TW402720B - Optical recording medium - Google Patents

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TW402720B
TW402720B TW86111538A TW86111538A TW402720B TW 402720 B TW402720 B TW 402720B TW 86111538 A TW86111538 A TW 86111538A TW 86111538 A TW86111538 A TW 86111538A TW 402720 B TW402720 B TW 402720B
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Kyung-Sun Min
Sung-Hoon Kim
Young-Jae Huh
Soo-Hyung Lee
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Description

<發明背景〉 斑壓係關於—種光學記錄介質，特別係有關—種可 率的光相答在波長大於_亳微米時具有高反射 管可以質，該光學記錄介質中及從該光學記錄介 與再現^數位多功能影碟機(DVDP)及光碟機(CDP)記 錄 ，個光學記錄介質的記錄單元所記域 區域更r所以光學記錄介質已被以 料的使用。鮮雜介質區分成只有再現已記錄资 次ϋΐϊ憶(R〇M)型，只能記錄一次而可讀數次的寫二 介i^sWC)RM)型和是—種可記錄、可消除和可重寫 ROM^重寫型。光學記錄介質裡所記錄的資料應該是由 朗的齡器舰。_言之，絲記錄= 更二ϊ:Ξ標準化規則(RED Β00κ)，所以需要65%或 更大，反射較及47分賊更多_體·嗓纽（C取 反射己錄介質裡，被記錄的資料可以利用 «:,^(Physical ； 變化。同樣地，對於製造可與⑶相容的光& 需要長期資科儲存性質和高記錄密度丄述 同反射率和cnr祕。為了要改良光學記錄介管的特性= 且使製造方法簡化，已經有人提出用久特性並 各種不同光學記錄介質，而且;=== 份已供實際應用。 舟甲^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 402720 _____ Β7 五、發明説明（） 於傳統的光學記錄介質，日本人特許公開專利案昭 和63-268142號揭示一種記錄介質，該記錄介質具有一種 其中用動物膠、白或聚乙烯醇（PVA)形成^錄介質 以及用鉻（Cr)，鎳(Ni)或金（Au)依序堆疊在基板上的结 構。根據記錄介質的光學記錄原則，金屬薄膜吸收照射^ 射光的熱，而且因此敏化層以及金屬薄膜變形而形成記^ 凹痕。然而，該記錄介質的記錄凹痕曝光而難以長期儲 所記錄的資料〇 +美國專利第4,983,440號揭示—種記錄介質，該記錄 1貪/、有一五屬溥膜當做§己錄層以及保護記錄層的保護層 依序地堆積在紐上的結構。都，該記錄抑具有大^ 2〇%的非常低反辨而且需要實際使贿_高、功率光 源。而且，記錄介質也不能夠與傳統的CD相容。 據美國專利第5,328,813號，金屬薄膜當做記錄層 形成在基板上，而且在金屬薄膜上形成硬金屬氧化物声以 增加資料儲存性質和反射率至4〇 _ 09%。然而，CNR ^献 很低。 … 入所同樣地，關#難第5，155,723號也揭示—種記錄 2 ’减錄介f具有其巾錢染料層#魏錄層堆積在 t曰上，而且反測層和保護層則堆積在記錄層上。據 ，介質，染料層吸收記錄關雷觀束而放_。而且 而且因熱變形，所以被記錄的訊號可以根據記錄 =射率錄再現4這裡，記錄介韻反射率是鳩或 更大而記錄㈣CNR是47分狀更大，而與CD相容。然 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁，) 訂 尺-度適 輕濟部中央榡準局員工增費合作·社印製 _402720 五、發明説明（ 而，記錄介質的記錄層具有低耐熱性及抗光性，而且 有機染料昂貴而致㈣成本高。在觀程序翻疼機 染料溶液來進行旋轉塗覆。然而，塗料層的厚度在光學 片製造綱必須IE確地糊在+3%的誤差内，因為反^ 係依塗料層的厚度而定^而且，需要昂錄備但生產力 低0 〈發明之總論>
本發明的一目的即在提供一種光學記錄介質，其在 780nm的波長時有65%或更高的反射率，且可與二壓_碟 片（CD)相容，在63〇〜細麵之反射率為4〇%，以及们分 貝或更高的载體一嗓音比（CNR)，且可藉由數位多功= 碟機(DVDP)而再現資料。 t,V 為了達到該目的，係提供一種光學記錄介質，其包括 一具有預刻槽的基板，和一金屬記錄層，_缓衝層射 層依序地堆積在基板上，其中缓衝層係以一具有^6〇〇〜 800nm雷射光束有一低的光吸收度的有機材料所形成，如 此，在650nm的光吸收度(複合折射率(η_κ)的想像部份的 係數Κ)係小於或等於1.0，在780nm的光吸收度則為小 等於0.1。 ； ；" 本發明較佳具體實施例之光學記錄介質結構和特性將 以所附圖式更詳細地説明如下。 <圖式之簡單説明> 本發明上述目的及優點將藉由參考所附圖式以其較佳 具體實施例詳細地描述而變得更顯然易知。 ^父 度適用中國國f標準（CNS ) ΑϋΤ21 ο X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
發明説明（ 矛1圖係為顯示本發鈐 的剖面圖； 較佳具骽實施例之光學碟片結榻 第2圖係為顯示第 和非記錄部分的剖面圖；）尤子碟片裡形成之被記錄部会 第3圖係為係顯示反肖 厚度變化的曲線；和 圖之光學碟片的缓衝眉 第4圖係為顯示CNr隨第 化的曲線圖。 弟圖的光學碟片裡記錄功率變 <圖式中符號與名_照〉 ⑺......基板 20......金屬記錄層 30......缓衝層 40反射層 50······保護層 佳具體實例的詳細描述〉 構的發賴健財雜之縣麵介卵 經濟部中央操準局員工消費合作社印 積在基板tl 反射相和—賴層爾序地堆 光學上述結獅絲記錄介質裡，金屬記錄層2〇在 衝層用雷射光束加熱，而熱係轉移職扳10和缓 變i，而Ιίίίί錄層2G加熱區域的基板1()頭膨腺及 衝層30外i錄層酬加顧域藉由絲的擴張力向缓
402720 ----:--- 五、發明説明（ 々键{1為#>細顯示本發明之光學記錄介質裡形成之被 錄部分的剖面圖。如第2圖所示，在被記錄 緯：雷射光束而產生熱、基板 彡的程度與金屬記錄層所產生的熱成比例 而且視金屬崎層和_層的材料和厚度而定。 未記__㈣反射率比 率差'“It口此導致已記錄部份與未記錄部份的反射 =，其中反射率使得記錄與回放成為可能。此處，已記 低精的反射率依以τ_理條未記錄部份的反射率為 由於缓衝層厚度的 ;:此亦即，如果基板10由於-記錄雷射而膨脹出丄； S30的ί㈣從記錄以前的厚度減少到記錄以ί的:J 度d2。此處，反射度係依照缓衝層的厚度而改變 3
=口弟3圖所示，如此，已記錄部份的反射度降低。而且广 減少的反射度係決定於金屬層厚度。 I 第二，缓衝層開始厚度dl係為了缓的 化以具有最大的反射度而最佳化。如果薄金屬=斤0= ^吸啟為iliiigH缴面慶_^，，ι；卜.部价的j# pn^ «為心，引起在未記錄部份與記錄竑之間 徑(optical path)的差異。因此，!己錄部份的反射度減少。。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本纸疚尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） Α7 Β7 五、 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4〇272β 發明説明（ 第三，記錄部份的反射度乃由於一從基板的預刻槽反 射之反射光束Rg與一從地侧（land side)反射的反射光Ri之 間的相消干擾（destractive interference)而減少，參考第2 圖，最初的預測刻槽厚度dgi係足夠引起反射光Rg與反射 光Ri之間的相加干擾(contructive interference)。然而，使 用一記錄雷射記錄以後，基板1〇與金屬記錄層2〇係向著缓 衝30膨脹，如此，基板的預刻槽深度乃減少至扭2。結果， 預刻槽的深度減少，藉此於反射光1^與111之間產生相消干 擾。如此，在光的輻照之後，於記錄部份引起了相消干 擾，而減少了反射度，而相加干擾則發生於未記錄的部 份。 為了使用上述現象來獲得一高的CNR，缓衝層的厚度 與材料必需是在最佳狀態的程度。此亦即，藉由吸收雷^ 光束的熱產生現象，作為形成一記錄坑（基板的變形）， 王要係反應金屬記錄層。如此，缓衝層係以一種在_ =長下其吸收度低的材料所形成，以減少由緩衡層的埶 產生現象。結果，缓衝層可容易地被變 成 的反射度。 &同 的係飾—複合崎料實際部份 扪職η絲大於或稍π，財記錄 (此處’折射率表示―w 二射’ 本纸張尺度悄_轉（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 分
40272Q —_______ 五、發明説明（ 的差係小於或等於8(rc，在吸收的觀點中，較佳的是，用 以作為缓衝層的材料在一 600〜800nm波長的雷射光束下有 二低的吸收度(κ)，如此在650nm的光吸收度(K)係小於或 f於1.0 ’而在78〇nm光吸收度(K)係小於或等於0.1。如果 热分解溫度與熔解溫度差超過80Ό，缓衝層即易於熔解而 會使記錄部份地侧受到損傷，因此光學信號的特 壞。 ’ < 以下，將詳細説明依照本發明的光學記錄介質的成 在本發明中，基扳1〇係以一材料所形成，該材 ，射透明’且在8G〜細Μ很容易地膨服並變 ^ 有舰的轉·。可滿足上述航的材料 =·聚碳酸樹脂、聚甲基異丁烯酸酯(ρΜΜΑ) 月曰二聚酯或無定形輯烴，較鋪是，使用—有破^ =广繼的材料，而且，在記錄或重放期間用： 較佳的疋50〜30〇nm。如果預刻槽的深度係小於_ - 記錄後，.反射度即由縣板_脹而大大加^在 即有很多的雜音被包含於一記錄信 如此， 刻槽的深度超過300nm，缓衝# ^娣 ，如果預 了其反射“且 cootmg)獲得一具有平坦表面之緩衝層。 夏法（spm 本發明之光學記錄介質的金屬記 收記錄雷射光束產生_熱產生:及做藉由吸 〆 ^及才疋供目己錄前後對比 :紙痪尺度賴t顧家標準（CNS ) A4規格 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j I ! n 「ΊInIHI*n· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 402720
五、發明説明（ 金屬記錄層2_學特性中，較佳地， ==V在記錄期間，光吸收較低，如此_ 扪夂忝較小，降低了記錄靈敏度。 f "：r^；：3：：AA；! 2則產生的熱量不足1^使“變形一。相 被記錄部分較少變形。而且金屬記錄層 號的_ t 轉性增加而損壞了地侧，其導致了信 反"射率:而且’散佈光的情形增加。因此，難以獲得高 ^佳的是，金屬記錄層的導熱率是4瓦/公分更 =如果金羼記錄層的導熱率超過4瓦/公分。c，則用雷射 難將迅速__圍’所以很 預定的溫度⑼使記錄層加_想要的 人-邱的行跡因為§己錄凹痕的大小增加而可能變形。
1Π 6/ί羼記錄層的熱線性膨脹係數也較佳的相等或高於3 X L 果線性膨服係數小於3 χ㈣。0，則金屬記錄層 =綠時基板變賴致_脹造成破碎，所以不 艮好的記錄訊號值。 為了滿足上述條件，金屬纪錄層可以由 (Ρί)，銀（Ag)，组（Ta)，鐵（Fe)或其合金使用真空沉積 〆. ?SiS^ ( cns )7ίϋ： (210X297公釐） A7 B7 402720 五、發明説明（ 法、電子光束或濺散方法形成。 ,依照本發明，缓衝30層有一50〜i，〇〇〇nm的厚度，且 係由於基板10與金屬記錄層的變形而變形。因此，在已變 开y之缓衝與反射層之間的介面形狀乃改變，藉此利用記錄 使反射度㈣變大。於是，通常缓騎係以，—可由於從 金屬記錄層傳送以及其本身直接吸收之光能的熱輕易地變 形的材料所形成。然而，在本發明中，一種在上述6〇〇〜 _有賊長中有—低光錄度的材料乃被使用，來使 缓衝層直吸㈣光能最小化，以達到高反射度。詳细古 之，作為-種缓衝層30的材料，—種能夠滿足下列條件的 有機材料乃被^甩，此亦即：―種在溶劑中具有溶解度為 〇.5g/l_或更高，且對基板不會構賴壞之材料；且敎分 解溫度為_〜3〇代，以便有優異的記錄靈敏度；^；解與 炫解溫度差為8(TC或更小，以使得鍰衝層有好的變形；複 合折射率的實際部份的餘η)，在開始狀態係 大於或寺於1.7，以增加記錄信號的對比；與—在細〜 =〇麵下的低光吸收度，以在相⑽波長下有—高反射 以ΗΓ滿足上述條件的有機材料所形成，例如 Γ Ξ 化合物、_化合物、酯化合物、尿 ί二二細匕合物或其混合物。特別是，缓衝 :ΐ ί: 土y—種從包含 i_e)、 (Ph_threne)、花青苷(eyanine)、( 了 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 .:/11---J--訂-------:>------- π 本纸ft尺度適用中國國家標準（CNS ) A4i5：( 210X297^5
A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作，杜印製 402720 五、發明説明（） 萘法羅青苷(naphalocyanine)、局部花青苷(merocyanine)、丙 里林（pyrylium)、植物黃質(xanthine)、三苯甲烷 (triphenylmethane)、鉻可寧(croconinm)、偶氮(azo)、競青 (indigoid)、曱川（methine)、甘菊環烴(azulene)、角里林 (squarylium)、硫化物（sulfide)與鯨蠟醇輪酸酯(methal dithiolate)的群中選出的染料。 有機材料可與一聚合物樹脂混合，以增進有關於族轉 被覆之性質，此處，較佳的，聚合物樹脂之含量，以有機 材料作基礎，為50重量百分比或更少，聚合物樹脂可包表 乙烯基醋酸醋樹脂，聚醋樹|旨，聚醚樹脂，聚苯乙缔掛 '脂，聚胺基甲酸乙酯樹脂，纖維素樹脂和脂肪酸樹脂。③ 、在本發明中，缓衝層係以一般用上述材料的方法來形 成’例如，上述的缓衝層的材料溶解於一有機溶劑之中^ 然後所得的溶液乃於金屬記錄層2〇上被旋轉被覆，此處如 果-有機溶劑可容易地溶解缓衝層而不會損傷基 機溶劑即無限制。 , 反射層40係以-通常的方法來形成，例如，反射芦 係以金(Au),銘(A1)，銅(Cu)，銘(Cr)，鍊㈣ ^)， 銀(Ag)，鉅(Ta)，鈦(Ti)，鐵(Fe)或其合金以光束或 濺法來形成一厚度為5〇0〜2,5〇〇A之反射層者。〆、 ,保護層50保護光學記錄介質的其他構芦。嫌属 係由一般的方法形成。例如，保護層5获二、〃反目〇 明和可被紫外_化且具有大〃灰轉塗覆透 樹腊，然後用紫外線照射固化經旋轉^覆^ 本紙ft尺度適用中國每^準（CNS )A4規格 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j
A7 B7 402720 五、發明説明（） 本發明將以下列實施例詳細地描述如下。然而，本發 明不為下列實施例所限。 將鎳（Ni)記錄層真空沉積在聚碳酸酯基扳上至 4笔祕米厚’該基板厚丨·2毫米，有預刻槽，其深度為190毫 如丈米，其最上方處寬0.8微米，其底部寬0 22微米，而軌跡 間距1.6微米。然後，將溶解0 85克熱分解溫度為2〇(rc， 少谷解溫度為24〇〇C的(CVS-300, ICI，ϋ·Κ.，吸收度在780nm 為Ο/在65〇nm為0.43)紅色染料於1〇毫升二丙酮醇(DAA) 而待的塗料溶液以4,〇〇〇 rpm旋轉塗覆在Nit錄層形成緩衝 層:在此，相當於預刻槽侧利用掃描式電子顯微鏡（SEM) 測得的缓衝層厚度為大约28〇毫微米。在4〇Ό真空箱裡乾 燥所得的結構之後，將Au錢沉積至大約4，_人以形成反 ^層。然後，將可用料__環氧基_咖旨樹腊旋 轉塗覆在反射壯，難目化形絲韻，產生本發 片型光學記錄介質。 =，用^⑶娜試器(〇Hmt_5⑼，々ex)採用· f朱雷.射光束續評储果， 2Γ，而最大反射率Rtop是㈣而使用 ，在使财毫瓦記錄功率、.千赫調幅以 =，：是65分貝。在上述記錄條件= 的記錄訊號係以毫瓦或更大的記錄功率再 先鋒)記錄料顧之後，被記錄轉音訊雜用cd唱 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部中央標準局—工消費合作社印裝 本紙狀度適用"^囷家標準（CNS) A4規 km 經濟部中央標準局'貝工消費合作社印製 402ϊ2δ
五、發明説明（ 盤（Mark II，飛利浦、旦目 De油興咖公司根據⑽-CATS (瑞典緣 皆滿足⑽標i =碟^錄特性，評估過的所有項目 (DVDP)再1。 貧料能夠由數位多功能影碟機 實施例2 站施例1相同方法製造碟片型光學記錄介質，不同 層材料被6亳微米厚的CuA1取代、並評估碟 片的功效。 ^ 記錄麵反鱗是观，破大反神Rt〇P是62%， 而且，波長請亳微米時的碟片反射率是51%。而且，於 碟片中。己錄|首訊號以號，碟片裡記錄的資料能夠 位多功能影碟機(DVDP)與CDP再現。 實施例3 碟片係以如實施例1所述的相同方法製造，除了金 屬記錄層是以厚度5毫米的鉅取代，再評估葉片的特性。 依照特性評估的結果，記錄前的反射率為76%，最大 反射率Rtop為65%，而(：皿為62分貝，波長65〇毫微米^的 碟片反射率為53 %，使用CD-R記錄器於碟片中記錄一聲音 信號’以後，記錄的聲音信號，可使用一CDP與dVdp^_ 現0 實施例4 一碟片係以如實施例1所述的相同方法製造，除了反射 層的材料係以10毫微米厚的A1所取代，再評估碟片的特 請 先 閲 t 事 項 再%， 本； 買
H 14 本纸疚尺度適用中國國家標準（.CNS ) A4規格（210X297公釐 經濟部中央標準局員工消費合作•钍印製 402!72〇 A7 ' -------- B7 __ 五、發明説明（） 性。 依照特性評估的結果，記錄前的反射率為77%，最大 反射率Rt〇p為65%，而CNR為62分貝，波長650毫微米時 的碟片反射率為51%，使用CD-R記錄器於碟片中記錄一聲 晉信號以後，記錄的聲信號，可使用一 CDP與DVDP再 現。 —碟片係以如實施例1所述的相同方法製造，除了以 分解0.9¾ NK-1532(日本製光敏性染料)與〇,〇58L_04(日本 製光敏性染料)於10毫升=丙酮醇(DAA)中而得的溶液係用 來形成一缓衝層，在缓衝層的溶液中，在780nm時的折射 率n與吸收度(K)分別為i.85與〇·〇24，在65〇11111睁則分別 2.與〇.〇3。在記錄一音樂以後，記錄的音樂可藉一 CDp 與dvdp再現，在780ηιη時最大的反射率Rtop為66%，在 65〇nm的反射率為43%。 一碟片係以如實施例所述的相同方法製造，除了缓衝 層之材.料係.以〇.85g的青藍染料（〇7811丨116(1;^)8-〇4(NniPij0n Kank〇 Shildso Kenkusho Co., Ltd.)取代，該 染料在780nm時的折射率n為2·5，吸收度（K)為0，在 650nm時的折射率η為1.49，吸收度(Κ)為1.41，然後，進 行其特性評估，此處，缓衝層對應預刻槽部份的厚度，以 一掃描式電子顯微鏡(SEM)測量，係大約300nm。 依照特性評估的結果，記錄前的反射率為78%，最大 -------—______ 本紙痪尺皮適用中國國家標準（CNS)六4規格（210X297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 402720 at ___ B7 五、發明説明（） 反射率Rtop為66%，而CNR為65分貝。而且，在碟片使用 CD-R記錄器(rpD_1000，先鋒)記錄聲音信號以後，記錄 的聲信號不能使用CD唱盤(Mark II，飛利浦)重現，依照碟 片的記錄特性，以一CD-CATS評估，所有評估的項目均'能 滿足CD的標準，然而，在650nm的反射率為20%，因此無 法以DVDP重現。 达較實施例2 一碟片係以實施例1的相同方法製得，除了缓衝層的 材料係以 0.80g T-043 染料（Nippon Kayaku Co” Ltd.)取 代，該染料有一215°C的熱分解溫度與125¾的熔解溫度， 然後進行其特性評估。 依照特性評估的結果，記綠前的反射率為79%，最大 反射率Rt〇P為65%，而CNR為45分貝。而且，在碟片使用 CD-R記錄器(RPD-100，先鋒)記錄聲音信號以後，記錄的 聲彳§號不能使用CD唱盤(Mank II，飛利浦）重現。依照使 用在實施例1之評估設備所作評估的結果，一個地測（land side)係嚴重地變形。 比較實施例3 將4.4克N，N‘-2, 5-環己二烯基-1, 4-基辞雙[4-(二丁 基胺基)七-[4_(二丁基胺基)苯基]-雙[(ocm)·六氟-銻 酸酉旨（10)](NK-3219，Nippon Kanko Shinko Kenkusho有 限公司’ λ max = 720毫微米，在780nm的折射率n為2.28， 吸收度(Κ)在780nm為0.〇24，在65〇nm的折射率η為1.18，.吸 收度(Κ)為L31)溶解在1〇〇毫升DAA裡所得的染料溶液沉積 ------Ifi 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（21 OX 29*7公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁.)
402720 A7 B7 五、發明説明（ 在聚碳酸®θ (PC)的基板上i〇2mm厚，其並有i53nm的予苜列 槽，其最上部份之寬為〇.8/zm，底部之寬為〇 8_，^ 跡間為1.6//m，其係使用旋轉被塗覆機依序地以咒轉/分鐘 塗覆5秒、1，500轉/分鐘15秒和4,〇〇〇轉/分鐘3〇秒的方式 進行，然後完全乾燥。然後，使用濺射機形成Au反射層至 厚度100毫微米。在將UV可固化樹脂沉積在Au反射層上 之後’雜機結馳#uv目似彡成厚職米的保護層。ίϊΐϊ率Rt°p是66%，而使用G.7毫瓦雷射在使用8毫瓦 CNR % 千赫滴幅以1,3米/秒記綠速度記錄碟片的疋为、a。然而，碟片不仍能夠由DVDP播放。 ，上所述’本發明的光學記錄 卑，r資料由於其在_毫：;長 請 先 閱 讀 意 事 項 再 養 $ 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 dr 尺 一縣
S N I格 規 公

Claims (1)

  1. 402720 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 輕濟部中夬榡準局員-X.消費合作祍印裂 1. 一種光學§己錄介質，其包括 ——具有預刻槽的基扳，和 -金屬記錄層，缓_和反制依序地軸在基板上， 其中缓衡層係-具有對_〜8〇〇nm的雷射光束有一低的 光吸收度的、«材料所軸，如此，在㈣_的光吸收 度(K)係小於或等於10，在78〇nm的光吸收度係小於或 等於0.1。 、 2. 如申請專利顧第1項之光學記錄介質，其巾缓衝層之有 機材料之熱分解溫度為100〜30(rc。 3. 如申請專·_2項之料記餐質，射熱分解溫度 與嫁解溫度之差係少於或等於。 4. 如申請專利範圍第i項之光學記錄介質，其中缓衝層之有 機材料的折射率(複合折射率的實際部份的係數η)係大於 或等於1.7 〇 、 5. 如^請專繼i丨第1項之光學記錄介質，其巾有機材料包 栝芳香族化合物、脂肪族化合物、醯胺化合物、酯化合 物、尿素、联、缻化合物、羥基化合物或其混合物。 6. 如申請專利範圍第5項之光學記錄介質，其中有機材料係 以從包含悤她bnthraquinone}、二噁喊沖⑽拉㈣、三驗 一嗔嗓{triphenodithiazine}、菲{phenanthrene}、花青苷 (cyanine)、敢青（phthal〇cyanine)、萘法羅青苦 (naPhthal〇cyanine)、局部花青苷(mer〇cyanine)、丙里林 (pyrylium)、植物黃質（xanthine)、三苯甲烷 (triphenylmethane)、銘可寧(croconinm)、偶氮(az〇)、錠青 請 ka 閱 面 之 注 意 再 ¥ 頁 訂 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公瘦 402720 A8 B8 C8- D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 (mdlg〇ld)、甲川（methine)、甘菊環烴(azuiene)、角里林 (squarylmm)、硫化物(sulfide)與鯨蠟醇錄酯㈣制 dithiolate)的群中選出的染料。 7·如申請翻範第1項之光學記錄介質，其巾缓衝層包 括以有機材料為基礎，5〇重量百分比或更少的聚合物。 8. 如申清專利典園第7項之光學記綠介質，其中聚合物包括 從包含乙烯基醋酸酯樹脂，聚酯樹脂，聚醚樹脂，聚苯 乙烯樹脂，聚胺基曱酸乙_脂，纖維素樹脂和脂肪酸· 樹脂的群中選出的至少一種者。 9. 如申請_範圍第1項之光學記錄介f，其巾缓衝層之厚 度為50〜l，000nm 〇 10. 如申請專利範圍第丨項之光學記錄介質，其中。一保護 層係形成在反射層之上。 ^ 第1項之光學記錄介質，其巾光學記錄 ;丨八在600〜8〇〇nm時反射度為40%。 .12.如申請專利範圍第丨項之光學記錄介質， 左 板上之預刻槽深度為50〜300nm。 V ，土 第1項之光學記錄介質，其中至少基板、金 屬圮錄層與缓衝層之—者具有一變形部份。 申請相第13項之光學鱗介質，其巾紐斑金屬記 減形部份，缓衝層對應變形部份的部份則有二 Π·如申請#利和項之光學記齡質，其巾 錄層與缓衝層具有彼此對應的變形部份5 *~—-—— 19 ⑭ CNS) A4^ (2iQx297 公楚
    、申請專利範圍 40272G 16·如申請專利第15項之光學記錄讀，其巾反射芦且右— 對應著缓衡賴_部份㈣形部份。、 Ί— 奴解鱗㈣，射衫記錄層之 认如申財·1項之光學讀輕，財滅記錄層包 含一金屬，其具有—大於或等於_之複合折射率的想 像部份的係數K者。 I9.如申請專利第18項之光學記錄介質，其中金屬記錄層包 括選自一群包括金(Au)，鋁(A1)，鉻(Cr)，鈦(Ti)，銅 (Cu)，鎳(Ni)，鉑(Pt)，銀(Ag)，鉅(Ta)，鐵(Fe)或其合 金的金屬者。 請 先 閔 讀 背 ι5 之 注 拳 項 再 !· 頁 訂 .——線I Π 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 適 I度 尺 張 一紙 f準 !榡 I家 公
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