TW423121B - Packaging and interconnection of contact structure - Google Patents

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4 2312 1 A7 經濟邨智慧財產局貝工消费合作杜印裂 B7_五、發明說明V ) 發明部份 本發明係有關接觸構造之電子封裝及互接，且更明確 言之，係有關電子封裝及互接，用以安裝接觸構造於探針 卡或其相等物上，此用以試半晶片，半導體晶方， 封裝之半導體裝置，或印刷電路板等，具有較高之精確度 ，密度，毛速度。 發明背景 在測試高密度及高速度之電子裝置，諸如L S I及 V L S I電路上，需使用高性能探針接觸蕃_或測試接觸器 。本發明之接觸構造之電子封裝及互接並不限於半導體昌 片及晶粒之測試及燒入之應用，而是包括封裝之半導體裝 置，印刷電路扳等之測試及燒入。然而，爲方便說明，主 要參考欲用於半導體晶片測試上之探針卡來說明本發明。 在欲測試之半導體裝置爲半導體晶片之形狀之情形， 半導體測試系統，諸如I C測試器通常連接至基體處理器 ，諸如自動晶片探針，以自動測試半導體晶片。此一例顯 示於圖1 ，其中，半導體測試系統具有測試頭1 0 0，此 普通在分立之機箱中，且由一束電纜電連接至測試系統。 測試頭1 0 0及基體處理器4 0 0籍助馬達5 1 0所驅動 之操縱器5 0 0相互連接。欲測試之半導體晶片由基體處 理器自動提供至測試頭之測試位置。 在測試頭上，半導體測試系統所產生之測試信號提供 給欲測試之半導體晶片。測試下之半導體晶片之結果輸出 <靖先閲讀背面之注ί項再填寫本頁) 裝 Ή · ，線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4- A7 4 23 1 2 1 __B7 五、發明說明（2 ) 信號發送至半導體測試系統，在此與預期之資料比較’以 斷定半導體晶片上之I C電路作用是否正確。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁> 測試頭及基體處理器由介面組成件1 4 0連接’此由 性能板1 2 0構成，此爲印刷電路板，具有測試頭之電足 跡所獨有之電路連接線，同軸電纜，鬚銷’及連接器》測 試頭1 0 〇包含大量之印刷電路板1 5 0，此等於測試波 道之數量相當。印刷路扳各具有一連接器1 6 0，以接受 性能板1 2 0之對應接觸端1 2 1。一 ”蛙”環1 3 0安 裝於性能板1 2 0上，用以精確決定與基體處理器4 0 0 接觸之位置。蛙環1 3 0具有大量之接觸銷1 4 1 ’諸如 z I F連接器或鬚銷，經由同軸電纜1 2 4連接至接觸端 12 1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2更詳細顯示當測試半導體晶片時，基體處理器 4 0 0，測試頭1 0 0，及介面組成件1 4 0之結構。如 顯2所示，測試頭1 0 0置於基處理器4 0 0上方，且在 機械及電氣上經介面組成件1 4 0連接至基體處理器=在 基體處理器4 0 0中，欲測試之半導體晶片3 0 0安裝於 夾頭1 8 0上。一探針卡1 7 0設置於欲測試之半導體晶 片3 0 0上方。探針卡1 7 0具有大量之探針接觸器（諸 如懸臂或針）1 9 0，用以接觸測試下之晶片1 0 0之 I C電路中之電路端或接觸目標。 探針卡1 7 0之電端或接觸插座電連接至蛙環1 3 0 上所設置之接觸銷141。接觸銷141亦由同軸電纜 124連接至性能板120之接觸端121，在此，每一 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 423121 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3 ) 接觸端1 2 1連接至測試頭1 〇 〇之印刷電路板1 5 〇。 而且’印刷電路板1 5 0經由具有數百內電纜之電纜 1 1 0連接至半導體測試系統。 在此安排下，探針器1 9 0接觸夾頭1 8 0上之 半導體晶片3 〇 0之表面，以施加測試信號於半導體晶片 3 0 0上’並接收晶片3 0 0之結果輸出信<號。測試下之 半導體晶片3 0 0之結果輸出信號與半導體測試系統所產 生之預期資料比較，以斷定半導體晶片3 0 0是否性能適 當。 圖3爲圖2之探針卡1 70之底視圖。在本例中，探 針卡1 7 0具有環氧樹脂環，其上安裝多個探針接觸器 1 9 0，稱爲針或懸臂。當安裝半導體晶片3 0 0之夾頭 1 8 0在圖2中向上移動時，懸臂1 9 0之尖端接觸晶片 300上之墊或丘。懸臂190之末端連接至線194， 此等另連接至探針卡1 7 0中所構製之傳輸線（未顯示） 。傳輸線連接至多個電極1 9 7，此等接觸圖2之鬚銷 14 1。 探針卡1 7 0普通由多層聚醯亞胺基體所構成，具有 地平面，電力平面，信號傳輸線在許多層上。如本藝中所 知，信號傳輸線各設計具有一特性阻抗，諸如5 0歐，由 平衡分佈參數，即聚醯亞胺之介質常數，探針卡1 7 0內 之信號之電感，及電容達成。如此，信號線爲阻抗匹配線 ，對晶片3 0 0達成高頻傳輸頻帶寬，在定態之期間中提 供電流，及由裝置之輸出切換所產生之高電流尖峰。爲移 — — — —— — —— 111— — ·1111111 111 — — — — — — I (請先閱it背面之注f項再填寫本頁> 本紙張尺度適用十圉國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6- A7 23121 ___B7 五、發明說明（4 ) 去雑訊，電容器1 9 3及1 9 5設置於探針卡上，在電力 及地平面之間。 探針卡170之等效電路顯示於圖41用以說明普通 探針卡技術中頻帶寬之限制。如顯示於圖4 A及4 B ’探 針卡1 7 0上之信號傳輸線自電極1 9 7，條（阻抗匹配 )線1 9 6，線1 9 4，及針（懸臂）1 9 0延伸。由於 線1 9 4及針1 9 0並非阻抗匹配，故此等部份作用如高 頻帶中之電感器L，如顯示於圖4 C。由於線1 9 4及針 1 9 0之整個長度約爲2 0 - 3 0 m m，故在測試一測試 下之裝置之高頻性能中引起重大之頻率限制。 限制探針卡1 7 0之頻帶之其他因素在圖4D及4 Ε 所示之電力及地針中。如電力線能提供足夠大之電流至測 試下之裝置，則此並不嚴重限制測試該裝置中之操作頻帶 寬。然而，由於用以供應電力之串連之線1 9 4及針 190 (圖4D)，以及用以使電力及信號接地之串連之 線1 9 4及針1 9 0 (圖4 Ε )與電感器相等，故嚴重限 制高速電流流動。 而且，電容器1 9 3及1 9 5設置於電力線及地線之 間，由濾去電力線上之雜訊或突波，確保測試下之裝置之 性能適當。電容器193具有較大之値，諸如lO^F， 且如需要，可由開關切斷與電力線之連接。電容器1 9 5 具有較小之電容値，諸如0 . 0 1 μ F，且密切固定連接 至DUT »此等電容器用作電力線上之高頻解交連。 故此，如上述，最廣泛使用之探針接觸器限制於約 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -------------L裝--- (請先《讀背面之注項再填寫本頁) -δ ·- 線 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 ^3121 ：- A7 ----------- 五、發明說明（5 ) 2 Ο ΟΜΗ z之頻帶寬，此不足以測試近代半導體裝置。 在工業上，認爲在最近將來，頻帶寬應至少等於測試器之 能力，此目前約爲ι1 Γτ Η 7荜雨高。而且，工業上需要探 針卡能平行處理（平行測試）大量之半導體裝置，尤其是 記憶器，諸如3 2或以上，以增加測試產出。 爲滿足上述次一代測試需要，本申請書之發明者在 1 9 9 8年6月1 9曰所提出之美專利申請書0 9/ 0 9 9，6 1 4號”由照相製版方法所製造之探針接觸器 ”中提供接觸構造之一新構想。該接觸構造經由照相製版 方法，構製於矽或介質基體上。圖5及6顯示上述申請書 中之接觸構造。在圖5中，所有接觸構造3 0經由同一照 相製版方法構製於一矽基體上。當測試下之半導體晶片 3 0 0向上移動時，接觸構造3 0接觸晶片3 0 0上之對 應之接觸目標（電極或墊）3 2 0。 矽基體2 0上之接觸構造3 0可直接安裝於探針卡上 ’諸如圖3所示，或模造成封裝件，諸如普通I c封裝件 ’具有引線，俾封裝件安裝於探針卡上。然而，接觸構造 3 0與探針卡或其相等物之封裝及互接並不說明於該專利 申請書中。 發明槪要 故此，本發明之目的在提供有關探針卡或其相等物之 接觸構造之封裝及互接，預定用以測試半導體晶片，封裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ------- t請先聞婧背面之江意事項wt填寫本頁) 裝 -線 A7 423121 ___B7__ 五、發明說明（6 ) 本發明之另一目的在提供有關探針卡或其相等物之接 觸構造之封裝及互接，俾在測試半導體晶片，封裝之 LS I等中，達成高速及高頻操作。 本發明之又另一目的在提供有關探針卡或其相等物之 接觸構造之封裝及互接，其中，封裝及互接構製於接觸構 造之一邊緣處。 本發明之另一目的在提供接觸構造之封裝及互接，此 構製於接觸構造之一邊緣處所設置之接觸蹤跡及印刷電路 板之互接墊之間。 本發明之另一目的在提供接觸構造之封裝及互接，此 構製於接觸構造之一邊緣處所設置之接觸蹤跡及一連接件 之間。 本發明之又另一目的在提供接觸構造之封裝及互接’ 此通過焊料丘，構製於接觸構造之一邊緣處所設置之接觸 蹤跡及印刷電路板之互接墊之間。 本發明之另一目的在提供接觸構造之封裝及互接’此 通過導電性合物，構製於接觸構造之一邊緣處所設置之接 觸蹤跡及印刷電路板之互接墊之間。 在本發明中，在接觸構造之邊緣處所構製之接觸蹤跡' 及探針卡上之各瘇連接裝置之間建立一接觸構造之電子封 裝及互接，預定用於探針卡或其相等物上’以測試半導體 晶片，半導體晶方，封裝之半導體裝置，或印刷電路板等 3 在本發明之一方面· 一'種接觸構造之封裝及互接包含 (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) Γ裝 -線 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 本紙張尺度適用中國國家楳準（CNS>A4規格（210 X 297公« ) -9- 423121 A7 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 _B7_五、發明說明（7 ) :一接觸構造，爲導電性材料所製’並經由照相製版方法 構製於一接觸基體上，其中，該接觸構造具有一基礎部份 垂直構製於接觸基體上，一水平部份，其一端構製於基礎 部份上，及一接觸部份垂直構製於水平部份之另一端上； 一接觸蹤跡，構製於接觸基體上，且在一端處電連接至接 觸構造，及接觸蹤跡之另一端向接觸基體之一邊緣延伸； 一印刷電路板（P c B )墊，設置於欲與接觸蹤跡之另一 端連接之印刷電路板（p c B )基體上；一彈性體’設置 於接觸基體下面，使該接觸構造之互接及封裝可撓曲；及 一支持結構，設置於彈性體及P C B基體之間’用以支持 接觸構造，接觸基體，及彈性體。 在本發明之另一方面，提供一連接件’用以接受接觸 蹤跡之另一端，以建立其間之電連接。在本發明之另一方 面，一導性丘設置於接觸蹤跡之該另一端及p c B墊之間 ，用以建立其間之電連接。在本發明之又另一方面’一導 電性聚合物設置於接觸蹤跡之該另一端及P C B墊之間’ 以建立其間之電連接。 依據本發明，該封裝及互接具有非常高之頻帶寬，以 滿足次一代半導體技術之測試需求。該封裝互接能安裝接 觸構造於探針卡或其相等物上，經由接觸構造之邊緣與之 電連接=而且，由於欲組合之全部組成件之數相當少，故 本發明之互接及封裝可在低成本|高可靠性以及高生產率 上製造。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 \SJ· ，線 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 4 2 3 1 2 1 丨， A7 --------B7 五、發明說明（8 ) 附圖簡述 圖1爲槪要圖’顯示基體處理器及具有測試頭之半導 體測試系統間之結構關係。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2爲槪要圖，顯示用以連接半導體測試系統之測試 頭於基體處理器之詳細結構之例。 圖3爲底視圖，顯示探針卡之一例’具有環氧樹脂環 用以安裝多條懸臂如探針接觸器。 圖4A- 4 E爲電路圖，顯示圖3之探針卡之等效電 路。 圖5爲槪要圖’顯示由照相製版方法生產之本發明有 關之接觸構造。 圖6 A_ 6 C爲槪要圖，顯示構製於矽基體上之本發 明有關之接觸構造。 圖7爲槪要圖，顯示本發明之一第一實施例，其中， 封裝及互接構製於接觸結構之邊緣處所設置之接觸蹤跡及 印刷電路板之互接墊之間。 圖8爲槪要圖，顯示本發明之第一實施例之修改之結 構3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9爲槪要圖，顯示本發明之第一實施例之另一修改 之結構。 圓1 0爲槪要圖，顯示本發明之第一實施例之另一修 改之結構。 圖1 1爲槪要圖，顯示本發明之一第二實施例，其中 ，封裝及互接構製於接觸構造之邊緣處所設置之接觸蹤跡 '11- 本紙張尺度適用中圈國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4 2 3彳2彳， A7 ------B7 _ 五、發明說明（9 ) 及一連接件之間。 圖1 2爲槪要圖，顯示本發明之第二實施例之一修改 之結構。 圖1 3爲槪要圖，顯示本發明之一第三實施例，其中 ’封裝及互接經由導電性丘構製於接觸構造之邊緣處所設 置之接觸縱跡及印刷電路板之互接墊之間。 圖1 4爲槪要圖，顯示本發明之第三實施例之一修改 之結構。 圖1 5爲槪要圖，顯示本發明之第三實施例之另一修 改之結構。 圖1 6爲槪要圖，顯示本發明之第三實施例之另--修 改之結構。 圖1 7·爲槪要圖，顯示本發明之一第四實施例，其中 ’封裝及互接經由導電性聚合物構製於接觸構造之邊緣處 所設置之接觸蹤跡及印刷電路板之互接墊之間。 圖1 8爲槪要圖，顯示本發明之第四實施例之一修改 之結構。 圖1 9爲槪要圖，顯示本發明之第四實施例之另一修 改之結構Λ、::： 圖之皮爲槪要圖，顯示本發明之第四實施例之另一修 改之結'權/。 主要元件對照表 20 接觸基體 i -----------裝___ (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 423121 A7 B7 五、發明說明（1〇 ) 0 3 4 4 2 0 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 4 3 0 4 0 4 1 4 1 5 0 6 0 7 0 8 0 9 0 9 0 接觸構造 接觸互接蹤跡 印刷電路板互接墊 彈性體 連接件 支持結構 導電性丘 P C B基體 導電性聚合物 測試頭 電纜 性能板 接觸端 同軸電纜 蛙環 互接組成件 接觸銷 鬚銷 印刷電路板 連接器 探針卡 夾頭 探針接觸器 懸臂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 423121 A7 B7 五、發明說明（11 ) 1 9 0 針 1 9 3 電 容 器 1 9 4 線 1 9 6 條 線 1 9 7 電 極 3 0 0 半 導 體 晶 片 3 2 0 接 觸 百 標 4 0 0 基 體 處 理 器 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 較佳實施例之詳細說明 爲建立接觸構造直接與探針卡或經由I c封裝件間接 與探針卡封裝及互接，圖6 A_ 6 C之例顯示自接觸構造 延伸之基本三式之電徑路，以形成此互接。圖6 A顯示一 例，其中，此一電連接建立於基體之頂。圖6 B顯示一例 ，其中，電連接建立於基體之底，而圖6 C則顯示一例， 其中，電連接形成於基體之邊緣。幾乎任何型式之現行 I C封裝件設計或探針卡設計可容納圖6 A - 6 C之互接 型式之至少之一。 圖6 A _6C各包含一接觸互接蹤跡3 2，亦由a標 示，此在建立與探針卡或任何中間構件至探針卡之電連接 。接觸構造3 0具有垂直部份b及d及一永平樑c及一尖 部e。接觸構造3 0之尖部e宜尖銳，俾當壓於接觸目標 3 2 0上時，達成擦洗效果，諸如顯示於圖3。水平樑c 之彈簧力提供適當之接觸力於接觸目標3 2 0上。本申請 - -----------^裝 -- -----訂--- I 11 ---線〔 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度'適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14- 4 2312 1 Α7 Β7 五、發明說明（12 ) (請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) 書之發明者提供矽基體2 0上之接觸構造3 0’及接觸互接 蹤跡3 2之製造方法之詳細說明於上述美申請書〇 9/ 099 ，614 號中。 在本發明中，接觸構造之封裝及互接著眼於具有接觸 蹤跡在其邊緣處之構造型式（邊緣式接觸蹤跡），如顯示 於圖6 C。參考附圖，說明邊緣式封裝及互接之本發明之 各種實施例。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 圖7 - 1 0顯示本發明之第一實施例，其中，邊緣式 接觸蹤跡連接至印刷電路板上所設置之一互接墊上。在圖 7之第一例中，構製於接觸基體2 0上之接觸構造3 0電 連接至接觸蹤跡3 2，此爲上述之邊緣式接觸蹤跡。接觸 基體2 0普通爲矽基體，唯其他型式之介質基體，諸如玻 環氧樹脂，聚醯亞胺，陶瓷，及氧化鋁基體亦可。接觸蹤 跡3 2在其端部連接於P C B基體6 2上所設置之印刷電 路板（P C B )互接墊3 8。在圖7之約中心處，接觸基 體2 0經由彈性體4 2及持結構5 2安裝於P C B基體上 。接觸基體20，彈性體42，支持結構52，及FCB 基體6 2由例如黏著劑（未顯示）相互固定。 接觸蹤跡3 2及P C B墊3 8間之電連接由各種黏接 技術建立，包括熱音波黏接，熱壓黏接，及超音波黏接技 術。另一方面，此一電連接經由表面安裝技術（S Μ T ) 建立，諸如使用可網印之焊料糊。根據本藝中所熟悉之焊 料糊及其他焊接材料之回流特性，達成焊接方法。 P C Β基體6 2本身可爲探針卡，諸如圖3所示’或 15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 423121 、 A7 ____B7__ 五、發明說明（13 ) 分開設置及直接或間接安裝於擰針卡上。在前者之情形1 p c B 6 2可接接觸測試系統，諸如I C測試器之介面， 其方式顯示於圖2。在後者之情形，P C B基體6 2釘住 或使用導電性聚合物，以建立與探針卡上之接觸機構之次 層之電接觸。P C B基體6 2及探針卡之間經由銷或導電 性聚合物之此式電連接容許現場修理。 P C B基體6 2可爲多層結構，此能提供高頻帶寬信 號，高頻分佈電容，高頻晶片積體電容器，用於電源去交 連以及高銷數（I / 0銷及所屬信號徑路之數量）。 P C B 6 2之材料之例爲標準高性能玻璃環氧樹脂。材料 之另一例爲陶瓷，此預期在高溫應用，諸如半導體晶片及 封裝之I C裝置之燒入測試之期間中，減小溫度膨脹係數 (CTE)率之失配至最低程度。 支持結構5 2在建立接觸構造之封裝及互接之物理強 度。持結構5 2例如爲陶瓷，模造之塑膠，或金屬所製。 彈性體4 2在建立本發明之封裝及互接中之可撓性，以克 服可能之平面化機程。彈性體4 2亦用以吸收接觸基體 2 0及P C B基體6 2間之溫度膨脹率之失配。 接觸蹤跡3 2之長度之例爲自數十微米至數百微米之 範圍。由於徑路長度短，本發明之封裝互接可容易在高頻 帶，諸如數G Η z或甚至更高上操作。而且，由於欲組合 之組成件之總數相當少，故本發明之封裝及互接可在低成 本及高可靠性，以及高生產率上製造。 圖8顯示本發明之第一實施例之另一例。接觸蹤跡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 •線一 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* > -16- 4 2 3 12 1'， A7 B7 五、發明說明（14 ) 3 2 2向下彎，並形成一鷗冀，此與表面安裝技術中所用之 標準”鷗冀引線”相似。由於接觸蹤跡3 2 2之鷗冀， <請先閱讀背面之注項再填寫本頁) P C B基體6 2上之P C B互接墊3 8之垂直位置較之圖 7爲低。換言之，P C B基體6 22之左部之厚度小於圖7 之PCB基體62。故此，圖8之例提供在垂直幅度上之 一額外空隙於P C B墊3 8及接觸蹤跡3 2 2間之接觸部份 上方。 .上述接觸蹤跡3 2 2之引線形狀（向下彎，鷗翼引線） 可能需要特殊工具來製造。由於在諸如半導體測試之應用 中使用接觸蹤跡及P C B墊間之互接量大，數百連接，故 該工具可標準化，用於具有特定節距之多條接觸蹤跡上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接觸蹤跡3 2:及P C B墊3 8間之電連接由表面安裝 技術（S Μ T )建立，諸如使用一可網印之焊料糊，以及 各種其他黏接技術，包括熱音波黏接，熱壓黏合，及超音 波黏接技術。由於接觸構造3 0及接觸蹤跡3 2 2中所涉及 之組成件體積及信號徑路長度大爲減小，故圖8之例可使 用於非常高之頻率，諸如數G Η ζ上。而且，由於欲組合 之組成件之數量少及結構簡單，故本發明之互接及封裝可 在低成本及高可靠性以及高生產率上製造。 圖9顯示本發明之第一實施例之另一例。在本例中， 二區I翼引線Α及Β設置於連接至接觸構造3 0之接觸蹤跡 3 23。鷗翼引線A設置於圖9中較之鷗翼引線B爲上方及 外側位置中。_翼引線A連接至P C B墊3 8，及鷗翼引 線8連接至？03墊3 9。爲容納15〇8墊3 8及3 9於 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 * 297公釐） 4 2312 A7 B7 五、發明說明（15 ) 其上，安排一 P C B基體6 23，且有較大厚度之一邊緣部 份’即一階，以安裝P C B墊3 8，及鄰接邊緣部份之具 有較小厚度之一內部，以安裝P C B墊3 9。 上述接觸蹤跡3 2 3之引線形狀（向下彎，鷗翼引線） 可能需要特殊工具來生產。 此工具可標準化，用於具有特定節距之多條接觸蹤跡 上。接觸蹤跡3 2 3及P CB墊3 8及3 9間之電連接由表 面安裝技術（S Μ T )建立，諸如使用可網印之焊料糊， 以及各種其他黏接技術，包括熱音波黏接，熱壓黏接，及 超音波黏接技術。 具有階層之鷗翼引線Α及Β之接觸蹤跡3 2 3之結構在 垂直幅度上建立扇開。此可在分配配一信號或電源於二或 更多徑路上有用。扇開之另一優點爲增加接觸墊之數量， 即是減小接觸墊間之有效節距（距離）。與圖8之例同樣 ，圖9之接觸蹤跡3 23提供在垂直幅度上之一額外空隙於 接觸蹤跡3 2 3及PC B墊3 8及3 9間之接觸部份上方。 圖1 0顯示本發明之第一實施例之另一例，在本例中 ，接觸蹤跡3 2 i製成J引線形狀，普通用於表面安裝技術 中。J引線構製於接觸基體2 〇2之邊緣處，其方式在包圍 基體邊緣。接觸蹤跡3 2.1 ( J引線）之底表面連接至 PC B基體6 2 !上之一 PCB墊382。如顯示於圖1 0 ，支持結構5 22及P c B基體6 24之形狀稍與前例不同 ，以配合接觸蹤跡3 2」之J引線形狀》 上述接觸蹤跡3 2 4之引線形（j引線）可能需要特殊 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------ί裝--- <請先W讀背面之注§項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23 121 ^ A7 _____B7____ 五、發明說明（16 ) 工具來生產。此工具可標準化，用於具有特定節距之多條 接觸蹤跡上。接觸蹤跡3 2.,及？〇8墊3 間之電連接 由S Μ T技術建立，諸如使用可網印之焊料糊，以及各種 其他黏接技術，包括熱音波黏接，熱壓黏接*及超音波黏 接技術。 具有J引線之接觸蹤跡3 2 !之結構可建立較高之物理 強度’因爲其大部份由接觸基體2 0 2支持。此例之另一優 點爲接觸蹤跡3 2 1之長度約與接觸基體2 0 2相同。換言 之，圖1 0之引線形狀及與P C Β.基體之連接並不消耗較 之接觸基體2 0 2爲多之任何額外水平面積。 圖1 1及1 2顯示本發明之一第二實施例，其中，邊 緣式接觸蹤跡連接至印刷電路板或其他結構上所設置之連 接件。在圖11之例中，接觸蹤跡325構製於接觸基體 2 0上，且連接至支持結構5 23上所設置之連接件4 6上 。接觸基體2 0普通爲矽基體，唯其他型式之介質基體， 諸如玻環氧樹脂，聚醯亞胺，陶瓷，及氧化鋁基體亦可以 〇 在本例中，接觸蹤跡3 2 5具有一形狀與廣泛用於表面 安裝技術上及加於圖8之例中之鷗冀相似。在約圖1 1之 中心處，接觸基體2 0經由彈性體4 2安裝於支持結構 52上=接觸基體29，彈性體42，及支持結構52.3由 例如黏著劑（未顯示）相互連接。 連接件4 6可經由連接機構（未顯示）在機械上固定 於支持結構5 2 3。接觸蹤跡3 25之端部插進連接件4 6 (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： -線_ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -19- A7 423121 B7 _ 五、發明說明（17 ) 之插座（未顯示）中。如本藝中所熟知，此插座具有彈簧 機構，俾當接受接觸蹤跡3 2 5之端部於其中時，提供充分 之接觸力。亦爲本藝中所熟知’此一插座之內表面設有導 電性金屬，諸如金，銀，鈀’或鎳。 連接件4 6可與直線或直角銷整合，此等可連接至上 述之插座，俾直接連接至印刷電路板（P C B )。用以安 裝連接件於其上之P C B可堅固或可撓曲。如本藝中所知 ，可撓曲之P C B構製於可撓曲之基礎材料上，且其上具 有扁平電纜。或且，連接件4 6可與同軸電纜組件整合， 其中，插座連接至同軸電纜之內導線，以接受接觸蹤跡 3 2 5於其中。連接件4 6及接觸蹤跡3 2a或支持結構 5 2 3間之連接並非永久連接方法，俾可現場更換及修理接 觸部份。 接觸基體2 0普通爲矽基體，唯其他型式之基體，諸 如玻環氧樹脂，聚醯亞胺，陶瓷，及氧化鋁基體亦可以。 支持結構5 2 3在建立接觸構造之封裝及互接之物理強度。 支持結構5 2 3由例如陶瓷，措造之塑膠，或金屬製造。彈 性體4 2在建立本發明之互接及封裝之可撓性，以克服可 能之平面化機程。彈性體4 2亦用以吸收接觸基體2 0及 P C B間之溫度膨脹率之失配，以安裝連接件4 6於其上 〇 接觸蹤跡3 2 5之長度之例在自數十微米至數百微米之 範圍。由於徑路長度短，本發明之互接及封裝可容易使用 於高頻帶，諸如數GH z或甚至更高上。而且，由於欲組 本紙張尺度迪用中國固家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 423121 、 A7 --- B7 五、發明說明（18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 合之組成件之總數低，故本發明之封裝及互接可在低成本 及高可靠性以及高生產率上製造。鷗冀形之接觸蹤跡3 2 5 可能需要特殊工具於生產方法中，此可標準化，用於具有 特定節距之多條接觸蹤跡上。接觸蹤跡3 2 5之形狀提供在 垂直幅度上之額外頂部空隙。 圖1 2顯示本發明之第二實施例之另一例=在本例中 ’設置二引線A及B於連接至接觸構造3 0之接觸蹤跡 3 2 β。引線A及B爲鷗冀形狀，與圖1 1之例相似。引線 A置於引線B上方，如顯示於圖9。引線A及B插進連接 件4 6」之對插座（未顯示）中，以建立其間之電連接。連 接件4 62在機械上固定於支持結構5 23上。 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印製 上述之接觸蹤跡3 2 6之引線形狀（向下彎，鷗冀引線 )可能需要特殊工具來製造。此工具可標準化，用於具有 特定節距之多條接觸蹤跡上。具有階層鷗冀引線A及B之 接觸蹤跡3 2 6之結構可在垂直幅度上建立扇開。此在分配 一信號或電力於二或更多導電性徑路上有用。其他優點在 增加接觸墊之數目，即減少接觸墊間之有效節距（距離） 。與圖1 1之例同樣，圖1 2之接觸蹤跡3 在垂直幅度 上提供一額外空隙於接觸蹤跡3 2 6及連接件4 6 2上方。 圖1 3 - 1 6顯示本發明之第三實施例，其中，邊緣 式接觸蹤跡經由導電性丘連接至印刷電路板上所設置之一 墊上。在圖1 3之例中，一接觸蹤跡3 2構製於一接觸基 體2 0上。接觸基體2 0普通爲矽基體所製，唯其他型式 之介質基體’諸如玻璃環氧樹脂，聚醯亞胺，陶瓷，及氧 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） A7

423121 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 五、發明說明（19 ) 化鋁基體亦可以。接觸蹤跡3 2經由導電性丘5 6連接至 P C B基體6 2 5上所設置之P C B (印刷電路板）墊3 8 上^ 在本例中，接觸蹤跡3 2具有與圖7之例中所示相同 之直線形狀。在圖1 3之約中心處，接觸基體2 0經由支 持結構5 2及彈性體4 2安裝於P C B基體6 2 5上。接觸 基體2 0，彈性體4 2，支持結構5 2，及P C B基體 6 2 3由例如黏著劑（未顯示）相互連接。 由施加熱，導電性丘5 6回流於P C B墊3 8上，俾 使接觸蹤跡3 2及P C B墊3 8之間相接。導電性丘5 6 之例爲標準焊料球技術中所用之焊料丘。導電性丘5 6之 另一例爲一無助焊劑焊料球，用於電漿協助之乾焊技術上 0 導電性丘5 6之另外之例爲導電性聚合物丘及順從性 丘，此涉及使用聚合物於丘中。此有助於減小封裝及互接 中之平面化問題或C T E (溫度膨脹係數）失配至最低程 度a其中無金屬回流，此防止接觸點間之橋接。導電性聚 合物丘由可網印之導電性黏著劑構成。順從性丘爲一聚合 物心丘，具有金屬塗層。聚合物普通鍍以金，且可彈性壓 縮。導電性丘5 6之又另一例爲控制之塌陷晶片連接技術 中所用之一丘，其中，焊料球由蒸發方法製造。 P C B基體6 2 5本身可爲一探針卡，諸如圖3所示， 或分開設置及直接或間接安裝於探針卡上。在前者之情形 ，P C B基體6 2. 5可直接接觸測試系統，諸如I C測試器 -- -----------(裝--- f请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公* ) -22- 423121 A7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -------B7___五、發明說明（2〇 ) 之介面’其方式顯示於圖2。在後者之情形，P C B基體 6 2 5釘住或使用導性聚合物，以建立與次層之電接觸。 P C B基體6 2 5及探針卡間由銷或導電性聚合物之此型式 之電連接容許現場修理。 P C B基體6 2 3可爲多層結構。此能提供高頻帶寬信 號’高頻分佈電容，及高頻晶片積體電容器1用於電源解 交連以及高銷量（I/O銷及所屬信號徑路之數量）上。 P C B基體6 2 5之材料之例爲標準高性能玻璃環氧樹脂。 該材料之另一例爲陶瓷，在高溫應用，諸如半導體晶片及 封裝之I C裝置之燒入測試之期間中，預期此減小溫度膨 脹係數（C T E )率中之失配至最低程度。 支持結構5 2在建立接觸構造之封裝及互接之物理強 度。支持結構5 2爲例如陶瓷，模造之塑膠，或金屬所製 。彈性體4 2在建立本發明之封裝及互接之可撓性，以克 服可能之平面化機程。彈性體4 2亦用以吸收接觸基體 2 0及P C B基體6 25間之溫度膨脹率中之失配。 接觸蹤跡3 2之長度之例在自數十微米至數百微米之 範圔。由於徑路長度短，本發明之互接及封裝可容易使用 於高頻帶上，諸如數十GH z或甚至更高。而且，由於欲 組合之組成件之總數低’故本發明之封裝及互接可在低成 本及高可靠性’以及高生產率上製造。 圖1 4顯示本發明之第三實施例之另一例。接觸蹤跡 3 2 τ向下彎，且成鷗冀形狀，此與表面安裝技術中所用及 加於圖8及1 1之例中之標準”鷗冀引線”相似。由於接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« ) ^23~- <請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 裝 -SJ- A. 423121 ^ A7 _ B7 五、發明說明（21 ) 觸蹤跡3 2τ之鷗冀形狀，故在P C B基體6 2s上之一 P C B互接墊位於較之圖1 3爲低之位置。在本例中’ (請先閲讀背面之注意事項再填寓本頁) P C B基體6 26具有整個更爲平面之表面，且其上無階級 。故此，本例在垂直幅度上提供額外空隙於P c B墊3 8 及接觸蹤跡3 2 ϊ間之接觸部份上方。 上述接觸蹤跡3 2 7之引線形狀（向下彎，鷗冀引線） 需要特殊工具來製造。此工具可標準化，用於具有特定節 距之多條接觸蹤跡上。由於其中之組成件之體積極小，及 接觸構造3 0及接觸蹤跡3 2τ之徑路長度短，故圖1 4之 例可使用於高頻帶，諸如數G Η z上。而且，由於欲組合 之組成件之數少及結構簡單，故本發明之封裝及互接可在 低成本及高可靠性以及高生產率上製造。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 圖1 5顯示本發明之第三實施例之另一例=在本例中 ，設置二鷗冀引線Α及Β於接觸結構3 0所連接之接觸蹤 跡3 2 8。鷗冀引線A設置於圖1 5中較之鷗冀引線B爲上 方及外側位置。鷗冀引線A經由導電性丘5 6連接至 P C B互接墊3 8，及鷗冀引線B經由導電性丘5 7連接 至PCB互接墊39。爲容納PCB互接墊38及39於 其上，安排一 P C B基體6 2，其一邊緣部份具有較大之 厚度，即一階級，以安裝PC B墊3 8於其上，及鄰接該 邊緣部份之一內部具有較小厚度，以安裝P C B墊3 9於 其上= 上述接觸蹤跡3 2 8之引線形狀（向下彎，鷗冀引線） 可能需要特殊工具來製造。此工具可標準化，用於具有特 -24- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 4 2312 1 B7___ 五、發明說明（22 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 定節距之多條接觸縱跡上。具有階層鷗冀引線A及B之接 觸蹤跡3 2 8之結構可在垂直幅度上建立扇開。此在分配信 號或電力於二或更多徑路上有用。其他優點爲增加接觸點 之數，即減小接觸墊間之有效節距（距離）。與圖1 4之 例同樣，圖1 5之接觸蹤跡3 28在垂直幅度上提供額外空 隙於由接觸蹤跡3 28及PC β墊3 8及3 9所形成之接觸 部份上方 圖1 6顯示本發明之第三實施例之另一例。在本例中 ，接觸蹤跡3 2 3製成表面安裝技術中普通所用之J引線之 形狀=J引線構製於接觸基體2 〇2之邊緣上，其方式在包 圍基體之邊緣。接觸蹤跡3 2 9 ( J引線）之底表面經導電 性丘56連接於PCB基體628上之PCB墊38。支持 結構5 2 ;及P C Β基體6 2 8之形狀與前例稍不同，以配 合接觸蹤跡3 2 9之形狀。上述接觸蹤跡3 2 9之引線形狀 (J引線）可能需要特殊工具來製造。此工具可標準化， 用於具有特定節距之接觸蹤跡上。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印黎 具有J引線之接觸蹤跡3 之結構可建立較高之物理 強度，因爲其大部份由接觸基體2 〇2支持。此例之另外優 點爲接觸蹤跡3 29之長度約與接觸基體2 〇2相同。換言 之，圖1 6之引線形狀及與P C Β基體之連接並不消耗較 之接觸基體2 0 2所消耗爲多之任何額外水平面積。 圖1 7-20顯示本發明之第四實施例，其中，邊緣 式之接觸蹤跡經由導電性聚合物連接至印刷電路板上所設 置之一墊。在圖1 7之例中，接觸蹤跡3 2構製於接觸基 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） A7 A7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 B7____ 五、發明說明（23 ) 體2 0上，且經由導電性聚合物6 6連接至p c B基體 6 2 3上所設置之P C B (印刷電路板）墊3 8上ϋ接觸基 體2 0普通爲矽基體，唯其他型式之介氣基體，諸如玻璃 環氧樹脂，聚醯亞胺，陶瓷，及氧化鋁基體亦可以。 在本例中，接觸蹤跡3 2具有與圖7及1 3之例中所 示相同之直線形狀。在圖1 了之約中心處，接觸基體2 0 經由支持結構5 2及彈性體4 2安裝於P C Β基體6 2 5上 。接觸基體2 0，彈性體4 2，支持結構5 2，及P C Β 基體6 2 5由例如黏著劑（未顯示）相互黏接。 大部份導電性聚合物設計在匹配之電極間通常在垂直 或傾斜方向上具導電性，而非在水平方向上具導電性。導 電性聚合物6 6之例爲導電性彈性體，此塡有導電性線， 線伸出彈性體之表面外。 導電性聚合物6 6可有各種其他之例，諸如各向異性 導電性黏著劑，各向異性導電性薄膜，各向異性導電性糊 ，及各向異性導電性微粒。各向異性導電性黏著劑塡有相 互並不接觸之導電性微粒。導電性徑路由壓緊黏著劑於特 定位置之二電極之間所構成。