TW487820B - Liquid crystal display device and inspection method of the same - Google Patents

Description

487820 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 1.發明範疇： 本發明有關一種供作電腦等裝置之顯示裝置的液晶顯示 裝置，及彼之檢查方法。 2 ·相關技藝描述： 液晶顯示裝置包括玻璃基板及與玻璃基板相對之對玻璃 基板，該玻璃基板及該對基板係於中間夾置有液晶材料之 情況下黏合。藉著於玻璃基板及對基板之各電極間施加電 信號，可調制外來光源之入射光，而於螢幕上顯示資料。 該液晶顯示裝置具有凌越CRT (陰極射線管）之優點，諸 如能量消耗低、厚度小而質輕。因此，該液晶顯示裝置具 有作為後世代顯示裝置之吸引力，其產量大幅增高。該液 日曰顯TF裝置包括多個像元電極’排列成二元陣列。為了改 善液晶顯示裝置之顯示品質，已增量地生產主動陣列液晶 顯示裝置，其中切換元件諸如薄膜電晶體（TFTs )係供像元 電極使用。 然而，因為該切換元件之製造方法複雜，可能因掃描線 (即閘極線）及信號線（即源極線）導致缺陷顯示，短路所致 之線缺陷、缺陷性切換元件所致之點缺陷、顯示不均句 等。因為液晶顯示裝置之良率並非1 00百分比，故需充分 檢查顯示品質。而且，為了改善最終液晶顯示裝置之良率 及顯示品質，檢查結果需迅速回饋至製造過程。因此，重 點係進行陣列檢查及/或操作顯示檢查，並分析檢查結 果。本發明所使用之”陣列檢查”意指於切換元件諸如薄膜 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 487820 A7 _ B7 五、發明説明（2~) — — 電晶體完成時檢查該液晶顯示裝置。本發明所使用之，，操 作顯示檢查.”意指於裝置昂貴元件諸如驅動器電路、及 TAB (帶狀自動焊接封裝）之前檢查該液晶顯示裝置，即藉 著啟動顯示器而檢查該液晶顯示面板。 圖8 A、8 B及8 C顯tf —般液晶顯面板，其中圖$ a係 為液晶面板之平面圖，圖8 B係為其正視圖，而圖8 c係為 自液晶顯示面板之右側面觀測之側視圖。 圖8A、8B及8C所示之液晶面板包括玻璃基板（陣列基 板114及對玻璃基板113 (其面向玻璃基板ii4)，該玻璃基 板114及對玻璃基板丨13係於中間夾置有液晶材料之下彼 此黏著。玻璃基板114包括像元電極、主動元件（即切換元 件）、閘極-匯流排線、源極·匯流排線（未示）等。於玻璃 基板114之外緣中’源極-信號輸入終端丨丨〇及閘極—信號輸 入終端111係作為啟動-信號終端。於液晶面板中，影像資 料係顯示於顯示區112中。 液晶顯示裝置大部分係使用於諸如筆記型個人電腦之產 品中。於該種產品中，期望液晶面板外緣（即接近顯示區 之邊緣部分）中之元件總面積縮小，以增加液晶面板之顯 示區112。因此’廣疋使用自面板之兩側輸入信號之方 法，如圖8A、8B及8C所示。而且，輸入信號終端u〇& 111之間距漸減，以改善解析度。 具有前述結構之液晶顯示面板通常係如下檢查··使探針 與液晶顯示面板之多個信號輸入終端個別接觸。之後，施 加檢查電信號，以啟動該液晶面板。此情況下，以其操作 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 487820 A7 ___ B7 五、發明説明（3 ) 圖型之改變檢查及/或分析液晶面板之缺陷。該檢查及/或 分析係以目測及/或使用照松機進行。 該習用液晶顯示裝置具有圖9所示之電路。 源極線101及閘極線102係排列成矩陣，以彼此交叉，而 中間夬置有絕緣膜（未示）。信號輸入終端丨丨〇係位於線路 10 1之個別延長端’而信號輸入終端111係位於線路1 〇 2之 個別延長端。源極及閘極線1 〇 1，1 〇2位於邊緣區域中之 部分係稱為各線路1 〇 1及丨〇2之延長端。 於陣列檢查之情況下’探針（未示）與各個信號輸入終端 110及11 1接觸，而施加信號電壓。當液晶面板啟動而作 為液晶顯示裝置時，TAB等係連接於信號輸入終端丨1〇及 111。 < 薄膜電晶體105係位於源極線101與閘極線1〇5之每個交 點，而各薄膜電晶體之汲極施加信號於對應之像元電極 103。每個像元電極103皆在中間夾置有液晶層1〇6之情況 下面對於對應之對電極107，而於液晶層1〇6中保持顯示 數據電壓，以於螢幕中顯示影像。因為源極線1〇1及閘極 線102係由絕緣膜彼此絕緣，故顯示器中可能因靜電而產 生缺陷。例如，薄膜電晶體製造過程中、液晶面板之製造 及包裝中過程中可能產生靜電。此情況下，所生成之靜電 充斥於源極線1 〇 1及/或閘極線1 02中，而施加大幅高於實 際驅動電壓之電壓，使絕緣膜之介電質損壞及/或產生不 期望之切換元件特性。為了防止該種靜電損壞，沿液晶顯 示裝置之外緣提供使線路1 〇 1及102短路之短路環1 〇8。已 -6-

