TW503465B - Silicon wafer, silicon epitaxial wafer, anneal wafer and method for producing them - Google Patents

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13465 A7 B7 五、發明説明（1 ) 〔技術領域〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關對於C Z (切克勞斯基法）矽單結晶摻 雜碳及氮之影響有效利用高品質之砍晶圓，政嘉晶晶圓及 退火晶圓及此等晶圓的製造方法。 〔背景技術〕 隨著裝置製程之高度積體化，微細化欲降低成爲基底 之矽晶圓之內部成長之缺陷乃被強烈要求著。因此依據切 克勞斯基法（Czochralski; CZ)予以開發改良製造C Z矽單 結晶之成長條件，全面N (中性—Neutral )—領域晶圓或 使通常的矽晶圓上成長新矽之矽磊晶晶圓（以下略稱磊晶 晶圓—epitaxial wafer或epiwafer)，而且在氫或氬氣團中施 予高溫熱處理之退火晶圓等，內部成長缺陷之少數種類之 晶圓乃被開發著。 在此，先就全面N -領域晶圓之製造方法予以說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先對於被矽單結晶包圍之被稱作Vacancy (以下係略 稱爲V )的空孔型之點缺陷與被略稱作組織間隙-矽（ Interstitial-Si ;以下略稱爲I )的晶格間型的點缺陷之各各 決定被包圍濃度因子，就一般被人所知的予以說明。 於矽單結晶，V -領域係V，亦即由矽原子之不足而 發生的凹部，有較多的孔（穴）類之領域，所謂1 一領域 ，由於矽原子多餘存在而發生的位錯或多餘的砂原子之塊 較多的領域，因此於V -領域與I -領域之間，成爲以無 (少）原子之不足多餘的中性（Neutral)領域，以下略稱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 503465 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) 向，亦成爲全面N-領域，而成爲可通擴大其結晶。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又最近在被測試裝置過程中爲將不純物之影響去除， 除氣能力之較強晶圓亦予以要求。對此邊追加熱處理，邊 爲利用氮之氧析出促進效果，根據C Z法，藉以於矽單結 晶提升中邊摻雜氮，同時於N-領域摻雜氮提升而製作N -領域晶圓或於摻雜氮晶圓上摻雜氮進行磊晶晶圓成長而 製作磊晶晶圓，或於摻雜氮之晶圓上進行退火摻雜氮而製 作退火晶圓，表體（Bulk)中之BMD (Bulk Micro Defect :由於氧析出物內部微小缺陷）使增加密度，予以開發維 持 I G (Internal Gettering)效果之晶圓。 近年，對於製作裝置之製造廠的除氣（Gettering)會g 力，非常強烈要求，作爲予以使用晶圓附加價値之除氣（ Gettering )能力，成爲不可缺。不過以往之N —領域晶圓 ，磊晶晶圓及退火晶圓由於被測試裝置過程中之氧析出之 BMD密度談不上充分。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此予以開發利用氮之氧析出促進效果摻雜氮之晶圓 。依據作爲摻雜氮一事，因爲雖然期望N -領域所得提拉 速度之範圍可擴大安定之結晶成長，但爲製N -領域晶圓 ，其提拉速度必降低爲0 . 5mm/m i η之程度不變， 招致降低生產率及提升成本。 又如欲摻雜之氮濃度高者就予以擴大0SF領域，該 領域內係會發生位錯群等之2次缺陷情形，此爲成爲原磊 晶層之缺陷，係因不可採用過高之氮濃度之現狀，因此， 根據摻雜氮晶圓所得B M D密度若與非摻雜氮晶圓比較係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 503465 A7 ___B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲多的，故予以抑制適當地之密度。在此，本發明所謂2 次缺陷，可舉出起因於高密度之氮摻雜予以擴大0 S F領 域係爲所發生缺陷，其所代表者爲錯位群（L E P )或位 錯環圏。 再者，雖然氮以高溫製作安定的氧析出核一事係爲人 所知（1 9 9 9年春季於日本舉辦第4 6次應用物理關係 聯合演講會，演講稿集Ν ο · 1，p . 