TW487934B - Epitaxial compound structure - Google Patents

Epitaxial compound structure Download PDF

Info

Publication number
TW487934B
TW487934B TW089125859A TW89125859A TW487934B TW 487934 B TW487934 B TW 487934B TW 089125859 A TW089125859 A TW 089125859A TW 89125859 A TW89125859 A TW 89125859A TW 487934 B TW487934 B TW 487934B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
crystal
epitaxial
perovskite
scope
Prior art date
Application number
TW089125859A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Migita
Shigeki Sakai
Original Assignee
Commerce Work Techical Directo
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commerce Work Techical Directo filed Critical Commerce Work Techical Directo
Application granted granted Critical
Publication of TW487934B publication Critical patent/TW487934B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
    • H10N60/0604—Monocrystalline substrates, e.g. epitaxial growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Description

487934 五、發明說明（1) 發明背景 本發明是有闕於具有包括氟石結曰曰 組合結構，在氟石結晶上磊曰 、’°日日、、、°日日結構的磊晶 向之簡單鈣鈦礦結晶，以及C的具有(011)方 裝置。 s此、、Ό構之鐵電裝置及超導 先前技藝之說明 具有一層鈣鈦礦結構之社曰， 質，例如，鐵電性、超導性^已知疋具有許多的性 及其他許多的裝置，已置、:超導y 高度的依賴結晶方向，具有垂 0 ^ ^些性質疋 佳的特性。❹，在鐵電材料由：=]方向者可提供最 上之極性及高壓電場是最大、在垂直於[0〇1]的方向 晶方向垂直於[001 ]的方向時，：有及在:導，料中，當結 因此’為了實現高效能裝置，需要谷：動的電流。 具有垂直於[0 0 i ]方向的薄㈣鈦礦k。努力以蟲晶成長 然而’具有-層結構的鈣鈦礦之 垂直於[GG1]方向的⑽η平面進行二維成長。結 問題在於長在基底上的薄層以（001)的方向成長，其中 [001]方向是垂直於基底表面，使其難以達成非平行於 [001]的磊晶成長，例如，垂直於[001]或在相對於[〇〇1] 的斜面上。使用多晶薄層取代磊晶成長的單晶薄層，已被 建議為克服此問題的方法。然而，這引起新的問題，在 於··不像單晶層，在多晶層中，晶粒成長的方向不是固定
五、發明說明（2) 的’結果， 中，除了標 相。使用具 特徵上顯示 本發明 層結晶結構 也可達到較 能平行於鈣 日日結構，也 的研究，發 成長之一薄 使本發明完 本發明 一結晶材料 較高的積集 每個位置的特徵都不相同。此外，在一些例子 的結晶之外，也可能混雜其他的結晶相或非晶 2 一層鈣鈦礦結構之多晶層所製造的裝置，在 變異’並且使其難以達到較高的積集度。 進行廣泛的研究及實驗，係有關於使用具有一 t鈣鈦礦，以製造可信賴的、高效能之裝置， 向的積集度。這導致以下的發現：為了在儘可 t礦結構層之[001 ]方向的基底表面上成長結 而要集中在構成基底的結晶層上。 ，在石基底上，包括以（川）方向以
二的簡早鈣鈦礦之磊晶組合結構是有效 杲的實施。 J 的目的是提供-磊晶組合結構，其可用於作為 择以製造可信賴的、高效能之裝置，也可。 度，以及使闬此結構之裝置。 一 發明概述 本發明提供一種磊晶組合結 氟石結晶I，以及一 ：2 (: “
向的簡單舞鈦礦結晶層。在既石“層上之(0U
i述的組合結構也包括在I (001)方向的氟石二广日體上遙晶成長之 晶體。 鼠石、、ΌΒ曰層。此組合結構也包括矽作為琴 本發明也提供一種磊晶組合結構 包括—（001)方向
五、發明說明（3) 的氟石結晶層，一 的簡單鈣鈇礦結曰^晶成長在氟石結晶層上之（011)方命 結晶層上之鈣鈦:二搂以及具有一磊晶成長在簡單鈣° 上述的組合-if之結晶層。 s (⑽1)方向的氟石\構曰\包括在導電晶體上為晶成長之 晶體。此組合結"33 €。此組合結構也包括矽作為導電 一鐵電材料、—知、匕括具有一層轉鈦礦結構（也就是， 明也包括含有具^ ^材料或一磁性材料）之結晶層。本發 之結晶層的鐵電梦二層鈣鈦礦結構（也就是，一鐵電材料） 就是，一超導材料）之^晶及層含的有超具導有裝 简輩i ί本^日月’藉由結合氟石結晶及簡單鈣鈦礦結晶， 間早舞鈦礦結晶可以（〇 η、的 石曰έ日人a g C ϋ 1 1 )的方向猫日日成長，可據以實施 ΐ Ό f，其可用於作為高效能的結晶材料，以製造 β =員的、高效能之裝置，也可達到較高的積集度。 本發明進一步的特徵、性質及各種優點，將從附隨的 圖不及以下的詳細說明而變得顯而易見。 圖示之簡單說明 第1圖是顯示本發明之磊晶組合結構（i)的層結構之剖 m 面圖。 第2圖是顯示本發明之磊晶組合結構（2 )及（3)的層結 構之剖面圖。 第3圖是顯示本發明之磊晶組合結構（4)的層結構之剖 面圖。
487934
第4圖是顯示本發明之蠢 構之别面圖。 晶組合結構（5 )到（9 ) 的層結 第5(a)圖是一剖面圖，顯示本發明之磊晶組合妗 (1)到（3)的結構中，在（011)方向的SrTi〇3簡單鈣鈦^
Ce〇2氟石的〇〇1)表面間的界面之晶格配位，係從的 [1 0 0 ]方向觀察；以及第5 (b)圖是從組合結構的[〇丨〇 ]方向 所顯示的剖面圖。 第6圖是一剖面圖’顯示本發明之磊晶組合結構（4 )到 (9)的結構中，在（on)方向的SrTi〇3簡單鈣鈦礦及 B h T I3 Ο”舞鈦礦結晶結構層間的界面之晶格配位，係從簡 單鈣鈦礦結晶的[丨〇 〇 ]方向觀察。 圖是本發明所使用之氣相成長裝置之解釋圖。 第8圖是本發明氣相成長方法所使用之較佳雷射切除 方法之解釋圖。 第9圖顯示實施例1之磊晶組合結構的X光繞射圖形。 第1 0圖顯示實施例1之磊晶組合結構層的平面方向之 磁極圖量測，得自X光繞射。 第1 1圖顯示實施例2之磊晶組合結構的X光繞射圖形。 第1 2圖顯示實施例2之磊晶組合結構層的平面方向之 磁極圖量測，得自X光繞射。 第1 3圖係圖示實施例3之鐵電裝置中，電容及偏壓之 間的關係。 參考標號之說明
2037-3625-PF-ptd 第7頁 487934 五、發明說明（5) 1 0 1 :氟石結晶層； 1 0 2 :簡單鈣鈦礦結晶； 1 0 3 :導電晶體； 1 0 4 :具有一層鈣鈦礦結構之磊晶成長層； 201 :真空裝置； 2 0 2 :加熱器； 2 0 3 :氣體導入裝置； 2 04 :基底； 2 0 5 ··氟石起始材料層供應； 2 0 6 :簡單鈣鈦礦起始材料層供應； 2 0 7 :鈣鈦礦起始材料層供應； 301 :真空裝置； 3 0 2 :加熱器； 3 0 3 :氣體導入裝置； 304 :雷射對焦裝置； 3 0 5 :基底； 3 0 6 ··製造氟石層之標的物； 3 0 7 :製造簡單鈣鈦礦層之標的物； 3 0 8 :製造鈣鈦礦結構層之標的物； 3 0 9 :標的物移動裝置； 3 1 0 :標的物材料喷塗至基底上。 較佳具體實施例之說明 本發明之磊晶組合結構（1 )包括以（0 1 1 )方向，在
2037-3625-PF-ptd 第8頁 487934
五、發明說明（6) U 0 1)方向氟石結晶上磊晶成長的一簡單鈣鈦礦結晶層。 苐1圖疋；&&晶組合結構（1 )的層結構之剖面圖。在第1圖 中’參考標號1 0 1代表具有（0 0 1 )方向的磊晶氟石結晶層， 以及標號102代表具有（011)方向的磊晶簡單鈣鈦礦結晶。
說石結晶1 0 1是具有化學式Αχ2的主要立方晶系結構之 組合（其中A是一正電元素，以及χ是一負電元素），例如 C a F2釔阳，其中a原子形成一面心立方體晶格，以及X原子 形成一簡單立方體晶格，A原子具有8個乂原子配置一立、方 體，以及X原子具有4個A原子配置一規則的四面體。任何 在先前技藝中所已知的材料，例如，CaF2、計匕、Bah、 Ce02、CexZjvx〇2 (〇<x<1)、Zr〇2 及 ΥχΖι^〇2 (〇<χ<1)，都可 使用作為氟石。然而，從促進具有（〇丨丨）方向的簡單鈣鈦 礦成長的觀點來看’較佳是使用具有與鈣鈦礦優異晶格配 位’以及高度穩定的結晶結構之材料。 ^簡單鈣鈦礦結晶102是具有化學式ABX3的主要立方晶 冓之組合（其中A是一正電元素，B是一正電元素，以 及χ = 一負電元素），例如CaTi〇3結晶，在晶格中心處具琴 工、，在轉角處具有B原子，以及在棱邊中心處具有乂原 Q τ°.η任何在先前技藝中所已知的材料，例如，CaTi03、 1 3 BaTi03、BaxSivxTi〇3 (Q<x<1 )、SrRu〇3、LaC〇〇3 用m〇03 (〇<x<i)、uai〇3、ν·〇3 及 PrGa〇3，都可使 鈣鈦礦。然而，從促進具有（oii)方向的簡單鈣敍 f成長的觀點來看，較佳是使用具有與氟石優異晶袼配 ^ ，以及南度穩定的結晶結構之材料。
第9頁 487934 五、發明說明（7) 本f明之磊晶組合結構（2 )包括以（〇 〇丨）方向，在導電 晶體上磊晶成長的磊晶組合結構（丨）之氟石結晶層。本發 明之磊晶組合結構（3)包括磊晶組合結構（2)，其中導電晶 體是矽。 斤第2圖是磊晶組合結構（2)及（3)的層結構之剖面圖。 在第2圖47 ’參考標5虎1 〇 3代表導電晶體，標號丄〇】代表具 有（0 0 1)方向的秘日日氟^石結晶層以及標號1 〇 2代表具有 (011)方向的磊晶簡單鈣鈦礦結晶。任何在先前技藝中所 已知的導電材料，例如，Si、GaAS及其他組 Nb-推雜的SrTi〇3以及金屬，都可使用作 ::構:】實中際使Λ的觀點來看，較佳是將石夕使用… :氟石結晶…：心：^:且合結構⑴中所使用 組合結構⑴所說明的巧：曰曰1石〇2曰，，人使用相同於蟲晶 晶及氟石結晶層，可以'曰吉材垃枓；，晶組合結構⑻的石夕結 可提供-層材料(例如氧接仆接々觸的形式，或是在界面處 性質。 一虱化矽），以抑制擴散並增進電 本發明之蠢晶纟且纟士槐,4、 晶上，遙晶成長之（()ισησ (4)2在（GG1)方向的氟石結 晶成長一戶1# 11的間早鈣鈦礦結晶，其上磊 -Μ)的”摄之結晶層。第3圖是遙晶組合 (。⑴方向的蟲晶簡單標號102代表具有 有，鈦礦結晶結構之蟲晶Υ長9層’
(.....號 89125SM 五、發明 …----------------r 用於磊晶組合結構（4)之具有鈣鈦礦結構層的結晶 1 04，是一層具有高度非等向性的結晶結構，包括一疊一 層或多層的鈣鈦礦結構之基本晶格，或以一團一層或多層 的以化學式AX為代表(A是一正電元素，以及χ是一負電元 素）之假鈣鈦礦結構。在結晶學的方面，週期結構的長方 向標記為[0 0 1 ]。 η 曰 修正 任何在先w技藝中的鈣鈦礦結構都可使用作為結晶 104，包括，Bi4Ti3〇12、SrBi4Ti4〇15、SrBi2Ta2 09、 SrBi2Nb2 09 ^SrBi2Ta,xNbx〇9 (〇<x<1)，LVxSrxCu04 (〇<x<l) >Yba2Cu07.x (〇<x<l) > Bi2Sr2CanCun+102n+6 (n=0 ^ 及2)、TlBi2CanCUnH〇2n+5 (n二1、2、3 及4)、 Tl2Bi2CanCun+102n+6 (n = 0、丨、2及3)、HgBi2CanCUn+i〇_(n-0、1、2及3)、Cu 卜 xBaJaHCUnOhw (n = 4 及5 ;〇<x<1)
Bi2Sr2Co06、Srn+1Vn〇3nH (n = 1、2及3)、Bi2(Sr，Ca)2Mn〇6 及 La2-2xCa1+2xMn2 07 (〇<x<i)。然而，從促進具有（〇n)方向的 簡單鈣鈦礦成長的觀點來看，較佳是使用相似於簡單鈣鈦 礦結構、並具有與簡單鈣鈦礦優異晶格配位，以及高度穩 疋的結晶結構之材料。相似地，作為在磊晶組合結構（4) 中所使用的氟石結晶1 〇 1及簡單鈣鈦礦結晶丨〇 2，可使用相 同於蠢晶組合結構（1)所說明的結晶材料。 本發明之蠢晶組合結構（5)包括以（〇 〇丨）方向，磊晶成 長在導電晶體上之磊晶組合結構（4)的氟石結晶層。本發 明之磊晶組合結構（6 )包括磊晶組合結構（4 )，其中導電晶 體是矽。 ^
487934 五、發明說明（9) 第4圖是顯示磊晶組合結構（5 )到（9)的層結構之剖面 圖。在第4圖中，參考標號丨03代表導電晶體，標號丨0°〗代 表具有（001 )方向的磊晶氟石結晶層，標號102代表具有 (0 1 1 )方向的遙晶簡單鈣鈦礦結晶，以及標號丨〇 4代表具有 一層鈣鈦礦結構之磊晶成長層。雖然任何在先前技藝;所 已知的導電材料，例如，Si ' GaAs及其他組合半導體、 Nb-摻雜的SrTi〇3以及金屬5都可使用作為導電晶體丨， 但從實際使用的觀點來看，較佳是將矽使用在磊晶组人处 構（6)中。相似地，作為在磊晶組合結構（5)中所使用二 石結晶101、簡單鈣鈦礦結晶102以及具有鈣鈦礦結構 104，可使用相同於磊晶組合結構（4)所說明的結晶材&。 至於磊晶組合結構（2)，磊晶組合結構（6)的矽結晶 結晶層，可以是直接接觸的形式，或是在界面處可提：― 層材料（例如，二氧化矽），以抑制擴散並增進電性質：、 本發明之磊晶組合結構（7)包括任 、往 (4)到（6)，其中具有一層舞鈦礦結構之结晶1〇4是 料。可使用作為結晶1 04的材料包括β . τ. 〇 、載電材
SrBl4T\4〇15'SrBl2Ta2〇9'SrBl2NM9^^ (0<X<1)。 -卜X X 9 本發明之磊晶組合結構（8 )台k , ⑷到⑻，其中具有一層‘)上括：何：蟲晶組合結構 體。可使用作為結晶1〇4的材料礦^構之結晶104是超導 (0<x<l) ^Yba2Cu07_x (〇<x<l)
^2) ^TlBi2CanCun+102n+5 (n=i .2 Un+1〇M (n=〇 M 487934 五、發明說明（ίο)
Tl2Bi2CanCun+1〇2㈣（n = 0、1、2及3) 'HgBLCanCi^O^ (n = 0、1、2及3)及 CUbxBagCanMCUnC^M (n = 4 及5 ;0<χ<1)。 本發明之磊晶組合結構（9 )包括任何的磊晶組合結構 (4 )到（6 )，其中具有一層鈣鈦礦結構之結晶1 〇 4是磁性材 料。可使用作為結晶104的材料包括Bi2Sr2Co06、Srn+1Vn03n+1 (η二1、2 及3)、Bi2(Sr，Ca)2Mn06&La2_2xCa1+2xMn207 (0<x< 1 )。 如上所述，在先前技藝的磊晶組合結構中，鈣鈦礦結 晶層容易在垂直於[〇〇1]方向的（〇〇丨）平面進行二維成長。 結果’長在基底上的薄層以（00^的方向成長，使其難以 達成非平行於[0 0 1 ]的磊晶成長，例如，垂直於[〇 〇丨]或在 相對於[0 0 1 ]的斜面上。對於本發明磊晶組合結構（丨）到 t中的基底’在先前技藝中所已知許多結晶中，氟石及 簡皁鈣鈦礦是巧妙地結合，以磊晶成長一薄層具有（〇丨i ) 方向之簡早鈣鈦礦，而非先前技藝之（〇 〇 1 )方向。此外， m之磊晶組合結構⑷到⑻，是在上述磊晶組合結構 杜表面上，磊晶成長的鈣鈦礦結構層。相較於先前 技藝的（011)方向之έ士姓 ^ 祕改ΛΑ 4 Μ 一之…構，所侍的磊晶組合結構具有明顯 i積“的裝；壓電場及電流特性，1可用於製造具有較 m 1)目:方尚向未Λ 楚而為什麼本發明之蠢晶組合結構具有 實上，當及簡單辑叙! k異阳格配位的結果，以及，事 、’礦具有（0 11)方向時，最適使用是在
2037-3625-PF-ptd 第13頁 487934 五、發明說明（11) 兩者間的電親和性所製成。 以下，在本發明之蠢晶組合結構中的界面晶格配位’ 是參考第5及6圖而解釋。然而，應了解的是，這些解釋僅 是假說。 第5 ( a)圖是一剖面圖，說明本發明之磊晶組合結構 (1 )到（3 )的結構中，在（〇 11 )方向的SrT i 〇3簡單鈣鈦礦及 Ce02氟石的（〇〇1)表面間的界面之晶格配位，係從Ce02的 [100]方向觀察；以及第5(b)圖是從組合結構的[010]方向 所顯示的剖面圖。C e 02表面具有四摺對稱，所以當第5 (a) 圖及第5(b)圖的[1〇〇]及[〇1〇]方向間的關係相反時，它仍 是相同的。
