TW591569B - Photoelectric device, matrix substrate and electronic apparatus - Google Patents

Description

591569 Π) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關適合於具備光電元件的光電裝置之電源 配線構造。 【先前技術】 由於有機E L兀件爲電流驅動型的自發光元件，因此 不需要％光’具有低消耗電力、局視野角、高對比的優 點’有助於平板顯不器的開發。有機E L元件是將含螢光 性物質的發光層夾持於陽極與陰極之間而構成的光電元 件’在兩電極間供給順偏壓電流下，藉由自陽極注入的電 洞與自陰極注入的電子再結合時的再結合能量來自我發 光。因此，爲了使有機E L元件發光，而必須有來自外部 電路的電源供給。就以往的主動矩陣驅動型有機E L顯示 器面板而言，一般所採用的構成是在設置於畫素領域的各 個畫素中配置形成陽極的畫素電極，另一方面將作爲共通 電極的陰極覆蓋於畫素領域全體。例如，在日本特開平 1 1 -24606號公報（專利文獻1)中所揭示之顯示裝置的特 徵是藉由配線佈局的最適化來降低消耗電力及提升發光效 率 〇 〔專利文獻1〕特開平1 1 -24606號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決的課題〕 -5- (2) (2)591569 但’在利用光電元件來實現顯示器面板時，共通電極 的配線阻抗會造成問題。亦即，若共通電極的配線阻抗 大’則於畫面中央的畫素的電壓下降會變大，因此供給充 分的電流至畫面中央附近，造成難以形成正確的灰階顯 不’顯示器面板的顯示性能會降低。如此的問題會隨著顯 示器面板越大型化’其共通電極的配線阻抗會越大，因此 會形成深刻的問題。特別是在由透明陰極側射出光的表側 顯示構造中’具有與金屬層同等低阻抗値的光透過性電極 的適合材料尙未開發之際，共通電極的低阻抗化依然是個 課題。 在此’本發明的課題是在於提供一種具備可供給充分 的電力至光電元件的共通電極之電源配線構造的光電裝置 及矩陣基板。又，本發明的另一課題是在於提供一種可實 現顯示器面板的狹緣化之光電裝置及矩陣基板。 〔用以解決課題的手段〕 本發明的光電裝置，係藉由包含形成於基板的有效區 域的上方的第1電極層及設置於上述第1電極層的上方的 第2電極層之積層構造來構成光電元件之光電裝置，其特 徵爲包含= 第1電源線，其係於上述第1電極層進行電壓供給； 及 第2電源線，其係與上述第2電極層電性連接； 上述第1電源線及上述第2電源線皆設置於上述有效 -6 - (3) (3)591569 區域的上方，且與上述第1電極層同層，或比上述第1電 極層還要下層° 如此一來，在積層於基板的有效區域上的多層積層構 造的任一層中形成與第2電極層電性連接的第2電源線 下，即使第2電極層形成高阻抗化，照樣可以供給充分的 電力。又，由於可將第2電極層與第2電源線的電性連接 點設置於多層積層構造内部，因此可實現顯示器面板的狹 緣化。 在此’所謂的「光電元件」是意指一般藉由電性作用 來使光的光學狀態變化之電子元件，除了電致發光元件等 的自發光元件以外，還包含如液晶元件那樣在使光的偏向 狀態變化下進行灰階顯示的電子元件。又，所謂的「有效 區域」是意指在基板上寄與光電顯示的領域，亦即應形成 光電元件的領域，與本實施形態的「顯示領域」同義。 又，所謂的「多層積層構造」是意指由積層於基板上的各 種薄膜所構成的積層構造，並非只限於構成光電元件的裝 置層，還包含層間絕緣膜、電極層、及電源線等。又，本 發明中，亦可於第1電極層與第1電源線之間介在電晶體 等的電子元件。又，第1電源線與第2電源線可依製程的 狀況，而形成於同一層，或者形成於不同層。 在本發明的光電裝置中，上述第1電源線與上述第2 電源線的至少一部份最好是配置於同一層。在如此的構成 下，可使製程簡易化。 在本發明的光電裝置中，上述第2電極層對上述光電 (4) (4)591569 元件而言最好具有作爲陰極的機能。在將第2電極層作爲 陰極下’可降低光電元件的陰極的阻抗値。 在本發明的光電裝置中，上述第2電源線最好具有作 爲陰極輔助配線的機能。藉此，可在光電元件的陰極供給 充分的電力。 在本發明的光電裝置中，上述第2電極層最好具有透 光性。藉此’可實現一種由第2電極層側射出光的表側顯 示構造，提高開口率。 在本發明的光電裝置中，上述第2電源線最好在構成 上述多層積層構造的其中任一層中，以規定的分散密度來 形成線狀。第2電源線在以規定的分散密度分散下，可降 低第2電極層的阻抗値。 在本發明的光電裝置中，上述第2電源線與上述第2 電極層最好是形成於上述多層積層構造的不同層，兩者係 於上述多層積層構造内電性連接。在將第2電源線與第2 電極層的電性連接位置設置於多層積層構造體内部之下， 可實現顯示器面板的狹緣化。 在本發明的光電裝置中，上述第2電源線與上述第2 電極層所電性連接的位置最好是沿著上述第2電源線的延 伸方向而分散於複數處。在將第2電源線與第2電極層的 電性連接點設置於複數處之下，可實現第2電極層的低阻 抗化。 在本發明的光電裝置中，上述第2電源線與上述第2 電極層最好是隔著層間絕緣膜來形成於不同的層’兩者係 (5) (5)591569 經由開口於上述層間絕緣膜的接觸孔來電性連接。在將第 2電極層與第2電源線形成於多層積層構造體的不同層之 下，可分離兩者的形成過程。 在本發明的光電裝置中，上述光電元件最好是配列於 大致呈直角的二方向，上述第2電源線的配列方向最好是 與配列於大致呈直角的二方向的光電元件的配列方向的其 中任一配列方向大致呈平行。在使第2電源線的配列方向 與光電元件的配列方向形成平行之下，可供給充分的電力 至配列於直角二方向的光電元件的第2電極層。 在本發明的光電裝置中，上述第2電源線的配列間距 最好爲等間隔。在將第2電源線配列成等間隔之下，可均 等地對配列於直角二方向的光電元件供給電力。 在本發明的光電裝置中，上述光電元件最好爲電激發 光元件。在使用電致發光元件下，可藉由電流驅動來調整 發光灰階。 本發明的電子機器是具備上述光電裝置。就電子機器 而言，只要具備顯示裝置即可，並無特別加以限定，例如 可適用於行動電話、攝影機、個人電腦、頭戴式顯示器、 投影機、傳真裝置、數位相機、攜帶型TV、D S P裝置、 PDA、電子記事本等。 本發明的矩陣基板，係供以形成藉由包含第1電極層 與第2電極層的多層積層構造來構成的光電元件之矩陣基 板，其特徵係包含： 第1電極層，其係形成於基板的上方； -9- (6) (6)591569 第1電源線，其係於上述第1電極層進行電壓供給； 及 第2電源線，其係供以和應該形成於上述第1電極層 的上方的第2電極層電性連接； 上述第1電源線及上述第2電源線皆設置於上述有效 區域的上方，且與上述第1電極層同層，或比上述第1電 極層還要下層。 如此一來，在應積層於基板的有效區域上的光電元件 的多層積層構造的任一層中形成有供以與第2電極層電性 連接的第2電源線下，即使第2電極層形成高阻抗化，照 樣可以供給充分的電力至光電元件。又，由於可將第2電 極層與第2電源線的電性連接點設置於光電元件的多層積 層構造内部，因此可實現顯示器面板的狹緣化。在此，所 謂的「矩陣基板」是意指尙未形成光電元件的配線基板。 在本發明的矩陣基板中，上述第1電源線與上述第2 電源線的至少一部份最好是配置於同一層。在如此的構成 下，可使製程簡易化。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電極層對上述光電 元件而言最好具有作爲陰極的機能。在將第2電極層作爲 陰極下，可降低光電元件的陰極的阻抗値。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電源線最好具有作 爲陰極輔助配線的機能。藉此，可在光電元件的陰極供給 充分的電力。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電極層最好具有透 -10- (7) (7)591569 光性。藉此，可實現一種由第2電極層側射出光的表側顯 不構造，提局開口率。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電源線最好在構成 上述多層積層構造的其中任一層中，以規定的分散密度來 形成線狀。第2電源線在以規定的分散密度分散下，可降 低第2電極層的阻抗値。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電源線與上述第2 電極層最好是形成於上述多層積層構造的不同層，兩者係 於上述多層積層構造内電性連接。在將第2電源線與第2 電極層的電性連接位置設置於多層積層構造體内部之下， 可實現顯示器面板的狹緣化。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電源線與上述第2 電極層所電性連接的位置最好是沿著上述第2電源線的延 伸方向而分散於複數處。在將第2電源線與第2電極層的 電性連接點設置於複數處之下，可實現第2電極層的低阻 抗化。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電源線與上述第2 電極層最好是隔著層間絕緣膜來形成於不同的層，兩者係 經由開口於上述層間絕緣膜的接觸孔來電性連接。在將第 2電極層與第2電源線形成於多層積層構造體的不同層之 下，可分離兩者的形成過程。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電源線的配列方向 最好是與應該配列於大致呈直角的二方向的光電元件的配 列方向的其中任一配列方向大致呈平行。在使第2電源線 -11 - (8) (8)591569 的配列方向與光電元件的配列方向形成平行之下，可供給 充分的電力至配列於直角二方向的光電元件的第2電極 層。 在本發明的矩陣基板中，上述第2電源線的配列間距 最好爲等間隔。在將第2電源線配列成等間隔之下，可均 等地對配列於直角二方向的光電元件供給電力。 【實施方式】 〔發明的實施形態1〕 以下，參照各圖來說明本實施形態。 圖1是表示本實施形態之主動矩陣型有機EL顯示器 面板100的全體構成圖。 如同圖所示，在基板1 5上配置有： 複數個畫素1 0，其係藉由形成於顯示領域1 1上的多 層積層構造來構成；及 掃描線驅動器1 2，其係輸出掃描訊號至掃描線（連 接至行方向排列的一群畫素1 0 );及 資料線驅動器1 3，其係供給資料訊號及電源電壓至 資料線及電源供給線（連接至列方向排列的一群畫素 10) 〇 畫素1 〇是配列於N行Μ列的直角二方向，形成畫素 矩陣。在各畫素10中形成有發光RGB三原色的有機EL 元件。並且，在形成於顯示領域1 1上的多層積層構造全 面被覆成膜有作爲共通電極的陰極1 4。就使用於陰極1 4 -12- (9) (9)591569 的材料而曰’最好是使用儘可能注入更多電子的材料，亦 即功函數小的材料。如此的導電材料可適用鈣、鋰、鋁等 金屬薄膜。 又’同圖所示之有機EL顯示器面板100雖是由基板 15側來射出光’亦即所謂背側顯示構造（b〇tt〇m emissi〇n) 的型態’但本發明並非只限於此，亦可利用光透過性導電 膜作爲陰極1 4，由陰極丨4來射出光，亦即所謂表側顯示 構造（top emissi0n)的型態。在採用表側顯示構造時，陰 極1 4除了使用IT〇等的光透過性導電材料以外，亦可使 用經過薄膜 理（使光能夠透過鈣、鋰、鋁等金屬薄膜的 程度）後的導電性半透明金屬層。藉由導電性半透明金屬 層的使用，可實現陰極1 4的低阻抗化。 圖2是表示畫素1〇的主要電路構成圖。畫素1〇是具 備：開關電晶體T r 1、驅動電晶體τ r 2、保持電容c、及 發光d 〇 L E D。利用2電晶體方式來進行驅動控制。開關 電晶體Trl爲η通道型FEt，且於其閘極端子連接掃描線 V s e 1 ’汲極端子連接資料線I d a t。驅動電晶體τ r 2爲ρ通 道型FET ’其閘極端子是被連接至開關電晶體Trl的源極 端子。又’同電晶體的源極端子是被連接至電源供給線 Vdd，其汲極端子是連接至發光部0LED。又，同電晶體 的閘極/源極間形成有保持電容C。在上述構成中，若於 掃描線Vsel輸出選擇訊號，而使開關電晶體Trl形成開 啓狀態的話’則經由資料線Idat供給的資料訊號會當作 電壓値來寫入保持電容C。如此一來，被寫入保持電容c -13- (10) 的保持電壓會經過1訊框期間而保持，根據該保持電壓來 使驅動電晶體Tr2的傳導類比變化，將對應於發光灰階的 順偏壓電流供應給發光部0 L E D。 圖3是用以說明畫素領域内的配線佈局圖。在本發明 中，爲了實現陰極1 4的低阻抗化，而與覆蓋積層於顯示 領域1 1上的多層積層構造上面的面狀陰極1 4不同的層中 形成細線狀的陰極輔助配線1 6，且隔著層間絕緣膜來使 兩者電性接觸。形成陰極輔助配線1 6的層雖未特別加以 限定，但若考量顯示器的製程，則可使用與掃描線Vsel等 的金屬配線同一製造過程來形成於同一層上，藉此可在不 增加製程數量之下，以低成本來進行製造。使用與掃描線 Vsel同一過程來形成的陰極輔助配線16亦可稱爲閘極金 屬層。又，形成陰極輔助配線1 6的位置最好是儘可能利 用畫素1 0的死角。由於該死角會依資料線I d at、掃描線 Vsel、電源供給線Vdd、開關電晶體Tr 1等的各種佈局位 置而有所不同，因此最好是選擇合適於各種佈局的位置來 形成陰極輔助配線1 6。但，對資料線Idat而言，若於平面 性重疊的位置形成陰極輔助配線1 6，則資料線〗dat與陰極 輔助配線1 6之間會產生寄生電容，而有可能會造成寫入 保持電容c的資料不足，因此必須在考量與資料線Idat的 位置關係之下來形成陰極輔助配線1 6。 在同圖所示的例子中’由2條掃描線v s e!所構成的一 組掃描線與陰極輔助配線1 6會交替佈局於行方向。亦 即，N/2條的陰極輔助配線1 6會隔行形成。掃描線vsel -14- (11) (11)591569 與陰極輔助配線1 6會分別於同一層中，一次對金屬配線 形成圖案而取得，且陰極輔助配線1 6的線寬會被調整成 大致與2條掃描線V s e!的合計線寬相等。另一方面，在列 方向上’資料線Idat與電源供給線Vdd會分別於列方向上 配線成1列1條。同圖所示的配線圖案是周期性地重複一 單位者，有關多層積層構造内的畫素1 0亦形成同圖所示 的配線佈局。亦即，本實施形態的配線佈局是對任意的行 形成線對稱’畫素間距是對行方向及列方向設定成等間 隔。並且’在資料線I d a t與掃描線V s e |交叉的位置形成有 開關電晶體Tr 1。驅動電晶體Tr2的閘極端子會位於開關 電晶體Tr 1的源極端子的延伸方向上，驅動電晶體Tr2的 汲極端子會經由接觸孔h 1來與畫素電極1 7導通。而且， 在電壓供給線V d d上，平行於畫素電極1 7的長度方向而 形成有保持電容C。 圖4是表示圖3的A - A ’線剖面圖。如同圖所示，在 基板1 5上依次積層陰極輔助配線1 6、層間絕緣膜2 1、源 極金屬層22、平坦化膜20、ITO層18、及區隔層19，而 形成多層積層構造3 0。此多層積層構造3 0是形成於顯示 領域11上。並且，在多層積層構造30的上層形成有陰極 1 4。層間絕緣膜2 1是用以由陰極輔助配線1 6來電性分離 資料線Idat及掃描線Vsel的絕緣膜，且於層間絕緣膜21 上形成有島狀的源極金屬層22 (以和資料線Idat及掃描線 Vsel同一過程來形成圖案）。源極金屬層22是經由開口 於層間絕緣膜2 1内的接觸孔h5來與陰極輔助配線1 6導 -15- (12) 通。在層間絕緣膜2 1上積層有經過平坦化 理的絕緣性 平坦化膜2 0，且於其上層形成有島狀圖案的ITO層1 8。 ITO層18與源極金屬層22會經由開口於平坦化膜20的 接觸孔h3來導通。接觸孔h3是沿著陰極輔助配線2 6的 延伸方向而形成複數個開口，藉由設置多數個ITO層18 與源極金屬層2 2的連接點來降低電氣阻抗値。 另一方面，在平坦化膜2 0的上層形成有由感光性有 機材料等所構成的區隔層丨9。區隔層1 9是用以區隔各個 晝素1 0的區隔構件，長圓形狀的開口部h2會以能夠位於 畫素電極1 7上的方式，在精密的對準調整下開口（參照圖 3 )。在開口部h 2内露出於表面的畫素電極1 7上，由基板 下層側開始依次積層有電洞輸送層及發光層，且作爲共通 電極的陰極14會以能夠覆蓋積層於顯示領域1 1上的多層 積層構造3 0的上面之方式來形成。藉此，形成由陰極/發 光層/電洞輸送層/畫素電極所構成的發光部OLED。 又，就構成發光部OLED之裝置層的積層構造而言， 並非只限於上述構成，亦可爲陰極/發光層/畫素電極、陰 極/電子輸送層/發光層/畫素電極、陰極/電子輸送層/發光 層/電洞輸送層/畫素電極等的構成。亦即，電洞輸送層與 電子輸送層並非必須，該等層可任意追加。又，就電洞輸 送層而言，可使用三苯胺衍生物（TPD)、聯氨衍生物、芳 胺衍生物等。又，就電子輸送層而言，可使用鋁螯合錯化 物（Alq3)、聯苯乙烯聯苯衍生物 （DPVBi)、噁二唑衍生 物、聯二苯乙烯蒽衍生物、苯噁唑噻吩衍生物、茈類、噻 -16- (13) (13)591569 唑類等。又，發光層並非只限於有機材料，亦可爲無機材 在區隔層1 9的表面通過I T 0層1 8的位置以精密的對 準調整下被開口的開口部h 4會在陰極輔助配線1 6的延伸 方向點在於複數處。形成於區隔層1 9的上層的陰極1 4會 經由接觸孔h 4來與IT 0層1 8導通，且經由源極金屬層 2 2來與陰極輔助配線1 6導通。如此一來，在使形成於多 層積層構造3 0内的陰極輔助配線1 6與陰極14的導通 下，可降低陰極1 4的電氣阻抗値，而使能夠供給充分的 電流至畫素1 〇。 若利用本實施形態，則可降低陰極1 4的阻抗値，減 少發生因供給至各畫素的電流量不均一所造成亮度不均。 又，以往雖是在顯示器面板的框緣設置陰極1 4與陰極用 電源配線的接觸領域，但若利用本實施形態，則由於可在 多層積層構造3 0内確保與陰極1 4的接觸，因此可達成狹 緣化，實現死角少的顯示器面板。又，因爲由有機材料等 所構成區隔層的耐熱性、耐薬品性差，所以難以在區隔層 上形成陰極輔助配線1 6，但若在形成有FET等的基板1 5 上，則可容易形成陰極輔助配線1 6等的金屬配線。 又，本實施形態中，雖是以2行1條的比例來形成陰 極輔助配線1 6，但並非只限於此，亦可以η行（η爲3以 上的整數）1條的比例來形成適當分散密度的陰極輔助配 線1 6。又，形成陰極輔助配線1 6的位置可形成於多層積 層構造3 0内的任何一層，並非只限於基板1 5的表面上。 -17 - (14) (14)591569 〔發明的實施形態2〕 圖5是表示本發明之第2實施形態的有機EL顯示器 面板1 〇〇的配線佈局圖。在本實施形態中，將陰極輔助配 線1 6形成於列方向的這點與實施形態1有所不同。在同 圖所示的例子中，若以RGB3畫素來構成1個畫素，則陰 極輔助配線1 6會以每2畫素3條的比例來等間隔形成於 列方向。並且，在陰極輔助配線16的兩側形成有2條的 資料線Idat。又，2條的電源供給線vdd會一組形成於隣 接的陰極輔助配線1 6彼此間的列，1條的陰極輔助配線 1 6輿2條的資料線Idat的合計線寬與2條的電源供給線 Vdd的合計線寬會幾乎形成相等而佈局。藉此，同圖所示 的配線佈局是以能夠對任意的列形成線對稱的方式來構 成。另一方面’在行方向形成有各行1條的掃描線V s e i， 且於掃描線Vsel與資料線Idat的交叉點形成有開關電晶體 Tr 1。又，驅動電晶體Tr2的閘極端子會位於開關電晶體 T r 1的源極端子的延伸方向，且驅動電晶體τ r 2的汲極端 子會經由接觸孔h 1來與畫素電極1 7導通。在電壓供給線

Vdd上’平行於畫素電極17的長度方向而形成有保持電容 C ° 圖6是表示圖5的B - B ’線剖面圖。如同圖所示，在 基板1 5上依次積層掃描線V s e i、層間絕緣膜2 1、陰極輔 助配線1 6、平坦化膜2 0、IΤ Ο層1 8、及區隔層〗9，而形 成多層積層構造3 0。此多層積層構造3 〇是形成於顯示領 -18- (15) 591569 域11上者。在多層積層構造30的上層形成有陰極14。 層間絕緣膜2 1是供以由陰極輔助配線1 6來電性分離掃描 線V s e i的絕緣膜，且於層間絕緣膜2 1上形成有線狀的陰 極輔助配線1 6。在形成於陰極輔助配線1 6上的平坦化膜 20上形成島狀圖案的ITO層18會沿著陰極輔助配線16 的延伸方向而點在於複數處。並且，在平坦化膜20中形 成有接觸孔h3，而使得ITO層18與陰極輔助配線16能 夠經由接觸孔h3來導通。而且，在平坦膜20的上層形成 有由感光性有機材料等所構成的區隔層1 9，對準畫素電 極1 7的位置而形成有長圓形的開口部h2 (參照圖5 )。在 開口部h2中與實施形態1同樣的形成有發光部OLED。 另一方面，在區隔層19的表面通過ITO層18的位置 以精密的對準調整下被開口的開口部h4會沿著陰極輔助 配線1 6的延伸方向而點在於複數處。形成於區隔層1 9的 上層的陰極14會經由接觸孔h4來與ITO層18導通，且 與陰極輔助配線1 6。如此一來，在使沿著畫素1 〇的列方 向而形成線狀的複數個陰極輔助配線1 6與陰極1 4的電性 導通之下，可供給充分的電流至畫素10。 若利用本實施形態，則與實施形態1同樣的，可降低 陰極1 4的阻抗値，減少發生因供給至各畫素1 〇的電流量 不均一所造成亮度不均。又，由於可在多層積層構造30 \ 内確保陰極輔助配線1 6與陰極1 4的接觸，因此可達成狹 J 緣化’實現死角少的顯示器面板。又，本實施形態中，雖 y 是以2行1條的比例來形成陰極輔助配線1 6，但並非只 -19- (16) 限於此，亦可以η行（η爲3以上的整數）1條的比例來形 成適當分散密度的陰極輔助配線1 6 ° 〔發明的實施形態3〕 圖7是表示本發明之第3實施形態的有機EL顯示器 面板1 0 0的配線佈局圖。在本貫施形悲中’將陰極輔助配 線1 6形成於行方向及列方向的這點是與實施形態1及2 有所不同。在此，爲了便於區別形成於行方向及列方向的 陰極輔助配線1 6，而將沿著行方向形成的陰極輔助配線 1 6設定爲第1陰極輔助配線1 6 -1，將沿著列方向形成的 陰極輔助配線16設定爲第2陰極輔助配線1 6-2。又，只 稱呼陰極輔助配線1 6時，只要沒有特別加i以限定，爲包 含兩者。在同圖所示的例子中，若以RGB3畫素來構成1 個畫素，則第2陰極輔助配線1 6-2會以每2畫素3條的 比例來形成於列方向。並且，在第2陰極輔助配線16-2 的兩側形成有2條的資料線Id at 。又，2條的電源供給線 Vdd會一組形成於隣接的第2陰極輔助配線1 6-2彼此間的 列，1條的第2陰極輔助配線1 6-2與2條的資料線Idat的 合計線寬與2條的電源供給線Vdd的合計線寬會以能夠幾 乎形成相等的方式來佈局。藉此，同圖所示的配線佈局是 以能夠對任意的列形成線對稱的方式來構成。 另一方面，在行方向上，由2條的掃描線v s e 1所構成 的一組掃描線與第1陰極輔助配線1 6-1會交替佈局。掃 描線Vsel與第1陰極輔助配線16-1會分別於同一層中， -20- (17) (17)591569 一次對金屬配線形成圖案而取得’且第1陰極輔助配線 16-10的線寬會被調整成大致與2條掃描線Vse|的合計線 寬相等。藉此構成，同圖所示的配線佈局是對任意的行及 列形成線對稱。 在掃描線Vsel與資料線Idat的交叉點形成有開關電晶 體Tr 1，且驅動電晶體Tr2的閘極端子會位於開關電晶體 Tr 1的源極端子的延伸方向。驅動電晶體Tr2的汲極端子 會經由接觸孔h 1來與畫素電極1 7導通。在電壓供給線 Vdd上，平行於畫素電極1 7的長度方向而形成有保持電容 C。 圖8是表示圖7的C - C ’線剖面圖。如同圖所示，在 基板1 5上依次積層第1陰極輔助配線1 6 -1、層間絕緣膜 21、平坦化膜20、源極金屬層22、ITO層18、及區隔層 1 9，而形成多層積層構造3 0。此多層積層構造3 0是形成 於顯示領域1 1上者。在多層積層構造3 0的上層形成有陰 極1 4。層間絕緣膜2 1是用以由第1陰極輔助配線1 6 -1 來電性分離資料線Idat及電源供給線 Vdd的絕緣膜。並 且，在與資料線Idat及電源供給線Vdd同一層中，和第1 陰極輔助配線1 6 -1垂直的方向上形成有第2陰極輔助配 線1 6-2，兩者會經由開口於層間絕緣膜2 1的接觸孔h6 來電性連接。 又，於層間絕緣膜21上與第2陰極輔助配線1 6-2同 一層中，源極金屬層2 2會沿著第1陰極輔助配線1 6 -1的 延伸方向而島狀形成於複數處。源極金屬層22會經由開 -21 - (18) 口於層間絕緣膜2 1的接觸孔h 5來與第1陰極輔助配線 16-1導通。又，於平坦化膜20上，1T0層18會沿著第1 陰極輔助配線1 6 - 1的延伸方向而島狀點在形成於複數 處，且經由接觸孔h 3來與源極金屬層2 2導通。在平坦膜 2 0的上層形成有由感光性有機材料等所構成的區隔層 1 9，且對準畫素電極1 7的位置來形成長圓形的開口部h2 (參照圖7)。在開口部h2中與實施形態1同樣的形成有發 光部OLED。在區隔層19的表面通過ITO層18的位置以 精密的對準調整下被開口的接觸孔h4會點在形成於第2 陰極輔助配線1 6-2的延伸方向。形成於區隔層1 9的上層 的陰極1 4會在多層積層構造3 0内部與陰極輔助配線1 6 導通，降低陰極1 4的阻抗値，藉此而能夠供給充分的電 流至畫素1 〇。 圖9是表示圖7的D-D ’線剖面圖。如同圖所示，在 基板1 5上依次積層第1陰極輔助配線1 6 - 1、掃描線 Vsel、層間絕緣膜21、第2陰極輔助配線16-2、平坦化膜 20、ITO層18、及區隔層19，而形成多層積層構造30。 第1陰極輔助配線16-1及第2陰極輔助配線 16-2會夾 著層間絕緣膜2 1而形成於彼此呈直交的方向，且經由開 口於層間絕緣膜2 1的接觸孔h6來互相導通。在積層於第 2陰極輔助配線1 6 - 2的上層的平坦化膜2 0中，IT 0層1 8 會沿著第2陰極輔助配線1 6-2的延伸力向而島狀點在形 成於複數處。並且，在平坦化膜20中形成接觸孔h3，用 以導通ITO層18與第2陰極輔助配線16-2。而且，在區 -22- (19) (19)591569 隔層1 9中，接觸孔h4會沿著第2陰極輔助配線16-2的 延伸方向而複數處點在，用以導通陰極14與ITO層18。 如此一來，陰極1 4會在多層積層構造3 0内部，與形成於 彼此垂直的二方向的陰極輔助配線1 6導通，藉此可使陰 極1 4的阻抗値大幅地下降，而使能夠供給充分的電流至 畫素1 〇。因此，可減少發生因供給至晝素1 0的電流量不 均一所造成的亮度不均一，實現良好的顯示性能。又，由 於可在多層積層構造3 0的内部確保陰極輔助配線1 6與陰 極1 4的接觸，因此可達成狹緣化，實現死角少的顯示器 面板。 〔發明之實施形態:4〕 圖10是表示可適用本發明的光電裝置之電子機器的 例圖。同圖（a)是表示行動電話的適用例。行動電話230 具備：天線部23 1、聲音輸出部23 2、聲音輸入部23 3、 操作部23 4、及本發明的有機EL顯示器面板100。如此 一來，本發明的有機EL顯示器面板1 00可作爲行動電話 23 0的顯示部使用。同圖（b)是表示攝影機的適用例。攝 影機240具備：顯像部241、操作部242、聲音輸入部 243、及本發明的有機EL顯示器面板100。如此一來，本 發明的有機EL顯示器面板1 00可作爲取景器及顯示部使 用。同圖（c)是表示攜帶型個人電腦的適用例。個人電腦 250具備：攝影部25 1、操作部2 5 2、及本發明的有機EL 顯示器面板1 00。如此一來，本發明的有機EL顯示器面 -23- (20) (20)591569 板1 〇 〇可作爲顯示裝置使用。 同圖（d)是表不頭戴式顯不器的適用例。頭戴式顯示 器260具備：帶261、光學系收容部262及本發明的有機 E L顯示器面板1 〇 〇。如此一來，本發明的有機e l顯示器 面板1 00可作爲畫像顯示源使用。同圖（e)是表示後置型 投影機的適用例。投影機2 7 0具備：框體2 7丨、光源 2 7 2、合成光學系2 7 3、反射鏡7 4、反射鏡7 5、螢幕 2 7 6、及本發明的有機e L顯示器面板1 0 0。同圖（f)是表示 前置型投影機的適用例。投影機2 8 0具備：框體2 8 2、光 學系2 8 1及本發明的有機E L顯示器面板1 〇 〇。可將顯示 於螢幕2 8 3上。如此一來，本發明的有機E. l顯示器面板 1 0 〇可作爲畫像顯示源使用。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明之有機EL顯示器面板的全體構成 圖。 圖2是表示畫素的主要電路構成圖。 圖3是表示本發明之第1實施形態的配線佈局説明 圖。 圖4是表示圖3之A-A ’線剖面圖。 圖5是表示本發明之第2實施形態的配線佈局説明 圖。 圖6是表示圖5之b _ B ’線剖面圖。 圖7是表示本發明之第3實施形態的配線佈局説明 -24- (21) (21)591569 圖。 圖8是表示圖7之C - C ’線剖面圖。 圖9是表不圖7之D - D線剖面圖。 圖1 〇是表示本發明之有機EL顯示器面板的適用例 〔符號之說明〕 10 :畫素 1 1 :畫素領域 1 2 :掃描線驅動器 1 3 :資料線驅動器 1 4 :陰極 1 5 :基板 1 6 :陰極輔助配線 16-1 :第1陰極輔助配線 16-2 :第2陰極輔助配線 1 7 :畫素電極 1 8 : ITO 層 1 9 :區隔層 2 0 :平坦化膜 2 1 :層間絕緣膜 3 〇 :多層積層構造 100 :有機EL顯示器面板 Trl :開關電晶體 -25- (22) (22)591569 T r 2 :驅動電晶體 C :保持電容 OLED :發光部 V s e | :掃描線 Idat :資料線 Vdd :電源供給線

-26-

Claims (1)

1. (1) (1)591569 拾、申請專利範圍 1 · 一種光電裝置，係藉由包含形成於基板的有效區域 、 的上方的第1電極層及設置於上述第1電極層的上方的第 . 2電極層之積層構造來構成光電元件之光電裝置，其特徵 ' 爲包含： ^ 第1電源線，其係於上述第1電極層進行電壓供給； 及 第2電源線’其係與上述第2電極層電性連接； 肇 上述第1電源線及上述第2電源線皆設置於上述有效 區域的上方，且與上述第丨電極層同層，或比上述第1電 極層還要下層。 2 ·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中上述第1 電源線與上述第2電源線的至少一部份係配置於同一層。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，其中上 述第2電極層對上述光電元件而言具有作爲陰極的機能。 4.如申請專利範圍第3項之光電裝置，其中上述第 φ 2電源線具有作爲陰極輔助配線的機能。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，其中上 述第2電極層具有透光性。 6 ·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，其中上 述第2電源線係於構成上述多層積層構造的其中任一層 中，以規定的分散密度來形成線狀。 * 7.如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，其中上 ^ 述第2電源線與上述第2電極層係形成於上述多層積層構 -27- (2) (2)591569 造的不同層，兩者係於上述多層積層構造内電性連接。 8 ·如申請專利範圍第7項之光電裝置，其中上述第 2電源線與上述第2電極層所電性連接的位置係沿著上述 第2電源線的延伸方向而分散於複數處。 9 ·如申請專利範圍第8項之光電裝置，其中上述第 2電源線與上述第2電極層係隔著層間絕緣膜來形成於不 同的層，兩者係經由開口於上述層間絕緣膜的接觸孔來電 性連接。 10·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，其中上 述光電元件係配列於大致呈直角的二方向； 上述第2電源線的配列方向係與配列於大致呈直角的 二方向的光電元件的配列方向的其中任一配列方向大致呈 平行。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之光電裝置，其中上述 第2電源線的配列間距大致爲等間隔。 12·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置，其中上 述光電元件爲電激發光元件。 1 3 · —種電子機器，其特徵爲具備申請專利範圍第i〜 1 2項的其中任一項所記載之光電裝置。 14·一種矩陣基板，係供以形成藉由包含第1電極層 與第2電極層的多層積層構造來構成的光電元件之矩陣基 板，其特徵係包含： 第1電極層，其係形成於基板的上方； 第1電源線，其係於上述第1電極層進行電壓供給； -28- (3) (3)591569 及 第2電源線，其係供以和應該形成於上述第丨電極層 的上方的第2電極層電性連接； 上述第1電源線及上述第2電源線皆設置於上述有效 區域的上方’且與上述第1電極層同層，或比上述第1電 極層還要下層。 1 5 ·如申請專利範圍第M項之矩陣基板，其中上述第 1電源線與上述第2電源線的至少一部份係配置於同一 層。 1 6 ·如申請專利範圍第14或15項之矩陣基板，其中 上述第2電極層對上述光電元件而言具有作爲陰極的機 能。. 17.如申請專利範圍第16項之矩陣基板，其中上述 第2電源線具有作爲陰極輔助配線的機能。 1 8 .如申請專利範圍第1 4或丨5項之矩陣基板，其中 上述第2電極層具有透光性。 1 9 ·如申請專利範圍第1 4或1 5項之矩陣基板，其中 上述第2電源線係於構成上述多層積層構造的其中任一層 中，以規定的分散密度來形成線狀。 2 0 ·如申請專利範圍第丨4或1 5項之矩陣基板，其中 上述第2電源線與上述第2電極層係形成於上述多層積層 構造的不同層，兩者係於上述多層積層構造内電性連接。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之矩陣基板，其中上述 第2電源線與上述第2電極層所電性連接的位置係沿著上 -29 - (4) (4)591569 述第2電源線的延伸方向而分散於複數處。 2 2.如申請專利範圍第2 1項之矩陣基板，其中上述 第2電源線與上述第2電極層係隔著層間絕緣膜來形成於 不同的層’兩者係經由開口於上述層間絕緣膜的接觸孔來 電性連接。 23 ·如申請專利範圍第1 4或1 5項之矩陣基板，其中 上述第2電源線的配列方向係與應該配列於大致呈直角的 二方向的光電元件的配列方向的其中任一配列方向大致呈 平行。 2 4 ·如申請專利範圍第2 3項之矩陣基板，其中上、'抵 第2電源線的配列間距大致爲等間隔。

   -30-