4 6 1，2 9 a — Z B - 5 ,相原氏等），但由低溫構成析出核一點也不可 預，由低溫熱處理構成氧析出核之促進係有不可期待之問 題點。 〔發明之揭示〕 本發明係爲解決有關問題點而予以硏發，內部成長缺 陷少，同時將I G能力高之矽單結晶，以高速使成長係爲 可能開發矽單結晶成長技術，提供在結晶全面N -領域內 I G能力高矽晶圓，或具有優越之結晶性與I G能力之磊 晶晶圓，退火晶圓爲主要目的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明爲解決上述課題，依據切克勞斯基法（ Czochralski;CZ)成長砂單結晶之際，摻雜碳，邊將V/G (V :提拉結晶速度，G :於結晶固液界面之結晶軸方向 溫度梯度）抑制於結晶全面而成爲N -領域，邊將提拉結 晶爲其特徵係爲矽單結晶之製造方法。 如此藉由摻雜碳將N -領域之單結晶比非摻雜碳之情 形還可提升高速，並內部生長無缺陷之矽單結晶可謀求提 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 503465 A7 B7 五、發明説明（6 ) 高生產率與降低成本。 此情形，長成c Z矽單結晶時，既可摻雜碳又可摻雜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氮。 若如此既可摻雜碳又可摻雜氮，因可成爲N-領域既 可使上昇提拉速度又可使擴大N -領域，故結晶全面可同 時使提高N -領域之矽單結晶之生產率與收率（合格率） 〇

而且此情形，摻雜碳濃度以0 · 1 P P m a以上，V /G 在 0 · 183 〜0 · 177mm2/K*min 之範圍 內宜爲邊抑制邊提拉。 若如此，越更加安定以高速可確實製造結晶全面N - 領域之矽單結晶。 而且對本發明有關矽晶圓之製造方法，如上述方法予 以製造矽單結晶經加工爲晶圓後，於6 0 0〜1 0 0 0 °C 之溫度施予熱處理爲其特徵。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此將摻雜碳，碳與氮之單結晶加工於晶圓，若施予 6 0 0〜10 0 〇°C熱處理，因此於晶圓予以摻雜碳，予 以促進表體部在低溫形成氧析出核，表面係全面N -領域 之晶圓，以晶圓面內可製造具有高水準I G能力之晶圓。 又本發明之砂晶圓，含有碳0 · lppma以上，係 由全面N-領域而成者。 如此，藉由含有碳0 · 1 P p m a以上，以低溫安定 的增加氧析出核，全面既係N -領域，又充分具有之I g 能力而成矽晶圓。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 503465 A7 B7 五、發明説明（7 ) 此情形，本發明之矽晶圓，宜爲含有氮1 X 1 0 1 3個 / c m以上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此，藉有不論含有氮，也含有碳，若以適度的氧濃 度，無論在高溫熱處理，無論在低溫熱處理具有充充高密 度之BMD，而成I G能力之極咼5夕晶圓。 而且本發明係有關磊晶晶圓之製造方法，成長CZ矽 單結晶時摻雜碳及氮被提拉由c Z矽單結晶予以製作於矽 晶圓表面形成磊晶層對於矽磊晶晶圓之製造方法，c Z矽 單結晶之碳濃度，氮濃度，氧濃度各各係0 · 1〜1 ppma，lxlO13 〜lxlO14 個/ cm3，15 〜 25ppma，又各各成爲 1 〜3ppma，lxlQ14 〜5 x 1 0 1 5個/ c m 3，將提拉C Z矽單結晶爲其特徵 〇 如此，雖欲得成爲磊晶晶圓之基板的矽晶圓。若摻雜 碳，氮及氧至成爲上述規定內之碳，氮，氧濃度並提拉單 結晶時，加工此物並具有充分之I G能力，於無2次缺陷 之矽晶圓上可形成磊晶層，並可易得高品質之磊晶晶圓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，與本發明有關的磊晶晶圓，成長C Z矽單結晶 時，摻雜碳及氮被提拉由C Z矽單結晶予以製作於矽晶圓 表面形成磊晶層係爲矽磊晶晶圓，矽晶圓中之碳濃度，氮 濃度，氧濃度各各係0 · 1〜lppma，1X1013〜 lxlO14 個/cm3，15 〜25ppma 又各各係 1 〜3ppma，lxlO14 〜5xl〇15 個/ cm3， 1 0〜1 5ppma爲其特徵。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 503465 A7 _ B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述規定値內抑制碳濃度，氮濃度，氧濃度之矽晶圓 作爲基板，形成磊晶層之磊晶晶圓，對於基板因2次無缺 陷予以形成上述嘉晶層之具有優越之結晶性及具有局IG 能力並係爲極高品質之磊晶晶圓。 加以與本發明有關的退火晶圓之製造方法，成長C Z 矽單結晶時，摻雜碳及氮被提拉由C Z矽單結晶予以製作 由C Z矽單結晶進行熱處理，於c Z矽晶圓之表層部形成 無缺陷層，表體部具有lxl 09個/ cm3以上之氧析出 物製造退火晶圓之際，爲矽單結晶之碳濃度，氮濃度，氧 濃度各各係成爲0 · 1〜lppma，lxlO13〜lx 1014個/cm3，15〜25ppma，或各各係成爲 1 〜3ppma，lxl〇14 〜5xl015 個/ cm3, 10〜15??1113，提拉02矽單結晶一事係爲其特徵 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此成爲原來之退火晶圓欲得砂晶圓，上述規定內如 成爲碳，氮，氧濃度，依C Z法摻雜碳及氮若提拉單結晶 ，可易得具有充分之BMD密度與未發生2次缺陷之退化 晶圓。 而且本發明有關退火晶圓之碳濃度，氮濃度，氧濃度 各各係 0·1 〜lppma, lxl〇13 〜1X1014 個 / cm3，15 〜5ppma，或各各係 1 〜3ppma， 1X1014 〜25X1015 個/ cm3，10 〜15 P P m a，於C Z矽單結晶施予熱處理係退火晶圓，表體 部之BMD密度係1 X 1 〇9個/ cm3以上爲其特徵。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 503465 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此，上述規定値內抑制碳濃度，氮濃度，氧濃度對 於矽單結晶施予熱處理製作退火晶圓，既具有充分高密度 之BMD與具有高I G能力，又於晶圓表面少缺陷，也無 2次缺陷具有優越之結晶性，係局品質之退火晶圓。 如以上若依本發明，面內全面N -領域既無發生2次 缺陷，又具有高I G能力，可以高速提拉單結晶。因而， 既可謀求提升這種C Z矽單結晶之生產率與收率，又可大 幅度減低生產成本。 又結晶位置或不依存被測試裝置過程，因而可得安定 氧析出，所氧析出物密度，所以氧析出物密度之差異少可 得安定具有吸氣能力之C Z矽晶圓。再者如本發明之碳， 氮，氧濃度，藉以製作適當範圍之C Z矽晶圓，其表面進 行高溫之磊晶成長，亦非消滅氧析出，而可製造優越的結 晶性，高I G能力之磊晶晶圓。相同地若施予以此的C Z 矽晶圓熱處理，形成表層部無缺陷層，對於表體部具有充 分高密度之BMD可製造退火晶圓，並作爲高度累積裝置 用係爲極有用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔爲實施發明之最佳形態〕 以下，雖可更詳細說明本發明之實施形態。但本發明 並非受此所限定。 本發明人等，爲使促進表體部之氧析出不只摻雜氮， 並爲表達創造構想摻雜碳，對此經調查檢討過。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 503465 A7 B7__ 五、發明説明（12 ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 施予1小時之熱處理使促進形成氧析出核後，施予熱處理 800 t：/4Hr + l 00°C/1 6Hr將氧析出使成長 ，依據〇PD (Optical Precipitate Profiler)法觀察時，對 於晶圓全面以lxl 09個/ cm3以上之密度，BMD存 在於表體中。 (關於晶晶晶圓） 其次，關於磊晶成長用之矽晶圓，調查對於摻雜碳與 氮情形之B M D密度影響，經實驗過。 氮密度如超過lxlOxlO14個/cm3，0SF 領域之擴大越大，又爲LED亦易發生，首先將氮濃度成 爲5xl〇13時摻雜，將碳成爲0 · lppma時摻雜， 將結晶提拉。而且由該結晶製作晶圓，施予8 0 0 °C / 4 Hr + l〇〇〇°C/16Hr之熱處理，將氧析出物顯在 化後將B D Μ密度依據Ο P P法評價。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 結果，晶圓中之初期晶格間氧濃度之依存性較強，不 在15ppma (日本電子工業振興協會（JEIDA) 標準）以上者，BMD密度不發生在1〇9之台數，但是， 該氮濃度（5X1013個/cm3)，依摻雜氮2次缺陷 幾乎不發生，且因高溫（ 1 000 °C以上）安定之氧析出 核予以形成，即使進行高溫之磊晶成長氧析出核亦不能消 滅。因而，如此氧濃度5 X 1 0 1 3個/ c m 3，即使碳濃 度係低濃度，若初期晶格間氧濃度1 5 p p m a以上，充 分之BMD密度再2次缺陷不發生也能得磊晶成長用之矽 ^氏張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -15 - 503465 A7 B7 五、發明説明（13) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶圓。若氧濃度爲15ppma以上，氮濃度1X1013 以上雖然能得必要充分之B M D密度，但氧濃度如超過 2 5 ppma，成爲析出過多，因會使晶圓強度受到影響 ，宜爲2 5 p pm a以下。況且，由於碳爲使氧析出效果 提高，於磊晶成長前加上6 0 0〜1 0 0 〇°C之程度低溫 熱處理爲宜。 接著爲使用氮高濃度（1 X 1 014個/cm3以上） ，降低初期晶格間氧濃度而製作樣本。如此氮濃度即使較 高若降低氧濃度未滿1 5 p P m a雖然可抑制2次缺陷之 發生，但實際上氧析出成爲不易產生結果（BMD密度< 1X109 個/ cm3)。 在此，碳濃度提拉至1 · Oppma。這一來即使氧 濃度在12ppma所謂低氧，8 0 0°C/4Hr + 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 000 t：/16Hr後之BMD密度，109台前事之數 亦存在。總之，此種組合（氮濃度1 X 1 0 1 4個/ c m 3 ，碳濃度1 · 0 p P m a )之情形，初期氧濃度若爲低氧 不發生2次缺陷，而且可得高BD密度。但是，碳濃度如 超過3 p p m a因要顧慮使製作裝置特性受到惡影響，故 碳濃度3 p pm a以爲宜。又爲得充分之BMD之氧濃度 ，係有必要1 0 p p m a以上。關於氮濃度爲使不可妨礙 提拉結晶之單結晶化，宜爲5 X 1 0 1 5個/ c m 3以下。 此情形亦依碳爲提高氧析出效果，磊晶成長前加以6 0 〇 〜1 0 0 Ot程度之低溫熱處理爲宜。

此對於低碳濃度（0 · 1 p p m )及高氮濃度1 X 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 16- 503465 A7 B7 五、發明説明（14) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 0 1 4個/ c m 3之結晶，爲得充分之B M D密度（1 〇 台）爲使不降低初期氧濃度未滿1 5 p p m a，總結發生 2次缺陷之結果。 而且，高碳濃度（1 · Oppma)及低氮濃度（5 X 1 0 1 3個/ c m 3 )之情形，關於得到B M D密度，由 於高碳濃度之影響因初段熱處理之依存性過強而超過，所 以初段之熱處理溫度還高而B M D密度之偏差就形成越大 。因而，畢竟還是期待氮在某程度高摻雜在高溫形成安定 之氧析出核。 如上述，在某程度以上之氮由於加以（例如1 X 1014個/cm3)，依碳單獨爲初段熱處理溫度依存性 較弱，由於初段之熱處理溫度B M D密度之偏差較少。不 過，如通過過高溫之過程熱處理，由於碳析出促進效果大 幅度衰弱下來。此時，爲得高B M D密度之作爲磊晶步驟 之溫度，可說期待係低溫（1 0 0 0 t以下）。 相同磊晶步驟之前或其後加以低溫熱處理方面，爲形 成爭i析出核之成長或新析出核，此此後之嘉晶成長或其他 之被測試裝置過程中之B M D密度升高。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 而且，磊晶前或其後所加上作爲熱處理，如此不限於 低溫熱處理，依據所謂I G熱處理（例如，初段內含有 1 1 0 0°C以上之高溫熱處理者）或RAT裝置（Rapid Thermal Annealer ;急速加熱，急速冷卻裝置），亦可適用 高溫短時間之熱處理。若進行此等之熱處理過程，於晶圓 表面亦因可能減低發生2次缺陷，所以選擇碳，氮及氧之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 17- 503465 A7 B7 五、發明説明（15) 濃度在廣泛範圍可得到效果。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (關於退火晶圓） 最後調查，實驗摻雜碳與氮之結晶會影響到退火晶圓 〇 甚至退火晶圓之情形，基本上對於上述之磊晶成長用 矽晶圓之調查與相同的，將低碳+低氮+高氧及高碳+高 氮+低氧組合抑制高B M D密度及2次缺陷係非常有效。 又亦發生於晶圓表面之2次缺陷，依退火爲亦可能使消滅 該2次缺陷，與所謂直接進行磊晶成長不同，即使低碳+ 高氮+高氧及高碳+高氮+高氧組合，亦具有充分高密度 之B M D，得知退火晶圓於晶圓表面以缺陷。再者，若以 此種退火晶圓時，形成磊晶層，於該層亦不會體發生缺陷 ，亦得知充分之B M D密度。 尙且，爲使碳之特性有效地利用，邊加以低溫熱處理 ，邊由抑制退火中之升溫速度5 °C / m i η以下，亦可使 增加析出核，由而，可確保以8 0 0 °C / 4 H r + 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 00 (KC/l 6Hr後之觀察由1 09台後半至1 〇1Q 台之B M D密度。 如以上所述，藉由摻雜兩方碳與氮，因可將碳與氮之 各各缺點消失，對於各種被測試裝置製程中，均較吸有碳 唯有氮好，並可移動充分之BMD速度。 表1，係就磊晶晶圓與退火晶圓所用的氮與碳經予摻 雜的晶圓進行上述實驗結果予以彙整而成者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 503465 A7 B7 五、發明説明（16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I撇 高（l.Oppma) 摩 寸 T—Η W 岖 高 ^ 15ppma 發生 大 ^ lE9/cm3 不適合 適合 (依退火2 次缺陷消滅 可） 低 <15ppma 不發生 大 ^ lE9/cm3 適合 適合 CO a 摩 CO r-H W g 高 ^ 15ppma 不發生 熱處理依存 性大 低溫熱處理 追加適合 礮<jn 疲餵 ^ m 逞郵 低 <15ppma 不發生 熱處理依存 性大 低溫熱處理 追加適合 疲餵 _运 低(O.lppma) cO 寸 i...........< W ，..............i 岖 高 ^ 15ppma 發生 大 ^ lE9/cm3 不適合 適合 (依退火2 次缺陷消減 可） 低 <15ppma 不發生 小 <lE9/cm3 不適合 不適合 cO 摩 CO r-H pq tn 擊 高 ^ 15ppma 不發生 大 ^ lE9/cm3 適合 適合 低 <15ppma 不發生 小 <lE9/cm3 不適合 不適合 碳濃度 氮濃度 氧濃度 2次缺陷 B MD 密度 嘉晶成長用 退火用 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 19- 503465 A 7 B7 五、發明説明（17) 尙且，本發明，於本發明實施形態並未予以受限。上 述實施形態，係有例示，本發明之申請專利範圍予以記載 技術的思想與實質上具有同一構成，同樣作用效果係有奏 效，既使怎樣的亦予以包含本發明之技術範圍。 例如，於上述實施形態，關於培養直徑8英寸之矽單 結晶情形雖然舉例說明，但本發明對此並不受限，要是直 徑6英寸以下，直徑1〇〜16英寸或其以上之矽單結晶 也可適用。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20-

Claims (1)

1. 7.503465 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 第90108820號專利申請案 中文.申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國9 1年7月修正 1 · 一種矽單結晶之製造方法，其特徵爲，依據切克 勞斯基法（Czochralski;CZ)法育成矽單結晶之時，摻雜碳 ，並於將V / G ( V :結晶.提拉速度，G :於結晶固液界 面結晶軸方向之溫度梯度）抑制於結晶全面成爲不存在空 隙起因之FPD·、LSTD、COP、位錯環圈超因之 LSEPD、LFPD、OSF之N —領域的同時，一倂 提拉結晶。 2 ·如申請專利範圍第1項之砂單結晶之製造方法， 其中，於前述C Z矽單結晶育成時，摻雜碳的同時並摻雜 氮。 1 ί 3 ·如申請專利範圍第1項之矽單結晶之製造方法， 其中，將前述摻雜之碳濃度設定爲0 · 1 p p m a以上， 於將 V / G 抑制在 0 · 1 8 3 〜0 · 1 7 7 m m 2 / K · m i η之範圍內，邊提拉著。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 .如申請專利範圍第2項之矽單結晶之製造方法， 其中，前述摻雜碳濃度以0 · 1 ρ P m a以上，邊抑制ν / G 在 〇 · 1 8 3 〜0 . 1 7 7 ni m 广 / K · in 土 1Ί 之範圍 內，邊提拉著。 5 . —種矽晶圓之製造方法，其特徵爲，於將申請專 利範圍第1項至第4項中任何1項之製造方法製得之矽單 結晶加工於晶圓後，在6 0 0〜1 〇 0 °C之溫度施予熱處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 503465 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 理者。 6 · —種矽晶圓，.其特徵爲含有濃度爲〇 · 1 ppm a以上的碳，且由全面N —領域而成者。 7 ·如申請專利範圍第6項之矽晶圓，其中，含有^ X 1 0 1 3個/ c m 3以上之氮。 8 · —種矽磊晶晶圓之.製造方法，其爲：對於育成 C Z矽單結晶時，於拉提摻雜碳及氮之c Z矽單結晶所_ 得之矽晶圓表面上形成磊晶層之矽磊晶晶圓之製造方法， 其特徵爲，前述C Z矽單結晶之碳濃度、氮濃度、氧禳度 各係 0 · 1 〜Ippma，lx 1〇13 〜lx l〇i4 個^ cm3, 15〜25??1118或，各係1〜3??1118，j xl014〜5xl01”ii/cm3，10〜15ppina 之方式提拉前述C Z矽單結晶。 9 . 一種矽磊晶晶圓之製造方法，其爲：於申請專利 範圍第8項之係矽磊晶晶圓之製造方法中，以前述C Z矽 單結晶不發生2次缺陷下予以提拉。 1 0 · —種矽磊晶晶圓，其爲：對於育成C Z矽單結 晶時，於提拉摻雜碳及氮之C Z矽單結晶所製得之矽晶圓 表面上形成磊晶層之矽磊晶晶圓中，前述矽晶圓中之碳濃 度、氮濃度、氧濃度各係0 . 1〜1 P P m a，1 X 1013 〜lx 1〇14 個/ cm3，15 〜25ppma 或 ，各係1〜3ppma， 1父1014〜5乂1015個/ c m 3 與 1 0 〜1 5 P P m a 〇 ’ 1 1 · 一種矽磊晶晶圓，其爲：如申請專利範圍第 - ................................................................ _ ·—— .....................- —' C請先閱讀背面之注意事^再填寫本頁j

   本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -2 - 503465 A8 B8 C8 D8 % 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 、 1 〇項之政嘉晶晶圓，其特 由c Z矽單結晶製得之矽晶圓ΐ胃'未發生2次缺陷者 1 2 · —種退火晶圓之製造方法，其爲： 對於育成C Ζ矽單結晶時，於拉提摻雜碳及氮之c Ζ 矽單結晶予以製得之C Ζ矽晶圓上進行熱處理，使該C Ζ 矽晶圓之表層部形成無缺陷層，且於表體部具有1 X 1 〇 9 個/ c m 3以上之氧析出物之退火晶圓之製造方法中，其特 徵爲，前述C Z‘矽單結晶之碳濃度、氮濃度、氧濃度各爲 係 0·1 〜Ippma，lxlO13 〜lxl〇14 個 / cm3, 1 5 〜2 5 ρ ρ m a 或，各爲係 1 〜3 P P m a， 1父1014〜5><1015個/〇1113，10 〜15 Ρ P ill a之方式提拉前述C Z矽單結晶。 ： 1 3 . —種退火晶圓之製造方法，其爲：於申請專利 範圍第1 2項之退火晶圓之製造方法中，其特徴爲，以前 述C Ζ矽單結不發生2次缺陷下予以提拉。 14 . 一種退火晶圓，其爲：於碳濃度、氮濃度、氧 濃度各係 0.1 〜lppma，lxlO13 〜lxlO14 個/ c m 3，1 5 〜2 5 Ρ P m a，或各係 1 〜3 ρ ρ m a ，lxlO14 〜5xl015 個/ cm3，10 〜15 Ρ P m之C Z矽晶圓施予熱處理之退火晶圓，笋特徵爲， 表體部之B M D密度係1 X 1 0 9個/ c m 3以上。 1 5 · —種退火晶圓，其爲如申請專利範圍第1 4項 之退火晶圓，其特徵爲，晶圓未發生2次缺陷者 述摻雜氮而被提拉之 本紙張尺度適用t國國家操準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁}