TW413834B - Semiconductor device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 158
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 223
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 223
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 claims description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 3
- 241000282994 Cervidae Species 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000001613 Gambling Diseases 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000288667 Tupaia glis Species 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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413834 五、發明說明(1) 【發明所屬之技術領域】 本發明提供一種可對電路基板等安骞對象進行面安裝 之樹脂封裝型半導體裝置,特別是有關於適用在光感測器 之發光部或受光部之半導體裝置。 【背景技術】 附圖中的第29圖及第3〇圖為顯示習知典型之樹脂封裝 型半導體裝置。該半導體裝置γ係由金屬板鏤空等方法所 得之引線架所製造而成’亦即構成作為框架型發光二極體 (LED)之半導體裝置。 具體而言’前述發光二極體γ具備:分別具有内部端 子10、20及外部端子11、21之一對導腳!、2 ;裝載於一侧 導聊1之内部端子1〇之半導體晶片(發光元件)3 ;用以將此 發光元件3上面30連接於另一導腳2的内部端子2〇之搭接線 ff ;用以包封兩導腳1、2之内部端子10、2〇、發光元件3及 搭接線W之樹脂封裝件4 ^其中樹脂封裝件4内之發光元件3 正上方形成有半球狀之凸透鏡4 6。而各外部端子η、21分 別脊曲成曲軸狀,其前端部11a、21a則與樹脂封裝件4之 底面45大致在同一平面上。 以此構成之發光二極體γ可用在對於電路基板等安裝 對象5進行面安裝之各種光源,例如作為光感測器之發光 ) 部等。利用前述發光二極體γ對安裝對象進行面安裝時, , 一般係採用所謂的回流焊接法β使用這種回流焊接法之發 光二極體Υ安裝方法係事先於例如各外部端子丨1、2丨前端 ’ 部11a、21a塗布焊膏,使各前端部Ua、2U與安裝對象5 ,
C:VProgram Files\Patent\310619.ptd 第4頁 413834 五、發明說明(2) 象^之子焊墊5〇相互對應,定位載置發光二極體Y於安裝對 發朵_位置,再將此發光二極體Y搬入回流焊接爐内以進行 極體Υ之安裝。此回流焊接爐中的焊膏在加熱至 左右時會再熔化,但只要使該熔化之焊料固化,發 一極體便可固定安裝於安裝對象5上β
Vg Q 丄 實,由於前述發光二極體¥安裝於安裝對象5的位置 :亡只限於各外部端子u、21之前端部^ &,因此 說,二極體γ的安裝狀態便被限定在單一形式。換句話 面,^装,光二極體時,若以發光元件3上面30作為發光 法银*光二極體則只能朝向安裝對象5的上方發光,而無 平_ :裝對象5發射平行光。所以,為了對安裝對象5發射 /能,在發光面便需要其他垂直於樹脂封裝件4底面 t ^面)之發光二極體。如此一來,以往的發光二極體 I f生必需配合發光方向而分開使用的缺點。採用受光 丰半導體晶片3以構成光電二極體或光電電晶體之 ^導體裝置也會產生相同的缺失。 【發明之開示】 车,本發明之目的在於提供一種可解決前述問題之 牛導體裝置。 皁莫本發明之第1樣態’可提供一種半導體裝置,該 極之ΐι道置具備:半導體晶片 '連接於該半導體晶片某一 &腳、連接於前述半導體晶片另一極之第2導腳、 封刖述半導體晶片、第1導腳之内部端子及第2導腳 "端子之樹脂封裴件;其中,前述樹脂封裝件具有第 第5頁 C:\Program Files\P&tent\310619.ptd 413834
五、發明說明(3) 1首至^ 4之侧面、上面以及底面,前述第1及第2導腳則分別 二備至少一個沿著前述樹脂封裝件之第丨至第4側面當中的 4 —侧面以及底面延伸之外部端子。 依據以上之構成,於樹脂封裝件至少丨個侧面及底面 ,形成有-個陽極/陰極冑。因此於電路基板 =安裝半導體裝置時,也可選擇上述侧面或 面作為安裝面。 :據本發明之-個實施形態,前述I導腳 侧面延伸之下垂部、由m著!述樹脂封裝件之第1 ^^ 此下垂#沿者前述樹脂封裝件之底 q /a, ^ 低面部沿著前述樹脂封裝件之第 3側面延伸之豎起(riser)部;前述第2導腳之外牛第 有:由相對應之内部端子沿荖俞呼 ·" 证柚—f如丄觸卞著剛述樹赌封裝件之第1侧面 伸t Α π、β i b 著前述樹脂封裝件之底面延 ° 底面部沿著與前述樹脂封裝件第3侧 面相反侧之第4側面延伸之豎起部。 了裝件第d 根據本發明之另 <—實雜报能 -XU 子具有:由相對應Μ部端述第1導腳之外部端 ,Ml] ^ M -Γ ^ Ζ °丨端子沿著前述樹脂封裝件之第1 s , σ 此下垂部沿著前述樹脂封裝件之底 3侧面延伸之置起部;前述第樹脂封裝件之第 對應之内部端子沿著與前述榭m外部端子具有··由相 第2侧面延伸之下垂部與、了:下 之底面延伸《底面冑、及由此底而部/著前述樹脂封裝件 由此底面部沿著前述樹脂封裝件
國 第6頁 C:\Program Files\Patent\310619.ptd 413834 五、發明說明(4) ----- 第3侧面延伸之豎起部。 威早據明之又一實施形態,前述第1導腳之外部 3側面趾蚀子目對應之内部端子沿著前述樹脂封裝件之第 .' 下垂部、由此下垂部沿著前述樹脂封裝件之 之-面部、由此底面部沿著前述樹脂封裝件之第 3侧面延伸之豎起部;前述仏導腳之外部端子具有:由相 對應之内部端子著刖述樹脂封震件之第3侧面延伸之下 垂邠由此下垂部沿著前述樹脂封裝件之底面延伸之底面 部、由此底面部沿著與前述樹脂封裝件第1侧面相反側之 第2面延伸之豎起部。 根據本發明之再一實施形態,前述第丨導腳之外部端 子具有兩個分枝部,其中一個分枝部沿著前述樹脂封裝件 之第1侧面及底面折曲;前述第2導腳之外部端子亦具有兩 個分枝部’其中一個分枝部沿著前述樹脂封裝件之第1侧 面及底面折曲。同時,前述第1導腳之外部端子另一分枝 部沿著前述樹脂封裝件之第1側面延伸,超越並突出於第3 侧面;前述第2導腳之外部端子另一分枝部沿著前述樹脂 封裝件之第1侧面延伸,且超越並突出於與第3侧面相反侧 之第4侧面。或者,前述第1導腳之外部端子另一分枝部係 沿著前述樹脂封裝件之第1側面及第3侧面折曲;前述第2 導腳之外部端子另一分枝部沿著前述樹脂封裝件之第1侧 面延伸,同時沿著與第3侧面相反侧之第4侧面曲折。 根據本發明之又一實施形態,前述第1導腳之外部端 子具有兩個分枝部,其中一個分枝部沿著前述樹脂封裝件
第7頁 C:\Program Files\Patent\310619.ptd 413834 五、發明說明(5) 之第1側面及底面折曲,另一分枝部沿著前述樹脂封裝件 之第1侧面及第3侧面折曲;前述第2導腳之外部端子亦具 有兩個分枝部,其中一個分枝部沿著與前述樹脂封裝件之 第1侧面相對之第2側面及底面折曲,另一分枝部則沿著前 述樹脂封裝件之第2侧面及第3側面折曲。 根據本發明之再另一實施形態,前述第〗導腳之外部 端子具有兩個分枝部,其中一個分枝部沿著前述樹脂封裝 件之第3側面及底面折曲;前述第2導腳之外部端子亦具有 兩個分枝部,其中一個分枝部沿著前述樹脂封裝件之第3 侧面及底面折曲e此時,前述第丨導腳之外部端子另一分 枝部沿著前述樹脂封裝件之第3侧面延伸,且超越並突$ 於第1側面;前述第2導腳之外部端子另一分枝部沿著前述 樹脂封裝件之第3侧面延伸,且超越並突出於與第丨侧面相 反側之第2侧面。或者,前述第〗導腳之外部端子另一分枝 部沿著前述樹脂封裝件之第3侧面及第丨側面折曲;前述第 2導腳之外部端子另一分枝部沿著前述樹脂封裝件之第3侧 面延伸,同時沿著與第丨侧面相反侧之第2侧面折曲。 較為理想的是將前述半導體晶片裝設於前述第丨導腳 之内部端子亡’再將前述第2導腳之内部端子藉由搭接線 連接於2述半導體晶片β再者,若將前述第2導腳之内部 端子與前述搭接線之連接處置於前述樹脂 約中央的位置時特別有利。玄从^ - -4- X t I -成4^ 另夕卜’當則述半導體晶片為發 光7U件或爻光7L件時,亦拟匕& -^ ^ B P ^ 7亦可於刚述樹舳封裝件上面對應於 别逄丰導體阳片處設置凸透鏡部。 第8頁 C:\Program Files\P^tent\310619 .ptd 413834 五、發明說明(6) 根據本發明之第2樣態’可提供一種半導體裝置,該 =導體裝置具備:半導體晶片、封入有此半導體晶片之樹 男曰封裝件、於此樹脂封裝件外部電性連接於上述半導體晶 片之四個外部端子;其中前述樹脂封裝件具有4個侧面、 上面以及底面,前述外部端子分別配置於前述樹脂封裝件 底面侧之四個角部,前述各外部端子則沿著前述樹脂封裝 件之選擇侧面或底面延伸。 依本發明第2樣態之_個實施形態,前述各外部端子 ^有:沿著前述樹脂封裝件之前述選擇侧面延伸之下垂 J、由此下垂部沿著前述樹脂封裝件之底面延伸之底面 部、由此底面部沿著與前述選擇侧面相鄰之前述樹脂封 件之其他側面延伸之豎起部^ 、 依本發明第2樣態之另一實施形態,前述各外部端子 2有兩個分枝部,其争一個分枝部沿著前述樹脂封裝 =述選擇侧面及底面折曲。此時,前述各外部端子之另一 分枝部係沿著前述樹脂封裝件之前述選擇侧面延伸, 越並突出於與該侧面相鄰之側面。或者,前述各外部 之另一分枝部係沿著前述樹脂封裝件之前 該侧面相鄰之侧面折曲。 、揮側面及與 較為理想的是,藉由第〗内部端子將前述四個 子的其中兩個相互連接,剩餘的兩個外部端子 ° 内部端^連接’前述何體晶片裝載設於前述们籍内由第2 子上,則述第2内部端子則藉由搭接線連接於前述半 晶片。而且,若將前述第2内部端子與前述搭接線連接g 第9頁 C:\Program Files\Patent\310619.ptd 413834
五、發明說明(7) 置於前述樹脂封裝件較長一邊約中央的位置則更 再者,當前述半導體晶片為發光元件或受光元件時,亦。 ^述樹㈣裝件上面對應於前料導體晶片處設置^ 根據本發明之第3樣態,可提供一 極之,導腳;連接於前述半導體晶片另一極之第二: 之=端子之樹脂封裝件…,前述樹脂封子裝及件第;:: 述半導體晶片係裝設於前述第丨導腳之内部端子上, 第2導腳之内部端子則藉由搭接線連接於前述半導體晶*· 片,而搭接線係平行延伸於前述樹脂封裝件之一個側 前述第1及第2導腳則分別具有至少一個藉由前述一個侧面 從各自之内部端子導出至前述樹脂封裝件外部之外部端 子,而前述第2導腳之内部端子與前述搭接線之連接處大 約位於前述樹脂封裝件俯視位置之中央處。 依本發明第3樣態之較佳實施形態,前述半 2發光元件或受光元件,且前述樹脂封裝件上面在對應於 前述半導體晶片處具備有凸透鏡部。另外,前述第丨導腳 之内部端子具備有為裴設前述半導體晶片而朝前述第2導 前述第2導腳之内部端子亦具備有為與 則遂搭接線連接而朝前述第1導腳突出之突耳部。 有關於本發明之其他目的、特徵以及優點,可由以下 參佐附圖說明之最佳實施例而一目瞭然。
41SS34 五 發明說明(6 ' * "—-*--- 【圖面之簡單說明】 第1圖為顯示第1實施例之半導體裝置 第2圖為顯示沿著第1圖II-II線之剖 立墩圖。 第3圖為顯示前述半導體裝置之平面 。 第4圖為顯示前述半導體裝置之底梘圖?圖。 視圖第5圖為顯示用於製造前述半導體裝置q線架之俯 第6圖為?丨線搭接程序之說明圖。 第7圖為說明樹脂封裝程序之剖面圖。 第8圖為顯示未折曲之前述半導體裝置 成扣狀態之立體圖。 之外部端子耳 =9圖為顯示將欲作為第8圖半導體裝置 邵位向下方折曲後狀態之立體圖。 卜4端子 第10圖為顯示將欲作為第9圖半導體裝置 之部位再予折曲後狀態之立體圖。 卩端子 第11圏為顯示將欲作為第10圖半導體裝置之外部端子 之部位再予折曲後狀態之立體圖。 第圖為顯示將第1圖半導體裝置安裝於電路基板之 狀態之侧視圓。 第1 3圖為顯示本發明第2實施例之半導體裝置之立體 圖。 第14圖為顯示將第π圖所示之半導體裝置安裝於安裝 對象C電路基板等)之狀態之侧視圖。 第15圖為顯示沿著第14圖XV-XV線之剖視圖。
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C :\Program FiIes\Patent\310 619 .ptd 第12頁 413834 五、發明說明(ίο) 圖。 第29圖為顯示習知半導體裝置例之立體圖。 第30圖為顯示將習知半導體裝置安裝於電路基板等安 裝對象之狀態之剖視圖。 【本發明之最佳實施型態】 以下參照附圖具體說明本發明之最佳實施例。 第1至4圖為顯示本發明第1實施例之半導體裝置。在 這些圖面當中(包括第5至28圖),與習知半導體裝置相同 或類似的構件上附予相同的符號。 如第1至4圖所示,前述半導體裝置XI係由鏤空金屬板 或其他方法所得之引線架所製造而成者,在本實施例中係 用來構成發光二極體。前述半導體裝置X大致具備:安裝 有作為半導體晶片之發光元件3之第1導腳1(參照第3圖及 第4圖)、藉由搭接線W與前述發光元件3上面30電性連接之 第2導腳2、用以包封前述發光元件3及搭接線ff之方式形成 長方體之樹脂封裝件4。 前述第1導腳1具有:封入於前述樹脂封裝件4内之内 部端子1 G、及彎曲且形成於前述樹脂封裝件4外部之外部 端子11、12。