Ce〇2的單元晶胞長度大約是5· 4埃，以及SrTi〇3的單元 晶胞長度大約是3· 9埃。SrTi03的[011 ]長度是： 3.9 埃 X /2^5.5 埃 其實質上符合Ce〇2的[010]長度。這是第5(a)圖中，從Ce〇2 [1 0 0 ]所顯示的形態。 現在，7乘以SrTi03 [100]的長度是： 3· 9埃X 7与27. 3埃 以及5乘以Ce02 [1〇〇]的長度是： 5· 4 埃X 5 =27· 0 埃 所以這些晶格可相符一段長時間。這是第5(b)圖中，從 Ce〇2 [010]所顯示的形態。因此，因為有晶格沿著兩個直 角方向配位，（011)方向的SrTi〇3簡單鈣鈦礦層’可在 (001)方向的Ce02氟石上磊晶成長。 θ
^8/934 五、發明說明（12) 第6圖是一剖面圖，顯示本發明之磊晶組合結構（4)到 )的結構中，在（〇11)方向的SrTi〇3簡單鈣鈦礦及 』4T l3〇1S鈣鈦礦結晶結構層間的界面之晶格配位，係從簡 早每欽礦結晶的[丨00 ]方向觀察。結晶結構是相似的，並 且SrTl〇3 (001)表面及Bi4Ti3〇12 (001)表面的晶格長度也 相同，.所以兩者的成長，產生了天然的配位。因此，基本 上B 14 Ti3〇i2層是以其本身的方向排列的，並以正常於簡 ^鈣鈦礦表面的[117]方向成長，或甚至在一些例子中， 疋以平行於表面的[001]方向成長。此處，以正常於簡單 鈣鈦礦表面的[117]方向成長之Bi4Ti3012層，稱為（117)方 向層。 蠢晶組合結構（1 )到（9 )是在適合於每個結構的基底 上，依序藉由提供所需的起始材料、設定所需溫度及材料 ，遞速率而製造，以達成磊晶成長，其可使用先前技藝的 氣相磊晶成長、旋轉塗佈、液相磊晶成長或其他的磊晶成 長方法而達成。可使用的氣相方法包括雷射切除、電子束 沈積、反射沈積、離子佈植、射頻—磁電濺鍍、分子束石 晶成長（MBE)、化學氣相沈積（CVD)、電漿CVD以及金屬^ 機化學氣相沈積。旋轉塗佈可藉由溶凝膠法、金屬一 八 解法或其他的方法而完成。 71 第7圖是本發明所使用之氣相成長裝置之解釋 第7圖中，參考標號201代表一真空裝置，用於以/ °、 製造薄層，標號202代表一加熱器，用於將基底維見相沈積 長溫度，標號20 3代表用於將氣體導入至直*姑、、在成 土旲二裝置的裝
呤Ο/ 五、發明說明（13) 置，以及標號204代表薄屏 205、20 6及207分別顯示Γ ^二上的基底。參考標號 材料層的供應。使用此壯既石，、間單鈣鈦礦及鈣鈦礦起始 藉由提供所需的起始材^置间明的蟲晶組合結構依序 度及氣流速率，而在每個基底適合於薄層成長的溫 第8圖是本發明氣相 ~ ^ 方法之解釋圖。在第8圖二長=使用之較佳雷射切除 置用於以每射切除方法成長薄層，尸卢3〇2 、 器，用於加熱基底，標號3(n抑/ 軚號302代衣一加熱 裝置的裝置，以及桿#3〇U4代 用於將氣體導入至真空 之裝置。參考標號3'0二奈^用於將雷射光對準標的物 俨轳3 0 fi捭矣戈表/専層沈積於其上的基底。來考 &唬306代表一標㈣，用以在麻，考 307代表一標的物，用左 氐上衣&亂石層，標號 *參考標號3。8:表：=底；製造簡單物層，以 結構層。參考二Μ:以：：： =，鈦礦 位置之裝置。夂老俨》n 將軚的物移至雷射光照射 上。 > 考寺示號310顯示標的物材料喷塗至基底 在雷射切除方法中，標的物藉 且將切除的材料沈積在基底上，藉此切；，並 例子中，預先調整標的物的化學沈得：有：些 =的薄卜了製造高品質的薄層，；：每 二層材料，裝置内部的溫度及壓力必須設定在正確的J的 J伴，巧用加熱器302及氣體導入袭置3。3而達成。Ϊ 了 確保U的薄層，雷射對焦裝置3〇4可用於調整為了
2037-3625-PF.ptd 第16頁 叫7934 五、發明說明（14) 長 強度、照射週頻、入射角等等。在成長期間，標的物 移動裝置3 0 9是用於將每個標的物移動至所需順序的位 置。 如上所述，對磊晶組合結構（丨）到（9 )的製造，在許多 在先如技藝中疋已知的成份結晶材料中’具有氣石及簡單 I弓欽礦結構的材料被特別地選擇並結合，以使得具有簡單 詞欽礦結構的薄層，可在具有氟石結構的基底上，以 (011)方向蠢晶成長。因為成長在簡單鈣鈦礦結構上的耗 欽礦層，具有接近垂直於[〇 〇丨]的結晶方向（在此處，結晶 f有最適特性），因此，所得到的磊晶組合結構較先前技 蟄之（001)方向的結構，具有明顯較高的效能及可信度， 並且也可用於製造具有較高積集度的裝置。 雷/ί別Λ ’使用本發明的遙晶組合結構(7)所製造的鐵 兔衣置C具有鈣鈦礦結晶結構層的鐵電材料）， 高極性及高壓電埸的έ士曰古6。、二你甘— 丨』用/、有 極#以繁择♦ ί 曰曰 其可應用於使用鐵電 ϋ ^ 毛何的鐵電記憶體，以及使用極性方向控制電 導又的鐵電電晶體。此外，薄層結構的高品質及 向裝置的效能及積集度’提供主要的貢獻。 在使用本發明的磊晶組合結構（8)所製造 中（具有鈣鈦礦結晶結構層的超導材料），在°、 電流=大幅地增加’相較於先前技 ： 此之外，薄層結構的高品質及固定方接合裝置除 置的效能及積集度，提供主要的貢獻。°對於增加絮 487934 五、發明說明（15) ☆ Ϊ在妒本Ϊ明的實施例將進一步詳細解釋如下。然 ’心了解的是’本發明並不限於這些實施例。…、 貫施例1 :磊晶組合結構（1)的製造 使用第8圖的雷射切除裝置以製造本發石 结才蓋（1 )。栋田「ο Π /ju 曰曰矣且口 π構u)使用。〇2作為氟石，以及SrTi0作 礦。首先，在（ΟΟΠ^Α οο 3并為間早鈣鈦 肛)方向的SrTi0單晶基底上 一層（001)方向的On昆 -上，磊晶成長
SrTi〇3。 ㈣％層。然後，在㈣層上成長一層 雷射波長 雷射脈衝能量 雷射脈衝期間 雷射入射角： 系統真空： 使用以下的成長條件： 248 奈米（nm) 300毫焦耳（mJ) 2 5奈秒（n s) 30度 X 1 0_6托耳 標的物—基底距離：5. 5公分 基底溫度7〇〇。。
Ce02成長氧氣流 以〇2成長真空 LSsccm 對Ce〇2的雷射昭射5 X⑴托耳 ㈣成長J、頻2 HZ Ce〇2成長期間 =nm/分鐘 8分鐘
2037-3625-PF-ptd 第18頁
SrTi03成長基底溫度
SrTl〇3成長氧氣流（K 5 seem SrTi〇3成長真空 5 χ 1〇-5托耳 對SrhO3的雷射照射週頻1〇 Ηζ SrTi03成長速率 8 nm/分鐘
SrTi03成長期間 24分鐘 蠢晶組合結構（1 )之鑑定： 磊晶組合結構（1)是藉由X光繞射集類似方法而鑑定。 結果顯不在第9及10圖。第9圖顯示得自蟲晶組合結構⑴ 之X光繞射圖形。一個強的繞射波峰是得自所使用的單晶 SrTl〇3基底。從成長在基底上的Ce〇2層中，獲得一（〇〇2)果 面的繞射波峰，其為（001)方向成長的特徵。得自成長於 Ce02層上的SrTi〇3層之（oil)及（022 )繞射波峰，也是（〇〇' 方向的特徵。第1 〇圖顯示磊晶組合結構層（丨）的平面方向 之磁極圖量測，得自X光繞射。可觀察到，。仏氟石層之 (Π 1)繞射，對於具有四摺對稱的基底，是成55度角的傾 斜。此外，SrT i 〇3簡單鈣鈦礦層之（〇 〇丨）繞射，對於具有 四摺對稱的基底，是成45度角的傾斜。因此，在Ce〇f層之 (111)繞射及SrTi〇3層之（001)繞射之間，有一平面内二“ 度角補償。從第9及10圖中，可以確定的是，第5圖的磊晶 成長是在本發明的磊晶組合結構（丨）中實現。此外03 第5圖的解釋，因為在結晶表面内的（〇〇1)方向之以％ [1 〇 〇 ]及[0 1 0 ]是相同的，因此，具有兩摺對稱之簡單鈣鈦
五、發明說明（17) __ 礦的（011)方向層，是在表 晶成長，其顯示在磁極圖上面中，以旋轉9 0度的兩向磊 万如四摺對稱。 實施例2 :蟲晶組合結構( 使用第8圖的雷射切除裝 結構（7 )。使用（Q Q 1 )方向的 以製造本發明之蠢晶組合 氟石，SrTi〇3作為簡單钙、:夕作為基底，CewZrQ.88〇2作為 具有-層妈鈦礦以及鐵電材料㈣12’ 使用以下的成長條件： 雷射波長： 248 nm 雷射脈衝能量： 3 0 0 m J 雷射脈衝期間： 2 5 ns 雷射入射角： 30度 系統真空： 1 x 10-6 托耳 標的物〜基底距離 :5. 5公分 88 02成長基底溫度 70 0 °C 88〇2成長氧氣流 0.5 seem Ce〇. 12Zr。88〇2 成長真 空； 5 x 10-5托耳 對CeQ 12ZrG 88〇2的雷射照射週頻2 Hz Ce〇.i2ZrQ 88〇2 成長速率 1 · 2 nm/分鐘 Ce〇.i2ZrQ 88〇2 成長期間 4分鐘
SrTi〇3成長基底溫度 700 °C
2037-3625-PF-ptd 第20頁 487934
SrTi03成長氧氣流 0. 5 seem
SrT i 03成長真空 5 x 1 0_5托耳 對SrTi03的雷射照射週頻 2 Hz SrTi03成長速率 1·6 nm/分鐘
SrTi03成長期間 2分鐘
Bi4Ti3012成長基底溫度7〇〇°c Bi4Ti3012成長氧氣流 8 seem 成長真空 100毫托耳 對Bi4Ti3012的雷射照射週頻1〇 Hz Βι4Τι3012成長速率 8.4 nm/分鐘 B i4T i3012成長期間 6 0分鐘 磊晶組合結構（7 )之鏗定： 磊晶組合結構（7)是藉由X光繞射集類似方法而鑑 結果顯示在第11及12圖。第u圖顯示得自m合^ (7 )之X光繞射圖形，包括（〇〇ι)方向的矽基底，在其上， 一層Ce^Zr。88〇2氟石以（〇〇1)的方向磊晶生長，然後一 SrTi〇3鈣鈦礦以（011)的方向磊晶生長，以及一層鐵^ 料BUTi^2 ’具有一層鈣鈦礦結構。 一個強的繞射波峰是得自。並沒有有關於 (001)方向的繞射波峰。第12圖顯示磊晶組合結構層的 平面方向之磁極圖量測，得自X光繞射。可觀察到，（〇〇1) 石夕基底之（0 2 2 )繞射，對於具有四摺對稱的基底，是成4 5
2037-3625-PF-?td 第21頁 487934 五、發明說明（19) 度角的傾斜。BUT “On層之（〇〇6)繞射，對於具有四摺對稱 的基底’也是成45度角的傾斜，以及平面内的角度也符合 石夕基底之（ 022 )繞射。從第n及12圖中，可確是， 如第6圖所示，在包括（001)方向的石夕基底之^的；;吉構 (7)中，其上形成一層（〇〇1 )方向的Ce。i2Zr"8〇2磊晶層，接 著是一層（on)方向的SrTi〇3磊晶層，以及一層Bi4Ti3〇i2， 此BhTi^2層是以非（〇〇1 )的方向磊晶成長。 實施例3 : 兩$，用實施例2的磊晶組合結構（7)，以製造本發明的鐵 =Ϊ f二此较置是以電容結構而製造，使用電子束沈積法 坪估穿晋Ϊ電材料部份及下方矽部份形成金屬電極。為了 13圖Γ旦^徵，在不同的電壓點測量電容。結果顯示在第 至+ 18伏%^係使用1 MHZ的測量頻率，將電壓從-18伏特調 電子皞之變，然後再調回-18伏特。電容反應鄰近矽表面的 積態是在ί ΐ。載體耗乏態是在負電壓顯示，以及載體累 電壓改變的ΐ壓顯示。引起電容急劇改變的電壓是取決於 起。這顯示向。所顯示的磁滯現象是由鐵電極性所引 裝置，具:，用本發明之磊晶組合結構（7)所得到的鐵電 因&胥馬效能記憶體的特性。 藝中是已知關於磊晶組合結構（1)到，在許多在先前技 構的材料％I ^成份結晶材料中，具有氟石及簡單鈣鈦礦結 構的薄層，σ別地選擇並結合，以使得具有簡單鈣鈦礦結 可在I石基底上以（〇1丨）方向磊晶成長，而非。 487934 五、發明說明（20) 先前技藝的（001)方向。因為成長在簡單鈣鈦礦結構上的 鈣鈦礦層，具有接近垂直於[0 〇 1 ]的結晶方向（在此處，結 晶具有最適特性），因此，所得到的蟲晶組合結構較先前 技藝之（0 0 1 )方向的結構，具有明顯較高的效能及可信 度，並且也可用於製造具有較高積集度的裝置。 此外，使用本發明的磊晶組合結構（7 )所製造的鐵電 裝置’可利用具有高極性及高壓電場的結晶方向。這使其 可應用於使用鐵電極性以累積電荷的鐵電記憶體，以及使 用極性方向控制電導度的鐵電電晶體。此外，薄層結構的 高品質及固定方向，可對於増加裝置的效能及積集度，提 供主要的貢獻。 關於由本發明的磊晶組合結製的超導裝 置’在薄層厂旱方向的電流是大巾二“相較於先前技藝 的結構。這使其可應用於發展％疊_晶胞約瑟夫遜_接合裝 置，除此之外，薄層結構的高品 固定方向，也可對於 增加裝置的效能及積集度，提供主要的貢獻。

Claims (1)

  1. 、申言青‘ $3 89125859 Μ 曰 修正: 摩，以及Α蟲晶組合結構，包括一(001)方向的氟石結晶 層’以及在该氟石結晶；卜石曰 曰 單約鈦礦結晶層。層上一長之(0⑴方向的-簡 办兮2蟲；^士據曰申腐明專利範圍第1項所述之蟲晶組合結構，装 ^鼠石、（日日層是在—導電晶體上蠢日日日成長的⑽）、 層。 3道根據申請專利範圍第2項所述之蟲曰曰曰 中該導電晶體是矽。 僻具 鈦礦結晶層’以及在該簡單鈣鈦礦結晶層上磊晶成長之且 有一層鈣鈦礦結晶結構的結晶層。 /、 5. 根據申請專利範 圍第4 項 所 述 之 晶 中 該 氟 石結晶層是在一導電晶 體 上 晶 成 長 層 〇 6. 根據申請專利範 圍第5 項 所 述 之 晶 中 該 導 電晶體是碎。 7. 根據申請專利範 圍第4 項 所 述 之 晶 中 該 具 有一層鈣鈦礦結晶結構 的 結 晶 層 是 一 8· 根據申請專利範 圍第5 項 所 述 之 晶 中 該 具 有一層鈣鈦礦結晶結構 的 結 晶 層 是 一 9. 根據申請專利範 圍第6 項 所 述 之 晶 中 該 具 有一層鈣鈦礦結晶結構 的 結 晶 層 是 一 ^ v ' w ^ w · 4 个卞 ο 1〇·根據申請專利範圍第4項所述之磊晶組合結構， 盛4卢二種蟲晶組合結構’包括一（001)方向的氟石結晶 層，在以軋石結晶層上磊晶成長之（〇丨丨）方向的一簡單 装 其 其 其 其 2037-3625-PFl.ptc 第24頁 487934 _案號89125859_年月日__ 六、申請專利範圍 其中該具有一層鈣鈦礦結晶結構的結晶層是一超導材料。 11. 根據申請專利範圍第5項所述之磊晶組合結構， 其中該具有一層鈣鈦礦結晶結構的結晶層是一超導材料。 12. 根據申請專利範圍第6項所述之磊晶組合結構， 其中該具有一層鈣鈦礦結晶結構的結晶層是一超導材料。 1 3. 根據申請專利範圍第4項所述之磊晶組合結構， 其中該具有一層鈣鈦礦結晶結構的結晶層是一磁性材料。 14. 根據申請專利範圍第5項所述之磊晶組合結構， 其中該具有一層鈣鈦礦結晶結構的結晶層是一磁性材料。 15. 根據申請專利範圍第6項所述之磊晶組合結構， 其中該具有一層4弓欽礦結晶結構的結晶層是一磁性材料。
    2037-3625-PFl.ptc 第25頁
TW089125859A 1999-12-14 2000-12-05 Epitaxial compound structure TW487934B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35488999A JP3401558B2 (ja) 1999-12-14 1999-12-14 エピタキシャル複合構造体およびこのものを利用した素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW487934B true TW487934B (en) 2002-05-21

Family

ID=18440603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089125859A TW487934B (en) 1999-12-14 2000-12-05 Epitaxial compound structure

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6461737B2 (zh)
JP (1) JP3401558B2 (zh)
KR (1) KR100515124B1 (zh)
TW (1) TW487934B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4103421B2 (ja) * 2001-03-28 2008-06-18 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス及び電子機器
JP3971598B2 (ja) * 2001-11-01 2007-09-05 富士通株式会社 強誘電体キャパシタおよび半導体装置
JP4507491B2 (ja) * 2002-12-27 2010-07-21 セイコーエプソン株式会社 薄膜及び素子
US7067458B2 (en) * 2003-02-26 2006-06-27 Tdk Corporation Multi-layered unit including electrode and dielectric layer
US20060237760A1 (en) * 2003-02-27 2006-10-26 Tdk Corporation Thin-film capacitative element and electronic circuit and electronic equipment including the same
JP4937533B2 (ja) * 2005-06-16 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法およびコンピュータ記憶媒体
JP4793568B2 (ja) * 2005-07-08 2011-10-12 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP4124243B2 (ja) * 2006-06-05 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 記憶素子の製造方法、記憶素子、記憶装置、および電子機器、ならびにトランジスタの製造方法
ITMI20070885A1 (it) * 2007-05-04 2008-11-05 Sapsa Bedding S R L Materasso con pannello trapuntato e relativi procedimenti di fabbricazione
US8633472B2 (en) * 2009-09-14 2014-01-21 Los Alamos National Security, Llc Tunable terahertz radiation source
JP5725156B2 (ja) * 2011-03-14 2015-05-27 富士電機株式会社 結晶体、基板およびその作製方法
US8613798B2 (en) * 2012-02-21 2013-12-24 Ut-Battelle, Llc Band gap tuning in transition metal oxides by site-specific substitution
KR101864522B1 (ko) * 2014-05-05 2018-06-04 각코호진 오키나와가가쿠기쥬츠다이가쿠인 다이가쿠가쿠엔 태양 전지 응용을 위한 페로브스카이트 필름을 제조하기 위한 시스템 및 방법
TWI735358B (zh) * 2020-10-22 2021-08-01 國立成功大學 磊晶薄膜的製造方法與磊晶薄膜

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63212830A (ja) * 1987-03-02 1988-09-05 Kawasaki Steel Corp 連続熱処理炉における放射温度計の放射率の設定方法
JPS63318013A (ja) * 1987-06-19 1988-12-26 Hitachi Ltd 超電導配線材料
CA1336567C (en) * 1988-02-03 1995-08-08 Franz Joseph Himpsel Epitaxy of high t_ superconductors on silicon
US5164359A (en) * 1990-04-20 1992-11-17 Eaton Corporation Monolithic integrated circuit having compound semiconductor layer epitaxially grown on ceramic substrate
WO1994020295A1 (en) * 1993-03-12 1994-09-15 Neocera, Inc. Superconducting films on alkaline earth fluoride substrates with multiple buffer layers
JP3047316B2 (ja) * 1994-11-11 2000-05-29 富士ゼロックス株式会社 エピタキシャル強誘電体薄膜素子およびその作製方法
US6077344A (en) * 1997-09-02 2000-06-20 Lockheed Martin Energy Research Corporation Sol-gel deposition of buffer layers on biaxially textured metal substances
US6151240A (en) * 1995-06-01 2000-11-21 Sony Corporation Ferroelectric nonvolatile memory and oxide multi-layered structure
JP3310881B2 (ja) * 1995-08-04 2002-08-05 ティーディーケイ株式会社 積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法
JP3286181B2 (ja) * 1995-11-17 2002-05-27 ティーディーケイ株式会社 記録媒体およびその製造方法ならびに情報処理装置
US5985404A (en) * 1996-08-28 1999-11-16 Tdk Corporation Recording medium, method of making, and information processing apparatus
US5912068A (en) * 1996-12-05 1999-06-15 The Regents Of The University Of California Epitaxial oxides on amorphous SiO2 on single crystal silicon
US6242298B1 (en) * 1997-08-29 2001-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having epitaxial planar capacitor and method for manufacturing the same
US6022832A (en) * 1997-09-23 2000-02-08 American Superconductor Corporation Low vacuum vapor process for producing superconductor articles with epitaxial layers
US6099653A (en) * 1997-12-12 2000-08-08 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid reagent delivery system with constant thermal loading of vaporizer
US6278138B1 (en) * 1998-08-28 2001-08-21 Sony Corporation Silicon-based functional matrix substrate and optical integrated oxide device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001172100A (ja) 2001-06-26
KR20010062429A (ko) 2001-07-07
JP3401558B2 (ja) 2003-04-28
US6461737B2 (en) 2002-10-08
KR100515124B1 (ko) 2005-09-16
US20010013311A1 (en) 2001-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW487934B (en) Epitaxial compound structure
JP2000517280A (ja) 超伝導体上のＣａＴｉＯ▲下３▼界面テンプレート構造
US6709776B2 (en) Multilayer thin film and its fabrication process as well as electron device
US7247551B2 (en) Substrate for electronic device, method for manufacturing substrate for electronic device, and electronic device
JPH06236988A (ja) 多層構造
US20020006733A1 (en) Multilayer thin film and its fabrication process as well as electron device
JP2001223215A (ja) シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造
JP3095944B2 (ja) 酸化物結晶薄膜の製造方法及び薄膜素子
US20150147587A1 (en) Ferroelectric ceramics and method for manufacturing the same
EP1073109A3 (en) Single phase perovskite ferroelectric film on platinum electrode and method for forming same
JPH06290983A (ja) 誘電体薄膜及びその製造方法
JPH11103024A (ja) 強誘電体素子および半導体装置
JPH07509689A (ja) シリコン上にエピタキシャル的に成長する立方金属酸化薄膜
Aoki et al. Formation of YMnO3 films directly on Si substrate
JPH0465397A (ja) 薄膜の形成方法および薄膜の形成装置
Chen et al. Structural and electrical properties of Pb (Zr0. 53Ti0. 47) O3 films prepared on La0. 5Sr0. 5CoO3 coated Si substrates
JP3562120B2 (ja) 安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびその製造方法
JP4519540B2 (ja) 酸化物超電導導体の製造方法及び酸化物超電導導体
JP2005113220A (ja) 多結晶薄膜及びその製造方法、酸化物超電導導体
JP4310430B2 (ja) チタン酸ストロンチウム薄膜積層体
JP2004362784A (ja) 酸化物超電導導体およびその製造方法
Li et al. Epitaxial growth of an MgO buffer layer and electrode layer on Si for Pb (Zr, Ti) O/sub 3/by PLD
Wang Physical Properties and Applications of Perovskite Strontium Titanate
Otani et al. Fabrication of ferroelectric Pb (Zr, Ti) O3 thin films by liquid delivery metalorganic chemical vapor deposition using a novel titanium source Ti (OEt) 2 (DPM) 2
JP2005330533A (ja) 多結晶配向中間薄膜とその製造方法及び酸化物超電導導体とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees