JPH06188175A - 微細構造体の形成方法 - Google Patents
微細構造体の形成方法Info
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- JPH06188175A JPH06188175A JP34018092A JP34018092A JPH06188175A JP H06188175 A JPH06188175 A JP H06188175A JP 34018092 A JP34018092 A JP 34018092A JP 34018092 A JP34018092 A JP 34018092A JP H06188175 A JPH06188175 A JP H06188175A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の形成
方法を提供する。 【構成】 基板9上にレジスト層10を形成し、シンク
ロトロン放射光(SR光)を用いてレジスト層10を露
光する際に、マスク8の表面上に傾斜した側面7aを有
する吸収体7を形成し、傾斜した側面7aを有する吸収
体7が形成されたマスク8を用いて、シンクロトロン放
射光によりレジスト層10を露光する。次に、露光した
レジスト層10を現像することにより、開口部を有する
レジストパターン11を形成し、開口部に埋め込まれる
ように材料を基板1上に堆積する。
方法を提供する。 【構成】 基板9上にレジスト層10を形成し、シンク
ロトロン放射光(SR光)を用いてレジスト層10を露
光する際に、マスク8の表面上に傾斜した側面7aを有
する吸収体7を形成し、傾斜した側面7aを有する吸収
体7が形成されたマスク8を用いて、シンクロトロン放
射光によりレジスト層10を露光する。次に、露光した
レジスト層10を現像することにより、開口部を有する
レジストパターン11を形成し、開口部に埋め込まれる
ように材料を基板1上に堆積する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は微細構造体の形成方法に
関し、特に傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の形成
方法に関する。
関し、特に傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の形成
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置の製造技術を応用し
て、極めて微細な構造体を形成する微細加工技術の研究
が近年活発になってきている。その中で、X線を使った
深いリソグラフィーと電解メッキで高アスペクト比の微
細構造体を形成するLIGA(Lithograph
Galvanformung and Abformu
ng)法は、特に注目されるところである。NIKKE
I MECHANICAL 1990.11.26およ
びMEMS 1991(Micro Electro
Mechanical Systems Worksh
op)のプロシーディングスに示される従来のLIGA
法について基本工程を以下に示す。図6を参照して、ま
ず図6(a)に示すように、典型的にはポリメチルメタ
クリレート(PMMA)を材料とするレジスト層102
を望みの高さ(0.1mm〜1mm)で基板101上に
形成した後、金などの重金属の吸収材100aをパター
ンとするマスク100を用い、シンクロトロン放射のX
線(以下SR光と略記)でレジスト層102を露光す
る。次いで現像を行なえば、図6(b)に示すように、
100以上のアスペクト比を有するレジストパターン1
03が得られる。次に、レジストパターン103を有す
る基板をメッキ液に漬け、電気メッキによって金属の構
造体104を堆積させる(図6(c))。この工程にお
いて、ニッケル(Ni)、銅(Cu)または金(Au)
などを堆積させることができる。続いて、図6(d)に
示すように、レジスト材を除いて得られた金属の構造体
104を鋳型として、誘電性プラスチックのモールド材
105を構造体104に充填する。さらに、図6(e)
に示すように、モールド材105に従い、誘電性プラス
チック106と導電性プラスチックシート107からプ
ラスチック型108を形成する。続いて、図6(f)に
示すようにモールド材105を分離して、プラスチック
型108を準備する。プラスチック型108の谷間に電
鋳により金属109を堆積させる(図6(g))。次
