TW482947B - Framed pellicle for dustproof protection of photolithographic photomask and method for exposure of photoresist layer on substrate surface to ultraviolet light through photomask - Google Patents
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Description
482947 A7 B7 五、發明説明(1 ) 發明背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於用於保護微影光罩的新穎圖框化薄膜 (framed pellicle),或者,更特別係關於:在製造LSI 、 V L S I 、液晶顯示板之類時,用於藉由以光化射線(如 :紫外光)穿透帶有圖案的光罩,使得光阻層暴於圖案下 ,以微影方式形成圖案的技巧中所用光罩之防塵保護的圖 框化薄膜。 微影技術是一種常用以製造精細半導體裝置(如: L S I和U L S I )及液晶顯示板的成熟技巧,其中,形 成於底質表面上的光阻層暴於穿透帶有透明圖案之透明物 (稱爲光罩,其位於或固定於光阻層上)的光化射線(如 :紫外光)下,,之後對暴於此圖案的光阻層施以顯影處 理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 微影法技術的多個嚴重問題之一是塵粒或多或少地沉 積在帶有圖案的光罩上,即使於潔淨度等級最高的乾淨室 中亦然,一旦塵粒沉積於光罩上,無法避免照射的光線被 吸收、不規則反射和散射,此會使得電阻層形成圖案的品 質降低,因此會對藉由使用微影法製得的裝置效能造成負 面影響。 瞭解即使於最高級無塵室中完全避免塵粒沉積於光罩 上的困難,微影法中使用的傳統方式是使圖框化薄膜位於 光罩上,光阻層之圖案的照射方式是以紫外光透過圖框化 薄膜的薄膜膜體(pellicle membrane)穿透光罩的方式進行。 此處所謂的圖框化薄膜是一個整體裝置,由硬質材料(如 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7^7 482947 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _—_B7_五、發明説明(2 ) :不銹鋼、鋁之類)的矩形或圓形外框構成,下文中稱爲 薄膜框(pellicle frame),其高度相當小,其兩端表面實質上 彼此平行,和無鬆弛部份地伸展並黏合於薄膜框之實質上 平行端點平面之一上的薄、高度透明塑膠膜(下文中稱爲 薄膜膜體)構成。 附圖1是傳統圖框化薄膜的垂直截面圖,此圖框化薄 膜由硬質材料的矩形或圓形薄膜框2和薄、高度透明塑膠 膜1作爲薄膜膜體所構成,其中的薄膜膜體分佈及以居間 的黏合層3無鬆弛部份地伸展並與薄膜框的一個底面結合 。薄膜框2的另一底面視情況地經壓敏性黏合劑塗覆以形 成黏合層4,藉此使得圖框化薄膜以無法取下的方式固定 於光罩5上。 圖框化薄膜置於光罩5上時,塵粒不會直接掉落在光 罩5上,但會沉積於薄膜膜體1的上表面上。因爲照光( 如:紫外光)的焦點通常不是集中於薄膜膜體1上的塵粒 ’而是集中於帶有圖案的光罩5 (其與薄膜膜體1之間相 距至少數毫米),所以,沉積在薄膜膜體1上的塵粒不會 對形成圖案的品質造成特別負面的影響。 未特別限制薄膜膜體1的材料,只要此材料是能夠提 供機械強度良好、對於照射光線的透光度高的塑膠樹脂即 可。適當的塑膠樹脂例包括硝基纖維素、醋酸酯纖維素和 氟化碳樹脂。用於薄膜框2的材料例包括鋁、不銹鋼和聚 乙烯。薄膜膜體1藉已知方法黏合於薄膜框2的一面上。 例如,薄膜框2的一面以對於薄膜膜體1的塑膠樹脂之溶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 482947 A7 _B7 五、發明説明(3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 解力高的溶劑潤濕,膜體1無細屑地散佈,在溶劑完全蒸 發之前,與薄膜框2的一面接觸(請參考日本專利申請案 第58 - 21902 3號)。或者’當然,薄膜膜體ι可 以錯由使用黏合劑(如:以樹脂爲基礎、以環氧樹脂爲基 礎和以氟化碳聚合物爲基礎的黏合劑)地與薄膜框2的一* 面結合。薄膜框2之相對於薄膜膜體1的另一面覆以壓敏 性黏合劑4,以使圖框化薄膜固定於光罩5表面上。適當 壓敏性黏合劑的例子包括以聚丁二烯樹脂爲基礎、以聚乙 酸乙烯酯爲基礎、以丙烯酸樹脂爲基礎和以矽酮樹脂爲基 礎者(此請參考美國專利案第4,86 1 ,40 2、曰本 專利案第6 3 - 2 7 7 0 7號及日本專利申請案第7 — 1 6 8 3 4 5號)。形成壓敏性黏合劑層4時,希望藉由 使可取下的紙板附著於黏合劑層4的發黏表面上,直到確 實使用圖框化薄膜之時,以暫時保護此發黏表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除了近幾年於越來越細的圖案解析所要求的微影圖案 技術以外,新式微影法中的一個顯著的趨勢是:藉由使用 發射波長越來越短的光源’使光阻層暴於構成圖案的光線 下。更特別地,波長4 3 6奈米的g -線光和波長3 6 5 奈米的1 一線光被深U V光(波長2 4 8奈米的K r F準 分子雷射光)所取代’不久之後,會被真空U V光(如: 波長1 9 3奈米的A r F準分子雷射光)所取代。不久白勺 將來,即使波長1 5 8奈米的F 2準分子雷射光也在可能使 用的範圍內,以達到更細的圖案解析度。 使用前述短波長雷射光作爲用以在光阻層上形成圖案 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公羡).g. 482947 A7 B7 五、發明説明(4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的照射光源,但有數個問題存在。例如,因爲空氣中的氧 之吸收帶介於所用雷射光波長範圍內,實質量的雷射光被 存在於到達光罩的光徑中之空氣所吸收。此外,空氣中的 氧分子藉由吸收雷射光而引發形成臭氧分子的反應。 當然能夠解決這些與使用短波長雷射光作爲照光光源 相關的問題,基本上,藉由完全移除其上有雷射光發射器 之照光機械之光徑中的氧或者藉由在光徑中充塡氮氣的方 式達成。換言之,在引入或固定半導體矽晶片或光罩之後 ,照光機械內部的氧被氮完全取代,以確保這樣低濃度的 氧不會造成任何負面影響。 但在圖框化薄膜位於光罩5上時,被薄膜膜體1、薄 膜框2和光罩5環繞的空間1 0必須是密閉空間,一旦有 圖框化薄膜位於其上的光罩5被帶入及固定於照光機械中 ,不可能再以氮氣取代密閉空間中的空氣,此無法解決因 爲光徑中的氧造成的問題,除非在製造裝置的光罩工廠( 將圖框化薄膜置於光罩上的工廠)中以氮氣進一步取代密 閉空間中的氧。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 此外,有時,在薄膜框2較低表面上形成黏合層4的 壓敏性黏合劑會逸出某些有機氣態材料,塡補光罩5上的 密閉空間,有機氣體因爲用於照射的雷射光能量而進入反 應中,此會引發問題。 發明槪述 據此,就微影形成圖案操作中的前述問題和遭遇到的 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~1 482947 A7 ____ B7_ 五、發明説明(5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 缺點,本發明的目的是要使用以前技術的圖框化薄膜,提 供一種新穎且經改良的圖框化薄膜,藉此,能夠在將圖框 化薄膜置於光罩上之後,能夠控制光罩上方的空間中的氣 體。 因此,本發明提供之用以提供微影法中之光罩防塵保 護的圖框化薄膜包含,整體形式的: (a )有兩個實質上彼此平行之底面且製自硬質性材 料的薄膜框;和 (b )製自透明塑膠樹脂膜的薄膜膜體,其散佈並以 無鬆弛部份的形式黏合於薄膜框的一個底面上, 此薄膜框有至少兩個通氣口,當圖框化薄膜安裝於光 罩上時,這兩個通氣口各使薄膜框和光罩所環繞的空間與 圖框化薄膜的外部環境相通。 較佳情況中,薄膜框中之通氣口的各者被濾膜覆蓋或 塞住,以免在圖框化薄膜置於光罩上方時,粒狀物質自外 部進入光罩上方的空間中。 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 前面所定義的圖框化薄膜可用於使位於底質表面上之 光阻層以紫外光圖案照射的方法中,光阻層以紫外光圖案 照射穿透帶有圖案之光罩的方法包含下列步驟: (1 )將前面所定義之本發明的圖框化薄膜置於光罩 上; (2 )自薄膜框中的至少一個(但非所有)通氣口引 入不含氧的氣體(下文中稱爲惰性氣體),及由其餘通氣 口排放氣體,藉此以惰性氣體取代被圖框化薄膜和光罩所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8 - 482947 A7 ______B7__ 五、發明説明(6 ) 環繞的空間中的氣體, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (3 )使有圖框化薄膜位於其上的光罩位於光阻層上 或上方;和 (4 )以穿透薄膜膜體的紫外光穿透光罩地照射光阻 層。 附圖簡述 附圖1是傳統位於光罩上的圖框化薄膜之垂直截面圖 〇 · 附圖2是本發明之有通氣口位於光罩上的圖框化薄膜 之垂直截面圖。 主要元件對照 1 塑膠樹脂膜 2 薄膜框 3 黏合層 4 黏合層 經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 5 光罩 6 通氣口 7 覆膜 8 氣體噴嘴 9 多孔濾膜 10 空間 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X297公釐) _ q _ 482947 A7 B7 五、發明説明(7 ) 較佳實施例詳述 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前面所定義的本發明之圖框化薄膜是本發明者致力於 硏究的結果,本發明者以獨特的構想爲基礎,藉由提供具 有至少兩個通氣口的薄膜框作爲抽氣裝置,以克服以前技 術圖框化薄膜之問題和缺點,現將參考附圖而更詳細地描 述本發明。 附圖2是位於光罩5上及藉壓敏性黏合層4固定位置 之本發明之圖框化薄膜的垂直截面圖。類似於附圖1所示 垂直截面圖之傳統圖框化薄膜,本發明之圖框化薄膜由硬 質材料製的薄膜框2和與藉由居間的黏合層而與薄膜框2 的一個底面結合之塑膠樹脂膜製的薄、高透光度薄膜膜體 1構成。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 此外,本發明的圖框化薄膜位於有至少兩個通氣口 6 ,6的薄膜框2中,通氣口 6穿透薄膜框2,使得被光罩 5和位於其上的圖框化薄膜環繞的空間1 〇與圖框化薄膜 外的環境相通。較佳情況中,各個通氣口 6,6被多孔濾 膜9所覆蓋或被多孔充塞膜塞住,以阻止任何細粒物質通 過。對於通氣口 6的尺寸沒有特別的限制。 爲了要有助於以惰性氣體取代空間1 〇中的空氣,以 有覆膜7附著於薄膜框2上以覆蓋通氣口 6爲佳。覆膜7 有一個氣體噴嘴8,其可以連接於氣體輸入管或氣體輸出 管(未示於附圖中),藉此,空間1 〇中的空氣被滌除或 者惰性氣體(如:氮)被引至空間1 〇中。對於具有氣體 噴嘴8的覆膜7材料沒有特別的限制,可以選自氟化碳樹 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X:297公釐) -10· 482947 A7 _ —__B7 五、發明説明(8 ) 月曰尔丙烯樹脂、尼龍樹脂、不錄鋼之類。覆膜γ可以藉 由使用適當黏合劑而與薄膜框2連接。 對於取代空間1 〇中之空氣的”惰性,,氣體沒有特別 的限制,只要氣體不會或極微度地吸收短波長紫外光且不 會如同氧氣一般地誘發任何紫外光反應即可。適當的惰性 氣體例包括氮氣、氨氣、氬氣之類,就氣體的低成本觀點 ’較佳者是氮氣。 濾膜9覆蓋通氣口6,用以捕集任何細粒材料,無濾 月吴9時’迨樣的細粒材料可能會被通過開口 6的惰性氣體 帶到空間1 0中。據此’最低要求是僅有作爲氣體入口的 開口 6配備濾膜9。但是,將意外或不尋常操作條件列入 考慮’一個安全的方式是所有的開口 6,6皆配備濾膜9 〇 下文中,以實例更詳細地描述本發明之圖框化薄膜, 但不欲以這些實例限制本發明之範圍。 實例1 使用一個內部尺寸1 4 9毫米X 1 2 2毫米的鋁製矩 形薄膜框,其有兩個作爲通氣口的0 . 5毫米直徑穿透孔 位於兩個相對位置上且具有〇 · 3毫米厚氟化碳樹脂篩網 (開口直徑0 · 1微米)附於框上作爲覆蓋開口的濾膜。 各個覆有濾、膜的開口進一步以具有內徑2.0毫米之氣體 噴嘴的氟化碳樹脂覆膜覆蓋。鋁框的一個底面覆有黏合劑 ,1微米厚的氟化碳樹脂膜分佈於其上,並以無細屑的方 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210 X297公釐) -11 . 482947 A7 __B7_ 五、發明説明(9 ) 式黏合於鋁框之經黏合劑塗覆的表面上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉此製得的圖框化薄膜以壓敏黏合劑塗覆於薄膜框的 另一面上,並置於熔融矽石玻璃片的光罩,並以壓敏黏合 層固定其位置。 一個氣體噴嘴與氮氣輸入管連接,氮氣經由氣體噴嘴 以1 0 0毫升/分鐘速率引入。引入氮氣3 0分鐘之後, 分析自另一氣體噴嘴排出的氣體中的氧含量,排放氣體中 的氧含量低於偵側下限,顯示被光罩和圖框化薄膜環繞的 空間實質上充滿純氮氣。 在空間中充滿氮氣之後,光阻層以波長1 5 8奈米的 氟準分子雷射進行之圖案照射可以毫無困難地以穿透被圖 框化薄膜覆蓋的光罩的方式進行。 爲便於比較,進行相同的圖案照射試驗,但此處被光 罩和圖框化薄膜環繞的空間充滿空氣,照射1 0次之後, 觀察到薄膜膜體和光罩表面有外觀膜糊情況,推測此爲空 間中的氣體因爲與雷射光作用而形成的一些反應產物沉積 所致。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實例2 進行大約與實例1相同的實驗程序,但鋁的矩形薄膜 框配備有4 (非2 )個通氣口,各者位於四個面之一的中 央位置,氮氣輸入管與四個覆膜之一的氣體噴嘴連接,以 1 0毫升/分鐘的速率引進氮氣達1 0分鐘。收集自另三 個氣體噴嘴排出的氣體並分析氧濃度,排放氣體中的氧含 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 482947 A7 B7 五、發明説明(10 ) 量低於偵側下限,顯示被光罩和圖框化薄膜環繞的空間實 質上充滿純氮氣。 使用前述光罩和圖框化薄膜及空間中充滿氮氣的組合 ,進行以氟準分子雷射照射的試驗,如同實例1地,無任 何困擾地成功完成試驗。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 482947 A8 B8 C8 D8 六'申請專利範圍 1 · 一種用於防塵保護微影光罩的圖框化薄膜,其包 含’呈整體形式的: (a )具有兩個實質上彼此平行之底面且製自硬質材 料的薄膜框;和 (b )製自透明塑膠樹脂膜的薄膜膜體,其以無鬆弛 部份的形式散佈並黏合於薄膜框的一個底面上, 此薄膜框有至少兩個通氣口,這兩個通氣口各使薄膜 月莫體和薄膜框所圍繞的空間與薄膜框的外部環境相通。 2 ·如申請專利範圍第1項之圖框化薄膜,其中,各 個通氣口被濾膜覆蓋或塞住。 3 ·如申請專利範圍第1項之圖框化薄膜,其中,至 少一個通氣口被具有氣體噴嘴的覆膜所覆蓋。 4·一種透過光罩而使底質表面上之光阻層曝於紫外 光的方法,其包含以下步驟: (A )將申請專利範圍第1項之圖框化薄膜安置於光 罩上; (B )使光罩和圖框化薄膜圍繞的空間中充滿不含氧 的氣體; (C) 將載有圖框化薄膜的光罩置於底質表面上或上 方;和 (D) 令光阻層曝於穿透薄膜膜體和光罩的紫外光下 %'义 5 ·如申請專利範圍第4項之使底質表面±(的::$阻層 曝於紫外光的方法,其中,該不含氧的氣體是氮氣)¾¾ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 482947 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 iV ' ί夂' 6 .如申請專利範圍第4項之使底質表面与:傳味阻層 曝於紫外光的方法,其中,在步驟(B)中,藉:函_至少 除 滌 □ 氣 通 餘。 其體 自氣 並該 體滿 氣充 該中 入間 輸空 口使 氣 ’ 通式 }方 部的 全氣 非空 但的 C 中 個 間 1 空 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI611479B (zh) * | 2016-09-29 | 2018-01-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 薄膜組件的製造方法 |
CN108508696A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-09-07 | 德淮半导体有限公司 | 掩膜版以及曝光方法 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001133960A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル及びペリクルの使用方法 |
JP2002158153A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Canon Inc | 露光装置およびペリクル空間内ガス置換方法 |
US6710845B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-03-23 | Intel Corporation | Purging gas from a photolithography enclosure between a mask protective device and a patterned mask |
JP4027085B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | デバイス製造関連装置およびデバイス製造方法 |
JP2003315983A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク |
US7014961B2 (en) | 2002-10-02 | 2006-03-21 | Yazaki Corporation | Photomask assembly incorporating a porous frame |
DE10246788B4 (de) * | 2002-10-08 | 2007-08-30 | Infineon Technologies Ag | Schutzvorrichtung für Reflexionsmasken und Verfahren zur Verwendung einer geschützten Reflexionsmaske |
JP2004157229A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法 |
JP4027214B2 (ja) | 2002-11-28 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | 搬送装置、デバイス製造装置、搬送方法およびデバイス製造方法 |
JP2007506155A (ja) * | 2003-09-23 | 2007-03-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | チップ生産において使用されるレチクルを汚染から保護する方法及び装置 |
CN1856740A (zh) * | 2003-09-23 | 2006-11-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于保护用在芯片制造中的标线片不被污染的方法和装置 |
US7619718B2 (en) * | 2003-10-07 | 2009-11-17 | Asml Holding N.V. | Method and system for active purging of pellicle volumes |
WO2005036604A2 (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-21 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Apparatus and method for supporting a flexible substrate during processing |
US7402362B2 (en) * | 2004-02-26 | 2008-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Inc. | Method and system for reducing and monitoring precipitated defects on masking reticles |
US8414908B2 (en) * | 2005-04-28 | 2013-04-09 | The Regents Of The University Of California | Compositions comprising nanostructures for cell, tissue and artificial organ growth, and methods for making and using same |
DE102005062430A1 (de) * | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Anordnung mit einer Photomaske und einem Pellicle und Projektionsbelichtungsanlage damit |
US7655363B2 (en) * | 2006-04-28 | 2010-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for solving mask precipitated defect issue |
US20070287074A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-13 | Texas Instruments, Incorporated | Controlled ambient reticle frame |
US7839480B2 (en) * | 2007-04-25 | 2010-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photomask haze reduction via ventilation |
US8492283B2 (en) | 2007-08-28 | 2013-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and structure for automated inert gas charging in a reticle stocker |
JP5169206B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2013-03-27 | 日本電気株式会社 | フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 |
DE102008041592A1 (de) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Detektion von kontaminierenden Stoffen in einer EUV-Lithographieanlage |
US8268514B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-09-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pellicle mounting method and apparatus |
US20110085968A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | The Regents Of The University Of California | Articles comprising nano-materials for geometry-guided stem cell differentiation and enhanced bone growth |
JP5314631B2 (ja) * | 2010-04-20 | 2013-10-16 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレームの通気孔内壁に粘着剤を塗布する方法 |
JP5742370B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-07-01 | 凸版印刷株式会社 | マスク基板の製造方法 |
JP6367342B2 (ja) | 2014-09-19 | 2018-08-01 | 三井化学株式会社 | ペリクル、ペリクルの製造方法及びペリクルを用いた露光方法 |
SG11201701805QA (en) | 2014-09-19 | 2017-04-27 | Mitsui Chemicals Inc | Pellicle, production method thereof, exposure method |
KR102502727B1 (ko) | 2015-11-09 | 2023-02-23 | 삼성전자주식회사 | 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치 |
KR102293215B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2021-08-24 | 삼성전자주식회사 | 펠리클의 제조 방법 및 펠리클 조립 장치 |
US11143952B2 (en) * | 2017-09-28 | 2021-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle removal method |
DE102018107012B4 (de) * | 2018-03-23 | 2019-12-19 | Schölly Fiberoptic GmbH | Initialisierungsverfahren und bildübertragendes System |
KR102207853B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2021-01-27 | 주식회사 에프에스티 | 펠리클용 벤트 필터 및 이를 포함하는 펠리클 |
CN111913346A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-11-10 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种光掩模组件及光刻*** |
CN115351029B (zh) * | 2022-08-17 | 2024-03-01 | 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 | 一种超大尺寸曝光机免擦拭装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6141255U (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-15 | 株式会社ニコン | マスク保護装置 |
JPH0922111A (ja) * | 1995-07-05 | 1997-01-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル |
US5883704A (en) * | 1995-08-07 | 1999-03-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system |
JPH09197652A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Nec Corp | ペリクル及びペリクル付きフォトマスク |
JP3575516B2 (ja) * | 1997-01-07 | 2004-10-13 | 信越化学工業株式会社 | 気圧調整用孔保護フィルター付きペリクル |
KR100253381B1 (ko) * | 1997-12-17 | 2000-06-01 | 김영환 | 재활용 마스크 및 그 제조방법과 재활용방법 |
US6436586B1 (en) * | 1999-04-21 | 2002-08-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle with a filter and method for production thereof |
JP2001133961A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル構造体及びペリクル構造体内部の雰囲気置換方法 |
JP2001133960A (ja) * | 1999-11-08 | 2001-05-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル及びペリクルの使用方法 |
-
1999
- 1999-11-08 JP JP31640799A patent/JP2001133960A/ja active Pending
-
2000
- 2000-11-01 TW TW089123010A patent/TW482947B/zh not_active IP Right Cessation
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-
2003
- 2003-04-22 US US10/419,933 patent/US6803161B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI611479B (zh) * | 2016-09-29 | 2018-01-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 薄膜組件的製造方法 |
CN108508696A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-09-07 | 德淮半导体有限公司 | 掩膜版以及曝光方法 |
Also Published As
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