TWI226516B - Process for producing metal microstructure - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 146
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 146
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 abstract 1
- 238000005246 galvanizing Methods 0.000 abstract 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical class [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/205—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a pattern electroplated or electroformed on a metallic carrier
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
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- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/03—Processes for manufacturing substrate-free structures
- B81C2201/032—LIGA process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
- H05K3/202—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using self-supporting metal foil pattern
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
1226516 五、發明說明(1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關使用於微型機械等中的金屬細微構造體之 製造方法。 【先前技術】 當大量製造精確度佳之金屬細微構造體的情況時,有採 用微影電沈積法 LIGA(Lithographie Galvanoformung Abformung)處理。在X線中採用指向性較高之SR(同步輻 射)光的LIGA程序,可施行較深的微影處理,而且可將數 100微米高度構造體依微米區域的精確度進行加工,此外 因爲具有可輕易製造具高觀點比的金屬細微構造體等特徵 ,因此期待在廣範圍領域中的應用。 LIGA程序乃組合著微影、電鑄等電鍍、及成型的加工技 術。依照LIGA程序的話,譬如在導電性基板上形成光阻 膜之後,便隔著具既定形狀圖案的吸收罩幕照射SR光, 經由此種微影處理便形成對應著吸收體罩幕之形狀圖案的 光阻構造體(樹脂模型),然後藉由對此光阻構造體的空孔 部施行電鑄而獲得金屬細微構造體。此外,亦可將再施行 更進一步電鑄而所獲得高精確度金屬細微構造體採用爲模 具,並經由射出成形等成型而獲得樹脂製的細微成形品。 譬如,日本專利特開2002 - 2 1 746 1號公報中,便有揭示經 由LIGA程序製造屬於金屬細微構造體的模具,而製造細 微成形品的方法。 , 但是,當利用微影處理而製造金屬細微構造體之情況時 1226516 五、 發明說明 ( 2 ) 5 因 爲 利用 —* 次 的 微 影 處 理 僅 能 獲 得 1 片光阻構造體(樹 脂 模 型 ) ,因J 比 潛 在 對 大 量 生 產 頗 不 利 的 問題 。此外 5 當 對 樹 脂 模 型 施 行 電 鑄 而 製 造 金 屬 細 微 構 造 體之 情況時 , 若 將 樹 脂 模 型 利 用 黏 著 劑 精 確 度 佳 且 堅 固 的 固定 於導 電 性 基 板 上 的 話 9 在 爾 後 的步 驟 中 樹 脂 模 型 與 導電 性基 板之 間 將 產 生 尺 寸 變 化 或 剝 落 現 象 9 結 果 將 導 致 產品 精確 度 低 落 > 或 Απτ ΠΙΤΙ 法 構 成 產 品 的 問 題 發 生 〇 此外 爲 解決 產品 精 確 度 與 不 良 品 之 問 題 , 當 將 樹 脂 模 型 採 用 普 通 黏著 劑固 定 於 導 電 性 基 板 上 之 情 況時 , 若 樹 脂 模 型 層 積 體 之空 孔部 中 殘 留 著 黏 著 劑 的 話 便 將 產 生 Μ j\ \\ 法 進 行 電 鑄 或 電鑄 不足 現 象 且 隨 電 鑄 所形成 的 金 屬 層 將 產 生 斑 點 的 問 題。 甚至 於 9 在 將 樹 脂 模 型 層 積 體 空 孔 部 中 所 殘 留 的 黏 著 劑予以去 除 之 巨 的 下 9 若 預 對 樹 脂 模 型 層 積 體 整 體 進 行 蝕 刻的 話, 將 潛 在 配 合 此 部份的 實 施 而 導 致 樹 脂 模 型 本身 亦 遭一 定損 傷 的 問 題 Ο 本 發 明 之 課 題 在於 提 供 一 種 採 用 樹 脂 模 型的 金屬 細 微 構 造 體 之 製 造 方 法 y 乃 可 設 定 於 樹 脂 模 型 損 傷較 少的 溫 和 條 件 , 而 可利 用 均 勻 的 電 鑄 大 量 獲 得 m 確 度 較高 的金 屬 細 微 構 造 體 之 製 造 方法 〇 [ 發 明 內 容 ] 本 發 明 的 金 屬 細 微 構 造 體 之 製 :造 :方 .法 ;係 ;包括有: 透 過 利 用 電 子 束 紫 外 線 或 可見光而使化 學 組 成 產生 變化的 感 光 性 聚 合 物 5 將 具 有 貫 穿 厚 度 方 .4. 向 之 空 孔部 的樹 脂模 型 固 定 1226516 五、 發明說明 ( 3 ) 於 導 電 性 基 板 上 而 形成樹脂 模 型 層 積 體 的步 驟 f 利用 電 子 束 紫 外 線 或 可 見 光 將樹脂 模 型 層 積 體 進 行 曝 光 的 步 驟 , 將 樹 脂 模 型 空 孔 部 中 所存在 的 感 光 後 之 聚 合 物 予 以 去 除 的 步 驟 以 及 將 樹 脂 模 型層積 體 空 孔 部 利 用 電 鑄 而使 用 金 屬 予以埋 藏 的步 驟 〇 當 將 感 光 後 的 聚 合 物 利用溶 劑 予 以 去 除 之時 最 好 採 用 對 未 感 光 之 感 光 性 聚 合 物及樹 脂 模 型 材料的 溶 解 度 > 較 小 於 對 感 光 後 之 聚 合 物 及 樹脂模 型 材料 的 溶 解 度 之 溶 劑 〇 此 外 當 利 用 乾式 鈾 刻 將 感光後 的 聚 合 物 予 以 去 除 之 時 最 好 採 用 對 樹 脂 模 型 材料 之蝕刻 速 率 較 小於 對 感 光 後 之 聚 合物之 蝕 刻 速 率 的 蝕 刻 氣體。 固 定於 導 電 性 基 板 上 的樹脂 模 型 最 好 利 用 吸收 與 反射 而 可 阻 me 斷 95%以 上 之 電 子束、 紫 外 線 或 可 見 光 〇 此 類 樹 脂 模 型 最 好 爲 如 :在[ 固定於導電; 基' 板 上 的 底 面 % 與 底 面 之 背 面 的 頂 面 二 者 中 , 於 雙面或 單 面 上 覆 蓋 著 將 電 子 束 紫 外 線 或 可 見光予 以 吸收 或反射之材料 的 態 樣 9 樹 脂 模 型 含 有 將 電 子 束 紫 外 線 或 可見光 予 以 吸 收 或 反 射 之材料 的 態 樣 > 或 者 樹 脂 模 型頂 面 具有使 電 子束 紫 外 線 或 可見光未 垂 直 入 射 的 傾 斜 且 凹 凸 的態樣 〇 在 曝 光 之 際 > 最 好使用 波 長 300 奈 米以下 的 紫 外 線。 [ 實 施 方式 ] 本 發 明 的 金 屬 細 微 構 浩體之 MzL HS 製 造 方法 係 將 樹 脂 模 型 利 用 感 光性 聚 合 物 固 定 於 導電性 -5 基 板 上 而形成 樹 脂 模 型 層 積 1226516 五、 發明說明 ( 4; ) 體 的 步 驟 y 進 行 曝光的步驟;將感光後的聚 合 物予以 去 除 的 步 驟 以 及 在 樹脂模型層積體的空孔部中 埋 藏金屬 的 步 驟 〇 針 對 本 發 明 的 金屬細微構造體之製造方法, ,參照第 1A 圖 Λτβχ IG 圖 所 示 ,槪略的圖示一個實施形態 〇 在 將 樹 脂 模 型 利用感光性聚合物而固定於 導 電性基 板上 並 形 成 樹 脂 模 型層積體的步驟中,如第1 A 圖所示 > 在 導 電 性 基 板 1 1 上利用旋塗法等而形成厚度 數 微米的 感 光 性 聚 合 物 層 12, 然後如第1B圖所示,在感 光性聚合 物 層 12 上層積著具有貫穿厚度方向之空孔部的樹脂模型 13 0 藉 此 而形成 樹 脂 模型層積體2。感光性聚合物層1 2係 發 揮 將 導 電 性 基 板 1 1與樹脂模型1 3予以黏著而 固 定的機 能 〇 藉 由 將 導 電 性 基 板11與樹脂模型1 3堅固的 固 定,便可抑 制 隨 爾 後 步 驟 中 的尺寸變化而造成精確度降 低的現象 發 生 而 且 可 抑 制 導 電性基板11與樹脂模型13 產 生剝落現 象 〇 如 此 除 在 導 電 性基板上形成感光性聚合物 層 之後, 再 於 感 光 性 聚 合 物 層 上固定樹脂模型的態樣之外 亦可在 貫 穿 的 樹 脂 模 型 底 面 上形成感光性聚合物層,再 將 此樹脂 模 型 固 定 於 導 電 性 基 板上的態樣(未圖示)。 感 光性 聚 合 物 係採用經由電子束、紫外線 或 可見光 而 可 使 化 學 組 成 產 生 變化者。換句話說,乃使用 經 由電子 束 、 紫 外 線 或 可見光而使官能基產生變化或分解 等 化學變 化 且 對 溶 劑 屬 於 易 溶化等較易去除的聚合物。 -6 - 本 發明中 特 別 1226516 五、 發明說明(5) 採 用 者 乃藉由經曝光而引起化學變化且容 易去除,而 可 緩 和 去 除 條件,隨此便可減少隨去除所造成的樹脂模型 損 傷 〇 同 樣 的,感光性聚合物係採用在紫外線 (波長10〜400 奈 米 ) 、或可見光區域中具有吸收波長的原 因,乃因爲 紫 外 光 或 可見光較如X光線等更爲普遍性,且 能量較小, 藉 由 曝 光用 光源採用此種能量較小者,便可抑 制樹脂模型 損 傷 的 緣 故所致。在該等光線中,就可輕易的 提昇曝光效 率 之 觀 點 而 言,最好波長在300奈米以下的紫 外線。波長 300 奈 米以 下的紫外線可利用如:XeF燈、或經 ***阻斷波 長 大 於 300 奈米之長波長光線的帶通濾波器之 普通水銀燈 便 可 獲 得 0 藉由該等光源,隨將依光源強度而 異,但是可 獲 得 數 毫 瓦 /平方公分的照度。 本 發 明中所使用的感光性聚合物係具有 此種感光性 同 時 具 有 如前述的黏著性,並具有將樹脂模 型固定於導 電 性 基 板 上 的機能。此類感光性聚合物具體而 言,有如苯 酚 系 樹 脂 酚醛淸漆樹脂等,該等之中,就感 光後可溶於 鹼 性 水 溶 液 中的觀點而言,最好採用以醌二疊 氮化合物爲 主 成 分者 0 此外,感光性聚合物層的厚度最好 爲1〜70微 米 〇 若 較 薄 於1微米的話,將無法獲得足夠的 黏著強度; 反之 若 厚 於7 0微米的I舌’因爲將頗難獲得 垂直的截面 因 此 便 產 生必須將爾後所獲得的金屬細微構 造體之導電 性 基 板 端 1 施行硏磨等而部分去除。 在 第 1A圖中乃例示採用導電性基板11 -7 - 的例子。導 電 性 1226516 五、發明說明(6) 基板厚度乃隨用途而各有不同,從數1〇微米程度的較薄 者,至數釐米以上較厚者,並無特別的限制。此類導電性 基板1 1的材質可爲SUS、A1、Cu等。此外,導電性基板 亦可採用在未具導電性的基板上形成導電性層的層積體( 未圖示)。 具體而言,採用在由S i、玻璃、陶瓷、塑膠等所構成的 基板上,將Ti、Al、Cu等、或由該等合金所構成的導電 性層,利用真空蒸鍍、濺鍍、電鍍、CVD等而所形成者。 此外,在具導電性的基板上,配合需要亦可附上其他種類 的金屬薄膜。 透過感光性聚合物層1 2而固定於導電性基板1 1上的樹 脂模型13,具有貫穿厚度方向的空孔部(第1B圖)。樹脂 模型係在下一步驟之利用電子束、紫外線、或可見光進行 曝光之際,發揮吸收體罩幕的機能,使空孔部底部的感光 性聚合物產生曝光,且爲保護樹脂模型正下方的感光性聚 合物,而保持著導電性基板與樹脂模型間的密接性。此類 樹脂模型的材料有如:聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯、聚碳 酸酯等。 樹脂模型在就從在下一步驟的曝光中所使用的電子束、 紫外線、或可見光中,保護樹脂正下方感光性聚合物層之 機能的較大觀點而言,最好利用吸收與反射,將阻斷95% 以上的電子束、紫外線、或可見光。藉由採用相關樹脂模 型’便可防止樹脂模型從基板上產生剝落的現象,而可輕
1226516 五、發明說明(7) 易且穩定的製造金屬細微構造體。 此類樹脂模型最好爲如:在固定於導電性基板上的底面 、與底面之背面的頂面二者中,於雙面或單面上覆蓋著將 電子束、紫外線或可見光予以吸收或反射之材料的態樣; 樹脂模型含有將電子束、紫外線或可見光予以吸收或反射 之材料的態樣;或者樹脂模型頂面具有使電子束、紫外線 或可見光未垂直入射的傾斜且較容易產生亂反射之凹凸的 態樣。適當組合相關態樣的樹脂模型亦屬有效的,包含著 重於吸收的態樣、著重於反射的態樣、或吸收與反射並重 的態樣。此外,該等態樣即便在因爲樹脂模型較薄而無法 充分發揮當作吸收體罩幕之機能的情況下仍有效。 在固定於導電性基板上的底面、與底面之背面的頂面二 者中,於雙面或單面上覆蓋著將電子束、紫外線或可見光 予以吸收或反射之材料的樹脂模型中,由將電子束、紫外 線或可見光予以吸收或反射之材料所構成的層具有遮光層 的機能,並保護著樹脂模型正下方的感光性聚合物。將由 吸收或反射著電子束、紫外線或可見光之材料所構成的層 ,設置於底面或頂面之情況時,若設計在底面的話將較具 效果。在由吸收或反射著電子束、紫外線或可見光之材料 所構成層、與感光性聚合物層間之距離越短的話,將減少 電子束、紫外線或可見光的繞射現象,而增加保護樹脂模 型正下方之感光性聚合物的效果。將電子束、紫外線或可 見光予以吸收或反射的材料,可使用如:A 1、T i、Cu、C r 1226516 五、發明說明(8) 、An、Ni、Ag等金屬、Cr 203、WN(氮化鎢)等金屬化合物 、或S i 02、A 1 203、S i C、A 1 N等陶瓷。形成於樹脂模型底 面與頂面的方法,可採用濺鍍法、或蒸鍍法等各種方法。 樹脂模型中含有吸收或反射電子束、紫外線或可見光之 材料的態樣,就從阻斷電子束、紫外線或可見光,並保護 樹脂模型正下方之感光性聚合物的機能之較大觀♦點而言, 乃屬較佳狀況。吸收或反射電子束、紫外線或可見光的材 料,可使用如前述的金屬、金屬化合物、或陶瓷。此外, 亦可採用著色劑、紫外線吸收劑等。另外,含有吸收或反 射電子束、紫外線或可見光之材料的樹脂模型態樣中,亦 涵蓋樹脂模型本身便由吸收或反射電子束、紫外線或可見 光的材料所構成。如前述,.曝光中最好採用波長300奈米 以下的紫外線。吸收波長300奈米以下紫外線的樹脂有如 桑來得UXC201(商品名)(三洋化成公司產製)。由桑來得 UXC201所構成的樹脂模型因爲對波長300奈米以下紫外線 的吸收率較大,因此即便樹脂模型厚度較薄,亦仍可輕易 的阻斷95%以上紫外線。因此,特別係即便未使用紫外線 吸收劑覆蓋樹脂模型底面或頂面,亦或未使頂面形成凹凸 的粗糙面、亦或未在樹脂模型中添加紫外線吸收劑的情況 下,仍可輕易的阻斷紫外線,且可使樹脂模型厚度變較薄 〇 樹脂模型的頂面最好具有不致使電子束、紫外線或可見 光垂直射入的傾斜凹凸。藉由依不致使電子束、紫外線或
-10- 1226516 五、發明說明(9) 可見光垂直射入之方式,使樹脂模型頂面傾斜,便可增加 所反射的光量,並可強化樹脂模型正下方的感光性聚合物 之保護。僅要可將反射的光量變大的話,頂面的傾斜角度 便可在考慮製作容易性的前提下進行適當的調整。此外, 若頂面屬於具凹凸之粗糙面的話,將隨亂反射而減少穿透 樹脂模型的光量,俾可保護樹脂模型正下方的感光性聚合 物。相關的粗糙面可利用濺鍍法形成。此外,亦可利用砂 紙等機械加工而形成。爲能隨亂反射而有效的降低所穿透 過的光量,因此樹脂模型頂面的表面粗糙度(算數平均粗 糙度Ra)最好在1微米以上。 在曝光步驟中,利用電子束、紫外線或可見光對樹脂模 型照射1分鐘〜1 0分鐘而進行曝光。當將感光性聚合物塗 布於導電性基板上,並在其上貼附著樹脂模型之情況時, 如第1B圖所示,在樹脂模型層積體2空孔部的底部將存 在感光性聚合物層12a。此外,當在樹脂模型底面塗布上 感光性聚合物之後,並將樹脂模型固定於導電性基板上的 情況(未圖示)下,即便在固定後,多餘的感光性聚合物將 流出於樹脂模型層積體空孔部的底部。在本步驟中,藉由 使樹脂模型層積體進行曝光,便將如第1C圖所示,使樹 脂模型13本身具有吸收體罩幕的機能,使樹脂模型層積 體空孔部底部中的感光性聚合物層12a曝光,而變化爲由 容易利用溶劑或乾式蝕刻而去除的化學組成所構成的聚合 物 1 2 c 〇 -11- 1226516 五、發明說明(1〇) 去除感光後之聚合物的步驟可利用溶劑進行,亦可利用 乾式蝕刻進行。在將樹脂模型空孔部底部的感光後的聚合 物予以去除後的狀態,如第1D圖所示。藉由本步驟,在 樹脂模型層積體的空孔部中將出現導電性基板的潔淨金屬 面。結果,便可利用下一步驟的電鑄,將樹脂模型層積體 空孔部利用金屬均勻的予以埋藏,而可獲得精確度較高的 金屬細微構造體。 在將感光後的聚合物利用溶劑進行去除的步驟中,爲可 將樹脂模型層積體空孔部底部中之感光後的聚合物予以乾 淨的去除,且能保護著樹脂模型正下方的未感光聚合物與 樹脂模型,因此所使用的溶劑(顯影液),最好對未感光之 聚合物與樹脂模型的溶解度,較小於對感光後之聚合物的 溶解度。對樹脂模型材料的溶解度最好在對感光後聚合物 之溶解度的5質量%以下,尤以3質量%以下爲佳。譬如當 感光性聚合物採用苯酚樹脂、酚醛淸漆樹脂或乾膜光阻之 情況時,最好採用具有對樹脂模型未造成影響程度之鹼性 的溶劑(顯影液)。具體而言,當感光性聚合物採用東京應 化產製PMER P-LA100PM之時,鈾刻液最好採用東京應化 產製 PMER P-7G。 在將感光後之聚合物利用乾式鈾刻予以去除的步驟中, 爲可將樹脂模型層積體空孔部底部中之感光後的聚合物予 以乾淨的去除,且能保護著樹脂模型正下方的未感光聚合 物與樹脂模型,因此最好採用對樹脂模型材料之触刻速率 -12- 1226516 五、發明說明(11) ,較小於對感光後聚合物之蝕刻速率的蝕刻氣體。所謂蝕 刻速率係指利用鈾刻氣體的物理、化學效應而去除對象物 的速度。樹脂模型材質有如:聚丙烯或多環芳香族系樹脂 等,最好具有耐乾式蝕刻性的樹脂。當感光性聚合物屬於 低分子量之苯酚系樹脂或酚醛淸漆樹脂之情況時,蝕刻氣 體最好採用如:Ar、SF6、02、CF4、或該等混合氣體。 再者,最好將RF功率設定爲10W〜400W,並將導電性基 板冷卻至〇°C〜-100°C後再執行飩刻處理。若導電性基板成 高溫狀態的話,樹脂膜型正下方之未感光聚合物或樹脂模 型將有隨橫向鈾刻而被侵蝕的傾向。但是,若將導電性基 板設定於〇°C〜-1 00°C之低溫的話,便可抑制對樹脂模型正 下方之未感光聚合物的侵蝕,而可僅選擇性的朝樹脂模型 深度方向進行蝕刻。乾式蝕刻乃因爲操作步驟數較少,且 屬於乾式的步驟,因而不需要多數的洗淨步驟等觀點而言 ,在相較於上述利用溶劑進行去除的方法之下,較具有優 點。 在將感光後聚合物予以去除之後,經由電鑄將樹脂模型 層積體空孔部利用金屬予以埋藏。埋藏金屬後的狀態,如 第1E圖所示。所謂電鑄係指採用金屬離子溶液在導電性 基板上形成金屬層14。在形成金屬層14之後,利用硏磨 或硏削而備齊既定厚度。所獲得金屬細微構造體在附著導 電性基扳的狀態下,便可使用於如電路基板等用途上。此 外,亦可從導電性基板上拆除,而僅使用金屬細微構造體 -13- 1226516 五、發明說明(12) 〇 導電性基板上的樹脂模型去除,可利用氧電漿等之硏磨 加工等方式進行處理。結果便可獲得第1F圖所示構造體 。經由將此構造體從導電性基板上拆除,便可獲得如第1G 圖所示金屬細微構造體1。此金屬細微構造體1乃屬於寬 度數微米〜數100微米,高度至數100微米的構造體,具 有較大的觀點比。此外。亦可製造較複雜的構造體,且亦 不需要零件的組裝作業。之前所例示的樹脂模型可利用 LIGA程序等將所製成的模具進行大量複製,並藉由對其進 行電鑄處理便可大量製造金屬細微構造體。 相關樹脂模型之製造方法,在第2A圖〜第2D圖中,例 示其中一種實施形態。具有凸部24的模具乃如第2A圖所 示。採用此種模具,如第2B圖所示,執行射出成形等的 成型,而製造具凹部的樹脂模型23。去除模具之後的具凹 部之樹脂模型23,如第2C圖所示。樹脂模型的材質乃爲 聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯、聚碳酸酯等。具凹部的樹脂 模型除利用射出成形等成型之外,亦可利用熱硬化或光硬 化進行製造。樹脂模型的材質有如:丙烯酸系樹脂或環氧 系樹脂等。若將樹脂模型23進行硏磨的話,便可獲得如 第2D圖所示貫穿厚度方向的樹脂模型23a。此外,樹脂模 型的硏磨亦可在將樹脂模型黏著於導電性基板上之後才實 施。 本次所揭示的實施形態及實施例全部均僅止於例示而已 -14- 1226516 五、發明說明(13) ,不可認爲是限制。本發明之範圍並非侷限於上述所說明 ,而是利用申請專利範圍所揭示者,舉凡與申請專利範圍 具均等涵義、或在其範圍內的任何變化均涵蓋在內。 【產業上可利用性】 依照本發明的話,採用樹脂模型並藉由樹脂模型損傷較 少的溫和製造條件,便可大量製造精確度較高的金屬細微 構造體。 【圖式簡單說明】 第1A圖〜第1G圖係本發明金屬細微構造體之製造方法 的步驟圖。 第2A圖〜第2D圖係樹脂模型之製造方法的步驟圖。 【元件編號說明】 1 金屬細微構造體 2 樹脂模型層積體 11 導電性基板 12 感光性聚合物層 12a 感光性聚合物層 12c 聚合物 13 樹脂模型 14 金屬層 23 樹脂模型 23a 樹脂模型 24 凸部 -15-
Claims (1)
1226516 六、申請專利範圍 第9 1 1 24994號「金屬微細構造體之 7\申請專利範圍:
4^· f e j 正) 1 . 一種金屬細微構造體之製造方法,其特徵在於包括: 透過利用電子束、紫外線或可見光而使化學組成產生 變化的感光性聚合物(1 2 )’將具有貫穿厚度方向之空 孔部的樹脂模型(1 3 )固定於導電性基板(丨丨)上,而形成 樹脂模型層積體(2 )的步驟; 利用電子束、紫外線或可見光將該樹脂模型層積體(2 ) 進行曝光的步驟; 將該樹脂模型(1 3 )空孔部中所存在的感光後之聚合物 (1 2 c )予以去除的步驟;以及 將該樹脂模型層積體(2 )空孔部利用電鑄而使用金屬 (1 4 )予以埋藏的步驟。 2 ·如申請專利範圍第丨項之金屬細微構造體之製造方法, 其中在將該樹脂模型(1 3 )之空孔部中所存在感光後的聚 合物(12c)予以去除的步驟中,係採用對未感光之感光 性聚合物(1 2b )及樹脂模型(1 3 )材料的溶解度,較小於 對感光後之聚合物(1 2c )的溶解度之溶劑來加以去除。 3 ·如申請專利範圍第1項之金屬細微構造體之製造方法, 其中在將該樹脂模型(1 3 )之空孔部中所存在感光後的聚 合物(12c)予以去除的步驟中,係採用對樹脂模型(13) 材料之蝕刻速率,較小於對感光後之聚合物(1 2c )之蝕 1226516 六、申請專利範圍 刻速率的蝕刻氣體,進行乾式蝕刻處理。 4 .如申請專利範圍第1項之金屬細微構造體之製造方法, 其中該樹脂模型(1 3 )係利用吸收與反射而可阻斷9 5%以 上之電子束、紫外線或可見光。 5 ·如申請專利範圍第4項之金屬細微構造體之製造方法, 其中該樹脂模型(1 3 )係在固定於導電性基板(1 1 )上的底 面、與底面之背面的頂面二者中,於雙面或單面上覆蓋 著將該電子束、紫外線或可見光予以吸收或反射之材料 〇 6 ·如申請專利範圍第4項之金屬細微構造體之製造方法, 其中該樹脂模型(1 3 )係含有將該電子束、紫外線或可見 光予以吸收或反射之材料。 7 ·如申請專利範圍第4項之金屬細微構造體之製造方丨去, 其中該樹脂模型(1 3 )頂面係具有使該電子束、紫外線^ 可見光不能垂直入射的傾斜凹凸。 8 ·如申請專利範圍第4項之金屬細微構造體之製造方?去, 其中該紫外線係波長300奈米以下。 -2 -
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001330652 | 2001-10-29 | ||
JP2002295077A JP3750646B2 (ja) | 2001-10-29 | 2002-10-08 | 金属微細構造体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI226516B true TWI226516B (en) | 2005-01-11 |
Family
ID=26624159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091124994A TWI226516B (en) | 2001-10-29 | 2002-10-25 | Process for producing metal microstructure |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7105281B2 (zh) |
EP (1) | EP1440931A4 (zh) |
JP (1) | JP3750646B2 (zh) |
KR (1) | KR20050039689A (zh) |
CN (1) | CN1578753A (zh) |
TW (1) | TWI226516B (zh) |
WO (1) | WO2003037783A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE388542T1 (de) | 1999-12-13 | 2008-03-15 | Broadcom Corp | Sprach-durchgangsvorrichtung mit sprachsynchronisierung in abwärtsrichtung |
JP3750646B2 (ja) | 2001-10-29 | 2006-03-01 | 住友電気工業株式会社 | 金属微細構造体の製造方法 |
JP2004009144A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | マイクロ部品の製造方法 |
TW592003B (en) | 2003-07-04 | 2004-06-11 | Sentelic Corp | Method for using a printed circuit substrate to manufacture a micro structure |
JP4581784B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2010-11-17 | 住友ベークライト株式会社 | マイクロチャネル基板作製用鋳型の作製方法 |
JP2007000964A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Tohoku Univ | 樹脂製マイクロマシン部品の製造方法 |
JP4769962B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2011-09-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 金属系微細構造物の作製方法及びその装置 |
KR100992269B1 (ko) * | 2008-06-02 | 2010-11-05 | 삼성전기주식회사 | 도금층 형성 방법 |
EP2555001A1 (en) * | 2010-03-30 | 2013-02-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Contact probe, contact probe connecting body and methods for manufacturing same |
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DE102011088793A1 (de) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Elektrischer Steckverbinder mit mikrostrukturiertem Kontaktelement |
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---|---|---|---|---|
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JP3750646B2 (ja) | 2001-10-29 | 2006-03-01 | 住友電気工業株式会社 | 金属微細構造体の製造方法 |
-
2002
- 2002-10-08 JP JP2002295077A patent/JP3750646B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-25 TW TW091124994A patent/TWI226516B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-25 CN CNA02821630XA patent/CN1578753A/zh active Pending
- 2002-10-25 KR KR1020047005423A patent/KR20050039689A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-10-25 WO PCT/JP2002/011120 patent/WO2003037783A1/ja active Application Filing
- 2002-10-25 US US10/492,918 patent/US7105281B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-25 EP EP02777967A patent/EP1440931A4/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-08-14 US US11/503,303 patent/US7338753B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1440931A1 (en) | 2004-07-28 |
JP2003200396A (ja) | 2003-07-15 |
US7338753B2 (en) | 2008-03-04 |
JP3750646B2 (ja) | 2006-03-01 |
US20040248421A1 (en) | 2004-12-09 |
EP1440931A4 (en) | 2008-03-26 |
WO2003037783A1 (fr) | 2003-05-08 |
US7105281B2 (en) | 2006-09-12 |
CN1578753A (zh) | 2005-02-09 |
US20060276044A1 (en) | 2006-12-07 |
KR20050039689A (ko) | 2005-04-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |