TW494584B - White organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency - Google Patents
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494584 A7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明關於產生白光之有機發光裝置(OLED)。 一種OLED裝置包含一個基材、一個陽極、一個有機化合 物製成的電洞傳遞層、一個含有適當摻雜物之有機發光層 、一個有機電子傳遞層及一個陰極。OLED裝置因其低驅動 電壓、高放光、視角寬廣及用於全彩平面發射顯示器的能 力而吸引人。此多層OLED裝置係描述於US-A-4,769,292及 US-A-4,885,21 1。 對數種應用如LCD顯示器中的紙薄光源背景光、汽車頂 燈及辦公室照明而言,有效產生白光之OLED裝置被視爲低 成本的替代物。產生白光的OLED裝置應是光亮、有效率的 且一般具有約(〇.33, 〇·33)之國際d,Eclairage(CIE)委員會色 度座標。依據此發現,在任何情況下,白光是使用者可察 覺具有白色的光。 下列專利及發表揭示可放出白光之有機OLED裝置的製備 ,其中該OLED裝置包含***一對電極中之一個電洞傳遞層 及一個有機發光層。 US-A-5,683,823中曾報導過產生白光之OLED裝置,其中 發光層包含一種均勻塗佈在主發射材料上之紅及藍光發射 材料。此裝置具有極佳電致發光特徵,但紅及藍色摻雜物 的濃度非常小,如佔主材料之0.12%及0.25%。這些濃度在 大規模製造過程中不易控制。 JP 07,142,169中Sato及其他人揭示一種可發出白光之 OLED裝置,其係由將一個藍光發射層置於該電洞傳遞層上 ,接著放上一個綠光發射層而製得,其中該綠光發射層具 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(2 ) 有一個含有紅色螢光層之區域。
Kido及其他人在科學,第267卷,m2頁( 1995)及APL, 第64卷,815頁(1994)中發表一種產生白光的OLED裝置。 在此裝置中,使用三個具有不同載體傳送性質之發射體層 以產生白光,其中這三個發射體層各放出藍、綠及紅光。 US-A-5,405,709揭示另一種白光發射裝置,其可放出白光 以回應電洞-電子再結合,並且包含一可見光範圍從藍綠至 紅色之榮光。 近來,DeshpADNe及其他人在應用物理信函’第7 5卷’ 888頁(1999)發表利用以電洞阻擋層分隔之紅、藍及綠發光 層的白OLED裝置。 但是,這些OLED裝置需要極少量之摻雜物濃度,使大規 模製造時此程序不易控制。而且放出顏色因摻雜物濃度之 微小變化而不同。 一個本發明目的是製造一種可有效的白光發射有機裝置。 本發明另一個目的是提供一種有效且安定製造白光的 OLED裝置,其具有簡單結構且可在製造環境中複製的。 十分意外地發現具有高發光效率及操作安定性之製造白 光的OLED裝置可藉掺入黃色摻雜物於NPB電洞傳遞層並摻 入藍色摻雜物於ADN主發射層而獲得。 也發現藉摻入紅螢婦於Alq電子傳遞層及摻入藍色摻雜物 於ADN主發射層可製造白光。 此目的可藉一種實質上可產生白光之有機發光二極體 (OLED)裝置達到,其包含: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(3 a) 一個基材; b) —個置於該基材上之陽極; 個置於該陽極之電洞射出層 d) 一個置於該電洞射出層之電洞傳遞層; e) 一個直接置於該電洞傳护恳^、曰 %、n π 傅遞層上心摻有藍光發射化名 物t發光層; f) 一個置於孩藍光發射層之電子傳遞層; g) 一個置於該電子傳遞層上之陰極;^ ’ h)個選擇性接人電洞傳遞層、電子傳遞層或電子1 遞層及電洞傳遞層之區域,其中該區域相當於—整層或】 監光發射層接觸之層的—部份,該選擇性掺人係以一種、 發出位於光讀黃光區之光的化合物來進行。 此目的另外可藉一種實質上可產生白 體裝置達到,其包含: a) —個基材; 光之有機發光二極 b) 一個置於該基材上之陽極; c) 一個摻有紅螢晞化合物以放射位於光譜中黃光區之 光的電洞射出層; d) 一個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合 物之發光層; e) 一個直接置於該藍光發射層上之捧有紅營晞化合物 以放射位於光譜中黃光區之光的電子傳遞層;及 f) 一個置於該電子傳遞層上之陰極。 優點 -6 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
裝 訂
線 494584 A7 _B7______五、發明説明(4 ) 下列是本發明的特徵及優點·· 一種用於產生白光之電洞傳遞層或電子傳遞層或兩者中 具有黃色摻雜物的簡化OLED裝置;及 一種容易控制藍色及黃色摻雜物濃度之OLED裝置,因爲 掺雜物的濃度十分高(〜2% TBP及〜2%紅螢烯)。 依照本發明製得之OLED裝置可以高再現性製得,而且一 致地提供高發光效率(20毫安培/平方厘米下,5.3cd/安培) 。這些裝置具有高操作安定性而且需要低驅動電壓。 圖1描繪一種先前技術有機發光裝置; 圖2描繪另一種先前技術有機發光裝置; 圖3描繪一種製造白光的OLED裝置,其中該電洞傳遞層 摻有紅榮晞黃色掺雜物; 圖4描繪另一種製造白光的OLED裝置結構,其中該電洞 傳遞層掺有紅螢稀·黃色掺雜物; 圖5顯示E L光譜分布隨摻入電洞傳遞層之紅螢烯而變之 圖形; 圖6描繪一種製造白光的OLED裝置,其中該電子傳遞層 摻有紅螢烯黃色摻雜物; 圖7描繪另一種製造白光的OLED裝置結構,其中該電子 傳遞層摻有紅螢烯黃色掺雜物; 圖8顯示E L光譜分布隨掺入Alq電子傳遞層之紅螢烯而變 之圖形; 圖9描繪一種製造白光的OLED裝置,其中該電洞傳遞層 及電子傳遞層中掺有紅螢烯;
裝 訂