各向異性導電性薄膜爲一薄 介質樹脂，塡有並不相互接觸之導電性微粒。導電性徑路 由壓緊薄膜於特定位置之二電極間所構成。 各向異性導電性糊爲可網印之糊漿，此塡有並不相互 接觸之導電性微粒。導電性徑路由壓緊糊漿於特定位置之 二電極間所構成。各向異性導電性微粒爲薄介質樹脂，塡 有導電性微粒，微粒塗有一層非常薄之介質材料，以提高 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -26- <請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁} 裝 丨線 423121 A7 B7 五、發明說明（24 ) 絕緣。導電性徑路由足夠之力壓緊微粒於特定位置之二電 極間之微粒，以爆開微粒上之介質塗層所構成。 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁> P C B基體6 25本身可爲探針卡，諸如圖3所示，或 分開設置及直接或間接安裝於探針卡上。在前者之情形， P C B基體6 2 5可直接接觸測試系統，諸如I C測試器之 介面，其方式顯示於圖2。在後者之情形，P C B基體 6 2 5釘住或使用一導電性聚合物，以建立與次層之電接觸 。P C B基體6 2 5及探針卡間經由銷導電性聚合物之此式 電連接容許現場修理。 P C B基體6 2 5可爲多層結構，此能提供高頻帶寬信 號，高頻分佈電容，及高頻晶片積體電容器，用於電源解 交連及高銷數（1/◦銷及所屬信號徑路之數量）。 P C B基體6 2 5之材料之例爲標準高性能玻璃環氧樹脂。 其他材料之例爲陶瓷，此在高溫應用，諸如半導體晶片及 封裝之I C裝置之燒入測試之期間中，期望其減小溫度膨 脹係數（C TE )率之失配至最低程度。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 支持結構5 2建立接觸構造之封裝及互接之物理強度 。支持結構5 2爲例如陶瓷，模造之塑膠，或金屬所製。 彈性體4 2在建立本發明之封裝及互接之可撓性，以克服 可能之平面化機程。彈性體4 2亦用以吸收接觸基體2 0 及P C B基體6 25間之溫度膨脹率中之失配。 接觸蹤跡3 2之長度之例在自數十微米至數百微米之 範圍。由於徑路長度短，本發明之互接及封裝可容易使用 於高頻帶上，諸如數GH z或甚至更高。而且，由於欲組 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 * 297公釐） 4 23 1 21 - A7 _ _ B7 五、發明說明（25 ) 合之組成件之總數低，故本發明之封裝及互接可在低成本 及高可靠性，以及高生產率上製造。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 8顯示本發明之第四實施例之另一例。接觸蹤跡 3 2 7向下彎，且成鷗冀形狀，此與表面安裝技術中所用且 加於圖8，1 1 ，及1 4之例中之標準”鷗冀引線·'相似 。由於接觸蹤跡3 2τ之鷗冀形狀，在P C B基體6 2s上 之PCB互接墊38位於較之圖17爲低之位置。在本例 中，P C B基體6 26具有整個更爲平面之表面，且其上無 階級。故此，圖1 8之例在垂直幅度上提供額外空隙於 PCB互接墊38，導電性聚合物66 ，及接觸蹤跡32τ 間之接觸部份上方。 上述接觸蹤跡3 2 7之引線形狀（向下彎，鷗冀引線） 可能需要特殊工具來製造。此工具可標準化，用於具有特 定節距之多條接觸蹤跡上。由於其中之組成件之體積極小 ，及接觸構造3 0及接觸蹤跡3 27之徑路長度短，故圖 1 8之例可使用於高頻帶上。而且，由於欲組合之組成件 之數少及結構簡單，故本發明之封裝及互接可在低成本及 高可靠性以及高生應率上製造。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 圖1 9顯示本發明之第四實施例之另一例。在本例中 ，設置二II冀引線Α及Β於接觸結構3 0所連接之接觸蹤 跡3 2 8。鷗冀引線A設置於圖1 9中較之鷗冀引線B爲上 方及外側位置。鷗冀引線A經由導電性性聚合物6 6連接 至P C B互接墊3 8，及鷗冀引線B經由導電性聚合物 67連接至PCB互接墊39。爲容納PCB互接墊38 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） 423121 - A7 -----B7 五、發明說明（26 ) 及3 9於其上，安排一P C B基體6 27，其邊緣部份具有 一較大之厚度，即一階級，以安裝P C B墊3 8於其上’ 及鄰接該邊緣部份之一內部具有較小厚度，以安裝P C B 墊3 9於其上。 上述接觸蹤跡3 2 8之引線形狀（向下彎，鷗冀引線） 可能需要特殊工具來製造。此工具可標準化，用於具有特 定節距之多條接觸蹤跡上。具有階層鷗冀引線A及B之接 觸蹤跡3 2 8之結構可在垂直幅度上建立扇開。此在分配信 號或電力於二或更多徑路上有用。扇開之其他優點爲增加 接觸墊之數，即減小接觸墊間之有效節距（距離）。與圖 1 8之例同樣，圖1 9之接觸蹤跡3 28在垂直幅度上提供 額外空隙於接觸蹤跡3 2s及P C B墊3 8及3 9間所形成 之接觸部份上方。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -------— — — — — — — · t I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) |線_ 圖2 0顯示本發明之第四實施例之另一例。在本例中 ，一接觸蹤跡3 2 9製成表面安裝技術中普通所用之J引線 之形狀。J引線構製於接觸基體2 〇2之邊緣上，其方式在 包圍其邊緣。接觸蹤跡3 29 ( J引線）之底表面經由導電 性聚合物66連接於PCB基體628上之PCB墊38。 支持結構5 23及PCB基體6 28之形狀與前例稍不同， 以配合接觸蹤跡3 2 9之形狀。 上述接觸蹤跡3 2 9之引線形狀（J引線）可能需要特 殊工具來製造。此工具可標準化，用於具有特定節距之多 條接觸蹤跡上。具有J引線之接觸蹤跡3 29之結構可建立 較高之物理強度，因爲其大部份由接觸基體2 0 2支持。本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29- A7 B7 五、發明說明（27 ) 例之另外優點爲接觸蹤跡3 2 9之長度約與接觸基體2 0 2 相同。換言之，圖2 0之引線形狀及與P C B基體之連接 方法並不消耗較之接觸基體2 0 2所消耗爲多之任何額外水 平面積。 依據本發明，封裝及互接具有非常高頻帶寬，以滿足 次--代半導體技術之需求。封裝及互接能安裝接觸構造於 探針卡或其相等物上，經由接觸構造之邊緣與之達成電連 接。而且，由於欲組合之全部組成件數相當少，故本發明 之互接及封裝可在低成本及高可靠性以及高生產率上製造 〇 雖此中僅特別顯示及說明較佳之實施例，但鑒於以上 述說及在後附申請專利範圍內，本發明可作許多修改及改 變t而不脫離本發明之精神及預定範圍。 -----------· I ! !丨訂--------I {請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公璧）

Claims (1)

1 2 1 Α8 BS C8 D8 、申請專利範圍 1 .. 一種接觸構造之封裝及互接，包含： 觸構造，爲導電性材料所製，並經由照相製版方 r --------~~——-一------- 法構製於一接觸基體上，該接觸構造具有一基礎部份垂直 --------------- 構製於接部份，其一端構製於基礎部份 上’及二1接觸部份垂直構製於水平部份之另一端i ; ------— 一接觸蹤跡，構製於接觸基體上，且在一端處電連接 —----________〆 至接觸構造，接觸蹤跡之另一端向接觸基體之一邊緣延伸 一印刷電路板（P c B )墊，設置於欲與接觸蹤跡之 另一端連接之印刷電路扳（P C B )基體上； 一彈性體，設於接觸基體下面，使該互接及封裝可撓 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 曲；及 一支持 支持接觸構 2 ·如 互接，其中 方法直接構 3 .如 互接，其中 版方法直接 4 .如 互接，其中 蒸發，濺散 5 如 結構，設置於彈性體及P C 造，接觸基體，及彈性體。 申請專利範圍第1項所述之 ，接觸基體爲矽基體，接觸 製於其上。 申請專利範圍第1項所述之 ，接觸基體爲介質基體，接 構製於其上。 申請專利範圍第1項所述之 ，接觸蹤跡爲導電性材料所 ，或塗鍍方法構製。 申請專利範圍第1項所述之 B基體之間，用以 接觸構造 構造經由 接觸構造 觸構造經 接觸構造 製，且經 之封裝及 照相製版 之封裝及 由照相製 之封裝及 由沉積， 接觸構造之封裝及 裝 i 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙沬尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） -31 - 3 2 2 8 8 8 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 互接’其中，P C B基體爲玻璃環氧樹脂或陶瓷所製。 6 .如申請專利範圍第1項所述之接觸構造之封裝及 互接，其中，PCB基體爲多層印刷電路板。 7 .如申請專利範圍第1項所述之接觸構造之封裝及 互接’其中，支持結構爲陶瓷，措造之塑膠，或金屬所製 〇 8.如申請專利範圍第1項所述之接觸構造之封裝及 互接，其中，接觸蹤跡之另一端及P C B墊間之電連接由 線黏接或焊接建立。 9 .如申請專利範圍第1項所述之接觸構造之封裝及 互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲欲電連接至P C B墊之 鷗冀引線所構成。 1 0 .如申請專利範圍第1項所述之接觸構造之封裝 及互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲一鷗冀引線所構成， 具有其一端部大致平行於P c B墊之表面。 1 1 .如申請專利範圍第1項所述之接觸構造之封裝 及互接，其中*接觸蹤跡之另一端由至少二鷗冀引線所構 成，欲電連接至P C B基體上所設置之對應P C B墊上。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，該至少二鷗冀引線在大致垂直關係上相 互對齊。 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之接觸構造之封裝 及互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲欲電連接至P c B墊 上之一 J引線所構成》 ----------^------#------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙承Λ度逯用中國S家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 423121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 4 · 一種接觸構造之封裝及互接，包含、 一接觸構造，爲導電性材料所製，並經由照相版方法 構製於一接觸基體上，該接觸構造具有一基礎部份垂直構 製於接觸基體上，一水平部份，其一端構製於基礎部份上 ’及一接觸部份垂直構製於水平部份之另一端上； 一接觸蹤跡，構製於接觸基體上，且在一端處電連接 至接觸構造，接觸蹤跡之另一端向接觸基體之一邊緣延伸 一連接件，用以接受接觸蹤跡之另一端，以建立其間 之電連接； 一彈性體，設置於接觸基體下面，使該互接及封裝可 撓曲；及 一支持結構，設置於彈性體下面，用以支持接觸構造 ，接觸基體，彈性體，及連接件。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸基體爲矽基體，接觸構造經由照相 製版方法直接構製於其上。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸基體爲介質基體，接觸構造經由照 相製版方法直接構製於其上。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡爲導電性材料所製，且經由沉 積，蒸發，濺散，或塗鍍方法構製。 18.如申請專利範圍第14項所述之接觸構造之封 11 I n n n I ^ I n 訂"一~" 線 (请先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4現格U10X297公釐） -33- 3 2 2 ABCD t、申請專利範圍 裝及互接，其中，支持結構爲陶瓷，模造之塑膠，或金屬 所製。 ---------裝-- (请先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 1 9 .如申請專利範圍第1 4項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲欲電連接至連接件 之鷗冀引線所構成。 2 0 ·如申請專利範圍第1 4項所述之接觸構造/之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲一鷗冀引線所構成 ，其一端部大致平行於支持結構。 2 1 .如申請專利範圍第1 4項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端由至少二鷗冀引線所 構成，欲電連接至連接件之對應插座。 2 2 .如申請專利範圍第2 1項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，該至少二鷗冀引線在大致垂直關係上相 互對齊。 2 3 . —種接觸構造之封裝及互接，包含： 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一接觸構造，爲導電性材料所製，並經由照相版方法 構製於一接觸基體上，該接觸構造具有一基礎部份垂直構 製於接觸基體上，一水平部份，其一端構製於基礎部份上 ，及一接觸部份垂直構製於水平部份之另一端上； 一接觸蹤跡，構製於接觸基體上，且在一端處電連接 至接觸構造，接觸蹤跡之另一端向接觸基體之一邊緣延伸 一印刷電路板（P C B )墊，設置於欲與接觸蹤跡之 另一端連接之印刷電路板（PCB)基體上； -34- 本紙浪尺度速用中國固家揉準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 3 2 d, 2 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 一導電性丘，設置於接觸蹤跡之另一端及P C B墊之 間，以建立其間之電連接； 一彈性體，設置於接觸基體下面，使該互接及封裝可 撓曲；及 一支持結構，設置於彈性體及P C B基體之間，用以 支持接觸構造，接觸基體，及該彈性體。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸基體爲矽基體，接觸構造經由照相 製版方法直接構製於其上。 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸基體爲介質基體，接觸構造經由照 相製版方法直接構製於其上。 2 6 .如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡爲導電性材料所製，且經由沉 積，蒸發，濺散，或塗鍍方法構製。 2 7 .如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，P C B基體爲玻璃環氧樹脂或陶瓷所製 〇 2 8 .如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，P C B基體爲多層印刷電路板。 2 9 ·如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，支持結構爲陶瓷，模造之塑膠，或金屬 所製。 3 0 ·如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 I I n ^ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- D8 π、申請專利範圍 裝及互接’其中，導電性丘爲焊料球，此由加熱回流，以 電連接接觸蹤跡之另一端及p c Β墊。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 1 .如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，導電性丘爲導電性聚合物丘或順從丘， 用以電連接接觸蹤跡之另一端及P CB墊。 3 2 .如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲欲電連接至P C Β 墊之鷗冀引線所構成。 3 3 .如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端由至少二鷗冀引線所 構成，欲經由對應之導電性丘電連接至P C Β基體上所設 置之對應P C Β墊。 3 4 .如申請專利範圍第3 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，該至少二鷗冀引線在大致垂直關係上相 互對齊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 5 ·如申請專利範圍第2 3項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲欲經由導電性丘電 連接至P C Β墊上之一 J引線所構成。 3 6 . —種接觸構造之封裝及互接，包含： 一接觸構造，爲導電性材料所製，並經由照相版方法 構製於一接觸基體上，該接觸構造具有一基礎部份垂直構 製於接觸基體上，一水平部份，其一端構製於基礎部份上 ，及一接觸部份垂直構製於水平部份之另一端上； 一接觸蹤跡，構製於接觸基體上，且在一端處電連接 -36- 本紙張尺度逋用中國國家橾率（<：>«>八4洗格（210)<297公釐} 3 rc. 4 2 〇0 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 至接觸構造，接觸蹤跡之另一端向接觸基體之一邊緣延伸 一印刷電路板（P C B )墊，設置於欲與接觸蹤跡之 另一端連接之印刷電路板（P C B )基體上； 一導電性聚合物，設置於接觸蹤跡之另一端及P C B 墊之間，用以建立其間之電連接； 一彈性體，設置於接觸基體下面，使該互接及封裝可 撓曲；及 一支持結構，設置於彈性體及P C B基體之間，用以 支持接觸構造，接觸基體，該彈性體。 3 7 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中*接觸基體爲矽基體，接觸構造經由照相 製版方法直接構製於其上。 3 8 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸基體爲介質基體，接觸構造經由照 相製版方法直接構製於其上。 3 9 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡爲導電性材料所製，且經由沉 積，蒸發，濺散，或塗鍍方法構製。 4 〇 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，P C B基體爲玻璃環氧樹脂或陶瓷所製 4 1 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，PCB基體爲多層印刷電路板。 t请先聞讀背面之注意事項再填寫本I) 装. 錄 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公嫠） -37- 3 2 4 2 8 88 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 4 2 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接1其中，支持結構爲陶瓷’模造之塑膠’或金屬 所製。 4 3 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，導電性聚合物爲導電性黏著劑’導電性 薄膜，導電性糊，導電性微粒。 4 4 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，導電性聚合物爲導電性彈性體’包含各 向異性導電性黏著劑，各向異性導電性薄膜，各向異性導 電性糊漿，或各向異性導電性微粒，用以電電連接接觸縱 跡之另一端及P C B墊。 4 5 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲欲電連接至P C B 墊之鷗冀引線所構成。 4 6 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端由鷗冀引線構成，其 一端部大致平行於P C B墊之表面。 4 7 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端由至少二鷗冀引線所 構成，欲經由對應之導電性聚合物電連接至P c B基體上 所設置之對應P C B墊上。 4 8 .如申請專利範圍第3 6項所述之接觸構造之封 裝及互接，其中，該至少二鷗冀引線在大致垂直關係上相 互對齊。 ----------^------1T------0 C請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度·適用中國®家搮準（CNS ) A·«规格（210X297公釐） -38- 2 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 4 9 .如申請專利範圍第3 6項所述之接'觸構造之封 裝及互接，其中，接觸蹤跡之另一端爲欲經由導電性聚合 物電連接至P C B墊上之一 J引線所構成。 _ ] 訂 1 絲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本f ) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -39- 本紙張尺度適用中國.困家揲準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）