CN1325996C - 曝光方法、曝光装置及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供在用适合于批量处理的装置进行处理的基板上可防止累积工序误差、制造高品质的半导体装置的曝光方法。在半导体集成电路生产线1，精制的各感应基板，以CMP装置20的第1处理***21及第2处理***22每次研磨2片。表示各感应基板是用第1处理***21及第2处理***22中的哪一处理***处理的感应基板处理信息，经通信线路40被传送到含曝光装置10的后段的处理装置。投入到曝光装置10的各精制的感应基板，由曝光装置10的多个处理***分担、由各处理***进行曝光处理，使得由CMP装置20的同一处理***处理的感应基板能够由曝光装置10的两个处理***11、12中的某个同一处理***处理。

Description

曝光方法、曝光装置及器件制造方法
技术领域
本发明，涉及用光刻技术制造半导体集成电路、液晶显示元件、薄膜磁头、其它的微波器件等的半导体装置或光掩膜及标线片等时的曝光方法及曝光装置，尤其涉及采用能对多个感应基板等的基板并列地进行处理的曝光装置的曝光方法及其曝光装置、以及使用这种曝光方法及曝光装置的器件制造方法。
背景技术
制造半导体集成电路等时的感应基板处理工序，通过反复进行氧化、薄膜形成、掺杂、保护处理、曝光、蚀刻、洗净、CMP(化学机械研磨)等的处理，在硅等的感应基板上形成所要的电路。此外，在掩膜制作工序中，通过进行同样的保护处理、曝光、蚀刻等的处理，在玻璃基板等的基板上形成所要的图形。
经这种工序制造的半导体装置，在批量生产时，人们关注在各道工序、一定时间内处理感应基板、基板的数量，即希望提高关系到产量的处理能力。
为适应这种高产的期望，近年的处理装置采用这种构成：在处理装置内设置多个处理装置，进行同时平行地对部分或全部作处理的批量处理。例如，如图8所示，用于制作掩膜的各种石印装置、蚀刻装置、保护涂布装置、保护显象装置、掺杂装置、CMP装置等具备两个工序处理部的装置被广泛应用。此外，在成膜装置中，具有3个工序处理部的装置也用。
图9是表示具有这种多个工序处理部的工序装置中的批量处理例的示意图。
如图9所示，在具有进行同一处理的两个暗箱的工序装置中装着感应基板暗盒时，感应基板感光机把感应基板从暗盒取出，分到A、B两个暗箱。此时，如果是具有两个暗箱的工序装置，通常，感应基板暗盒内的位置这样安排：从一方端起算、各奇数号或偶数号的感应基板分别放在同一暗箱内进行感光处理。如在各暗箱进行各自规定的工序处理，各感应基板可重新放入感应基板暗盒，进入下面的工序。
在批量处理的工序装置，这样并列地对多个感应基板、基板进行处理，或，由于具备这样多个的暗箱，可缩短感应基板的实际搬运时间，实现高速工序处理。
因此，作为用于这种感应基板处理工序或掩膜制作工序、在涂布感光剂的感应基板或玻璃基板等的基板(有时也称为感应基板)上复制光掩膜或标线片的投影曝光装置，广泛应用分步重复方式的缩小投影曝光装置及分步扫描方式的扫描型曝光装置，但是，近年有提案提出，在这种曝光装置中，也可设置多个基板阶层，使产量提高。
例如，在与本案申请人有关的特许公开1998-163098号公报中，揭示了可控制不让两个基板阶层彼此接触、并可控制使一方的阶层的动作不影响他方的阶层的动作的、具有多个基板阶层的投影曝光装置。
但是，在这种多个暗箱中进行工序处理、适合于批量处理的工序装置中，有时在各暗箱、即在各处理***中存在工序误差。
例如，在具有两个暗箱的CMP装置，具备两个研磨感应基板的小块，由于小块使研磨情况出现微小变化，导致研磨加工的感应基板上发生2种工序误差。此外，在这种CMP装置，在各自的暗箱中研磨的小块的转动方向，因贪图器件简单往往左转右转不以为然，结果同样会发生2种工序误差。
在这样处理的后阶段，例如在通过利用同一的感应基板阶层及校准装置处理所有的感应基板的以往的曝光装置进行曝光处理时，存在曝光时重合精度下降的问题。面对这种情况，结局往往是，除了在前道工序设法减低工序误差本身以外，已别无其它良策。
另外，在前述那样的、近年提出的具备两个基板阶层的曝光装置中，曝光装置自身，与其它批量处理对应的工序装置同样，会发生对应于其处理***数的工序误差，即、两个基板阶层各自独立的工序误差。因此，使用这种曝光装置、对经由对应于前述那样的批量处理的装置处理后的感应基板等进行处理时，具有2种工序误差的感应基板再由存在2种工序误差的曝光装置进行曝光，势必造成工序误差扩大、重合精度极差的后果。
发明内容
本发明就是针对这种课题提出的，其目的是提供通过与具有多个基板阶层等的处理***的批量处理对应的曝光装置进行曝光处理的方法，特别是，提供在对经批量处理对应的处理装置处理后的处理对象的基板进行曝光处理时，可防止工序误差的积累、重合程度的极端恶化、实现大批量生产高品质的半导体装置的曝光方法。
本发明的其它目的是，提供在使用多个基板阶层进行多个感应基板的曝光处理时，也能减低工序误差、在各感应基板上形成高精度的器件图形的曝光方法、装置。
本发明的其它的目的是，提供与具有多个基板阶层等的处理***的批量处理对应的曝光装置，特别是，提供在对经批量处理对应的处理装置处理后的处理对象的基板进行曝光处理时，可防止工序误差的积累、重合程度的极端恶化、实现大批量生产高品质的半导体装置的曝光装置。
本发明另外的其它目的是，提供经由多个处理***进行同一处理的处理装置的多个基板、可分别高精度地检测其位置信息的曝光方法及装置。
此外，本发明的其它目的是，提供经由多个处理***进行同一处理的处理装置的多个基板上，分别形成可减低工序误差的影响、高精度的器件图形的曝光方法、装置。
此外，本发明的其它目的是，提供能高精度、高产量地制造微波器件的器件制造方法。
为达到前述目的，按照本发明的第1观点提出的曝光方法，利用具有多个处理***的曝光装置使感应基板曝光，将掩膜上的图形复制到该感应基板上，对曝光处理前利用具有多个处理***的处理装置实施规定处理的一系列的感应基板进行曝光处理时，前述以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板、可由前述曝光装置的前述多个处理***中的某个同一处理***处理、并将前述一系列的感应基板分配到前述曝光装置的前述多个处理***进行曝光。(参照图1，2)
按照这种曝光方法，通过具有多个处理***的适合批量处理的处理装置进行处理，所以，可能产生多个***的工序误差的一系列的感应基板，在该处理的各处理***、换言之，在该工序误差的各***、可由曝光装置的同一处理***分担、以各处理***进行曝光。即，由多个处理***中的某一个处理***处理的感应基板，以曝光装置中多个的处理***中的某一个处理***进行曝光处理。因此，对工序误差扩散的一系列的感应基板，可防止出现实施工序误差扩散的处理的事态，对由适合批量处理的处理装置处理的感应基板夹持曝光时，也能防止工序误差的积累、进行比以往同样的重合精度更合适的曝光。
进一步，本发明的曝光方法的特征是，前述曝光装置，具有多个基板阶层，前述以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板，可在前述多个基板阶层中的某个同一基板阶层上感光、进行前述曝光。(参照图1及图2)
更进一步，本发明的曝光方法，前述曝光装置，具有多个校准传感器，前述以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板，可利用前述多个校准传感器中的某个同一校准传感器进行校准处理、进行曝光。(参照图1及图2)
更进一步，本发明的曝光方法的特征是，曝光装置，具有利用各自独立设定的多个校准偏移量中的某一个进行校准处理的校准处理装置，在前述以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的各感应基板上设定校准偏移量，由该同一处理***处理的感应基板，对应于该处理***、用前述设定的校准偏移量进行校准处理。(参照图1及图2)
按照这些改进的曝光方法，在以前的处理工序中实施处理的处理装置的各处理***、换言之，在工序误差的各***、设定校准偏移量，或搭载于同一基板阶层，或采用同一校准传感器，或使它们组合，进行校准处理，对工序误差的***相同的一系列感应基板可进一步防止实施导致工序误差扩散的处理。
此外，本发明的曝光方法，对进行曝光处理的前述一系列的感应基板。例如，通过接收由管理着进行以前处理的处理装置及整个半导体装置制造工序的主机等外部装置发送的信息，或根据收容感应基板的暗盒中的各感应基板的收容位置、获得识别以前处理时由处理装置的同一处理***处理的感应基板的信息，并据此进行前述分配。
此外，作为改进的一具体例，本发明的曝光方法的特征是，前述曝光装置，包括具备两个前述那样的校准偏移量、基板阶层或校准传感器的第1及第2处理***，对于分别由前述处理装置的多个处理***处理、并收容于暗盒的前述一系列的感应基板，交互分担到前述第1处理***及前述第2处理***进行前述曝光，使得由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板能够由前述曝光装置的同一处理***处理。
此外，本发明的曝光方法，通过具有第1基板阶层与第2基板阶层的曝光装置对多个感应基板依次进行曝光，根据显示该多个感应基板的处理记录的信息，使其多个的感应基板分别在第1、第2基板阶层的某一个上进行感光。
按照本发明的曝光方法，在使用具有多个基板阶层的曝光装置使多个感应基板曝光时，可减低工序误差的扩散等，在各可用基板上形成所要的器件图形。
此外，本发明的器件制造方法，包含采用前述某种曝光方法、将器件图形复制到感应基板上的工序。
此外，为达到前述目的，按照本发明的第2观点，本发明的曝光装置，包括载置作为曝光处理对象的感应基板的基板阶层，设定对载置于前述基板阶层上的感应基板进行校准处理用的校准偏移量的偏移量设定装置，用前述设定的偏移量对载置于前述基板阶层上的感应基板进行校准处理的校准装置，以及在进行前述校准处理的感应基板上对掩膜上的图形进行曝光的曝光装置，设置多个至少具备前述基板阶层、前述偏移量设定装置、前述校准装置三者之一的处理***，还包括在该曝光处理前对利用具有多个处理***的处理装置实施规定处理的一系列感应基板进行曝光处理时、将前述一系列的感应基板分配到前述多个处理***的分配装置，使得该以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板、可由该曝光装置的前述多个处理***中的某个同一处理***进行处理。(参照图1及图2)
在这样构成的曝光装置，通过具有多个处理***的适合批量处理的处理装置进行处理，所以，可能产生多个***的工序误差的一系列的感应基板，通过分配装置，被分配到该处理的各处理***、即，被分配到该工序误差的各***、曝光装置具备的多个处理***中的某一处理***。此外，该多个的处理***，是由感应基板载置的基板阶层、对用于载置于基板阶层上的感应基板的校准处理的校准偏移量进行设定的偏移量设定装置、使用对载置于前述基板阶层上的感应基板作设定的偏移量进行校准处理的校准装置中的某一个、或它们的组合构成的。
通过这多个的处理***，在被分配的工序误差的各***的感应基板上、设定校准偏移量，或搭载于同一基板阶层，或采用同一校准装置，或使它们组合，进行校准处理，通过曝光装置进行曝光。
因此，用多个处理***中的某一处理***进行处理的感应基板，曝光装置中处理的一部分或全部，可有多个处理***中的某一处理***进行处理。因此，对于工序误差扩散的一系列的感应基板，实施导致工序误差进一步扩散的处理的状态极少，或可避免，对于由适合批量处理的处理装置处理的感应基板进行曝光时，可防止工序误差的积累、进行比以往同样的重合精度更适合的曝光。
进一步，本发明的曝光装置的特征是，具有对曝光处理前进行前述规定处理时由前述处理装置的同一处理***处理的各感应基板设定校准偏移量的多个偏移量设定装置，前述分配装置，将由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板分配到设定对应于该处理***的校准偏移量的前述多个的偏移量设定装置中的某一个上，前述校准装置，利用由前述被分配的偏移量设定装置设定该感应基板的校准偏移量、对前述一系列的感应基板进行校准处理。(参照图1及图2)
更进一步，本发明的曝光装置的特征是，具有多个前述基板阶层，前述分配装置对感应基板进行分配，使得前述以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板能够在前述多个基板阶层中的某个同一基板阶层上感光。(参照图1及图2)
更进一步，本发明的曝光装置的特征是，包含分别具有校准传感器的多个的前述校准装置，前述分配装置，将前述以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板，分配到前述多个校准装置中的某个同一校准装置，前述多个校准装置，对前述被分担的感应基板分别进行校准处理。(参照图1及图2)
此外，作为改进的一具体例，本发明的曝光装置，对于进行曝光处理的前述一系列的感应基板，还具有获得表示以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板的信息的基板处理信息获得装置，前述分配装置，根据前述获得的信息进行前述分配。
进一步，前述基板处理信息获得装置，具有通信装置，通过该通信装置获得表示有关前述一系列的感应基板的、以前处理时由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板的信息。
更进一步，前述基板处理信息获得装置，通过对前述一系列的感应基板的各基板，根据收容该一系列的感应基板的暗盒中相关各感应基板的收容位置、识别前述以前处理时处理的前述处理装置中的处理***，获得前述信息。
此外，作为改进的一具体例，本发明的曝光装置的特征是，具有：分别至少具备前述基板阶层、前述偏移量设定装置、前述校准装置中的一个的第1及第2处理***，前述分配装置，对于由前述处理装置的多个处理***分别处理、并收容于暗盒的前述一系列的感应基板，交互分担到前述第1处理***及前述第2处理***，使得由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板能够由前述曝光装置的同一处理***处理。
此外，为达到前述目的，按照本发明的第3观点，本发明的曝光装置的特征是，在经由多个处理***分别进行同一处理的处理装置搬入的一系列的感应基板上分别复制掩膜图形，具备：在各自不同的位置配置检测前述感应基板的标记的多个的第1标记检测***的校准***，以及在复制前述图形之前，分别设定前述一系列的感应基板的处理顺序、使得由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板的标记由前述校准***的同一的第1标记检测***检测的设定装置。
据此，用处理装置中的某一个处理***处理的感应基板，在曝光装置内通过同一的标记处理***检测其标记，因此，即使用处理装置的多个处理***处理感应基板，也不会使前述的工序误差变大，用第1标记检测***可高精度检测感应基板的标记的位置信息，可将掩膜图形高精度地复制到感应基板上。
更进一步，本发明的曝光装置的特征是，保持感应基板的可动体(基板阶层)以1个为好，但还具有保持前述感应基板的多个可动体，在用同一可动体保持由前述处理装置的同一的处理***处理的感应基板的同时，与对前述多个可动体中的第1可动体保持的感应基板进行前述图形复制实质上平行、第2可动体保持的感应基板的标记可由前述多个的第1标记检测***之一检测。
更进一步，本发明的曝光装置的特征是，以多个可动体分别交换感应基板的位置可以前述1个，但在由前述处理装置处理的感应基板搬入的第1位置(例如，当曝光装置与处理装置串联连接时，从处理装置搬入曝光装置的感应基板的投入位置等)、与前述多个可动体间分别进行前述感光基板交换的多个的第2位置之间，还具有移送前述感应基板的移送装置，由前述处理装置的同一处理***处理的感应基板，通过同一路径(即，通过同一的第2位置)移送。
更进一步，本发明的曝光装置的特征是，还具备：分别与前述多个的第1标记检测***对应设置的、在用前述各标记检测***检测前述感应基板的标记时检测前述感应基板的位置信息的多个第1干涉计***，以及在对前述感应基板进行前述图形的复制时检测前述感应基板的位置信息的第2干涉计***。
更进一步，本发明的曝光装置的特征是，在由前述第2干涉计***规定的座标系上设定检测中心，还具备检测前述感应基板或保持前述感应基板的可动体的标记的第2标记检测***，根据前述第1及第2标记检测***的检测结果、利用前述第2干涉计***控制前述可动体的移动、将前述图形复制到前述感应基板上。
此外，本发明的曝光装置，在经由具有分别进行同一处理的第1处理***及第2处理***的处理装置搬入的一系列的感应基板上分别复制掩膜图形，具备：存储对应于第1处理***的第1偏移量、以及对应于第2处理***的第2偏移量的存储装置，以及在一系列的感应基板中，由第1处理***处理的基板用第1偏移量进行处理、由第2处理***处理的基板用第2偏移量进行处理的处理机构。
按照本发明的曝光装置，利用对应于各处理***的偏移量信息、对经具有分别进行同一处理的第1处理***及第2处理***的处理装置搬入的一系列感应基板进行处理，因此，能在所有的感应基板上高精度地复制规定的图形。
本发明的器件制造方法，包含用如权利要求15至19任一项所述的曝光装置、在感应基板上复制器件图形的工序。
更进一步，本发明的器件制造方法，前述处理装置，具有在复制前述器件图形的感应基板上分别实施同一处理的多个的其它处理***(显影装置(显影液)等)，在前述曝光装置内、用前述处理装置的同一的其它处理***对经过同一路径的感应基板进行处理。
此外，在本栏中，对于用来解决前述课题的装置的构成，在附图表示的对应构成中带上对应的符号，这样做容易理解。本发明中的相关装置，不限于参照附图后述的实施形态的态样。
附图说明
图1表示本发明的一实施形态的半导体集成电路制造线的构成示意图。
图2表示适用于图1的半导体集成电路制造线的本发明的曝光装置的构成图。
图3表示图2中的曝光装置的阶层驱动***的构成图。
图4表示在图2的曝光装置中、对载置于第2基板阶层的感应基板实施曝光处理的状态图。
图5表示在图2的曝光装置中的一系列的感应基板处理动作图。
图6表示可适用于图1的半导体集成电路制造线的本发明的另外的曝光装置的构成图。
图7表示图1的半导体集成电路制造线中的感应基板处理装置与曝光装置间的信息装置的种种变形例图。
图8表示半导体集成电路制造线中适合批量处理的制造装置例子的图。
图9表示在图1中所述的适合批量处理的制造装置中、同时并列地处理多个感应基板的状态的图。
具体实施形态
参照图1至5对本发明的实施形态进行说明。
在本实施形态，对半导体集成电路制造线中的感应基板处理工序的一部分进行例示，说明本发明。
图1是有关该制造线的部分示意图。
半导体集成电路制造线1，具有曝光装置10、感应基板处理装置20及通信线40。
首先，对该半导体集成电路制造线1的概略构成进行说明。
曝光装置10是将描画在作为掩膜的标线片上的图形通过投影光学***复制到涂布着感光剂的感应基板上的装置，在本实施形态，是分步扫描方式的投影曝光装置。
曝光装置10，是适合批量处理的装置，具有两个基板阶层、3个校准传感器(第1标记检测***152，153与第2标记检测***151)、及、能设定对应于各校准传感器的各自独立的校准偏移量的构成。此外，在曝光装置10，分别使校准传感器及校准偏移量的设定与2个基板阶层对应，具体构成2个处理***11、12，以这样2个处理***11、12并列地对一部分进行处理，保证处理效率。
因此，收容于感应基板暗盒、并依次投入的感应基板31，分别依次在2个基板阶层中的某一个上感光，采用其中的校准传感器及校准偏移量进行校准处理，依次曝光。
此时，在曝光装置10，根据显示由感应基板处理装置20经通信线40输入的各感应基板的处理记录的信息，各感应基板的分配，即，决定在2个基板阶层的哪一个上感光，用哪一个校准处理***进行校准的分配。特别是，在曝光装置10，对由感应基板处理装置20的同一处理***处理的感应基板，分配各感应基板，使得由同一处理***、即，由载置于同一基板阶层的同一校准处理***进行校准处理。
感应基板处理装置20，是在半导体集成电路制造线中的感应基板处理工序中进行曝光处理以前进行过任意的感应基板处理的装置。特别是，能够用2个处理***21，22同时并行地进行感应基板处理的装置。
具体说，感应基板处理装置20，例如是，各种蚀刻装置、蒸着装置、CVD装置、喷涂装置等的成膜装置、保护膜涂布装置、显影装置、干燥装置、保护膜剥离装置等的保护膜处理装置、掺杂装置、扩散装置、离子注入装置等的掺杂装置、或、CMP装置等的装置。
此外，在本实施形态，感应基板处理装置20是CMP装置。
CMP装置，是具备2个暗箱、能对2件感应基板同时并列地进行CMP处理的适合批量处理的装置。即，在CMP装置20，在2个暗箱中分别搭载研磨对象的感应基板，用2个研磨用的小块同时进行研磨。
此外，在CMP装置20，2个研磨用的小块，依机械构成分为右回转及左回转。因此，在CMP装置20研磨的各感应基板的工序误差，对应于左右暗箱表现出特定的倾向。换言之，在CMP装置20研磨的感应基板，是具有与左右暗箱对应的2***的工序误差的感应基板。因此，CMP装置20，把表示同一批量的各感应基板是由哪一个暗箱处理的信息、即，表示各感应基板的工序误差的***的信息经通信线40发送到曝光装置10等的后段的处理装置。
在CMP装置20研磨的感应基板，将各批量投入下面工序，例如，在进行成膜处理及保护膜涂布处理后，投入到使用曝光装置10的曝光工序。但是，这里为了便于说明，对成膜处理及保护膜涂布处理的说明从略，对在CMP装置20中的CMP处理完成的感应基板，接着被投入到曝光工序进行曝光处理时的处理进行说明。
通信线40，在半导体集成电路制造线的各处理装置间用来进行期望信息的通信。通过该通信线40，通过制造线上的各装置及全体的管理装置等进行相互通信，能传送及掌握各批量每个感应基板的处理信息，掌握各处理装置中批量的处理状况，并据此进行生产管理。
在本实施形态，经通信线40，由CMP装置20向曝光装置10发送有关CMP装置20中的各感应基板的处理信息、即，每批量的各感应基板由哪一个CMP装置20的暗箱进行处理的信息。
下面，对本发明的曝光装置10的构成参照图2进行详细进行说明。
图2，表示本实施形态的曝光装置10的构成的图。
曝光装置，包括：光源110、光束选配组件120、照明光学***122、125、标线片阶层140、投影光学***142、第1至第3校准传感器151至153、阶层装置160、感应基板感光部200及控制***210。
另外，设定：与图2中的投影光学***142的光轴垂直、且与纸面垂直的方向为X方向，与X方向垂直、与纸面平行的方向为Y方向，及，与X方向垂直、与投影光学***142的光轴平行的方向为Z方向。
首先，对光源110至投影光学***142进行说明。
例如，由ArF激元激光器等的光源110发生的脉冲紫外线等的光，经过由可动反射镜等使脉冲紫外线对照明光学***的光轴在位置上适配用的光束选配组件120(BMU)，入射到照明光学***(122，125)。
照明光学***，通过BMU120使脉冲紫外线(曝光光)照射到标线片35上，例如，根据感应基板上应复制的图形，在变更标线片的照明条件(即，照明光学***的镜面上曝光光的光量分布)的同时，将曝光光照射的标线片35的照明领域规定为投影光学***142的圆形视野内以光轴为中心、在X方向延展的矩形状，且，使有关扫描曝光时标线片35移动的扫描方向(本实施形态中的Y方向)的照明领域的幅度可变。
这里，本实施形态中的照明光学***，由设置在包含后述的投影光学***142等的曝光主体部载置的栏及其它架台的第1光学***122、及在曝光主体部载置栏上设置的第2光学***125构成。第1光学***122，具有：作为光衰减器的可变减光器、光束整形光学***123、变更前述照明条件的光学组件(例如，包含沿照明光学***的光轴可动的至少1个棱镜、变焦透镜光学***、及在照明光学***内交换配置的多个的衍射光学元件等)、光收集器、光束薄片、及规定前述照明领域用的标线片屏障124等，对从BMU120入射的曝光光进行整形及照度的均匀化。此外，第2光学***125，包括反射镜126、电容器透镜***127、成象透镜***128、及反射镜129等，以使从第1光学***122入射的曝光光进行均匀化的照度、对保持在标线片阶层140上的标线片35进行照射。此外，以下将第1及第2光学***称为照明光学***122，125。
此外，在照明光学***122，125中未图示的光束薄片，透过率高、反射率低，由它反射的光，被入射到未图示的收集传感器，用以测量光量。根据被测量的光量，及预先存储的光束薄片的透过率或反射率，由后述的控制***210、检测并控制对投影光学***的光的入射光量，及基板上的光量。
标线片阶层140，被设置于投影光学***142的上方，可在保持形成复制图形的光掩膜的主标线片35的同时，以规定路径向Y方向移动，且，使标线片35在XY平面内、在回转方向及并进方向上微动，并调整其姿势。此外，标线片阶层140，使标线片35在扫描曝光时对曝光光(照明领域)以规定速度在扫描方向(Y方向)上移动。未图示，但至少具有6个测长轴的干涉计***，被用来测量标线片阶层140(标线片35)的X、Y方向的位置信息，X轴、Y轴及Z轴回转的3个回转量(蚀刻量，压延量，偏转量)，以及Z方向的位置信息(与投影光学***142的间隔)。
此外，标线片阶层140的这些移动及姿势的调整，是根据来自控制***的控制信号，与阶层装置160中的曝光对象的感应基板的移动同步进行的。
投影光学***142，是将标线片35的图形的缩小象形成于与前述照明领域共使的曝光领域(感应基板31上的曝光光的照明领域)的两侧偏心的缩小***。为此，标线片35的图象，按照明光学***142规定的缩小倍率缩小，并投影在载置于阶层装置160的第1基板阶层171或第2基板阶层上的、在表面上预先涂布光保护膜的感应基板31上。
下面，对阶层装置160进行说明。
阶层装置160，具有：根据来自可在基盘161上独立地作2维移动的第1及第2基板阶层(可动体)171、172、及控制***210的控制信号，用后述的第1及第2干涉计***驱动这些基板阶层的阶层驱动***(未图示)。
这里的第1及第2基板阶层171、172，如图2所示，具有保持阶层主体173，174，ZL阶层175，176及感应基板31的感应基板夹具177，178。
阶层主体173、174，是分别保持ZL阶层175、176及感应基板夹具177，178等的基台，通过未图示的空气轴承托上，被支持于基盘161上。具体是，在阶层主体173，174的各底面，例如，可设置多个真空预压型空气轴承等的空气罩，由于该空气罩的空气喷出力与真空预压力的平衡，可使第1及第2基板阶层171，172整体托上数微米左右，被支持于基盘161上。
此外，阶层主体173，174，由后述的磁铁189、190结合阶层驱动***的第2线性导轨183、184支持，并利用由磁铁189、190与第2线性导轨183、184分别构成的线性电机，沿第2线性导轨183、184移动。
ZL阶层175、176，被设置于阶层主体173、174上，上面载置感应基板夹具。ZL阶层175、176，由未图示的3个Z方向激励器作3点支持，被设置于阶层主体173、174上。这些Z方向的各激励器，利用驱动在Z方向上作微小距离的移动，此外，调整对XY平面的倾斜。
感应基板夹具177，178，保持用于将表面涂布光保护膜的感应基板31作为利用由投影光学***142以规定的缩小倍率缩小的光形成的标线片35的图象的照射对象提供。感应基板夹具177，178，利用感应基板感光部200搬送，利用从来自形成于感应基板夹具177，178表面的未图示的吸引孔的真空吸引力的作用吸着载置于感应基板夹具177，178表面的感应基板31，保持其位置使之不能移动。
阶层驱动***的构成，如图3所示，具有：第1线性导轨181、182，第2线性导轨183、184，驱动线圈185、186及187、188，及，设置于第1及第2基板阶层171、172的底面的磁铁189、190。
第1线性导轨181、182，是在基盘161上的第1及第2基板阶层171、172，可在第1方向(本实施形态中是X方向)上延伸，使夹入该范围到移动范围的外部，成为构成线性电机固定侧磁铁的部材。
此外，第2线性导轨183、184，是将与第1线性导轨垂直的部分作为两端部、在与第1方向垂直的第2方向上(本实施形态中是Y轴方向)延伸的、构成同一线性电机固定侧磁铁的部材。在该第2线性导轨183、184的两端部，设置着驱动线圈185、186及187、188，由该驱动线圈185、186及187、188与第1线性导轨181、182分别构成线性电机。此外，由于驱动线圈185、186及187、188，分别在第1线性导轨181、182上平行移动，第2线性导轨183、184，分别在第1线性导轨181、182方向，即X方向上移动。
此外，通过分别改变在第2线性导轨183、184的两侧设置的一对驱动线圈185、186及187、188的扭矩，使在第1及第2的基板阶层171，172上发生的微小偏转能及时除去。
在该第2线性导轨183、184上，可通过设置于底面的磁铁189、190设置第1及第2基板阶层171，172。通过该磁铁189、190及第2线性导轨183、184构成线性电机，这样，第1及第2基板阶层171，172，可分别在第2线性导轨183、184方向，即Y方向上移动。
此外，虽然未图示，但是，图2的曝光装置10，在第1至第3的校准***(校准传感器)151至153中，在第2及第3校准***152、153的正下方，设置着分别检测第1及第2基板阶层171、172(感应基板31)的位置信息的两个第1干涉计***，在投影光学***142的正下方，设置着检测第1或第2基板阶层171、172(感应基板31)的位置信息的第2干涉计***。两个第1干涉计***及第2干涉计***各自具有至少5个测长轴，ZL阶层177、178上分别形成的反射面上用激光束照射，测量基板阶层的X、Y方向的位置信息，X轴、Y轴及Z轴回转的3个回转量(即，蚀刻量，压延量，偏转量)。
此外，两个第1干涉计***的一方，当通过第2校准***152检测感应基板31的校准标记、及设置于第1基板阶层171的基准标记时，检测第1基板阶层171的位置信息，他方的第1干涉计***，当通过第3校准***153检测感应基板31的校准标记、及设置于第2基板阶层172的基准标记时，检测第2基板阶层172的位置信息。此外，第2干涉计***，经标线片35及投影光学***142由曝光光对感应基板31进行曝光(即，标线片35对感应基板31的图形复制)时，以及用第1校准***151检测各基板阶层171、172的基准标记等时，检测其基板阶层的位置信息。
下面，对设置于曝光装置10的第1至第3校准***151至153进行说明。
第1校准***(第2标记检测***)151，在前述的第2干涉计***规定的垂直座标***(以下，成为曝光座标***)上具有检测中心，可检测设置于感应基板31的校准标记及基板阶层171、172的基准标记等，该检测结果与第2干涉计***的测量值一起被送到控制***210，可求得各标记的位置信息(座标值)。本实施形态中的第1校准***151，是与投影光学***PL不同设置的偏轴方式，第1校准***151的检测中心与投影光学***142的光轴(标线片35的图象的投影中心)的位置关系，可预先测量所谓的基线量并存储到控制***210。此外，第1校准***151，最好不采用基线管理必要的偏轴方式、而采用诸如通过投影光学***142检测标线片35的校准标记及基板阶层的基准标记(或感应基板31的校准标记)的TTR(Through The Reticle)方式。按照TTR方式，可检测设置于标线片阶层140的基准标记，而不是标线片35的校准标记。
此外，第2校准***(多个的第1标记检测***中的一个)152，在前述一方的第1干涉计***规定的垂直座标***(以下，称为校准座标***)上具有检测中心，可检测设置于感应基板31的校准标记及第1基板阶层171的基准标记等，该检测结果与一方的第1干涉计***的测量值一起被送到控制***210，可求得各标记的位置信息(座标值)。由第2校准***152进行的标记检测，与例如标线片35对保持在第2基板阶层172的感应基板31的图形复制实质上并行地进行。
此外，第3校准***(多个的第1标记检测***中的一个)153，在前述他方的第1干涉计***规定的垂直座标***(校准座标***)上具有检测中心，可检测设置于感应基板31的校准标记及第2基板阶层172的基准标记等，该检测结果与他方的第1干涉计***的测量值一起被送到控制***210，可分别求得各标记的位置信息(座标值)。由第3校准***153进行的标记检测，与例如标线片35对保持在第1基板阶层171的感应基板31的图形复制实质上并行地进行。
这里，控制***210，采用与第1至第3偏移量信息存储部211至213中存储的各校准传感器对应的偏移量值，对各校准传感器的检测信号进行处理，求得校准标记及基准标记等的位置信息。此外，本实施形态中的第1至第3校准***151至153，分别用卤灯等发生的宽带域的光照射标记，在将用摄象元件(CCD)检测该标记得到的画像信号作波形处理进而检测其位置信息。此外，第1至第3校准***151至153，也可采用画像处理方式以外的方式，例如，也可采用在标记上用实质上垂直的相干光束进行照射，使该标记发生的同次数的2个衍射光束干涉、进行检测的方式。此外，本实施形态的曝光装置10，具有两个处理***11，12，各处理***，由校准***(152或153)、基板阶层(171或172)、及第1干涉计***构成。
下面，对感应基板感光部200进行说明。
感应基板感光部200，根据控制相同10的控制信号，是在感应基板暗盒30与第1及第2基板阶层171、172间进行感应基板移送的搬送机构(移送装置)。在本实施形态，处理装置(CMP装置)20处理的感应基板按批量单位被收容于感应基板暗盒30，例如，由作业者等将感应基板暗盒30投入曝光装置10，因此，曝光装置19的处理装置20处理的感应基板搬入的第1位置，成为设置感应基板暗盒30的位置。此外，在本实施形态，在感应基板感光部200与第1及第2基板阶层171、172相互间进行感应基板交换(交换)的第2位置(感应基板感光/不感光位置)，被设置在第1基板阶层171与第2基板阶层172不同的位置。此外，感应基板暗盒30，最好做成能防止杂物进入的密封型构造。
在未图示的相互不同的感应基板感光/不感光位置，分别移动第1基板阶层171与第2基板阶层172，进行感应基板的交换，但也可用第1及第2基板阶层171、172使感应基板感光/不感光位置相同。
具体，感应基板感光部200，将受控制***210控制的感应基板31从感应基板暗盒30取出，把它搬送到受控制***210控制的第1基板阶层171或第2基板阶层172中的某一个基板阶层，并载置于其感应基板夹具。通过第1及第2基板阶层171、172回收曝光处理终了的感应基板31，收容于新的感应基板暗盒的控制***210指示的规定位置。
此外，感应基板感光部200，在对第1基板阶层171与第2基板阶层172分别规定的基盘161上未图示的相互不同的感应基板感光/不感光位置上，分别移动第1基板阶层171与第2基板阶层172，进行感应基板的交换，但是，也可以用第1及第2基板阶层171、172使感应基板感光/不感光位置相同。
最后，对控制***210进行说明。
控制***210，控制曝光装置10的各部分，对投入的感应基板31进行适当的曝光处理。
具体说，首先，控制***210控制决定将投入曝光装置10的各批量的感应基板31分配到两个基板阶层171、172上，及，控制对分配决定的各感应基板31的各基板阶层进行实际的感光。
表示同一批量内的各感应基板31由CMP装置20的两个处理***21、22中的哪一个处理***处理的信息，经通信线40由CMP装置20输入到控制***210。控制***210，将该信息预先存储在控制***210内，在对应批量投入曝光装置10时进行参考，在CMP装置20，检测由同一处理***处理的感应基板。此外，控制***210，在CMP装置20由同一处理***处理的感应基板，在曝光装置10，将各感应基板31分配到两个基板阶层171、172上，使得曝光处理得以在第1基板阶层171或第2基板阶层172中的某一方的同一处理***进行。
分配结果，控制***210对感应基板感光器部200进行控制，实际通过将各感应基板搭载于第1基板阶层171或第2基板阶层172中的某一个上实现。此外，第1基板阶层171及第2基板阶层172，在通过阶层驱动***的动作对基盘61个别规定的各感应基板感光/不感光位置上，进行交互移动，交互地进行感应基板的不感光及感光。因此，控制***210，对感应基板感光器部200进行控制，使得从收容于感应基板暗盒30中的处理对象的感应基板31中交互取出分配于第1基板阶层171及第2基板阶层172的感应基板31，并对第1基板阶层171及第2基板阶层172交互感光。
此外，控制***210，根据由第1至第3的校准***151至153的各校准传感器检测的信号，参照预先存储在第1至第3的偏移量存储部211至213的、与校准传感器对应的偏移量值，进行规定的信号处理，并检测保持在第1基板阶层171或第2基板阶层172的基准标记或这些基板阶层的感应基板32、33上的校准标记等的位置。
此外，控制***210，根据这些检测的基准标记及校准标记等的位置，检测基板阶层171、172及感应基板32、33的位置。
此外，控制***210，如前所述，根据检测的第1及第2的基板阶层171、172及各感应基板32、33的位置，控制阶层驱动***，控制第1基板阶层171及第2基板阶层172的位置及感应基板32至33的位置。
即，图2的曝光装置10中的控制***210，通过阶层驱动***，分别控制第1及第2基板阶层 71、172的移动，第1基板阶层171的移动，使得：前述的两个感应基板感光/不感光位置的一方，分别移动到由第2校准***152进行标记检测的校准位置、以及进行标线片35的图形复制的曝光位置(本例，包含由第1校准***151进行标记检测的校准位置)，且，第2基板阶层172的移动，使得：他方的感应基板感光/不感光位置，分别移动到由第3校准***153进行标记检测的校准位置、以及前述的曝光位置。
具体地说，控制***210，结合第1线性导轨181至182对构成线性电机的驱动线圈185至186及187至188进行控制，对规定第1基板阶层171及第2基板阶层172的X方向的位置的第2线性导轨183至184的位置进行控制。此外，控制***210，结合第2线性导轨183至184对构成线性电机的磁铁189至190进行控制，对第1基板阶层171及第2基板阶层172的Y方向的位置进行控制。
这样，第1基板阶层171及第2基板阶层172被交互配置到曝光位置，在该曝光位置，各基板阶层的移动可按照第2干涉计***的测量值进行控制。此外，保持曝光终了的感应基板的第1及第2基板阶层171至172的一方，从曝光位置移动到感应基板感光/不感光位置、进行感应基板的交换(被曝光处理的感应基板的不感光，及应曝光处理的感应基板的感光)，与此并行，他方的基板阶层，从校准位置移动到曝光位置，可通过第2干涉计***测量其位置信息，在通过第1校准***151对设置于该他方的基板阶层的基准标记进行检测的同时，感应基板的曝光处理(标线片图形的复制)便开始。此外，交换感应基板的一方的基板阶层，从感应基板感光/不感光位置移动到校准位置，可通过第1干涉计***测量该位置信息，由第2及第3校准***的一方(152或153)对设置于感应基板的校准标记、及其一方的基板阶层的基板阶层的基准标记的检测，与保持在他方的基板阶层的感应基板的曝光处理实质上并行地进行。此外，他方的基板阶层，在曝光处理后移动到感应基板感光/不感光位置的同时，一方的基板阶层，从校准位置移动到曝光位置。以下，对同一批量(本例中，暗盒30)内所有的感应基板的曝光处理终了前反复进行前述动作。
控制***210，根据由照明光学***122的积分传感器检测的光束薄片的反射光的光量、及、预先存储的光束薄片的透过率或反射率，检测对投影光学***的光的入射光量及基板上的光量。且，根据检测结果，控制光源110，控制发光的开始及停止，振荡频率，及，由脉冲功率决定的输出，最终控制对感应基板31上的保护膜的曝光量。
此外，控制***210，通过阶层驱动***以对应于投影光学***142的倍率的速度比同步驱动标线片阶层140及感应基板阶层(171或172)，使与扫描曝光时对照明光学***照射的曝光光(照明领域)以规定速度相对移动标线片35同步，并对投影光学***照射的曝光光(曝光领域)以规定速度相对移动感应基板31。此外，控制***210，为了减低扫描曝光时标线片35与感应基板31的同步误差，标线片阶层140与感应基板阶层的至少一方，在本实施形态中用标线片阶层140，在XY平面内少量回转及并进移动标线片35，以调整姿势。
下面，对这样构成的半导体集成电路制造线的动作进行说明。首先，在将投入半导体集成电路制造线的每批量的感应基板31提供给适合批量处理的CMP装置20时，CMP装置20，在两个暗箱对感应基板作分别调整，利用对应于各暗箱具备的研磨小块同时进行研磨。
各感应基板的研磨终了时，各CMP装置20，用各暗箱取出各感应基板，收容于感应基板暗盒30的规定位置。在本实施形态，按照第1处理***21处理的感应基板，第2处理***22处理的感应基板的顺序，从感应基板暗盒30的一方的端部依次收容。
以后，CMP装置20，依次每次研磨2块该批量的感应基板，将研磨的感应基板按照同样的顺序收容于感应基板暗盒30。结果，最终，以两个处理***21、22处理的感应基板，被从一方的端部交互地以并列状态收容于感应基板暗盒30。
如前所述，CMP处理终了的各批量的感应基板31，例如，实施由作业者搬送，或积载于AGV(Automated Guided Vehicle)等，自动地移送到下面工序的处理装置，例如成膜工序及光保护膜涂布工序等。此外，对这些工序的说明从略。
经过这些工序的感应基板31，进入曝光工序，同样由作业者搬送，或积载于AGV等，自动地移送到曝光装置10。
另外，由CMP装置20中的前述两个处理***21、22进行处理的信息，经通信线40，被传送到含曝光装置10的后段的处理装置、及管理半导体集成电路制造线1的管理装置等。具体说，该批量的各感应基板，包含由CMP装置20的两个处理***21，22中的哪一个处理***处理的信息(有关处理记录的信息)，由CMP装置20发送到含曝光装置10的各处理装置。
曝光装置10，接收该CMP装置20中处理的信息，存储在控制***210。
收容被搬送到曝光装置10、并经CMP装置20处理的感应基板31的感应基板暗盒30，被设置在曝光装置10的感应基板感光器部200，保证收容的感应基板31可取出。
此外，曝光装置10的控制***210，读出以前存储的该批量的感应基板31的、经CMP装置20处理的信息，检测各感应基板31由CMP装置20的两个处理***21，22中的哪一个处理***处理的信息。
此外，控制***210，根据检测结果，由CMP装置20的第1处理***21进行CMP处理的感应基板31，在第1基板阶层171上进行感光，由CMP装置20的第2处理***22进行CMP处理的感应基板31，在第2基板阶层172上进行感光，以后，控制感应基板感光器部200。
通过控制***210的这些控制，首先，感应基板感光器部200，取出由收容在感应基板暗盒30的一方端部的CMP装置20的第1处理***21处理的感应基板31(32)，搬送到移至未图示的规定的感应基板感光/不感光位置的第1基板阶层171，载置在感应基板夹具177上。被载置的感应基板32，依靠感应基板夹具177作用的真空吸着力被固定保持在感应基板夹具177上。
这里，在保持于第1基板阶层171的感应基板32上的多数的受光领域、分别与图形一起形成精细校准用的标记(以下称为精细标记)，在曝光装置10，以分步扫描方式在每受光领域使标线片图形与该图形重合地进行复制。因此，在本实施形态，在每受光领域上，为使标线片图形与该图形正确地重合(校准)，该多数的受光领域中的至少3个被选作校准受光，对在每个校准受光中检测精细标记的位置信息进行统计计算(最小平方法等)，采用计算出感应基板上应重合复制标线片图形的全部的受光领域的位置信息的EGA(增强型整体校准)方式。
如用第1基板阶层171保持感应基板32，控制***210，可利用第2校准***152检测形成于感应基板32的搜索校准用标记(以下，称为搜索标记)，根据有关搜索标记的已知的位置信息(设计位置等)，经阶层驱动***移动第1基板阶层171，在第2校准***152的检测领域内配置搜索标记。此外，由第2校准***152检测的搜索标记的位置信息(前述的校准座标***中的座标值)被送到控制***210，控制***210，根据将检测的搜索标记的位置信息、以及与感应基板32上被作为校准受光选择的至少3个受光领域(或精细标记)有关的已知的位置信息(设计位置等)，由阶层驱动***移动第1基板阶层171。这样，在感应基板32的每个校准受光，其精细标记被配置于第2校准***152的检测领域内。
下面，第2校准***152，在分别检测多个精细标记、求出其位置信息的同时，这检测结果与前述第1干涉计***的测量值(校准座标***中的第1基板阶层171的位置信息)一起被发送到控制***210，控制***210，采用第2偏移量存储部212中存储的第2校准***152的偏移量值，对每精细标记决定其位置信息(校准座标***中的座标值)。此外，控制***210，采用EGA方式，根据该决定的多个的位置信息，计算出感应基板32上的全部受光领域的位置信息。此时，在检测前述的精细标记之前，或检测后，采用第2校准***152检测设置于第1基板阶层171的基准标记，求出其位置信息。这样，用前述第1干涉计***求出规定的校准座标***中的感应基板32上的各受光领域与基准标记间的位置关系，控制***210将该位置关系存入存储部，精细校准结束。
控制***210，如用第2校准***152检测感应基板32的精细标记、及第1基板阶层的基准标记，第1基板阶层171的基准标记，可由第1校准***151检测，将第1基板阶层171从校准位置移动到曝光位置。此外，第1校准***151检测基准标记，在求得其位置信息的同时，该位置信息，与第2干涉计***的测量值(曝光座标***中的第1基板阶层171的位置信息)一起被发送到控制***210，控制***210，求出曝光座标***中的基准标记的位置信息(座标值)。
此外，控制***210，根据其基准标记的位置信息、以及以前存储在存储部的感应基板32的各受光领域与基准标记的位置关系，对各受光领域决定曝光座标***中的位置信息(座标值)。此外，控制***210，根据这被决定的位置信息与第1校准***151的基线量，用第2干涉计***的测量值移动第1基板阶层171，以分步扫描方式在感应基板32上的各受光领域重合复制标线片35的图形。此时，利用未图示的光焦距传感器在各受光领域检测其表面的位置信息，同时，根据其位置信息驱动ZL阶层175，在扫描曝光时曝光领域内投影光学***142的象面与受光领域表面实质上一致。这样，感应基板32的曝光处理终了，控制***210，将第1基板阶层171从曝光位置移动到感光/不感光位置。
最初的感应基板32，搭载于第1基板阶层171上，如前所述，在供搜索校准，精细校准及曝光间，感应基板感光器部200，从感应基板暗盒30，将由CMP装置20的第2处理***22进行CMP处理的感应基板、即与以前取出的感应基板中并列收容于后面位置的感应基板31(33)取出，搬送到移至未图示的规定感应基板感光/不感光位置的第2基板阶层172，并载置于其感应基板夹具178。被载置的感应基板33，依靠感应基板夹具178作用的真空吸着力被固定保持在感应基板夹具178上。
用第2基板阶层172保持感应基板33，控制***210，移动第2基板阶层172，用第3校准***153检测感应基板33的搜索标记，求得其位置信息。此外，控制***210，根据搜索标记的位置信息、以及有关感应基板33上作为校准受光选择的至少3个受光领域(或其精细标记)的已知位置信息，移动第2基板阶层172，对感应基板33的各校准受光将其精细标记配置于第3校准***153的检测领域。
下面，第校准***15，在分别检测多个精细标记、求出其位置信息的同时，这检测结果与前述第1干涉计***的测量值(校准座标***中的第1基板阶层171的位置信息)一起被发送到控制***210，控制***210，采用第2偏移量存储部213中存储的第3校准***153的偏移量值，对每精细标记决定其位置信息(校准座标***中的座标值)。此外，控制***210，采用EGA方式，根据该决定的多个的位置信息，计算出感应基板33上的全部受光领域的位置信息。此时，采用第3校准***153检测设置于第2基板阶层172的基准标记，求出其位置信息。这样，用前述第1干涉计***求出规定的校准座标***中的感应基板33上的各受光领域与基准标记间的位置关系，控制***210将该位置关系存入存储部，精细校准结束。此外，在本实施形态，如图2所示，感应基板33的校准，实质上与感应基板32的曝光处理并行进行。
又，第1基板阶层171上保持的感应基板32的曝光处理终了时，控制***210，将第1基板阶层171从曝光位置移动到感应基板感光/不感光位置后，将第2基板阶层172从校准位置移动到曝光位置，用用第1校准***151检测第2基板阶层172的基准标记。此外，在第1校准***151检测基准标记、求得其位置信息的同时，该位置信息，与第2干涉计***的测量值(曝光座标***中的第2基板阶层172的位置信息)一起被发送到控制***210，控制***210，求出曝光座标***中的基准标记的位置信息(座标值)。
此外，控制***210，根据其基准标记的位置信息、以及以前存储在存储部的感应基板33的各受光领域与基准标记的位置关系，对各受光领域决定曝光座标***中的位置信息(座标值)。此外，控制***210，根据这被决定的位置信息与第1校准***151的基线量，用第2干涉计***的测量值移动第2基板阶层172，以分步扫描方式在感应基板33上的各受光领域重合复制标线片35的图形。此时，利用前述光焦距传感器的检测结果驱动ZL阶层176，使在扫描曝光时曝光领域内投影光学***142的象面与受光领域表面实质上一致。这样，感应基板33的曝光处理终了，控制***210，将第2基板阶层172从曝光位置移动到感光/不感光位置。
另外，在移动到感应基板感光/不感光位置的第1基板阶层171上进行感应基板的交换，被曝光处理的感应基板32不感光，同时，从感应基板暗盒30取出的后面的感应基板被感光。此时，感应基板感光器部200将该不感光的感应基板收容在感应基板暗盒30原来的位置、或与感应基板暗盒30不同的感应基板暗盒的规定位置，例如与感应基板暗盒30中的收容位置相同的位置。此外，感应基板感光器部200用CMP装置20的第1处理***21进行CMP处理，且，把经感应基板暗盒30以前取出，与第2基板阶层172上感光的感应基板33并列收容于后面的位置的第3感应基板作为后面的感应基板(第2块感应基板32)放在第1基板阶层171上感光。
控制***210，如感应基板的交换结束，使第1基板阶层171移动到校准位置，以与前述感应基板32完全同样的动作，用第2校准***152分别检测保持在第1基板阶层171的第2块感应基板32的搜索标记及多个精细标记、以及第1基板阶层的基准标记，同时，以EGA方式对各受光领域算出其位置信息，将各受光领域与基准标记的位置关系存入存储部。此外，，在本实施形态，如图4所示，感应基板32的交换及校准，实质上与感应基板33的曝光处理并行进行。
接着，如保持在第2基板阶层172的感应基板33的曝光处理终了，控制***210，使第2基板阶层172从曝光位置移动到感应基板感光/不感光位置后，使第1基板阶层171从校准位置移动到曝光位置，以与第1块感应基板32完全同样的动作，实施由第1校准***151进行的第1基板阶层171的基准标记的检测、以及第2块感应基板32的曝光处理。此外，如第2块感应基板32的曝光处理结束，控制***210，使第1基板阶层171从曝光位置移动到感应基板感光/不感光位置。
另外，在移动到感应基板感光/不感光位置的第1基板阶层171上进行感应基板的交换，被曝光处理的感应基板33不感光，同时，从感应基板暗盒30取出的后面的感应基板被感光。此时，感应基板感光器部200将该不感光的感应基板收容在感应基板暗盒30原来的位置、或与前述不同的感应基板暗盒的规定位置，例如与感应基板暗盒30中的收容位置相同的位置。此外，感应基板感光器部200用CMP装置20的第2处理***22进行CMP处理，且，把经感应基板暗盒30以前取出，与第1基板阶层171上感光的第2块感应基板32并列收容于后面的位置的第4感应基板作为后面的感应基板(作为第2块感应基板33)放在第2基板阶层172上感光。
又，控制***210，如感应基板的交换结束，将第2基板阶层172移动到校准位置，以与前述感应基板33完全同样的动作，用第3校准***153分别检测保持在第2基板阶层172的第2块感应基板33的搜索标记及多个精细标记、以及第2基板阶层172的基准标记，同时，以EGA方式对各受光领域算出其位置信息，将各受光领域与基准标记的位置关系存入存储部。此外，在本实施形态，感应基板33的交换及校准，实质上与第2块感应基板32的曝光处理并行进行。
接着，如保持在第1基板阶层171的第2块感应基板32的曝光处理终了，控制***210，使第1基板阶层171从曝光位置移动到感应基板感光/不感光位置后，使第2基板阶层172从校准位置移动到曝光位置，以与前述第1块感应基板33完全同样的动作，实施由第1校准***151进行的第2基板阶层172的基准标记的检测、以及第2块感应基板33的曝光处理。此外，与第2块感应基板33的曝光处理并行，进行第1基板阶层171上的感应基板交换，以及校准(有第2校准***152进行的标记检测)。
接着，如第1块的感应基板33的曝光处理终了，控制***210，使第2基板阶层172从曝光位置移动到感应基板感光/不感光位置后，使第1基板阶层171从校准位置移动到曝光位置，完全同样地实施第1基板阶层171的基准标记的检测、以及第3块感应基板32的曝光处理。以下，在对同一批量(本例中，暗盒30)内的所有感应基板的曝光处理终了前，反复进行前述动作。即，第1基板阶层171与第2基板阶层172可交互配置于曝光位置，同时，与一方的基板阶层上保持的感应基板的曝光处理实质上并行，进行他方的基板阶层上感应基板的交换及校准。
结果，收容于感应基板暗盒30的一系列的感应基板31，结果，如图5所示，奇数号的感应基板31(32)，被搭载于第1基板阶层171，同时，在用第2校准***152进行校准(精细标记等的检测)后，移动到曝光位置进行曝光处理。另外，偶数号的感应基板31(32)，被搭载于第2基板阶层172，同时，在用第3校准***153进行校准(精细标记等的检测)后，移动到曝光位置进行曝光处理。
这样，在本实施形态的半导体集成电路制造线1，CMP装置20及曝光装置10，分别具有两***的处理***21、22及11、12，对一系列的感应基板31，可短时间、高效率地进行CMP处理及曝光处理。
此时，CMP装置20的同一的处理***21或22处理的感应基板，在曝光装置10中也可由同一处理***11或12、更具体是由同一的基板阶层及校准***进行处理。
因此，曝光装置10的第1处理***11，即，第1基板阶层171及第2校准***152的处理组件的误差，仅影响CMP装置20的第1处理***21，即由一方的暗箱处理的感应基板的重合精度。此外，曝光装置10的第2处理***12，即，第2基板阶层172及第3校准***153的处理组件的误差，仅影响CMP装置20的第2处理***，即由他方的暗箱处理的感应基板的重合精度。因此，CMP装置20中的工序误差和曝光装置10的多个处理***的组件间误差被随机相乘，使重合精度误差极端劣化的情况得以避免。
此外，在本实施形态的半导体集成电路制造线1，这样分别处理中的工序误差与各处理***的处理组件的误差的对应关系是明确的，后面进行修正，或，在对应于更后段的批量处理的处理装置，当对感应基板进行分配时，工序误差及组件误差不会积累，这些处理很容易进行。
例如，曝光装置10的第1处理***11的误差，CMP装置20的第1处理***21的误差，或两方组合的误差，都可把握以一定的精度进行检测。曝光装置10的第1处理***11的误差，是第1基板阶层171及第2校准***152的处理组件中特有的误差，CMP装置20的第1处理***21中的误差，是由一方的暗箱处理的感应基板特有的工序误差。此外，曝光装置10的第2处理***12的误差，CMP装置20的第2处理***的误差，或两方组合的误差，都可把握以一定的精度进行检测。曝光装置10的第2处理***12的误差，是第2基板阶层172及第3校准***153的处理组件中特有的误差，CMP装置20的第2处理***的误差，是由他方的暗箱处理的感应基板特有的工序误差。
因此，在曝光装置10中进行曝光处理时如果对这些误差进行修正，可修正这些误差、并提高重合精度。
即，根据这些误差信息，作成曝光装置10的第1处理***11对应的第1偏移量值、与对应于曝光装置10的第2处理***12的第2偏移量值，用这些偏移量值进行一系列的曝光处理，无论在第1处理***11处理的感应基板上，还是在第2处理***处理的感应基板上，都能高精度地复制规定的图形。
因此，在本实施形态，在进行感应基板的曝光处理之前，用第1校准***151检测基板阶层171，172的基准标记，例如也可以检测校准标记(精细标记或搜索标记)而不是基准标记。但是，利用此时控制***210的第1偏移量存储部211中存储的第1校准***151的偏移量值，可求出检测基准标记以外的标记的位置信息。此时，最好分别求出处理装置20的第1处理***处理的感应基板(32)与第2处理***处理的感应基板(33)中的偏移量值。
此外，本实施形态中进行搜索校准及精细校准两方面的校准，即，进行搜索标记和精细标记两方面的检测，但不进行搜索校准(搜索标记的检测)、只进行精细校准(精细标记的检测)也行。此外，搜索标记的检测不进行，有时根据感应基板上的校准受光(精细标记)有关的已知位置信息(设计位置等)移动基板阶层，也不用在校准***152或153的检测领域内配置精细标记。此时，例如，可预先将校准***的观察倍率作为低倍率作广范围检测，看到精细标记就返回高倍进行检测，或利用感应基板感光/不感光位置对感应基板的外周部的多处进行光学检测，也可在修正感应基板的位置误差后，用感应基板夹具吸着，或在前述已知的位置信息中加入该检测的位置误差，移动基板阶层。
在本实施形态，与第1及第2基板阶层171、172的一方保持的感应基板的曝光处理并行，由他方的基板阶层进行感应基板的校准(标记检测)，但是，例如，也可设置与第2及第3的校准***152、153分别对应、检测感应基板的表面位置(高度信息)的光学传感器(例如，前述的光焦距传感器等)，与曝光处理并行，检测感应基板(受光领域)的段差信号。即，与曝光处理并行，应检测的信息，其数量及种类等不限于前述实施形态。
此外，在本实施形态，把处理装置20处理的感应基板以批量单位收容于感应基板暗盒30内、搬入由曝光装置10，但也可不以暗盒为单位的感应基板单位搬入曝光装置10。具体说，将处理装置20的至少一部(例如，包含成膜装置，保护膜涂布器，及显象装置等，以下单称为涂布器·显影机)与曝光装置10串联连接，例如，利用涂布器·显影机的搬送机构(可动式的机械手等)或前述的感应基板感光器部200将处理过的感应基板搬入曝光装置10也行。按照这种构成，曝光装置10内的感应基板的搬入位置成为前述第1位置。此时，感应基板感光器部200在感应基板感光/不感光位置(第2位置)由基板阶层交换搬入的感应基板，同时，在第2位置从基板阶层接受复制标线片35图形的感应基板，并移送到第1位置(或与第1位置不同的搬出位置)，这里，用涂布器·显影机(搬送机构)交换感应基板。此外，曝光装置10内的搬入位置(及/或搬出位置)，或在连接其搬入位置(及/或搬出位置)与前述的第2位置的搬送路的途中设置暗盒，该暗盒可临时收纳感应基板。这里，可将搬入位置或搬入路径的途中设置暗盒的位置作为前述第1位置。这种构成，处理装置20与曝光装置10在处理能力(每单位时间的处理数)上存在差异时，可调整其运转周期。
此外，本实施形态的记载考虑到便于理解，但本发明不限于此。本实施形态揭示的各要素，包含本发明的技术范围内的所有的设计变更，此外，可作种种适合的改变。
例如，前述的本实施形态中的本发明的曝光装置10，使第1基板阶层171、第2校准***152及第2偏移量存储部212固定组合、构成第1处理***11，使第2基板阶层172、第3校准***153及第3偏移量存储部213固定组合、构成第2处理***12，将感应基板分配到这第1处理***11及第2处理***12，进行曝光处理。即，在具有如图2所示的构成的曝光装置10，各自多个地具备基板阶层、校准***及校准偏移量存储部的三个构成部，可分别与处理***对应使用。
但是，曝光装置10的各处理***的构成，不限于这种构成。也可以在基板阶层、校准***及校准偏移量存储部的三个构成中、只多个地具备其中的2个或1个的构成部，也可各自作为1个处理***构成。
此外，曝光装置10的各处理***，其构成的种类可以是任意的，不限于基板阶层、校准***、及校准偏移量存储部，也可以用其它构成取代它们三个构成部中的至少一个，例如具备前述的第1干涉计***。
这种、与如图2所示的曝光装置10不同构成的其它曝光装置的一例见于图6。此外，在图6表示的曝光装置10b，与图2表示的曝光装置10带同一符合的构成部，具有与前面说明的图2中表示的曝光装置10对应的构成部同一的功能，做同一的动作。
图6表示的曝光装置10b，只各自具备1个校准***及基板阶层，是依次处理1块感应基板的、非批量处理的曝光装置。
但是，在曝光装置10b，控制***210b，具有2个校准偏移量存储部214、215，可分别地存储各不相同的校准偏移量值。因此，在校准***150，对基板阶层170及感应基板31上的基准标记及校准标记的位置，可参照这2个校准偏移量存储部214、215中存储的校准偏移量中的某一个，实现2***的校准处理。
即，曝光装置10b，具有：参照第1校准偏移量存储部214中存储的校准偏移量，进行校准处理的第1处理***、以及参照第2校准偏移量存储部215中存储的校准偏移量，进行校准处理的第2处理***的、两个处理***的构成。
此外，例如，与前述实施形态同样，在处理以具备2个处理***的CMP装置20处理的感应基板时，在曝光装置10b，根据控制***210b的控制，由CMP装置20的第1处理***21处理的感应基板，由曝光装置10的第1处理***、即，参照第1校准偏移量存储部214中存储的校准偏移量进行校准处理，由CMP装置20的第2处理***22处理的感应基板，由曝光装置10的第2处理***、即，参照第2校准偏移量存储部215中存储的校准偏移量进行校准处理。
在这种曝光装置10b，与在CMP装置20中进行CMP处理时产生的各处理***的特定的工序误差对应的校准偏移量，被预先存储在校准偏移量存储部214、215，可进行对应于该工序误差、即对应于处理***的校准处理。
以对应批量处理的CMP装置20进行CMP处理时，会产生对应于该处理***的多个***的工序误差，但是，用1个处理***处理，或用具有多个处理***的处理装置进行不对应于处理***的处理时，工序误差会扩散(扩散扩大)、形成积累。
但是，在如图6所示的曝光装置10b，用对应于该工序误差的处理***进行校准处理时，可抑制那样的工序误差的扩散及累积，可防止各工序过程的重合精度、定位精度的极端恶化。结果，可大批量制造高品质的半导体装置。
这样，图6中例示的构成的曝光装置10b也属于本发明范围。
此外，图6表示的构成，相反，曝光装置10也可各自具有3个以上的基板阶层、校准***、校准偏移量存储部。
此外，把表示各感应基板以感应基板处理装置20的哪一个处理***处理的处理信息从感应基板处理装置20传送到曝光装置10的方法，不限于通过如图1所示那样的与半导体集成电路制造线1的各处理装置连接通信线40的形态。
对其具体的种种形态参照图7进行说明。
例如，半导体集成电路制造线1整体，经网络41连接，由主机50管理时，感应基板处理装置20中处理的批量的感应基板处理信息，经网络41暂时积存在主机50，这是适合管理的形态。此时，在曝光装置10，当进行该批量处理时，曝光装置10，用主机50获得对应批量的感应基板处理信息，并据此决定处理各感应基板的处理***。
按照这种形态，有选择地将感应基板处理信息传送到处理该批量的多个处理装置，使该信息的传送容易控制。此外，对于经过多个对应于批量处理的处理装置后的感应基板，考虑到以前的工序误差的***、种类、积累状态等，决定更后工序中的感应基板的分配时，可由主机50成批地进行检测其工序误差的***、种类、积累状态等的处理。
此外，感应基板处理装置20及曝光装置10，在分别由上面的控制计算机23，13控制时，利用专用的通信线42直接连接这些控制计算机23、13间，可传送感应基板处理信息。
此外，例如由感应基板处理装置20处理的感应基板，各感应基板暗盒30由AGV(Automated Guided Vehicle)43搬送，投入曝光装置10时，设置临时把信息存储在该AGV43的功能，经该AGV43的信息存储部可以把感应基板处理信息从感应基板处理装置20传送到曝光装置10。
此外，不用进行特设的信息的传送，通过预先使感应基板暗盒30的感应基板收容位置(或感应基板ID等)与感应基板处理装置20的各处理***对应，根据感应基板暗盒30内的感应基板收容位置，也能实际将感应基板处理信息传送到曝光装置10。
此外，在本实施形态的半导体集成电路制造线1，CMP装置20及曝光装置10，是包含分别具有2个暗箱及基板阶层的2个处理***的处理装置。但是，这不限于2个。某一方或两方具有3个以上的处理***的构成也行。
此时，例如考虑到CMP装置20，具备3个暗箱，曝光装置10，分别包括具有基板阶层及校准***的2个处理***的场合。此时，例如，以CMP装置20的第1暗箱处理的感应基板，由曝光装置10的第1处理***处理，以CMP装置20的第2暗箱处理的感应基板，由曝光装置10的第2处理***处理，以CMP装置20的第3暗箱处理的感应基板，对应由曝光装置10的某一方的处理***处理都可以，其后如进行修正，可由第1及第2处理***两方分担。
当前后工序中处理***数不一致时，例如也可以这样分配感应基板。此外，此时，与不进行对应分配、随机分配的情况比较，都能适当兼顾重合精度及产量两方面进行处理，此外，这种方法也在本发明范围内。
此外，在本实施形态曝光装置10，第1基板阶层171的感应基板感光/不感光位置、与第2基板阶层172的感应基板感光/不感光位置设在不同位置，但也可设在同一位置。此时，需要控制阶层驱动***，使第1基板阶层171及第2基板阶层172不接触，控制***210的构成比较复杂，在感应基板感光器部200感应基板的交换场所可以是1个，这使构成大大简化了。
此外，在本实施形态，在曝光装置10进行曝光处理之前，感应基板处理装置20进行的批量处理，是CMP处理，但不限于此。在半导体集成电路制造线，是在曝光工序之前进行的任意处理，以与进行批量处理的工序的关系，可这样控制对感应基板的各处理***的分配。
此外，在本实施形态，在曝光工序的前道处理工序中进行批量处理，在曝光工序的后道工序、例如显象工序等有时进行批量处理。因此，可将由曝光装置10的同一处理***(11或12)作曝光处理的感应基板(即，曝光装置10内经同一路径的感应基板)由显象装置等后的处理装置(其它处理***)的同一处理***处理。在由具有进行同一处理的多个处理***(11，12)的曝光装置进行的曝光处理的前道工序、或后道工序中，当使用具有进行同一处理的多个处理***的曝光装置进行曝光处理时，也可以用后面的曝光装置的同一处理***对由前面曝光装置的同一处理***作曝光处理的感应基板进行曝光处理。
此外，在前述的实施形态，有关校准的偏移量信息(偏移量值)，不仅指有关感应基板上各受光的X方向及Y方向的位置误差(受光偏移量)，也可包括有关X方向及Y方向的计数误差、感应基板回转误差、及垂直度误差、各受光的X方向及Y方向的倍率误差、以及各受光的回转误差及垂直度误差的至少1个。此外，存储在偏移量存储部的偏移量信息(偏移量值)，不限于有关校准的信息，例如，也可存储焦距·校准信息(有关感应基板表面位置的信息)、即感应基板表面的Z方向的位置误差，及X方向及Y方向的倾斜误差的相关函数信息。
此外，在本实施形态，曝光装置10的投影光学***142是缩小的***，但也可以是等倍***或放大***。此外，不仅是折射***，也可以是反射折射***或反射***。
此外，在本实施形态，曝光装置10，是所谓的扫描装置，但也可以是逐级移动式曝光装置，及，背投方式及接近方式的曝光装置。
此外，曝光装置10的曝光用照明光也不限于本实施形态的光源110。连续光或脉冲光都可以。此外，还可用紫外线、EUV光、X线、或电子线及离子束等带电粒子线等的任意的光。
此外，在曝光装置10，作为曝光对象的物体，也可以是半导体元件、液晶显示元件、薄膜磁头、CCD等的摄影元件、微波机械及DNA芯片等的微波器件、等离子及有机EL等的显示装置、及、标线片及掩膜等任意物体。
此外，在包含采用图2的曝光装置10的光刻工序的器件制造工序中，例如半导体器件，可经过以下步段制造：进行器件功能、性能设计的步段、根据该设计步段的制造标线片的步段、用硅材料制作感应基板的步段、采用成膜装置及保护膜涂布器处理感应基板的步段、用图2的曝光装置在感应基板上曝光标线片图形的步段、用显象装置对感应基板进行后处理的步段、装置组装步段(包含切割、焊接、包装工序)、及检查步段。
这样，按照本发明的曝光方法，可提供利用具有多个基板阶层等的处理***的适合批量处理的曝光装置进行曝光处理，特别是，对经过适合批量处理的曝光装置的处理后的处理对象的基板进行曝光处理时，可防止工序误差的积累重合程度的极端恶化，大批量制造高品质的半导体装置的曝光方法。
此外，可提高具有多个基板阶层等的处理***的适合批量处理的曝光装置，特别是，对经过适合批量处理的曝光装置处理后的处理对象的基板进行曝光处理时，可防止工序误差的积累重合程度的极端恶化，大批量制造高品质的半导体装置的曝光装置。
此外，按照本发明，可提供经过以多个处理***进行同一处理的处理装置的多个基板，并分别高精度地检测其位置信息的曝光方法及装置。
此外，可提供能够高精度且大批量制造微波器件的器件制造方法。

Claims (27)

1.一种曝光方法，其特征在于，
利用具有多个曝光处理***的曝光装置使感应基板曝光，将掩膜上的图形复制到该感应基板上，
在曝光处理前利用具有多个曝光处理***的处理装置对一系列的感应基板实施规定处理，之后对所述一系列的感应基板进行曝光处理时，将所述一系列的感应基板分配到所述曝光装置的所述多个曝光处理***进行曝光，以便所述以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板由所述曝光装置的所述多个曝光处理***中的某个同一曝光处理***处理。
2.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，
所述曝光装置具有的多个曝光处理***，具有多个基板阶层，
将所述以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板、装入到所述多个基板阶层中的某个同一基板阶层上，进行所述曝光。
3.如权利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于，
所述曝光装置具有的多个曝光处理***，具有多个校准传感器，
所述以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板，可利用所述多个校准传感器中的某个同一校准传感器进行校准处理，然后进行曝光。
4.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，
所述曝光装置，具有利用各自独立设定的多个校准偏移量中的某一个进行校准处理的校准处理装置，
在所述以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的各感应基板上设定校准偏移量，由该同一曝光处理***处理的感应基板，对应于该曝光处理***用所述设定的校准偏移量进行校准处理。
5.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，
对于进行曝光处理的所述一系列的感应基板，获得表示以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板的信息，
根据所述获得的信息进行所述分配。
6.如权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，
通过接收外部装置发送的信息，获得表示有关所述一系列感应基板的、以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板的信息。
7.如权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，
对于所述一系列的感应基板的各基板，根据收容该一系列感应基板的暗盒中的各相关感应基板的收容位置、获得识别所述以前处理时所述处理装置中的曝光处理***的信息。
8.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，
所述曝光装置，具有第1及第2的两个所述曝光处理***，
对于由所述处理装置的多个曝光处理***分别处理并收容于暗盒的所述一系列的感应基板，交互分配到所述第1曝光处理***及所述第2曝光处理***进行曝光，以便用所述曝光装置的同一曝光处理***处理由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板。
9.一种器件制造方法，其特征在于，包括
利用权利要求1至8中任一项所述的曝光方法将器件图形复制到感应基板的工序。
10.如权利要求9所述的器件制造方法，其特征在于，所述处理装置具有在复制所述器件图形的感应基板上分别实施同一处理的多个其它曝光处理***，在所述曝光装置内用所述处理装置的同一其它曝光处理***对经过同一路径的感应基板进行处理。
11.一种曝光装置，其特征在于，包括
载置作为曝光处理对象的感应基板的基板阶层，
设定对载置于所述基板阶层上的感应基板进行校准处理用的校准偏移量的偏移量设定装置，
用所述设定的偏移量对载置于所述基板阶层上的感应基板进行校准处理的校准装置，以及
在进行所述校准处理的感应基板上对掩膜上的图形进行曝光的曝光装置；
设置多个至少具备所述基板阶层、所述偏移量设定装置、所述校准装置至少一个的曝光处理***，
还包括：在该曝光处理前利用具有多个曝光处理***的处理装置对一系列感应基板实施规定处理，之后对所述一系列感应基板进行曝光处理时，将所述一系列的感应基板分配到所述多个曝光处理***的分配装置，以便该以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板、可由该曝光装置的所述多个曝光处理***中的某个同一曝光处理***进行处理。
12.如权利要求11所述的曝光装置，其特征在于，
具有多个所述基板阶层，
所述分配装置对感应基板进行分配，使得所述以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板能够被装入到所述多个基板阶层中的某个同一基板阶层上。
13.如权利要求11或12所述的曝光装置，其特征在于，
包含分别具有校准传感器的多个的所述校准装置，
所述分配装置，将所述以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板，分配到所述多个校准装置中的某个同一校准装置，
所述多个校准装置，对所述被分配的感应基板分别进行校准处理。
14.如权利要求11或12所述的曝光装置，其特征在于，
具有对曝光处理前进行所述规定处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的各感应基板设定校准偏移量的多个偏移量设定装置，
所述分配装置，将由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板分配到设定对应于该曝光处理***的校准偏移量的所述多个的偏移量设定装置中的某一个上，
所述校准装置，利用由所述被分配的偏移量设定装置设定该感应基板的校准偏移量、对所述一系列的感应基板进行校准处理。
15.如权利要求11或12所述的曝光装置，其特征在于，
对于进行曝光处理的所述一系列的感应基板，还具有获得表示以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板的信息的基板处理信息获得装置，
所述分配装置，根据所述获得的信息进行所述分配。
16.如权利要求15所述的曝光装置，其特征在于，
所述基板处理信息获得装置具有通信装置，通过该通信装置获得表示有关所述一系列的感应基板的、以前处理时由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板的信息。
17.如权利要求15所述的曝光装置，其特征在于，
所述基板处理信息获得装置，对所述一系列的感应基板的各基板，根据收容该一系列的感应基板的暗盒中相关各感应基板的收容位置、识别所述以前处理时处理的所述处理装置中的曝光处理***。
18.如权利要求11或12所述的曝光装置，其特征在于，
对于由所述处理装置的多个曝光处理***分别处理、并收容于暗盒的所述一系列的感应基板，交互分配到所述多个曝光处理***的第1曝光处理***及所述第2曝光处理***，以便能够用所述曝光装置的同一曝光处理***处理由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板。
19.一种曝光装置，在经由多个曝光处理***分别进行同一处理的处理装置搬入的一系列的感应基板上分别复制掩膜图形，其特征在于，包括
在各自不同的位置配置检测所述感应基板的标记的多个的第1标记检测***的校准***，以及
在复制所述图形之前，分别设定所述一系列的感应基板的处理顺序、以便由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板的标记由所述校准***的同一的第1标记检测***检测的设定装置。
20.如权利要求19所述的曝光装置，其特征在于，
还具有保持所述感应基板的多个可动体，在用同一可动体保持由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板的同时，与用所述多个可动体中的第1可动体保持的感应基板对应的所述图形复制实质上平行、用所述多个的第1标记检测***之一检测第2可动体保持的感应基板的标记。
21.如权利要求20所述的曝光装置，其特征在于，
在由所述处理装置处理的感应基板搬入的第1位置与所述多个可动体间分别进行所述感光基板交换的多个的第2位置之间，还具有移送所述感应基板的移送装置，通过同一路径移送由所述处理装置的同一曝光处理***处理的感应基板。
22.如权利要求19所述的曝光装置，其特征在于，还包括
分别对应于所述多个的第1标记检测***设置，在用所述各标记检测***检测所述感应基板的标记中，检测所述感应基板的位置信息的多个第1干涉计***，以及
在对所述感应基板进行所述图形的复制中，检测所述感应基板的位置信息的第2干涉计***。
23.如权利要求22所述的曝光装置，其特征在于，
在由所述第2干涉计***规定的座标系上设定检测中心，还包括检测所述感应基板或保持所述感应基板的可动体的标记的第2标记检测***，根据所述第1及第2标记检测***的检测结果，利用所述第2干涉计***控制所述可动体的移动，将所述图形复制到所述感应基板上。
24.一种曝光装置，在经由具有分别进行同一处理的第1曝光处理***及第2曝光处理***的处理装置搬入的一系列的感应基板上分别复制掩膜图形，其特征在于，包括
存储对应于所述第1曝光处理***的第1偏移量、以及对应于所述第2曝光处理***的第2偏移量的存储装置，以及
在所述一系列的感应基板中，由所述第1曝光处理***处理的基板用第1偏移量进行处理、由所述第2曝光处理***处理的基板、用第2偏移量进行处理的处理机构。
25.如权利要求24所述的曝光装置，其特征在于，
所述处理机构具有检测所述基板的校准标记的校准***，
所述偏移量是校准偏移量。
26.一种器件制造方法，其特征在于，包括
用如权利要求11、12、19-25中的任一项所述的曝光装置在感应基板上复制器件图形的工序。
27.如权利要求26所述的器件制造方法，其特征在于，
所述处理装置，具有在复制所述器件图形的感应基板上分别实施同一处理的多个其它曝光处理***，在所述曝光装置内用所述处理装置的同一其它曝光处理***对经过同一路径的感应基板进行处理。
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