線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(5 ) 圖10描繪另一種製造白光的OLED裝置結構,其中該電洞 傳遞層及電子傳遞層中摻有紅螢烯,· 圖1 1顯示EL光譜圖,其中紅螢烯黃色摻入電洞傳送及電 子傳遞層; 圖1 2顯示三種(A )無紅螢烯及有(C ) 0.5 %紅螢晞和 (E ) 2.0 %紅螢烯摻入HTL層之裝置隨操作時間改變之相對 發光變化; 圖1 3顯示三種(Μ )無紅螢烯及有(N) 0.3 %紅螢烯和 (Q ) 2.0 %紅螢烯摻入ETL層之裝置隨操作時間改變之相對 發光變化;及 圖14顯示五種裝置:(ΑΑ)藍色裝置,(AC)0.5%摻入ETL 層,(AD)具有1 . 5 %紅螢烯摻入HTL層之白OLED ; (AE)及 (AF)具有紅螢烯摻入HTL及ETL層之白OLED裝置隨操作時 間改變之相對發光變化。 一種有機OLED裝置之慣用發光層包含一種發光或螢光材 料,其中電致發光是電子-電洞對在此區域中再結合的結果 所產生的。在構造最簡單的OLED裝置1 0 0,如圖1中所示 ,一個發光層1 4 0係夾在陽極1 2 0與陰極1 3 0之間。該發光 層140是一種具有高發光效率之純材料。一種爲人所熟知 的材料是可產生極佳綠色電致發光的參(8 -羥基喳啉)链 (Alq)。 此簡單結構可改良成如圖2中所示之三層結構,其中一個 額外的電致發光層被導入電洞與電子傳遞層之間以主要作 爲電洞-電子再結合之處並因此電致發光。就此而論’各個 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明(6 有基層的功用是不同的,因此可獨立地調整之至最佳狀態 。所以’電致發光或再結合層可經過選擇以具有所需〇LED 顏色以及高發光效率。相同地,電洞與電子傳遞層主要地 可調整其載體傳送性質至最佳狀態。這些熟諳此技者將可 了解電子傳遞層及陰極可被製成透明的,因此可幫助該裝 置透過其頂層而不透過基材照明。 移至圖2 ’ 一種有機光發光裝置2〇〇具有一個透光基材 210 ’其上置有一個透光陽極22〇。此陽極22〇包含22如及 22〇b兩層。一種有機發光結構240係形成於陽極220與陰極 2 3 0之間。此有機發光結構24〇依序包含一個有機電洞傳遞 層241、一個有機發光層242及一個有機電子傳遞層24;3。 在陽極220與陰極23 0之間施予一個電位差(未顯示出)時, 陰極將電子射入電子傳遞層243,而且該電子將移動跨越 層243至發光層242。同時,電洞從陽極22〇被射入電洞傳 遞層241。該電洞將移動跨越層241並與電子於或近電洞傳 遞層241與發光層242間所形成之接合處再結合。當移動電 子從其導電帶掉落至價層帶(valance)填入電洞中,能量以 光的方式釋放,而且其經光穿透陽極22〇及基材21〇發射。 此有機OLED裝置可被視爲是一種二極體,當陽極的電位 比陰極高時,其向前斜。有機〇1^1)裝置的陽極與陰極各可 採用任何便利的慣用形式,如us_a-4,885,21 1中所揭示各 種形式中的任一種。當利用低工作函數陰極及高工作函數 陽極實質上可降低操作電壓。較好的陰極是這些由一種工 作函數低於4· 0電子伏特之金屬與一種其他金屬,較佳係一 494584 A7 B7
種工作函數大於4.0電子伏特之金屬所構成之組合物。μ g Ο :Ag在US-A-4,885,211中構成一個較佳陰極結構物。A1 : Mg陰極在US-A-5,059,062是另一個較佳陰極結構物。 八-5,776,622揭示1^?/八1雙層在有機01^〇裝置中提高電子射 出率的用途。由Mg ·· Ag、Al : Mg或LiF/ A1所製成之陰極 是不透光的,而且無法透過陰極看見顯示物。近來,一系 列刊物(Gu及其他人在APL 68,2606[1996] ; Burrows及其 他人,J. Appl. Phys. 87,3080(2000) ; Parthasarathy及其他 人;APL 72,2138 9198 ; Parthasarathy及其他人;APL 76 ,2128[2000],APL,3209[1999])已揭示透明的陰極。陰極 係以薄半透明金屬(〜100安培)與該金屬頂面之銦-錫-氧化 物(ITO)所形成之組合物爲基礎。一種銅酞花青有機層 (CuPc)也可取代薄金屬。 慣用的陽極220a係由可導電且透明的氧化物所形成。因 氧化銦錫之透明度、良好導電度及高工作函數,故其已被 廣泛地用於作爲陽極接觸。 在一個較佳具體實例中,陽極220a可被改良成具有電洞 射出層220b 〇 透光基材210可由玻璃、石英或塑膠材料製成。 可用於形成有機OLED裝置之電洞傳遞層之較好的材料是 如US-A-4,539,507中所敎導之三級胺。另一類較好的胺是四 芳基胺。較好的四芳基胺包含兩個透過伸芳基連接之二芳 基胺基,如式(III)所示。較好的四芳基二胺包括這些下式 所代表的化合物: -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(8
At1 At2
N-L--N
At At3 (III) 其中,
Ar、Ar 、Ar及Ar係獨立地選自苯基、聯二苯基及菩 基部份, L是一個二價伸莕基部份或dn, d是一個伸苯基部份, , η是一個從1至4的整數,而且 當L是dn,Ar、Ar1、Ar2及Ar3中至少一個是莕基部份。 上述結構式(I)、(II)、(ΙΠ)及(IV)中各個烷基、伸烷基、 芳基及伸芳基邵份可各別被取代。典型的取代基包括烷基 、烷氧基、芳基、芳氧基及卣素如氟化物、氯化物及溴化 物。各個烷基及伸烷基部份一般包含從約1至6個碳原子。 環fe基邵份可包含從3至約1 〇個碳原子,但一般包含五、 六或七員環碳原子,例如環戊基、環己基及環庚基環狀結 構。當芳基及伸芳基部份無熔凝成芳族環部份時,他們最 好是苯基及伸苯基部份。 説明可用經選擇(含有已溶凝芳族環)之芳族三級胺(ATA) 於下: ΑΤΑ- 14,4 -雙[N-(l-各基)-N -苯基胺基]聯二苯基(npb) ΑΤΑ·24,4"-雙[N-(卜莕基)-N-苯基胺基]·對-聯三苯基 -11 - 本紙張尺度適财g @家鮮(CNS) A4規格(21G x 297公爱) 五、發明説明(9 ) ΑΤΑ-34, 4’-雙[N-(2-莕基)-N-苯基胺基]聯二苯基 ATA-44,4f-雙[N-(3-二氫苊基)-N-苯基胺基]聯二苯基 八丁八-51,5-雙[>^(1-莕基)-1^-苯基胺基]莕 ATA-64,4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ-74, 4"-雙[N-(l-蒽基)-N-苯基胺基]-對-聯三苯基 八丁八-84,4’-雙[>^(2-菲基)-1^苯基胺基]聯二苯基 ATA-94,4,-雙[N-(8-蒽基)·Ν-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ-10 4,4’-雙[Ν-(2-芘基)-Ν-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ- 1 1 4,4’-雙[>1-(2-稠四苯基)4-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ- 12 4,4’ -雙[Ν_(2 -二莕嵌苯基)-Ν -苯基胺基]聯二 苯基 ΑΤΑ-13 4,4’-雙[N-(1-蔻基)-Ν-苯基胺基]聯二苯基 ΑΤΑ-14 2,6-雙[二-對-曱苯基胺基]莕 ΑΤΑ- 15 2,6 -雙[二-(1-莕基)胺基]莕 ΑΤΑ- 16 2,6-雙[N-(l-苏基)-Ν-(2-莕基)-胺基]苯 ΑΤΑ_ 17 Ν,Ν,Ν’,Ν、四(2-莕基)-4,4,,-二-胺基-對-聯三 苯基 ΑΤΑ-18 4,4’-雙{Ν -苯基-N-[4-(l -莕基)-苯基]•胺基} 聯二苯基 ΑΤΑ- 1 9 4,4 -雙[Ν -表基-Ν-(2 -比基)胺基]聯二苯基 ΑΤΑ-2 0 2,6-雙[Ν,Ν-二(2-莕基)胺基]芴 ΑΤΑ-2 1 1,5-雙[>1-(1-莕基)*^-苯基胺基]莕 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)
A7 B7 (10 ) 五、發明説明
可用於形成本發明有機OLED裝置之電子傳遞層之較好的 材料是金屬鉗合8 -經基4淋型的(oxinoid)化合物,包括如 US-A-4,885,211中所揭tf之8 -每基p奎p林(也普遍相當於8 - 口奎 啉醇(quinolinol)或8-羥基喳啉)本身的錯合物。此類化合物 主現咼度性能並容易製成薄層形態。此電子傳遞層也可由 -13-
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五、發明説明(n ) '―" US-A-5,683,823中所揭示之樸啉化合物製得。可用的樸啉 化合物之極佳實例是無金屬酞花青及含金屬的酞花青。可 用的樸啉化合物之説明性實例是銅酞花青(CuPc)。 一個發光層之較佳具體實例係由掺有螢光染料之主材料 所組成的。利用此方法,可建造高度有效的E L裝置。同時 ’ E L裝置的顏色可利用普通主材料中不同放射波長之螢光 染料作調整。已渡讓US-A-4,769,292極詳細地描述此摻雜 物結構用於利用Alq作爲主材料之el裝置。 已渡讓US-A-5,935,721極詳細地描述此摻雜物結構用於利 用9, 10-二-(2-莕基)蒽(ADN)衍生物作爲主材料之發藍光 OLED裝置。
本發明藍光發射層之較佳主材料包括: a) ADN
;或
b) 第三丁基ADN
-14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNs) A4規格(210X297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(12 ) 下列是欲用於實施本發明之藍色螢光掺雜物的名單。 i) 二莕嵌苯
ii) 2,5,8,11-四·第三丁基二莕嵌苯
;及 i i i)其他共耗苯環型的如
在發射層中用於作爲黃色摻雜物之較佳材料是紅螢烯類 的材料。這些是含有多環苯型發色單位之烴化合物。 Hamada及其他人發表在應用物理信函,第75卷,1682頁 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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及其各種操作參數之圖形 發明及其優點。 進一步以下列特定實例説明本 移至圖3,-種有機白發光裝置3⑽具有一個透光基材 210其上置有與圖2中所示相同之透光陽極。一種有 機白發光、,構3 4 0係形成於陽極2 2 〇與陰極2 3 〇之間。此有 機發光結構340依序包含一個摻有紅螢烯黃色掺雜物之有 機電洞傳遞層34U。一個有機發光層3 42是藍光發射層, 其包含ADN王材料及τΒΡ摻雜物。一個有機電子傳遞層343 係由Alq所製成的。 圖4描緣一種有機白發光〇led裝置4〇〇,其具有一個類 似於圖3中有機多層結構34〇所示之有機多層結構44〇,除 了有機電洞傳遞層係由兩層,未摻雜質之Npb所製成的層 3 4 1及摻有紅螢烯黃色摻雜物之層341a所组成的之外。 實例1 依下列方式建造一個OLED裝置: 相繼將塗有8 0毫微米ITO之基材置於商用清潔劑中以超 音波清洗,以去離子水清洗之並在甲苯蒸汽中去氣。以氧 電漿處理這些基材約1分鐘並藉電漿協助CHF3沈積塗上1毫 微米碳氟化合物。使用相同程序以製備所有本發明所描述 之其他裝置。 將這些基材裝入有機層及陰極沈積之沈積室中。 裝置A係藉依序沈積150毫微米NPB電洞傳遞層(HTL)、 20毫微米包含ADN主材料與1.5% TBP藍色摻雜物之藍色 發射層(£1^1〇、37.5毫微米八19電子傳遞層01^),然後〇.5
裝 訂
線 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 ____ B7 五、發明説明(15 ) 毫微米LiF及200毫微米A1作爲陰極一部份所製得。上述順 序完成OLED裝置之沈積。 然後在充滿氮氣之乾燥手套箱中密封地封裝此〇LED裝置 以保護之以防周遭環境之損害。用於製備這些〇Led裝置之 ITO式樣化基材包含數種測試圖案。測試各裝置之電流電位 特徵及電致發光量。 依照與裝置A相同之順序製備裝置b、C、D、E及F,除 了 1 5 0耄微米NPB電洞傳遞層分別摻有不同量之紅螢晞濃度 :(B ) 0.3 % ’ ♦( C ) 0.5 %,( D ) 1 %,( E) 2 % 及(F) 5 %。發現 裝置A在電致發光光譜之藍光區有放射光,同時由裝置b至 C發出的放射光係朝藍-白色變化。裝置〇及e具有白放射光 ’同時由裝置F發出的放射光朝白橘偏移。因此,在npb電 洞傳遞層中適當的紅螢烯濃度下可製造白色光。 圖5顯示這些裝置a至F之EL光譜,其中電洞傳遞NPB層 中紅螢晞的濃度係從〇增加至5 %。此藍色發射層係由掺有 1 · 5 % TBP之ADN主材料所組成的。當紅螢烯的濃度係約 1.5-2%時,可獲得CIE座標爲(0.33, 0.38)之白色且發光效 率大於4.2 cd/安培@20毫安培/平方厘米。因此,可使用 濃度極高的紅螢烯黃色摻雜物及TBP藍色摻入物。裝置a至 F之發光效率及CIE座標隨紅螢烯濃度變化情形係表示於表 1中。裝置D的發光量在20毫安培/平方厘米電流密度下是 4.3 cd/安培而且CIE x,y之顏色色度座標=0 33,0 38。這是 一項本發明重要特徵,其中將紅螢烯摻入鄰接藍光發射層 之NPB電洞傳遞層可產生白光〇LED。 -18- 494584 A7 B7 五、發明説明(16 ) 發現爲獲得白光: ,鄰接藍光發射層之NPB電洞傳遞層中 紅螢烯黃色摻入區域的厚度可如約2毫微米般薄。依照圖4 中所示裝置結構可製得數種裝置。未摻雜質之NPB電洞傳 遞層341及摻有紅螢晞之NPB電洞傳遞層341 a的厚度分別在 120至150毫微米及30至0毫微米間變化以尋找摻有紅螢烯 之HTL層的厚度。 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 Α7 Β7 五、發明説明ς α η οα > 裝置 編號 > 150毫微米ΝΡΒ+5%紅 螢烯 150毫微米NPB+2%紅 螢烯 150毫微米ΝΡΒ+1%紅 螢晞 150 毫微米ΝΡΒ+0.5% 紅螢晞 150 毫微米NPB+0.3% 紅榮烯 150毫微米NPB ί 電洞傳遞層 塔紅螢烯摻入HTL層所獲得白OLED的電致發光特徵 20 毫微米 ADN+1.5%TBP 20 毫微米 ADN+1.5%TBP 1 20毫微米 ADN+1.5%TBP 20 毫微米 ADN+1.5%TBP 20 毫微米 ADN+1.5%TBP i20毫微米 ADN+1.5%TBP 藍光發射層 35毫微米Alq 35毫微米Alq 35毫微米Alq 35毫微米Alq 35毫微米Alq 35毫微米Alq 1 電子傳遞層 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 1 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 陰極 〇〇 Lh 〇〇 oo Lo oo NJ oo oo bo 驅動電壓 (伏特) 3.96 4.29 4.22 1 3.69 1 3.61 2.88 發光量 (cd/安培) 0.422 0.383 0.328 0.267 0.245 0.166 1 ί 1- CIEx 0.443 0.421 0.385 0.34 0.324 0.253 CIEy 1- 白-橘 藍-白 顏色 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) A7 _____B7 五、發明説明(18 ) 也發現如下列實例2所説明般,NPB電洞傳遞層341a中摻 有紅螢晞的區域應與藍光發射層3 4 2緊密接觸以獲得高效 率製造白光的OLED裝置。 實例2 OLED裝置G、Η、I、J、κ、L·係藉***一個未摻雜質的 ΝΡΒ於摻有紅螢晞之ΝΡΒ電洞傳遞層34u與藍光發射層342 之間而製得。 表2顯不當未摻雜質之NPB的厚度在〇與3 〇毫微米間變化 時,這些裝置的顏色座標及發光效率的變化。當未摻雜質 的區域厚度超過2¾爲米時,發光效率快速降低。進一步增 加未摻雜質之NPB的厚度至超過1 〇毫微米只產生藍色,指 示發射變得侷限在藍發射層。 發現一個可產生白光之QLED也可藉將黃色紅螢烯摻雜物 摻入鄰接藍光發射層之Alq電子傳遞層中而製得。圖6顯示 一個有機白發光OLED裝置600。層數係與對應圖3相同。 一個有機白發光結構6 4 0係形成於陽極2 2 〇與陰極2 3 〇之間 。此有機白發光結構6 4 0依序包含一個有機電洞傳遞層3 4 j 、一個有機發光層342及一個有機電子傳遞層343a,其中 該有機發光層342是含有ADN主材料及TBP摻雜物之藍光發 射層,而且該有機電子傳遞層343a係由Alq所製成的並摻有 紅螢缔黃色摻雜物。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明( r «-Η X o 翁辩 ^ H K) 部 > 雖 尊 δ *-d ω 3 米g ω # i米 ft ζ ^ 鵰5 vL u> 專Ο 蘀 褰S vu LO 5 » s赛 i洙 ^ s 丄U) 尊〇 蘀二 Xl·. o 5 » 土米 ω 马> $奋 ^ C5 專〇 寒:: -V ^ 5 ^ s赛 土米 二 § ^ C3d ^ OJ 尊〇 » 蘀二 M. 00 g # S赛 ±洙 C: Z ^ W 2 > 尊^ 槲 赛G xu 〇 5 » s^ i诈 o^ W sJL 〇J 〇 3 b|Q H—* 〇 蘀 蘀 NJ 蘀 o 蘀 V Z L ^υ 翁W ί|3碟 b|Q " 谇 S 〇 r tn U ^ » S寒 Η > ^ ω 〇 ° ^ » •二蘀 ^ g ^ ^ » ^ » 米 s g ^ ^ w 米 > ί5ί > ^ 寒 OJ Γ-. Lh 蘀 LO Γϋ KJ\ 蘀 U) S— ο州 蘀 米 "> LO !-l 寒 * ^ I ^ I 盎蘀 ^ I (ro' fty c^寒 s ° 0Q ^ 米g c? S ^ Μ s ° 〇Q # is 菡 00 σ\ 00 σ\ OO Lh 00 00 ON 00 Lh -3w 々s P 恭神 W躑 κ> bo Κ) LO LO s U) S U) •s 各 啦士 添1Φ >w^ •ο ΟΝ Η—· Ο Os ρ s ·〇 >—» 00 v〇 ο to NJ >—* o L〇 Lf\ o η w Ο •to LO Η-* Ο k> LO o •to LO OJ ο Κ〇 s o Kj OO o Lo S η Η f ★ III· 銥 C^ -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584
圖7描繪另一種有機白發光OLED裝置700之結構。此結 構係類似於圖6中所示般,除了有機多層結構7 4 〇具有一個 電子傳遞層,其中該傳遞層係由兩層,摻有紅螢烯黃色摻 雜物之Alq所製成的層343a及未摻雜質之Alq所製成的層 3 4 3所組成的。 實例3 依照圖7中所示結構製造裝置μ至R。沈積順序係與裝置 Α的順序相同,除了先沈積的2 〇毫微米Alq電子傳遞層243 a 中分別摻有不同量紅螢烯濃度··(Μ)0·0%,(Ν)0·3%, (0)0.5%,(P)l%,(Q)2%及(R)5%。接著在摻有紅螢烯 的Alq層上沈積15亳微米未摻雜質之Alq層343,使摻有紅螢 烯之Alq層與不摻之Alq層的總厚度等於37.5毫微米。發現 裝置Μ在電致發光光譜之藍光區有放射光,同時由裝置n 至0發出的放射光係朝藍-白色變化。裝置ρ、q及r具有白 放射光。因此,在Alq電子傳遞層及藍光發射層中摻入適當 濃度之紅螢烯可製造白色光。 < 圖8顯示這些裝置Μ至R之EL光譜,其中電子傳遞層中紅 螢烯的濃度係在0 - 5 %間變化。此藍色發钋層係摻入1 · 5 % ΤΒΡ至ADN主材料中。裝置p、Q、R可獲得白光,其中位 於藍光區及.黃光區的放射波峰係清晰可見的。 裝置Μ至R之發光效率及CIE座標係隨紅螢烯濃度而變並 表示於表3中。當紅螢烯的濃度係約^· 2%時,在20毫安 培/平方厘米電流密度下,裝置Ρ、Q及r的發光量爲2.9 cd/ 安培,而且CIE x,y之顏色色度座標= 0.33, 0.34。但是,這 -23·
裝 訂
線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(21 ) 些裝置的發光效率係小於這些將紅螢烯掺入NPB電洞傳遞 層所製得之裝置,如裝置D。 也發現爲獲得白光,Alq電子傳遞層343a中紅螢烯黃色摻 入區域的厚度可如約2毫微米般薄。依照圖6及圖7中所示 裝置結構可製備數種裝置。掺有紅螢烯之Alq電子傳遞層 343 a及未掺雜質之Alq電子傳遞層343的厚度係在找到近似 値與摻有紅螢烯之ETL層厚度間變化。 也發現如Alq電子傳遞層343 a中掺有紅螢烯的區域應與藍 光發射層342緊密接觸以獲得高效率製造白光的OLED裝置 。此係以下列實例4説明之。 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(22 Ο -d 〇 2 裝置 編號 許V U) nfr 雖 尊 寻 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB HTL層 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 藍光發射層 20毫微米Alq +5% 紅螢烯 20毫微米Alq +2% 紅螢晞 20毫微米Alq +1% 紅螢晞 20毫微米Alq +0.5%紅螢烯 20毫微米Alq +0.3%紅螢烯 20毫微米Alq 摻有紅螢烯%之 ETL Μ 〇 r tn ο 雄 薛 35毫微米 Alq 15毫微米 Alq 15毫微米 Alq 15毫微米 Alq 15毫微米 Alq I 15毫微米 Alq 未摻雜質之 ETL 200毫微米 MgAg 200毫微米+ MgAg i 200毫微米 j MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 1 200毫微米 ! MgAg ' 陰極 v〇 •NJ OO VO OO 驅動電壓 (伏特) h—* 'Ο VO 2.55 2.94 3.31 3.76 3.07 發光量 (cd/安培) 0.338 0.327 0.301 0.27 0.24 0.171 CIEx 0.351 0.347 0.334 | _i 0.316 o Lo 0.25 CIEy 藍-白 顏色 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 五 A7 B7 、發明説明(23 ) 實例4 OLED裝置S至X係藉***不同厚度之未掺雜質的Alq於藍 光發射層342與摻有紅營烯之Alq層34 la之間而製得。表4顯 示這些裝置的顏色座標及發光效率變化,其中未掺雜質之 Alq的厚度係從0變化至1 〇毫微米。當未摻雜質區的厚度超 過5毫微米時,發光效率快速降低。進一步增加未捧雜質之 Alq的厚度至大於10毫微米,結果只從藍光發射層放出藍色。 本發明另一項重要特徵是白光可藉一個摻入紅螢烯於 NPB電洞傳遞層34la及Alq電子傳遞層343a與藍光發射層342 所製成之OLED製造。與這些藉摻入紅螢烯於電洞傳遞層或 電子傳遞層所形成之裝置相比,這些裝置具有顯著較高的 發光量及較高操作安定性。 圖9顯示一個有機白發光OLED裝置900,其中紅螢烯被摻 入電洞傳遞層34la及電子傳遞層343a。其他層的數目係與 對應圖3相同。一個有機白發光結構940係形成於陽極220與 陰極230之間。此白發光結構940係依序包含一個摻有紅螢 稀之有機電洞傳遞層341a、一個有機發光層342及一個有機 電子傳遞層343a,其中該有機發光層342是含有ADN主材料 及TBP摻雜物之藍光發射層,而且該有機電子傳遞層343a 係由Alq所製成的並摻有紅螢晞黃色摻雜物。 -26- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 裝 訂
494584 A7 B7 五、發明説明(24 ) C G Η in 裝置 编號 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 NPB 150毫微米 ΝΡΒ 150毫微米 NPB HTL層 1 瘡紅螢烯摻入ETL所獲得之白0LED 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 20 毫微米 ADN+1.5% TBP 藍光發射層 10毫 微米 5毫 微米 2毫 微米 1毫 微米 0毫 微米 0毫 微米 差蘇 5毫微米 5毫微米 5毫微米 5毫微米 5毫微米 0毫微米 捧有2%紅 螢烯之ETL Alq 20毫微米 25毫微米 28毫微米 29毫微米 30毫微米 35毫微米 未摻雜質 之ETL Alq 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 200毫微米 MgAg 陰極 Os •OJ 2 〇 ON *<1 ▲ Η—* LO NJ $ LO LO to VO Κ) On 〇〇 發光量I (cd/安培) _1 0.143 0.242 0.233 0.247 0.267 0.156 CIEx 0.184 0.295 0.303 0.313 0.321 0.254 CIEy ψ 白·藍 顏色 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 五 A7 B7 、發明説明(25 ) 圖10描繪另一種有機白發光OLED裝置1000之結構。此結 構係類似於圖9中所示般,除了有機多層結構1040具有一個 有機電洞傳遞層,其中該傳遞層係由兩層,未摻雜質之 NPB所製成的層341及摻有紅螢烯之NPB所製成的層341a所 組成的。相同地,有機電子傳遞層可由掺有紅螢晞之Alq單 層所製成,或其係由如摻有紅螢烯之Alq 343 a及未摻雜質 之Alq層343等兩層所組成的。 實例5 依照圖4、7及1 0中所示裝置結構製造裝置AA至AF。圖 11顯示裝置AF之一的EL光譜,其中紅螢烯被摻入NPB電 洞傳遞層以及鄰接藍光發射層之Alq電子傳遞層。 裝置AA至AF之發光效率及CIE座標隨紅螢烯濃度變化情 形係表示於表5中。在20毫安培/平方厘米電流密度下,裝 置AE及AF的發光量爲5.3 cd/安培,而且CIE x,y之顏色色 度座標=0.33,0.38。此發光效率係高於藉摻入紅螢烯於 NPB電洞傳遞層或Alq電子傳遞層所獲得之白OLED裝置。 在20毫安培/平方厘米之固定電流密度下操作OLED裝置 時,可藉測量驅動電壓及發光性隨時間所產生的變化發現 已封裝的OLED裝置在周遭環境中的操作安定性。藉下列本 發明不同結構所製得之白OLED裝置具有高操作安定性。圖 12至14顯示這些裝置的操作發光安定性。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
494584 A7 B7 五、發明説明(26 ) > > m > σ > Ο > CO ί 翁辩 隸N > Ul 1—· ^ Η—» ^ H— 秦带:寒 —^ — ^ ^ ^ ω ° 莓漭參' >—* ο 州 Ζ W ^-1 cyi 〇 州 赛 米 z Cd ►—» Lti 〇 州 赛 z Dd X Η Π^τ 離 尊 碟 > Ζ S 3 ί Η £ 綠 4S " Hh S I ^ ±獬 Lf\ #蘀 Η ± » lyi #蘀 π米 g - i w 1/1 #薛 Η ^ - i州 l/l #蘀 i州 Lh #蘀 -d ^ § ^ Z i » Ln #蘀 5d 醉; β|3 y ^ ·ο蘀 >蘀 •S米 ^ > 雖+ μ 州 衮 ί y w .° ^ 部g y w •o蘀 K) ^ 蘀 έ* > ^ ·Μ tn ^ 雖 尊 ►—» 蘀 H-* Lh η 米 >—» L/1 州 Η—» U\ % >—1 LT\ 州 蘀 米 »—· Lf\ 州 蘀 > > Η # r硪 ίί 〇 ^ ° 赛g ^ ° 赛^ ^ ° 寒g ^ ° 州 赛g ° 州 赛g ^ ° 强d 0Q Ln ▲ C: On On 00 'os W鰣 Lh to 4^ \j\ U) 5^ to Vi to w ΐφ ο LO ON 〇 1〇 a Ο l〇 U) O •NJ ON ·〇 oc ·〇 H-* η m X .〇 L〇 〇〇 ο U) 〇〇 ο U) οο 〇 L〇 to oo o to to v〇 〇 k> ON Ο 尽 睞 睞 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 494584 A7 _B7___ 五、發明説明(27 ) 圖12顯示在20毫安培/平方厘米電流密度下,裝置A、C 及E的相對發光性隨操作時間變化的情形。裝置A是一種藍 光裝置,反之裝置C及E係如摻入紅螢烯於NPB電洞傳遞層 之實例1中所描述般是白光裝置。裝置C及E具有優於裝置 A之操作安定性。 圖13顯示在20毫安培/平方厘米電流密度下,裝置Μ、N 及Q的操作安定性。裝置Μ是一種藍光裝置,反之裝置Ν及 Q係如掺入紅螢烯於Alq電子傳遞層之實例3中所描述般是 白光裝置。裝置N及Q的操作安定性明顯比裝置Μ高。 圖14顯示在20毫安培/平方厘米電流密度下,裝置ΑΑ、 AC、AD、ΑΕ及AF的操作安定性。這些裝置係描述於實 例5。裝置ΑΑ是一種藍光裝置。裝置AC及AD係藉分別摻 入紅螢烯於Alq電子傳遞層及ΝΡΒ電洞傳遞層所獲得之白光 裝置。裝置AE及AF也是白光裝置,除了黃色紅螢烯被摻 入NPB電洞傳遞層及Alq電子傳遞層之外。意外地,裝置 AE及AF在發光性及驅動電壓方面顯示變化最小。因此, 在五個OLED裝置中,這些裝置具有最高操作安定性。當紅 螢烯被摻入NPB電洞傳遞層以及鄰接藍光發射層之Alq電子 傳遞層時,加成作用使白OLED裝置可獲得明顯較好的操作 安定性及效率。 因此,藉摻入紅螢烯至NPB電洞傳遞層或電子傳遞層或 電洞傳遞層與電子傳遞層兩者所製得之本發明白OLED裝置 具有明顯改良之操作褪色安定性。這些OLED裝置具有較高 發光量及較低驅動電壓。這些OLED裝置可以最小的顏色座 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(28 ) 標及發光效率衰退量操作在較高電流密度下。 本發明其他特徵係包含於下。 該OLED裝置之藍色掺雜物的濃度係介於〇 . 1 - 1 〇 %主材料 之間。 該OLED裝置之電洞傳遞層的厚度係介於2 0毫微米-3 0 0 毫微米之間。 該OLED裝置之藍光發射層的厚度係介於1 〇毫微米-1 〇 〇 毫微米之間。 該OLED裝置之電子傳遞層的厚度係介於1 〇毫微米-1 5 0 毫微米之間。 該OLED裝置之陰極係選自由LiF/Al、Mg ·· Ag合金及 Al-Li合金組成之群。 該OLED裝置之陰極是透明的。 該OLED裝置之電子傳遞層是透明的。 該OLED裝置之電洞傳遞層包含一種芳族三級胺。 該OLED裝置之電子傳遞層包含參(8-羥基喹啉)鋁。 該OLED裝置之電子傳遞層包含銅自太花青化合物。 該OLED裝置之藍光發射層包含選自下歹1]化合物組成之群 的主材料:
本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(29 ) ,·及
該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之群 的藍色掺雜物: i) 二莕嵌苯
ii) 2,5,8, 11-四-第三丁基二苯嵌苯 ;及 iii) 其他共軛苯環型的如 該OLED裝置之紅螢烯化合物的濃度係介於0 . 1 - 1 0 %主材 料之間。 該OLED裝置之藍色摻雜物的濃度係介於0 . 1 - 1 0 %主材料 之間。 該OLED裝置之電洞傳遞層的厚度係介於2 0毫微米-3 00 毫微米之間。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(3q ) 該OLED裝置之藍光發射層的厚度係介於1〇毫微米-100 毫微米之間。 該OLED裝置之電子傳遞層的厚度係介於1 〇毫微米-1 5 0 毫微米之間。 該OLED裝置之陰極係選自由LiF/Al、Mg : Ag合金及 A1 - L i合金組成之群。 該OLED裝置之陰極是透明的。 該OLED裝置之電子傳遞層是透明的。 一種實質上可產生白光之有機發光二極體裝置,其包含: a) 一個基材; b) —個置於該基材上之陽極; c) 一個置於該陽極之電洞射出層; d) 一個置於該電洞射出層之電洞傳遞層; e) 一個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合 物之發光層; f) 一個直接置於該藍光發射層上之電子傳遞層,其摻有 一種化合物以放出位於光譜黃光區的光;及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 一種實質上可產生白光之有機發光二極體裝置,其包含: a) 一個基材; b) —個置於該基材上之陽極; c) 一個置於該陽極上之電洞射出層; d) —個置於該電洞射出層之電洞傳遞層; e) 一個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合物 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 494584 A7 B7 _ 一 五、發明説明(31 ) 之發光層; f) 一個直接置於該藍光發射層上之摻有紅螢晞化合物以 放出位於光譜黃光區之光的電子傳遞層;及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 該OLED裝置之電洞傳遞層包含一種芳族三級胺。 該0 L E D裝置之電子傳遞層包含參(8 -羥基喹啉)鋁。 該OLED裝置之電子傳遞層包含銅S太花青化合物。 該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之 群的主材料:
;及
該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之群 的藍色摻雜物: i) 二莕嵌苯 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(32 )
ϋ) 2,5,8, 11_四-第三丁基二苯嵌苯 ;及 iii) 其他共耗苯環型的如
該OLED裝置之紅螢烯化合物的濃度係介於〇 . 1 - 1 0 %主材 料之間。 該OLED裝置之藍色摻雜物的摻雜物濃度係介於〇. 1-10% 主材料之間。 該OLED裝置之電洞傳遞層的厚度係介於2 0毫微米-3 0 0 毫微米之間。 該OLED裝置之藍光發射層的厚度係介於10毫微米-100 毫微米之間。 該OLED裝置之電子傳遞層的厚度係介於100毫微米-150 毫微米之間。 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(33 ) 該OLED裝置之電洞傳遞層是芳族三級胺。 該OLED裝置之電子傳遞層是參(8-羥基喹啉)鋁。 該OLED裝置之電子傳遞層係由銅址花青化合物所製成。 該OLED裝置之陰極係選自由LiF/Al、Mg : Ag合金及 A1 - L i合金組成之群。 該OLED裝置之陰極是透明的。 該OLED裝置之電子傳遞層是透明的。
一種實質上可產生白光之有機發光二極體裝置,其包含: a) 一個基材; b) 一個置於該基材上之陽極·’ c) 一個置於該陽極之電洞射出層; d) —個置於該電洞射出層之電洞傳遞層,其摻有一種化 合物以放出位於光譜黃光區的光; e) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合物 之發光層;
f) 一個直接置於該藍光發射層上之電子傳遞層,其摻有 一種黃色化合物以放出位於光譜黃光區的光;及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 一種實質上可產生白光之有機發光二極體裝置,其包含: a) 一個基材; b) —個置於該基材上之陽極; c) 一個置於該陽極上之電洞射出層; d) —個摻有紅螢烯化合物以放出位於光譜黃光區之光的 電洞傳遞層; -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(34 ) e ) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化合物 之發光層; f) 一個直接置於該藍光發射層上之摻有紅勞晞化合物以 放出位於光譜黃光區之光的電子傳遞層;及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 該OLED裝置之電洞傳遞層包含一種芳族三級胺。 該OLED裝置之電子傳遞層包含參(8-羥基喹啉)鋁。 該OLED裝置之電子傳遞層包含銅酞花青化合物。 該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之群 的主材料:
該OLED裝置之藍光發射層包含選自下列化合物組成之群 的藍色摻雜物: -37- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 494584 A7 B7 五、發明説明(35 ) i) 二莕嵌苯
ii) 2,5,8, 11-四-第三丁基二莕嵌苯 ;及 i i i)其他共輛苯環型的如
該OLED裝置之紅榮少希化合物的濃度係介於0 · 1 - 1 〇 %主材 料之間。 該OLED裝置之藍色摻雜物的摻雜物濃度係介於〇 . 1 - 1 〇 % 主材料之間。 該OLED裝置之電洞傳遞層的厚度係介於2 0毫微米-3 0 0 毫微米之間。 該OLED裝置之藍光發射層的厚度係介於1 〇毫微米-1 〇 0 毫微米之間。 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 494584 A7 B7 五 、發明説明(36 ) 該OLED裝置之電子傳遞層的厚度係介於1〇〇毫微米-150 毫微米之間。 該OLED裝置之陰極係選自由LiF/Al、Mg : Ag合金及 Al-Li合金組成之群。 該OLED裝置之陰極是透明的。 該OLED裝置之電子傳遞層是透明的。 該OLED裝置另外包含一個未掺雜質之電子傳遞層,其被 置於已摻雜質之電子傳遞層上。 該OLED裝置另外包含一個未摻雜質之電子傳遞層,其被 置於已摻雜質之電子傳遞層上。 該OLED裝置另外包含一個未掺雜質之電洞傳遞層,其被 置於陽極上。 該OLED裝置另外包含一個未摻雜質之電洞傳遞層,其被 置於陽極上。 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
- A B c D 2 4 6 二種實質上可產生白光之有機發光二極體(〇led)裝置, 具包含: a) —個基材; b) —個置於該基材上之陽極; c) —個置於該陽極上之電洞射出層; d) —個置於該電洞射出層上之電洞傳遞層; e) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有一種藍光發 射化合物之發光層; f) 一個置於該藍光發射層上之電子傳遞層; g) —個置於該電子傳遞層上之陰極;及 h) —個選擇性掺入該電洞傳遞層、電子傳遞層或電 子傳遞層及電洞傳遞層之區域,其中該區域相當於一整 層或與該藍光發射層接觸之層的一部份,該選擇性摻入 係以一種可發出位於光譜黃光區之光的化合物來進行。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置,其中該黃光發射 接雜物包括一種紅螢烯(mbrene)化合物。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置,其中該電洞傳遞 層包含一種芳族三級胺。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置,其中該電子傳遞 層包含參(8-¾ 基口奎琳)銘(tris(8-hydroxy quinolinol) aluminum) 〇 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置,其中該電子傳遞 層包含銅酞花青化合物。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置,其中該藍光發射 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 線層包含選自下列化合物組成之 3王材料:及根據申請專利範圍第丨項之〇LED裝置,其_藍光發射 層包含選自下列化合物組成之群的藍色摻雜物: 0 二秦歲苯(perylene); ii) 2,5,8,11-四-第三丁基二莕嵌苯;及 iii) 其他共軛苯環型。 根據申請專利範圍第1項之OLED裝置,其中該紅螢烯化 合物的濃度係介於〇 · 1 - 1 〇 %主材料之間。 一種實質上可產生白光之有機發光二極體(OLED)裝置 ,其包含: a) —個基材; b ) —個置於該基材上之陽極; 41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 494584 8 8 8 8 A B c D 六、申請專利範圍 C ) 一個置於該陽極上之電洞射出層; .d) —個置於該電洞射出層上並掺有一種化合物以發 出位於光譜黃光區之光的電洞射出層; e) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化 合物之發光層; f) 一個置於該藍光發射層上之電子傳遞層;及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 10. —種實質上可產生白光之有機發光二極體(OLED)裝置 ,其包含: a ) —個基材; b) —個置於該基材上之陽極; c ) 一個置於該陽極上之電洞射出層; d) —個摻有紅螢烯化合物以放出位於光譜黃光區之 光的電洞傳遞層; 、 e) —個直接置於該電洞傳遞層上之摻有藍光發射化 合物之發光層; f) 一個置於該藍光發射層上之電子傳遞層;及 g) —個置於該電子傳遞層上之陰極。 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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