TW418434B

TW418434B - Processing apparatus for fabricating LSI

Info

Publication number: TW418434B
Application number: TW087106757A
Authority: TW
Inventors: Fumihiko Uesugi; Natsuko Ito
Original assignee: Nippon Electric Co
Priority date: 1997-05-01
Filing date: 1998-04-29
Publication date: 2001-01-11
Also published as: US6284049B1; US6042650A; JP2953426B2; KR100269712B1; JPH10308333A; CN1198589A

Description

經濟部中央標準局®:工消費合作社印褽 41B434 A 7 B7 五、發明説明（）發明背景發明之頜域本發明係關於製造LSI用之處理設備，其中一預定的氣體被供給予一腔室中，以在基板上進行希望之處理。更詳而言之，本發明關於一處理設備，其中雷射光從腔室外面經由一腔室窗被導入其內部，用來偵測對希望之處理有不良影響的微小粒子之出現情形，且可測量由漂浮在腔室內之微小粒子而來的散射光。相關技術之描沭當雷射光經由一腔室窗被導入腔室，且由腔室內之微小粒子(例如，灰塵)而來之散射光被測量時，會因爲許多原因而產生欲測量之散射光以外的雜散光。這些雜散光係包含：雷射光在窗表面的前面與後面產生的反射光；該設備內壁上的不規則反射光；雷射光終止裝置上的不規則反射光；及類似的光線等，且這些通常都比所欲測量的微弱散射光更強。所以，爲了測量該種由微細粒子所產生之微弱散射光，無可避免的要抑制前述反射光與不規則反射光。爲達成此目的，此種裝置通常被修改成具有一抗反射膜塗布在導入雷射光的窗(在下文中均指入射側窗)上，以減少反射；或一光束阻隔器被做成黑色，以抑制不規則反射光。其中，有多種用以降低由入射側窗所造成之雷射光的多重反射光或由於雷射光之阻隔器之亂反射光之方法，該等方法通常會使用一光阻尼，其被稱爲障板、Rayleigh hom 或之類的名稱。關於這些方法，被歸納說明於Tadao Tsurnta 3 本紙張尺度適用中國國家標孪{ CNS ) Λ4規格（210X 297公浼） --------,KWI — > ΐ請先閲If背面之注意事項再填寫本頁)

.1T 經濟部中央標準局負工消費合作社印製五、發明説明（） "light i^encir’ JNieH Technology Commimication Co. 1984 ’.PP ?辨:其^中。前述方法已被承認爲有效，但舉例來說，以下的情況下會發生兩個問題：當一化學活性氣體(在下文中均稱爲活性氣體)被置於腔室中且對半導體基板以化學反應進行一薄膜形成製程時。問題之一發生在雷射光的入射側窗。即，因爲入射側窗的腔室內表面被暴露在一活性氣體中，該活性氣體與窗之材質產生化學反應的產物會沉積在窗上。結果，沉積產物的散射光會干擾微弱散射光的測量，其爲由微小粒子所產生且具有重要性。另外，由於沉積產物的散射造成被導入腔室之雷射光的強度減小，且由此造成由微小粒子而來的微弱散射光更微弱了，此造成測量更不易。當雷射光的強度大時，有時沉積產物會被散射而污染了腔室內部。另一個問題是發生在雷射光的阻隔器。當雷射光被導入腔室，一光阻尼被安裝在腔室內牆相對於入射側窗的位置上用來作爲雷射光的阻隔器。該阻尼以理想上對光吸收達100 %的材質所製造。然而，因爲任何材質一定具有一不爲零的反射係數，如前述參考文獻所描述之障板、Rayleigh hom或一束剃刀片便被使用，以因多次反射而達到反射係數趨近於零。假使這樣，因爲表面積增加，便產生了與前述之腔室內表面的入射側窗相同的問題。即，由於反應產物的沉積或阻尼表面沉積產物被強大雷射光所散射而污染了腔室內部，會造成散射在阻尼表面的光增加。 4 本紙张尺度Ϊ4用中國國家ϋ ( CN_S_Ta4規格（2丨0X297^釐) ί請先閣1r背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 418434 at 五、發明説明（）因此，當在一使用活性氣體的處理設備中測量由腔室中微小粒子而來的微弱散射光時’光是使用傳統上使用的障板、Rayleigh horn或一束剃刀片等是不夠的。欲穩定基板之製程情況，偵測處理設備之腔室中微小粒子的出現是重要的工作。發明槪要本發明之目的爲提供一製造LSI用之處理設備，其可避免因爲製造基板所用的氣體(一製程所用的氣體)而造成反應產物沉積在處理腔室內表面之入射側窗與放射光終止裝置的表面，藉此該腔室內部不會被污染且由腔室內部漂浮或落下的微小粒子造成之微弱散射光可被測量。爲達到上述目的，本發明提供一製造LSI用之處理設備，包含：一腔室，具有光導入窗；提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置：及一可吹散氣體之裝置，位於前述腔室內部，用以將對構成前述光導入窗的材質爲非化學活性的氣體吹散至該光導入窗的內表面上。依照本發明之其他實施態樣，提供一製造LSIffi_之處理設備，包含：一排氣裝置，位於前述腔室內部，用以將前述之化學活性氣體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰近空間；或一關閉器裝置，位於前述腔室內部，用以開關即述之化學活性氣體通往光導入窗的內表面的入α。依照本發明另一個實施態樣，提供一製造LSI用之處理設備’包含：一腔室，其具有一可減弱導入該腔室之雷射 5 本紙張尺度適用中國國家標準Tc：NS )刎規格（2】0X297公~ (請先閱请背面之注意事項再填寫本頁) -AW.

-1T 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製五、發明説明（）光的光阻尼；提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置；及一可吹散氣體之裝置，用以將對構成前述光阻尼的材質爲非化學活性的氣體吹散至該光阻尼上。依照本發明，對一製造LSI用之處理設備所包含之腔室中之光導入窗或光阻尼的材質爲一非化學活性的氣體，被以一可吹散氣體之裝置吹散至該光導入窗的內表面或該光阻尼上。因爲這個原因，在針對基板進行的一希望的製程，提供一化學活性氣體進入該腔室時，該活性氣體不會接觸到該窗的內表面或該光阻尼，所以可避免反應產物沉積在其上。結果，因爲非必要的不規則反射光不會發生在該光導入窗的內表面或該光阻尼上，故以從光導入窗被導入腔室之雷射光測量漂浮在腔室中之微小粒子產生的散射光時，在處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。另外，因爲沒有反應產物沉積在該光導入窗的內表面或該光阻尼上，故即使增加雷射光的強度，該腔室內部亦不會由於強大雷射光而造成反應產物散射而被污染。當進一步配備排氣系統’其爲用來排出鄰近該光導入窗的內表面或該光阻尼的周圍氣體，因爲鄰近該光導入窗的內表面或該光阻尼的活性氣體濃度減少，由活性氣體而來之反應產物沉積在該光導入窗的內表面或該光阻尼的可能性就更小了。.結果，因爲非必要的散射反射光不會發生在該光導入窗的內表面或該光阻尼上，故以導入腔室之雷射光測量漂浮在腔室中之微小粒子產生的散射光時，在腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量° 6 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙张尺度適用中國國家標準（〇呢）六4規格（21〇><297公费）經濟部中央標準局負工消費合作社印製丨 4Ί 8434 A7 B7 五、發明説明（）因爲配備一關閉器裝置用以開關一化學活性氣體通往光導入窗的內表面或光阻尼的入口’通往光導入窗的內表面或光阻尼的氣體入口只在當欲導入雷射光測量腔室中因微小粒子造成之散射光時可被打開，而當雷射光未被導入時則關閉。所以，當不是必須暴露至該氣體時，該光導入窗的內表面或該光阻尼從不被暴露於該化學活性氣體中。如前所述，本發明提供一製造LSI用之處理設備，包含：一窗，雷射光經由它而被導入；與一光阻尼，其爲導入之雷射光的終止裝置。該設備尙包含：一構造，使所欲製程中注入腔室之化學活性氣體不會接觸到該窗的內表面 _或該光阻尼。憑藉此構造，可避免發生反應產物沉積在該窗的內表面或該光阻尼上。所以，非必要的不規則反射光不會發生在該窗的內表面與該光阻尼上，且發生在處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。圖式之簡單說明圖1顯示本發明第一實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖 . 圖2顯示本發明第二實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖圖3顯示本發明第三實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖圖4顯示本發明第四實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖 (請先閱f背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標草（CNS ) Λ4規格（2丨0χ297公楚） 4184 3 4 Λ7 A 7 Β7 五、發明説明（）圖5顯示本發明第五實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖圖6顯示本發明第六實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖符號說明 11〜雷射光 12〜處理腔室 13〜窗 14〜凸出部分 15〜障板 16〜不規則反射光 17〜淸洗氣體入口氣系統 19~關閉器經濟部中央標準局員工消費合作社印製 C請先閱前背面之注意事項再填寫本頁) 20〜線性運動導入器件 21〜雷射光 _ 22〜處理腔室 24〜凸出部分 25〜障板 '26〜不規則反射光 27〜淸洗氣體入口 28〜排氣系統 29〜關閉器 8 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公衮）經濟部中央標準局員工消费合作社印製 4 10 4 34. 五、發明説明（） 30〜線性運動導入器件 31〜阻尼較佳實施例之詳細說明以下將說明本發明之較佳實施例並參考以下圖式：第一實施例在此說明一製造LSI用之處 _設備尙包含一可吹散氣體之構造以便可將淸洗氣體吹散至導入雷射光之窗的內表面以避免反應產物沉積於導入雷射光之窗的內表面上。圖1以最佳方式顯示本發明第一實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖。如圖1所示’此實施例中製造LSI用之處理設備係包含一處理腔室12，其爲所欲製程注入活性氣體之處。處理腔室12之外牆的一部份形成凸出部分14，其從外牆延伸出去至空氣中。一入射的側窗(由一光可透射物質如玻璃所構成) 13，其爲雷射光11被導入的地方，被安裝以封住在凸出部分14的開口端。凸出部分14內部設置一障板15以攔截當雷射光被導入窗時，被導入處理腔室12之非必要的光線甚至出現的不規則反射光16 〇 —抗反射的外膜被塗在窗13靠空氣的表面以防止雷射光對窗13的透射率減低。一淸洗氣體入口 17設置在凸出部分14 ’其爲一可吹散氣體之構造，用來將淸洗氣體吹散至窗B的內表面。凸出部分14具有一效應即該凸出部分14使得一定量之進入處理腔室12的不規則 9 本紙張尺度適用中國國家標聲（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公釐）、 (請先聞讀背面之注土9^項再填寫本買)

經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 f 4184 3 4 Α7 Β7 五、發明説明（）反射光16減少。在此種設備中，一活性氣體以一預先決定好之壓力被置於處理腔室12中且該活性氣體會經由障板15形成之雷射導入口而侵入至窗13 〇然而，因爲淸洗氣體如非化學活性的氦氣或類似氣體從淸洗氣體入口 Π被沿著窗13的內表面而導入，該淸洗氣體會覆蓋在窗13的內表面並被由處理腔室12的排氣系統(圖上沒有顯示)吸進處理腔室12。因爲這個原因，該活性氣體很難接觸到窗13且可避免化學反應生成之產物沉積在窗13的內表面上。前述之淸洗氣體可以是任何對構成窗之物質爲非化學活性的氣體且除了氦氣之外，也可使用如該類氣體排第一位的氬氣等稀有氣體、氮氣或類似氣體。淸洗氣體的流速可以考慮腔室中的壓力及活性氣體的分壓等條件而決定。憑此導入淸洗氣體的構造可以避免該入射的側窗之內表面產生沉積物，且因此非必要的不規則反射光被抑制，故處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。第二實施例在此說明一製造LSI用之處理設備係包含一腔室，其爲所欲製程注入活性氣體之處，該設備尙包含一排氣系統以避免反應產物沉積於配備在腔室之導入雷射光之窗的內表面上。圖2以最佳方式顯示本發明第二實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖。在此圖中，與第一實施例中相同之組件被標以相同的編號。 10 ί請先閱C背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } Λ4規格（210X29*7公漦）丨 418434 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Α7 Β7 '發明説明（）如圖2所示，此實施例中製造LSI用之處理設備設置一排氣系統18，其與處理腔室12的排氣系統(圖上沒有顯示) 是不同的，其設置在具有與第一實施例中相似之窗13的處理腔室12的凸出部分14內。亦即，此實施例爲與第一實施例有相同的構造，除了第二實施例係設置了排氣系統18而非如第一實施例的淸洗氣體入口。在此種設備中，因爲安裝在凸出部分14的障板15使得腔室側開口的凸出部分14被弄窄了，在排氣系統18的抽吸下則凸出部分14的真空度被維持得較處理腔室12爲高。亦即，使用排氣系統18會造成差別排氣。當活性氣體靠差別排氣而從處理腔室12流入凸出部分14時，因爲該氣體在未接觸窗13前即被排出，故可抑制活性氣體沉積在窗13的內表面。由預先決定之處理腔室12的壓力及流進凸出部分14 的氣體流速可決定排氣系統18的排氣速度。設置此種排氣系統可避免入射的側窗之內表面產生沉積物，且因此非必要的不規則反射光被抑制，故處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。第三實施例在此說明—製造LSI用之處理設備係包含一腔室，其爲所欲製程注入活性氣體之處，該設備尙包含一關閉器結構以避免反應產物沉積於配備在腔室之導入雷射光之窗的內表面上。圖3以最佳方式顯示本發明第三實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖。在此圖中，與第一實施例中相同 ί請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 3. 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2ίΟΧ297公釐） 418434 A7 B7 五、發明説明（）之組件被標以相同的編號。如圖3所示，此實施例中製造LSI用之處理設備係包含一關閉器19，其爲用來關閉設置在障板15處且爲氣體入口之雷射導入口，被配置在類似第一實施例中設置有窗的處理腔室12的凸出部分Η的光徑。該關閉器19被安裝至線性運動導入器件20，其爲自凸出部分14向外延伸出去且可在圖中的上下方向移動。此實施例以此種方式包含關閉器19 與線性運動導入器件2〇來取代第一實施例中的淸洗氣體入 □。在此種設備中，只在當偵測到微細粒子的出現且可封閉障板15的雷射導入口的關閉器19是開的時後才會操作該線性運動導入器件2〇〇反之，當沒有偵測到出現狀態時，該關閉器19是關的。如雷射導入口被關閉器19密閉了，活性氣體即不會侵入到障板15裡面。當關閉器19被如此的開或關時，即不會因爲窗13內表面之非必要的反應而有產物沉積其上。假使雷射光11以數千赫茲的重複頻率而爲連續光或可被視爲半連續光，則當發射雷射光11時該關閉器19維持於開。假使雷射光爲數赫茲的頻率，則該關閉器19以同步於雷射振盪之時序開閉。在此實施例中，線性運動導入器件2〇是如圖所示被用來垂直地移動關閉器19，其可被旋轉導入器件所取代，其中以旋轉導入器件尾端爲中心旋轉關閉器丨9以將之開或關。另外’它可被修改成有多個沿著周圍整齊排列之長縫 12 本紙^尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（21〇x 297^^y -— '~~ ——.------ο! (請先閲f背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局負工消費合作社印製經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 418434 五、發明説明（）的圓盤，其靠著馬達的推動而繞著中心旋轉且馬達的旋轉速度被控制與雷射光的重複頻率爲同時性。憑藉設置關閉器結構可以避免該入射的側窗之內表面產生沉積物，且因此非必要的不規則反射光被抑制，故處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量》在如前述之第一至第三實施例中，以一淸洗氣體、局部排氣及一關閉器個別被使用的設備做爲例子，如果任意地把這些部件加以組合，則可更有效率地避免側窗之內表面沉積反應產物。第四實施例在此說明一製造LSI用之處理設備係包含一腔室，其爲所欲製程注入活性氣體之處，該設備尙包含一可吹散氣體之構造以便可將淸洗氣體吹散至一阻尼上，其爲導入腔室之雷射光的終止裝置，以避免反應產物沉積於阻尼的表面。圖4以最佳方式顯示本發明第四實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖。如圖4所示，此實施例中製造LSI用之處理設備係包含一處理腔室22，其爲所欲製程注入活性氣體之處。處理腔室22之外牆在與導入雷射光之附帶側窗相對應之處，形成延伸至空氣中之凸出部分24。一阻尼31被配置在凸出部分 24之底部，其爲導入腔室之雷射光的終止裝置。該阻尼31 是由一束每片形狀皆如剃刀片的黑色金屬板所構成且雷射光21在葉片間被反覆地多次反射以使大部分的雷射光21被 f請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) hx. 本紙浪尺度適中國K家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐）經濟部中央標準局負工消f合作社印製 4 VS434 五、發明説明（）吸收。一部分到達阻尼31的入射雷射光21會如不規則反射光般折回至處理腔室22中。爲抑制此情形’ 一障板25被設置在凸出部分24內。用來導引淸洗氣體至阻尼31的淸洗氣體入口27設置在凸出部分24。凸出部分24具有一效應使得 —定量之進入處理腔室22的不規則反射光26減少。在此種設備中，一活性氣體(例如氧氣及氫氣)存在於處理腔室22中且該活性氣體會經由障板25形成之雷射導入口而侵入至位於凸出部分24底部的阻尼31處◊然而，淸洗氣體如非化學活性的氦氣等從淸洗氣體入口 27被導入至阻尼 31，藉此該淸洗氣體會充滿在阻尼31所在的空間中且接著被處理腔室22的排氣系統(圖上沒有顯示)吸進處理腔室22 中。因爲這個原因，該活性氣體很難接觸到阻尼31且因此可避免化學反應生成之產物沉積在阻尼31上。該淸洗氣體可以是任何對構成阻尼之物質爲非化學活性的氣體且除了氦氣之外，也可使用如該類氣體排第一位的氬氣等稀有氣體或氮氣等。淸洗氣體的流速只需考慮處理腔室中的壓力及活性氣體的分壓等條件而決定。憑此方式導入淸洗氣體可以避免阻尼產生沉積物，且 .因此非必要的不規則反射光被抑制，故處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。 ' 第五實施例在此說明一製造LSI用之處理設備係包含一腔室，其爲所欲製程注入活性氣體之處，該設備尙包含一排氣系統以避免反應產物沉積於阻尼上，其爲導入腔室之雷射光的終 _ 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） f请先閲资背面之注意事項再填寫本頁}

經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 a )3434 五、發明説明（）止裝置。圖5以最佳方式顯示本發明第五實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖。在此圖中，與第四實施例中相同之組件被標以相同的編號。如圖5所示，此實施例中製造LSI用之處理設備設置一排氣系統28，其與處理腔室22的排氣系統(圖上沒有顯示) 是不同的，其設置在具有與第四實施例中相似之配備阻尼 31的處理腔室22的凸出部分24內。亦即，此實施例爲與第四實施例有相同的構造，除了第五實施例係設置了排氣系統28而非如第四實施例的淸洗氣體入口。在此種設備中，因爲安裝在凸出部分24的障板25使得腔室側開口的凸出部分24被弄窄了，在排氣系統28的抽吸下則凸出部分24的真空度被維持得較處理腔室22爲高。即使用排氣系統18會造成差別排氣。因爲產生這樣的差別排氣，當活性氣體從處理腔室22流入凸出部分24時，該活性氣體在未接觸阻尼31前即被排出，故可抑制活性氣體沉積在阻尼31上。由預先決定之處理腔室22的壓力及流進凸出部分24的氣體流速可決定排氣系統28的排氣速度。 . 設置此種排氣系統可避免阻尼31產生沉積，且因此非必要的不規則反射光被抑制，故處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。第六實施例在此說明一製造LSI用之處理設備係包含一腔室，其爲所欲製程注入活性氣體之處，該設備尙包含一關閉器結構 15 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公漦） ί請先閱，请背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ί 418434 Α7 ___Β7 __ 五、發明説明（）以避免反應產物沉積於阻尼上，其爲導入腔室之雷射光的終止裝置。圖6以最佳方式顯示本發明第六實施例中製造LSI用之處理設備的部分剖面圖。在此圖中，與第四實施例中相同之組件被標以相同的編號。如圖6所示，此實施例中製造LSI用之處理設備係包含一關閉器29，其爲用來關閉設置在障板25處且爲氣體入口之雷射導入口，被配置在類似第四實施例中設置有阻尼31 的處理腔室22的凸出部分24的光徑。該關閉器29被安裝至’ 線性運動導入器件3〇，其爲自凸出部分24向外延伸出去且可在圖中的上下方向移動。此實施例以此種方式包含關閉器29與線性運動導入器件30來取代第四實施例中的淸洗氣體入口。在此種設備中，只在當偵測到微細粒子的出現且可封閉障板25的雷射導入口的關閉器29是開的時後才會操作該線性運動導入器件30 〇反之，當沒有偵測到出現狀態時，該關閉器29是關的。如雷射導入口被關閉器29密閉了，活性氣體即不會侵入到障板25裡面。當關閉器29被如此的開或關時，即不會因爲阻尼31之非必要的反應而有產物沉積 ,其上。假使雷射光21以數千赫茲的重複頻率而爲連續光或可被視爲半連續光，則當發射雷射光21時該關閉器29維持於開。假使雷射光爲數赫茲的頻率，貝[I該關閉器29以同於雷射振盪的時序開閉。 c婧先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .trβ 本紙垠尺度適用中囤國家摞準（CNS ) Λ4規格（2IOX297公釐）經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（）在此實施例中，線性運動導入器件30是如圖所示被用來垂直地移動關閉器29，其可被旋轉導入器件所取代，其中以旋轉導入器件尾端爲中心旋轉關閉器29以將之開或關。另外，它可被修改成有多個沿著周圍整齊排列之長縫的圓盤，其靠著馬達的推動而繞著中心旋轉且馬達的旋轉速度被控制與雷射光的重複頻率爲同時性。憑藉設置此關閉器結構可以減少阻尼產生沉積物，且因此非必要的不規則反射光被抑制，故處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。在如前述之第四至第六實施例中，以一淸洗氣體、局部排氣及一關閉器個別被使用的設備做爲例子，如果任意地把這些部件加以組合，則可更有效率地避免阻尼沉積反應產物。如前述之第一至第六實施例中使用的處理設備中的一化學活性氣體(反應氣體)，爲：氰化物、鹵化物與有機金屬化剖勿或類似物質° ， {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS) M规格（2ι〇χ 297公楚〉

Claims

I 418434 第87106757號專利申請案节請專利範圍修正本 A8 B8 C8 D8 87年06月02日修訂

六、申請專利範圍 1. —種製造LSI用之處理設備，包含：一腔室，具有光導入窗；提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置；及一可吹散氣體之裝置，位於該腔室內部，用以將對構成該光導入窗的材質爲非化學活性的氣體吹散至該光導入窗的內表面上。 2. —種製造LSI用之處理設備’包含： —腔室，具有光導入窗；、提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置；及 —排氣裝置，位於該腔室內部，用以將該化學活性氣體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰近空間。 3. —種製造LSI用之處理設備，包含： —腔室，具有光導入窗；提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置；及 —關閉器裝置，位於該腔室內部，用以開關該化學活性氣體通往光導入窗的內表面的入口。 4. 如申請專利範圍第1項所述之一種製造LSI用之處理設備，尙包含： —排氣裝置，位於該腔室內部，用以將該化學活性氣體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰近空間。 5. 如申請專利範圍第1項所述之一種製造LSI用之處理設備，尙包含： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局^貝工消費合作社印敦威------------1! 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（2丨0X297公釐）「、申請專利範圍 A8 ΰδ D8 ψ JJ 丨修丘?補充j .j. ·.! 經濟部中央標準局員工消费合作社印製一排氣裝置，位於該腔室內部，用以將該化學活性氣體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰近空間。 6. 如申請專利範圍第2項所述之一種製造LSI用之處理設備，尙包含：一排氣裝置，位於該腔室內部，用以將該化學活性氣體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰近空間。 7. —種製造LSI用之處理設備係包含一腔室，具有：一光阻尼，可減弱導入該腔室之雷射光；提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置；及一可吹散氣體之裝置以將對構成該光阻尼的材質爲非化學活性的氣體吹散至該光阻尼上。 8. —種製造LSI用之處理設備，包含：一腔室，其具有一可減弱導入該腔室之雷射光的光阻尼；提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置；及一排氣裝置以將該化學活性氣體排放出去而使該氣體不會到達該光阻尼的鄰近空間。. 9. 一種製造LSI用之處理設備，包含： . 一腔室，其具有一可減弱導入該腔室之雷射光的光阻尼；提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置；及一關閉器裝置以開關該化學活性氣體通往該光阻尼 19 (請先聞讀背面之注Ϊ項再填寫本頁) .裝- 線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210 X 297公釐） ABCD f 418434 申請專利範圍的入口。！--... 10. 如申請專利範圍第7項所述之一種製造LSI用之處理設備，尙包含：一關閉器裝置，用以開關該化性活潑氣體通往該光阻尼器的入口。 11. 如申請專利範圍第7項所述之一種製造LSI用之處理設備1尙包含： —排氣裝置，用以將該化性活潑氣體排放出去而使該氣體不會到達該光阻尼器的鄰近空間。 12. 如申請專利範圍第8項所述之一種製造LSI用之處理設備，尙包含：一關閉器裝置，用以開關該化性活潑氣體通往該光阻尼器的入口。 VS 裝--- (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 1), tr、、言二：、線_ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐）