JP3060491B2 - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
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- JP3060491B2 JP3060491B2 JP2182046A JP18204690A JP3060491B2 JP 3060491 B2 JP3060491 B2 JP 3060491B2 JP 2182046 A JP2182046 A JP 2182046A JP 18204690 A JP18204690 A JP 18204690A JP 3060491 B2 JP3060491 B2 JP 3060491B2
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- Japan
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- pressure cvd
- cvd apparatus
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- injector
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板に薄膜を形成する常圧CVD装置
に関する。
に関する。
〔従来の技術〕 第４図は従来の常圧CVD装置の一例を示す主要部の断
面図である。従来、この種の常圧CVD装置は、例えば、
第４図に示すように、モノシランガス及び各種ドーピン
グガスと酸素を供給するインジェクタ５と、ウェーハ７
を載置し、加熱する搭載部６とを有していた。この常圧
CVD装置を使用して、半導体基板であるウェーハに薄膜
を形成するには、ウェーハ７を搭載部６に載置し、イン
ジェクタ５よりモノシランガスを供給する。このことに
より、供給ガスは搭載部６上で350〜450℃に温められた
ウェーハ７上で反応し、CVD膜が堆積する。また、反応
しなかったガスは、ガス排気穴４に排気される。ここ
で、インジェクタ５とウェーハ７との間で気相反応が起
きたとき、浮遊塵埃が発生し、搭載部６に載せられたウ
ェーハ７上にこの塵埃が堆積し、突起物を形成すること
がある。この対策のために、浮遊塵埃が発生しないよう
に、ガスの供給量，ヘッド排気圧を変えて、何回かを試
み、適切な成膜条件を求めて、薄膜を形成していた。
面図である。従来、この種の常圧CVD装置は、例えば、
第４図に示すように、モノシランガス及び各種ドーピン
グガスと酸素を供給するインジェクタ５と、ウェーハ７
を載置し、加熱する搭載部６とを有していた。この常圧
CVD装置を使用して、半導体基板であるウェーハに薄膜
を形成するには、ウェーハ７を搭載部６に載置し、イン
ジェクタ５よりモノシランガスを供給する。このことに
より、供給ガスは搭載部６上で350〜450℃に温められた
ウェーハ７上で反応し、CVD膜が堆積する。また、反応
しなかったガスは、ガス排気穴４に排気される。ここ
で、インジェクタ５とウェーハ７との間で気相反応が起
きたとき、浮遊塵埃が発生し、搭載部６に載せられたウ
ェーハ７上にこの塵埃が堆積し、突起物を形成すること
がある。この対策のために、浮遊塵埃が発生しないよう
に、ガスの供給量，ヘッド排気圧を変えて、何回かを試
み、適切な成膜条件を求めて、薄膜を形成していた。
この従来の常圧CVD装置では、成膜条件を抽出するた
めに、浮遊塵埃の状態を検知する手段を備えていないの
で、種々の条件で成膜を行ってみて、その結果で、最適
と思われる条件で成膜を行っていたため、この条件出し
に多大な工数を浪費する。このために、成膜中に浮遊塵
埃の発生状態を検知するのに、直進する単色光による照
射させて測定する塵埃測定器を用いて、直進光が塵埃に
より散乱し、その散乱光を適確に補捉することが出来
ず、正確に発塵状態を観察することが困難である。
めに、浮遊塵埃の状態を検知する手段を備えていないの
で、種々の条件で成膜を行ってみて、その結果で、最適
と思われる条件で成膜を行っていたため、この条件出し
に多大な工数を浪費する。このために、成膜中に浮遊塵
埃の発生状態を検知するのに、直進する単色光による照
射させて測定する塵埃測定器を用いて、直進光が塵埃に
より散乱し、その散乱光を適確に補捉することが出来
ず、正確に発塵状態を観察することが困難である。
本発明の目的は、かかる欠点を解消するために、浮遊
塵埃を正確に検出することによって、短時間で成膜条件
が得られる常圧CVD装置を提供することである。
塵埃を正確に検出することによって、短時間で成膜条件
が得られる常圧CVD装置を提供することである。
本発明の特徴は、成膜用ガスを供給するインジェクタ
と、このインジェクタと成膜されるウェーハとの空間を
囲むように配置されるとともに前記空間中に直進する単
色光が前記空間中にある塵埃に衝突し発生する散乱光を
収集する散乱光検出部と、前記空間中を直進する前記単
色光を受光する単色光受光部とを備え、前記散乱光検出
部または前記単色光受光部のいずれかに発生する光電流
の有無により前記塵埃の有無を判定する常圧CVD装置で
ある。
と、このインジェクタと成膜されるウェーハとの空間を
囲むように配置されるとともに前記空間中に直進する単
色光が前記空間中にある塵埃に衝突し発生する散乱光を
収集する散乱光検出部と、前記空間中を直進する前記単
色光を受光する単色光受光部とを備え、前記散乱光検出
部または前記単色光受光部のいずれかに発生する光電流
の有無により前記塵埃の有無を判定する常圧CVD装置で
ある。
次に本発明について、図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例の常圧CVD装置の主要部を示す断
面図、第２図は第１図のAA線断面図、第３図は第１図の
BB線断面図である。この常圧CVD装置は、第１図，第２
図及び第３図に示すように、インジェクタ５とウェーハ
７を載置する搭載部６とを囲むように散乱光検出部３
と、ウェーハ７とインジェクタ５との間に光が通過する
ように同光軸上に対向してレーザ発光部１とレーザ受光
部２とを設けたことである。それ以外は、従来例と同じ
である。
図は本発明の一実施例の常圧CVD装置の主要部を示す断
面図、第２図は第１図のAA線断面図、第３図は第１図の
BB線断面図である。この常圧CVD装置は、第１図，第２
図及び第３図に示すように、インジェクタ５とウェーハ
７を載置する搭載部６とを囲むように散乱光検出部３
と、ウェーハ７とインジェクタ５との間に光が通過する
ように同光軸上に対向してレーザ発光部１とレーザ受光
部２とを設けたことである。それ以外は、従来例と同じ
である。
次に、この常圧CVD装置の動作について説明する。ま
ず、インジェクタ５とウェーハ７との間で気相反応が起
こり、浮遊塵埃が発生すると、レーザ発光部１から発光
されたレーザーが浮遊塵埃に当たり散乱反射をおこす。
これが散乱光検出部３に検出され、成長条件の不備を検
知させる。また、浮遊塵埃が発生しない場合は、レーザ
発光部１から発光されたレーザ光は直進し、レーザ受光
部２に受光されて、散乱光検出部３には検知されない。
このように、散乱光検出部３から得られる光電流がなけ
れば、浮遊塵はないことになる。このことを利用して、
常圧CVD装置の条件設定すれば、塵埃が付着しない成膜
が得られる。第５図は第１図の常圧CVD装置のヘッド排
気圧と発塵数の関係を示したグラフである。上述したよ
うに、散乱光及び直進光を収集することにおり発塵数を
検出する検出機構を設けた常圧CVD装置で、そのヘッド
排気圧と発塵数を調査してみたところ、第５図の結果が
得られた。すなわち、ヘッド気圧が小さいときは、発塵
数（0.3ミクロン以上）が1000個レベルと多く、5mmH2O
あたりで20個レベル以下の極小値をもつ、そしてそれ以
上にしていくとやや上昇傾向になっている。このことに
より、常圧CVD装置の成膜条件としては、5mmH2Oのヘッ
ド気圧が最適条件であることを確認した。また、実際
に、この条件で製作された成膜上の凸起物を観察したと
ころ、上述の塵埃数とほぼ一致した。
ず、インジェクタ５とウェーハ７との間で気相反応が起
こり、浮遊塵埃が発生すると、レーザ発光部１から発光
されたレーザーが浮遊塵埃に当たり散乱反射をおこす。
これが散乱光検出部３に検出され、成長条件の不備を検
知させる。また、浮遊塵埃が発生しない場合は、レーザ
発光部１から発光されたレーザ光は直進し、レーザ受光
部２に受光されて、散乱光検出部３には検知されない。
このように、散乱光検出部３から得られる光電流がなけ
れば、浮遊塵はないことになる。このことを利用して、
常圧CVD装置の条件設定すれば、塵埃が付着しない成膜
が得られる。第５図は第１図の常圧CVD装置のヘッド排
気圧と発塵数の関係を示したグラフである。上述したよ
うに、散乱光及び直進光を収集することにおり発塵数を
検出する検出機構を設けた常圧CVD装置で、そのヘッド
排気圧と発塵数を調査してみたところ、第５図の結果が
得られた。すなわち、ヘッド気圧が小さいときは、発塵
数（0.3ミクロン以上）が1000個レベルと多く、5mmH2O
あたりで20個レベル以下の極小値をもつ、そしてそれ以
上にしていくとやや上昇傾向になっている。このことに
より、常圧CVD装置の成膜条件としては、5mmH2Oのヘッ
ド気圧が最適条件であることを確認した。また、実際
に、この条件で製作された成膜上の凸起物を観察したと
ころ、上述の塵埃数とほぼ一致した。
ここで、この散乱光を受光する散乱光検出部３は、大
型になり、通常の光検出器では、高価になるので、市販
の太陽電池パネルを使用した。
型になり、通常の光検出器では、高価になるので、市販
の太陽電池パネルを使用した。
以上説明したように本発明は、ガスを供給するインジ
ェクターとウェーハとの間を囲むように発生する塵埃か
ら反射される散乱光を収集する受光検出部を設けること
によって、発生塵埃数を適確に検知することが出来る。
従って、成膜条件を容易に、かつ短時間に設定し、成膜
出来る常圧CVD装置が得られるという効果がある。
ェクターとウェーハとの間を囲むように発生する塵埃か
ら反射される散乱光を収集する受光検出部を設けること
によって、発生塵埃数を適確に検知することが出来る。
従って、成膜条件を容易に、かつ短時間に設定し、成膜
出来る常圧CVD装置が得られるという効果がある。
第１図は、本発明の一実施例を示す常圧CVD装置の主要
部の断面図、第２図は第１図のAA線断面図、第３図は第
１図のBB線断面図、第４図は従来の常圧CVD装置の一例
を示す主要部の断面図、第５図は第１図の常圧CVD装置
のヘッド排気圧と発塵数との関係を示すグラフである。 １……レーザ発光部、２……レーザ受光部、３……散乱
光検出部、４……ガス排気穴、５……インジェクタ、６
……搭載部、７……ウェーハ。
部の断面図、第２図は第１図のAA線断面図、第３図は第
１図のBB線断面図、第４図は従来の常圧CVD装置の一例
を示す主要部の断面図、第５図は第１図の常圧CVD装置
のヘッド排気圧と発塵数との関係を示すグラフである。 １……レーザ発光部、２……レーザ受光部、３……散乱
光検出部、４……ガス排気穴、５……インジェクタ、６
……搭載部、７……ウェーハ。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/365 C23C 16/00 - 16/56
Claims (1)
- 【請求項１】成膜用ガスを供給するインジェクタと、こ
のインジェクタと成膜されるウェーハとの空間を囲むよ
うに配置されるとともに前記空間中に直進する単色光が
前記空間中にある塵埃に衝突し発生する散乱光を収集す
る散乱光検出部と、前記空間中を直進する前記単色光を
受光する単色光受光部とを備え、前記散乱光検出部また
は前記単色光受光部のいずれかに発生する光電流の有無
により前記塵埃の有無を判定することを特徴とする常圧
CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182046A JP3060491B2 (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182046A JP3060491B2 (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468521A JPH0468521A (ja) | 1992-03-04 |
| JP3060491B2 true JP3060491B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=16111399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182046A Expired - Lifetime JP3060491B2 (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3060491B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2953426B2 (ja) * | 1997-05-01 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | Ｌｓｉ製造用プロセス装置 |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2182046A patent/JP3060491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0468521A (ja) | 1992-03-04 |
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