TW581919B - Manufacturing method for reflector, reflector, and liquid crystal display - Google Patents

Description

581919 五、發明說明（l) 【發明背景】 [發明領域] 本發明係關於一種具有良好反射特性之反射板與一種 裝備此等反射板而具有良好顯示特性之液晶顯示器，以及 此等反射板與液晶顯示器之一種製造方法。 [相關技術說明] 如眾所知，一個内部具有反射板之反射式液晶顯示器 係反射入射光以做為顯不光。反射式液晶顯示器不需背光 做為光源，因此，反射式液晶顯示器具有比透射式液晶顯 示器更能達成電力消耗較少而體型更為細薄之優點。=… 故’反射式液晶顯示器被使用於可攜式終端或其他類似產 品之上。一種同時具有反射式與透射式功能之所謂的透反 射（transf lective)式液晶顯示器亦被使用於可攜式電話 與類似產品’雖然接續之討論將說明反射式液晶顯示器之 問？4 ’然而透射式液晶顯示器亦具有相似之問題。 反射式液晶顯示器包含：充填於液晶單元中之液晶、 用以驅動液晶之開關元件、以及一裝備於液晶單元内部或 外部之反射板。反射式液晶顯示器是一種使用如薄膜電晶 體做為開關元件之主動矩陣式液晶顯示器。 就反射式液晶顯示器而 器之反射電極表面形成一種 度。一旦其表面具有波動起 重方向反射入射光。亦即， 動起伏之形狀將可增進其顯 言’目前已發展出在液晶顯示 波動起伏之形狀以增進其能見 伏不再平坦，反射電極將往多 於反射電極之表面形成一種波 示特性，譬如像是更寬廣之觀

581919 五、發明說明（2) 視角度。 然而反射電極此種起伏之形狀可能增強反射光的散射 特性，其中一種情形為：當波動起伏形狀具有強烈規則性 時，反射光之干涉現象會導致螢幕變陰暗。因此，為抑制 光的干涉’較佳之情形是儘可能地降低起伏形狀之規則 性。 、 論及在反射電極表面製造波動起伏形狀之方法，已開 發之一種方法為：將波動起伏形狀形成於一絕緣膜之表 面。於此種方法中，首先形成一層感光樹脂膜，並利用一 曝光遮罩將該樹脂膜曝光後再沖洗顯像，以形成不連續之 凸起圖案。然後，經由加熱處理使該膜之表面熔化，以形 成較柔和表面。之後，形成一層有機絕緣膜於該樹脂膜= 上，繼而蝕刻之以形成一接觸洞。最後，於絕緣膜之上形 成一反射電極，則源於該樹脂膜與絕緣膜之起伏形狀即^ 所製之反射電極表面形成。 、 依據上述塑造波動起伏形狀之方法，絕緣膜的波動起 伏係以近似固定高度形成，亦即，由於樹脂膜之所有突起 貫吳上具有相同咼度（厚度）值，故波動起伏之高度實際上 具備兩個數值。此處，波動起伏之高度是指：於反射&之 法線方向，波動起伏之頂部與其底部間的高度水平（深度） 另一種已開發之方法係利用所謂的半色調遮罩，該方 法說明於日本公開專利公報第2 〇 〇 〇 - 2 5 0 0 2 5號之中。依據 该法，樹脂膜乃利用半色調遮罩而圖案化，該遮罩於其所

第5頁 581919 五、發明說明（3) 遮蔽之區域内 之突起。然而 於絕緣膜之上 如上所說 多三個值，是 則性而相當單 起伏形狀 示特性。因此 有效值個數受 此外，上 多步驟，亦即 光乃至沖洗顯 具尖銳形狀， 狀較為柔和。 多步驟之缺點 如上所述 一尤其是其高 分高水準之反 較多步驟之問 具有不 ’高度 的波動 明，波 故，習 調0 的強烈 ’習用 限制而 述於絕 :兩層 像。更 因而需 因此， 同南度值 此，形成 設定為至 備較強規 特性與顯 起伏南度 法需要較 形成、曝 波動起伏 其表面形 有包含較 同之透射率，故可形成具不 值之個數實際上為兩個，因 起伏之高度具有三個數值。 動起伏之高度因此而習慣上 用反射板之波動起伏形狀具 規則性並未提供良好之反射 的反射板由於絕緣膜之波動 未此充分改善顯示特性。 緣膜之上塑造波動起伏的方 有機膜（樹脂膜與絕緣膜）之 且，使用光刻技術所形成之 要後續加熱處理之步驟以使 習知的使用光刻技術方法具 ，習用之反射板因反射電極的波動起伏形狀 度具有規則性較強之問題以致無法達成充 射特性…此反射板之製造方法具；= 題。 【發明概述】 備優上述情形’本發明之一目的乃在於提供-種肩 反射^之方^性之反射板與液晶顯示器，以及一種製造itt

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本發明之另一目標則是提供一種利用實際上步驟較 之方法所製造之反射板與液晶顯示器，以及— 射板之方法。 禋Iw此反 一實施態樣的反 為達成上述目的，一種依本發明之第 射板之製造方法包含如下步驟： 形成一絕緣層（1 8); 以雷射光束照射該絕緣層（1 8)而於該絕緣層（丨8 )之表 面經燒蝕而形成一波動起伏（18b);並 於該絕緣層（1 8)之表面形成一電極（1 9)。 於本案例，於該燒蝕步驟，該雷射光束可以一預定之 強度分佈照射至該絕緣層（1 8)之上。 於本案例，該雷射光束可經由一預定透射率分佈之遮 罩（4 3)而照射至該絕緣層（1 8)之上。 於本案例，入射至該遮罩（43)的該雷射光束可具有一 平伏之縱剖面。 於本案例’掃猫照射可由呈點狀之该雷射光束所完 成0 於本案例，於該燒蝕步驟，該雷射光束可以脈衝之形 式發射。 於本案例，於該燒蝕步驟中，該波動起伏（1 8b )可形 成為具有四種或更多種高度水平。 於本案例，開關元件（1 6 )可設置於該絕緣層（1 8 )之 L且 於該燒餘步驟中形成一接觸洞（1 8 a )，經由該接觸洞

581919 五、發明說明（5) (1 8a)之底部可暴露出該開關元件（丨6)之一端。 於本案例，於該燒蝕步驟中，一平坦區可能與該波動 起伏同時形成於該絕緣層之上，且 製造方法可能進一步包含一步驟：於該平坦區域形成 一透明電極（5 2 )。 上述之製造方法可能進一步包含一步驟：於該燒蝕步 驟之後，對該絕緣層（1 8 )施行退火處理。 夕 為達成上述目標，一種依本發明之第二實施態樣之 射板包含： ^ 一絕緣層（18)，設置於基板（14)之上，且其表面包 有至少四種高度水平之多重水平波動起伏;與 一電極（1 9 )，設置於該絕緣層（丨8 )之上。 一為達成上述目標，依本發明之第三實施 不器包含上述之反射板（U)。

下 性 態樣之液晶 【較佳實施例之詳細說明】 本發明之較佳實施例。 等實施例應被視為舉例 茲將參照伴隨之圖示，說明 文將描述本發明之一實施例，此 而非限制性者。 [第一實施例] 一個依照本發明之第一會 在每-像素中冑具有一例> :2的液晶顯示器乃是1 示器。 件“動矩陣式液晶得

581919 五、發明說明（6) ^ 圖1為依本實施例之液晶顯示器1 0的單位像素區域之 橫剖面。如圖i所示，此反射式液晶顯示器丨〇具有一片包 含一反射板之低層基板1 1、一與低層基板丨丨對向排列之對 向基板1 2、以及一夾於低層基板丨丨與對向基板丨2之間的液 晶13。 低層基板1 1包含一絕緣基板1 4、一絕緣保護膜1 5、 TFTs 1 6、一鈍化膜17、一有機絕緣層18以及一反射電極 19 〇 由無機或有機絕緣物質所製成之絕緣保護膜丨5置於絕 緣基板14之上，而用以做為開關元件之TFTs 16則於絕緣 保護膜15之上形成。 每一TFT 16具有一個形成於絕緣基板14之上的閘電極 2 0、一經由絕緣保護膜1 5而置於閘電極2 〇之正上方的半導 體層21、一汲極電極22以及一源電極23。汲極電極22與源 電極2 3各別與未於圖中顯示的半導體層2丨之汲極區與源極 區相連接。 鈍化膜1 7乃由一絕緣膜所形成—_例如，以矽為主之薄 膜。除了稍後將提到的接觸洞1 8 a所將形成的區域以外， 鈍化膜1 7覆蓋所有TFT 1 6。 有機絕緣層1 8形成於鈍化膜丨7之上，有機絕緣層丨8是 由一種谷易被後續將提到之雷射燒触（laser ablation)所 燃燒並昇華之有機物質所形成。 雷射燒14為一種現象：當波長在一預定範圍内之雷射 光束照射至在該預定波長範圍内具有一吸收帶之有機物質

581919 五、發明說明（7) 時，此有機物質内部之化學鍵將被打斷以致被照射之表層 消失（被清除）。 亦即，有機絕緣層1 8是以能夠吸收其波長被使用於燒 蝕過程中之雷射光束的有機物質所形成。下面將說明當有 機絕緣層1 8是由聚醯亞胺樹脂所形成時之情況。 接觸洞1 8a以底部露出源電極23之形態而形成於有機 絕緣層18之中，波動起伏18b則形成於有機絕緣層18之表 面。如稍後將討論者’波動起伏1 8b與接觸洞1 8a是由雷射 燒蝕所形成。 有機絕緣層18之波動起伏18b以其具備多種高度數值 的方式形成，波動起伏1 8b之「高度」係指··以反射板法 線方向之一個預定位置為參考點時，波動起伏之頂部或底 部的咼。於本實施例中，採用波動起伏丨8b形成之前之有 機絕緣層1 8的位置（有機絕緣層1 8之厚度）為參考點。 如圖1所示，有機絕緣層18之波動^伏18^在1個預 範圍内具有多種高1，尤其是四個或更多的高度值。例 :二當有機絕緣層18之厚度為3_時，波動起伏㈣之高 J在〇. 04 _至2. i _範圍中具有四個或更多之高度 J射電極19由鋁或鉻之類的金屬所製成，卩一種預定 :二位於包含接觸洞18a之有機絕緣層18之上。經由 :m8a，反射電極19娜16之源電極 為一像素電極與光反射層。 仗1卜用 反射電極1 9表面所形成之名p儿 ^开y成之起伏形狀係源於有機絕緣層 581919 五、發明說明（8) 18表面的波動起伏18b。由於有機絕緣層18之波動起伏18b 具有多種南度值並形成具備多重水平，故形成於反射電極 19之上的波動起伏也同樣成為具有多重水平並具備較低規 則性。因此，反射電極1 9所反射之光具備強烈散射性，致 使低層基板1 1具有強烈反射特質，因而包含此種低層基板 11的液晶顯示器1 0具有良好之顯示特性。 對向基板12包含一濾色器30與一透明電極31，兩者依 序層疊於透明絕緣基板29之一面，而絕緣基板29之另一面 則形.成一偏光片32。 液晶13係利用扭轉向列（Twisted Nematic, TN)液晶 法、超扭轉向列（Super Twisted Nematic，STN)法、單片 偏光器法、主客（Guest-Host，GH)法、聚合物分散液晶 (polymer Dispersed Crystal，PDLC)法、膽固醇狀液晶 (cholesteric)法、或其它類似之方法所形成，並付予液 晶13 —預定之方位。 下面將說明具備上述結構之液晶顯示器丨〇之運作。 在白色模式中’光入射至顯示器表面°，穿越絕緣基板 29、渡色器30、透明電極31以及液晶13，最後抵達反射電 極1 9之表面。 由於反射電極19表面呈波動起伏’故人射光被波動起 伏所散射與反射。反射光穿越液晶13、透明電極31、滤色 器30、絕緣基板29以及偏光片32而回到外部做為顯示光。 另-方面，在黑色模式中，雖然入射光如 色模 式-般地於反射電極19反射’其反射光

第11頁 581919 五、發明說明（9) 阻而不能往外照射。以此方式，液晶顯示器〗〇執行光的開 (ON)關（OFF)運作。 今將說明此液晶顯示器之反射板（低層基板丨1 )的一種 製造方法。圖2 A至2 D說明製造步驟。 首先’於絕緣基板1 4之上形成每一個作為開關元件之 用的TFT 16。亦即，於絕緣基板14之上形成閘電極2〇，然 後形成覆蓋閘電極20之絕緣保護膜1 5。其次，經由餘刻、 摻夤植入及其它種種過程而於絕緣保護膜1 5之上形成具有 未圖示之沒極區與源極區之半導體層21。然後再於絕緣保 邊膜1 5之上形成各別連接至沒極區與源極區的汲極電極2 2 與源電極23。然後，於TFT 16之上形成鈍化膜17並將之圖 案化而形成如圖2A所示之合成結構。 然後，於該合成結構之表面塗佈聚醯亞胺並烘烤之， 如此而形成平坦並具有厚度例如為3 " m之聚醯亞胺膜 35(圖2B)。舉例而言，烘烤是以9〇之溫度烤十分鐘而完 成0 其次，對於聚醯亞胺膜35施行雷射燒蝕而形成具有接 觸洞18a與波動起伏l8b之有機絕緣層18，如圖％所示。 圖3描繪雷射燒蝕過程中使用的一個光學處理系統4〇 之結構。圖3所示之光學處理系統4〇乃由一光源41、一成 型區42以及一遮罩43所組成。 光源4丨發射一種脈衝式雷射光束，例如KrF激生分子 雷射光束（波長為248ηπ〇。此雷射光束以一預定個數之脈 衝與確保能達成完善之縱剖面燒蝕的強度照射。例如，照

581919 五、發明說明（ίο) 射至聚醯亞胺膜35上所即將形成接觸洞1 8a之區域的雷射 光束是以能量密度為300 mJ/cm2之強度來發射。 成型區42包含：一蠅眼（fly eye)透鏡、一圓柱透鏡與 一鏡子等等，使雷射光束之型態成為具有如圖4所示之頂 部平坦的縱剖面型式。成形後之雷射光束以近似垂直之方 式發射至標的物聚醯亞胺膜35。 因遮罩4 3位於成型區4 2與照射對象之間，故由成型區 42出來之雷射光束經由遮罩43照射至照射目標聚醯亞胺膜

35之上。被雷射光束照射後之聚醯亞胺膜35的表面區域則 經由燒蝕而消失（清除）。 遮罩4 3係由一種能調整光透射率使之適合所需之所謂 H遮罩所構成。亦# ’遮罩4 3係經由在一片以石英或 f 5 2:製成 < 透明基板之上形成-層經圖案化為預定形 狀之介電膜（未圖示）所組成。

LaF3 >Al2°3 >Hf〇2 'YFs 'MgF2 ' 槿，祐4、Γ並、、類似物製成之薄膜或此類薄膜之疊層所 圖案化2 =二通的薄膜沉積法形成於基板之上。使用一般 1： ^< 此介電膜以一種預定之形狀--例如，該介

此等介電膜之島狀^廓—成島狀地設置於基板表面。 射率。選定各個原預定厚度形成以呈現適用之光透 膜厚度，如此得於預定之分佈設定遮罩表面之介電 分佈。 ' ^、、、射面達成所要之光強度（能量密度） 燒餘之程度因逝旦a ，、此里岔度大小成比例而呈現差異，所

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五、發明說明（11) 以可就不同之深度除去介電膜。確言之，無介電膜形成之 區域對應至接觸洞1 8a，而依預定厚度形成介電膜之區域 則對應至即將形成波動起伏1 8b之部份。藉由依此方式所 形成之遮罩43發射雷射光束，可於聚醯亞胺膜35之中與之 上形成接觸洞18a與波動起伏18b，而燒蝕深度亦可藉由發 射之雷射光束的脈衝個數來調整。 雷射光束通過遮罩43而由圖4所示之縱剖面成型為如 圖5所示之縱剖面。發射如圖所示之成型雷射光束可於聚 醯亞胺膜35之中與之上形成如圖}所示的接觸洞18a與波動 起伏1 8 b。 在圖5所不的縱剖面中，照射至即將形成接觸洞丨8 a之 區域的雷射光束並未由介電膜所減弱，且呈平伏之型式。 如上所述，雷射光束的能量密度數值係以能夠使預定厚度 之聚醯亞胺膜35適當地成型而被設定者，舉例而言，對應 至即將形成接觸洞1 8a區域的平伏部份之能量密度為 300mJ/cm2 〇 另一方面’對應至即將形成波動起伏1 8b區域的能量 密度之縱剖面呈現多個頂點值，於之前所述及之範圍中至 少具有四個頂點值（極大值或極小值），舉例而言，頂點值 落於6 0mJ/cm2至20 0mJ/cm2之範圍中。 發射此等縱剖面具有多個頂點值之雷射光束形成了具 有與聚醯亞胺膜35中之頂點值相對應之底部區與頂部區的 波動起伏18b。由於此縱剖面具有四個或更多的頂點值， 故波動起伏1 8b形成具有四種或更多種高度。

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預定之強度分佈經由遮 圖2C所示之具多種水平 以上述之方式使雷射光束依— 罩4 3照射至聚醯亞胺膜3 5，形成如 之有機絕緣層1 8。 利用燒蝕而圖案化較之於使用一般光刻技術之圖 可形成較為柔和之形狀，因此，與使用光刻技術之情、 相異的是，退火處理並非必要。然而如果需要，可於2 5 〇 c之溫度烤一小時來完成退火而使波動起伏丨8b之表面較 為柔和。 形成有機絕緣層1 8之後，於有機絕緣層丨8之上形成一 層例如由鋁所製之薄膜，繼而將之圖案化以形成作為反射 像素電極之用的反射電極丨9 (圖2D)。使用上述方法得以製 造作為反射板之低層基板丨i。 將一種未示於圖中之分隔物置於依上述方法所形成之 ，層基板11與包含了層疊於絕緣基板14之上的濾色器3〇等 等之對向基板1 2之間，且於該分隔物所形成之空隙（單元） 填充液晶1 3並密封之，然後，藉由黏著或類似方法附著偏 光片3 2 ’如此產生圖1所示之反射式液晶顯示器丨〇。 依據本貫施例，如上述，具備至少四種高度之多種水 平波動起伏1 8 b係藉由雷射燒蝕而於有機絕緣層丨8之上形 成。有機絕緣層1 8之多水平波動起伏1 8b使位於其上方之 反射電極1 9形成一種具較低規則性之波狀表面，如此而實 現具備強烈光政射特性與優秀顯示特性之反射板與液晶顯 示器10。 有機絕緣層1 8之多水平波動起伏1 8b係藉由發射一雷

第15頁 581919 五、發明說明（13)~ " 射光束經遮罩43至有機膜之上而形成，其中該遮罩43具預 定之透射率分佈。遮罩43之透射率分佈可任意設定，且經 由調整該透射率分佈與所發射脈衝之個數，可輕易設定波 動起伏18b之高度為多重水平。 由於聚醯亞胺膜3 5是直接以雷射燒蝕處理，故使用實 際上步驟較少之方法製造反射板與液晶顯示器是有可能 的。亦即’在使用一般光刻技術情況下，所需要之步驟包 括諸如一層防阻膜與其上之一層有機膜之形成、曝光以及 沖洗顯像等’然而使用燒餘時，包含接觸洞1 8 a與波動起 伏1 8 b之有機絕緣層1 8能以一個步驟予以形成。 更者’在光刻過程中，波動起伏1 8 b具尖銳外形而需 退火處理。然而於燒蝕法中，波動起伏18b之表面較柔 和’因此退火之施行非為必要，故得以更少步驟形成有機 絕緣層1 8。 本第一實施例使用一種具備介電膜之所謂的介電遮 罩，然而，遮罩4 3並非侷限於此類型，一旦能如所需地控 制光透射率，則遮罩43可為任何類型。 雖然接觸洞1 8 a與波動起伏1 8 b於燒钱步驟中乃同步形 成，其亦可利用不同之遮罩而於分開的步驟中形成。 [第二實施例] 茲將依據第二實施例說明一種製造反射板之方法。為 了使第二實施例更易了解，對於與第一實施例之相關要素 相同的成分，將給予相同參考符號並省略其說明。

第16頁 581919 發明說明（14) 與第一實施例相異的是，第二實施例中並未使用遮罩 4 3，且掃瞄照射是由一種具點狀型式之雷射光束所完成而 於有機絕緣層18之上形成波動起伏igb等。以下將依第一 實施例討論此製造方法。 一 須注意的是，下文之本實施例中，有機絕緣層丨8係由 丙浠酸樹脂以3 // m之厚度於1 5 0 °C烤一小時所形成。 第二實施例所使用之雷射光束具備一種呈現如圖6所 不之高斯分佈的點狀縱剖面。位於該點狀縱剖面頂部之雷 射光束的能I後度則设定於一預定之範圍内。 利用相似於第一實施例所使用之裝置將點狀雷射光束 發射至h的物（基板）’此基板置於一例如為X _ γ之平臺並 可於一平面上移動。於雷射處理中，該基板依一預定之圖 案間歇地移動，而預定脈衝個數之雷射光束則與基板之移 動同步地發射。另一種可採用之結構為，在目標基板固定 之下發射一種掃瞄式的雷射光束。 於雷射光束所照射之丙烯酸樹脂膜表面，經照射之區 域其丙烯酸樹脂經由燒蝕而焦毁與昇華。所發射雷射光束 之能量密度與脈衝個數乃依各預定區域調整，一旦變換雷 射光束之強度，其照射即能於有機絕緣層i 8之中與之上形 成具多種深度水平之接觸洞18a與波動起伏18b。” 於燒蝕丙烯酸樹脂的實施例中，可採用縱剖面之半寬 度直徑例如為5 P之XeCl激生分子雷射光束（波長為 3〇8rnn)。於此情況，如圖沉所示之具有四種或更多高度值 之夕種水平波動起伏18b可藉由照射一預定脈衝個數之雷

581919 五、發明說明（15) 射光束而於丙稀酸樹 重數值故其縱剖面了貝 1 9 0mJ/cm2之範圍内 由照射八個其縱剖面 束脈衝而形成。 如上所述，依據 圖案移動之情形下， 由照射一預定脈衝個 之中形成，明顯地， 優點。 在第^一貫施例中 亦可代之以移動雷射 脂骐之上形成，因該雷射光束具有多 ^之能量密度位於一個例如4 〇至 。再者，舉例而言，接觸洞1 8a可藉 頂部能量密度為300mJ/cm2之雷射光 第二實施例，當雷射光束係以一預定 多水平波動起伏18b與接觸洞1 8a可藉 數之點狀雷射光束而於有機膜之上與 第二實施例具備與第一實施例相同之 雖然移動的是做為目標物之基板，但 光束之發射口。 [第三實施例] 兹將參照伴隨之圖示說明第三實施例。為了使第三實 施例更易了解，對於與圖1中之相關要素相同之成分將給 予相同參考符號並省略其說明。 圖7說明一個依第三實施例之反射板（低層基板丨丨）的 結構。符合第三實施例之反射板是被作為一種兼具反射式 與透射式功能之所謂的透反射式液晶顯示器來使用。 如圖7所示，符合第三實施例之反射板11具有一反射 區50與一透射區51。 一反射電極1 9形成於有機絕緣層1 8的反射區5 0之上， 而於反射區50之表面形成多重水平之波動起伏。

第18頁 581919 五、發明說明（16) 由氧化錮錫（Indium Tin Oxide, ITO)所製成之透明 電極5 2於透射區5 1的有機絕緣層1 8之上形成。將透射區5 1 的有機絕緣層1 8之表面做成近似平坦狀，透明電極52也是 如此。透明電極52與反射電極19接觸而電性連接至反射電 極19。另一種具備一絕緣膜以分開透明電極52與反射電極 1 9並經由接觸洞1 8 a使透明電極5 2與反射電極1 9彼此相連 接的結構亦可替代上述之連接方式。 具備反射板且其反射板含有反射電極19與透明電極52 之液晶顯示器1 〇其運作有如一種兼具了反射式與透射式功 能之所謂的透反射式液晶顯示器。 利用與第一實施例相同之方法可製造圖7所示之反射 板11，此方法將參照圖8人至81)而討論於下。 首先’製造如圖8A所示之含有TFTs 16之基板，其 次，以例如為2 v m之厚度於基板之上形成聚醯亞胺膜3 5， 如圖8B所示。舉例而言，聚醯亞胺膜35可於丨1〇之溫度 下烤1 0分鐘而形成。 然後，如同於第一實施例中之過程，經由雷射處理使 聚醯亞胺膜35形成具有如圖8C所示之形狀的有機絕緣層 於第三實施例所發射之雷射光束具有如圖9所示之縱 剖面。此雷射光束之能量密度設定在例如3〇至25〇 之範圍内，而所發射脈衝之個數則例如為丨〇 Ο 平==遮—

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具有一波動起伏區盥一 膜35上面如圖^ ：； i之雷射光束形成了聚醯亞胺 :8C所不的一波動起伏區與一平坦區。 膜，二有機絕緣層18之上形成-層例如鉻製之薄 膜。：圖8D所示之圖案化除去平坦區上面之薄鉻 1他類似物所制層1 8之顯露的平坦部份上面形成由1T0或 射板 成之透明電極52，如此完成圖7所示之反 拓it:卩，第二貫施例設置了包含反射電極19之反射 Ϊ B:: 電極19則具備一多水平之波動起伏與平坦的 極52。有機絕緣層18之上各別將形成反射電極1 9盥 透明電極52之波動起伏區與平坦區可藉由雷射燒#於單二 之步驟中形成，圖7所示之反射板及具備此等反射板之透 反射式液晶顯示器1 〇可使用一種實質上步驟較少之方法 製造。 於第一至第三實施例中，有機絕緣層丨8係由聚醯亞胺 或丙烯酸樹脂所形成，然而，有機絕緣層丨8可由具有預定 光吸收範圍之樹脂所形成，例如聚醢亞胺樹脂、環氧樹 脂、丙烯酸樹脂、環烯或酚酯甲醛樹脂等。 雷射燒蝕過程可藉由依所使用為有機絕緣層丨8之有機 物質的種類以選定雷射光束來完成。可用的雷射光束係例 如 ArF 雷射（193nm)、KrF 雷射（248nm)、XeCl 雷射（ 3 08nm) 或XeF雷射（351nm)之紫外線光束，或例如釔鋁石榴石 (Yttrium Aluminum Garnet，YAG)雷射（1· 065 "m)或二氧 化碳雷射（1 〇 , 6 /z m )之紅外線光束。

第20頁 581919 五、發明說明（18) 本發明同樣適用於使用了交錯結構TFTs或所謂之通道 保護式TFTs之反射板與液晶顯示器。 雖然TFTs 1 6被利用為開關元件，但本發明並不限於 此等特定之類型，使用其他例如像是金絕金屬 (Metal-Insulator-Metal，MIM)元件、二極體或變阻器之 主動矩陣式液晶顯示器或未使用開關元件之被動矩^、波 晶顯示器亦得適用。 、狀 ί Ϊ不同之實施例與變化得在不脫離本發明之概括件 神與範圍之下施行〇 u 々魯A y f 祐精 恭Βθ ^ ,'仃以上所述之貫施例乃意圖用以說明土 發月，而非用^限制本發明之範圍。本發明本 之申婧鼻利笳圊立^ 非由例所限制，與本發昍 口專J耗圍忍義相等及在申請專 月 種修改均被視為包含於本發明之範圍中圍之内所做之各

第21頁 581919 圖式簡單說明 圖1呈現依本發明之第一實施例的液晶 口 面結構。 不器之横剖 圖2Α至2D呈現依實施例的反射板之製、生 圖3描繪一光學處理系統之結構。 坆夕驟。 圖4呈現一平頂式雷射光束之縱剖面。 圖5呈現-通過遮罩後的雷射光束之 圖6呈現點狀雷射光束之縱剖面。 面。 構 圖7說月依本發明之第三實施例的反射板之橫剖面結 圖8Α至8D呈現如圖7所示之反射板的製造步驟 圖9呈現所發射之雷射光束的縱剖面。 [符號說明] 1 0〜液晶顯示器 11〜反射板 1 2〜對向基板 1 3〜液晶層 1 4〜絕緣基板 1 5〜絕緣保護膜 1 6〜開關元件 1 7〜鈍化膜 1 8〜絕緣層 18a〜接觸洞 18b〜波動起伏

581919 圖式簡單說明 1 9〜反射電極 2 0〜閘電極 21〜半導體層 22〜汲極電極 2 3〜源電極 2 9〜絕緣基板 30〜濾色器 31〜透明電極 32〜偏光片 3 5〜聚醯亞胺膜 4 0〜光學處理系統 41〜光源 42〜成型區 4 3〜遮罩 5 0〜反射區 51〜透射區 5 2〜透明電極

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Claims (1)

1. ....... -Jr 六、 1 ι 581919 1 · 一種反射板之製造方法，其步驟包含 形成一絕緣層（1 8 ); 以雷射光束照射該絕緣層（1 8 )，而於該絕緣層（1 8 )之 表面經由燒蝕形成一波動起伏（1 8b);並 於該絕緣層之上形成一電極（1 9 )。 2 ·如申請專利範圍第1項之反射板之製造方法，其中： 於該燒蝕步驟中，該雷射光束以一預定之強度分佈照 射至該絕緣層（1 8)之上。 3 ·如申請專利範圍第2項之反射板之製造方法，其中： 該雷射光束經由一預定透射率分佈之遮罩（43)而照射 至該絕緣層（1 8 )之上。 4 ·如申請專利範圍第3項之反射板之製造方法，其中· 入射至該遮罩（43)之該雷射光束具有一平伏之縱剖 面。 σ 5·如申請專利範圍第2項之反射板之製造方法，其中· 掃瞒照射係由呈點狀之該雷射光束所完成。 · 6·如申請專利範圍第1項之反射板之製造方法，其 於該燒蝕步驟，該雷射光束係以脈衝之形式發· 7·如申請專利範圍第1項之反射板之製造方法=其射。 於該燒蝕步驟，將該波動起伏（18b)形忐炎曰、中·· 或更多種高度水平。 战為具有四種 8·如申請專利範圍第1項之反射板之製造方法，其 設置一開關元件（1 6 )於該絕緣層（1 8 )之下，^中： 於該燒蝕步驟中，形成一接觸洞（丨8a)， 田該接觸

   581919 六、申請專利範圍 洞（1 8 a )之底部而暴露出該開關元件（1 6 )之一端。 9.如申請專利範圍第1項之反射板之製造方法，其中： 於該燒蝕步驟中，一平坦區同時與該波動起伏形成於 . 該絕緣層（1 8 )之上，且 更包含於該平坦區域形成一透明電極（5 2 )之一步驟。 1 0.如申請專利範圍第1項之反射板之製造方法，其中： 更包含於該燒蝕步驟之後，對該絕緣層（1 8 )施行退火 處理之一步驟。 11. 一種反射板，包含： 一絕緣層（1 8)，設置於一基板（14)之上，並於其表面 0 包含具有至少四種高度水平之多水平波動起伏（18b);與 一電極（1 9 )，設置於該絕緣層（1 8 )之上。 1 2. —種液晶顯示器，包含申請專利範圍第11項之反射板 (11)。

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