A7 B7 五、發明説明（4 知位於短路環内側之兩條虛線109係表示分隔線。 亦提供圖丨〇所示之另一結構。此結構係揭示於日本公開 公告偏號63-220289及63-10558。圖1 0係為日本公開公告 偏號63-220289及63-10558所揭示之典型液晶顯示裝置的 放大®各圖。 參照圖1 0 ’液晶顯示裝置包括陣列基板丨丨5及面向該陣 列基板之對基板丨丨6，該陣列基板丨丨5及對基板丨丨6係於中 間夾置有液晶材料之情況下彼此黏著。該陣列基板包括顯 不切換元件（未示）諸如薄膜電晶體。於液晶顯示裝置中， W像貝料係顯示於顯示區丨丨7中。源極線丨丨8及閘極線n 9 係位於陣列基板丨丨5上，如影像顯示所需。信號輸入終端 120係位於各源極線118上，而信號輸入終端i2i係位於各 閘極、’泉1 1 9上。為了防止前述靜電影像，於液晶顯示裝置 4外緣中提供短路環122，而各線路118及ιΐ9係經由2終 场操作a-Si (非晶矽）薄膜電晶體123a &123b等連接於該 短路環122。薄膜電晶體123a及123b係作為反向二極體。 於圖9所示之結構中，短路環108係位於液晶顯示裝置之 外緣，而線路1〇1及1〇2係直接電聯於短路環1〇8。於此情 況下，可於製程諸如製作佈線圖型期間防止靜電影像。然 而，於諸如顯示器檢查過程及組裝過程中，信號電壓需個 別輸入各終端。因此，需藉分隔線109截止該短路環 108。是故，無法防止靜電損傷。 於圖ίο所示之結構中，各作為保護元件之a.si薄膜電晶 體123a及123b係位於短路環122與各線路ιΐ8及ιΐ9之間。

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此情況下， 生輕微漏流 一方面，當 傷。是故， 化。 當保護元之電阻低時，線路118及119之間產 U成陣列仏查及操作顯示檢查中之缺點。另 保護元件之電阻高時，無法完全防止靜電損 於圖1 0結構中，極難使保護元件之電阻最佳 根據本發明之—態樣，液晶顯示裝置包括：-陣歹ο 板，一對基板，與該陣列基板相對；及―液晶層，夫置i 琢陣列基板與該對基板之S，其中該陣列基板包括m 像疋電極，於顯示區中排列成矩陣·，多條閘極線；多心 極線，與該多條閘極線交又；—絕緣層，位於該多條㈣ 線與孩多條源極線之間；多個切換㈣，個別連接於⑴ =閘極線、該多條源極線、及該多個像元電極；及—㈣ 衣夕個第一個檢查信號電壓輸入終端及多個空乏型薄 屯阳to (DTFT) ’其係位於與顯示區相鄰之邊緣區域：^ 中該多條閘極線及該多條源極線中之每__條皆經由該多浪 矛-個檢查信號電壓輸入終端中之一及該多個空乏趣 =晶體中之-連接於該短路環，而該多個空乏型薄膜電曰e 植係位於純路環及該多個第—個檢查信號電壓輸入終* H 1¾多個2乏型薄膜電晶體控制該短路環與該多條^ 極線與源極線間之導電性。 於-實例中，該多個空乏型薄膜電晶體各具有電聯於言 多條閘極線中與其對應者及該多條源極線中與其對應者 而DTFT閘極係電聯㈣TFT_電壓輸人線，至少一 -8 - 本紙張尺度適财@ s家標準(CNS) M規格(⑽㈣7公爱）

裝 訂

487820 A7 B7 五、發明説明（6 ) DTFT閘極電壓輸入線之數目少於該空乏型薄膜電晶體之 數目，DTFT閘極電壓係經由該至少一閘極電壓輸入線自 第一個DTFT閘極電壓輸入終端施加於該多個空乏型薄膜 電晶體。 於一實例中，該多個位於顯示區中之切換元件各係為反 差型薄膜電晶體，而該多個空乏型薄膜電晶體各係為差調 型薄膜電晶體。 於一實例中，該多個空乏型薄膜電晶體個自所具有之閘 極絕緣膜係由與位於該顯示區中之反差型薄膜電晶體個自 所具有之保護絕緣膜相同。 根據本發明之另一態樣，於檢查液晶顯示裝置之方法 中，該液晶顯示裝置係藉著斷開該多個空乏型薄膜電晶 體，將檢查信號輸入該多個第一個檢查信號電壓輸入終端 而檢查。 於一實例中，該多個空乏型薄膜電晶體（連接於該多條 源極線中之個別線）各具有電聯於多條DTFT閘極電壓輸入 線中之對應線的DTFT閘極，多個DTFT閘極電壓輸入終端 係對應於該多個DTFT閘極電壓輸入線，而該DTFT閘極電 壓係經由該多條DTFT閘極電壓輸入線中之對應線，自該 多個第一個DTFT閘極電壓輸入終端中之一施加至該多個 空乏型薄膜電晶體中之對應者的多個DTFT閘極。 於一實例中，連接於各個DTFT閘極電壓輸入線之該多 個空乏型薄膜電晶體的DTFT源極係電聯於該短路環之多 條支線路中之對應者。 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 487820 A7 B7 五、發明説明（7 ) 於一實例中，當該第二個DTFT係處於連通狀態下時， 該短路環之多條支線路及該短路環連接於該空乏型薄膜電 晶體（其係連接於該多條閘極線之對應線）之多個DTFT源 極的支線路係經由第二個DTFT連接以作為單一短路環。 於一實例中，供該短路環之各支線路使用之輸入終端、 用以控制第二個空乏型薄膜電晶體之DTFT閘極電壓的第 二個DTFT閘極電壓輸入終端、用以將個別電壓施加於多 個DTFT閘極線之第三個閘極電壓輸入終端、及第一個 DTFT閘極電壓輸入終端係作為第二個檢查信號電壓輸入 終端，而該第一個檢查信號電壓輸入終端與該第二個檢查 信號電壓輸入終端係位於不同位置。 於一實例中，該閘極電壓輸入線之數目係為三之倍數， 以對應於紅、綠及藍。 根據本發明之另一態樣，於一種檢查液晶顯示裝置之方 法中，陣列檢查係使用第一個檢查信號電壓輸入終端進 行，而操作顯示檢查係使用第二個檢查信號電壓輸入終端 進行。 根據本發明，源極線及閘極線係經由該空乏型薄膜電晶 體連接於短路環。因此，可藉著不施加電壓於該空乏型薄 膜電晶體之閘極（DTFT閘極）以使該空乏型薄膜電晶體處 於連通狀態（正常狀態），而防止靜電損壞。若該空乏型薄 膜電晶體之DTFT閘極係任意地整體控制，則提供施加 DTFT閘極電壓於對應之DTFT閘極之DTFT閘極電壓輸入 終端。結果，用以與該DTFT閘極電壓輸入終端接觸以施 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 487820 A7 _____B7_ . 五、發明説明（8 ) 加信號之探針數目及供TAB使用之線路數目可減少。 進行陣列撿查及操作顯示檢查時，將澌開電壓施加於該 DTFT閘極電壓輸入終端，以於源極線之間、於閘極線之 間、及於源極及閘極線之間得到電斷開狀態。之後，於液 晶顯示裝置之輸入終端施加檢查信號或啟動信號。結果， 可進行精確之陣列檢查及可信之操作顯示檢查。 根據本發明，該源極線可連接於短路環之多條支線路 (可提供任何數目之支線路）。短路環之支線路整體作為單 一短路環，使所有閘極線及源極線皆短路。此情況下，當 該空乏型薄膜電晶體斷開時，所有輸入終端及線路皆處於 斷開狀態。是故，電檢法諸如測量像元電荷之方法可用於 陣列檢查。此情況下，多條支線路（可供作源極線）及單一 條支線路（可供作閘極線）可作為單一短路環。而且，供短 路環之多條支線路使用之輸入終端、用以控制第二個空乏 型薄膜電晶體之DTFT閘極電壓的第二個DTFT閘極電壓輸 入終端、用以施加相同閘極電壓於該多條DTFT閘極線之 第三個DTFT閘極電壓輸入終端、及第一個DTFT閘極電壓 輸入終端可作為第二個檢查信號輸入終端，而該第一個檢 查信號輸入終端及該第二個檢查信號輸入終端可位於不同 位置。當檢查例后黑色顯示時，該空乏型薄膜電晶體係處 於連通狀態（或正常狀態），以自輸入終端施加檢查啟動信 號電壓。 该源極線可根據顏色（紅、綠及藍）連接於該短路環之多 條支線路。此情況下，各顏色之顯示可藉著選擇性地施加 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) "to /ozu A7

