TW472174B - Photomask, manufacturing method thereof, and semiconductor device - Google Patents
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Description
472174 五、發明說明(l) --- - 【發明之詳細說明] 【發明所属之技術領域】 本發明係關於半導體裴置(LS"製造之 ::為原版使用之光罩上之金屬膜圖案中黑色::二 方法^及修正後光罩上之金屬膜圖案之結構。 / 【先前技術】 光罩是在製造半導體襞置之照相製版作業中以複 將阻劑圖案複製在晶面時使用之原版原: 金屬膜製作與阻劑圖案相對應之圖案表=屬 、:;上旦出現與設計要求之圖案不同之金屬膜殘渣 ,色缺陷)或金屬瞑缺損(稱白色缺陷種 1之:陷:被=到原來設計阻劑圖案以外部分之晶: 吏復衣之圖木尺寸與原來要求之尺寸不同。加 阻劑為罩幕最終生成之積體電路圖案之微細化,: 她,木之尺寸波動之精度進一步提高,因此容許罩幕產生 夕、i之尺ί有鈿小之趨勢。即使在光罩上存在金屬膜圖案 、陷,這也是不能複製之缺陷,或者即使被複製,所要 乃至積11電路圖案上產生之尺寸變化也應控制在 _ ΐ r ΐ品品質要求之範圍。—般說來,料之缺陷尺寸 古十 U木尺寸(罩幕上)之1/4〜1/3。因此,對設 。圖案尺寸約3 // m之半導體產品之罩幕,容 / m。但是伴隨積體電路圖案之微細化,設計圖安之尺: ίΐΐΓ卜3"以内。根據圖28及29之兩個俯視口圖木,說明 1先罩上黑色缺陷之修正方法。如圖2δ所示,黑色缺陷
472174 五、發明說明(2) 中有孤立之缺陷(下稱孤立黑色缺 屬膜圖案70 —個邊续少从价,丁 ) (3和連接于原來金 正72、73這翻3 缺陷(下稱凸形缺陷”2。為了修 隹杆修·ρ ^ 陷,通常ΥΑ(ί (ir/Ai石梅石)雷射等 與形:,雷:2f29所示’根據黑色缺陷72、73之尺寸 色缺陷部::此β±借:f柵(並未圖示出)變形後照射黑 後蒸發而被去“:=、73吸收雷射光束之能量 射照射區域74時:充黑色缺陷73時,設定雷 旧 守應充分地包圍整個缺陷,將雷射光束照射 a二品S 4内’完全去除孤立之黑色缺陷7 3。另一方面, 二I ί Ϊ形缺陷72時’與修正黑色缺陷73 -樣,以雷射照 _ ^ ^ 除5亥凸形缺陷。特別是對於凸形缺陷7 2,與圖案 长们邊緣接觸之邊緣部分被修正後凸形缺陷7 2不再存 调整光路之光學系統重現原來邊緣,將雷射 照射區域74之一&山& ®必,. ,,,,ή 力而位置對準在原來圖案邊緣之延長線上, 二、田射。即,對凸形缺陷7 2進行雷射修正後,為了 了 I二正之部分不留金屬膜之殘渣,或者反之,因為去除 原t二5金屬膜’為了使被修正部分之邊緣不後移到超過 τ、二、#木之邊緣位置,需要重現原來之圖案邊緣。上述修 4 ^法可以採用以Cr0N膜為主之通常之光罩、CrON膜、或 者採用以MoSi ON膜為主之移相光罩。 、m ^為^形缺陷之修正方法,除了上述雷射修正法以外, 、二)採用線束位置調整精度高於雷射修正法之離子束法 i轉子束法)。後者之修正方法與雷射修正方法一 7农凸形缺陷之修正部分不產生金屬膜殘渣,而且為.了
472174 五、發明說明(3) 量修正而進行修正部分之退後,可以進行重現原 來W条邊緣之修正。 【發明所欲解決之問題】 採用上述以往之雷射修正法或離子束修正法修正黑色缺 =時,出現以下問題。根據圖30和31之俯視圖對此加以說 丄3所示之修正黑色缺陷之部分75由於遮光金屬膜 T J歹: > 查或起因於線束照射引起之石英玻璃表面粗糙, ί二ίΐί、色缺陷部分之透射係數相*,存在黑色缺陷部 g到半導2數降ί。因此’光罩修正後之金屬膜圖案複 2 = 緊貼著黑色缺陷下面部 口丨分感光直’與不存在里由从μ如、 玻璃:面部分之感光量不同(感光量變小)、::=石英 不’半導體晶面上之阻劑圖案76之邊緣^所 =劑圖案76之尺寸波動之問題。該;重=凸形,產 案:寸大約之大型產:m 寸;η”不會產生影響J是 缺陷部分之透射係數下降,=用以在方法修正之黑色 超過容許之範圍,對產品之所旦起阻劑圓案之尺寸波動 :,在金屬膜圖索附近存口在::立影響。這類問 接於金屬膜圖索邊 …色缺陷或者在修正連 DRAM等之存儲單元右田=、Θ之部分容易產生,尤其在 易出現此類缺陷。H、細之圖案密集於此,目此更容 89Π2163.ptd 第9頁 472174 五、發明說明(4) 本發明之目之就是為了解決上述問題:1 )該光罩製造 5 :可彌補通常之光罩金屬膜圖案之黑色缺陷(特別是金 修^ 相互挨近之部分存在之黑色缺陷或凸形缺陷)之 八ijL、t卩二之透射係數降低,在照相製版作業抑制被修疋部 1 $ = =aB面上形成之圖案發生尺寸波動;2)彌補移相 ^膜圖案之黑色缺陷(特別是金屬膜之間相互接近 1 7刀存在之黑色缺陷或凸形缺陷)之修正部分之透射係 乂在…、相製版作業抑制被修正部分半導體晶面上形 2 之尺光寸Λ%3)其目之是採用上述方法D和 又付衣作之先罩之金屬膜圖案之結構。 【解決問題之手段】 一種光罩之製造方法,俜 — 璃表面形A n J γ Α Μ ί 有央玻璃及上述石英玻 徵為:成之金屬版而構成圖案之光罩之製造方法,其特 包括與上述圖案銜接並接 在垂直上述第!方向且於上述、且在二方向有第1寬度、 方向有第2寬度之黑色缺陷存】C長線方向之第2 檢測作業檢測上述黑色缺陷時包圍上^測々作業、於上产 和第2方向分別有第3和第4寬产 a 、陷且於上述第1 之照射區域以上述第1方向修:偏二ϊ ΐ璃之表面上 照射區域以規定之線束照射夕里為基準搜得之修正 外, 除上述黑色缺陷之作業,此 運用上述線束照射作業後得到 半導體基板上獲得之原來阻劑 处先罩將圖案複製在 d圖案之尺寸變化率應控制在 89112163.ptd 第10頁 m Ι'Ί 472174 五、發明說明(5) 最小範圍内,為此必須根據上述規定之線束之輸出條件、 存在上述黑色缺陷之上述石英玻璃表面上照射區域第1方 向之尺寸以及黑色缺陷之大小設定上述修正偏移量,並 且, 當上述偏移量之符號為"負"時,是控制上述規定之線 束,當上述黑色缺陷與上述圖案銜接時於上述黑色缺陷和 圖案之分界處、以及當上述黑色缺陷與上述圖案接近時於 上述圖案之邊緣内與黑色缺陷相對之部分,面向上述圖案 之内部朝上述第1方向擴展上述偏移量之絕對值之圖案修 正區域和上述照射區域構成之區域作為上述修正照射區 域,依此控制上述確定之線束。 如申請專利範圍第1項之光罩之製造方法,其中上述圖 案修正區域之第2方向之寬度比上述第2寬度大。 如申請專利範圍第1或2項之光罩之製造方法,其中上述 修正偏移量為最佳修正偏移量,上述最佳修正偏移量是指 上述尺寸波動率為0 %時設定之修正偏移量。 如申請專利範圍第1項之光罩之製造方法,其中在上述 修正偏移量之符號為"正"時,上述照射區域作為朝上述第 1方向縮小上述修正偏移量之絕對值之區域,提供上述修 正照射區域,依此控制上述確定之線束。 如申請專利範圍第1、2或4項之光罩之製造方法,其中 上述圖案是直線形之配線圖案。 如申請專利範圍第1、2或4項之光罩之製造方法,其中 上述圖案帶有矩形開口 ,上述圖案之上述邊緣相當於上述
