TW418434B - Processing apparatus for fabricating LSI - Google Patents
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Description
經濟部中央標準局®:工消費合作社印褽 41B434 A 7 B7 五、發明説明() 發明背景 發明之頜域 本發明係關於製造LSI用之處理設備,其中一預定的氣 體被供給予一腔室中,以在基板上進行希望之處理。更詳 而言之,本發明關於一處理設備,其中雷射光從腔室外面 經由一腔室窗被導入其內部,用來偵測對希望之處理有不 良影響的微小粒子之出現情形,且可測量由漂浮在腔室內 之微小粒子而來的散射光。 相關技術之描沭 當雷射光經由一腔室窗被導入腔室,且由腔室內之微 小粒子(例如,灰塵)而來之散射光被測量時,會因爲許多原 因而產生欲測量之散射光以外的雜散光。這些雜散光係包 含:雷射光在窗表面的前面與後面產生的反射光;該設備 內壁上的不規則反射光;雷射光終止裝置上的不規則反射 光;及類似的光線等,且這些通常都比所欲測量的微弱散 射光更強。所以,爲了測量該種由微細粒子所產生之微弱 散射光,無可避免的要抑制前述反射光與不規則反射光。 爲達成此目的,此種裝置通常被修改成具有一抗反射膜塗 布在導入雷射光的窗(在下文中均指入射側窗)上,以減少反 射;或一光束阻隔器被做成黑色,以抑制不規則反射光。 其中,有多種用以降低由入射側窗所造成之雷射光的 多重反射光或由於雷射光之阻隔器之亂反射光之方法,該 等方法通常會使用一光阻尼,其被稱爲障板、Rayleigh hom 或之類的名稱。關於這些方法,被歸納說明於Tadao Tsurnta 3 本紙張尺度適用中國國家標孪{ CNS ) Λ4規格(210X 297公浼) --------,KWI — > ΐ請先閲If背面之注意事項再填寫本頁)
.1T 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明() "light i^encir’ JNieH Technology Commimication Co. 1984 ’.PP ?辨:其^中。 前述方法已被承認爲有效,但舉例來說,以下的情況 下會發生兩個問題:當一化學活性氣體(在下文中均稱爲活 性氣體)被置於腔室中且對半導體基板以化學反應進行一 薄膜形成製程時。 問題之一發生在雷射光的入射側窗。即,因爲入射側 窗的腔室內表面被暴露在一活性氣體中,該活性氣體與窗 之材質產生化學反應的產物會沉積在窗上。結果,沉積產 物的散射光會干擾微弱散射光的測量,其爲由微小粒子所 產生且具有重要性。另外,由於沉積產物的散射造成被導 入腔室之雷射光的強度減小,且由此造成由微小粒子而來 的微弱散射光更微弱了,此造成測量更不易。當雷射光的 強度大時,有時沉積產物會被散射而污染了腔室內部。 另一個問題是發生在雷射光的阻隔器。當雷射光被導 入腔室,一光阻尼被安裝在腔室內牆相對於入射側窗的位 置上用來作爲雷射光的阻隔器。該阻尼以理想上對光吸收 達100 %的材質所製造。然而,因爲任何材質一定具有一不 爲零的反射係數,如前述參考文獻所描述之障板、Rayleigh hom或一束剃刀片便被使用,以因多次反射而達到反射係 數趨近於零。假使這樣,因爲表面積增加,便產生了與前 述之腔室內表面的入射側窗相同的問題。即,由於反應產 物的沉積或阻尼表面沉積產物被強大雷射光所散射而污染 了腔室內部,會造成散射在阻尼表面的光增加。 4 本紙张尺度Ϊ4用中國國家ϋ ( CN_S_Ta4規格(2丨0X297^釐) ί請先閣1r背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 418434 at 五、發明説明() 因此,當在一使用活性氣體的處理設備中測量由腔室 中微小粒子而來的微弱散射光時’光是使用傳統上使用的 障板、Rayleigh horn或一束剃刀片等是不夠的。欲穩定基板 之製程情況,偵測處理設備之腔室中微小粒子的出現是重 要的工作。 發明槪要 本發明之目的爲提供一製造LSI用之處理設備,其可避 免因爲製造基板所用的氣體(一製程所用的氣體)而造成反 應產物沉積在處理腔室內表面之入射側窗與放射光終止裝 置的表面,藉此該腔室內部不會被污染且由腔室內部漂浮 或落下的微小粒子造成之微弱散射光可被測量。 爲達到上述目的,本發明提供一製造LSI用之處理設 備,包含:一腔室,具有光導入窗;提供一化學活性氣體 進入該腔室的裝置:及一可吹散氣體之裝置,位於前述腔 室內部,用以將對構成前述光導入窗的材質爲非化學活性 的氣體吹散至該光導入窗的內表面上。 依照本發明之其他實施態樣,提供一製造LSIffi_之處理 設備,包含:一排氣裝置,位於前述腔室內部,用以將前 述之化學活性氣體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗 的內表面的鄰近空間;或一關閉器裝置,位於前述腔室內 部,用以開關即述之化學活性氣體通往光導入窗的內表面 的入α。 依照本發明另一個實施態樣,提供一製造LSI用之處理 設備’包含:一腔室,其具有一可減弱導入該腔室之雷射 5 本紙張尺度適用中國國家標準Tc:NS )刎規格(2】0X297公~ (請先閱请背面之注意事項再填寫本頁) -AW.
-1T 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 五、發明説明() 光的光阻尼;提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置;及 一可吹散氣體之裝置,用以將對構成前述光阻尼的材質爲 非化學活性的氣體吹散至該光阻尼上。 依照本發明,對一製造LSI用之處理設備所包含之腔室 中之光導入窗或光阻尼的材質爲一非化學活性的氣體,被 以一可吹散氣體之裝置吹散至該光導入窗的內表面或該光 阻尼上。因爲這個原因,在針對基板進行的一希望的製程, 提供一化學活性氣體進入該腔室時,該活性氣體不會接觸 到該窗的內表面或該光阻尼,所以可避免反應產物沉積在 其上。結果,因爲非必要的不規則反射光不會發生在該光 導入窗的內表面或該光阻尼上,故以從光導入窗被導入腔 室之雷射光測量漂浮在腔室中之微小粒子產生的散射光 時,在處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測 量。另外,因爲沒有反應產物沉積在該光導入窗的內表面 或該光阻尼上,故即使增加雷射光的強度,該腔室內部亦 不會由於強大雷射光而造成反應產物散射而被污染。 當進一步配備排氣系統’其爲用來排出鄰近該光導入 窗的內表面或該光阻尼的周圍氣體,因爲鄰近該光導入窗 的內表面或該光阻尼的活性氣體濃度減少,由活性氣體而 來之反應產物沉積在該光導入窗的內表面或該光阻尼的可 能性就更小了。.結果,因爲非必要的散射反射光不會發生 在該光導入窗的內表面或該光阻尼上,故以導入腔室之雷 射光測量漂浮在腔室中之微小粒子產生的散射光時,在腔 室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量° 6 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙张尺度適用中國國家標準(〇呢)六4規格(21〇><297公费) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 丨 4Ί 8434 A7 B7 五、發明説明() 因爲配備一關閉器裝置用以開關一化學活性氣體通往 光導入窗的內表面或光阻尼的入口’通往光導入窗的內表 面或光阻尼的氣體入口只在當欲導入雷射光測量腔室中因 微小粒子造成之散射光時可被打開,而當雷射光未被導入 時則關閉。所以,當不是必須暴露至該氣體時,該光導入 窗的內表面或該光阻尼從不被暴露於該化學活性氣體中。 如前所述,本發明提供一製造LSI用之處理設備,包 含:一窗,雷射光經由它而被導入;與一光阻尼,其爲導 入之雷射光的終止裝置。該設備尙包含:一構造,使所欲 製程中注入腔室之化學活性氣體不會接觸到該窗的內表面 _或該光阻尼。憑藉此構造,可避免發生反應產物沉積在該 窗的內表面或該光阻尼上。所以,非必要的不規則反射光 不會發生在該窗的內表面與該光阻尼上,且發生在處理腔 室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。 圖式之簡單說明 圖1顯示本發明第一實施例中製造LSI用之處理設備的 部分剖面圖 . 圖2顯示本發明第二實施例中製造LSI用之處理設備的 部分剖面圖 圖3顯示本發明第三實施例中製造LSI用之處理設備的 部分剖面圖 圖4顯示本發明第四實施例中製造LSI用之處理設備的 部分剖面圖 (請先閱f背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標草(CNS ) Λ4規格(2丨0χ297公楚) 4184 3 4 Λ7 A 7 Β7 五、發明説明() 圖5顯示本發明第五實施例中製造LSI用之處理設備的 部分剖面圖 圖6顯示本發明第六實施例中製造LSI用之處理設備的 部分剖面圖 符號說明 11〜雷射光 12〜處理腔室 13〜窗 14〜凸出部分 15〜障板 16〜不規則反射光 17〜淸洗氣體入口 氣系統 19~關閉器 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 C請先閱前背面之注意事項再填寫本頁) 20〜線性運動導入器件 21〜雷射光 _ 22〜處理腔室 24〜凸出部分 25〜障板 '26〜不規則反射光 27〜淸洗氣體入口 28〜排氣系統 29〜關閉器 8 本紙張尺度適州中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公衮) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 4 10 4 34. 五、發明説明() 30〜線性運動導入器件 31〜阻尼 較佳實施例之詳細說明 以下將說明本發明之較佳實施例並參考以下圖式: 第一實施例 在此說明一製造LSI用之處 _設備尙包含一可吹散氣體 之構造以便可將淸洗氣體吹散至導入雷射光之窗的內表面 以避免反應產物沉積於導入雷射光之窗的內表面上。 圖1以最佳方式顯示本發明第一實施例中製造LSI用之 處理設備的部分剖面圖。 如圖1所示’此實施例中製造LSI用之處理設備係包含 一處理腔室12,其爲所欲製程注入活性氣體之處。處理腔 室12之外牆的一部份形成凸出部分14,其從外牆延伸出去 至空氣中。一入射的側窗(由一光可透射物質如玻璃所構成) 13,其爲雷射光11被導入的地方,被安裝以封住在凸出部 分14的開口端。凸出部分14內部設置一障板15以攔截當雷 射光被導入窗時,被導入處理腔室12之非必要的光線甚至 出現的不規則反射光16 〇 —抗反射的外膜被塗在窗13靠空 氣的表面以防止雷射光對窗13的透射率減低。一淸洗氣體 入口 17設置在凸出部分14 ’其爲一可吹散氣體之構造,用 來將淸洗氣體吹散至窗B的內表面。凸出部分14具有一效 應即該凸出部分14使得一定量之進入處理腔室12的不規則 9 本紙張尺度適用中國國家標聲(CNS ) Λ4規格(2丨0X297公釐) 、 (請先聞讀背面之注土9^項再填寫本買)
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 f 4184 3 4 Α7 Β7 五、發明説明() 反射光16減少。 在此種設備中,一活性氣體以一預先決定好之壓力被 置於處理腔室12中且該活性氣體會經由障板15形成之雷射 導入口而侵入至窗13 〇然而,因爲淸洗氣體如非化學活性 的氦氣或類似氣體從淸洗氣體入口 Π被沿著窗13的內表面 而導入,該淸洗氣體會覆蓋在窗13的內表面並被由處理腔 室12的排氣系統(圖上沒有顯示)吸進處理腔室12。因爲這個 原因,該活性氣體很難接觸到窗13且可避免化學反應生成 之產物沉積在窗13的內表面上。 前述之淸洗氣體可以是任何對構成窗之物質爲非化學 活性的氣體且除了氦氣之外,也可使用如該類氣體排第一 位的氬氣等稀有氣體、氮氣或類似氣體。淸洗氣體的流速 可以考慮腔室中的壓力及活性氣體的分壓等條件而決定。 憑此導入淸洗氣體的構造可以避免該入射的側窗之內 表面產生沉積物,且因此非必要的不規則反射光被抑制, 故處理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。 第二實施例 在此說明一製造LSI用之處理設備係包含一腔室,其爲 所欲製程注入活性氣體之處,該設備尙包含一排氣系統以 避免反應產物沉積於配備在腔室之導入雷射光之窗的內表 面上。 圖2以最佳方式顯示本發明第二實施例中製造LSI用之 處理設備的部分剖面圖。在此圖中,與第一實施例中相同 之組件被標以相同的編號。 10 ί請先閱C背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS } Λ4規格(210X29*7公漦) 丨 418434 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 Α7 Β7 '發明説明() 如圖2所示,此實施例中製造LSI用之處理設備設置一 排氣系統18,其與處理腔室12的排氣系統(圖上沒有顯示) 是不同的,其設置在具有與第一實施例中相似之窗13的處 理腔室12的凸出部分14內。亦即,此實施例爲與第一實施 例有相同的構造,除了第二實施例係設置了排氣系統18而 非如第一實施例的淸洗氣體入口。 在此種設備中,因爲安裝在凸出部分14的障板15使得 腔室側開口的凸出部分14被弄窄了,在排氣系統18的抽吸 下則凸出部分14的真空度被維持得較處理腔室12爲高。亦 即,使用排氣系統18會造成差別排氣。當活性氣體靠差別 排氣而從處理腔室12流入凸出部分14時,因爲該氣體在未 接觸窗13前即被排出,故可抑制活性氣體沉積在窗13的內 表面。由預先決定之處理腔室12的壓力及流進凸出部分14 的氣體流速可決定排氣系統18的排氣速度。 設置此種排氣系統可避免入射的側窗之內表面產生沉 積物,且因此非必要的不規則反射光被抑制,故處理腔室 中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量。 第三實施例 在此說明—製造LSI用之處理設備係包含一腔室,其爲 所欲製程注入活性氣體之處,該設備尙包含一關閉器結構 以避免反應產物沉積於配備在腔室之導入雷射光之窗的內 表面上。 圖3以最佳方式顯示本發明第三實施例中製造LSI用之 處理設備的部分剖面圖。在此圖中,與第一實施例中相同 ί請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 3. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2ίΟΧ297公釐) 418434 A7 B7 五、發明説明() 之組件被標以相同的編號。 如圖3所示,此實施例中製造LSI用之處理設備係包含 一關閉器19,其爲用來關閉設置在障板15處且爲氣體入口 之雷射導入口,被配置在類似第一實施例中設置有窗的處 理腔室12的凸出部分Η的光徑。該關閉器19被安裝至線性 運動導入器件20,其爲自凸出部分14向外延伸出去且可在 圖中的上下方向移動。此實施例以此種方式包含關閉器19 與線性運動導入器件2〇來取代第一實施例中的淸洗氣體入 □。 在此種設備中,只在當偵測到微細粒子的出現且可封 閉障板15的雷射導入口的關閉器19是開的時後才會操作該 線性運動導入器件2〇 〇反之,當沒有偵測到出現狀態時, 該關閉器19是關的。如雷射導入口被關閉器19密閉了,活 性氣體即不會侵入到障板15裡面。當關閉器19被如此的開 或關時,即不會因爲窗13內表面之非必要的反應而有產物 沉積其上。 假使雷射光11以數千赫茲的重複頻率而爲連續光或可 被視爲半連續光,則當發射雷射光11時該關閉器19維持於 開。假使雷射光爲數赫茲的頻率,則該關閉器19以同步於 雷射振盪之時序開閉。 在此實施例中,線性運動導入器件2〇是如圖所示被用 來垂直地移動關閉器19,其可被旋轉導入器件所取代,其 中以旋轉導入器件尾端爲中心旋轉關閉器丨9以將之開或 關。另外’它可被修改成有多個沿著周圍整齊排列之長縫 12 本紙^尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(21〇x 297^^y -— '~~ ——.------ο! (請先閲f背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 418434 五、發明説明() 的圓盤,其靠著馬達的推動而繞著中心旋轉且馬達的旋轉 速度被控制與雷射光的重複頻率爲同時性。 憑藉設置關閉器結構可以避免該入射的側窗之內表面 產生沉積物,且因此非必要的不規則反射光被抑制,故處 理腔室中由微小粒子造成之微弱散射光可被測量》 在如前述之第一至第三實施例中,以一淸洗氣體、局 部排氣及一關閉器個別被使用的設備做爲例子,如果任意 地把這些部件加以組合,則可更有效率地避免側窗之內表 面沉積反應產物。 第四實施例 在此說明一製造LSI用之處理設備係包含一腔室,其爲 所欲製程注入活性氣體之處,該設備尙包含一可吹散氣體 之構造以便可將淸洗氣體吹散至一阻尼上,其爲導入腔室 之雷射光的終止裝置,以避免反應產物沉積於阻尼的表 面。 圖4以最佳方式顯示本發明第四實施例中製造LSI用之 處理設備的部分剖面圖。 如圖4所示,此實施例中製造LSI用之處理設備係包含 一處理腔室22,其爲所欲製程注入活性氣體之處。處理腔 室22之外牆在與導入雷射光之附帶側窗相對應之處,形成 延伸至空氣中之凸出部分24。一阻尼31被配置在凸出部分 24之底部,其爲導入腔室之雷射光的終止裝置。該阻尼31 是由一束每片形狀皆如剃刀片的黑色金屬板所構成且雷射 光21在葉片間被反覆地多次反射以使大部分的雷射光21被 f請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) hx. 本紙浪尺度適中國K家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局負工消f合作社印製 4 VS434 五、發明説明() 吸收。一部分到達阻尼31的入射雷射光21會如不規則反射 光般折回至處理腔室22中。爲抑制此情形’ 一障板25被設 置在凸出部分24內。用來導引淸洗氣體至阻尼31的淸洗氣 體入口27設置在凸出部分24。凸出部分24具有一效應使得 —定量之進入處理腔室22的不規則反射光26減少。 在此種設備中,一活性氣體(例如氧氣及氫氣)存在於處 理腔室22中且該活性氣體會經由障板25形成之雷射導入口 而侵入至位於凸出部分24底部的阻尼31處◊然而,淸洗氣 體如非化學活性的氦氣等從淸洗氣體入口 27被導入至阻尼 31,藉此該淸洗氣體會充滿在阻尼31所在的空間中且接著 被處理腔室22的排氣系統(圖上沒有顯示)吸進處理腔室22 中。因爲這個原因,該活性氣體很難接觸到阻尼31且因此 可避免化學反應生成之產物沉積在阻尼31上。 該淸洗氣體可以是任何對構成阻尼之物質爲非化學活 性的氣體且除了氦氣之外,也可使用如該類氣體排第一位 的氬氣等稀有氣體或氮氣等。淸洗氣體的流速只需考慮處 理腔室中的壓力及活性氣體的分壓等條件而決定。 憑此方式導入淸洗氣體可以避免阻尼產生沉積物,且 .因此非必要的不規則反射光被抑制,故處理腔室中由微小 粒子造成之微弱散射光可被測量。 ' 第五實施例 在此說明一製造LSI用之處理設備係包含一腔室,其爲 所欲製程注入活性氣體之處,該設備尙包含一排氣系統以 避免反應產物沉積於阻尼上,其爲導入腔室之雷射光的終 _ 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) f请先閲资背面之注意事項再填寫本頁}
經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 a )3434 五、發明説明() 止裝置。 圖5以最佳方式顯示本發明第五實施例中製造LSI用之 處理設備的部分剖面圖。在此圖中,與第四實施例中相同 之組件被標以相同的編號。 如圖5所示,此實施例中製造LSI用之處理設備設置一 排氣系統28,其與處理腔室22的排氣系統(圖上沒有顯示) 是不同的,其設置在具有與第四實施例中相似之配備阻尼 31的處理腔室22的凸出部分24內。亦即,此實施例爲與第 四實施例有相同的構造,除了第五實施例係設置了排氣系 統28而非如第四實施例的淸洗氣體入口。 在此種設備中,因爲安裝在凸出部分24的障板25使得 腔室側開口的凸出部分24被弄窄了,在排氣系統28的抽吸 下則凸出部分24的真空度被維持得較處理腔室22爲高。即 使用排氣系統18會造成差別排氣。因爲產生這樣的差別排 氣,當活性氣體從處理腔室22流入凸出部分24時,該活性 氣體在未接觸阻尼31前即被排出,故可抑制活性氣體沉積 在阻尼31上。由預先決定之處理腔室22的壓力及流進凸出 部分24的氣體流速可決定排氣系統28的排氣速度。 . 設置此種排氣系統可避免阻尼31產生沉積,且因此非 必要的不規則反射光被抑制,故處理腔室中由微小粒子造 成之微弱散射光可被測量。 第六實施例 在此說明一製造LSI用之處理設備係包含一腔室,其爲 所欲製程注入活性氣體之處,該設備尙包含一關閉器結構 15 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公漦) ί請先閱,请背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ί 418434 Α7 ___Β7 __ 五、發明説明() 以避免反應產物沉積於阻尼上,其爲導入腔室之雷射光的 終止裝置。 圖6以最佳方式顯示本發明第六實施例中製造LSI用之 處理設備的部分剖面圖。在此圖中,與第四實施例中相同 之組件被標以相同的編號。 如圖6所示,此實施例中製造LSI用之處理設備係包含 一關閉器29,其爲用來關閉設置在障板25處且爲氣體入口 之雷射導入口,被配置在類似第四實施例中設置有阻尼31 的處理腔室22的凸出部分24的光徑。該關閉器29被安裝至’ 線性運動導入器件3〇,其爲自凸出部分24向外延伸出去且 可在圖中的上下方向移動。此實施例以此種方式包含關閉 器29與線性運動導入器件30來取代第四實施例中的淸洗氣 體入口。 在此種設備中,只在當偵測到微細粒子的出現且可封 閉障板25的雷射導入口的關閉器29是開的時後才會操作該 線性運動導入器件30 〇反之,當沒有偵測到出現狀態時, 該關閉器29是關的。如雷射導入口被關閉器29密閉了,活 性氣體即不會侵入到障板25裡面。當關閉器29被如此的開 或關時,即不會因爲阻尼31之非必要的反應而有產物沉積 ,其上。 假使雷射光21以數千赫茲的重複頻率而爲連續光或可 被視爲半連續光,則當發射雷射光21時該關閉器29維持於 開。假使雷射光爲數赫茲的頻率,貝[I該關閉器29以同於雷 射振盪的時序開閉。 c婧先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .trβ 本紙垠尺度適用中囤國家摞準(CNS ) Λ4規格(2IOX297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明() 在此實施例中,線性運動導入器件30是如圖所示被用 來垂直地移動關閉器29,其可被旋轉導入器件所取代,其 中以旋轉導入器件尾端爲中心旋轉關閉器29以將之開或 關。另外,它可被修改成有多個沿著周圍整齊排列之長縫 的圓盤,其靠著馬達的推動而繞著中心旋轉且馬達的旋轉 速度被控制與雷射光的重複頻率爲同時性。 憑藉設置此關閉器結構可以減少阻尼產生沉積物,且 因此非必要的不規則反射光被抑制,故處理腔室中由微小 粒子造成之微弱散射光可被測量。 在如前述之第四至第六實施例中,以一淸洗氣體、局 部排氣及一關閉器個別被使用的設備做爲例子,如果任意 地把這些部件加以組合,則可更有效率地避免阻尼沉積反 應產物。 如前述之第一至第六實施例中使用的處理設備中的一 化學活性氣體(反應氣體),爲:氰化物、鹵化物與有機金屬 化剖勿或類似物質° , {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS) M规格(2ι〇χ 297公楚〉
Claims (1)
- I 418434 第87106757號專利申請案节請專利範圍修正本 A8 B8 C8 D8 87年06月02日修訂六、申請專利範圍 1. —種製造LSI用之處理設備,包含: 一腔室,具有光導入窗; 提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置;及 一可吹散氣體之裝置,位於該腔室內部,用以將對構 成該光導入窗的材質爲非化學活性的氣體吹散至該光導 入窗的內表面上。 2. —種製造LSI用之處理設備’包含: —腔室,具有光導入窗; 、 提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置;及 —排氣裝置,位於該腔室內部,用以將該化學活性氣 體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰 近空間。 3. —種製造LSI用之處理設備,包含: —腔室,具有光導入窗; 提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置;及 —關閉器裝置,位於該腔室內部,用以開關該化學活 性氣體通往光導入窗的內表面的入口。 4. 如申請專利範圍第1項所述之一種製造LSI用之處 理設備,尙包含: —排氣裝置,位於該腔室內部,用以將該化學活性氣 體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰 近空間。 5. 如申請專利範圍第1項所述之一種製造LSI用之處 理設備,尙包含: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局^貝工消費合作社印敦 威------------1! 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4現格(2丨0X297公釐) 「、申請專利範圍 A8 ΰδ D8 ψ JJ 丨修丘?補充j .j. ·.! 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 一排氣裝置,位於該腔室內部,用以將該化學活性氣 體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰 近空間。 6. 如申請專利範圍第2項所述之一種製造LSI用之處 理設備,尙包含: 一排氣裝置,位於該腔室內部,用以將該化學活性氣 體排放出去而使該氣體不會到達光導入窗的內表面的鄰 近空間。 7. —種製造LSI用之處理設備係包含一腔室,具有: 一光阻尼,可減弱導入該腔室之雷射光; 提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置;及 一可吹散氣體之裝置以將對構成該光阻尼的材質爲 非化學活性的氣體吹散至該光阻尼上。 8. —種製造LSI用之處理設備,包含: 一腔室,其具有一可減弱導入該腔室之雷射光的光阻 尼; 提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置;及 一排氣裝置以將該化學活性氣體排放出去而使該氣 體不會到達該光阻尼的鄰近空間。. 9. 一種製造LSI用之處理設備,包含: . 一腔室,其具有一可減弱導入該腔室之雷射光的光阻 尼; 提供一化學活性氣體進入該腔室的裝置;及 一關閉器裝置以開關該化學活性氣體通往該光阻尼 19 (請先聞讀背面之注Ϊ項再填寫本頁) .裝- 線- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规格(210 X 297公釐) ABCD f 418434 申請專利範圍 的入口。 !--... 10. 如申請專利範圍第7項所述之一種製造LSI用之 處理設備,尙包含: 一關閉器裝置,用以開關該化性活潑氣體通往該光阻 尼器的入口。 11. 如申請專利範圍第7項所述之一種製造LSI用之 處理設備1尙包含: —排氣裝置,用以將該化性活潑氣體排放出去而使該 氣體不會到達該光阻尼器的鄰近空間。 12. 如申請專利範圍第8項所述之一種製造LSI用之 處理設備,尙包含: 一關閉器裝置,用以開關該化性活潑氣體通往該光阻 尼器的入口。 VS 裝--- (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 1), tr、 、言 二:、線_ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9113949A JP2953426B2 (ja) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | Lsi製造用プロセス装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW418434B true TW418434B (en) | 2001-01-11 |
Family
ID=14625254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087106757A TW418434B (en) | 1997-05-01 | 1998-04-29 | Processing apparatus for fabricating LSI |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6042650A (zh) |
JP (1) | JP2953426B2 (zh) |
KR (1) | KR100269712B1 (zh) |
CN (1) | CN1198589A (zh) |
TW (1) | TW418434B (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4162773B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2008-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置および検出窓 |
WO2001061291A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Varian Australia Pty Ltd | Optical shutter for spectroscopy instrument |
TW580735B (en) * | 2000-02-21 | 2004-03-21 | Hitachi Ltd | Plasma treatment apparatus and treating method of sample material |
JP2001250779A (ja) | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Nec Corp | 基板処理装置のプロセスマージン決定方法、およびかかるプロセスマージン決定方法を使った基板処理方法 |
JP2002057143A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-22 | Hitachi Ltd | 浮遊異物検出装置 |
US6904477B2 (en) * | 2001-04-13 | 2005-06-07 | Sun Microsystems, Inc. | Virtual host controller interface with multipath input/output |
US6669347B2 (en) | 2002-04-19 | 2003-12-30 | Lockheed Martin Corporation | Window baffles |
KR20050053715A (ko) * | 2002-09-30 | 2005-06-08 | 도쿄 일렉트론 가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 시스템을 구비한 광학 시스템용 장치 및방법 |
US6863772B2 (en) * | 2002-10-09 | 2005-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Dual-port end point window for plasma etcher |
US20060185793A1 (en) * | 2004-01-11 | 2006-08-24 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system |
JP2008226991A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
KR100851922B1 (ko) | 2007-08-31 | 2008-08-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
JP5383369B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2014-01-08 | 三菱重工業株式会社 | ガス分析装置 |
JP5563132B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2014-07-30 | 三菱重工業株式会社 | ガス分析装置 |
US10269599B2 (en) * | 2014-06-20 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus |
US11670490B2 (en) * | 2017-09-29 | 2023-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector |
US10818479B2 (en) * | 2017-11-12 | 2020-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Grounding cap module, gas injection device and etching apparatus |
KR102516885B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2023-03-30 | 삼성전자주식회사 | 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5975621A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光化学反応による膜形成装置 |
JPS6052014A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
JPS60128265A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-09 | Nec Corp | 気相薄膜形成装置 |
JPS60236230A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光励起ガス分解基板処理方法 |
JPH0622222B2 (ja) * | 1984-09-18 | 1994-03-23 | 株式会社東芝 | 光処理装置 |
JPH0740563B2 (ja) * | 1986-07-30 | 1995-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 光導入窓の曇防止装置 |
JPS63143264A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-15 | Kobe Steel Ltd | 光励起反応装置の光透過窓 |
US4919077A (en) * | 1986-12-27 | 1990-04-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus |
JP2755393B2 (ja) | 1988-08-18 | 1998-05-20 | ハイ・イールド・テクノロジー・インコーポレイテッド | 小型粒子束モニタ |
JP3060491B2 (ja) * | 1990-07-10 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | 常圧cvd装置 |
JP3038413B2 (ja) * | 1990-12-21 | 2000-05-08 | 大阪瓦斯株式会社 | 光cvd法による膜作成装置 |
JP2563052B2 (ja) * | 1992-12-25 | 1996-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3153666B2 (ja) * | 1993-01-14 | 2001-04-09 | シャープ株式会社 | 気相成長装置およびその気相成長方法 |
KR0167827B1 (ko) * | 1996-02-06 | 1999-01-15 | 이종훈 | 광학창 교체장치가 구비된 광화학기상증착장치 및 광학창 교체방법 |
-
1997
- 1997-05-01 JP JP9113949A patent/JP2953426B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-29 TW TW087106757A patent/TW418434B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-01 KR KR1019980015789A patent/KR100269712B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-05-01 US US09/070,750 patent/US6042650A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-04 CN CN98101758A patent/CN1198589A/zh active Pending
-
2000
- 2000-02-15 US US09/504,435 patent/US6284049B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6284049B1 (en) | 2001-09-04 |
US6042650A (en) | 2000-03-28 |
JP2953426B2 (ja) | 1999-09-27 |
KR100269712B1 (ko) | 2000-10-16 |
JPH10308333A (ja) | 1998-11-17 |
CN1198589A (zh) | 1998-11-11 |
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