4 5 7 5 3 8 A7 B7 五、發明說明（1) 發明背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關電子零件，包含基材和形成於基材中的導 電薄膜。 傳統上，已知道合併電容器和感應器之晶片型濾波器作 為抗高頻雜訊之預防裝置；如此的晶片型濾波器裝置，舉 例來說，係以下列方法製造。 首先，備置主要包含陶瓷之介電片；將一導電薄膜形成 在介電片上；藉此，製造具有導電薄膜之介電片。備置許 多載有導電薄膜之如此介電片；將此等介電片放置一片於-具有介電片而沒有***導電薄膜之另一片之上，並壓合组 合體；然後，該等介電片藉由壓力而結合在一起，致使製 造了具有堆疊介電片之疊層主體；燒結該疊層主體，而且 附加外部電極於被燒結的疊層主體，致使製造一晶片型濾 波器裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 0係顯示一以上述方法所獲得的濾波器裝置的介電片 的一部份的截面概略圖=在圖10中，顯示兩個介電片101 和102夾入一導電薄膜100(圖中陰影部份）。如圖形所示， 導電薄膜1 0 0的外型具有一於其兩側端1 〇 0 a逐漸變小的形 狀；此逐漸變小的形狀係為了當那些堆疊的介電片1 0 1和 102壓在一起時候，將一壓力施加在導電薄膜100上。因 此，導電薄膜1 〇 〇之側端1 〇 〇 a之截面積係比中央部份I 〇 0 b 的截面積更小。 當電流流經導電薄膜1 0 0時，流經薄膜1 0 0内部之電流變 得相對地小，而且電流係由於表面效應而趨向集中至薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 467538 _B7_ 五、發明說明（2) 1 0 0的外部表面；當電流頻率變高，此趨勢更加顯著。因 此，電流的頻率愈高，在側端I 0 0 a之電流密度變#愈大； 換句話說，流過有一相對較小截面積之侧端1 〇 〇 a之電流比 率係較流過有一相對較大截面積之中央部份1 0 0 b之電流比 率I 0 0來的更大。因此，電流的頻率愈高，導電薄膜之表 面電阻變仔愈南 > 其造成電流之南頻成份之相當的歐姆損 失。因此特性1直流和電流之低頻成份有效地流經導電薄 膜1 0 0，而電流的高頻成份則有效地衰減。 如以上所看到，即使高頻雜訊侵入導電薄膜1 0 0，藉由 備置在其側端1 〇 〇 a具有小截面積之薄膜1 0 0而有效地衰減 雜訊是可能的。因此，如杲可以進一步減少導電薄膜1 0 0 之側端1 0 0 a之截面積，將可能更有效率地衰減高頻雜訊。 然而，減少導電薄膜1 0 0之侧端1 0 0 a之截面積自然地具有 界限，且，當問題裡的截面積接近界限時，要進一步避免 .高頻雜訊的侵犯是困難的。 以上述情形為背景，本發明之一目的係提供如前述的電 子零件，其進一步有效衰減高頻雜訊。 此目的係藉以下達成： -導電薄膜具有侧端及一上表面與一下表面； -基材在導電薄膜侧端之週邊部份包含第一介電材料； -基材在導電薄膜之上表面與下表面週邊部份包含第二介 電材料；以及 -第一介電材料比第二的介電材料有較太的介電常數。 根據如上述之發明，對於基材所包含之介電材料，在導 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，丨裝--------訂---11 3. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457538 五、發明說明（3) 電薄膜側端之週邊部份所出現之第一介電材料相較於在導 電薄膜之上表面與下表面週邊部份所出現之第二介/電材料 具有較高的介電常數。通常，如果有一介電材料接觸或靠 近導電薄膜側端，介電材料的介電常數愈高，則導電薄膜 侧端更加速集中電荷之趨勢。因此，在把依照本發明之電 子零件與具有環繞導電薄膜之全部一致介電常數之介電材 料之電子零件作比較的情況中，在前者導電薄膜側端之電 流密度較後者更高。因此，在將導電薄膜側端之截面積做 成較該薄膜中央部份截面積更小之情況中，當電流流經該 導電薄膜的時候，可能將直流和電流的低頻成份有效地流 過薄膜，而且有效率地衰減電流的高頻成份，舉例來說高 於20MHz。 在一有利的具體實施例中，基材包含一第一和一第二電 極，其係藉由在導電薄膜之上表面與下表面之週邊部份的 介電材料禮物而與導電薄膜絕緣。具有其間有介電材料之 兩個電極，諸電子零件地功能地包含一電容器。這個具體 實施例的電子零件係例示為一電磁干擾（Ε Μ I)濾波器。 較佳地，該等電極係十字形=依進一步的偏愛，該等電 極係堆疊在該介電材料和介電材料的另一層之間；此提供 良好絕緣。也是有利的是，電子零件係表面可安裝的；此 能以在電子零件至少二邊上之U形終端而達到。如果電子 零件是一Ε Μ ί濾波器，該等終端係在該電子零件之二對對 邊。在此例中，導電薄膜從一對對邊的一邊廷伸到另一 邊，而且該等電極從一到另一對對逄的一邊延伸到另一 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------Λ— I ----f ---訂------I--At./「 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 457538 Α7 Β7 五、發明說明（4 ) 邊。 第一和弟一介電材料之介電當k . 包*數 < 比手比1更大，舉例來 說為2或10或20。於本發明電 止^祕 包于零件（進一步具體實施例 中，第一介電材料的介電常數至 , —/问五倍於弟二介電材料 的介電常數；H由有五倍不^獲得具有高頻雜訊之優質 衰減的電子零件。介電材料的例子包括SiN3、Mg0_ Sl〇2、Ca〇-Mg0-Tl〇2、Ba〇_Ti〇 Sn〇2、Ba〇 Mg〇_ C〇〇-Nb2°5 、Ba〇-Nd3〇3-Ti02.Bl2〇3-Al2〇3-
MnO ^ BaO-Mg〇-Ta2 0 5 . 2 r 0 2. S n 0 2 - T i O 2 , Pb〇.
Ca0-Zr〇2、Ca0_Mg0_Ti〇2、Sr〇 Zr〇2 Ti〇2、副_ Sm2〇5-Ti02、Pb0_Ba0-Nd2〇3_Ti〇2 和 Li2〇_Na2〇_ Sm2〇5-Ti〇2l系統。此寺·具有介電常數從4到12〇之材料 在製造陶瓷界中係為已知道；也已經知道如何適應介電常 數至適當值。 圖式簡單說明 本發明之此等及其他方面當參考諸圖式而進一步解釋， 其中並非以具體實施例限制本發明： 圖1係為一 Ε ΜI滤波器的透視圖，其為根據本發明的電子 零件之一例子。 圖2係顯示於圖1所示的Ε Μ I濾波器的陶瓷主體的分解透 視圖，該陶瓷主體係分解為四層。 圖3係為圖2所示之陶瓷層22_1從方向Β-Β所見之區域 圖。 圖4概要地顯示圖1所示濾波器裝置從方向Α_α所見之切 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I 丨訂·！·!ιι_^^. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45^53〇 A7 ---- _ B7 五、發明說明（5) 面圖β 圖5係顯示形成至一陶瓷片之一陶瓷薄膜。 — 圖6係顯示形成至陶瓷片之訊號線。 圖7係顯示重疊過訊號線之陶瓷薄膜。 圖8係顯示Ε Μ I濾波器1之一等效電路。 圖9係為顯示流經訊號線2 2 _2之高頻電流密度圖。 圖1 0係顯示藉由上述方法所獲得的;慮波器裝置的介電片 的一部份的截面概略圖= 發明之詳細說明 圖1係為一ΕΜΙ濾波器的透視圖，其為根據本發明的電子 零件之一例子》ΕΜΙ濾波器1包含一矩形平行六面體形的陶 竞主姐2 (根據本發明之基材的—例子），其主要包含陶资。 終端電極3和4係附加至陶瓷主體2的侧表面，且電極5和6 f.r'附加至陶資;主體2的前表面和後表面。 圖2係顯示於圖丨所示的E M [濾波器的陶瓷主體的分解透 視圖，該陶瓷主體係分解為四層。陶瓷主體2包含四個平坦 陶资層、22j、23_r24」。各岐層絲由㈣ 许多王要包含有介電常數ε1之陶瓷的陶瓷片。一十字形接 地電極21_2係形成在四個陶瓷層21_; 24_15之最低陶竟層21」之表面上，接地電極…二 端邵2匕:和21_2b分別到達陶竞層21 —i的側末端表面 ;堆在陶資層…上方有十字形接地電極 2 1_2，堆@陶瓷層22—1。 圖3係為圖2所示之陶走層22_w方仏㈣ -3- 本紙張尺度細t關家辟(CNS)A4規格(2J0 X 297^57 ---------------— III — ------- ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457538 A7 ------------ 五、發明說明（6) 圖。二個從一末端表面22 _U(見圖延伸至另一末端表面 22 — lb(見圖2)之陶瓷薄膜22_3和22_4係形成在陶瓷層 22_1之表面上。該等陶瓷薄膜22_3和22_4主要包含有介 電常數ε 2 (> ε 1)的陶瓷。此二陶瓷薄膜2 2 _3及2 2 _4係沿著 以下所述之訊號線22_2之側端22_2d和22_2e形成。在陶 乾層22_1的表面上’形成有一訊號線22_2橫過陶瓷層 22一1，如圖2所示。訊號線22_2之末端部22_2a及22_2b 延伸達陶瓷層22_1之末端表面22 — U和22_lb。以及如圖 3所示’訊號線22 — 2之侧端22_2d和22_2e係重疊於陶瓷 薄膜22 —3之一部份上。訊號線22_2之侧端22_2d和 22_2e係具有逐漸變小的形狀，且因此訊號線2 2_2之側端 22 — 2d和22_2e之截面積係較該相同訊號線22_2之中央部 份22_2c之截面積更小。在陶瓷層22_1上形成兩個進一步 的陶瓷薄膜22_5和22 一6 ’其主要包含有介電常數£2(>81) 之陶瓷=此二陶瓷薄膜2 2 —5和2 2_ 6係以此一方式形成： .訊號線2 2 _2之侧端2 2 — 2 d和2 2 _2 e係分別夹在陶瓷薄膜 22_5、22_6和陶資：薄膜22_3、22_4之問。 就在陶瓷層之上22_1，堆疊一陶瓷層23_1 ; —接地電極 23_2形成在陶瓷雇23_1之表面上。接地電極23_2的形狀 與形成在最低的陶瓷廣堆叠21_1上之接地電極21_2的形 狀是相同的。接地電極23_2的末端部23_2a及23_2b分別 延伸至陶党層23_1之側端表面23 —丨a和23_lb般遠。就在 陶瓷層2 3 _ 1之上，堆疊頂陶瓷層2 4 _ 1。 於圖1所顯示的陶瓷主體2包含陶瓷層21 ι、22—1、 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
.-· n I- - i I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457538 五、發明說明（7) 23_1和24_1，依序相互置放。因為圖2中形成在陶瓷層 22_1上的訊號線22 — 2有延伸至陶瓷層22_1之末端表面 22一la和22_lb般遠的末端部22_2a和22_2b，圖1的終端 電極3和4係分別連接到訊號線2 2 — 2的末端部2 2 _ 2 a和 22_2b»更進一步地，因為形成在陶瓷層和23 —丨上 的接地電極21 — 2和23一2分別延伸至陶瓷層2ΐ_ι和23_1之 側端表面般遠’圖1的接地電極5和6係連接到接地電極 21_2 和 23—2.兩者。 圖4概要地顯示圖1所示濾波器裝置從方向a_A所見之切 面圖。如圖所示，包含了有介電常數ε1的陶瓷之陶瓷層 22_1和23一1係出現在訊號線22_2的上、下表面22_2f和 22_2g之週邊部份，而具有介電常數ε2(>ε1)之陶瓷薄膜 22_〇、22_4、22一5和22_6係出現在相同訊號線22_2的 側端22_2d和22_2e之週邊部份。 圖）至7係顯示如何形成訊號線2 2 _ 2 β首先，如圖$所 .示，施用第一介電糊在ΡΕΊΓ薄膜3〇上以形成一陶瓷片 介電常數εΐ)於其上’且藉由施用第二介電糊在陶瓷片 31上而形成陶瓷薄膜22_3及22 _4 (見圖4);然後，印上訊 號線2 2 _2的圖案，其係藉由在陶瓷片3 1的中心以如此之方 式施用導電糊：縱長方向的陶瓷薄膜22 一 3之右侧22_3a以 及縱長方向的陶瓷薄膜22_4之左侧22_4a佈滿導電糊。藉 由此程序，形成一導電薄膜當作訊號線22_2。 然後’以如此之方式形成陶瓷薄膜22 —5和22_6 :訊號線 2 2 一 2的側端2 2 _ 2 d和2 2 _ 2 e係分別被夹入陶瓷薄膜 -10- 本紙張尺度舶t卵家標準（CNS)A4規格（210 x 297公楚） --III--------------訂----- ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 457538 A7 B7 五、發明說明（8 ) 22 一5、22_6 及 22 — j ' 22—4之間（請見圖 7)。 接地電極2 1_2或23_2、或訊號線22_2係以如上所述之 方式形成在一陶瓷片上。然後，將該陶瓷片剥離p E 丁薄 膜。未印有導電圖案之陶瓷片亦剥離PET薄膜。 然後’具有一接地電極21_2形成於其上之陶瓷片、形成 β —訊號線22_2之陶瓷片、以及形成有一接地電極23_2 之陶瓷片係一個接一個堆疊成一堆疊主體，包含堆疊之複 數個陶瓷片，其沒有導電圖案***具有訊號線或接地電極 之Η比連的陶瓷片之間；當加熱的時候，壓合該组合體。藉 由此程序’形成陶资主體2(請見圖1) a於此時，藉由壓合 該組合體，訊號線22_2的侧端22_2d和22_2e之形狀變成 如圖4所顯示之一逐漸變小之形狀β 然後，燒結陶瓷主體2，且將終端電極3和4、及接地電 極5和6附加至陶瓷主體2 -藉由以上程序製造圖丨所示之 Ε Μ I濾波器1。 圖8係顯示£ μ I濾波器1之一等效電路^ £ μ I濾波器1之 等效電路係由一電阻5 0和一電容器5 1所表示。電阻5 〇係由 訊號線2 2 _ 2 (請見圖2 )所形成，且電阻5 〇的大小係依照流 過電阻5 0的電流頻率而定。電容器5 1係由對應接地電極 23—2和21—2(請見圖？）之電極5U和51b所形成。電阻50 係位於兩電極5 1 a和5〗b之問；電阻5 〇係連接到—相應於終 端電接3 (請見圖丨）之終端5 2，以及連接到一相應於終端電 極4之終端53 ;而電容器51係連接到一相應於接地電極5和 6 (請見圖2 )之接地終端5 4。因為電容器5 1連接到接地終端 *11- 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 457538 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9) 5 4，高頻雜訊能透過接地終端5 4而在Ε Μ I濾波器丨/卜面排 出。 在這個具體實施例的模態中，如圖4所示，將訊號線 22一2的一侧端22_2d央入陶瓷薄膜22_3和22_5之間’且 將另一侧端22_2e夹入陶瓷薄膜22_4和22 一 6之間3此寺 陶瓷薄膜22_3、22_4、22_5和22_6之介電常數ε2係較 從上下夾合訊號線22_2之陶瓷層22_1和23_1之介電常數 ε 1更大。如杲電流流經訊號線2 2 _ 2，其直流及低頻成份大 量地流過訊號線2 2_2的中央部份22_2c，而其高頻成份由 於表面效應傾向於集中在相同訊號線22__2的側端22一2d和 22_2e。更進一步，如上所述，因為在訊號線22_2的侧端 22_2d和2 2_2e週邊部份之陶瓷薄膜22_3、22_4、22_5 和22_6的介電常數係較陶瓷層22_1和23 — 1的介電常數更 大’將訊號線22 2之側端22 2d和22 2e上之高頻成份集 中趨勢更進一步加強，且因此增加侧端22_2d和22 — 2e之 電流密度。 圖9係為顯示流經訊號線2 2 _2之高頻電流密度圖。圖9之 水平軸係顯示對於訊號線2 2 _2的寬度方兩a之訊號線2 2 _2 的一部份，而縱軸係顯示在訊號線2 2 _ 2之各部份的電流密 度b。圖中實線表示根據此具體實施例模態所流經ε μ I濾波 器1的訊號線22__2之電流密度分布；而虚線表示於將陶资 薄膜22_3、22 一4、22_5和22〜6之介電常數ε2與陶瓷層 2 2 _ 1和2 3 一 1之介電常數ε 1做成相同之情形中，流經訊號 線2 2 — 2之電流密度分布。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------I J)·.— ^--------訂--------- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 457538 A7 B7 五、發明說明（1〇) 從圖顯然可見使陶瓷薄膜22_3、22_4、22^5和2 2_6之 介電常數ε2大於陶瓷層”一丨和”—丨之介電常數εΐ將會造 成增強流經訊號線2 2_2之侧端22_2 d和22_2e之電流密 度。因此，由於電流集中在有較小截面積之侧端2 2 _ 2 d和 22_2e上’故增加了高頻成份的歐姆損失。 因此，即使高頻雜訊侵入訊號線，使用此具體實施例模 態的Ε Μ I濾波器1將會有效衰減高頻雜訊。 於此具體實施例模態中，陶瓷層之介電常數2】工、 -2 _ 1 .2 3 _ 1和2 4 __ 1係皆相同為ε 1 .。然而，只要不阻礙訊 號線2 2 一 2的侧端2 2 _ 2 d和2 2 — 2 e之電流密度的增加’該等 陶瓷層之介電常數可以不必是相同的，也就是說’可以彼 此不同。根據本發明之基材除了有介電常數“和。的材料 之外，可以包含有介電常數£3的材料，只要在訊號線22一2 侧端22_(1和22_2e的週邊部份裡的介電材料具有比訊號線 22 — 2的上、下表面之週邊部份裡的介電材料更大的介電常 數。 在此具體實施例的模態中，陶瓷薄膜2 2 3、2 2 4、 22 — 5和22_6，其具有介電常數£2大於陶瓷層22_丨和 23_1又介電常數ε1，係以此一方式形成：陶瓷薄膜 22_J、22,4、22-5和22-6接觸訊號線22_2的側端 22_2d和22_2e。然而，該等陶走薄膜22 —3、22_4、 2 2 一 D和2 2 _ 6可以不必接觸到訊號線2 2 — 2之側端2 2 2 d和 22一2e ’只要該等陶党薄膜22—3、22 —4、22 —$和22一6係· 形成在側端22_2d和22_2e之周圍。更進—步地，在此具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！訂·--1--I I . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
4 5 7 δ 3 B Α7 Β7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 體只施例的模態中，陶瓷主體2係當作為根據本發明之基 材。而，訊號線22_2可以形成至具有介電材料的‘材而非 陶£ ’只要在訊號線22一2之侧端22_2(1和22_26之週邊部' 扮的介電材料具有相較於在訊號線22_2之上、下表面之週 邊部份的介電材料更大的介電常數。也就是說，在訊號線 22_2之側端22_2(1和22_26之週邊部份的介電材料具有相 較於在訊料22__2之上、下表面之週邊騎的介電材料更 大的介電常數，構成根據本發明之基材的介電材料可以不 受限在任何特殊種類，更造一步的，在訊號線22」之側端 22_2d和22_2e之週邊部份的介電材料可以或不可以與訊 號線22 — 2相接觸。 更進一步的，在此具體實施例的模態令，EMI濾波器1係 顯示當做根據本發明之電子零件之一個例子。然而，即使 除了 EMI濾波器<外將本發明應用至其他電子零件，於使 用具有較孩等其他電子零件的導電薄膜之上、下表面週 2部b彳一的材料來得更大之介電常數的材料當作該等其他 死子零件的導電薄膜之侧端週邊部份裡的材料之情形中， 將可能有效率地衰減高頻成份。 古，上所"田处，根據本發明之電子零件可有效率地衰減 南頻成份a ------------裝 » * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂--- ——~14