便可大幅簡化其構造。 二再者纟本實施形態中，在曝光裝置中施行曝光處 理前便利用晶圓處理裝置2G施行多頭處理，雖設定為⑽ 處理i_疋並不僅限於此。亦可在半導體積體電路生產線 1的曝光處理前便執行任何處理，並就與多頭處理所執行 步驟間的關係中’且依此控制著晶圓對各處理系統的分配。 54 1232494 再者，在本實施形態中，設定為曝光步驟的前處理步 驟執，多頭處理，而曝光步驟的後處理步驟則執行如顯= 步驟等多頭處理。在此亦可將利用曝光裝置1〇之相同Z 理系統（11或12)施行曝光處理過的晶圓（換言之，在曝光 装置10内經由相同路徑的晶圓），利用顯影裝置等後處理 裝置（其他處理系統）的相同處理系統進行處理。 再者，在利用具有執行相同處理之複數處理系統 (11’12)的曝光裝置，施行曝光處理前步驟（或後步驟），採 用具有執行相同處理之複數處理系統的曝光裝置而執行曝 光處理的情況時，亦可設定為對經與先前的曝光裝置中相 同之處理系統施行過曝光處理的晶圓，由與後面的曝光裝 置中相同之處理系統施行曝光處理。 再者’在上述實施形態中，相關對準的補償資訊（補償 值），不僅相關晶圓上各照射的x方向與U向之位置誤差 (照射補償），亦包含X方向盥γ x、y方向座軚抉差、晶圓旋轉 誤差或正交度誤差、各照射的x方…方向倍率誤差、 各照射旋轉誤差或正交誤差中至少其中一者。此外，補償 記憶部中所記憶的補償資訊（補 梅1貝值）並不僅限於相關對 準的負訊，亦可記憶著如對隹 吹 > 、 …、水十貝矾（相關晶圓表面的 負訊），換句話說，亦可記愔荽曰 者日日®表面的Z方向位置誤 差、X方向與γ方向斜率誤差的相關資訊。 再者，在本實施形態中， 曝先扃置10的投影光學系統 142雖設定為縮小系統，作 „ u L 仁疋亦可為等倍率系統或放大系 統。此外，不僅折射率系絲， 、亦可為反射折射率或反射系 55 1232494 統。 再者’在本實施形態中’曝光裝置1()雖設定為所謂的 =式，但是亦可為步進機、投影式、或近接式曝光裝置 …=者，曝光裝置1G的曝光用照明光，並非僅限於本實 施形態的光源11()。此亦可為連續光或脈衝光中之任一者 。此外’亦可採用紫外光、謝光、χ線、以及電子束（或 離子束等）等帶電粒子束等等任意光。 — :者，在曝光裝置1〇中設定為曝光對象的物體，亦可 °生導體元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭、⑽等攝影 機械及繼晶片等微元件；電製顯示器、有機π 寺.，，'員不凌置；以及標線片及光罩等任意物體。 驟的再在包含採用第2圖所示曝光震置10進行微影步 驟’譬如半導體元件的情形，便經由下述 “驟而Γ進仃70件功能或性能設計的步驟，根據此設 、線片的步驟’從侧製造晶圓的步驟， 採用成膜裝置或光阻塗佈機等對 w轭仃則處理的步驟， =2圖的曝光裝置將光罩圖案曝光於晶圓上 =㈣裝置等對晶圓施行後處理的步驟，組裝元件的步 等切割步驟、打線步驟、封裝步驟等)、以及檢查 憂jg效杲 么等本發明’便可提供一種以具有複數個基板載 對應多頭處理的曝光農置執行曝光處理的 56 1232494 方法’特別係提供一種曝光方法，當對被對應多頭處理之 處理裝置進行處理過的處理對象基板執行曝光處理之際， 便可防止製程誤差累積而導致重疊程度極端惡化的現象， 藉此便能以高產能製造高品質半導體裝置。 如此依照本發明，便可提供一種具有複數個基板載台 等處理系統之對應多頭處理的曝光裝置，特別係提供一種 曝光裝置，當對被對應多頭處理之處理裝置處理過的處理 對象基板執行曝光處理之際，便可防止製程誤差累積而導 致重疊程度極端惡化的現象，藉此便能以高產能製造高品 質半導體裝置。 再者，依照本發明，可提供一種曝光方法及裝置，對 利用複數處理系統進行相同處理之處理裝置所處理過的複 數基板’可分別精度佳的檢測出位置資訊的。 再者，可提供一種高精度且高產能製造細微元件的元 件製造方法。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第1圖係本發明一實施形態的半導體積體電路生產線 構造示意圖。 v 第2圖係適用於第丨圖所示半導體積體電路生產線的 本發明曝光裝置構造圖。 ' 第3圖係第2圖所示曝光裝置的載台驅動系統構造圖。 第4圖係第2圖所示曝光裝置中，對第2晶圓載△上 57 1232494 所載置晶圓施行曝光處理的狀態圖。 第5圖係第2圖所示曝光裝置中，對一連串晶圓施行 處理的動作圖。 第6圖係適用於第1圖所示半導體積體電路生產線的 本發明其他曝光裝置構造示意圖。 第7圖係第1圖所示半導體積體電路生產線中，晶圓 處理裝置與曝光裝置之間的資訊機構之各種變化例。 第8圖係半導體積體電路生產線中，對應多頭處理的 製造裝置例圖。 第9圖係在第8圖所示對應多頭處理的處理裝置中， 同時並行處理複數晶圓的狀態圖。 (二）元件代表符號 L··· 半導體積體電路生產線 lO- 曝光裝置 ll 第1處理系統 12 第2處理系統 13 控制電腦 110 光源 120 光束匹配單元 122 、 125 照明光學系統 140 標線片台 142 投影光學系統 151〜153 對準系統 160 載台裝置 58 1232494 161 底盤 171 、 172 晶圓載台 173 、 174 載台本體 175 、 176 ZL載台 177 、 178 晶圓保持具 181 、 182 第1線性導件 183 、 184 第2線性導件 185〜188 驅動線圈 189 、 190 磁鐵 200 晶圓裝載部 210 控制系統 211〜215 對準補償記憶部 20··· 晶圓處理裝置（CMP裝置） 21 第1處理系統 22 第2處理系統 23 控制電腦 30··· 晶圓匣 31-33··· 晶圓 35… 標線片 40〜42… 通訊線 43… AGV 50… 主機電腦 59