JP2002502109A - 基板の乾燥法および乾燥装置 - Google Patents
基板の乾燥法および乾燥装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】
基板（１）を液体（２）から取出す際に、基板表面（４，５）と液体（２）との間の移行部に形成される液体（２）のメニスカス（６）を加熱する基板乾燥法では、方法を実施するためにかかる手間および装置のための費用に関してならびに良好なかつ確実な、しかも迅速な乾燥に関して、メニスカス（６）がガス状の媒体（７）で加熱されると極めて有利である。これと同様の利点または類似の利点が、メニスカス（６）を、このメニスカス（６）に接触する基板（１）によって加熱する場合にも得られる。
Description
【０００１】 本発明は、基板の乾燥法および乾燥装置であって、液体からの基板の取出し時
に、基板表面と液体表面との間の移行部に形成される液体のメニスカスを加熱す
る形式のものに関する。
に、基板表面と液体表面との間の移行部に形成される液体のメニスカスを加熱す
る形式のものに関する。
【０００２】 このような形式の方法もしくは装置は、本発明と同一の特許出願人によるドイ
ツ連邦共和国特許出願公開第１９６１３６２０号明細書に基づき公知である。
ツ連邦共和国特許出願公開第１９６１３６２０号明細書に基づき公知である。
【０００３】 液体内で基板を処理した後にこの基板を乾燥する方法および装置が、ヨーロッ
パ特許出願公開第０３８５５３６号明細書に基づき公知である。このヨーロッパ
特許出願公開第０３８５５３６号明細書に基づき公知の方法では、基板は、僅か
な時間の間、液体を有する容器または浴内で処理され、次いで、実際に液体全て
が容器内に残るようにゆっくりと容器内から取り出される。この場合、基板は、
蒸気に直接接触して容器から取り出される。蒸気は基板上で凝縮せず、液体と混
合する。この場合、混合物は、液体よりも僅かな表面張力を有している。しかし
、このような方法は、実際には非常に手間がかかると同時に極めて高価である。
なぜならば、蒸気が必要であり、この蒸気は処理されなければならず、しかも、
特にこの蒸気のための供給管路と排出ノズルが準備されなければならないからで
ある。
パ特許出願公開第０３８５５３６号明細書に基づき公知である。このヨーロッパ
特許出願公開第０３８５５３６号明細書に基づき公知の方法では、基板は、僅か
な時間の間、液体を有する容器または浴内で処理され、次いで、実際に液体全て
が容器内に残るようにゆっくりと容器内から取り出される。この場合、基板は、
蒸気に直接接触して容器から取り出される。蒸気は基板上で凝縮せず、液体と混
合する。この場合、混合物は、液体よりも僅かな表面張力を有している。しかし
、このような方法は、実際には非常に手間がかかると同時に極めて高価である。
なぜならば、蒸気が必要であり、この蒸気は処理されなければならず、しかも、
特にこの蒸気のための供給管路と排出ノズルが準備されなければならないからで
ある。
【０００４】 たとえば半導体ウェーハであるディスク状の基板を洗浄しかつ乾燥する装置お
よび方法が、アメリカ合衆国特許第４７２２７５２号明細書に基づき公知である
。この公知の装置および方法では、基板が、洗浄用液体として使用される熱湯か
らゆっくりと取り出される。この場合、熱湯の表面と基板との間の移行部におけ
る表面張力によって、付着水が基板の表面から剥離される。
よび方法が、アメリカ合衆国特許第４７２２７５２号明細書に基づき公知である
。この公知の装置および方法では、基板が、洗浄用液体として使用される熱湯か
らゆっくりと取り出される。この場合、熱湯の表面と基板との間の移行部におけ
る表面張力によって、付着水が基板の表面から剥離される。
【０００５】 アメリカ合衆国特許第４９０２３５０号明細書には、基板の洗浄および乾燥法
ならびに洗浄および乾燥装置が記載されている。この場合、基板の取出し時に液
体表面で基板に超音波の形のエネルギが供給される。しかし、供給されたエネル
ギは乾燥のためではなく、洗浄のために使用される。
ならびに洗浄および乾燥装置が記載されている。この場合、基板の取出し時に液
体表面で基板に超音波の形のエネルギが供給される。しかし、供給されたエネル
ギは乾燥のためではなく、洗浄のために使用される。
【０００６】 アメリカ合衆国特許第５３６８６４９号明細書に基づき公知の、機械的または
電子的な構成部分ならびにレンズのための洗浄法および乾燥法では、乾燥法の改
善のために、大気圧以上の圧力で維持される液体が使用される。洗浄液体は、大
気圧の場合の沸点を超えて加熱される。乾燥工程のために、加工品は乾燥室内に
移動させられ、この乾燥室内では突発的な減圧が行われるので、洗浄液は加工品
上で迅速に蒸発する。
電子的な構成部分ならびにレンズのための洗浄法および乾燥法では、乾燥法の改
善のために、大気圧以上の圧力で維持される液体が使用される。洗浄液体は、大
気圧の場合の沸点を超えて加熱される。乾燥工程のために、加工品は乾燥室内に
移動させられ、この乾燥室内では突発的な減圧が行われるので、洗浄液は加工品
上で迅速に蒸発する。
【０００７】 本発明の課題は、流体容器または浴からの基板の取出し時に、環境を害するこ
となく、しかも基板に残留物を残すことなしに、基板を僅かな手間で迅速に乾燥
させることができるような方法を提示しかつ装置を提供することである。
となく、しかも基板に残留物を残すことなしに、基板を僅かな手間で迅速に乾燥
させることができるような方法を提示しかつ装置を提供することである。
【０００８】 本発明の課題は、冒頭で述べた形式の乾燥法において、メニスカスをガスによ
って加熱して、メニスカスとガスとの熱交換を行うことによって解決される。こ
れによって、メニスカスを簡単にかつ効率よく加熱することができる。この場合
、有利には、少なくとも１つの加熱ガス流が生ぜしめられて、メニスカスに方向
付けられるかかつ／またはメニスカスが、このメニスカスを加熱する加熱ガスに
よって取り囲まれる。メニスカスが加熱ガスによって取り囲まれている場合には
、ガスの対流が有利である。メニスカスを局所的に加熱することによって、基板
の取出し時に基板表面と液体表面との間に形成される湾曲したメニスカス領域の
表面張力を低減させることができる。こうして、メニスカス内にある液体もしく
は基板表面に付着している液体は、メニスカスから離れる方向へもしくは基板表
面から離れる方向へ移動するので、基板は、主として液体からの取出し時に付加
的な手段なしに、迅速にかつ確実に液体から解放されかつ乾燥させられる。メニ
スカスを加熱するために、メニスカスへのエネルギ伝達媒体として加熱ガスを使
用することによって、メニスカスを特に簡単にかつ有利に加熱することができる
。
って加熱して、メニスカスとガスとの熱交換を行うことによって解決される。こ
れによって、メニスカスを簡単にかつ効率よく加熱することができる。この場合
、有利には、少なくとも１つの加熱ガス流が生ぜしめられて、メニスカスに方向
付けられるかかつ／またはメニスカスが、このメニスカスを加熱する加熱ガスに
よって取り囲まれる。メニスカスが加熱ガスによって取り囲まれている場合には
、ガスの対流が有利である。メニスカスを局所的に加熱することによって、基板
の取出し時に基板表面と液体表面との間に形成される湾曲したメニスカス領域の
表面張力を低減させることができる。こうして、メニスカス内にある液体もしく
は基板表面に付着している液体は、メニスカスから離れる方向へもしくは基板表
面から離れる方向へ移動するので、基板は、主として液体からの取出し時に付加
的な手段なしに、迅速にかつ確実に液体から解放されかつ乾燥させられる。メニ
スカスを加熱するために、メニスカスへのエネルギ伝達媒体として加熱ガスを使
用することによって、メニスカスを特に簡単にかつ有利に加熱することができる
。
【０００９】 液体のメニスカスを加熱するために、加熱窒素が使用されると有利である。こ
の加熱窒素は、メニスカス領域内の液体がメニスカス領域外の液体領域よりも高
い温度を有するように液体表面に案内される。この場合、ガスは定常であっても
よいし、ガス流であってもよい。この場合、ガスが、液体の上方へ移動可能なフ
ードもしくはカバーを介して導入されると有利である。
の加熱窒素は、メニスカス領域内の液体がメニスカス領域外の液体領域よりも高
い温度を有するように液体表面に案内される。この場合、ガスは定常であっても
よいし、ガス流であってもよい。この場合、ガスが、液体の上方へ移動可能なフ
ードもしくはカバーを介して導入されると有利である。
【００１０】 一般的に加熱とは、その他の液体領域に対するメニスカスの上昇温度を意味し
ている。この場合、この温度差は、場合によっては小さくてもよく、しかも１゜
Ｃよりも低い範囲にあってよい。
ている。この場合、この温度差は、場合によっては小さくてもよく、しかも１゜
Ｃよりも低い範囲にあってよい。
【００１１】 ガスによる基板の反作用または化学的な影響を回避するために、加熱ガスとし
て不活性ガスが使用されると有利である。加熱ガスとしては窒素が有利であるが
、希ガスも好適である。この場合、有利には、ガスは液体と混合不能である。
て不活性ガスが使用されると有利である。加熱ガスとしては窒素が有利であるが
、希ガスも好適である。この場合、有利には、ガスは液体と混合不能である。
【００１２】 本発明の特に有利な構成では、基板が取り出される液体の表面張力を低減させ
るガスが使用される。マランゴニ効果と呼ばれるこの作用によって、付加的に基
板を良好にかつ迅速に乾燥させることができる。液体の表面張力を低減させるた
めのガスとして、窒素、イソプロピルアルコールまたは少なくともこれらのガス
を含んでいる混合ガスが使用されると有利である。この場合、有利には、液体の
表面張力を低減させるためのガスは、メニスカスを加熱するための加熱ガスとし
ても使用可能である。加熱ガスが、基板が取り出される液体容器の上方に移動さ
せられるフードもしくはカバーを介してメニスカスに供給されると有利である。
フードを介してガスを導入することの例は、液体の表面張力を低減させるために
ガスを導入することに関連して、同一出願人によるドイツ連邦共和国特許出願公
開第４４１５０７７号明細書に記載されている。このドイツ連邦共和国特許出願
公開第４４１５０７７号明細書に記載されている内容は、この限りにおいて本発
明にも相当するので、繰り返しの説明は省略する。
るガスが使用される。マランゴニ効果と呼ばれるこの作用によって、付加的に基
板を良好にかつ迅速に乾燥させることができる。液体の表面張力を低減させるた
めのガスとして、窒素、イソプロピルアルコールまたは少なくともこれらのガス
を含んでいる混合ガスが使用されると有利である。この場合、有利には、液体の
表面張力を低減させるためのガスは、メニスカスを加熱するための加熱ガスとし
ても使用可能である。加熱ガスが、基板が取り出される液体容器の上方に移動さ
せられるフードもしくはカバーを介してメニスカスに供給されると有利である。
フードを介してガスを導入することの例は、液体の表面張力を低減させるために
ガスを導入することに関連して、同一出願人によるドイツ連邦共和国特許出願公
開第４４１５０７７号明細書に記載されている。このドイツ連邦共和国特許出願
公開第４４１５０７７号明細書に記載されている内容は、この限りにおいて本発
明にも相当するので、繰り返しの説明は省略する。
【００１３】 前記課題は、選択的なまたは付加的な手段に基づき、メニスカスが、このメニ
スカスに接触する基板によって加熱され、基板が、液体からの取出し前にかつ／
または取出し中に加熱されることによっても解決される。液体よりも高い温度を
もたらす基板を用いてメニスカスを加熱することによって、前記課題の特に有利
な解決手段が得られる。
スカスに接触する基板によって加熱され、基板が、液体からの取出し前にかつ／
または取出し中に加熱されることによっても解決される。液体よりも高い温度を
もたらす基板を用いてメニスカスを加熱することによって、前記課題の特に有利
な解決手段が得られる。
【００１４】 加熱された基板によるメニスカスの加熱に関連して、メニスカスの加熱前にか
つ／またはメニスカスの加熱と同時に、メニスカスの液体と混合する蒸気がメニ
スカスに接触すると特に有利である。こうして、メニスカスの加熱によって生じ
る表面張力低減をマランゴニ効果によって付加的に低減させることができ、ひい
ては乾燥を改善しかつ促進させることができる。
つ／またはメニスカスの加熱と同時に、メニスカスの液体と混合する蒸気がメニ
スカスに接触すると特に有利である。こうして、メニスカスの加熱によって生じ
る表面張力低減をマランゴニ効果によって付加的に低減させることができ、ひい
ては乾燥を改善しかつ促進させることができる。
【００１５】 さらに、前記課題は、液体からの基板の取出し時に基板表面と液体表面との間
の移行部に形成されるメニスカスを加熱するためのエネルギ源を備えた基板乾燥
装置において、エネルギ源が、メニスカスを取り囲むかまたはメニスカスに向け
て流れる加熱ガスであることによっても解決される。前者の場合、乾燥装置は、
メニスカスを取り囲むガスを加熱する加熱装置を有している。このような加熱装
置の例としては、赤外線エネルギ源または超音波エネルギ源が有利であるが、渦
電流加熱も有利である。
の移行部に形成されるメニスカスを加熱するためのエネルギ源を備えた基板乾燥
装置において、エネルギ源が、メニスカスを取り囲むかまたはメニスカスに向け
て流れる加熱ガスであることによっても解決される。前者の場合、乾燥装置は、
メニスカスを取り囲むガスを加熱する加熱装置を有している。このような加熱装
置の例としては、赤外線エネルギ源または超音波エネルギ源が有利であるが、渦
電流加熱も有利である。
【００１６】 上記基板乾燥装置に対して選択的なまたは付加的な、前記課題の別の解決手段
は、メニスカスを加熱するためのエネルギ源が、基板の取出し中にメニスカスよ
りも高い温度を有する基板自体であるという点にある。この場合、基板は、有利
には液体からの取出し前にかつ／または取出し中に加熱される。
は、メニスカスを加熱するためのエネルギ源が、基板の取出し中にメニスカスよ
りも高い温度を有する基板自体であるという点にある。この場合、基板は、有利
には液体からの取出し前にかつ／または取出し中に加熱される。
【００１７】 本発明による方法および装置が、半導体ウェーハの乾燥に関連して使用される
と有利である。これによって、乾燥工程の効率と確実性とが改善されると同時に
乾燥時間が短縮され、ひいては本発明による方法もしくは装置の生産性が高めら
れる。
と有利である。これによって、乾燥工程の効率と確実性とが改善されると同時に
乾燥時間が短縮され、ひいては本発明による方法もしくは装置の生産性が高めら
れる。
【００１８】 以下に、本発明の実施例を図面につき説明する。
【００１９】 液体２内にある、たとえば半導体ウェーハであってよい基板１を乾燥させるた
めに、基板１は基板昇降装置３を用いて液体２内から押し出される。基板１を持
上げる際に、基板表面４，５と液体２との間の移行部には、それぞれメニスカス
６が形成される。なぜならば、液体２が基板表面４，５を濡らしており、この基
板表面４，５から液体分子へ加えられる付着力（Ａｄｈａｅｓｉｏｎｓｋｒａｆ
ｔ）が、液体分子間相互の付着力よりも大きいからである。少なくともメニスカ
ス６の周りの領域には、液体２の温度よりも高く設定された温度を有するガス７
が存在している。これによって、メニスカス６は少なくともこのメニスカス６の
表面で加熱されるので、基板１に接する、収縮したメニスカス６の領域の表面張
力は、液体２自体の表面張力よりも小さくなっている。互いに異なる表面張力は
、基板１から離れる方向への液体２の流動もしくは剥離を生ぜしめる。なぜなら
ば、メニスカス６の領域が、このメニスカス６の領域を取り囲むガス７によって
加熱される場合、液体分子は、液体２と基板表面４，５との間の引力よりも高い
引力を互いに加え合うからである。こうして、基板１の極めて良好なかつ完全な
、しかも迅速な乾燥が可能となる。
めに、基板１は基板昇降装置３を用いて液体２内から押し出される。基板１を持
上げる際に、基板表面４，５と液体２との間の移行部には、それぞれメニスカス
６が形成される。なぜならば、液体２が基板表面４，５を濡らしており、この基
板表面４，５から液体分子へ加えられる付着力（Ａｄｈａｅｓｉｏｎｓｋｒａｆ
ｔ）が、液体分子間相互の付着力よりも大きいからである。少なくともメニスカ
ス６の周りの領域には、液体２の温度よりも高く設定された温度を有するガス７
が存在している。これによって、メニスカス６は少なくともこのメニスカス６の
表面で加熱されるので、基板１に接する、収縮したメニスカス６の領域の表面張
力は、液体２自体の表面張力よりも小さくなっている。互いに異なる表面張力は
、基板１から離れる方向への液体２の流動もしくは剥離を生ぜしめる。なぜなら
ば、メニスカス６の領域が、このメニスカス６の領域を取り囲むガス７によって
加熱される場合、液体分子は、液体２と基板表面４，５との間の引力よりも高い
引力を互いに加え合うからである。こうして、基板１の極めて良好なかつ完全な
、しかも迅速な乾燥が可能となる。
【００２０】 メニスカス６を取り囲むガス７が、この箇所で適当なエネルギ供給によって、
たとえば渦電流加熱によって加熱されると有利である。この場合、ガス７自体が
熱エネルギをメニスカス６へ放射する。
たとえば渦電流加熱によって加熱されると有利である。この場合、ガス７自体が
熱エネルギをメニスカス６へ放射する。
【００２１】 しかし、本発明の選択的なまたは付加的な構成では、加熱ガスから成るガス流
をメニスカス６に向けて放射することも可能である。これによって、メニスカス
６の加熱を適切にかつ局所的に得ることができる。選択的に、基板表面４，５の
領域での表面張力の低減効果もしくはメニスカス６の加熱は、基板１が少なくと
もメニスカス形成領域で加熱されることによっても得られるし、たとえば基板１
の少なくとも一部分が、基板１の加熱のために、取出し前および／または取出し
中に超音波で負荷されることによっても得られる。
をメニスカス６に向けて放射することも可能である。これによって、メニスカス
６の加熱を適切にかつ局所的に得ることができる。選択的に、基板表面４，５の
領域での表面張力の低減効果もしくはメニスカス６の加熱は、基板１が少なくと
もメニスカス形成領域で加熱されることによっても得られるし、たとえば基板１
の少なくとも一部分が、基板１の加熱のために、取出し前および／または取出し
中に超音波で負荷されることによっても得られる。
【００２２】 本発明は、有利な実施例に基づきすでに説明した。しかし、本発明は、本発明
の思想を逸脱することなしに種々の構成が可能である。たとえば、液体容器また
は浴からの基板の取出し時に基板が蒸気と直接接触する。この蒸気は基板上で凝
縮されず、液体と混合可能な物質を含んでいる。この物質が液体と混合された場
合、液体よりも僅かな表面張力を有する混合物が形成される。特別な使用例のた
めに、本発明による方法と、冒頭で述べたヨーロッパ特許出願公開第０３８５５
３６号明細書に基づき公知の方法とを組み合わせることによって、基板の乾燥を
付加的に改善できると同時に促進させることができる。有利な構成では、メニス
カス６の加熱のために提供されるガス７として、表面張力を低減させるための特
性を有するガスを選択することもできる。
の思想を逸脱することなしに種々の構成が可能である。たとえば、液体容器また
は浴からの基板の取出し時に基板が蒸気と直接接触する。この蒸気は基板上で凝
縮されず、液体と混合可能な物質を含んでいる。この物質が液体と混合された場
合、液体よりも僅かな表面張力を有する混合物が形成される。特別な使用例のた
めに、本発明による方法と、冒頭で述べたヨーロッパ特許出願公開第０３８５５
３６号明細書に基づき公知の方法とを組み合わせることによって、基板の乾燥を
付加的に改善できると同時に促進させることができる。有利な構成では、メニス
カス６の加熱のために提供されるガス７として、表面張力を低減させるための特
性を有するガスを選択することもできる。
【００２３】 基板がナイフ状の持上げ装置によって持ち上げられると有利である。ナイフ状
の持上げ装置は、基板が液体から取り出される場合に基板を支持、しかも、最終
的に液体が離れる基板箇所で支持する。メニスカスがもはや規定されていない場
合には、液体の滴はナイフ状の持上げ装置のナイフ状の縁部を介して基板から流
れ落ちるので、液体容器から基板が離脱する場合でも、乾燥法は同じ効率で継続
され得る。
の持上げ装置は、基板が液体から取り出される場合に基板を支持、しかも、最終
的に液体が離れる基板箇所で支持する。メニスカスがもはや規定されていない場
合には、液体の滴はナイフ状の持上げ装置のナイフ状の縁部を介して基板から流
れ落ちるので、液体容器から基板が離脱する場合でも、乾燥法は同じ効率で継続
され得る。
【図１】 本発明による、基板を乾燥させるための装置の概略図である。
１ 基板、 ２ 液体、 ３ 基板昇降装置、 ４，５ 基板表面、 ６ メ
ニスカス、 ７ ガス
ニスカス、 ７ ガス
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年３月１７日（２０００．３．１７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (19)
- 【請求項１】 基板（１）の乾燥法であって、液体（２）からの基板（１）
の取出し時に、基板表面（４，５）と液体（２）との間の移行部に形成される液
体（２）のメニスカス（６）を加熱する形式のものにおいて、メニスカス（６）
をガス状の媒体（７）によって加熱することを特徴とする、基板の乾燥法。 - 【請求項２】 少なくとも１つの加熱ガス流をメニスカス（６）に方向付け
る、請求項１記載の乾燥法。 - 【請求項３】 メニスカス（６）を加熱ガス（７）によって取り囲む、請求
項１または２記載の乾燥法。 - 【請求項４】 メニスカス（６）を、定常の媒体、有利にはガス状の媒体に
基づく対流によって加熱する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 メニスカス（６）を取り囲むガスを加熱する、請求項１から
４までのいずれか１項記載の乾燥法。 - 【請求項６】 ガスを赤外線照射によって加熱する、請求項５記載の乾燥法
。 - 【請求項７】 赤外線照射を、メニスカス（６）の近傍に配置された、有利
には電気式の加熱ワイヤから成る加熱体によって行う、請求項５または６記載の
乾燥法。 - 【請求項８】 ガスが不活性ガスである、請求項１から７までのいずれか１
項記載の乾燥法。 - 【請求項９】 ガスが、少なくとも窒素および／または希ガスを有している
、請求項１から８までのいずれか１項記載の乾燥法。 - 【請求項１０】 ガスが液体と混合不能である、請求項１から９までのいず
れか１項記載の乾燥法。 - 【請求項１１】 ガスが、基体（１）が取り出される液体（２）の表面張力
を低減させる、請求項１から１０までのいずれか１項記載の乾燥法。 - 【請求項１２】 メニスカス（６）を加熱する前にかつ／または加熱すると
同時に、メニスカス（６）の液体（２）と混合する蒸気をメニスカス（６）に接
触させる、請求項１から１１までのいずれか１項記載の乾燥法。 - 【請求項１３】 ガスまたは蒸気が、窒素、イソプロピルアルコールまたは
これらのガスのうちの少なくとも１つを含んでいる混合蒸気である、請求項１１
または１２記載の乾燥法。 - 【請求項１４】 基板（１）が取り出される流体容器の上方へ移動するフー
ドを介して、ガスをメニスカス（６）に供給する、請求項１から１３までのいず
れか１項記載の乾燥法。 - 【請求項１５】 基板（１）の乾燥法であって、液体（２）からの基板（１
）の取出し時に、基板表面（４，５）と液体（２）との間の移行部に形成される
メニスカス（６）を加熱するエネルギ源が設けられている形式のものにおいて、
メニスカス（６）を、該メニスカス（６）に接触する基板（１）によって加熱す
ることを特徴とする、基板の乾燥法。 - 【請求項１６】 基板（１）を取出し前にかつ／または取出し中に加熱する
、請求項１３記載の乾燥法。 - 【請求項１７】 基板（１）の乾燥装置であって、液体（２）からの基板（
１）の取出し時に、基板表面（４，５）と液体（２）との間の移行部に形成され
るメニスカス（６）を加熱するエネルギ源が設けられている形式のものにおいて
、エネルギ源が、メニスカス（６）を取り囲む加熱ガスであることを特徴とする
、基板の乾燥装置。 - 【請求項１８】 基板（１）の乾燥装置であって、液体（２）からの基板（
１）の取出し時に、基板表面（４，５）と液体（２）との間の移行部に形成され
るメニスカス（６）を加熱するエネルギ源が設けられている形式のものにおいて
、エネルギ源が、基板（１）の取出し中にメニスカス（６）よりも高い温度を有
する基板（１）から成っていることを特徴とする、基板の乾燥装置。 - 【請求項１９】 基板（１）を加熱するための加熱装置が、液体（２）から
の基板（１）の取出し前にかつ／または取出し中に基板（１）を加熱する、請求
項１７記載の乾燥装置。
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