KR20220089776A - 투명 표시 장치 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치 - Google Patents

투명 표시 장치 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치 Download PDF

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KR20220089776A
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이선희
전주희
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Abstract

본 개시는 투명 표시 장치 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 의한 투명 표시 장치는 주 표시 영역 및 상기 주 표시 영역에 인접한 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 발광 소자, 상기 주 발광 소자에 인접하고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 투과 영역, 상기 주변 영역에 위치하는 부 발광 소자, 상기 부 발광 소자에 인접하고, 상기 주변 영역에 위치하는 부 투과 영역, 및 상기 주변 영역에 위치하고, 상기 부 발광 소자와 중첩하는 구동 회로부를 포함한다.

Description

투명 표시 장치 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치{TRANSPARENT DISPLAY DEVICE AND TILED DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 개시는 투명 표시 장치 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 화면을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등이 있다. 이러한 표시 장치는 휴대 전화, 내비게이션, 디지털 사진기, 전자 북, 휴대용 게임기, 또는 각종 단말기 등과 같이 다양한 전자 기기들에 사용되고 있다.
표시 장치는 화면이 표시되는 표시 영역과 화면이 표시되지 않는 주변 영역을 포함할 수 있다. 표시 영역에는 행 방향 및 열 방향으로 복수의 화소가 배치될 수 있다. 각 화소 내에는 트랜지스터, 커패시터 등과 같은 다양한 소자와 이들 소자에 신호를 공급할 수 있는 다양한 배선들이 위치할 수 있다. 주변 영역에는 이러한 화소를 구동하기 위해 전기적 신호를 전달하는 다양한 배선들, 스캔 구동부, 데이터 구동부, 제어부 등이 위치할 수 있다.
이러한 주변 영역의 크기를 줄이고, 표시 영역을 확대하고자 하는 요구가 늘어나고 있으나, 고해상도 및 고속 구동을 구현하는 과정에서 구동부가 차지하는 면적이 증가하고 있어 주변 영역의 크기를 줄이기 어려운 문제점이 있다.
실시예들은 표시 영역이 확장된 투명 표시 장치 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 의한 투명 표시 장치는 주 표시 영역 및 상기 주 표시 영역에 인접한 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 발광 소자, 상기 주 발광 소자에 인접하고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 투과 영역, 상기 주변 영역에 위치하는 부 발광 소자, 상기 부 발광 소자에 인접하고, 상기 주변 영역에 위치하는 부 투과 영역, 및 상기 주변 영역에 위치하고, 상기 부 발광 소자와 중첩하는 구동 회로부를 포함한다.
일 실시예에 의한 투명 표시 장치는 상기 주 발광 소자에 연결되어 있고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 화소 회로부, 및 상기 부 발광 소자에 연결되어 있고, 상기 부 표시 영역에 위치하는 부 화소 회로부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의한 투명 표시 장치는 상기 부 화소 회로부와 상기 부 발광 소자를 연결하는 연장선을 더 포함하고, 상기 연장선은 상기 부 투과 영역과 중첩하지 않도록 우회할 수 있다.
상기 부 발광 소자는 순차적으로 적층되어 있는 애노드 전극, 발광층 및 캐소드 전극을 포함하고, 상기 연장선은 상기 애노드 전극으로부터 연장될 수 있다.
상기 구동 회로부는 상기 부 화소 회로부와 중첩하지 않을 수 있다.
상기 부 투과 영역은 상기 부 발광 소자, 상기 구동 회로부 및 상기 부 화소 회로부와 중첩하지 않을 수 있다.
상기 주변 영역에는 복수의 부 화소 그룹이 위치하고, 각각의 부 화소 그룹에는 상기 부 투과 영역 및 상기 부 발광 소자가 위치할 수 있다.
각각의 부 화소 그룹은 하나의 상기 부 투과 영역과 복수의 상기 부 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 부 투과 영역의 크기는 상기 복수의 부 발광 소자 전체의 크기보다 클 수 있다.
일 실시예에 의한 타일드 표시 장치는 적어도 일부가 서로 중첩하는 제1 표시 패널 및 제2 표시 패널을 포함하는 타일드 표 시 장치에 있어서, 상기 제1 표시 패널 및 상기 제2 표시 패널은 각각 주 표시 영역 및 상기 주 표시 영역에 인접한 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 발광 소자, 상기 주 발광 소자에 인접하고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 투과 영역, 상기 주변 영역에 위치하는 부 발광 소자, 상기 부 발광 소자에 인접하고, 상기 주변 영역에 위치하는 부 투과 영역, 및 상기 주변 영역에 위치하고, 상기 부 발광 소자와 중첩하는 구동 회로부를 포함한다.
상기 제1 표시 패널의 주변 영역 및 상기 제2 표시 패널의 주변 영역이 서로 중첩할 수 있다.
상기 제1 표시 패널의 주변 영역에는 복수의 제1 부 화소 그룹이 위치하고, 각각의 제1 부 화소 그룹에는 상기 제1 표시 패널의 부 투과 영역 및 부 발광 소자가 위치하고, 상기 제2 표시 패널의 주변 영역에는 복수의 제2 부 화소 그룹이 위치하고, 각각의 제2 부 화소 그룹에는 상기 제2 표시 패널의 부 투과 영역 및 부 발광 소자가 위치하고, 상기 제1 부 화소 그룹과 상기 제2 부 화소 그룹은 서로 중첩할 수 있다.
상기 제1 표시 패널의 부 투과 영역은 상기 제2 표시 패널의 부 발광 소자와 중첩하고, 상기 제1 표시 패널의 부 발광 소자는 상기 제2 표시 패널의 부 투과 영역과 중첩할 수 있다.
상기 제1 표시 패널의 부 투과 영역과 상기 제2 표시 패널의 부 투과 영역이 중첩할 수 있다.
상기 제1 표시 패널의 부 발광 소자와 상기 제2 표시 패널의 부 발광 소자는 중첩하지 않을 수 있다.
상기 제1 표시 패널의 부 발광 소자는 상기 제1 부 화소 그룹의 좌측 상부 영역 및 우측 상부 영역에 위치하고, 상기 제2 표시 패널의 부 발광 소자는 상기 제2 부 화소 그룹의 좌측 하부 영역 및 우측 하부 영역에 위치하고, 상기 제1 표시 패널의 부 투과 영역과 상기 제2 표시 패널의 부 투과 영역의 중첩부는 상기 제1 부 화소 그룹 및 상기 제2 부 화소 그룹의 중앙 영역에 위치할 수 있다.
상기 제1 표시 패널 및 상기 제2 표시 패널은 각각 상기 주 발광 소자에 연결되어 있고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 화소 회로부, 및 상기 부 발광 소자에 연결되어 있고, 상기 부 표시 영역에 위치하는 부 화소 회로부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의한 타일드 표시 장치는 상기 부 화소 회로부와 상기 부 발광 소자를 연결하는 연장선을 더 포함하고, 상기 연장선은 상기 부 투과 영역과 중첩하지 않도록 우회할 수 있다.
상기 부 발광 소자는 순차적으로 적층되어 있는 애노드 전극, 발광층 및 캐소드 전극을 포함하고, 상기 연장선은 상기 애노드 전극으로부터 연장될 수 있다.
상기 구동 회로부는 상기 부 화소 회로부와 중첩하지 않고, 상기 부 투과 영역은 상기 부 발광 소자, 상기 구동 회로부 및 상기 부 화소 회로부와 중첩하지 않을 수 있다.
실시예들에 따르면 표시 영역이 확장된 투명 표시 장치 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 표시 장치의 주 표시 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 의한 표시 장치의 주 표시 영역의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 의한 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 6은 일 실시예에 의한 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 의한 표시 장치의 회로도이다.
도 8은 일 실시예에 의한 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 9는 일 실시예에 의한 표시 장치를 분리하여 나타낸 도면이다.
도 10은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 나타낸 평면도이다.
도 11은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 분리하여 나타낸 도면이다.
도 12는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 나타낸 평면도이다.
도 13은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 분리하여 나타낸 도면이다.
도 14 내지 도 16은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 나타낸 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일 실시예에 의한 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 기판(110) 및 기판(110) 위에 위치하는 발광 소자(MED, SED)를 포함한다.
기판(110)은 주 표시 영역(DA), 및 주 표시 영역(DA)에 인접한 주변 영역(PA)을 포함한다.
주 표시 영역(DA)은 표시 장치(1000)의 중심부에 위치할 수 있고, 대략 사각형상으로 이루어질 수 있다. 다만, 주 표시 영역(DA)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다.
주변 영역(PA)은 주 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형태로 이루어질 수 있다. 즉, 주변 영역(PA)은 표시 장치의 외곽부에 위치할 수 있다.
발광 소자(MED, SED)는 소정의 광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 발광 소자(MED, SED)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등의 광을 방출할 수 있다. 표시 장치(1000)는 발광 소자(MED, SED)들로부터 방출되는 광을 통해 소정의 영상을 표시할 수 있다. 발광 소자(MED, SED)는 주 발광 소자(MED) 및 부 발광 소자(SED)를 포함할 수 있다. 주 발광 소자(MED)는 주 표시 영역(DA)에 위치할 수 있고, 부 발광 소자(SED)는 주변 영역(PA)에 위치할 수 있다. 도시는 생략하였으나, 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 복수의 주 발광 소자(MED) 및 복수의 부 발광 소자(SED)를 포함할 수 있다. 주 표시 영역(DA)에 복수의 주 발광 소자(MED)가 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있고, 주변 영역(PA)에 복수의 부 발광 소자(SED)가 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다. 주 발광 소자(MED)의 크기와 부 발광 소자(SED)의 크기는 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 부 발광 소자(SED)의 크기가 주 발광 소자(MED)의 크기보다 클 수 있다. 단위 면적당 주 발광 소자(MED)의 개수와 단위 면적당 부 발광 소자(SED)의 개수는 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 단위 면적당 부 발광 소자(SED)의 개수는 단위 면적당 주 발광 소자(MED)의 개수보다 적을 수 있다. 주 표시 영역(DA)의 해상도와 주변 영역(PA)의 해상도는 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 주 표시 영역(DA)의 해상도가 주변 영역(PA)의 해상도보다 높을 수 있다. 이러한, 주 발광 소자(MED) 및 부 발광 소자(SED)의 배치 형태, 크기, 주 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)의 해상도 등은 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경이 가능하다.
일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 기판(110) 위에 위치하는 화소 회로부(MPC, SPC)를 더 포함할 수 있다. 화소 회로부(MPC, SPC)는 주 화소 회로부(MPC) 및 부 화소 회로부(SPC)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 주 화소 회로부(MPC) 및 복수의 부 화소 회로부(SPC)를 포함할 수 있다. 주 화소 회로부(MPC)는 실질적으로 복수의 주 화소 회로부(MPC)가 행 방향 및 열 방향을 따라 배치된 영역을 나타낸 것이고, 부 화소 회로부(SPC)는 실질적으로 복수의 부 화소 회로부(SPC)가 행 방향 및 열 방향을 따라 배치된 영역을 나타낸 것이다. 복수의 화소 회로부의 배열 형태는 특별히 한정된 것은 아니며, 다양한 형태로 배열될 수 있다. 주 화소 회로부(MPC)는 주 표시 영역(DA)에 위치할 수 있고, 부 화소 회로부(SPC)는 주변 영역(PA)에 위치할 수 있다. 각각의 화소 회로부(MPC, SPC)는 하나의 발광 소자(MED, SED)와 연결될 수 있다. 주 화소 회로부(MPC)는 주 발광 소자(MED)와 연결될 수 있고, 부 화소 회로부(SPC)는 부 발광 소자(SED)와 연결될 수 있다. 하나의 주 화소 회로부(MPC)의 크기와 하나의 부 화소 회로부(SPC)의 크기는 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 하나의 부 화소 회로부(SPC)의 크기가 하나의 주 화소 회로부(MPC)의 크기보다 클 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 기판(110) 위에 위치하는 구동 회로부(DR)를 더 포함할 수 있다. 구동 회로부(DR)는 복수의 구동부 및 신호 배선들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 구동 회로부(DR)는 스캔 구동부, 데이터 구동부, 구동 전압 공급선, 공통 전압 공급선 및 이들과 연결되는 신호 전달 배선 등을 포함할 수 있다. 스캔 구동부는 스캔 신호를 생성하여 스캔선을 통해 화소 회로부(MPC, SPC)에 전달한다. 데이터 구동부는 데이터 신호를 생성하여 데이터선을 통해 화소 회로부(MPC, SPC)에 전달한다. 구동 전압 공급선은 구동 전압을 화소 회로부(MPC, SPC)에 전달한다. 공통 전압 공급선은 공통 전압을 발광 소자(MED, SED)의 일 전극에 전달한다. 구동 회로부(DR)는 주변 영역(PA)에 위치할 수 있다. 구동 회로부(DR)는 부 화소 회로부(SPC)와 중첩하지 않을 수 있다. 구동 회로부(DR)와 주 화소 회로부(MPC) 사이에 부 화소 회로부(SPC)가 위치할 수 있다.
주 표시 영역(DA)에서 주 화소 회로부(MPC)는 바로 위에 위치하는 주 발광 소자(MED)와 연결될 수 있다. 이때, 주 발광 소자(MED)의 발광 영역은 자신과 연결되어 있는 주 화소 회로부(MPC)와 중첩할 수 있다. 주 표시 영역(DA)은 주 발광 소자(MED)에 의해 광이 방출되는 영역이다.
주변 영역(PA)에서 부 화소 회로부(SPC)는 소정 간격 떨어져 있는 부 발광 소자(SED)와 연결될 수 있다. 이때, 부 발광 소자(SED)의 발광 영역은 자신과 연결되어 있는 부 화소 회로부(SPC)와 중첩하지 않을 수 있다. 부 발광 소자(SED)의 발광 영역은 자신과 연결되어 있지 않은 부 화소 회로부(SPC)와 중첩할 수 있고, 구동 회로부(DR)와 중첩할 수 있다. 일부 부 발광 소자(SED)의 발광 영역은 자신과 연결되어 있는 부 화소 회로부(SPC)와 중첩할 수도 있다. 주변 영역(PA)은 부 발광 소자(SED)에 의해 광이 방출되는 영역이다.
일반적인 표시 장치에서는 표시 영역에 화소 회로부 및 발광 소자가 위치하고, 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에는 구동 회로부가 위치하며, 화소 회로부 및 발광 소자가 위치하지 않는다. 따라서, 구동 회로부가 위치하는 주변 영역에서는 광이 방출되지 않고, 데드 스페이스(Dead Space)를 형성하게 된다. 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)에서는 주변 영역(PA)에 부 발광 소자(SED)가 위치하여 광을 방출함으로써, 화면이 표시되는 영역을 확장할 수 있다. 즉, 구동 회로부(DR) 위에 부 발광 소자(SED)가 위치함으로써, 데드 스페이스를 줄일 수 있고, 베젤을 축소시킬 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 투명 표시 장치로 이루어질 수 있다. 따라서, 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 투과 영역을 포함할 수 있다. 이하에서 도 3 내지 도 6을 더욱 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치의 투과 영역과 발광 소자의 배치 형태 및 각 화소 회로부와 발광 소자의 연결 관계에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 3은 일 실시예에 의한 표시 장치의 주 표시 영역의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 4는 일 실시예에 의한 표시 장치의 주 표시 영역의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 5는 일 실시예에 의한 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 6은 일 실시예에 의한 표시 장치의 주변 영역의 일부를 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치의 주 표시 영역(DA)에는 주 화소 그룹(MPGr)이 위치할 수 있다. 주 표시 영역(DA)에는 복수의 주 화소 그룹(MPGr)이 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다.
각각의 주 화소 그룹(MPGr)은 복수의 주 발광 소자(MED) 및 하나의 주 투과 영역(MTR)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 주 화소 그룹(MPGr)을 구성하는 주 발광 소자(MED) 및 주 투과 영역(MTR)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 각각의 주 화소 그룹(MPGr)이 하나의 주 발광 소자(MED) 및 하나의 주 투과 영역(MTR)을 포함할 수도 있다. 또는 각각의 주 화소 그룹(MPGr)이 복수의 주 발광 소자(MED) 및 복수의 주 투과 영역(MTR)을 포함할 수도 있다.
각각의 주 화소 그룹(MPGr)은 6개의 주 발광 소자(MED)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 하나의 주 화소 그룹(MPGr)은 2개의 제1 색 주 발광 소자(MEDR), 2개의 제2 색 주 발광 소자(MEDG) 및 2개의 제3 색 주 발광 소자(MEDB)를 포함할 수 있다. 제1 색 주 발광 소자(MEDR)는 적색을 표시할 수 있고, 제2 색 주 발광 소자(MEDG)는 녹색을 표시할 수 있으며, 제3 색 주 발광 소자(MEDB)는 청색을 표시할 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 각 주 발광 소자(MED)가 나타내는 광의 색은 다양하게 변경될 수 있다. 주 화소 그룹(MPGr)의 좌측 영역에 주 투과 영역(MTR)이 위치할 수 있고, 우측 영역에 열 방향을 따라 제1 색 주 발광 소자(MEDR), 제2 색 주 발광 소자(MEDG) 및 제3 색 주 발광 소자(MEDB)가 번갈아 배치될 수 있다. 주 투과 영역(MTR)의 크기는 6개의 주 발광 소자(MED)의 전체 크기보다 클 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 주 투과 영역(MTR), 제1 색 주 발광 소자(MEDR), 제2 색 주 발광 소자(MEDG) 및 제3 색 주 발광 소자(MEDB)의 배치 형태 및 크기는 다양하게 변경될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치의 주 발광 소자(MED)의 발광 영역은 주 발광 소자(MED)와 연결되어 있는 주 화소 회로부(MPC)와 중첩한다.
주 화소 회로부(MPC)는 기판(110) 위에 위치하는 반도체(1130), 게이트 전극(1151), 소스 전극(1173) 및 드레인 전극(1175)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 기판(110)은 휘거나 접힘이 가능한 가요성 재료를 포함할 수 있고, 단층 또는 다층일 수 있다.
기판(110) 위에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 버퍼층(111)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(111)은 경우에 따라 생략될 수도 있다. 또한, 기판(110)과 버퍼층(111) 사이에는 베리어층이 더 위치할 수 있다. 베리어층은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 베리어층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(111) 위에는 주 화소 회로부(MPC)의 반도체(1130)를 포함하는 반도체층이 위치할 수 있다. 반도체(1130)는 제1 영역(1131), 채널(1132) 및 제2 영역(1133)을 포함할 수 있다. 주 화소 회로부(MPC)의 반도체(1130)의 채널(1132)의 양측에 제1 영역(1131) 및 제2 영역(1133)이 각각 위치할 수 있다. 주 화소 회로부(MPC)의 반도체(1130)는 비정질 규소, 다결정 규소, 산화물 반도체 등과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다.
주 화소 회로부(MPC)의 반도체(1130) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치할 수 있다. 게이트 절연막(140)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 게이트 절연막(140)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 주 화소 회로부(MPC)의 게이트 전극(1151)을 포함하는 게이트 도전층이 위치할 수 있다. 주 화소 회로부(MPC)의 게이트 전극(1151)은 반도체(1130)의 채널(1132)과 중첩할 수 있다. 게이트 도전층은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 게이트 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및/또는 티타늄(Ti) 등의 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트 도전층을 형성한 후 도핑 공정 또는 플라즈마 처리를 진행할 수 있다. 게이트 도전층에 의해 가려진 반도체층의 부분은 도핑이나 플라즈마 처리가 되지 않고, 게이트 도전층에 의해 덮여 있지 않은 반도체층의 부분은 도핑되거나 플라즈마 처리가 되어 도전체와 동일한 특성을 가질 수 있다.
주 화소 회로부(MPC)의 게이트 전극(1151) 위에는 층간 절연막(160)이 위치할 수 있다. 층간 절연막(160)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 층간 절연막(160)은 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
층간 절연막(160) 위에는 주 화소 회로부(MPC)의 소스 전극(1173) 및 드레인 전극(1175)을 포함하는 제1 데이터 도전층이 위치할 수 있다. 제1 데이터 도전층은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)등을 포함할 수 있다.
층간 절연막(160)은 주 화소 회로부(MPC)의 소스 전극(1173) 및 반도체(1130)의 제1 영역(1131)과 중첩하는 개구부(1161)를 포함할 수 있다. 주 화소 회로부(MPC)의 소스 전극(1173)은 개구부(1161)를 통해 반도체(1130)의 제1 영역(1131)과 연결될 수 있다. 층간 절연막(160)은 주 화소 회로부(MPC)의 드레인 전극(1175) 및 반도체(1130)의 제2 영역(1133)과 중첩하는 개구부(1162)를 포함할 수 있다. 주 화소 회로부(MPC)의 드레인 전극(1175)은 개구부(1162)를 통해 반도체(1130)의 제2 영역(1133)과 연결될 수 있다.
주 화소 회로부(MPC)의 소스 전극(1173) 및 드레인 전극(1175) 위에는 제1 보호막(181) 및 제2 보호막(182)이 순차적으로 위치할 수 있다. 제1 보호막(181) 및 제2 보호막(182)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 보호막(181)과 제2 보호막(182) 사이에는 연결 전극(1177)을 포함하는 제2 데이터 도전층이 위치할 수 있다. 제1 보호막(181)은 연결 전극(1177) 및 드레인 전극(1175)과 중첩하는 개구부(1185)를 포함할 수 있다. 연결 전극(1177)은 개구부(1185)를 통해 드레인 전극(1175)과 연결될 수 있다.
제2 보호막(182) 위에는 주 화소 회로부(MPC)와 연결되어 있는 주 발광 소자(MED)가 위치할 수 있다. 주 발광 소자(MED)는 화소 전극(1191), 발광 소자층(1370) 및 공통 전극(270)을 포함할 수 있다.
주 발광 소자(MED)의 화소 전극(1191)은 제2 보호막(182) 위에 위치할 수 있다. 제2 보호막(182)은 화소 전극(1191) 및 연결 전극(1177)과 중첩하는 개구부(1186)를 포함할 수 있다. 주 발광 소자(MED)의 화소 전극(1191)은 개구부(1186)를 통해 연결 전극(1177)과 연결될 수 있다. 연결 전극(1177)은 드레인 전극(1175)과 화소 전극(1191) 사이를 연결할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따라 연결 전극 없이 드레인 전극(1175)과 화소 전극(1191)이 직접적으로 연결될 수도 있다.
주 발광 소자(MED)의 화소 전극(1191) 위에는 격벽(350)이 위치할 수 있다. 격벽(350)에는 화소 개구부(1351)가 형성되어 있으며, 격벽(350)의 화소 개구부(1351)는 화소 전극(1191)과 중첩할 수 있다.
격벽(350)의 화소 개구부(1351) 내에는 주 발광 소자(MED)의 발광 소자층(1370)이 위치할 수 있다. 발광 소자층(1370)은 화소 전극(1191)과 중첩할 수 있다.
발광 소자층(1370) 및 격벽(350) 위에는 공통 전극(270)이 위치할 수 있다.
화소 전극(1191), 발광 소자층(1370) 및 공통 전극(270)이 중첩하는 영역을 중심으로 주 발광 소자(MED)가 발광하게 되며, 주 발광 소자(MED)의 발광 영역은 자신과 연결되어 있는 주 화소 회로부(MPC)와 중첩할 수 있다.
주 투과 영역(MTR)에는 주 발광 소자(MED) 및 주 화소 회로부(MPC)가 위치하지 않을 수 있다. 주 투과 영역(MTR)은 투명한 영역으로서, 외부 광이 그대로 투과할 수 있는 영역이다. 이러한 주 투과 영역(MTR)에 의해 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)의 주 표시 영역(DA)이 투명하게 인식될 수 있다. 주 투과 영역(MTR)에는 반도체층, 게이트 도전층, 제1 데이터 도전층, 제2 데이터 도전층, 화소 전극(1191), 발광 소자층(1370) 및 공통 전극(270)이 위치하지 않을 수 있다. 경우에 따라, 주 투과 영역(MTR)에는 반도체층, 게이트 도전층, 제1 데이터 도전층, 제2 데이터 도전층, 화소 전극(1191), 발광 소자층(1370) 및 공통 전극(270) 중 일부 층이 위치할 수도 있다. 주 투과 영역(MTR)에는 버퍼층(111), 게이트 절연막(140), 층간 절연막(160), 제1 보호막(181), 제2 보호막(182) 및 격벽(350) 중 일부 층이 위치하지 않을 수 있다. 주 투과 영역(MTR)에 위치하는 층을 최소화할수록 일 실시예에 의한 표시 장치의 투명도를 높일 수 있다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치의 주변 영역(PA)에는 부 화소 그룹(SPGr)이 위치할 수 있다. 주변 영역(PA)에는 복수의 부 화소 그룹(SPGr)이 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다.
각각의 부 화소 그룹(SPGr)은 복수의 부 발광 소자(SED) 및 하나의 부 투과 영역(STR)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 부 화소 그룹(SPGr)을 구성하는 부 발광 소자(SED) 및 부 투과 영역(STR)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 각각의 부 화소 그룹(SPGr)이 하나의 부 발광 소자(SED) 및 하나의 부 투과 영역(STR)을 포함할 수도 있다. 또는 각각의 부 화소 그룹(SPGr)이 복수의 부 발광 소자(SED) 및 복수의 부 투과 영역(STR)을 포함할 수도 있다.
각각의 부 화소 그룹(SPGr)은 3개의 부 발광 소자(SED)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 하나의 부 화소 그룹(SPGr)은 1개의 제1 색 부 발광 소자(SEDR), 1개의 제2 색 부 발광 소자(SEDG) 및 1개의 제3 색 부 발광 소자(SEDB)를 포함할 수 있다. 제1 색 부 발광 소자(SEDR)는 적색을 표시할 수 있고, 제2 색 부 발광 소자(SEDG)는 녹색을 표시할 수 있으며, 제3 색 부 발광 소자(SEDB)는 청색을 표시할 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 각 부 발광 소자(SED)가 나타내는 광의 색은 다양하게 변경될 수 있다. 부 화소 그룹(SPGr)의 좌측 영역에 부 투과 영역(STR)이 위치할 수 있고, 우측 영역에 열 방향을 따라 제1 색 부 발광 소자(SEDR), 제2 색 부 발광 소자(SEDG) 및 제3 색 부 발광 소자(SEDB)가 번갈아 배치될 수 있다. 부 투과 영역(STR)의 크기는 3개의 부 발광 소자(SED)의 전체 크기보다 클 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 부 투과 영역(STR), 제1 색 부 발광 소자(SEDR), 제2 색 부 발광 소자(SEDG) 및 제3 색 부 발광 소자(SEDB)의 배치 형태 및 크기는 다양하게 변경될 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치의 주변 영역(PA)에는 구동 회로부(DR)가 위치할 수 있다. 구동 회로부(DR)는 부 발광 소자(SED)와 중첩할 수 있다. 하나의 부 화소 그룹(SPGr)은 2개의 구동 회로부(DR)와 중첩할 수 있다. 예를 들면, 제1 색 부 발광 소자(SEDR)는 2개의 구동 회로부(DR) 중 어느 하나와 중첩할 수 있고, 제3 색 부 발광 소자(SEDB)는 다른 하나와 중첩할 수 있고, 제2 색 부 발광 소자(SEDG)는 2개의 구동 회로부(DR)의 가장자리 및 이들 사이의 영역과 중첩할 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 구동 회로부(DR)와 부 발광 소자(SED)의 중첩 관계는 다양하게 변경될 수 있다.
주변 영역(PA)에서 부 발광 소자(SED)는 소정 간격 떨어져 있는 부 화소 회로부(SPC)와 연결될 수 있다. 이때, 부 발광 소자(SED)는 순차적으로 적층되어 있는 애노드 전극, 발광층 및 캐소드 전극을 포함할 수 있으며, 애노드 전극으로부터 연장되어 있는 연장선(Ex)에 의해 부 화소 회로부(SPC)와 연결될 수 있다. 이때, 연장선(Ex)은 부 투과 영역(STR)을 지나지 않도록 우회할 수 있다. 즉, 연장선(Ex)은 부 투과 영역(STR)과 중첩하지 않고, 평면 상에서 부 투과 영역(STR)의 상측 또는 하측에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제1 색 부 발광 소자(SEDR)로부터 연장되어 있는 연장선(Ex)은 부 투과 영역(STR)의 상측을 지나갈 수 있다. 제2 색 부 발광 소자(SEDG) 및 제3 색 부 발광 소자(SEDB)로부터 연장되어 있는 연장선(Ex)은 부 투과 영역(STR)의 하측을 지나갈 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 연장선(Ex)의 위치는 다양하게 변경될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치의 부 발광 소자(SED)의 발광 영역은 부 발광 소자(SED)와 연결되어 있는 부 화소 회로부(SPC)와 중첩하지 않을 수 있다. 도 6에서는 구동 회로부(DR)의 도시를 생략하였으며, 부 발광 소자(SED)는 구동 회로부(DR)와 중첩할 수 있다.
부 화소 회로부(SPC)는 기판(110) 위에 위치하는 반도체(2130), 게이트 전극(2151), 소스 전극(2173) 및 드레인 전극(2175)을 포함할 수 있다.
기판(110) 위에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있고, 부 화소 회로부(SPC)의 반도체(2130)는 버퍼층(111) 위에 위치할 수 있다. 부 화소 회로부(SPC)의 반도체(2130)는 반도체층에 위치할 수 있다.
부 화소 회로부(SPC)의 반도체(2130) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치할 수 있고, 게이트 절연막(140) 위에는 부 화소 회로부(SPC)의 게이트 전극(2151)이 위치할 수 있다. 부 화소 회로부(SPC)의 게이트 전극(2151)은 게이트 도전층에 위치할 수 있다. 부 화소 회로부(SPC)의 게이트 전극(2151)은 반도체(2130)의 채널(2132)과 중첩할 수 있다.
부 화소 회로부(SPC)의 게이트 전극(2151) 위에는 층간 절연막(160)이 위치할 수 있고, 층간 절연막(160) 위에는 부 화소 회로부(SPC)의 소스 전극(2173) 및 드레인 전극(2175)이 위치할 수 있다. 부 화소 회로부(SPC)의 소스 전극(2173) 및 드레인 전극(2175)은 제1 데이터 도전층에 위치할 수 있다.
층간 절연막(160)은 부 화소 회로부(SPC)의 소스 전극(2173) 및 반도체(2130)의 제1 영역(2131)과 중첩하는 개구부(2161)를 포함할 수 있다. 부 화소 회로부(SPC)의 소스 전극(2173)은 개구부(2161)를 통해 반도체(2130)의 제1 영역(2131)과 연결될 수 있다. 층간 절연막(160)은 부 화소 회로부(SPC)의 드레인 전극(2175) 및 반도체(2130)의 제2 영역(2133)과 중첩하는 개구부(2162)를 포함할 수 있다. 부 화소 회로부(SPC)의 드레인 전극(2175)은 개구부(2162)를 통해 반도체(2130)의 제2 영역(2133)과 연결될 수 있다.
부 화소 회로부(SPC)의 소스 전극(2173) 및 드레인 전극(2175) 위에는 제1 보호막(181) 및 제2 보호막(182)이 순차적으로 위치할 수 있다. 제1 보호막(181)과 제2 보호막(182) 사이에는 연결 전극(2177)이 위치할 수 있다. 부 화소 회로부(SPC)의 연결 전극(2177)은 제2 데이터 도전층에 위치할 수 있다. 제1 보호막(181)은 연결 전극(2177) 및 드레인 전극(2175)과 중첩하는 개구부(2185)를 포함할 수 있다. 연결 전극(2177)은 개구부(2185)를 통해 드레인 전극(2175)과 연결될 수 있다.
제2 보호막(182) 위에는 부 화소 회로부(SPC)와 연결되어 있는 부 발광 소자(SED)가 위치할 수 있다. 부 발광 소자(SED)는 화소 전극(2191), 발광 소자층(2370) 및 공통 전극(270)을 포함할 수 있다.
부 발광 소자(SED)의 화소 전극(2191)은 제2 보호막(182) 위에 위치할 수 있다. 부 발광 소자(SED)의 화소 전극(2191)은 연장선(Ex)을 포함할 수 있다. 제2 보호막(182)은 화소 전극(2191)의 연장선(Ex) 및 연결 전극(2177)과 중첩하는 개구부(2186)를 포함할 수 있다. 부 발광 소자(SED)의 화소 전극(2191)의 연장선(Ex)은 개구부(2186)를 통해 연결 전극(2177)과 연결될 수 있다. 연결 전극(2177)은 드레인 전극(2175)과 화소 전극(2191) 사이를 연결할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따라 연결 전극 없이 드레인 전극(2175)과 화소 전극(2191)이 직접적으로 연결될 수도 있다.
부 발광 소자(SED)의 화소 전극(2191) 위에는 격벽(350)이 위치할 수 있다. 격벽(350)에는 화소 개구부(2351)가 형성되어 있으며, 격벽(350)의 화소 개구부(2351)는 화소 전극(2191)과 중첩할 수 있다.
격벽(350)의 화소 개구부(2351) 내에는 부 발광 소자(SED)의 발광 소자층(2370)이 위치할 수 있다. 발광 소자층(2370)은 화소 전극(2191)과 중첩할 수 있다.
발광 소자층(2370) 및 격벽(350) 위에는 공통 전극(270)이 위치할 수 있다. 부 발광 소자(SED)의 공통 전극(270)과 주 발광 소자(MED)의 공통 전극(270)은 일체로 이루어질 수 있으며, 기판(110) 위의 대부분의 영역에 전체적으로 위치할 수 있다. 다만, 공통 전극(270)은 주 투과 영역(MTR) 및 부 투과 영역(STR)에는 위치하지 않을 수 있다.
화소 전극(2191), 발광 소자층(2370) 및 공통 전극(270)이 중첩하는 영역을 중심으로 부 발광 소자(SED)가 발광하게 되며, 부 발광 소자(SED)의 발광 영역은 자신과 연결되어 있는 부 화소 회로부(SPC)와 중첩하지 않을 수 있다. 화소 전극(2191)의 연장선(Ex)의 길이는 부 발광 소자(SED)와 부 화소 회로부(SPC) 사이의 거리가 멀수록 길다.
부 투과 영역(STR)에는 부 발광 소자(SED) 및 부 화소 회로부(SPC)가 위치하지 않을 수 있다. 부 투과 영역(STR)은 투명한 영역으로서, 외부 광이 그대로 투과할 수 있는 영역이다. 이러한 부 투과 영역(STR)에 의해 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)의 주변 영역(PA)이 투명하게 인식될 수 있다. 부 투과 영역(STR)에는 반도체층, 게이트 도전층, 제1 데이터 도전층, 제2 데이터 도전층, 화소 전극(2191), 발광 소자층(2370) 및 공통 전극(270)이 위치하지 않을 수 있다. 경우에 따라, 부 투과 영역(STR)에는 반도체층, 게이트 도전층, 제1 데이터 도전층, 제2 데이터 도전층, 화소 전극(2191), 발광 소자층(2370) 및 공통 전극(270) 중 일부 층이 위치할 수도 있다. 부 투과 영역(STR)에는 버퍼층(111), 게이트 절연막(140), 층간 절연막(160), 제1 보호막(181), 제2 보호막(182) 및 격벽(350) 중 일부 층이 위치하지 않을 수 있다. 부 투과 영역(STR)에 위치하는 층을 최소화할수록 일 실시예에 의한 표시 장치의 투명도를 높일 수 있다.
일 실시예에 의한 표시 장치에서 구동 회로부(DR)가 위치하는 주변 영역(PA)이 부 투과 영역(STR)을 포함함으로써, 주변 영역(PA)이 투명하게 인식될 수 있다. 즉, 일 실시예에 의한 표시 장치는 전체적으로 투명한 투명 표시 장치를 구현할 수 있다. 또한, 주변 영역(PA)에서 구동 회로부(DR) 위에 부 발광 소자(SED)가 위치함으로써, 주변 영역(PA)이 투명하면서도 발광할 수 있다. 즉, 베젤을 최소화할 수 있다.
상기에서 각 화소 회로부(MPC, SPC)에 포함되어 있는 트랜지스터들 중 하나의 트랜지스터와 발광 소자(MED, SED)의 연결 관계에 대해 설명하였으나, 화소 회로부(MPC, SPC)는 각각 복수의 트랜지스터를 포함할 수 있다. 이하에서는 도 7을 참조하여 각 화소 회로부(MPC, SPC)에 포함되어 있는 복수의 트랜지스터의 예시에 대해 설명한다.
도 7은 일 실시예에 의한 표시 장치의 회로도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치의 하나의 화소(PX)는 여러 배선(127, 128, 151, 152, 153, 154, 155, 171, 172, 741)들에 연결되어 있는 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7), 유지 커패시터(Cst), 부스트 커패시터(Cbt) 그리고 발광 다이오드(LED)를 포함한다.
하나의 화소(PX)에는 복수의 배선(127, 128, 151, 152, 153, 154, 155, 171, 172, 741)이 연결되어 있다. 복수의 배선은 제1 초기화 전압선(127), 제2 초기화 전압선(128), 제1 스캔 신호선(151), 제2 스캔 신호선(152), 초기화 제어선(153), 바이패스 제어선(154), 발광 제어선(155), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 및 공통 전압선(741)을 포함한다.
제1 스캔 신호선(151)은 게이트 구동부(도시되지 않음)에 연결되어 제1 스캔 신호(GW)를 제2 트랜지스터(T2)에 전달한다. 제2 스캔 신호선(152)은 제1 스캔 신호선(151)의 신호와 동일한 타이밍에 제1 스캔 신호선(151)에 인가되는 전압과 반대 극성의 전압이 인가될 수 있다. 예를 들면, 제1 스캔 신호선(151)에 부극성의 전압이 인가될 때, 제2 스캔 신호선(152)에 정극성의 전압이 인가될 수 있다. 제2 스캔 신호선(152)은 제2 스캔 신호(GC)를 제3 트랜지스터(T3)에 전달한다.
초기화 제어선(153)은 초기화 제어 신호(GI)를 제4 트랜지스터(T4)에 전달한다. 바이패스 제어선(154)은 바이패스 신호(GB)를 제7 트랜지스터(T7)에 전달한다. 바이패스 제어선(154)은 전단의 제1 스캔 신호선(151)으로 이루어질 수 있다. 발광 제어선(155)은 발광 제어 신호(EM)를 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)에 전달한다.
데이터선(171)은 데이터 구동부(도시되지 않음)에서 생성되는 데이터 전압(DATA)을 전달하는 배선으로 화소(PX)에 인가되는 데이터 전압(DATA)에 따라서 발광 다이오드(LED)가 발광하는 휘도가 변한다.
구동 전압선(172)은 구동 전압(ELVDD)을 인가한다. 제1 초기화 전압선(127)은 제1 초기화 전압(VINT)을 전달하고, 제2 초기화 전압선(128)은 제2 초기화 전압(AINT)을 전달한다. 공통 전압선(741)은 공통 전압(ELVSS)을 발광 다이오드(LED)의 캐소드 전극으로 인가한다. 본 실시예에서 구동 전압선(172), 제1 및 제2 초기화 전압선(127, 128) 및 공통 전압선(741)에 인가되는 전압은 각각 일정한 전압일 수 있다.
이하에서는 복수의 트랜지스터의 구조 및 연결 관계에 대하여 구체적으로 살펴본다.
구동 트랜지스터(T1)는 p형 트랜지스터 특성을 가질 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 인가되는 데이터 전압(DATA)에 따라서 발광 다이오드(LED)의 애노드 전극으로 출력되는 전류의 크기를 조절하는 트랜지스터이다. 발광 다이오드(LED)의 애노드 전극으로 출력되는 구동 전류의 크기에 따라서 발광 다이오드(LED)의 밝기가 조절되므로 화소(PX)에 인가되는 데이터 전압(DATA)에 따라서 발광 다이오드(LED)의 휘도를 조절할 수 있다. 이를 위하여 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 구동 전압(ELVDD)을 인가 받을 수 있도록 배치되어, 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 전압선(172)과 연결되어 있다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극과도 연결되어 데이터 전압(DATA)도 인가 받는다. 한편, 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 발광 다이오드(LED)를 향하여 전류를 출력할 수 있도록 배치되어, 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 다이오드(LED)의 애노드와 연결되어 있다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 제1 전극으로 인가되는 데이터 전압(DATA)을 제3 트랜지스터(T3)로 전달한다. 한편, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 유지 커패시터(Cst)의 일 전극(이하 '제2 유지 전극'이라고 함)과 연결되어 있다. 이에 유지 커패시터(Cst)에 저장된 전압에 따라서 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압이 변하고 그에 따라 구동 트랜지스터(T1)가 출력하는 구동 전류가 변경된다. 또한, 유지 커패시터(Cst)는 한 프레임 동안 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압을 일정하게 유지시키는 역할도 한다.
제2 트랜지스터(T2)는 p형 트랜지스터 특성을 가질 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 데이터 전압(DATA)을 화소(PX)내로 받아들이는 트랜지스터이다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 스캔 신호선(151) 및 부스트 커패시터(Cbt)의 일 전극(이하 '하부 부스트 전극'이라 함)과 연결되어 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터선(171)과 연결되어 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결되어 있다. 제1 스캔 신호선(151)을 통해 전달되는 제1 스캔 신호(GW) 중 부극성의 전압에 의하여 제2 트랜지스터(T2)가 턴 온 되면, 데이터선(171)을 통해 전달되는 데이터 전압(DATA)이 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극으로 전달된다.
제3 트랜지스터(T3)는 n형 트랜지스터 특성을 가질 수 있고, 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극을 전기적으로 연결한다. 그 결과 데이터 전압(DATA)이 구동 트랜지스터(T1)를 거쳐 변화된 보상 전압이 유지 커패시터(Cst)의 제2 유지 전극에 전달되도록 하는 트랜지스터이다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극이 제2 스캔 신호선(152)과 연결되어 있고, 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극이 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 연결되어 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 유지 커패시터(Cst)의 제2 유지 전극, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 부스트 커패시터(Cbt)의 타 전극(이하 '상부 부스트 전극'이라 함)과 연결되어 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제2 스캔 신호선(152)을 통해 전달받은 제2 스캔 신호(GC) 중 정극성의 전압에 의하여 턴 온 되어, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극을 연결시키고, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 인가된 전압을 유지 커패시터(Cst)의 제2 유지 전극으로 전달하여 유지 커패시터(Cst)에 저장시킨다.
제4 트랜지스터(T4)는 n형 트랜지스터 특성을 가질 수 있고, 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 유지 커패시터(Cst)의 제2 유지 전극을 초기화시키는 역할을 한다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 초기화 제어선(153)과 연결되어 있고, 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 제1 초기화 전압선(127)과 연결되어 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극은 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극을 경유하여 유지 커패시터(Cst)의 제2 유지 전극, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 상부 부스트 전극에 연결되어 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 초기화 제어선(153)을 통해 전달받은 초기화 제어 신호(GI) 중 정극성의 전압에 의하여 턴 온 되며, 이 때, 제1 초기화 전압(VINT)을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 유지 커패시터(Cst)의 제2 유지 전극에 전달한다. 이에 따라 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압 및 유지 커패시터(Cst)가 초기화된다.
제5 트랜지스터(T5)는 p형 트랜지스터 특성을 가질 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 구동 전압(ELVDD)을 구동 트랜지스터(T1)에 전달하는 역할을 한다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 발광 제어선(155)과 연결되어 있고, 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극은 구동 전압선(172)과 연결되어 있으며, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결되어 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 p형 트랜지스터 특성을 가질 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 구동 트랜지스터(T1)에서 출력되는 구동 전류를 발광 다이오드(LED)로 전달하는 역할을 한다. 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 발광 제어선(155)과 연결되어 있고, 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 연결되어 있으며, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극은 발광 다이오드(LED)의 애노드와 연결되어 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 p형 트랜지스터 특성을 가질 수 있고, 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 발광 다이오드(LED)의 애노드를 초기화시키는 역할을 한다. 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 바이패스 제어선(154)과 연결되어 있고, 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 발광 다이오드(LED)의 애노드와 연결되어 있고, 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극은 제2 초기화 전압선(128)과 연결되어 있다. 바이패스 신호(GB) 중 부극성의 전압에 의해 제7 트랜지스터(T7)가 턴 온 되면 제2 초기화 전압(AINT)이 발광 다이오드(LED)의 애노드로 인가되어 초기화된다.
상기에서 하나의 화소(PX)가 7개의 트랜지스터(T1 내지 T7), 1개의 유지 커패시터(Cst), 1개의 부스트 커패시터(Cbt)를 포함하는 것으로 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 트랜지스터의 수와 커패시터의 수, 그리고 이들의 연결 관계는 다양하게 변경될 수 있다.
본 실시예에서 구동 트랜지스터(T1)는 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 또한, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)는 다결정 반도체를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7) 중 적어도 어느 하나 이상이 산화물 반도체를 포함할 수도 있다. 또한, 복수의 트랜지스터가 모두 다결정 반도체를 포함할 수도 있다.
다음으로, 도 8 내지 도 13을 참조하여 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 8 내지 도 13에 도시된 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 7에 도시된 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에 의한 표시 장치는 복수의 표시 패널이 연결되어 있는 타일드 표시 장치라는 점에서 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 더욱 설명한다.
도 8은 일 실시예에 의한 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 9는 일 실시예에 의한 표시 장치를 분리하여 나타낸 도면이다. 도 10은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 나타낸 평면도이고, 도 11은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 분리하여 나타낸 도면이다. 도 12는 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 나타낸 평면도이고, 도 13은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 분리하여 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 의한 표시 장치(1000)는 복수의 표시 패널(1100, 1200)을 포함할 수 있다. 복수의 표시 패널(1100, 1200)은 제1 표시 패널(1100) 및 제2 표시 패널(1200)을 포함할 수 있다. 제1 표시 패널(1100)과 제2 표시 패널(1200)은 서로 중첩할 수 있다. 제1 표시 패널(1100)의 가장자리와 제2 표시 패널(1200)의 가장자리가 중첩할 수 있다.
제1 표시 패널(1100)은 제1 기판(1110) 및 제1 기판(1110) 위에 위치하는 제1 주 화소 그룹(MPGr1) 및 제1 부 화소 그룹(SPGr1)을 포함할 수 있다. 제1 기판(1110)은 제1 주 표시 영역(DA1) 및 제1 주 표시 영역(DA1)을 둘러싸는 제1 주변 영역(PA1)을 포함한다. 제1 주 표시 영역(DA1)에는 복수의 제1 주 화소 그룹(MPGr1)이 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다. 제1 주변 영역(PA1)에는 복수의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)이 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다.
제2 표시 패널(1200)은 제2 기판(1210) 및 제2 기판(1210) 위에 위치하는 제2 주 화소 그룹(MPGr2) 및 제2 부 화소 그룹(SPGr2)을 포함할 수 있다. 제2 기판(1210)은 제2 주 표시 영역(DA2) 및 제2 주 표시 영역(DA2)을 둘러싸는 제2 주변 영역(PA2)을 포함한다. 제2 주 표시 영역(DA2)에는 복수의 제2 주 화소 그룹(MPGr2)이 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다. 제2 주변 영역(PA2)에는 복수의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)이 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다.
제1 표시 패널(1100)과 제2 표시 패널(1200)은 서로 중첩할 수 있으며, 이때 제1 표시 패널(1100)의 제1 주변 영역(PA1)과 제2 표시 패널(1200)의 제2 주변 영역(PA2)이 일부 중첩할 수 있다. 예를 들면, 제1 표시 패널(1100)의 우측 가장자리에 위치하는 제1 주변 영역(PA1)과 제2 표시 패널(1200)의 좌측 가장자리에 위치하는 제2 주변 영역(PA2)이 서로 중첩할 수 있다. 제1 표시 패널(1100)과 제2 표시 패널(1200)의 중첩부에서 제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)이 서로 중첩할 수 있다.
이하에서 도 10 및 도 11을 참조하여, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 중첩 형태에 대해 설명하면 다음과 같다. 도 10은 하나의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 하나의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)이 중첩된 상태를 도시하고 있고, 도 11은 제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)을 분리하여 도시하고 있다.
도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)은 제1 부 발광 소자(SED1) 및 제1 부 투과 영역(STR1)을 포함할 수 있다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)은 복수의 제1 부 발광 소자(SED1)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)은 2개의 적색 제1 부 발광 소자(SEDR1), 2개의 녹색 제1 부 발광 소자(SEDG1) 및 2개의 청색 제1 부 발광 소자(SEDB1)를 포함할 수 있다. 다만, 제1 부 발광 소자(SED1)가 표시하는 색은 적색, 녹색 및 청색에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 복수의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 상부 영역 및 우측 상부 영역에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 상부 영역에 1개의 적색 제1 부 발광 소자(SEDR1), 1개의 녹색 제1 부 발광 소자(SEDG1) 및 1개의 청색 제1 부 발광 소자(SEDB1)가 순차적으로 위치할 수 있다. 또한, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 우측 상부 영역에 1개의 적색 제1 부 발광 소자(SEDR1), 1개의 녹색 제1 부 발광 소자(SEDG1) 및 1개의 청색 제1 부 발광 소자(SEDB1)가 순차적으로 위치할 수 있다. 제1 부 투과 영역(STR1)은 제1 부 발광 소자(SED1)와 중첩하지 않는 부분에 위치할 수 있다. 제1 부 투과 영역(STR1)은 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 하부 영역, 우측 하부 영역 및 중앙 영역에 위치할 수 있다.
제1 표시 패널(1100)의 제1 주변 영역(PA1)에는 제1 구동 회로부(DR1)가 위치할 수 있다. 제1 구동 회로부(DR1)는 제1 부 발광 소자(SED1)와 중첩할 수 있다. 하나의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)은 2개의 제1 구동 회로부(DR1)와 중첩할 수 있다. 예를 들면, 2개의 제1 구동 회로부(DR1) 중 어느 하나가 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 상부 영역에 위치하는 3개의 제1 부 발광 소자(SED1)와 중첩할 수 있고, 다른 하나는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 우측 상부 영역에 위치하는 3개의 제1 부 발광 소자(SED1)와 중첩할 수 있다.
제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 제2 부 발광 소자(SED2) 및 제2 부 투과 영역(STR2)을 포함할 수 있다. 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 복수의 제2 부 발광 소자(SED2)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 2개의 적색 제2 부 발광 소자(SEDR2), 2개의 녹색 제2 부 발광 소자(SEDG2) 및 2개의 청색 제2 부 발광 소자(SEDB2)를 포함할 수 있다. 다만, 제2 부 발광 소자(SED2)가 표시하는 색은 적색, 녹색 및 청색에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 복수의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 하부 영역 및 우측 하부 영역에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 하부 영역에 1개의 적색 제2 부 발광 소자(SEDR2), 1개의 녹색 제2 부 발광 소자(SEDG2) 및 1개의 청색 제2 부 발광 소자(SEDB2)가 순차적으로 위치할 수 있다. 또한, 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 우측 하부 영역에 1개의 적색 제2 부 발광 소자(SEDR2), 1개의 녹색 제2 부 발광 소자(SEDG2) 및 1개의 청색 제2 부 발광 소자(SEDB2)가 순차적으로 위치할 수 있다. 제2 부 투과 영역(STR2)은 제2 부 발광 소자(SED2)와 중첩하지 않는 부분에 위치할 수 있다. 제2 부 투과 영역(STR2)은 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 상부 영역, 우측 상부 영역 및 중앙 영역에 위치할 수 있다.
제2 표시 패널(1200)의 제2 주변 영역(PA2)에는 제2 구동 회로부(DR2)가 위치할 수 있다. 제2 구동 회로부(DR2)는 제2 부 발광 소자(SED2)와 중첩할 수 있다. 하나의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 2개의 제2 구동 회로부(DR2)와 중첩할 수 있다. 예를 들면, 2개의 제2 구동 회로부(DR2) 중 어느 하나가 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 하부 영역에 위치하는 3개의 제2 부 발광 소자(SED2)와 중첩할 수 있고, 다른 하나는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 우측 하부 영역에 위치하는 3개의 제2 부 발광 소자(SED2)와 중첩할 수 있다.
제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 완전히 중첩할 수 있다. 이때, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)과 중첩할 수 있다. 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 중첩할 수 있다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 발광 소자(SED1)와 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 발광 소자(SED2)는 서로 중첩하지 않을 수 있다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)이 중첩하는 부분이 실제로 광이 투과하는 영역이 될 수 있다. 즉, 제1 부 투과 영역(STR1)과 제2 부 투과 영역(STR2)의 중첩부에 의해 제1 표시 패널(1100)과 제2 표시 패널(1200)의 중첩부가 투명하게 인식될 수 있다.
이하에서 도 12 및 도 13을 참조하여, 복수의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 복수의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 중첩 형태에 대해 설명하면 다음과 같다. 도 12는 인접한 4개의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 인접한 4개의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)이 중첩된 상태를 도시하고 있고, 도 13은 인접한 4개의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 인접한 4개의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)을 분리하여 도시하고 있다.
복수의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)은 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있으며, 이들 중 4개의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)이 상하좌우로 인접하도록 위치할 수 있다. 복수의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있으며, 이들 중 4개의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)이 상하좌우로 인접하도록 위치할 수 있다. 4개의 제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 4개의 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 완전히 중첩할 수 있다.
제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)과 중첩할 수 있고, 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 중첩할 수 있다. 따라서, 제1 표시 패널(1100)과 제2 표시 패널(1200)의 중첩부에서도 발광이 이루어지도록 할 수 있다. 또한, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)이 중첩하는 부분에 의해 제1 표시 패널(1100)과 제2 표시 패널(1200)의 중첩부가 투명하게 인식될 수 있다. 즉, 일 실시예에 의한 표시 장치는 타일드 투명 표시 장치의 복수의 표시 패널의 연결부가 투명하면서도 발광할 수 있다.
제1 부 화소 그룹(SPGr1) 내에서 제1 부 발광 소자(SED1)의 배치 형태 및 제2 부 화소 그룹(SPGr2) 내에서 제2 부 발광 소자(SED2)의 배치 형태는 다양하게 변경될 수 있다. 이에 따라 제1 부 투과 영역(STR1) 및 제2 부 투과 영역(STR2)의 형상, 제1 구동 회로부(DR1) 및 제2 구동 회로부(DR2)의 위치 등이 다양하게 변경될 수 있다. 이하에서는 도 14 내지 도 16을 참조하여 제1 부 발광 소자(SED1) 및 제2 부 발광 소자(SED2)의 다양한 배치 형태에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 14 내지 도 16은 일 실시예에 의한 표시 장치의 일부 영역을 나타낸 평면도이다. 도 14 내지 도 16은 서로 다른 변형예를 나타내고 있다.
도 14에 도시된 바와 같이, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)은 제1 부 발광 소자(SED1) 및 제1 부 투과 영역(STR1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 상부 영역 및 우측 하부 영역에 위치할 수 있다. 제1 부 발광 소자(SED1)는 제1 구동 회로부(DR1)와 중첩할 수 있다. 제1 부 투과 영역(STR1)은 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 하부 영역, 우측 상부 영역 및 중앙 영역에 위치할 수 있다.
제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 제2 부 발광 소자(SED2) 및 제2 부 투과 영역(STR2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 하부 영역 및 우측 상부 영역에 위치할 수 있다. 제2 부 발광 소자(SED2)는 제2 구동 회로부(DR2)와 중첩할 수 있다. 제2 부 투과 영역(STR2)은 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 상부 영역, 우측 하부 영역 및 중앙 영역에 위치할 수 있다.
제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 완전히 중첩할 수 있으며, 중첩된 상태에서의 형상은 도 12에 도시된 중첩 형태와 실질적으로 동일하다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)과 중첩할 수 있고, 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 중첩할 수 있다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)이 중첩하는 부분이 실제로 광이 투과하는 영역이 될 수 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)은 제1 부 발광 소자(SED1) 및 제1 부 투과 영역(STR1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 부 화소 그룹(SPG1) 중 일부에서 복수의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 상부 영역 및 우측 하부 영역에 위치할 수 있고, 다른 일부에서 복수의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 하부 영역 및 우측 상부 영역에 위치할 수 있다. 제1 부 발광 소자(SED1)는 제1 구동 회로부(DR1)와 중첩할 수 있다. 복수의 제1 부 화소 그룹(SPG1) 중 일부에서 제1 부 투과 영역(STR1)은 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 하부 영역, 우측 상부 영역 및 중앙 영역에 위치할 수 있고, 다른 일부에서 제1 부 투과 영역(STR1)은 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 상부 영역, 우측 하부 영역 및 중앙 영역에 위치할 수 있다.
제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 제2 부 발광 소자(SED2) 및 제2 부 투과 영역(STR2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 부 화소 그룹(SPGr2) 중 일부에서 복수의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 하부 영역 및 우측 상부 영역에 위치할 수 있고, 다른 일부에서 복수의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 상부 영역 및 우측 하부 영역에 위치할 수 있다. 제2 부 발광 소자(SED2)는 제2 구동 회로부(DR2)와 중첩할 수 있다. 복수의 제2 부 화소 그룹(SPGr2) 중 일부에서 제2 부 투과 영역(STR2)은 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 상부 영역, 우측 하부 영역 및 중앙 영역에 위치할 수 있고, 다른 일부에서 제2 부 투과 영역(STR2)은 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 하부 영역, 우측 상부 영역 및 중앙 영역에 위치할 수 있다.
제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 완전히 중첩할 수 있으며, 중첩된 상태에서의 형상은 도 12에 도시된 중첩 형태와 실질적으로 동일하다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)과 중첩할 수 있고, 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 중첩할 수 있다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)이 중첩하는 부분이 실제로 광이 투과하는 영역이 될 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이, 제1 부 화소 그룹(SPGr1)은 제1 부 발광 소자(SED1) 및 제1 부 투과 영역(STR1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 상부 및 하부 영역 및 우측 상부 및 하부 영역에 위치할 수 있다. 제1 부 발광 소자(SED1)는 제1 구동 회로부(DR1)와 중첩할 수 있다. 제1 부 투과 영역(STR1)은 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 좌측 중앙 영역, 우측 중앙 영역, 및 중앙 영역에 위치할 수 있다.
제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 제2 부 발광 소자(SED2) 및 제2 부 투과 영역(STR2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 중앙 영역 및 우측 중앙 영역에 위치할 수 있다. 제2 부 발광 소자(SED2)는 제2 구동 회로부(DR2)와 중첩할 수 있다. 제2 부 투과 영역(STR2)은 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 좌측 상부 및 하부 영역, 우측 상부 및 하부 영역, 및 중앙 영역에 위치할 수 있다.
제1 부 화소 그룹(SPGr1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)은 완전히 중첩할 수 있으며, 중첩된 상태에서의 형상은 도 12에 도시된 중첩 형태와 유사하다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 발광 소자(SED1)는 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)과 중첩할 수 있고, 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 발광 소자(SED2)는 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 중첩할 수 있다. 제1 부 화소 그룹(SPGr1)의 제1 부 투과 영역(STR1)과 제2 부 화소 그룹(SPGr2)의 제2 부 투과 영역(STR2)이 중첩하는 부분이 실제로 광이 투과하는 영역이 될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 기판
1110: 제1 기판
1210: 제2 기판
DA: 주 표시 영역
PA: 주변 영역
PA1: 제1 주변 영역
PA2: 제2 주변 영역
MED: 주 발광 소자
SED: 부 발광 소자
DR: 구동 회로부
MTR: 주 투과 영역
STR: 부 투과 영역
MPGr: 주 화소 그룹
SPGr: 부 화소 그룹
SPGr1: 제1 부 화소 그룹
SPGr2: 제2 부 화소 그룹
Ex: 연장선

Claims (20)

  1. 주 표시 영역 및 상기 주 표시 영역에 인접한 주변 영역을 포함하는 기판,
    상기 주 표시 영역에 위치하는 주 발광 소자,
    상기 주 발광 소자에 인접하고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 투과 영역,
    상기 주변 영역에 위치하는 부 발광 소자,
    상기 부 발광 소자에 인접하고, 상기 주변 영역에 위치하는 부 투과 영역, 및
    상기 주변 영역에 위치하고, 상기 부 발광 소자와 중첩하는 구동 회로부를 포함하는 투명 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 주 발광 소자에 연결되어 있고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 화소 회로부, 및
    상기 부 발광 소자에 연결되어 있고, 상기 부 표시 영역에 위치하는 부 화소 회로부를 더 포함하는 투명 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 부 화소 회로부와 상기 부 발광 소자를 연결하는 연장선을 더 포함하고,
    상기 연장선은 상기 부 투과 영역과 중첩하지 않도록 우회하는 투명 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 부 발광 소자는 순차적으로 적층되어 있는 애노드 전극, 발광층 및 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 연장선은 상기 애노드 전극으로부터 연장되어 있는 투명 표시 장치.
  5. 제2항에서,
    상기 구동 회로부는 상기 부 화소 회로부와 중첩하지 않는 투명 표시 장치.
  6. 제2항에서,
    상기 부 투과 영역은 상기 부 발광 소자, 상기 구동 회로부 및 상기 부 화소 회로부와 중첩하지 않는 투명 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 주변 영역에는 복수의 부 화소 그룹이 위치하고,
    각각의 부 화소 그룹에는 상기 부 투과 영역 및 상기 부 발광 소자가 위치하는 투명 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    각각의 부 화소 그룹은 하나의 상기 부 투과 영역과 복수의 상기 부 발광 소자를 포함하는 투명 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 부 투과 영역의 크기는 상기 복수의 부 발광 소자 전체의 크기보다 큰 투명 표시 장치.
  10. 적어도 일부가 서로 중첩하는 제1 표시 패널 및 제2 표시 패널을 포함하는 타일드 표시 장치에 있어서,
    상기 제1 표시 패널 및 상기 제2 표시 패널은 각각
    주 표시 영역 및 상기 주 표시 영역에 인접한 주변 영역을 포함하는 기판,
    상기 주 표시 영역에 위치하는 주 발광 소자,
    상기 주 발광 소자에 인접하고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 투과 영역,
    상기 주변 영역에 위치하는 부 발광 소자,
    상기 부 발광 소자에 인접하고, 상기 주변 영역에 위치하는 부 투과 영역, 및
    상기 주변 영역에 위치하고, 상기 부 발광 소자와 중첩하는 구동 회로부를 포함하는 타일드 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 표시 패널의 주변 영역 및 상기 제2 표시 패널의 주변 영역이 서로 중첩하는 타일드 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제1 표시 패널의 주변 영역에는 복수의 제1 부 화소 그룹이 위치하고,
    각각의 제1 부 화소 그룹에는 상기 제1 표시 패널의 부 투과 영역 및 부 발광 소자가 위치하고,
    상기 제2 표시 패널의 주변 영역에는 복수의 제2 부 화소 그룹이 위치하고,
    각각의 제2 부 화소 그룹에는 상기 제2 표시 패널의 부 투과 영역 및 부 발광 소자가 위치하고,
    상기 제1 부 화소 그룹과 상기 제2 부 화소 그룹은 서로 중첩하는 타일드 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 표시 패널의 부 투과 영역은 상기 제2 표시 패널의 부 발광 소자와 중첩하고,
    상기 제1 표시 패널의 부 발광 소자는 상기 제2 표시 패널의 부 투과 영역과 중첩하는 타일드 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 제1 표시 패널의 부 투과 영역과 상기 제2 표시 패널의 부 투과 영역이 중첩하는 타일드 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 제1 표시 패널의 부 발광 소자와 상기 제2 표시 패널의 부 발광 소자는 중첩하지 않는 타일드 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 표시 패널의 부 발광 소자는 상기 제1 부 화소 그룹의 좌측 상부 영역 및 우측 상부 영역에 위치하고,
    상기 제2 표시 패널의 부 발광 소자는 상기 제2 부 화소 그룹의 좌측 하부 영역 및 우측 하부 영역에 위치하고,
    상기 제1 표시 패널의 부 투과 영역과 상기 제2 표시 패널의 부 투과 영역의 중첩부는 상기 제1 부 화소 그룹 및 상기 제2 부 화소 그룹의 중앙 영역에 위치하는 타일드 표시 장치.
  17. 제10항에서,
    상기 제1 표시 패널 및 상기 제2 표시 패널은 각각
    상기 주 발광 소자에 연결되어 있고, 상기 주 표시 영역에 위치하는 주 화소 회로부, 및
    상기 부 발광 소자에 연결되어 있고, 상기 부 표시 영역에 위치하는 부 화소 회로부를 더 포함하는 타일드 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 부 화소 회로부와 상기 부 발광 소자를 연결하는 연장선을 더 포함하고,
    상기 연장선은 상기 부 투과 영역과 중첩하지 않도록 우회하는 타일드 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 부 발광 소자는 순차적으로 적층되어 있는 애노드 전극, 발광층 및 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 연장선은 상기 애노드 전극으로부터 연장되어 있는 타일드 표시 장치.
  20. 제17항에서,
    상기 구동 회로부는 상기 부 화소 회로부와 중첩하지 않고,
    상기 부 투과 영역은 상기 부 발광 소자, 상기 구동 회로부 및 상기 부 화소 회로부와 중첩하지 않는 타일드 표시 장치.
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