TWI223569B - Method for reducing light quantity of organic EL panel and organic EL panel - Google Patents
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Description
1223569 五、發明說明（1) [發明所屬之技術領域] 本發明係關於有機電場發光（Electroluminescence， EL)面板之缺陷晝素的修復。 [先前技術] 、直以來’有機EL顯示面板係作為平面顯示面板之〜 種而為人/斤知。該有機EL顯示面板，不同於液晶顯示面板 (LCD )’/系自發光者，而被期待能成為明亮且容易觀看的 平面顯示面板而普及。
查该有機EL顯示器係以有機EL元件做為畫素，並將多數 旦素S^置成矩陣狀而構成。此外，該有機EL元件之驅動方 =、’與LCD一樣有被動方式與主動方式，但與LCD—樣一般 =為主，方式較佳。換言之，於每一畫素中設置開關用元 '，並藉由控制該開關用元件來控制各晝素之顯示的主動 Ϊ陣^式丄較之於每一晝素中不具有開關用元件的被動方 式更容易貫現高精細的畫面，故較為理想。
此外、’ LCD方面，係採用1個開關元件（TFT)並直接將 碣關元件^連接於晝素電極，而有機Μ面板，則使用2個το 2 1個電谷。第1 1圖顯示利用傳統之薄膜電晶體（TFT)之有 ^ EL面板中的晝素電路的構成例。有機EL面板，係將該種 旦素以矩陣方式配置而構成。
由問極線所選擇的η通道薄膜電晶體之第一 TFT 1 〇的 閘極係連接於朝列方向延伸的閘極線上。朝行方向延伸的 資料線連接於該第一 TFT 10之汲極，而另一端連接於 低電壓之電源的電容線SL的保持電容CS則連接於第一 TFT
-06' # Ϊ „ ； 10^ ^ cs^ ^ ^ 係連接於p通遏缚膜電晶體之第二TFT 4〇之閘極上。 連i於=二TFT 40之源極係連接於電源線VL，而汲極則 因此，閘極線GL於高（H)位準時第一 TFT 10形成導通 i〇N)，，此時的資料線DL的資料則保持於保持電容^之 二接者，對應維持於該保持電容cs的資料（電位），以控 二弟—TFT 40之電流，而電流則隨著該第二TFT 4〇之電流 &入有機EL元件EL而產生發光。 ；1 接著，於第一 TFT 10導通時，將對應該晝素之視頻 v 1 deo )—訊號供給至資料線DL。因此，保持電容cs可對應 供給至資料線DL之視頻訊號而進行充電，並藉此有第二^ TFT 40所對應之電流流通，以控制有機EL元件Ek亮度。 亦即，係控制第二T F T 4 0之閘極電位而控制流入有機E [元 件之電流而進行各畫素之色調顯示。 斤該種有機EL面板，有時在設置於各晝素的第一 TFT 1〇 或第二TFT 40中會產生缺陷。當TFT有固定在使流入有機 EL元件之電流關斷（〇FF)的缺陷時，其畫素會暗點化，但 正¥务光中的畫素中即使存在有一個暗點該暗點也不容易 看出而不致造成問題。另一方面，當TFT有使流入有機EL 元件之電流一直為導通（〇 N)的缺陷時，該畫素則形成亮 點。當周圍的晝素顯示黑色時，即使只有一個畫素為亮 點’也會為觀察者所察覺，而造成觀看的不適應。因此，
314455.ptd 第7頁 1223569 五、發明說明（3) 過去在針對形成亮點的缺陷晝素的解決上，多採用使亮點 暗點化的處理方法。 亦即，存在一定數量的暗點的有機EL面板，仍可作為 合格的製品，故藉由使亮點減光化，可大幅提昇製品的良 率〇 在此，該暗點化，係藉由將連至晝素的配線予以切斷 而進行。亦即，與LCD的情形一樣，可藉由YAG雷射，將第 二TFT 4 0與電源線或是晝素電極的配線切斷。 藉此，即可將亮點予以暗點化，而解決整體顯示的問 題。 但是，藉由YAG雷射所進行的暗點化處理，可能對陰 極造成損傷並可能對其他晝素之顯示造成影響。換言之， 主動矩陣型有機E L面板，係在玻璃基板上形成T F T，在該 TFT上方形成ITO之陽極，並於ITO陽極之上層疊電洞輸送 層、有機發光層、電子輸送層等之有機層，再在有機層上 形成金屬陰極。如此一來，便會在TFT上方存在有有機層 的一部份及陰極。尤其是陰極係幾乎涵蓋面板之全面而形 成以做為共通電極之情形。 因此，藉由YAG雷射切斷TFT的配線時，該雷射將到達 陰極，陰極亦會產生變異（aberration)。於是，陰極之受 到雷射照射的部分會形成開孔的構造。此外，該種變異有 引起陰極變質，並對周邊畫素的顯示造成影響之虞。此 外，利用雷射之切斷，係會使該處之物質蒸發而飛散者， 會使有機EL元件之有機層的側面直接曝露於陰極的上方空
314455.ptd 第8頁 1223569 五、發明說明（4) 如此一來，該露出部分便 有使缺陷晝素擴 層之劣化，而 [發明内容] 本發明係 化之方法。 本發明係 件的發光能力 亦即，係 質，發光能力 用雷射進行的 此能以不會產 缺陷晝素之減 質，可想成係 生融合，而導 [實施方式] 以下，根 本貫施形 為光源，而將 素之有機層變 變質可想成係 機發光層及電 失之故。 亦即，該 照射，而是藉 會因水分之浸入而導致有機 大之虞。 關於有效地使有機EL面板中之缺陷畫素減光 使有機 劣化而 藉由雷 劣4匕而 配線的 生陰極 光化。 因為： 致層構 EL面板之 使之減光 射照射等 達到減光 切斷等， 損傷所致 此外，雷 雷射之熱 造消失並 化 據圖式說明本發 態係使用準分子 雷射光照射於缺 質、發光能力劣 因為：雷射之熱 子輸送層之各層 雷射照射，並非 由該雷射照射使
晝素領域中的有機EL元 ，使缺陷晝素之有機層變 化的目的。因此，不同於利 對於陰極不會造成損傷。因 之不良影響的方式進行亮點 射照射所致之有機質的變 能量，使得多數之有機層產 形成高電阻化之故。 明之實施形態。 雷射等之UV (短波長）雷射做 陷晝素。藉此，可使缺陷晝 化以進行減光化。有機層之 能量，使得電洞輸送層、有 產生融合，而導致層構造消 可使被照射之層蒸發的強力 有機層吸收雷射而在極短時
314455.ptd 第9頁 1223569 五、發明說明（5) 間内產生加熱變質，並喪失發光能力以達到減光化的目 的。 尤其，雷射並不具備有損傷陰極的能量，故不會對陰 極造成損傷。因此能以無陰極損傷所致之不良影響的方式 進行亮點缺陷晝素的減光化。 基本上，有機EL元件的有機材料的财熱性差，發光能 力容易劣化。而在本實施形態中，係藉由將雷射照射於元 件之有機層以促進與該劣化相同之反應，以進行減光化。 電洞、電子輸送能力、或有機發光材料之發光性能劣化的 原因，可想成係因雷射之照射而使有機層產生退火之故。 此外，亦可想成分子構造本身並未產生變化，而是膜構造 產生變質。此外，一般所發生之有機層的變質所導致之顯 示缺陷，係隨著時間的經過而逐漸擴大。但是，根據本實 施形態，照射雷射而進行減光化時，雷射照射領域外的減 光領域幾乎不擴大。因此，可確實進行缺陷之修復，以維 持高度顯示品質。 在此，YAG雷射有2 6 6、3 55、5 3 2、1 0 64nm等波長，其 中波長為2 6 6nm的YAG雷射，由於無法透過壓克力之平坦化 膜等，故效果較差。此外，使用5 3 2nm以上的YAG雷射時， 除非具有相當大的功率否則無法獲得預期效果，此時也會 對陰極造成影響。 相對於上述者，使用3 5 5nm之YAG雷射時，不僅不會影 響陰極，且可有效地經由有機層之變質而使其發光能力劣 化，故最為適當。尤其，藉由：應用雷射之熱能量，使電
314455.ptd 第10頁 !223569
五、發明說明（6) /同輪送層、有機發光層以及電子輸送層之各層融合， 構i皮、、由丄 ^ 、<々失的方法，使發光能力劣化時，幾乎不會對陰極造 ' 4壬何影響。此外，準分子雷射中尚有波長為3 0 8nm的雷° 射’該種雷射同樣適用。 第1圖係顯示畫素之構成。圖中，在元件基板上，係 於—晝素中形成第7圖所示之TFT 1〇、40以及電容CS、有 機EL元件EL，但是在本圖中，僅顯示第二TFT 4〇以及有 EL元件El。 ^ 圖中，元件基板，具有形成於玻璃基板3 〇上的第二 TFT 40。該圖係顯示第二TFT 4〇與有機EL元件£[之構成。 如該圖所示，第二TFT 40係形成於玻璃基板3〇之上，該第 一 T F T 4 0具有低溫多晶矽所形成之主動層4 〇 a。該主動層 4〇a之兩端形成摻入雜質之源極領域、汲極領域，而夾於 兩者之間的中央部則形成通道領域。該通道領域之上部， 係隔著氧化矽所形成之閘極絕緣膜4〇b而形成閘極電極 40c。閘極絕緣膜40b以及閘極電極4〇c，係由層間絕緣膜 34所覆盍，而在閘極電極40c的兩側，則形成有透過層間 ^ 34之接觸孔而與源極領域及汲極 極40d、沒極電極40e。此外，源極電極 的上端係位於層間絕緣膜34的表面。 及往包往 此外，在層間絕緣膜3 4的表面卜，I ♦ 極40e與電源線VL的金屬配線。然後再置有連接汲極电 34而形成第丨平坦化膜36 。、後再覆蓋該層間絕緣膜 此外，在第1平坦化膜36的JL sγ 1 . 工囱，％成ΠΟ所構成之透
1223569 五、發明說明（7) ~ -- 明電極50,其一端係透過第！平垣化膜36之接觸孔而斑第 二TFT40之源極電極40d連接。 ” 此外，該透明電極5 0係構成有機EL元件之陽極，該透 明電極5 0之上，係隔著電洞輪送層5 2、有機發光層5 4、電 子輸送層56，而形成金屬製之陰極58。此外，該透明電極 5 0之周邊以及側方配置有第二平坦化膜6 〇。此外，有機發 光層54，為了對應形成時的位置偏移而較透明電極5〇為 大，惟係以僅存在於畫素領域内之方式延伸至第二平坦化 膜60之上即停止繼續延伸。另一方面，有機發光層54以外 的電洞輸送層5 2、電子輸送層5 6，係全面擴大形成。但 是，電子輸送層5 6，有時含有a 1 q 3等發光材料，故與有機 發光層5 4相同，電子輸送層5 6亦多僅限定於發光部之中。 在此，電洞輸送層5 2 ’例如係採用包含：肘丁0八1"(4，4，4，，- tri s(3-methylphenylphenylamino)triphenyl amine)所形 成之第一電洞輸送層；以及TPD(N，N，-diphenyl-N，N，-di (3-me thy lpheny1)-1，1’ -bipheny卜4, 4’ -diamine)所形成 之第二電洞輸送層之2層構造。此外，有機發光層5 4係由 包含例如喹吖啶（(311丨11&(：1'丨(1〇116)衍生物之6七692(1^3(10- hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium)所形成，而電 子輸送層5 6係由B e B q所形成。 该種有機EL面板’對於亮點缺陷畫素，係藉由從玻璃 基板3 0側照射短波長之雷射，而選擇性地對該畫素之有機 層造成損傷以進行減光化。 雷射，一般雖使用脈衝雷射但亦可使用連續光。其照
314455.ptd 第12頁 I223569 五、發明說明（8) $量’係視玻璃基板之種类貝 但是為了能夠確實達到 傷’其照射量最好能夠根據 換言之，如第2圖所示， $射量，並對多數之晝素照 雷射照射實驗的結果（S 1 3 )。 處理、以及是否對陰極造成 決定可確實進行暗點化處理 傷的條件（S1 4 )。
、有機層、及其他層的材質而 2點化，並避免對陰極造成損 貫驗來決定。 準備試驗用面板（S11)，變更 射雷射（S12)。之後，評估該 。亦即，對是否已進行暗點化 損傷等，進行評估。然後，再 ’而且不會在陰極中檢測出損 經過上述步驟決定條件彳灸， 製造出之有機EL面板之亮點缺 (S15)。 ^ 即採用該條件，而對實際 晝素進行暗點化處理 如此一不7 n稽田雷射之照射，在 才貝傷的情況下，進行該畫素之暗點化處理 、此外，係藉由配置（或是連接）在玻璃基板3 0正前方的 心罩，將雷射舨射領域限定於欲進行暗點化的晝素。但是 若此確貫限疋雷射之知、射範圍，則亦可利用光學系來限定 雷射之照射範圍。此外，雷射之照射最好僅限於發光領 域。因此最好將照射範圍限定在有機發光層5 4所存在的部 分才照射雷射。一般而言，存在有TFT的部分即不存在有 機發光層5 4。因此將雷射照射範圍限定於有機發光層5 4之 存在領域，即可避免雷射照射到TFT。TFT為具有低溫多晶 矽之主動層，並不適於雷射照射，故以不照射雷射為佳。 此外，即使有機發光層54存在於TFT之上方，最好也能夠
314455.ptd 第13頁 1223569 五、發明說明（9) 避免使TFT受到雷射照射。 「晝素之減光化」 根據上述方法，即可進行缺陷晝素之暗點化。在此， 進行該種暗點化處理時，有時也會對陰極造成損傷。亦 即，依有機EL面板而定，在步驟S14中，有時也可能產生 無法選擇得到不損傷陰極並可確實使暗點化發光停止的條 件。 在該種情況下，可選擇雖無法使晝素暗點化但可使之 減光化的條件。亦即，選擇發光量雖未為0但亮度低而顯 得較暗的條件。 例如，如第3圖所示，準備試驗用面板（S 2 1 )，變更照 射量，並對多數之晝素照射雷射（S2 2 )。然後，選擇不會 損傷陰極的條件（S2 3)。接著，於各條件中選擇發光量低 於預定值之條件（S24)。所選擇者為複數時，盡量選擇發 光量較少者（S25)。 如上述一般，對亮點缺陷之晝素進行減光化處理。經 過減光化之缺陷畫素，雖為發出很弱的光者，但為在一般 的使用上無法看出的程度。換言之，即使在完全的暗室中 可以看出，但是當周圍呈現相當程度的明亮度時，則無法 看出。雖視一晝素的大小而定，但一般而言當一畫素為數 1 0/z m平方時，發光量若設定在2 0 %以下，便可達到不太容 易看出的程度。此外，在藉由中性密度濾光片（ND f i 11 e r )所進行的實驗中，若具有可辨識為暗點的發光 量，便不致產生任何問題，亦可使其減光化至可辨識為低
314455.ptd 第14頁 1223569 五、發明說明（ίο) 亮點的程度。 如上述一般，根據本實施形態，對於亮點缺陷晝素係 使其發光量降低。因此，可確實防止對陰極造成損傷，而 處理缺陷畫素。 「晝素之部分減光化」 在上述實施例中，係進行發光部之整體減光化處理。 但是，針對陰極中損傷之發生深入探討，結果得知陰極與 陽極端部對應之處的損傷較大。如第1圖所示，在陽極5 0 之端部，各層的形狀變得複雜。因此，在照射雷射之際， 到達陰極5 8的光呈現不均現象，而導致部分受光變強而容 易造成損傷。 因此，本實施形態，係避開陽極5 0之周邊部而照射雷 射。換言之，係如第4圖所示，將雷射光照射於：小於陽 極5 0的範圍，更具體而言，係於較發光領域狹小的範圍内 照射雷射光，其中之發光領域係形成於陽極與陰極之間至 少夾著發光層而相向的領域。藉此，即可有效避免陰極中 損傷的發生。 此外，當發光層5 4的形狀係具有凹部時，無須將雷射 照射於該凹部。此外，陽極也具有各種形狀。因此，如第 5圖所示，可配合發光層或陽極的形狀設定雷射照射範 圍。 此外，利用遮罩等限定照射範圍時，最好避免做成複 雜的形狀。因此，亦可如第6圖所示一般，先設定較小的 單位照射範圍，再藉由多次的雷射照射，進行發光領域的
314455.ptd 第15頁 1223569
五、發明說明（11) 減光化。如此，只需縮小單位=範圍，便可臨機應 對應照射領域的形狀變更，而提南修復装置的泛用性。 如上述一般，本實施形懇’並非對發光領域整體進_ 減光化處理，而是在發光領域的周邊部，殘留不進行減$ 化的領域。但是，該領域的面積不大，發光量彳艮低。本每 施形態係特別針對發光領域的中心部分的發光加以抑制= 因此，畫素本身的亮度極低，且變得不易看出。因此/夢 由該種減光化方法，可確實防止陰極的損傷，而達到亮$ 缺陷晝素之有效減光。 在此，弟7圖，係顯示有機EL面板之1個書素份的平面 構成。閘極線G L係朝水平方向延伸’而第一 TFT 1 0之問極 2係連接於該問極線GL。該第一 TFT 1〇為形成設有細^極 2的雙閘極型。該第一 TFT 10之主動層6的一端（源極）係連 接於貧料線DL。而主動層6之另一端，則連揍於電容cs之 下側電極’或兼用作為下側電極。第—TFT 1 〇的閘極2的 下側係由主動層6形成通道領域’而失在2個閘極2間的領 域則形成汲極以及源極領域，此外連接於電容CS2下側電 極的領域係形成源極。 該電容CS的下側電極’係隔著氧化矽膜，而與上側電 ^與閘極電極大致為同们相向配置，藉由該等下側電 Ϊ、查側電極形成電容以。電容CS的上側電極， 係連接於維持在低電位的電容線gL上。
因此，當閘極線GL成為高u)位準 使第一 TFT 1 0導通（Ο N ) ’且資料線d L之電懕户λ $麼存入電容CS之中（充電）。
314455.ptd
五、發明說明（12) 該μ電各CS的下側電極’係連接於第二TFT40之閘極25。 弟—T F T 4 0係由並聯連接的2個第二τ F T 4 0 - ；1、4 0 - 2所 f，其兩端為源極，中央則形成汲極。亦即，該第二 u 4〇，具有主動層1 6，該主動層丨6的兩端的源極 你Sv 1、1 6 s — 2 ’係連接於電源線VL。此外，閘極2 5之下方 ;、化成通道1 6 c小1 6 c 一 2，而中央部則形成汲極i 6 d小 !6(1-2〇 一此外’遠〉及極1 6d—1、1 6d-2係藉由配線41而與有機EL 疋EL連接。換言之’第7圖中的第二TFT 4〇-；1、40-2之 及極1 6d-1、1 6d-2係連接於有機EL元件的陽極5〇。 # 5亥種晝素’如上述一般，係避開陽極5 0之周邊部，而 错由照射UV雷射來進行晝素之暗點化處理。 「附著異物時之處理」 f本實施例中，有機EL元件EL中的多數有機層或陰極 8係藉由使用金屬遮罩的蒸鍍法形成。因此，有時會有里 物附著於有機EL元件EL的形成領域。而該異物，將使陽極 5 0與陰極5 8產生短路，使驅動電流無法流至有機EL元件 EL 〇 口此乃將具有一疋波長（例如，1 〇 6 4nm )的雷射光胛 射於該異物，以燒斷異物，而藉此使經過雷射照射的晝^ 以外的周邊晝素領域得以正常發光。但是，若未能適度地 對異物進打雷射照射，將有使得該雷射能量對陰極5 8等造 成損傷’使之斷裂而在有機EL元件EL之元件部分形成針孔 (p 1 nho 1 e )之虞。該針孔一旦形成，便會使水分由該處滲
314455.ptd 第17頁 1223569 五、發明說明（13) 入元件内部而導致元件特性的劣化，並產生暗點（dark spot )等顯示不良的問題。 本實施形態，係進行以下之雷射修復處理。如第8圖 所示，假設檢測出一晝素之有機EL元件EL中附著有異物 1 0 0。該異物之檢測方法，可採用透過顯微鏡之目視觀 察、或利用異物檢查裝置之自動檢測等方法。 此時’本實施形態’如第9圖所示，並非直接對異物 1 0 0進行雷射照射，而是在其周邊領域設定照射領域n “灸 才進行雷射照射。如此，藉由在離開異物1 〇 〇之周邊領域 中照射雷射’可使該能量以照射領域1 1 1為中心而以同心 圓狀向外傳達，而間接地傳達至異物1 〇 〇。因此，藉由對 照射領域111照射雷射，可使有機物在圖中由虛線所包圍 的南電阻化領域11 2中高電阻化。因此，可於陽極5 0與陰 極5 8之間形成高電阻領域，以修復異物1 〇 〇所致之短路不 良之處。 特別是，在本實施形態的情況下，由於僅針對有機層 之高電阻化進行雷射照射，因此可避免對附著有異物1 00曰 之有機EL元件EL，成損傷，而導致針孔形成於陰極58的情 开y舍生此外藉由雷射光之照射而形成高電阻領域，可 想成係因為雷射光之熱能量，導致電洞輸送層5 2、發光芦 5 4以及電子f达層5 6之各層融合，而使層構造消失之故。 在此’雷射可使用例如市售的YAG雷射（例如雷射浊异 3 5 5 n m)，其照射領域！ ]，T /丨，灰「Γ 、 i 11的大小例如為5// ιώχ 5// in。此 外，異物1 0 0的大小為n Q ^ Λ μ ^ l 钓ϋ · 3// m至1 0// m。知、射領域1 η，以
314455_ptd 第18頁 1223569 五、發明說明（14) 距離異物1 0 0約5 // m至1 0 // m最為適當。 此外當異物1 〇 〇的尺寸大於3// m時，如第1 0圖所示， 最好在異物1 0 0之上下左右的周邊領域進行4次的雷射照射 (圖中之（i )至（i v ))，以供給異物領域充分的能量。該次 數，最好能夠依照異物1 0 0之尺寸的大小而做適當之增 減。 此外，所照射之雷射的波長，為上述之低於5 3 2 nm的 波長時，即可在不損傷有機EL元件的情況下進行修復，而 其中又以355n m或3 0 8 n m的雷射最為適當。 「利用電流之暗點化」 上述之實施形態，係對缺陷畫素照射雷射，使有機層 變質，以削減有機EL元件之發光能力，而進行晝素之減光 化。 而另一方面，本實施形態，則是讓大於額定電流的電 流流通至亮點缺陷晝素之有機EL元件，使有機層產生變 質，使有機EL元件之發光能力劣化，而進行畫素之減光 化。 亦即，將高電壓高電流能力之電源連接於電源線VL。 並於該狀態下，選擇性地使缺陷畫素之第一 TFT 1 0導通 (Ο N )，使大電流流通至該有機E L元件E L。藉此有機E L元件 EL之有機層即劣化，該晝素即可減光化。 有機EL面板，因長時間之使用導致有機EL元件劣化。 藉由流通大於額定電流的電流，可使有機EL元件急速劣 化。尤其是，對於缺陷晝素，可藉由持續完全導通的狀
314455.ptd 第19頁 1223569 五、發明說明（15) 態，使該晝素之有機EL元件成為高溫狀態而急速劣化。如 此一來，即可藉由有機EL元件的劣化達到晝素之減光化。 此外，在該情況下，即使未達到完全的暗點化，但只 要其減光量達到預定之大小即可。 此外，根據上述實施例，係藉由雷射來進行不良晝素 之暗點化（或是減光化）。但是，上述之雷射照射，亦可運 用於任意領域之減光化。因此，同樣可利用於其他用途 上。 換言之，有機EL面板，係於每一晝素中配置有機EL元 件，而就每一晝素控制其發光。但是，在形成有機EL元件 之有機層的形成階段中，有時會因偏移等原因，而導致在 不需要的領域發光的情形。特別是在有機發光層產生偏移 時，會產生其他色的發光，或使不應發光的領域的電子輸 送層發光。 於該不需發光的領域有發光的情形時，則於該領域上 進行上述雷射照射，使該部分之有機層變質，以達到該部 分之減光化。藉此，即可避免不需要的發光。 此外，有機E L面板，為了提昇其對比，有時會在區分 畫素的領域中，形成配置黑色濾光片的黑色線條。藉由以 與該黑色線條相同的圖案照射減光化用之雷射，便可藉由 有機層之變質形成黑色線條。此外，該不需要領域的減光 化，也適用於單純矩陣型有機EL面板中之晝素的區分。其 作用機制，可想成係有機層本身之變質、有機層與有機層 之界面的變質、以及有機層與電機之界面的變質等。
314455.ptd 第20頁 1223569 五、發明說明（16) 如上所述，根據本實施形態，藉由對發光不良領域的 有機層進行選擇性的雷射照射，而達到該領域之減光化。 該雷射照射，係利用對有機層的照射，以進行減光者，不 同於利用雷射之配線切斷等，不僅可避免損傷陰極，同時 可在無陰極損傷所致之不良影響下，進行亮點缺陷畫素之 減光化。 此外，發光領域之周邊領域，係產生層厚等變化之 處，該部分之雷射容易產生不均現象，而容易造成對陰極 的損傷。該項問題可藉由避免在發光部周邊進行雷射照 射，而確實防止對陰極造成損傷。
314455.ptd 第21頁 1223569 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第1圖係顯示畫素之構成之圖。 第2圖係顯示雷射照射量設定之一例的流程圖。 第3圖係顯示雷射照射量設定之其他例的流程圖。 第4圖係顯示雷射照射領域之一例之圖。 第5圖係顯示雷射照射領域之其他例之圖。 第6圖係顯示雷射照射領域之又一其他例之圖。 第7圖係顯示晝素平面構成之圖。 第8圖係顯示有異物附著的狀態之剖面圖。 第9圖係顯示有異物附著的狀態之平面圖。 第1 0圖係顯示對大異物的處理之圖。 第1 1圖係顯示晝素電路的構成之圖。 2 閘極
10 第一 TFT 16c_l、16c-2 通道 16s-l、16s-2 源極 30 玻璃基板 36 第一平坦化膜 40a 主動層 4 0c 閘極電極 4 0 6 >及極電極 50 透明電極（陽極） 5 4 有機發光層 6 主動層 16 主動層 16d-l、16d-2 沒極 25 閘極 34 層間絕緣膜
40、40-1、40-2 第二 TFT 40b 閘極絕緣膜 4 0 d 源極電極 41 配線 5 2 電洞輸送層 56 電子輸送層
314455.ptd 第22頁 1223569
314455.ptd 第23頁
Claims (1)
- 92104160 申請專圍 1 · 一種有機EL面板之減光化方法，其係進行選擇性地對 ，陷晝素領域中之有機EL元件照射光之減光化處理， $以使存在於缺陷畫素的有機EL元件中的有機層變 質’使有機EL元件的發光能力劣化，而使缺陷畫素減 光化。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中，前述光為雷射。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中，前述雷射為uv雷 射0 如申請專利範圍第1項之方法，其中，前述減光化處理 係選擇性地使大於平時發光時的電流流通至缺陷晝素 領域中之有機EL元件的處理。 5. 6. 一種有機EL面板，係由複數個各自含有有機EL元件之 ^素配置成矩陣狀而構成之有機EL面板，其特徵為： 前述複數個畫素包含有經申請專利範圍第丨項之減光化 方法減光化後的畫素。 減光化的減光化方法， 一部分領域照射雷射， 之有機EL元件的發光能 一種使有機E L面板之缺陷書辛 其係對缺陷畫素之發光領域的 以局部地使照射到雷射的部分 力劣化’而使缺陷晝素減光化 領域，係除了發光領域之周邊部外^^射。則述雷杂 一種有機EL面板，係由複數個各自含有^機 畫素配置成矩陣狀而構成之有機F 有機EL几件 力钱tL面板，JL牲辦达 前述複數個畫素包含有經申請專利 /、、徵為 4耗回弟6項之減光314455修正版.ptc 第24頁 1223569 _案號92104160_$年$月）今曰 修正_ 六、申請專利範圍 方法減光化後的晝素。 9. 一種將包含有機EL元件的晝素作矩陣狀配置而成的有 機EL面板之雷射處理方法，其係藉由在附著於前述有 機EL元件上的異物的周邊領域進行雷射照射，使附著 有前述異物之有機EL元件的有機層高電阻化。 1 0 .如申請專利範圍第9項之方法，其中，前述雷射照射係 在前述異物之周邊領域進行複數次。 1 1.如申請專利範圍第9項之方法，其中，前述雷射的波長 係低於5 3 2 n m。314455修正版.ptc 第25頁
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