JP2000267260A - マスク欠陥修正方法 - Google Patents
マスク欠陥修正方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクに形成された凸欠陥部下の透光性基板
への集束イオンビームのイオン注入及び凸欠陥周囲部の
透光性基板掘り込みが小さく、レーザ照射によるダメー
ジを小さく、且つマスク修正により引き起こされる像強
度変動を抑えて充分なウエハプロセス裕度を確保できる
マスク欠陥修正方法を提供する。 【解決手段】 マスク１上に生じたマスクパターン膜３
の凸欠陥を修正する工程で、まず凸欠陥を集束イオンビ
ームガスアシストエッチングあるいは集束イオンビーム
スパッタリングによりエッチングする際、凸欠陥のパタ
ーンエッジに接する部分はパターン膜材料をすべて削
り、凸欠陥の透光性石英基板２に接する方向はビーム照
射領域を凸欠陥領域より広げない範囲に設定し、凸欠陥
部下又は凸欠陥周囲部の透光性基板に集束イオンビーム
が達しない程度にパターン膜を残して凸欠陥薄膜９を形
成する。その後薄膜９をレーザ照射で除去する。
への集束イオンビームのイオン注入及び凸欠陥周囲部の
透光性基板掘り込みが小さく、レーザ照射によるダメー
ジを小さく、且つマスク修正により引き起こされる像強
度変動を抑えて充分なウエハプロセス裕度を確保できる
マスク欠陥修正方法を提供する。 【解決手段】 マスク１上に生じたマスクパターン膜３
の凸欠陥を修正する工程で、まず凸欠陥を集束イオンビ
ームガスアシストエッチングあるいは集束イオンビーム
スパッタリングによりエッチングする際、凸欠陥のパタ
ーンエッジに接する部分はパターン膜材料をすべて削
り、凸欠陥の透光性石英基板２に接する方向はビーム照
射領域を凸欠陥領域より広げない範囲に設定し、凸欠陥
部下又は凸欠陥周囲部の透光性基板に集束イオンビーム
が達しない程度にパターン膜を残して凸欠陥薄膜９を形
成する。その後薄膜９をレーザ照射で除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のマス
ク製造工程におけるフォトマスク、位相シフトマスクな
どのパターン膜の欠陥を修正する方法に関するものであ
る。
ク製造工程におけるフォトマスク、位相シフトマスクな
どのパターン膜の欠陥を修正する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】露光用マスク製造工程において、石英基
板などの透光性基板に形成される遮光膜パターンもしく
は位相シフタパターンには形成されてはいけない余分な
パターン膜材料の凸欠陥部が形成される。この余分なパ
ターン膜材料の凸欠陥部は、レーザ照射により蒸発除去
される。このレーザ照射の結果、加工エッジ部にめくれ
やラフネスなどが生じ、形状良く加工できない、また、
フォトマスクパターンの微細化により、レーザ照射位置
をパターンエッジに正確に合わせ、高精度な加工をする
ことが難しくなってきている、レーザの絞りには限界が
あるので０．５μｍ以下の微細加工が困難であることな
どの問題があった。一方、集束イオンビームスパッタリ
ングによる凸欠陥部の修正では、イオンビーム照射領域
に、イオン源であるガリウムが、マスク基板である石英
に打ち込まれ、ガリウムステインが生じることにより透
過率低下を引き起こすこと、凸欠陥部の周囲にリバーベ
ットと呼ばれる石英彫り込み部が生じることなどが知ら
れている。
板などの透光性基板に形成される遮光膜パターンもしく
は位相シフタパターンには形成されてはいけない余分な
パターン膜材料の凸欠陥部が形成される。この余分なパ
ターン膜材料の凸欠陥部は、レーザ照射により蒸発除去
される。このレーザ照射の結果、加工エッジ部にめくれ
やラフネスなどが生じ、形状良く加工できない、また、
フォトマスクパターンの微細化により、レーザ照射位置
をパターンエッジに正確に合わせ、高精度な加工をする
ことが難しくなってきている、レーザの絞りには限界が
あるので０．５μｍ以下の微細加工が困難であることな
どの問題があった。一方、集束イオンビームスパッタリ
ングによる凸欠陥部の修正では、イオンビーム照射領域
に、イオン源であるガリウムが、マスク基板である石英
に打ち込まれ、ガリウムステインが生じることにより透
過率低下を引き起こすこと、凸欠陥部の周囲にリバーベ
ットと呼ばれる石英彫り込み部が生じることなどが知ら
れている。
【０００３】これらの問題を解決するため、石英基板上
にパターン膜材料としてクロム及び酸化クロムなどのク
ロム化合物からなる遮光膜を用いたクロムマスク上に発
生した凸欠陥の修正方法として、パターン膜材料である
クロム及び酸化クロムなどのクロム系材料と、透光性基
板の石英とのエッチング選択性の高いガスを用いて、ガ
リウムステインやリバーベットを小さくすることができ
るクロムエッチング用集束イオンビームガスアシストエ
ッチングが提案されている（Ｋ．Ａｉｔａ，ｅｔ．ａ
ｌ．，ＳＰＩＥ ｖｏｌ．２５１２，ｐ．４１２（１９
９５））。この修正方法により修正したマスクパターン
の波長３６５ｎｍのｉ線露光による転写パターンは問題
のないレベルであることが報告されている。
にパターン膜材料としてクロム及び酸化クロムなどのク
ロム化合物からなる遮光膜を用いたクロムマスク上に発
生した凸欠陥の修正方法として、パターン膜材料である
クロム及び酸化クロムなどのクロム系材料と、透光性基
板の石英とのエッチング選択性の高いガスを用いて、ガ
リウムステインやリバーベットを小さくすることができ
るクロムエッチング用集束イオンビームガスアシストエ
ッチングが提案されている（Ｋ．Ａｉｔａ，ｅｔ．ａ
ｌ．，ＳＰＩＥ ｖｏｌ．２５１２，ｐ．４１２（１９
９５））。この修正方法により修正したマスクパターン
の波長３６５ｎｍのｉ線露光による転写パターンは問題
のないレベルであることが報告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＤＵＶなどさ
らに短波長領域で露光するマスクでは、クロムエッチン
グ用集束イオンビームガスアシストエッチングを用いた
場合でも、修正により生じるガリウムステイン、リバー
ベットによるダメージの影響は無視できない。図２３
は、クロムエッチング用集束イオンビームガスアシスト
エッチングにより修正した遮光膜パターンの平面図、図
２４は、修正したマスクパターンをウエハ上で露光した
ときの図２３に示すＡ−Ａ′線に沿う部分のウエハ面上
での像強度プロファイルを示す特性図である。図２３に
示されるクロムマスク１は、石英基板２上にクロム及び
酸化クロムから構成された遮光膜パターン３が形成され
ている。マスクパターンは、遮光膜パターン３と開口部
４とから構成されている。このクロムマスク１を形成し
た時には、遮光膜パターン３に不必要な凸欠陥が形成さ
れており、このクロムマスク１にはそれをクロムエッチ
ング用集束イオンビームガスアシストエッチングにより
取り除いたエッチング跡５が開口部４に生じている。図
２４の縦軸は、像強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を表わ
し、横軸は、ウエハ上（ｏｎ ｗａｆｅｒ）の位置（Ｘ
軸）を表わす。
らに短波長領域で露光するマスクでは、クロムエッチン
グ用集束イオンビームガスアシストエッチングを用いた
場合でも、修正により生じるガリウムステイン、リバー
ベットによるダメージの影響は無視できない。図２３
は、クロムエッチング用集束イオンビームガスアシスト
エッチングにより修正した遮光膜パターンの平面図、図
２４は、修正したマスクパターンをウエハ上で露光した
ときの図２３に示すＡ−Ａ′線に沿う部分のウエハ面上
での像強度プロファイルを示す特性図である。図２３に
示されるクロムマスク１は、石英基板２上にクロム及び
酸化クロムから構成された遮光膜パターン３が形成され
ている。マスクパターンは、遮光膜パターン３と開口部
４とから構成されている。このクロムマスク１を形成し
た時には、遮光膜パターン３に不必要な凸欠陥が形成さ
れており、このクロムマスク１にはそれをクロムエッチ
ング用集束イオンビームガスアシストエッチングにより
取り除いたエッチング跡５が開口部４に生じている。図
２４の縦軸は、像強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を表わ
し、横軸は、ウエハ上（ｏｎ ｗａｆｅｒ）の位置（Ｘ
軸）を表わす。
【０００５】このクロムマスクを用いたステッパの露光
条件は、波長２４８ｎｍ、開口数０．６、コヒーレンス
ファクタ０．７５とする。図２４によると、エッチング
跡５のある修正部の開口部像強度は低下しており、その
低下度は、無欠陥部に対して２０％以上と大きく変動し
ている。その結果、ウェハ上に修正痕が転写されてしま
う。一方、遮光膜パターンや位相シフタパターンなどの
パターン膜材料としてモリブデンシリサイドなどのシリ
コン系材料を用いた位相シフトマスクの凸欠陥の修正を
行う場合にはクロムエッチング用集束イオンビームガス
アシストエッチングは有効ではない。また、集束イオン
ビームでのイメージングにおいて、位相シフタ膜は、チ
ャージアップし易く、ＳＮ比の良いイメージング像が得
られない、高精度なエッチング終点検出を行えないなど
の問題もある。本発明は、このような事情によりなされ
たものであり、マスクに形成された凸欠陥部下の透光性
基板への集束イオンビームのイオン注入及び凸欠陥周囲
部の透光性基板掘り込みが小さく、レーザ照射によるダ
メージを小さくでき、且つマスク修正により引き起こさ
れる像強度変動を抑え、充分なウエハプロセス裕度を確
保できるマスク欠陥修正方法を提供する。
条件は、波長２４８ｎｍ、開口数０．６、コヒーレンス
ファクタ０．７５とする。図２４によると、エッチング
跡５のある修正部の開口部像強度は低下しており、その
低下度は、無欠陥部に対して２０％以上と大きく変動し
ている。その結果、ウェハ上に修正痕が転写されてしま
う。一方、遮光膜パターンや位相シフタパターンなどの
パターン膜材料としてモリブデンシリサイドなどのシリ
コン系材料を用いた位相シフトマスクの凸欠陥の修正を
行う場合にはクロムエッチング用集束イオンビームガス
アシストエッチングは有効ではない。また、集束イオン
ビームでのイメージングにおいて、位相シフタ膜は、チ
ャージアップし易く、ＳＮ比の良いイメージング像が得
られない、高精度なエッチング終点検出を行えないなど
の問題もある。本発明は、このような事情によりなされ
たものであり、マスクに形成された凸欠陥部下の透光性
基板への集束イオンビームのイオン注入及び凸欠陥周囲
部の透光性基板掘り込みが小さく、レーザ照射によるダ
メージを小さくでき、且つマスク修正により引き起こさ
れる像強度変動を抑え、充分なウエハプロセス裕度を確
保できるマスク欠陥修正方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、マスク上に生
じた余分なマスクパターン膜の凸欠陥を修正する工程に
おいて、まず凸欠陥を集束イオンビームガスアシストエ
ッチングあるいは集束イオンビームスパッタリングによ
りエッチングする際、凸欠陥のパターンエッジに接する
部分は、パターン膜材料をすべて削り、凸欠陥の透光性
石英基板に接する方向はビーム照射領域を凸欠陥領域よ
り広げない範囲に設定し、凸欠陥部下あるいは凸欠陥周
囲部の透光性基板に集束イオンビームが達しない程度に
パターン膜を残して凸欠陥薄膜を形成し、その後凸欠陥
薄膜をレーザ照射により除去することを特徴としてい
る。本発明の修正方法によれば、加工エッジ部のめくれ
やラフネスがなく、形状よく高精度な加工が可能であ
る。透光性基板への集束イオンビームのイオン注入、透
光性基板への掘り込みを小さくし、且つレーザ照射によ
るダメージを小さくできる。その結果、修正により引き
起こされる像強度変動を抑えて充分なウエハプロセス裕
度を確保できる。
じた余分なマスクパターン膜の凸欠陥を修正する工程に
おいて、まず凸欠陥を集束イオンビームガスアシストエ
ッチングあるいは集束イオンビームスパッタリングによ
りエッチングする際、凸欠陥のパターンエッジに接する
部分は、パターン膜材料をすべて削り、凸欠陥の透光性
石英基板に接する方向はビーム照射領域を凸欠陥領域よ
り広げない範囲に設定し、凸欠陥部下あるいは凸欠陥周
囲部の透光性基板に集束イオンビームが達しない程度に
パターン膜を残して凸欠陥薄膜を形成し、その後凸欠陥
薄膜をレーザ照射により除去することを特徴としてい
る。本発明の修正方法によれば、加工エッジ部のめくれ
やラフネスがなく、形状よく高精度な加工が可能であ
る。透光性基板への集束イオンビームのイオン注入、透
光性基板への掘り込みを小さくし、且つレーザ照射によ
るダメージを小さくできる。その結果、修正により引き
起こされる像強度変動を抑えて充分なウエハプロセス裕
度を確保できる。
【０００７】すなわち、本発明のマスク欠陥修正方法
は、集束イオンビームガスアシストエッチングあるいは
集束イオンビームスパッタリングを用いて透光性基板上
に遮光膜パターンが形成されたフォトマスク又は位相シ
フタパターンが形成された位相シフトマスクに形成され
た凸欠陥を修正する工程において、前記凸欠陥の前記遮
光膜パターンあるいは前記位相シフタパターンのパター
ンエッジに接する部分は、パターン膜材料をすべて削
り、前記凸欠陥の前記パターンエッジに接する部分以外
の領域は、ビーム照射領域を前記パターンエッジに接す
る部分以外の領域より広げない範囲に設定して前記透光
性基板に集束イオンビームが達しない程度にパターン膜
材料を残して凸欠陥薄膜を形成し、その後、この凸欠陥
薄膜をレーザ照射により除去することを特徴としてい
る。この発明の修正方法では、凸欠陥のパターンエッジ
に接する部分のエッチングには、高精度加工、局所的微
細加工可能な集束イオンビームを用い、パターン膜をす
べて削るため加工エッジ部の形状よく、且つ高精度に加
工可能である。また、凸欠陥の透光性基板に接する方向
のビーム照射領域を凸欠陥領域より広げない範囲に設定
し、透光性基板を削り込まない程度に凸欠陥薄膜を残し
てエッチングするので、凸欠陥下の透光性基板への集束
イオンビームのイオン注入及び凸欠陥周囲部の透光性基
板への掘り込みを小さくできる。
は、集束イオンビームガスアシストエッチングあるいは
集束イオンビームスパッタリングを用いて透光性基板上
に遮光膜パターンが形成されたフォトマスク又は位相シ
フタパターンが形成された位相シフトマスクに形成され
た凸欠陥を修正する工程において、前記凸欠陥の前記遮
光膜パターンあるいは前記位相シフタパターンのパター
ンエッジに接する部分は、パターン膜材料をすべて削
り、前記凸欠陥の前記パターンエッジに接する部分以外
の領域は、ビーム照射領域を前記パターンエッジに接す
る部分以外の領域より広げない範囲に設定して前記透光
性基板に集束イオンビームが達しない程度にパターン膜
材料を残して凸欠陥薄膜を形成し、その後、この凸欠陥
薄膜をレーザ照射により除去することを特徴としてい
る。この発明の修正方法では、凸欠陥のパターンエッジ
に接する部分のエッチングには、高精度加工、局所的微
細加工可能な集束イオンビームを用い、パターン膜をす
べて削るため加工エッジ部の形状よく、且つ高精度に加
工可能である。また、凸欠陥の透光性基板に接する方向
のビーム照射領域を凸欠陥領域より広げない範囲に設定
し、透光性基板を削り込まない程度に凸欠陥薄膜を残し
てエッチングするので、凸欠陥下の透光性基板への集束
イオンビームのイオン注入及び凸欠陥周囲部の透光性基
板への掘り込みを小さくできる。
【０００８】さらに、凸欠陥薄膜をレーザ照射により除
去する工程は、凸欠陥のパターンエッジに接する部分を
除く部分に対して行うので、レーザ修正器の精度にはよ
らず、且つ加工エッジのめくれやラフネスも生じない。
また凸欠陥薄膜の膜厚は、遮光膜パターンの厚さと比較
して非常に薄いので、従来よりレーザ照射によるダメー
ジを小さくできる。したがって、凸欠陥の修正により引
き起こされる像強度変動を抑え、充分なウエハプロセス
裕度を確保することができる。前記マスクのパターン膜
材料の主成分にクロム及び酸化クロム、フッ化クロムな
どのクロム化合物を用い、前記透光性基板材料には石英
を用いる場合、前記凸欠陥をエッチング除去する工程に
おいては、クロム及びクロム化合物と石英とのエッチン
グ選択性を持たせたガスを用いて集束イオンビームガス
アシストエッチングを行うようにしても良い。この場合
は、クロム及びクロム化合物と石英とのエッチング選択
性を持たせたガスを利用した集束イオンビームガスアシ
ストエッチングを用いることにより、凸欠陥下の石英基
板への集束イオンビームのイオン注入、凸欠陥周囲部の
石英基板への掘り込みをより小さくできる。
去する工程は、凸欠陥のパターンエッジに接する部分を
除く部分に対して行うので、レーザ修正器の精度にはよ
らず、且つ加工エッジのめくれやラフネスも生じない。
また凸欠陥薄膜の膜厚は、遮光膜パターンの厚さと比較
して非常に薄いので、従来よりレーザ照射によるダメー
ジを小さくできる。したがって、凸欠陥の修正により引
き起こされる像強度変動を抑え、充分なウエハプロセス
裕度を確保することができる。前記マスクのパターン膜
材料の主成分にクロム及び酸化クロム、フッ化クロムな
どのクロム化合物を用い、前記透光性基板材料には石英
を用いる場合、前記凸欠陥をエッチング除去する工程に
おいては、クロム及びクロム化合物と石英とのエッチン
グ選択性を持たせたガスを用いて集束イオンビームガス
アシストエッチングを行うようにしても良い。この場合
は、クロム及びクロム化合物と石英とのエッチング選択
性を持たせたガスを利用した集束イオンビームガスアシ
ストエッチングを用いることにより、凸欠陥下の石英基
板への集束イオンビームのイオン注入、凸欠陥周囲部の
石英基板への掘り込みをより小さくできる。
【０００９】また、前記凸欠陥をエッチング除去する工
程において、前記凸欠陥の前記透光性基板に接する方向
のビーム照射領域を、凸欠陥領域と同じ大きさの領域乃
至前記凸欠陥領域から使用する集束イオンビームのビー
ム径の１／２狭めた領域の範囲に設定し、且つ形成され
る前記凸欠陥薄膜の膜厚が３０ｎｍ以下となるようにし
ても良い。この場合は、凸欠陥が透光性基板に接する方
向のビーム照射領域を、凸欠陥領域と同じ領域ないし凸
欠陥領域から使用する集束イオンビームのビーム径の１
／２の割合で狭めた範囲に設定することにより、凸欠陥
周囲部の透光性基板への堀込みを小さくし、且つ凸欠陥
の削り残しは、膜厚３０ｎｍ以下に抑えられる。この厚
さの凸欠陥薄膜であればレーザ照射によるダメージを小
さくしながら除去されることが可能である。
程において、前記凸欠陥の前記透光性基板に接する方向
のビーム照射領域を、凸欠陥領域と同じ大きさの領域乃
至前記凸欠陥領域から使用する集束イオンビームのビー
ム径の１／２狭めた領域の範囲に設定し、且つ形成され
る前記凸欠陥薄膜の膜厚が３０ｎｍ以下となるようにし
ても良い。この場合は、凸欠陥が透光性基板に接する方
向のビーム照射領域を、凸欠陥領域と同じ領域ないし凸
欠陥領域から使用する集束イオンビームのビーム径の１
／２の割合で狭めた範囲に設定することにより、凸欠陥
周囲部の透光性基板への堀込みを小さくし、且つ凸欠陥
の削り残しは、膜厚３０ｎｍ以下に抑えられる。この厚
さの凸欠陥薄膜であればレーザ照射によるダメージを小
さくしながら除去されることが可能である。
【００１０】また、前記マスクのパターン膜材料は、モ
リブデンシリサイドの酸化物、窒化物、酸化窒化物など
の化合物を主成分とするものを用いるようにしても良
い。この場合は、パターン膜として位相シフタパターン
に形成された位相シフトマスク上の凸欠陥を修正するも
のであり、まず、集束イオンビームガスアシストエッチ
ング又は集束イオンビームスパッタリングにより凸欠陥
をエッチングする際に、凸欠陥の透光性基板に接する方
向のビーム照射領域を凸欠陥領域より広げない範囲に設
定すること及び凸欠陥薄膜を残してエッチングすること
により、凸欠陥下の透光性基板への集束イオンビームの
イオン注入及び凸欠陥周囲部の透光性基板への掘り込み
を小さくすることができる。この凸欠陥薄膜には集束イ
オンビームのイオンが注入されているため、レーザ照射
によりエネルギー吸収して除去効率が高くなる。したが
って凸欠陥薄膜をレーザ照射により除去する場合、凸欠
陥に接するパターンエッジと合わせてレーザ照射領域を
指定しなくても凸欠陥薄膜を除去できるので、レーザ修
正機の精度にはよらず、加工エッジ部のめくれやラフネ
スも生じない。
リブデンシリサイドの酸化物、窒化物、酸化窒化物など
の化合物を主成分とするものを用いるようにしても良
い。この場合は、パターン膜として位相シフタパターン
に形成された位相シフトマスク上の凸欠陥を修正するも
のであり、まず、集束イオンビームガスアシストエッチ
ング又は集束イオンビームスパッタリングにより凸欠陥
をエッチングする際に、凸欠陥の透光性基板に接する方
向のビーム照射領域を凸欠陥領域より広げない範囲に設
定すること及び凸欠陥薄膜を残してエッチングすること
により、凸欠陥下の透光性基板への集束イオンビームの
イオン注入及び凸欠陥周囲部の透光性基板への掘り込み
を小さくすることができる。この凸欠陥薄膜には集束イ
オンビームのイオンが注入されているため、レーザ照射
によりエネルギー吸収して除去効率が高くなる。したが
って凸欠陥薄膜をレーザ照射により除去する場合、凸欠
陥に接するパターンエッジと合わせてレーザ照射領域を
指定しなくても凸欠陥薄膜を除去できるので、レーザ修
正機の精度にはよらず、加工エッジ部のめくれやラフネ
スも生じない。
【００１１】また、前記マスクのパターン膜は、モリブ
デンシリサイドの酸化物、窒化物、酸化窒化物などの化
合物を主成分とするものから構成された第１のパターン
膜と、この第１のパターン膜上に形成され、クロム及び
酸化クロム、フッ化クロムなどのクロム化合物を主成分
とするものから構成された第２のパターン膜から構成さ
れており、前記透光性基板材料には石英を用い、前記凸
欠陥をエッチング除去する工程においては、前記凸欠陥
の第２のパターン膜部分のエッチングにクロム及びクロ
ム化合物と石英とのエッチング選択性を持たせたガスを
用いた集束イオンビームガスアシストエッチングを用い
て、まず凸欠陥上面が平らになるようにエッチングを行
っても良い。この場合には、位相シフタパターン上にク
ロム膜を配することにより、集束イオンビームイメージ
ングにおいて、パターン膜がチャージアップし難くな
る、クロム／モリブデンシリサイドパターン部と開口部
との高ＳＮ比が得られるなどのように像質が向上し、安
定した修正精度が確保できる。さらにクロムエッチング
用集束イオンビームガスアシストエッチングが適用でき
るため、凸欠陥上面形状に凹凸のある場合でもエッチン
グ終点をモニタすることにより、修正された部分を平面
に加工することができる。
デンシリサイドの酸化物、窒化物、酸化窒化物などの化
合物を主成分とするものから構成された第１のパターン
膜と、この第１のパターン膜上に形成され、クロム及び
酸化クロム、フッ化クロムなどのクロム化合物を主成分
とするものから構成された第２のパターン膜から構成さ
れており、前記透光性基板材料には石英を用い、前記凸
欠陥をエッチング除去する工程においては、前記凸欠陥
の第２のパターン膜部分のエッチングにクロム及びクロ
ム化合物と石英とのエッチング選択性を持たせたガスを
用いた集束イオンビームガスアシストエッチングを用い
て、まず凸欠陥上面が平らになるようにエッチングを行
っても良い。この場合には、位相シフタパターン上にク
ロム膜を配することにより、集束イオンビームイメージ
ングにおいて、パターン膜がチャージアップし難くな
る、クロム／モリブデンシリサイドパターン部と開口部
との高ＳＮ比が得られるなどのように像質が向上し、安
定した修正精度が確保できる。さらにクロムエッチング
用集束イオンビームガスアシストエッチングが適用でき
るため、凸欠陥上面形状に凹凸のある場合でもエッチン
グ終点をモニタすることにより、修正された部分を平面
に加工することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１乃至図７を参照して第１
の実施例を説明する。図１は、この実施例で用いるマス
クパターンであり、図１（ａ）は、マスクパターンの平
面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う部
分の断面図である。図２は、図１に示すマスク上の凸欠
陥をエッチング修正する方法を説明する工程断面図、図
３（ａ）は、クロムエッチング用集束イオンビームガス
アシストエッチングによりクロム薄膜９を形成したパタ
ーンの平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ′線
に沿う部分の断面図、図４は、クロム薄膜をレーザ照射
により除去する工程を示す工程図、図５（ａ）は、この
実施例の修正方法により修正が終了したマスクパターン
の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ線に沿う
部分の断面図、図６は、修正したマスクパターンをウエ
ハ上に露光したときの像強度プロファイルを示す特性
図、図７は、像強度プロファイルから求める露光量裕度
１０％のときのプロセスウインドウを示す特性図であ
る。
の形態を説明する。まず、図１乃至図７を参照して第１
の実施例を説明する。図１は、この実施例で用いるマス
クパターンであり、図１（ａ）は、マスクパターンの平
面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う部
分の断面図である。図２は、図１に示すマスク上の凸欠
陥をエッチング修正する方法を説明する工程断面図、図
３（ａ）は、クロムエッチング用集束イオンビームガス
アシストエッチングによりクロム薄膜９を形成したパタ
ーンの平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ′線
に沿う部分の断面図、図４は、クロム薄膜をレーザ照射
により除去する工程を示す工程図、図５（ａ）は、この
実施例の修正方法により修正が終了したマスクパターン
の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ線に沿う
部分の断面図、図６は、修正したマスクパターンをウエ
ハ上に露光したときの像強度プロファイルを示す特性
図、図７は、像強度プロファイルから求める露光量裕度
１０％のときのプロセスウインドウを示す特性図であ
る。
【００１３】図１に示すように、透光性の石英基板２上
にはクロム遮光膜３（クロム膜とその上に形成された酸
化クロム膜からなる積層体であり、以下、これをクロム
遮光膜という。）が形成されており、これらは、４倍体
マスクを構成している。マスクパターンは、クロム遮光
膜３のラインパターンと開口部４のスペースパターンが
交互に繰り返されたラインアンドスペースパターンであ
る。この場合、クロム遮光膜３の線幅は、０．９μｍ、
開口部４の線幅は、１．１μｍであり、凸欠陥６は、ラ
インのエッジ部に接して位置している。この実施例では
石英基板２上にパターン膜材料としてクロム遮光膜を用
いたクロムマスク１上に生じた余分なパターン膜材料の
凸欠陥６を修正する。まず、図２に示すように、凸欠陥
６に対して、クロムエッチング用アシストガス８をマス
ク表面に吹きつけながら集束イオンビーム７を照射す
る、つまり、クロムエッチング用集束イオンビームガス
アシストエッチングによりエッチングを行う。集束イオ
ンビームのイオン源としてガリウムイオンを用い、加速
電圧２０ｋＶ、電流値５０±１０ｐＡ、ビーム径０．２
μｍΦとする。エッチング終点の判定は、二次イオン検
出器を用い、エッチング中のクロムイオンをカウントす
ることにより行う。
にはクロム遮光膜３（クロム膜とその上に形成された酸
化クロム膜からなる積層体であり、以下、これをクロム
遮光膜という。）が形成されており、これらは、４倍体
マスクを構成している。マスクパターンは、クロム遮光
膜３のラインパターンと開口部４のスペースパターンが
交互に繰り返されたラインアンドスペースパターンであ
る。この場合、クロム遮光膜３の線幅は、０．９μｍ、
開口部４の線幅は、１．１μｍであり、凸欠陥６は、ラ
インのエッジ部に接して位置している。この実施例では
石英基板２上にパターン膜材料としてクロム遮光膜を用
いたクロムマスク１上に生じた余分なパターン膜材料の
凸欠陥６を修正する。まず、図２に示すように、凸欠陥
６に対して、クロムエッチング用アシストガス８をマス
ク表面に吹きつけながら集束イオンビーム７を照射す
る、つまり、クロムエッチング用集束イオンビームガス
アシストエッチングによりエッチングを行う。集束イオ
ンビームのイオン源としてガリウムイオンを用い、加速
電圧２０ｋＶ、電流値５０±１０ｐＡ、ビーム径０．２
μｍΦとする。エッチング終点の判定は、二次イオン検
出器を用い、エッチング中のクロムイオンをカウントす
ることにより行う。
【００１４】エッチングにより凸欠陥６のクロム遮光膜
厚が薄くなると、クロムイオンカウント数が減少しはじ
め、さらにクロム遮光膜下の石英基板が露出しはじめる
と、クロムイオンカウント数がノイズレベル以下とな
る。この第１の実施例における修正方法では、集束イオ
ンビーム７が凸欠陥６下の石英基板２に達しないよう
に、クロムイオンカウント数が減少し始めた時点でエッ
チングを終了させる。次に、図３に示すように、このエ
ッチングにより凸欠陥部にはクロム薄膜９が形成され
る。このとき、凸欠陥６のパターンエッジに接する部分
は、終点検出時にこの凸欠陥６と隣接した遮光膜３のパ
ターンからのクロムイオンをも検出するため凸欠陥中央
部と比較してエッチングが終了したと判断する時点が遅
い。したがって、凸欠陥中央部のエッチングが終了して
も、パターンエッジに接する部分はエッチングを継続す
るので、凸欠陥６のパターンエッジに接する部分は、ク
ロム薄膜を残すことなく石英基板２上面までエッチング
することができる。また、凸欠陥６周囲部はリバーベッ
ドが生じ易いため、凸欠陥６の透光性石英基板２に接す
る方向の集束イオンビーム照射領域を、凸欠陥から０〜
０．１μｍ狭めた範囲とする。第１の実施例で示すサン
プルの場合、クロムエッチング用集束イオンビームガス
アシストエッチング後の凸欠陥６中央部および凸欠陥６
周囲部のクロム薄膜９の膜厚は、３０ｎｍ以下である。
厚が薄くなると、クロムイオンカウント数が減少しはじ
め、さらにクロム遮光膜下の石英基板が露出しはじめる
と、クロムイオンカウント数がノイズレベル以下とな
る。この第１の実施例における修正方法では、集束イオ
ンビーム７が凸欠陥６下の石英基板２に達しないよう
に、クロムイオンカウント数が減少し始めた時点でエッ
チングを終了させる。次に、図３に示すように、このエ
ッチングにより凸欠陥部にはクロム薄膜９が形成され
る。このとき、凸欠陥６のパターンエッジに接する部分
は、終点検出時にこの凸欠陥６と隣接した遮光膜３のパ
ターンからのクロムイオンをも検出するため凸欠陥中央
部と比較してエッチングが終了したと判断する時点が遅
い。したがって、凸欠陥中央部のエッチングが終了して
も、パターンエッジに接する部分はエッチングを継続す
るので、凸欠陥６のパターンエッジに接する部分は、ク
ロム薄膜を残すことなく石英基板２上面までエッチング
することができる。また、凸欠陥６周囲部はリバーベッ
ドが生じ易いため、凸欠陥６の透光性石英基板２に接す
る方向の集束イオンビーム照射領域を、凸欠陥から０〜
０．１μｍ狭めた範囲とする。第１の実施例で示すサン
プルの場合、クロムエッチング用集束イオンビームガス
アシストエッチング後の凸欠陥６中央部および凸欠陥６
周囲部のクロム薄膜９の膜厚は、３０ｎｍ以下である。
【００１５】次に、図４及び図５を参照してクロム薄膜
９をレーザ照射により除去する工程を説明する。すでに
述べたように、凸欠陥６のパターンエッジに接する部分
は、クロム薄膜９を残すことなく石英基板２の上面まで
エッチングしているため、レーザで除去する必要がない
ので、クロム遮光膜３のパターンエッジにかからないよ
うに、クロム薄膜９近傍にレーザ照射領域１０を設定す
る（図４）。この領域にレーザを照射してクロム薄膜９
をエッチング除去する。クロム薄膜９がパターンエッジ
から離れているので、レーザ修正機の精度にはよらず、
パターンエッジ部のめくれやラフネスも生じない。クロ
ム薄膜９の膜厚は、クロム遮光膜３と比較して小さいた
め、パターン遮光膜と同膜厚である凸欠陥を除去する従
来の場合よりレーザ照射によるダメージが少ない（図
５）。
９をレーザ照射により除去する工程を説明する。すでに
述べたように、凸欠陥６のパターンエッジに接する部分
は、クロム薄膜９を残すことなく石英基板２の上面まで
エッチングしているため、レーザで除去する必要がない
ので、クロム遮光膜３のパターンエッジにかからないよ
うに、クロム薄膜９近傍にレーザ照射領域１０を設定す
る（図４）。この領域にレーザを照射してクロム薄膜９
をエッチング除去する。クロム薄膜９がパターンエッジ
から離れているので、レーザ修正機の精度にはよらず、
パターンエッジ部のめくれやラフネスも生じない。クロ
ム薄膜９の膜厚は、クロム遮光膜３と比較して小さいた
め、パターン遮光膜と同膜厚である凸欠陥を除去する従
来の場合よりレーザ照射によるダメージが少ない（図
５）。
【００１６】図６にはこの実施例の方法により修正した
マスクパターンをウエハ上で露光したときの図５（ａ）
のＡ−Ａ′線に沿う部分の波長２４８ｎｍにおけるウエ
ハ面上での像強度プロファイルが示されている。縦軸
は、像強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を表わし、横軸は、
ウエハ上の位置（ＸＰｏｓｉｔｉｏｎ）（μｍ）を表わ
す。ステッパ露光条件は、波長２４８ｎｍ、開口数０．
６、コヒーレンスファクタ０．７５とした。修正された
部分が存在する開口部１４（修正部スペース）の像強度
低下は、無欠陥部に対して５％以下におさえられてい
る。図７に、この像強度プロファイルから求める、修正
部のある開口部（修正部スペース）１４と遮光膜（修正
部ライン）１５がウエハ上で０．２５μｍ±１０％で解
像する露光量及びデフォーカス位置及びこの範囲内から
求める露光量裕度１０％のときのプロセスウインドウを
示す。ここで、無欠陥パターンの露光量裕度１０％のと
きのプロセスウインドウから求める焦点深度は１．３４
μｍ、修正パターンと無欠陥パターンの共通プロセスウ
インドウ（露光量裕度１０％のとき）から求める焦点深
度は、１．１２μｍであり、修正パターンは、無欠陥パ
ターンの８０％以上の焦点深度を確保できた。
マスクパターンをウエハ上で露光したときの図５（ａ）
のＡ−Ａ′線に沿う部分の波長２４８ｎｍにおけるウエ
ハ面上での像強度プロファイルが示されている。縦軸
は、像強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を表わし、横軸は、
ウエハ上の位置（ＸＰｏｓｉｔｉｏｎ）（μｍ）を表わ
す。ステッパ露光条件は、波長２４８ｎｍ、開口数０．
６、コヒーレンスファクタ０．７５とした。修正された
部分が存在する開口部１４（修正部スペース）の像強度
低下は、無欠陥部に対して５％以下におさえられてい
る。図７に、この像強度プロファイルから求める、修正
部のある開口部（修正部スペース）１４と遮光膜（修正
部ライン）１５がウエハ上で０．２５μｍ±１０％で解
像する露光量及びデフォーカス位置及びこの範囲内から
求める露光量裕度１０％のときのプロセスウインドウを
示す。ここで、無欠陥パターンの露光量裕度１０％のと
きのプロセスウインドウから求める焦点深度は１．３４
μｍ、修正パターンと無欠陥パターンの共通プロセスウ
インドウ（露光量裕度１０％のとき）から求める焦点深
度は、１．１２μｍであり、修正パターンは、無欠陥パ
ターンの８０％以上の焦点深度を確保できた。
【００１７】本発明のマスク欠陥修正方法は、この実施
例で使用したマスクパターン、マスク倍率及び欠陥種類
・寸法に限らず、パターン膜材料としてクロム系材料を
用いたマスクであればどんな凸欠陥の修正において有効
である。以上のように、この実施例のマスク欠陥修正方
法により、クロムマスク上に生じた凸欠陥を高精度に加
工形状良く、かつダメージの無い状態で修正することが
可能であり、その結果、修正により引き起こされる修正
部像強度変動を抑え、充分なウエハプロセス裕度を得ら
れることが分かる。
例で使用したマスクパターン、マスク倍率及び欠陥種類
・寸法に限らず、パターン膜材料としてクロム系材料を
用いたマスクであればどんな凸欠陥の修正において有効
である。以上のように、この実施例のマスク欠陥修正方
法により、クロムマスク上に生じた凸欠陥を高精度に加
工形状良く、かつダメージの無い状態で修正することが
可能であり、その結果、修正により引き起こされる修正
部像強度変動を抑え、充分なウエハプロセス裕度を得ら
れることが分かる。
【００１８】次に、図８乃至図１２を参照して第２の実
施例を説明する。図８（ａ）は、この実施例で使用した
マスクパターンの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）の
Ａ−Ａ′線に沿う部分の断面図、図９は、集束イオンビ
ームでエッチングしている状態のマスクパターンの断面
図、図１０（ａ）は、ガリウム混入モリブデンシリサイ
ド層１８が形成された状態のマスクパターンの平面図、
図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ線に沿う部分の
断面図、図１１は、ガリウム混入モリブデンシリサイド
層を除去する工程を説明するマスクパターンの平面図、
図１２（ａ）は、欠陥が修正されたマスクパターンの平
面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う
部分の断面図である。この実施例では、石英基板２上に
パターン膜材料としてモリブデンシリサイドの酸化窒化
物を用いた位相シフタ１７（モリブデンシリサイド位相
シフタ又はモリブデンシリサイド位相シフタパターンと
いい、位相シフタ又は位相シフタパターンと略称す
る。）に生じた凸欠陥６を修正する。
施例を説明する。図８（ａ）は、この実施例で使用した
マスクパターンの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）の
Ａ−Ａ′線に沿う部分の断面図、図９は、集束イオンビ
ームでエッチングしている状態のマスクパターンの断面
図、図１０（ａ）は、ガリウム混入モリブデンシリサイ
ド層１８が形成された状態のマスクパターンの平面図、
図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ線に沿う部分の
断面図、図１１は、ガリウム混入モリブデンシリサイド
層を除去する工程を説明するマスクパターンの平面図、
図１２（ａ）は、欠陥が修正されたマスクパターンの平
面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う
部分の断面図である。この実施例では、石英基板２上に
パターン膜材料としてモリブデンシリサイドの酸化窒化
物を用いた位相シフタ１７（モリブデンシリサイド位相
シフタ又はモリブデンシリサイド位相シフタパターンと
いい、位相シフタ又は位相シフタパターンと略称す
る。）に生じた凸欠陥６を修正する。
【００１９】図８に示す位相シフトマスク１６には透光
性の石英基板２上にモリブデンシリサイドの酸化窒化物
を材料とする位相シフタ１７が形成されている。マスク
パターンは、位相シフタ１７のラインパターンと開口部
４のスペースパターンが交互に繰り返して配置されてい
るように構成されている。凸欠陥６は、ラインパターン
１７のエッジ部に接して配置されている。まず、図９に
示すように、凸欠陥６を集束イオンビームスパッタリン
グによりエッチングする。集束イオンビーム７のイオン
源としてガリウムイオンを用い、加速電圧２０ｋＶ、電
流値５０±１０ｐＡ、ビーム径０．２μｍΦとした。凸
欠陥６周囲部は、リバーベッドが生じ易いため、凸欠陥
６の透光性石英基板２に接する方向の集束イオンビーム
の照射領域を、凸欠陥領域から０〜０．１μｍ狭めた範
囲（照射領域の周端部が凸欠陥のパターン膜に接してい
ない領域の周端部より内側に０〜０．１μｍ入っている
状態を意味している）とした。また、集束イオンビーム
が凸欠陥６下の石英基板２に達しないように、凸欠陥６
の膜厚３０ｎｍ以下のモリブデンシリサイド薄膜を残し
た。その結果、凸欠陥を薄くしたガリウム混入モリブデ
ンシリサイド層１８が形成される。
性の石英基板２上にモリブデンシリサイドの酸化窒化物
を材料とする位相シフタ１７が形成されている。マスク
パターンは、位相シフタ１７のラインパターンと開口部
４のスペースパターンが交互に繰り返して配置されてい
るように構成されている。凸欠陥６は、ラインパターン
１７のエッジ部に接して配置されている。まず、図９に
示すように、凸欠陥６を集束イオンビームスパッタリン
グによりエッチングする。集束イオンビーム７のイオン
源としてガリウムイオンを用い、加速電圧２０ｋＶ、電
流値５０±１０ｐＡ、ビーム径０．２μｍΦとした。凸
欠陥６周囲部は、リバーベッドが生じ易いため、凸欠陥
６の透光性石英基板２に接する方向の集束イオンビーム
の照射領域を、凸欠陥領域から０〜０．１μｍ狭めた範
囲（照射領域の周端部が凸欠陥のパターン膜に接してい
ない領域の周端部より内側に０〜０．１μｍ入っている
状態を意味している）とした。また、集束イオンビーム
が凸欠陥６下の石英基板２に達しないように、凸欠陥６
の膜厚３０ｎｍ以下のモリブデンシリサイド薄膜を残し
た。その結果、凸欠陥を薄くしたガリウム混入モリブデ
ンシリサイド層１８が形成される。
【００２０】次に、図１１を参照してガリウム混入モリ
ブデンシリサイド層１８をレーザ照射により除去する工
程を説明する。位相シフタ１７のパターンエッジにかか
らないようにレーザ照射領域１０を設定し、この領域を
レーザ照射してガリウム混入モリブデンシリサイド層１
８を除去する。ガリウム混入モリブデンシリサイド層１
８には、集束イオンビームのガリウムイオンが注入され
ているため、レーザ照射によりエネルギー吸収し、除去
効率が高くなるので、レーザ除去の際、凸欠陥に接する
パターンエッジに接触させて（合わせて）レーザ照射領
域を指定しなくてもガリウム混入モリブデンシリサイド
層１８を除去することは可能である。この工程を経て図
１２に示す修正が終了したマスクパターンが得られる。
本発明のマスク欠陥修正方法は、この実施例で使用した
マスクパターン、マスク倍率及び欠陥種類・寸法、パタ
ーン膜材料に限らず、どんな凸欠陥の修正において有効
である。以上のように、この実施例のマスク欠陥修正方
法により、モリブデンシリサイド位相シフトマスク上に
生じた凸欠陥を高精度に加工形状良く、かつダメージの
無い状態で修正することが可能であり、その結果、修正
により引き起こされる像強度変動を抑え、充分なウエハ
プロセス裕度を得られることが分かる。
ブデンシリサイド層１８をレーザ照射により除去する工
程を説明する。位相シフタ１７のパターンエッジにかか
らないようにレーザ照射領域１０を設定し、この領域を
レーザ照射してガリウム混入モリブデンシリサイド層１
８を除去する。ガリウム混入モリブデンシリサイド層１
８には、集束イオンビームのガリウムイオンが注入され
ているため、レーザ照射によりエネルギー吸収し、除去
効率が高くなるので、レーザ除去の際、凸欠陥に接する
パターンエッジに接触させて（合わせて）レーザ照射領
域を指定しなくてもガリウム混入モリブデンシリサイド
層１８を除去することは可能である。この工程を経て図
１２に示す修正が終了したマスクパターンが得られる。
本発明のマスク欠陥修正方法は、この実施例で使用した
マスクパターン、マスク倍率及び欠陥種類・寸法、パタ
ーン膜材料に限らず、どんな凸欠陥の修正において有効
である。以上のように、この実施例のマスク欠陥修正方
法により、モリブデンシリサイド位相シフトマスク上に
生じた凸欠陥を高精度に加工形状良く、かつダメージの
無い状態で修正することが可能であり、その結果、修正
により引き起こされる像強度変動を抑え、充分なウエハ
プロセス裕度を得られることが分かる。
【００２１】次に、図１３乃至図１６を参照して第３の
実施例を説明する。図１３（ａ）は、透光性石英基板に
ガリウム混入石英層を形成したマスクパターンの平面
図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う
部分の断面図、図１４は、二フッ化キセノン２０ガスを
用いた集束イオンビームガスアシストエッチングでエッ
チングしている状態のマスクパターンの断面図、図１５
（ａ）は、エッチングによりガリウム混入石英層を除去
したマスクパターンの平面図、図１５（ｂ）は、図１５
（ａ）のＡ−Ａ線に沿う部分の断面図、図１６（ａ）
は、ガリウム混入石英層を含めた石英基板掘り込み部の
位相差が３６０度となるようエッチングしたマスクパタ
ーンの断面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の掘り込
み層のガリウム混入石英層をエッチング除去した状態の
マスクパターンの断面図である。第２の実施例における
凸欠陥を集束イオンビームスパッタリングによりエッチ
ングする工程では、薄いガリウム混入モリブデンシリサ
イド層を形成しているが、この実施例では凸欠陥のモリ
ブデンシリサイドの酸化窒化物膜をすべて削り、凸欠陥
が存在した部分の石英基板にガリウム混入石英層を形成
する。
実施例を説明する。図１３（ａ）は、透光性石英基板に
ガリウム混入石英層を形成したマスクパターンの平面
図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う
部分の断面図、図１４は、二フッ化キセノン２０ガスを
用いた集束イオンビームガスアシストエッチングでエッ
チングしている状態のマスクパターンの断面図、図１５
（ａ）は、エッチングによりガリウム混入石英層を除去
したマスクパターンの平面図、図１５（ｂ）は、図１５
（ａ）のＡ−Ａ線に沿う部分の断面図、図１６（ａ）
は、ガリウム混入石英層を含めた石英基板掘り込み部の
位相差が３６０度となるようエッチングしたマスクパタ
ーンの断面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の掘り込
み層のガリウム混入石英層をエッチング除去した状態の
マスクパターンの断面図である。第２の実施例における
凸欠陥を集束イオンビームスパッタリングによりエッチ
ングする工程では、薄いガリウム混入モリブデンシリサ
イド層を形成しているが、この実施例では凸欠陥のモリ
ブデンシリサイドの酸化窒化物膜をすべて削り、凸欠陥
が存在した部分の石英基板にガリウム混入石英層を形成
する。
【００２２】この実施例のマスクは、位相シフトマスク
１６であり、石英基板２に凸欠陥を有するモリブデンシ
リサイド位相シフタパターン１７とその間の開口部４が
形成されている。図１３に示すように、集束イオンビー
ムスパッタリングにより凸欠陥のモリブデンシリサイド
の酸化窒化物膜をすべて削りとり、石英基板２上にガリ
ウム混入石英層１９を形成する。この時、図１６（ａ）
に示すように、修正部の石英彫り込み部２１の位相差
を、無欠陥部石英に対して、ガリウム混入石英層１９も
含めて３６０度になるようにエッチングしてもよい。そ
の後、図１４に示すように、二フッ化キセノン２０と集
束イオンビーム７を用いた集束イオンビームガスアシス
トエッチングにより、ガリウム混入石英層１９を除去す
る。このエッチングによりガリウム混入石英層１９を除
去することにより、図１５（ａ）に示すようにガリウム
混入石英層１９を除去した修正部に石英基板２表面に石
英掘り込み部２１が形成される。この石英掘り込み量
は、ウエハ上の転写パターンに影響のない程度である
が、この時、図１６（ｂ）に示すように、修正部の石英
基板の掘り込み部２１の位相差を、石英基板の無欠陥部
に対して３６０度とすれば修正による位相差欠陥が生じ
ない。
１６であり、石英基板２に凸欠陥を有するモリブデンシ
リサイド位相シフタパターン１７とその間の開口部４が
形成されている。図１３に示すように、集束イオンビー
ムスパッタリングにより凸欠陥のモリブデンシリサイド
の酸化窒化物膜をすべて削りとり、石英基板２上にガリ
ウム混入石英層１９を形成する。この時、図１６（ａ）
に示すように、修正部の石英彫り込み部２１の位相差
を、無欠陥部石英に対して、ガリウム混入石英層１９も
含めて３６０度になるようにエッチングしてもよい。そ
の後、図１４に示すように、二フッ化キセノン２０と集
束イオンビーム７を用いた集束イオンビームガスアシス
トエッチングにより、ガリウム混入石英層１９を除去す
る。このエッチングによりガリウム混入石英層１９を除
去することにより、図１５（ａ）に示すようにガリウム
混入石英層１９を除去した修正部に石英基板２表面に石
英掘り込み部２１が形成される。この石英掘り込み量
は、ウエハ上の転写パターンに影響のない程度である
が、この時、図１６（ｂ）に示すように、修正部の石英
基板の掘り込み部２１の位相差を、石英基板の無欠陥部
に対して３６０度とすれば修正による位相差欠陥が生じ
ない。
【００２３】前述の実施例で形成されたガリウム混入モ
リブデンシリサイド層１８（図１０（ａ）参照）あるい
はガリウム混入石英層１９（図１３（ａ）参照）を除去
する工程では、レーザ照射あるいは二フッ化キノセン２
０を用いた集束イオンビームガスアシストエッチングな
どを用いているが、これらの手段以外でもガリウムを溶
解する水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水溶液などに
よるアルカリウェット処理、ガリウム混入層を選択的に
除去するプラズマエッチングなどのドライ処理などによ
り行うことも可能である。本発明のマスク欠陥修正方法
は、このような実施例で使用したマスクパターン、マス
ク倍率及び欠陥種類に限らず、どのような凸欠陥修正に
おいて有効である。マスクパターン材料もモリブデンシ
リサイドを主に用いたもののほかクロムや酸化クロム、
フッ化クロムなどのクロム化合物を用いたマスクの場合
にも適用することができる。以上より、この実施例で
は、パターン膜材料としてモリブデンシリサイド、その
酸化窒化物等を用いた位相シフトマスク上に生じた凸欠
陥を修正する際において、高精度に加工形状よく、且つ
ダメージレスに修正することが可能である。
リブデンシリサイド層１８（図１０（ａ）参照）あるい
はガリウム混入石英層１９（図１３（ａ）参照）を除去
する工程では、レーザ照射あるいは二フッ化キノセン２
０を用いた集束イオンビームガスアシストエッチングな
どを用いているが、これらの手段以外でもガリウムを溶
解する水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水溶液などに
よるアルカリウェット処理、ガリウム混入層を選択的に
除去するプラズマエッチングなどのドライ処理などによ
り行うことも可能である。本発明のマスク欠陥修正方法
は、このような実施例で使用したマスクパターン、マス
ク倍率及び欠陥種類に限らず、どのような凸欠陥修正に
おいて有効である。マスクパターン材料もモリブデンシ
リサイドを主に用いたもののほかクロムや酸化クロム、
フッ化クロムなどのクロム化合物を用いたマスクの場合
にも適用することができる。以上より、この実施例で
は、パターン膜材料としてモリブデンシリサイド、その
酸化窒化物等を用いた位相シフトマスク上に生じた凸欠
陥を修正する際において、高精度に加工形状よく、且つ
ダメージレスに修正することが可能である。
【００２４】次に、図１７乃至図２２を参照して第４の
実施例を説明する。図１７（ａ）は、マスクパターンの
平面図を示し、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿う部分の断面図、図１８は、凸欠陥のクロム
膜をエッチングしている状態のマスクパターンの断面
図、図１９（ａ）は、クロム膜をエッチングしたあとの
マスクパターンの平面図、図１９（ｂ）は、図１９
（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図、図２０は、凸
欠陥の位相シフタをエッチングしている状態のマスクパ
ターンの断面図、図２１（ａ）は、エッチング後のマス
クパターンの断面図、図２１（ｂ）は、レーザ照射領域
を設定したマスクパターンの平面図、図２２（ａ）は、
ガリウム混入モリブデンシリサイド層を除去したマスク
パターンの断面図、図２２（ｂ）は、修正が終了したマ
スクパターンの断面図である。この実施例では透光性の
石英基板２上にパターン膜材料としてモリブデンシリサ
イドの酸化窒化物を用いた位相シフタパターン１７上に
クロムとその上に形成された酸化クロムの積層体から構
成されたクロム膜２４を配したクロム／モリブデンシリ
サイドパターン２３が形成された位相シフトマスク２２
用い、この位相シフトマスクに生じた凸欠陥６を修正す
る場合を説明する。このマスクパターンの平面図は、図
１７（ａ）に示される。
実施例を説明する。図１７（ａ）は、マスクパターンの
平面図を示し、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿う部分の断面図、図１８は、凸欠陥のクロム
膜をエッチングしている状態のマスクパターンの断面
図、図１９（ａ）は、クロム膜をエッチングしたあとの
マスクパターンの平面図、図１９（ｂ）は、図１９
（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図、図２０は、凸
欠陥の位相シフタをエッチングしている状態のマスクパ
ターンの断面図、図２１（ａ）は、エッチング後のマス
クパターンの断面図、図２１（ｂ）は、レーザ照射領域
を設定したマスクパターンの平面図、図２２（ａ）は、
ガリウム混入モリブデンシリサイド層を除去したマスク
パターンの断面図、図２２（ｂ）は、修正が終了したマ
スクパターンの断面図である。この実施例では透光性の
石英基板２上にパターン膜材料としてモリブデンシリサ
イドの酸化窒化物を用いた位相シフタパターン１７上に
クロムとその上に形成された酸化クロムの積層体から構
成されたクロム膜２４を配したクロム／モリブデンシリ
サイドパターン２３が形成された位相シフトマスク２２
用い、この位相シフトマスクに生じた凸欠陥６を修正す
る場合を説明する。このマスクパターンの平面図は、図
１７（ａ）に示される。
【００２５】図１７に示すように、このマスク２２は、
石英基板２上に位相シフタパターン１７が形成され、こ
の位相シフタパターン１７の上にクロム膜２４を配置形
成してなるものである。このマスク２２は、位相シフト
マスク製造の工程で石英基板２上にモリブデンシリサイ
ド位相シフタ材料、その上にクロム膜が成膜されたマス
ク材料を用い、レジスト塗布、描画、現像、エッチング
の工程を経てパターニングされたものである。ここで示
す修正方法は、その上部のクロム膜２４の剥離前に修正
を行う。この場合、マスクパターンは、位相シフタパタ
ーン１７の上にクロム膜２４を配したクロム／モリブデ
ンシリサイドパターン２３からなるラインパターンと開
口部４のスペースパターンが交互に繰り返して構成され
ている。凸欠陥６は、ラインパターンのエッジ部に接し
て生じている。図１８に示すように、クロムエッチング
用アシストガス８を供給することにより凸欠陥６のクロ
ム膜２４をクロムエッチング用集束イオンビームガスア
シストエッチングによりエッチングを行う。集束イオン
ビーム７のイオン源としてガリウムイオンを用い、加速
電圧２０ｋＶ、電流値５０±１０ｐＡ、ビーム径０．２
μｍΦとした。
石英基板２上に位相シフタパターン１７が形成され、こ
の位相シフタパターン１７の上にクロム膜２４を配置形
成してなるものである。このマスク２２は、位相シフト
マスク製造の工程で石英基板２上にモリブデンシリサイ
ド位相シフタ材料、その上にクロム膜が成膜されたマス
ク材料を用い、レジスト塗布、描画、現像、エッチング
の工程を経てパターニングされたものである。ここで示
す修正方法は、その上部のクロム膜２４の剥離前に修正
を行う。この場合、マスクパターンは、位相シフタパタ
ーン１７の上にクロム膜２４を配したクロム／モリブデ
ンシリサイドパターン２３からなるラインパターンと開
口部４のスペースパターンが交互に繰り返して構成され
ている。凸欠陥６は、ラインパターンのエッジ部に接し
て生じている。図１８に示すように、クロムエッチング
用アシストガス８を供給することにより凸欠陥６のクロ
ム膜２４をクロムエッチング用集束イオンビームガスア
シストエッチングによりエッチングを行う。集束イオン
ビーム７のイオン源としてガリウムイオンを用い、加速
電圧２０ｋＶ、電流値５０±１０ｐＡ、ビーム径０．２
μｍΦとした。
【００２６】モリブデンシリサイド位相シフタパターン
１７上にクロム膜２４が形成されているので、まず、集
束イオンビーム７でのイメージングにおいて、パターン
膜がチャージアップし難くなる、クロム／モリブデンシ
リサイドパターン２３と開口部４との高ＳＮ比が得られ
るなど像質が向上し、安定した修正精度が確保できる。
そして、クロムエッチング用集束イオンビームガスアシ
ストエッチングが適用でき、欠陥形状に凹凸のある場合
でもエッチング終点をモニタすることにより、修正部分
の上面を平面に加工することができる。すなわち、二次
イオン検出器を用い、エッチング中のクロムイオンをカ
ウントすることによりエッチング終点検出を行い、修正
部上面が平らになるように削る。凸欠陥６の上面のクロ
ム膜２４は、このエッチングにより除去される（図１
９）。
１７上にクロム膜２４が形成されているので、まず、集
束イオンビーム７でのイメージングにおいて、パターン
膜がチャージアップし難くなる、クロム／モリブデンシ
リサイドパターン２３と開口部４との高ＳＮ比が得られ
るなど像質が向上し、安定した修正精度が確保できる。
そして、クロムエッチング用集束イオンビームガスアシ
ストエッチングが適用でき、欠陥形状に凹凸のある場合
でもエッチング終点をモニタすることにより、修正部分
の上面を平面に加工することができる。すなわち、二次
イオン検出器を用い、エッチング中のクロムイオンをカ
ウントすることによりエッチング終点検出を行い、修正
部上面が平らになるように削る。凸欠陥６の上面のクロ
ム膜２４は、このエッチングにより除去される（図１
９）。
【００２７】次に、図２０に示すように、その下の露出
したモリブデンシリサイド位相シフタパターン１７を、
クロムエッチング用集束イオンビームガスアシストエッ
チングによりエッチングを行った。この場合、エッチン
グに集束イオンビームスパッタリングを用いてもよい
が、エッチングガス導入有無の切り換えにより、ビーム
照射領域がシフトし、高精度加工が行えない場合がある
ので、この実施例においては、位相シフタのエッチング
にもクロム膜２４のエッチングから継続してクロムエッ
チング用集束イオンビームアシストエッチングを用い
た。凸欠陥６周囲部は、リバーベッドが生じやすいた
め、凸欠陥の透光性石英基板に接する方向の集束イオン
ビーム照射領域を、凸欠陥から０〜０．１μｍ狭めた範
囲とした。また、集束イオンビームが凸欠陥６下の石英
基板に達しないように、凸欠陥６の膜厚３０ｎｍ以下の
モリブデンシリサイド膜を残した。その結果、ガリウム
混入モリブデンシリサイド層１８が形成される（図２１
（ａ））。次に、レーザ照射によりガリウム混入モリブ
デンシリサイド層１８を除去する。凸欠陥薄膜には、集
束イオンビームのイオンが注入されており、レーザ照射
によりエネルギー吸収し、除去効率が高くなるため、図
２１（ｂ）に示すように、モリブデンシリサイド位相シ
フタパターン１７のパターンエッジにかからないように
レーザ照射領域１０を設定する。図２２（ａ）にはガリ
ウム混入モリブデンシリサイド層１８を除去したマスク
パターンが示されている。
したモリブデンシリサイド位相シフタパターン１７を、
クロムエッチング用集束イオンビームガスアシストエッ
チングによりエッチングを行った。この場合、エッチン
グに集束イオンビームスパッタリングを用いてもよい
が、エッチングガス導入有無の切り換えにより、ビーム
照射領域がシフトし、高精度加工が行えない場合がある
ので、この実施例においては、位相シフタのエッチング
にもクロム膜２４のエッチングから継続してクロムエッ
チング用集束イオンビームアシストエッチングを用い
た。凸欠陥６周囲部は、リバーベッドが生じやすいた
め、凸欠陥の透光性石英基板に接する方向の集束イオン
ビーム照射領域を、凸欠陥から０〜０．１μｍ狭めた範
囲とした。また、集束イオンビームが凸欠陥６下の石英
基板に達しないように、凸欠陥６の膜厚３０ｎｍ以下の
モリブデンシリサイド膜を残した。その結果、ガリウム
混入モリブデンシリサイド層１８が形成される（図２１
（ａ））。次に、レーザ照射によりガリウム混入モリブ
デンシリサイド層１８を除去する。凸欠陥薄膜には、集
束イオンビームのイオンが注入されており、レーザ照射
によりエネルギー吸収し、除去効率が高くなるため、図
２１（ｂ）に示すように、モリブデンシリサイド位相シ
フタパターン１７のパターンエッジにかからないように
レーザ照射領域１０を設定する。図２２（ａ）にはガリ
ウム混入モリブデンシリサイド層１８を除去したマスク
パターンが示されている。
【００２８】なお、この工程では、第２の実施例と同様
に、凸欠陥６のモリブデンシリサイド膜をすべて削り、
石英基板にガリウム混入石英層を形成した後、二フッ化
キセノンを用いた集束イオンビームガスアシストエッチ
ングによりこのガリウム混入石英層を除去する手法を用
いても良い（図１４参照）。この、二フッ化キセノンガ
スを用いた集束イオンビームアシストエッチングを用い
る場合において、この実施例で使用するマスクは、モリ
ブデンシリサイド位相シフタパターン１７上にクロム膜
２４を有するので、位相シフタ材料がにフッ化キセノン
ガス２０によるエッチングされ易い材質である場合に
は、クロム膜２４が二フッ化キセノンガス２０によるモ
リブデンシリサイド位相シフタパターン１７のエッチン
グを保護するといった効果がある。ガリウム混入モリブ
デンシリサイド層あるいはガリウム混入石英層を除去す
る工程では、レーザ照射あるいは二フッ化キセノンを用
いた集束イオンビームガスアシストエッチングの他、ガ
リウムを溶解する水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水
溶液などによるアルカリウェット処理、ガリウム混入層
を選択的に除去するプラズマエッチングなどのドライ処
理などにより行ってもよい。
に、凸欠陥６のモリブデンシリサイド膜をすべて削り、
石英基板にガリウム混入石英層を形成した後、二フッ化
キセノンを用いた集束イオンビームガスアシストエッチ
ングによりこのガリウム混入石英層を除去する手法を用
いても良い（図１４参照）。この、二フッ化キセノンガ
スを用いた集束イオンビームアシストエッチングを用い
る場合において、この実施例で使用するマスクは、モリ
ブデンシリサイド位相シフタパターン１７上にクロム膜
２４を有するので、位相シフタ材料がにフッ化キセノン
ガス２０によるエッチングされ易い材質である場合に
は、クロム膜２４が二フッ化キセノンガス２０によるモ
リブデンシリサイド位相シフタパターン１７のエッチン
グを保護するといった効果がある。ガリウム混入モリブ
デンシリサイド層あるいはガリウム混入石英層を除去す
る工程では、レーザ照射あるいは二フッ化キセノンを用
いた集束イオンビームガスアシストエッチングの他、ガ
リウムを溶解する水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水
溶液などによるアルカリウェット処理、ガリウム混入層
を選択的に除去するプラズマエッチングなどのドライ処
理などにより行ってもよい。
【００２９】次に、モリブデンシリサイド位相シフタパ
ターン１７上のクロム膜２４を剥離してこの実施例の凸
欠陥修正方法による修正が終了する（図２２（ｂ））。
以上、この実施例の修正方法により、位相シフタ材料と
してモリブデンシリサイドを用いた位相シフタパターン
１７上にクロム膜２４を配した位相シフトマスク２２上
に生じた凸欠陥６を修正する場合において、エッジ位置
精度を確保しながら、エッチング部のダメージ、石英掘
り込みを低減させ、かつ欠陥修正部上面を平らに修正す
ることができる。
ターン１７上のクロム膜２４を剥離してこの実施例の凸
欠陥修正方法による修正が終了する（図２２（ｂ））。
以上、この実施例の修正方法により、位相シフタ材料と
してモリブデンシリサイドを用いた位相シフタパターン
１７上にクロム膜２４を配した位相シフトマスク２２上
に生じた凸欠陥６を修正する場合において、エッジ位置
精度を確保しながら、エッチング部のダメージ、石英掘
り込みを低減させ、かつ欠陥修正部上面を平らに修正す
ることができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明のマスク上に形成された余分なパ
ターン膜材料の凸欠陥を修正する方法において、凸欠陥
のパターンエッジに接する部分のエッチングには、高精
度加工、局所的微細加工可能な集束イオンビームを用
い、遮光膜パターンや位相シフタパターンなどのパター
ン膜をすべて削るため加工エッジ部の形状よく、且つ高
精度に加工が可能である。また、凸欠陥の透光性基板に
接する方向のビーム照射領域を凸欠陥領域より広げない
範囲に設定すること及び凸欠陥薄膜を残してエッチング
することにより、凸欠陥下の透光性基板への集束イオン
ビームのイオン注入及び凸欠陥周囲部の透光性基板への
掘り込みを小さくできる。さらに、凸欠陥薄膜をレーザ
照射により除去する工程は、凸欠陥のパターンエッジに
接する部分を除く部分に対して行うのでレーザ修正機の
精度にはよらず、また加工エッジのめくれやラフネスが
生じない。また、凸欠陥薄膜の膜厚は遮光膜パターンと
比較して小さいので従来のマスク欠陥修正方法よりもレ
ーザ照射によるダメージを小さくすることができる。そ
して、これらの結果として、修正により引き起こされる
像強度変動を抑え、充分なウエハプロセス裕度の確保が
可能になる。
ターン膜材料の凸欠陥を修正する方法において、凸欠陥
のパターンエッジに接する部分のエッチングには、高精
度加工、局所的微細加工可能な集束イオンビームを用
い、遮光膜パターンや位相シフタパターンなどのパター
ン膜をすべて削るため加工エッジ部の形状よく、且つ高
精度に加工が可能である。また、凸欠陥の透光性基板に
接する方向のビーム照射領域を凸欠陥領域より広げない
範囲に設定すること及び凸欠陥薄膜を残してエッチング
することにより、凸欠陥下の透光性基板への集束イオン
ビームのイオン注入及び凸欠陥周囲部の透光性基板への
掘り込みを小さくできる。さらに、凸欠陥薄膜をレーザ
照射により除去する工程は、凸欠陥のパターンエッジに
接する部分を除く部分に対して行うのでレーザ修正機の
精度にはよらず、また加工エッジのめくれやラフネスが
生じない。また、凸欠陥薄膜の膜厚は遮光膜パターンと
比較して小さいので従来のマスク欠陥修正方法よりもレ
ーザ照射によるダメージを小さくすることができる。そ
して、これらの結果として、修正により引き起こされる
像強度変動を抑え、充分なウエハプロセス裕度の確保が
可能になる。
【図１】本発明のクロムマスクの凸欠陥修正に用いる凸
欠陥を有するクロムマスクの平面図及び断面図。
欠陥を有するクロムマスクの平面図及び断面図。
【図２】本発明のクロムマスクの凸欠陥修正方法を説明
するマスクの断面図。
するマスクの断面図。
【図３】本発明のクロムマスクの凸欠陥修正方法を説明
するマスクの平面図及び断面図。
するマスクの平面図及び断面図。
【図４】本発明のクロムマスクの凸欠陥修正方法を説明
するマスクの平面図。
するマスクの平面図。
【図５】本発明のクロムマスクの凸欠陥修正方法を説明
するマスクの平面図及び断面図。
するマスクの平面図及び断面図。
【図６】本発明の修正したマスクパターンをウエハ上で
露光したときの像強度プロファイルを示す特性図。
露光したときの像強度プロファイルを示す特性図。
【図７】図６の像強度プロファイルから求める露光量裕
度１０％のときのプロセスウインドウを示す特性図。
度１０％のときのプロセスウインドウを示す特性図。
【図８】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正に用い
る凸欠陥を有する位相シフトマスクの平面図及び断面
図。
る凸欠陥を有する位相シフトマスクの平面図及び断面
図。
【図９】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法を
説明するマスクの断面図。
説明するマスクの断面図。
【図１０】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの平面図及び断面図。
を説明するマスクの平面図及び断面図。
【図１１】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの平面図。
を説明するマスクの平面図。
【図１２】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの平面図及び断面図。
を説明するマスクの平面図及び断面図。
【図１３】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの平面図及び断面図。
を説明するマスクの平面図及び断面図。
【図１４】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの断面図。
を説明するマスクの断面図。
【図１５】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの平面図及び断面図。
を説明するマスクの平面図及び断面図。
【図１６】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの断面図。
を説明するマスクの断面図。
【図１７】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正に用
いる凸欠陥を有する位相シフトマスクの平面図及び断面
図。
いる凸欠陥を有する位相シフトマスクの平面図及び断面
図。
【図１８】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの断面図。
を説明するマスクの断面図。
【図１９】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの平面図及び断面図。
を説明するマスクの平面図及び断面図。
【図２０】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの断面図。
を説明するマスクの断面図。
【図２１】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの断面図及び平面図。
を説明するマスクの断面図及び平面図。
【図２２】本発明の位相シフトマスクの凸欠陥修正方法
を説明するマスクの断面図。
を説明するマスクの断面図。
【図２３】従来のマスク欠陥修正を説明するマスクパタ
ーンの平面図。
ーンの平面図。
【図２４】図２３のＡ−Ａ′線に沿う部分の像強度プロ
ファイルを示す特性図。
ファイルを示す特性図。
１・・・クロムマスク、 ２・・・石英基板、 ３・
・・クロム遮光膜、４・・・開口部、 ５・・・エッ
チング跡、 ６・・・凸欠陥、７・・・集束イオンビ
ーム、 ８・・・クロムエッチング用アシストガス、９
・・・クロム薄膜、 １０・・・レーザ照射領域、 １
２・・・修正部、１４・・・修正部スペース、 １５
・・・修正部ライン、１６・・・位相シフトマスク、１
７・・・位相シフタ（位相シフタパターン）、１８・・
・ガリウム混入モリブデンシリサイド層、１９・・・ガ
リウム混入石英層、 ２０・・・二フッ化キセノン、
２１・・・石英掘り込み部、２２・・・クロム／モリブ
デンシリサイド位相マスク、２３・・・クロム／モリブ
デンシリサイドパターン、２４・・・クロム膜。
・・クロム遮光膜、４・・・開口部、 ５・・・エッ
チング跡、 ６・・・凸欠陥、７・・・集束イオンビ
ーム、 ８・・・クロムエッチング用アシストガス、９
・・・クロム薄膜、 １０・・・レーザ照射領域、 １
２・・・修正部、１４・・・修正部スペース、 １５
・・・修正部ライン、１６・・・位相シフトマスク、１
７・・・位相シフタ（位相シフタパターン）、１８・・
・ガリウム混入モリブデンシリサイド層、１９・・・ガ
リウム混入石英層、 ２０・・・二フッ化キセノン、
２１・・・石英掘り込み部、２２・・・クロム／モリブ
デンシリサイド位相マスク、２３・・・クロム／モリブ
デンシリサイドパターン、２４・・・クロム膜。
Claims (5)
- 【請求項１】 透光性基板上に遮光膜パターンが形成さ
れたフォトマスク又は位相シフタパターンが形成された
位相シフトマスクに生じた凸欠陥を修正する工程におい
て、集束イオンビームガスアシストエッチングあるいは
集束イオンビームスパッタリングを用いて、前記凸欠陥
の前記遮光膜パターンあるいは前記位相シフタパターン
のパターンエッジに接する部分は、パターン膜材料をす
べて削り、前記凸欠陥の前記パターンエッジに接する部
分以外の領域は、ビーム照射領域を前記パターンエッジ
に接する部分以外の領域より広げない範囲に設定して前
記透光性基板に集束イオンビームが達しない程度にパタ
ーン膜材料を残して凸欠陥薄膜を形成し、その後、この
凸欠陥薄膜をレーザ照射により除去することを特徴とす
るマスク欠陥修正方法。 - 【請求項２】 前記マスクのパターン膜材料は、クロム
及びクロム化合物を主成分とし、前記透光性基板材料に
は石英を用い、且つ前記凸欠陥をエッチング除去する工
程においては、前記クロム及びクロム化合物を主成分と
するパターン膜材料と石英とのエッチング選択性を持た
せたガスを用いて集束イオンビームガスアシストエッチ
ングを行うことを特徴とする請求項１に記載のマスク欠
陥修正方法。 - 【請求項３】 前記凸欠陥をエッチング除去する工程に
おいて、前記凸欠陥の前記透光性基板に接する方向のビ
ーム照射領域を、凸欠陥領域と同じ大きさの領域乃至前
記凸欠陥領域から使用する集束イオンビームのビーム径
の１／２狭めた領域の範囲に設定し、形成される前記凸
欠陥薄膜の膜厚を３０ｎｍ以下とすることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載のマスク欠陥修正方法。 - 【請求項４】 前記マスクのパターン膜材料は、モリブ
デンシリサイド及びモリブデンシリサイド化合物を主成
分とする材料を用いることを特徴とする請求項１又は請
求項３に記載のマスク欠陥修正方法。 - 【請求項５】 前記マスクのパターン膜は、モリブデン
シリサイド及びモリブデンシリサイドの化合物を主成分
とする材料からなる第１のパターン膜と、この第１のパ
ターン膜上に形成され、クロム及びクロム化合物を主成
分とする材料からなる第２のパターン膜から構成されて
おり、前記透光性基板材料には石英を用い、前記凸欠陥
をエッチング除去する工程においては、前記凸欠陥の第
１のパターン膜部分のエッチングにクロム及びクロム化
合物と石英とのエッチング選択性を持たせたガスを用い
た集束イオンビームガスアシストエッチングを用いて、
まず凸欠陥上面が平らになるようにエッチングすること
を特徴とする請求項４に記載のマスク欠陥修正方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6852599A JP3848006B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | マスク欠陥修正方法 |
| TW089104097A TW479272B (en) | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Repairing method of mask defect |
| US09/524,963 US6335129B1 (en) | 1999-03-15 | 2000-03-14 | Method for repairing pattern defect, photo mask using the method, and semiconductor device manufacturing method employing the photo mask |
| KR1020000012756A KR20000062870A (ko) | 1999-03-15 | 2000-03-14 | 패턴 결함의 수정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6852599A JP3848006B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | マスク欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000267260A true JP2000267260A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3848006B2 JP3848006B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=13376238
Family Applications (1)
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