89112163.ptd 第11頁 472174 五、發明說明(6) 開口外圍之一部分。 如申請專利範圍第1、2或4項之光罩之制、生 上述規定之線束是雷射光束。 、"^方凑 如申請專利範圍第1、2或4項之光罩之制、生 上述規定之線束是離子束。 衣化方凑, :種半導體裝置’其特徵為:係具有 其中 路圖係使用按照申請專利範,^ =令罩之製造方法而製造出之光軍,通過將 上述半導體基板上獲得阻劑圖案,而得上塊_宰^ 案。 j積體電略: —種半導體裝置,其特徵為:係具有積 匈 r積體電路圖案,係使用按照申請專利範路圖案,而 光罩之製造方法而製造出之光罩,通過將上4項所記載 上述半導體基板上獲得之阻劑圖案,曰述圖案複製 水。 于到積體電路圖 種光罩之製造方法,係為具有石英破 离表面形成之金屬膜構成之相互鄰接、上述石英 先罩之t造方法,其特徵為: 之弟1和第2圖案之 2包括與上述第1和第2圖案分別連接、 大度、在與上述第1方向垂直且於上述圖安乐^方向有第1 向之第2方向有第2寬度之黑色缺陷是否Ά彖之延長線 i· 於上述檢測作業中當檢測出黑色缺陷栌6 =榀測作 第句且於上述第1和第2方向分別有相當於I =上述黑色 、 耵&域,根據上述 ml 吻12163 ptd 第12頁 472174 五、發明說明(7) 第1方向修正偏移量進行修正獲得之修正照射區域經線束 照射去除上述黑色缺陷之作業,此外, 運用上述線束照射作業得到之上述光罩將圖案複製在半 導體基板上獲得之原來阻劑圖案之尺寸變化率應控制在最 小範圍内,為此必須根據上述規定之線束之輸出條件、 存在上述黑色缺陷之上述石英玻璃表面上照射區域第1方 向之尺寸以及黑色缺陷之大小設定上述修正偏移量,並 且, 上述修正偏移量之絕對值與第1修正偏移量之絕對值和 第2修正偏移量之絕對值相等;上述修正照射區域包括上 述照射區域、從上述第1圖案和上述黑色缺陷之分界處、 面向第1圖案之内部朝上述第1方向擴展之上述第1修正偏 移量之第1圖案修正區域、以及從上述第2圖案和上述黑色 缺陷之分界處、面向第2圖案之内部朝上述第1方向擴展之 上述第2修正偏移量之第2圖案修正區域。 如申請專利範圍第1 1項之光罩之製造方法,其中上述第 1和第2圖案修正區域之各自上述第2方向之寬度寬於上述 第2寬度。 一種半導體裝置,其特徵為:係具有積體電路圖案,而 該積體電路圖案,係使用按照申請專利範圍第1 2項所記載 之製造方法而製造出之光罩,通過將上述圖案複製在上述 半導體基板上獲得之阻劑圖案,而得到積體電路圖案。 一種光罩,其特徵為:具有石英玻璃和上述石英玻璃表 面形成之金屬膜組成之圖案,上述圖案之一個邊緣出現部
89112163.ptd 第13頁 五、發明說明(8) 分缺損。 一種半導體裝置,其特徵 該積體電路圖t,係使用康申積體電路圖案,而 之上述光罩,將上述 ;::專利範圍第14項所記載 劑圖案,而得到積體電路^在上述半導體基板上得到阻 【發明之實施形態】 [實施形態1 ] 本實施形態關係到石英破 由Cr ON膜構成吉 、及离表面上形成之金屬膜圖案是 對形成光罩=之配線圖案光罩之製作方法,而且 適宜修正,去伞生之…、色缺卩曰内之凸形缺陷部分作 阻劑圖案是二:案被複製在半導體晶面上時使其 之範圍」:圖案)之尺寸波動不超過容許 形成金屬膜配線圖;::在修正和去除凸形缺陷後顯示 正方法乃至修正明以下,*先就凸形缺陷之修 圖1〜圖7為石英玻域本 線狀配線圖形時產成U㈣厚&_後形成直 脈衝、脈衝幅約^凸81=,採用f長5 3 0nm、輸出約 射光束(例如Y A G雷=8:二秒乃至:9毫微:…雷 之俯視圖進行描述。苴中^正之貝例,5亥貫例以光罩 之表面結構,如該圖;中圖^黑色缺陷修正前之光罩10
CrON金屬膜構成之多條:二J罩1 〇 , 1央玻璃表面上由 "^ 1 -ίτ 條配、、泉圖案1 2沿著第2方向D 2相互平 灯, ° 之配線圖圖案寬度L與配線圖案之間隔s均 約1 。相鄰之配線圖案12之間之金屬玻璃部分=著勺
472174
弟1方向D1存在者具右會危1 从七AM 士 Γ Γ 度抓1 (第1寬度,約〇· 5 )、沿 者苐2方向D2存在者具有宫*、 令一’覓度w2 (弟2覓度)之凸形缺陷 1 3。該凸形缺陷1 3與一你献綠圖安,9七 ,,^ %配線圓案1 2之一側邊緣1 2 E之一 部分(邊界部分)相連接。 該貫施形態如圖2所示,雷射光束照射在光罩丨〇之石英 玻璃表面上時之修正照射區域14之設定由14A和14B之和構 成。其中矩形之照射區域(相當於從前技術之照射區域) 14A包括凸形缺陷13,且於第1方向D1具有寬度“(第3寬 度)、於第2方向D2具有寬度¥2 (第4寬度);1 4B之配線 圖案1 2之一侧邊緣之延長線上之凸形缺陷丨3與配線圖案j 2 之分界部分處朝向配線圖案1 2之内側擴展量為修正偏移量 △ w (乃至最佳修正偏移量△ Wq )之絕對值,並在第2方向 D2具有寬度w2。即,從前之修正方法使用之照射區域 1 4 A ’是根據修正偏移量△ w (乃至最佳修正偏移量△ Wq ) 在第1方向D1進行修正(乃至擴大),設定最佳修正照射 區域1 4。 對圖2之修正照射區域1 4照射雷射,去除該照射區域)4 記憶體在之凸形缺陷1 3和CrON膜。除去後之光罩1 〇之表面 結構示於圖3。如圖3所示,在石英玻璃1 1中,被去除缺陷 後之部分(稱缺陷修正部分)1 5對面之修正後之配線丨2 „ 側之邊緣1 2E之一部分ME,比邊緣1 2E之原來位置沿第1方 向D1之反方向後移。換言之,凸形缺陷修正後之光罩丨〇之 特定配線圖案1 2,其一侧邊緣1 2 E之一部分發生缺損,於 配線圖案1 2形成凹部1 6,凹部1 6具有與配線圖案1 2第1方
89112163.ptd 第15頁 472174 五、發明說明(10) ^ t第^方向D2分別與修正偏移量Aw (乃至最佳修正偏 ::SI:相等之幅度和心寬度。使用具有此類 = 先罩10進行照相製版,採用該光罩之根據乃 土嘗眼點如下〇 射ϋ 2 ΐ,經雷射照射之cr0N金屬膜之凸形缺陷吸收雷 陷d:t使缺陷被加熱去除。此時’照射修正缺 日3 Μ二址%t形缺陷後原石英玻璃部分也被加熱到高溫, 之石英玻璃部分之表面層發生微小之 相比,修正缺陷部分15 (圖3)之 皮 不出條件下利用雷射修正和去除凸形缺陷時 以不存在缺陷之石英念迹 旧才 正部分15之透射率;;二之透Λ率為10° ’則缺陷修 為96。 方、波長248nm時為92,於波長3 6 51^時 酉己線圖案!2複製到半Ϊ;:1面率之:降,在光罩1〇之 周圍發生衍射和散射,使 阻劑%m分is之 光量增加,直接穿過該;::1』之下面阻劑部分入射之 光強度之損失量得到補償。Λ τ Γ下面之阻劑部分到達之 於圖29所示之從前之缺陷修償此類光強度之下降, 修正部分75 (圖30) 凌中,儘管通過透過缺陷 到補償,但是仍不破:71⑽)之光可以得 具有圖案12之光罩10,i配 不,積極之方法是製作
之部位產生缺口。即,^^案12之光罩10在邊緣12E 配線0案12之凹部16正下方之石英
89112163.ptd 五、發明說明(11) 破螭部分(稱石英玻璃部 因此將配線圖案12複製到半 f雷射照射後重新感光, 分Μ之一部分光,由於衍等f日日面上時透過石英破 ;分15之正下方之阻劑部分,°;斤::用::射到缺陷修: 里增大。光量增大部分能彌 =阻劑部分照射光之光 f量減小,故此方法獲得積極之::::數:降而?丨起之 石英破璃部分16在有雷射照射栌二=果。此4,圖3之 透射係數降低。此時石英破璃二t r,傷’因此該部分之 缺陷修正部分1 5光量之補充量要^。周圍之光量補充量比 基於以上觀點,在複製時,— 分1 5正下方阻劑部分之透射旦=1過缺陷修正部 破璃部分U及缺陷修正部分2與②穿過石英 部分入射之光*(增大部:5 =二 =上述阻劑 W 。, ™ ^寻之敢佳修正偏移詈Λ 日。。果事先通過試驗求出最佳修正偏移量◦,在複 ^可以得到圖4所示之阻劑圖案(Swl=Sw2)。這裏,^ :圖2之修正照射區域14設定成照射區域HA和朝向第^ ^反方向擴展最佳修正偏移量之絕對值之圖宰修 ::14:構成之區域,運用對該區域14進行雷射照射獲 罩,字光罩圖案之配線圖案複製在半導體晶面乃至 ::體襯底1上形成之正向阻劑,依此獲得具有阻劑圖宰2 體裳置100之俯視圖。在該圖中,符號Swl為益 ίίΪ::”分原來阻劑之間隔,符號Sw2為對應於圖3 "缺口^刀15之阻劑圖案間隔,此時Swl=Sw2 〇 472174 五、發明說明(12) 關於修正偏移量△ W之符號,當修正後之配線圖案之一 侧邊緣比原來之圖案邊緣位置向第1方向D 1之負侧後移 時,以"負"值表示;反之,在分界處附近殘留有缺陷時, 即修正後之圖案邊緣比原來之圖案邊緣向第1方向之正侧 突出時,以”正”值表示。因此,圖3、圖4和後文之圖5, 其修正偏移量△ w之符號均以”負"值表示。 對此,當修正偏移量△ w之設定為△ w < △ w〇 < 0時,于 圖3石英玻璃部分1 6,只要補充比該圖3石英玻璃部分1 6之 面積大之部分即可補償透射係數下降之部分,因此如圖4 之虛線所示,複製後阻劑圖案2之邊部2E中產生缺口乃至 凹部區域,由於對應於缺陷部分1 5之邊部2 E A之後移,阻 劑圖案間隔Sw2比原來阻劑圖案之間隔Swl增大。 反之,當修正偏移量Z\w之設定為△*〇<△»<0時,不 僅石英玻璃1 6,就連缺陷修正部分1 5之一部分(邊界區域 附近)在内,透射係數之降低不能完全補償。如圖5所 示,阻劑圖案間隔Sw2比原來阻劑圖案之間隔Swl減小。 綜上所述,進行雷射照射時,控制雷射光路之光學系 統,使修正偏移量△ w等於最佳修正偏移量△ w〇,是最佳 選擇。即使修正偏移量△ w沒有滿足△ w= △ w〇,實際之阻 劑圖案間隔Sw2對原來阻劑圖案之間隔Swl之波動率(Sw2 -Swl ) x 100/ Swl (%),可根據不同設備設計圖案之尺 寸確定容許範圍,求出修正偏移量△ w規定之範圍(容許 範圍),由容許範圍内之修正偏移量△ W確定之修正照射 區域内進行雷射照射時,控制雷射之光學系統(雷射光束
