JP2003066476A

JP2003066476A - 感光性絶縁膜及び反射電極の凹凸形成方法及びこれを用いた凹凸構造の反射電極を有する液晶表示器の製造方法

Info

Publication number: JP2003066476A
Application number: JP2001379021A
Authority: JP
Inventors: Ryukei Cho; 龍圭張; Jae-Hyun Kim; 宰賢金
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-08-18
Filing date: 2001-12-12
Publication date: 2003-03-05
Also published as: US20030039925A1; CN1407374A; US6803174B2; KR100813027B1; KR20030015914A; CN1293411C

Abstract

(57)【要約】【課題】均一な反射率を有する感光性絶縁膜及び反射
電極の凹凸形成方法とこの方法を用いた凹凸構造の反射
電極を有する液晶表示器を製造する方法の提供である。【解決手段】入射される光を透過する投光領域６０
５、６１５と光を反射する遮光パターン６１２、６１４
を含む第２マスク６１０の遮光パターン６１２、６１４
のうち、メタルパターン４５０、４５０ｂ、４７０、４
７５の上部に対応する第１部分で遮光パターン６１４間
の間隔ｄ２がメタルパターンがない第２部分の上部に対
応する遮光パターン６１２間の間隔ｄ１より所定比率ほ
ど小さく形成される。この感光性絶縁膜を露光現像し
て、感光性絶縁膜の表面に凹凸を形成する。本発明によ
ると、感光性絶縁膜とその上に形成される反射電極の全
領域にわたってデント又はグルーブが同一な深さを有す
るようになり、表示領域の全体にわたって反射効率の均
一性を向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型及び反射透
過複合型液晶表示器の製造方法に関するものであり、よ
り詳細には、感光性絶縁膜及び反射電極の凹凸形成方法
とこの方法を用いて凹凸構造の反射電極を有する液晶表
示器を製造する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、情報化社会において、電子ディス
プレー装置の役割はますます大事になり、各種電子ディ
スプレー装置が多様な産業分野に広範囲に使用されてい
る。このような電子ディスプレー分野は発展を重ねて、
多様化した情報化社会の要求に適合する新しい機能の電
子ディスプレー装置が続けて開発されている。

【０００３】一般的に電子ディスプレー装置というもの
は多様な情報などを視覚を通じて人間に伝達する装置を
いう。即ち、電子ディスプレー装置とは各種電子機器か
ら出力される電気的な情報信号を人間の視覚により認識
可能である光情報信号へ変換する電子装置であり、人間
と電子機器を連結する架橋的な役割を担当する装置と言
える。

【０００４】このような電子ディスプレー装置におい
て、光情報信号が発光現象によって表示される場合には
発光型表示（ｅｍｉｓｓｉｖｅｄｉｓｐｌａｙ）装置
で言われ、反射、散乱、干渉現象などによって光変調で
表示される場合には受光型表示（ｎｏｎ−ｅｍｉｓｓｉ
ｖｅｄｉｓｐｌａｙ）装置で言われる。能動型表示装
置とも言われる前記発光型表示装置としては、陰極線管
（ＣＲＴ）、プラズマディスプレーパネル（ＰＤＰ）、
発光ダイオード（ＬＥＤ）及びエレクトロルミネセント
（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｄｉｓｐｌ
ａｙ：ＥＬＤ）などを挙げることができる。かつ、受動
型表示装置である前記受光型表示装置としては、液晶表
示装置（ＬＣＤ又はｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ
ｄｉｓｐｌａｙ：ＥＣＤ）及び電気泳動表示装置（ｅｌ
ｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃｉｍａｇｅｄｉｓｐｌ
ａｙ：ＥＰＩＤ）などを挙げることができる。

【０００５】テレビやコンピュータ用モニターなどのよ
うな画像表示装置に使用される一番長い歴史を有するデ
ィスプレー装置である陰極線管（ＣＲＴ）は表示品質及
び経済性などの面で一番高い占有率を有しているが、大
きい重量、大きい容積及び高い消費電力などのような多
くの短所を有している。

【０００６】しかし、半導体技術の急速な進歩によって
各種電子装置の固体化、低電圧及び低電力化と共に電子
機器の小型及び軽量化に従って新しい環境に適合する電
子ディスプレー装置、即ち薄くて軽くかつ低い駆動電圧
及び低い消費電力の特性を備えた平板パネル型ディスプ
レー装置に対する要求が急激に増大している。

【０００７】現在開発された多種の平板ディスプレー装
置のうちで、液晶表示装置は異なるディスプレー装置に
比べて薄くて軽く、低い消費電力及び低い駆動電圧を備
えていると同時に、陰極線管に近い画像表示が可能であ
るので、多様な電子装置に広範囲に使用されている。か
つ、液晶表示装置は、製造が容易であるために、さらに
その適用範囲を拡張している。

【０００８】このような、液晶表示装置は外部光源を利
用して画像を表示する透過型液晶表示装置と、外部光源
の代わりに自然光を利用する反射型液晶表示装置に区分
できる。

【０００９】前記反射型液晶表示装置は、透過型液晶表
示装置に比べて消費電力が低いと同時に、屋外での画像
表示品質が優れるという長所がある。また、反射型液晶
表示装置は、バックライトアセンブリのような別途の光
源を要求しないために、薄くて軽い装置を具現すること
ができるという長所がある。

【００１０】しかし、現在の反射型液晶表示装置は、そ
の表示画面が暗くて高解像度及びカラー表示に適切に対
応し難しいために、数字や簡単な文字の表示のみを要求
する限定的な装置に使用されている。従って、反射型液
晶表示装置が多様な電子ディスプレー装置として利用さ
れるためには、反射効率の向上と高解像度及びカラー化
が要求される。また、これと共に、適切な明るさと速い
応答速度及び画像のコントラストの向上も要求される。

【００１１】現在、反射型液晶表示装置において、その
明るさを向上させる技術は、大きく反射電極の反射効率
を高める方向と超開口率技術を組合せる方向に進行され
ている。このように、反射電極に微細な凹凸を形成して
反射効率を向上させる技術は、ナオフミキムラ（Ｎａｏ
ｆｕｍｉＫｉｍｕｒａ）に許与された米国特許第５，
６１０，７４１号（発明の名称；Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
ＴｙｐｅＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐ
ｌａｙＤｅｖｉｃｅＷｉｔｈＢｕｍｐｓｏｎｔ
ｈｅＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）に開示されている。

【００１２】図１は、米国特許に開示された反射型液晶
表示装置の部分的な平面図を図示したものであり、図２
は反射型液晶表示装置の断面図を図示したものである。

【００１３】図１及び図２を参照すれば、液晶表示装置
は第１基板１０、第１基板１０に対向して配置された第
２基板１５、そして第１基板１０と第２基板１５との間
に形成された液晶層２０を含む。第１基板１０は、多数
のゲートバス配線（ｇａｔｅｂｕｓＷｉｒｉｎｇ）２
５が上部に形成された第１絶縁基板３０を具備する。ゲ
ート電極３５はゲートバス配線２５から分岐され、多数
のソースバス配線（ｓｏｕｒｃｅｂｕｓＷｉｒｉｎ
ｇ）４０がゲートバス配線２５と直行する方向に形成さ
れる。ソースバス配線４０はゲートバス配線２５と絶縁
膜などを挿入して絶縁され、ソースバス配線４０からは
ソース電極４５が分岐される。

【００１４】反射電極５０は第１基板１０と液晶層２０
との間に形成され、ゲートバス配線２５とソースバス配
線４０が交差する部分の間に配置される。反射電極５０
はスイッチング素子として、ゲートバス配線２５及びソ
ースバス配線４０を備え、第１絶縁基板３０に形成され
た薄膜トランジスター（ＴＦＴ）に連結される。反射電
極５０には、凹部である多数のデント７０，７１が全表
面にわたって不規則に形成され、反射電極５０とドレー
ン電極６０はコンタクトホール６５を通じて互いに連結
される。

【００１５】前記ゲートバス配線２５とゲート電極３５
は、タンタル（Ｔａ）をスパッタリングした後、エッチ
ング又はフォトリソグラフィを通じてガラスのような物
質から成った第１絶縁基板３０上に形成される。ゲート
バス配線２５及びゲート電極３５を取り囲むように第１
絶縁基板３０の全面に窒化シリコン（ＳｉＮ_x）より成
ったゲート絶縁膜７５がプラズマ化学気相蒸着（ｐｌａ
ｓｍａＣｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）方法を使用して積層される。

【００１６】ゲート電極３５上部のゲート絶縁膜７５上
には、アモルファスシリコンより構成された半導体膜８
０が形成され、このような半導体膜８０上には、ｎ⁺型
にドーピングされたアモルファスシリコンから成ったコ
ンタクト層８５、９０が積層される。

【００１７】ソースバス配線４０、ソース電極４５及び
ドレーン電極６０はモリブデン（Ｍｏ）を使用してスパ
ッタリング及びエッチング工程を通じて、前記結果物が
形成された第１絶縁基板３０上に形成される。従って、
ゲート電極３５、半導体膜８０、コンタクト層８５、９
０、ソース電極４５及びドレーン電極６０などを含む薄
膜トランジスターが完成される。

【００１８】薄膜トランジスターが形成された第１絶縁
基板３０の全面には表面に凹凸部が形成された有機絶縁
膜９５及び反射電極５０が順に形成される。

【００１９】図３と図４は、図２に図示した装置のうち
の有機絶縁膜を形成する工程を説明するための断面図で
ある。

【００２０】図３を参照すれば、高い反射率を有するア
ルミニウム（Ａｌ）、又はニッケル（Ｎｉ）から成るメ
タルパターン５５、例えば、薄膜トランジスターのソー
ス、ドレーン電極やストレージキャパシタ電極が形成さ
れた第１絶縁基板３０上に、スピンコーティング方法に
よりレジスト膜１００を塗布した後、塗布されたレジス
ト膜１００をプレベーキング（ｐｒｅｂａｋｉｎｇ）す
る。続いて、所定のパターンに透過領域１０５と遮光領
域１０６を有するマスク１１０をレジスト膜１００上に
位置させた後、露光及び現像過程を通じて、レジスト膜
１００をマスク１１０のパターンに相応する形状にパタ
ーニングすることにより突出部１１５を形成する。続け
て、突出部１１５を熱処理して図４に図示したように、
上部が球形の形状を有する突出部１１５を完成する。

【００２１】再び、図２を参照すれば、後続工程では有
機絶縁膜９５がスピンコーティング方法で突出部１１５
を取囲むように第１絶縁基板３０上に積層されることに
より、突出部１１５を含む有機絶縁膜９５の表面に凹凸
部が形成される。

【００２２】図２に図示した反射型液晶表示装置の場
合、続いて、再びマスク（図示せず）を用いて有機絶縁
膜９５をエッチングすることにより、有機絶縁膜９５に
薄膜トランジスターのドレーン電極を露出させるコンタ
クトホール６５を形成する。反射電極５０は、コンタク
トホール６５を埋めて、凹凸部が形成された有機絶縁膜
９５の上に真空蒸着方法で形成される。従って、有機絶
縁膜の形状に沿って反射電極の表面にデントが形成され
る。

【００２３】再び、図２を参照すれば、前述したように
形成された反射電極５０及び有機絶縁膜９５上に第１配
向膜１２０を積層すると、第１基板１０が完成される。

【００２４】第２基板１５はカラーフィルタ１２５、共
通電極１３０及び第２配向膜１３５が形成された第２絶
縁基板１４０を含む。

【００２５】第２絶縁基板１４０は、ガラスにより構成
され、第２絶縁基板１４０上には各画素１４５、１４６
に対応するカラーフィルタ１２５が付着される。カラー
フィルタ１２５上には、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎ
ｏｘｉｄｅ）のような透明材質により構成された共通
電極１３０が形成され、共通電極１３０上には第２配向
膜１３５が形成され、第２基板１５を構成する。

【００２６】前記第２基板１５を第１基板１０に対向さ
れるように第１基板１０上に位置させた後、液晶物質２
１及び顔料２２を含む液晶層２０を真空注入方法により
第１基板１０及び第２基板１５との間に注入して反射型
液晶表示装置を完成する。

【００２７】前記した凹凸構造を形成するための異なる
従来の方法には、感光性有機絶縁膜を用いるものであ
る。この方法は、図２と図３、図４のレジスト膜１００
と有機絶縁膜９５の二層を使用する代わりに、一つ物質
層のみに凹凸構造の絶縁膜形成が可能になる。即ち、図
３のレジスト膜１００代わりに感光性有機絶縁膜を塗布
し、この感光性有機絶縁膜に通常のフォトリソグラフィ
を用いて、突出部とデント及びコンタクトホールを形成
した後、すぐに後続工程である反射電極形成工程に移動
するものである。

【００２８】しかし、従来の反射型液晶表示装置の製造
方法は、反射電極に多数のデントを形成して反射効率を
向上させることができるが、次のような幾つ問題点を有
している。

【００２９】図３と図４を再び参照すれば、前述した従
来の方法で、反射電極を形成する前に、感光性絶縁膜の
表面に突出部１１５とデント１１７を含む凹凸構造が形
成される。しかし、感光性絶縁膜１００下部の単位画素
領域内に形成されたソース電極、ドレーン電極及びスト
レージキャパシタ電極のようなメタルパターン５５が、
高い反射率を有するメタルにより構成され、このような
部分の上部に位置したマスク１１０の遮光パターン１０
６間の間隔ｄ２がメタルパターン５５のない部分の上部
に位置したマスクの遮光パターン１１２間の間隔ｄ１と
同一であるために、デント１１７を形成するための露光
工程の間に光８３は、メタルパターン５５の上部で後面
反射される。このために、図４の断面図と図５の平面図
に図示されたように、メタルパターン５５の上部に置か
れた感光性絶縁膜１００では、所望の直径よりさらに大
きな直径を有するデント１１７が形成されたり、異なる
部分よりさらに深い所まで露光されたり、甚だしくデン
ト部分が完全に露光されて所望ではない部分が露出され
る現像が発生される。

【００３０】このような、露出現像の発生を防止するた
めには、感光性絶縁膜１００の下部に追加に絶縁膜を形
成しなければならないので、工程が複雑になり、製造費
用が増加する。

【００３１】また、前述した従来の反射型液晶表示装置
は、反射効率を向上させるために、マイクロレンズとし
てサイズを異にする半球形の形状を有する突出部である
デントを形成するが、反射電極でデントが形成されない
リッジ領域、（即ち、突出部）は位置によって相異する
大きさを有するために、結局、反射電極全体の反射率の
均一性を低下させる問題点になる。即ち、デントが形成
されない部分のサイズが各々異なるために、反射電極上
に形成されるデントのサイズが相異する領域では、相異
する高さを有し、これにより反射電極が領域によって相
異する反射率を示すので、結局、反射電極の反射率の不
均一性が惹起されるものである。このように、反射電極
の反射均一性の低下は液晶物質の配向（ｏｒｉｅｎｔａ
ｔｉｏｎ）の不均一性を起こして、画像のコントラスト
（ｃｏｎｔｒａｓｔ）を下げる原因になる。また、液晶
物質の配向の不均一性は、光漏水性残像を発生させるだ
けでなく、フォグ（ｆｏｇ）不良を起こす可能性が相当
に高い。

【００３２】共に、反射電極に形成される多数のデント
の大きさとデントとの間の領域のサイズが各々異なるた
めに、実際の工程において、適切な反射率を考慮した設
計値により正確にデントのサイズ及びデントとの間の空
間を制御することは、実質的に相当に難しいという短所
がある。

【００３３】また、相異する大きさを有するデントが重
なるように形成しても、デントの形態が半球形であるた
めに、デント部分で入射光が乱反射される現象を完全に
遮断するのが難しく、従って、画像の画質を向上させる
ためには限界がある。

【００３４】さらに、根本的に従来の反射型液晶表示装
置は、正方形の画素形態を有するために、近来のよう
に、携帯フォンや液晶テレビなどのような情報通信機器
の種類が多様になって、画素サイズが変更され、各々異
なる画素寸法を要求するディスプレー装置に適用するこ
とは、始めから設計しなければならないだけでなく、製
造工程条件を再び確保しなればならないという難しい問
題があり、特に、携帯フォンのように特定な方向で高い
反射効率を示すことを要求する電子ディスプレー装置に
は、さらに適用するのが難しい。

【００３５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１目的は、
均一なプロファイルの凹凸を有する感光性絶縁膜の凹凸
形成方法を提供することにある。

【００３６】本発明の第２目的は、均一なプロファイル
の凹凸を有する反射電極の形成方法を提供することにあ
る。

【００３７】本発明の第３目的は、均一なプロファイル
の凹凸を有する反射電極を含む液晶表示器の製造に、特
に適合した反射電極を有する液晶表示器の製造方法を提
供することにある。

【００３８】本発明の第４目的は、反射電極の全領域に
わたって反射率を均一にするための凹凸構造の反射電極
を有する液晶表示器の製造方法を提供することにある。

【００３９】

【課題を解決するための手段】上述した本発明の一目的
を達成するための本発明は、反射能を有する第１電極が
形成された基板上に感光性絶縁膜を形成する段階と、前
記第１電極上部に対応する第１パターン部分の間に照射
される第１光量と前記第１電極以外の部分の第２パター
ン部分の間に照射される第２光量を異にして前記感光性
絶縁膜を露光する段階と、前記露光された感光性絶縁膜
を現像する段階とを含む感光性絶縁膜の凹凸形成方法を
提供する。

【００４０】上述した本発明の他の目的を達成するため
の本発明は、反射能を有する第１電極が形成された基板
上に感光性絶縁膜を形成する段階と、前記第１電極上部
に対応する前記感光膜の第１パターン間に照射される第
１光量と、前記第１電極上部を除外した部分の第２パタ
ーン間に照射される第２光量を異にして、前記感光性絶
縁膜を露光する段階と、前記露光された感光性絶縁膜を
現像して、前記感光性絶縁膜の表面に凹凸を形成する段
階と、前記感光性絶縁膜の凹凸表面に対応する凹凸表面
を有する反射電極を前記感光性絶縁膜上に形成する段階
とを含む反射電極の製造方法を提供する。

【００４１】上述した本発明のまた他の目的を達成する
ための本発明は、反射光を有する第１電極が形成された
基板上に感光性絶縁膜を形成する段階と、前記第１電極
上部に対応する第１パターン間に照射される第１光量と
前記第１電極以外の部分の第２パターン間に照射される
第２光量を異にして前記感光性絶縁膜を露光する段階
と、前記露光された感光性絶縁膜を現像して、前記感光
性絶縁膜の表面に凹凸を形成する段階と、前記感光性絶
縁膜上に反射電極を形成する段階と、前記第１基板に対
向して透明電極を有する第２基板を形成する段階と、前
記第１基板と前記第２基板間に液晶層を形成する段階と
を含む凹凸構造の反射電極を有する液晶表示装置の製造
方法を提供する。

【００４２】本発明によると、感光性絶縁膜の下部に高
い反射率を有するメタルが位置するかの可否に関係なし
に、感光性絶縁膜の全ての部分で均一な幅と深さを有す
るデントを形成することにより、従来の液晶表示装置に
比べて大きく向上された反射効率を有する反射型液晶表
示装置を具現することができ、このような反射型液晶表
示装置により示される画像のコントラスト及び画質を顕
著に改善することができる。また、改善された露光及び
現像工程を用いて反射電極を形成するために、装置の製
造時間及び費用を大きく減らすことができる。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい実施形態による反射型液晶表示装置及びその製造
方法をより詳細に説明する。

【００４４】〈実施形態１〉図６と図７は、本発明の第
１実施形態による感光性絶縁膜の凹凸形成方法を説明す
るための素子の部分断面図である。

【００４５】図７を参照すれば、本実施形態による感光
性絶縁膜の凹凸構造は、基板２４０、基板２４０上に形
成されたメタルパターン２５０及びメタルパターン２５
０を含む基板２４０上に形成された感光性絶縁膜２８０
を含む。

【００４６】基板２４０は、非導電性物質、例えばガラ
スやセラミックなどのように光反射率が低い絶縁物質よ
り成る。

【００４７】メタルパターン２５０は、高い反射率を有
するアルミニウム、クロム、銅、タングステン、タンタ
ル、モリブデン、チタンなどのようなメタルで形成さ
れ、下部がクロム（Ｃｒ）からなり、上部がアルミニウ
ム（Ａｌ）により構成された二重構造を有することもで
きる。

【００４８】前記メタルパターン２５０が形成された基
板２４０上には、レジストのような物質より成った感光
性絶縁膜２８０が積層され、このような感光性絶縁膜２
８０の上部表面にデント２８４とデント２８４に対して
相対的に高く形成された突出部２８２が形成される。即
ち、感光性絶縁膜２８０は、凹凸構造の上部表面を有す
る。感光性絶縁膜２８０は、感光性の有機絶縁膜と感光
性の無機絶縁膜を含む。

【００４９】以下、本実施形態による感光性絶縁膜の凹
凸方法を図面を参照して詳細に説明する。

【００５０】図６を参照すれば、まず、ガラスやセラミ
ックなどの絶縁物質より成った基板２４０の上部にタン
タル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、
アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）又
はタングステン（Ｗ）などのようなメタルを蒸着した
後、蒸着されたメタルをパターニングしてメタルパター
ン２５０を形成する。このとき、メタルパターン２５０
は、アルミニウム含有合金であるアルミニウム−銅（Ａ
ｌ−Ｃｕ）又はアルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｕ）のような合金を使用して形成することもでき
る。

【００５１】次に、メタルパターン２５０が形成された
基板２４０上に感光性絶縁膜２８０をスピンコーティン
グ方法により約１〜３μｍ程度の厚さで蒸着して、感光
性絶縁膜２８０を形成して基板を完成する。このとき、
感光性絶縁膜２８０は例えば、感光性化合物（ＰＡＣ；
Ｐｈｏｔｏ−ＡｃｔｉｖｅＣｏｍｐｏｕｎｄ）を含む
アクリル樹脂などを使用して形成する。

【００５２】次に、感光性絶縁膜２８０の上部に凹凸を
形成するためのマスク３１０を位置させる。

【００５３】感光性絶縁膜２８０の上部に形成される凹
凸構造が均一なプロファイルを有するように、下部にメ
タルパターンが置かれている第１部分を透過した第１光
量はメタルパターンが置かれていない第２部分を透過し
た第２光量より小さいようにする。

【００５４】このために、図６に図示されたように、入
射される光を透過する投光領域２０５、２１５と光を反
射する遮光パターン２１０、２１２を含むマスク３１０
の遮光パターン２１０、２１２のうち、メタルパターン
２５０の上部に対応する第１部分での遮光パターン２１
２間の間隔ｄ２は、メタルパターン２５０がない第２部
分の上部に対応する遮光パターン２１０間の間隔ｄ１よ
り所定歩留りほど小さく形成される。この歩留りは、メ
タルパターン２５０の反射率によって異なることができ
るが、望ましくは約１/２である。

【００５５】次に、感光性絶縁膜２８０にマスク３１０
を位置させた後、露光工程を通じて感光性絶縁膜２８０
を露光させ、現像工程を実施する。その結果、図７に図
示されたように、感光性絶縁膜２８０の表面から全領域
にわたって均一な幅と深さを有する多数のデント２８
４、２８６が形成される。即ち、下部にメタルパターン
２５０が存在する部分に形成されたデント２８６は、下
部にメタルパターン２５０がない部分に形成されたデン
ト２８４と同一な深さを有する。前記したデントを形成
することにより、感光性絶縁膜２８０のデントから取囲
まれる部分は、デント２８４、２８６に比べて相対的に
高く位置する突出部の形態を有し、これら突出部は同一
な高さを有する。

【００５６】選択的に、図６に図示されたように、他の
方法により第１部分での光量を第２部分での光量と異に
することができる。即ち、第１部分で遮光パターン２１
２間の間隔ｄ２と第２部分で遮光パターン２１０間の間
隔ｄ１を同一にし、第１部分の投光領域２１５の表面に
入射光の透過量を減らすための半透明膜を追加で形成し
たハーフトン（Ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）マスクを用いる。
後続する露光工程及び現像工程は同一に適用される。

【００５７】〈実施形態２〉図８乃至図１０は、本発明
の第２実施形態による凹凸構造の反射電極を形成する方
法を説明するための素子の工程断面図である。

【００５８】前述した実施形態１と同様に本実施形態で
も、下部にメタルパターン３５０が形成された感光性絶
縁膜３８０の第１部分のデントに対応するマスクの第２
投光領域を通過する第１光量が下部にメタルパターン３
５０が形成されていない感光性絶縁膜３８０の第２部分
のデントに対応するマスクの第１投光領域を通過する第
２光量より小さくなるようにする。

【００５９】これを実現するための本実施形態の方法の
うち、感光性絶縁膜に凹凸を形成する図８と図９の工程
は、前述した実施形態１と同一であるので、その説明を
省略する。

【００６０】次に、図１０を参照すれば、高い反射率を
有するメタルパターン３５０が形成された第１部分とメ
タルパターン３５０が形成されない第２部分で同一な深
さのデントを有する感光性絶縁膜３８０のデント形成工
程を完了した後、この感光性絶縁膜３８０の上部にアル
ミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）
又は銀（Ａｇ）などのメタルはスパッタリング方法を用
いて所定厚さほど蒸着する。以後、必要により、蒸着さ
れたメタルを所定の形状によりパターニングして反射電
極３３５を形成する。ここで、形成される反射電極３３
５はその下部の感光性絶縁膜３８０のプロファイルと同
一なプロファイルを有する。即ち、この反射電極３３５
は均一な深さを有するデント３８４、３８６と、前記デ
ント３８４、３８６により取囲まれる部分である突出部
３８２により構成されたプロファイルを有する。突出部
３８２はデント３８４、３８６に比べて相対的に高く位
置する。

【００６１】〈実施形態３〉図１１は本発明のまた他の
実施形態による凹凸構造の反射電極を有する反射型液晶
表示装置の平面レイアウト図であり、図１２は図１１の
Ａ−Ａ′線に沿って切断した切断面を概略的に図示した
概略断面図である。

【００６２】図１１及び図１２を参照すれば、反射型液
晶表示装置４００は画素が形成されている第１基板４１
０、第１基板４１０に対向して配置された第２基板４２
０、第１基板４１０と第２基板４２０との間に形成され
た液晶層４３０、そして第１基板４１０と液晶層４３０
との間に形成された画素電極である反射電極４３５を含
む。

【００６３】第１基板４１０は第１絶縁基板４４０と第
１絶縁基板４４０に形成されたスイッチング素子である
薄膜トランジスター（ＴＦＴ）４４５を含む。

【００６４】第１絶縁基板４４０は、非導電性物質、例
えばガラスやセラミックなどのような物質から成る。薄
膜トランジスター（ＴＦＴ）４４５はゲートライン４５
０ａから形成されたゲート電極４５０、ゲート絶縁膜４
５５、半導体層４６０、オーミックコンタクト層４６
５、ソース電極４７０及びドレーン電極４７５を含む。
また、ドレーン電極４７５の下に、そして前記第１絶縁
基板４４０上にゲートライン４５０ａと並行に形成され
たストレージ電極ライン４５０ｃが形成され、前記ドレ
ーン電極４７５の下には、ストレージ電極４５０ｂが形
成されている。

【００６５】ゲート電極４５０は、第１絶縁基板４４０
上でゲートライン（４５０ａ）から分岐され形成され、
下部がクロム（Ｃｒ）から成り、上部がアルミニウム
（Ａｌ）により構成された二層構造を有する。

【００６６】窒化シリコン（ＳｉＮ_x）より構成された
ゲート絶縁膜４５５は、ゲート電極４５０、ストレージ
電極４５０ｂ及びストレージ電極ライン４５０ｃが位置
した第１絶縁基板４４０の全面に積層され、下にゲート
電極４５０が形成されたゲート絶縁膜４５５上には、ア
モルファスシリコンから成った半導体層４６０とｎ⁺ア
モルファスシリコンにより構成されたオーミックコンタ
クト層４６５が順次に形成される。

【００６７】ソース電極４７０とドレーン電極４７５は
各々ゲート電極４５０を中心にオーミックコンタクト層
４６５及びゲート絶縁膜４５５上に形成され薄膜トラン
ジスター（ＴＦＴ）４４５を構成する。ソース電極４７
０及びドレーン電極４７５は各々タンタル（Ｔａ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）又はクロム（Ｃｒ）
などのメタルより成る。

【００６８】薄膜トランジスター（ＴＦＴ）４４５が形
成された第１絶縁基板４４０上には感光性絶縁膜４８０
が積層される。感光性絶縁膜４８０のピクセル領域（Ｐ
ｉｎ）には、光散乱のために相対的な高低で形成された
多数の第１領域部（デント）と第２領域部（突出部）が
形成されている。

【００６９】図面には図示しなかったが、選択的に、ピ
クセル領域（Ｐｉｎ）に形成された第１領域部と第２領
域部はピクセル領域にも延びて形成されることができ
る。

【００７０】感光性絶縁膜４８０には、薄膜トランジス
ター（ＴＦＴ）４４５のドレーン電極４７５の一部を露
出させるコンタクトホール４８５が形成される。

【００７１】コンタクトホール４８５及び感光性絶縁膜
４８０上には、反射電極４３５が形成される。反射電極
４３５はコンタクトホール４８５を通じてドレーン電極
４７５に接続されることにより、薄膜トランジスター
（ＴＦＴ）４４５と反射電極４３５が電気的に連結され
る。

【００７２】前記反射電極４３５の上部には第１配向膜
５００が積層される。

【００７３】第１基板４１０に対向する第２基板４２０
は第２絶縁基板５０５、カラーフィルタ５１０、共通電
極５１５、第２配向膜５２０、位相遮板５２５及び偏光
板５３０を具備する。

【００７４】第２絶縁基板５０５は、第１絶縁基板４４
０と同一な物質であるガラス又はセラミックから成り、
位相遮板５２５及び偏光板５３０は第２絶縁基板５０５
の上部に順次に形成される。カラーフィルタ５１０は第
２絶縁基板５０５の下部に配置され、カラーフィルタ５
１０の下部には共通電極５１５及び第２配向膜５２０が
順次に形成され、第２基板４２０を構成する。第２配向
膜５２０は第１基板４１０の第１配向膜５００と共に液
晶層４３０の液晶分子を所定の角度にプレティルティン
グさせる機能を実施する。

【００７５】前記第１基板４１０と第２基板４２０との
間には、スペーサ５３５、５３６が挿入され第１基板４
１０と第２基板４２０との間に所定の空間が形成され、
このような第１基板４１０と第２基板４２０との間の空
間には液晶層４３０が形成され、本実施形態に適用する
ことができる反射型液晶表示装置４００を構成する。

【００７６】以下、本実施形態による反射型液晶表示装
置の製造方法を図面を参照して詳細に説明する。

【００７７】図１３乃至図１６は図１１及び図１２に図
示した反射型液晶表示装置の製造工程を説明するための
断面図である。

【００７８】図１３乃至図１６において、図１１及び図
１２と同一な部材に対しては同一な参照符号を使用す
る。

【００７９】図１１、図１２及び図１３を参照すれば、
ガラスやセラミックなどの絶縁物質より成った第１絶縁
基板４４０の上部にタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔ
ｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ク
ロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）など
のようなメタルを蒸着した後、蒸着されたメタルをパタ
ーニングしてゲートライン４５０ａと共にゲートライン
４５０ａから分岐されるゲート電極４５０と、ストレー
ジ電極４５０ｂを含むストレージ電極ライン４５０ｃを
形成する。このとき、ゲート電極４５０及びゲートライ
ン４５０ａはアルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）又はアル
ミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）のような
合金を使用して形成することもできる。

【００８０】続いて、ゲート電極４５０を含む第１絶縁
基板４４０の全面に窒化シリコンをプラズマ化学気相蒸
着法により積層してゲート絶縁膜４５５を形成する。

【００８１】前記ゲート絶縁膜４５５上にアモルファス
シリコン膜及びインサイチュ（ｉｎｓｉｔｕ）ドーピン
グされたｎ⁺アモルファスシリコン膜をプラズマ化学気
相蒸着方法により順次に形成した後、積層されたアモル
ファスシリコン膜及びｎ⁺アモルファスシリコン膜をパ
ターニングしてゲート絶縁膜４５５のうち、下にゲート
電極４５０が位置した部分上に半導体層４６０及びオー
ミックコンタクト層４６５を順次に形成する。

【００８２】続けて、前記結果物が形成された第１絶縁
基板４４０上にタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃ
ｒ）、銅（Ｃｕ）又はタングステン（Ｗ）などのような
メタルによりメタル層を形成した後、積層されたメタル
層をパターニングしてゲートラインに直交するソースラ
イン（図示せず）、ソースラインから分岐されるソース
電極４７０及びドレーン電極４７５を形成する。従っ
て、ゲート電極４５０、半導体層４６０、オーミックコ
ンタクト層４６５、ソース電極４７０及びドレーン電極
４７５を含む薄膜トランジスター（ＴＦＴ）４４５が完
成される。このとき、ゲートラインとソースラインとの
間には、ゲート絶縁膜４５５が挿入されゲートラインが
ソースラインと接触されることを防止する。

【００８３】次に、前記薄膜トランジスター（ＴＦＴ）
４４５が形成された第１絶縁基板４４０上に感光性絶縁
膜をスピンコーティング方法により約１〜３μｍ程度の
厚さで積層して感光性絶縁膜４８０を形成して第１基板
４１０を完成する。このとき、感光性絶縁膜４８０とし
て、感光性有機絶縁膜又は感光性無機絶縁膜が使用され
ることができるが、本実施形態では感光性有機絶縁膜の
一種である感光性化合物（ＰＡＣ；Ｐｈｏｔｏ−Ａｃｔ
ｉｖｅＣｏｍｐｏｕｎｄ）を含むアクリル樹脂が使用
された。

【００８４】図１４を参照すれば、感光性絶縁膜４８０
の上部にコンタクトホール４８５を形成するために、コ
ンタクトホール部分を露出する第１マスク（図示せず）
を位置させた後、１次露光を実施し、次にデントに対応
する部分を露出する第２マスク６１０を位置させた後、
２次露光を実施し、その後、現像工程を通じて感光性絶
縁膜４８０にドレーン電極４７５を部分的に露出させる
コンタクトホール４８５と上部に多数のデントを形成す
る。

【００８５】感光性絶縁膜４８０にコンタクトホール４
８５を形成する過程及び感光性絶縁膜４８０の上部に多
数の溝を形成する過程を説明すると、次のとおりであ
る。

【００８６】まず、感光性絶縁膜４８０にコンタクトホ
ール４８５を形成するために、コンタクトホール４８５
に相応するパターンを有する第１マスクを感光性絶縁膜
４８０上に位置させる。続いて、１次でフル露光工程を
通じてドレーン電極４７５上部の感光性絶縁膜４８０を
露光させる。

【００８７】次に、感光性絶縁膜４８０に多数のデント
又はグルーブ４８１を形成するためにデント又はグルー
ブに相応するパターンを有するマイクロレンズ形成用第
２マスク６１０を感光性絶縁膜４８０上に位置させる。

【００８８】第２マスク６１０はレジスト種類によっ
て、図示したパターンとは反対の形成を有するパターン
を具備することもできる。

【００８９】このような、第２マスク６１０を使用して
コンタクトホール４８５を除外した部分の感光性絶縁膜
４８０を２次でレンズ露光工程を通じて露光させる。

【００９０】次に、現像工程を実施すると、図１４に示
されたようなドレーン電極４７５を露出させるコンタク
トホール４８５が感光性絶縁膜４８０に形成され、感光
性絶縁膜４８０の表面に多数の不規則なデント（図示せ
ず）が形成される。

【００９１】前述した実施形態１、２と同様に、感光性
絶縁膜４８０の上部に形成される凹凸構造が均一なプロ
ファイルを有するように、下部にメタルパターン、即ち
ドレーン電極４７５、ゲート電極４５０、又はストレー
ジ電極ライン４５０ｃが置かれている第１部分を透過し
た第１光量は、これらメタルパターンが置かれていない
第２部分を透過した第２光量より小さいようにする。

【００９２】これのために、図１４に図示されたよう
に、入射される光を透過する投光領域６０５、６１５と
光を反射する遮光パターン６１２、６１４を含む第２マ
スク６１０の遮光パターン６１２、６１４のうち、メタ
ルパターン４５０、４５０ｂ、４７０、４７５の上部に
対応する第１部分で遮光パターン６１４間の間隔ｄ２が
メタルパターン４５０、４５０ｂ、４７０、４７５がな
い第２部分の上部に対応する遮光パターン６１２間の間
隔ｄ１より所定比率ほど小さく形成される。この比率は
メタルパターン４５０、４５０ｂ、４７０、４７５の反
射率により異なることができるが、望ましくは約１／２
である。

【００９３】選択的に、図１４に図示されたものと異な
る方法により第１部分での光量を第２部分での光量と異
にすることができる。即ち、第１部分で遮光パターン６
１４間の間隔ｄ２と第２部分で遮光パターン６１２間の
間隔ｄ１を同一にし、第２部分の投光領域６１５の表面
に入射光の透過量を減らすための半透明膜を追加で形成
したハーフトンマスクを用いる。後続する露光工程及び
現像工程は同一に適用される。

【００９４】次に、図１５を参照すれば、上述したよう
に多数のデントが形成された感光性絶縁膜４８０上にア
ルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃ
ｒ）又は銀（Ａｇ）などの反射率が優れるメタルを蒸着
した後、蒸着されたメタルを所定の画素形状にパターニ
ングして反射電極４３５を形成する。続けて、反射電極
４３５の上部にレジストを塗布しラビング（ｒｕｂｂｉ
ｎｇ）処理などを通じて、液晶層４３０内の液晶分子を
選択された角によりプレティルティング（ｐｒｅｔｉｌ
ｔｉｎｇ）させる第１配向膜５００を形成する。前記反
射電極４３５は感光性絶縁膜４８０の表面と同一な形成
を有する。

【００９５】反射電極４３５は感光性絶縁膜４８０のグ
ルーブ４８１上に形成された多数のデントから成った第
１領域部４９０と多数の突出部から成ったマイクロレン
ズ領域である第２領域部４９５に区分される。このと
き、第１領域部４９０は連続されたグルーブから成っ
て、突出部である第２領域部４９５に比べて相対的に低
い高さに位置し、第２領域部４９５は第１領域部４９０
により取り囲まれるので、反射電極４３５は第２領域部
４９５が連続されたグルーブである第１領域部４９０に
より限定される構造を有する。

【００９６】図１７は、本発明の第３実施形態の方法に
より形成された反射電極の平面図のパターンのうちの一
例を図示したものである。

【００９７】図１７を参照すれば、反射電極４３５を構
成する多数のグルーブである第１領域部４９０、多数の
突出部である第２領域部４９５の形状は反射電極４３５
下部の感光性絶縁膜をパターニングするためのマスクの
パターンに沿って決定される。即ち、図１７は反射電極
４３５のパターン形状を示しているが、同時に反射電極
４３５下部の感光性絶縁膜の形状又は感光性絶縁膜をパ
ターニングするためのマスクパターンを図示したものと
言える。即ち、図１４に図示した第２マスク６１０も図
１７に図示したように、多数の突出部である第１領域部
４９５に相応する遮光パターンを有し、多数のグルーブ
である第１領域部４９５に対応する投光領域を含む。

【００９８】図５に図示された、従来の方法で形成され
た反射電極と図１７の反射電極を比較するとき、本実施
形態による方法で形成された反射電極４３５は下部にメ
タルパターンの存在に関係なしに、同一な深さを有する
多数のグルーブと多数の突出部を有することが分かる。

【００９９】相対的に凹部（又は第１領域部）である多
数のグルーブは、各々約１〜５μｍ程度の幅を有する。
このような連続されるグルーブは画素の横方向へは一定
な幅を有し、不規則に配列される。

【０１００】相対的に凸部（又は第２領域部）である多
数の突出部は約２〜１０μｍ程度の大きさを有する。多
数の突出部は各々楕円形状、上弦月の形状、下弦月の形
状、凹レンズの断面形状、トラックの形状そして半トラ
ックの形状、延びた凹レンズの形状などのように多様な
形状を有するように形成することができる。図１７に示
したように、単位画素領域の境界線に隣接する各々のグ
ルーブ４９０は、その周囲を部分的に取り囲む第２領域
部４９５と単位画素領域の境界線により閉曲線形態で限
定される。

【０１０１】また、図示しなかったが、感光性絶縁膜４
８０の突出部に各々噴火口形態のグルーブをさらに形成
して感光性絶縁膜４８０上に形成される反射電極４３５
の反射率をさらに向上させることもできる。

【０１０２】上述したように、本発明者が提示した液晶
表示装置の反射板構造によると、画素内でマイクロレン
ズの役割を有する第２領域部を取囲んでいる第１領域部
を均一な深さを有するように形成することにより、反射
効率を上昇させることができた。

【０１０３】以上、本発明の実施例によって詳細に説明
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。

【０１０４】

【発明の効果】本発明による感光性絶縁膜の凹凸形成方
法は、下部にメタルパターンの存在可否に相関なしに、
デント又はグルーブが同一な深さを有するようにし、そ
の上に形成される反射電極かつ、全領域にわたってデン
ト又はグルーブが同一な深さを有するようにするので、
表示領域全体にわたって反射効率を均一に向上させる。
したがって、本発明の方法を凹凸構造の反射電極を有す
る表示装置に適用するとき、画像のコントラスト及び画
質を顕著に改善することができる。

【０１０５】また、改善された露光及び現像工程を用い
て、反射電極を形成するために、装置の製造時間及び費
用を大きく減らすことができる。

【０１０６】その上に、反射電極を形成する前に、感光
性絶縁膜を形成するとき、画素間にある画素領域の外部
領域でも画素領域と同一にグルーブを形成する。したが
って、画素領域と画素の外部領域間に段差が形成されな
い。したがって、段差によって発生する光漏水性残像や
液晶配向歪曲現象を除去することができる。また、スペ
ーサの散布後も第１基板と第２基板間の均一なギャップ
が形成される。

【０１０７】上述した実施形態では、反射型液晶表示装
置を例を挙げて反射電極を説明したが、このような反射
電極を必要とする反射透過複合型液晶表示装置及びその
他異なる電子ディスプレー装置にも本発明の反射電極を
使用して形成することができる。このような場合にも、
表示領域全体にわたって均一に反射率を向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の反射型液晶表示装置の部分的な平面図で
ある。

【図２】反射型液晶表示装置の断面図である。

【図３】図２に図示した装置のうちの有機絶縁膜及び反
射電極を形成する工程を説明するための断面図である。

【図４】図２に図示した装置のうちの有機絶縁膜及び反
射電極を形成する工程を説明するための断面図である。

【図５】図３と図４の方法を通じて単位画素領域に形成
された反射電極の平面図である。

【図６】本発明の第１実施形態による感光性絶縁膜の凹
凸形成方法を説明するための断面図である。

【図７】本発明の第１実施形態による感光性絶縁膜の凹
凸形成方法を説明するための断面図である。

【図８】本発明の第２実施形態による反射電極の凹凸形
成方法を説明するための断面図である。

【図９】本発明の第２実施形態による反射電極の凹凸形
成方法を説明するための断面図である。

【図１０】本発明の第２実施形態による反射電極の凹凸
形成方法を説明するための断面図である。

【図１１】本発明の第３実施形態による反射電極を有す
る反射型液晶表示装置の平面レイアウト図である。

【図１２】図１１のＡ−Ａ′線に沿って切断した切断面
を概略的に図示した概略断面図である。

【図１３】図１１及び図１２に図示した反射型液晶表示
装置の製造工程を説明するための断面図である。

【図１４】図１１及び図１２に図示した反射型液晶表示
装置の製造工程を説明するための断面図である。

【図１５】図１１及び図１２に図示した反射型液晶表示
装置の製造工程を説明するための断面図である。

【図１６】図１１及び図１２に図示した反射型液晶表示
装置の製造工程を説明するための断面図である。

【図１７】本発明の第２、第３実施形態の方法により得
られた反射電極のプロファイルを示す平面図である。

【符号の説明】

２４０、３４０、４１０、４４０基板２５０、３５０メタルパターン１８０、３８０、４８０感光性絶縁膜３１０、４１０、６１０マスク２１０、２１２、６１２、６１４マスクの遮光パター
ン２０５、２１５、６０５、６１５マスクの投光領域４００反射型液晶表示装置４３０液晶層４３５反射電極４４５薄膜トランジスター４５０ゲート電極４５５ゲート絶縁膜４６０半導体層４７０ソース電極４７５ドレーン電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｇ０３Ｆ 7/004 ５１１Ｇ０３Ｆ 7/004 ５１１Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AB14 AC01 AD01 BC13 BC42 FA03 2H091 FA02Y FA07X FA07Z FA11X FA11Z FA14Z FA26Y FA34Y FA41Z FC02 GA01 GA08 GA13 LA18 2H092 GA19 GA29 JA24 JA34 JA37 JA41 JA46 MA04 MA05 MA08 MA13 MA17 NA25 PA01 PA03 PA07 PA08 PA09 PA11 PA12 2H095 BB03 2H097 LA12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反射能を有する第１電極が形成された基板
上に感光性絶縁膜を形成する段階と、前記第１電極上部に対応する第１パターン間に照射され
る第１光量と前記第１電極以外の部分の第２パターン間
に照射される第２光量を異なるようにして前記感光性絶
縁膜を露光する露光段階と、露光された前記感光性絶縁膜を現像する段階と、を含む
感光性絶縁膜の凹凸形成方法。
【請求項２】前記第１光量は、前記第２光量より小さい
請求項１に記載の感光性絶縁膜の凹凸形成方法。
【請求項３】前記第１電極は、アルミニウム又はクロム
により作られる請求項１に記載の感光性絶縁膜の凹凸形
成方法。
【請求項４】前記感光性絶縁膜は、無機感光性絶縁膜と
有機感光性絶縁膜を含む請求項１に記載の感光性絶縁膜
の凹凸形成方法。
【請求項５】前記露光段階は、マスクを用いて実施さ
れ、前記感光性絶縁膜の前記第１パターンに対応する前
記マスクの第１マスクパターン間の間隔は、前記感光性
絶縁膜の前記第２パターンに対応する前記マスクの第２
マスクパターン間の間隔より小さいスリット構造を有す
る請求項１に記載の感光性絶縁膜の凹凸形成方法。
【請求項６】前記露光段階は、マスクを用いて実施さ
れ、前記マスクは、前記感光性絶縁膜の前記第１パター
ンに対応する前記マスクの第１マスクパターン間に形成
され透過光量を減少させる半透明膜を有するハーフトン
マスクである請求項１に記載の感光性絶縁膜の凹凸形成
方法。
【請求項７】反射能を有する第１電極が形成された基板
上に感光性絶縁膜を形成する段階と、前記第１電極上部に対応する前記感光膜の第１パターン
部分の間に照射される第１光量と、前記第１電極の上部
を除外した部分の第２パターン部分間に照射される第２
光量を異なるようにして、前記感光性絶縁膜を露光する
露光段階と、露光された前記感光性絶縁膜を現像して、前記感光性絶
縁膜の表面に凹凸を形成する段階と、前記感光性絶縁膜の凹凸表面に対応する凹凸表面を有す
る反射電極を前記感光性絶縁膜上に形成する段階と、を
含む反射電極の製造方法。
【請求項８】前記第１光量は、前記第２光量より小さい
請求項７に記載の反射電極の製造方法。
【請求項９】前記第１電極は、薄膜トランジスターのソ
ース電極、ドレーン電極又はこれらの電極全てを含む請
求項７に記載の反射電極の製造方法。
【請求項１０】前記第１電極は、ストレージ電極を含む
請求項９に記載の反射電極の製造方法。
【請求項１１】前記露光段階は、マスクを用いて実施さ
れ、前記感光性絶縁膜の前記第１パターンに対応する前
記マスクの第１マスクパターン間の間隔は、前記感光性
絶縁膜の前記第２パターンに対応する前記マスクの第２
マスクパターン間の間隔より小さいスリット構造を有す
る請求項７に記載の反射電極の製造方法。
【請求項１２】前記露光段階は、マスクを用いて実施さ
れ、前記マスクは、前記感光性絶縁膜の前記第１パター
ンに対応する前記マスクの第１マスクパターンの間に形
成され透過光量を減少させる半透明膜を有するハーフト
ンマスクである請求項７に記載の反射電極の製造方法。
【請求項１３】反射能を有する第１電極が形成された第
１基板上に感光性絶縁膜を形成する段階と、前記第１電極上部に対応する第１パターンの間に照射さ
れる第１光量と前記第１電極以外の部分の第２パターン
の間に照射される第２光量を異にして、前記感光性絶縁
膜を露光する露光段階と、露光された前記感光性絶縁膜を現像して、前記感光性絶
縁膜の表面に凹凸を形成する段階と、前記感光性絶縁膜上に反射電極を形成する段階と、前記第１基板に対向して透明電極を有する第２基板を形
成する段階と、前記第１基板と前記第２基板の間に液晶層を形成する段
階と、を含む凹凸構造の反射電極を有する液晶表示器の
製造方法。
【請求項１４】前記第１光量は、前記第２光量より小さ
い請求項１３に記載の凹凸構造の反射電極を有する液晶
表示器の製造方法。
【請求項１５】前記露光段階は、マスクを用いて実施さ
れ、前記感光性絶縁膜の前記第１パターンに対応する前
記マスクの第１マスクパターン間の間隔は、前記感光性
絶縁膜の前記第２パターンに対応する前記第２マスクパ
ターン間の間隔より小さいスリット構造を有する請求項
１３に記載の凹凸構造の反射電極を有する液晶表示器の
製造方法。
【請求項１６】前記露光段階は、マスクを用いて実施さ
れ、前記マスクは、前記感光性絶縁膜の前記第１パター
ンに対応する前記マスクの第１マスクパターンの間に形
成され、透過光量を減少させる半透明膜を有するハーフ
トンマスクである請求項１３に記載の凹凸構造の反射電
極を有する液晶表示器の製造方法。
【請求項１７】前記反射電極の凹凸表面は、第１領域部
と第２領域部を含み、前記第１領域部は前記第２領域部
に比べて相対的に低い高さを有するグルーブ形状を有
し、前記第２領域部は相対的に高い高さを有する多数の
突出部の形状を有する請求項１３に記載の凹凸構造の反
射電極を有する液晶表示器の製造方法。
【請求項１８】前記第１領域部は、部分的に画素の境界
線と共に、前記第２領域部を閉曲線の形態で限定する請
求項１７に記載の凹凸構造の反射電極を有する液晶表示
器の製造方法。
【請求項１９】前記第２領域部は、楕円形状、上弦月の
形状、下弦月の形状、凹レンズの形状、トラックの形
状、半トラックの形状及び延びた凹レンズの形状から成
ったグルーブより選択された二つ以上の形状を有する請
求項１７に記載の凹凸構造の反射電極を有する液晶表示
器の製造方法。
【請求項２０】前記第１領域部は、１〜５μｍの幅を有
し、前記第２領域部の大きさは２〜１０μｍである請求
項１７に記載の凹凸構造の反射電極を有する液晶表示器
の製造方法。