前述内部端子10具有在前述樹脂封裝件4之第1侧面4〇 及第2侧面41間對於前述樹脂封裝件4之底面45平行延伸之 本體部10a ’並由本體部10a之中央部,朝向前述樹脂封裝 件4之中心一突耳部l〇b突出且形成。藉著該突耳部^ b及 前述本體部10 a的一部份構成一晶粒黏接區域。該晶粒黏
C:\ProgramFiles\Patent\310619.ptd 第 13 頁 413834 五、發明說明(11) 接區域則設置於偏向前述樹脂封裝件4之第3侧面43處。因 此,安裝於前述晶粒黏接區域之前述發光元件3也會偏向 於前述第3侧面43側。
前述各外部端子1.1、1 2分別連接形成於前述内部端子 1 0之兩端部,且具備:分別沿著前述樹脂封裝件4之第1侧 面41及第2侧面42延伸於下方之下垂部11a、12a ;連接於 此下垂部1 la、12a並沿著前述樹脂封裝件4之底面45延伸 之底面部11 b、1 2b ;由此底面部11 b、1 2b沿著第3側面43 延伸於上方之豎起部11c、12c。換言之,前述樹脂封裝件 4底面4 5侧之兩個角部係為前述外部端子1 1、1 2所包圍。 另外,前述第2導腳2具有:封入於前述樹脂封裝件4 内之内部端子20及彎曲形成於前述樹脂封裝件4外部之外 部端子21、2 2。 前述内部端子20係在前述樹脂封裝件4之第1侧面4〇及 第2侧面4 1間與前述樹脂封裝件4之底面4 5且平行延伸,且 具有與前述第1導腳1之内部端子1〇平行之本體部2〇a。且 由此本體部20a之中央部形成有朝前述第1導腳1之内部端 子10侧突出之突耳部20b ’其中該突耳部2〇b形成引線搭接 區域’用以使金或其他材料所製成之搭接線^與前述發光
兀件3上面連接。此引線搭接區域係位於前述樹脂封裝件4 寬度方向中央部。另外,前述搭接線Ϊ與前述突耳部2 0b連 接的部分係位於前述樹脂封裝件4寬度方向及長度方向大 致中央的位置。 别述各外部端子21、22則連接於前述第2内部端子20
413834 五、發明說明(12) 之各端部,且前述各外部端子21、22具備:分別沿著前述 樹脂封裝件4之第1侧面41及第2侧面4 2延伸於下方之下垂 部21a、22a ;由此下垂部21a、22a沿著前述樹脂封裝件4 之底面45延伸之底面部21b、22b ;及由此底面部21b、22b 沿著第4侧面44延伸於上方之豎起部2 1 c、22c。如此,前 述樹脂封裝件4底面4 5侧所剩餘之兩個角部便由前述第2導 腳2之外部端子21、22所包圍。 因此’位於前述樹脂封裝件4底面45侧所有之角部便 可藉著前述第1及第2導腳1、2之外部端子11、12、21、22 被實質地保護著。 前述樹脂封裝件4雖然藉著後述模具成形而形成整體 呈長方體,卻具有突出於上方之半球狀凸透鏡部46。該凸 透鏡部46之頂部以位於前述發光元件3正上方之方式而形 成,可防止由發光元件3所發射出的光向四處擴散。前述 發光元件3係以自前述樹脂封裝件4之令心偏向第3侧面4 3 側之狀態而形成。因此,設置於前述發光元件3正上方之 凸透鏡部46也隨之偏向於前述樹脂封裝件4之第3侧面43, 位於前述樹脂封裝件4上面之第4側面44侧便可保留較大之 平坦面。 如此構成之半導體裝置XI如第1圖詳細顯示,於前述 樹脂封裝件4之第1侧面41,具有位於第1導腳1外部端子1 1 之下垂部11a及位於第2導腳2外部端子21之下垂部21a,故 可將前述第1側面41作為安裝面以安裝於電路基板等安裝 對象上。另外如第3及第4圖所明示,由於前述樹脂封裝件
C:\ProgramRles\Patent\310619.ptd 第 1_5 頁 413834 五、發明說明(13) 4之第2侧面42亦具有位於第1導腳!外部端子12之下垂部 12a及位於第2導聊2外部端子22之下垂部22&,故也可將第 2侧面42作為安裝面。再者,,圖所明示,前述樹脂封 裝件4之底面部4 5分別形成有則述外部端子11 j 2 ^ 22之底面部111}、121)、211)、221)’因此亦可將底面部45作 為安裝面。 以下兹依序參照第5至11圖對具有前述構成之半導體 裝置XI之製造方法作簡單的說明。 在製造半導體裝置乂丨時,係採用如第5圖所示之引線 架6。此引線架6係由鏤空銅、鐵或鎳合金等金屬板所製 成,具有一對平行延伸之侧板60。將第i及第2橫架61a、 61b所形成之每一對橫架61成等間隔配置於這些侧板6〇兩 侧,其中每一對橫架61a、61b於離開前述各侧板6〇之藉 支持架62相互連結。另外,各對橫架61中之第i橫架6ι & 相鄰的一對橫架61之第2橫架61]3再藉著兩個繫條(tie ’ bar)63相互連結。由前述一對橫架61及前述各支持元件μ 所包圍之矩形區域,分別鏤空形成有由第1橫架61a侧向 2橫架6lb侧突出之突耳部1〇b、以及與此突耳部1〇b相對 而由第2橫架61b側向第1橫架61a侧突出之突耳部2〇b。 在製造半導體裝置XI時,通常會藉著導電糊等將半 體晶片3(如假想線所示之區域H)安裝於前述引線架6的 第1橫架61a之前述突耳部丨〇b上。如前所述,將前述半 體裝置XI作為發光二極體時,係使用發光二極體晶片等 光元件作為半導體晶片3 ;而當前述半導體襞置χι作為先
ίΜβι m 第16頁 C:\Program Files\Patent\310619.ptd 413834 五、發明說明(14) 電二極體時,則使用光電二極體晶片等受光元件作為前述 半導體晶片3。當然也可應用途的不同選擇這些例子以外 更適宜的半導體晶片來安裝。 再著’藉著搭接線W連接前述半導體晶片3之上面3〇 (參照第2圖)與第2橫架61b。此搭接線w之連接係藉由於前 述半導體晶片3之上面30進行第1引線搭接以及於第2橫架 如第6圖所 代 第1引線搭接係事先讓搭接線w之前端 部突出於微管之前端部,使此部份 成點(ρ ο 1 e )狀 融化形 使之壓接於前述半導體晶片3之上面3〇 而元成。第2引^搭接係一邊將搭接線评由前述微管γ之前 端部抽出,一邊將前述微管7移動至另一横架61b之突耳部 2 〇b (引線搭接區域)’並壓接搭接線w而完成。另外,在進 行引線搭接時,亦可於支持台8上加熱前述引線架δ ;進行 第2引線搭接時亦可供應超音波。 接下來,利用規定的模具於前述引線架6中形成樹脂 封裝件4(第5圖令以假想線圍成之區域ρ)。亦即,如第7圖 所示,首先在藉由上下各模具9Α、9Β所形成之模腔9〇内收 容前述半導體晶片3的狀態下鎖緊模具,使之挾持前述引 線架6。然後,於前述模腔90注入融化之環氧樹脂等熱硬 化樹脂,待注入樹脂硬化之後,再藉由開模而形成樹脂封 裝件4 »此時凸透鏡部46亦於同時形成。 當前述半導體裝置χ1係構成發光二極體時,通常以 用例如環氧樹脂等透明性高的樹脂作為形成前述樹脂封裴
413834 五、發明說明(15) 件4的材料較適當。另外,採用光電二極體晶片或光電電 晶體晶片等受光元件作為半導體晶片3時,也採用例如環 氧樹脂等透明性高的樹脂作為形成前述樹脂封裝件4的材 料。但若是不會發光或受光之半導體裝置,則不一定非要 使用透明性高的樹脂來形成樹脂封裝件4,也不需要設置 前述&透鏡部46。另外’使用可選擇性地接收紅外線之元 件作為受光元件時,利用可選擇性地讓紅外線透過的黑色 樹脂來形成前述樹脂封裝件4則較為理想。 在形成樹脂封裝件4之後,沿著規定的切斷線(第5圖 中以一點鏈線表示)切斷引線架6,便可得到如第8圖所示 之半導體裝置之半成品γ。該半成品γ中,欲作為外部端子 、12、21、2 2之部分11 A、1 2 A、21A、2 2 A則分別突出於 前述樹脂封裝件4之第1侧面41及第2側面42,並形成L字形 狀。而且’位於該半成品Y之前述各L字形狀的部分iiA、 12A、21A、22A則曲折成為如第;[圖所示之半導體裝置η。 具體而言,首先如第9圖所示,使前述各L字形狀的部 分11A、12A、21A、22A沿著前述樹脂封裝件4之第1側面及 第2侧面41、, 4 2下方折曲,藉此以形成各外部端子11、 12、21、22 之下垂部 iia、l2a、21a、22a。 再者’如第10圖所示,使前述各部分HA、WA、 21A、22A沿著前述樹脂封裝件4之底面45再折曲,以形成 各外部端子11、12、21、22之底面部lib、12b、21b、 22b。此時,各部分i1A、12A、21A、22A之前端部會露出 於前述樹脂裝件4之第3及第4侧面43、44。
413834 五、發明說明(16) 接著’如第11圖所示,使各部分lu、12A、2U、22A 之露出前端部沿著前述樹脂封裝件4之前述第3及第4側面 43、44朝上方折曲。於是,前述各部分1U、12a、21A、 2 2A之前端部即構成前述各外部端子丨丨、12、21、22之豎 起部Uc、12c、21c、2 2c,由此便可構成如第1圖所示之 半導體裝置XI。 由此製造而成之半導體裝置1丨係安裝於電路基板等上 來使用。採用前述半導體晶片3作為發光元件之半導體裝 置^ ’可搭載於電路基板上利用其作為例如光感測器之發 光部等各種光源。而且,藉著選擇前述半導體χΐ2適當安 裝面(本實施例中為樹脂封裝件4之第!側面41、第2側面 42、第3侧面43以及第4侧面44及底面45之任一面),便可 選擇對電路基板等安裝對象發射垂直光 裝對象發射平行光之安裝狀態。例如,當前=== X-1中之發光元件3的上面30作為發光面時,如第12圓所 若將前述樹脂封裝件4之底面45作為安裝面,便可對 安震對象5發射垂直光;若將第1或第2側面41、42作為安 :丄便可對安裝對象發射平行光。另彳,使用受光元件作 部:ΐί Ϊ體曰%片3時,Α可利用其作為光感測器之受光 於前述半導體裝置X1之安裝,通常以採用例如回 置XI之外部端子η、12、21、22之表面或= = 等安裝對象5之端子焊墊50之表面塗布焊膏、並於對準前
C:\Progmm Files\Patent\310619.ptd 第19頁 413834 五、發明說明(17) :外、12、21、22與前述端子焊墊50的位置之 ..#襄置Xl與前述電路基板5—起搬入回流爐使 # ^ Ϊ褚ί著將烊膏加熱至約200 °C後使之再融化,接著 ^ 出’使焊膏冷却固化’如此發光二極體X便可 文裝於電路基板5上。 有關於對别述電路基板5裝設半導體裝置XI,可事先 ^適宜的托盤等收容複數個半導體裝置XI,再利用安裝機 使之自動進行安裝。如第2圖明示,由於前述半導體裝 置X1上的凸透鏡部46偏向於前述樹脂封裝件4之第3侧面43 側、,因此刖述樹脂封裝件4上面之第4侧面4 4就保留了較大 的平坦面。故藉著安裝機移動/裝載前述半導體裝置XI 時,便可使用既有的平面吸附用吸附頭91,而不需要使用 可吸附球狀表面的特殊吸附頭。 將前述半導體裝置X1安裝於電路基板5時,會伴隨產 生樹脂封裝件4之熱膨脹及熱收縮。但是如前所述,由於 第2引線搭接的部分位於前述樹裝件4俯視位置之中央 部,於是作用於該第2引線搭接畜产應力便受到極大的 控制。也就是說,伴隨著加熱、_|:時所帶來的前述樹脂 封裝件4之熱膨脹或熱收縮,對衆基板5上端子焊墊5〇 的變位量在前述樹脂封裝件4俯視位置之中央部為最小 量’因此儘管該樹脂封裝件4熱膨脹或熱收縮,大约位於 中央部之前述第2引線搭接的部分也幾乎不會變位。因此 作用於第2引線搭接部分的應力便受到控制,在安裝半導 體裝置XI時,搭接線於第2引線搭接部分便不容易斷線。
第20頁 C:\Program Files\Pateni\310619.ptd 413834 發明說明(18) 接下來參照第1 3至1 5圖,對有關本發明第2實施例之 半導體裝置作以下的說明。 如第13圖所示’本實施例之半導體襞置χ2雖與上述第 1實施例之半導體裝置XI類似,但在以下各點則不同。 首先,半導體晶片3係位於樹脂封裝件4寬度及長度兩 方向大約中央的位置,而且樹脂封裝件4上的凸透鏡部46 亦位於其寬度及長度兩方向大約中央的位置。另外,第2 導腳2之内部端子20不具突耳部。 而且’第1導腳1及第2導腳2之各外部端子11、12、
21、22的形態與第1實施例中的不同。具體而言,第2實施 例中的各外部端子11、12、21、22具有兩個分3枝部11Α、 11Β、12Α、12Β、21Α、21Β、22Α、22Β。而且,一邊的分 枝部11Α、12Α、21Α、22Α雖然沿著前述樹脂封裝件4之第1 及第2侧面41、4 2延伸’卻沒有折曲,而是超越並突出於 第3及第4侧面4 3、4 4。相對於此,各外部端子11、1 2、 21、22的另一邊分枝部11Β、12Β、21Β、22Β則沿著樹脂封 裝件4的第1及第2侧面41、42以及底面45折曲。 以此構成之半導體裝置Χ2中,在第1侧面41及第2侧面 42分別形成有一個陽極/陰極對,底面則形成有兩個陽極 /陰極對。因此,本實施例之半導體裝置Χ2可選擇第1侧 面41、第2側面42或底面45之任一面作為安裝面,以安裝 於電路基版等安裝對象上。 第14圖係顯示將第1及第2側面41、42作為安裝面安裝 於安裝對象5(電路基板)上的說明例。在這種情形下,由
C:\Program Files\Patent\310619 .ptd 第21頁 413834 五、發明說明(19) 於各分枝部11A、12A、21A、22A突出於第3及第4侧面43、 44 ’所以可將接合面積對應地擴大。因此,便可固定半導 體裝置X2並使其安裝於安裝對象5上。 如前所述,將半導體裝置X 2安裝於安裝對象5時多採 用回流焊接法安裝時,塗布於各外部端子11、12、21、22 之焊膏會再融化。因此,再融化後的焊膏“會,如第15圖 所不地攀升至分枝部上面,外部端子n、12、21、22的各 分枝部11A、12A、21A、2 2A突出於樹脂封裝件4之第3或第 4側面43、44之構造中。然後在這種狀態下焊膏“固化,
半導體裝置Χ2即可安裝於電路基板等安裝對象5上,最後 便完成強固的連接狀態。 一另外,有關於前述構成之導體裝置Χ2,如第14圖所 示,其外部端子11、12、21、22的分枝部11Β、ι2Β、 21Β、22Β分散配置於底面45的四個角落。因此,若以底f 45作為安裝面,與安裝窗· 殖拉 农野豕3建接的地方便有四個,不只 可在更穩定的狀態下安裝丰莫#壯 文农千导體裝置)[2,更可使之藉著b 流焊接時四個方向的拉4» ώ - ^ Α , 力發揮自動對正的效果,而完成薄 度良好的半導體裝置Χ2之安裝。 第16圖為顯示有關太路眼#
γο + # & 7本發明第3實施形態之半導體裝置 X3 ’此實施例之半導體 祖I罝λ3雖與第2實施例之丰導體裝 置Χ2類似,但不同點在於,|谨舰讲/ ^ <千守瓶衣 !2、2卜22的一邊分導體裝置Χ3各外部端子U, “ Δί II m 遠刀枝部 11A、21A、12A、99A^VL^^1 及第2侧面41、42以及鱼之相齟 係化著第1 之相鄰之侧面(第3或第4伽面, 44)折曲。因此以此構成之|J驭弟4侧面 傅战之+導體裝置X3還具有一項優
413834 五、發明說明(20)
點,即可藉著各外部端子U、12、21、22包圍樹脂封裝件 4底面45的四個角部而加以補強D 第17圖及第18圖為顯示有關本發明第4實施形態之半 導體裝置X4,此實施例之半導體裝置以,其第i導腳i兩邊 的外部端子11、1 2係形成於樹脂封裝件4之第i侧面4丨側, 第2導腳2之兩邊外部端子21、22則形成於樹脂封裝件4之 第2側面4 2侧’在這點是與第1實施例之半導體裝置χ丨不同 的0 第1導腳1之各外部端子11、12係折曲而具有:沿著樹 脂封裝件4之第1侧面41延伸之下垂部11 a、1 2 a ;由此下垂 部11a、12a沿著樹腊封裝件4底面45延伸之底面部lib、 12b ;及由此底面部lib、12b沿著第3及第4側面43、44延 伸之豎起部lie、12c。同樣地,第2導腳2之各外部端子 21、22亦形成折曲而具有:沿著樹脂封裝件4之第2侧面42 延伸之下垂部2 U、22a ;由此垂部21a、22a沿著樹脂封裝 件4底面45延伸之底面部21b、22b ;由此底面部21b、2 2b 沿著第3及第4侧面43、44延伸之豎起部21c、22c。 如此構成之樹脂封裝件4之底面45形成有兩個陽極/ 陰極對,第3及第4侧面43、44則分別形成有一個陽極/陰 極對。因此,本實施例之半導體裝置X4可以選擇樹脂封裝 件4之底面45、第3或第4側面43、44之任一面作為安裝 面。而且,樹脂封裝件4底面45的四個角部還可分別藉著 各外部端子11、1 2、2 1、22包圍而獲得補強。 第19圖為顯示本發明第5實施形態之半導體裝置X5。 画 C:\Program Files\Patent\310619.ptd 第23頁 413834 五、發明說明(21) 根據本實施例,與前述第4實施例(第17及第18圖)同樣 地’第1導腳1之各外部端子11、1 2形成於樹脂封裝件4之 第1侧面41,第2導腳2之兩邊外部端子21、22則形於樹脂 封裝件4之第2侧面42側。而且與第3實施例(第1 6圖)同樣 地,各外部端子11、12、21、22各具有兩個分枝部11A、 11B、12A、12B、21A、21B、22A、22B。其中一邊的分支 部ΠΑ、21A、12A、22A沿著樹脂封裝件4之第1或第2侧面 41、42及第3或第4侧面43、44延伸折曲。另外,各外部端 子 11、12、21、22 的另一邊分枝部 11Β、12δ、21Β、2 2Β 係 沿著樹脂封裝件4之第1或第2侧面4 1、4 2及底面4 5延伸折 曲。 以此構成之半導體裝置Χ5中,第3側面43及第4側面44 分別形成有一個陽極/陰極對,底面則形成有兩個陽極/ 陰極對。因此,本實施例之半導體裝置Χ5可選擇第3侧面 43、第4侧面44或底面45之任一面作為安裝面,以安裝於 電路基板等安裝對象上。 第20圖及第21圖為顯示本發明第6實施例之半導體裝 置Χ6。本實施例與第1至第5實施例之半導體裝置XI至χ5不 同的是’其第1及第2導腳1、2分別具有單一的外部端子 11、12。 其中’第1導腳1的外部端子11係予以折曲而具有:由 該導腳之内部端子1 〇沿著前述樹脂封裝件4之第3侧面4 3延 伸之下垂部11 a ;由此下垂部11 a沿著前述樹脂封裝件4之 底面45延伸之底面部lib ;及由此底面部iib沿著樹脂封裝
第24頁 C:\Program Files\Patent\310619.ptd 413834: 五、發明說明(22) 件4之第1侧面41延伸之豎起部lie。同樣地,第2導腳2的 外部端子21係形成折曲而具有:由該導腳之内部端子20沿 著前述樹脂封裝件4之第3侧面43延伸之下垂部21 a ;由此 下垂部21a沿著前述樹脂封裝件4之底面45延伸之底面部 21b ;及由此底面部21b沿著樹脂封裝件4之第2側面42延伸 之豎起部21 c。 以此構成之半導體裝置X6中,樹脂封裝件4之第3侧面 43及底面45分別形成有一個陽極/陰極對,因此可選擇第 3側面43或底面45之任一面作為安裝面。 第22圖為顯示本發明第7實施例之半導體裝置X7。本 實施例之半導體裝置X7中,其第1及第2導腳1、2分別具有 單一的外部端子11、21 ’各外部端子11、2 1則分別具有兩 個分枝部11A、1 IB、12A、12B ;而各外部端子11、21的一 邊分枝部11A、21A則未折曲,而是沿著樹脂封裝件4之第3 侧面43延伸,超越並突出於第1及第2侧面41、42 β另一方 面,各外部端子1 1、1 2的另一邊分枝部11 Β、2丨Β則沿著樹 脂封裝件4之第3侧面43及底面45折曲。 以此構成之半導體裝置Χ7中,樹脂封裝件4之第3侧面 43及底面45分別形成有一個陽極/陰極對,因此可選擇第 3侧面43或底面45之任一面作為安裝面,以安裝於電路 板等安裝對象上。 第23圖為顯示本發明第8實施例之半導體裝置χ8。本 實施例之半導體裝置Χ8雖與第7實施例之半導體裝置口類 似,但不同的是,其各外部端子〗丨、21的一邊分枝部
413834 五、發明說明(23) 11A、21A係沿著第3侧面43及第1或第2侧面折曲。以此構 成之半導體裝置X8尚具有另一項優點’即位於樹脂封裝件 4之底面45的兩個角部可藉著各外部端子u、21包圍而獲 得補強。 第24圖為顯示有關本發明第9實施例之半導體裝置 X9。本實施例與第6實施例相同的是,第1及第2導腳1、2 分別具有單一的外部端子11、21,但在各外部端子的形態 上卻有若干的不同。也就是說,第1導腳1的外部端子11係 予以形成折曲而具有:由該導腳之内部端子1〇沿著前述樹 脂封裝件4之第1侧面41延伸之下垂部11 a ;由此下垂部1工a 沿著前述樹脂封裝件4之底面4 5延伸之底面部11 b ;及由此 底面部11 b沿著樹脂封裝件4之第3側面43延伸之豎起部 11c。同樣地,第2導腳2的外部端子21亦形成折曲而具 有:由該導腳之内部端子20沿著前述樹脂封裝件4之第2侧 面42延伸之下垂部21a;由此下垂部21a沿著前述樹脂封裝 件4之底面45延伸之底面部21b ;及由此底面部21b沿著樹 脂封裝件4之第3侧面43延伸之豎起部21 c。 以此構成之半導體裝置X9中’樹脂封裝件4之第3侧面 43及底面45分別形成有一個陽極/陰極對,因此可選擇第 3側面43或底面45之任一面作為安裝面。 第25圖為顯示本發明第1〇實施例之半導體裝置。 本實施例與第8實施例(第23圖)相同的是,第1及第2導腳 I、 2亦分別具有單一的外部端子11、21,且各外部端子 II、 21則分別具有兩個分枝部1 1 a、11 β、1 2Α、1 2Β。而
C:\Program Files\Patent\310619.ptd 第26頁 413834 五、發明說明(24) 且’第1導腳1之外部端子11的一邊分枝部11A係沿著樹脂 封裝件4之第1侧面41及第3侧面4 3折曲。 另一邊的分枝部11B則沿著樹脂封裝件4之第1侧面41 及底面45折曲。另一方面,第2導腳2之外部端子21的一邊 分枝部21A係沿著樹脂封裝件4之第2側面42及第3侧面43折 曲,另一邊的分枝部21B則沿著樹脂封裝件4之第2侧面42 及底面4 5折曲。 以此構成之半導體裝置X1 〇於樹脂封裝件4之第3侧面 43及底面45亦分別設置有一個陽極/陰極對,因此可選擇 第3側面43或底面45之任一面作為安裝面。 第26圖及第27圖為顯示有關本發明第11實施例之半導 體裝置X11。本實施例雖於第1及第2導腳1、2亦分別具有 單一的外部端子11、21 ’但兩外部端子11、2 1於樹脂封裝 件4之對角方向上分開配置。第1導腳1之外部端子丨丨係形 成折曲而具有:由該導角之内部端子10沿著樹脂封裝件4 之第1侧面4 1延伸之下垂部11 a ;由此下垂部11 a沿著樹脂 封裝件4之底面45延伸之底面部lib ;及由此底面部lib沿 著樹脂封裝件4之第3侧面43延伸之豎起部1 lc ^同樣地, 第2導腳2之外部端子21亦形成折曲而具有:由該導腳之内 部端子20沿著樹脂封裝件4之第2側面42延伸之下垂部 21a ;由此下垂部21a沿著樹脂封裝件4之底面45延伸之底 面部21b ;及由此底面部21b沿著樹脂封裝件4之第4侧面4 延伸之豎起部2 1 c。 第28圖為顯示本發明第12實施例之半導體裝置χι 2。
C:\PtOgram Hles\Patent\310619.ptd 第27頁 413834 五、發明說明(25) 本實施例中第1及第2導腳1 ' 2亦別具有單一的外部端子 1 1、21,與第1 i實施例同樣地’兩外部端子11、21配置在 樹脂封裝件4之對角方向上。而且’第1導腳1之外部端子 11的一邊分枝部1 1A係沿著樹鹿封裝件4之第1侧面4 1及第3 側面4 3折曲’另一邊的分枝部11 β則沿著樹脂封裝件4之第 1侧面41及底面45折曲。另一方面,第2導腳2之外部端子 21的一邊分枝部21Α係沿著樹脂封裝件4之第2侧面4 2及第4 侧面44折曲’另一邊的分枝部2 1 B則沿著樹脂封裝件4之第 2侧面42及底面45折曲。 以上係就於本發明之技術範圍的各種半導體裝置詳為 說明,當然地’本發明之技術範圍並不只限於前述之各種 實施例。 【主要符號之說明】 第1導腳 半導體晶片 安裝對象 微管 模具 XI至X12 半導體裝置 2 第2導腳 4 樹脂封裝件 6 引線架
9A、9B 8 支持台 l〇b、20b突耳部 外部端子 下垂部 底面部 賢起部
V 10 第1導腳之内部蠕子 10a ' 20a本體部 11 、 12 、 21 、 22 11a 、 12a 、 21a 、 22a 1 lb、12b、21b、22b 11c 、 12c 、21c 、22c
C:VProgram Files\E^tent\310619.ptd 第28頁 413834 五、發明說明(26) 20 第2導腳之内部端子 30 發 光 元 件 之 上 面 41 樹脂封 裝 件 之 第1侧面 42 樹 脂 封 裝 件 之 第2 侧面 43 樹脂封 裝 件 之 第3侧面 44 樹 脂 封 裝 件 之 第4 侧面 45 樹鹿封 裝 件 之 底面 46 凸 透 鏡 部 47 樹脂封 裝 件 之 上面 50 端 子 焊 墊 60 侧板 61 橫 架 90 模腔 91 吸 附 頭
C:\Program Files\Patent\310619.ptd 第29頁
Claims (1)
- 413834 六、申請專利範圍 1. 一種半導體裝置,具備:半導體晶片;連接於該半導 體晶片某一極之第1導腳;連接於前述半導體晶片另一 極之第2導腳;及用以包封前述半導體晶片、第i導腳 之内部端子及第2導腳之内部端子之樹脂封裝件,其中 前述樹脂封裝件具有第1至第4之側面、上面以及底 面;前述第1及第2導腳則分別具備至少一個沿著前述 樹月曰封裝件之第1至第4侧面當中的同一侧面以及底面 延伸之外部端子。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中,前述第丄 導腳之外部端子具有:由相對應之内部端子沿著前述 樹脂封装件之第1侧面延伸之下垂部、由此下垂部沿著 前述樹脂封裝件之底面延伸之底面部、及由此底面部 沿著前述樹脂封裝件之第3侧面延伸之豎起部;前述第 2導聊之外部端子具有:由相對應之内部端子沿著前述 樹脂封裝件之第1侧面延伸之下垂部、由此下垂部沿 =述樹脂封裝件之底面延伸之底面部、及由此底面部 沿著與前述樹脂封裝件第3側面相反侧之第4侧面 之豎起部。 ^ ^ 3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中, 導腳之外部端子具有:由相對應之内部端 ί =裝件之第1側面延伸之下垂部、由此下垂二著 j樹脂封裝件之底面延伸之底面部、及由此底面都著 I艰十具有.由相對應之内部端子沿著與前第30頁C:\Program Files\Patent\31〇619.ptd 413834 六、申請專利範^ -— - ,樹脂封裝件第1側面相反侧之第2側面延伸之下垂 錚、由此下垂部沿著前述樹脂封裝件之底面延伸之底 面部、及由此底面部沿著前述樹脂鲂裝件第3侧面延 之豎起部。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中,前述第1 導腳之外部端子具有:由相對應之内部端子沿著前述 樹脂封裝件之第3側面延伸之下垂部、由此下垂部沿著 脂封裝件之底面延伸之底面部、及由此底面部 化著則述樹脂封裝件之第3側面延伸之豎起部;前述第 2導&腳之外部端子具有:由相對應之内部端子沿著前述 樹脂封裝件之第3侧面延伸之下垂部’由此下垂部沿著 前述樹脂封裝件之底面延伸之底面部、及由此底面部 沿著與前述樹脂封裝件第1側面相反侧之第2面延伸之 豎起部。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中前述第1導 腳之外部端子具有兩個分枝部,其中一個分枝部沿著 前述樹脂封裝件之第1侧面及底面折曲;前述第2導腳 之外部端子亦具有兩個分枝部’其中一個分枝部沿著 前述樹脂封裝件之第1侧面及底面折曲。 6. 如申請專利範圍第5項之半導體裝置,其中,前述第1 導腳之外部端子另一分枝部沿著前述樹脂封裝件之第丄 侧面延伸’且超越並突出於第3侧面;前述第2導腳之 外部端子另一分枝部則沿著前述樹脂封裝件之第1侧面 延伸’且超越並突出於彳立在第3侧面相反侧之第$侧C:\ProgjramHles\Patent\310619.ptcl 第 31 頁 ^13834 六、申請專利範圍 面。 7·如申請專利範圍第5項之半導體裝置,其中’前述第! 導腳之外部端子另一分枝部係沿著前述樹脂封裝件之 f1 1面及第3侧面折曲;前述第2導腳之外部端子另一 分枝部叫沿著前述樹脂封裝件之第1侧面延伸’同時沿 著位在第3侧面相反侧之第4侧面折曲。8·如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中,前述第1 導腳之外部端子具有兩各分枝部,其中一個分枝部係 沿著前述樹脂封裝件之第1侧面及底面折曲,另一分枝 :則沿著前述樹脂封裝件之第1侧面及第3側面折曲; 則述第2導腳之外部端子亦具有兩各分枝部,其中一個 分枝部沿著位在前述樹脂封裝件之第丨侧面相反侧之第 2侧面及底面折曲,另一分枝部則沿著前述樹脂封裝件 之第2侧面及第3侧面折曲。 9. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中,前述第1 導腳之外部端子具有兩各分枝部,其中一個分枝部沿 著前述樹脂封裝件之第3侧面及底面折曲;前述第 腳之外部端子亦具有兩各分枝部,其中一個分枝部沿 著前述樹脂封裝件之第3側面及底面曲折β10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置,其中,前述第丄 導腳之外部端子另一分枝部係沿著前述樹脂封裝件之 第3侧面延伸,且超越並突出於第丨侧面;前述第2導腳 之外部端子另一分枝部則沿著前述樹脂封裝件之第3侧 面延伸,且超越並突出於位在第丨侧面相反侧之第2侧C:\Progmm Files\Patent\310619 .ptd 第32頁 413834 六、申請專利範圍 面。 U.如申請專利範圍第9項之半導體裝置,其中,前述第1 =腳之外部端子另一分枝部係沿著前述樹脂封裝件之 =3側面及第丨侧面折曲;前述第2導腳之外部端子另〜 ^枝部則沿著前述樹脂封裝件之第3侧面延伸,同時沿 著位在第1側面相反侧之第2侧面折曲。 Q 12.如申請專利範圍第丨項之半導體裝置,其中,前述半導 體晶片係裝設於前述第1導腳之内部端子上,而前述第 2導腳之内部端子藉由搭接線連接於前述半導體晶片。 3. ^申請專利範圍第12項之半導體裝置,其中,前述第2 導腳之内部端子與前述搭接線之連接部位係位於前逑 樹脂封裝件長度方向約中央的位置。 I4.如申請專利範圍第丨項之半導體裝置,其中,前述半 體晶片為發光元件或受光元件,前述樹脂封裝件上 5. 則在對應於前述半導體晶片處具有凸透鏡部。 一種半導體裝置,具備:半導體晶片;用以包封此 導體晶片之樹脂封裝件;於該樹脂封裝件之外部, 性連接於此半導體晶片之四個外部端子,其 脂封裝件具有及第1至第4之侧面、上面以及底面^于 述外部端子分別配置於前述樹脂封裝件底面侧之四2 角部,前述各外部端子則沿著前述樹脂封裝 側面或底面延伸。 什 < 選擇 16.如申請專利範圍第15項之半導體裝置其中,於 外部端子具有:沿著前述樹脂封裝件之前述選$侧面 Η I晒 C:\Program Files\Patent\310619.ptd 第33頁 413834 六、申請專利範固 延伸之 πτ本 面延由此下垂部沿著前述樹脂封裝件之底 相鄰之j 部、及由此底面部沿著與前述選擇側面 1 7如申—别述樹脂封裝件其他側面延伸之豎起部。 •外:ρϊί利範圍第15項之半導體裝置,其中,前述各 樹脂扭Ϊ具有兩個分枝部,其中一個分枝部沿著前述 /裝件之前述選擇侧面及底面折曲。 ’外利範圍第17項之半導體裝置,其中,前述各 選擇侧面^ Ϊ他分枝部係沿著前述樹脂封裝件之前述 侧面。 伸,且超越並突出於與該選擇侧面相鄰之 19. =申請專利範園第17項之半導體裝置,其 ,af 其他分枝部係沿著前述樹脂封裝件之前述 選擇侧面及與該侧面相鄰之侧面折曲。 述 20. 如申請專利範圍第丨 個外部媳不沾甘士 千等骽裝置,其中,前述四 剩餘的::1 係藉著第1内部端子相互連接, 内部端子上’前述第2内部端 丁稭由搭接線連接於前述半導體晶片。 21. 如申請專利範圍第2〇項之 前述搭接線之連接部^位::述;= 裝件長度方向約中央的位置。 僻如封 22. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置,其中 導體晶片為發光元件或受朵开杜 述半 t•二姐由 先凡件,於前述樹脂封裝侔 上面對應於前述半導體晶片處設置有凸透鏡部。C:\Program Files\Patent\310619.ptd 第34頁 41383423. 24. ''種半導體裝置,具備:半導體晶片;連接於此半導 體晶片某一極之第1導腳;連接於前述半導體晶片另— 極之第2導腳;及用以包封前述半導體晶片、第1導腳 之内部端子及第2導腳之内部端子之樹脂封裝件,其中 耶述樹脂封裝件中之前述半導體晶片係裝設於前述第1 導腳之内部端子上,前述第2導腳之内部端子則藉由私 接,連接於前述半導體晶片,前述搭接線係平行"延伸^ 於前述樹脂封裝件之一個侧面,前述第1及第2導腳則 分別具有至少一個由各自之内部端子經由前述一個側 面,導出至前述樹脂封裝件外部之外部端子,而前述 第2導腳之内部端子與前述搭接線之連接處大約位於 述樹脂封裝件俯視位置之中央處。 、 =申請專利範圍第1項之半導體裝置,其+,前 宠 T晶片為發光元件或受光元件,且於前述樹脂封裝件 =對應於前述半導體晶片<4具備有凸透鏡部。 凊專利範園第23項之半導體裝置,其中 J腳之内部端子具備有朝第 ^導體晶片之突耳的,前述第2導腳二 ;備朝向上述第1導腳突出俾與前述搭接線連接3 25
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13869198 | 1998-05-20 | ||
JP13869298A JP3993302B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-05-20 | 半導体装置 |
JP24602398A JP4028101B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-08-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW413834B true TW413834B (en) | 2000-12-01 |
Family
ID=27317720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088108022A TW413834B (en) | 1998-05-20 | 1999-05-18 | Semiconductor device |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6486543B1 (zh) |
EP (1) | EP1089335A4 (zh) |
KR (1) | KR100378917B1 (zh) |
CN (1) | CN1219320C (zh) |
TW (1) | TW413834B (zh) |
WO (1) | WO1999060626A1 (zh) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3930710B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2007-06-13 | シチズン電子株式会社 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
EP1211735B1 (en) * | 2000-12-04 | 2006-04-26 | Mu-Chin Yu | Light emitting diode with improved heat dissipation |
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JP6476567B2 (ja) | 2013-03-29 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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JP6592902B2 (ja) | 2014-03-28 | 2019-10-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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CN106711135A (zh) * | 2017-01-09 | 2017-05-24 | 丽智电子(昆山)有限公司 | 一种模组化的光电二极管封装器件 |
CN115700916A (zh) * | 2019-01-15 | 2023-02-07 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光二极管封装器件及发光装置 |
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---|---|---|---|---|
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JPH05243442A (ja) | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Nec Corp | 表面実装型ダイオード |
JPH0799277A (ja) | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Sharp Corp | 半導体装置 |
DE4446566A1 (de) | 1994-12-24 | 1996-06-27 | Telefunken Microelectron | Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement |
JP3596689B2 (ja) | 1995-05-31 | 2004-12-02 | ローム株式会社 | 電子部品の樹脂封止装置およびこれを用いた樹脂封止方法 |
JP3414403B2 (ja) | 1995-06-21 | 2003-06-09 | ローム株式会社 | 発光ダイオードチップおよびこれを用いた発光ダイオード |
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JPH1051034A (ja) | 1996-08-01 | 1998-02-20 | Rohm Co Ltd | 面実装型電子部品、その製造方法、これを回路基板上に実装する方法、およびこれを実装した回路基板 |
JP4198284B2 (ja) * | 1999-10-07 | 2008-12-17 | ローム株式会社 | 面実装用光半導体装置 |
-
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- 1999-04-30 US US09/700,631 patent/US6486543B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-30 EP EP99918314A patent/EP1089335A4/en not_active Withdrawn
- 1999-04-30 WO PCT/JP1999/002357 patent/WO1999060626A1/ja active IP Right Grant
- 1999-04-30 CN CNB998064114A patent/CN1219320C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-30 KR KR10-2000-7012944A patent/KR100378917B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-05-18 TW TW088108022A patent/TW413834B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1219320C (zh) | 2005-09-14 |
CN1301399A (zh) | 2001-06-27 |
KR100378917B1 (ko) | 2003-04-07 |
EP1089335A4 (en) | 2002-02-06 |
EP1089335A1 (en) | 2001-04-04 |
WO1999060626A1 (en) | 1999-11-25 |
KR20010071289A (ko) | 2001-07-28 |
US6486543B1 (en) | 2002-11-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |