TW409310B - Method and apparatus of supplying polishing agent for the manufacture of semiconductors - Google Patents

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A7 ii09310 B7____ 五、發明說明（1 ) 〔發明所屬之技術領域〕 本發明乃有關於針對半體體製造工.程中，爲y利用作 爲基板而用的晶圓和CMP (化學式機械硏磨），將用於 包覆在被處理的晶圓上的絕綠膜、金屬膜等被硏磨物的表 面硏磨之硏磨劑，供給到硏磨裝置之硏磨劑之供給裝置及 供給方法。 〔習知技i〕 藉由L S I技術的進步，促進半導體積體電路急速微 細化和多層配線化的傾向。積體電路的多層配線化，會令 半導體表面的凹凸變得極大在半導體製造工程|於製造 半導體用晶圓之半導體晶圓製造工程|或對晶圓印刷積體 電路加以製造半導體裝置之用導體積體電路製造工程等方 面，需要平坦化成爲基板之晶圓、和包覆被印刷在此晶圓 上電路的一部份之絕緣膜和金屬膜，甚至金屬配線等之技 術。特別是平坦化包覆晶圓上電路的一部份之絕緣膜或金 屬膜，甚至金屬配線的技術之一的CMP技術。然後，在 此C Μ P技術例如採用以硏磨劑硏磨層間絕緣膜、刨槽用 氧化膜（S i 〇2)的表面之CMP裝置、和以硏磨劑硏磨 金屬配線和金屬膜（W，A 1 ，Cu)之CMP裝置、和 以硏磨劑硏磨刨槽、閘極用多晶矽等之C Μ P裝置等。 .然後，作爲用於此種被硏磨物硏磨之硏磨劑*通常是 在被硏磨物種類、和半導體製造工程的任一階段來用，或 進而對應其硏磨劑特性等，採用使二氧化矽系、（沈降性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------，裝-------訂··--κ ---!線 <請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 409ai0 A7 ____B7_ 五、發明說明（2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 二氧化矽、煙麈性矽石、膠態二氧化矽、合成二氧化矽等 )、氧化鋁系、氧化铈系、氧化鈷系等種種硏磨Ϊ分散在 種分散媒中者。 此外，於此硏磨劑方面，除了將被硏磨物表面，精密 硏磨到所定精度外，硏磨粒如何均勻且穩定分散在分散媒 中是極爲重要，因此即使在分散媒中，例如在二氧化矽系 硏磨粒的場合爲KOH水溶液、nh4〇h水溶液等電解質 水溶液，i基底添加界面活性劑等第三成份，或者是鋁系 硏磨粒的場合，爲h2〇2水溶液，於基底添加界面活性劑 或氧化劑等第三成份等種種方式。 但是，在半導體製造工程用做硏磨被硏磨物之硏磨粒 ，通常將0 . 01至50；tzm範圍極微細的粒子，調整到 極嚴密的粒度分佈而用者，使用時根據利用開啓容器的揮 發等以其他的要因簡單地凝集分散媒微妙的化學組成變化 和硏磨劑保存時的溫度變化，產生具有超過所定粒度範圍 的大粒子徑之異常凝集粒子。 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 然後，要是此種異常凝集粒子產生在硏磨劑中，會大 大的影響對被硏磨物的硏磨性能，硏磨速度即會發生變化 ，被硏磨物表面爲此異常凝集粒子而受到刮痕等 因此，此種場合，考慮將硏磨劑在其使用前過濾分離 除去比基準粒徑大的粒子（亦即，異常凝集粒子和混入粒 子等）。因爲在此使用之前過濾硏磨劑之方法，能確實分 離除去比基準粒徑大的粒子，所以能儘量的防止硏磨製品 產生不良品很理想，但實際上卻會在短時間產生過減器的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 409310 a7 _B7_ 五、發明說明（3 ) 篩眼堵塞，必須頻繁地更換過濾器等，工業上實施困難。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且即使在硏磨劑產生異常凝集粒子，還是須要評估 判定實施硏磨工程而得到的硏磨製品的表面狀態’無法確 認產生此異常凝集粒子，此外於硏磨劑使用前評估硏磨劑 硏磨粒是否滿足基準粒徑的同時，成本並不無法實現在工 業上。 加上於硏磨劑方面，從減低製造成本和輸送成本的觀 點，製造^製造高濃度者，希望使用時稀釋到所定濃度’ 但愈高濃度愈易發生凝集問題，現狀是由此方面的成本減 低也很離。 〔發明欲解決之課題〕 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 本發明人等乃就解決硏磨劑方面的此種問題之手段而 銳意檢討的結果，驚訝地發現，藉由對產生異常凝集粒子 的硏磨劑作用超音波，幾乎不會損及到具有硏磨劑調製時 的硏磨粒（凝集前的硏磨粒）之平均粒徑及粒度分佈，槪 略地選擇性解碎發生在硏磨劑調製後的異常凝集粒子，回 復到具有略與調製時同平均粒徑及粒度分佈的硏磨劑完成 本發明。 因而，本發明之目的在於提供一針對半導體製造工程 中，將儘可能減低異常凝集粒子的硏磨劑供給到被硏磨物 表面，藉此提升硏磨製品良品率之半導體製造用硏磨劑之 供給裝置。 此外，本發明之目的在於提供一針對半導體製造工程 本纸張尺度適用_國S家標準（CNS)A4規格<210 * 297公釐〉 A7 409310 _B7_ 五、發明說明（4 ) 中，將儘可能減低異常凝集粒子的硏磨劑供給到被硏磨物 表面，藉此提升硏磨製品良品率之半導體製造用i磨劑之 .供給方法。 〔用以解決課題之手段〕 亦即，本發明爲具有貯藏半導體製造用硏磨劑之貯藏 槽、和從該貯藏槽到對被硏磨物供給硏磨劑的噴嘴導入硏 磨劑之供給線之半導體製造用硏磨劑之供給裝置，特徵爲 在上述貯藏槽或供給線附設對硏磨劑作用超音波的附超音 波機構之半導體製造用硏磨劑之供給裝置。 此外，本發明將半導體製造用硏磨劑供給到被硏磨物 之際，針對被硏磨物的供給而先對硏磨劑作用超音波之半 導體製造用硏磨劑之供給方法。 就適用本發明之硏磨劑方面，那是在半導體製造工程 將用於被硏磨物表面硏磨的通常0 . 0 1至5 0 Am極微 細的硏磨粒分散在所定分離媒中，其組成係由硏磨粒及其 分散媒製成的，亦可調製成|原來使用在被硏磨物硏磨的 使用時濃度的組成，此外，亦可調製成使用之前以稀釋來 使用的高濃度組成。 構成此硏磨劑的硏磨粒，並未做特別限定，舉例有沈 降性二氧化矽、煙塵性矽石、膠態二氧化矽、合成二氧化 矽等二氧化矽硏磨粒，或氧化鋁系硏磨粒、氧化铈系硏磨 粒、氧化鈷系硏磨粒等，以往皆知者，此外就連分散媒也 未特別限定，舉例有以KOH水溶液和NH40H水溶液等 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------- --------I ! ----- ----- (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 409310 a7 _B7__ 五、發明說明（5 ) 電解質水溶液、或H2O2水溶液等爲基底者，或於該些水 溶液添加界面活性劑等適當的第三成份等以往皆ΐ者。 此外，就適用本發明的硏磨劑之供給裝置，至少具備 有貯藏硏磨劑之貯藏槽、和將硏磨劑吐在硏磨盤上之噴嘴 、和從上述貯藏槽至噴嘴導入硏磨劑之供給線，可是未做 特別限定，貯藏槽可以僅由一個貯藏槽所構成，此外也可 以用直列或/及並列兩個以上的複數個貯藏槽所構成。此 外，貯藏i也可具備有擴散硏磨劑的攪拌翼，甚至可具備 有以進行硏磨劑攪拌的循環路與幫浦形成之循環系。 於本發明中，在上述貯藏槽或供給線，附設爲了對硏 磨劑作用超音波之附超音波機構，將硏磨劑供應至氣硏磨 物之前，對硏磨劑作用超音波•藉此解碎產生在硏磨劑中 的異常凝集粒子。此例的解碎是粉碎硏磨中一部份粒子（ 硏磨粒）凝集所產生的凝集粒子而予以分解成原來的粒子 ，使之回復到略與硏磨劑調製時同平均分子量及粒度分佈 0 此外，本發明所使用的附超音波機構，是可將硏磨劑 的貯藏槽及/或硏磨劑設於導入至硏磨盤上方的噴嘴之供 給線，還是未做特別限定，予以配設在貯藏槽內的硏磨劑 中，直接對硏磨劑作用超用音波的投入式超音波產生裝置 ，此外，也可是配設在貯藏槽底壁下面側和側壁外面側， 並介於此貯藏槽的壁面*間接對硏磨劑作用超音波之安裝 式超音波產生裝置，甚至也可以是從供給線外部介於該供 給線而間接對硏磨劑作用超音波的固定式超音波產生裝置 本纸張尺度適用+國國家標準（CNS)A4規格（210*297公3 ) ----------ί----装------- 訂-----：-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 409310 A7 B7__ 五、發明說明（6 ) 。配置此種超音波產生裝置的位置和數量也未做特別限定 ’選擇適宜場所配置適當的數量即可。通常是在一個貯藏 槽設置一台超音波產生裝置左右就足夠，但考慮到貯藏槽 的貯藏量和硏磨劑的使用量等，也可與收容時和貯藏槽以 及供給線倂用。 以該附超音波機構作用於硏磨劑的超音波頻範圍區域 ，可對應硏磨劑的組成，特別是其平均粒度等而做適宜選 擇，但通舍是由1 9ΚΗΖ至2ΜΗ Ζ範圍爲佳，最好是 2 0至1 Ο OKHz範圍爲佳。若比1 9ΚΗζ低異常凝 集粒子的解碎就很費時，此外還有比2 MΗ z難以分散的 問題。 此外，用該附超音波機構對硏磨劑作用超音波之法， 也未做特別限定，除了可以經常作用超音波外，也可以只 在硏磨劑供給裝置動作的期間作用超音波，此外也可以在 所定時間左右隔著間隔間歇性地作用超音波。 按照本發明，儘可能的解碎硏磨劑中的異常凝集粒子 大體上成爲硏磨劑調製時的平均粒徑及粒度分佈，在附超 音波機構與噴嘴之間配設除去比基準粒徑大的粒子之過濾 器·分離除去由將硏磨劑供給到被硏磨物之前，殘留的異 常凝集粒子和從外部混入不可避免的混入粒子（顆粒）等 構成的比基準粒子大的粒子，更進一步提升硏磨製品的良 品率，此外，還能延長過濾器的有效使用期間° 〔發明之實施形態〕 9· ------------- 裝 ----ί—訂------I I---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部暫慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 409310 A7 B7_ 五、發明說明（7 ) 以下根據所附圖面說明本發明之最佳實施形態。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖係適用有關本發明第一實施形態的硏^劑供給 裝置的化學式機械硏磨裝置（CMP裝置）之槪念圖，基 本上是以具備有導入調製所定組成的硏磨劑之移送線1 a 與攪拌翼lb的硏磨劑之貯藏槽1、和在上面貼固硏磨布 2 a，此外，在下部具備有旋轉機構2 b之硏磨盤2、和 具備有與此硏磨盤2的旋轉反向反向旋轉之旋轉機構3 a 1保持被^磨物半導體用晶圓W而在硏磨布2 a上的所定 位置供給硏磨劑之噴嘴4、和從上述貯藏槽1對噴嘴4洪 給硏磨劑之供給線5、和從噴嘴4將未供給到硏磨布2 a 上的硏磨劑送回貯藏槽1之循環線6所構成的。 然後，於該第一實施形態中，在上述貯藏槽1的底壁 下面側配設超音波產生裝置7 a，對貯藏在此貯藏槽1內 的硏磨劑，於此硏磨劑被供給到硏磨盤2的硏磨布2 a上 之前，介於貯藏槽1的底壁間接性地作用所定頻率的超音 波。 經濟部智慧財產局貝工消t合作社印发 該第一實施形態，雖然超音波產生裝置7 a是配設在 貯藏槽1的底壁下面側間接地對硏磨劑作用超音波，但就 該超音波產生裝置7 a的設置位置而言，並未限定於此， 也可配置在貯藏槽1的側壁外面側，此外，在供給線5配 設超音波產生裝置7 a，間接對流經此供給線5內的硏磨 劑作用超音波亦可。進而，在該些貯藏槽1的底壁下面側 和側壁外面側，甚至在供給線5配設複數的超音波產生裝 置7 a亦可》 -10 - 本紙張尺度適用中@圉家標準（CNS)A4規格（210x297公蜚> 409310 A7 _B7_ 五、發明說明（8 ) <請先閱讀背面之江意事項再填寫本頁) 第2圖係適用有關本發明第二實施形態的硏磨劑供給 裝置的硏磨劑之調製裝置，對應需求來製造、調整、稀釋 、貯藏硏磨劑，此外除了可用於供給等用途，具有往硏磨 裝置的供給線而將調製的硏磨劑直接供給至硏磨裝置外， 因需要，例如也可使用在第1圖的CMP裝置的貯藏槽1 供給硏磨劑的裝置。 於此第二實施形態中，硏磨劑的調製裝置是以從收容 線8 a收容高濃度硏磨劑加以循環攪拌之混合槽8、和從 該混合槽8抽出的高濃度硏磨劑介於移送線9 a而收容， 將該高濃度硏磨劑以純水稀釋的同時，將調整濃度的硏磨 劑介於供給線9 b供給至圖式外的硏磨裝置之稀釋槽 9、 和配設在該些混合槽8與稀釋槽9之間的移送線9 a，循 環混合槽8，或分離除去比從該混合槽8移送稀釋槽9的 硏磨劑中基準粒徑大的粒子（異常凝集粒子和混入粒入） 之過濾器1 0所構成的。然後，在上述混合槽8與稀釋槽 9分別設置攪拌翼8b，9b的同時，設有能循環槽內硏 磨劑之循環線8 c，9 c，此外在收容線8 a、移送線 9 a及供給線9 b分別設置硏磨劑用幫浦1 1，1 2， 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 1 3。再者，在上述稀釋槽9設置供給純水之純水供給線 14° 然後，於第二實施形態而言，在上述混合槽8及稀釋 槽9分別配設超音波產生裝置7 b，對該些混合槽8及稀 釋槽9內的硏磨劑，於此硏磨劑供給至硏磨裝置之前*直 接作用所定頻率超音波。 本紙張尺度適用中0國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公爱） 經濟部智慧財產局貝工消f合作社印炎 409310 A7 __B7_ 五、發明說明（9 ) 此第二實施形態係製成超音波產生裝置7 b配設在混 合槽8及稀釋槽9的槽內，直接對硏磨劑作用超Ϊ波，但 並未限定於此，也可在混合槽8和稀釋槽9的底壁下面側 和側壁外面側配設圖式外的超音波產生裝置而間接對硏磨 劑作用超音波，此外也可在移送線9 a和給線9 b配設超 音波產生裝置而間接對硏磨劑作用超音波。進而也可適當 組合直接對硏磨劑作用超音波之超音波產生裝置7 b和直 接作用超备波之超音波產生裝置。 如以上第一及第二實施形態所示，將半導體製造用的 硏磨劑供給到被硏磨物之際，對被硏磨物的供給先於硏磨 劑作用超音波，藉此即可儘量解碎產生在硏磨劑中'的異常 凝集粒子，據此可略再發現硏磨劑作用於被硏磨物之際具 有硏磨劑調製造時的硏磨粒之平均粒徑及粒度分佈，即可 解決硏磨速度產生誤差，又可解決損傷硏磨製品表面降低 製品良率的問題》 〔實施例〕 以下根據實施例及比較例具體說明本發明。 〔實施例1及比較例1〕 用第2圖所示之硏磨劑調製裝置，分別使用硏磨粒爲 二氧化矽系硏磨粒的煙塵性矽石’還有分散媒爲NH4〇H 水溶液，在此NH4〇H水溶液中均句分散煙塵性矽石來調 製硏磨劑。 本紙張尺度適用中因國家標準（CNS)A4規格<210 * 297公釐） ---------1---裝-----I--訂--I L--I--線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 409310 A7 __B7_ 五、發明說明（10 ) 因此就調製的正常的硏磨劑，使用粒度分佈計（島津 製作所製 SALA — 2000 — 98A2 : VI 0 1 ) ，測定以粒子徑（y m ) -相對粒子量Q 3 ( % ) _差分 値q3 (%)所表示的粒度分佈。於第3圖表示結果。 接著，將具有第3圖所示的粒度分佈的硏磨劑在室溫 下放置六個月後的異常硏磨劑裝入第2圖所示的調製裝置 之混合槽8內，在停止超音波產生裝置7 b的狀態，進行 利用攪拌b之螺旋攪拌及利用循環線8 c的循環攪拌 (習知型攪拌），經三分鐘、五分鐘及七分鐘後分別抽樣 硏磨劑，針對各硏磨劑，而與上述相同測定粒度分佈。 於第4圖至第6圖表示結果。由此結果即可明_白_，藉 由只有螺旋攪拌及循環攪拌的習知型攪拌，判明幾乎無法 解碎具有產生0 . 5 //m以上粒徑的異常凝集粒子。 接著，依然繼續利用攪拌翼8 b的螺旋攪拌及利用循 環線8 c的循環攪拌的習知型攪拌，作動超音波產生裝置 7 b，使頻率4 2KH z的超音波直接作用於硏磨劑（超 音波倂用攪拌），進而經三分鐘、五分鐘、七分鐘及十分 鐘後分別抽樣硏磨劑，針對各硏磨劑，而與上述相同測定 粒度分佈。 第7圖至第1 0圖表示結果。由此結果可明白，按照 本發明之超音波倂用攪拌，由作用三分鐘超音波的階段（ 第7圖）明白認定可解碎異常凝集粒子，作用五分鐘超音 波的階段（第8圖）確認可解碎完異常凝集粒子，此外， 作用七分鐘超音波的階段（第9圖）可恢復到幾與硏磨劑 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS>A4規格（210x297公S ) -- ---------------裝 — -----—訂--I l·-----線 (請先閱讀背面之ii音？事項再填寫本頁) A7 B7 409310 五、發明說明（11) (請先閲讀背面之沒意事項再填寫本頁) 調製時第1圖相同的狀態，甚至作用十分鐘超音波的階段 (第1 0圖）也與超音波作用七分鐘時相同，維^與硏磨 劑調製時略相同狀態》 〔實施例2及比較例2〕 使用第2圖所示的硏磨劑調製裝置，分別使用硏磨粒 爲二氧化矽系硏磨粒的煙塵性矽石，還有分散媒爲KOH 水溶液，i此ΚΟ Η水溶液中均勻分散煙塵性矽石來調製 硏磨劑，將得到的硏磨劑放置六個月。 接著，於第2圖的調製裝置中關上稀釋槽9只用混合 槽8，此外用具有1 0 孔徑的特氟隆過濾器（日本電 極製）作爲過濾器1 0，硏磨劑1 0 0公升爲一組，在每 —組利用循環線8 C進行兩小時循環攪拌，分離除去比放 置期間產生的異常凝集粒子爲主體的基準粒徑（1 0 //m )大的粒子，此時，利用超音波產生裝置7 b使頻率4 2 KH z的超音波作用在硏磨劑的情形與不作用超音波的情 形（習知型攪拌）做比較，檢査對過濾器1 0有效使用期 間的影響。 經濟部智慧財.產局員工消费合作杜印製 過濾器有效使用期間的判定，具有混合槽8的氣閥（ 閥12)是否因過濾器10篩眼堵塞予以停止而進行。 結果，對於不對硏磨劑作用超音波的習知型攪拌情形 ，乃從開始僅第一組3 0分鐘就引起篩眼堵塞，利用超音 波產生裝置7 b對硏磨劑作用超音波的超音波倂用攪拌情 形，乃從開始第1 5組1 7 3 0分鐘還不會引起篩眼堵塞 -14 - 本紙張尺度適用t國固家標準（CNS)A4規格（210 X 297公藶） 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 409310 A7 __B7__ 五、發明說明（12) ，能使用過濾器10» 此結果，利用超音波產生裝置7 b對硏磨劑作用超音 波的本發明超音波倂用攪拌情’判明能倂用分離除去比基 準粒徑大的粒子之過濾器。 〔發明之效果〕 按照本發明，於半導體製造用硏磨劑中即使存在比基 準粒徑大&異常凝集粒子|還是能以儘量減低此異常凝集 粒子的狀態，將硏磨劑供給到被硏磨物表面，藉此提升半 導體製造工程的硏磨製品良品率。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係表示適用本發明第一實施形態的硏磨劑供給 裝置之化學式機械硏磨裝置（CMP裝置）之說明圖》 第2圖係表示適用有本發明第二實施形態的硏磨劑供 給裝置的硏磨劑調製裝置之說明圖。 第3圖係以粒度分佈計測定正常的硏磨劑的粒子徑（ #m) _相對粒子量Q3 (%)—差分値q3 (%)之曲 線圖。 第4圖係放置六個月後異常的硏磨劑，進行三分鐘習 知型攪拌後得到與第3圖同樣的曲線圖。 第5圖係異常的硏磨劑，進行五分鐘習知型攪拌後得 到與第3圖同樣的曲線圖。 第6圖係異常的硏磨劑，進行七分鐘習知型攪拌後得 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格U10 X 297公藿） ----裝----I---訂---------線 (請先閲讀背面之江意事項再填寫本頁) 經濟部暫慧W產局貝工消费合作社印製 409310 at _B7_ 五、發明說明（13) 到與第3圖同樣的曲線圖。 第7圖係異常的硏磨劑，進行三分鐘本發明'超音波併 用攪拌後得到與第3圖同樣的曲線圖。 第8圖係異常的硏磨劑，進行五分鐘本發明超音波倂 用攪拌後得到與第3圖同樣的曲線圖。 第9圖係異常的硏磨劑，進行七三分鐘本發明超音波 併用攪拌後得到與第3圖同樣的曲線圖。 第1 b圖係異常的硏磨劑，進行十分鐘本發明超音波 併用攪拌後得到與第3圖同樣的曲線圖。 〔符號之說明〕 1 貯藏槽 la 移送線 1 b 攪拌翼 2 硏磨盤 2 a 硏磨布 2 b 旋轉機構 3 加壓頭 3 a 旋轉機構 W 半導體用晶圓 4 噴嘴 5 供給線 6 循環線 7 a - 7 b 超音波產生裝置 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS)A4規格（210*297公釐） -------------、裝 I------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16 - _409310 五、發明說明（14) 8 混 合槽 8 J a 收容線 8 b - 9 c 攪 拌 翼 8 ( 2 1 9 d 循 環 線 9 稀 釋槽 9 a 移送線 9 b 供給線 1 0>過濾器 1 1，1 2，1 3 閥 14 純水供給線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）

Claims (1)

1. 經濟部智恶財產局貝工消費合作社印製 A8 B8 _ 409310 S8s_ 六、申請專利範圍 1 ·—種半導體製造用硏磨劑之供給裝置，針對具有 貯藏半導體製造用硏磨劑之貯藏槽、和從該貯藏i到對被 硏磨物供給硏磨劑的噴嘴導入硏磨劑之供給線之半導體製 造用硏磨劑之供給裝置中，其特徵爲：在上述貯藏槽或供 給線附設對硏磨劑作用超音波的附超音波機構。 .2.如申請專利範圍第1項所述之半導體製造用硏磨 劑之供給裝置，其中在附超音波機構與噴嘴之間配設除去 比基準粒徑大的粒子之過濾器。 3.如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體製 造用硏磨劑之供給裝置，其中附超音波機構爲配設在貯藏 槽的底壁下面側及/或側壁外面側，間接對硏磨劑#用超 音波之超音波產生裝置。 4 .如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體製 造用硏磨劑之供給裝置，其中附超音波機構爲配設在供給 線的外側，間接對硏磨劑作用超音波之超音波產生裝置。 5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體製 造用硏磨劑之供給裝置，其中附超音波機構配設在貯藏槽 內，直接對硏磨劑作用超音波之超音波產生裝置。 6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之半導體製 造用硏磨劑之供給裝置，其中以附超音波機構作用在硏磨 劑的超音波爲具有從19ΚΗζ至2MHz範圍的頻率。 7 . —種半導體製造用硏磨劑之供給方法，其特徵爲 :將半導體製造用硏磨劑供給到被硏磨物之際’針對被硏 磨物的供給而先對硏磨劑作用超音波。' 本纸張尺度逍用中國國家揉率（CNS ) Α4规格（210 X 297公釐）-18 _ -------'--装------ΐτ-------線 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 409310 ll ______ D8 六、申請專利範圍 8.如申請專利範圍第7項所述之半導體製造用硏磨 劑之供給方法’其中將作用超音波之後的硏磨劑’，以除去 比基準粒徑大的粒子的過濾器加以過濾之後，供給到被硏 磨物。 -------：--裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 19 _