TW387148B - Memory cell for dynamic random access memory (DRAM) - Google Patents

Description

ΑΊ Η7 經濟部中央標準局負工消费合作·社印製 五、發明説明 ( ί ) 1 1 發 明 領 li 1 本 發 明 有 關 使 用 於 動 能 隨 機 存 取 記 億 苫曲 m (D R AM ) 内 之 記. 1 憶 髏 αα 元 9 且 較 特 別 地 J 有 關 —. 種 記 億 體 DO m 元 其 使 用 /·«. if) 先 1 -* 電 介 質 充 填 之 直 立 式 溝 渠 為 -▲ f諸 存 節 點 及 位 於 該 溝 閱 讀 1 渠 上 之 直 立 式 電 晶 體 為 一 開 關 0 背 而 1 I 之 1 發 明 ρη 景 注 意 1 | DRAM s已呈最重要之積體電路裝置， 且係持續研究及發 事 項 1 1 再 展 之 源 泉 5 特 別 地 » 以 增 加 它 們 的 儲 存 能 力 以 及 寫 入 及 本 έ 讀 取 速 率 為 的 5 此 已 需 要 使 用 較 小 及 較 緊 密 空 間 之 記 頁 1 I 億 體 ΒΙ3 早 元 以 使 用 於 記 億 體 陣 列 中 〇 所 增 加 之 重 要 事 項 偽 1 1 記 億 sm m CJCX 早 元 其 中 儲 存 節 點 由 一 多 晶 矽 充 填 之 溝 渠 5 配 置 1 | 於 一 矽 晶 Η 中 > 及 開 關 電 晶 體 偽 一 直 立 式 電 晶 體 J 位 於 1 訂 晶 片 内 而 在 該 溝 渠 之 上 〇 熟 知 - D R AM 偽 使 用 M0SF ET (金 屬 氯 化 物 半 導 體 場 效 電 晶 p,m 體 )作為開關電晶體， 交替於 1 I 源 極 與 汲 極 間 之 電 晶 體 的 兩 輸 出 電 流 終 丄山 m 扮 演 之 角 色 有 1 如 儲 存 節 點 之 充 電 及 放 電 > 如 此 > 田 適 用 於 待 殊 角 色 時 1 ，各該等終端可描述為 源 極 / 汲 極 及 一 汲 極 /源極 〇 k I 為 解 說 之 百 的 該 等 终 端 % 簡 稱 為 一 源 極 / 汲 極 9 直 立 1 1 式 電 晶 體 傜 以 一 方 式 位 於 儲 存 節 點 之 上 其 使 該 αα 早 元 所 • I 1 使 用 之 晶 Η 表 面 面 積 本 質 地 相 同 於 直 立 式 溝 渠 之 所 使 用 J I 者 〇 理 想 地 利 用 直 立 式 電 晶 am Hi 之 C30 単 元 可 提 供 較 高 於 1 1 使 用 水 平 式 開 關 電 晶 體 之 CIO 単 元 的 封 装 密 度 9 其 中 該 水 平 1 1 式 開 關 電 晶 體 係 定 位 毗 鄰 於 提 供 儲 存 節 點 之 溝 渠 Ο 在 直 1 立 式 溝 渠 RO 単 元 上 之 直 立 式 電 晶 體 之 一 形 式 偽 描 述 於 美 國 1 1 3 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規#, ( 210X297公处） Λ7 ΙΠ 五、發明説明（> ) 專利申請序號第0 8 / 7 7 0 9 6 2號，於1 9 9 6年1 2月2 0日申請， 其中發明人係N 〇 r b e r t A r η ο 1 d，而受讓人偽相同於本申 _案之受讓人。 發明槪沭 本發明之記憶體單元具有一由新穎方法所製造之獨特 結構。在一實施例中，半導體晶片係首先配置以一欲使 用於形成該單元之儲存電容器之直立式溝渠，在作成該 溝渠之後，該電容器之電介質偽藉以一電介質材料塗敷 其壁而形成，該電容器之儲存節點偽由該溝渠之一摻雜 之多晶矽填充物所提供，該溝渠之頂部部分配置以本質 單晶矽，適用以形成直立式電晶體之源極/汲極，一間 置於兩電介質層間之額外之矽層俗接箸澱積於該晶片之 上，該三層偽開孔於該溝渠上之區域中以暴露填充物之 頂部，典型地，此層傺多晶矽，在該開孔作業中所暴露 之額外多晶矽層之諸壁被氧化以形成該電晶體之閘極電 介質，接著該開口被充填以適用於形成該電晶體之中間 層之矽，其中在作業期間將産生反轉層其形成通道於該 電晶體之源極/汲極區之間。最後，形成一額外之矽層 ,其將以此中間層形成該電晶體之第二源極/汲極區。 一位元線之連接傜作成於此最後所述之層，而字元線則 由開孔之多晶矽層所提供。 本發明之另一實施例係針對一記億體單元，其俗使用於 一矽晶Η之單晶巨塊部分内之諸記億體單元之行與列之 記憶體陣列中，且由諸字元線及儲位元線及以定址。該 -4 - 本紙張尺度適用中國阈家社_準（€奶）/\4悅#,(210/：297公处） 先閱讀背而之注¾事項再填寫本頁 -1. 装. 訂 經消部中央標準局負工消f合作杜印聚 經滴部中央標準局貝工消費合作社印奴 Λ7 B7 五、發明説明（4 ) 記憶體單元包含一電容器，一直立式電晶體，一字元線 ，及一位元線。該電容器包含一直立式溝渠，充镇以矽 ，且具有一層電介質沿箸其壁，可隔離矽填充物與該晶 片之巨塊部分。該直立式電晶體係重疊於該溝渠之上， 目.具有一第一源椟/汲極，合併於該溝渠之頂部處；一 中間矽層，其合併於該溝渠之頂部處之矽瑱充物而形成 第一源極/汲極區，且其中一反轉層偽産生來形成一導 電通道；一第二源極/汲極區，覆於該中間矽層之上； 一閘極電介質層，包圍該中間矽層；以及一閘極，包圍 該閛極電介質層且沿箸該晶片之表面延伸，而電氣隔離 於該處及耦合於一字元線。位元線傷電氣連接於第二源 極/汲極旦延伸於該溝渠之表面上及電氣隔離於字元線 與该晶片。 在另一實施例中，本發明傜一種製造該單元之新穎方 法，包含給與晶種資訊至溝渠中所澱積之多晶矽，此晶 種資訊可提供一半導體中間層，其中可産生電晶體之通 道。 在另一實施例中，本發明偽針對一種用以製作記億體 單元之方法，該方法包含下列步驟：形成一溝渠於一導 電形式之半導體晶片中；形成一電介質層於該溝渠之諸 壁上；以一導電形式相反於該晶體導電形式之多晶矽充 镇該溝渠；成長一足夠厚之磊晶矽層於該晶片之表面上 ，用以形成一導電形式柑反於該晶Μ之導電形式之本質 單晶矽層於該溝渠之頂部之上，作為一第一源極/汲極 本紙張尺度適用中國國家榡準（cns )以規枯（2i〇x2yr公片） (誚先閱讀背而之注意事項再填寫本頁

T 1 --- 經濟部中央標卒局負工消费合作社印製 Λ7 Η 7 五、發明説明（4·) •，形成一第一電介質層於該晶片之表面上；形成一導電 形式相反於該晶K之導電形式之多晶矽層於該第一電介 質層之表面上；形成一第二電介質層於該多晶矽層之表 面上；蝕刻一開口貫穿該第一及第二電介質層與該多晶 矽層以裸露本質單晶矽於該溝渠之頂部；選擇性地沿著 該開口之側壁而形成一氣化矽層於該多晶矽層之中；成 長一導電形式之單晶矽於該開口中，用以形成一中間層 ,其中將形成一直立式電晶體之通道，其中在該多晶矽 層之開口之側壁上之該氣化矽層作為閘極電介質；以及 澱積一相反導電形式之導電層於該晶片之頂部表面上， 其接觸該中間矽層用以當作一第二源極/汲極與該單元 之位元線。 本發明將較佳地理解自結合附圖之下文之詳細說明。 園式篛a說明 第1圖係一包含使用於DRAMS中之雩晶體及電容器種類 之標準記億體單元之電氣電路圔ί 第2 _傺一矽晶片之部分横截面圖，該矽晶Η包含一 記憶體單元，其具有第1圖之該單元之電氣圖及包含根 據本發明之一用於電容器之直立式溝渠及一重叠之直立 式電晶體； 第3圖偽一記憶體陣列之頂部圖，該記憶體陣列俗利 用根據本發明之直立式電晶體重疊於直立式溝渠之上； 以及 第4 _至第第]0圖顯示部分之矽晶片於多種階段中， 本纸張尺度適用中國國家榡準（CNS ) ΛΊ規枯（2Ι0Χ 297公处） I - - II - I -- I .1 -1 1^1 - ·ί 1—— - t 邻先閲违背而之注^事項再填寫本！)

、1T 經滴部中央標準局員工消费合作社印取 Λ7 H7 五、發明説明（r ) 其中形成有根據本發明之第2圖中所示之種類之記憶體 CM3 — 単兀。 I 細—J01 第1圖顯示一記憶體單元〗.〇之電氣電路圖。此一單元 偽使用於例如，隨機存取記億體UAH)積體電路（1C)或晶 Η中，同時，此一單元可使用於動態RAM (DRAM),同步 型D R A M ( S D R A Μ ),或其他記億體晶片中。該單元包含一 MOS電晶體12，串聯於一電容器14。電晶體12分別地具 有第一及第二輸出電流電極1 2 Α及1 2 Β，及一閘極電極1 2 C ，該開關電晶體之閘極電極1 2 C偽連接於D R A Μ陣列之一字 元線，當正電流自電極1 2 Α流經電晶體1 2而進入電極1 2 Β 時，電極]2 A作為該電晶體之汲極，而電極1 2 B則作為源 極。此傺發生於當讀入或再新邏輯資訊（資料，信號位 元，亦即，” Γ’或"〇 ”）於記憶體單元i Q時，當資訊自記 億體單元12讀出時，電流流自電極12B經過電晶體12至 電極]2 A，其中電極1 2 B作為汲極而電極1 2 A刖作為源極。 然而，如稍早所述，為簡單計，各將描述為電晶體1 2之 源極/汲極。電容器1 4具有第一（1 4 A )及第二（1 4 B )極板， 極板14B偽典型地耦合於一參考電壓，該參考電壓在圖 中俗顯示為接地]7，在若干實例中，可企望於使用其他 參考電壓於極板1 4 B之上，諸如V p p / 2 ^電晶體1 2導通以 促使電流流自一連接於電極1 2 b之位元線至電容器1 4，而 關閉以隔離電容器1 4於位元線1 8。一相對應於位元資訊 之信號（邏輯資訊）偽儲存為電容器1 4上之電Μ，當適當 -7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ41 - —i I -- Is— . 1 I— : —--I— --I— I - - ^ (計1間請背而之注¾事項再填寫本頁 -- 丁 、-0 ，線 Λ7 H7 五、發明説明（k ) Μ--i-----^ -裝— 站1間讀背而之注&事項再填寫本页 之信號施加於字元線1 9及位元線1 8時，資料（” 1 ”或” Ο ”） 偽儲存為電容器1 4上之電荷，該電碕會保持一有效的時 間，因為儲存節點1 G之漏電，大致地必須週期性地再新 所儲存之資料。 、\=° 經濟部中央標芈局员工消费合作社印製 第2圖顯示根據本發明之記億體單元1 1之結構。複數 之記億體單元偽互連以形成一陣列或諸陣列。該等陣列 偽使用於形成諸如D R A M s，同步型DR A M s ( S D R AM s ),或其 他記憶體ICs之記億體積髏電路。該記億體單元11像顯 示形成於一諸如半導體晶圓之半導電性晶片2 0之一部分 中，該晶圓包含例如，矽，其他含有矽於絶緣體上（S 0 I ) 或砷化録之半導體晶圓亦傺有效。該晶圓可不予摻雜， 或微或重摻雜以具有一第一導電性之諸摻雜物。在一賁 施例中，該晶1={含有一巨塊部分，其有利地係一 P型單 晶矽。記憶體單元具有如第1圖中所示之電氣圖示，含 有一巨塊單晶部分2 1之晶Η 2 0包含一溝渠。在一實施例 中，該溝渠含有一實質之橫截面為方形物，充填以例如 ，作為記億體單元1 ]之儲存節點1 6 (第1圖）之重摻雜η + 型多晶矽2 3，具備其他構截面形狀之諸溝渠亦係有效。 同時，η +多晶矽镇充物相對應於與電晶體1 2之源極/汲 極12Β合併之電容器14之一極板14Α(第1圖）。 一電介質層2 4包圍該溝渠2 2之諸側壁及底部而作為電 容器14之電介質，選擇性地，一重摻雜η +型2 6包圍該溝 渠22之外部，該外部偽由電介質層24與其填充物23隔離 ，靥2G作為該電容器14之另一極板14Β(第1圖）。大致 -8- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) ( 2Κ)Χ2<>>7公' 經濟部中央標率局負工消費合作社印製 Λ7 1Π 五、發明説明（7 ). 地，晶Η 2 0之p型巨塊21係維持於大致為接地之參考電位， 如上所逑。其他諸如V ρ ρ / 2之參考電位亦係有效。 位於該溝渠2 2之上偽一對應於電晶體1 2之直立式電晶 體，該直立式Μ 0 S F Ε Τ電晶體含有η +型層3 4及3 7 ,各大致 地圓形於横截面而相對應於第1圖之源極/汲極1 2 Β及 源極/汲極1 2 Λ ,巨因此形成該電晶體之兩輸出電流终 端，在該等間之中間物延伸p型層3 0 ,其内將産生η型 反轉層（未圖示）以作為該等層3 4及3 7之間的導電通道， 當施加閘極電壓時，會使電晶體於它關閉之開關導電狀 態。該電晶體之閘極電介質係由一包圍著層30之氧化矽 層32所提供。層34將與一導電層36合併，該導電層36作 為Π R A Μ之位元線5 2且以垂直於圖示平面之方向伸展於該 溝渠之表面上，層37對應於記億體單元10之儲存節點16 (第1圖）。 字元線5 0偽由分段之II +型層所提供，顯示為部分3 8 A， 3 8 B，同時伸展於正交位元線3 6之晶片2 0之頂部表面上， 將呈現於下文第3圖之解說中。層部分38 A及38B作為電 晶體1 2之閘極電極1 2 C。p +型中間區3 0及閘極電介質層 3 2本質地偽接合於字元線5 G之兩區段3 8 A與3 8 B之間，一 氧化物層4Q絶緣該字元線5G之底部表面於矽晶片2G之頂 部表商。 企望該中間區3 Q為高遷移率以用於諸如N Μ 0 S型電晶體 中之電子之電荷載體，因為其電位偽供較高開關速率用 。為此理由，企望該中間區本質地包含單晶矽。根據本 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標车（CNS ) Λ4圯#, ( 210X2^7.公玷） J-------「-裝丨 ("先間請背而之注意事項再填寫本頁

、1T 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（# ) 發明一實施例，一實質單晶中間區3 0僳配置於作為該開 關電晶體之一源極/汲極1 2 A (第1圖）之溝渠2 2的多晶矽 充填物2 3與作為該開闊電晶體之另一源極/汲極1 2 B (第 1圖）之區3 0上之矽層3 4之間。如画示，該中間區合併 於該單元之位元線3 0。 在第3圖中，顯示有第2圖之一兩度空間矩形陣列之 記億體單元1 1之頂視圖。如第3 _中所示，行之字元線 5 0偽垂直地伸展，而列之位元線5 2則水平地伸展。絶緣 之交錯處則配置於兩組線將交叉之處。較大傾斜之方形 物5 4表示該直立式溝渠22之輪廓，而包含於該較大傾斜 之方形物54之内的較小方形物56則傺直立式電晶體之輪 廓。 參閲第4至1 0圔，顯示用以形成根據一實施例之記億 體單元之種種步驟。 典型地，複數之記億體I C s傜並聯地製造於一晶圓上， 在並聯處理之後，該晶圓接著切塊為許多晶片，典型 地，各晶片容納一單一 1C，各1C含有成千値單元及相關 之輔肋電路用以寫入，讀出，及再新。為簡化起見，該 處理之解說將限制於與一單一記億體單元有關。 如画示，一溝渠偽形成於作為工件60之一切片之半導 體基體或晶圓中。在一實施例中，該晶圓包含一微摻雜 以P型摻雜物（{P-)之矽。如第4圖中所示，典型地藉 形成一大致地稱為PAD(襯墊）氧化物之氧化矽薄層62於 —矽工件（晶Η )60之表面上而開始，此層主要地作為在 -1 0 - (邻先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) Τ 裝· 、1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規4Μ 210X2W公处） 經濟部中央標準局只工消費合作社印製 Λ7 H7 五、發明説明（9 ) 處理期間保護該切）H G 〇之表而且在處理之過程中予以去 除。大致地，該Ρ Λ D氣化物6 2係覆蓋以氮化矽層β 4 ,通 稱為P A !)(襯塾）氮化物，其主要作為一蝕刻阻斷物於若 干其後之處理步驟中。 接箸，在矽工件6 0中形成一溝渠6 6，其將接箸充填以 多晶矽，此多晶矽偽重摻雜以η-型摻雜物（n+ )及作為該 單元之儲存節點。此可在通常之方式中完成，即，需配 置一合適之製成_案之遮罩層β 5於該切片之表面上且利 用異方向性反應離子蝕刻法（R I Ε )來形成一溝渠.於該矽中 。例如，該遮罩含有Τ Ε 0 S，其他形式之用以蝕刻該溝渠 之硬式遮罩亦傜有效。接箸，若欲含有如第2圖中由n + 塑層2 G所示之選擇性之重摻雜極板區時，則將由例如導 入一適用之摻雜物於該溝溝中旦擴散其進入該基體之內 而形成。具有多種技術有效於此目的，例如藉塗覆該溝 渠之内部以一砷豐磺之塗覆法及加熱以擴散砷進入該溝 渠之矽壁用以摻雜其成η +型。為簡化圖式，此層傜省略 於此及之後的諸圖中。 在形成該η +型極板之後，該溝渠6 S之諸壁在形成電介 質層7 Q之前予以預清洗。該電介質層係形成在該等溝渠 側壁上目.在該遮罩層6 5上方，該電介質層作為電容器之 電介質，該電介質層包含例如，氧化矽，氤化矽，氮氣 化矽，或由習知技術所形成之含氣之氪化矽。 接箸，充填該溝渠以n +型摻雜多晶矽7 2 ( ρ ο 1 y s i 1 i c ο η ) ，該多晶矽偽建構於該工件Β Ο之頂部表而之上，具到該 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家摞隼（CNS ) ( 21〇χΤνΤ>>ίΠ (""間靖背而之注念事項再填寫本页) Τ d -

、1T 五、發明説明（ Μ Η 7 示 所ΜΡ 中{C 圖法 4 光 第抛 如械 ，機 滿學 填化 22受 .渠接 溝.而 表 B- 咅 頂 該 使 後 之 此 在 面 表 之 ο ο - 件Η 該 化 面 平 以 平 成. 達 以 物 斷 阳 刻 蝕 1 為 作 4 β 層 。 質示 介所 電中 該圖 1. 4 中第 業如 作 ， 此化 在而 質遮 介硬 電及 之質 上 介一；|电Μ ^ 未Hfi ( 晶 層多 罩之 遮留 硬殘 及及 而物 表化 該氮 在 m 除襯 去下 ,留 著 ， 接70 層 除 去 以 / Μ 予 C 法 ， 刻效 蝕有 學偽 化亦 式法 濕方 之刻 F Η 触 如之 例層 由等 0 該 偽除 層去 罩以 用 他 其 面 平 來 用 使 偽 面 表 部 頂 之 而RI 平由 一 偽 成分 造部 來部 矽頂 晶之 多渠 該溝 除該 去 ， 而地 面性 表擇 該選 化 Ρ 凹 成 開 該 顯 樣 果 結 該 層 質 介 電 及 物 化 氮 塾 襯 該 於 性 擇 選 偽 晶 磊 之 上 渠 溝 矽 晶 多 該 在 了 良 改 4 7 P 凹 ο 中 画 5 第 於 示 使周 以面 深平 夠之 足面 傜表 口部 凹頂 該之 ，件 中工 例矽 施該 實於 一 矽 在晶 〇 單 質地 品質 之實 矽為 之渠 長溝 成該 矽 之 長 成 晶 磊 之 上 渠 溝 該 在 了 良 改 P 凹 該 此 备 0 C 質 處品 圍之 成露 形裸 以以 上除 渠剝 溝偽 該層 於物 矽化 之氧 長及 成物 晶化 #氣 備墊 製襯 在該 圖中 6 0 第晶 照電 參立 直 J---ΐ------- (-;<?尤間誚背而之注意事項#填寫本頁

'1T 經濟部中央標準局月工消费合作社印製 攝訊 如資 例之 由種 0 晶 僳與 除給 去面 之表 層矽 墊之 襯露 該裸 ,該 商 。 表成 矽達 晶來 單法 之刻 6 独 件學 工化 該式 施 實1 在 〇 上 面 表 之 ο 6 伴 Η 該 於 長 C 成 上地 其晶 於磊 矽偽 長98 成層 以 砂 用 磊長 在成 如之 例矽 , 晶 物磊 隹 0 0 摻雜 型摻 η 處 以原 雜在 摻俗 重層 傜矽 層η+ 矽該 之 ， 晶間 磊期 該之 ， 長 中成 例晶 本紙張尺度適用中國國家椋準（CNS ) ( 2Ι0Χ»·? 經滴部中央標隼局另工消费合作社印製 Λ 7 Η 7 五、發明説明（、< ) 係描述於例如美國專利序號第〇 8 / 6 6 7，5 4丨及Ο 8 / 6 Ο 5，6 2 2 號中，其將結合於本文中供實際參考用。該磊晶層98傺 成長S夠地厚且足夠地結晶化，使用藉由加熱法之再結 晶化可使其充分地單晶化以使用作形成在該直立式Ν Μ 0 S 電晶體之中間層，如第G圖中所示。 現遮罩該工件之頂部表面使得可去除該聶晶層9 8 ,除 覆於該多晶矽所充镇之溝渠6 6 Α之外。 接著，在該平台1 Q Q之曝露表面上形成一氧化物層1 〇 2 其偽適用為所形成之直立式電晶體之閘極電介質物。 在此氧化物層1 Q 2形成於該平台之整铜曝露表面之後， 芯須選擇性地自該平台1 Q 2之頂部表面去除該氣化物1 0 2 , 典型地，此傺藉首先形成一矽氮化物層104於該平台100 之表面上，選擇性地自該平台之表而去除該矽氮化物層 而搽留下氮化物間隔物於該平台之側壁上，以及接著選 擇性地蝕刻掉該平台之頂部表面上所暴露之矽化物及覆 於該工件上之其餘物之所曝露之氧化物而完成。 雖非必要，但企望於接箸蝕刻在該平台之頂部處之矽 ，以形成一淺的凹口 1 〇 6於該平台之頂部處，如第8圖 中所示，同時，可去除在工件60 A之表面處未由該平台 所保護之矽，此允許閘極氧化物來提供源極/汲極汲極 部分重《，此部分重疊傜已知為企望供電晶體之高速率 開關用之因素。 如第9圖及第1 ()圖中所示，本質地僅維持提供汲極/ 源楝區及字元與位元線，為此目的，首先殿積第一氣化 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規梠（2]0/2叩〉>砧） 郃先間讀背而之注意事項存填寫本頁) 裝·

.1T Λ7 H7 五、發明説明（p ) 物層8 Π ,其絶緣該工件之表而於字元線層8 2 ,該字元線 層8 2將接箸澱積於上。 在澱積該字元線之前，須去除平台]〇 〇之倒邊上之氮 化物間隔物】（1 2，使得多晶矽字元線可作成實際接點於 閘極氣化物1 (1 2 ,此偽有利地藉一濕式鈾刻其僅箸手於 該氮化物間隔物。在已去除該等氮化物間隔物之後，依 序地殿積有η +型導電性之多晶矽層82及第二氧化物層84 以達成第9圔中所示之結構。 在澱積該兩層之後，使用來去除過多之該等層而達成 第3圖中所示之結構，而留下暴露之裸露磊晶矽於該平 台之頂部表面處。 參閲第1 〇層1，在該矽平台之暴露表而上澱積一層η +型 導電件多晶矽3 0以形成汲極/源極區，及澱積一層金屬 δ夕化物9 2以形成一高導電性之位元線。 現造成一以本質之細項相對應於第2圖中所示單元之 αο 早τϋ。 將理解的是，所描逑之該等特定之實施例傺僅描繪本 發明之大致原理，而種種修飾將為可行，且不會背離本 發明精神及範躊。例如，其中形成記憶體單元之單晶矽 可為一矽層，其已磊晶地成長於一諸如青玉之外來材料 之適用之晶體。再者，該等特殊導電性形式可反轉，而 所變化之種種矽層之導電性係熟知於該項技術之工作者 。又，所涉及之該等變化之處理步驟諸如蝕刻法及澱積 法，可予以變化。而且，當本發明已就矽作為半導體來 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Λ4规枋（2丨0 X ) -!Ί—彳Ί叫f 誚尤閱讀背而之注&事項再填艿本頁

'1T 經濟部中央標準局負工消贽合作社印奴 .J__ Λ7 Η 7 五、發明説明（β) 描逑時，其目前為較佳之選擇，但其他形式之基體亦偽 有效，因此本發明之範疇並非參考上逑說明來確定，而 是應參考附錄之申請專利範圍與兮部領域之等效物來確 定〇 (誚先閱讀背而之注意事項再填寫本頁 •裝

、1T 經濟部中央標隼局Μ工消费合作社印^ -15- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) AMO; ( 处） 經漪部中央標準局員工消费合作社印聚 Λ7 Η7五、發明説明（J ) 3 7.....η +型層（儲存節點） 3 8 A——η +型層（閘極電極） 3 8 Β .... η +型層（閘極電極） 4 0.....氣化物層 5 1).....字元線 5 2.....位元線 54.....較大傾斜之方形物 5 0.....較小方形物 0 〇.....矽工件（晶Η ) 60Α.·.·矽工件（晶Η ) 62.....氧化矽薄層（襯墊氧化物） G 4.....氮化矽層（襯塾氮化物） 6 5.....遮罩層 G G .....溝渠 7 0.....電介質層 72.....η +型摻雜之多晶矽（多晶矽） 7 4.....凹 口 80.....第一氧化物層 82.....字元線層 8 4.....第二氧化物層 90.....η +型導電多晶矽 9 2.....金屬矽化物 98.....砂層（裔晶層） 1 0 0 ....平臺 -17- 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4说枯（) -------—裝-- ?1間站背而之注f項再填，Η本頁) 訂 I__ Λ7 B7 五、發明説明（4 ) 10 2——氧化物層（閛極氣化物，氮化物間隔物） 1 0 4 ....氣化矽層 1 0 0 ....淺凹口 (計先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 裝·

-II

經濟部中央標準局貝工消费合作社印K -1 8 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) ( 2丨Ox〗97,:./#' )

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 A8 Βδ C8 D8 驟 步 列 下 *’ 含内 包 Μ ， 晶 法矽 方之 之式 元形 單電 體導 億一 記於 作渠 製溝 以一 用成 種形 上 壁 諸 之 渠 溝 該 於 層 質 介 電 1 成 形 晶 多 之 式 形 電 導 1 之 式 形 電 導 該 之 Η 晶 ·’ 該渠 於溝 反該 相填 以充 矽 用片 , 晶 上該 面於 表反 之相 片式 晶形 該電 於導 靥層 矽一 晶成 磊形 之上 度部 厚頂 夠之 足渠 一 溝 長該 成在 以 極 源 1 第 1 作 於 用 層 矽 晶 單 質 本 之 式 形 eg ·.， 導楠 之汲 上磊 之該 渠蓋 溝覆 該 ， 於上 台面 平表 一 之 成片 形晶 以該 層於 矽層 晶質 磊介 該電 於一 案第 圖 一 作成 製形 台 平 之 矽 晶 料物 材隔 一 間 有等 含該 台至 平除 該去 ，地 邊性 側擇 之選 台可 平層 該質 於介 物電 隔一 間第 諸該 成中 形其 第使 該層 除質 去介 部電 頂 一 之第 台該 平護 之保 矽物 晶隔； 磊間除 該等去 及該邊 面中側 表其之 之 ，台 K 層平 晶質該 該介自 從電於 一 免 J--τ—一；—一.. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) H. "° 經濟部中央榡準局員工消費合作社印^ 第 該 之 上 ·’邊 上側 面之 表台 之平 片該 晶下 該留 於 ， 層物 質隔 介間 電壁 二側 第等 一 該 成除 形去 作 層 質 介 Be 一 第 該 之 上 邊 側 之 台 平 該 在 .， ，物 層化 質氣 介極 s BW IpETB^~ 1 為 多 1 第 之 式 形 電 導 ·， 之上 片面 晶表 該之 於層 反質 相介 式電 形二 電第 導該 一 於 成層 形 0 晶 上 而 表 之 層 矽 晶 多 該 於 層 質 介 電 三 第 1 成 形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 表. 之 台 平 之 矽 晶 磊 該 露 暴 以 層 質 介 IpST 三 第 該 化及 面以 平 ·’ 面 電晶 導磊 之該 片於 晶台 該平 於矽 反晶 相多 式一 形成 電形 導以 一 ’ 於層 案矽 圖晶 作多 製二 。 及第上 成之之 形式台 形平 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）