TW479272B - Repairing method of mask defect - Google Patents

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TW479272B TW089104097A TW89104097A TW479272B TW 479272 B TW479272 B TW 479272B TW 089104097 A TW089104097 A TW 089104097A TW 89104097 A TW89104097 A TW 89104097A TW 479272 B TW479272 B TW 479272B
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aforementioned
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Mitsuyo Asano
Shingo Kanamitsu
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Toshiba Corp
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 B7 五、發明說明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於修正半導體裝置的掩罩製造過程中的光 罩、移相掩罩之類的圖案膜的缺陷之方法。 【相關先前技術之簡介】 在製造曝光用掩罩製造過程中，有時候會在於被形成 於石英基板等的透光性的掩罩基板上的遮光膜圖案或者移 相圖案中，形成了由不該形成的多餘的圖案所形成的凸缺 陷部。這種多餘的圖案膜材料的凸缺陷部係可藉由照射雷 射光而蒸發除去。然而，照射這種雷射的結果，將會在於 加工邊緣部產生上捲現象或者侵蝕到邊緣部的圖案，無法 將形狀加工地很好。此外，隨著光罩圖案的細微化，變得 愈來愈難以將雷射的照射位置正確地對準於圖案邊緣，而 難以執行高精度的加工。此外，雷射光束的集中亦有其限 度，所以存有難以進行小於0 · 5 # m的細微加工之問題 〇 另外，在於利用集中離子束（Focused Ion Beam;FIB ) 的濺射來修正掩罩的凸缺陷部的方法中，已經知道離子源 也就是鎵（G a )係在於離子束照射領域射入到掩罩基板 也就是石英內，將會因產生鎵的色染而導致降低透光率。 並且也已經‘知道將會因爲散亂後的F I B或者F I B離子 束的擴散而導致在於凸缺陷部的周圍受到過度蝕刻。形成 在這種凸缺陷部周圍的V字形狀的溝部稱爲“河床（ riverbed)型缺陷”。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 B7 五、發明說明（2) 爲了解決這些問題，有人提出一種稱爲“鉻膜蝕刻用 氣體輔助 F I B 蝕刻方法” （K.AUa，et，al.，SPIE vol. 2512, p.4 1 2( 1 99 5))用來作爲修正產生於鉻掩罩上的凸缺陷的掩 罩修正方法，而該鉻掩罩係在於石英基板上使用由鉻（ C r )以及氧化鉻（C r〇X )等的鉻化合物所組成的遮光 膜來作爲圖案膜材料，藉由採用：圖案膜材料也就是鉻和 氧化鉻等的鉻系材料；以及與透光性掩罩基板也就是石英 之間的蝕刻的可選擇性較高的氣體，可以減少鎵的色染或 河床型缺陷。根據這種掩罩修正方法可得知：進行掩罩修 正後的掩罩圖案係以波長爲3 6 5 n m的i射線進行曝光 所形成的轉印圖案，係於實用上並不會有問題。 但是，如果是以D U V ( Deep UV )等的更短波長之 領域來進行曝光的掩罩的話，即使是使用了 “鉻膜蝕刻用 氣體輔助F I B蝕刻”也無法讓人忽視因進行掩罩修正所 產生的鎵的色染或河床型缺陷對於掩罩基板所造成的損傷 之影響。 第1圖係利用“鉻膜蝕刻用氣體輔助F I B蝕刻”修 正過掩罩後的遮光膜圖案的平面圖；第2圖係顯示出將已 經修正過掩罩後的掩罩圖案在晶圓上面曝光時之沿著第1 圖中的I - I線的部分之在於晶圓面上的影像強度的特性 圖。第1圖1中所示的鉻掩罩1係在於石英基板2上面由鉻 和氧化鉻構成的遮光膜圖案3。掩罩圖案係由：遮光膜圖 案3以及開口部4所構成的。在形成這種鉻掩罩1時，會 在於遮光膜圖案3處也形成不必要的凸缺陷部，這種鉻掩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 B7 五、發明說明（3 ) 罩1上面將會在於開口部4處，因利用“鉻膜蝕刻用氣體 輔助F I B蝕刻”來除去該不必要的凸缺陷部而產生的蝕 刻痕跡5。第2圖的縱軸係表示影像強度（Intensity )， 而橫軸係表示在於晶圓上（on wafer)的位置（X軸）。 使用這種鉻掩罩的步進型投影曝光裝置的曝光條件係 設定爲：波長爲2 4 8 n m ;數値孔徑爲0 · 6 ;連貫因 數爲0 . 7 5。根據第2圖可看出，形成有蝕刻痕跡5的 掩罩修正部的開口部影像強度降低，其下降度相對於無缺 陷部係超過2 0 %以上之大幅地變動。其結果，掩罩經過 修正後的痕跡將會被轉印到晶圓上。 另一方面，如果是針對於使用鉬矽化物（Μ 〇 S i X ) 等的矽系材料來作爲遮光膜圖案或移相圖案等的圖案膜材 料之移相掩罩的凸缺陷部進行修正掩罩的情況，使用“鉻 膜蝕刻用氣體輔助F I B蝕刻”並沒有效果。而且，在於 進行F I B的成像時，移相膜容易充電，無法獲得高S N 比的影像，因此無法偵知出高精密度的蝕刻的終點，也是 其問題之一。 【本發明之槪說】 本發明係有鑑於這種情事而開發完成的，其目的係在 於提供：F‘ I B之離子對於形成在掩罩的凸缺陷部下的透 光性的掩罩基板的注入量以及對於凸缺陷周圍部的透光性 掩罩基板的切痕很小，可減少因照射雷射光而對於掩罩基 板所造成的傷害，且可抑制因修正掩罩所引起的影像強度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479272 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) @ '變動ί ’可確保充分的晶圓製程餘裕度之掩罩缺陷之修正 方法。 本^發明的第1特徵係提供可修正形成於掩罩上之多餘 的掩罩圖案膜的凸缺陷之修正掩罩之方法。此處，所謂的 π凸缺陷」係指：被形成與正常的圖案相連接的凸部之圖 案±的缺陷。亦即，本發明的第1特徵的掩罩圖案的缺陷 之修正方法係至少由：（a )對於被形成連接在正常圖案 之由圖案膜材料所組成的凸缺陷領域，將從這個凸缺陷領 域的外周部起的預定距離的範圍內設定爲離子束照射領域 的步驟；和（b )對於離子束照射領域照射集中離子束（ FIB)，以除去圖案膜材料的表面層的一部份，並殘留 下接觸於掩罩基板的圖案膜材料以形成凸缺陷薄膜的步驟 ;和（c )藉由照射雷射光以除去凸缺陷薄膜的步驟所組 成。 本發明的第1特徵中，在對於凸缺陷領域連接於正常 的圖案的部分進行蝕刻時，係可採用可執行高精度加工、 局部性的細微加工的F I B。具體而言，係可採用：氣體 輔助F I B蝕刻或者F I B濺射。藉由照射F I B，凸缺 陷之與正常的圖案邊緣相連接的部分的圖案膜材料全部都 被削除掉。將從凸缺陷領域起的預定距離的範圍內設定作 爲離子束照‘射領域，在於凸缺陷領域的圖案膜材料的下面 或者凸缺陷領域的周圍部的掩罩基板上，殘留下無法讓 F I B到達的程度的圖案膜材料以形成凸缺陷薄膜，然後 藉由照射雷射光以除去凸缺陷薄膜。因此，根據本發明的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2忉x 297公釐） -------------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 B7_ 五、發明說明（5 ) 第1特徵的掩罩之修正方法，在於正常的圖案的邊緣部不 會產生圖案膜材料捲起的現象，也不會侵蝕到圖案膜材料 ，可達成高精度且形狀良好的修正掩罩的效果。亦即，在 於凸缺陷領域連接到正常的圖案的邊緣的部分，圖案膜材 料全部被削除。因此，進行修正加工的邊緣部的形狀良好 ，且可高精度地加工。 此外，本發明的第1特徵的掩罩之修正方法係藉由形 成凸缺陷薄膜，可減少F I B的離子注入到透光性掩罩基 板的量，以及減少對於掩罩基板的挖入量.，而且也可減小 因照射雷射光所導致的對於掩罩基板的傷害。凸缺陷薄膜 的膜厚與遮光膜圖案的膜厚相比較之下，是非常地薄，所 以可將照射雷射光時對於掩罩基板所造成的傷害降低到最 小。對於掩罩基板的傷害係顯現於掩罩基板的透光率的降 低。因爲可以抑制對於掩罩基板的傷害，所以可抑制因修 正掩罩所引起的影像強度的變動，進而能夠確保充分的晶 圓製程的餘裕度。 此外，藉由照射雷射光以除去凸缺陷薄膜的過程係針 對於已經去除掉凸缺陷領域之連接到正常圖案的邊緣的部 分後的部分來進行的，所以雷射掩罩修正機的對準位置的 精度並不必要求具有非常高的精度。而且加工後的邊緣不 會捲起，也‘不會產生邊緣部的圖案受到侵蝕的現象。 本發明的第2特徵的掩罩圖案的缺陷之修正方法係至 少由：（a )對於被形成連接在正常圖案之由圖案膜材料 所組成的凸缺陷領域’將從适個凸缺陷領域的外周部起的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479272 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（6 ) 預定距離的範圍內設定爲離子束照射領域的步驟；和（b )對於離子束照射領域照射由鎵離子組成的F I B，以完 全除去圖案膜材料，而在石英掩罩基板的凸缺陷領域的表 面形成含鎵石英層的步驟；和（c )除去含鎵石英層的步 驟所組成。藉由形成含鎵石英層的步驟，將會在石英掩罩 基板的表面形成石英挖入部。這個石英挖入部的挖入量係 不會影響到晶圓上的轉印圖案的程度的量。 與第1特徵同樣地，根據本發明的第2特徵的掩罩圖 案缺陷之修正方法，在對於凸缺陷領域連接於正常圖案的 部分進行蝕刻時，係可採用可執行高精度加工、局部性的 細微加工的F I B，將遮光膜圖案或移相圖案等的圖案膜 全部削除，所以加工邊緣部的形狀良好，且可進行高精度 的加工。特別是在於形成含鎵石英層的步驟中，只要在於 掩罩基板的表面形成相對於凸缺陷領域以外的領域具有 3 6 0度相位差的深度的石英挖入部的話，就不會有相位 偏移的現象。 又，藉由將凸缺陷領域之與透光性掩罩基板相接觸的 方向的離子束照射領域的範圍設定成不超過凸缺陷領域以 及以殘留下凸缺陷薄膜的方式來進行蝕刻’可減少F I B 的離子注入到凹缺陷下的透光性掩罩基板的量’以及減少 F I B對於‘凸缺陷周圍部的透光性掩罩基板的挖入量。此 外，藉由照射雷射光來除去凸缺陷薄膜的過程’係針對於 已經去除掉凸缺陷領域之與正常圖案的邊緣相連接的部分 之後的部分來進行的’所以不必仰賴雷射掩罩修正機的精 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------^訂-------—線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 479272 A7 B7
五、發明説明（7) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 度，而且加工後的邊緣不會捲起，也不會產生邊緣部的圖 案受到侵蝕的現象。而且凸缺陷薄膜的膜厚與遮光膜圖案 的膜厚相比較之下，是非常地薄，所以可將照射雷射光時 對於掩罩基板所造成的傷害降低到較之傳統的掩罩修正方 法更低。其結果，可抑制因修正掩罩所引起的影像強度的 變動，進而能夠確保充分的晶圓製程的餘裕度。 本發明之其他以及更進一步的目的及特徵將會在於後 述之圖面所示的實施形態以及申請專利範圍中獲得更具體 明確的說明。 【較佳實施例的詳細說明】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下將佐以圖面來說明本發明之數個實施例。在於圖 面中，相同或近似的部分或元件均標註相同的圖號，並且 將省卻相同或近似的部分或元件的重複說明。一般而言， 掩罩係表示光罩，而且雖然圖示出許多不同的圖面，但是 這些圖面並不表示彼此之間的比例關係，特別是有關於膜 厚度，係爲了便於看圖起見，將其以示意圖的方式來表現 出來。在以下的說明當中，各種特定細節的說明部分例如 特定的訊號値等，係爲了謀求有助於理解本發明。但是， 很明顯地對於熟習此項技藝之人士而言，即使不採用這種 特定的細節亦能夠實施本發明。 【第1實施例】 如第3 A，B圖所示，本發明的第1實施例的掩罩， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 479272 A7 ____B7__ 五、發明説明（8) 係在透光性的石英基板2上形成鉻遮光膜3 (鉻膜以及形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成於其上面的氧化鉻膜所組成的疊層體，以下稱「鉻遮光 膜」）。在本發明的第1實施例中，係將這些當成4倍體 掩罩。爲了簡化起見，在第3 A，B圖中，僅顯示出鉻遮 光膜3的直線圖案與開口部4的空間圖案的交替反覆出現 的“直線與空間圖案”。這種情況下，鉻遮光膜3的線寬 度係0 · 9 # m ;開口部4的開口寬度係1 · 1 μ m，凸 缺陷領域6係位於連接在直線的邊緣部的位置。一般而言 ，當然除了這種單純的“直線與空間圖案”之外，更複雜 的矩形圖案之組合亦可採行。 本發明的第1實施例，係如第3圖所示，在於石英基 板2上使用鉻遮光膜3作爲圖案膜材料的鉻掩罩1上，會 產生因多餘的圖案膜材料所形成的凸缺陷領域6，本第1 實施例將針對於如何去除這種凸缺陷領域6來修正掩罩的 情況加以說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (a )首先’如第4圖A所示，一面對於掩罩表面噴 吹鉻膜蝕刻用輔助氣體8 —面對於凸缺陷領域6照射 F "I B 7。也就是，利用鉻膜蝕刻用輔助氣體•輔助 F I B蝕刻方法來進行蝕刻。如前所述，因爲散亂後的 F I B或因F I B離子束的擴散，在於凸缺陷領域6的周 圍部容易發生“河床型缺陷”。因此，預先將凸缺陷領域 6之連接於透光性石英基板2的方向的離子束照射領域設 定爲從凸缺陷領域6的外周部起〇 · 3 nm〜2 0 〇 nm 的範圍。如果是設定成FIB的離子束直徑的1/2的範 -11 - 479272 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9 ) 圍的話更佳。F I B的離子源係使用鎵厥子;加速電壓爲 2〇kV ;電流値爲5〇±1〇PA ;離子束直徑〇 · 2 M m Φ。這種情況下，F I B的離子束直徑的1 / 2係爲 〇。1 // m，所以離子束照射領域的範圍設定爲從凸缺陷 領域6的外周部起1 0 〇 n m的範圍即可。至於判定蝕刻 終點的方法則是採用二次離子偵知器，藉由計算蝕刻中的 鉻離子的數目來進行。當因爲飩刻而導致凸缺陷領域6的 鉻遮光膜的厚度變薄的話，鉻離子的計數値開始減少，進 而一旦鉻遮光膜下面的石英基板開始露出來的話，鉻離子 的計數値減少成低於雜訊強度以下。本發明的第1實施例 的掩罩修正方法係爲了不要讓F I B 7抵達凸缺陷領域6 下面的石英基板2，因而在於鉻離子計數値開始減少的時 點就結束蝕刻工作。 (b )因此，藉由這種蝕刻方法將會在於凸缺陷領域 殘留下薄薄的鉻膜厚9。此時，凸缺陷領域6之連接於圖 案邊緣的部分，因爲在於偵知終點時也會從與這個凸缺陷 領域6相鄰的遮光膜3的圖案中偵知出鉻離子，所以與凸 缺陷中央部比較之下，其判斷蝕刻已經結束的時點較遲。 因此，即使凸缺陷中央部的蝕刻已經結束了，與圖案邊緣 相連接的部分依然繼續進行蝕刻，所以凸缺陷領域6之連 接到圖案邊‘緣的部分並不會殘留下鉻薄膜，而是可以直接 蝕刻抵達石英基板2的上表面。另外，凸缺陷領域6之遠 離圖案邊緣的部分之凸缺陷領域6的周圍部的鉻離子計數 値的開始減少時點係較之凸缺陷中央部更早，所以膜厚變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 B7 五、發明說明（10) 得較厚，凸缺陷領域6乃存有不均勻的膜厚分佈。如第4 圖B所示，在第1實施例所示的樣品的情況下’利用鉻膜 蝕刻用輔助氣體•輔助F I B蝕刻方法來進行蝕刻後的凸 缺陷領域6的周圍.部的鉻薄膜9的膜厚係1 n m〜3〇 n m。這個凸缺陷領域6的周圍部的鉻薄膜9的膜厚的代 表性例子係1 5 n m〜3 0 n m。又’利用鉻膜蝕刻用輔 助氣體•輔助F I B蝕刻方法來進行蝕刻後的凸缺陷領域 6的中央部的鉻薄膜的膜厚係較之更薄3 0 n m，僅有例 如：〇·3nm〜5nm的程度而已。 (c )接下來，係如第4圖C所示般地，設定用以藉 由照射雷射光來除去鉻薄膜9的雷射照射領域1 0。如第 4圖B所示，凸缺陷領域6之與圖案邊緣相連接的部分並 不會殘留鉻薄膜9而直接蝕刻抵達石英基板2的上表面， 所以凸缺陷領域6之與圖案邊緣相連接的部分並不必照射 雷射光來進行除去薄膜。因此，係如第4圖C所示，係將 雷射照射領域1 0設定成包含凸缺陷部的鉻薄膜9，但是 卻不及於鉻遮光膜3的圖案邊緣。然後使用這種偏離開這 個鉻遮光膜3的圖案邊緣預定的距離的雷射照射領域1 0 ，對於凸缺陷部的鉻薄膜9照射雷射光，以將凸缺陷部的 鉻薄膜9利用蝕刻除去。此結果，係如第4圖D所示，可 以除去掉凸‘缺陷部的鉻薄膜9。根據本發明的第1實施例 的方法，係如第4圖C所示般地，能夠將凸缺陷部的絡薄 膜9的雷射照射領域1 〇設定成與圖案邊緣分開，所以雷 射掩罩修正機的離子束位置對準精度不必要求高精度。此 ________ .____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479272 A7 B7 五、發明說明（11) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 外，不會發生因雷射光束的錯誤定位等的原因而在於圖案 邊緣部產生鉻遮光膜3的上捲或凹陷。所謂「凹陷」係指 :因鉻遮光膜3的圖案邊緣部受到腐蝕所形成的彎曲形狀 。凸缺陷部的鉻薄膜9的膜厚頂多也只有3 0 n m而已， 與具有1 0 0 nm程度厚度的鉻遮光膜3相較之下，非常 地小，所以在與除去與圖案遮光膜相同膜厚的凸缺陷之傳 統的方法進行比較之下，因照射雷射光所導致的對於掩罩 基板的傷害較少。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第5圖A係顯示將利用本發明的第1實施例的方法修 正後的掩罩圖案在於晶圓上面曝光時的沿著第4圖D ( a )的IV - IV線的部分之當光束波長爲2 4 8 n m時在於晶 圓表面上的影像強度。這種影像強度係可使用影像強度測 定器(airial image measurement system )來進行測定。至 於可使用於這種目的之影像強度測定器係可使用卡爾蔡司 (Carl Zeiss )公司的 Microlithography Simulation Microscope “MSM-100”。亦即，這種影像強度測定器係利用 配置於晶圓位置上的C C D影像察覺器來測定與步進型投 影曝光裝置相同曝光條件之透過標線而來的光強度。第5 圖A的縱軸係代表影像強度（I n t e n s i t y )，橫軸係代表晶 圓上的位置（XPosition) (ym)。步進型投影曝光裝置 的曝光條件‘係設定爲：波長爲2 4 8 n m ;數値孔徑爲 〇· 6 ;連貫因數爲0 · 7 5。掩罩被修正後的部分所存 在的開口部1 4 (掩罩修正部空間）的影像強度的降低， 相對於無缺陷部係被抑制成小於5 %以下。 ____- 1Δ .__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 B7 五、發明說明（12) 第5圖B係顯示從這個影像強度所求得的曝光量與散 焦位置的關係。第5圖B的橫軸係由第5圖A所求得的臨 界値的倒數，對應於曝光量。亦即，在第5圖A中，用來 提供一定的線•空間比的臨界値係曝光量愈的話其値愈小 ，所以臨界値的倒數愈大的話，曝光量就增大。具體而言 ，第5圖A係顯示具有掩罩修正部的開口部（掩罩修正部 空間）1 4與遮光膜（掩罩修正部線）1 5在於晶圓上以 〇 · 2 5 // m ± 1 〇 %來進行解像時的曝光量與散焦位置 之間的關係。此外，第5圖A也顯示出從這種曝光量與散 焦位置的關係所規定的範圍內求出的曝光餘裕度爲1 0 % 時的製程窗口。此處，從無缺陷圖案的曝光量餘裕度爲 1〇％時的製程窗口所求得的焦點深度爲1 . 3 4 # m， 從掩罩修正圖案與無缺陷圖案的共通的製程窗口（曝光量 餘裕度爲1 0 %時）所求出的焦點深度爲1 · 1 2 β m， 可得知掩罩修正圖案係可確保無缺陷圖案之8 0 %以上的 焦點深度。 本發明的掩罩缺陷之修正方法係不拘於本發明的第1 實施例所使用的掩罩圖案、掩罩倍率以及缺陷種類•尺寸 如何，只要係使用鉻系材料當作其圖案膜材料的掩罩的話 ，無論是哪一種的掩罩圖案中的凸缺陷修正均可發揮效果 〇 是以，根據本發明的第1實施例的掩罩缺陷修正方法 ，可將鉻掩罩上所產生的凸缺陷予以高精度地加工成良好 的圖案形狀且不會對於掩罩基板造成傷害的狀態來修正掩 ____- -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 B7 五、發明說明（13) 罩。其結果，可以抑制因修正掩罩所引起的掩罩修正部的 影像強度的變動’能夠獲得晶圓製程的充分餘裕度。 【第2實施例】 本發明的第2實施例係說明針對於產生在：於石英基 板2上採用矽化鉬的氧化氮化物（Μ 〇 S i 2〇X N y )作 爲圖案膜材料的移相器1 7 (也稱爲矽化鉬移相器或矽化 鉬移相器圖案，以下簡稱爲：「移相器」或「移相器圖案 」）上的凸缺陷領域6進行修正掩罩的情況。 第6圖所示的移相掩罩1 6，係在於透光性的石英基 板2上形成以矽化鉬的氧化氮化物（Μ 〇 S i 2 Ο X N y ) 作爲材料的移相器1 7。掩罩圖案係交替反覆地配置移相 器1 7的直線圖案與開口部4的空間圖案而構成的。凸缺 陷領域6係如第6圖所示般地’假定是被配置成連接於直 線圖案1 7的邊緣部。 (a )首先，如第7圖所示，利用F I B濺射對於凸 缺陷領域6進行蝕刻。F I B 7的離子源係採用鎵離子’ 加速電壓爲2 0 kV ;電流値爲5 0± 1‘0 pA ;離子束 直徑0 · 2 A m Φ。凸缺陷領域6的周圍部容易產生河床 型缺陷，所以係將凸缺陷領域6之連接到透光性石英基板 2的方向之F I B的照射領域設定爲：從凸缺陷領域的夕 周部起相距0 · 3 n m〜2 0 0 n m的範圍（意指：較之 照射領域的周緣部未連接於凸缺陷領域的圖案膜的領域的 周邊部更往內側進入〇 · 3 n m〜2 0 ’ 0 n m的狀態）° ____- 1R ..__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ΦΚ.--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 _ B7 五、發明說明（14) 更好的方式係只要往內側進入相當於F I B的離子束直徑 的1 / 2程度即可。也就是說’若考慮到f I B的離子束 直徑的話，例如：只要從凸缺陷領域6的外周部起相距 1〇〇n m的範圍即可。 又，進行蝕刻時係殘留下小於凸缺陷領域6的膜厚 3 0 n m以下的矽化鉬薄膜，以避免F I B照射到凸缺陷 領域6下的石英基板2。其結果，就會形成將凸缺陷打薄 後的含鎵矽化鉬層1 8。 (b )其次，如第7圖C所示，設定雷射照射領域 1 0，避免照射及於移相器1 7的圖案邊緣。然後，將雷 射照射於這個雷射照射領域1 0，以除去含鎵矽化鉬層 1 8。含鎵矽化鉬層1 8中因爲被注入F I B的鎵離子， 所以受到雷射照射時將會吸收能量，其除去效率很高。因 此，在於進行雷射除去含鎵矽化鉬層1 8的作業時，即使 不必接觸（對準於）到連接於圖缺陷的圖案邊緣來指定雷 射照射領域，亦可除去含鎵矽化鉬層1 8。經過這個過程 係可獲得如第7圖D所示的結束了掩罩修正工作的掩罩圖 案。 本發明的掩罩缺陷之修正方法係不拘於本發明的第2 實施例所使用的掩罩圖案、掩罩倍率以及缺陷種類、尺寸 、圖案膜材料如何，無論是哪一種的掩罩圖案中的凸缺陷 修正均可發揮效果。 是以，根據本發明的第2實施例的掩罩缺陷修正方法 ，可將矽化鉬移相掩罩上所產生的凸缺陷予以高精度地加 ________-17 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479272 A7 B7 五、發明說明（15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 工成良好的圖案形狀且不會對於掩罩基板造成傷害的狀態 來修正掩罩。其結果，可以抑制因修正掩罩所引起的掩罩 修正部的影像強度的變動，能夠獲得晶圓製程的充分餘裕 度。 【第3實施例】 在第2實施例中的利用F I B濺射以對於凸缺陷進行 蝕刻的過程中，雖然是形成較薄的含鎵矽化鉬層，但是第 3實施例則是說明：將凸缺陷領域的矽化鉬的氧化氮化物 膜全部削除，並且在存有凸缺陷的部分的石英基板上形成 含鎵石英層的情況。 本發明的第3實施例的掩罩係移相掩罩1 6 ’係在於 石英基板2上面形成具有凸缺陷的矽化鉬移相圖案1 7以 及位於矽化鉬移相圖案1 7之間的開口部4。 (a )首先，如第8圖A所示地，利用F I B濺射將 凸缺陷領域的矽化鉬的氧化氮化物膜全部削除’在石英基 板2上面形成含鎵石英層1 9。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (b )然後，如第8圖B所示，藉由使用二氟化氙（ X e F 2 ) 2 0與F I B 7的氣體輔助F I B蝕刻來將含鎵 石英層1 9去除。藉由以這種蝕刻方式來將含鎵石英層 1 9去除’即可如第8圖C中的（a )所示般地’在於已 經除去含鎵石英層1 9之後的掩罩修正部的石英基板2的 表面上形成石英挖入部2 1。這個石英挖入部的挖入量係 不會影響到晶圓上的轉印圖案的程度。 ____- 1ft -___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 479272 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（16) 此外，如第9圖B所示，只要將掩罩修正部的石英基 板的挖入部2 1的相位差相對於石英基板的無缺陷部錯開 3 6 0度的話，就不會因修正掩罩而產生相位差缺陷。 在於用來除去在前述實施例中所產生的含鎵矽化鉬層 1 8 (請參考第7圖B的（a ))或者含鎵石英層1 9 ( 請參考第8圖A的（a ))的過程中，雖然是照射雷射光 或者以使用二氟化氙（X e F2) 2 0與F I B 7的氣體輔 助F I B蝕刻等的方法，但是，除了這些方法之外，亦可 採用：以溶解著鎵的氫氧化鉀（K〇Η )水溶液、氫氧化 納（N a Ο Η )水溶液等來進行的鹼性濕式蝕刻處理，或 者採用：可選擇性地除去含鎵層的等離子蝕刻等的乾式蝕 刻處理寺。 本發明的掩罩缺陷之修正方法係不拘於本實施例所使 用的掩罩圖案、掩罩倍率以及缺陷種類，無論是哪一種凸 缺陷修正均可發揮效果。掩罩圖案材料除了以使用矽化鉬 爲主的材料之外，亦可適用於使用鉻、氧化鉻、氟化鉻等 的鉻化合物的掩罩的情況。 是以，根據本發明的第3實施例，當針對於使用矽化 鉬、及其氧化氮化物等作爲圖案膜材料的移相掩罩上所產 生的凸缺陷進行修正掩罩時，系可予以高精度地加工成良 好的圖案形'狀且不會對於掩罩基板造成傷害的狀態來修正 掩罩。 【第4實施例】 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -1Q . -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 A7 ___________ B7 五、發明說明（17) 本發明的第4實施例係說明使用：在於透光性的石英 基板2上採用矽化鉬的氧化氮化物（Μ 〇 S i 2〇X N y ) 作爲圖案膜材料的移相器1 7上，又形成有配置著鉻膜 2 4的鉻/矽化鉬圖案2 3，而且形成於這種移相掩罩上 的凸缺陷領域6進行修正掩罩的情況。此外，此處的鉻膜 2 4係指：由鉻層以及形成其上的氧化鉻層的疊層體所構 成的複合膜。 (a )首先，如第1 〇圖A所示般地，在於石英基板 2上準備好矽化鉬移相器材料，以及在於其上面形成鉻膜 用的掩罩材料。然後，在這個掩罩材料的表面上塗敷光阻 膜，利用電子束曝光裝置等，進行繪圖，顯像以形成光阻 膜的圖案。然後，將這個光阻膜的圖案當作蝕刻用掩罩使 用，再利用R I E等處理方式對於鉻膜以及其下方的矽化 鉬移相器材料進行鈾刻處理，以使得矽化鉬移相器材料形 成圖案。然後，將作爲蝕刻用掩罩的光阻膜予以剝離。於 第1 0圖A中，在矽化鉬移相器材料的上部係殘留著尙未 剝離的鉻膜2 4。亦即，掩罩圖案係由：在移相器1 7上 配設有鉻膜2 4的鉻/矽化鉬圖案2 3所成的直線圖案與 開口部4的空間圖案反覆地交替所構成的。並且，假定凸 缺陷領域6係發生在與直線圖案的邊緣部相連接的地方。 (b〆如第1 0圖B所示，藉由供給鉻膜蝕刻用輔助 氣體8，利用鉻膜蝕刻用氣體輔助F I B蝕刻方法對於凸 缺陷領域6進行蝕刻加工。F I B 7的離子源係採用鎵離 子，加速電壓爲20kV ;電流値爲50±10pA ;離 _____- 9Π - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------衣--------訂----------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 479272 A7 ___ B7 五、發明說明（18) 子束直徑0 · 2 // m Φ。本發明的第4實施例，係在於矽 化鉬移相器圖案1 7上面形成鉻膜2 4，所以在於 F I B 7的影像觀察時，圖案膜變得不易活性化，能夠獲 得鉻/矽化鉬圖案2 3與開口部4之間的高S N比，而提 高影像畫質，確保能夠執行穩定的掩罩修正精度。並且， 可適用鉻膜蝕刻用氣體輔助F I B蝕刻方法，即使針對於 在缺陷形狀上具有凹凸的情況，亦可藉由監視著蝕刻作業 的終點，而能夠將掩罩修正部分的上表面加工成平面。亦 即，藉由使用二次離子偵知器來計數蝕刻中的鉻離子以偵 知出蝕刻的終點，即可將掩罩修正部分的上表面加工切削 成平面。如第1 〇圖C所示，位於凸缺陷領域6的領域之 鉻膜2 4係可藉由這種鈾刻方式而選擇性地被除去。 (c )其次，如第1 〇圖D所示，針對於其下面所露 出來的矽化鉬移相器圖案1 7，繼續使用鉻膜飩刻用氣體 輔助F I B蝕刻方法來進行蝕刻加工。針對於這種矽化鉬 膜的鈾刻作業，亦可採用F I B濺射。但是，有時候會因 爲切換成導入或不導入蝕刻氣體，而造成離子束照射領域 移位，而變得無法進行高精度的加工。這是因爲導入蝕刻 氣體用的噴嘴的位置發生變化，導致電場分布改變，離子 束也可能會偏離的原因。因此，在本發明的第4實施例中 ，對於移栢器的蝕刻亦可延續鉻膜2 4的蝕刻繼續採用鉻 膜蝕刻用氣體輔肋F I B蝕刻方法來進行蝕刻。當進行氣 體輔助F I B蝕刻加工時，係如前面所說過地，容易在於 凸缺陷領域6的周圍部產生河床型缺陷。因此，乃將凸缺 __- 91 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479272 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明（19) 陷領域6之連接於透光性石英基板的方向上的離子束照射 領域設定爲從凸缺陷領域的周邊起相距0 · 3 n m〜 2〇0 n m的範圍。更好的方式係只要往內側進入相當於 F I B的離子束直徑的1 / 2程度即可。也就是說，若考 慮到F I B的離子束直徑的話，例如：只要從凸缺陷領％ 6的外周部起相距1 〇 〇 n m的範圍即可。又，進行蝕刻 時係殘留下小於凸缺陷領域6的膜厚3 Ο n m以下的矽化 鉬薄膜，以避免F I B照射到凸缺陷領域6下的石英基板 2。其結果，就如第1 〇圖E的（a )所示般地，會在於 凸缺陷領域6的領域上，殘留著打薄後的含鎵矽化鉬層 18。 (d )其次，藉由照射雷射光以除去這個凸缺陷領域 6的領域內的含鎵矽化鉬層1 8。含鎵矽化鉬層1 8中因 爲被注入F I B的鎵離子，所以受到雷射光照射時將會吸 收能量，其除去效率很高。因此，如第1 0圖E ( b )所 示般地，在於進行雷射除去含鎵矽化鉬層1 8的作業時， 即使將雷射光照射領域1 〇設定成不接觸矽化鉬移相器圖 案1 7的圖案邊緣，也可很容易除去矽化鉬移相器圖案 1 7的圖案邊緣近旁的含鎵矽化鉬層1 8 m。也就是說， 可獲得如第1 〇圖F所示般地可將凸缺陷領域6的領域的 含鎵矽化鉬‘層1 8徹底地除去後的掩罩圖案。此外，這種 製程亦可與第2實施例同樣地採用：將凸缺陷領域6的矽 化鉬膜全部削除，在於石英基板上形成含鎵石英層之後， 藉由使用二氟化氙的氣體輔助F I B蝕刻以除去這個含鎵 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） >99 - ------------0W--------訂---------線Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479272 ___B7___ 五、發明說明（20 ) 石英層的方法（請參考第8圖B )。在於採用這種使用二 氟化氙的氣體輔助F I B蝕刻的情況下，在本發明的第4 實施例所使用的掩罩係在於矽化鉬移相器圖案1 7上面具 有鉻膜2 4，因此如果移相器材料係容易受到二氟化氙氣 體2 0所蝕刻的材質的話，鉻膜2 4係具有保護矽化鉬移 相器圖案1 7受到二氟化氙氣體2 0所蝕刻的效果。此外 ，在於去除含鎵矽化鉬層或含鎵石英層的過程中，除了照 射雷射光或者使用二氟化氙的氣體輔助F I B蝕刻之外， 亦可採用：以溶解著鎵的氫氧化鉀水溶液.、氫氧化納水溶 液等來進行的鹼性濕式蝕刻處理，或者採用：可選擇性地 除去含鎵層的等離子蝕刻等的乾式蝕刻處理等。 (e )其次，如第1 〇圖G所示，將矽化鉬移相器圖 案1 7上面的鉻膜2 4剝離之後，即可結束利用本發明的 第4實施例的凸缺陷修正方法來修正掩罩的過程。 根據本發明的第4實施例的光罩修正方法，在針對於 以矽化鉬當作移相器材料來使用的移相器圖案1 7上面配 置鉻膜2 4的移相掩罩2 2上所產生的凸缺陷領域6進行 修正掩罩工作的時候，除了可以既確保邊緣位置精度，又 可減少蝕刻部受傷害，以及石英挖入量，而且可以將缺陷 的修正部的上表面修正成平面狀。 