TW518601B - Memory device - Google Patents

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TW518601B
TW518601B TW089123195A TW89123195A TW518601B TW 518601 B TW518601 B TW 518601B TW 089123195 A TW089123195 A TW 089123195A TW 89123195 A TW89123195 A TW 89123195A TW 518601 B TW518601 B TW 518601B
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Taiwan
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TW089123195A
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Inventor
Gerald Sellmair
Andrea Bartl
Original Assignee
Infineon Technologies Ag
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    • GPHYSICS
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    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
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Description

518601 犰 3· 22 修 ϋ 销 瓜 充 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明() 本發明涉及一種依據申請專利範圍第1 , 2項前言之元 件,即,一種可儲存資料之由許多記憶胞構成之記憶元 件,其具有至少一個比較單元,藉此可檢測:某一個記 ' 憶胞是否對應於一種施加於此記憶元件之位址,此記憶 胞是否可未依規定寫入或讀出或位於一種記憶胞區域 (其含有可未依規定寫入或讀出之記憶胞)中;此種記憶 元件亦含有一種選擇元件,其作用是使用一些取代記憶 胞或取代記憶胞區域K代替這些可未依規定而寫入或讀 出之記憶胞或記憶胞區域。 此種形式之記憶元件顯示在第2圖中。為了完整性, 此處指明:第2圖中只顯示此記憶元件之目前特別令人 感興趣之組件。 此記憶元件在第2圖中是Μ參考符號S表示。 此記憶元件S在本例子中用來儲存1 6 M b ί t之資料,因 此具有至少1 6 Μ個記憶胞。現有之記憶胞在本例子中分 成1 6個同樣大之部份,即,分成可分別儲存1 M b U資料 之記憶方塊SB1至SB16。這些記憶方塊SB1至SB16在本例 子中又分成4個大小相同之記憶排SBankA,SBankB,SBankC ,S B a n k D ° 每一個記憶方塊之記憶胞在本例子中配置在一種記憶胞 矩陣(其包含512列及2048行)中,因此可對512條字元線 和2 0 4 8條位元線起反應。這些各別抓取所用之措施(可 寫入或讀出所選取之記憶胞)通常已為人所知而不須再 詳述。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) i h. I ! —r------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518601 Ρ.3’ 气停[. 丨…'補充 A7 、______ B7 五、發明說明(2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 各別可寫入或讀出之記憶胞是由一種胞加至此記憶元 件(正確而言是施加至此記憶元件之接點A 1至A η )之位址 所決定;這些資料(其即將寫入相關之記憶胞中或由相 關之記憶胞中讀出)施加在此記憶元件之接點D 1至D m或 在這些接點上預備取出。 此種記憶元件所具有之記憶胞數目是大於1 6 Μ ,這是 需要的,Κ便儲存1 6 M b i t資料。這樣可使這些可未依規 定而寫入或讀出之記憶胞或記憶胞區/域由其它記憶胞或 記憶胞區域所取代。 各記憶胞或記憶胞區域(其可未依規定而寫入或讀出, 正確而言是這些對應於記憶胞或記憶胞區域之位址)在 此記憶元件之測試中可被測定且例如在使用所謂熔絲F 時被記錄在記憶元件中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此記憶元件正常操作時,這些經由記憶元件之接點 A1至An而施加至此記憶元件之位址是利用各比較單元VE 而與這些可未依規定而寫入或讀出之記憶胞或記憶胞區 域之記錄在記憶元件中之位址相比較。若在此種比較中 得到一種相一致之結果,則通知此選擇元件A E ,其作用 是:即將寫入此記憶元件中之資料不可寫入這些Μ施加 至此記憶元件之位址來表示之記憶胞中,而是寫入這些 對應於不可使用之記憶胞之(取代)記憶胞中,或這些由記 憶元件所讀出之資料不可由這些Μ施加至此記憶元件之 位址來表示之記憶胞中讀出,而是由對應於不可使用之 記憶胞之(取代)記憶胞中讀出。 -4 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 518601 9i. 5. y i .' A7 -一…. 1.:_B7__ 五、發明說明(3 ) 以上述方式可像完全無缺陷之記憶元件一樣使用各記 憶元件(其中並非全部之記憶胞都可正常地寫入或讀出) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;此記憶元件之使用者無法查覺:一些指定之記憶胞或 記憶胞區域已由取代-記憶胞或取代-記憶胞區域所取代。 當然此種檢測是:這些即將寫入或讀出之記 憶胞或記憶胞區域是否必須由取代-記憶胞或取代-記憶 胞區域所取代,此種不可使用之記憶胞或記憶胞區域之 取代是否需要很高之費用及/或使速率受限或變小,Μ 此種速率可使資料寫入記憶元件中或由記憶元件中讀出。 本發明之目的因此是依據申請專利範圍第1項之前言 形成記憶元件,使得對這些未依規定而可寫入或讀出之 記憶胞或記憶胞區域之存取Κ及這些記憶胞或記憶胞區 域之取代可以較小費用及較快速率來達成。 依據本發明,上述目的是由申請專利範圍第1項及/ 或第2項之特徵來達成。 因此設計方式是: -在某一時間點,此時仍未確定:某一記憶胞(其可未 依規定而寫入或讀出)或位於一種記憶胞區域(其含有 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 記 之 出 讀 或 入 寫 而 定 規 依 未 可 是 胞 憶 記 此 之 中 陁 於 應 對 否 憶 記 各 之 用 使 之域 件區 元胞 0 憶 記記 此或 於胞 未元 仍擇 由選 經至 訊送 資傳 則而 , 置 胞址位 憶位之 各些 用這 使用 : 使 是不 用而 或作域 / 之區 及前胞 η之憶 敦 Η 點記 ❺間-夂時π 項 i 取 之 r 1時⑧ 第 用 hb®$ 起 範 或 利 胞 在 專 憶 0 ^ S 申一-ί 擇代 件選取 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 518601 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 年貝 \η:/ϋ Α7 Β7 五、發明說明( 資選 , 至 域送 區傳 胞而 憶域 記區 或胞 胞憶 憶記 記或 之胞 出憶 讀記 或各 入之 寫用 而使 定未 規仍 依由 未經 可訊 定 決 在 件 , 元此 擇因 出 出讀 讀或 f 或 入 寫 而 .1定 份規 部依 徵未 特可 之其 項 ( 包 BU 2 憶 3-1 口 圍 一 範 利 專 請 申 某 於 位 或 記 之 胞 域 0 區記 胞此 憶之 記中 6E \)/ 稽 一 胞 憶 未 可 有 含 其 定 規 入 寫 記 此 於 加 施 於 應 對 否 是 立 件代 元取 擇被 選域 此區 後胞 之憶 址記 位或 之胞 件憶 元記 憶各
HrJ K 可 刻 或 胞 憶 記 使 代 之區 用胞 使 憶 可記 不· 此 之 0 中中 域件 區元 胞擇 憶選 記 此 或 於 胞在 憶 存 記 即 各時 之此 用訊 使資 未之 仍需 在所 ·, 件 代元 取擇 所選 域種 入或 寫胞 可憶 而記 定些 規這 依及 未M 些取 這存 對之 可域 中區 件胞 元憶 憶記 記或 之胞 式憶 形記 種之 此出 在讀 或 或 。 胞 成憶 達記 來各 率由 速域 快區 最胞 及憶 用記 費或 小胞 最 憶 M記 可各 代之 取用 之使 域可 區不 胞使 憶若 記 位時 域料 區資 胞出 憶讀 記ί 或 胞 憶 記 各 之 用中 使V) 可ΓΟ /IV 不U 與歹U胞 NR (ί憶 域記 區之 胞同 憶 相 記於 在 Sc 代 取 所 乂¥先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線泰 出)ί 讓時 須出 胞 憶 記 選 之 可 件 元 胞 憶 記 有 在 且 定 件 元 憶 記 讀輸 和料 入資 寫個 料一 資哪 中 各之 和用 核使 檢可 各不 貝 β ,取 胞可 憶 0 記Μ 個 , 一 的 哪要 於需 應 是 對們 點它 /IV 出 } i S 輸 η 或10 t / C 及(a 點作 之 大 較 需 不 ΠΡ 者 況 情 1 每 或 需 不 V)/ 域 區 〇 胞行 憶進 記可 或 即 胞間 憶時 記外 各額 項 屬 附 各 圍 範 利 專 請 串 在 述 敘 式 形 它.〇 其中 之式 利圖 有及 明書 發明 本說 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 518601 丨飢 3 I ,- · :、 ... r i …: A7 _:_. . ·_B7_ 五、發明說明(5 ) 本發明K下將依據實施例參考圖式來詳述°圖式簡簞 說明: 第1圖係記憶元件各組件之構成,各組件可使不可使 用之記憶胞或記憶胞區域由取代-記憶胞或取代-記憶胞 區域所取代。 第2圖係現有形式之記憶元件之構造原理圖。"' 此種記憶元件是R A Μ模組,正確而言是D R A Μ模組。但 此處須指明:對此不存在任何限制。此記憶元件亦可以 是任意之其它儲存資料用之記憶元件。 ^ 下述之記憶元件之構造原理與第2圖所示之記憶元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I ‘------------> 訂---------線# (請先閱讀背面之系fc事項再免寫本頁) ' 憶外胞。域域 是之較記位 記額憶.域區區 U 址出比之考 之 ,記區胞胞 i 位讀相出參 用多之胞憶憶,W 之或址讀此 使還出憶記記 ί 件入位或用 射 可胞讀記或或 i 元寫之入利 I 带田 較憶或 $ 胞胞 憶而中寫 , 其記入 ^憶憶 記定件而址 ,之寫 g 記記IP至規元定位 或 種 胞要而卩之些 加依憶規考 值 一 憶需定 i 出這 _ 施未記依參 記所規Ϊ1讀。h ,可於未為 多時依-I或得 ◦時些錄可作 許存未代入測!!?中作這記些址 有儲可取寫而 W 件操與之這位 具量些之而試 ί 元常而域用.之 亦料這需定測>絲憶正VE區使域 件資作所規之熔記件元胞VE區 元之用域依胞用在元單憶元胞 憶應可區未憶使錄憶較記單憶 。 記/對胞胞可記可記記比或較記 同種所憶憶些由址而此各胞比或 相此量記記這藉位F)在用憶各胞 者 ,容之或 可之絲 使記.,憶 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518601「亂3 22
五、發明說明(6) 址來和施加於此記憶元件之位址相比較。 若此參考單元已確定這些待比較之位址符合所求’則通 知該選擇元件A E ,此選擇元件A E之作用是:;使卽將胃 入此記憶元件中之資料不寫入各記憶胞(其對應於此® 施加至此記憶元件之位址)中,而是寫入這些對應於$ 可使用之記憶胞之(取代-)記憶胞中,或由此記億元件 中所讀出之資料不可由這些記憶胞(其對應於此種施加 至此記憶元件之位址)中讀出,而是由對應於不可使用之各 記憶胞之這些(取代-)記憶胞中讀出。 在本例子中,每一個記憶方塊16都設有比較單元。這 些比較單元劃分成多個比較單元-排(其分別含有4個tb 較單元)。這些比較單元-排分別對應於一種指定之記憶 一 排 楚有-S 清Η 一兀 更JI單 可 將:較 後出比 稍指個 在須多 這處成 ,此分 fcp anu _ 晝 元 單 較 比 些 比 些 這 有 含 其 元 單 較 比 些 可本 元根 單或 較丨 憶對 。31:與 言 元至SIJ 單加分 較施而 比使元 個,單 一作較 。每工比 排於時之 -應同有 元對元所 單址單由 較位較藉 比考比時 成參各同 分之之可 劃定定址 須特特位 不 些 單 應 這比 之各 元於 il,— ^-------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較至 比接 相連 其 址 ί 及 位尸 fch 考τ 參元 之單 有較 所比 與之 時成 同構 , 所 即元 (0 址 較 位 { 匕 冑Ϊ 參 4 之由 元種 單一 較 第VE 在號 示符 顯考 已參 式以 方元 之單 件較 元比 擇各 選 元 單 較 比 cttE ο 此示 之表 元ΑΕ 單Μ 較件 比一兀 各擇 有選 中 圖 含之 ,制 示控 表受 來 , Ε4示 DV表 ί 1 3 Β Ε V V’以 2 br E 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 518601 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(7) 比較單元-排V B 1除了 V E 1至V E 4之外另有二個比較器K1 和K 2 ,其中 -比較器K 1檢核:此記憶排(其對此種傳送至記憶元件 之位址起反應)是否即為此記憶排(其中存在此種記憶 方塊,相關之比較單元-_ (藉由各參考位址(其對應 於含有其之比較單元)而)對應於此記憶方塊),且 -比較器K 2檢核:此記憶方塊(其對此種傳送至記憶元 件之位址起反應)是否即為此12憶方塊(位於所選取之 記憶排内),相關之比較單元-排(藉由各參考位址(其 對應於含有其之比較單元)而)對應於此記憶方塊)。 比較單元VE1至VE4在本例子中具有相同之構造,它
I 們分別含有各比較器K 3和K 4和一種及(A N D )閘A N D 1 ,其 中 -比較器K 3分別檢查:此記憶胞行(c ο 1 u m η )(其對應於 此種傳送至此記憶元件之位址)是否即為此記憶胞行 或至少一部份存在於此記憶胞行(其對應於與相關之 比較單元相對應之此種參考位址)中。 -比較器Κ 4檢査··此記憶胞列(r ο ν )(其對應於此種傳送 至此記憶元件之位址)是否即為此記憶胞列或存在於 此記憶胞列(其對應於與相關之比較單元相對應之此 種參考位址)中, -及閘A N D 1使此種相關之比較單元中所設置之局部性比 較器K3和K4之輸出信號以及整體性比較器K1和K2之輸 出信號受到一種及(A N D )蓮算。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2]〇x 297公釐) J I f. i» -------------^---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518601 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、丨..' A7 “一.........… -—- W. __B7 , _ 五、發明說明(8 ) ^ 及閘A N D 1之輸出信號指出:施加至此記憶元件之位址 是否與對應於相關之比較單元之此種參考位址相一致。 已確定相一致時,則通知使一種記憶胞(其可未依規定 而寫入或讀出或在一種含有可未依規定而寫入或讀出之 記憶胞之此種記憶胞區域中)對應於此種施加至此記憶 元件之位址。 各別比較單元-排之所有及閘A N D 1之輸出信號傳送至 邏輯元件L中,L之輸出信號控制上述之選擇元件A E , A E 在需要時之作用是:使此種與不可使用之記憶胞相對應 之取代-記憶胞可被存取U c c e s s );起動此種選擇元件A E ,若ADN1輸出信號之一已通知:相關之比較單元已確定 此種傳送至記憶元件之位址與此種對應於比較單元之參 考位址之間存在一種一致性時,則不可使用之記憶胞或 記憶胞區域須由取代-記憶胞或取代-記憶胞區域所取代 ' ;若不存在此種一致性時,則該選擇元件A E不起動,因 此不進行記憶胞或記憶胞區域之取代。 上述之比較器K1莩K4含有各輸入信號Adi和Ref 1(比較器K1) Ad2和Ref2(比較器K2), Ad3和Ref3(比較器K3),或 Ad4和Ref4(比較器K4),其中 -A d 1至A d 4是施加至此記憶元件之位址之各部份或由此 位址中取出, -Refl至Ref3是對應於各比較單元之參考位址之各部份 或由這些參考位址中取出且在本例子中使用熔絲F而 在記憶元件中調整, -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) u ^------------^^----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 多 518601 f修正 年月曰y ^ A7 補充 , B7 五、發明說明(9)-Ref4是對應於各比較單元之參考位址之一部份或由這些 時 件 元 憶 記 此。 成整 製調 在中 中件 子元 例憶 本 記 在此 且在 ,地 出丨 取 中 址 位 考定 參 固 變 改 可 不 mV 與 別 分 址 位元 各位 /-V _ 固 LFT »1 扫 2 憶有 記含 此別 了 分 定中 決子 fl例 Re本 和在 d 且 A ) 號關 信有 LK bl· Λ a- 輸憶 各記 此 本 為 、因 之 βτ 咅 内 l·F 0 憶 記 之 ο } 取 fcL— 至二 憶所 記 了 個 定 Ϊ4決 有 2 含ef 中 子 i d 锣 A 本號 在信 件入 元輸 憶各 記 和 相 l·F 0 憶 記 lit ΓΓΓ}/ 與 別 分元 址位 位個 Γ 2 各 ί 有 塊含 方別 憶分 記樣 同 中 子 例 本 在有 且含 丨別 分 l·F 0 憶 記 各 為 因 方 憶 己 X.1I 口 個 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 號 信 入 輸 各 個 各 於 應 對 其 行 包 Π0 憶 記 了 定 決 行 是 而 確 正 元 位 個 2 有 含 別 分 έκ 樣 同 中 子 例 本 且 元 位ef * R 之卩 值4ί 高Ad 最號 0 0 二入 之輸 址址各 位位 個 各 於 應 對 其 /ί\ 列 胞 憶 記 了 定 決 虎 d5 信 入 輸 各 整 須 中 子 例 ),本 址在 位
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此多工器MUX -使資料U S E N 0 T 1接通至輸出端,若比較單元V E 1之比較 器K 4之輸出信號通知一種一致性存在時s -使資料USEN0T2接通至輸出端,若比較單元VE2之比較 器K 4之輸出信號通知一種一致性存在時, ' -使資料U S E N 0 T 3接通至輸出端,若比較單元V E 3之比較 器K4之輸出信號通知一種一致性存在時, -使資料USEN0T4接通至輸出端,若比較簞元VE4之比較 器K 4之輸出信號通知一種一致性存在時, 這些資料USEN0T1至USEN0T4在本例子中分別包含4個 位元且是在使用熔絲F時在記憶元件中調整。這些資料 指出:在記憶胞列(其中須寫入資料或讀出資料)內部中 哪些記憶胞或記憶胞區域須由取代-記憶胞或取代-記憶 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) * ^ -------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 518601 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I \ t ^ *4 ^
1 柯W I .L——— ____」…‘,| A7 _^_B7 __ 五、發明說明(U ) 胞區域所取代。 由於資訊經由未使用之記憶胞或記憶胞區域之位置而 傳送至該選擇元件A E ,這樣可得知:哪些記憶胞或記憶 胞區域在瞬間寫入或讀出過程中須由取代-記憶胞或取 代-記憶胞區域所取代。 由 U S E N 0 T 1 , U S E N 0 T 2 , U S E N 0 T 3 或 U S E N 0 T 4 所決定之各記 憶胞或記憶胞區域由哪一個取代-記憶胞或取代-記憶胞 區域所取代,在本例子中可自動地由選擇元件AE所決定 。本例子中在選擇元件A E中在待取代之記憶胞或記憶胞 區域之位置以及可使用之取代-記憶胞或取代-記憶胞區 域之間的配置上存在一種規章。 此選擇元件A E當然亦可另外獲得此種可使用之取代-記憶胞或取代-記憶胞區域之位置上之資訊。例如,這 些在待取代之記憶胞或記憶胞區域之位置上之資訊可傳 送至此選擇元件A E。 利用這些可由選擇元件A E所支配之資訊,則不可使用 之記憶胞或記憶胞區域可獨立地由取代-記憶胞或取代-記憶胞區域所取代。 在本例子中, -取代-記憶胞或取代-記憶胞區域分別位於此種與待取 代之記憶胞或記憶胞區域相同之記憶胞列中, -在謓出時分別讀出一個記憶胞列之全部記憶胞(包括 各取代-記憶胞), -藉由選擇元件AE來決定各資料輸入點/輸出點D1至Dm -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2]0 X 297公釐) t - ! --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 518601 A7 B7 五、發明說明( 12 (其用來進行資料輸入及/或資料輸出)及待寫入或待 讀出之各記憶胞之間之配置。 因此,在記憶胞或記憶胞區域-取代由邏輯元件L之 輸出信號起動之前,由於待取代之各記憶胞和各記憶胞區 域之位置上之資訊已傳送至選擇元件,則此種必要性之 決定及使這些可未依規定而寫入或讀出之記憶胞或記 憶胞區域由取代-記憶胞或取代-記憶胞區域來取代即可 每 或 | 丨之了 需顯為 不明, 需 不 RH 者 況 情 有上 出置 讀位 或之 入域 寫區 之胞 件 憶 元 記 憶或 己 包 Ί11ΡnHU 此憶 使記 丨 之 〇 代 成取 達待 可些 即這 遲送 延傳 來一 號 ·· 信定 出決 輸未 之仍. 4 Ϊ K 時 器此 較 , 比行 各進 據時’ 依點 是間 中時 子種例一 本在 在是 .u b 貝Jtt , 因 訊 , 資行 之進 寫 胞而 憶定 記規 種依 未 可 其 定 規 有 含 於 位 或 出 讀 或 入 寫 之 包 off 憶 記 之 出 讀 或 入 中 域 區 包 BU 憶 己 Ju=p 種 未是 可丨 之能即 代可況 取儘情 待在述 些是下 這送含 。傳包 址之可 位訊要 之資只 件之‘, 元上中 憶置子 記位例 此之本 至域在 加區: 施胞行 種憶進 此記點 於或間 應胞時 對憶之 否記早
7 1 --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)Z 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 寫 胞而 憶定 記規 il一 種依 一 未 : 可 行有 進含 可於 中此 域因 區 未 可 其 定 規 位 或 出 讀 或 入 寫 之 胞 憶 記 之 出 讀 或 入 至 ¾ 施 Umil 種 此 於 應 對 址 位 之 件 元 憶 記 七^1^ 起 在 接 直 til 種 包 BU 憶 己 丄15 種 輸 之 L 件 元 輯 邏 由 藉 後 之 代 用 作 代‘訊 取資 之之 行需 進所上 將代置 即取位 —1 <1*· 種種之 一 此域 行行區 進進胞 來到憶 AE等記 件必或 元不胞 擇AE憶 選件記 該元之 由擇代 號選取 信此待 出 ·, 在 其為 ./IV 成 或 來 到 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)_A4規格(2]0 X 297公釐) 518601 A7 B7 五、發明說明( 13 中 其 有 只 中 4 K 器 較 比 各 之 元 單 較 二進T 可元 即單 時較 效比 有 由器 個工 種1 知 通 M 定 決 所 在 存 已 性 致 較 比1 每 ο 象 現 之 盾 矛 生 發 會 不 中 多設 在都 1J >pr ifct0 因-元 ο 單 器Η 多 之 定 特 有 t 憶接 元記多 單或許 較抱有 rfsi QHU 比憶具 每的 〇 同 UX共 是 RH 者 位 之 域 區 〇 胞點 之 有 所 對 ./I- 此 供 提 X U Μ 器Η 多 記此 之因 代ΑΕ 取件 待一兀 在擇 種選 此此 Ε Art ·, 件訊 元資 擇之 選上 丨置 之應 上對 置'相 位使 之會 域不 區仍 胞中 憶AE 記件 或元 胞擇 憶選 記在 之 , 代時 取AE 待件 在元 種擇 此選 送至 傳訊 資
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--------訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 行器 進工 下多 況此 情 , 之號 號信 信出 出輸 輸之 X X u U Μ Μ 個器 一 Η 多 此 用 使 件 元 擇 選 此 元 單 較 比 該 於 應 對 包 憶 己 JL.U 口 行 進 便 以 包 ηΰ 憶 記或一 代S 取元 -單 較 比 該 自 來 號 信 ΑΕ種 件此 元之 擇用 選所 此,丨 起 ,域 排區 代 取 而這「取 定且由 規,而 依取率 未存速 可之快 對行最 種進及 此所用 解域費 了區低 可胞最 中憶 Μ 件記能 元或域 憶胞.區 記憶胞 之記憶 造之記 構出或 述讀胞 上或憶 在入記 寫些 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 518601 L—— 说 _b7_ 14 五、發明說明() 代-記憶胞或取代-記憶胞區域所取代 參考符號說明 F.....熔絲 S.....記憶元件 VE1〜VE4.....比較單元 AE.....選擇元件 Κ1,Κ2,Κ3,Κ4.....比較器 AND1.....及閘 L.....邏輯元件 . MUX.....多工器 V Β 1.....比較單元-排 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂 —---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -1 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2]0 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 51細1
    ~、申請專利範圍 第89 1 2 3 1 9 5「記憶元件」專利案 (90年3月修正) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍: 1 . 一種記憶元件,其具有許多記憶胞以便儲存資料,此 種記憶元件包括:至少一個比較單元(VE ),藉此可檢 查:一種記憶胞(其可未依規定而寫入或讀出或位於 含有可未依規定而寫入或讀出之記憶胞之此種記憶胞 區域中)是否對應於一種施加至此記憶元件(S )之位址 ;一個選擇元件(AE),其在需要時之作用是:使用各 取代-記憶胞或各取代-記憶胞區域而不使用這些可未 依規定而寫入或讀出之記憶胞或記憶胞區域,其特黴 爲: 在未決定··一種記憶胞(其可未依規定而寫入或讀 出或位於含有可未依規定而寫入或讀出之記憶胞之此 種記憶胞區域中)是否對應於一種施加至此記憶元件 (S )之位址之時,這些未使用之記憶胞或記憶胞區域 之位置上之資訊傳送至該選擇元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 · —種記憶兀件,其具有許多記憶胞以便儲存資料,此 種記憶元件包括:至少一個比較單元(VE ),藉此可檢 查:一種記憶胞(其可未依規定而寫入或讀出或位於 含有可未依規定而寫入或讀出之記憶胞之此種記憶胞 區域中)是否對應於一種施加至此記憶元件(S )之位址 ;一個選擇元件(AE),其在需要時之作用是:使用各 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X?,97公釐) 518601 90.3, ZZ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 取代·記憶胞或各取代-記憶胞區域而不使用這些可未 依規定而寫入或讀出之記憶胞或記憶胞區域,其特徵 爲: 在該選擇元件被起動之前這些未使用之記憶胞或記 憶胞區域之位置上之資訊傳送至此選擇元件以便:使 用各取代·記憶胞或各取代·記憶胞區域而不使用這些 可未依規定而寫入或讀出之記憶胞或記憶胞區域。 3 ·如申請專利第1或第2項之記憶元件,其中該選擇元 件(AE)事前被起動時其作用只是:使用各取代-記憶 胞或各取代-記憶胞區域而不使用這些可未依規定而 寫入或讀出之記憶胞或記憶胞區域,且只有當已確定 :一種記憶胞(其可未依規定而寫入或讀出或位於含 有可未依規定而寫入或讀出之記憶胞之此種記憶胞區 域中)已對應於一種施加至此記憶元件(S )之位址時才 進行上述之起動。 4 .如申請專利第1或第2項之記憶元件,其中至少在一 個比較單元(VE)中進行多次比較,只有當所有之比較 讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 一 可中 :有域 定含區 決於胞 才位憶 , 或記 時出種 在讀此 存或之 都入胞 果寫憶 結而記 胞 憶 己 種 定之至 規出加 依讀施 未或種 可入一 其寫於 而應 定對 規否 依是 未 } 或定 個規 一 依 於未 由可 要其 只 ί 中胞 其憶 ,記 么g& 件種 元一 憶 : b記除 i±之排 ^ 項再 t:不 (S第果 件利結 元專較 憶請比 記申個 此如多 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公嫠) 518601 90· V.22. 乂.、:二 '.…广. A8 ' :… B8 C8 一 …一- ‘一 一-…‘-…j 138 六、申請專利範圍 而寫入或讀出或位於含有可未依規定而寫入或讀出之 記憶胞之此種記憶胞區域中)已對應於一種施加至此 記憶元件(S)之位址,則這些未使用之記憶胞或記1意 胞區域之位置上之資訊即傳送至該選擇元件(AE )。 I _—I,—„— i——衣— 讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印製 木纸張尺彦谪用中國國家標樂(CNS ) A4说格(21 0X297公漦、 518601 i 盡 < D(y?UJ2〇H^ s rDWLU2〇h-rv
    <2〇t-
    rnUJA § 043Λ lrs>
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19954346A1 (de) * 1999-11-11 2001-05-23 Infineon Technologies Ag Speichereinrichtung
US6841883B1 (en) * 2003-03-31 2005-01-11 Micron Technology, Inc. Multi-dice chip scale semiconductor components and wafer level methods of fabrication
JP4350431B2 (ja) * 2003-06-10 2009-10-21 パナソニック株式会社 半導体メモリ装置
EP1536431A1 (de) * 2003-11-26 2005-06-01 Infineon Technologies AG Anordnung mit einem Speicher zum Speichern von Daten

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4757474A (en) * 1986-01-28 1988-07-12 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having redundancy circuit portion
JPH01245497A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Nec Corp 半導体メモリ
JPH02146195A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Nec Corp 半導体記憶装置
JPH06150689A (ja) * 1992-11-10 1994-05-31 Nec Corp 半導体メモリ
JP3224317B2 (ja) * 1993-10-08 2001-10-29 富士通株式会社 冗長アドレスデコーダ
JP3076195B2 (ja) * 1994-04-27 2000-08-14 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JP3774500B2 (ja) * 1995-05-12 2006-05-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US6188618B1 (en) * 1998-04-23 2001-02-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with flexible redundancy system
KR100333720B1 (ko) * 1998-06-30 2002-06-20 박종섭 강유전체메모리소자의리던던시회로

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