に、プラスチック型108を除くと、微細な金属構造体
110を得ることができる(図6(h))。
て、極めて微細な構造体を形成する微細加工技術の研究
が近年活発になってきている。その中で、X線を使った
深いリソグラフィーと電解メッキで高アスペクト比の微
細構造体を形成するLIGA(Lithograph
Galvanformung and Abformu
ng)法は、特に注目されるところである。NIKKE
I MECHANICAL 1990.11.26およ
びMEMS 1991(Micro Electro
Mechanical Systems Worksh
op)のプロシーディングスに示される従来のLIGA
法について基本工程を以下に示す。図6を参照して、ま
ず図6(a)に示すように、典型的にはポリメチルメタ
クリレート(PMMA)を材料とするレジスト層102
を望みの高さ(0.1mm〜1mm)で基板101上に
形成した後、金などの重金属の吸収材100aをパター
ンとするマスク100を用い、シンクロトロン放射のX
線(以下SR光と略記)でレジスト層102を露光す
る。次いで現像を行なえば、図6(b)に示すように、
100以上のアスペクト比を有するレジストパターン1
03が得られる。次に、レジストパターン103を有す
る基板をメッキ液に漬け、電気メッキによって金属の構
造体104を堆積させる(図6(c))。この工程にお
いて、ニッケル(Ni)、銅(Cu)または金(Au)
などを堆積させることができる。続いて、図6(d)に
示すように、レジスト材を除いて得られた金属の構造体
104を鋳型として、誘電性プラスチックのモールド材
105を構造体104に充填する。さらに、図6(e)
に示すように、モールド材105に従い、誘電性プラス
チック106と導電性プラスチックシート107からプ
ラスチック型108を形成する。続いて、図6(f)に
示すようにモールド材105を分離して、プラスチック
型108を準備する。プラスチック型108の谷間に電
鋳により金属109を堆積させる(図6(g))。次
に、プラスチック型108を除くと、微細な金属構造体
110を得ることができる(図6(h))。
【0003】LIGA法は、マイクロマシーン、光学素
子、センサおよびアクチュエータなどの製造に利用する
ことができ、その応用範囲は非常に広い。
子、センサおよびアクチュエータなどの製造に利用する
ことができ、その応用範囲は非常に広い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上に示してきた従来
のLIGA法によって、さらにマイクロギア等の種々の
構造体を形成することができる。しかしながら、従来の
LIGA法により形成されてきた構造体は、図6(h)
を参照して、基板に対して水平方向の面110aではさ
まざまな形状を取ることができた一方、基板に対して垂
直方向の面110bでは切り立った壁のような形状がほ
とんどであり、基板に対して、傾斜した側面、たとえ
ば、テーパ形状、逆テーパ形状、V溝形状等を有する溝
を含む微細構造体を形成するのは困難であった。
のLIGA法によって、さらにマイクロギア等の種々の
構造体を形成することができる。しかしながら、従来の
LIGA法により形成されてきた構造体は、図6(h)
を参照して、基板に対して水平方向の面110aではさ
まざまな形状を取ることができた一方、基板に対して垂
直方向の面110bでは切り立った壁のような形状がほ
とんどであり、基板に対して、傾斜した側面、たとえ
ば、テーパ形状、逆テーパ形状、V溝形状等を有する溝
を含む微細構造体を形成するのは困難であった。
【0005】本発明は、微細構造体の形成方法に関し、
所望の微細かつ複雑な形状を有する面と、外面の側面と
して、傾斜側面を有する溝を含む微細構造体を形成す
る、微細構造体の形成方法を提供することを目的とす
る。
所望の微細かつ複雑な形状を有する面と、外面の側面と
して、傾斜側面を有する溝を含む微細構造体を形成す
る、微細構造体の形成方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に従う微細構造体
の形成方法は、傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の
形成方法であって、基板上にレジスト層を形成する工程
と、表面上に傾斜した側面を有する吸収体を備えたマス
クを介して、光を用いてレジスト層を露光する工程と、
露光したレジスト層を現像して、マスクの吸収体の傾斜
側面に対応する傾斜側面を有する開口部を含むレジスト
パターンを形成する工程と、開口部に埋め込まれるよう
に材料を堆積する工程とを備える。
の形成方法は、傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の
形成方法であって、基板上にレジスト層を形成する工程
と、表面上に傾斜した側面を有する吸収体を備えたマス
クを介して、光を用いてレジスト層を露光する工程と、
露光したレジスト層を現像して、マスクの吸収体の傾斜
側面に対応する傾斜側面を有する開口部を含むレジスト
パターンを形成する工程と、開口部に埋め込まれるよう
に材料を堆積する工程とを備える。
【0007】
【作用】本発明に従う微細構造体の形成方法によれば、
マスクの表面上に形成された吸収体は傾斜した側面を有
する。傾斜した側面を有する吸収体が形成されたマスク
を介して、光を用いてレジスト層を露光すると、吸収体
の膜厚の厚い部分では、光が吸収体に吸収されるが、吸
収体の膜厚の薄い部分では、光の一部が吸収体を透過し
てレジスト層へ到達し、レジスト層を露光する。吸収体
を透過する光の光量は、吸収体の膜厚が薄くなるにつれ
て大きくなる。
マスクの表面上に形成された吸収体は傾斜した側面を有
する。傾斜した側面を有する吸収体が形成されたマスク
を介して、光を用いてレジスト層を露光すると、吸収体
の膜厚の厚い部分では、光が吸収体に吸収されるが、吸
収体の膜厚の薄い部分では、光の一部が吸収体を透過し
てレジスト層へ到達し、レジスト層を露光する。吸収体
を透過する光の光量は、吸収体の膜厚が薄くなるにつれ
て大きくなる。
【0008】また、レジスト層の露光の深さは、光の光
量に依存し、光の単位面積当たりの光量が多い部分ほど
深くなる。
量に依存し、光の単位面積当たりの光量が多い部分ほど
深くなる。
【0009】すなわち、マスクの表面上に傾斜した側面
を有する吸収体を形成し、傾斜した側面を有する吸収体
が形成されたマスク用いて、光を用いてレジスト層を露
光すると、レジスト層は、深さ方向に傾斜した状態に露
光される。次に、露光したレジスト層を現像することに
より、レジストパターンを形成すると、このレジストパ
ターンは、マスクの吸収体の傾斜側面に対応する傾斜側
面を有する開口部を含むレジストパターンとなる。この
レジストパターンの開口部に埋め込まれるように材料を
基板上に堆積すると、この材料には、レジストパターン
の反転パターンが形成される。本発明に従う微細構造体
の形成方法によれば、基板に水平な方向の面に所望の高
精度の、かつ再現性のよいさまざまな微細かつ複雑な形
状を有する面と、外面の側面として、たとえば、テーパ
形状、逆テーパ形状、V溝形状等の傾斜した側面を有す
る溝を含む微細構造体を形成することができる。
を有する吸収体を形成し、傾斜した側面を有する吸収体
が形成されたマスク用いて、光を用いてレジスト層を露
光すると、レジスト層は、深さ方向に傾斜した状態に露
光される。次に、露光したレジスト層を現像することに
より、レジストパターンを形成すると、このレジストパ
ターンは、マスクの吸収体の傾斜側面に対応する傾斜側
面を有する開口部を含むレジストパターンとなる。この
レジストパターンの開口部に埋め込まれるように材料を
基板上に堆積すると、この材料には、レジストパターン
の反転パターンが形成される。本発明に従う微細構造体
の形成方法によれば、基板に水平な方向の面に所望の高
精度の、かつ再現性のよいさまざまな微細かつ複雑な形
状を有する面と、外面の側面として、たとえば、テーパ
形状、逆テーパ形状、V溝形状等の傾斜した側面を有す
る溝を含む微細構造体を形成することができる。
【0010】
【実施例】本発明に従って、テーパ形状の側面を有する
溝を含む微細構造体の形成方法について、図1〜図3を
参照しながら以下に説明する。
溝を含む微細構造体の形成方法について、図1〜図3を
参照しながら以下に説明する。
【0011】(1) 傾斜した側面を有する吸収体を表
面上に有するマスクの作製 図1(a)を参照して、400μmの厚みを有するシリ
コン(Si)ウエハ1の表面と裏面のそれぞれに、CV
D法によりSiN層2、3を形成した。次に、図1
(b)に示す工程において、SiN層2の表面上に、吸
収体を形成する材料として、スパッタリングによりタン
グステン(W)層4を形成した。次に、図1(c)に示
す工程において、タングステン(W)層4の表面上に、
レジスト(OFPR−800、東京応化製)を滴下し、
スピンコート法により、基板1の回転数を3000r.
p.m.にし、レジスト層5を、1.5μm厚に均一に
塗布した。次に、ホットプレート(図示せず)上で、レ
ジスト層5が形成された基板1を120℃で、90秒間
加熱するプリベーク処理を行なった。次に、図1(d)
に示す工程において、レジスト層5が形成された基板1
をコンタクトアライナ(PLA501、キャノン製)内
に収容して、7秒間の露光を行なった後、現像液(NM
D−W、東京応化製)中に、露光したレジスト層5を有
する基板1を浸漬し、現像した。そして、現像後、現像
したレジスト層を有する基板1をホットプレート(図示
せず)上で、160℃で、120秒間加熱するポストベ
ーク処理を行なうことにより、レジスト層5について、
レジストパターン6を形成した。次に、図2(a)に示
す工程において、反応性イオンエッチング装置(RIE
装置)を用いて、レジストパターン6をマスクとして用
い、タングステン(W)層4を、以下の条件でエッチン
グすることにより、傾斜し側面、すなわち、テーパ形状
の側面を有する吸収体7をSiN層2の表面上に形成し
た。
面上に有するマスクの作製 図1(a)を参照して、400μmの厚みを有するシリ
コン(Si)ウエハ1の表面と裏面のそれぞれに、CV
D法によりSiN層2、3を形成した。次に、図1
(b)に示す工程において、SiN層2の表面上に、吸
収体を形成する材料として、スパッタリングによりタン
グステン(W)層4を形成した。次に、図1(c)に示
す工程において、タングステン(W)層4の表面上に、
レジスト(OFPR−800、東京応化製)を滴下し、
スピンコート法により、基板1の回転数を3000r.
p.m.にし、レジスト層5を、1.5μm厚に均一に
塗布した。次に、ホットプレート(図示せず)上で、レ
ジスト層5が形成された基板1を120℃で、90秒間
加熱するプリベーク処理を行なった。次に、図1(d)
に示す工程において、レジスト層5が形成された基板1
をコンタクトアライナ(PLA501、キャノン製)内
に収容して、7秒間の露光を行なった後、現像液(NM
D−W、東京応化製)中に、露光したレジスト層5を有
する基板1を浸漬し、現像した。そして、現像後、現像
したレジスト層を有する基板1をホットプレート(図示
せず)上で、160℃で、120秒間加熱するポストベ
ーク処理を行なうことにより、レジスト層5について、
レジストパターン6を形成した。次に、図2(a)に示
す工程において、反応性イオンエッチング装置(RIE
装置)を用いて、レジストパターン6をマスクとして用
い、タングステン(W)層4を、以下の条件でエッチン
グすることにより、傾斜し側面、すなわち、テーパ形状
の側面を有する吸収体7をSiN層2の表面上に形成し
た。
【0012】
【表1】 次に、図2(b)に示す工程において、以下の条件で、
シリコン(Si)ウエハ1を、20%の水酸化カリウム
(KOH)水溶液を用いバックエッチングすることによ
り、傾斜した側面を有する吸収体7を表面上に有するマ
スク8を作成した。
シリコン(Si)ウエハ1を、20%の水酸化カリウム
(KOH)水溶液を用いバックエッチングすることによ
り、傾斜した側面を有する吸収体7を表面上に有するマ
スク8を作成した。
【0013】(2) テーパ形状の傾斜面を有する溝を
含む微細構造体の作製 次に、図2(c)に示す工程において、シリコン(S
i)ウエハ等からなる基板9上に、たとえば、PMMA
をベースとするレジスト層10を50μm厚で形成した
後、上記、図2(b)に示す工程において作成した、テ
ーパ形状の傾斜面を有する吸収体7を表面に有するマス
ク8を用いて、シンクロトロン放射光装置(電総研TE
RAS)を用い、ピーク波長10Åのシンクロトロン放
射光(SR光)を、照射条件100mA・時間で照射
し、レジスト層10を露光した。
含む微細構造体の作製 次に、図2(c)に示す工程において、シリコン(S
i)ウエハ等からなる基板9上に、たとえば、PMMA
をベースとするレジスト層10を50μm厚で形成した
後、上記、図2(b)に示す工程において作成した、テ
ーパ形状の傾斜面を有する吸収体7を表面に有するマス
ク8を用いて、シンクロトロン放射光装置(電総研TE
RAS)を用い、ピーク波長10Åのシンクロトロン放
射光(SR光)を、照射条件100mA・時間で照射
し、レジスト層10を露光した。
【0014】次に、図2(d)に示す工程において、図
2(c)に示す工程で、シンクロトロン放射光(SR
光)により露光したレジスト層10を有する基板9を、
Mibk原液(現像液)中に、2分間浸漬することによ
り、基板9上にテーパ形状の傾斜面を有する側面11a
を含むレジストパターン11を形成した。
2(c)に示す工程で、シンクロトロン放射光(SR
光)により露光したレジスト層10を有する基板9を、
Mibk原液(現像液)中に、2分間浸漬することによ
り、基板9上にテーパ形状の傾斜面を有する側面11a
を含むレジストパターン11を形成した。
【0015】次に、図3(a)に示す工程において、電
気メッキにより、基板9上に形成されたレジストパター
ン11の開口部11aに埋め込まれるように、ニッケル
(Ni)の金属を堆積し、レジストパターン11と反転
パターンの逆テーパ形状の傾斜面を有する側面12aを
有する金属構造体12を形成した。続いて、図3(b)
に示す工程において、レジストを除いて得られた金属構
造体12を鋳型として、誘電性プラスチックのモールド
材13を金属構造体12に充填する。次に、図3(c)
に示す工程において、モールド材13に従い、誘電性プ
ラスチック14と導電性プラスチックシート15とから
なるプラスチック型16を形成する。次に、図3(d)
に示す工程においてモールド材13を分離して、プラス
チック型16を準備する。次に、図3(e)に示す工程
において,プラスチック型16の谷間に電鋳により金属
17を堆積させる。次に、図3(f)に示す工程におい
て、プラスチック型16を除くことにより、テーパ形状
の傾斜面18bを有する側面を有する溝を含む微細構造
体18を形成することができる。
気メッキにより、基板9上に形成されたレジストパター
ン11の開口部11aに埋め込まれるように、ニッケル
(Ni)の金属を堆積し、レジストパターン11と反転
パターンの逆テーパ形状の傾斜面を有する側面12aを
有する金属構造体12を形成した。続いて、図3(b)
に示す工程において、レジストを除いて得られた金属構
造体12を鋳型として、誘電性プラスチックのモールド
材13を金属構造体12に充填する。次に、図3(c)
に示す工程において、モールド材13に従い、誘電性プ
ラスチック14と導電性プラスチックシート15とから
なるプラスチック型16を形成する。次に、図3(d)
に示す工程においてモールド材13を分離して、プラス
チック型16を準備する。次に、図3(e)に示す工程
において,プラスチック型16の谷間に電鋳により金属
17を堆積させる。次に、図3(f)に示す工程におい
て、プラスチック型16を除くことにより、テーパ形状
の傾斜面18bを有する側面を有する溝を含む微細構造
体18を形成することができる。
【0016】なお、本実施例によれば、図2(a)に示
す工程において、タングステン(W)層4をエッチング
する条件を変えることにより、吸収体7の側面の傾斜面
の形状を種々の形状に変えることができる。傾斜面の形
状を変化させるパラメータとしては、たとえば、基板1
の温度、エッチングガスの種類等を挙げることができ
る。
す工程において、タングステン(W)層4をエッチング
する条件を変えることにより、吸収体7の側面の傾斜面
の形状を種々の形状に変えることができる。傾斜面の形
状を変化させるパラメータとしては、たとえば、基板1
の温度、エッチングガスの種類等を挙げることができ
る。
【0017】一般に、基板1の温度を下げると、吸収体
7の側面7aは、基板1に対し垂直方向に形成され、基
板1の温度を上昇させるに従って、吸収体7の側面7a
は、基板1に対して傾斜した状態で形成される。
7の側面7aは、基板1に対し垂直方向に形成され、基
板1の温度を上昇させるに従って、吸収体7の側面7a
は、基板1に対して傾斜した状態で形成される。
【0018】本実施例では、図2(b)を参照して、基
板1の温度が約−30℃以下では、吸収体7の側面7a
は、基板1に対して垂直方向に形成され、基板1の温度
を約−30℃以上にすると、吸収体7の側面7aは、基
板1に対して傾斜した状態で形成された。吸収体7の側
面7aの基板に対する傾斜角θは、温度依存的であり、
−30℃以下であれば、低温であればあるほど、垂直方
向になる傾向が観察された。
板1の温度が約−30℃以下では、吸収体7の側面7a
は、基板1に対して垂直方向に形成され、基板1の温度
を約−30℃以上にすると、吸収体7の側面7aは、基
板1に対して傾斜した状態で形成された。吸収体7の側
面7aの基板に対する傾斜角θは、温度依存的であり、
−30℃以下であれば、低温であればあるほど、垂直方
向になる傾向が観察された。
【0019】図4は、基板温度が約−30℃以上の温度
範囲における、SF6 ガスを1つだけ用いた場合の吸収
体7の断面形状を拡大して、概略的に示す断面図であ
る。図4を参照して、SF6 ガスを1つだけ用いた場合
は、基板温度が約−30℃以上の温度範囲では、通常、
台形形状の断面を有する吸収体71が形成され、吸収体
71は、その表面71Sの近傍で、側面71aが若干内
側に括れた部分71bを有する形状となる。
範囲における、SF6 ガスを1つだけ用いた場合の吸収
体7の断面形状を拡大して、概略的に示す断面図であ
る。図4を参照して、SF6 ガスを1つだけ用いた場合
は、基板温度が約−30℃以上の温度範囲では、通常、
台形形状の断面を有する吸収体71が形成され、吸収体
71は、その表面71Sの近傍で、側面71aが若干内
側に括れた部分71bを有する形状となる。
【0020】図5は、基板温度が約−30℃以上の温度
範囲の一定温度における、エッチングガスの種類の影響
を概略的に示す吸収体71の概略的な断面図である。
範囲の一定温度における、エッチングガスの種類の影響
を概略的に示す吸収体71の概略的な断面図である。
【0021】図5(a)は、上述した基板温度が約−3
0℃以上の温度範囲における一定温度においてSF6 ガ
スを1つだけ用いた場合の吸収体71の断面形状を概略
的に示す断面図である。なお、図5(a)は、図4に示
す断面形状と同様であるので、相当する部分には同一の
参照符号を付してその説明を省略する。
0℃以上の温度範囲における一定温度においてSF6 ガ
スを1つだけ用いた場合の吸収体71の断面形状を概略
的に示す断面図である。なお、図5(a)は、図4に示
す断面形状と同様であるので、相当する部分には同一の
参照符号を付してその説明を省略する。
【0022】図5(b)を参照して、図5(b)は、基
板温度が約−30℃以上の温度範囲で一定温度下におい
て、SF6 ガスにCHF3 ガス微量加えることにより形
成された吸収体71を概略的に示す断面図である。SF
6 ガスにCHF3 ガス微量ずつ添加すると、括れ部分7
1bは消失する傾向にあり、SF6 ガスに対しCHF 3
ガスの添加量を増加するに従って、吸収体71の側面7
1aの基板1に対する傾斜角θは、垂直方向になる。図
5(c)を参照して、SF6 ガスに対しCHF 3 ガスを
さらに添加していくと、吸収体71の側面71aの基板
に対する傾斜角θは、CHF3 ガスの添加量に依存し
て、再び鋭角となる傾向にあった。
板温度が約−30℃以上の温度範囲で一定温度下におい
て、SF6 ガスにCHF3 ガス微量加えることにより形
成された吸収体71を概略的に示す断面図である。SF
6 ガスにCHF3 ガス微量ずつ添加すると、括れ部分7
1bは消失する傾向にあり、SF6 ガスに対しCHF 3
ガスの添加量を増加するに従って、吸収体71の側面7
1aの基板1に対する傾斜角θは、垂直方向になる。図
5(c)を参照して、SF6 ガスに対しCHF 3 ガスを
さらに添加していくと、吸収体71の側面71aの基板
に対する傾斜角θは、CHF3 ガスの添加量に依存し
て、再び鋭角となる傾向にあった。
【0023】基板1温度を60℃に固定した場合、SF
6 ガスの流量を25sccmとし、CHF3 ガスの流量
を25sccmとすると、ほぼ完全な断面が台形形状の
吸収体を形成することができた。
6 ガスの流量を25sccmとし、CHF3 ガスの流量
を25sccmとすると、ほぼ完全な断面が台形形状の
吸収体を形成することができた。
【0024】また、基板1温度を60℃に固定した場
合、SF6 ガスの流量と、CHF3 ガスの流量との合計
のガス流量を50sccmとした場合、CHF3 ガスの
流量が、約5sccm以下の範囲、または、約10sc
cm以上の範囲では、マスク吸収体の側面の基板1に対
する傾斜角は鋭角であり、CHF3 ガスの流量が約5s
ccm〜10sccmの範囲では、マスク吸収体の側面
の基板1に対する傾斜角は、ほぼ90゜となる傾向にあ
った。
合、SF6 ガスの流量と、CHF3 ガスの流量との合計
のガス流量を50sccmとした場合、CHF3 ガスの
流量が、約5sccm以下の範囲、または、約10sc
cm以上の範囲では、マスク吸収体の側面の基板1に対
する傾斜角は鋭角であり、CHF3 ガスの流量が約5s
ccm〜10sccmの範囲では、マスク吸収体の側面
の基板1に対する傾斜角は、ほぼ90゜となる傾向にあ
った。
【0025】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に従え
ば、基板に対して、傾斜側面を有する溝を含む開口部を
有するレジストパターンが形成されるので、このレジス
トパターンに従って、傾斜側面を有する溝を含む微細構
造体を形成することができる。
ば、基板に対して、傾斜側面を有する溝を含む開口部を
有するレジストパターンが形成されるので、このレジス
トパターンに従って、傾斜側面を有する溝を含む微細構
造体を形成することができる。
【図1】本発明に従う微細構造体の形成方法の一実施例
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
【図2】本発明に従う微細構造体の形成方法の一実施例
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
【図3】本発明に従う微細構造体の形成方法の一実施例
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
としての形成工程を概略的に示す工程図である。
【図4】本発明に従って形成される吸収体の断面を拡大
して概略的に示す断面図である。
して概略的に示す断面図である。
【図5】CHF3 ガスの吸収体の側面へ及ぼす影響を示
す断面図である。
す断面図である。
【図6】従来のLIGA法の工程を概略的に示す工程図
である。
である。
1 シリコンウエハ 2、3 SiN層 5、10 レジスト層 6、11 レジストパターン 7、71 吸収体 7a、71a 側面 71b 括れ部 8 マスク 9 基板 11a レジストパターンの側面 12 金属構造体 13 モールド材 14 誘電性プラスチック 15 導電性プラスチックシート 16 プラスチック型 17 金属 18 金属構造体 18b 傾斜面
Claims (1)
- 【請求項1】 傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の
形成方法であって、 基板上にレジスト層を形成する工程と、 表面上に傾斜した側面を有する吸収体を備えたマスクを
介して、光を用いて前記レジスト層を露光する工程と、 前記露光したレジスト層を現像して、前記マスクの吸収
体の傾斜側面に対応する傾斜側面を有する開口部を含む
レジストパターンを形成する工程と、 前記開口部に埋め込まれるように材料を堆積する工程と
を備えた、微細構造体の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34018092A JPH06188175A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 微細構造体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34018092A JPH06188175A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 微細構造体の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06188175A true JPH06188175A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18334491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34018092A Pending JPH06188175A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 微細構造体の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06188175A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1988005923A1 (en) * | 1987-02-02 | 1988-08-11 | Hitachi, Ltd. | Portable dosimeter and intensive exposure control apparatus using the same |
JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | X線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
JP2008209957A (ja) * | 1997-07-24 | 2008-09-11 | Optnics Precision Co Ltd | X線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP34018092A patent/JPH06188175A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1988005923A1 (en) * | 1987-02-02 | 1988-08-11 | Hitachi, Ltd. | Portable dosimeter and intensive exposure control apparatus using the same |
JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | X線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
JP2008209957A (ja) * | 1997-07-24 | 2008-09-11 | Optnics Precision Co Ltd | X線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020604 |