只要躉熟習此項技藝之人士，在獲得本發明的教示之 後，在不超脫本發明的範疇內所進行的各種變更實施均屬 可能。 _____ - _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479272 A7 B7 修正補充 五、發明説明（ 【圖面之簡單說明】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖係用來說明傳統的掩罩圖案缺陷的修正方法的 掩罩圖案的平面圖。 第2圖係顯示沿著第1圖的I. 一 I線的部分的影像強 度的特性圖。 第3圖的A，B係被使用於本發明的鉻掩罩的凸缺陷 的修正方法的具有凸缺陷的鉻掩罩的平面圖及斷面圖。 第4圖A係用來說明本發明的第1實施例的鉻掩罩的 .凸缺陷的修正方法之掩罩的斷面圖。 第4圖B係用來說明本發明的第1實施例的鉻掩罩的 凸缺陷的修正方法之掩罩的平面圖和斷面圖。 第4圖C係用來說明本發明的第1實施例的鉻掩罩的 凸缺陷的修正方法之掩罩的平面圖。 第4圖D係用來說明本發明的第1實施例的鉻掩罩的 凸缺陷的修正方法之掩罩的平面圖和斷面圖。 第5圖A係顯示利用本發明的第1實施例修正過掩罩 後的掩罩圖案曝光於晶圓上時的影像強度的特性圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第5圖B係顯示從第5圖A的影像強度來計算出曝光 餘裕度的1 0 %時的製程窗口的特性圖。 第6圖的（a)，（b)係顯示使用於本發明的移相掩罩的凸缺 陷之修正方法之具有凸缺陷的移相掩罩的平面圖和斷面圖 第7圖A係用來說明本發明的第2實施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的斷面圖。 第7圖B係用來說明本發明的第2實施例的移相掩罩 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） " ^ -24- 479272 A7 _ B7__ 五、發明說明（22) 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面圖和斷面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第7圖C係用來說明本發明的第2實施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面圖。 第7圖D係用來說明本發明的第2實施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面圖和斷面圖。 第8圖A係用來說明本發明的第3實施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面圖和斷面圖。 第8圖B係用來說明本發明的第3實施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的斷面圖。. 第8圖C係用來說明本發明的第3實施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面圖和斷面圖。 第9圖A係用來說明本發明的第3實施例的變形例的 移相掩罩的凸缺陷之修正方法之掩罩的斷面圖。 第9圖B係用來說明本發明的第3實施例的變形例的 移相掩罩的凸缺陷之修正方法之掩罩的斷面圖。 第1 0圖A係顯示使用於本發明的第.4實施例的移相 掩罩的凸缺陷之修正方法之具有凸缺陷的移相掩罩的平面 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 掩掩掩 百 巨 巨 移移移 的 的 。的 例 例圖例 施 施面施 實 實斷實 I 4 。 4 和 4 。9FI 第圖第圖第圖 -的面的面的面 明斷明平明斷 發的發的發的 本罩本罩本罩 明掩明掩明掩 說之說之說之 來法來法來法 用方用方用方 係正係正係正 B 修 C 修 D 修 。 圖之圖之圖之 圖 ο 陷‘ο 陷 ο 陷 面 1 缺 1 缺 1 缺 斷第凸第凸第凸 和 的的的 圖 罩罩罩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 479272 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明說明（23) 第1 0圖E係用來說明本發明的第4實施例的移相掩 罩的凸缺陷之修正方法之掩罩的斷面圖和平面圖。 第1 0圖F係用來說明本發明的第4實施例的移相掩 罩的凸缺陷之修正方法之掩罩的斷面圖。 第1 0圖G係用來說明本發明的第4實施例的移相掩 罩的凸缺陷之修正方法之掩罩的斷面圖。 【圖號說明】 1 :鉻掩罩 . 2 :石英基板 3 :遮光膜圖案（鉻遮光膜） 4 :開口部 5 :蝕刻痕跡 6 :凸缺陷領域
7 : F I B 8 :鉻膜蝕刻用輔助氣體 9 :鉻薄膜 10:雷射光照射領域 1 4 :開口部（掩罩修正部空間） 1 5 :遮光膜（掩罩修正部線） 1 6 :移相掩罩 1 7 :移相器 1 8 :含鎵矽化鉬層 19:含鎵石英層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 ' --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479272 A7 B7 五、發明說明（24) 〇：二氟化氙（XeF2)氣體 1 :石英挖入部 3 :鉻/矽化鉬圖案 4 :鉻膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •衣 訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -97 -

Claims (1)

  1. 479272 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1、 一種掩罩缺陷之修正方法，係包含： (a )對於被形成連接在正常圖案之由圖案膜材料所 組成的凸缺陷領域，將從這個凸缺陷領域的外周部起的預 定距離的範圍內設定爲離子束照射領域的步驟；和 (b )對於前述離子束照射領域照射集中離子束，以 除去前述圖案膜材料的表面層的一部份，並殘留下接觸於 掩罩基板的前述圖案膜材料以形成凸缺陷薄膜的步驟；和 (c )藉由照射雷射光以除去前述凸缺陷薄膜的步驟 〇 2、 如申請專利範圍第1項之掩罩缺陷之修正方法， 其中前述從外周部起的預定距離係0 . 3 nm〜2 00 n m ° 3、 如申請專利範圍第1項之掩罩缺陷之修正方法， 其中前述從外周部起的預定距離係前述集中離子束的直徑 的1 / 2的尺寸。 4、 如申請專利範圍第1項之掩罩缺陷之修正方法， 其中在形成前述凸缺陷薄膜的步驟中，位於前述正常圖案 與前述凸缺陷領域的交界面處的前述圖案膜材料係完全被 除去。 5、 如申請專利範圍第1項之掩罩缺陷之修正方法， 其中前述ΰ缺陷薄膜具有不均勻的膜厚分布，其最大膜厚 爲lnm〜3〇nm。 6、 如申請專利範圍第1項之掩罩缺陷之修正方法， 其中在藉由照射雷射光以除去前述凸缺陷薄膜的步驟中， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28· -------------------訂---------線#· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479272 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 係將雷射光照射領域設定成不波及前述正常圖案的圖案邊 緣。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7_、如申請專利範圍第1項之掩罩缺陷之修正方法， 其中前述掩罩基板係石英。 8、 如申請專利範圍第7項之掩罩缺陷之修正方法， 其中前述圖案膜材料係以鉻爲主成分的材料。 9、 如申請專利範圍第8項之掩罩缺陷之修正方法， 其中前述圖案膜材料係含鉻氧化物。 1 0、如申請專利範圍第8項之掩罩缺陷之修正方法 ，其中前述形成前述凸缺陷薄膜的步驟係使用：可對於前 述以鉻爲主成分的圖案膜材料以及前述石英進行選擇性蝕 刻的氣體之氣體輔助集中離子束蝕刻加工。 1 1、如申請專利範圍第7項之掩罩缺陷之修正方法 ，其中前述圖案膜材料係以矽化鉬爲主成分的材料。 1 2、如申請專利範圍第7項之掩罩缺陷之修正方法 ’其中前述圖案膜材料係以矽化鉬化合物爲主成分的材料 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 3、如申請專利範圍第7項之掩罩缺陷之修正方法、 ’其中前述圖案膜材料係由：以矽化鉬爲主成分的材料所 成的第1圖案膜；以及被形成在這個第1圖案膜上面的以 鉻爲主成分的材料所成的第2圖案膜所構成的。 1 4、如申請專利範圍第1 3項之掩罩缺陷之修正方 法’其中形成前述凸缺陷薄膜的步驟係藉由：使用可對於 前述以鉻爲主成分的圖案膜材料以及前述石英進行選擇性 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 479272 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 蝕刻的氣體之氣體輔助集中離子束蝕刻加工，以對於前述 第2圖案膜進行蝕刻，而將前述凸缺陷薄膜的上表面削平 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5、如申請專利範圍第1 1項之掩罩缺陷之修正方 法，其中前述集中離子束係由鎵離子所組成，前述凸缺陷 薄膜係由含鎵矽化鉬所形成的。 1 6、如申請專利範圍第1 4項之掩罩缺陷之修正方 法，其中緊接在於前述第2圖案膜的蝕刻之後，又利用前 述集中離子束對於前述第1圖案膜進行蝕刻以形成前述凸 缺陷薄膜。 1 7、如申請專利範圍第1 6項之掩罩缺陷之修正方 法，其中前述集中離子束係由鎵離子所組成，前述凸缺陷 薄膜係由含鎵矽化鉬所形成的。 1 8、一種掩罩缺陷之修正方法，係包含： (a )對於被形成連接在正常圖案之由圖案膜材料所 組成的凸缺陷領域，將從這個凸缺陷領域的外周部起的預 定距離的範圍內設定爲離子束照射領域的步驟；和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (b )對於前述離子束照射領域照射由鎵離子所組成 的集中離子束，以完全除去前述圖案膜材料，並且在於由 石英所成的掩罩基板的前述凸缺陷領域的表面形成含鎵石 英層的步驟‘；和 (c )除去前述含鎵石英層的步驟。 1 9、如申請專利範圍第1 8項之掩罩缺陷之修正方 法，其中在形成前述含鎵石英層的步驟時，係在前述掩罩 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 479272 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 •、申請專利範圍 基板的表面形成：相對於前述凸缺陷領域以外的領域具有 3 6 0度相位差的深度的石英挖入部。 --------------------訂---------線 *41^" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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