TW583449B - Reflection type liquid crystal display device and process for manufacturing the same - Google Patents

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TW583449B
TW583449B TW090129753A TW90129753A TW583449B TW 583449 B TW583449 B TW 583449B TW 090129753 A TW090129753 A TW 090129753A TW 90129753 A TW90129753 A TW 90129753A TW 583449 B TW583449 B TW 583449B
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film
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Hiroshi Sakurai
Hidenori Ikeno
Yuichi Yamaguchi
Hiroshi Kano
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Nec Lcd Technologies Ltd
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Description

583449 五、發明說明（3) 【解決問題之方法】 造方ί發二ΓΛ觀點為一種反射型㈣^ 罩，(:)成於二緣性基板上沈積低阻抗之金屬，，使用第1光 卓 办成源極/汲極配線之製程； ®田（tt於含有該源極/汲極配線之該絕緣性基板上，依序 層豐矽層、閘極絕緣膜及閘極電極 成薄膜電晶體區域及間極配線之製程；使用第2先罩，瓜 極配(:):上有該源極’汲極配線、該薄膜電晶體區域及閘 極配線之该、、、邑緣性基板上，沈積保 於該源極配線上之既定仿w #少舟办 文用弟d光罩 用開口區之位置，形成貫穿該保護膜之電晶體 (d)於。亥保遵膜上沈積層間絕 膜之表面形成凹凸面之同時， 曰IS广區的位置上，形成貫穿該層間絕緣膜的電 日日體用開口區之製程；及 联扪电 屬，間絕緣膜之凹凸面，沈積反射性之金 使用第5光罩，形成貫穿該保護膜及該胳 自之電晶體㈣口區而與制、極配^緣膜各 極之製程。 ％丨逆、…之反射電 迕方ί發：2第2個觀點為一種反射型液晶顯示裝置之製 w方法，其特徵包含： 罝之i (㈧於絕緣性基板上沈積低阻抗之金屬層 罩，形成源極/汲極配線之製程； 吏用第1光 第8頁 583449
(b)於含有該源極/汲極配線之 層疊矽層、閘極絕緣膜及閘極雷朽s巴、象陡基板上，依序 m狂电極層，栋田笛 成薄膜電晶體區域及閘極配線之製程· 弟先罩’ $ (c )於含有該源極/汲極配绐# ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 線 该缚膜電晶體區域及該 瞄^ T ^ 依序沈積保護層及層間絕緣 =:使用弟3光罩’於該層間絕緣膜之表面形成凹凸面之 2:Γ!源極配線上之既定的位置，形成貫穿該層間絕 、，彖膜的電晶體用開口區之製程； η 將該層間絕緣膜作為光罩使用’於對應於該層間
絕緣膜之電晶體用開π區的位置，形成貫穿該保護膜的電 晶體用開口區之製程；及 (e)沿著該層間絕緣膜之凹凸面，沈積反射性之金 屬’使用第4光罩’形成貫穿該保護膜及該層間絕緣膜各 自之電晶體用開口區而與該源極配線成電性連結之反射電 極之製程。 另外，該反射型液晶顯示裝置之製造方法中，較佳的 是利用半色調曝光法或二次曝光法，形成該層間絕緣膜之 凹凸面及電晶體用之開口區。
另外’該反射型液晶顯示裝置之製造方法中，較佳的 是使用可控制光透過量之曝光光罩，形成該層間絕緣膜之 凹凸面及電晶體用之開口區。
本發明之第3個觀點為該反射型液晶顯示裝置之製造 方法，其特徵為： 於形成該源極/汲極配線之際，形成電容電極；
第9頁 583449
於形成该薄膜電晶體區域及該閘極配線之於 、人 忒電容電極之該絕緣性基板上，形成該閘極配線·、'各有 於形成該層間絕緣膜及該保護膜各自之電晶^ 口區之際，於該電容電極上之既定的位置，==之開 0a , d成貫穿讀厣 間、、、邑緣膜及該保護膜的存儲電容區用之開口區；及 Π曰 於形成該反射電極之際，形成貫穿該保護 絕緣膜各自的存儲電容區用之開口區而與該衮=二ς 性連結的該反射電極。 U電極成電 本舍明之苐4個觀點為該反射型液晶顯示梦制止 方法，其特徵為： 、罝灸衣以 於形成該源極/汲極配線之際，形成保護 極/汲極配線； 电路用之源 於幵y成δ玄薄膜電晶體區域及該閘極配線之 護電極及保護配線； 之^ ’形成保 於形成該保護膜及該層間絕緣膜之際，於含有該保 電路用之源極/汲極配線、該保護電極及該保護配線/之^^ 絕緣性基板上，形成該保護膜及該層間絕緣膜·， Μ 於形成該層間絕緣膜及該保護膜各自之電晶體用之 口區之際，於該保護電路用之該汲極配線、該保護電路^ 之該源極/汲極配線、該保護電極及該保護配線上之既定 的位置’形成貫穿該保護膜及該層間絕緣膜的保護電路\ 之開口區；及 用 於形成該反射電極之際，形成利用該反射性之金屬同 時貫穿既定之該保護電路用之開口區而與該保護電路用之
583449 五、發明說明（6) 源，/沒極配線與該保護配線成電性連結的第1短路配線， 同知形成貫穿既定之該保護電路用之開口區而與該汲極配 線成電性連結的第2短路配線。 另外’ a亥反射型液晶顯示裝置之製造方法中，較佳的 疋於形成該層間絕緣膜之凹凸面之後而於沈積該反射性金 属之Θ ’包含至少將該層間絕緣膜之凹凸面予以熱處理之 製程。 另外’該反射型液晶顯示裝置之製造方法中，較佳的 是於形成該源極/汲極配線之後而於依序層疊矽層、閘極 絶緣膜及閘極電極層之前，包含至少將該源極/汲極配線 予以PH3處理之製程。 本發明之第5個觀點為一種反射型液晶顯示裝置，其 特徵具備： ^ 源極/汲極配線，形成於絕緣性基板上之既定位置； 薄膜電晶體區域及閘極配線，於含有該源極/汲極配 線之該絕緣性基板上之既定位置，形成從基板之法線方向 看去以石夕層、閘極絕緣膜及閘極電極金屬層之順序約略重 疊而疊積的層積體； 保護膜’形成於含有該源極/汲極配線、該薄膜電晶 體區域及該閘極配線之該絕緣性基板上，且具有貫穿 極配線上之既定位置而形成的電晶體用開口區·、 、、 層間絕緣膜’形成於該保護膜上，於表面形成凹凸 面’且具有與該凹凸面之形成之同時貫穿對應於該保 之電晶體用開口區的位置而形成的電晶體用開口· 』 Ih£ ，及
第11頁 583449 _____^—— 五、發明説明（7) 反射電 緣膜之表面 之電晶體用 本發明 徵為： 具有與 基板上之既 具有與 電極之該絕 向看去以f I憂而層疊 該保護 ^，反具有 事該電容電 區； 該層間 於該保護膜 容區用開口 該反射 電容區用之 本發明 徵為· 具有與 之 極，形成於該層間絕緣膜上’且沿著該層間絕 具有凹凸，貫穿該保護膜及該層間絕緣膜各自 開口區而與該源極配線成電性連結。 之第6個觀點為該反射型液晶顯示裝置，其特 ，源極/汲極配線形成之同時，形成於絕緣性 定位置的電容電極； 該薄膜電晶體區域形成之同時，於含有該電容 2性基板上之既定位置，形成從基板之法線方 層、閘極絕緣膜及閘極電極金屬層之順序約略 的層積體的存儲電容區； ，係形成於含有該存儲電容區之該絕緣性基板 该保護膜之電晶體用開口區形成之同時，貫 極上之既疋值置而形成的存儲電容區用開口 、、巴、彖膜具有與該凹凸面形成之同時，貫穿對應 諸電谷區用開口區的位置而形成的存儲電 區；及 =極貫穿該保護膜及該層間絕緣膜各自之存儲 幵二區’而與該電容電極成電性連結。 之第7個觀點為該反射型液晶顯示裝置，其特 極/沒極配線形成之同時，形成於該絕緣 &位置的保護電路用之源極/汲極配線； _ 基板上
第12頁 583449
五、發明說明（8) j有：該薄膜電晶體區域形成之同時，於含有該保護 形：ϋ之源極（汲極配線之該絕緣性基板上之既定位置， “入ΐ基板之法線方向看去以矽層、閘極絕緣膜及閘極電 ，五屬層之順序約略重疊而層叠的層積體所形成的 極及保護配線； 該保護膜係形成於含有該保護電極及該保護配線之該 絶緣性基板上，且具有與該保護膜之電晶體用開口區形成 之同％，貝穿該汲極配線、該保護電路用之源極/汲極配
線、忒保濩電極及該保蠖配線上之既定位置而形成的保護 電路用開口區； 该層間絕緣膜具有與該凹凸面之形成之同時，貫穿對 應於該保護膜之保護電路用開口區之位置而形成的保護電 路用開口區； 具有與該反射電極形成之同時，形成於該層間絕緣膜 上之既定位置，且貫穿既定之該保護膜及該層間絕緣膜各 自的保護電路用開口區而與該保護電路用之源極/汲極配 線與該保護配線成電性連結的第1短路配線；
具有與該反射電極形成之同時，形成於該層間絕緣膜 上之既定位置，且貫穿既定之該保護膜及該層間絕緣膜各 自的保護電路用開口區而與該〉及極配線與該保護電極成電 性連結的第2短路配線。 另外，該反射型液晶顯示裝置，較佳的是該源極/汲 極配線、該電容電極乃至該保護電路用之源極/汲極配線 係進行ΡΗ3處理。
第13頁 583449 五、發明說明（11) 矩陣基板的電路圖，圖2〜圖6糸 — 實施例1之反射型液晶顯干” 關於本發明 片、曰㈤ 日㉝不裝置上的主動矩陣基板製裎之 俯視圖，選出i條像素之圖形。 扳衣私之 =發明實施例,之反射型液晶顯卜示】7置^ 線上之剖面。另外=Λ’ 圖2〜圖6之A-A， 例1之及Μ _ y曰s圖8係杈式化顯不有關於本發明實施 1液日日頌不裝置上的主動矩陣基板電晶體區製 王衣私口彳面圖，顯示於圖2〜圖6之B-B，線上之剖面。 _ 實施例1之主動矩陣基板係利用將液晶設置於°主動矩 陣基板之反射電極，與於相對之對面基板上設置的透明電 極，進行驅動的反射型液晶顯示裝置用的基板。該主動矩 陣基板具備順偏位型（頂端閘極型）之薄膜電晶體（tft)。 如圖1之電路圖所示，主動矩陣基板1具備：於絕緣性 基板1 0上相互交叉的複數條閘極匯流線5丨與複數條汲極匯 流線21 ;係於該等交叉的位置上所設置的複數個電晶體區 2 ;及反射電極（未以圖示）。進一步地，複數條閘極匯流 線5 1與複數條汲極匯流線2丨之末端分別設置於絕緣性基板 1 0之周邊區域，而分別形成從外部供給驅動訊號的閘極端 子部5 3及 >及極端子部2 5。更進一步地，於絕緣性基板1 〇之 角落上形成共用電位供給端子9 1。該共用電位供給端子9丄 係為了供給電位予以共用電極92，而該共用電極92則形成 於與該主動矩陣基板1與相對向且挾持液晶81的對向基板 (未以圖示）。進而，於與各電晶體區2相鄰接的閘極匯流 線5 1之間，形成存儲電容區3。存儲電容區3係用以為了保
583449 五、發明說明（15) 以50 seem的流量供給SiF4氣體及150 “⑶的流量供給He 氣體，於將RF設為1200 W、壓力設為3〇 ?&下，對SiNx層 薄膜進行5 0 0秒鐘處理。 X曰 另外’石夕層之形成條件例如使用乾式鍅刻法，以2 〇 〇 seem的流量供給S i F4氣體、3 0 〇 seem的流量供給He氣體及 2 0 0 seem的流量供給HC1氣體，於將RF設為85〇 w、壓力設 為30 Pa下，對a-Si薄膜進行1〇〇秒鐘處理。 接著，如圖4、圖7(c)及圖8(c)所示，於絕緣性基板 10上，以約2 5 0 nm( 250 0 A )之厚度形成由SiNx等所形成的
保護膜6 1，而覆蓋電晶體區2、汲極匯流線2 1及閘極匯流 線5 1，利用微影製程及蝕刻製程，分別於源極電極2 2及電 容電極24上之既定位置，形成貫穿保護膜61的接觸孔63、 6 4 〇 於此，保護膜之成膜條件例如藉由使用電漿CVD法， 以2 0 0 seem的流量供給Si H4氣體、1〇〇〇 sccm的流量供給 NH3氣體、1 0 0 0 seem的流量供給H2氣體及6 0 0 seem的流量 供給N2氣體，於將RF設為1 20 0 W、壓力設為180 Pa、溫度 設為2 5 0 °C的條件下進行處理，而能夠長成s i Nx層薄膜。 另外，保護膜接觸孔之形成條件例如使用乾式钱刻 法，以50 seem的流量供給SiF4氣體及150 seem的流量供 給He氣體，於將RF設為1 2 0 0 W、壓力設為7 Pa下，對SiNx 層進行1 0 0秒鐘處理。還有，於本實施例上，為了配合製 程管理上之方便與現實性，閘極絕緣膜與保護膜係使用相 同組成，但因應於必要之考量，該等之組成則因應於該所
第20頁 583449 五、發明說明（16) 需特性而能夠變更。 接著，如圖5、圖7(d)及圖8(d)所示，於保護膜61 上，以約3//m之厚度（最大厚度），形成由感光性之壓克力 樹脂、聚醯亞胺樹脂等有機材料所形成的層間絕緣膜6 2， 例如，利用因半色調曝光法或二次曝光法等所進行的微影 製程及蝕刻製程，將層間絕緣膜6 2之表面形成凹凸，同 時，分別於源極電極22及電容電極24上之既定位置，形成 貫穿層間絕緣膜62的接觸孔63、64。 於此，層間絕緣膜之成膜條件例如將材料設為感光性 壓克力树月曰（JSR公司製339L)，以500 rpm進行旋轉塗布，_ 溫度設為9 0 °C，預先烘烤2 4 0秒鐘，之後，將掃瞄速度設 為15 mm/sec，以曝光機（Canon製MPA3 0 0 0W)進行曝光。 另外，層間絕緣膜之凹凸面及接觸孔之形成條件例如 半色調曝光法係使用可控制光透過量之曝光光罩，TMAH設 為0· 2%、溫度設為25 °C，進行100秒鐘處理。於此之曝光 光罩例如，遮光材料係使用視膜厚而能改變光透過量之非 晶質石夕薄膜（光學的能帶間隙為1 · 8 ev之薄膜），該非晶質 矽薄膜之形成係使用電漿化學氣相沈積法（pECVD法），光、 罩基板係使用玻璃基板，於其上面，利用pECVD法長成 〕· 1 5 // m之薄膜後，利用微影及蝕刻製程能形成所要之光 罩形狀（調整該非晶質矽薄膜之厚度於〇〜〇 · 1 5 # m之範 圍，能控制436 nm之波長光的透過率至1〇〇〜〇1%左右）。 $罩尺寸例如將為了作出於反射板表面所要的凹凸形狀設 — 定間距為2〜30 //m，將平面形狀設為圓形，將剖面設為傾 ·
第21頁 583449 五、發明說明（17) 斜角度30度以下 另外，利用_次曝光法形成層間絕緣膜之凹凸面及 觸孔時，以能去除感光性膜一半左右之曝光量，使用 光罩進打第1次曝光，使用第2光罩進行第2 與第2次均被感光的部分，薄膜將完全被去除了只^】* 或第2次之其中一次被感光的部分，一半左右 去除。如此二來，得到階梯形狀之殘留薄膜。 另外，形成凹凸之後，若層間絕緣膜為壓克力樹脂， :好於221TC進行i小時之熱處理，使凹凸之表面平 退有’層間絕緣膜之凹凸面形成雖然能利用上述之任 意程經濟上則希望為最少PR數目 之製程。 接著’如圖6、圖J (e)及圖8 (e )所示’於層間絕緣膜 62上’冑由鋁、銀等高反射材料所形成的反射電極長 成約300 nm(3〇〇〇 A )之厚度（從層間絕緣膜62之凹凸區/ 面起之厚度）的薄Μ ’以貫穿接觸孔63⑴而與沒 23及電容電極24連結，㈣微影製程及㈣製程 電極71。該反射電極71至少於液晶面板之開口區形成。反 射電極層71之周圍也可以形成與電晶體區2、閘極匯流線 5^與汲極匯流線21部分重疊。如此一來，能製造主動矩 基板。 卞 於此’反射電極層之成膜條件例如使用滅鑛法，以 100 seem的流量供給ΑΓ氣體，於將溫度設為2〇〇。〇、壓力 設為0.3 Pa、功率設為5 kW的條件下長成Μ薄膜。
583449
另外，反射電極等之成膜條件例如使用溼式蝕刻法， 以磷酸79%、硝酸0.5%、4(TC之溶液，對A1薄膜進行6〇秒 鐘處理。 五、發明說明（18) 最後，於具備透明電極及彩色濾光片之對面基板及主 動矩陣基板上分別形成定向膜之後，將主動矩陣基板與對 面基板相貼合，於該等基板間注入液晶而形成液晶層，藉 此，製造反射型液晶顯示裝置（未以圖示）。
接著’茲將參照附隨的圖面，以說明本發明之實施例 2。圖9係有關於本發明實施例2之反射型液晶顯示裝置上 的主動矩陣基板的電路圖，圖10係模式化顯示有關<於本發 明實施例2之反射型液晶顯示裝置上的主動矩陣基板電晶 體區製程之製程剖面圖，圖11〜圖丨6係模式化顯示有關於 本發明實施例2之反射型液晶顯示裝置上的主動矩陣基板 之保護電路區製程的俯視圖，圖17係模式化顯示有關於本 發明實施例2之反射型液晶顯示裝置上的主動矩陣基板之 層間絕緣膜表面處理製程的製程剖面圖。使用於該t反射型 液晶顯示裝置之主動矩陣基板，若參照圖9，少了實施例i 上的存儲電容區而設置了保護電路（保護元件區4、保護端 子部56及保護匯流線54)，雖然電晶體區2之構造與實施例 1相同，但接觸孔形成之際的製程與實施例1不同了保護電 路於因靜電等造成來自於外界之過電流輸入之際，藉由使 保護元件區4變成〇N使電流漏失而流向保護匯流\54θ，而 可防範關於顯示的内部元件之破壞。 接著’兹將參照附隨的圖10〜圖17，以說明有關於實
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施例2之反射型液晶顯示裝置上的 之製造方法。 主動矩陣基板電晶體區 H，如圖1〇(a)及圖n所示’與實施例丨之時相同， 絕緣性基板10上，形成源極/没極電㈣、… 匯流線21)及保護電路用之源極/汲極配線26。 成源極/没極電極等之後，雖然於圖面上未顯#，但較佳 的是進行PI處理而於源極/汲極電極等表面上形成磷層。 還有，於同時也形成存儲電容區之情形時，於該製程形成 電容電極。 接著，如圖10(b)及圖12所示，舆實施例】之時相同，驗 於絕緣性基板10上，覆蓋源極/汲極電極22、23及保護電 路用之源極/汲極配線2 6各別之相對侧，而形成矽層3 〇、 閘極絕緣膜40、閘極電極52(包含閘極配線）及保護電極 5 5 (包u含保護匯流線54)。藉此，能作出電晶體區2及保護 元件區4。還有，於同時也形成存儲電容區之情形時，於 該製程形成貫穿電容電極上方之閘極匯流線。 接著’如圖1 0 (c)及圖1 3所示，與實施例1之時相同， 於絕緣性基板1 〇上，使用濺鍍法或CVD法，長成由s丨&等 所形成的保護膜6 1，以覆蓋電晶體區、汲極匯流線2丨、閘 _ 極匯流線、保護電極5 5及保護匯流線5 4。於實施例2，保 護膜61之成膜後並不立即進行接觸孔之成形，該點則與實 施例1之情形不同。還有，於同時也形成存儲電容區之情 形時，於該製程也於存儲電容區上長成保護膜。 ^ 接著’如圖10(d)、圖14及圖17(a)〜（c)所示，於保
第24頁 583449 圖式簡單說明 圖1係有關於本發明實施例丨之反射型液晶顯示裝置上 主動矩陣基板的電路圖。 勺 J2係模式化顯示有關於本發明實施例i之反射型液晶顯示 ^ 的主動矩陣基板製程之第1俯視圖。 J3係模式化顯示有關於本發明實糊之反射型 衣置上的主動矩陣基板製程之第2俯視圖。 、不 Γ署係Λ式化顯示有關於本發明實施例1之反射型液晶顯亍 雇置上的主動矩陣基板製程之第3俯視圖。 ，、 係模式化顯示有關於本發明實施例i之反射型液晶顯示 义 、主動矩陣基板製程之第4俯視圖。 .M.I1 ^ r, .a I,,, " 勺主動矩陣基板製程之第5俯視圖。 ，7曰(ϋ)係模式化顯*有關於本發明實施例1之反射型 ，:曰:顯二裝置上的主動矩陣基板電晶體區製程之製 (A-Α間）圖。 ，衣狂糾面 Γ曰ϊ模式化顯示有關於本發明實施例1之反射型 (B-V間;圖 主動矩陣基板電晶體區製程之製程剖面 )二:):上模的式:顯示有關於本發明實施例2之反射型 圖。 上的主動矩陣基板電晶體區製程之製程剖面 圖11係核式化顯示有關於本發明實施例2之反射型液晶顯
第27頁 583449 圖式簡單說明 示裝置 f- ΛΑ 圖二 、主動矩陣基板之保護電路區製程的第1俯視 ΓΓί'ϊ Si貝示有關於本發明實施例2之反射型液晶顯 圖。 動矩陣基板之保護電路區製程的第2俯視 圖1 3係模式备祐_ ^ β , 示裝置上有關於本發明實施例2之反射型液晶顯 圖。 的主動矩陣基板之保護電路區製程的第3俯視 施例2之反射型液晶顯 俯視 顯示有關於本發明實… :上的主動矩陣基板之保護電路區製程的第4 化顯示有關於本發明實施例2之反射型液晶顯 圖^ 勺主動矩陣基板之保護電路區製程的第5俯視 式化顯示有關於本發明實施例2之反射型液晶顯 ^ 上的主動矩陣基板之保護電路區製程的第6俯視 圚0 圖17(a)〜（d)係模式化顯示有關於本發明實施例2之反射型 液晶顯示裝置上的主動矩陣基板之層間絕緣膜表面處理 程的製程剖面圖。 、 圖1 8係顯示有關於習知一例之反射型液晶顯示裝置上的主 動矩陣基板之製造方法的流程圖。 [符號說明]
第28頁 583449 圖式簡單說明 主動矩陣基板 電晶體區 存儲電容區 4 :保護元件區 1 0 :絕緣性基板 21 :汲極匯流線 2 2 :源極電極（源極電極層） 2 3 :汲極電極 2 4 :電容電極 2 5 :汲極端子部 2 6 :源極/汲極配線（保護電路用） 3 0 :矽層 4 0 :閘極絕緣膜 51 :閘極匯流線 5 2 :閘極電極（閘極電極層） 5 3 :閘極端子部 5 4 :保護匯流線 5 5 :保護電極 5 6 :保護端子部 61 :保護膜 6 2 :層間絕緣膜 6 3 :汲極電極用接觸孔 6 4 :電容電極用接觸孔 6 5 :保護電極用接觸孔
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Claims (1)

  1. 583449
    六、申請專利範圍 υ.λ *'T | 特徵為包 1 · 一種反射型液晶顯m名方法，苴 含： /、 (a) 於絕緣性基板上沈積低阻抗之金 罩，形成源極/汲極配線之製程； s 用第1光 (b )於含有該源極/沒極配線之該絕緣性其 層疊矽層、閘極絕緣膜及閘極電極層，使用^反上，依序 成薄膜電晶體區域及閘極配線之製程； 〃罩，形 (c) 於含有該源極/汲極配線、該薄膜電晶 極配線之該絕緣性基板上，沈積保護層，*用甲 於該源極配線上之既定位置，形成貫穿、， 用開口區之製程； 才/诉口隻«之電晶體 (d) 於該保護膜上沈積層間絕緣膜 “形成凹凸面之同•，對護： 晶體二位】上，形成貫穿該層間絕緣膜的電 屬，(#e)用沿^該層間絕緣膜之凹凸面’沈積反射性之金 自之雷β驶光罩，形成貫穿該保護膜及該層間絕緣膜各 極之製：開口區而與該源極配線成電性連結之反射電 2.種反射型液晶顯示裝置之製造方法，其特徵包含： =)於％緣性基板上沈積低阻抗之金屬層，使用第1 早，形成源極/汲極配線之製程； ％ (b) 於含有該源極/汲極配線之該絕緣性基板上，依 層豎矽層、閘極絕緣膜及閘極電極層，使用第2光罩，形^
    第31頁 ^--- 583449 六、申請專利範圍 成薄膜電晶體區域及閘極配線之製程； (c) 於含有該源極/汲極配線、該薄膜電晶體區域及該 閘極配線之該絕緣性基板上，依序沈積保護層及層間絕緣 膜，使用第3光罩，於該層間絕緣膜之表面形成凹凸面之 同時，於該源極配線上之既定的位置，形成貫穿該層間絕 緣膜的電晶體用開口區之製程； (d) 將該層間絕緣膜作為光罩使用，於對應於該層間 絕緣膜之電晶體用開口區的位置’形成貫穿該保護膜的電 晶體用開口區之製程；及 (e) 沿著該層間絕緣膜之凹凸面，沈積反射性之金 屬，使用第4光罩，形成貫穿該保護膜及該層間絕緣膜各 自之電晶體用開口區而與該源極配線成電性連結之反射電 極之製程。 3. 如申請專利範圍第1項之反射型液晶顯示裝置之製造方 法，其中， 利用半色調曝光法或二次曝光法，形成該層間絕緣膜 之凹凸面及電晶體用之開口區。 4. 如申請專利範圍第3項之反射型液晶顯示裝置之製造方 法，其中， 使用可控制光透過量之曝光光罩，形成該層間絕緣膜 之凹凸面及電晶體用之開口區。 5. 如申請專利範圍第1項之反射型液晶顯示裝置之製造方 法，其中， 於形成該源極/汲極配線之際，形成電容電極；
    第32頁 583449 六、申請專利範園 於形成5亥薄膜電晶體區域及該閘極配線之際，於含有 該電容電極之該絕緣性基板上，形成該閘極配線； 於形成该層間絕緣膜及該保護膜各自之電晶體用之開 口區之際，於該電容電極上之既定的位置，形成貫穿該層 間絕緣膜及該保護膜的存儲電容區用之開口區；及 於形成該反射電極之際，形成貫穿該保護膜及該層間 絕緣膜各自的存儲電容區用之開口區而與該電容電極成電 性連結的該反射電極。 ~ 6.如申請專利範圍第1項之反射型液晶顯示裝置之製造方 法，其中’ 於形成該源極/汲極配線之際，形成保護電路用之源 極/;及極配線， 於形成該薄膜電晶體區域及該閘極配線之際，形成 護電極及保護配線； / μ 於形成該保護膜及該層間絕緣膜之際，於含有今保士 電路用之源極/汲極配線、該保護電極及該保護配線之^^ 絕緣性基板上，形成該保護膜及該層間絕緣膜； ^ 於形成該層間絕緣膜及該保護膜各自之電晶體用之 口區之際’於該保護電路用之該没極配線、該保護電路用 之該源極/汲極配線、該保護電極及該保護配線上之既定 的位置’形成貫穿該保護膜及該層間絕緣膜的保護電路\ 之開口區；及 於形成該反射電極之際，形成利用該反射性之金屬， 同時貫穿既定之該保護電路用之開口區而與該保護電路用
    583449 六、申請專利範圍 之源極/汲極配線與該保護配線成電性連結的第丨短路配 線’同時形成貝牙既定之該保護電路用之開口區而與該汲 極配線成電性連結的第2短路配線。 〃 7.如申請專利範圍第1項之反射型液晶顯示裝置之製造方 法，其中， 於形成該層間絕緣膜之凹凸面之後而於沈積該反射性 至屬之前，包含至少將該層間絕緣膜之凹凸面予以埶 之製程。 …
    ^如中請專利範圍第1項之反射型液晶顯示裝置之製造方 法，其中， 於形成該源極/汲極配線之後而於&序層疊石夕層、閉 :予邑=及間極電極層之前，包含至少將該源 線予以PH3處理之製程。 9， 一種反射型液晶顯示裝置，其特徵 ^極/汲極配線，形成於絕緣性基板1之既定位置； 線之ίί:晶體區域及閘極配線’於含有該源極/汲極配 看去=矽i性基板上之既定位置，形成從基板之法線方向 層=絕緣膜及間極電極金屬層之順序約略重
    :J膜，开>成於含有該源極/汲極配線、該薄膜電晶 間極配線之該絕緣性基板上，且具有貫穿該源 配線上之既定位置而形成的電晶體用開口區； 層間絕緣膜，形成於該保護膜上，於表面形成凹凸 面，且具有與該凹凸面之形成之同時貫穿對應於該保護膜
    第34頁 583449 六、申請專利範圍 之電晶體用開 反射電極 緣膜之表面具 之電晶體用開 10· 如申請專 中， 具有與該 基板上之既定 具有與該 電極之該絕緣 向看去以矽層 重疊而層疊的 該保護膜 上被，且具有 貫穿該電容電 區； 該層間絕 於該保護膜之 容區用開口區 該反射電 電谷區用之開 11. 如申請專 中， 具有與該 口區的位置而形成的電晶體用開口區；及 ’形成於該層間絕綾膜上， ^ ππ π I和4 2 、 且沿著該層間絕 有凹凸，貝牙该保護膜及該層 口區而與該源極配線成電性連結 利範圍第9項之反射型液晶顯示裝置，其 源汲極配線形成之同時，形成於絕緣性 位置的電容電極； 薄膜電晶體區域形成之同時，於含有該電容 性基板上之既定位置，形成從基板之法線方 、閘極絕緣膜及閘極電極金屬層之順序約略 層積體所形成的存儲電容區； 係形成於含有該存儲電容區之該絕緣性基板 與該保護膜之電晶體用開口區形成之同時， 極上之既定位置而形成的存儲電容區用開口 緣膜具有與該凹凸面形成之同時，貫穿對應 存儲電容區用開口區的位置而形成的存儲電 ;及 極貫穿該保護膜及該層間絕緣膜各自之存儲 口區而與該電容電極成電性連結。 利範圍第9項之反射型液晶顯示裝置，其 源極/汲極配線形成之同時，形成於該絕緣
    第35頁
    第36頁 583449 申請專利範圍 極/ >及極配線係進行p H3處理。 13· —種製造液晶顯示裝置之主動矩陣基板的方法，其於 基板上之汲極匯流線與閘極匯流線之交叉區所設置的切換 電晶體之源極電極上，於絕緣膜上所形成的反射電極具有 接觸孔， 其特徵為：
    於已形成為切換電晶體、汲極配線與閘極配線的該基 板上’沈積為了成為與該反射板電極之界面的感光型薄 膜；及
    利用半色调曝光或二次曝光之其中的一種，進行貫穿 4感光型絕緣膜之界面凹凸與該感光型絕緣膜之接觸孔的 形成。 14. 如申請專利範圍第1 3項之製造方法，其中， 將已形成該接觸孔之該感光型絕緣膜作為蝕刻光罩， 於該基板與該感光型絕緣膜之間所***之絕緣膜上，形成 到達該源極電極的接觸孔。 15. 如申请專利範圍第1 3項之製造方法，其中，
    於已形成源極與汲極電極圖案之絕緣性基板上，沈積 矽層、閘極絕緣膜與閘極電極層；及 利T曝光與餘刻，形成閘極電極與該閘極匯流線之圖 案，接著，連續蝕刻該閘極絕緣層、矽層，作成正偏位構 造之該切換電晶體。 16. 一種製造液晶顯示裝置之主動矩陣基板的方法，其具 有於基板上之没極匯流線與閘極匯流線交叉區所設置的正
    第37頁 583449 六、申請專利範圍 偏位構造之切換電晶體， 其特徵為： 於已形成源極與汲極電極圖案的絕緣性基板上，沈積 石夕層、閘極絕緣膜與閘極電極層；及 利用曝光與蝕刻，形成閘極電極與該閘極匯流線，接 著，連續蝕刻該閘極絕緣層、該矽層，作成正偏位構造之 該切換電晶體。
    第38頁
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