源極信號電壓於該液晶顯示裝置而啟動。 〜因此’本發明可提供以下優點：（丨）液晶顯示裝置可進 2精確之陣列檢查及可信之操作顯示檢查，而同時防止靜 電損傷；及（2 ) —種檢查彼者之方法。 热習此技藝者可於參照附圖閱讀並明瞭以下詳述後明瞭 本發明之此等及其他優點。 圖式簡單說明 ，圖1係為本發明實施例1之液晶顯示裝置的信號輸入終端 邵分的平面圖； 圖2係為顯示圖1之液晶顯示裝置中n _通道空乏型薄膜電 晶體之切換特性的圖； 圖3係為顯示區中薄膜電晶體之剖面圖，其係根據本發 明實施例2、3及4之製造方法所形成； 圖4係為終端部分之薄膜電晶體的剖面圖，其係根據實 施例2之製造方法形成； 圖5係為終端部分中之薄膜電晶體的剖面圖，其係根據 實施例3製造方法形成； 圖6係為終端部分中之薄膜電晶體的剖面圖，其係根據 實施例4之製造方法形成； " 圖7係為貫施例5液晶顯示裝置中電路之圖示； 圖8 Α係為習用液晶顯示裝置之外觀平面圖； 圖8B係為圖8A之習用液晶顯示裝置的正視圖； 圖8 C係為圖8 A之習用液晶顯示裝置自圖右側觀測之側 視圖， -12-

487820 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 圖9係為習用液晶顯示裝置中電路之圖示.；而 圖1 0係為.另一習用液晶顯示裝置之終端部分中電路的圖 示。 元件符號說明 1 陣列基板 22 空乏型薄膜電晶體 2 對基板 23 空乏型薄膜電晶體閘 3 顯TJT區 極電壓輸入終端 4 源極線 33 薄膜電晶體 5 閘極線 34 像元電極 6 檢查信號輸入終端 35 對電極 7 檢查信號輸入終端 38 〜40 空乏型薄膜電晶體 8 短路環 101 源極線 9 空乏型薄膜電晶體 102 閘極線 10 閘極 103 像元電極 11 〜12 空乏型薄膜電晶體閘 105 薄膜電晶體 極電壓輸入終端 106 液晶層 11a〜lid 線路 107 對電極 13 分隔線 108 短路環 14 〜16 空乏型薄膜電晶體閘 109 兩條虛線 極電壓輸入終端 110 源極信號輸入終端 17 〜19 源極信號電壓輸入終 111 閘極信號輸入終端 二山 112 顯示區 20 閘極電壓輸入終端 113 對玻璃基板 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 487820 A7 B7 五、發明説明（11 ) 114 玻璃基板（陣列基板） 302 閘極絕緣膜 115 陣列基板 303 a-Si半導體膜 116 對基板 304 n+a-Si半導體膜 117 顯示區域 305 源極及汲極 118 源極線 306 保護膜 119 閘極線 401 源極及汲極 120 信號輸入終端 402 a-Si半導體膜 121 信號輸入終端 403 含鱗表層 122 短路環 404 保護膜 123a 薄膜電晶體 405 離子摻雜層 123b 薄膜電晶體 406 η通道形成區 301 閘極 407 源極及汲極 較佳具體實例描述 下文，將參照附圖藉由說明性實例描述本發明。相同參 考編號係表示相同組件。 (實施例1) 圖1係為顯示本發明實施例1之液晶顯示裝置的信號輸入 終端部分的放大圖。 該液晶顯示裝置包括陣列基板1及面向著陣列基板1之對 基板2，該陣列基板1及該對基板2係於中間夾置有液晶層 之情況下彼此黏著。該陣列基板1包括切換元件（未示）諸 如薄膜電晶體。於該液晶顯示裝置中，影像資料係顯示於 顯示區3中。源極線4及閘極線5係視影像顯示所需地位於 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 487820 A7 B7 五、發明説明（12 ) 該陣列基板1上。檢查信號輸入終端6係位於各源極線4 上，檢查信號輸入終端7係位於各閘極線5上。自低電阻 金屬形成之短路環8係位於該陣列基板1之外緣。線路4及 5係經由個別空乏型薄膜電晶體（DTFT) 9電聯於該短路環 8。各薄膜電晶體9可或為η -通道薄膜電晶體或為p -通道 薄膜電晶體。薄膜電晶體9之閘極1 0 (DTFT閘極）係連接 於D T F Τ閘極電壓輸入線1 1，以由該DTFT閘極電壓輸入 終端整體電控該薄膜電晶體9之所有DTFT閘極1 0。 圖2係為顯示薄膜電晶體9之切換特性之圖，其中橫座標 表示閘極電壓，而縱座標表示流過汲極之電流。於此圖 中，薄膜電晶體9係為η -通道薄膜電晶體。圖中之曲線B 係表示供像元電極使用之薄膜電晶體的特性（對應於圖9中 之像元電極103 )。具有曲線Β所示特性之薄膜電晶體大體 上意指：增強型’’薄膜電晶體。圖中之曲線Α表示位於短路 環8及各線路4及5之間的’’空乏型’’薄膜電晶體9。 如圖2所示，當閘極未施加電壓時，電於該空乏型薄膜 電晶體9中流動。因此，藉著施加負電壓於該空乏型薄膜 電晶體9之閘極，可截斷流經供像元電極使用之增強型薄 膜電晶體之汲極的電流，如曲線B所示。 下文中，參照圖1描述用以檢查本發明具有空乏型薄膜 電晶體9以作為保護元件之液晶顯示裝置的方法。詳言 之，描述陣列檢查方法及操作顯示檢查方法。 於液晶顯示裝置之製造過程中，所有源極線4及閘極線5 皆經由個別空乏型薄膜電晶體9連接於該路環8 (作為參考 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂

電位線）。因此，當薄兩Θ越 時，可完全防止靜電損傷”10上未施加電壓 車：檢查法或操作顯示檢查法檢查本發明液晶顯示 裝置争’而使兀件諸如探針與㈣線路4及5上之各檢查 :二電壓輸入終端接觸，並個別施加檢查電壓或啟動信號 包I：匕寺所有線路4及5皆需處於電斷開狀態。因 此，自DTFT閘極電壓輸人終端12施加斷開電壓於該薄膜 電晶體9之閘極。因而，該線路4及5完全處於斷開狀態， #不二例如相鄰線路信號影響下達到精確之陣列檢查及 可L之操作顯不檢^：。當檢查完成日寺，中斷施加於 閘極電壓輸入終端i 2之電壓’，以防止靜電損傷。 檢查後不需要作為保護元件之薄膜電晶體9時，薄膜電 晶體9僅需藉分隔線i 3截止。#不截止薄膜電晶體9下進 仃封裝万法或於不截止薄膜電晶體9下完成液晶顯示裝置 時，可藉著TAB等裝置連續施加斷開電壓，以防止於例如 封裝期間或於液晶顯示裝置輸送期間所致之靜電損傷。 根據實施例1，空乏型薄膜電晶體9係位於短路環8及線 路5及6之間，以完全防止於製造過程中之靜電損傷。而 且，於陣列檢查及操作顯示檢查期間，使所有線路皆處於 %斷開狀怨。結果，而於完全防止靜電損傷下提供精確之 陣列檢查及可信之操作顯示檢查。 發現藉著提供用以整體控制薄膜電晶體9之任意數量閘 極1 〇之一般DTF丁閘極電壓輸入終端丨2，可減少例如檢查 所需之探針數目。該實例將描述於下文實施例5中。 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

裝 訂

487820 A7 B7 五、發明説明（14 ) (實施例2) 下文將描述本發明實施例2。實施例2中，藉著使磷擴散 於a-Si半導體Μ中以形成磷（P)層，所形成之磷層作為位 於終端部分中之各空乏型薄膜電晶體的現成通道。 圖3係為實施例2顯示區中薄膜電晶體之剖面圖，而圖4 係為實施例2終端部分之薄膜電晶體的剖面圖。

裝 位於顯示區中之薄膜電晶體係為增強型薄膜電晶體，其 中當閘極電壓Vg == 0時，電流不流動。位於終端部分中之 薄膜電晶體係為空乏型薄膜電晶體，其中當Vg = 0時，電 流流動。因此，位於顯示區中之增強型薄膜電晶體之臨限 電壓Vt > 0，而位於終端部分中之空乏型薄膜電晶體之Vt <0。 顯示區中薄膜電晶體之製造方法與終端部分中之薄膜電 晶體的製造方法關係密切。因此，現在同時描述兩種製造 方法。

參照圖3，先形成顯示區中之薄膜電晶體閘極30 1。閘極 3 0 1係自金屬基板Ta或A1形成，厚度約3,000埃。此時， 自與閘極相同之材料形成短路環8，同時形成如圖4所示 之終端部分中薄膜電晶體的源極及汲極40 1。終端部分中 薄膜電晶體之源極及汲極40 1可與顯示區中薄膜電晶體之 閘極材料相同或相異。 其次，藉電漿化學蒸汽沉積（CVD )方法於整體表面上形 成厚度約3,000埃之閘極絕緣膜302。自SiNx (氮化矽）形 成閘極絕緣膜302。終端部分中之閘極絕緣膜302如圖4所 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 不地邵分蝕刻去除0 之後’H.Mcvd法於整體表面上依㈣成心半導體 膜及n a-Si半導f# 垃 + ^ °孩a_Si半導體膜之厚度係約200 ，’而Mn a_Si半導體膜厚度約綱埃。@此 成 顯示區中薄膜電晶體之叫導體膜3〇3及“科寺導: 終端部分中薄膜電㈣之a_si+i^_2Un+ 半導體膜(未示；對應於圖3中之膜304 )。 =道終瑞邵分中薄膜電晶體之』半導體膜術及〆 &-81半導體膜及^8}丰導|# + 經職為預定佈線圖型 及n心半導體膜304各 (後，僅有終端部分中之薄膜電晶體進行雷射退火方 法。藉著雷射退火方法，該n+心半導體膜（未示；對應 於圖3中之膜304)中所含之磷擴散至位於該n+a_si半^ :下層之a_Si半導體膜402之頂層部分。結果，於該“ 導體膜402之頂層部分中形成含鱗之表層4〇3。於該雷射 退火方法中，使用波長例如約3〇8毫微米之激光雷射 (XeC1)，掃描係使用針於終端部分中薄膜電晶體（尤其是 針對於終端部分中薄膜電晶體之n+a_Si半導體膜表 雷射光束進行。 之後’ n+a_Si半導體膜3〇4位於（圖3所示）顯示區中薄 電晶體的通道區上之部分(介於源極及沒極之間)係藉乾式 姓刻法敍除。此情況下，圖4終端部分中薄膜電晶體之n + a-Si半導體膜亦同時被完全蝕除。然而’含磷之表層4们 未被蝕除。該含磷表層403係作為終端部分中空乏型% 487820 A7 B7 五、發明説明（16 ) 電晶體之現存通道層。 之後，形成顯示區中薄膜電晶體之源極及汲極305。 之後，藉電漿CVD法於整體表面上沉積厚度約3,000埃 之保護膜。該保護膜係自SiNx膜形成。顯示區中薄膜電晶 體之保護膜306係作為顯示區中薄膜電晶體之保護膜。另 一方面，終端部分中薄膜電晶體之保護膜404係作為終端 部分薄膜電晶體之閘極絕緣膜，因其具有差調式結構。 之後，於保護膜404上自金屬諸如A 1形成線路1 1。該線 路1 1係對應於終端部分中薄膜電晶體之閘極。 (實施例3 ) 下文將描述本發明實施例3。圖3係為實施例3顯示區中 薄膜電晶體之剖面圖，而圖5係為實施例3終端部分中薄 膜電晶體之剖面圖。 位於顯示區中之薄膜電晶體係為增強型薄膜電晶體，其 中當Vg = 0時，電流不流動。位於終端部分中之薄膜電晶 體係為空乏型薄膜電晶體，其中當Vg = 0時，電流流動。 因此，位於顯示區中之增強型薄膜電晶體之臨限電壓> 0，而位於終端部分中之空乏型薄膜電晶體之Vt < 0。 顯示區中薄膜電晶體之製造方法係對終端部分中薄膜電 晶體之製造方法關係密切。因此，同時描述兩種製造方 法。 於實施例3中，藉著將磷（P)離子直接摻雜於a-Si半導體 膜中而形成經摻雜層，所形成之經摻雜層係用為位於終端 部分中之各空乏型薄膜電晶體的現存通道。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 五、發明説明（17 ，照圖3 ’先形成顯示區中之薄膜電晶體閘極训。閘極 1係自至屬基板Ta或A1形成’厚度約3，_埃。此時， 閘極相同之材料形成短路環8，同時形成如圖5所示 《終端邵分中薄膜電晶體的源極及沒極4〇1。终端部分中 =晶體之源極及没極4〇1可與顯示區中薄膜電晶體之 閘極材料相同或相異。 其久’精電漿化學蒸汽沉積(CVD)方法於整體表面上形 ^度約3’:_埃之閘極絕緣膜3〇2。自施形成閘極絕緣 、2。终端部分中之閘極絕緣膜3〇2如圖5所示地部分蝕 、後藉CVD法於整體表面上依序形成半導體 :及“…半導體膜。該“丨半導體膜之厚度係約· = 半導體膜厚度约則埃。因此，同時形成 了不區中薄膜電晶體之^以半導體膜3〇3及一 半導體 膜402及終端部分中薄膜電晶體之心半導體膜術及〆二 Si半導體膜（未示；對應於圖3中之膜3〇4)。 足後，終端部分中薄膜電晶體之a-Si半導體膜4〇2&n+ =半導體膜及a_Si半導體膜3〇3及n+心半導體膜⑽各 、左蚀刻成為預定佈線圖型。 又後，n a_Sl半導體膜304位於（圖3所示）顯示區中薄膜 電晶體的通道區上之部分（介於源極及沒極之間）係藉乾式 蝕刻法蝕除。此情況下’圖5終端部分中薄膜電晶體之n+ ^81半導體膜亦同時被完全蝕除。 《後，僅於終端部分中薄膜電晶體之心Si半導體膜術 -20- 本紙張尺度適财國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 487820 A7 B7 五、發明説明（18 ) 之部分表面中摻雜磷（P)離子。藉著離子摻雜方法，將P 離子植入終端部分中之薄膜電晶體内，詳言之，於a-Si半 導體膜402表面内，以形成經離子掺雜層405。此時，使 用膦（PH3)作為摻雜氣體。經離子摻雜層405係作為終端部 分中空乏型薄膜電晶體之現存通道層。 之後，形成顯示區中薄膜電晶體之源極及汲極305。 之後，藉電漿CVD法於整體表面上沉積厚度約3,000埃 之保護膜。該保護膜係自SiNx膜形成。顯示區中薄膜電晶 體之保護膜306係作為顯示區中薄膜電晶體之保護膜。另 一方面，終端部分中薄膜電晶體之保護膜404係作為終端 部分薄膜電晶體之閘極絕緣膜，因其具有差調式結構。 之後，於保護膜404上自金屬諸如A 1形成線路1 1。該線 路1 1係對應於終端部分中薄膜電晶體之閘極。 (實施例4) 下文將描述本發明實施例4。圖3係為實施例4顯示區中 薄膜電晶體之剖面圖，而圖6係為實施例4終端部分中薄 膜電晶體之剖面圖。 位於顯示區中之薄膜電晶體係為增強型薄膜電晶體，其 中當Vg = 0時，電流不流動。位於終端部分中之薄膜電晶 體係為空乏型薄膜電晶體，其中當Vg = 0時，電流流動。 因此，位於顯示區中之增強型薄膜電晶體之臨限電壓> 0，而位於終端部分中之空乏型薄膜電晶體之Vt<0。 顯示區中薄膜電晶體之製造方法係對終端部分中薄膜電 晶體之製造方法關係密切。因此，同時描述兩種製造方 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明（19 法 ο4中，於形成閘極之後藉著細由 雜磷（P)離子而傻稽者、，工由閘極絕緣膜摻 ，噼予而形成經摻雜層，所形成之铖 位於終端部分中之六Y ，工，雜層係用為 參照圖3,先來成: 晶體的現存通道。 先形成顯不區中之薄膜電晶體 301係自金屬基板Ta^A1$$戶閘極 自與閘極相同之材料tJ ㈣3，_埃。此時， 之終端部八由巧科形成短路環8,同時形成如圖6所示 、。刀溥膜電晶體的源極及汲極401。终端$八+ 薄膜電晶體之源極及沒極4〇1可與顯示區中薄膜；：：： 閘極材料相同或相異。 W膜-曰日體《 ^次’藉電漿化學蒸汽沉積（CVD)方法於整體表面上形 成厚度約3，_埃之閘極絕緣膜逝。自咖形成閉極絕緣 膜302。％端部 > 中之問極絕緣膜3〇2如圖6所示地部分姓 之後+，精電漿CVD法於整體表面上依序形成卜⑴半導體 膜及n a-Si半導體膜。茲a_si半導體膜之厚度係約加〇 埃，而孩n+ a-Si半導體膜厚度约5〇〇埃。因此，同時形成 顯示區中薄膜電晶體之a-Si半導體膜3〇3&n+心以半導體 膜304及終端部分中薄膜電晶體之^以半導體膜4〇2及及^ a-Si半導體膜（未示；對應於圖3中之膜3〇4)。 之後，終端部分中薄膜電晶體之a_Si半導體膜4〇2及n+ a-Si半導體膜及a-Si半導體膜303及n+ a_Si半導體膜3〇4各 經蝕刻成為預定佈線圖型。 之後，n+ a-Si半導體膜3 04位於（圖3所示）顯示區中薄膜 -22-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 487820 A7 B7 五、發明説明（20 ) 電晶體的通道區上之部分（介於源極及汲極之間）係藉乾式 蝕刻法蝕除.。此情況下，圖6終端部分中薄膜電晶體之n+ a-Si半導體膜赤同時被完全蝕除。 之後，形成顯示區中薄膜電晶體之源極及汲極305。 之後，藉電漿CVD法於整體表面上沉積厚度約3,000埃 之保護膜。該保護膜係自SiNx膜形成。顯示區中薄膜電晶 體之保護膜306係作為顯示區中薄膜電晶體之保護膜。另 一方面，終端部分中薄膜電晶體之保護膜404係作為終端 部分薄膜電晶體之閘極絕緣膜，因其具有差調式結構。 之後，於保護膜404上自金屬諸如A 1形成線路1 1。該線 路1 1係對應於終端部分中薄膜電晶體之閘極。 之後，P離子係經由線路（即終端部分中薄膜電晶體之閘 極）1 1摻雜於終端部分中之薄膜電晶體内。於該離子摻雜 方法中，P離子係於使用線路1 1作為罩幕之下植入終端部 分中之薄膜電晶體中。此時，膦（PH3)作為摻雜氣體。而 且，該離子摻雜方法係於室溫下使用約1 0至約9 0仟伏特 之加速電壓進行。結果，a-Si半導體膜402位於線路（即終 端部分中薄膜電晶體之閘極）1 1下層之部分變成η -通道形 成區406，而該a-Si半導體膜402之其餘部分係形成作為η-型雜質區之源極及汲極區407。該η -通道形成區406形成 終端部分中薄膜電晶體之空乏型薄膜電晶體。 (實施例5 ) 下文將描述本發明之實施例5。圖7係為顯示實施例5液 晶顯示裝置之略圖。實施例5顯示包括薄膜電晶體以作為 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 五、發明説明（21 ) 切換元件之例示主動陣列液晶顯示裝置。 一於貝犯例5 <液晶顯示裝置中，源極線4及閘極線5彼此 人叉而薄膜電晶體3 3係位於源極線4及閘極線5之每一 個交點。每個薄膜電晶體3 3皆係為用以顯示影像資料之 對應像元的切換元件。於液晶顯示裝置中，對基板3 5係 於中間夹置有液晶層之情況下面對於各像元電極3 4。 ^陣列檢查信號電壓輸入終端6係位於源極線4之各個延長 场上而陣列檢查信號電壓輸入終端7係位於閘極線5之 =個、長袖上。此外，各作為切換元件之空乏型薄膜電晶 缸3 8、3 9、4 0及9係位於源極線4及閘極線5之延長端 上，如圖7所示。詳言之，薄膜電晶體38係位於源極線4 對應於紅色（R)像兀之各延長端上。薄膜電晶體Μ係位於 源極線4對應於綠色（G)像元之各延長端上。❼薄膜電晶 體40係位於源極線4對應於藍色（B)像元之各延長端上。 薄膜電晶體9係位於閘極線5之各延長端上。 薄膜電晶體9位於閘極線5上之所有DTFT閘極皆連接於 DTFT閘極電壓輸入終端12。因此，薄膜電晶體9之連通/ 斷開狀態可藉著施加信號電壓於順問極電壓輸入饮端 U而切換，如實施例！之情況。而且，薄膜電晶體$之所 有DTFT源極皆連接於問極電壓輸人終端2()。@此，當薄 膜電晶體9係處於連通狀態下時，閘極信號電壓係施：於 供顯示區中各像元使用之薄膜電晶體3 3上。 薄膜電晶體似所有謂了閘極皆連接❹听閘極電壓 輸入終端丨4。因此，薄膜電晶體38之連通/斷開狀態可藉 •24- 本纸張尺度適财國國家標準(_峨·格(21GX297_ 487820 ’ A7 -*~ -----^_ 五、發明説明(22 ) 著施加信號電壓於DTFT閘極電壓輸入終端丨4而切換，如 同貝她例1。相同地，薄膜電晶體3 9及薄膜電晶體4 〇之所 有DTF丁閘極皆個別連接於DTFt閘極電壓輸入終端丨5及 1 6。因此’薄膜電晶體3 9及薄膜電晶體4 〇之連通/斷開狀 怨可藉著個別施加信號電壓於dtft閘極電壓輸入終端j 5 及DTFT閘極電壓輸入終端1 6而切換，如同實施例1。此 外，薄膜電晶體38、39、及40之所有DTFT源極皆個別經 由、、泉路11 a 11 b及11 c連接於源择垂直輸入終端1 7、1 8及 1 9。因此，當薄膜電晶體3 8係處於連通狀態下時，源極 仏號電壓係經由線路i丨a施加於供顯示區中紅色像元使用 之對應薄膜電晶體3 3。相同地，當薄膜電晶體3 9及4 〇係 吏於連通狀怨下時，源極信號電壓係個別經由線路11 b及 lie施加於供顯示區中綠色及藍色像元使用之對應薄膜電 晶體33。發現線路lla、llb、Uc&lld個別作為短路環 之支線路，而線路lla、llb、Uc及nd 一起作為單一短 路環。 因為用以形成液晶顯示裝置之大部分材料皆係為絕緣 材料，故於製造過程中及液晶顯示裝置輸送過程中累積 電:結果，所累積之靜電可於液晶顯示裝置内部放電， 才貝壞絕緣膜等裝置。因為該損壞於線路 使切換元件特性改變，而產生點狀及/或線成狀:路陷及/ 故降低影像品質。為了防止該種靜電損$，該源極緯 及該閘極線5需短路。 因此，所有紅色源極線4皆經由對應之薄膜電晶體38 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱）一 ---—»一· —_

裝

k 五、發明説明（23 )

及 11c。線路 lia、lib、 22短路。 當電壓信號未施加於用以控制薄膜電晶體2 2之dtft閘 極電壓輸入終端2 3時 處於導電狀態，以作, z 3 f ’所有線路i! a、11 b、11 c及11 d係 以作為短路環。是故，源極線4及閘極線 5具有相同之電位，而可防止靜電損傷。 現在參照圖7描述提供供陣列檢查及操作顯示檢查使用 之信號電壓的方法。 就陣列檢查而言’通常使用電檢法，諸如測定像元電荷 之方/去。於此方法中’探針係與個別位於源極線4及閘極 、’泉5之延長端上之各檢查信號電壓輸入終端6及7接觸。此 /兄下’斷開電壓施加於薄膜電晶體3 8、3 9、4 〇及9之 DTFT問極’以使薄膜電晶體3 8 ' 3 9、4 〇及9處於開開狀 怨。因此’檢查信號電壓輸入終端6及7各處於電斷開狀 態’以達成精確之陣列檢查。 μ就操作顯不檢查而言，現在說明檢查紅色螢幕、綠色螢 幕、藍色勞幕及黑色螢幕之各個操作狀態的方法。於此方 /夫中’為了施加信號電壓於液晶顯示裝置之像元電極 〜示區3中之薄膜電晶體33需連通。為了連通該薄膜 私印體3 3 ’中止施加斷開電壓於閘極電壓輸入終端1 2， 以使薄膜電晶體9 (即閘極信號所使用之切換元件）處於連 通狀態（正常狀態）。於該閘極信號電壓輸入終端2 0施加供

487820 A7 B7

五、發明説明（24 ) 薄膜電晶體3 3使用之閘極信號電壓。若為正常白色模式 液晶顯示裝.置，則當施加電壓於像元電極3 4時，像元1 極34達成黑色顯示。另一方面，當像元電極34上不=二 電壓時，像元電極3 4達成其現存於各濾色器中之對應顏 色（R、G或B )之顯示。 …〜 因此，為了得到紅色顯示，中止施加於斷開電壓於 DTFT閘極電壓輸入終端1 5及1 6，以使薄膜電晶體3 9及 40處於連通狀態（正常狀態）^是故，將對應於薄膜電晶體 39及40之薄膜電晶體33連通。之後，於輸入終端18及19 上施加供連通狀態薄膜電晶體3 3使用之檢查源極信號電 壓，以啟動紅色顯示。因此，可檢查紅色顯示之顯示品 g ,诸如點狀缺陷、線狀缺陷、及不均勻缺陷。同法可啟 動並右X查藍色、綠色及黑色顯示之顯示品質。 該紅色顯示或可如下啟動：中止施加斷開電壓於DTFt 閘極電壓輸入終端1 4、1 5及1 6，使該薄膜電晶體3 8、3 9 及4 0處於連通狀態（正常狀態）。是故，所有薄膜電晶體 3 3皆連通。之後，於輸入終端1 7上施加低電壓，而於輸 入終端1 8及1 9上施加使顯示充分黑暗之電壓。由此，可 啟動S紅色顯示。而且’該黑色顯示可如下啟動：中止施 加斷開電壓於DTFT閘極電壓輸入終端1 4、1 5及16，使該 薄膜電晶體38、39及40處於連通狀態（正常狀態）。是 故，所有薄膜電晶體3 3皆連通。之後，於輸入終端丨7、 1 8及1 9上施加使顯示充分黑暗之電壓。由此，可啟動該 黑色顯示。如前文所述’根據實施例5，個別顏色之顯示 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐) A7 B7 五、發明説明（25 可個別啟動並檢查顯示品質。 進饤陣列檢查時’施加斷開電壓於DTFT閘極電壓輸入 、’'偭 23、I4、15 及 16 ,以使線路 lla、lib、11c及 Ud 於 :斷開狀,¾下作為短路環。結果，可達成精確之檢查。檢 查元成後，中止施加信號於DTFT閘極電壓輸入終端23， 以防止靜電損壞。 於白用貫例中’具有SVGA (超攝影圖型陣列）解析度之 顯示需要約3,000支探針，，根據實施例5之操作顯示 檢查，僅有五支探針需與個別輸入終端17、18、19、2〇 及23接觸以施加閘極信號電壓及源極信號電壓。結果， 探針^目可大幅減少。完成操作顯示檢查後，纟查信號輸 歧所在之σ卩刀係沿分隔線丨3被截止，之後則裝置該 組件。 、貝施例5之陣列檢查中，因為檢查原理所致，需提供 對應於每個信號輸入終端之昂貴探針。然而，於操作顯示 板互中，可使用單純接觸法而不使用昂貴探針進行檢查。 因此可於較低成本下進行陣列檢查及操作顯示檢查。 已發現耗實施例5中已描述正常白色模式之液;曰顯示 裝置但本發明不限於此。亦可根據本發明檢查正常黑色 模式液晶顯示裝置。檢查正常黑色模式之液晶顯示裝置 時，所施加之信號電壓與正常白色模式液晶顯示裝置反 相。 諸如二極體之元件可取代薄膜電晶體3 8、39、40及9以 作為切換元件。雖然實施例5中之薄膜電晶體“、Μ、

裝 訂

k -28- Ηδ/δζυ 發明説明（26 4 0及9 a係為空 < 型薄膜電晶體，但本發明可使用其他類 型之薄膜電·晶體。然而，於此情況下，為了防止靜電損 傷、，需施加例如連通電壓於切換元件，使切換元件之閘極 處於連通狀怨，而使切換元件之短路環及源極和閘極線之 間可短路。 根據實施例5，源極線可分成三種顏色（紅色、綠色及铭 色）、，而可個別啟動紅色、綠色及藍色顯示。是故，信^ %壓可個別她加於各顏色之源極線。當僅需檢查黑色顧示 時，針對於信號輸入僅提供—切換元件。 根據實施例5，提供作為短路環之三條線路山、⑴及 裝 11c。然而’本發明不限於此。線路數目可係為3之倍數， 以對應於紅色、藍色及綠色。 訂 如前文所詳細描述’根據本發明，於短路環及各條源極 線及閘極線之間提供空乏型薄膜電晶體，Μ完全防止製造 過程中之靜電損傷。而1 ’藉著適當地控制終端部分中之 薄膜電晶體’可於完全防止靜電損傷之情況下，進行精確 <陣列檢查及可信之操作顯示檢查。 線 熟習此技藝者可於不低雖女& 於不偏離本發明範圍及精神下輕易地進 行各種其他改良。是故，太旅 ^ 本發月範圍不限於前文描述，而 是廣義之申請專利範圍。 -29-

Claims (1)

1. 487820

   ι· 一種液晶顯示裝置，其包括： 一陣列基板； 一對基板’其面對該陣列基板；及 一液晶層，夾置於該陣列基板與該對基板之間，其中 該陣列基板包括： 多個像元電極，於顯示區中排列成矩陣； 多條閘極線； 多條源極線，與該多條閘極線交叉； 系巴緣層’位於該多條閘極線與該多條源極線之 間； 多個切換元件，個別連接於該多條閘極線、該多條 源極線、及該多個像元電極；及 一短路裱、多個第一個檢查信號電壓輸入終端及多 個空 < 型薄膜電晶體（DTFT)，其係位於與顯示區相鄰 之邊緣區域，其中 孩多條閘極線及該多條源極線中之每一條皆經由該多 個第一個檢查信號電壓輸入終端中之一及該多個空乏 型薄膜電晶體中之-連接於該短路環，而該多個空乏 型薄膜電晶體係位於該短路環及該多個第一個檢查信 號電壓？入終端之間，言亥多個空乏型薄膜電晶體控制 該短路環與該多條閘極線與源極線間之導電性。 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中 =個2乏型薄膜電晶體各具有電聯於該多條閘極線 中人其對應者及該？條源極線中與其對應者，而DTFT -30- 2. 487820 A B C.D 六、申請專利範圍 閘極係電聯於DTFT閘極電壓輸入線，至少一 DTFT閘 極電壓輸入線之數目少於該空乏型薄膜電晶體之數 目，而 DTFT閘極電壓係經由該至少一閘極電壓輸入線自第 一個DTFT閘極電壓輸入終端施加於該多個空乏型薄膜 電晶體。 3.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該多個位 於顯示區中之切換元件各係為反差型薄膜電晶體，而 該多個空乏型薄膜電晶體各係為差調型薄膜電晶體。 4 .如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置，其中該多個空 乏型薄膜電晶體個自所具有之閘極絕緣膜係由與位於 該顯示區中之反差型薄膜電晶體個自所具有之保護絕 緣膜相同。 5. —種液晶顯示裝置之檢查方法，其係檢查如申請專利 範圍第2項之液晶顯示裝置，其中該液晶顯示裝置係藉 著斷開該多個空乏型薄膜電晶體，將檢查信號輸入該 多個第一個檢查信號電壓輸入終端而檢查。 6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中 該多個空乏型薄膜電晶體（連接於該多條源極線中之 個別線）各具有電聯於多條DTFT閘極電壓輸入線中之 對應線的DTFT閘極， 多個DTFT閘極電壓輸入終端係對應於該多個DTFT閘 極電壓輸入線，而 該DTFT閘極電壓係經由該多條DTFT閘極電壓輸入線 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

   ο 2 8 7 8 A B c D 六、申請專利範圍 中之對應線，自該多個第一個DTFT閘極電壓輸入終端 中之一施加至該多個空乏型薄膜電晶體中之對應者的 多個DTFT閘極。 7. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中連接於各 個DTFT閘極電壓輸入線之該多個空乏型薄膜電晶體的 DTFT源極係電聯於該短路環之多條支線路中之對應 者。 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中當該第二 個DTFT係處於連通狀態下時，該短路環之多條支線路 及該短路環連接於該空乏型薄膜電晶體（其係連接於該 多條閘極線之對應線）之多個DTFT源極的支線路係經 由第二個DTFT連接以作為單一短路環。 9. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其中 供該短路環之各支線路使用之輸入終端、用以控制第 二個空乏型薄膜電晶體之DTFT閘極電壓的第二個 DTFT閘極電壓輸入終端、用以將個別電壓施加於多個 DTFT閘極線之第三個閘極電壓輸入終端、及第一個 DTFT閘極電壓輸入終端係作為第二個檢查信號電壓輸入 終端，而 該第一個檢查信號電壓輸入終端與該第二個檢查信號 電壓輸入終端係位於不同位置。 10. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中該閘極電 壓輸入線之數目係為三之倍數，以對應於紅、綠及藍 色。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

   ο 2 8 7 8 8 8 8 8 A B c D 、申請專利範圍 11. 一種液晶顯示裝置.之檢查方法，其係檢查如申請專利 範圍第9項之液晶顯示裝置，其中 陣列檢查係使用第一個檢查信號電壓輸入終端進行， 而操作顯示檢查係使用第二個檢查信號電壓輸入終端 進行。 33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）