CN100392820C - 晶片的研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种不产生线状缺陷的晶片的研磨方法。保持晶片于旋转可能的晶片保持板，向粘贴于旋转可能的定盘的砂纸供给研磨剂的同时，使砂纸与所述的晶片滑动接触而研磨晶片表面，在此方法中，研磨剂以近似球状的硅石作为主要成分，同时使用含有有机碱或其盐的碱溶液研磨。上述有机碱或其盐采用第4级氢氧化铵。

Description

晶片的研磨方法
技术领域
本发明涉及一种用于硅片等的晶片研磨的研磨方法的改良。
背景技术
以前，作为用于内存设备等的半导体基板材料所用的硅片的制造方法，由以下工序组成：通常使用切克劳斯基法(Czochralski；CZ)法和悬浮区域熔炼(Floating Zone；FZ)法等制造单晶锭的单晶生长工序；切割此单晶锭，至少将一个主面加工成镜面状的晶片制造(加工)工序。在由此制造的镜面抛光晶片上形成部件。
此外，若详尽地表示关晶片制造(加工)工序，则具有：切割单晶锭得到薄圆板状的晶片的切割工序；为了防止由于该切割工序而得到的晶片的裂纹、碎片而滚磨其外周部分的倒角工序；使此晶片平坦化的抛光工序；去除残留于被倒角及抛光的晶片的加工应变的腐蚀工序；镜面化此晶片表面的研磨(磨光)工序；清洗被研磨的晶片，除去附着其上的研磨剂和异物的清洗工序。上述晶片加工工序，表示的是主要的工序，也可以加入其他平面研磨工序和热处理工序等的工序，以多级交替相同的工序，颠倒工序顺序。
特别在研磨工序中，区分为被称为粗研磨的1次研磨工序和被称为精密研磨的精加工研磨，根据情况还可将1次研磨工序分成2道工序以上，称为1次、2次研磨工序等。
在研磨工序中，以适当压力使由研磨头的晶片支撑盘所支撑的腐蚀过的硅片等，与在定盘上旋转的砂纸接触而进行研磨。此时使用含有胶体氧化硅的碱溶液(称为黏浆、研磨剂等)。通过将上述研磨剂添加于砂纸和硅片的接触面，研磨剂与硅片发生机械化学作用而进行研磨。
在研磨装置中采用有各种方式，例如，如图3所示的是以在1个研磨头保持多枚的晶片的状态而进行研磨的批量式。在图3中，研磨装置A具有通过旋转轴37以规定的转速而使之旋转的研磨定盘30。砂纸P粘贴于该研磨装置30的上面。
33是操作保持盘，通过上部负载35，由旋转轴38使之旋转，并且由摆动机构使之摆动。多枚的晶片W通过接连的机构以保持在操作保持盘33的下面的状态压于上述砂纸P的表面，同时，由黏浆供给装置(未图示)通过黏浆供给管34以规定的流量，向砂纸P上供给黏浆(研磨剂)39，通过此黏浆39，晶片W的被研磨面与砂纸P表面滑动磨擦而进行晶片W的研磨。
另外，也有1个研磨头保持1枚的晶片研磨的单枚样式的研磨装置等。同时晶片的保持方法也有以下不同的形态：通过真空吸附的保持；通过蜡粘贴安装于晶片保持盘；利用水的表面张力粘贴安装等。这些是单面研磨类型的研磨装置，但其他也有同时双面研磨的研磨装置。
进行上述研磨工序，在将晶片研磨为平坦且镜面状的晶片表面上，若还进行外延生长则会观察到缺陷。若进行锐意调查则在成为外延(epi)基板的研磨后的镜面晶片的状态，观察到线状的缺陷(以下将此缺陷称为线状缺陷)。并且可知，此缺陷明确发生在研磨工序。
线状缺陷是用现有的检查装置几乎检测不出的微小缺陷，但是，例如使用共焦光学***的激光显微镜观察硅片的表面则能容易地观察到。其特征为，如图2所示为高度数nm、长度大致0.5μm以上的呈线状且突起状的缺陷。
因此，本发明的目的在于，提供一种晶片的研磨方法，不产生如此的线状缺陷。
发明内容
本发明者经锐意调查，明确了作为此线状缺陷的发生要因之一的研磨剂是原因。
特别是过量添加现有的pH调整用的Na2CO3时等，即会发生如此的线缺陷。这被认为作为研磨剂的主要成分所用的硅石，由于Na2CO3的过量添加而凝聚，从而对晶片表面造成恶劣影响。
总之，可知包含于研磨剂中的硅石的形状、硅石的粒径及其分散程度有很大影响。因此，本发明的晶片的研磨方法的第1的方式，保持晶片于旋转可能的晶片保持板，向粘贴于旋转可能的定盘的砂纸供给研磨剂，并且使砂纸与所述的晶片滑动接触而研磨晶片表面，其中，作为研磨剂以近似球形的硅石为主成分，此外，使用含有有机碱或所述有机碱的盐的碱溶液进行研磨，其中，所述有机碱或所述有机碱的盐是第4级铵氢氧化物。
本发明的晶片的研磨方法的第2的方式，保持晶片于旋转可能的晶片保持板，向粘贴于旋转可能的定盘的砂纸供给研磨剂，并且使砂纸与所述的晶片滑动接触而研磨晶片表面，其中，作为研磨剂，以大致均一分散的硅石为主要成分，还含有有机碱或者所述有机碱的盐，该硅石的形状为近似球形，并且使用硅石的平均粒径在12nm以下的碱溶液进行研磨。
特别是分散状态的硅石的平均粒径为5nm～10nm，可以特别优选为硅石的最大粒径在12nm以下。如果以此条件，能够显著降低线状缺陷。
优选以上述碱性水溶液的pH为10～13的状态进行研磨。并且，优选使用Na2CO3对研磨中的pH进行调整。如果以此条件，能够提高研磨速度且能够得到稳定的研磨速度。Na2CO3是硅石的凝聚的原因之一，但容易进行pH的调整，操作上易于处理。
在本发明的晶片的研磨方法的第2的方式中所用的研磨剂，与本发明的晶片的研磨方法的第1的形态的情况相同，以上述硅石为主要成分，同时可含有有机碱或其盐的碱溶液。
有机碱或其盐，可以代替碳酸钠(Na2CO3)进行添加，且可以与碳酸钠并用进行添加。作为有机碱或其盐，特别可以采用第4级氢氧化铵等，例如以下的化学物质。
作为第4级氢氧化铵可以列举出：四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵(TEAH)、甲基乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、甲基丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵、胆碱、三甲基苯偶酰氢氧化铵。
通过添加如此有机碱或其盐可以提高分散性，能防止硅石的凝聚，抑制线状缺陷的发生。但是，因为这些有机碱及其盐有未必使分散性改善的情况，所以优选以多个的胺和第4级氢氧化铵组合使用。
由此为了使硅石均衡分散，可以采用添加了有机碱或者其盐，例如第4级氢氧化铵，特别是TMAH的研磨剂。作为此有机碱或者其盐的添加量，优选添加至所使用的研磨剂的溶解极限。如此能提高研磨速度，并且在研磨后的清洗容易除去。而且，甚至在Na2CO3添加过量时，凝聚也不会发生。还有，上述的第4级氢氧化铵，例如TMAH其不是分散剂，因为其分子具有立体结构，所以认为其具有妨碍硅石凝聚的作用。
作为上述晶片能改进硅片。特别优选在镜面抛光工序的粗研磨工序(1次研磨及2次研磨)实施。在如此工序中以硅石浓度为2～20重量％而使用最佳。
上述工序中晶片的研磨损耗较多为1μm以上，且研磨压力等的研磨条件也严格设定，研磨速度也比较快地进行处理。因此，是相应的机械的作用大，由于研磨剂与晶片接触而线状缺陷也易于发生的工序。因此，在此工序中通过实施本发明的晶片的研磨方法能防止线状缺陷的发生。
根据本发明的晶片的研磨方法，能防止在晶片的研磨后而出现的线状缺陷的发生，制造表面状态优异的镜面晶片。
附图说明
图1是表示用于本发明方法的研磨装置及黏浆供给循环***的侧面的概略说明图。
图2是表示通过共焦光学***的激光显微镜，观察到的晶片表面的线状缺陷的1例的照片。
图3是表示研磨装置的1例的侧面的概略说明图。
图中：30-研磨定盘；33-操作保持盘；34-黏浆供给管；35-上部负载；37-旋转轴；38-旋转轴；39-黏浆；39a-黏浆新液；39b-使用过的黏浆；50-黏浆供给箱；52-黏浆调配箱；54-黏浆原液注入管；56-纯水注入管；58-添加剂注入管；60、74-pH计；62-黏浆新液供给管；64-黏浆回收槽；66-排水口；68-黏浆回收管；70-泵；72-pH调整剂供给管；A-研磨装置；B-黏浆供给循环***；P-砂纸；W-晶片
具体实施方式
以下，根据附图，说明用于本发明的晶片的研磨方法的研磨装置及黏浆供给循环***的1例。
图1是表示用于本发明方法的研磨装置及黏浆供给循环***的1例的侧面的概略说明图
在图1中，研磨装置A，具有与上述图3所示的研磨装置的结构同样的结构。以在此研磨装置A中设有黏浆的循环***B为例进行说明。即，该研磨装置A，具有通过旋转轴37而使之旋转的研磨定盘30。砂纸P粘贴于该研磨装置30的上面。
33是操作保持盘，通过上部负载35，由旋转轴38使之旋转，并且由摆动机构使之摆动。多枚的晶片W通过接连的机构以保持在操作保持盘33的下面的状态压于上述砂纸P的表面，同时，从黏浆循环***B的黏浆供给箱50通过黏浆供给管34，向砂纸P上供给黏浆(研磨剂)39，通过此黏浆39，晶片W的被研磨面滑动接触于砂纸P表面而进行晶片W的研磨。
在上述黏浆供给箱50的上方设有黏浆调配箱52。在该黏浆调配箱52中，形成为分别设有注入黏浆原液的黏浆原液注入管54、注入纯水的纯水注入管56、及注入pH调整剂和有机碱等的添加剂的添加剂注入管58，据此调配希望的组成比例的黏浆新液。60是测定在该黏浆调配箱52内调配的黏浆新液39a的pH的pH计，进行该黏浆新液39a的pH管理。
在该黏浆调配箱52内调合的黏浆新液39a，通过黏浆新液供给管62供给于黏浆供给箱50。另一方面，通过黏浆供给管34供给于砂纸P的黏浆39，随研磨作用的进行而流到设置于定盘30的下方的黏浆回收槽64中被回收。此回收的使用过的黏浆39b，通过连接于开口于该黏浆回收槽64的底部的排水口66的黏浆回收管68，由泵70压送回收至黏浆供给箱50。72是用于向黏浆供给箱50供给pH调整剂的pH调整剂供给管。
因此，使用过的黏浆39b、黏浆新液39a及pH调整剂被供给到该黏浆供给箱50，能够制作希望的组成比例的研磨用黏浆39。74是测定在该黏浆供给箱52内制作的黏浆39的pH的pH计，进行该黏浆39的pH管理。
通过在研磨装置A连接上述结构的黏浆供给循环***B，能够回收使用过的黏浆39b而循环使用，从而实现黏浆的有效利用。再者，在如此循环并使用黏浆时，根据研磨渣滓(例如砂纸渣滓)的量，可以在黏浆回收管68或者黏浆供给管34等中，适当地设置去除研磨渣滓的过滤器等。
接下来，进一步详述本发明的晶片的研磨方法。用于本发明的晶片的研磨方法的研磨剂，是由固体成分、各种添加剂、纯水组成的碱溶液。
上述研磨剂的固体成分使用的是形成近似球形的形状的硅石，且通过含有有机碱及其盐，使其分散性良好。并且，作为上述研磨剂具有大致平均分散的硅石，特别是处于分散状态的硅石的平均粒径在12nm以下，优选使用在5～10nm的范围之内的。若平均粒径低于5nm，则制造球形的状态的硅石变得困难，从而形状的稳定性恶化，若超过12nm，则现状缺陷的发生增加，不为优选。
还有，在本发明的晶片的研磨方法中，处于所用的研磨剂中的分散状态的硅石，其平均粒径如果在上述范围内即可，但优选为各个硅石的粒径不超过上述范围。总之最大粒径优选在12nm以下。还有，平均粒径和最大粒径是通过BET法确认的值。
此外，用于本发明方法的硅石，在本发明方法中所用的晶片研磨剂中的分散状态的硅石，其平均粒径及形状如果符合上述的条件，任何一种都可以使用，例如，可以是硅石细粉末，但从分散稳定性的观点出发，优选使用由水玻璃制造的水性胶态氧化硅(硅胶)液。另外，优选水性胶态氧化硅液为碱性，使作为晶片的研磨剂的pH条件易于调整。但是，此时的硅石的形状有必要近似球状。若形状变形则线状缺陷的发生增加。上述碱性胶态氧化硅，可以使用一般市面上出售的制品。
而且，在本发明的晶片的研磨方法中所用的研磨剂，优选pH调整到10～13。特别是在研磨剂的使用时(研磨时)，优选在pH10.5～11.5的范围使用。pH若低于上述范围则研磨效率差缺乏实用性，pH若超过上述范围，则因为有可能发生研磨剂(硅石)的凝聚而不为优选。还有，pH的调整，在使用前，可以将任意的公知的碱性剂(例如：NaOH、KOH、氨、有机胺等)作为添加剂使用而进行调整。并且，使用于研磨的研磨剂在反复再利用时(循环使用)，通过pH易于控制的Na2CO3等进行微调。
此外，在本发明的研磨方法中所用的研磨剂，硅石有必要充分地分散。优选进行硅石粒子之间不凝聚的处理或者添加添加剂。使分散进行的方法没有特别地限定，例如，添加有机碱或其盐。
作为有机碱以其盐，特别是可以用第4级的氢氧化铵等。特别是优选其分子具有立体结构，对硅石的凝聚具有防止作用的有机碱及其盐。
特别是，可以添加使硅石充分地分散的四甲基氢氧化铵(TMAH)。据此若在研磨剂中添加TMAH，则TMAH覆盖硅石表面而起作用(吸附)，从而降低硅石之间的凝聚，能够维持均衡的分散状态。同样，也可以在表面为活性状态的硅石粒子的表面包裹铝，或使用硅石粒子之间不凝聚的分散性的良好状态的研磨剂。
因为若分散硅石粒子则越分散越为优选，所以优选为尽可能多地添加有机碱等。但是，在有机碱中还含有重金属，所以按不使晶片污染的标准添加。
特别是TMAH也没有重金属的影响，优选尽可能多地添加，可以添加直到溶解于研磨剂中的定界，但至少添加相对于研磨剂总量的5重量％以上。另外，TMAH的溶解的上限根据使用的溶剂(通常是在纯水中添加碱成分)和使用温度而变化。
用于研磨晶片的研磨剂(特定原液)的固体成分(硅石)浓度，没有特别限定，可以按固体成分(硅石)浓度为5～80重量％，优选为10～70重量％进行制造，但其用于研磨之际，以水将组成物全部的固体成分浓度(硅石浓度)稀释为2～20重量％而使用。研磨时的浓度等可以根据研磨装置的形态和研磨条件等适当地设定。
使用具有上述构成的研磨剂研磨晶片。还有，为了去除线状缺陷，上述的硅石的形状及粒径，此外其分散状态特别的重要，但对于其他研磨剂研磨速度提高和金属污染等问题也必须解决。虽然如TMAH的添加剂有一定程度的改善，但是在上述问题点中，还可以在上述研磨剂中添加用于进一步对的金属污染防止有螯合(chelate)效果的物质，例如三聚磷酸盐苏打和其他螯合剂。为了进一步提高研磨速度，还可以添加有机胺和哌嗪等。并且，优选在硅石粒子的制造阶段，用离子交换树脂等充分地去除重金属等。研磨剂中的Cu和Ni的浓度优选控制在1ppb以下。
并且，此研磨使用的砂纸，若是无纺布类型则效果显著，特别是若在研磨工序使用硬度(阿斯卡(ASKER)C硬度)为50以上的砂纸，则实施效果显著。线状缺陷的发生原因考虑为主要是研磨剂的影响，但因为使用此类型的砂纸进行1次、2次研磨中大量发生，所以认为与上述砂纸的相性也是线状缺陷的发生要因之一。如果用本发明的研磨方法，例如即使使用上述砂纸也能防止线状缺陷的发生。此外，所谓阿斯卡(ASKER)C硬度，是通过弹簧硬度试验机的一种，即阿斯卡(ASKER)橡胶硬度计C型所测定的值，是基于SRIS(日本橡胶协会标准)0101的值。
实施例
结合以下实施例进一步具体地说明本发明，但这些实施例是示例性地表示，并不解释为限定于示例所示。
(实施例1～3以及比较例1～3)
在相对于线状缺陷的研磨剂(特别是粒径、形状、分散性)的影响中，显示出确认的结果。作为包含于研磨剂中的固体成分，Na水玻璃进行离子交换而得到活性硅酸，通过对其进行加热而使用了缩聚的硅胶。在其中添加纯水和用于pH调整的NaOH，而准备固体成分(硅石)浓度为50％的研磨剂。此外在此研磨剂中添加三聚磷酸。
以上述的研磨剂为主要成分，如下述的(1)～(6)所示，准备显示硅石的平均粒径和形状的6种类的研磨剂。通过变更形成硅胶的缩聚工序等而能够控制硅石的平均粒径和形状。因此准备数个水准的含有不同粒径和形状的硅石的研磨剂，在研磨后确认与出现线状缺陷的关系。
(1)作为研磨剂(在研磨中的硅石之间易于凝聚分散不均衡的研磨剂)，准备了添加Na2CO3而调整pH的硅石的平均粒径大约为13nm，硅石形状为球形的研磨剂(比较例1)。
(2)作为研磨剂(形状不为球状的研磨剂)，准备了添加Na2CO3进行pH调整的硅石的平均粒径大约为13nm，硅石形状呈变形的形状的研磨剂(比较例2)。
(3)作为研磨剂(平均粒径大的研磨剂)，准备了添加Na2CO3进行pH调整的硅石的平均粒径大约为20nm(最大粒径级别60nm左右)，硅石形状为球形的研磨剂(比较例3)。
(4)作为研磨剂(在研磨中分散性好、粒径也小的球状的研磨剂)，准备了添加有10重量％的TMAH，上述研磨剂中的硅石的平均粒径为12nm(最大粒径大约15nm，最小粒径大约8nm)，硅石形状为球形的研磨剂(实施例1)。
(5)作为研磨剂(在研磨中分散性好、粒径更小的球状的研磨剂)，准备了添加有10重量％的TMAH，上述研磨剂中的硅石的平均粒径为8nm(最大粒径大约12nm，最小粒径大约5nm)，硅石形状为球形的研磨剂(实施例2)。
(6)作为研磨剂(在研磨中分散性极好、粒径小的球状的研磨剂)，准备了添加TMAH达到溶解极限，上述研磨剂中的硅石的平均粒径为8nm(最大粒径大约12nm，最小粒径大约5nm)，硅石形状为球形的研磨剂(实施例3)。
在晶片的研磨装置及研磨条件等中未做特别限定，但在本例中采用了用研磨头能同时支撑直径300mm的两枚晶片的单面研磨装置。
作为研磨的顺序，在上述研磨头的晶片支撑盘1上一批粘贴两枚直径300mm的双面研磨过的(1次研磨结束)硅片，使用由无纺布组成的砂纸研磨。在研磨之际以8升/分添加上述研磨剂。此研磨剂，硅浓度为3.0重量％，以纯水稀释而使用。并且，添加了用于pH调整的Na2CO3。初期pH调整为10.5。
作为研磨条件，采用无纺布类型的砂纸(阿斯卡(ASKER)C硬度80)，研磨压为20kPa，研磨硅表面约1.5μm。这些研磨条件是相当于2次研磨条件的研磨。
由此，使用共焦光学***的激光显微镜(激光技术社制MAGICS)对研磨的晶片的表面进行缺陷的观察。
其结果，在比较例1～比较例3的研磨剂中，可观察到如图2所示的线形的缺陷。
在比较例1的研磨剂中，上述缺陷的个数非常多，存在有100个(每300mm晶片)。特别是因为反复使用相同的研磨剂，为了调整pH，在研磨过程中添加了Na2CO3，虽然最初线状缺陷少，但是若添加一定程度的Na2CO3，则研磨剂细微凝聚而分散性变差，随之而来的线状缺陷的发生也激增。据此结果可知，研磨中的硅石的分散状态十分重要。
在比较例2的研磨剂中，对球状的硅石进行酸处理，使用的是形状变形的硅石，球状的形状在有一些变形时，可知促进了线状缺陷的发生。特别在这次的研磨中，存在非常多的缺陷，有1000个(每300mm晶片)。由此可知，硅石的形状优选尽可能地接近球状。
比较例3的研磨剂，硅石粒子的粒径比较大。在此研磨中，观察到150个(每300mm晶片)左右的线状缺陷。可知虽然粒径没有很大影响，但若粒径大则线状缺陷有一些增多的倾向。
另一方面，在实施例1～实施例3中，线状缺陷显著减少。
作为实施例1的研磨剂，以10重量％左右加入作为有机碱的TMAH，硅石的分散性良好，此外使用的是粒径尽可能小的球状的硅石，由此线状缺陷的发生显著降低。特别是通过此研磨，线状缺陷非常少为30个(每300mm晶片)。
在实施例2的研磨剂中，粒径更小。如此使粒径变小，即使反复使用研磨剂(也添加Na2CO3等)也能防止硅石之间凝聚而可以稳定地进行研磨。特别是在此研磨中，线状缺陷非常少为20个(每300mm晶片)。
实施例3的研磨剂，添加TMAH直到其溶解极限。如此的研磨剂也可抑制线状缺陷的发生，同样反复使用研磨剂(也添加Na2CO3等)也能防止硅石之间凝聚，并且也提高研磨速度，能够稳定地进行研磨。特别是以此研磨，几乎观察不到缺陷。
(实施例4)
以下根据本发明的晶片的研磨方法说明研磨硅片的情况。对于蚀刻过的直径200mm的晶片，进行1次、2次、精加工的3段的单面研磨。此1次、2次的研磨适用于本发明的研磨方法。
即，在1次研磨及2次研磨中作为研磨剂，添加20重量％的TMAH，硅石的平均粒径大约8nm(最大粒径大约12nm，最小粒径大约5nm)，采用硅石固体成分30重量％的碱性胶体氧化硅的原液(研磨剂)，硅石固体成分的浓度为3重量％，pH＝10～11，如此以纯水稀释的研磨剂。
(1次研磨)
在1次研磨中作为研磨装置，如图1所示采用批量式的蜡载(waxmount)方式的单面研磨装置。作为研磨条件，使用无纺布类型的砂纸(阿斯卡(ASKER)C硬度60)，研磨压为30kPa，对硅片的表面进行大约10μm的研磨。这些研磨条件是相当于1次研磨条件的研磨。以一批5枚进行20批直径200mm的硅片研磨。
研磨剂循环使用，反复研磨多枚的晶片。此时pH的调整以Na2CO3进行。初期pH调整为10.5。研磨剂的流量以10升/分进行实施。
(2次研磨)
作为2次研磨用的研磨装置也采用如图1所示形态的单面研磨装置。作为研磨条件，使用无纺布类型的砂纸(阿斯卡(ASKER)C硬度80)，研磨压为20kPa，研磨硅表面约1.5μm，研磨1次研磨的晶片表面。此研磨条件是符合所提及的2次研磨的研磨条件的研磨。
2次研磨的研磨剂也循环使用，反复研磨多枚的晶片。此时pH的调整以Na2CO3进行。初期pH调整为10.5。研磨剂的流量以8升/分实施。
作为精加工研磨的研磨装置采用如图3所示形态的单面研磨装置。作为研磨条件，使用绒面类型的砂纸(阿斯卡(ASKER)C硬度50)，研磨压为15kPa，一些硅表面(约1μm以下)，研磨2次研磨的晶片表面。此研磨条件是符合所提及的精加工研磨的研磨条件的研磨。研磨剂采用pH调整为10的硅石固体成分的浓度为0.4重量％的碱溶液，一次性使用。
上述研磨也几乎观察不到线状缺陷，在被观察的晶片也是非常少量在15个以下。同时反复使用研磨剂的研磨，在研磨的晶片中也几乎观察不到线状缺陷的增加，且平坦度良好。
并且，以此研磨的硅片为基板进行外延生长。其结果是在外延的晶片表面也观察不到缺陷。
(比较例4)
以与实施例4相同的条件而不在研磨剂中添加TMAH，使用硅石的形状变形的研磨剂进行了研磨。
其结果，从第1批观察到线状缺陷，每反复使用研磨剂线状缺陷的发生随之增加。
与实施例4同样，在晶片上形成外延层时对缺陷进行了观察。观察到此缺陷与线状缺陷出现的部分大***置相同。
如上，通过使用本发明的晶片的研磨方法的独特的研磨剂，能防止线状缺陷的发生。
此外，本发明方法不限定于上述实施方式。上述实施方式是例示。具有与记载于本专利发明范围的在技术上的观念实质上统一的构成，而发挥同样的作用效果的，任何一切均包含于本发明的技术范围。
例如，没有限定双面研磨装置、单面研磨装置等的研磨装置的方式。或者，晶片多枚同时研磨的批量式，或1枚各自研磨的单片式等的方式均可以。

Claims (27)

1.一种晶片的研磨方法，将晶片保持在可以旋转的晶片保持板上，向粘贴于可以旋转的定盘的砂纸上供给研磨剂，并且使砂纸与所述的晶片滑动接触而研磨晶片表面，其特征在于，作为研磨剂以近似球状的硅石作为主要成分，此外使用含有有机碱或所述有机碱的盐的碱溶液进行研磨，其中，所述有机碱或所述有机碱的盐是第4级铵氢氧化物。
2.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述碱溶液的pH为10～13。
3.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，Na2CO3被用于所述碱溶液的pH调整。
4.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述第4级铵的氢氧化物为四甲基氢氧化铵。
5.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，添加所述有机碱或所述有机碱的盐直到所使用的研磨剂的溶解极限。
6.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述晶片为硅片。
7.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，在镜面研磨工序的粗研磨工序，即1次研磨及2次研磨工序中实施所述晶片的研磨方法。
8.根据权利要求7所记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述粗研磨工序为2次研磨工序。
9.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，以2％～20％(重量)的浓度使用所述硅石。
10.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，使用无纺布类型的砂纸进行研磨。
11.根据权利要求1记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述砂纸的硬度为阿斯卡C硬度的50以上。
12.根据权利要求1～11的任一项所记载的晶片的研磨方法，其特征在于，进行研磨，使所述晶片的研磨损耗为1μm以上。
13.一种晶片的研磨方法，将晶片保持在可以旋转的晶片保持板上，向粘贴于可以旋转的定盘的砂纸上供给研磨剂，并且使砂纸与所述的晶片滑动接触而研磨晶片表面，其特征在于，作为研磨剂，以大致均一分散的硅石为主要成分，还含有有机碱或者所述有机碱的盐，该硅石的形状为近似球状，并且使用硅石的平均粒径为12nm以下的碱溶液进行研磨。
14.根据权利要求13所记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述有机碱或所述有机碱的盐是第4级铵氢氧化物。
15.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述硅石的分散状态的平均粒径为5nm～10nm。
16.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述硅石的分散状态的最大粒径为12nm以下。
17.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述碱溶液的pH为10～13。
18.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，Na2CO3被用于所述碱溶液的pH调整。
19.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述第4级铵的氢氧化物为四甲基氢氧化铵。
20.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，添加所述有机碱或所述有机碱的盐直到所使用的研磨剂的溶解极限。
21.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述晶片为硅片。
22.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，在镜面研磨工序的粗研磨工序，即1次研磨及2次研磨工序中实施所述晶片的研磨方法。
23.根据权利要求22所记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述粗研磨工序为2次研磨工序。
24.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，以2％～20％(重量)的浓度使用所述硅石。
25.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，使用无纺布类型的砂纸进行研磨。
26.根据权利要求13记载的晶片的研磨方法，其特征在于，所述砂纸的硬度为阿斯卡C硬度的50以上。
27.根据权利要求13～26的任一项所记载的晶片的研磨方法，其特征在于，进行研磨，使所述晶片的研磨损耗为1μm以上。
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