89112163.pld 第18頁 472174 五、發明說明(13) 之控制),通過雷射照射可實現對凸形缺陷之修正。 另一方面’當採用從前技術但阻劑圖案尺寸之波動不成 問題且設計之圖案尺寸較大時,也可以採用使修正偏移量 △ w之符號為正之凸形缺陷修正方法。但是,最佳修正 偏移量△ wD為〇 # m。此時之光罩丨〇上之修正照射區域丨4示 於圖6之俯視圖内。此時’如該圖所示,修正照射區域1 4 疋將圖2所示之原來照射區域1 4 A沿第1方向d 1縮減修正偏 移里△ w之絕對值後之區域。因此,從凸形缺陷1 3與配線 圖案1 2 —侧之邊緣1 2E之接觸部分乃至邊界部分向第】方向 D1之正側突出修正偏移量△ w之絕對值之凸形缺陷1 3之— 部分,用雷射照射不能去除而殘留下來。 =于。該《凸形缺一陷修正後之光罩1〇之平面結構示意圖示 “ 0 °如该圖所7F ’凸形缺陷i 3殘留部分】配 U —侧之邊緣12E連接。 口木 上ίΛΐ巧罩1〇設計圖案之尺寸比較A (例如光罩概底 部分11之區缺陷修正區域15之周圍之石英破璃 案1 2複H丄道二,所以用照相平面製版將圖7配線圖 石英3匕;2體晶面上時,穿透缺陷修正區域15周圍之 下方之Μ劑;分之2到缺陷修正區域15及殘留部分”正 域15之透射係數=夏較大’因此可以認為,•陷修正區 可以充分及殘留部分17存在弓丨起之光量不足 )之絕餅值時,故’適宜設定修正偏移量^ (>〇 案之尺寸之波動㈡之阻劑圖案之尺寸斜原來之阻劑圖 丰疋可以進入規定之容許範園之。此時 4721^4 五、發明説明(14)
△ W。作為可交i、+ 對〇值最佳修正偏移量 得到了修正偏移量△ w 以下,根據上述光罩 之、结果加以說明。 奋δ午波動範圍内之值, 0 之凸形缺陷 > 彳欠 之知正方法就製作光罩 首先,根據上述凸形缺 出條件下,與寬L和間隔S均為,在上述雷射之輸 配線圖案一侧邊緣連接 石央破螭上之CrON膜之 修正’對各個修正偏移量△:與值二條件下進行 (圖4)之尺寸波動ASw [以(、 、二日日面上阻=2 )表示]之間之關係進行了測定。測定L果0::wl (/: 圖所示,修正偏移量Δ約& _ 不、0 8。如5亥 阻,案之尺寸波動率二:二;^/ :=2:約為—〇,。6 _。例如,為了使光罩上沒有黑色 。为之阻劑圖案尺寸Swl之尺寸波動率控制在土 1 〇%以内波動範圍(相當於規定之容許範圍),修正偏移 量^之容許量21約為+U4p〜-〇,16_之範圍(但 △ w = 0除外)内。 與見度L和間隔s (圖1 )均為1从m之配線圖案丨2之邊緣 相連接之凸开>缺陷13之寬度尺寸wl、w2均為1 以及寬度 尺寸wl為lem、寬度尺寸w2為3#m之兩種情況下,圍繞凸 形缺陷1 3之兩侧配線圖案丨2通過凸形缺陷丨3相互連接二稱 此時之凸形缺陷1 3為"橋形缺陷"。但此時對一側或兩侧= 配線圖案適於採用圖1〜圖7所示之凸形缺陷之修正方法,
472174 五、發明說明(15) 通過將修正後之配線圖案邊緣從原來之位置退德f代τ & 移量^<0時=或突出ρ偏 域1 5 (圖3,圖7 )之、#射μ玄 補仏缺陷修正區 L , 之透射效率之降低,這樣,丰導μ曰品 上形成之阻劑圖荦之ρ斗、士 &古 牛¥肢日日面 内之容許範= 率即可以控制在包括Q值在 ^ # ^ 兩側之配線圖案12之各自之邊竣1外尚 橋形缺陷1 3之分界部分分別退狳^ 之故、毒1 2E與 對值及第2佟正偏Λ 第修正偏移量之絕 是,第二=:2之絕對值之實例示於圖9。但 弟1知正偏私夏△w之絕對值與第2 絕對值之和等於上述π T值梦旦Λ乐U正偏移s 之 佳修正偏蒋旦Λ 〇偏私置△ w。同樣之想法,對最 仏仏正偏移里△ Wfl也是合適之,第丨最佳修正 絕對值與第2修正偏移詈△ ^ #, 夕里w01之 夕里△wOZ之、、、巴對值之和相當於最佳修 正偏移夏△ W〇之絕對值。 ^ 如圖9所示,修fp皆# Q & , „ " 寬度w2為l//m〜3//ηι(此時wK" ) 之橋形,“己線圖案之尺寸L、s及雷射之輸出條
Si:各::::口量,、:,…),實際測 圖案尺寸之波動;:st^W之/導體晶面上形成之阻劑 圖案12各自邊緣12二正::AW等於圖9所示之兩側 和。從該圖可以看*二和傷广偏移量△%、△〜之 之最佳修正偏移量3〇均^尺寸(=W2)為…和3㈣時 之阻劑圖案尺寸之波=為-〇.°7//m,此時半導體晶面上 、、丁之/皮動率aSw為〇。 系示上所述’γ欠 通過該修正區域周^ ^ ^部分產生之透射係數之降低’可 光部分之光線衍射和散射進行適宜
五、發明說明(]6) ____ ::償’因此透射係數降低邻八 ^ =間隔S較大者透射係數不刀之面積只要相同時,圖1 減^石央玻璃部分11之區域會~低/缺陷修正部分15 成小。基於上述觀點,與配線ft ’取佳修正偏移 广之配線圖案之邊緣 :,L及配線間隔s均約° ::下基於上述修正方法進行修:'乃同樣之雷射輪出 :不,此時之修正偏移量二圖二形:陷之修正如圖9 圖可.以看*,最佳修正偏/旦广1和之和相等。從該 線寬度L及配線間隔 量△ wQ相比,要小—些。 口 1 0 )之取佳修正偏移 體^ϋ導體晶面上之阻劑圖案之尺寸波動率進入半導 圍,主要取決於凸形缺陷之尺度乃至容許範 劑圖安夕ρ斗4 & a T上述圖1 0和圖11表示阻 ,,Λ寸波動谷許在中心值± 1 〇%範圍内時所須修正 偏ί夕1 △ w之精度。從圖丨〇和圖丨 、L正 二r)广修正偏移量…之 =間之橋形缺陷時,橋形缺陷之缺陷尺寸卜w2) : 呀,修正偏移量之容許範圍31為_〇· 15心〜十u ’當缺陷尺寸(=w2)為3 _時修正偏移量Aw之容言"2
472174 五、發明說明(17) 變小,在-0 . 1 3 // m〜+ 0 . 0 1 // m之間。這一關係,對圖1 1之 容許範圍4 1、4 2同樣成立。根據雷射之上述輸出條件將連 接於CrON光罩配線圖案邊緣之凸形缺陷或橋形缺陷以上述 方法進行修正時之配線間隔S與最佳修正偏移量△ w〇之間 之關係示於表1。關於表1之資料,凸形或橋形缺陷之尺寸 (wl,w2 )各種各樣,例如,寬度wl在尺寸S以内,寬度w2 在0.5 //m〜3 //m範圍内。 【表1】 光罩配,線圖案 之間隔s 不足1 // m 1 V m以上 2 // m以下 2 /z m以上 最佳修正偏移量△ w0 -0.10 /z m 以下 -0.10〜-0.05/zm -0,05 〜0//m 如表1所示,根據間隔S,即根據存在黑色缺陷之石英玻 璃表面範圍之第1方向D1之尺寸S (當然,與雷射之輸出條 件和缺陷尺寸有關,但與間隔S之依存關係相對大一些) 確定最佳修正偏移量△ wQ。例如,當1 // m S S < 2 // m時, 最佳修正偏移量Aw。為-0.10 //m〜-0.05 //m。 儘管表1中沒有給出,為了將複製之阻劑圖案尺寸之波 動率控制在規定之範圍(例如± 1 0 % )内,所需修正偏移 量△ w之容許範圍(其中包括最佳修正偏移量△ w。)同樣 應根據雷射之輸出條件、間隔S以及缺陷尺寸來確定,這 一點根據上述說明、圖1 0、圖11和表1内容可清楚地看 出。
89112163.ptd 第23頁 472174 五、發明說明(18) 如上所述’根據表I所述之最佳修正偏移量△ Wq或包括 △ %在内之上述容許範圍内之修正偏移量a *確定之修正 照射區域1 4 (圖2,圖6 )内照射雷射光束,可以將由於光 罩之缺陷修正部分之透射係數降低導致半導體 之阻劑圖案之尺寸波動限定在最小範圍内。而; 據半導體裝置之容許範圍將其控制在規定之範圍内( 如’控制在± 1 0 %以内)。 - :ί雷射修正裝置本身修正邊緣位置之綜合精度存在 f上阻劑圖案之尺寸波動率控制在上述半
