TW515052B - Method and device for drying substrates - Google Patents
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Description
515052 五、發明說明(1·) 第87115218號申請案發明說明修正本 本發明係關於一種基板脫乾之方法及裝置,其係在由一 流體取出時,於此基板表面及此流體表面之間的過渡帶,將 所形成之流體的彎月面加熱。 此類之方法及裝置,係參見與前述申請相同專利擁有人 之DE 196 13 620 Α而習知。 在ΕΡ-Α-0 385 536中,一習知之基板脫乾之方法及裝 置,係在一流體中處理之後。經由此發明說明而習知之方法 中,棊板在一含有一種流體的槽中處理一段時間,然後從中 取出,而且相當緩慢,使得實際上全部流體保留於槽内。基 板自流體取出時,直接與一蒸汽相接觸。此蒸汽不會在基板 上减結,且與流體混合,此混合物有一較流體小之表面張 力。此方法在實務上極為昂貴,然因需要蒸汽,此蒸汽必須 被處理,且必須特別將輸送管道及出口嘴嘴準備好。 由US-A-4 722 752中,一習知之薄片形基板清潔與脫 乾之方法及裝置,例如經由半導體-晶圓,在此方法或此裝 置中,將基板缓慢地由此作為沖洗流體處理之熱水中移出, 當表面張力在此熱水之表面與此基板之間的過渡帶發生作 用時’水由基板之表面被吸走。 US-A-4 902 350揭示並說明了一基板清潔與脫乾之裝 置及方法,其係在將此基板由此流體之表面取出時,輸入超 音波形式之能量。然而此雜人之能量,並非用於脫乾,而 是用於清潔。 本紙張尺度翻_緖準(CNS)A4規公釐)-----*--—-- -4- — — — — ! — — — » I 1 1 i I I I-^-rtfjIIIII1I — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515052 A7 五、發明說明(2·) 此由US-A-5 368 649中,所習知之機械或電子組件及 透鏡之清洗及脫乾之方法中,為改善脫乾方法,使用一種流 體’其係保持於大於大氣壓力的壓力下。將此清洗流體加熱 至超過在大氣壓力中存在之沸點。在脫乾過程中,將此工作 元件送入脫乾室,其中發生一突然性地減壓,因而在工作元 件上之清洗流體迅速蒸發。 本發明係以此任務為基礎,提出一種方法,並創造一項 裝置,以此方法及此裝置,將基板由液體槽取出時,能夠迅 速的、以少量之耗費、無環境負擔、且在基板上無殘留物地 脫乾。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 按本發明之任務,係可透過一在開頭所述之方法而獲得 解決,即此彎月面係透過一種氣體而加熱,其中在彎月面上 之氣體需要有一熱交換。此使彎月面可簡單、有效的加熱, 其中較佳係至少產生一熱氣體流,且指向此彎月面及/或此 、’f月面由一加熱此彎月面之熱氣體包圍。在最後的情況下, 較佳係有一氣體之對流。此彎月面之局部加熱,使得彎曲之 彎月面範圍内之表面張力減小,其係在基板舉出時,形成於 此基板表面與此流體之表面之間。以此方式,於彎月面中存 在之、或附著於基板表面之流體,係由彎月面或由此基板表 面流出’使得此基板迅速、可靠、以主要且不需附加措施的, 在由流體舉出時,由其擺脫而被脫乾。此熱之氣體的應用, 作為、考月面上將其加熱之能量轉換媒介質,顯示一種十分簡 單且優良的彎月面加熱之可能性。 為將流體之彎月面加熱,較佳係使用熱之氮氣,其係於 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格咖χ 297公董) 515052 B7 五、發明說明(3·) 此情开》導向流體表面,使得在彎月面範圍内之流體,有一較 在彎月面外之流體範圍中高的溫度。此氣體於此不僅可係靜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
止的,或亦可為氣流。因而此氣體較佳係由一可裝於液體上 之罩子導入。 S 對此要指出的,在加熱下,廣泛將此彎月面相對之流體 之其餘範圍加溫,係可理解的,此時溫度差異亦可能很小, 且甚至數1級可在攝氏1度以内。 作為熱氣體,較佳係使用一‘隋性之氣體,以避免由此氣 體所引起之反應,或化學的影響。氮氣作為熱氣體十分有 利,但稀有氣體對此亦係十分適合。對此,此氣體較佳係不 可與流體相混合。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據一種非常優良之發明的設計,使用一種氣體,其可 降低基板由其中取出時流體之表面張力。此以馬拉哥尼 (Mamngoni)效應所敘述之作用方式,額外地有助於一良 好且迅速之基板脫乾。作為降低流體表面張力之氣體,較佳 係使用氮氣、異丙醇、或一至少含有此類氣體之混合氣體。 此為降低流體之表面張力的氣體,於此較佳亦可使用作為熱 氣體,以將此彎月面加熱。此加熱氣體,較佳係經由一置於 流體容器上之罩子,基板係由其中取出,輸向此彎月面。將 此氣體透過一罩子輸入之實例,係敘述於相關之氣體輸入, 以降低此流體的表面張力之同一申請人的DE 44 15 〇77 A,為避免重覆,就此將其用於目前之申請内容中。 根據一取代或附加之行動方法,亦可解決所提出之任 務,即此彎月面係透過與彎月面相接觸之基板而加溫,此時 i 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公愛) -6- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 •----~-_— B7 _ 五、發明說明(4·) 將此基板或這些基板,在由流體取出之前及/或同時加熱。 此猎由—溫度較此流體為高之基板,將彎月面加熱,呈現了 另一個對所提出之任務非常優良的解決之道。 關於透過已加熱之基板將此彎月面加溫,其尤佳係當彎 月—面加熱之前及/或_,將—與彎肢之紐她合之蒸 汽’與此彎月面接觸。以此核,此透過彎月面之加熱,而 引起表面張力之降低’經由馬拉哥尼效應,而额外地再降 低,並因而改善及加速了脫乾過程。 、此所提出之任務,係由一個以一能量源,將此彎月面加 熱之基板的基板脫乾之裝置而解決,其係在將基板由一流體 取出時,於此基板表面與此流體表面之間的過渡帶所形成 的’即此说I源係包圍此彎月自、或流向彎月面上之熱的氣 肢在第一種情況中,此裝置有一加熱裝置,其將此包圍彎 ^面之氣體加熱。作為此類加熱裝置之實例,有紅外線能 1源,或超晋波-能量源,渦流加熱器亦為優良。 對於此所提出之任務,也有另一個可取代、或附加於上 述裝置之解決方法,即將此彎月面加熱之能量源,即係基板 本身,其由流體取出時,此基板暖於此彎月面。此時,基板 較佳係在由此流體取出之前及/或同時加熱。 本發明適合之方法及裝置,較佳係相關應用於半導體_ 晶圓之脫乾,藉此以改良脫乾過程之效率及其可靠性,並縮 短脫乾時間,及因而提高本發明適合之方法、或本發明適合 之裝置的生產力。 此唯一示意之圖式顯示本發明之實施例,在此圖式 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -7- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515052 A7 ----- B7 五、發明說明(5·) 一基板,例如一半導體晶圓,慢慢地從流體中離開,並加以 脫乾’其中藉由加熱來降低自行形成彎月面之表面張力。 為將一在流體2内之基板1脫乾,例如其可為一半導體 晶圓,將此基板1以一基板_升降裝置3,由此流體2中舉出。 在將基板1舉出時,於此基板面4、5與此流體2之間的過 渡帶,分別形成一彎月面6,因此流體濕潤了此基板表面4、 5,且此由基板表面所加諸流體分子之附著能力,係較在流 體分子彼此之間者大。在彎月面6之範圍内至少有—氣體 7,其溫度係較流體2為高。因此,至少彎月面6之表面被 加熱,使在眺連著基板、係為彎曲之彎月面範圍6的表面張 力,較流體2本身内者小。此不同之表面張力,造成一流體 自基板1出發之運動或流動,因為當此彎月面範圍6,經由 其周圍之氣體加熱時,此流體分子之間,有一相較於此流體 與基板表面4、5之間的吸力為大的吸力。以此方式,一種 主要較優良、較完全且較快速之基板丨脫乾,係為可能。 此包圍、·4月面6之氣體7,較佳係在此位置,藉適當之 能量輸入來加熱,例如使用一渦流加熱器。然後此氣體將其 熱能傳給彎月面6。 、 根據本發明一替代或額外之實施形式,可以一來自於熱 之氣體的氣流,指向此彎月面,以此達到將此彎月面準確、 局部地加熱。替代此種達到降低基板表面4、5之範圍内的 表面張力、或將彎月面6加熱之效果,係透過至少將基板j 所形成之彎月面6之範圍加熱,例如透過將基板丨之至少一 部份,在取出之前及/或同時,以超音波加熱。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 零裝
n I n tn^I n flu n n ϋ n n I 515052 A7 B7 五、發明說明(6·) 以上以一較佳之貫施形式,說明本發明。專業人士可做 各種變化及設計,但不背離本發明構想。例如,在此基板由 此流體槽取出時,將此基板直接與一蒸汽相接觸,其不會在 基板上凝結,且有一可與此流體相混合之成分,而且,在其 與流體混合時,形成-表面張力較流體小之混合物。透過將 本發明適合之方法,與開頭所述在ΕΡ-Α_0 385 536中習知之 方法相組合,產生對於特殊之應用,有一額外改善並加速之 基板脫乾。根據-優良之f施形式,作為—種係默用於加 熱彎月面6之氣體7,可選-種有降低表面張力之特性的氣 體。 ' 此基板較佳係透過一刀形之舉升裝置而舉出。此刀形舉 升裝置,在其由流體舉出時,且正是在基板最後離開流體之 位置,承載此基板。然後,此流體之滴粒,經此刀形之舉升 裝置的刀形邊緣,由此基板流下,使基板在離開此流體槽 時,若此彎月面不能再被定義,亦能以同樣的效率進行脫乾 過程。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · f n n n n n I^OJ n n *1 n n t i ▲ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適 度 尺 張 紙 本 格 規 A4 S) N (C 準 標
公 97 2 X -9- 515052 A7 _B7_ 五、發明說明(7·) 元件符號說明 1 基板 2 流體 3 基板-升降裝置 6 彎月面 7 氣體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) £ 訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10-
Claims (1)
- Α8 Β8 C8 D8 A、申請專利範圍 第87115218號申請案申請專利範圍修正本 L 一種基板(1)脫乾之方法,其係在由一流體⑵取出時, 於此基板表面(4、5)與此流體(2)之間的過渡帶,將 所形成的流體(2)之彎月面(6>加熱,其特徵為,此彎 月面係以一氣體形式之媒介質(7)加熱。 2·根據申凊專利範圍第1項所述之方法,其特徵為,至少有 一道熱之氣體流係指向彎月面(6)。 3·根據申請專利範關丨爾述之方法,其特徵為,此彎月 面(6)受一熱的氣體(7)包圍。 4·根據申請專利範圍第i爾述之方法,其特徵為,透過來 自靜止、且較佳係氣體形式之媒介質的對流,將此彎月 面(6)加熱。 5. 根據申請專利範圍第丨項所述之方法,其特徵為,將包圍 此脊月面(6)之氣體加熱。 6. 根據申請專利範圍第5項所述之方法,其特徵為,此氣體 係透過紅外線-照射而加熱。 7. =據申請專利範圍第6項所述之方法,其特徵為,此紅外 ’係透過-裝置於彎月面⑹附近之加熱體而產 特別係一帶電之熱金屬絲。 申請專利範圍第丨項所述之方法,其特徵為,此氣體 9 媒介質係一惰性之氣體。 =申請柄細第s爾述之方法,其特徵為,此氣體 <媒;丨貝至少包括氮氣及/或一種稀有氣體。 二張尺度 _^ftii^7CNS)A4K2iG χ 297 公爱 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -------訂--------線‘ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 -11 A8 C8 ^^ ___D8 一 _ /、、申請專利範圍 10.=據申請專利範圍第i項所述之方法,其特徵為,此氣 體係不可與此流體相混合。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) U.根據申請專利範圍第1項所述之方法,其特徵為,此氣 體會降低流體(2)之表面張力,基板(1)係由其中取 出。 I2·根據申請專利範圍第丨項所述之方法,其特徵為,在彎 月面(6)加熱之前及/或同時,將一種與彎月面(6) 之流體(2)相混合之蒸汽,與彎月面(6)相接觸。 13·根據申請專利範圍第u項所述之方法,其特徵為,此氣 體或此蒸汽係為氮氣、異丙醇、或一至少含有此類氣體 之混合蒸汽。 14·根據申請專利範圍第丨項所述之方法,其特徵為,此氣 體係由一置於流體容器上之罩子,基板(1)係由其中取 出’輸向此彎月面(6)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15. —種基板(1)脫乾之方法,係具有一用以加熱彎月面(6) 之能量源,其係在基板(1)由一流體(2)取出時,於 此基板表面(4、5)與此流體(2)之間的過渡帶形成, 其特徵為,此彎月面(6)係透過與其相接觸之基板(1 ) 加熱。 16·根據申請專利範圍第13項所述之方法,其特徵為,此基 板(1)係在其取出之前及/或同時加熱。 17· —種基板(1)脫乾之裝置,係具有一用以加熱,彎月面 (6)之能量源,其係在基板(1)由一液體(2)取出時’ 於此基板表面(4、5)與此流體(2)之間的過渡帶形成’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 515052 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其特徵為,此能量源即係包圍此彎月面之熱的氣體。 18· —種基板(1)脫乾之裝置,係具有一用以加熱一彎月面 (6)之能量源,其係在基板(1)由一流體(2)取出時, 於此基板表面與此流體表面(4)之間的過渡帶形成,其 特徵為,此能量源即係基板(1),其在基板(1)取出之 時,溫度較彎月面高。 19·根據申請專利範圍第17項所述之裝置,其特徵為,透過 一加熱裝置,在此基板(1)由一流體取出之前及/或同 時,將基板(1)加熱。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -13- (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4722752A (en) * | 1986-06-16 | 1988-02-02 | Robert F. Orr | Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers |
US4902350A (en) * | 1987-09-09 | 1990-02-20 | Robert F. Orr | Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers |
DE3733670C1 (de) * | 1987-10-05 | 1988-12-15 | Nukem Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen insbesondere von scheibenfoermigen oxidischen Substraten |
JPH01210092A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Sonitsuku Fueroo Kk | 精密洗浄の乾燥方法 |
NL8900480A (nl) * | 1989-02-27 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. |
JPH0322427A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Corp | 半導体基板乾燥方法 |
JPH06459A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-11 | T H I Syst Kk | 洗浄乾燥方法とその装置 |
US5556479A (en) * | 1994-07-15 | 1996-09-17 | Verteq, Inc. | Method and apparatus for drying semiconductor wafers |
DE19531031C2 (de) * | 1995-08-23 | 1997-08-21 | Ictop Entwicklungsgesellschaft | Verfahren zum Trocknen von Silizium |
KR970052690A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-29 | 김주용 | 웨이퍼 세정장치 및 방법 |
DE19613620C2 (de) * | 1996-04-04 | 1998-04-16 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
JP3359494B2 (ja) * | 1996-04-18 | 2002-12-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP3470501B2 (ja) * | 1996-04-24 | 2003-11-25 | ソニー株式会社 | 半導体ウエハ遠心乾燥方法 |
JP2983494B2 (ja) * | 1997-05-20 | 1999-11-29 | 株式会社カイジョー | 基板の乾燥方法 |
JPH11162923A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法 |
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