TW544827B - Laminated film for COF and film carrier tape for COF - Google Patents

Description

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技術領 本發明係關於用於組裝1 C或LS I等電子元件之薄膜輸送 贡之COF用層合薄膜及C〇F薄膜輸送帶。 技術

隨著電子產業的發達’用於1C(積體電路）、LSI(大型積 収電路）等之電子兀件之組裝的印刷線路板的需要急速地 増加，而電子器材的小型化、輕量化、高機能化之要求 下，作為此等電子兀件的組裝方法，最近係採用著使用 膠帶、τ — BGA膠帶、ASIC膠帶等之電子元件組裝用薄膜 ，送帶來進行組裝之方式。尤其是，個人電腦、行動電話 寺^類的使用須要求高精密化、薄型化、液晶晝面的邊框 面私狹小化之液晶顯示元件（L C D)的電子產業中，其重要 性日益增高。 八 八 又，作為於更小的空間中進行更高密度的組裝之組裝方 '’用以將裸1C晶片直接搭載於薄膜輸送帶上的COF( chip on f 1 1 m :以薄膜搭載晶片）法業已實用化。 =用於COF之薄膜輪送帶，由於未具備元件孔，故係使

由導體與絕緣層經預先積層所成之層合薄膜，用以決定 之圖案只形成於導體上，故於直接搭載於IC晶片的線 °木上日$的位置對準，係透過絕緣層經由決定位置之圖 案而進行。 作為=於此等C0F薄膜輸送帶之銅箔層合薄膜，係於聚 ^ f月安薄膜等之絕緣薄膜上濺鍍鎳等之密合強化層後再施 以鋼鍍敷之層合薄膜。於此等銅鍍敷層合薄膜，由於聚醯

544827 五、發明說明⑵ ___ 亞胺薄膜比較透明，故於搭載IC時的位 然而鋼笛的剝離強度低，耐移行性 為容易 一 ^ 1，又有上述問題的層合薄膜有··在鋼^以 行聚醯亞胺薄膜之積層的casting type、^ 主佈法進 J熱塑性樹脂.熱硬化性樹脂等 上中介 成之熱壓合型的層合薄膜。 寻膜以熱壓合所作 潑J所欲解決之 然而，於castlng type.埶壓合 經蝕刻除去之區域的绍 之層&潯膜，與鋼箔 射，致會有透過絕緣層無法之表面會使光散 因而，為了確實進行 二準81木的問題存在。 後，須對應於位置对準用圖案，'經由=笛的圖案姓刻 增高，是為問題。所必要的孔須施行後加工，致使成本 本發明，有鑑於此等情況， 膜及COF薄膜輸送帶，复仫此认立丨、、—種COF用層合薄 面之問題，於1C晶片或印 強度及耐移行性等方 對準位置者。 p刷基板寺之組裝時可良好地進行 度以解決課題之手f 用以解決上述課題之本發明的 合薄膜’其係由導體層盥p逆 心樣，係一種COF用層 在於，上述導體層經蝕刻的區域之、二^構坆者，其特徵 為5 0 %以上。 述·纟巴緣層的光透過率 此第1怨樣中，由於絕緣 本層的先透過率為50%以上，故可

I Λ 第6頁 \\326\2d-\91 -08\91 113356.ptd 544827 五、發明說明（3) 良好地施行I C晶片等組裝時之位置對準。 本發明之第2態樣，為於第1態樣之COF用層合薄膜中之 上述導體層為銅箔，該導體層與上述絕緣層相接的面之表 面粗度Rz為0.1〜1.8 //m。 於4匕第2態樣中，由於銅箔的表面粗度在設定的範圍 内，故形成於其上之絕緣層的光透過率可作成5 0 %以上。 本發明之第3態樣，為第1態樣之COF用層合薄膜中之上 述絕緣層，係經由以聚醯亞胺前驅體樹脂溶液塗佈之後， 施行摩乞燥·硬化而形成者。 此第3態樣，係具有由聚醯亞胺所構成之絕緣層之層合 薄膜。 本發明之第4態樣，為第2態樣之COF用層合薄膜中之上 述絕、緣層，係經由以聚醯亞胺前驅體樹脂溶液塗佈之後， 施行萆乞燥·硬化而形成者。 此第4態樣，係具有由聚醯亞胺所構成之絕緣層之層合 薄膜。 本發明之第5態樣，為第1態樣之COF用層合薄膜中之上 述絕緣層，係由熱壓合於上述導體層上之熱塑性樹脂層及 絕緣薄膜所形成者。 此第5態樣，係於導體上形成由熱塑性樹脂層及絕緣薄 膜所成之絕緣層。 本發明之第6態樣，為第2態樣之COF用層合薄膜中之上 述絕緣層，係由熱壓合於上述導體層上之熱塑性樹脂層及 絕緣薄膜所形成者。

91113356.ptd 第7頁 544827 五、發明言兒明（4) ^ ^ ^ i ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ λ ^ ,4 述i:dn樣，為第1態樣之c〇f用層合薄膜中之上 及絕緣薄膜所形成者。 ”、、更化"“曰層 舊ΐ ϊ?'樣’係於導體上形成由熱硬化性樹脂層及絕缘 溥膜所成之絕緣層。 巴、味 述ίϊ:月之r態樣’為第2態樣之C0F用層合薄膜中之上 这，·，κ層，係由熱壓合於上述導體層上

及絕緣薄膜所形成者。 吏化性祕脂層 此第8態樣，係於導體上形成由熱硬化性 薄膜所成之絕緣層。 曰及、吧緣 本發明之第9態樣，為一種COF薄膜輸送帶，其特徵在 於，係使用第1至8態樣中之任一者之COF用層合薄^。 此第9態樣，無剝離強度及耐移行性等方面之問題，為 可實現於I C晶片或印刷基板等之組裝時可良好地進行對'準 位置之COF薄膜輸送帶。

本發明中，由於絕緣層的光透過率為5 0 %以上，故於I c 晶片的組裝時之位置對準可良好地進行，而以55%以上更 佳，尤以7 0 %以上為特佳。理由在於可更加精準地對準位 置。 此處，光透過率，係以吸光光度計測定者。亦即，將導 體層經蝕刻之絕緣層裁切成適當的尺寸，於光度計中以對 光源為垂直之方式設定而進行測定。

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544827 五、發明說明（5) =此光透過率，只要是在IC晶片等之 ，理時所使用的波長的區域下即可，通常係使用可 域，例如波長為4 0 0〜80〇nm程度的區域。铁而， 為由例如聚醯亞胺等之具有雔鍵的材“技 ^ " π 士认—c λ λ 、 ’又鍵的材抖所構成之薄膜的情 6 0 0 7 0 0、 nm以：有大的吸收’故通常使用以 處理故在此犯圍中的光透過率會有問題。 為了作成如此之光透過率的絕緣居 的表面粗度Rz宜為〇 w 8〃 Γ 體層之絕緣層側 又U且钩υ· 1 1. 8 /zm，尤以〇· 又，表面粗度Rz，係「10點平均粗度 1 1 °

0 6 0 1而測定。 係依據JIS B 發明之實施报態

薄二：逆：ΐ :二實施形態中’就C〇F用層合薄膜及COF /寻膜顆k T依據貫施例加以說明。 ⑽圖用 =形；：：用層合薄膜。如圖1所示般， 胺薄膜所V成二二銅 上…佈法而：成 處導體η 上。又’光透過率為5。％以上的波長並：25〇“乂 是於1C搭載時之影像處理所 、艮疋，只要 上即可，是不言而喻的。 《先源的波長下為5〇%以 本發明所謂之光透過率，係指自 蝕刻將導體11除去之區域的光透 θ δ薄膜10對經 午猎由具有這樣的光

544827 五、發明說明（6) 透過率，使得於1C晶片搭载時的位置 此處’作為導體11 ’可使用鋼或其他心為 '易。 箔為通常使用者。又，作為鋼g，電-艮寺’而銅 任一種皆可使用，惟以使用表面粗度Rz 、軋製鋼箱等 置於絕緣層1 2側為佳。其理由為，在盆”'、·〜1 · 8 “ m者設 將導體11除去時的絕緣層丨2的光读:^形成絕緣層1 2， 導體U的厚度，通常宜為i^透過率可成為50%以上。 且句1 而以^ 另一方面’作為絕緣層12，可使用聚醯亞胺之：為佳。 使用聚醋、聚醯胺、聚喊〈碼〉、液晶聚合物；：以：： 具有聯苯骨架之全芳香族聚酿亞胺為佳。又 二用 厚度’通常宜為12.5〜75…而以iu〜50/zm為佳：12的 此COF用I合溥膜10，#圖2所示般，係於經表面處理使 表面粗度Rz成為0· ：1〜1· 8 之銅箔所構成的導體n上，以 含有聚醯亞胺前驅體及清漆之聚醯亞胺前驅體樹脂溶液塗 佈，形成塗佈層1 2a，使溶劑乾燥後，將其捲繞。然後， 於通有氧氣之烘烤爐内進行熱處理，施行醯亞胺化作成絕 緣層1 2。 圖3係顯示使用COF用層合薄膜1〇製造之c〇F薄膜輸送帶 20 ° 如圖3(a)、（b)所示般，本實施形態2C〇f薄膜輸送帶 20，係用COF用層合薄膜1〇所製造者，具有將導體11圖案 化之線路圖案2 1、與設置於線路圖案2 1的寬的方向之兩側 的扣鏈齒輪孔22。又，線路圖案21 ，係分別大致對應於要 組裝之電子元件的尺寸，連續地設置於絕緣層1 2的表面。

544827 五、發明說明（7) 再者，於線路圖案21上，具有由焊料光阻（sol de: 否 / w球格圆杀乙1上，具有田 >十τρτ 广且〈so i der i s t)材料塗佈溶液以網版印刷塗佈所形成之焊料光阻 3 ° 移 res 層23 如此作法製造之C0F薄膜輸送帶，可用於例如，—遭移 送之下用以進行I C晶片及印刷線路板等的電子元件的組裝 製程中，可進行C0F組裝，惟，此時由於絕緣層丨2的光透$ 過率為50%以上，故可自絕緣層12側以CCD等對線路圖 進打影像辨識，經由影像處理可良好地進行相互位= 準，而可尚精度地進行電子元件之組裝。 、、 接著’就上述之C0F薄膜輸送帶的製造方法一 加以說明。 咬令賊圖4 如f 4U?所示般，備妥⑽用層合薄膜1〇，再 所不般，藉由鑽孔等，將導 圖4 (b) 鏈齒輪孔22。此扣鏈齒輪孔；;# 貫通’形成扣 形成，亦可自絕緣層12的真 自、f層12的表面上來 示般，使用通常之微影術m然後，如圖4㈦所 2 1的區域以負型光阻材料二孤 11上形成線路圖案 料塗佈層30。當然，使用j 2洛液進行塗佈，形成光阻材 位插梢***扣鏈齒輪孔22 '光阻材料亦可。又，於將定 後，經由透過光罩3丨進行暖二進仃絕緣層1 2的位置對準之 3〇圖案化，形成如圖4(d)=光·顯影，使光阻材料塗佈層 3 2。然後，以線路圖案用不般的線路圖案用光阻圖案 體11以蝕刻液溶解除去，再，圖案32作為遮罩圖案，將導 以驗性溶液等溶解去除 、、、二由將線路圖案用光阻圖案3 2 ,、，如圖4(e)所示般地形成線路圖案 91】13356.ptd 苐1〗頁 544827 五、發明說明（8) ，用網版印刷法，形 21。接著，如圖4(f)所示般地，例如 成焊料光阻層2 3。 (貫施例1) 經由塗佈法形成厚度 於作為導體11的超低杈度 40 # m的聚醯亞胺層作Λ p 上，政田罡怖忒爪w /子々 « ^ ^ \乍為硙緣層Μ ,作為實施例丄的⑶？用 層合潯Μ。超低粗度銅箔戸命 /白尽度為9 //m，表面粗度Rz為1· 2 // m 〇 此處，表面粗度Rz，係脾钿 .、，j * 你將銅咱裁切成10cm X l〇cm大 小，以接觸式表面粗度測定機（小坂研究所 之Surfcoder SE-30H)則仝 、、日ι ^ 、夂。測疋日守係使用曲率半徑2 μ m 的楝針，以〇 · 8 m m為測定具疮，从λ μ十 長度 縱倍率5 0 〇 〇倍，橫倍率2 0 0 倍，以掃描速度〇 · 1 mm/秒作測定。 對此C0F用層合薄膜的導驊！ ！ a >门+ ]¥體1 1施仃圖案化，對經圖案化 的區域的絕緣層1 2之光透過率（、、古| β / 心巧午、渡長6 0 0 nm)加以測定之結 果，付7 (U。此結果，示如表1及圖5。 此處，光透過率，係以吸光光度計（日， U-33 0 0 )作測定。測定波長定A4f)f) βΛη ^ ^ ，各十 贡疋马400〜8〇〇nm，而以6 0 0nm的 光透過率％作為光透過率。 (實施例2) 2 i =厚度為18”、表面粗度卜為0·6心的乳製銅羯

ί ί 之外，其餘以與實施例1同樣的作法，作成C0F 用層合溥膜。 對此C0F用層合薄膜的導體丨丨施行圖案化，對經圖案化 的區域的絕緣層！2之光透過率（波長6〇〇nm)加以測定之結

544827 五、發明言兒明（9) 果，得75%。此結果，示如表】及圖5。 (實施例3) 用超低粗度銅荡作為導體n，盆 塑性聚醯亞胺樹脂，脾ρ 、隔者尽度1〇 的熱 於導㈣上： ㈣的聚醯亞胺薄膜熱虔合 麻- 左由此方法，形成厚度35 # m的聚醯亞胺 層，以之作為絕緣層12 ’作成實施例3 =亞: 超低粗度銅猪的厚度為9"，表面粗度Rz/2層；専膜 對此C0F用層合薄膜的導體π施行化 :區域的絕緣層12之光透過率(波長临 果，得58%。此結果，示如表}及圖5。 測疋之、、口 (實施例4) 脸=21旱度10㈣的熱硬化性樹脂，將厚度25心的聚醯亞 的取# ‘，、壓合於導體11上，經由此方法，形成厚度35 // m =小酉进亞胺層，以之作為絕緣層丨2，除此之外，立盥 實施例3同樣的作法，作成C0F用層合薄膜。 ..... 對在匕C0F用層合薄膜的導體丨丨施行圖案化，對經 的區域的絕緣層12之光透過率（波長6〇〇nm)加以 =紝 果’身亏5 5 %。此結果，示如表1及圖5。 Ό (比車交例1)

H用厚度為12/zm、表面粗度卜狀^的電解 作為V體11之外，其餘以與實施例i同樣的作冶 用層合薄膜。 作成COF 對4U0F用層合薄膜的導體11施行圖案化，對經 的區域的絕緣層12之光透過率（波長6〇〇nm)加以測^ ^ = 之結 第13頁 91113356.ptd 544827 五、發明說明（ίο) 果，得10%。此結果，示如表1及圖5。 (比較例2) 於厚度3 8 // m的聚醯亞胺薄膜上施行銅鍍敷，形成導 體，作成COF用層合薄膜。又，導體的表面粗度Rz為0. 8 β m 〇 對此COF用層合薄膜的導體施行圖案化，對經圖案化的 區域的絕緣層1 2之光透過率（波長6 0 0 nm )加以測定之結 果，得67%。此結果，示如表1及圖5。但，由於係銅鍍敷 者，故有導體的剝離強度減低、耐移行性變差的問題。 表1 Ο

Rz ( β m) Ra ( μ m) m) 實施例1 1. 2 0. 2 70 實施例2 0. 6 0. 3 75 實施例3 1. 2 0. 2 58 實施例4 1. 2 0. 3 55 比輕例1 2. 0 0. 3 10 比較例2 0. 8 0.2 67 發明之效杲 如上述說明般，本發明之C0F用層合薄膜及COF薄膜輸送 帶，係無於剝離強度及耐移行性等方面之問題，於I C晶片 或印刷基板等之組裝時可良好地進行對準位置者。 元件5虎之說明 10 C0F用層合薄膜 11 導體

91113356.ptd 第14頁 544827 五、發明說明（11) 12 絕緣層 12a 塗佈層 20 C0F薄膜輸送帶 21 線路圖案 22 扣鏈齒輪孔 23 焊料光阻層 30 光阻材料塗佈層 31 光罩 32 線路圖案用光阻圖案

91113356.ptd 第15頁 544827 圖式簡單言兒明 圖1為本發明之一個實施形態之COF用層合薄膜的剖視 圖。 圖2 (a)〜（c)為表示本發明之一個實施形態之C0F用層合 薄膜白勺製造方法之一例的剖視圖。 圖3為表示本發明之一個實施形態之C0F薄膜輸送帶的概 略構成圖，（a)為俯視圖，（b)為剖視圖。 圖4 (a)〜（f)為表示本發明之一個實施形態之C0F薄膜輸 送帶白勺製造方法之一例的剖視圖。 圖5為表示實施例及比較例的結果之圖。 〇 Φ

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Claims (1)

1. 544827 ’、申凊專利範圍 ---------- 之1構二，COF用層合薄膜，其係由導體層與絕緣層所 絕ί 2 其特徵在☆，上述導體層經蝕刻的區域之， 、味層的光透過率為5 〇%以上。 _ 上述 導申請專利範圍第1項之C〇F用層合薄膜，其中， =二為銅羯，該導體層與上述絕緣層相上述 度Rz為〇. 1〜1. δ /ΖΠ1。 阳之表面粗 絕範圍第1項之c〇f用層合薄膜，“，切 行乾巧係、，二由以聚醯亞胺前驅體樹脂溶液塗佈之彳纟述 知k .硬化而形成者。 印之後，施 •如申睛專利範圍第2項之C 0 F用層人镇越甘 絕緣層，倍妳士、乐貝 用層σ，專膜，其中，上、+、 行乾# ^ u聚醯亞胺前驅體樹脂溶液塗佈之 5 Ϊ Ϊ化而形成者。 布之後，施 絕緣層申=^ ^靶圍第1項之C0F用層合薄膜，其中，μ、、 ^ % RU …、蜃合於上述導體層上之執塑性；@ 述 、承4 Μ所形成者。 …罡性树脂層及絕 絕緣i申ί ί!!範圍第2項之C0F用層合薄膜，其中， 係由熱墨人 曾 宁，上述 ‘薄骐所形成者。〇 ;述V肢層之熱塑性樹脂層及絕 7· 如申請專利〜 絕緣層，係由熱ΪΙ第1項之C0F用層合薄膜’其中，上、，十、 絕緣薄骐所形成者:於上述導體層上之熱硬化性樹脂層^ 8 ·如申請專利^ 絕緣層，係由熱第2項之C〇F用層合薄膜，其中，上述 系巴緣薄膜所妒成者5於上述導體層上之熱硬化性樹脂層及

   9】】】3356.ptd 第17頁 544827

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