Cw<0或八^時),或者需要乃/正取/修正偏移量△ :偏私置Aw ( △〇〇時),最終實 緣。即,考慮雷射修正裝置之位置精产之:土圖案之邊 陷和原來之配線圖案之接觸部分偏離=波動,從凸形缺 部位置,㊆向上訴接觸部分以Γ方最二之凸形 射之照射區域,從端部開始將凸二方向:靖 連接區域看,雷射之照射位置 4緩慢去$,從上述 △ w乃至最佳修正偏移量△ WQ之:^入所期之修正偏移量 下,就採用實際之雷射修正骏’結束修正操作。以 缺陷之順序進行說明。 χ 修正偏移量修正凸形 圖12表示採用上述黑色缺陷修正 體晶面乃至半導體襯底上規定I 法製作之光罩於半導 形成積體電路圖案作業之示音吴(絕緣膜或金屬膜)上 w 该圖中之Τ1是上述光罩
89112163.ptd 第24頁 仍174 五、發明說明(19) '—-- :$作作業、:是實施形態之核心部分。該作業T1包括以下 胺? :、Γ于光罩母材石英破螭表面上以形成CrON膜(金屬 測氺4為酉日己線圖案之作業S1 用通用之缺陷檢測裝置檢 I古罩上是否存在黑色缺陷(即凸形缺陷)之作業S2 ; r ^黑色缺陷存在時’用上述黑色缺陷修正方法于修正照 業區域(圖2、圖6之1 4 )照射雷射光束之黑色缺陷修正作 S4 3 修正後之光罩用規定之洗滌液進行清洗之作業 、’·無黑色缺陷時(為了簡便起見,假設沒有白色缺陷 s進行光罩之最終檢驗作業S 5。在上述作業中,核心作業 是s 3,對此後文將要詳述。 ^圖1 3表示上述作業S3使用之雷射修正裝置丨丨〇之結構及 邊裝置之動作原理示意圖’對該圖丨3中之符號說明如下。 即’ 1 〇 :光罩;111 :接物鏡;丨丨2和丨丨6 :半透鏡;丨丨3 : ^微鏡;114 :隙縫;115 :開口。光罩1〇安裝在可移動台 、並未圖不出)上。以下,參照圖丨3 ’根據圖丨4之流程詳 述圖12之作業S3。 百先’於第1道作業S31,將光罩1 〇安裝在試樣台(可移 動台)上。 、f著:在第2道作業S 3 2,從圖1 2之作業s 2使用之缺陷檢 =扁置讀出缺陷檢測資料(座標資料),並將該資料登錄 料處理用電腦(並未圖示出)。 在第3作業s 3 3,上述資料登錄資料處理用電腦根據上述 么測貝料識別凸形缺陷之座標位置,根據座標控制可移動 將上述凸形缺陷移向以顯微鏡1 1 3觀察確認之位置。
五、發明說明(20) 在作業S34 ’操作人員首先點亮照 ^通過半透鏡116、開σ115、半透鏡112及未口出 照射到光罩10之表面上,用顯微鏡⑴確認與光 =之^面之配線圖案及—側邊緣連接之凸形缺陷之存在 二尺_/、'後,#作人貝使隙缝⑴變形,進行開口 115之口 ft之調整操作n操作人貢調整隙缝114之開口 上述之連接部乃至分界部分,沿著第1方向D1之正 開最遠之凸形缺陷之端頭附近被照明光照亮。然 緩二亥Ϊ置進:步緩慢使隙縫變形,朝著上述分界部分 射ί t射區域擴大。'點—點地移動可移動台,使照 射&域朝向上述分界部分擴展。 診::5作業S35 ’巧作人員關掉照明光源,然後再次點亮 ^ ψ Γ在保持點713狀態之同時,點亮雷射光源(並未圖 將雷射光束照射在光罩1〇表面上,於是被照射部 :沔二丄形f 。然後,操作人員關閉雷射電源,當雷射 r t:”照明電源關閉時,應再次點亮照明電 點其妝能’、?、明電源處在點亮狀態’則繼續保持照明電源之 移向ϋ評:作鏡確認缺陷修正點數(第6作業S36), 面ί ΓΛ^37 ’操^乍人員借助顯微鏡113觀察光罩㈣ 邊緣之局部部⑯修正部分之配線圖案之一側 移量Aw〇 (w),或者退後預先設 1 圍内之修正偏移量^之絕對m (△%<〇時
472174 五、發明說明(21) )或者e平價突出量(△ w〉〇 。此 圍内之修正偏移量h,預先製作這或者容許範 樣與現在修正中之光罩相對比,由^,並將這-試 之效果好壞1外,現在正在修正中、 】::缺陷修正 根據測定配線圖案一側 以出:後丄可 對本作業之評價。 交里次大出ΐ,也可實現 移向作業 由此,昭 由以上判疋結果’在顯示不好(NO )之場人 S3',反復重復S35〜S37,再次進行雷射^ 射區域可向上述修正照射區域擴大和調整。 正!:業?7:當判斷為良好(yes)時,則凸形缺陷之侈 正結束,取出光罩10 (第8作業S38) 。 l ^然後,移向圖1 2之作業T2 ,半導體晶面乃至半導體檷 形成所期之積體電路圖案所規定之層後形成阻劑層。運用 作業Τ1製作之光罩! 〇將該光罩配線圖案複製在阻劑上 成阻劑圖案(作業T3 )。此時,如上所述,光罩1〇之缺^ 修正部分透射係數之下降而引起之光量不足,可以得到^ 償’阻劑尺寸之波動率可控制在0或規定之範圍内(例如$ ± 1 0 %以内)。 最後’將阻劑圖案作為光掩進行熟知之腐飯等處理,可 以形成具有所期尺寸之積體電路圖案(作業T4 )。 【實施形態1之變形例】 在實施形態1中’敘述了採用輸出約1毫焦耳/脈衝、脈 衝幅約0 · 6ns之輸出條件下振蕩之雷射光束時最佳修正偏
472174 五、發明說明(22) 移量△ 及修正偏移量△ ψ之容許範圍。但是,㈢ 偏移量Z\w◦及修正偏移量^之容許範圍,不僅 寸Ul,w2)及配線圖案之間隔s有關,而且也斑雷曰 相"此,如果雷射光束之輸出= 欠化,最仫正偏移量△ W()也隨之發生變化。 : 使用輸出4毫焦耳/脈衝〜6毫焦耳/脈衝範目、脈衝备 0.5ns#之輪出條件下之雷射光束時,入射到缺陷修正y 之石央玻璃部分之損傷加大,該區域之透射係 一 s 下降。此時,不存在凸形缺陷之石英玻螭八 :步 以1 0 0計算,缺陷修正部分之透射係數,\刀、射係數 81、於波長3 6 5nm時為92,比實施形態丨叙、/ 、48nm時為 之低。因此,最佳修正偏移量之符泸=之雷射輸出時 對值有增大之趨勢。與配線間隔s為丨5 &為負M ,而且絕 案之一側邊緣連接之凸形缺陷13 (圖丨/111以下之配線圖 之雷射光束進行修正時,將最佳修正以上述輸出條件 15/zm以下,將修正後之配線圖案之—私量Awfl設定在〇. 之雷射光束修正時之結果相比較,1邊緣同實施形態1 遠後退到超過原來之配線圖案之一侧ζ結果表明,需要遠 上述輸出條件之雷射光束修正凸形缺緣位置。採用具有 隔S之最佳修正偏移量△ wQ之實測姓果t日寸,對配線圖案間 =是各個缺陷或橋形缺陷之缺陷尺° =於表2。表2給出 寬度wl在S以内,寬度w2約為〇 二同之資料,例如, 【表2】 ’ 〜3以m之範圍内。
472174 五、發明說明(23) 光罩配線圖案 之間隔S 不足1 A m 1 y m以上 1.5 /z m以下 1 ·5 // m以上 5 /z m以下 5 // m以上 最佳修正偏移 量 Δνν0 -0.3 // m 以下 -0.3 〜-0_15 β m -0·]5 〜-0.05 // m -0.05〜0 # m 正如表2所示,使用按上述條件下發出之雷射光束時, 與使用實施形態1所述之輸出條件下之雷射光束時一樣 (參照表1 ),當配線圖案之間隔S加大時,最佳修正偏移 量△ wQ之符號從"負"向"正"轉變,而且絕對值有減小之趨 勢。 綜上所述,雷射光束之該輸出條件主要由配線圖案之間 隔S決定,修正加工應從配線圖案一侧之邊緣位置朝向第1 方向之反方向後退表2記載之範圍内之最佳修正偏移量△ \ν〇,光罩之·缺陷修正部分之透射係數降低所引起之半導體 晶面複製形成之阻劑圖案之尺寸波動,以及隨之基於阻劑 圖案最終形成之積體電路圖案之尺寸波動,可限制在最小 範圍内。在該輸出條件下,可在包括表2所示之各個最佳 修正偏移量△ wQ在内之修正偏移量△ w之容許範圍内,對 修正部分進行雷射修正。通過這一修正,如前所述,可將 阻劑圖案之尺寸波動率限制在半導體裝置之容許範圍内 (例如,1 0 %以内)。 【實施形態1之變形例2】 實施形態1及變形例1敘述了對凸形缺陷之修正方法。這 裏敘述之修正方法乃至修正原理對配線圖案附近孤立之黑 色缺陷之修正同樣適用。 圖1 5之光罩1 0之俯視圖給出雷射修正孤立黑色缺陷1 8
89112163.ptd 第29頁 472174 五、發明說明(24) (第1寬度wl,第2寬度w2)時之修正照射區域14。此時, 修正偏移量△ w乃至最佳修正偏移量△ %為負。如圖丨5所 示,修正照射區域14具有①第寬度w3及第4寬度w4 (有可 能w3 = wl’ W4 = w2 ) ’並由14A和14B組成。其中14A包括累色 缺陷18之矩形照射區域,14B則於②挨近上述缺陷18之配 線圖案1 2 —側邊緣1 2E之内從該缺陷丨8相對之部分丨2ES朝 第1方向D1之負側往圖案12之内部擴展修正偏移量乃至 最佳修正偏移量之絕對值,在第2方向D2具有第4寬 設定修正照射區域14後向該區域照射雷射光 ί色=二去之除後,英玻璃部分相對之配線圖案12 之一側邊Ί12Ε之一 „|^刀,從上述之12^位置向第 之負側退後修正偏移量乃至最佳修正偏 當△wMib,上述照射區域14Α沿第i方向μ之正二 之修正偏移量△w區域為修正照射區域。 向匕圍 【實施形態1之變形例3】 在實施形態1及變形例i、2中,給出了 ^ 配線圖案連接之黑色缺陷之修正方法间、凡王直線狀之 複製在半導體晶面上形成之阻劑圖案之=^也給出了為使 最低限之最佳金屬膜配線圖案之結構。了波動率控制在 配線圖案不一定都需要直線狀,只要是、、: =访光罩之金屬 當於延長配線圖案間隔5尺寸之區域構者苐j方向由相 之配線圖案,即可修正表丨及表2所整理之印石英破璃存在 △ wfl之絕對值’形成圖案一侧呈現邱八取佳修正偏移量 見分凹陷之結構,或者 472174 五、發明說明(25) 在阻劑圖案之尺寸波動率控制在1〇 將圖案邊緣之-部分結構修正成凹陷或突出二’ 此,可將半導體晶面上之阻劑圖案之 ^ I。 或對於半導體裝置容許之範圍内y此類U動率控制在0 舉例示於圖16和圖17。 、 之配線圖案之 【實施形態2】 本實施形態給出用紫外光可 MoSiON (矽化鉬之氮氣 ^^予度』0.1 "m之 缺陷之修正方法。之照相銅版移相光罩之凸形
MoSiON金屬膜之光之1相銅版移相光罩,能使穿透 使複製在半導體晶面ΪΓ發邊’是在照相製版作業中 相位,與穿透石英破=罩透金屬膜圖案部分之光之 因此在使用照相銅版移::^之相位相比反轉180度, 度下降,可將圖案邊繞二罩吟,金屬膜圖案部分光之強 阻劑上,II以提高圖安。7刀更清晰地複製在半導體晶面之 案之之形狀具有矩Ξ;;之晰像度。、尤其是m〇w〇n金屬膜圖 果更好。4有這種特::1即形成孔形圖案時’上述之效 通過雷射去除時於缺p:A“目銅版移相光罩之黑色缺陷欲 與不存在缺陷之部位::正部分之透射係數下,,同時’ 位並不那麼容易栌制比,透過該缺陷修正部分之光之相 條件下發出之雷射修^ 如’以ΐ施形態1中敛述之輸出 透射係數為100計曾'、、;、、色缺陷時,以不存在缺陷部位之 係數為9 6. 6。♦以杂'長2 4 8 nm日守之缺陷修正部位之透射 Λ知形態1之變形例1之輪出條件進行雷 472174 五、發明說明(26) 射修正時’波長248_時之缺陷修正部位之透射係數為 8 6· 5。因與沒有缺陷部位之圖案邊緣部位之透光狀況 相比,於缺陷修正部位之圖案邊緣部位之透光強度存在差 ^ ’產生之問碭在於不能像期望之那樣使圖案之晰像度提 高。 这裏,畜i乡正照相銅版移相光罩之黑色缺陷,例如修正 挨近凸形缺陷和圖案邊緣之孤立黑色缺陷時需要採用實施 形態1所述之修正方法。鑒於此,當移相光罩之金屬膜圖 案之一部分有開口、形成石英玻璃之孔形圖案時,以及形 成孔形圖案之一個邊緣連接凸形缺陷時,介紹具體修正上 述凸形缺陷、複製後之阻劑圖案之尺寸波動率如何控制在 〇或者控制在容許範圍内之移相光罩之製造方法。圖18表 示與移相光罩10之金屬膜圖案5〇之孔形侧(内侧)之4個 邊緣之-之50E之-部A (分界部分乃至連接部分)5 連接之第1和第2方向Di、D2有第!和第2寬度w“。w2之凸妒 缺陷52之俯視圖。該圖18中之符號§是金屬膜圖案之y 側邊緣包圍之孔形之第1方向D1之寬度(孔形尺寸), 是凸形缺陷52存在之孔形内石英破璃部分(也稱孔形圖案 )51之苐1方向])1之尺寸。 ’、 圖19是為消除移相光罩10之凸形缺陷52之修正 53之俯視圖。此時之區域53包括:「具有凸形缺陷^、: 於第1及第2方向Dl、D2具有第3寬度w3 (=wl )和第4寬度 w4〇w2)之照射區域53A、」朝向離開分界部分5〇b之第1又方 向D1之負方向擴展上述含義之容許範圍内之修正偏移量△
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第32頁 472174 五、發明說明(27) w或者最佳修正偏移量△ Wf)之絕對值、並在第2方向D 2有寬 度w4之圖案修正區域53B。根據孔形尺寸S之值、雷射之輸 出條件及凸形缺陷之尺寸(包括橋形缺陷),有時可以將 修正偏移量△ w之符號設定為"正"。此時,如圖6所示,圖 1 9中之厂之照射區域5 3 A沿著第1方向D1縮小修正偏移量△ w之絕對值之區域,為修正照射區域。 圖2 0表示圖1 9所示之照射區域5 3通過雷射照射完全去除 凸形缺陷後移相光罩1 0之金屬膜圖案5 0之俯視圖。在圖2 0 中,與金屬膜圖案5 0之内侧一個圖案邊緣5 Ο E内對應修正 缺陷部分54之50ME,向第1方向D1之負方向退後修正偏移 量△ w或者最佳修正偏移量△ wQ之絕對值,於該圖案邊緣 50E產生局’部之缺口乃至凹部域55,暴露出正下方之石英 玻璃部分。採用這種移相光罩1 0將金屬膜圖案5 0乃至孔形 圖案5 1複製在半導體晶面之阻劑層上所形成之阻劑圖案1 A 示於圖21 (A)和圖21 (B)。在圖21 (A)和圖21 (B) 中,符號2 A是半導體襯底乃至孔形圖案。在圖2 1 ( A ) 中,孔形圖案2 A是以矩形表示之,光罩上之孔形圖案5 1之 孔形尺寸S約為1 0 // m以下時,半導體晶面上之孔形圖案2 A 如圖21 (B)所示,為圓形。但在圖21 (B)中,孔形尺寸 Swl之孔形圖案2A是原來沒有黑色缺陷存在之情況,孔形 尺寸Sw2之孔形圖案2 A是採用該缺陷修正方法修正黑色缺 陷後之情況。 圖20中修正後之邊緣50ME從原來之位置退後最佳修正偏 移量△ Wa之絕對值時,圖2 1之阻劑圖案1 A之尺寸波動率
89112163.ptd 第33頁 472174 五、發明說明(28) ----- (S„l ) X ιοο/Jwl為〇,該邊緣5_退後容許範圍内 t L且之t正偏移虽△ W之絕對值時,阻劑圖案i A之尺 二動率,對半導體裝置為10。時進入容許範圍“例如: 1 〇 %以内)。 ' :用實施形態!所述之同樣輸出條件下之雷射修正 ;案51内之凸形缺陷52時之修正偏移量以及將修正 , t 2 J10之金屬膜圖案50複製ASw之實測值示於圖 符1以θ看出,對孔形尺寸§為1 . 5 // m之孔形圖案5 1 , :佳修正偏移量60基本上為〇。修正照射區域與從前之昭 ^區域相1 ’對孔形尺寸3為1.4^之孔形圖案51,最^ k正偏私里61約為—〇. 〇3从m。孔形尺寸s進一步變小到1. 2 :m之孔形圖案時,最佳修正偏移量6 2約為_ 〇. 〇 7 " m。由 ^可知,伴隨孔形尺之減小,需要將修正後之圖案邊 '.彖從原來之圖案邊緣向第!方向〇1之負方向移動。 旦從圖22看出’伴隨孔形尺寸s之減小,相對於修正偏移 里A w之波動,半導體晶面上形成之阻劑圖案之尺寸波動 加大’使阻劑圖案之尺寸波動率△ Sw控制在丨〇 %以内之修 正偏移1 △ w之波動容許量(要求修正精度)降低。 表3表示出m〇s i on膜用於金屬膜圖案、修正照相銅版移 相光罩之凸形缺陷時之孔形尺寸乃至沖孔尺寸S與最佳修 f偏移量△ wQ之關係。對於不同缺陷之寬度尺寸,表3之 資料不盡相同。寬度wl在孔形尺寸S以下,寬度w2也在孔 形尺寸S以下。 【表3】
_2]63.Ptd
第34頁 472174 五、發明說明(29) 移相光罩之孔形圖案之 沖孔尺寸S 不足1 //m 1 // m以上 1.5/im以下 1.5 // m以上 最佳修正偏移量△ W〇 -0.1 β m以下 -0_l〜-0"m -0.05〜-0μΓη 綜上所述,例如對於缺陷尺寸(=wl )為0. 5 // m之凸形 缺陷5 2 (見圖1 8 ),在雷射之上述輸出條件下,根據孔形 圖案尺寸S確定之表3中記載之範圍内之最佳修正偏移量△ wQ修正從前之照射區域,起因於移相光罩上修正部分之透 射係數降低之半導體晶面上複製後形成之阻劑圖案之尺寸 波動率可大致為0。根據表3中每個最佳修正偏移量△ wQ確 定之容許範圍内之修正偏移量△ w,修正從前之照射區 域,可將阻劑圖案之尺寸波動率控制在半導體質量要求之 容許範圍内。 這裏所述之雷射修正之雷射修正裝置也與圖1 3所示之雷 射修正裝置相同。 【實施形態3】 實施形態1、其中之變形例1〜3及實施形態2給出了將阻 劑圖案尺寸之波動範圍控制在半導體裝置質量要求範圍内 之實施方法,即,通過雷射照射消除有光罩上金屬膜圖案 連接之凸形缺陷(包括橋形缺陷),把原來之圖案邊緣沿 著第1方向退後最佳修正偏移量△ Wo或者退後容許範圍内 之修正偏移量△ w,或者將該圖案邊緣沿著第1方向突出容
89112163.ptd 第35頁 ^r^i74 五、發明說明(30) — 許範圍内之修正偽萨吾 數之降低,把上補/缺陷修正部分之透射係 制在半導體裝置亡=形成之阻劑圖案之尺寸控 用之修正原理雖參一求靶圍内。在該實施形態3中,運 束。即’採用離子束將連I之線束從雷射改為離子 之凸形缺陷去除掉之實例妾::屬;構成圖案之-側邊緣 方法對靠近光罩之一個圖査田然,该貫施形態3所例舉之 用。 圖案之孤立黑色缺陷之修正同樣適 以離子束蝕刻修正凸形 行。即,採用離子束去卜Λ 方法,可按下述方法進 金屬骐,用高電舞f ί 缺陷時,對凸形缺陷部分之 陷。此± 仏 土 ^ I之嫁等離子束濺射蝕刻去除表面址 電子:形=從石英玻璃表 璃部分露出表面之時刻::=刻,檢測底下之石英破 此,凸形缺陷之全屬=出表面後修正操作結束。因 屬膜完全被飯刻之後,、;;=巧以及凸形缺陷之金 表面層產生Κι:;膜;::石英破璃部分受到損傷 離子注入,因此與雷IT修A之=石英玻璃部分發生 下降。為了補償用離子上二=破璃部分之透射係數 降低,與實施形態丨―/1Λ陷時上述透射係數之 =圖案間隔和;1 陷二根定 裝置質量要求之容許範圍内之;岣或者 •偏移罝△ w,修正 89112163.ptd 第36頁 472174 五、發明說明(31) 後之圖案邊緣從原夾夕 w I.-,^ ^ 1 ^ A w0 Λ 式(△wd)執行]]偏移量Δν[有時可按從前方 膜圖案後形成之阻劑圖°幸’可將半導體晶面上複製金屬 近,保證半導體裝置波動基本上控制在〇附 配線寬度L及配線間,工在要求之範圍内。 來間Prej S (見圖!)均袅 配線圖案内相鄰兩條配線 J ^為I 〇 /^直線形之 巧::條邊緣連接之橋形缺陷 除,修正偏移量與工相/於久離子束钮刻後修正去 寸波動率△ Sw之間之〇固修正偏移量△ w之阻劑尺 :值。“,關於離 5〇pA、離子束直徑〇 "㈤/本件.屯^2〇keV、電流 件、該缺陷尺寸、节H安 攸5亥圖看出,在該輸出條 △w。約為-。· 〇3二圖了案=條件下之最佳修正偏移量 制在± 10%以内,所需要之圖案尺寸之波動率心控 -◦•125…+ “6二…正偏移量之容許範圍為 ,給出金屬臈之直線形配線圖案使用㈣ :凸形缺陷(見圖U以離子束修正時對應於不同‘先 取“正偏移量之實測結果。此時之離子束輸出條 與圖23相同’凸形缺陷之尺寸不盡相肖,寬度wi在間隔s 以内、w2約為0.5//m〜3#m之範圍内。 同 【表4】 ~~光罩配線圖案 之間隔s 最佳修正偏移量△ W〇 不足〗# m -0.05 # m 以下 # m以上 _ i.5ym以下 1.5/zm以上 89112163.ptd 第37頁 472174 五、發明說明(32) 私:恥本貫施形態,為了使阻安 裝置質量要求容許之範@ (圖'尺寸之波動率控制在 各個最佳修正偏移量△…二〇/乂内’對應曰於表4中之 許範圍。 求出心正偏移置△ w之容 陷方法及手續,根據圖24與25進 丁正缺 於圖24,離子朿蝕刻裝置j 2〇 〇 未 ⑵、限制離子束寬度之隙縫125由^子束之離子搶 蝕刻時對該表面充電之正電核束對光罩1 〇之表面 t ^ 22 ^ ^ „, t 次電子、得到蝕刻表面圖像資 ί寻至屬之2 理用電腦(並未圖示出)之2、次、>將該資料輸出到資料處 器124以及試樣台(並未圖示出器m、氣體喷射 圖25是按上述圖丨2之作業S3詳述之1、/組成。 段S31〜S33、S38及S39等各項 二旌圖,圖25中之階 如〜S33、S38及S39。在圖25之階=於圖Η中之階段 1 2 1發射出離子束,用2次電子檢測二’首先從離子搶 子,根據檢測之資料以資料處理計::測釋放出之2次電 膜圖案和黑色缺陷之圖像(離子束=制作光罩1 0之金屬 階段S35,操作者根據顯示之圖像,"^象^ 。然後,在下一 疋局部之或全面包圍之矩形離子束。而碩到为界部分設 制離子搶121之同時(離子束之掃/根據設定,電腦在控 田空制)’還要控制氣 ^174 五、發明說明(33) 體嘴射器124,根據該氣體噴射器124,為了提高全 石英玻璃基板之間之蝕刻選擇比將氣體吹向光罩丨〇之、= (降低石英玻璃基板之蝕刻比,提高金屬膜時刻比、 =當於圖像上設定位置之光罩1〇之表面位置,用離子搶子 1發出之離子束進行自動掃描,使照射區域内之里 陷被蝕刻後去除(階段S36 )。 ’’、、 經過以上各個階段,設定照相區域可在上述修正昭 域内擴大,形成所期之光罩1 〇。 、、& 上述離子束蝕刻修正法,也可用於實施形態2中 移相光罩之黑色缺陷之修正。 【實施形態4】 =據實施形態1〜3所提出之方法’對連接於光罩 =案之凸形缺陷(包括橋形缺陷…挨近圖案邊;; 之,色缺陷,用雷射光束或離子束(總稱為規定之線 以最佳修正偏移量或者容許範圍内之修正偏移量 wb正從前設定之照射區域,補償了缺陷修正區域之透 ,囝^之波動,使半導體晶面上複製金屬膜圖案形成之阻 i =之尺寸波動率控制到0或控制在半導體裝置質量要 區5 ί @。在上述情況下’修正照射區域内之圖案修正 ‘ ::f 2方向D2之寬度設定成與金屬膜圖案之-側邊緣 致柏i矣近之黑色缺陷之第2方向D2之第2寬度(=w2 )大 蚁相4之寬度。 色缺:§亥圖案修正區域之第2方向之寬度設定成與黑 、句之第2寬度相等之寬度時’假如符號為負、而且修
472174 五、發明說明(34) 正偏移量△ w之絕對值過大時,在光罩製造作業中修正後 之檢查作業階段’圖案邊緣之缺損部分丨6 (圖3 )可作為 白色缺陷而被檢測出來,產生問題。 為了事先回避此類問題,原來圖案之退後部分1 6、5 5 (圖3 ’圖20 )之第2方向D2之寬度,在設定時應該比連接 于或接近於金屬膜圖案之黑色缺陷13、52之第2寬度w2大 些,疋必要之。這樣,接近於上述缺陷修正部分之圖案 邊緣之凹部域1 6、55正下方之石英玻璃部分朝向第2方向 D2擴展,相當於上述圖案修正區域第工方向d 1寬度之修正 偏移量Aw之絕對值與實施形態1〜3之場合相比,可相應 小—些 ° 此類實例示於圖2 6與圖2 7。 (附注) 岣m安 ^ 心凡王或不完全直線狀金屬膜配 絃锱"圍安" 丄 成孔形圖案之金屬膜圖案’ 充%圖案。通常之CrON光罩洳梦4 , 里&址价片 旱和移相光罩統稱"光罩"。該 黑色缺陷修正方法對於與此不 庀平 案形狀,原則上都適用。 種痛之光罩和各種各樣圖 (2 )另外,實施形態}〜6主要 以說明,該黑色缺陷修正方法、 正向阻劑之場合加 適用之。 在使吊負向阻劑時當然也是 (3 )如上所述’雷射光束或 【發明之效果】 千束統稱11規定之線束"。 根據申請專利範圍第3項之 X月’通過線束照射在完全 4 72174 五、發明說明(35) 去除黑色缺陷之同時,圄安片τ 除掉’其正下方之石英破ϋ分部分圖案也被去 =罩圖複製在半導體襯底之阻劑丄:此,當修正 專原因,被去除之黑色缺陷存在苴w上%,由於衍射 、缺陷修正部分)之正下方之阻·英破璃部分 石央玻璃部分之光入射進來,可以^八、有上述穿透露出 之透射係數之降低,恰好可在^缺陷修正區域 阻劍層感光。依此,複製後形成之低之狀態下使 阻劑圖案完全—致。 θ圖案與原來設計之 根據申請專利範圍第1及11項之發明^ 2透射係數之降低可以完全補償陷修正部 木1铍製後形成之阻劑圖案之尺 先罩知正後之圖 體裝置對質量要求之容許範圍内。/ ,可以控制在半導 根據申請專利範圍第4項之發明 石英玻璃以及缺陷修正部分之透射殘留^刀之正下方之 進行補償,因此光罩修正後之圖案低可以適宜地 案之尺寸波動能夠控制在裝置質 =^形成之阻劑圖 根據申請專利範圍第2及i 2項之//之/圍内。 J以設定得比較小,因此可以預先防止:正後广絕對值 部分不再作為缺陷被檢測出來。 …、、修正後之 根據申請專利範圍第14及丨5項之發 製在阻劑層時圖案丨之邊緣之缺損、=罩圖案複 入射之光量得到補償,使最終形成 89112163.ptd 第41頁 472174 五、發明說明(36) 劑圖案形成之積體電路圖案之尺寸波動量控制在0或根據 半導體裝置設計之圖案尺寸控制在容許範圍内。 【元件編號之說明】 1 :半導體基板 2 :阻劑圖案 10 光 罩 11 石 英 玻 璃 部 分 12 酉己 線 圖 案 12E :邊緣 13 凸 形 缺 陷 14 修 正 昭 )» 射 區 域 14A :矩形之照射區域 14B :矩形之圖案修正區域 15 缺 陷 修 正 部 分 16 凹 部 17 殘 留 部 分 20 最 佳 修 正 偏 移 量 21 修 正 偏 移 量 之 容許 庫巳 圍 30 最 佳 修 正 偏 移 量 31 修 正 偏 移 量 之 容許 庫& 圍 32 修 正 偏 移 量 之 容許 耗 圍 40 最 佳 修 正 偏 移 量 41 修 正 偏 移 量 之 容許 犯 圍 42 修 正 偏 移 量 之 容許 辄 圍
89112163.ptd 第42頁 472174 五、發明說明(37) 5 0 :金屬膜圖案 50B :分界部分或者連接部分 5 Ο E :邊緣 5 1 :石英玻璃部分 5 2 :凸形缺陷 5 3 :修正照射區域 5 3 A :照射區域 5 3 B :圖案修正區域 5 4 :缺陷修正部分 55 :凹部 6 0 :最佳修正偏移量 6 1 :最佳修正偏移量 6 2 :最佳修正偏移量 7 0 :金屬膜圖案 71 :石英玻璃部分 7 2 :黑色缺陷 7 3 :黑色缺陷 74 :雷射照射區域 7 5 :黑色缺陷修正部分 7 6 :阻劑圖案 100 :半導體裝置 II 0 :雷射修正裝置 III :接物鏡 112 :半透鏡
89112163.ptd 第43頁 472174
89112163.ptd 第44頁 ^2174 丄為與Cr0N光罩直線形之金屬配線圖案之一 喊之凸形缺陷之俯視圖。 瓊,‘彖連 俯:2圖為與本發明之實施形態丨有關之表示修正議 圖3為表示在圖2所示之照射區域^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 形缺陷後之光罩之俯視圖。 耵九束去除凸 為具有圖3所示之光罩配線圖案複 阻劑圖案之半導體裝置之俯視圖。 W上也成之 ,5為具有圖3所示之光罩配線圖案複 阻劑圖案之半導體裝置之俯視圖。 W上九成之 =6為表示修正偏移量之符號為正時修正照 罩俯視圖 X <·尤 『為表示在圖6之照射區域照射雷射消除部 九罩之俯視圖 旧便心 二為對於㈣光罩,連接於第1方向配線寬度和配 户厂句為約1 之相鄰兩條金屬配線圖案之—側邊緣 =^〇. 5 之凸形缺陷用雷射修正時之修正偏移量鱼各 正後之金屬配線圖案複製在半導體 " 之尺寸波動率之間之關❹。日日面上❿成之阻劑圖案 之ΓΛ表示修正和去除橋形缺陷時之修正照射區域實例 之先罩俯視圖。 只丨j 圖10為表示對於cr〇N光罩,連接於第丨及第2方向配 度和配線間隔均為約! 之相鄰兩條金屬配線圖安二第 2方向之寬度尺寸分別為!,和3心之兩個凸形:弟
89112163.ptd 第45頁 472174 圖式簡單說明 射修正時之修正偏移量與將修正後之金屬配線圖案複製在 半導體晶面上形成之阻劑圖案之尺寸波動率之間之關係 圖。 圖1 1為表示對於CrON光罩,連接於第1及第2方向配線寬 度和配線間隔均為約1. 2 // m之相鄰兩條金屬配線圖案之、 第2方向之寬度尺寸分別為0. 5 // m和3 // m之兩個凸形缺陷 用雷射修正時之修正偏移量與將修正後之金屬配線圖案複 製在半導體晶面上形成之阻劑圖案之尺寸波動率之間之關 係圖。 圖12為表示包括光罩之製造作業在内之半導體裝置之積 體電路圖案形成作業之流程圖。 圖1 3為表示雷射修正裝置之構成及其原理圖。 圖1 4為表示用雷射光束修正凸形缺陷之順序之流程圖。 圖1 5為表示修正配線圖案邊緣附近之孤立之黑色缺陷時 修正照射區域域之實例圖。 圖1 6為表示連接於不完全是直線形之配線圖案邊緣之凸 形缺陷之光罩俯視圖。 圖1 7為表示連接于完全是直線形之配線圖案邊緣之凸形 缺陷之光罩俯視圖。 圖1 8為表示連接于本發明實施形態2之MoS i ON照相銅板 移相光罩之金屬膜圖案一側邊緣之凸形缺陷之俯視圖。 圖1 9為表示實施形態2之修正照相區域之移相光罩之俯 視圖。 圖2 0為圖1 9之修正照相區域照射雷射消除凸形缺陷後移
89112163.ptd 第46頁 472174 圖式簡單說明 相光罩之俯視圖。 圖2 1為表示將圖2 〇之光罩複製在阻劑層形成之阻劑圖案 之半導體裝置俯視圖。 圖2 2為本發明之實施形態2所示之MoS i ON照相銅板移相 光罩之孔形尺寸分別為12//11]之各個金 屬膜圖案之一側邊緣連接之第1和第2方向之寬度均為約 〇 · 5 // m之凸形缺陷,經雷射照射修正時之修正偏移量與將 修正後之孔形圖案複製在半導體晶面上形成之阻劑圖案之 尺寸波動率之間之關係圖。 圖23為表示於實施形態3之離子束蝕刻時之修正偏移量 與阻劑圖案之尺寸波動率之間之關係圖。 圖2 4為表示離子束蝕刻裝置之結構及其原理圖。 圖2 5為表示用離子束蝕刻裝置修正凸形缺陷之順序之流 程圖。 圖26為表示實施形態4之修正照射區域之光罩之俯視 圖。 圖27為表示在圖26之修正照射區域内照射雷射去除凸形 缺陷後之光罩之俯視圖。 、圖2 8為表不連接於光罩金屬膜配線圖案之黑色缺陷之俯 圖29為表示從前之雷射或 圖3 0為表示用從前之修正 圖31為表示將圖30所示之 從荊之阻劑圖案之俯視圖。 離子束照射區域之俯視圖。 法修正後之從前圖案之結構。 光罩圖案複製在晶面上形成之
第47頁
Claims (1)
- 472174 六、申請專利範圍 1· 一種光罩之製造方法,係 ^^ 玻璃ί面形成之金屬膜而構成圖c及上述石英 特徵為· u木之光罩之製造方法,= 包括與上述圖案銜接並接近、且其 在垂直;f述第1方向且於上述圖案之、真续向有第1寬度、 方向有第2寬度之黑色缺陷存在盥否八:長線方向之第2 檢=業檢y述黑色缺陷時包圍欢缺陷作業上述 和第2方向分別有第3和第4 、且於上述第工 之照射區域以上述第丨方向修正偏===破填之表面上 =射區域以規定之線束照射去除上夕里里、色土準獲得之修正 外, < '、、、巴缺陷之作業,此 運用上述線束照射作業後得 半導體基板上獲得之原來阻劑圖案=二,將圖案複製在 最小範圍内,為此必須根據上述頻^ 、邊化率應控制在 存在上述黑色缺陷之上述石英璃^ =線束之輸出條件、 向之尺寸以及黑色缺陷之大、^ a义上照射區域第1方 且, “疋上述修正偏移量,並 當士,偏移量之符號為”負"時,是 束§上述黑色缺陷與上述圖荦銜桩s± & 述規疋之線 圖案之分界處、以及當上;;3 上述黑色缺陷和 之:圖案之邊緣内與黑色缺:對二述圖案接近時於 上述第1方向擴展上述偏移量之V/:上述圖案 2和上述照射區域構成之區上=值之圖案修 4 依此控制上述確定之線束。 巧上4修正照射區 89H2)63.ptd 第48頁 472174 六、申請專利範圍 2. 如申請專利範圍第1項之光罩之製造方法,其中上述 圖案修正區域之第2方向之寬度比上述第2寬度大。 3. 如申請專利範圍第1或2項之光罩之製造方法,其中上 述修正偏移量為最佳修正偏移量;上述最佳修正偏移量是 指上述尺寸波動率為0 %時設定之修正偏移量。 4. 如申請專利範圍第1項之光罩之製造方法,其中在上 述修正偏移量之符號為''正"時,上述照射區域作為朝上述 第1方向縮小上述修正偏移量之絕對值之區域,提供上述 修正照射區域,依此控制上述確定之線束。 5. 如申請專利範圍第1、2或4項之光罩之製造方法,其 中上述圖案是直線形之配線圖案。 6. 如申請專利範圍第1、2或4項之光罩之製造方法,其 中上述圖案帶有矩形開口 ,上述圖案之上述邊緣相當於上 述開口外圍之一部分。 7. 如申請專利範圍第1、2或4項之光罩之製造方法,其 中上述規定之線束是雷射光束。 8. 如申請專利範圍第1、2或4項之光罩之製造方法,其 中上述規定之線束是離子束。 9. 一種半導體裝置,其特徵為:係具有積體電路圖案, 而該積體電路圖案,係使用按照申請專利範圍第1或2項所 記載之光罩之製造方法而製造出之光罩,通過將上述圖案 複製在上述半導體基板上獲得阻劑圖案,而得到積體電路 圖案。 10. —種半導體裝置,其特徵為:係具有積體電路圖89112163.ptd 第49頁' 472174 六、申請專利範圍 案,而該積體電路圖案,係使用按照申請專利範圍第4項 所記載之光罩之製造方法而製造出之光罩,通過將上述圖 案複製在上述半導體基板上獲得之阻劑圖案,而得到積體 電路圖案。 11. 一種光罩之製造方法,係為具有石英玻璃和由上述 石英玻璃表面形成之金屬膜構成之相互鄰接之第1和第2圖 案之光罩之製造方法,其特徵為: 係包括與上述第1和第2圖案分別連接、在第1方向有第1 寬度、在與上述第1方向垂直且於上述圖案邊緣之延長線 方向之第2方向有第2寬度之黑色缺陷是否存在之檢測作 業、於上述檢測作業中當檢測出黑色缺陷時包圍上述黑色 缺陷且於上述第1和第2方向分別有相當於上述第1寬度之 第3和第4寬度之上述石英玻璃表面之照射區域,根據上述 第1方向修正偏移量進行修正獲得之修正照射區域經線束 照射去除上述黑色缺陷之作業,此外, 運用上述線束照射作業得到之上述光罩將圖案複製在半 導體基板上獲得之原來阻劑圖案之尺寸變化率應控制在最 小範圍内,為此必須根據上述規定之線束之輸出條件、存 在上述黑色缺陷之上述石英玻璃表面上照射區域第1方向 之尺寸以及黑色缺陷之大小設定上述修正偏移量,並且, 上述修正偏移量之絕對值與第1修正偏移量之絕對值和 第2修正偏移量之絕對值相等;上述修正照射區域包括上 述照射區域、從上述第1圖案和上述黑色缺陷之分界處、 面向第1圖案之内部朝上述第1方向擴展之上述第1修正偏89112163.ptd 第50頁 472174 六、申請專利範圍 移量之第1圖案修正區域、.以及從上述第2圖案和上述黑色 缺陷之分界處、面向第2圖案之内部朝上述第1方向擴展之 上述第2修正偏移量之第2圖案修正區域。 1 2.如申請、專利範圍第1 1項之光罩之製造方法,其中上 述第1和第2圖案修正區域之各自上述第2方向之寬度寬於 上述第2寬度。 1 3. —種半導體裝置,其特徵為:係具有積體電路圖 案,而該積體電路圖案,係使用按照申請專利範圍第1 2項 所記載之製造方法而製造出之光罩,通過將上述圖案複製 在上述半導體基板上獲得之阻劑圖案,而得到積體電路圖 案。 | ί' 1 4. 一種光罩光其特徵為:具有石英玻璃和上述石 英玻璃表面形成屬膜組成之圖案,上述圖案之一個邊 緣出現部分缺損 1 5. —種半導體裝置,其特徵為:係具有積體電路圖 案,而該積體電路圖案,係使用根據申請專利範圍第1 4項 所記載之上述光罩,將上述圖案複製在上述半導體基板上 得到阻劑圖案,而得到積體電路圖案。89112163.ptd 第51頁
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29670599A JP4442962B2 (ja) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW472174B true TW472174B (en) | 2002-01-11 |
Family
ID=17837029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089112163A TW472174B (en) | 1999-10-19 | 2000-06-21 | Photomask, manufacturing method thereof, and semiconductor device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6340543B1 (zh) |
JP (1) | JP4442962B2 (zh) |
KR (1) | KR100344374B1 (zh) |
DE (1) | DE10030143B4 (zh) |
TW (1) | TW472174B (zh) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6578190B2 (en) * | 2001-01-11 | 2003-06-10 | International Business Machines Corporation | Process window based optical proximity correction of lithographic images |
JP2002260983A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Nec Corp | Eb転写マスク及びその製造方法 |
US20030000921A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Ted Liang | Mask repair with electron beam-induced chemical etching |
US7035449B2 (en) * | 2001-11-16 | 2006-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for applying a defect finder mark to a backend photomask making process |
TWI301229B (en) * | 2002-03-25 | 2008-09-21 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for decomposing semiconductor device patterns into phase and chrome regions for chromeless phase lithography |
JP2003302745A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 異物の無害化方法 |
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6235434B1 (en) * | 1998-12-08 | 2001-05-22 | Euv Llc | Method for mask repair using defect compensation |
-
1999
- 1999-10-19 JP JP29670599A patent/JP4442962B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-25 US US09/557,326 patent/US6340543B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-20 DE DE10030143A patent/DE10030143B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-21 TW TW089112163A patent/TW472174B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-09-16 KR KR1020000054427A patent/KR100344374B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010039891A (ko) | 2001-05-15 |
KR100344374B1 (ko) | 2002-07-24 |
JP2001117210A (ja) | 2001-04-27 |
JP4442962B2 (ja) | 2010-03-31 |
US6340543B1 (en) | 2002-01-22 |
DE10030143B4 (de) | 2004-12-16 |
DE10030143A1 (de) | 2001-05-31 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |