TW579434B - Inspection-microscope for several wavelength-ranges and reflection-reduction-layer for an inspection-microscope for several wavelength-ranges - Google Patents
Inspection-microscope for several wavelength-ranges and reflection-reduction-layer for an inspection-microscope for several wavelength-ranges Download PDFInfo
- Publication number
- TW579434B TW579434B TW091106133A TW91106133A TW579434B TW 579434 B TW579434 B TW 579434B TW 091106133 A TW091106133 A TW 091106133A TW 91106133 A TW91106133 A TW 91106133A TW 579434 B TW579434 B TW 579434B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- mgf2
- reflection
- patent application
- reflection reduction
- Prior art date
Links
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 26
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 28
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 20
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 203
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/06—Means for illuminating specimens
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
- G02B21/0016—Technical microscopes, e.g. for inspection or measuring in industrial production processes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/16—Microscopes adapted for ultraviolet illumination ; Fluorescence microscopes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
579434 五、 發明說明 ( 1 ) 本 發 明 涉 及 多 個 波 長範圍 用之檢測 顯微鏡，其具有至 少 一 照 明 光 束 通 道 及 至少一 成像光束 通道。 本 發 明 亦 涉 及 多 個 波長範 圍用之檢 測顯微鏡中之反射 降 低 層 〇 半 導 體 工 業 中 檢 測顯微 鏡用來觀 察，硏究及測試各 種 晶 圓 遮 罩 及 半 導 體模組 以控制此 製程中各種不同之 步 驟 0 檢 測 顯 微 鏡 大 部份都 已廣泛地 自動化。此外，自 動 化 之 輸 送 一 及 操 控 系統用 來硏究各 模組或晶圓；此外 亦 可 進 行 白 動 聚 焦 〇 顯 微 鏡 之 光 學 解 析 度已知 是與照明 光束之波長及物鏡 之 數 位 孔 徑 有 關 Ο 由 於物鏡 之數位孔 徑不可任意變大， 則 照 明 光 束 之 波 長 通 常選擇 成較小以 便對較小之結構進 行 解 析 〇 通 常 使 用 紫 外光來 對高積體 化之電路用之晶圓 上 很小 之 結 構 進 行 解析。目 前檢測顯 微鏡中照明波長通 常 是 在 248】 im 和 365 nm之間。 在 1 · 99 3 1 954 A1中描述- -種檢測顯微鏡，其以多個 波 長 範 圍 來 操 作 〇 例 如，使 用水銀蒸 汽燈（其光譜成份是 在 不 同 之 波 長 範 圍 中 )作爲光源。相關之波長範圍是：第 一 1 可 見 光 之 波 長 範 圍可達 6 5 0 n m， 簡稱VIS(即， Vi sible)範圍； ，弟一， 水銀蒸汽燈之燈線，稱爲i -線， 其 波 長 是 λ i-L ,i n i e = 3 65nm ;第三，由深紫外線波長區域 所 構 成 之 狹 窄 波 長 帶 ，其波 長介於200至300nm之間， 以 下 稱 爲 DUV(d Leep u_l t r a v_i ( )let)範圍 。DUV波長帶（其特 徵 是 其 頻 譜 之 峰 値 位 置及其 半値寬度 3- )利用一種反射濾波 579434 五、 發明說明 (2) 器 系 統 而 由 光源之光 譜中濾除。 顯 微 鏡 之 照明透鏡 及成像透鏡對所有三個波長範圍而 言 都 須 修 正 及調整。 v 1 S範圍用之顯微鏡圖像藉由目鏡 或 另 外 藉 由 VIS範圍 用之照明相機來顯示。i 一線及 DUV 範 圍 用 之顯微鏡 圖像利用UV(紫外線）敏感之TV照 相 機 即 可 看 見。 在 上 述 之 顯微鏡中 顯示：特別是對DUV範圍而言， 照 相 機 圖 像 在所有應 用中並非都可符合使用者之高需求 〇 在 DUV範圍中爲了改良照明特性及成像特性，須使 用 —* 種 功 率 較水銀蒸 汽燈還高之雷射（其購置-及維修成 本 高 很 多）且在需要時須使用一種敏感且昂貴之照相機。 本 發 明 之 目的是提 供一種檢測顯微鏡，其不必使用功 率 較 筒 且 昂 貴之雷射 ，同時在上述三個波長範圍（特別是 DUV 範 :圍 )中可提供- -種好很多之圖像品質。 上 述 g 的 以多個波 長範圍用之檢測顯微鏡（其具有至少 —* 照 明 光 束 通道及至 少一成像光束通道）來達成，其特徵 爲 ； 在 照 明 光束通道 及成像光束通道中設有較佳是固定 之 光 學 組 件 ，其可由 全部波長範圍之光束所穿透且設有 反 射 降 低 層 ，其中可 見之VIS波長範圍之反射已降低之 波 長 範 圍 可 達 650nm ;i 一線是在λ = 3 6 5 n m處且紫外線 之 DUV波長範圍由240nm至270nm。 上 述 之 槪 念是：在 顯微鏡-光束通道（其分別只通過唯 一 之 波 長 範 圍之光束）中設置特定波長範圍之光學組件。 在 顯 微 鏡 光束通道 中該位置（其上交替地只通過三個波 -4- 579434 五、發明說明（3) 長範圍中唯一之光束）上所需數目之組件切換器配置在特 定波長範圍之光學組件上。利用此種組件切換器，則可 將各組件之一（其在實際所使用之波長範圍中修正及最佳 化）加入光束通道中。組件切換器例如可以線性移位器或 轉盤來構成，其上配置特定波長範圍之光學組件。 但在照明光束通道及成像光束通道中設有光學組件， 其可由全部波長範圍之光束所穿過。這些光學組件較佳 是固定式之光學組件，其對全部三個波長範圍都須最佳 化。本發明中這些光學組件因此設有反射降低層，其中 可見之VIS波長範圍之反射已降低之波長範圍可達 650nm ； i —線是在；I = 3 6 5 n m處且紫外線之D U V波長範 圍由 240nm 至 270nm 。 該檢測顯微鏡之反射已降低之固定式光學組件較佳是 由石英玻璃或CaF2所構成，此乃因這二種材料是紫外 線波長範圍中可透光之材料且適合作爲工業用（就價格， 環境穩定性，可操作性等等而言）。石英玻璃之祈射率是 ne=l .46，CaF2 之折射率是 ne=l .43。 在本發明檢測顯微鏡之實施形式中，反射降低層具有 一種三明治結構，其由材料M2(—種由La203.3.3 Al2〇3 所構成之Fa. Merck之混合物質）及MgF2所構成。由這 些材料交替地施加由M2及M gF2所構成之多個層，其中 第一層（即，最下層）由M2構成且最後一層由MgF2所構 成。此種三明治結構大約需要8至1 0層，以便至少在 反射降低作用中達到良好之結果。若此種三明治結構中 五、發明說明（4) 之層數少於8層，則此種反射降低層只能達到很小之需 求。爲了達成很好之反射降低作用，三明治結構通常所 需之層數大於1 〇。 在本發明檢測顯微鏡之另一實施形式中’反射降低層 之三明治結構由三種材料所構成，此三種材料是M2(由 La203.3.3 Al2〇3所構成之Fa. Merck之混合物質）MgF2 及ai2o3。在本實施形式中，在三明治結構之下層構造 中交替地施加由A12 〇 3及Μ 2所構成之多個層且在三明 治結構之上層構造中交替地施加由M2及MgF2所構成之 多個層。此時最後一層由MgF2所構成。在本實施形式 之很簡易之變異形式中，只施加唯一之由ai2o3所構成 之層作爲最下層。 在本發明檢測顯微鏡之另一實施形式中，反射降低層 同樣具有由三種材料所構成之三明治結構，此三種材料 是M2(由La203.3.3 Al2〇3所構成之Fa· Merck之混合物 質），MgF2及Si02。在本實施形式中，由M2開始，在 三明治結構之下層構造中交替地施加由M2及Si02所構 成之多個層且在三明治結構之上層結構中交替地施加由 M2及MgF2所構成之多個層。此處最後一層由MgF2所 構成。 若反射降低層在上述三明治結構（即，交替地配置著 M2)中恰具有由Si02所構成之三個層及由MgF2所構成 之三個層，則上述之實施形式最有利。在此種構造中， 可達成一種具有最佳化之低剩餘反射値之反射降低層。 579434 五、發明說明（5) 因此，在VI S波長範圍及i 一線中該反射之平均値$ 1 - 〇 %，在D U V波長範圍中該反射之平均値$ 〇 . 5 %。本 發明中以此種反射降低層所形成之檢測顯微鏡在全部之 三個波長範圍（VIS，i一線，DUV)中所具有之圖像品質 已改良很多。在DUV範圍中可使圖像品質有最大之改 良。在DUV範圍中因此不必使用一種功率較水銀蒸汽 燈還大之雷射（其在安裝及操作時費用貴很多）。 在先前技藝中已爲人所知之檢測顯微鏡中，至少該雷 射之輸出光能量落在即將觀看或硏究之物件（例如，晶圓） 上。此種效應會發生，儘管在所使用之光學組件（例如， 透鏡，透鏡組，分光器等等）上對所有二個波長範圍（VIS ，DUV)都已進行適當之反射降低以防止該即將硏究之物 件之僞（false)光及漫射之背景照明。此種光學組件上所 使用之反射降低層之缺點是其最大剩餘反射値較大，在 DUV範圍（即，；l=248nm±15nm之波長範圍）中此種最 大剩餘反射値大約是1.6%。此外，其在VIS範圍中具有 較大之剩餘反射値（大約是1 .3%)。此種反射降低層不適 用於± = 3 65nm(即，i—線）之波長之光。其它習知之反射 降低層（其用於i-線及VIS範圍中）完全不適用於檢測 顯微鏡中，此乃因此種反射降低層在DUV範圍中之剩 餘反射値大約在1 5至20%之間或更大。此時即使透鏡 已最佳化，但習知之檢測顯微鏡在很特殊之應用中會顯 示太小之圖像亮度及圖像品質，這特別是與DUV範圍 有關。 579434 五、發明說明（6) 本發明之另一目的是在上述三個頻譜範圍（特別是 DUV範圍）中使檢測顯微鏡之傳送性（Transmission)獲得 改良。 此目的以多個波長範圍用之反射降低層來達成，其中 可看見之VIS波長範圍之反射已降低之波長範圍可達 6 5 Onm，i -線者是；I =3 6 5 nm，紫外線之DU V波長範圍 是在240至270nm之間。 反射降低層在特殊之實施形式中用於由石英玻璃或 CaF2所構成之光學組件中，就像其在上述光譜範圍VIS ，i —線及DUV中用在檢測顯微鏡中時一樣。亦可用在 一些由DUV範圍中可透光之其它材料所構成之光學組 件中。但這在實際上幾乎不可行，因爲DUV範圍中可 透光之其它材料通常不適合用在工業領域中，因爲這些 材料太貴，品質太差而不能操作或在一般之環境條件（例 如，空間濕氣，溫度’耐輻射性）下不能充份地操控。 在反射降低層之三明治結構之層厚度最佳化時，首先 須硏究24 Onm至70 Onm之整個頻譜範圍中使剩餘反射値 降低。其解法是使層設計成1 0至1 6層，但這些層在整 個頻譜範圍中使剩餘反射位準提高，因此使檢測顯微鏡 中之圖像品質未改良。此種硏發須適當地針對反射降低 層，其對所需之三個波長範圍（VIS，i —線及DUV)可選 擇性地提供一種反射最小値。 本發明之反射降低層是一種多層設計，其可在上述三 個頻譜範圍VIS，i —線及D U V中進行調整且對先前已 579434 五、發明說明（7) 爲人所知之簡易之反射降低層而言必須具有多個層。 此種層設計依據L e v e n b e r g - M a r q u a r d t之最佳化方法 來達成，其可用在可商業化之軟體中以便由FTG軟體 FILM* STAR來計算薄層。驗証此種理論上之設計所進行 之層硏究是在Leybold Systems AG，Hanau公司之蒸鍍 設備APS 904上進行。 本發明之反射降低層可發展成三種不同之實施形式。 第一種實施形式之反射降低層具有一種三明治結構， 其只由二種材料M2(由La203.3.3 A1203所構成之Fa· Merck之混合物質）及MgF2所構成。由M2開始，交替 地施加由M2及MgF2所構成之多個層，最後一層由 MgF2構成。 此種反射降低層之良好之黏合固定性及耐磨性以下述 方式達成：待塗層之光學組件在塗層過程中加熱至25 0 °C至3 00 °C。由於較長之加熱時間及冷卻時間，則各別 加料時所需之製程時間當然較長。 此外，會有以下之危險性：光學組件中或反射降低層 中會產生不期望之應力。光學組件之形式越複雜且尺寸 越大時，則此種危險性越大。 在本發明之反射降低層之另一實施形式中，其三明治 結構由三種材料構成，這些材料是M2，MgF2及Al2〇3 。本實施形式中由A 1 2 0 3開始，在三明治結構之下層構 造中交替地配置由Al2〇3及M2所構成之多個層，且在 上層構造中交替地配置由M2及MgF2所構成之多個層。 579434 五、發明說明（8) 最後一層由MgF2構成。在一種很簡單之變形中，只施 加唯一之由ai2o3所構成之層，此層作爲最下層。 此反射降低層有一種在技術上最有利之形式，其三明 治結構同樣由三種材料所構成。除了 M2及MgF2之外， 選取Si02作爲第三種材料以取代Al2〇3。由M2開始， 在三明治結構之下層構造中交替地配置由M2及Si02所 構成之多個層。在上層構造中交替地配置由M2及MgF2 所構成之多個層。最後一層由MgF2構成。 Si〇2之優點是：在使用此行之專家所常用之 APS(Advanced Plasma Source)技術時對黏合穩固性及耐 磨性相同之反射降低層而言各透鏡組件所需加熱之溫度 (180°C即已足夠）不必像由M2/ MgF2組合時之第一實施 形式那樣高。 MgF2是一種氟化物，則其不能以離子促進法來進行蒸 鍍。完全省略MgF2 (因此是一種”冷塗層”）是不可能的 ，此乃因不可省略MgF2中較小之折射率1 .38及與其有 關之較小之剩餘反射特性。否則本發明之反射降低層之 特性會劣化。 若在上述三種材料所構成之反射降低層中該三明治結 構具有4層（由Si02及由MgF2所構成之三個層）’即， 此種三明治結構由總共1 4層所構成，則可達成現有之 結果。由MgF2所構成之最後之三個低折射層形成一種 低的剩餘折射位準，其它全部之由Si02構成之低折射層 可確保一種穩定之基礎。透鏡組件較少量之加熱即已足 -10- 579434 五、發明說明（9) 夠。 利用此種層設計，則可達成一種反射降低層，其具有 最佳化之低的剩餘反射値。在此種層設計之有利之變形 中，VIS波長範圍及i 一線之反射平均値‘ 1.0%，DUV 波長範圍之反射平均値^ 0.5%。 藉由使用小於1 4層之層結構，則同樣可對上述之波 長範圍之反射降低値進行調整。但此種解法之缺點是： 反射降低層之剩餘反射値位於較高之位準。 反射降低層較多之層數可藉由使用折射率較大（相較於 “§?2之1.3 8)之其它材料來降低。在01；¥範圍中目前只 知Hf02可用作大約是無吸收性之材料。但以此種材料 所獲得之實際經驗已顯示：在240nm時會發生吸收現象 ，其在較短之波長時仍會提高。 因此不需使用此種材料，在上述波長範圍中只須使用 無吸收性之材料或吸收性很小之材料。 反射降低層之剩餘反射値之進一步降低可在三明治結 構中使用更多層來達成。但就可達成之效應而言需要多 很多之層，使大部份應用中製程技術上之費用太高。同 時各干擾性之雜散效應之成份及層系統中之剩餘吸收値 會增大。 本發明以下將依據實施例及圖式來詳述。圖式簡單說 明： 第1圖係檢測顯微鏡之光學構造。 第2圖係反射降低層之構造，其具有由M2/ MgF2/ -11- 五、發明說明（10) Si〇2所構成之16個層（比較以下之表A)。 第3圖係具有由M2/MgF2/Si02m構成之16個層之 反射降低層之剩餘反射値之頻譜，反射降低作用對VI S ，i —線及DUV是有效的（請比較表A)。 第4圖係反射降低層之構造，其具有由M2/ MgF2/ Si02所構成之14個層（請比較表B)。 第5圖係具有由M2/ MgF2/ Si02所構成之14個層之 反射降低層之剩餘反射値之頻譜，反射降低作用對VIS ，i 一線及DUV是有效的（請比較表B)。 第6圖係具有由M2/ MgF2/ Si02所構成之12個層之 反射降低層之剩餘反射値之頻譜，反射降低作用對VIS ，i 一線及DUV是有效的（請比較表C)。 第7圖係具有由M2/ MgF2/ Si02所構成之14個層之 反射降低層之剩餘反射値之頻譜，反射降低作用對vis 經由i 一線至DU V之整個區域都有效（請比較表D)。 第8圖係具有由M2/ MgF2/ A1203所構成之6個層之 反射降低層之剩餘反射値之頻譜，反射降低作用對VIS ，i一線及DUV都有效（請比較表E)。 第9圖係具有由M2/ MgF2所構成之14個層之反射降 低層之剩餘反射値之頻譜，反射降低作用對VIS，i -線 及DUV都有效（請比較F)。 1分光 源束明 光光召E 由明U 束照同 光達不 明到種 照而各 。鏡置 造透配 構明上 學照 2 光之器 之示位 微未在 顯處。 測此 2 檢由器 是經位 圖其移 1 ， I 第出器 發光 -12- 579434 五、發明說明（11 ) 束分光器3，其分別對應於照明光束之一種指定之波長 範圍（VIS，DUV，i —線）。圖中位於光束通道中之分光 器3使照明光束之相對應之部份偏向至物鏡4之方向中 。此種已轉向之光束通道藉由光軸5來表示。這樣所產 生之照明光束藉由物鏡4而聚焦在樣品6(例如，晶圓） 上。在分光器3及物鏡4之間在光束通道中配置一種所 謂自動聚焦一分光器7，自動聚焦裝置AF之光束藉由 分光器7中之分光層而耦合至光束通道中。自動聚焦之 光束穿過物鏡4且同樣由物鏡4而成像在樣品6上。自 動聚焦之光束經由分光器7回到自動聚焦裝置AF。由 樣品6所回來之光束藉由自動聚焦裝置AF而導出一種 樣品表面6上由光源1所發出之照明光束之聚焦層用之 評定準則。在與理想之聚焦層有偏差時，則須改變物鏡 4及樣品6之間之距離，以達成一種最佳化之聚焦。 樣品6上所聚焦之照明光束由樣品6返回而形成一種 成像光束通道且穿過隨後之物鏡4，自動聚焦分光器7 ，照明分光器3及鏡筒透鏡8(其配置在鏡筒透鏡-移位 器9上）。鏡筒透鏡-移位器9承載多個鏡筒透鏡，其中 分別使該鏡筒透鏡8(其在所期望之實際波長範圍中是最 佳的）安裝在光束通道中。鏡筒透鏡-移位器9之移動在 圖中是以雙箭頭來表示。成像光束然後到達目鏡-分光 器-移位器11上之目鏡分光器10,其上對成像光束進 行劃分，使光束之第一成份偏向至目鏡OK而第二成份 則經由成像透鏡1 2而到達棱鏡1 3。目鏡—分光器一移 -13- 五、發明說明（12) 位器11承載多個目鏡分光器1 〇，其對應於不同之波長 範圍且可選擇地安裝在光束通道中。目鏡-分光器-移 位器1 1之移動可能性在圖中是以雙箭頭來表示。 藉由目鏡0K，則在視覺上可控制由樣品6所產生之 顯微鏡圖像。此外，亦可使顯微鏡圖像顯示在照相機上 。在棱鏡1 3上因此可使成像光束分成一種組合式之i -線一 /DUV成份及一種VIS成份。此二種成份分別以特 定之照相機波長來顯示。i-線一 /DUV成份以UV敏感 之照相機DUV來顯示，VIS成份以一在可看見之頻譜區 上調整之照相機VIS來顯示。顯微鏡使用者因此能以舒 適之方式來觀看顯微鏡圖像，即，依據已調整之波長範 圍在其中一個或另一個照相機上觀看。波長範圍之調整 由照明光束分光器3，鏡筒透鏡移位器9及目鏡-分光 器一移位器1 1之移動來達成，其在以下總稱爲組件切 換器。藉助於組件切換器3，9，1 1，則在顯微鏡中所需 之位置上可分別配置各特定波長範圍之光學組件。各波 長範圍在光束通道中，其上只可傳送三個波長範圍中唯 一之一種波長範圍之光束。但各組件切換器上之光學組 件亦可很特殊地針對所屬之波長範圍來設計及修正。組 件切換器例如可以線性移位器或轉盤來構成，其上配置 特定波長範圍之光學組件。 在鏡筒透鏡-移位器9及目鏡-分光器-移位器11 之間配置另一個移位器1 4作爲組件移位器。此移位器 1 4承載光學平衡元件1 5及另一分光器1 6，此二種元件 -14- 579434 五、發明說明（13) (15及16)可選擇地分別安裝在光束通道中。分光器14 安裝在光束通道時可使顯微鏡之附加模組用之成像光束 之成份由光束通道耦合而出。該附加模組例如可以是一 種共焦（confocal)模組或另一照相機。若不需此種額外之 分光器16,則在其位置上可藉由移位器14之移動使光 學平衡元件1 5安裝在光束通道中。移動可能性在圖中 以雙箭頭表示。光學平衡元件15使成像光束穿過光學 玻璃路徑，就像其在已加入之另一分光器1 6中者一樣 。以此種方式可使隨後之光束路徑中之成像特性不會改 變，若此分光器由光束通道中移出時。 這些光學組件（其由全部之波長範圍之光束所穿過）固 定地配置著，它們是自動聚焦分光器7，成像透鏡1 2及 棱鏡13之輸入面。光學平衡元件15或分光器16在光 束通道中時對全部之三個波長範圍而言同樣是固定著。 這些固定在光束通道中之組件在全部之三個波長範圍中 都須最佳化。本發明中這些組件因此設有反射降低層， 其中就可看見之至6 5 Onm之VIS波長範圍，λ =3 65 nm 時之i一線及240nm至270nm之紫外線DUV波長範圍而 言都可使反射降低。 檢測顯微鏡之光學組件（其是固定式之光學組件）較佳 是由石英玻璃或CaF2所構成，此乃因該二種材料是紫 外線波長範圍中可透光之材料且可最佳地適用於工業上 之操作及利用。反射降低層由不同材料之多個層所構成 ，其形成一*種二明治結構。所使用之層系統（其15a後將I羊 -15- 579434 五、發明說明（14) 述）藉由層厚度之改變來適應於光學組件之基板。 本發明中該反射降低層施加在固定式光學組件之所有 之危險之邊界面上。這些邊界面涉及自動聚焦-分光器 7之分光層，移位器14中之分光層，光學平衡元件15 之射入一及射出面，成像透鏡12(其亦可由多個元件所 構成）之前-及後透鏡面以及棱鏡1 3之入射面。這些層 在第1圖中以粗厚之線及符號R(反射降低層）來表示。 該層之反射降低作用當該層上之入射角改變〇°± 15°時 或石英及CaF2之折射率隨製程而可能改變時或各層之 厚度改變±5%時都可保持著。 此種層設計之細節以下將描述在第2至9圖中。這些 層構造適用於厚度相同之石英玻璃或CaF2。以此種方式 ，則所有固定在檢測顯微鏡中之組件在其危險之各面上 都可塗佈唯一之反射降低層且同時可達成一種最佳之反 射降低作用。由於只使用唯一之一層，則可使製程大大 地簡化而節省成本。但更重要的是：本發明中設有此種 反射降低層之檢測顯微鏡在所使用之所有之三個波長範 圍（VIS，i —線，DUV)中都可使圖像品質大大地改良。 在DUV範圍中因此可使圖像品質大大地提高。DUV範 圍中因此不必使用一種較水銀蒸汽燈之功率還高且貴很 多之雷射。 第2圖由M2及MgF2和Si02共三種材料所構成之反 射降低層之構造。此層由1 6層所構成，其施加在石英 或CaF2上。最下層由M2構成，接著交替地配置由SiO: -16- 579434 五、發明說明（15) 及M2所構成之層。第12層首先由MgF2構成且接著又 交替地配置M2及MgF2，其中MgF2形成最後一層。此 處所示之層具有以下之表A中所示之層結構。
表A ·· 層編號 厚度（nm) 材料 1 14.9 M2 2 25.57 SiO: 3 20.72 M2 4 10.12 SiO： 5 66.94 M2 6 9.17 Si07 7 6.07 M2 8 14.44 Si02 9 2 1.87 M2 10 110.66 Si02 11 2 1.78 M2 1 2 20.16 MgF M2 13 70.39 14 14.05 MgF M2 15 15.58 16 66.86 MgF 若各層之厚度改變未超過±5%，則此層系統之特性保 持不變。此種層設計可均勻地用在石英及CaF2上。 第3圖係第2圖之層之剩餘反射値之頻譜圖。在 2 5 Onm附近之DUV範圍中具有很好之反射降低作用，由 3 5 0nm至650nm(—部份可達675nm)之可見光之範圍中 亦有很好之反射降低作用。二個基板上之反射降低層之 剩餘反射値有一次是施加在石英玻璃基板（粗線）上且有 一次是施加在CaF2基板上（細的直線）。 第4圖是反射降低層之構造，其同樣由三種材料M2 ，MgF2及Si 02所構成。此種層構造所需之層數較第2 圖者少2層。其三明治結構之細節如下表B所示。 表B : 層編號 厚度（nm) 材料 1 13.95 M2 -17· 579434 五、發明說明（彳6) 2 27.60 Si02 3 20.66 M2 4 8.84 Si02 5 69.42 M2 6 20.90 Si02 7 24.6 1 M2 8 1 12.60 Si02 9 2 1.02 M2 10 20.60 MgF2 11 69.85 M2 12 13.97 MgF2 13 16.01 M2 14 66.65 MgF2 若各層之厚度改變未超過±5%，則此層系統之特性保 持不變。此種層設計可均勻地用在石英及 CaF2 上。 第5圖係第 4圖之反射降低層之剩餘反射値之頻譜。 對各波長範圍 VIS ，i 一線及DUV而言此種反射降低層 都可使反射降低。 相較於第2圖之層（請比較表A)而言 ，此種層結構具有 1 4層（產品費用因此較低）仍可達到較 第2圖之具有 1 6層之反射降低層還優良之反射値。 第6圖是反射降低層之剩餘反射値之頻譜’此種反射 降低層具有由 三種材料M2，MgF2及Si〇2 所構成之12 個層。此種層結構如下表c所示。 表C : 層編號 厚度（nm) 材料 1 15.17 M2 2 21.57 Si〇2 3 96.82 M2 4 20.75 Si02 5 25.35 M2 6 114.91 Si〇2 7 19.29 M2 8 20.47 MgF2 -18- 579434 五、發明說明（17)
9 67.52 M2 10 14.19 MgF 11 17.22 M2 12 65.82 MgF 若各層之厚度改變未超過±5%，則此層系統之特性保 持不變。此種層設計可均勻地用在石英及CaF2上。 依據第6圖中之剩餘反射頻譜，由於層數減少至1 2 層，則i 一線及VIS範圍中之剩餘反射値已大大地惡化 ’ DUV範圍中之剩餘反射値仍很優良。因此，任意使層 結構變小（如薄層製程中所期望者）是不可能的。 比較第3，5，7圖，則在儘可能大之頻寬中就反射降 低之效用而言，表B中所示之由M2，MgF2及Si02所構 成之具有1 4層之層結構是最有利之構造。 第7圖是反射降低層之剩餘反射値之頻譜，反射降低 層同樣由三種材料M2，MgF2及Si02所構成。此種層結 構有14層，特別是可使i -線至DUV範圍之可見光之 整個範圍中之反射降低。相對應之層構造顯示在下表D 中〇 表D 層編號 厚度（nm) 材料 1 7.08 M2 2 28.54 Si02 3 18.90 M2 4 11.79 Si02 5 99.82 M2 6 15.97 Si02 7 15.98 M2 8 126.92 Si02 9 19.24 M2 10 12.55 MgF； -19- 579434 五、發明說明（18 )
11 63.48 M2 12 8.65 MgF 13 25.04 M2 14 65.56 MgF 若各層之厚度改變未超過i:5%，則此層系統之特性保 持不變。此種層設計可均勻地用在石英及CaF2上。 依據該剩餘反射頻譜（其可用在石英玻璃上及CaF2上） ，此種寬頻帶之剩餘反射値相對於選擇性之剩餘反射値 而言不具備有利之處。在與第5圖比較時甚至須承受該 反射降低層之品質所受之巨大損耗。寬頻帶之反射降低 之槪念因此又在很大之頻譜範圍中設定，因爲選擇性之 反射降低可達成更有效之結果。 第8圖係由材料M2，MgF2及Al2〇3所構成之反射降 低層之剩餘反射値之頻譜。此處之層設計之形式是只設 有6層。此種層設計只以6層來達成。此種層設計顯示 在以下之表E中。 表E : 層編號 厚度（nm) 材料 1 136.17 ai2〇： 2 175 MgF2 3 24.26 M2 4 26.85 MgF2 5 14.66 M2 6 77.29 M gF 2 若各層之厚度改變未超過t5 % ’則此層系統之特性保 持不變。此種層設計可均勻地用在石英及CaF2上。 此種層對波長範圔VIS ’丨一線及DUV都具有反射降 低作用，但在DUV波長25 0nm附近該反射已降低之波 -20- 579434 五、發明說明（19) 長範圍較前述各層中者狹窄很多。i 一線及可看見之波長 範圍中之反射降低値較第5圖中以頻譜所示之層者惡化 很多。因此，在上述之波長範圍中可以很少之層達成很 好之反射降低作用’其中須使所使用之寬度大大地削減。 第9圖係只由二種材料（即，M2及MgF2)所構成之反 射降低層之剩餘反射値之頻譜。反射降低層由1 4個單 一層所構成，如下表F所示： 表F : 層編號 厚度（nm) 材料 1 14.56 M2 2 15.38 MgF2 3 19.55 M2 4 10.64 MgF2 5 87.07 M2 6 22.38 MgF2 7 21.89 M2 8 123.66 MgF2 9 17.88 M2 10 26.19 MgF2 11 68.93 M2 12 12.7 MgF2 13 16.16 M2 14 66.19 MgF2 若各層之厚度改變未超過±5%，則此層系統之特性保 持不變。此種層設計可均勻地用在石英及CaF2上。 在波長範圍VIS，i 一線及DUV中都可使反射降低。 反射降低之品質可與第5圖中所示之層相當。當然由 M2及MgF2所構成之層（即，表F所示者）相對於由表B 所構成之層具有很明顯之缺點：在塗層過程中基板所需 加熱之程度較先前所述者大很多。 -21 - 579434 五、發明說明（2〇) 依據對所需之反射降低値之需求，上述各反射降低層 通常可用在任意之光學元件上。這些光學元件亦可以是 其它顯微鏡中者或其它之光學裝置中者。因此通常可用 在由石英玻璃或CaF2所構成之光學元件上。依據使用 時之情況，利用很少之層（如第8圖中及表e中所示者） 可達成足夠之反射降低値。利用前述之具有1 2至1 4個| 層之層系統，甚至可達成更好之反射降低作用。 參考符號之說明 1 .....光源 2 .....照明光束分光器一移位器 3 .....照明光束分光器 4 .....物鏡 5 .....光軸 6 .....樣品 7 .....自動聚焦一分光器 8 .....鏡筒透鏡 9 .....鏡筒透鏡—移位器 10 .....目鏡分光器 11 .....目鏡一分光器—移位器 1 2.....成像透鏡 13 .....棱鏡 14 .....另一個移位器 15 .....光學平衡元件 16 .....另一個分光器 -22- 579434 五、發明說明（21 ) AF=.....自動聚焦裝置 0 K=.....目鏡 DUV=.....DUV範圍及i —線用之照相機 VIS=.....VIS範圍用之照相機 -23-
Claims (1)
- 579434 々、申請專利範圍 1. 一種多個波長範圍用之檢測顯微鏡，其包含至少一照明 光束通道及至少一成像光束通道，其特徵爲：照明光束 通道及成像光束通道中之光學元件（其可由全部之波長 範圍之光束所穿過）設有一種反射降低層，其中可見之 VIS波長範圍之反射已降低之波長範圍可達650nm，i —線是在λ =3 6 5nm處，紫外線之DU V波長範圍是在 240nm 至 270nm 之間。 2. 如申請專利範圍第1項之檢測顯微鏡，其中反射降低層 具有一種三明治結構，其由材料M2(La203.3.3 Al2〇3所 構成之Fa. Merck之混合物質）及MgF2所構成，其中交 替地施加由M2及MgF2所構成之多個層且最後一層是 由MgF2所構成。 3. 如申請專利範圍第1項之檢測顯微鏡，其中反射降低層 具有一種三明治結構，其由材料M2(La203.3.3 A1203所 構成之Fa· Merck之混合物質），MgF2及Al2〇3所構成， 其中在三明治結構之下部結構中交替地施加由ai2o3及 MgF2所構成之多個層且在三明治結構之上部結構中交 替地施加由M2及MgF2所構成之多個層，最後一層由 MgF2所構成。 4. 如申請專利範圍第1項之檢測顯微鏡，其中反射降低層 具有一種三明治結構，其由材料M2(La203.3.3 Al2〇3所 構成之Fa. Merck之混合物質），MgF2及SiOjjf構成， 其中在三明治結構之下部結構中交替地施加由M2及 Si02所構成之多個層且在三明治結構之上部結構中交 -24- 579434 六、申請專利範圍 替地施加由M2及MgF2所構成之多個層，最後一層由 MgF2所構成。 5. 如申請專利範圍第4項之檢測顯微鏡，其中反射降低層 中VIS波長範圍及i一線所需之反射之平均値$ 1.0%且 DUV波長範圍所需之反射之平均値^ 0.5%。 6. 如申請專利範圍第1項之檢測顯微鏡，其中反射已降低 之光學組件由石英玻璃或CaF2所構成且具有一種相一 致之反射降低層。 7. 如申請專利範圍第1項之檢測顯微鏡，其中在照明光束 通道及成像光束通道中配置一個或多個組件-切換器 ，其具有至少二個特定波長範圍之光學組件以便選擇性 地使此種組件之至少一個分別安裝在所屬之光束通道 中。 8. —種多個波長範圍用之反射降低層，其特徵爲：可見之 VIS波長範圍之反射已降低之波長範圍可達650nm，i —線之波長範圍是λ =3 65nm，紫外線之DUV波長範圍 是在 240nm 至 270nm。 9. 如申請專利範圍第8項之反射降低層，其中光學組件用 之反射降低層由石英玻璃或CaF2構成。 1 〇.如申請專利範圍第8或9項之反射降低層，其中反射降 低層具有一種三明治結構，其由材料M2(La203.3.3 Al2〇3所構成之Fa. Merck之混合物質）及MgF2所構成， 其中交替地施加由M2及MgF2所構成之多個層，最後一 層由MgF2構成。 -25- 579434 六、申請專利範圍 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之反射降低層，其中光學組件 用之反射降低層由石英玻璃或CaF2所構成且具有如以 下之表F所示之結構， •其中該層1 是最下層： 表F : 層編號 厚度（nm) 材料 1 14.56 M2 2 15.38 MgF2 3 19.55 M2 4 10.64 MgF2 5 87.07 M2 6 22.38 MgF2 7 21.89 M2 8 123.66 MgF2 9 17.88 M2 10 26.19 MgF2 11 68.93 M2 12 12.7 MgF2 13 16.16 M2 14 66.19 MgF2 12·如申請專利範圍第8或9項之反射降低層，其中反射降 低層具有一種三明治結構，其由材料M2(La203.3.3 Al2〇3所構成之Fa. Merck之混合物質），MgF2及Al2〇3 所構成，其中在三明治結構之下部結構中交替地施加由 Al2〇3及MgF2所構成之多個層且在三明治結構之下部 結構之上部結構中交替地施加由M2及MgF2所構成之 多個層，最後一層由M gF2所構成。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之反射降低層，其中該反射降 低層只具有唯一之由A1203所構成之層。 14.如申請專利範圍第12項之反射降低層’其中光學組件 -26- 579434 六、申請專利範圍 用之反射降低層由石英玻璃或CaF2所構成且具有下表E 所示之構造： ，其中該層1是最下層： 表E : 層編號 厚度（nm) 材料 1 136.17 ai2o3 2 175 MgF2 3 24.26 M2 4 26.85 MgF2 5 14.66 M2 6 77.29 MgF21 5.如申請專利範圍第8或9項之反射降低層，其中反射降 低層具有一種三明治結構，其由材料M2(La203.3.3 Al2〇3所構成之Fa. Merck之混合物質）MgF2及Si02所 構成，其中在三明治結構之下部結構中交替地施加由 M2及Si02K構成之多個層且在三明治結構之上部結構 中交替地施加由M2及MgF2所構成之多個層，最後一層 由MgF2所構成。16. 如申請專利範圍第15項之反射降低層，其中該反射降 低層具有至少三個由Si02所構成之層以及至少三個由 MgF2所構成之層。 17. 如申請專利範圍第15項之反射降低層，其中VIS.波長 範圍及i一線所需之反射之平均値S 1.0%且DUV波長範 圍所需之反射之平均値S 0.5%。 18. 如申請專利範圍第17項之反射降低層，其中光學組件 用之反射降低層由石英玻璃或CaF2所構成，且具有下 表A所示之構造，其中該層1是最下層： -27- 579434 六、申請專利範圍 表A : 層編號 厚度（nm) 材料 1 14.9 M2 2 25.57 Si02 3 20.72 M2 4 10.12 Si02 5 66.94 M2 6 9.17 Si02 7 6.07 M2 8 14.44 Si02 9 21.87 M2 10 110.66 Si02 11 21.78 M2 12 20.16 MgF2 13 70.39 M2 14 14.05 MgF2 15 15.58 M2 16 66.86 MgF2 .如申請專利範圍第 1 7項之反射降低層， 其中光學組件 用之反射降低層由石英玻璃或CaF2所構成，且具有下 表B所示之構造， 其中該層1是最下層 ： 表B : 層編號 厚度（nm) 材料 1 13.95 M2 2 27.60 Si02 3 20.66 M2 4 8.84 Si02 5 69.42 M2 6 20.90 Si02 7 24.61 M2 8 112.60 Si02 9 21.02 M2 10 20.60 MgF2 11 69.85 M2 12 13.97 MgF2 -28- 579434 六、申請專利範圍 13 16.01 M2 14 66.65 MgF2 20.如申請專利範圍第 1 5項之反射降低層， 其中光學組件 用之反射降低層由石英玻璃或CaF2所構成，且具有下 表C所示之構造， 其中該層1是最下層 ： 表C : 層編號 厚度（nm) 材料 1 15.17 M2 2 21.57 Si〇2 3 96.82 M2 4 20.75 Si02 5 25.35 M2 6 114.91 Si〇2 7 19.29 M2 8 20.47 MgF2 9 67.52 M2 10 14.19 MgF2 11 17.22 M2 12 65.82 MgF2 21.如申請專利範圍第 1 5項之反射降低層， 其中光學組件 用之反射降低層由石英玻璃或CaF2所構成，且具有下 表D所示之構造表D :層編號 1 2 3 4 層該 中其 層下最是厚 2 6 9 8 9 2 4 6 2 6 Π84092782458546 (ο 5978999254605 度 78819556923855 \—'s 1X1 料 22IN2F2F2F2 材 202020202 §2 82 § JAI Λ* i 4 i 4 i 4 i 4 4 4 4 4 4 -29- 579434 六、申請專利範圍 2 2 ·如申請專利範圍第1 1項之反射降低層之應用，其中由 石英玻璃或CaF2所構成之可選擇之光學組件藉由施加 該反射降低層而使反射降低。 -30-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10119909A DE10119909B4 (de) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | Inspektionsmikroskop für den sichtbaren und ultravioletten Spektralbereich und Reflexionsminderungsschicht für den sichtbaren und ultravioletten Spektralbereich |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW579434B true TW579434B (en) | 2004-03-11 |
Family
ID=7682439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091106133A TW579434B (en) | 2001-04-23 | 2002-03-28 | Inspection-microscope for several wavelength-ranges and reflection-reduction-layer for an inspection-microscope for several wavelength-ranges |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7274505B2 (zh) |
| EP (1) | EP1381901A1 (zh) |
| JP (1) | JP4012467B2 (zh) |
| DE (1) | DE10119909B4 (zh) |
| TW (1) | TW579434B (zh) |
| WO (1) | WO2002086579A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102918428A (zh) * | 2010-09-02 | 2013-02-06 | 奥林巴斯株式会社 | 反射防止膜、透镜、光学***、物镜以及光学设备 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019905B2 (en) * | 2003-12-30 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer reflector with suppression of high order reflections |
| DE102004025646A1 (de) * | 2004-05-24 | 2005-12-22 | Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh | Hochreflektierender dielektrischer Spiegel und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102004034845B4 (de) | 2004-07-19 | 2006-05-18 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Umschaltbares Mikroskop |
| CA2793855A1 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-29 | Luxottica Us Holdings Corporation | Ion beam assisted deposition of ophthalmic lens coatings |
| CA3020967A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Sensory Analytics | Method and system for real-time in-process measurement of coating thickness |
| US9733465B2 (en) * | 2015-02-12 | 2017-08-15 | The Penn State Research Foundation | Waveguides for enhanced total internal reflection fluorescence microscopy |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3936136A (en) * | 1970-12-29 | 1976-02-03 | Nippon Kogaku K.K. | Multilayer anti-reflection film for ultraviolet rays |
| US4960310A (en) * | 1989-08-04 | 1990-10-02 | Optical Corporation Of America | Broad band nonreflective neutral density filter |
| JP3324780B2 (ja) * | 1991-05-16 | 2002-09-17 | オリンパス光学工業株式会社 | 紫外線顕微鏡 |
| DE4219817A1 (de) * | 1992-06-17 | 1993-12-23 | Merck Patent Gmbh | Aufdampfmaterial zur Herstellung mittelbrechender optischer Schichten |
| JP3224316B2 (ja) * | 1993-09-07 | 2001-10-29 | キヤノン株式会社 | 二波長反射防止膜 |
| US5661596A (en) * | 1994-02-03 | 1997-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Antireflection film and exposure apparatus using the same |
| FR2750216B1 (fr) * | 1996-06-21 | 1998-07-24 | Commissariat Energie Atomique | Empilement multicouche de materiaux fluorures, utilisable en optique et son procede de fabrication |
| US5911858A (en) | 1997-02-18 | 1999-06-15 | Sandia Corporation | Method for high-precision multi-layered thin film deposition for deep and extreme ultraviolet mirrors |
| US5937920A (en) * | 1997-08-04 | 1999-08-17 | Link Research & Development, Inc. | Product dispensing system |
| US5960840A (en) * | 1998-04-27 | 1999-10-05 | Link Research And Development, Inc. | Controlled product dispensing system |
| DE19831392A1 (de) * | 1998-07-14 | 2000-02-03 | Leica Microsystems | Zweibereichs-Reflexionsminderung für den sichtbaren Spektralbereich und einer Wellenlänge von: (248 +/- 15)NM |
| JP2000227504A (ja) | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Minolta Co Ltd | 反射防止膜 |
| US6196522B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-03-06 | Ecolab, Inc. | Geometric lockout coupler |
| DE19931954A1 (de) | 1999-07-10 | 2001-01-11 | Leica Microsystems | Beleuchtungseinrichtung für ein DUV-Mikroskop |
| JP2001074904A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Canon Inc | 二波長反射防止膜 |
| JP4524877B2 (ja) * | 2000-07-17 | 2010-08-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 眼鏡用レンズ |
| JP2003279702A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-10-02 | Olympus Optical Co Ltd | ２波長反射防止膜および該２波長反射防止膜を施した対物レンズ |
-
2001
- 2001-04-23 DE DE10119909A patent/DE10119909B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-22 JP JP2002584048A patent/JP4012467B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-22 WO PCT/EP2002/003217 patent/WO2002086579A1/de active Application Filing
- 2002-03-22 US US10/475,653 patent/US7274505B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-22 EP EP02706779A patent/EP1381901A1/de not_active Withdrawn
- 2002-03-28 TW TW091106133A patent/TW579434B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102918428A (zh) * | 2010-09-02 | 2013-02-06 | 奥林巴斯株式会社 | 反射防止膜、透镜、光学***、物镜以及光学设备 |
| CN102918428B (zh) * | 2010-09-02 | 2015-01-07 | 奥林巴斯株式会社 | 反射防止膜、透镜、光学***、物镜以及光学设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1381901A1 (de) | 2004-01-21 |
| JP2004524585A (ja) | 2004-08-12 |
| US20040145803A1 (en) | 2004-07-29 |
| WO2002086579A1 (de) | 2002-10-31 |
| DE10119909B4 (de) | 2005-04-21 |
| DE10119909A1 (de) | 2002-10-31 |
| US7274505B2 (en) | 2007-09-25 |
| JP4012467B2 (ja) | 2007-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7312944B2 (ja) | 光源装置および投写型表示装置 | |
| JP6383937B2 (ja) | 光源装置および投写型映像表示装置 | |
| US20210041779A1 (en) | Light source device and projection display apparatus including plural light sources, and a lens condensing light from the plural light sources into one spot | |
| TWI233524B (en) | Digital light processing projector | |
| US9645481B2 (en) | Light source apparatus and projection display apparatus | |
| US20050174641A1 (en) | Polarization conversion light integrator | |
| US20060139757A1 (en) | Anti-reflective coating for optical windows and elements | |
| JP2011527766A5 (zh) | ||
| TW201403133A (zh) | 光學投影陣列曝光系統 | |
| KR20120048018A (ko) | 듀얼 내부 전반사 편광 빔 분할기 | |
| JP2018040961A (ja) | 画像投射装置 | |
| TW579434B (en) | Inspection-microscope for several wavelength-ranges and reflection-reduction-layer for an inspection-microscope for several wavelength-ranges | |
| US20210349325A1 (en) | Beam splitter for achieving grazing incidence of light | |
| JP2022539836A (ja) | 複合ビームコンバイナを用いるマルチモード広角照明 | |
| CN116338926B (zh) | 显微镜照明***、成像***、硅片缺陷的检测装置及方法 | |
| JP4076444B2 (ja) | 照明装置 | |
| JP2004524585A5 (zh) | ||
| WO2024138530A1 (zh) | 一种兼容同轴和离轴的照明装置及照明的方法 | |
| JP7329731B2 (ja) | 光源装置および投写型表示装置 | |
| JP7129607B2 (ja) | 光源装置および投写型表示装置 | |
| TWI383177B (zh) | 光學系統 | |
| TW202326298A (zh) | 光學元件組，特別是用於微影投影曝光設備的照明裝置 | |
| TW202328751A (zh) | Euv照明設備和設計用於在euv中操作微影投影曝光設備的操作方法 | |
| Vollrath | Duv microscopy for wafer and mask inspection and metrology | |
| CN112445074A (zh) | 一种照明装置、曝光***及光刻设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |